Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Silicide stop layer in a damascene gate semiconductor structure

Silicide stop layer in a damascene gate semiconductor structure

Номер патента: WO2002065524A1
Опубликовано: 22-08-2002
Автор(ы): Eric N. Paton, John Clayton Foster, Matthew S. Buynoski, Paul L. King, Paul R. Besser, Qi Xiang
Принадлежит: Advanced Micro Devices, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180012810A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062702B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell and method for the formation thereof

Номер патента: US09711513B2. Автор: El Mehdi Bazizi,Sven Beyer,Alban Zaka,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having an electrode that is in a peripheral trench region and at a same potential as a source electrode

Номер патента: US09842924B2. Автор: Akio Suzuki,Hiroaki Katou,Toshifumi NISHIGUCHI,Kentaro Ichinoseki,Saya SHIMOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210135016A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure

Номер патента: EP3817065A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240170580A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of modifying capping layer in semiconductor structure

Номер патента: US09837504B2. Автор: Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Wayne Liu,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure and method for forming ihe same

Номер патента: US11380582B2. Автор: Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210159119A1. Автор: Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell having a charge trapping layer and method for the formation thereof

Номер патента: US09673210B1. Автор: Peter Baars,Joerg Schmid,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371873A1. Автор: Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for forming a floating gate in a recess of a shallow trench isolation (STI) region

Номер патента: US09659781B2. Автор: Erwan Dornel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structure with interfacial layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595593B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Yuh-Ta FAN,Wei-Fan Lee,Chin-Kun Wang,Tzu-Yao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor structure

Номер патента: US11923460B2. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Forming a semiconductor structure for reduced negative bias temperature instability

Номер патента: US09502307B1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Convex shaped thin-film transistor device having elongated channel over insulating layer in a groove of a semiconductor substrate

Номер патента: US09748254B2. Автор: Yukio Hayakawa,Hiroyuki Nansei. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Forming uniform WF metal layers in gate areas of nano-sheet structures

Номер патента: US09685522B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608077B1. Автор: Jae-Sung Kim,Kun-Young Lee,Jeong-Seob KYE,Tae-Kyum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of using polysilicon as stop layer in a replacement metal gate process

Номер патента: US09761692B1. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of using polysilicon as stop layer in a replacement metal gate process

Номер патента: US09847402B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US20190288064A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748264B1. Автор: Teng Hao Yeh,Yu Wei Jiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Etch stop in a dep-etch-dep process

Номер патента: US09691655B1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structures and methods thereof

Номер патента: US12040191B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structures and methods thereof

Номер патента: US20240355625A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming a semiconductor structure including a vertical nanowire

Номер патента: US20140206157A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Oxide formation in a plasma process

Номер патента: US09460974B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Jeong Soo Byun. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Oxide formation in a plasma process

Номер патента: US09406574B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Jeong Soo Byun. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170069726A1. Автор: Jae-Sung Kim,Kun-Young Lee,Jeong-Seob KYE,Tae-Kyum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor structure having source/drain gouging immunity

Номер патента: US09905661B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure having source/drain gouging immunity

Номер патента: US09412659B1. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for producing a trench-gate semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2023194244A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US10672869B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

Composite contact etch stop layer

Номер патента: US20190057899A1. Автор: Xusheng Wu,Daniel Jaeger,Haigou Huang,Jinsheng Gao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Integrated circuit fabrication with boron etch-stop layer

Номер патента: US09842913B1. Автор: Chengwen Pei,Xusheng Wu,Ziyan Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile charge trap memory device having a deuterated layer in a multi-layer charge-trapping region

Номер патента: US09741803B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Fredrick Jenne,Sagy Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Etch stop layer in poly-metal structures

Номер патента: US20030199154A1. Автор: Vishnu Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Etch stop layer in poly-metal structures

Номер патента: US20070093025A1. Автор: Vishnu Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09425300B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming an ultra-shallow junction in a semiconductor substrate using a nuclear stopping layer

Номер патента: US20050287778A1. Автор: Yuan-Chang Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Power device including a field stop layer

Номер патента: US09685335B2. Автор: Young-Chul Kim,Bong-Yong Lee,Kyu-Hyun Lee,Young-Chul Choi,Kyeong-Seok Park. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor structure and high electron mobility transistor

Номер патента: US11942519B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Etch stop layer in poly-metal structures

Номер патента: US7094673B2. Автор: Vishnu K. Agarwal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-22.

Etch stop layer in poly-metal structures

Номер патента: US20040259338A1. Автор: Vishnu Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Etch stop layer in poly-metal structures

Номер патента: US20050020014A1. Автор: Vishnu Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-27.

FinFET devices comprising a dielectric layer/CMP stop layer/hardmask/etch stop layer/gap-fill material stack

Номер патента: US09520395B2. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andy Wei,Sandeep Gaan,Jerome F. Wandell. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Patterning multiple, dense features in a semiconductor device using a memorization layer

Номер патента: US20150303273A1. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andy Chih-Hung Wei,Sandeep Gaan,Jerome F. Wandell. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor Structure Formed Using a Sacrificial Structure

Номер патента: US20080054481A1. Автор: Sean Lian,Bailey Jones,Simon Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Contact etch stop layers of a field effect transistor

Номер патента: US09685369B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230119755A1. Автор: Qing LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240234501A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Structure with Metal Ion Capture Layer

Номер патента: US20230335603A1. Автор: Chao-Chi Chen,Bo-Wei Chen,yi ting Liao,Shi Sheng Hu,Shun Chi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240030279A1. Автор: WAN Song,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Sitong CHEN,Zhengrong CHEN,Zhaozhao XU,Leping Wei. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09799652B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09768028B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Temperature-controlled implanting of a diffusion-suppressing dopant in a semiconductor structure

Номер патента: US09508602B2. Автор: Mitsuhiro Togo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor structure manufacturing method and two semiconductor structures

Номер патента: US11887854B2. Автор: YUAN Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Manufacturing method for semiconductor structure, and two semiconductor structures

Номер патента: EP4199110A1. Автор: YUAN Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230369446A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240222454A1. Автор: Chih-Wei Huang,Hsu-Cheng Fan,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230361114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: US20240243197A1. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: EP4411825A2. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12074200B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230261071A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure implementing series-connected transistor and resistor and method for forming the same

Номер патента: US20220005734A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240030301A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12034061B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US9666490B2. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240047581A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Cheng Lai,Shao-Hua Hsu,Wei-Yeh TANG,Chun-Chan HSIAO,Chih-Long Chiang,Po-Hsiang Chuang,Mao-Lin Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US12040403B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and a method for processing a carrier

Номер патента: US20160099311A1. Автор: Erhard Landgraf,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl,Steffen Rothenhaeusser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for fabricating a semiconductor structure having selective dopant regions

Номер патента: US7419883B2. Автор: Nicola Vannucci,Sven Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-02.

Semiconductor structure and a method for processing a carrier

Номер патента: US09679963B2. Автор: Erhard Landgraf,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl,Steffen Rothenhaeusser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure having integrated snubber resistance

Номер патента: US09627328B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor structure and etch technique for monolithic integration of III-N transistors

Номер патента: US09502535B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220123118A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Insulated gate semiconductor device having shield electrode structure

Номер патента: US20140284710A1. Автор: Zia Hossain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-09-25.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09941395B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor structure and recess formation etch technique

Номер патента: US09570600B2. Автор: Bin Lu,Min Sun,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-02-14.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11798993B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105809A1. Автор: Chun-Hao Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014270A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11978791B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

GaN-BASED SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20230080538A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12021117B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11658227B2. Автор: Chao-Sheng Cheng,Pei-Lun JHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230154985A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220140102A1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Pei-Lun JHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor Structure for Improved Radio Frequency Thermal Management

Номер патента: US20240266426A1. Автор: Christer Hallin,Scott Sheppard,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for improved radio frequency thermal management

Номер патента: WO2024163587A1. Автор: Christer Hallin,Scott Sheppard,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon carbide semiconductor device including conductivity layer in trench

Номер патента: US09673288B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Yukihiko Watanabe,Narumasa Soejima,Kazumi Chida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor cell structure, igbt cell structure and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4220733A1. Автор: Haiping Wu,Baowei Huang. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of manufacturing a non-volatile memory cell and array having a trapping charge layer in a trench

Номер патента: US09882033B2. Автор: Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin film transfer using substrate with etch stop layer and diffusion barrier layer

Номер патента: US20240379792A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Chen-Hao Chiang,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Non-volatile memory cell having a trapping charge layer in a trench and an array and a method of manufacturing therefor

Номер патента: US09548380B2. Автор: Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Damascene method of forming a semiconductor structure and a semiconductor structure with multiple fin-shaped channel regions having different widths

Номер патента: US20120273895A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Damascene method of forming a semiconductor structure and a semiconductor structure with multiple fin-shaped channel regions having different widths

Номер патента: US20120104538A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Etch stop region based fabrication of bonded semiconductor structures

Номер патента: US09865747B2. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230134265A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09515078B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Transistor with embedded isolation layer in bulk substrate

Номер патента: US11749717B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method to enhance FinFET device performance with channel stop layer depth control

Номер патента: US09882030B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Monolithic integrated circuit (MMIC) structure having composite etch stop layer and method for forming such structure

Номер патента: US09478652B1. Автор: Adrian D. Williams. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09799651B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080780B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Jing-Yi Lin,Chong-De LIEN,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Trench gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240250166A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371972A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Jing-Yi Lin,Chong-De LIEN,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US09679817B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods for introducing carbon to a semiconductor structure and structures formed thereby

Номер патента: US09525024B2. Автор: Chun-Feng Nieh,Pei-Chao Su,Yu-Chen Su,Huang-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343348A1. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Trench Gate Semiconductor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240243181A1. Автор: FENG Zhou,Yi Zhang,Bo Gao,Fei Hu,Boning Huang,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210375686A1. Автор: Jiun-Ming Kuo,Pei-Ling Kao,You-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and method formation method thereof

Номер патента: US20200411652A1. Автор: Hong Zhongshan,Wang Yan,Fu Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structures with multiple threshold voltage offerings and methods thereof

Номер патента: US12142640B2. Автор: Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09401425B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for forming multi-gate semiconductor device

Номер патента: US11824088B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for Reducing Loss of Dielectric Layer in IO Silicon Oxide Removal Process

Номер патента: US20240071760A1. Автор: Zhenquan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride-based transistors and fabrication methods with an etch stop layer

Номер патента: EP1905097A2. Автор: Scott T. Allen,Scott T. Sheppard,Richard P. Smith,Andrew K. Mackenzie. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-04-02.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structures including dual fins and methods of fabrication

Номер патента: US20120175748A1. Автор: David Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor structures including dual fins

Номер патента: US8497530B2. Автор: David Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-30.

