FORMING NANOSCALE PORES IN A SEMICONDUCTOR STRUCTURE UTILIZING NANOTUBES AS A SACRIFICIAL TEMPLATE.

FORMING NANOSCALE PORES IN A SEMICONDUCTOR STRUCTURE UTILIZING NANOTUBES AS A SACRIFICIAL TEMPLATE

Номер патента: US20190353615A1
Опубликовано: 21-11-2019
Автор(ы): Bi Zhenxing, Cheng Kangguo, Li Juntao, Xu Peng
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Forming nanoscale pores in a semiconductor structure utilizing nanotubes as a sacrificial template

Номер патента: US20190353615A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for checking the proper insertion of a gasket in a channel formed in a door or a door frame of a domestic appliance such as a refrigerator

Номер патента: WO2024165122A1. Автор: Yokesh Kumar SAISIVAM ALAMELU. Владелец: Electrolux Appliances Aktiebolag. Дата публикации: 2024-08-15.

Fgl-2 prothrombinase as a diagnostic tool for malignancy

Номер патента: US20130115645A1. Автор: Esther Rabizadeh,Aida Inbal. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Fgl-2 prothrombinase as a diagnostic tool for malignancy

Номер патента: EP2593560A1. Автор: Esther Rabizadeh,Aida Inbal. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Fgl-2 prothrombinase as a diagnostic tool for malignancy

Номер патента: IL224085A. Автор: Inbal Aida,Rabizadeh Esther. Владелец: Mor Research Applic Ltd. Дата публикации: 2016-08-31.

Method for processing the increase in the proportion of particles contained in a gaseous fluid, in particular air, of less than five microns as a signal for the presence of a fire hazard, and device for carrying out the method

Номер патента: DE2415889B2. Автор: Laurence Gibson Mission Viejo Calif. Barr,Raymond Lu-Po Altadena Calif. Chuan,James Frederik Glendora Calif. Harkee. Владелец: CELESCO INDUSTRIES Inc COSTA MESA CALIF US. Дата публикации: 1981-05-27.

Method for processing the increase in the proportion of particles contained in a gaseous fluid, in particular air, of less than five microns as a signal for the presence of a fire hazard, and device for carrying out the method

Номер патента: DE2415889C3. Автор: Raymond Lu-Po Altadena Calif. Chuan. Владелец: CELESCO INDUSTRIES Inc COSTA MESA CALIF US. Дата публикации: 1982-02-11.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Systems and methods for semiconductor structure sample preparation and analysis

Номер патента: US20210057247A1. Автор: Jang Jung Lee,Shih-Wei Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods and systems for data driven parameterization and measurement of semiconductor structures

Номер патента: WO2023101917A3. Автор: Stilian Ivanov Pandev,Arvind Jayaraman,Proteek Chandan Roy,Hyowon Park,Sungchul Yoo,Antonio GELLINEAU. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for spatially determining the series resistance of a semiconductor structure

Номер патента: US20120113415A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor structure inspection using a high atomic number material

Номер патента: US20240266232A1. Автор: Xiaomeng Chen,Pei-Hsuan Lee,Hung-Ming Chen,Kuang-Shing Chen,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and system for damping vibrations in a tool string system

Номер патента: US09920612B2. Автор: Sicco Dwars,Ivo Petrus Jozef Maria Stulemeijer. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and system for damping vibrations in a tool string system

Номер патента: CA2904782C. Автор: Sicco Dwars,Ivo Petrus Jozef Maria Stulemeijer. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2021-04-20.

Method and system for damping vibrations in a tool string system

Номер патента: GB2528591A. Автор: Sicco Dwars,Ivo Petrus Jozef Maria Stulemeijer. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2016-01-27.

Pressure sensor for installation in a wall element subjected to pressure of a fluid medium, such as a hydraulic pressure line, e.g. in diesel fuel injection systems

Номер патента: US4587840A. Автор: Klaus Dobler,Werner Grunwald. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1986-05-13.

Location transmitter contained in a moulded housing for attachment to a heavy duty container, such as a skip.

Номер патента: GB2489789A. Автор: James Lincoln Bryan. Владелец: TOUGH TRACKER Ltd. Дата публикации: 2012-10-10.

Method and system for providing a magnetic layer in a magnetic junction usable in spin transfer or spin orbit torque applications using a sacrificial oxide layer

Номер патента: US20180247684A1. Автор: Vladimir Nikitin,Mohamad Towfik Krounbi,Xueti Tang,Gen Feng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure

Номер патента: US20130334624A1. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Method of manufacturing a semiconductor transducer device with multilayer diaphragm and semiconductor transducer device with multilayer diaphragm

Номер патента: EP3650827A1. Автор: Jörg Siegert,Remco Henricus Wilhelmus Pijnenburg,Willem Frederik Adrianus Besling,Alessandro Faes. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2020-05-13.

Method of manufacturing a semiconductor transducer device with multilayer diaphragm and semiconductor transducer device with multilayer diaphragm

Номер патента: WO2020094412A1. Автор: Jörg Siegert,Remco Henricus Wilhelmus Pijnenburg,Willem Frederik Adrianus Besling,Alessandro Faes. Владелец: Sciosense B.V.. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US20220229087A1. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US11656245B2. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods and systems for semiconductor structure thickness measurement

Номер патента: US20210295496A1. Автор: Olmez Fatih. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods And Systems For Measurement Of Semiconductor Structures With Multi-Pass Statistical Optimization

Номер патента: US20240353760A1. Автор: John J. Hench,Daniel J. HAXTON. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods and systems for measurement of semiconductor structures with multi-pass statistical optimization

Номер патента: WO2024220228A1. Автор: John J. Hench,Daniel J. HAXTON. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure having a test structure formed in a group III nitride layer

Номер патента: US09947600B2. Автор: Clemens Ostermaier,Bernhard Brunner,Franz Heider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for measuring thickness variations in a layer of a multilayer semiconductor structure

Номер патента: US20180347966A1. Автор: Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-12-06.

Light Sensitive Semiconductor Structures

Номер патента: US20240322062A1. Автор: Daniel Gäbler,Pablo Siles,Qiang Ai,Tamer Abdulrahman,Tong Hong Tan. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for determining contour of semiconductor structure

Номер патента: US12094788B2. Автор: Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09720013B2. Автор: Yi-Che Lai,Pin-Cheng Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US20230225136A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US11930645B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Ald vs pvd igzo channel and alox channel passivation in a 3d nand vertical wordline driver

Номер патента: US20240121964A1. Автор: Jessica Sevanne Kachian,Jose CRUZ-CAMPA. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and system for providing a magnetic layer in a magnetic junction usable in spin transfer or spin orbit torque applications using a sacrificial oxide layer

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a negative image is formed on a semiconductor substrate in a positive photolacquer

Номер патента: CA1325915C. Автор: Wilhelmus P. M. Nijssen,Franciscus A. Vollenbroek,Marcellinus J. H. J. Geomini. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1994-01-11.

Method for creating a pattern in a material and semiconductor structure processed therewith

Номер патента: TW200532394A. Автор: Greja Johanna Adriana Maria Verheijden,Wingerden Johannes Van,Pascal Henri Leon Bancken. Владелец: Imec Inter Uni Micro Electr. Дата публикации: 2005-10-01.

Process for producing a semiconductor

Номер патента: US5312716A. Автор: Masaru Nakamura,Masao Unoki,Shunsuke Yokotsuka. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-17.

Methods of forming reversed patterns in a substrate and semiconductor structures formed during same

Номер патента: US20110052883A1. Автор: Kaveri Jain,Anton J. deVilliers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

A method and system of graphically representing discrete data as a continuous surface

Номер патента: WO2009154482A1. Автор: Andrew John Cardno,Peter Stewart Ingham,Bart Andrew Lewin,Ashok Kumar Singh. Владелец: Business Intelligence Solutions Safe B.V.. Дата публикации: 2009-12-23.

