Method and Circuits for Programming STT-MRAM Cells for Reducing Back-Hopping
Номер патента: US20200327918A1
Опубликовано: 15-10-2020
Автор(ы): Jan Guenole, Lee Yuan-Jen, Liu Huanlong, Wang Po-Kang, Zhu Jian
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-10-2020
Автор(ы): Jan Guenole, Lee Yuan-Jen, Liu Huanlong, Wang Po-Kang, Zhu Jian
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods and Circuits for Programming STT-MRAM Cells for Reducing Back-Hopping
Номер патента: US20180358071A1. Автор: Po-Kang Wang,Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-13.