Insulated-gate semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010053561A1. Автор: Takeshi Uenoyama,Kunimasa Takahashi,Masao Uchida,Makoto Kitabatake. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure with multi spacer

Номер патента: US09911824B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09761460B1. Автор: Chia-Ching Lin,En-Chiuan Liou,Yen-Pu Chen,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303553A1. Автор: Chia-Ming Chang,Po-Liang Yeh,Chen-Chung Wu,De-Zhang Deng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190244957A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180061831A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10269795B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor structure including low-resistance interconnect and integrated circuit device having the same

Номер патента: US11769695B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiang-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4167273A1. Автор: Qinghua Han,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor structure and forming method thereof, and photomask layout

Номер патента: US20240006515A1. Автор: JISONG Jin,Jun Wang,Kuchanari SUBHASH,Nalawar PRASANNA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220216066A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of fabricating a sige semiconductor structure

Номер патента: EP1716598A1. Автор: Peter Deixler,Roy Colclaser,Brian Wroblewski. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321988A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12119350B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Access transistors in a dual gate line configuration and methods for forming the same

Номер патента: US20240373623A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Chia Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure having a test structure formed in a group III nitride layer

Номер патента: US09947600B2. Автор: Clemens Ostermaier,Bernhard Brunner,Franz Heider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US09837282B1. Автор: Chia-Ching Lin,En-Chiuan Liou,Yen-Pu Chen,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure including a transistor having stress creating regions and method for the formation thereof

Номер патента: US09812573B1. Автор: Maciej Wiatr,Chung Foong Tan,Arkadiusz Malinowski,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US09679917B2. Автор: Xinhui Wang,Deepal Wehella-Gamage,Babar A. Khan,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure having a source and a drain with reverse facets

Номер патента: US09673296B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Jinghong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Al-poor barrier for InGaAs semiconductor structure

Номер патента: US09614082B2. Автор: Robert Langer,Bernardette Kunert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for producing fin structures of a semiconductor device in a substrate

Номер патента: US09391141B2. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for forming multi-gate semiconductor structure

Номер патента: US20230420567A1. Автор: Yu-Wen Wang,chun-ming Yang,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor Structure And Method of Making The Same

Номер патента: US20240234202A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240047558A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240332400A1. Автор: BO Su,Hansu Oh. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210167197A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09929182B2. Автор: Ji Quan LIU,Chun Lei GONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

High density capacitors formed from thin vertical semiconductor structures such as FinFETs

Номер патента: US09929147B2. Автор: Marc L. Tarabbia,Zhonghai Shi. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of forming III-V semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US09716164B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure with nanostructure

Номер патента: US20240047526A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134976A1. Автор: HAIYANG Zhang,PANPAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20190164848A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222449A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chih-Hao Chang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220052192A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11776963B2. Автор: Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A3. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor structure having buried conductive elements

Номер патента: US20150236024A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni,Emre Alptekin,Johnathan E. Faltermeier,Reinaldo A. Vega,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240063298A1. Автор: BO Su,Jing Zhang,Hailong Yu,Hansu Oh. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09741852B2. Автор: James Tsai,Shih-Hsien Huang,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon region

Номер патента: US09620506B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor structure with a doped region between two deep trench isolation structures

Номер патента: US09608105B2. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583622B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structures

Номер патента: US20170213829A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12094947B2. Автор: Keng-Chu Lin,Ko-Feng Chen,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structures

Номер патента: US09911742B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US09824969B1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09607902B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US20170294343A1. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US10573551B2. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: EP3893271A1. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20220069113A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230369328A1. Автор: BO Su,Abraham Yoo,Hansu Oh,Byung Sup Shim. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Finfet device with controlled channel stop layer depth

Номер патента: US20180114853A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: EP4231342A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230395703A1. Автор: Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Chia-Hung Chou,Chien-Chih Lin,Szu-Chi Yang,Chih-Hsuan CHEN,Ping-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190348498A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240355893A1. Автор: Kai-Kuen Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Forming source/drain contact in a tight tip-to-tip space

Номер патента: US20240339509A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure including a transistor including a gate electrode region provided in a substrate and method for the formation thereof

Номер патента: US09786657B1. Автор: Uwe Dersch,Ricardo Pablo. Mikalo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240014280A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure with gate-all-around devices and stacked finfet devices

Номер патента: US20240186187A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for sealing a seam, semiconductor structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094768B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure having insulator pillars and semiconductor material on substrate

Номер патента: US09793113B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US11705492B2. Автор: Wen-Yi Teng,Yi-Fan Li,Kuo-Chin Hung,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Methods of fabricating semiconductor structures and high electron mobility transistors

Номер патента: US20190207012A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fung Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor structure and method of fabricating mos device

Номер патента: US20140183665A1. Автор: Po-Chao Tsao,Chia-Jung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Structure and method for multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20240162331A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US11031477B2. Автор: Wen-Yi Teng,Yi-Fan Li,Kuo-Chin Hung,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Trench-gate semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4343850A1. Автор: FENG Zhou,Yi Zhang,Bo Gao,Fei Hu,Boning Huang,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20200105885A1. Автор: Wen-Yi Teng,Yi-Fan Li,Kuo-Chin Hung,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20210257471A1. Автор: Wen-Yi Teng,Yi-Fan Li,Kuo-Chin Hung,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Methods of fabricating semiconductor structures with two-step etching

Номер патента: US20210367061A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fung Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Vertical gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1879235A3. Автор: Shuji c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Mizokuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-16.

Forming Charge Trap Separation in a Flash Memory Semiconductor Device

Номер патента: US20140148010A1. Автор: Angela Tai Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230327022A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Finfet device with an etch stop layer positioned between a gate structure and a local isolation material

Номер патента: US20140327090A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230064521A1. Автор: Qinghua Han,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor structure and capable of controlling thicknesses of dielectric layers

Номер патента: US20210111180A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Doping activation and ohmic contact formation in a SiC electronic device, and SiC electronic device

Номер патента: US12051725B2. Автор: Anna Bassi,Gabriele BELLOCCHI,Simone Rascuna′,Paolo Badala′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-30.

Doping activation and ohmic contact formation in a sic electronic device, and sic electronic device

Номер патента: US20210328023A1. Автор: Anna Bassi,Simone Rascuna,Gabriele BELLOCCHI,Paolo BADALÁ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-21.

Fully depleted device with buried insulating layer in channel region

Номер патента: US20160268431A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Manufacturing method of power MOSFET using a hard mask as a CMP stop layer between sequential CMP steps

Номер патента: US09589810B2. Автор: Satoshi Eguchi,Daisuki Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Fully depleted device with buried insulating layer in channel region

Номер патента: US09502564B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP3166137A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-10.

Semiconductor structure having contact holes between sidewall spacers

Номер патента: US10134639B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11688798B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230411468A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure with an electric field stop layer for improved edge termination capability

Номер патента: WO2010039207A2. Автор: Ty R. McNutt,John Victor D. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2010-04-08.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20240298434A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230128761A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Back-gated semiconductor device with a storage layer and methods for forming thereof

Номер патента: US20070134888A1. Автор: Thuy Dao,Gowrishankar Chindalore,Michael Sadd,Craig Swift. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor structure, an integrated circuit including a semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: EP2394299A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12101924B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of forming semiconductor structures comprising aluminum oxide

Номер патента: US20150235841A1. Автор: Difeng Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor structures comprising aluminum oxide

Номер патента: US20150349082A1. Автор: Difeng Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2001024251A3. Автор: Henricus G R Maas,Erwin A Hijzen,Cornelius E Timmering. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-12-06.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: EP1145299A3. Автор: Erwin A. Hijzen,Henricus G. R. Maas,Cornelius E. Timmering. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-03-27.

Epitaxy in semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09698249B2. Автор: Hsiu-Ting Chen,Yi-Ming Huang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing a reduced free-charge carrier lifetime semiconductor structure

Номер патента: US09543405B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Hille,Frank Pfirsch,Holger Ruething. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352535A1. Автор: Tung Ying Lee,Meng-Hsuan Hsiao,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Ultrahigh-voltage semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150076565A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Self aligned gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: EP2033224B1. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2011-03-02.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09917167B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09704961B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4199089A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US20240120374A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US8518778B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170222063A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of forming body contact layouts for semiconductor structures

Номер патента: US09960236B2. Автор: Dev Alok Girdhar,Jeffrey Michael Johnston. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09865748B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20120231595A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor structure

Номер патента: US20120235231A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240215218A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,John H. Zhang,Haijiang YUAN,Yanzun Li,Chunyu WONG,Yuan Lung LIN,Chung-Chiang Lin. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Transistor in a silicon carbide layer and a transistor in a gallium nitride layer in a cascode design

Номер патента: US20240222469A1. Автор: Tahir Ghani,Han Wui Then,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20150021610A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Device with diffusion blocking layer in source/drain region

Номер патента: US09947788B2. Автор: Shesh Mani Pandey,Pei ZHAO,Baofu ZHU,Francis L. Benistant. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Insulated gate semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6331466B1. Автор: Hideki Takahashi,Hidenori Nishihara,Tadaharu Minato,Masana Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Vertical semiconductor structure of integrated sampling structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4307369A1. Автор: Wei Li,Pengfei Jia,Qiang RUI. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09824943B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chun-Che Lin,Wei-Ken LIN,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure with contact plug

Номер патента: US09887129B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Long-Jie HONG,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of forming a complementary metal oxide semiconductor structure with N-type and P-type field effect transistors having symmetric source/drain junctions and optional dual silicides

Номер патента: US09548306B2. Автор: Andres Bryant,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Etch stop layer for use in forming contacts that extend to multiple depths

Номер патента: US20200105886A1. Автор: Wei Hong,Hui Zang,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device having multiple field stop layers

Номер патента: US09954086B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for producing surrounding gate semiconductor device

Номер патента: US09842902B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Surrounding gate semiconductor device

Номер патента: US09768267B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of fabricating a transistor using contact etch stop layers

Номер патента: US09412841B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of forming a complementary metal oxide semiconductor structure with n-type and p-type field effect transistors having symmetric source/drain junctions and optional dual silicides

Номер патента: US20160247805A1. Автор: Andres Bryant,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor structure in which film including germanium oxide is provided on germanium layer, and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US09722026B2. Автор: Toshiyuki Tabata,Tomonori Nishimura,Akira Toriumi,Choong Hyun LEE,Cimang Lu. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12033897B2. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure having film including germanium oxide on germanium layer and method of fabricating the same

Номер патента: US09691620B2. Автор: Akira Toriumi,Choong-Hyun Lee. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structure having doped active pillars in trenches

Номер патента: US10629615B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor structure with backside via contact and a protection liner layer

Номер патента: US11710664B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor structure, method for forming same and layout structure

Номер патента: US20230018639A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and forming method therefor, and layout structure

Номер патента: EP4329455A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Forming a semiconductor structure for reduced negative bias temperature instability

Номер патента: US09704758B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Forming a semiconductor structure for reduced negative bias temperature instability

Номер патента: US09576958B1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure

Номер патента: US11967613B2. Автор: Jung-Tao CHUNG,Yao-Ting Shao,Shu-Hsiao TSAI,Hsi-Tsung Lin,Chen-An Hsieh,Ju-Hsien LIN,Yi-Han Chen. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230282697A1. Автор: Jung-Tao CHUNG,Yao-Ting Shao,Shu-Hsiao TSAI,Hsi-Tsung Lin,Chen-An Hsieh,Ju-Hsien LIN,Yi-Han Chen. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Simultaneous formation of a top oxide layer in a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) transistor and a gate oxide in a metal oxide semiconductor (MOS)

Номер патента: US09583501B1. Автор: Jeong-Mo Hwang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US09786606B2. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US20150348870A1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210375617A1. Автор: Hongbo Zhu,Yongbo FENG,Houyou WANG,Mingyang TSAI. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240087959A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure with dispersedly arranged active region trenches

Номер патента: US20130270669A1. Автор: Chih-Chiang Chuang,Chao-Hsin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Forming charge trap separation in a flash memory semiconductor device

Номер патента: WO2014081928A1. Автор: Angela Tai Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-05-30.

Forming Charge Trap Separation in a Flash Memory Semiconductor Device

Номер патента: US20150162226A1. Автор: Angela Tai Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-06-11.

Forming a substantially uniform wing height among elements in a charge trap semiconductor device

Номер патента: WO2014081926A1. Автор: David Matsumoto,Angela Tai Hui,Tung-Sheng Chen. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-05-30.

Damascene gate having protected shorting regions

Номер патента: GB2487321B. Автор: Brent A Anderson,Edward J Nowak,Jed H Rankin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Electrolyte and Deposition of a Copper Barrier Layer in a Damascene Process

Номер патента: US20230282485A1. Автор: Louis Caillard,Paul Blondeau. Владелец: Aveni SA. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09679850B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Chen-Hsiang LU,Wei Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543211B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12087584B2. Автор: Daejoong Won. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417738B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: US12062573B2. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for forming a vertical electrical connection in a layered semiconductor structure

Номер патента: US20140084474A1. Автор: Vincent Mevellec,Dominique SUHR. Владелец: Alchimer SA. Дата публикации: 2014-03-27.