Remote debug service in a cloud environment

Номер патента: US09632913B2. Автор: Edward J. Slattery,Sara L. Mitchell,Hannah J. Deakin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

System and method for supporting memory allocation control with push-back in a distributed data grid

Номер патента: US09424147B2. Автор: Robert H. Lee,Harvey Raja. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method and apparatus for storing and managing contacts in a distributed collaboration system

Номер патента: CA2452893C. Автор: Alexei Evdokimov,Nikita V. Sarichev. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

System and method for providing final drop in a living unit in a building

Номер патента: CA2770281C. Автор: Kurt H. Petersen,William V. Dower,Donald K. Larson,Rutesh D. Parikh,Daniel J. Treadwell,William G. Allen,Wesley A. Raider,Linnea M. Wilkes,Victor J. Borer,Zachary M. Thompson. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-02-13.

Cloud service enabled to handle a set of files depicted to a user as a single file in a native operating system

Номер патента: GB201306011D0. Автор: . Владелец: Box Inc. Дата публикации: 2013-05-15.

Systems and methods of directing a lighting fixture in a venue

Номер патента: GB2581247A. Автор: Halberstadt Matt,Mizerak Christopher,Sanders Chelsea,Duffy Dan. Владелец: Electronic Theatre Controls Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Preview generation operations for files in a network-accessible system

Номер патента: US20220019577A1. Автор: Parag Gokhale,Bhavyan Bharatkumar Mehta,Manoj Kumar PRADHAN,Sri Karthik Bhagi,Prosenjit Sinha. Владелец: Commvault Systems Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Client object for use in a self-service terminal

Номер патента: US8949310B2. Автор: John G. Savage. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Error correction in a storage medium configured using a logical cylindrical recording format

Номер патента: EP1422623A1. Автор: George Saliba.. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2004-05-26.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell group operative as a redundant memory cell group for replacement of another group

Номер патента: US5523976A. Автор: Takeshi Okazawa,Kenji Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Automatically switching shared remote devices in a dense server environment thereby allowing the remote devices to function as a local device

Номер патента: US7269630B2. Автор: William Joseph Piazza,Antonio Abbondanzio,Gregory William Dake,Gregory Brian Pruett,David B. Rhoades,William Gavin Holland,Thomas Charles Burke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of management in a circuit-switched communication network and device which can be used as a node in circuit-switched communication network

Номер патента: AU2569297A. Автор: Christian Frei,Beat Liver,Boi Faltings,Dean Allemang. Владелец: Telecom Ptt. Дата публикации: 1998-10-30.

Method of management in a circuit-switched communication network and device which can be used as a node in a circuit-switched communication network

Номер патента: WO1998046040A1. Автор: Christian Frei,Beat Liver,Boi Faltings,Dean Allemang. Владелец: Swisscom AG. Дата публикации: 1998-10-15.

Methods of detection of conformational change in a nucleic acid duplex by treatment with oxidising or reactive agent as a result of exposure to environmental or chemical conditions

Номер патента: NZ531656A. Автор: Chinh Thien Bui,Abdulkerim Bedir,Richard G Cotton. Владелец: GENVARTEC Pty Ltd. Дата публикации: 2007-09-28.

Method of registering a service in a telecommunication network having a service based architecture, SBA, as well as a corresponding collection controller

Номер патента: US11856547B2. Автор: Attila Mihály,María Cruz Bartolomé RODRIGO. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-12-26.

A method of registering a service in a telecommunication network having a service based architecture, sba, as well as a corresponding collection controller

Номер патента: WO2020164749A1. Автор: Attila Mihály,María Cruz Bartolomé RODRIGO. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2020-08-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200335400A1. Автор: Yu-Lin Yang,Chih-Liang Chen,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Ta-Pen Guo,Hung-Li Chiang,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Sacrificial anode in a kerf for corrosion protection during slider fabrication

Номер патента: US7206169B2. Автор: Neil Leslie Robertson,Edward Hin Pong Lee,Edward Dinan Thomas. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2007-04-17.

Sacrificial anode in a kerf for corrosion protection during slider fabrication

Номер патента: US20040052000A1. Автор: Neil Robertson,Edward Lee,Thomas Dinan. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Fabrication of ellipsoidal or semi-ellipsoidal semiconductor structures

Номер патента: US20210083453A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Philipp Staudinger,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US09799669B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210210351A1. Автор: Ying Li,Wendong LIU,Jiaxi Li,Yafeng QIAN,Lihua Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: GB2626454A. Автор: Johanna Helena Jochem Maria. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure

Номер патента: US09876140B2. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240049457A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Photoactive adhesion promoter in a slam

Номер патента: US20060216634A1. Автор: Kevin O'Brien,Robert Meagley,Heidi Cao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor structure having a plurality of conductive paths

Номер патента: US09698099B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Feng Wei KUO,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell and method for the formation thereof

Номер патента: US09634017B1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structures for enhanced transient response in low dropout (LDO) voltage regulators

Номер патента: US09383618B2. Автор: Gwilym Luff. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A2. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Vtt. Дата публикации: 1999-12-29.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US11678493B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: EP1093669A2. Автор: Arto Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus RANTALA. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2001-04-25.

Semiconductor structure and procedure for minimizing non-idealities

Номер патента: US6501126B1. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2002-12-31.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A3. Автор: Arto Rantala. Владелец: Arto Rantala. Дата публикации: 2000-02-10.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210313394A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11770934B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory and forming method therefor

Номер патента: US20210375939A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and integrated circuit

Номер патента: US20210327879A1. Автор: Shih-Ping Lee,Bo-An Tsai,Shyng-Yeuan Che. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for integration of electro-optical materials in a photonic integrated circuit

Номер патента: US20240319440A1. Автор: Long Chen. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for integration of electro-optical materials in a photonic integrated circuit

Номер патента: EP4435503A1. Автор: Long Chen. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12114506B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of removing an inorganic antireflective coating from a semiconductor substrate

Номер патента: US5883011A. Автор: Henry Lee,Xi-Wei Lin,Satyendra Sethi. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US20220277129A1. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12082401B2. Автор: Xinman CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230189509A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory and forming method therefor

Номер патента: US12082419B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US12131111B2. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and memory device including the structure

Номер патента: US09728248B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Guiding structures for fabrication of angled features in a semiconductor device

Номер патента: US20240319591A1. Автор: Eric A. Joseph,Steven Holmes,Pouya Hashemi,Yanning Sun,Robert L. Bruce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Using a cut mask to form spaces representing spacing violations in a semiconductor structure

Номер патента: US09710589B2. Автор: Pankaj Kumar,Kalpeshkumar Girishchandra Dave,Naveen Chandra Srivastava,Janardhan Achanta,Shreekanth Karandoor Sampigethaya. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming different patterns in a semiconductor structure using a single mask

Номер патента: US09679803B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure with heating element

Номер патента: US11908765B2. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of fabricating semiconductor structure with heating element

Номер патента: US20240186204A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structures and manufacturing methods

Номер патента: US20020018206A1. Автор: Christian Summerer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Device, method and system to prevent pattern collapse in a semiconductor structure

Номер патента: US12113012B2. Автор: Errol Todd Ryan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09864134B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Mirja Richter,Bert Jan Offrein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12027422B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,cheng-hong Wei,Tseng-Yao PAN,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230343789A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230020883A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230225118A1. Автор: Li Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12089392B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure for reducing stray capacitance and method of forming the same

Номер патента: US20240339461A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Access transistors in a dual gate line configuration and methods for forming the same

Номер патента: US20240373623A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Chia Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Chemical optimisation in a molten salt reactor

Номер патента: US09837173B2. Автор: Ian Richard Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-05.

