Junction field effect transistor, and method of manufacture thereof
Номер патента: US20150102391A1
Опубликовано: 16-04-2015
Автор(ы): Edward John Coyne
Принадлежит: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-04-2015
Автор(ы): Edward John Coyne
Принадлежит: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Field effect transistor structure and method of forming same
Номер патента: US20120292669A1. Автор: Yun Shi,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Panglijen Candra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.