Barrier layers in trenches and vias

Номер патента: US09984923B2. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Cornelius Brown Peethala,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200176268A1. Автор: DUOHUI Bei. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure having tapered damascene aperture and method of the same

Номер патента: US20170243829A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Chen-Hsiang LU,Wei Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for fabricating array structure of columnar capacitor and semiconductor structure

Номер патента: US20230015120A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for selectively removing predetermined part of selected element in semiconductor structure

Номер патента: US20240021432A1. Автор: Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Storage device, semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12100654B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Juanjuan HE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure having verticle conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US20230378067A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Tsu-Chun KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230164973A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor structure and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20200168699A1. Автор: Hu Youcun,Yang Ming,HU Lianfeng,BEI Duohui,Ni Baibing LING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180331193A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Yen-Chen Chen,Wei-Ning Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Yun-Tzu Chang,Wei-Ming Hsiao,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semicondcutor structures and methods of semiconductor structure

Номер патента: US20240128160A1. Автор: Yang Li,Yue YIN,Zhaoxu Shen,Junwei GUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for forming semiconductor structure, laminate structure, and method for forming laminate structure

Номер патента: US20230187480A1. Автор: Chengfang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240290721A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Lun-Chieh Chiu,Ya-Chin Chiu,Chia-Tung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing a copper metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20020031911A1. Автор: Sung Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20180166285A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200144063A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20150318206A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20160358816A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Method to fabricate a high performance capacitor in a back end of line (beol)

Номер патента: US20170294378A1. Автор: Sunil Kumar Singh,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Control of P-contact resistance in a semiconductor light emitting device

Номер патента: US09991419B2. Автор: Kwong-Hin Henry Choy. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Using a cut mask to form spaces representing spacing violations in a semiconductor structure

Номер патента: US09710589B2. Автор: Pankaj Kumar,Kalpeshkumar Girishchandra Dave,Naveen Chandra Srivastava,Janardhan Achanta,Shreekanth Karandoor Sampigethaya. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09425091B2. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method to fabricate a high performance capacitor in a back end of line (beol)

Номер патента: US20170025270A1. Автор: Sunil Kumar Singh,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Method to fabricate a high performance capacitor in a back end of line (BEOL)

Номер патента: US09960113B2. Автор: Sunil Kumar Singh,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method to fabricate a high performance capacitor in a back end of line (BEOL)

Номер патента: US09711346B2. Автор: Sunil Kumar Singh,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220037158A1. Автор: Daejoong Won. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: US20220238372A1. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: WO2022160139A8. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

METHOD OF ENHANCING HIGH-k FILM NUCLEATION RATE AND ELECTRICAL MOBILITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY MICROWAVE PLASMA TREATMENT

Номер патента: US20150249009A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Methods of forming ruthenium conductive structures in a metallization layer

Номер патента: US09589836B1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451320A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor structure having gap within gate and cap and process thereof

Номер патента: US09666471B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Chun-Che Huang,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20220045186A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

A crystalline oxide-on-semiconductor structure and a generic process for preparing the structure

Номер патента: WO2000060146A1. Автор: Matthew F. Chisholm,Rodney Allen Mckee,Frederick Joseph Walker. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2000-10-12.

Insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20150171071A1. Автор: Manabu Yajima,Haruyoshi Yagi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-06-18.

Method of manufacturing field effect transistor having Ohmic electrode in a recess

Номер патента: US20110189826A1. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Method of manufacturing field effect transistor having Ohmic electrode in a recess

Номер патента: US8202794B2. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-19.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US7936047B2. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-05-03.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US20080246118A1. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-10-09.

Systems and methods for aligning and coupling semiconductor structures

Номер патента: US09984943B2. Автор: Donna-Ruth W. Yost,Keith Warner,Richard P. D'Onofrio. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-29.

Systems and methods for aligning and coupling semiconductor structures

Номер патента: US20170330805A1. Автор: Donna-Ruth W. Yost,Keith Warner,Richard P. D'Onofrio. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-16.

Multi-layer etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12119344B2. Автор: Dragos SEGHETE,David J. Towner,Christopher R. Ryder,Anthony V. Mule',Angel Aquino Gonzalez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378255A1. Автор: Ming-Han Lee,An-Dih Yu,Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Shin-Yi Yang,Tzu-Hui Wei,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830910B2. Автор: Ming-Han Lee,An-Dih Yu,Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Shin-Yi Yang,Tzu-Hui Wei,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor structure, storage structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230029936A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240250152A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Insulated-gate semiconductor device for a rectifier

Номер патента: US6649985B1. Автор: Ikuo Nishimoto,Tatsuya Ueno. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

Trench-gate planar-gate semiconductor device with monolithically integrated schottky barrier diode and junction schottky barrier diode

Номер патента: WO2024183928A1. Автор: Samir Mouhoubi,Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell and method for the formation thereof

Номер патента: US09634017B1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device comprising contact structures with protection layers formed on sidewalls of contact etch stop layers

Номер патента: US09590056B2. Автор: Kai Frohberg,Katrin Reiche,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US20210005706A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and manufacture method therefor

Номер патента: EP3758065A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013078867A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Lei Guo. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200373386A1. Автор: Ming-Chih Hsu,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12051699B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Bulk layer transfer wafer with multiple etch stop layers

Номер патента: EP3311397A1. Автор: Sinan Goktepeli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

Semiconductor structure, method for manufacturing same, and memory

Номер патента: US20230345706A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Bulk layer transfer wafer with multiple etch stop layers

Номер патента: US09704738B2. Автор: Sinan Goktepeli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and process thereof

Номер патента: US09570339B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure having multilayer of polysilicon and display panel applied with the same

Номер патента: US7476601B2. Автор: Chih-Wei Chao,Mao-Yi Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-01-13.

Semiconductor structure having multilayer of polysilicon and display panel applied with the same

Номер патента: US20060163733A1. Автор: Chih-Wei Chao,Mao-Yi Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor structure, method for manufacturing same

Номер патента: US20230010014A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Reduction of threshold voltage instabilities in a MOS transistor

Номер патента: US20070215919A1. Автор: DANIEL Benoit,Pierre Morin,Jorge Regolini. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor structure and memory device including the structure

Номер патента: US09728248B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-08-08.

Compound semiconductor structure

Номер патента: US09337265B2. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Mario El Kazzi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for Forming a Semiconductor Structure Having a Porous Semiconductor Layer in RF Devices

Номер патента: US20210375618A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200168507A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Fang-Wei Lee,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Hung-Chang Sun,Yu-wei LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

An insulated gate semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: WO2009024931A1. Автор: Chris Rogers,Ed Huang. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US12108591B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200350162A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200135762A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Composite substrates, semiconductor structures, and methods for manufacturing composite substrates

Номер патента: US20240347601A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure with high-voltage and low-voltage CMOS devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US09985019B2. Автор: Manoj Kumar,Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Iii-n to rare earth transition in a semiconductor structure

Номер патента: WO2020104562A1. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Rodney Pelzel,Robert Yanka. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2020-05-28.

Iii-n to rare earth transition in a semiconductor structure

Номер патента: US20200161417A1. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Rodney Pelzel,Robert Yanka. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2020-05-21.

Iii-n to rare earth transition in a semiconductor structure

Номер патента: EP3884511A1. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Rodney Pelzel,Robert Yanka. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2021-09-29.

Semiconductor structure and related method

Номер патента: US20200035545A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor Structure and Related Method

Номер патента: US20180061698A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Compound semiconductor structure

Номер патента: US20160254147A1. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Mario El Kazzi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication

Номер патента: US09859381B2. Автор: Anthony J. Lochtefeld,Jizhong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of improving PMOS performance in a contact etch stop layer process

Номер патента: US8569137B1. Автор: Jun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-10-29.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US20220310782A1. Автор: Junchao Zhang,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device comprising contact structures with protection layers formed on sidewalls of contact etch stop layers

Номер патента: US20160099321A1. Автор: Kai Frohberg,Katrin Reiche,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Buried power rails located in a base layer including first, second, and third etch stop layers

Номер патента: US11990412B2. Автор: Somnath Ghosh,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Kisik Choi,Rishikesh Krishnan,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947610B2. Автор: HUNG-WEN Chen,Jer-Shien Yang,Chien-Chih Wu,Shiang-Chin LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190035683A1. Автор: Chun Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: EP1745517A2. Автор: Hidefumi; TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TAKAYA,Yasushi; c/o DENSO CORPORATION OKURA,Akira; c/o DENSO CORPORATION KUROYANAGI,Norihito; c/o DENSO CORPORATION TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Semiconductor device having contact plug in two dielectric layers and two etch stop layers

Номер патента: US09673100B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Shih-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Oxide for semiconductor layer in thin film transistor, thin film transistor, display device, and sputtering target

Номер патента: US09647126B2. Автор: Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Aya Miki,Kenta Hirose. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Carrier substrate for semiconductor structures suitable for a transfer by transfer print and manufacturing of the semiconductor structures on the carrier substrate

Номер патента: US20240371669A1. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Method and system for providing a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6764929B1. Автор: Mark Chang,Chi Chang,Angela Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method of adjusting epitaxial growth in a vacuum of doped silicon layers and a resistive evaporation unit for its implementation

Номер патента: RU2699949C1. Автор: Владимир Геннадьевич Шенгуров,Сергей Александрович Денисов,Вадим Юрьевич Чалков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-09-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230187512A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4177955A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Dielectric protection layer in middle-of-line interconnect structure manufacturing method

Номер патента: US20240162095A1. Автор: Li-Te Lin,Hao-Heng LIU,Kuan-Da Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of forming one or more covered voids in a semiconductor substrate

Номер патента: US09997398B2. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming one or more covered voids in a semiconductor substrate

Номер патента: US09786548B2. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230223264A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Magnetic etch stop layer for spin-transfer torque magnetoresistive random access memory magnetic tunnel junction device

Номер патента: US09620706B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor structure with through-silicon via

Номер патента: US09859192B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure for electromagnetic induction sensing and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20140327094A1. Автор: Wen-Jung Su,Hsuan-Chuan Chen,Teng-Tsai Lin. Владелец: Feeling Technology Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for measuring thickness variations in a layer of a multilayer semiconductor structure

Номер патента: US20180347966A1. Автор: Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Hybrid etch stop layers

Номер патента: US20230317615A1. Автор: Yue Liu,Vladimir Nikitin,Travis W. LaJoie,James O'donnell,Huiying Liu,Abhishek Anil Sharma,Vinaykumar V. Hadagali,Albert B. CHEN,Moshe Dolejsi,Deepyanti Taneja,Gregory J. George,Tarannum Tiasha,Shardul Wadekar,Daniel J. Schinke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structure and organic electroluminescence device

Номер патента: US20120298983A1. Автор: Hsing-Hung HSIEH,Chih-Pang Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-11-29.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A2. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Vtt. Дата публикации: 1999-12-29.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: EP1093669A2. Автор: Arto Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus RANTALA. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2001-04-25.

Semiconductor structure and procedure for minimizing non-idealities

Номер патента: US6501126B1. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2002-12-31.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A3. Автор: Arto Rantala. Владелец: Arto Rantala. Дата публикации: 2000-02-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240049457A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Composite semiconductor structure for reducing scattering of carriers by optical phonons and a semiconductor device that uses such a composite semiconductor structure

Номер патента: US5336901A. Автор: Takuma Tsuchiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Semiconductor structure with chirp layer

Номер патента: US20210036183A1. Автор: Norbert Krause,Guilherme Tosi. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure for reducing stray capacitance and method of forming the same

Номер патента: US20240339461A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure, device, and method

Номер патента: US12067341B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing a semiconductor structure having a trench with high aspect ratio

Номер патента: US09735232B2. Автор: Tai-I Yang,Jheng-Sheng You,Tien-Lu Lin,Chi-Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure including photodiode-based fluid sensor and methods

Номер патента: US20230417695A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli,Ramsey M. Hazbun. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and operation method thereof

Номер патента: US20180358354A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of producing precision vertical and horizontal layers in a vertical semiconductor structure

Номер патента: US20100102380A1. Автор: Lars Samuelson,Jonas Ohlsson,Truls Lowgren,Erik Lind,Lars-Erik Wernersson. Владелец: QUNANO AB. Дата публикации: 2010-04-29.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: RU2407107C2. Автор: Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2010-12-20.