Photo-mask and method of manufacturing semiconductor structures by using the same

Номер патента: US09448471B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Chun-Chi Yu,Teng-Chin Kuo,Yuan-Chi Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor Structure

Номер патента: US20170254950A1. Автор: Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Chiara Marchiori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor structure including optical device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240230996A1. Автор: Stefan Rusu,Tai-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240244819A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Structure

Номер патента: US20160139335A1. Автор: Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Chiara Marchiori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor structure

Номер патента: US9696488B2. Автор: Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Chiara Marchiori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12009238B2. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210327735A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210057206A1. Автор: Yung-Yao Lee,Wei-Hsiang Tseng,Chen Yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240297057A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Fabrication of low-loss, light-waveguiding, orientation-patterned semiconductor structures

Номер патента: US9244225B1. Автор: Thomas F. Kuech,Dan Botez,Luke J. Mawst,Steven Christopher Ruder. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-01-26.

Fabrication of low-loss, light-waveguiding, orientation-patterned semiconductor structures

Номер патента: US20160025927A1. Автор: Thomas F. Kuech,Dan Botez,Luke J. Mawst,Steven Christopher Ruder. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716222B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Freezing a sacrificial material in forming a semiconductor

Номер патента: US20190189427A1. Автор: Matthew S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Freezing a sacrificial material in forming a semiconductor

Номер патента: WO2019125853A1. Автор: Matthew S. Thorum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

System and method for communications in a vehicle consist

Номер патента: WO2012170990A3. Автор: Mark Bradshaw Kraeling,Jared Klineman Cooper,Todd William Goodermuth. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2013-02-14.

Device comprising a cavitation chamber with opposed radial and parallel faces, in communication with a secondary chamber, for treating compounds in a liquid

Номер патента: US09579614B2. Автор: Yves Lecoffre. Владелец: RC LUX. Дата публикации: 2017-02-28.

Hydraulic control in a hydraulic system, especially for the operation of scrap cutters

Номер патента: CA2486736C. Автор: Karl-Heinz Post,Andreas Klother. Владелец: METSO LINDEMANN GmbH. Дата публикации: 2008-02-26.

Cutting element, tool, and method for producing a helically extending, trapezoidally undercut groove in a cylindrical surface of a bore

Номер патента: US20180065197A1. Автор: Michael Mueller,Bernhard Gand,Michael DUCK,Christoph MOERZ. Владелец: Grob Werke GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-08.

A device for repairing holes and/or tears in a net

Номер патента: WO2024043788A1. Автор: Øyvind Lernes. Владелец: Njord Systems As. Дата публикации: 2024-02-29.

Mounting device for foaming in a foam part

Номер патента: AU4056995A. Автор: Horst Steinmeier,Matthias Habersatter,Wolfgang Grund. Владелец: Johnson Controls GmbH. Дата публикации: 1996-07-04.

Mounting device for foaming in a foam part

Номер патента: US5723197A. Автор: Horst Steinmeier,Matthias Habersatter,Wolfgang Grund. Владелец: Johnson Controls GmbH. Дата публикации: 1998-03-03.

Rolling of a strip in a rolling train using the last stand of the rolling train as a tension reducer

Номер патента: CN101687235A. Автор: B·博塔. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2010-03-31.

Welding transformer in a welding gun for robot

Номер патента: US5138129A. Автор: Shigeru Umeda,Tsuyoshi Takatori. Владелец: Obara Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Semiconductor structure implementing sacrificial material

Номер патента: IL157828A. Автор: Yehiel Gotkis,Rodney Kistler,David Wei. Владелец: David Wei. Дата публикации: 2010-06-16.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09508832B2. Автор: Hyun Jung Lee,Seung Hun Lee,Poren Tang,Sunjung Kim,Jongryeol YOO,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for making a semiconductor capacitor

Номер патента: US4413401A. Автор: Thomas Klein,Andrew G. Varadi,Charles E. Boettcher. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1983-11-08.

Semiconductor processing methods of forming field oxidation regions on a semiconductor substrate

Номер патента: US5670412A. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-09-23.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US9666490B2. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for fabricating a wiring plane on a semiconductor chip with an antifuse

Номер патента: US6455435B1. Автор: Matthias Lehr,Wolfgang Leiberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-24.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method of manufacturing a wiring layer in a semiconductor device

Номер патента: US5846878A. Автор: Shinichi Horiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Method of making integrated semiconductor structure having an MOS and a capacitor device

Номер патента: US4290186A. Автор: Thomas Klein,Andrew G. Varadi,Charles E. Boettcher. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1981-09-22.

Masking without photolithography during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US20050079733A1. Автор: Christopher Hill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Masking without photolithography during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US20060292893A1. Автор: Christopher Hill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Masking without photolithography during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US7101814B2. Автор: Christopher W. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-05.

Masking without photolithography during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US7402533B2. Автор: Christopher W Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-22.

Method for creating a pattern in a material and semiconductor structure processed therewith

Номер патента: EP1577941A2. Автор: Greja Johanna Adriana Maria Verheijden,Johannes Van Wingerden,Pascal Henri Leon Bancken. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-09-21.

Silicide stop layer in a damascene gate semiconductor structure

Номер патента: WO2002065524A1. Автор: Qi Xiang,Eric N. Paton,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski,Paul L. King,John Clayton Foster. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-08-22.

Method for configuring quality-of-service quantities in a network having a first network segment and multiple second network segments including multiple network subscribers

Номер патента: US20230388396A1. Автор: Michael Ernst Doering. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-30.

Synergistic compositions comprising R-2-(substituted-sulfonyl)-hexahydro-pyrrolo[1,2-a]pyrazin-6(2H)-ones and S-2-(substituted-sulfonyl)-hexahydro-pyrrolo[1,2-a]pyrazin-6(2H)-ones in a non-racemic ratio

Номер патента: AU2019394706A1. Автор: Carlo Farina,Michael Scherz,Carla Ghelardini,Lorenzo Di Cesare MANNELLI. Владелец: Metys Pharmaceuticals AG. Дата публикации: 2021-05-20.

Controlling timeslot delay in a digital communication system

Номер патента: US20060268915A1. Автор: Gzim Derti. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-30.

Notification of events using mms in a portable communication device

Номер патента: WO2005041547A1. Автор: Jonas Hermansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2005-05-06.

Method for controlling injection in a diesel engine exhaust aftertreatment system and diesel engine with exhaust aftertreatment system

Номер патента: US20090158712A1. Автор: Chun Tai. Владелец: Mack Trucks Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Compositions and methods for manipulating levels of antigen-specific antibodies in a mammal

Номер патента: US20110150878A1. Автор: Arpad Z. BARABAS. Владелец: University Technologies International Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Compositions and methods for manipulating levels antigen-specific antibodies in a mammal

Номер патента: EP1653999A1. Автор: Arpad Z. University of Calgary BARABAS. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2006-05-10.

Methods for calibrating a repeater in a mimo network having tdd-reciprocity based communications, and corresponding devices

Номер патента: WO2024136705A1. Автор: Pal Frenger,Joao VIEIRA,Erik G. Larsson. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-06-27.

Automated placement of measurement endpoint nodes in a network

Номер патента: US09935832B2. Автор: Catalin Meirosu,Andreas Johnsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for allocating reference signals of a backhaul link in a relay communication system, and method and apparatus for transmitting/receiving data using the same

Номер патента: US09801160B2. Автор: Byoung-Hoon Kim,Han-Byul Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-10-24.

