Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof
Номер патента: US20220302163A1
Опубликовано: 22-09-2022
Автор(ы): Shinichi Sotome
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-09-2022
Автор(ы): Shinichi Sotome
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same
Номер патента: US8043952B2. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.