Insulated gate semiconductor device having trench gate and inverter provided with the same

Номер патента: US5828100A. Автор: Yutaka Kobayashi,Akihiko Tamba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-10-27.

Memory structure and manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US20230380140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Insulated gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020008260A1. Автор: Takeshi Fukunaga,Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-24.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US09502409B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chih Chieh Yeh,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Floating gate semiconductor nanostructure-based biosensor and method for manufacturing same

Номер патента: US12025582B2. Автор: Sung-Keun YOO,Dong-Jun MOON,Seung-Wan SEO,Jeong-A Kim. Владелец: OSONG MEDICAL INNOVATION FOUNDATION. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure formation

Номер патента: US20210183865A1. Автор: Deepak Chandra Pandey,Naveen KAUSHIK,Venkata Naveen Kumar Neelapala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating semiconductor device with damascene structure by using etch stop layer

Номер патента: US20230307289A1. Автор: Wei-Chen Pan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11373902B2. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US20240314996A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure having self-aligned conductive structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240379435A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and method making the same

Номер патента: US09613852B2. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for fabricating semiconductor device with damascene structure by using etch stop layer

Номер патента: US20230307248A1. Автор: Wei-Chen Pan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Process for fabricating an integrated circuit comprising a phase of forming trenches in a substrate and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20230238272A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Franck Julien. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-07-27.

Method and equipment for forming gaps in a material layer

Номер патента: US12014954B2. Автор: Yu-Ming Lin,Li-Te Lin,Chan-Syun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234323A1. Автор: Shih-Ping Lee,Mao-Hsing Chiu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating array structure of columnar capacitor and semiconductor structure

Номер патента: US20230298899A1. Автор: Jun Xia,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Novel nitride barrier layer to prevent metal (Cu) leakage issue in a dual damascene structure

Номер патента: US20050153537A1. Автор: Yi-Lung Cheng,Ying-Lung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-14.

Bit line landing pad and borderless contact on bit line stud with localized etch stop layer formed in void region, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030214022A1. Автор: Won-suk Yang,Sang-Ho Song,Ki-nam Kim,Hong-Sik Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2019041956A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Metal-Based Etch-Stop Layer

Номер патента: US20190333807A1. Автор: Szu-Ping Tung,Jen Hung Wang,Yu-Kai Lin,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240332069A1. Автор: Chien-Han Chen,Chien-Chih Chiu,Da-Wei Lin,Shih-Yu Chang,Y.T. Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor interconnect structure with air gap for reducing intralayer capacitance in metal layers in damascene metalization process

Номер патента: US5949143A. Автор: David Bang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-09-07.

Method for forming a dielectric layer in a semiconductor device by using etch stop layers

Номер патента: US20020055202A1. Автор: Chih-Sheng Yang,Kuei-Chang Tsai,Yun-Liang Ouyang,Chih-hung Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for forming a via in a damascene process

Номер патента: US20030194856A1. Автор: Ding Yi,Wei Cheng,Yakub Aliyu,Daniel Yen. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-10-16.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09515021B1. Автор: Hung-Lung Hu,Yu-Chih Chen,Chia-Ching Tsai,Szu-Hung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Damascene process for forming coplanar top surface of copper connector isolated by barrier layers in an insulating layer

Номер патента: US6140237A. Автор: Lap Chan,Jia Zhen Zheng. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-31.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230274975A1. Автор: Tze-Liang Lee,Jen-Hung Wang,Yu-Kai Lin,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional memory device with aluminum-containing etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof

Номер патента: US09728547B1. Автор: Takeshi Kawamura,Hiroshi Kariya,Takuro Maede,Shingo OHSAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Adhesive-layer structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220375778A1. Автор: Chih-Kai Huang,Yu-Yun Lo,Shiang-Ning YANG,Bo-Wei Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor Structure Having High Breakdown Voltage Etch-Stop Layer

Номер патента: US20240266292A1. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Backside power distribution network substrate using a lattice matched etch stop layer

Номер патента: US20240194602A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347461A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing semiconductor structure and same

Номер патента: US12150294B2. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Planarization method, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US09679782B1. Автор: Ying-Ho Chen,Yu-Ting Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200294851A1. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200032413A1. Автор: Feng-Yi Chang,Ming-Feng Kuo,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180277354A1. Автор: Feng-Yi Chang,Ming-Feng Kuo,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor structure and method making the same

Номер патента: US10403563B2. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398810A1. Автор: Yang Ming,Zhu Chen,BEI Duohui,ZUOPENG He,Chao Zhang,Ni BAI BING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240332066A1. Автор: Chih-Wei Chang,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4199043A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230011266A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for forming a self-aligned contact in a damascene structure used to form a memory device

Номер патента: US20160163593A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20220359291A1. Автор: Tzung-Han Lee,Shuangshuang WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Implantation through an etch stop layer

Номер патента: US20230307291A1. Автор: Cheng Tan,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Huiying Liu,Timothy JEN,Harish Ganapathy,Moshe Dolejsi,Deepyanti Taneja. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of fabricating a damascene structure

Номер патента: US20020137319A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Hsueh-Chung Chen,Yung-Tsung Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Etch stop layer for interconnect structures

Номер патента: US20240332070A1. Автор: Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG,Yen Ju Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor mask blanks with a compatible stop layer

Номер патента: US09953833B2. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen,Tran-Hui Shen,Boming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US11011416B2. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor structure and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20200343132A1. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for producing an electrical feedthrough in a substrate, and substrate having an electrical feedthrough

Номер патента: US20140131888A1. Автор: Michael Baumann,Jochen Reinmuth,Matthias Neubauer,Martin Lindemann,Eduard Rije. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US10468417B2. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12080596B2. Автор: JISONG Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240006219A1. Автор: Kai Cheng,Kai Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US20190287976A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094758B2. Автор: Yi Liu,Ching-Hwa Tey,Guo-Hai Zhang,Tien-Tsai HUNG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12100670B2. Автор: Qiang Zhang,Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US09922927B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09455270B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of forming contact vias and interconnect channels in a dielectric layer stack with a single mask

Номер патента: US5726100A. Автор: John H. Givens. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-03-10.

Metal-Based Etch-Stop Layer

Номер патента: US20210280460A1. Автор: Szu-Ping Tung,Jen Hung Wang,Yu-Kai Lin,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Metal-based etch-stop layer

Номер патента: US11769693B2. Автор: Szu-Ping Tung,Jen Hung Wang,Yu-Kai Lin,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Mask pattern and method for manufacturing same, semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20220319849A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4117029A1. Автор: Tzung-Han Lee,Shuangshuang WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: EP3618123A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Heat dissipation structure, method for forming heat dissipation structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12119283B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190157394A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor resistor structures embedded in a middle-of-the-line (MOL) dielectric

Номер патента: US09824967B1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2680606C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-02-25.

Slot via filled dual damascene structure without middle stop layer and method for making the same

Номер патента: US20020106889A1. Автор: Fei Wang,Calvin Gabriel,Ramkumar Subramanian,Lynne Okada. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Method and equipment for forming gaps in a material layer

Номер патента: US20220157648A1. Автор: Yu-Ming Lin,Li-Te Lin,Chan-Syun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for manufacturing semiconductor structure with material in monocrystalline phase

Номер патента: US20240038528A1. Автор: Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Self-aligned gate cap including an etch-stop layer

Номер патента: US20200006137A1. Автор: Marc Bergendahl,Victor W. C. Chan,Jeffrey C. SHEARER,Michael P. Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines

Номер патента: US20240234301A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4355048A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4325551A1. Автор: Lingyi CHUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230411171A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Jing-Ye Juang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure implementing sacrificial material

Номер патента: IL157828A. Автор: Yehiel Gotkis,Rodney Kistler,David Wei. Владелец: David Wei. Дата публикации: 2010-06-16.

Chip packaging structure and method for preparing the same, and method for packaging semiconductor structure

Номер патента: US20230197666A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US20150380307A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: US20230223252A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240282700A1. Автор: Li Han Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: WO2021198559A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: CA3178846A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: AU2021245385A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2022-11-03.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: EP4128323A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-02-08.

Method for transferring semiconductor structure

Номер патента: US09997399B2. Автор: Li-Yi Chen,Shih-Chyn Lin. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor structures having active regions comprising InGaN and methods of forming such semiconductor structures

Номер патента: US09978905B2. Автор: Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Protecting layer in a semiconductor structure

Номер патента: US09859152B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Chi-Lin Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Controlled metal extrusion opening in semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09484301B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Max G. Levy,David C. Thomas,Steven S. Williams,Gary L. Milo,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Etch stop layer in integrated circuits

Номер патента: US09437484B2. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Tsung-Hsuan Hong,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US09396996B2. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US11862513B2. Автор: Xifei BAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method and System for Providing Contact to a First Polysilicon Layer in a Flash Memory Device

Номер патента: US20120302017A1. Автор: Hao Fang,King Wai Kelwin Ko,Mark S. Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-11-29.

Method and system for providing contact to a first polysilicon layer in a flash memory device

Номер патента: US20120217563A1. Автор: Hao Fang,Mark S. Chang,King Wai Kelwin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11776895B2. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230095867A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor structure having etch stop layer

Номер патента: US20130299987A1. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Hsun Lin,Mei-Hsuan LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378048A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a semiconductor structure by forming a node contact between a bit line and an isolation line

Номер патента: US12010830B2. Автор: Wenli CHEN,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory

Номер патента: EP4358134A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240120282A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shang-Pin Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Preparation method for leads of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12040269B2. Автор: Chung Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure having vertical conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US20240203789A1. Автор: Ming-Han Lee,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062604B2. Автор: Yu-Min LIANG,Wei-Yu Chen,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Jiun-Yi Wu,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US20100237475A1. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US8035200B2. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2009076510A2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US12100680B2. Автор: Luguang WANG,Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Ultra-thin dielectric diffusion barrier and etch stop layer for advanced interconnect applications

Номер патента: US09613908B2. Автор: Deenesh Padhi,Alexandros T. Demos,Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Mukund Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor component comprising such a semiconductor structure

Номер патента: US09559256B2. Автор: Bruno-Jules Daudin,Benoit Amstatt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing a semiconductor micro- or nano-wire, semiconductor structure comprising such a micro- or nano-wire, and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09331233B2. Автор: Francois Martin,Amélie DUSSAIGNE,Philippe Gilet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor structure having high breakdown voltage etch-stop layer

Номер патента: US11961803B2. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure as well as manufacturing method therefor, storage chip, and electronic device

Номер патента: EP4319528A1. Автор: Hong Wang,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and capacitor structure

Номер патента: US20230034079A1. Автор: Ting-Chung Chiu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10472731B2. Автор: Feng-Yi Chang,Ming-Feng Kuo,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US20230197504A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11985807B2. Автор: Tao Liu,Sen Li,Qiang Wan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for Forming a Buried Metal Line in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20240006228A1. Автор: Zheng Tao,Basoene Briggs,Anshul Gupta,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230012447A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230275066A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US11688624B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140374805A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Ching Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12082401B2. Автор: Xinman CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210296208A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20220199490A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor structure and method for preparing same, memory, and electronic device

Номер патента: US20240290678A1. Автор: Ming Zeng. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor growth device