Rescheduling of a resource component of low power nodes (LPNs) in a coordination set

Номер патента: US09693304B2. Автор: Alexander Maltsev,Alexei Davydov,Ilya BOLOTIN,Gregory Morozov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatus, method, and system for uplink control channel reception in a heterogeneous wireless communication network

Номер патента: US09554338B2. Автор: Sharad Deepak Sambhwani,Haitong Sun,Jilei Hou,Bibhu Prasad Mohanty,Pavan Kumar Vitthaladevuni. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Electrode for use in a fuel cell functioning as a gas diffusion layer and an electrocatalyst layer

Номер патента: US09397347B2. Автор: Yasuo Imashiro,Jun-Ichi Ozaki,Naokazu Sasaki,Kyosuke Iida,Katsuyuki Matsubayashi. Владелец: Gunma University NUC. Дата публикации: 2016-07-19.

A semiconductor field effect transistor using single crystalline silicon carbide as a gate insulating layer

Номер патента: EP0291951A3. Автор: Takashi Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-01-30.

Semiconductor structure, particularly bib detector, having a depfet as a sensor device, and corresponding operating method

Номер патента: EP2438750A1. Автор: Gerhard Lutz,Lothar Strüder,Valentin Fedl. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2012-04-11.

Mac layer reconfiguration in a mobile communication system

Номер патента: CA2618559C. Автор: Joachim Löhr,Eiko Seidel,Dragan Petrovic. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2015-11-24.

Apparatus and method for displaying numbers in a communication network

Номер патента: US6035024A. Автор: Peggy Stumer. Владелец: Siemens Information and Communication Networks Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

System and method for providing a connection in a communication network

Номер патента: CA2410095C. Автор: Serge Haumont,Tuija Hurtta. Владелец: Core Wiresless Licensing SARL. Дата публикации: 2012-07-03.

Method of regulating expression of a foreign gene by controlling the sugar concentration in a medium and a process of producing a foreign gene product thereby

Номер патента: CA1319630C. Автор: Nobuhiro Fukuhara,Yoshiyuki Nakajima,Nobuyoshi Makiguchi,Setsuo Yoshino,Satori Sone. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1993-06-29.

Fluid apparatus such as a pump or an accumulator

Номер патента: US20010014291A1. Автор: Kiyoshi Nishio. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

System and method for providing a connection in a communication network

Номер патента: WO2001091370A2. Автор: Serge Haumont,Tuija Hurtta. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2001-11-29.

RESCHEDULING OF A RESOURCE COMPONENT OF LOW POWER NODES (LPNs) IN A COORDINATION SET

Номер патента: WO2013048581A1. Автор: Alexander Maltsev,Alexei Davydov,Ilya BOLOTIN,Gregory Morozov. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

Synergistic compositions comprising r-2-(substituted-sulfonyl)-hexahydro-pyrrolo[1,2-a]pyrazin-6(2h)-ones and s-2-(substituted-sulfonyl)-hexahydro-pyrrolo[1,2-a]pyrazin-6(2h)-ones in a non-racemic ratio

Номер патента: WO2020115096A1. Автор: Carlo Farina,Michael Scherz,Carla Ghelardini,Lorenzo Di Cesare MANNELLI. Владелец: Metys Pharmaceuticals AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for performing instantaneous protection in a trip unit

Номер патента: EP1048103A1. Автор: Alan Joseph Messerli,James Arthur Marple,Michael Roger Koller. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2000-11-02.

Method for performing instantaneous protection in a trip unit

Номер патента: WO2000011773A1. Автор: Alan Joseph Messerli,James Arthur Marple,Michael Roger Koller. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2000-03-02.

Synergistic compositions comprising r-2-(substituted-sulfonyl)-hexahydro-pyrrolo[1,2-a]pyrazin-6(2h)-ones and s-2-(substituted-sulfonyl)-hexahydro-pyrrolo[1,2-a]pyrazin-6(2h)-ones in a non-racemic ratio

Номер патента: PH12021551239A1. Автор: Carlo Farina,Michael Scherz,Carla Ghelardini,Cesare Mannelli Lorenzo Di. Владелец: Metys Pharmaceuticals AG. Дата публикации: 2021-12-13.

Multiple electron-beam image acquisition apparatus and multiple electron-beam image acquisition method using beam arrangement with omitted corners in a scan direction

Номер патента: US11961703B2. Автор: Chosaku Noda. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

System and Method of Releasably Securing a Wedge in a Gap

Номер патента: AU2021201830A1. Автор: Angus Noble. Владелец: PURE VISTA LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Managing multicast connections for containers in a computing network

Номер патента: US20240039751A1. Автор: Jianjun Shen,Lan Luo,Ruochen SHEN,Wenying Dong,Antonin Mathieu Bas. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

METHOD OF REGISTERING A SERVICE IN A TELECOMMUNICATION NETWORK HAVING A SERVICE BASED ARCHITECTURE, SBA, AS WELL AS A CORRESPONDING COLLECTION CONTROLLER

Номер патента: US20220104161A1. Автор: Mihaly Attila,Bartolomé Rodrigo Maria Cruz. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Method and apparatus for improving convergence in a spring network

Номер патента: WO2017144944A1. Автор: David Ian Allan. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2017-08-31.

SURETUI FOR USE IN A CASE FOR A STICK OF MATERIAL TO BE APPLIED, SUCH AS A RAISIN OF LIP RED, TOGETHER WITH A SHEET-SURETUI AND A MATTRESS STICK SO PACKED.

Номер патента: FR3004089A1. Автор: Jean-Paul Denece. Владелец: AXILONE PLASTIQUE. Дата публикации: 2014-10-10.

Use of a steel alloy as a material for tubes air-hardened in a protective gas in the manufacture of compressed gas containers or as a material in the manufacture of molded parts in light steel construction

Номер патента: DE10221487A1. Автор: Georg Grundmeier,Thomas Saeuberlich. Владелец: Benteler Stahl Rohr GmbH. Дата публикации: 2003-09-11.

Process for controlling the establishment and operation of paths of transmission (bearers) in a wireless telecommunication system, in particular in a dect-specific rll/wll-system bound into an isdn-system as a local information transmission loop

Номер патента: AU3432897A. Автор: Martin Kordsmeyer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-01-14.

Synergistic compositions comprising (r)-dimiracetam (1) and (s)-dimiracetam (2) in a non-racemic ratio

Номер патента: CA3061274C. Автор: Carlo Farina,Michael Scherz. Владелец: Metys Pharmaceuticals AG. Дата публикации: 2023-03-21.

Method for reducing the consumption of fresh water in a paper mill by means of a cooling tower as well as a cooling tower

Номер патента: CA2255931A1. Автор: Henrik Pettersson,Pertti Heikkilä,Rainer Gartz,Markku Saarinen,Ilkka Sipila. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-11-27.

Method for reducing the consumption of fresh water in a paper mill by means of a cooling tower as well as a cooling tower

Номер патента: EP0907794A1. Автор: Henrik Pettersson,Pertti Heikkilä,Rainer Gartz,Markku Saarinen,Ilkka Sipila. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 1999-04-14.

Method of management in a circuit-switched communication network and device which can be used as a node in a circuit-switched communication network

Номер патента: US6842780B1. Автор: Dean T. Allemang,Christian R. Frei,Beat Liver,Boi Faltings. Владелец: Swisscom AG. Дата публикации: 2005-01-11.

Fastening device for wires or rods in a soil cultivation device consisting of a wire cage and serving as a crumb harrow

Номер патента: AT233885B. Автор: Fritz Ing Schuermann. Владелец: Fritz Ing Schuermann. Дата публикации: 1964-06-10.

Process of making pig iron in a blast furnace using pellets containing thermoplastic and cellulosic materials

Номер патента: AU2018286965B2. Автор: Lars Jennissen. Владелец: Subcoal Int BV. Дата публикации: 2023-09-14.

Pericytes for use as a medicament

Номер патента: WO2023117805A1. Автор: Salvador MARTÍNEZ PÉREZ,Rut Valdor Alonso,David García Bernal,José María Moraleda Jiménez. Владелец: Universidad De Murcia. Дата публикации: 2023-06-29.

Pericytes for use as a medicament

Номер патента: EP4202038A1. Автор: Salvador MARTÍNEZ PÉREZ,Rut Valdor Alonso,David García Bernal,José María Moraleda Jiménez. Владелец: Universidad De Murcia. Дата публикации: 2023-06-28.

Synergistic compositions comprising (r)-2-(2-oxopyrrolidin-1-yl)butanamide and (s)-2-(2-oxopyrrolidin-1-yl)butanamide in a non-racemic ratio

Номер патента: ZA202102701B. Автор: Farina Carlo,Ghelardini Carla,SCHERZ Michael,DI CESARE MANNELLI Lorenzo. Владелец: Metys Pharmaceuticals AG. Дата публикации: 2023-10-25.

Method And Apparatus For Beam Capability Reporting In A Relay-Type Wireless Device

Номер патента: US20240129716A1. Автор: Lung-Sheng Tsai,Chun-Hao FANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods of detection of conformational change in a nucleic acid duplex by treatment with oxidising or reactive agent as a result of exposure to environmental or chemical conditions

Номер патента: CA2460496A1. Автор: Chinh Thien Bui,Abdulkerim Bedir,Richard G. Cotton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Electrospinning with sacrificial template for patterning fibrous constructs

Номер патента: US11938248B2. Автор: Yadong Wang,Eric M. Jeffries,James H. Clampffer. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240282639A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220319928A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09598279B2. Автор: Xianming Zhang,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210296439A1. Автор: Yu-Lin Yang,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12119394B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240371982A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with protection layer

Номер патента: US11271088B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006514A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200411372A1. Автор: Yao-Wen Chang,Hai-Dang Trinh,Gung-Pei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220029024A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP3945599A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220262955A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240250175A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240274649A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12002716B2. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210135016A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure

Номер патента: EP3817065A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240170580A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of forming a semiconductor structure including a vertical nanowire

Номер патента: US20140206157A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12119350B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Al-poor barrier for InGaAs semiconductor structure

Номер патента: US09614082B2. Автор: Robert Langer,Bernardette Kunert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11367784B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230411478A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Mcdermott W&e Llp LLP. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230377984A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11823957B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200043802A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Composite semiconductor structure for reducing scattering of carriers by optical phonons and a semiconductor device that uses such a composite semiconductor structure

Номер патента: US5336901A. Автор: Takuma Tsuchiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11855211B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240088294A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Multilayer work function metal in nanosheet stacks using a sacrificial oxide material

Номер патента: WO2023104455A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Koji Watanabe,Jingyun Zhang,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240047558A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11776963B2. Автор: Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method For Encapsulating A Device In A Microcavity

Номер патента: US20080135998A1. Автор: Jean-Pierre Celis,Ann Witvrouw,Chris Van Hoof,Raquel Consuelo HELLÍN RICO,Anthony Joseph Muscat,Jan Fransaer. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230402530A1. Автор: SHILIANG Ji,BO Su,Yu Fu,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Methods of manufacturing a semiconductor device with local isolation and a semiconductor device with local isolation

Номер патента: US20230317830A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Method for manufacturing a micromechanical system comprising a removal of sacrificial material through a hole in a margin region

Номер патента: US09452923B2. Автор: Mirko Vogt,Thoralf Kautzsch,Heiko Froehlich,Maik Stegemann. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor structure with gate-all-around devices and stacked finfet devices

Номер патента: US20240186187A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Counteracting Semiconductor Material Loss During Semiconductor Structure Formation

Номер патента: US20210351275A1. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-11-11.

Counteracting semiconductor material loss during semiconductor structure formation

Номер патента: US11996459B2. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-28.

Substrate processing method for forming inner spacers in a nano-sheet device

Номер патента: US20210376123A1. Автор: Atsushi Endo,Masaru Sugimoto,Luis Fernandez,Masanobu Igeta,Atsushi Tsuboi,Shimpei Yamaguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure having nanocrystalline core and nanocrystalline shell pairing with compositional transition layer

Номер патента: US09428691B2. Автор: Juanita N. Kurtin. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for incorporating multiple channel materials in a complementary field effective transistor (cfet) device

Номер патента: WO2019112952A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12021117B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040406B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756934B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756997B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230154985A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structure having two-dimensional channel

Номер патента: EP4409640A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Christopher Waskiewicz,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure with wraparound backside amorphous layer

Номер патента: US20230387225A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: WO2023202993A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-26.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: EP4265333A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397400A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12094947B2. Автор: Keng-Chu Lin,Ko-Feng Chen,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Laser system for dicing semiconductor structure and operation method thereof

Номер патента: US12121995B2. Автор: Peng Chen,Houde Zhou,Liquan Cai. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Machinery fence support facilitating fence movement in a direction perpendicular to a length of the fence

Номер патента: US09789626B2. Автор: Scott L. Clark. Владелец: Kreg Enterprises Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Network of semiconductor structures with fused insulator coating

Номер патента: US09722147B2. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao,Benjamin Daniel Mangum,Kari N. Haley. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11942552B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12002845B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240204081A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and process thereof

Номер патента: US09570339B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130099361A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-25.

Controlling fin hardmask cut profile using a sacrificial epitaxial structure

Номер патента: US20200135570A1. Автор: Eric R. Miller,Yann Mignot,Stuart A. Sieg,Indira Seshadri,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor Structure Formed Using a Sacrificial Structure

Номер патента: US20080054481A1. Автор: Sean Lian,Bailey Jones,Simon Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor structure with enhanced contact and method of manufacture the same

Номер патента: US09647115B1. Автор: Sung-Li Wang,Meng-Chun Chang,Yasutoshi Okuno,Yi-Fang Pai,Cheng-Long Chen,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210134980A1. Автор: Yung-Han Chiu,Chia-Hung Liu,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096806A1. Автор: Chao-Hsuan Chen,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Wei Chen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US12108591B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4199043A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170403A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297225A1. Автор: SHEN Wang,Shiang-Bau Wang,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hong Pin Lin,Kung-Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132077B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of forming semiconductor structure including suspended semiconductor layer and resulting structure

Номер патента: US09805988B1. Автор: Guillaume Bouche,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US09799558B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Carlos H. Diaz,Hsi-Wen Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of forming closely spaced metal electrodes in a semiconductor device

Номер патента: US5486483A. Автор: Michael D. Lammert. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027456B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US20230125584A1. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US12131904B2. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070224810A1. Автор: Werner Graf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor structure and method for forming thereof

Номер патента: US12020950B2. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Siao-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Semiconductor structure with backside self-aligned contact and method for forming same

Номер патента: US20240290850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Yun Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210366912A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11594540B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793381B2. Автор: Dongwoo Kim,Chang Woo SOHN,Kyungin Choi,Youngmoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125875B2. Автор: Chia Che CHIANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4310889A1. Автор: Songmei Shen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130082354A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

A semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP2248163A2. Автор: Pierre Goarin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20230013859A1. Автор: Songmei Shen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240008245A1. Автор: Xuri JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for fabricating a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US20060252222A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12132087B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12142533B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US11769672B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230317821A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of fabrication for a semiconductor structure

Номер патента: US20240170324A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4167276A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-04-19.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20230268417A1. Автор: Yung-Han Chiu,Chia-Hung Liu,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor structure, method for forming same, and memory