Номер патента: US20240327980A1. Автор: Xiao Xiao,Yang Cheng,Jun Wang,Yintao GUO. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11776873B2. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for removing epitaxial layer and respective semiconductor structure

Номер патента: US20240363416A1. Автор: Soeren Steudel,Johan Vertommen. Владелец: Micledi Microdisplays BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Method to reduce resistance for a copper (CU) interconnect landing on multilayered metal contacts, and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US09991202B2. Автор: Atsushi Ogino,Justin C. Long,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and manufacuting method of the same

Номер патента: US09831154B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Volume Chien,Chung-Bin Tseng,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for forming different patterns in a semiconductor structure using a single mask

Номер патента: US09679803B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for removing epitaxial layer and respective semiconductor structure

Номер патента: EP4456157A1. Автор: Soeren Steudel,Johan Vertommen. Владелец: Micledi Microdisplays BV. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472523B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure having layers in a trench and method of manufacturing the same

Номер патента: US11784087B2. Автор: Hao Chuan CHANG,Kai Jen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor structure and method of manufacturing

Номер патента: US20130043590A1. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Hsun Lin,Mei-Hsuan LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230413508A1. Автор: Hong Wang,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Selective etching of silicon layers in a semiconductor device

Номер патента: US20230317772A1. Автор: Timothy Boles. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20190067105A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220301871A1. Автор: Kai Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200152515A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4075492A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

An integrated circuit which uses a damascene process for producing staggered interconnect lines

Номер патента: WO1997047036A1. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Fred N. Hause,Basab Bandyopadhyay,Mark W. Michael,William S. Brennan. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-12-11.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240021518A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: US20240172418A1. Автор: Boyong He,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Optoelectronic component, semiconductor structure and method

Номер патента: US20220376134A1. Автор: Christian Berger,Stefan Illek,Petrus Sundgren,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka,Felix FEIX,Ana Kanevce. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for Manufacturing Semiconductor Structure

Номер патента: US20220319848A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12046472B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods for removing etch stop layers

Номер патента: WO2023015116A1. Автор: Joung Joo Lee,Nitin K. Ingle,Suketu Parikh,Andrew Yeoh,Tom S. Choi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US12089401B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure having a capacitor and metal wiring integrated in a same dielectric layer

Номер патента: US09577030B2. Автор: Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structures and devices including conductive lines and peripheral conductive pads

Номер патента: US09343669B2. Автор: Giulio Albini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Method of forming a damascene structure with integrated planar dielectric layers

Номер патента: US20060057829A1. Автор: Sasson Somekh,Chien Chiang,Tom Wu. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190164820A1. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor structure and formation method therefor

Номер патента: EP4131354A1. Автор: Kai Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Pulsed plasma system for etching semiconductor structures

Номер патента: WO2008103454A3. Автор: Alexander Paterson,Valentin N Todorow,Tae Won Kim,Kyeong-Tae Lee,Shashank C Deshmukh. Владелец: Shashank C Deshmukh. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12027422B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,cheng-hong Wei,Tseng-Yao PAN,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303324A1. Автор: Victor Y. Lu,Pu-Fang Chen,Shi-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor Structure and Circuit with Embedded Schottky Diode

Номер патента: US20120286362A1. Автор: Hsin-Liang Chen,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Method for manufacturing semiconductor structure with resistive elements

Номер патента: US12040178B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4210095A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu,Zhong KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230411308A1. Автор: En-Chiuan Liou,Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for preparing semiconductor structure using a first mask comprises a groove

Номер патента: US12108593B2. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu,Zhong KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method of making

Номер патента: US20240339366A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Shing-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068160B2. Автор: Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for fabricating shallow trench isolation and semiconductor structure using the same

Номер патента: US09978634B2. Автор: Ching-Wen Chen,Chun-Hsu YEN,Chui-Ya Peng,Bang-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09960146B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09799625B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Alexander Kalnitsky,Kuo-Pin Chang,Chin-Yu Ku,Cheng-Yu Kuo,De-Dui Liao,Kuo-Chio Liu,Yi-Yang Lei,Kai-Di Wu,Sheng-Pin Yang,Hsi-Ching Wang,Tsung Lung Huang,Isaac Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09553091B1. Автор: Manoj Kumar,Ching-Yi Hsu,Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490192B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Patterning method and semiconductor structure including forming a plurality of holes using line pattern masks

Номер патента: US09412615B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride

Номер патента: US5286344A. Автор: Guy Blalock,David S. Becker,Fred Roe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Use of polysilicon layer for local interconnect in a CMOS or BiCMOS technology incorporating sidewall spacers

Номер патента: US5082796A. Автор: Michael P. Brassington,Reda R. Razouk,Monir H. El-Diwany. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Use of a polysilicon layer for local interconnect in a CMOS or BICMOS technology incorporating sidewall spacers

Номер патента: US5081518A. Автор: Michael P. Brassington,Reda R. Razouk,Monir H. El-Diwany. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-01-14.

Semiconductor structure and method forming the same

Номер патента: US20200335509A1. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor Mask Blanks with a Compatible Stop Layer

Номер патента: US20160013058A1. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen,Tran-Hui Shen,Boming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor structure including a high performance fet and a high voltage fet on an soi substrate

Номер патента: US20120132992A1. Автор: Zhong-Xiang He,Hanyi Ding,Xuefeng Liu,Kai D. Feng,Zhenrong Jin,Yun Shi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor structure and method forming the same

Номер патента: US10854616B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230057480A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU,Minmin WU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-02-23.

High speed, low latency bus modulation method and apparatus including a semiconductor structure for implementing same

Номер патента: US20030036259A1. Автор: David Gurney,Larry Tate. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for manufacturing semiconductor structure and planarization process thereof

Номер патента: US20210354983A1. Автор: Xiang Li,Ding Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Rf, optical, photonic, analog, and digital functions in a semiconductor structure

Номер патента: WO2003009355A1. Автор: Bruce Allen Bosco,Rudy M. Emrick,Steven James Franson,Nestor Javier Escalera,Bryan K. Farber. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor structure

Номер патента: US12068234B2. Автор: Chun-Hung Chen,Ming-Tse Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09984967B2. Автор: Kai-Yu Cheng,Ching-Kun Huang,Shih-Kang TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Etch stop layer in integrated circuits

Номер патента: US11942419B2. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Tsung-Hsuan Hong,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor Mask Blanks with a Compatible Stop Layer

Номер патента: US20180240668A1. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen,Tran-Hui Shen,Boming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of producing a through-substrate via in a semiconductor device and semiconductor device comprising a through-substrate via

Номер патента: WO2014166842A1. Автор: Jochen Kraft,Bernhard LÖFFLER,Günther Koppitsch,Karl Rohracher. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor mask blanks with a compatible stop layer

Номер патента: US10678126B2. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen,Tran-Hui Shen,Boming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US20170256486A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Etch stop layer for backside processing architecture

Номер патента: WO2023114582A1. Автор: Anand Murthy,Prashant Majhi,Prahalad Parthangal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20220076951A1. Автор: Chengchung LIN,Chengtar WU,Zuyuan Zhou,Jiashan YIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20200035524A1. Автор: Jyh-Shiou Hsu,Chi-Ming Yang,Tzu Jeng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US10991604B2. Автор: Jyh-Shiou Hsu,Chi-Ming Yang,Tzu Jeng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220102349A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Method for Etching Features in a Layer in a Substrate

Номер патента: US20240234158A1. Автор: Yusuke Yoshida,Ken Kobayashi,Yun Han,Aelan Mosden,Jason MARION,Indroneil Roy. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Barrier layers for word line contacts in a three-dimensional NAND memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US12094767B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230386893A1. Автор: Yi Liu,Ching-Hwa Tey,Guo-Hai Zhang,Tien-Tsai HUNG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Protecting layer in a semiconductor structure

Номер патента: US20140167229A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Chi-Lin Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor mask blanks with a compatible stop layer

Номер патента: US20130193565A1. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen,Tran-Hui Shen,Boming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Technological method for preventing, by means of buried etch stop layers, the creation of vertical/lateral inhomogeneities when etching through-silicon vias

Номер патента: US20180286751A1. Автор: Steffen Marschmeyer,Dirk Wolansky,Mehmet Kaynak,Marco Lisker,Philip Kulse,Matthias Wietstruck. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2018-10-04.

Iodine-containing fluorocarbon and hydrofluorocarbon compounds for etching semiconductor structures

Номер патента: US11798811B2. Автор: Fabrizio MARCHEGIANI. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Multiple etch-stop layer deposition scheme and materials

Номер патента: US20060246686A1. Автор: Mong-Song Liang,Chin-Chiu Hsia,Tai-Chun Huang,Chih-Hsiang Yao,Kuan-Shou Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor mask blanks with a compatible stop layer

Номер патента: US9142423B2. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen,Tran-Hui Shen,Boming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor Mask Blanks with a Compatible Stop Layer

Номер патента: US20140199787A1. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen,Tran-Hui Shen,Boming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105502A1. Автор: Yi Liu,Ching-Hwa Tey,Guo-Hai Zhang,Tien-Tsai HUNG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230043941A1. Автор: Peng Yang,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Iodine-containing fluorocarbon and hydrofluorocarbon compounds for etching semiconductor structures

Номер патента: WO2021262841A8. Автор: Fabrizio MARCHEGIANI. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2022-12-29.

Iodine-containing fluorocarbon and hydrofluorocarbon compounds for etching semiconductor structures

Номер патента: WO2021262841A1. Автор: Fabrizio MARCHEGIANI. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pourl'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-12-30.

Cleaning method of film layer in the plasma processing apparatus

Номер патента: US20240203708A1. Автор: Kazuhiro Ueda,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Chip structure with etch stop layer

Номер патента: US20230268272A1. Автор: Wei-Li Huang,Kun-Ming Tsai,Shih-Hao Lin,Ping-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Номер патента: US20210082866A1. Автор: Chen Yu Chen,Eugene Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for etching a bottom anti-reflective coating layer in dual damascene application

Номер патента: WO2007109464A2. Автор: Karsten Schneider,Gerardo A. Delgadino,Ying Xiao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-09-27.

Cointegrated semiconductor structures for different voltage transistors

Номер патента: US20210202480A1. Автор: Alessio Spessot,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods for etching a bottom anti-reflective coating layer in dual damascene application

Номер патента: EP2001814A2. Автор: Karsten Schneider,Gerardo A. Delgadino,Ying Xiao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: EP4186095A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Feature Dimension Control in a Manufacturing Process

Номер патента: US20080176344A1. Автор: Chandrasekhar Sarma,Alois Gutmann,Haoren Zhuang,Jingyu Lian,Matthias Lipinski. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240347465A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US12107048B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4418312A2. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas Kybert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Reinforced wafer level package comprising a core layer for reducing stress in a solder joint and improving solder joint reliability

Номер патента: US09806063B2. Автор: Jie Fu,Chin-Kwan Kim,Rajneesh Kumar,Omar James Bchir,Vladimir Noveski,Milind Pravin Shah,Ahmer Raza Syed. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Interconnect structure including middle of line (MOL) metal layer local interconnect on ETCH stop layer

Номер патента: US09786607B2. Автор: Sukwon Hong,Su Chen Fan,William J. Taylor, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Interconnect structure having an etch stop layer over conductive lines

Номер патента: US09685368B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method and device for fabricating a layer in semiconductor material

Номер патента: US09528196B2. Автор: Michel Bruel. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for cleaning semiconductor structures using hydrocarbon and solvents in a repetitive vapor phase/liquid phase sequence

Номер патента: US6692579B2. Автор: Yi Xu,Sudipto Ranendra Roy,Mei Sheng Zhou,Subhash Gupta,Simon Chooi,Yakub Aliyu,John Leonard Sudijono,Paul Kwok Keung Ho. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-02-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240071829A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Chi-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237339A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming semiconductor structures including metal insulator metal capacitor

Номер патента: US10050103B2. Автор: Sheng Yu Lin,Chia-Wei Liu,Chun Hua CHANG,Fang-Ting KUO,Chien-Ying WU,Ren-Wei Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Method of forming semiconductor structures

Номер патента: US20170263694A1. Автор: Sheng Yu Lin,Chia-Wei Liu,Chun Hua CHANG,Fang-Ting KUO,Chien-Ying WU,Ren-Wei Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Light sensitive semiconductor structures

Номер патента: GB2628444A. Автор: GABLER Daniel,Siles Pablo,Ai Qiang,Abdulrahman Tamer,Hong Tan Tong. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for measuring thickness variations in a layer of a multilayer semiconductor structure

Номер патента: US09759546B2. Автор: Oleg Kononchuk,Didier Dutartre. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20230015991A1. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Light Sensitive Semiconductor Structures

Номер патента: US20240322062A1. Автор: Daniel Gäbler,Pablo Siles,Qiang Ai,Tamer Abdulrahman,Tong Hong Tan. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US09824992B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods and systems for semiconductor structure thickness measurement

Номер патента: US20210295496A1. Автор: Olmez Fatih. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220336466A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor structures including metal insulator metal capacitor

Номер патента: US09666660B2. Автор: Sheng Yu Lin,Chia-Wei Liu,Chun Hua CHANG,Fang-Ting KUO,Chien-Ying WU,Ren-Wei Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing semiconductor structure having word line disposed over portion of an oxide-free dielectric material in the non-active region

Номер патента: US11488964B2. Автор: Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210335794A1. Автор: Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor structure having word line disposed over portion of an oxide-free dielectric material in the non-active region

Номер патента: US20210265361A1. Автор: Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210313394A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for fabricating a damascene self-aligned ferrorelectric random access memory (f-ram) having a ferroelectric capacitor aligned with a three dimensional transistor structure

Номер патента: US20140093983A1. Автор: John Cronin,Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Through-semiconductor-via capping layer as etch stop layer

Номер патента: US09773829B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Yuanwei Zheng,Dyson Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structure, resistive random access memory unit structure, and manufacturing method of the semiconductor structure

Номер патента: US20150357562A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230276609A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230028636A1. Автор: Zongzheng LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12089392B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Creating layers in thin-film structures

Номер патента: GB2395922B. Автор: Warren Lee,Richard Allan Tuck,Adrian Paul Burden,Michael Stuart Waite. Владелец: Printable Field Emitters Ltd. Дата публикации: 2006-08-09.

Creating layers in thin-film structures

Номер патента: GB2418874B. Автор: Warren Lee,Richard Allan Tuck,Adrian Paul Burden,Michael Stuart Waite. Владелец: Printable Field Emitters Ltd. Дата публикации: 2007-04-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20190096830A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Chia-Yu WEI,Yen-Liang Lin,Cheng-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Transistor, semiconductor structure, memory, and method for forming same

Номер патента: US20240098966A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12027575B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US20220229087A1. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US11656245B2. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413532A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290669A1. Автор: Dohyun Kim,Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Yeongseon Kim,Juhyeon KIM,JeongOh Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Designed-based interconnect structure in semiconductor structure

Номер патента: US20160064322A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Tsong-Hua Ou,Chih-Liang Chen,Yung-Sung Yen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shu-Hui Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11756988B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240321942A1. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure

Номер патента: US09876140B2. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Systems and methods for semiconductor structure sample preparation and analysis

Номер патента: US20210057247A1. Автор: Jang Jung Lee,Shih-Wei Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240258232A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230012587A1. Автор: Yi Tang,Xiaojie Li,Jianfeng Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240292606A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing a semiconductor structure using isolation layers for etching the trenches in a substrate

Номер патента: US12063769B2. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Composite having semiconductor structure including a nanocrystalline core and shell embedded in a matrix

Номер патента: US09793446B2. Автор: Georgeta Masson,Juanita Kurtin,Brian Theobald,Matthew J. Carillo,Oun-Ho Park,Steven M. Hughes. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structures having active regions including indium gallium nitride, methods of forming such semiconductor structures, and related light emitting devices

Номер патента: US09634182B2. Автор: Ding Ding,Li Huang,Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-04-25.

Bonding pad surface damage reduction in a formation of digital pattern generator

Номер патента: US09633958B2. Автор: Tien-I Bao,Hui-min Huang,Chih Wei Lu,Tsung-Chih Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structure for photo-conducting antennas

Номер патента: RU2624612C1. Автор: Евгений Александрович Климов,Петр Павлович Мальцев,Сергей Сергеевич Пушкарев,Галиб Галиевич Галиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing semiconductor structure having polygonal bonding pad

Номер патента: US11776921B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional memory device including a metal oxide etch stop layer and methods for forming the same

Номер патента: US20230389317A1. Автор: Mitsuhiro Togo,Fumiaki TOYAMA,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Light-emitting semiconductor structure and optoelectronic component therefrom

Номер патента: US20130223464A1. Автор: Tzanimir Arguirov,Manfred Reiche,Martin Kittler. Владелец: IHP-GmbH- Innovations for High Performance Microelectronics. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096754A1. Автор: Yuan Fang,Yanwu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12048138B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11770934B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Model based optical measurements of semiconductor structures with anisotropic dielectric permittivity

Номер патента: WO2018044572A1. Автор: Qiang Zhao,Zhengquan Tan,Andrei Shchegrov,Houssam Chouaib. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12120863B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Beijing Superstrng Academy Of Memory Technology. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12114506B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Through silicon via sharing in a 3D integrated circuit

Номер патента: US09871020B1. Автор: Sebastian T. Ventrone,Sudeep Mandal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor structure with anti-efuse device

Номер патента: US09754903B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey Poovannummoottil Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Designed-based interconnect structure in semiconductor structure

Номер патента: US09754881B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Tsong-Hua Ou,Chih-Liang Chen,Yung-Sung Yen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shu-Hui Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure having a plurality of conductive paths

Номер патента: US09698099B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Feng Wei KUO,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of making a photoconverter on a germanium substrate with a rear contact output on the front side of the semiconductor structure

Номер патента: RU2703820C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко,Сергей Георгиевич Ханов. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor structure for photo-conducting antennas

Номер патента: RU2671286C1. Автор: Галиб Бариевич Галиев,Евгений Александрович Климов,Алексей Николаевич Клочков,Петр Павлович Мальцев,Сергей Сергеевич Пушкарев,Иван Сергеевич Васильевский,Александр Николаевич Виниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230411444A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and manufacture method therefor

Номер патента: US20230282765A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240023324A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US11916037B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US20230238354A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US20170062371A1. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220320127A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Fabrication of a ferromagnetic inductor core and capacitor electrode in a single photo mask step

Номер патента: WO2006063353A2. Автор: Satyavolu S. Papa Rao,Kenneth D. Brennan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-06-15.

Fabrication of a ferromagnetic inductor core and capacitor electrode in a single photo mask step

Номер патента: EP1831918A2. Автор: Satyavolu S. Papa Rao,Kenneth D. Brennan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-09-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230189509A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure

Номер патента: US20160020167A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor structure and integrated circuit

Номер патента: US20210327879A1. Автор: Shih-Ping Lee,Bo-An Tsai,Shyng-Yeuan Che. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: US20240322079A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for forming a composite having semiconductor structures including a nanocrystalline core and shell embedded in a matrix

Номер патента: US12107197B2. Автор: Georgeta Masson,Juanita Kurtin,Brian Theobald,Matthew J. Carillo,Oun-Ho Park,Steven M. Hughes. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure having dielectric layer and conductive strip

Номер патента: US09947665B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: EP4443673A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12148791B2. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor structure

Номер патента: US11805660B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device, method for operating same, and semiconductor structure

Номер патента: US20240049446A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure body and method for manufacturing semiconductor structure body

Номер патента: US20230408936A1. Автор: Manabu Takakuwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Heater for annealing trapped charge in a semiconductor device

Номер патента: US20060103007A1. Автор: Philip Oldiges,John Aitken,Ethan Cannon,Alvin Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Method for manufacturing semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US20230402501A1. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US12051719B2. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Micro semiconductor structure

Номер патента: US20200176509A1. Автор: Yi-Ching Chen,Yu-Chu Li,Yi-Chun Shih,Pei-Hsin Chen,Tzu-Yang Lin,Yu-Hung Lai,Ying-Tsang Liu,Huan-Pu Chang. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240313042A1. Автор: JISONG Jin,YICHAO Wu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120862B2. Автор: Liang Zhao,Wenfeng Wang,Jinping Sun. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure

Номер патента: US12133378B2. Автор: Wei Zhong Li,Hsih Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US09859282B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structures and packaging methods

Номер патента: US6028347A. Автор: John B. Sauber,John A. Kowaleski, Jr.,Jeffrey G. Maggard. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20240008247A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230020883A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240355728A1. Автор: Chung-Long Chang,Tzu-Jin Yeh,Hsieh-Hung HSIEH,Hua-Chou Tseng,Ching-Chung Hsu,Kai-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240379908A1. Автор: Shiou-Yi Kuo,Guo-Yi SHIU. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Method and assembly for determining the thickness of a layer in a sample stack

Номер патента: US09587930B2. Автор: Bernd Srocka. Владелец: HSEB Dresden GmbH. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125875B2. Автор: Chia Che CHIANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of characterizing group III-V epitaxial semiconductor wafers incorporating an etch stop layer

Номер патента: US5639343A. Автор: Daniel Mark Dobkin. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1997-06-17.

Methods of fabricating a storage node in a semiconductor device and methods of fabricating a capacitor using the same

Номер патента: US20120208340A1. Автор: Jong Kook Park,Han Sang Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320079A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods of fabricating a storage node in a semiconductor device and methods of fabricating a capacitor using the same

Номер патента: US8652924B2. Автор: Jong Kook Park,Han Sang Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-18.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240234035A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Designing supply wirings in semiconductor integrated circuit by detecting power supply wiring of specific wiring layer in projection area

Номер патента: US20120260226A1. Автор: Kenji Kumagai,Jun Suda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-10-11.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20230263081A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Kerem Akarvardar. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Floating metal elements in a package substrate

Номер патента: WO2010121167A1. Автор: Ruey Kae Zang,Jack Monjay Yao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-21.

Detection pad structure for analysis in a semiconductor device

Номер патента: US12072374B2. Автор: Jihoon Chang,Yeonjin Lee,Jimin CHOI,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

A method for creating an antiblooming structure in a charge coupled device

Номер патента: EP1289019A3. Автор: Eric Gordon Stevens. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-05-19.

Process for producing light absorbing layer in cis based thin-film solar cell

Номер патента: US20100311202A1. Автор: Katsumi Kushiya,Hideki Hakuma,Katsuya Tabuchi,Yuri Yamaguchi. Владелец: Showa Shell Sekiyu KK. Дата публикации: 2010-12-09.

Embedded bridge structure in a substrate

Номер патента: US09642259B2. Автор: Chin-Kwan Kim,Dong Wook Kim,Hong Bok We,Omar James Bchir. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method and apparatus for fabricating a memory device with a dielectric etch stop layer

Номер патента: US20050239246A1. Автор: H. Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Hybrid photon device having etch stop layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20180366901A1. Автор: Dongsik Shim,Byounglyong Choi,Byunggil Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-20.

Power interconnect structure for balanced bitline capacitance in a memory array

Номер патента: EP1905082A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-02.

Multiple antennas in a multi-layer substrate

Номер патента: WO2023069390A1. Автор: Hassan Ali,Richard Wallace,Swaminathan Sankaran. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips in a stacked structure

Номер патента: US20240258275A1. Автор: Minseok KANG,Sungwook Moon,Duhyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips in a stacked structure

Номер патента: EP4411813A1. Автор: Minseok KANG,Sungwook Moon,Duhyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Light coupling formation in a waveguide layer

Номер патента: US20150131938A1. Автор: Kuo-Chung Yee,Chun-Hao Tseng,Ying-hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Multiple antennas in a multi-layer substrate

Номер патента: EP4420196A1. Автор: Hassan Ali,Richard Wallace,Swaminathan Sankaran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor Device and Method of Protecting Passivation Layer in a Solder Bump Process

Номер патента: US20100200985A1. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Display device having a groove in a blocking region

Номер патента: US20240260330A1. Автор: Jae hak Lee,Deuk Jong Kim,Ki Hoon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Device and Method of Protecting Passivation Layer in a Solder Bump Process

Номер патента: US20120211881A9. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Integrated circuit package with a conductive grid formed in a packaging substrate

Номер патента: US09831189B2. Автор: Leilei Zhang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Metal-semiconductor alloy region for enhancing on current in a three-dimensional memory structure

Номер патента: US09524977B2. Автор: Tomohiro Kubo,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,George Matamis,Sateesh KOKA,Junichi Ariyoshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Flexible display panel comprising first and second etching stop layers and electro-optical device

Номер патента: US09431467B2. Автор: Jong-wen Chwu,Yu-Chen Liu,Chao-Cheng Lin,Wei-Chieh Yang,Che-Yao WU. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-08-30.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US20240379552A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, memory and operation method therefor

Номер патента: EP4318476A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US11678493B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Integration of rare-earth doped amplifiers into semiconductor structures

Номер патента: WO2005079395A3. Автор: YIN Tang. Владелец: YIN Tang. Дата публикации: 2006-12-07.

Integration of rare-earth doped amplifiers into semiconductor structures and uses of same

Номер патента: MY144480A. Автор: Yin S Tang. Владелец: Yin S Tang. Дата публикации: 2011-09-30.

Guiding structures for fabrication of angled features in a semiconductor device

Номер патента: US20240319591A1. Автор: Eric A. Joseph,Steven Holmes,Pouya Hashemi,Yanning Sun,Robert L. Bruce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Structures Having A Micro-Battery and Methods for Making the Same

Номер патента: US20210384544A1. Автор: Yi Hsun CHIU,Ching-Hou SU,Chyi-Tsong Ni,I-Shi WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Particle transfer blocking device and lithography device using electron layer in vacuum system

Номер патента: EP4418045A1. Автор: Ki Bum Kim. Владелец: Derkwoo Semitech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Lid for use in a mass spectrometry system

Номер патента: US20220336201A1. Автор: Aaron T. BOOY. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Lid for use in a mass spectrometry system

Номер патента: WO2021044349A1. Автор: Aaron T. BOOY. Владелец: DH Technologies Development Pte. Ltd.. Дата публикации: 2021-03-11.

Magnetic etch stop layer for spin-transfer torque magnetoresistive random access memory magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2016089535A1. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Planarization stop layer in phase change memory integration

Номер патента: US20110062559A1. Автор: Yu Zhu,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Ald vs pvd igzo channel and alox channel passivation in a 3d nand vertical wordline driver

Номер патента: US20240121964A1. Автор: Jessica Sevanne Kachian,Jose CRUZ-CAMPA. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070281417A1. Автор: Daniel Koehler,Peter Baars,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Joern Regul. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof, three-dimensional memories, and memory systems

Номер патента: US20240172439A1. Автор: Wei Xu,QI Hao,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor structure with improved capacitance of bit line

Номер патента: US20140054535A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148791A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240357798A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

MRAM cell embedded in a metal layer

Номер патента: US12058942B2. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12133470B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Cpmpany Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Array structure, semiconductor structure, and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240057312A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing semiconductor structure with capacitor wires

Номер патента: US11856757B2. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4280257A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for simulation of a shock-compressed layer in arc discharge conditions

Номер патента: RU2661345C1. Автор: Александр Геннадьевич Бедрин,Иван Сергеевич Миронов,Валентин Михайлович Громовенко. Владелец: АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Научно-исследовательский институт оптико-электронного приборостроения" (АО "НИИ ОЭП"). Дата публикации: 2018-07-16.

A method for data transmission over the mac layer in a wireless mesh network

Номер патента: WO2009121692A1. Автор: Wissam Haddad. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230389261A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for managing state in a wireless network

Номер патента: US20070288620A1. Автор: Tae-ho Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-13.

Methods and nodes in a communications network for training an autoencoder

Номер патента: WO2024158325A1. Автор: Konstantinos Vandikas,Abdulrahman Alabbasi,Illyyne SAFFAR,Aurelie BOISBUNON. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-08-02.

Method and apparatus for processing signaling data between layers in IP-based digital broadcasting system

Номер патента: US09954981B2. Автор: Woosuk Kwon,Sejin Oh,Kyoungsoo Moon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-04-24.

Filtering on classes and particulars of a packet destination address at lower-protocol layers in a networked device

Номер патента: US09948542B2. Автор: Pascal Thubert,Shwetha Subray Bhandari. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

System and method for creating custom composite images from layered images in a client-server environment

Номер патента: US09904692B2. Автор: Gabriel Matthew Campbell,Gregory Alan Kaplan,Andreas Martin Morgen. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

System and method for supporting a scalable message bus in a distributed data grid cluster

Номер патента: US09535862B2. Автор: Mark Falco,Alex Gleyzer. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method and apparatus for application awareness in a network

Номер патента: US09444841B2. Автор: Binyuan Chen,Amit Chopra,Azeem Feroz. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040766A1. Автор: Hong Wang,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure, and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240040777A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Device and method for reading out information stored in a storage layer

Номер патента: US20040104364A1. Автор: Werner Stahl. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 2004-06-03.

Method for predictive reception of physical layer downlink repetitions in a nb-iot ue for prolonged battery lifetime

Номер патента: EP3611861A1. Автор: Mathias Kurth,Chethan VENKATESAN. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-19.

Support of random access and switching of layers and sub-layers in multi-layer video files

Номер патента: EP3363204A1. Автор: Ye-Kui Wang,Fnu HENDRY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-22.

Support of random access and switching of layers and sub-layers in multi-layer video files

Номер патента: WO2017066075A1. Автор: Ye-Kui Wang,Fnu HENDRY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-04-20.

A method for making biaxially textured layers on non-textured substrates, in particular for making intermediate buffer layers in superconductive composite tapes

Номер патента: EP1668713A2. Автор: Alberto Baldini,Sergio Zannella,Andrea Gauzzi. Владелец: Edison SpA. Дата публикации: 2006-06-14.

A method for making biaxially textured layers on non-textured substrates, in particular for making intermediate buffer layers in superconductive composite tapes

Номер патента: EP1668713B1. Автор: Alberto Baldini,Sergio Zannella,Andrea Gauzzi. Владелец: Edison SpA. Дата публикации: 2007-02-21.

Method for making biaxially textured layers on non-textured substrates, in particular for making intermediate buffer layers in superconductive composite tapes

Номер патента: US20070161514A1. Автор: Alberto Baldini,Sergio Zannella,Andrea Gauzzi. Владелец: Outokumpu Copper Superconductors Italy SpA. Дата публикации: 2007-07-12.

Managing stale connections in a distributed system

Номер патента: US12050594B2. Автор: Jaykumar Patel. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

A metal-semiconductor alloy region for enhancing on current in a three-dimensional memory structure

Номер патента: WO2016167984A1. Автор: Tomohiro Kubo,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,George Matamis,Sateesh KOKA,Junichi Ariyoshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-20.

Memory device containing dual etch stop layers for selector elements and method of making the same

Номер патента: EP4055636A1. Автор: Jeffrey Lille,Kanaiyalal Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-14.

Method for predictive reception of physical layer downlink repetitions in a nb-iot ue for prolonged battery lifetime

Номер патента: WO2020034832A1. Автор: Mathias Kurth,Chethan VENKATESAN. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-20.

Multi-layer control interface for clock switching in a communications element

Номер патента: US20020186718A1. Автор: Luc Andre,Giovanni Chiazzese,Vintila Canciu,Matthew Marugg. Владелец: Marconi Communications Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Access line grain modulation in a memory device

Номер патента: US12087358B2. Автор: David Ross Economy,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Create and optimize dynamic data adaptation layer in edge computing

Номер патента: GB2627209A. Автор: Hunt David,van Maastricht Christian,Tayal Sagar,Binotto Alecio,Curic Maja. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Handling of configuration parameters in a wireless modem

Номер патента: WO2014060459A1. Автор: Per Thorell,Mikael Gullberg,Marco Möhle. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2014-04-24.

Embedding a discrete electrical device in a printed circuit board

Номер патента: US09839131B2. Автор: Andreas Huber,Bruce J. Chamberlin,Thomas Strach,Thomas-Michael Winkel,Harald Huels. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and system for processing data in a telecommunications system for dynamic adaptation to the quantity of data to be transmitted

Номер патента: US09800370B2. Автор: Mathieu Gineste. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-10-24.

Support of non-HEVC base layer in HEVC multi-layer extensions

Номер патента: US09794558B2. Автор: Ye-Kui Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11948616B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Kanyu Cao,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for producing a smooth Ru side gap of a damascene writer pole

Номер патента: US09548069B2. Автор: Sue S. Zhang,Ning Shi,Xiaoyu Xu. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor structure with micro-electro-mechanical system devices

Номер патента: US09624092B1. Автор: Kuan-Yu Wang,Wei-Hua Fang,Her-Yi Tang,Xuan-Rui Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Apparatus for patterning a self-aligned coil using a damascene process

Номер патента: US20050047014A1. Автор: Son Nguyen,Quang Le,Vladimir Nikitin,Edward Lee,Murali Ramasubramanian,Daniel Bedell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

Method for producing a smooth ru side gap of a damascene writer pole

Номер патента: US20140272120A1. Автор: Sue S. Zhang,Ning Shi,Xiaoyu Xu. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor structure for mems device

Номер патента: US20170369308A1. Автор: Jung-Huei Peng,Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yu-Chia Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US10112823B2. Автор: Wei Wang,Chao ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US20160194198A1. Автор: Wei Wang,Chao ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Methods and systems for data driven parameterization and measurement of semiconductor structures

Номер патента: WO2023101917A3. Автор: Stilian Ivanov Pandev,Arvind Jayaraman,Proteek Chandan Roy,Hyowon Park,Sungchul Yoo,Antonio GELLINEAU. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor structures for enhanced transient response in low dropout (LDO) voltage regulators

Номер патента: US09383618B2. Автор: Gwilym Luff. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Mems devices with an etch stop layer

Номер патента: WO2008140815A1. Автор: Fusao Ishii. Владелец: Fusao Ishii. Дата публикации: 2008-11-20.

Fabrication of low-loss, light-waveguiding, orientation-patterned semiconductor structures

Номер патента: US9244225B1. Автор: Thomas F. Kuech,Dan Botez,Luke J. Mawst,Steven Christopher Ruder. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-01-26.

Methods And Systems For Measurement Of Semiconductor Structures With Multi-Pass Statistical Optimization

Номер патента: US20240353760A1. Автор: John J. Hench,Daniel J. HAXTON. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Fabrication of low-loss, light-waveguiding, orientation-patterned semiconductor structures

Номер патента: US20160025927A1. Автор: Thomas F. Kuech,Dan Botez,Luke J. Mawst,Steven Christopher Ruder. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-01-28.

Methods and systems for measurement of semiconductor structures with multi-pass statistical optimization

Номер патента: WO2024220228A1. Автор: John J. Hench,Daniel J. HAXTON. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-10-24.

Device for processing the intermediate layer in the process tank

Номер патента: RU2754666C1. Автор: Расул Раифович Сафин,Рамиль Мударисович Гайсин. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2021-09-06.

Method of forming wear-resistant surface layer in cobalt-containing hard-alloyed article in the form of die

Номер патента: RU2599315C1. Автор: Анатолий Борисович Коршунов,Валерий Константинович Ковальков,Тамара Борисовна Сагалова,Лариса Николаевна Корсунская,Валентина Егоровна Рысева,Эльвира Анатольевна Карнажицкая,Владимир Анатольевич Коршунов,Илья Викторович Николаев,Татьяна Васильевна Носова. Владелец: Валерий Константинович Ковальков. Дата публикации: 2016-10-10.

Method for diagnostics of changes in the water saturation of peat layers in stratigraphy of peat deposit

Номер патента: RU2681270C1. Автор: Андрей Валентинович Шмаков,Александр Александрович Кузнецов,Олег Сергеевич Покровский,Галина Андреевна Шмакова,Даниил Андреевич Шмаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-03-05.

Panel, in particular a floor panel, ceiling panel or wall panel, and use of an additional layer in a laminated multi-layer structure of a panel

Номер патента: AU2021206145A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Panel, in particular a floor panel, ceiling panel or wall panel, and use of an additional layer in a laminated multi-layer structure of a panel

Номер патента: CA3164305A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Panel, in particular a floor panel, ceiling panel or wall panel, and use of an additional layer in a laminated multi-layer structure of a panel

Номер патента: AU2021206145B2. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Panel, in particular a floor panel, ceiling panel or wall panel, and use of an additional layer in a laminated multi-layer structure of a panel

Номер патента: EP4087887A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2022-11-16.

Panel, in Particular a Floor Panel, Ceiling Panel or Wall Panel, and Use of an Additional Layer in a Laminated Multi-Layer Structure of a Panel

Номер патента: US20230087380A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Incorporation of decision trees in a neural network

Номер патента: WO2022240391A1. Автор: Hao Huang,Piotr ZIELINSKI,Aki Oskari Kuusela,Satrajit Chatterjee,Claudionor Jose NUNES COELHO JR.. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for producing at least one solid-body layer in accordance with predetermined geometry data

Номер патента: US12017412B2. Автор: Hans Mathea. Владелец: 3d Systems GmbH. Дата публикации: 2024-06-25.

System and method for providing variation in bead size to improve geometrical accuracy of deposited layers in an additive manufacturing process

Номер патента: EP3563270A1. Автор: Suraj Ravi MUSUVATHY,Erhan Arisoy,Prakhar Jaiswal,David Madeley. Владелец: Siemens Product Lifecycle Management Software Inc. Дата публикации: 2019-11-06.

Alloy and sputtering target material for seed layer in ni-cu-based magnetic recording medium, and magnetic recording medium

Номер патента: MY186853A. Автор: Hasegawa Hiroyuki,Shinmura Yumeki. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods, systems, and media for generating modified user engagement signals based on obstructing layers in a user interface

Номер патента: US12079644B2. Автор: Sylvia N'guessan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Analog computation-in-memory engine and digital computation-in-memory engine to perform operations in a neural network

Номер патента: WO2024215350A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-10-17.

Analog computation-in-memory engine and digital computation-in-memory engine to perform operations in a neural network

Номер патента: US20240338177A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Sensor element and a method for detecting a parameter of a gas mixture in a gas chamber

Номер патента: US09829457B2. Автор: Andreas Wildgen,Torsten Reitmeier. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of cutting off laminate layers, eg a glass fibre or carbon-fibre laminate layer in the blade of a wind turbine

Номер патента: US09751277B2. Автор: Torben Krogsdal Jacobsen,Morten Dahl. Владелец: Lm Glasfiber As. Дата публикации: 2017-09-05.

Apparatus for identifying layer number of an object in a container and system for automatically taking out an object

Номер патента: US09481090B2. Автор: Jun Zhang,Jie Deng,Jiangtao ZHANG,Shengguang Sang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Photoelectric converter based on nonplanar semiconductor structure

Номер патента: RU2399118C1. Автор: Борис Михайлович Синельников,Лев Васильевич Кожитов,Петр Арсеньевич Данов,Владимир Васильевич Митин,Мухамед Данильевич Бавижев,Артём Михайлович Косарев,Константин Павлович Шварёв,Владимир Дмитриевич Соклаков,Сергей Моисеевич Эфрос. Владелец: ОАО "Подольский химико-металлургический завод". Дата публикации: 2010-09-10.

Paravirtual storage layer for a container orchestrator in a virtualized computing system

Номер патента: US20210382741A1. Автор: Venkata Balasubrahmanyam Dontu,Divyen Kiritbhai Patel,Raunak Pradip Shah,Sandeep Pissay Srinivasa Rao. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

A method for determining the location of an interface region in a medium and associated apparatus

Номер патента: WO2011010096A1. Автор: Wayne Rudd,Laurie Linnett. Владелец: Laurie Linnett. Дата публикации: 2011-01-27.

Method and system for measuring spacing in a perpendicular magnetic recording

Номер патента: US7852581B2. Автор: Kazuhiro Saito. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Estimating frost mass formed in a design component of a multi-component structure

Номер патента: US10242133B2. Автор: Sunil Kumar,Madhusudhana Reddy. Владелец: Airbus Group India Pvt Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Estimating frost mass formed in a design component of a multi-component structure

Номер патента: US10275549B2. Автор: Sunil Kumar,Madhusudhana Reddy. Владелец: Airbus Group India Pvt Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

A sports field having a top layer in which pumice is incorporated

Номер патента: WO2001000931A1. Автор: Marius Cornelis De Baat. Владелец: Maba B.V.. Дата публикации: 2001-01-04.

Device and method for reading out information stored in a storage layer

Номер патента: US20040004198A1. Автор: Werner Stahl. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 2004-01-08.

Device and method for reading out information stored in a storage layer

Номер патента: US7342243B2. Автор: Werner Stahl. Владелец: Agfa Gevaert Healthcare GmbH. Дата публикации: 2008-03-11.

Method and System for Measuring Spacing in a Perpendicular Magnetic Recording

Номер патента: US20090027805A1. Автор: Kazuhiro Saito. Владелец: Iomega Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

System and Method for Geographic Data Layer Management in a Geographic Information System

Номер патента: US20170123609A1. Автор: David Kornmann,Julian Charles Mercay. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Device for reducing energy losses in a machinery unit

Номер патента: EP1556633A1. Автор: Per-Ola Vallebrant. Владелец: PARKER HANNIFIN AB. Дата публикации: 2005-07-27.

Device for reducing energy losses in a machinery unit

Номер патента: EP1556633B1. Автор: Per-Ola Vallebrant. Владелец: PARKER HANNIFIN AB. Дата публикации: 2009-06-03.

Integrating a memory layer in a neural network for one-shot learning

Номер патента: US12073328B2. Автор: Eli Ehrman. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method to remove unwanted, unexposed, radiation-sensitive layer in a lithographic printing plate

Номер патента: EP1663645A1. Автор: Jianbing Huang,Kevin Ray,Joanne Ray. Владелец: Kodak Graphics Holding Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Method for adjusting the release of active agent in a transdermal delivery system

Номер патента: US12070521B2. Автор: Marco Emgenbroich,Hans-Michael Wolff,Johannes Josef Leonhard. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-08-27.

Fabricating planarized coil layer in contact with magnetoresistance element

Номер патента: US20230228828A1. Автор: Sundar Chetlur,Paolo Campiglio,Harianto Wong,Maxim Klebanov,Yen Ting Liu. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for detecting non-problem domain data in a machine learning model

Номер патента: US20240249184A1. Автор: Jan Hoogerbrugge,Wilhelmus Petrus Adrianus Johannus Michiels. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-25.

Controlling layers in container images to reduce redundant content between layers

Номер патента: US12093220B1. Автор: Yu Sun,Zhan Peng Huo,Da Long Wang,Hong Yi Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Trim support for a solid-state drive in a virtualized environment

Номер патента: US09983992B2. Автор: Deng Liu,Thomas A. Phelan. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and system for flotation separation in a magnetically controllable and steerable medium

Номер патента: US09932525B2. Автор: Alan D. Kersey. Владелец: Cidra Corporated Services LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of facilitating visual detection of a crack in a component of a gas turbine engine

Номер патента: US09804058B2. Автор: Kin-Leung Cheung. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and system for managing background operations in a multi-layer memory

Номер патента: US09734050B2. Автор: Barry Wright,Nicholas James Thomas,Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

System and method for adaptive memory layers in a memory device

Номер патента: US09632705B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

System and method for geographic data layer management in a geographic information system

Номер патента: US09606709B2. Автор: Julien Charles Mercay,David Kommann. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Management of geographic data layers in a geographic information system

Номер патента: US09483497B1. Автор: David Kornmann,Julien Charles Mercay. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Multi-layer non-volatile memory system having multiple partitions in a layer

Номер патента: US09465731B2. Автор: Barry Wright,Nicholas James Thomas,Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor structure with etch stop layer and method for making the same

Номер патента: WO2024102501A1. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-05-16.

Method to determine electroconductivity and thickness of semiconductor plates or nanometer semiconductor layers in structures "semiconductor layer - semiconductor substrate"

Номер патента: RU2517200C2. Автор: Сергей Аполлонович Никитов,Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor structures annealing method

Номер патента: RU2567117C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

ARRANGEMENT FOR SENSING WEIGHT OF AN OCCUPYING ITEM IN A VEHICULAR SEAT

Номер патента: US20120001463A1. Автор: Breed David S.,Johnson Wendell C.,DuVall Wilbur E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS, APPARATUSES AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR AUTOMATICALLY GENERATING SUGGESTED INFORMATION LAYERS IN AUGMENTED REALITY

Номер патента: US20120001939A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR TRANSMITTING SERVICE REQUEST MESSAGES IN A CONGESTED NETWORK

Номер патента: US20120002545A1. Автор: Olvera-Hernandez Ulises,Watfa Mahmoud,Aghili Behrouz. Владелец: INTERDIGITAL PATENT HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR TRANSMITTING A REFERENCE SIGNAL IN A WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002740A1. Автор: Chung Jae Hoon,Kwon Yeong Hyeon,Han Seung Hee. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR SEPARATING SURFACE LAYERS IN PRODUCTS OF THE FOOD INDUSTRY

Номер патента: US20120000331A9. Автор: Grabau Thomas. Владелец: NORDISCHER MASCHINENBAU RUD. BAADER GMBH + CO. KG. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD TO OPTIMIZE THE LIGHT EXTRACTION FROM SCINTILLATOR CRYSTALS IN A SOLID-STATE DETECTOR

Номер патента: US20120001075A1. Автор: FRACH Thomas,Thon Andreas. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory unit of complementary metal-oxide-semiconductor structure ram

Номер патента: RU2580072C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Photodetector built around quantum-well semiconductor structure

Номер патента: RU2022411C1. Автор: В.И. Кадушкин. Владелец: Научно-исследовательский технологический институт. Дата публикации: 1994-10-30.

Method of creating shallowly-lying nanosized alloyed layers in silicon

Номер патента: RU2523732C1. Автор: Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Иосифович Зиненко,Юрий Андреевич Агафонов,Владимир Васильевич Сарайкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "научно-исследовательский институт Физических проблем им. Ф.В. Лукина (ФГУП НИИФП им. Ф.В. Лукина). Дата публикации: 2014-07-20.

Hydrological device for definition of depth of occurrence of a jump in a full-scale reservoir

Номер патента: RU2239175C1. Автор: В.К. Маслов,Ю.Н. Власов,С.Г. Цыганков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений". Дата публикации: 2004-10-27.

SEMICONDUCTOR TRANSISTOR NANO-HETEROSTRUCTURE ON SUBSTRATE OF GaAs WITH MODIFIED STOP LAYER OF AlxGa1-xAs

Номер патента: RU2582440C1. Автор: Галиб Бариевич Галиев,Евгений Александрович Климов,Алексей Николаевич Клочков,Сергей Сергеевич Пушкарев,Рустам Анварович Хабибуллин,Дмитрий Сергеевич Пономарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2016-04-27.

The manufacture method of semiconductor structure, resistive memory cell structure and semiconductor structure

Номер патента: CN105098067B. Автор: 李明修,林昱佑,李峰旻. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.