Номер патента: EP3933921A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor fin integration using a sacrificial fin

Номер патента: US20080206933A1. Автор: Robert E. Jones,Rickey S. Brownson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Methods for forming semiconductor structure

Номер патента: US10847636B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Ru-Shang Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230047893A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for forming semiconductor structure by using sacrificial layer configured to be replaced subsequently to form bit line, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US11895852B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20220271039A1. Автор: Shih-hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US11984352B2. Автор: Jun Xia,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor structure and its fabrication method, memory and memory system

Номер патента: US20240164098A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing bit line structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US11985814B2. Автор: Ning Xi,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of making a semiconductor structure useful in making a split gate non-volatile memory cell

Номер патента: WO2011084915A2. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Spencer E. Williams,Cheong M. Hong,Konstantin V. Loiko. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for reducing loss of silicon cap layer over SiGe source/drain in a CMOS device

Номер патента: US09685382B1. Автор: Jialei Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Junction overlap control in a semiconductor device using a sacrificial spacer layer

Номер патента: US09530864B2. Автор: Chia-Yu Chen,Tenko Yamashita,Michael J. Hargrove,Ryan O. Jung,Steven J. Bentley,Sivanandha K. Kanakasabapathy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Metallization method for semiconductor structures

Номер патента: US09437488B2. Автор: Silvia Armini,Boon Teik CHAN,Frederic LAZZARINO. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US20210391330A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984398B2. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of making a semiconductor image sensor having reflection component

Номер патента: US20240204024A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Chun-Liang Lu,Cheng-Hao Chiu,Huan-En Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20210151342A1. Автор: Bo Hua CHEN,Yan Ting SHEN,Fu Tang Chu,Wen Han YANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structures

Номер патента: US20170213829A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12119229B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Hung Lin,Wei-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structures

Номер патента: US09911742B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09607902B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923306B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049451A1. Автор: Yu-Ting Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230354575A1. Автор: Jiawei Zhang,Changli Zhu,Jinguo FANG. Владелец: Changxin Jidian Beijing Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240072157A1. Автор: Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389264A1. Автор: Yang Chen,Shiran ZHANG,Xinru HAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming a three-dimensional polysilicon layer on a semiconductor wafer

Номер патента: US20020055226A1. Автор: Chin-Yi Huang,Chen-Chin Liu,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240049452A1. Автор: Yu-Ting Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

A metal-semiconductor alloy region for enhancing on current in a three-dimensional memory structure

Номер патента: WO2016167984A1. Автор: Tomohiro Kubo,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,George Matamis,Sateesh KOKA,Junichi Ariyoshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Carrier substrate for semiconductor structures suitable for a transfer by transfer print and manufacturing of the semiconductor structures on the carrier substrate

Номер патента: US20240371669A1. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Metal-semiconductor alloy region for enhancing on current in a three-dimensional memory structure

Номер патента: US09524977B2. Автор: Tomohiro Kubo,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,George Matamis,Sateesh KOKA,Junichi Ariyoshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2680606C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-02-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11871564B2. Автор: Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11984324B2. Автор: Yu-chen Wei,Feng-Inn Wu,Tzi-Yi Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240203750A1. Автор: Yu-chen Wei,Feng-Inn Wu,Tzi-Yi Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure implementing series-connected transistor and resistor and method for forming the same

Номер патента: US20220005734A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device thereby

Номер патента: US20120187471A1. Автор: Seong-soo Lee,Dae-hyun Jang,Gyung-Jin Min,Suk-Ho Joo,Yoo-Chul Kong,Han-Geun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-26.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US20100237475A1. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US8035200B2. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: US20230223252A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240006219A1. Автор: Kai Cheng,Kai Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12101924B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: WO2021198559A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12100670B2. Автор: Qiang Zhang,Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: CA3178846A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: AU2021245385A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2022-11-03.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: EP4128323A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: EP3618123A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190157394A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US09786606B2. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for fabricating a semiconductor device including gate-to-bulk substrate isolation

Номер патента: US09748404B1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell having a charge trapping layer and method for the formation thereof

Номер патента: US09673210B1. Автор: Peter Baars,Joerg Schmid,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US11862513B2. Автор: Xifei BAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369390A1. Автор: Chia Che CHIANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11996469B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: EP1579488A1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Jacob C. Hooker,Vincent C. Venezia,Charles J. J. Dachs. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-09-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230187512A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4177955A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343865A1. Автор: Wang Hu,WANG Shan Shan,ZHANG Wei Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US20210287902A1. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027594B2. Автор: SHEN Wang,Shiang-Bau Wang,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hong Pin Lin,Kung Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4355048A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230276609A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11658070B2. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240266225A1. Автор: Chih-Chang Hung,Tzu-Ging LIN,Shun- Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220216066A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12080596B2. Автор: JISONG Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure with multi spacer

Номер патента: US09911824B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure including a transistor having stress creating regions and method for the formation thereof

Номер патента: US09812573B1. Автор: Maciej Wiatr,Chung Foong Tan,Arkadiusz Malinowski,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09761460B1. Автор: Chia-Ching Lin,En-Chiuan Liou,Yen-Pu Chen,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure having gap within gate and cap and process thereof

Номер патента: US09666471B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Chun-Che Huang,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structure and recess formation etch technique

Номер патента: US09570600B2. Автор: Bin Lu,Min Sun,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-02-14.

Temperature-controlled implanting of a diffusion-suppressing dopant in a semiconductor structure

Номер патента: US09508602B2. Автор: Mitsuhiro Togo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Controlled metal extrusion opening in semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09484301B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Max G. Levy,David C. Thomas,Steven S. Williams,Gary L. Milo,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09401425B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-07-26.

Compound semiconductor structure

Номер патента: US09337265B2. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Mario El Kazzi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: US11935917B2. Автор: Chen En Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11856756B2. Автор: Mengdan ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11824103B2. Автор: Chih-Teng Liao,Chen-Wei Pan,Jen-Chih Hsueh,Li-Feng CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230378327A1. Автор: Chih-Teng Liao,Chen-Wei Pan,Jen-Chih Hsueh,Li-Feng CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor devices formed using a sacrificial layer and methods for manufacturing the same

Номер патента: US9147745B2. Автор: Hao Wu,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-09-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1579488B1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Jacob C. Hooker,Vincent C. Venezia,Charles J. J. Dachs. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220059445A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines

Номер патента: US20240234301A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory

Номер патента: EP4358134A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor Structure And Method of Making The Same

Номер патента: US20240234202A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240120282A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shang-Pin Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413532A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148791A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2019041956A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240292606A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure having buried conductive elements

Номер патента: US20150236024A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni,Emre Alptekin,Johnathan E. Faltermeier,Reinaldo A. Vega,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating a semiconductor structure having selective dopant regions

Номер патента: US7419883B2. Автор: Nicola Vannucci,Sven Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-02.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013078867A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Lei Guo. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US12087826B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor growth device

Номер патента: US20240327980A1. Автор: Xiao Xiao,Yang Cheng,Jun Wang,Yintao GUO. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming semiconductor structures comprising aluminum oxide

Номер патента: US20150235841A1. Автор: Difeng Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210167197A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor structure with through-silicon via

Номер патента: US09859192B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure

Номер патента: US09837282B1. Автор: Chia-Ching Lin,En-Chiuan Liou,Yen-Pu Chen,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US09824992B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structures comprising aluminum oxide

Номер патента: US20150349082A1. Автор: Difeng Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748264B1. Автор: Teng Hao Yeh,Yu Wei Jiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure having a source and a drain with reverse facets

Номер патента: US09673296B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Jinghong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for producing fin structures of a semiconductor device in a substrate

Номер патента: US09391141B2. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor structure for photo-conducting antennas

Номер патента: RU2671286C1. Автор: Галиб Бариевич Галиев,Евгений Александрович Климов,Алексей Николаевич Клочков,Петр Павлович Мальцев,Сергей Сергеевич Пушкарев,Иван Сергеевич Васильевский,Александр Николаевич Виниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10741670B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067449A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11935749B2. Автор: Tsung-Cheng Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230411162A1. Автор: Tsung-Cheng Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238433A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230411154A1. Автор: Tsung-Cheng Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for processing semiconductor structure

Номер патента: EP3951837A1. Автор: Shin-Hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for fabricating a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US7696041B2. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor structure and forming method thereof, and photomask layout

Номер патента: US20240006515A1. Автор: JISONG Jin,Jun Wang,Kuchanari SUBHASH,Nalawar PRASANNA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

A crystalline oxide-on-semiconductor structure and a generic process for preparing the structure

Номер патента: WO2000060146A1. Автор: Matthew F. Chisholm,Rodney Allen Mckee,Frederick Joseph Walker. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2000-10-12.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4325551A1. Автор: Lingyi CHUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Method for Forming a Buried Metal Line in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20240006228A1. Автор: Zheng Tao,Basoene Briggs,Anshul Gupta,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-04.

Adhesive-layer structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220375778A1. Автор: Chih-Kai Huang,Yu-Yun Lo,Shiang-Ning YANG,Bo-Wei Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11978791B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor structure, method for forming same and layout structure

Номер патента: US20230018639A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structure

Номер патента: US11967613B2. Автор: Jung-Tao CHUNG,Yao-Ting Shao,Shu-Hsiao TSAI,Hsi-Tsung Lin,Chen-An Hsieh,Ju-Hsien LIN,Yi-Han Chen. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230128761A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230012587A1. Автор: Yi Tang,Xiaojie Li,Jianfeng Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure with chirp layer

Номер патента: US20210036183A1. Автор: Norbert Krause,Guilherme Tosi. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Chip packaging structure and method for preparing the same, and method for packaging semiconductor structure

Номер патента: US20230197666A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure with dispersedly arranged active region trenches

Номер патента: US20130270669A1. Автор: Chih-Chiang Chuang,Chao-Hsin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220336466A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US20210005706A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20220367646A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for selectively removing predetermined part of selected element in semiconductor structure

Номер патента: US20240021432A1. Автор: Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for forming semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230119755A1. Автор: Qing LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor structure and manufacture method therefor

Номер патента: EP3758065A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure including a transistor including a gate electrode region provided in a substrate and method for the formation thereof

Номер патента: US09786657B1. Автор: Uwe Dersch,Ricardo Pablo. Mikalo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure having integrated snubber resistance

Номер патента: US09627328B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608077B1. Автор: Jae-Sung Kim,Kun-Young Lee,Jeong-Seob KYE,Tae-Kyum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583622B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure having a capacitor and metal wiring integrated in a same dielectric layer

Номер патента: US09577030B2. Автор: Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and etch technique for monolithic integration of III-N transistors

Номер патента: US09502535B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200051864A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11031293B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20190006242A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chiao-Ting TAI,Chung-Feng Nieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230360963A1. Автор: Junsheng ZANG. Владелец: Changxin Jidian Beijing Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US20200388502A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US20220181161A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240087959A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230261071A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure formation

Номер патента: US20210183865A1. Автор: Deepak Chandra Pandey,Naveen KAUSHIK,Venkata Naveen Kumar Neelapala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12027575B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US11916037B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Vacuum Sealing A Sacrificial Glass Panel To A Structural Glass Panel

Номер патента: US20230080812A1. Автор: Micah Jones,Manuel Mojica. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure with improved capacitance of bit line

Номер патента: US20140054535A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200135762A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US20230238354A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11658227B2. Автор: Chao-Sheng Cheng,Pei-Lun JHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290669A1. Автор: Dohyun Kim,Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Yeongseon Kim,Juhyeon KIM,JeongOh Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11756988B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230028636A1. Автор: Zongzheng LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor Device and Method using a Sacrificial Layer

Номер патента: US20120068240A1. Автор: Rudolf Berger,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US20240314996A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2009076510A2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240321942A1. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Heat dissipation structure, method for forming heat dissipation structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12119283B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure with anti-efuse device

Номер патента: US09754903B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey Poovannummoottil Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240379908A1. Автор: Shiou-Yi Kuo,Guo-Yi SHIU. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for manufacturing a semiconductor structure having a trench with high aspect ratio

Номер патента: US09735232B2. Автор: Tai-I Yang,Jheng-Sheng You,Tien-Lu Lin,Chi-Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure including patterned feature

Номер патента: US09716007B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing a reduced free-charge carrier lifetime semiconductor structure

Номер патента: US09543405B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Hille,Frank Pfirsch,Holger Ruething. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing a semiconductor micro- or nano-wire, semiconductor structure comprising such a micro- or nano-wire, and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09331233B2. Автор: Francois Martin,Amélie DUSSAIGNE,Philippe Gilet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for manufacturing a semiconductor component that inhibits formation of wormholes

Номер патента: US7217660B1. Автор: Minh Van Ngo,Paul R. Besser,Connie Pin-Chin Wang,Jinsong Yin,Hieu T. Pham. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-05-15.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20230261046A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Hsien-Shih Chu,Te-Hao HUANG,Yun-Fan CHOU,Feng-Ming Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11728219B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor structure and method of forming same

Номер патента: US20210020742A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Hsien-Shih Chu,Te-Hao HUANG,Yun-Fan CHOU,Feng-Ming Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor structure and method of forming same

Номер патента: US11145715B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Hsien-Shih Chu,Te-Hao HUANG,Yun-Fan CHOU,Feng-Ming Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Semiconductor substrate with a sacrificial annulus

Номер патента: US20240222184A1. Автор: Andrew M. Bayless,Jeremy E. Minnich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12034061B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220123118A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230411171A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Jing-Ye Juang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240258232A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230012447A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Optoelectronic component, semiconductor structure and method

Номер патента: US20220376134A1. Автор: Christian Berger,Stefan Illek,Petrus Sundgren,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka,Felix FEIX,Ana Kanevce. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230275066A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

MRAM cell embedded in a metal layer

Номер патента: US12058942B2. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure having multilayer of polysilicon and display panel applied with the same

Номер патента: US7476601B2. Автор: Chih-Wei Chao,Mao-Yi Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-01-13.

Semiconductor structure having multilayer of polysilicon and display panel applied with the same

Номер патента: US20060163733A1. Автор: Chih-Wei Chao,Mao-Yi Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor Structure for Improved Radio Frequency Thermal Management

Номер патента: US20240266426A1. Автор: Christer Hallin,Scott Sheppard,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20220045186A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor structure, storage structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230029936A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A3. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US20150380307A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210296208A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220140102A1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Pei-Lun JHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure

Номер патента: US20160020167A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20220199490A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240282700A1. Автор: Li Han Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240030279A1. Автор: WAN Song,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Sitong CHEN,Zhengrong CHEN,Zhaozhao XU,Leping Wei. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230164973A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor structure for improved radio frequency thermal management

Номер патента: WO2024163587A1. Автор: Christer Hallin,Scott Sheppard,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321988A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Light sensitive semiconductor structures

Номер патента: GB2628444A. Автор: GABLER Daniel,Siles Pablo,Ai Qiang,Abdulrahman Tamer,Hong Tan Tong. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200350162A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for preparing semiconductor structure using a first mask comprises a groove

Номер патента: US12108593B2. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu,Zhong KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method for preparing same, memory, and electronic device

Номер патента: US20240290678A1. Автор: Ming Zeng. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing a semiconductor structure using isolation layers for etching the trenches in a substrate

Номер патента: US12063769B2. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062702B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11776873B2. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for removing epitaxial layer and respective semiconductor structure

Номер патента: US20240363416A1. Автор: Soeren Steudel,Johan Vertommen. Владелец: Micledi Microdisplays BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure

Номер патента: US12133378B2. Автор: Wei Zhong Li,Hsih Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12133470B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Cpmpany Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure having dielectric layer and conductive strip

Номер патента: US09947665B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09917167B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US09824969B1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure in which film including germanium oxide is provided on germanium layer, and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US09722026B2. Автор: Toshiyuki Tabata,Tomonori Nishimura,Akira Toriumi,Choong Hyun LEE,Cimang Lu. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-08-01.

Enhanced method of introducing a stress in a transistor channel by means of sacrificial sources/drain regions and gate replacement

Номер патента: US09431538B2. Автор: Pierre Morin,Shay REBOH. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US09396996B2. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor structure for photo-conducting antennas

Номер патента: RU2624612C1. Автор: Евгений Александрович Климов,Петр Павлович Мальцев,Сергей Сергеевич Пушкарев,Галиб Галиевич Галиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2017-07-04.

Formation of semiconductor structures with variable gate lengths

Номер патента: US8999791B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240038829A1. Автор: Yi Rang Lim,Jiye BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of cutting a fine pattern, methods of forming active patterns using the same, and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US11842899B2. Автор: Hyunchul Lee,Jiseung LEE,Sanggyo Chung,Kyoungha Eom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Номер патента: US12040283B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Hsiu-Jen Lin,Hui-Jung TSAI,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Yen-Liang Lin,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang,Chung-Ming Weng,Chun-Ti LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Номер патента: US20240321765A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Hsiu-Jen Lin,Hui-Jung TSAI,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Yen-Liang Lin,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang,Chung-Ming Weng,Chun-Ti LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of forming low-defect strain-relaxed layers on lattice-mismatched substrates and related semiconductor structures and devices

Номер патента: US09343303B2. Автор: Wei-E Wang,Mark Stephen Rodder. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device fabrication using a sacrificial plug for defining a region for a gate electrode

Номер патента: US6051487A. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Mark C. Gilmer,Robert Paiz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170345916A1. Автор: Jin Peng,Zhong Shan Hong,Ke Lu HUA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor on diamond substrate, precursor for use in preparing a semiconductor on diamond substrate, and methods for making the same

Номер патента: US11791157B2. Автор: Martin Hermann Hans Kuball,James Wayne Pomeroy,Michael John Uren,Oliver Aneurin Williams. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for forming a semiconductor-on-insulator (soi) substrate

Номер патента: US20230377948A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Kuan-Liang Liu,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of cutting a fine pattern, methods of forming active patterns using the same, and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20240063024A1. Автор: Hyunchul Lee,Jiseung LEE,Sanggyo Chung,Kyoungha Eom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

A semiconductor on diamond substrate, precursor for use in preparing a semiconductor on diamond substrate, and methods for making the same

Номер патента: EP3844798A1. Автор: Martin Hermann Hans Kuball,James Wayne Pomeroy,Michael John Uren,Oliver Aneurin Williams. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2021-07-07.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Versatile system for limiting electric field degradation of semiconductor structures

Номер патента: US20050258494A1. Автор: Greg Baldwin,PR Chidambaram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure, an integrated circuit including a semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: EP2394299A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-14.

Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication

Номер патента: US09859381B2. Автор: Anthony J. Lochtefeld,Jizhong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure and manufacuting method of the same

Номер патента: US09831154B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Volume Chien,Chung-Bin Tseng,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Method including a formation of a transistor and semiconductor structure including a first transistor and a second transistor

Номер патента: US09685457B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices including an etch stop pattern and a sacrificial pattern with coplanar upper surfaces and a gate and a gap fill pattern with coplanar upper surfaces

Номер патента: US09966432B2. Автор: Boun Yoon,Sangjine Park,Jeongnam Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Номер патента: US09799625B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Alexander Kalnitsky,Kuo-Pin Chang,Chin-Yu Ku,Cheng-Yu Kuo,De-Dui Liao,Kuo-Chio Liu,Yi-Yang Lei,Kai-Di Wu,Sheng-Pin Yang,Hsi-Ching Wang,Tsung Lung Huang,Isaac Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of forming a complementary metal oxide semiconductor structure with N-type and P-type field effect transistors having symmetric source/drain junctions and optional dual silicides

Номер патента: US09548306B2. Автор: Andres Bryant,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of forming a semiconductor structure including a ferroelectric material and semiconductor structure including a ferroelectric transistor

Номер патента: US09412600B2. Автор: Gunter Grasshoff,Ralf van Bentum. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of fabricating a semiconductor device using masked deposition

Номер патента: WO2024039396A1. Автор: Pasi KOSTAMO,Flavio Griggio,David Johannes VAN WOERKOM,Naganivetha Thiyagarajah,Maren Elisabeth KLOSTER,Shivendra UPADHYAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the III-V type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US9991346B2. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-06-05.

Номер патента: US12048254B2. Автор: David L. Rath,Kenneth P. Rodbell,Hongwen Yan,Martin O. Sandberg,Vivekananda P. Adiga,Jeng-Bang Yau,John Bruley,Cihan Kurter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Configuration and fabrication of semiconductor structure having bipolar junction transistor in which non-monocrystalline semiconductor spacing portion controls base-link length

Номер патента: US20100244143A1. Автор: Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor-on-insulator wafer, semiconductor structure including a transistor, and methods for the formation and operation thereof

Номер патента: US20180040731A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Номер патента: US09997615B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor-on-insulator wafer, semiconductor structure including a transistor, and methods for the formation and operation thereof

Номер патента: US09966466B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for providing a perpendicular magnetic anisotropy magnetic junction usable in spin transfer torque magnetic devices using a sacrificial insertion layer

Номер патента: US09559296B2. Автор: Jangeun Lee,Xueti Tang,Dustin William Erickson. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Номер патента: US09496345B2. Автор: Koji Nakayama,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Kazutoshi Kojima,Tetsuya Miyazawa,Shiyang Ji,Tetsuro Hemmi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-15.

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US20230197504A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Номер патента: US20230320227A1. Автор: Ching-Hui Lin,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Fu-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Shih-Fen Huang,Yan-Jie Liao,Chao-Hung Chu,Po-Chen Yeh,Wei Chun WANG,Sheng Kai Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, PARTICUALARLY BIB DETECTOR, HAVING A DEPFET AS A SENSOR DEVICE, AND CORRESPONDING OPERATING METHOD

Номер патента: US20120097859A1. Автор: . Владелец: Max-Planck-Gesellschaft zur Foerderung der Wissens chaften e.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Catheter connecting head with at least one duct in a base member

Номер патента: CA1127926A. Автор: Andreas Weikl,Max Hubmann. Владелец: Intermedicat GmbH. Дата публикации: 1982-07-20.

Methods of detection of conformational change in a nucleic acid duplex by treatment with oxidising or reactive agent as a result of exposure to environmental or chemical conditions

Номер патента: AU2002322202A1. Автор: Chinh Thien Bui,Abdulkerim Bedir,Richard G Cotton. Владелец: GENVARTEC Pty Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

Номер патента: RU2567117C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

Formed Ceramic Receiver Element Adhered to a Semiconductor Lamina

Номер патента: US20120003775A1. Автор: Jackson Kathy J.,Agarwal Aditya. Владелец: TWIN CREEKS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FORMING NANOSCALE PORES IN A SEMICONDUCTOR STRUCTURE UTILIZING NANOTUBES AS A SACRIFICIAL TEMPLATE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты