Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Self-boost, source following, and sense-and-hold for accessing memory cells

Self-boost, source following, and sense-and-hold for accessing memory cells

Номер патента: US20210098044A1
Опубликовано: 01-04-2021
Автор(ы): Ferdinando Bedeschi, Umberto Di Vincenzo
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Self-boost, source following, and sample-and-hold for accessing memory cells

Номер патента: US20190027202A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

SELF-BOOST, SOURCE FOLLOWING, AND SENSE-AND-HOLD FOR ACCESSING MEMORY CELLS

Номер патента: US20210098044A1. Автор: Di Vincenzo Umberto,Bedeschi Ferdinando. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

SELF-BOOST, SOURCE FOLLOWING, AND SENSE-AND-HOLD FOR ACCESSING MEMORY CELLS

Номер патента: US20200098413A1. Автор: Di Vincenzo Umberto,Bedeschi Ferdinando. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Circuit configuration for reading and writing information at a memory cell field

Номер патента: US20020015331A1. Автор: Helmut Schneider,Bret Johnson,Eckhard Plattner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-07.

Method and apparatus for high-efficiency operation of a dynamic random access memory

Номер патента: US20080175037A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chen-Hui Hsieh,Hank Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Static random access memory and driving method thereof

Номер патента: US09466359B2. Автор: Jong Sun Park,Woong Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods and systems for improving read and write of memory cells

Номер патента: US12027230B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Static random access memory and riving method thereof

Номер патента: US20150364184A1. Автор: Jong Sun Park,Woong Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2015-12-17.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US6295241B1. Автор: Fujio Masuoka,Koji Sakui,Kenji Numata,Tsuneaki Fuse,Shigeyoshi Watanabe,Yukihito Oowaki,Masako Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

SELF-BOOST, SOURCE FOLLOWING, AND SAMPLE-AND-HOLD FOR ACCESSING MEMORY CELLS

Номер патента: US20190027202A1. Автор: Di Vincenzo Umberto,Bedeschi Ferdinando. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Fast column access memory

Номер патента: CA1241445A. Автор: Howard C. Kirsch. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Dynamic random access memory and method for accessing same

Номер патента: US7626843B2. Автор: Shou-Ting Yan. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Dynamic random accesss memory and memory for accessing the same

Номер патента: US20080002449A1. Автор: Shuo-Ting Yan. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Techniques for accessing an array of memory cells to reduce parasitic coupling

Номер патента: US11881252B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Lucia Di Martino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Techniques for accessing an array of memory cells to reduce parasitic coupling

Номер патента: US20200111524A1. Автор: Umberto Di Vincenzo,Lucia Di Martino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A3. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-11-24.

Main amplifier circuit and input-output bus for a dynamic random access memory

Номер патента: MY119441A. Автор: Shoji Wada. Владелец: Hitachi Ulsi Eng Corp. Дата публикации: 2005-05-31.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-06-09.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: EP2507795A2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-10-10.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US20120230134A1. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-09-13.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Techniques for accessing memory cells

Номер патента: US20130242673A1. Автор: Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Address dependent wordline timing in asynchronous static random access memory

Номер патента: US12068024B2. Автор: Jay A. Chesavage,Robert Wiser,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory circuit, a dynamic random access memory, a system comprising a memory and a floating point unit and a method for storing digital data

Номер патента: US20080062743A1. Автор: Peter Mayer,Wolfgang Spirkl,Michael Richter,Martin Brox,Thomas Hein,Markus Balb,Christoph Bilger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-03-13.

Source follower-based sensing scheme

Номер патента: US20220020416A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Hyun Yoo Lee,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto,Huy T. Vo,Suryanarayana B. Tatapudi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Dynamic Adjustment of Word Line Timing in Static Random Access Memory

Номер патента: US20230352082A1. Автор: Jay A. Chesavage,Robert Wiser,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Low-power static random access memory

Номер патента: WO2022269493A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether Ai Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

Low-power static random access memory

Номер патента: US20230420040A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Low-power static random access memory

Номер патента: US20240021237A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Low-power static random access memory

Номер патента: US11955170B2. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Static random access memory with write assist circuit

Номер патента: US20190035455A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Static Random Access Memory with Write Assist Circuit

Номер патента: US20200411084A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Static random access memory device including dual power line and bit line precharge method thereof

Номер патента: US9171610B2. Автор: Jong-Sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Source follower-based sensing scheme

Номер патента: US20200211614A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Hyun Yoo Lee,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto,Huy T. Vo,Suryanarayana B. Tatapudi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Integrated dram circuit, method for refreshing memory cells, and method for preventing a data integrity attack

Номер патента: EP4369341A1. Автор: Kaveh Razavi,Michele MARAZZI. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2024-05-15.

Integrated dram circuit, method for operating the integrated dram circuit by refreshing memory cells of the integrated dram circuit, and method for preventing a data integrity attack

Номер патента: WO2024105517A1. Автор: Kaveh Razavi,Michele MARAZZI. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2024-05-23.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US20220215884A1. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US11574684B2. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20220383912A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Stacked thin-film transistor based embedded dynamic random-access memory

Номер патента: US20200035683A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Umut ARSLAN,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: INTE Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20190051335A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US11915779B2. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for accessing a memory and memory access circuit

Номер патента: US20150332756A1. Автор: Gerd Dirscherl,Thomas Kuenemund,Gunther Fenzl,Joel Hatsch,Nikolai Sefzik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-19.

Techniques for accessing a dynamic random access memory array

Номер патента: US09472249B2. Автор: Andre Schaefer,Pei-Wen Luo,Jen-Chieh Yeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Device and method of controlling refresh operation for dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US09672894B2. Автор: Young-hun Kim,In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Differential vector storage for dynamic random access memory

Номер патента: US09424908B2. Автор: Amin Shokrollahi,Harm Cronie. Владелец: Kandou Labs SA. Дата публикации: 2016-08-23.

Random access memory including first and second voltage sources

Номер патента: US20070070683A1. Автор: Norbert Rehm,Dirk Fuhrmann,Rob Perry,Jan Zieleman,Rath Ung. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-29.

Data security for dynamic random access memory using body bias to clear data at power-up

Номер патента: US20120087176A1. Автор: Michael Launsbach,Todd Alan Christensen,Derick Gardner Behrends,Daniel Mark Nelson,Travis Reynold Hebig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Random access memory and method of adjusting read timing thereof

Номер патента: US20150117127A1. Автор: Shun-Ker Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US11222677B1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US9437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US09437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Dynamic random access memory with well-balanced read-out voltage on bit line pair and operating method therefor

Номер патента: US4982367A. Автор: Hideshi Miyatake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

High-speed refreshing rechnique for highly-integrated random-access memory

Номер патента: US4819207A. Автор: Koji Sakui,Shigeyoshi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Apparatuses and methods for access based refresh timing

Номер патента: US11955158B2. Автор: Daniel B. Penney,Jason M. Brown. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Providing Orthogonal Subarrays in A Dynamic Random Access Memory

Номер патента: US20230317140A1. Автор: Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatuses and methods for access based refresh timing

Номер патента: US20230105151A1. Автор: Daniel B. Penney,Jason M. Brown. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20220319561A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US11823767B2. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20240144985A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Synchronous burst-access memory

Номер патента: US5327390A. Автор: Atsushi Takasugi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US20220013158A1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Dynamic random access memory device having booster against battery exhaustion

Номер патента: US6240037B1. Автор: Shinichi Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-05-29.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Compensating for concentrated activation of memory cells in a semiconductor memory device

Номер патента: US12020742B2. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for accessing memory and memory device using the same

Номер патента: US11955164B2. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for accessing memory and memory device using the same

Номер патента: US20230360692A1. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: US20230066757A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Dynamic, random-access memory with hidden memory scrubbing

Номер патента: US20240127903A1. Автор: Thomas Vogelsang,Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-04-18.

Programming and reading circuit for dynamic random access memory

Номер патента: US20240038294A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Low noise sense amplifier control circuits for dynamic random access memories and related methods

Номер патента: US5708616A. Автор: Jong-Hyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-13.

Streaming mode for accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US20240071476A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory cell array of a static random access memory and a static random access memory including the same

Номер патента: US20240233812A1. Автор: Hyunjun Kim,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Sekeon Kim,Kyeongrim Baek. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-11.

Sequential-access memory

Номер патента: US4779228A. Автор: Shigeki Yamamoto,Yasuji Uchiyama. Владелец: Nippon Gakki Co Ltd. Дата публикации: 1988-10-18.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20180182469A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Leakage compensation circuit for dynamic random access memory (dram) cells

Номер патента: US20100073994A1. Автор: Muhammad M. Khellah,Ali Keshavarzi,DiaaEldin S. Khalil,Arijit Rayehowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Dynamic random access memory apparatus

Номер патента: US20140146597A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

One device field effect transistor (fet) ac stable random access memory (ram) array

Номер патента: CA1163714A. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-13.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US8199593B2. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Dynamic random access memory device having static column mode of operation without destruction of data bit

Номер патента: US5295099A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: EP4204950A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: WO2022093413A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells

Номер патента: US7369451B2. Автор: Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-06.

Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells with temperature compensated self-refresh

Номер патента: US7692994B2. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells with temperature compensated self-refresh

Номер патента: US20090122631A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Dynamic random access memory device and method for self- refreshing memory cells with temperature compensated self- refresh

Номер патента: EP2013881A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-14.

Dynamic random access memory device and method for self- refreshing memory cells with temperature compensated self- refresh

Номер патента: EP2013881A4. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-08-05.

Dynamic random access memory device and method for self- refreshing memory cells with temperature compensated self- refresh

Номер патента: WO2007124558A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2007-11-08.

Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells with temperature compensated self-refresh

Номер патента: US7499361B2. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-03.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US4484312A. Автор: Masao Nakano,Yoshihiro Takemae,Tomio Nakano,Norihisa Tsuge,Tsuyoshi Ohira. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-11-20.

Finer grain dynamic random access memory

Номер патента: EP3639265A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Dynamic random access memory and method for writing data thereto

Номер патента: US5014245A. Автор: Takashi Ohsawa,Tohru Furuyama,Kazuyoshi Muroka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Dynamic memory cell structures

Номер патента: WO2007122083B1. Автор: Jin Cai,Wing Luk. Владелец: Wing Luk. Дата публикации: 2007-12-21.

Dynamic memory cell structures

Номер патента: EP2011146A1. Автор: Jin Cai,Wing Luk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-07.

Dynamic memory cell structures

Номер патента: WO2007122083A1. Автор: Jin Cai,Wing Luk. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-11-01.

Dynamic random access memory cell including a ferroelectric capacitor

Номер патента: WO2016032644A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Changhan Hobie Yun,Woo Tag Kang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-03.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US20230267987A1. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US6445609B2. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-03.

Switched capacitor non-volatile mnos random access memory cell

Номер патента: US3922650A. Автор: Albert M Schaffer. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1975-11-25.

Structure and methods of operating two identical 4T random access memories storing the same data

Номер патента: US09947390B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2018-04-17.

Word shift static random access memory (WS-SRAM)

Номер патента: US09589623B2. Автор: Frederick A. Perner,Matthew D. Pickett. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Dynamic/static random access memory (D/SRAM)

Номер патента: US09466352B2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-10-11.

Dram memory cells reconfigured to provide bulk capacitance

Номер патента: WO2014008584A1. Автор: Yonghua Liu,James Kosolowski. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-01-16.

Dynamic random access memory device and operating method with improved reliability and reduced cost

Номер патента: US09905285B2. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Cell structure of 4T random access memory, random access memory and operation methods

Номер патента: US09812190B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2017-11-07.

Adaptive body bias management for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116974A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: WO1980001733A1. Автор: W Huber,F Procyk,D Clemons,R Cenker. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1980-08-21.

Area-efficient dual-port and multi-port sram. area-efficient memory cell for sram.

Номер патента: US20220148649A1. Автор: Babak Mohammadi,Berta Morral Escofet,Reza Meraji. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-05-12.

Junction field effect dynamic random access memory cell and applications therefor

Номер патента: WO2008137441A2. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Random access memory with hidden bits

Номер патента: US20020089884A1. Автор: Günther SCHINDLER,Matthias Kronke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor devices, capacitor antifuses, dynamic random access memories, and cell plate bias connection methods

Номер патента: US20050207256A1. Автор: H. Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Partial access mode for dynamic random access memory

Номер патента: US09640240B2. Автор: Yoshiro Riho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

6T static random access memory cell, array and memory thereof

Номер патента: US09627040B1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Chien-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-18.

Global wire management apparatus and method for a multiple-port random access memory

Номер патента: US5991224A. Автор: Anthony Gus Aipperspach,Peter Thomas Freiburger,Peder James Paulson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method, apparatus, device and storage medium for accessing static random access memory

Номер патента: US20200159658A1. Автор: Jing Wang,Xiaozhang Gong. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Random access memory with optional inaccessible memory cells

Номер патента: US20050122822A1. Автор: Torsten Partsch,Thoai Le. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Junction field effect dynamic random access memory cell and content addressable memory cell

Номер патента: WO2008144227A1. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-27.

Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

Номер патента: US20180329640A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Dynamic, random-access memory with interleaved refresh

Номер патента: WO2023244915A1. Автор: Thomas Vogelsang,Torsten Partsch,Arthur J. Behiel. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2023-12-21.

High speed mos random access memory

Номер патента: US3706975A. Автор: Robert J Paluck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-12-19.

Monostable memory cell and random access memory utilizing the same

Номер патента: CA1104721A. Автор: Kazumasa Shiga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-07.

Semiconductor capacitor structure and memory cell and method of making

Номер патента: CA1059628A. Автор: Richard H. Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1979-07-31.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: CA1133635A. Автор: Donald G. Clemons,Ronald P. Cenker,William R. Huber, Iii,Frank J. Procyk. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-10-12.

Method and apparatus for accessing banked embedded dynamic random access momory devices

Номер патента: US20030005211A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Dynamic random-access memory and operation method thereof

Номер патента: US20230135869A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for accessing a memory

Номер патента: US20080002486A1. Автор: Peter Beer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-03.

Dynamic random access memory cell

Номер патента: US20020181271A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Dynamic random access memory

Номер патента: US6381186B1. Автор: Junichi Okamura,Tohru Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-30.

Memory system for access concentration decrease management and access concentration decrease method

Номер патента: US11817174B2. Автор: Dong Su Lee,Young Jin Cho,Kyo Min Sohn,Hyung Woo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Data security for dynamic random access memory at power-up

Номер патента: US8395963B2. Автор: Travis R. Hebig,Derick G. Behrends,Daniel M. Nelson,Todd A. Christensen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Static random access memory with write assist circuit

Номер патента: US11948627B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Area-efficient dual-port and multi-port sram. area-efficient memory cell for sram

Номер патента: EP3939042A1. Автор: Babak Mohammadi,Berta Morral Escofet,Reza Meraji. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-01-19.

Data security for dynamic random access memory at power-up

Номер патента: US20120147661A1. Автор: Travis R. Hebig,Derick G. Behrends,Daniel M. Nelson,Todd A. Christensen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Dynamic random access memory (DRAM) having a structure for emplying a word line low voltage

Номер патента: US20020044488A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Jong-eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

One-device random access memory cell having enhanced capacitance

Номер патента: US4542481A. Автор: Russell C. Lange. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-09-17.

Static random access memory with write assist circuit

Номер патента: US20240203488A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Random access memory cell with different capacitor and transistor oxide thickness

Номер патента: US4240092A. Автор: Chang-Kiang Kuo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-12-16.

Random access memory cell with implanted capacitor region

Номер патента: US5168075A. Автор: Chang-Kiang Kuo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

Static random access memory cell

Номер патента: US20180174642A1. Автор: Praveen Raghavan,Julien Ryckaert,Trong Huynh Bao,Pieter Weckx. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2018-06-21.

Single command for reading then clearing dynamic random access memory

Номер патента: US11775197B2. Автор: Kenneth A. Schmidt. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

DRAM memory cell and array having pass transistors with recessed channels

Номер патента: US6384439B1. Автор: Darryl Walker. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Dynamic random access memory devices with enhanced data retention and methods of forming the same

Номер патента: US20230164975A1. Автор: Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Dynamic random access memory device having power supply system appropriately biasing switching transistors and storage capacitors in burn-in testing process

Номер патента: US5363333A. Автор: Akira Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Arbitration control for pseudostatic random access memory device

Номер патента: US20220365888A1. Автор: Geun-Young Park,Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Arbitration control for pseudostatic random access memory device

Номер патента: US20210357335A1. Автор: Geun-Young Park,Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device enabling refreshing of redundant memory cell instead of defective memory cell

Номер патента: US20150049564A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-19.

Static random access memory apparatus that maintains stable write performance in low power environment

Номер патента: US20240177782A1. Автор: Sangheon Lee,Jaehyun Park,Hanwool Jeong. Владелец: Kwangwoon University Industry Acadamic Collaboration Foundation. Дата публикации: 2024-05-30.

Burst access memory and method of operating a burst access memory

Номер патента: US20240242761A1. Автор: Babak Mohammadi. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and apparatus for enhancing read stability of a static random access memory circuit in low voltage operation

Номер патента: US09940997B2. Автор: Ashish Kumar,Vinay Kumar,Kedar Janardan Dhori. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-04-10.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US09928899B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US12131776B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory with fram and sram of ic and method for accessing memory

Номер патента: US20210249079A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Burst access memory and method of operating a burst access memory

Номер патента: EP4334936A1. Автор: Babak Mohammadi. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-03-13.

Coincident activation of pass transistors in a random access memory

Номер патента: US5384730A. Автор: Albert W. Vinal. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Low leakage high performance static random access memory cell using dual-technology transistors

Номер патента: US8576612B2. Автор: Chiaming Chai,Manish Garg,Michael ThaiThanh Phan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Low Leakage High Performance Static Random Access Memory Cell Using Dual-Technology Transistors

Номер патента: US20110211386A1. Автор: Chiaming Chai,Manish Garg,Michael ThaiThanh Phan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US20230162785A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Static random access memory with improved noise immunity

Номер патента: US5636177A. Автор: Chien-Chih Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Low leakage high performance static random access memory cell using dual-technology transistors

Номер патента: EP2382632A1. Автор: Chiaming Chai,Manish Garg,Michael Thai Thanh Phan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Low leakage high performance static random access memory cell using dual-technology transistors

Номер патента: WO2010085560A1. Автор: Chiaming Chai,Manish Garg,Michael Thai Thanh Phan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-07-29.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20240153550A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

High reliability non-volatile static random access memory devices, methods and systems

Номер патента: US09570152B1. Автор: Helmut Puchner,Suhail Zain,Walt Anderson,David W. Still. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: WO2022212129A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and apparatus for accessing contents of memory cells

Номер патента: US7804730B2. Автор: Herman Schmit,Jason Redgrave. Владелец: Tabula Inc. Дата публикации: 2010-09-28.

Static random access memory (SRAM) with a pre- charge assist circuit

Номер патента: US12080342B2. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim,Chao-Yuan Chang,Jui-Wen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Static random access memory with pre-charge circuit

Номер патента: US20230389255A1. Автор: Po-Sheng Wang,Cheng Hung Lee,Yangsyu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Write assist cell for static random access memory

Номер патента: US11756608B2. Автор: Po-Sheng Wang,Cheng Hung Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Yangsyu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Soft Error Robust Static Random Access Memory Cell Storage Configuration

Номер патента: US20090316505A1. Автор: Manoj Sachdev,Shah M. Jahinuzzaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11800696B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Static random access memory with modulated loads

Номер патента: US5018106A. Автор: Mohammed E. Ul Haq,Kenneth R. Smits. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Temperature compensated read assist circuit for a static random access memory (SRAM)

Номер патента: US09865333B2. Автор: Ashish Kumar,Kedar Janardan Dhori,Hitesh Chawla,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-01-09.

Static random access memory with bitline boost

Номер патента: US09460778B2. Автор: Jin Seung SON,Prashant Umakant KENKARE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Random access memory device with dual charging circuits different in current driving capability

Номер патента: US5157631A. Автор: Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

Static random access memory device with keeper circuit

Номер патента: US10762951B1. Автор: Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Chih-Wei Tsai,Chang-Ting Lo,Chung-Cheng Tsai,Tsan-Tang Chen,Yen-Hsueh Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Soft Error Robust Static Random Access Memory Cells

Номер патента: US20080094925A1. Автор: Manoj Sachdev,Shad M. Jahinuzzaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Soft error robust static random access memory cells

Номер патента: US7613067B2. Автор: Manoj Sachdev,Shah M Jahinuzzaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-03.

A novel nvram memory cell architecture that integrates conventional sram and flash cells

Номер патента: EP1779390A2. Автор: Peter W. Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

A novel nvram memory cell architecture that integrates conventional sram and flash cells

Номер патента: EP1779390A4. Автор: Peter W Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-26.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Non-volatile SRAM memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW201707148A. Автор: 葛西秀男,品川裕,谷口泰弘,櫻井良多郎,川嶋泰彥,戶谷達郎,奧山幸祐. Владелец: 芙洛提亞股份有限公司. Дата публикации: 2017-02-16.

Buffering systems for accessing multiple layers of memory in integrated circuits

Номер патента: US9715910B2. Автор: Robert Norman. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Ferroelectric random access memory apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20090052224A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Computer-readable medium encoding a back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7742327B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

List sort static random access memory

Номер патента: EP2873075A1. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-05-20.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Sram cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US20070189062A1. Автор: William Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20080225573A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen V. Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20070247896A1. Автор: Kenneth Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Static random access memory (SRAM) with programmable resistive elements

Номер патента: US09672911B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Static random access memory with symmetric leakage-compensated bit line

Номер патента: WO2004025661A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Steven Hsu,Atila Alvandpour,Ram Krishnamurty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-03-25.

Apparatus and method for reducing write recovery time in a random access memory

Номер патента: US4744059A. Автор: Roger V. Rufford. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: WO2008118553A3. Автор: David C Lawson,Jason F Ross. Владелец: Jason F Ross. Дата публикации: 2008-12-11.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: EP2126921A2. Автор: David C. Lawson,Jason F. Ross. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile static random access memory devices and methods of operations

Номер патента: US09779814B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Multi-bit non-volatile random-access memory cells

Номер патента: US09607695B1. Автор: Jayant Ashokkumar,David Still,Joseph Tandingan,Judith Allen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Dual-port static random access memory (SRAM)

Номер патента: US09607687B2. Автор: ZHENG GUO,Uddalak Bhattacharya,Pramod Kolar,Gunjan H. Pandya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Josephson magnetic random access memory with an inductive-shunt

Номер патента: US09443576B1. Автор: Donald L. Miller. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation

Номер патента: US12040013B2. Автор: Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-07-16.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US11751375B2. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation

Номер патента: US20230050783A1. Автор: Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for testing a static random access memory

Номер патента: EP2057636A2. Автор: Paul Wielage,Mohamed Azimane. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-05-13.

Memory Cell of Static Random Access Memory Based on DICE Structure

Номер патента: US20180174648A1. Автор: LIANG Chen,Li Liu,Jingqiu Wang. Владелец: Institute of Automation of Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2018-06-21.

Static random access memory (SRAM) with recovery circuit for a write operation

Номер патента: US09799394B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US09455025B2. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Ming-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Burn-in methods for static random access memories and chips

Номер патента: US20100202219A1. Автор: Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Wei-Shung Chen,Yi-Hsun Chung. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Non volatile static random access memory device and corresponding control method

Номер патента: US20230005540A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-01-05.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device with SRAM cells assisted by non-volatile memory cells and operation method thereof

Номер патента: US11929115B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US20220093172A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Static random access memory cell testing and biasing

Номер патента: WO2009023785A2. Автор: David Scott,Alice Wang,Gordon Gammie,Sumanth Gururajarao,Sudha Thiruvengadam. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-19.

Static random access memory cell and method

Номер патента: US20020085409A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: EP2564390A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: WO2011136889A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-11-03.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09805788B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09576643B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09466356B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09455021B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method and apparatus for low voltage write in a static random access memory

Номер патента: WO2006121491A3. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Perry H Pelley,Prashant U Kenkare. Владелец: Prashant U Kenkare. Дата публикации: 2006-12-28.

Asymmetrical Random Access Memory Cell, A Memory Comprising Asymmetrical Memory Cells And A Method To Operate Such A Memory

Номер патента: US20070165447A1. Автор: Otto Wagner,Anthony Gus Aipperspach,Sebastian Ehrenreich,Torsten Mahnke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Efficient and robust random access memory cell suitable for programmable logic configuration control

Номер патента: US20020001222A1. Автор: Rafael Camarota. Владелец: Adaptive Silicon Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Disturb-free static random access memory cell

Номер патента: US20130064007A1. Автор: Xiaowei Deng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Static random access memory with a supplementary driver circuit and method of controlling the same

Номер патента: US11205475B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US20200273519A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor-based memory cell and related operating methods

Номер патента: US20110026313A1. Автор: Hyunjin Cho. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US20230274786A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Four transistors static-random-access-memory cell

Номер патента: US20020047149A1. Автор: Chih-Yuan Hsiao,Po-Jau Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US12112819B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Shift register latch with embedded dynamic random access memory scan only cell

Номер патента: US20090010077A1. Автор: Vikas Agarwal,Sam Gat-Shang Chu,Saiful Islam,Philip George Shephard, III. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Dual port memory cell with improved access resistance

Номер патента: US20190198508A1. Автор: Tushar Sharma,Tanmoy Roy,Shishir Kumar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-06-27.

Dual port memory cell with improved access resistance

Номер патента: US11889675B2. Автор: Tushar Sharma,Tanmoy Roy,Shishir Kumar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-01-30.

Static random access memory device

Номер патента: US11875844B2. Автор: Younghwan Park,Sang-Yeop BAECK,Jaesung CHOI,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Static random access memory layout

Номер патента: US11942145B2. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu,Jui-Wen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Static random access memory comprising a current source, and method to put memory cells of such a memory into sleep or write mode using said current source

Номер патента: WO2010026500A1. Автор: Roelof Herman Willem Salters. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-03-11.

Asymmetric static random access memory cell with dual stress liner

Номер патента: WO2012170465A3. Автор: Shaofeng Yu,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-25.

Asymmetric static random access memory cell with dual stress liner

Номер патента: WO2012170465A2. Автор: Shaofeng Yu,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-12-13.

SRAM cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US7408815B2. Автор: William C. Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

Static random access memory layout

Номер патента: US20240203486A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu,Jui-Wen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080084733A1. Автор: Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang,Jac-Joon Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Eight-transistor static random access memory cell

Номер патента: US20220310629A1. Автор: Nigel Chan,Jörg D. Schmid. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Operation scheme for four transistor static random access memory

Номер патента: US20240296883A1. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Static random-access memory (SRAM) sensor for bias temperature instability

Номер патента: US09812188B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Asynchronous static random access memory device for propagating read-out data bit through single bit line

Номер патента: US5414657A. Автор: Yasunori Okimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Capacitor loaded memory cell

Номер патента: US6038163A. Автор: Yiu-Huen Wong,Philip W. Diodato,James T. Clemens. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-03-14.

Dual-Port static random access memory (SRAM)

Номер патента: GB2527431A. Автор: ZHENG GUO,Uddalak Bhattacharya,Pramod Kolar,Gunjan H Pandya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-23.

Josephson magnetic random access memory with an inductive-shunt

Номер патента: EP3374995A1. Автор: Donald L. Miller. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

Static random access memory (sram) with programmable resistive elements

Номер патента: US20170062049A1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Operating voltage tuning method for static random access memory

Номер патента: US20100135093A1. Автор: Chien-Li Kuo,Chun-Liang Hou,fu-chao Liu,Min-Chin Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Dynamic adjustment of word line timing in static random access memory

Номер патента: WO2023114552A3. Автор: Robert Wiser,Jay Chesavage,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Static Random Access Memory Cell with Single-Sided Buffer and Asymmetric Construction

Номер патента: US20130182490A1. Автор: Anand Seshadri,Xiaowei Deng,Wah Kit Loh,Zhonghai Shi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Static random access memory cell with single-sided buffer and asymmetric construction

Номер патента: US20140078819A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh,Zhonghai Shi,Anand Seshardi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Transistor-based memory cell and related operating methods

Номер патента: WO2011014406A1. Автор: Hyunjin Cho. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-02-03.

Static Random Access Memory Cell

Номер патента: US20130107609A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Lai-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-05-02.

Cell structure for dual-port static random access memory

Номер патента: US09892781B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Jeet memory cell

Номер патента: US20100097853A1. Автор: Robert N. Rountree. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for memory cell characterization using universal structure

Номер патента: US20080148116A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: CA2573147C. Автор: Michael P. Anthony,Lawrence J. Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2013-03-26.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20230380128A1. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Resistance-based random access memory

Номер патента: US20140211537A1. Автор: Yue-Der Chih,Kai-Chun Lin,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: WO2006014558A9. Автор: Michael P Anthony,Lawrence J Kushner. Владелец: Lawrence J Kushner. Дата публикации: 2007-03-08.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: US20090085787A1. Автор: Michael P. Anthony,Lawrence J. Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2009-04-02.

Voltage random access memory (VRAM)

Номер патента: WO2006014558A3. Автор: Michael P Anthony,Lawrence J Kushner. Владелец: Lawrence J Kushner. Дата публикации: 2006-06-15.

Voltage random access memory (VRAM)

Номер патента: US20060017593A1. Автор: Michael Anthony,Lawrence Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for memory cell characterization using universal structure

Номер патента: US20110158017A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Dynamic adjustment of wordline timing in static random access memory

Номер патента: US11935587B2. Автор: Robert F. WISER,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Data backup unit for static random-access memory device

Номер патента: US20230301052A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Dynamic adjustment of word line timing in static random access memory

Номер патента: WO2023114552A2. Автор: Robert Wiser,Jay Chesavage,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Dynamic Adjustment of Wordline Timing In Static Random Access Memory

Номер патента: US20230197146A1. Автор: Robert F. WISER,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Static random access memory device including write assist circuit and writing method thereof

Номер патента: US09496027B2. Автор: Taejoong Song,Seong Ook Jung,Woojin Rim,Hanwool Jeong,Gyuhong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Power reduction in thyristor random access memory

Номер патента: US09496021B2. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuit bipolar memory cell

Номер патента: CA1189621A. Автор: William H. Herndon,Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-06-25.

Structure for cross coupled thin film transistors and static random access memory cell

Номер патента: US5640342A. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-06-17.

Non volatile static random access memory device and corresponding control method

Номер патента: US11817149B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Sram device with memory cells each having a dedicated access connection to|common read/write circuit

Номер патента: WO2013150260A3. Автор: . Владелец: Silicon Basis Ltd.. Дата публикации: 2014-03-20.

Static random access memory cell array, static random access memory cell and operating method thereof

Номер патента: US10127976B2. Автор: Jinn-Shyan Wang,Yung-Chen CHIEN. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-13.

Static random-access memory cell design

Номер патента: US20210074350A1. Автор: Benjamin Vincent,Joseph Ervin. Владелец: Coventor Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor integrated circuit device including static random access memory having diffusion layers for supplying potential to well region

Номер патента: US20090091964A1. Автор: Hiroshi Furuta,Junji Monden,Ichiro Mizuguchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Static random access memory cell array, static random access memory cell and operating method thereof

Номер патента: US20180261277A1. Автор: Jinn-Shyan Wang,Yung-Chen CHIEN. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-13.

High speed memory cell

Номер патента: US3990056A. Автор: Dana C. Street,Clarence W. Padgett,James A. Luisi. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1976-11-02.

Static random access memory

Номер патента: US5408437A. Автор: Won-Jung Cho,Kwang-Ju Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-04-18.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: AU2011245710B2. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Static random access memory cell testing and biasing

Номер патента: WO2009023785A3. Автор: David Scott,Alice Wang,Gordon Gammie,Sumanth Gururajarao,Sudha Thiruvengadam. Владелец: Sudha Thiruvengadam. Дата публикации: 2009-04-16.

High density static random-access memory

Номер патента: WO2024099851A1. Автор: Carl Radens,Brent Anderson,Albert Chu,Ruilong Xie. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-05-16.

Static random access memory cell

Номер патента: US20090303776A1. Автор: Hugh T. Mair. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US20240029809A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US11798647B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Six-transistor static random access memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20180190344A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Chih-Wei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Built-in self test circuit for segmented static random access memory (sram) array input/output

Номер патента: US20240069096A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Bhupender Singh,Hitesh Chawla,Manuj Ayodhyawasi,Tanuj KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-29.

Low voltage, low power operable static random access memory device

Номер патента: US5812445A. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-22.

Disturb-free static random access memory cell

Номер патента: US20110128796A1. Автор: Hung-Yu Li,Wei Hwang,Jihi-Yu Lin,Ching-Te Chuang,Ming-Hsien Tu,Shyh-Jye Jou,Hao-I Yang,Shyh-Chyi Yang,Kun-Ti Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Method of making an integrated circuit bipolar memory cell

Номер патента: US4488350A. Автор: William H. Herndon,Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Cell Structure for Dual-Port Static Random Access Memory

Номер патента: US20180005691A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Static random-access memory cell, transistor, and method thereof

Номер патента: US20230309285A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Static random access memory cell structure

Номер патента: US10546631B1. Автор: Su Xing. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Static random-access memory (sram) sensor

Номер патента: US20160247554A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US20230343390A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Layout of a memory cell of an integrated circuit

Номер патента: US20200320174A1. Автор: Amira Rozenfeld,Rolf Sautter,Shankar Kalyanasundaram,Rajesh Veerabhadraiah,Ananth Nag Raja Darla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods and systems to improve write response times of memory cells

Номер патента: US20100165756A1. Автор: Feroze A. Merchant,John Reginald Riley,Vinod Sannareddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US20180158516A1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US9990986B1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Accessing memory using reference voltages

Номер патента: US20130229869A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2013-09-05.

Analog sensing of memory cells with a source follower driver in a semiconductor memory device

Номер патента: US20130272070A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Rooparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Programming non-volatile storage includng reducing impact from other memory cells

Номер патента: EP2561511A1. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-02-27.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20210020239A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20220208262A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200035297A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US12062389B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US20210020220A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Bimodal operation mode of ferroelectric and electret memory cells and memory units on their basis

Номер патента: RU2329553C1. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Гёран ГУСТАФССОН,Исак ЭНГКУИСТ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2008-07-20.

Semiconductor memory capable of reading data without accessing memory cell

Номер патента: US09672887B2. Автор: Masahiko Nakayama,Katsuhiko Hoya,Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to account for ambient temperature

Номер патента: WO2019036360A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-21.

Random access memory with divided memory banks and data read/write architecture therefor

Номер патента: US5497351A. Автор: Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Nonvolatile random access memory including control circuit configured to receive commands at high and low edges of one clock cycle

Номер патента: US09997216B2. Автор: Yutaka Shirai,Yoji Watanabe,Naoki Shimizu,Kenji Tsuchida,Yong Ho Kim,Ji Hyae Bae. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Bias circuitry for content addressable memory cells of a floating gate nonvolatile memory

Номер патента: US5267213A. Автор: Alan E. Baker,Jerry G. Jex,Chih-Ta Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

A programmable conductor random access memory and a method for writing thereto

Номер патента: EP1456851A1. Автор: Glen Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-15.

A programmable conductor random access memory and a method for writing thereto

Номер патента: AU2002364167A1. Автор: Glen Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-09.

Nonvolatile random access memory

Номер патента: US9042198B2. Автор: Yutaka Shirai,Yoji Watanabe,Naoki Shimizu,Kenji Tsuchida,Yong Ho Kim,Ji Hyae Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-26.

Voltage regulator for programming non-volatile and electrically programmable memory cells

Номер патента: US5519656A. Автор: Silvia Padoan,Marco Maccarrone,Marco Olivo,Carla Golla. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-05-21.

Apparatuses and methods for accessing memory cells in semiconductor memories

Номер патента: US20170213589A1. Автор: Balaji Srinivasan,Sandeep Guliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Apparatuses and methods for accessing memory cells in semiconductor memories

Номер патента: US09767896B2. Автор: Balaji Srinivasan,Sandeep Guliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatuses and methods for accessing memory cells

Номер патента: US20170345493A1. Автор: Balaji Srinivasan,Sandeep Guliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Apparatuses and methods for accessing memory cells

Номер патента: US20180330781A1. Автор: Balaji Srinivasan,Sandeep Guliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: EP2415051A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2010117654A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-10-14.

Predictive Thermal Preconditioning and Timing Control for Non-Volatile Memory Cells

Номер патента: US20110128778A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-06-02.

Predictive thermal preconditioning and timing control for non-volatile memory cells

Номер патента: US8154914B2. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-04-10.

Resistive memory devices including selected reference memory cells operating responsive to read operations

Номер патента: US20090135642A1. Автор: In-Gyu Baek,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Jun-Ho Jeong,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

EEPROM memory cell and method for accessing an EEPROM memory cell

Номер патента: DE102011078464B4. Автор: Dzianis Lukashevich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Resistive random access memory erase techniques and apparatus

Номер патента: US11790999B2. Автор: Liang Zhao,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Jeremy Guy,Ruchirkumar Shah. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

In-situ resistance measurement for magnetic random access memory (mram)

Номер патента: EP2382634A1. Автор: Xiaochun Zhu,Sei Seung Yoon,Mohamed Hassan Abu-Rahma,Hari Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

In-situ resistance measurement for magnetic random access memory (mram)

Номер патента: WO2010088443A1. Автор: Xiaochun Zhu,Sei Seung Yoon,Mohamed Hassan Abu-Rahma,Hari Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-08-05.

Fast access multi-bit random access memory

Номер патента: US5563836A. Автор: Masahiro Tsunoda,Tamio Saito. Владелец: Tsunoda; Masahiro. Дата публикации: 1996-10-08.

One transistor SOI non-volatile random access memory cell

Номер патента: US20050250261A1. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Accessing a multi-level memory cell

Номер патента: US11894078B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Xuan-Anh Tran,Jason A. Durand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Magnetic Enhancement Layer in Memory Cell

Номер патента: US20140042569A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: MagSil Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Redundant memory access for rows or columns containing faulty memory cells in analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11568229B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory configured to generate a data value from a data line connected to more than one string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190341115A1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Spin-orbit torque magnetic random access memory circuit and layout thereof

Номер патента: US20230282261A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yi-Ting Wu,Jia-Rong Wu,Jen-Yu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Apparatus configured to program memory cells using an intermediate level for multiple data states

Номер патента: US20180211714A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Programming memory cells with concurrent storage of multi-level data as single-level data for power loss protection

Номер патента: US20220406398A1. Автор: Xiang Yang,Toru Miwa,Ken Oowada,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and circuit for simultaneously programming memory cells

Номер патента: US20060245269A1. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-11-02.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US09390770B2. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US20150332740A1. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Counter-based methods and systems for accessing memory cells

Номер патента: US11880571B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Resistive random access memory (reram) and conductive bridging random access memory (cbram) cross coupled fuse and read method and system

Номер патента: EP2965320A1. Автор: Kent Hewitt,Traian Bontas,Claudiu-Dumitru Nechifor,Iulian Dumitru. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Counter-based methods and systems for accessing memory cells

Номер патента: US20240134533A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

A monolithic three dimensional (3d) random access memory (ram) array architecture with bitcell and logic partitioning

Номер патента: EP3020045A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-18.

A monolithic three dimensional (3d) random access memory (ram) array architecture with bitcell and logic partitioning

Номер патента: WO2015006563A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-15.

Methods and apparatus for accessing configurable memory during hardware emulation

Номер патента: US20180336935A1. Автор: Jun Pin Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008275A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Serial access memory and data write/read method

Номер патента: US20030086323A1. Автор: Shigemi Yoshioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Scannable-latch random access memory

Номер патента: US20200105360A1. Автор: Jason F. Ross,David D. Moser,Michael J. Frack, Jr.,Kevin Linger. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Serial access memory

Номер патента: US20030103389A1. Автор: Shigemi Yoshioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Serial access memory

Номер патента: US20020039321A1. Автор: Shigemi Yoshioka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Serial access memory

Номер патента: US6674683B2. Автор: Shigemi Yoshioka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-06.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09727680B2. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09721050B2. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09721049B2. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

System and method for reducing programming voltage stress on memory cell devices

Номер патента: US09570192B1. Автор: Sei Seung Yoon,Anil Kota,Bjorn Grubelich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09431098B1. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Dynamic random access memory circuit and methods therefor

Номер патента: US5909388A. Автор: Gerhard Mueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-06-01.

Dynamic random access memory device, operating method of the same, and memory module including the same

Номер патента: US20170062040A1. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Technologies for current biasing for memory cells

Номер патента: US20230307043A1. Автор: Ashraf B. Islam,Yasir Mohsin Husain,Jonathan Y. Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US20170351627A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-07.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance,high-capacity registered memory modules

Номер патента: EP3234784A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-25.

Method and system for latching an address for accessing synchronous random access memory using a single address status signal control line

Номер патента: US6044432A. Автор: Vishal Anand. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Static random access memory supporting a dynamically variable duration self-time delay for a single clock cycle read-modify-write operation

Номер патента: US20240170032A1. Автор: Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-23.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116975A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Synchronous dynamic random access memory with four-bit data prefetch

Номер патента: US6115321A. Автор: Jeffrey E. Koelling,J. Patrick Kawamura. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Set-while-verify circuit and reset-while verify circuit for resistive random access memory cells

Номер патента: US11646078B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-09.

Serial access memory and data write/read method

Номер патента: US20010055022A1. Автор: Shigemi Yoshioka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-27.

Random access memory with a plurality amplifier groups for reading and writing in normal and test modes

Номер патента: US5636163A. Автор: Koichiro Mashiko,Kazutami Arimoto,Yoshio Matsuda,Noriaki Matsumoto,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Random access memory including switching elements to limit the number of energized data in pairs

Номер патента: US4855957A. Автор: Kazutaka Nogami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-08-08.

Design structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: WO2017025848A1. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2017-02-16.

Static direct-access memory block having an input data adder and receiving sensor

Номер патента: US11195565B2. Автор: Heiko Fibranz,Mathias SCHMAUKE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-12-07.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US20240104036A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-03-28.

Dynamic random access memory (DRAM) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US11815940B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-14.

Serial access memory

Номер патента: US6845058B2. Автор: Shigemi Yoshioka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-18.

Semiconductor memory device to which serial access is made and a method for accessing the same

Номер патента: US6034910A. Автор: Taira Iwase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY(ReRAM) DEVICE

Номер патента: US20130235647A1. Автор: Kwang Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US11894098B2. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20190035440A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20210217451A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Method and system for accessing memory cells

Номер патента: US11929124B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and system for accessing memory cells

Номер патента: US20240194272A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11238911B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Memory cell structures

Номер патента: US09825091B2. Автор: Heng Cao,Shengfen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Magnetic-assisted nondestructive self-reference sensing method for spin-transfer torque random access memory

Номер патента: US09627024B2. Автор: Hai Li,Yiran Chen,Enes Eken,Wujie Wen,Xiuyuan Bi. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2017-04-18.

Dual mode memory cell apparatus and methods

Номер патента: US20160365510A1. Автор: Srinath Ramaswamy,Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Sheet random access memory

Номер патента: WO1990003032A1. Автор: Richard M. Lienau,Kenneth E. Pope. Владелец: Bednarz, Joseph, J.. Дата публикации: 1990-03-22.

Magnetic random access memory with reduced parasitic currents

Номер патента: US20030214837A1. Автор: Kenneth Smith,Peter Fricke,Andrew VanBrocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-20.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Method and apparatus for a high density magnetic random access memory (MRAM) with stackable architecture

Номер патента: EP1553601A3. Автор: Heinrich Maglabs Inc. Sussner. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Bit Set Modes for a Resistive Sense Memory Cell Array

Номер патента: US20120033482A1. Автор: Daniel S. Reed,Hai Li,Yong Lu,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Rod V. Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

High temperature data retention in magnetoresistive random access memory

Номер патента: US09455015B2. Автор: Jon Slaughter,Jason Allen Janesky. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) with on-chip automatic determination of optimized write current method and apparatus

Номер патента: US20030210596A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-13.

Magnetoresistive random access memory devices

Номер патента: EP1329904A2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-23.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Magnetic random access memory cell and memory

Номер патента: US20240274175A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices comprising magnetic memory cells

Номер патента: US09711565B2. Автор: Stephen J. Kramer,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory cell including electret and random access memory thereof

Номер патента: US09627406B1. Автор: Kim P. Cheung. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2017-04-18.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Apparatus, System, and Method for Writing Multiple Magnetic Random Access Memory Cells with a Single Field Line

Номер патента: US20130094283A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Three terminal SOT memory cell with anomalous Hall effect

Номер патента: US09830966B2. Автор: Neil Smith,Goran Mihajlovic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Resistive volatile/non-volatile floating electrode logic/memory cell

Номер патента: US09792985B2. Автор: Tong Liu,Marius Orlowski,Yuhong Kang,Mohini Verma. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile random access memory (NVRAM)

Номер патента: US09558800B2. Автор: Anirban Roy,Thomas Jew. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile static random access memory (NVSRAM) having a shared port

Номер патента: US09530501B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Perry H. Pelley,Frank K. Baker, Jr.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-27.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetic random access memory having voltage control circuitry for maintaining sense lines at constant low voltages

Номер патента: US20020051381A1. Автор: Koichi Takeda,Hideaki Numata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-05-02.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (MRAM) bit cells to account for process variations

Номер патента: US09842638B1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

1T-1R architecture for resistive random access memory

Номер патента: US09824752B2. Автор: Deepak Chandra Sekar,Wayne Frederick Ellis. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-11-21.

Self-referenced magnetic random access memory

Номер патента: US09679626B2. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Unidirectional spin torque transfer magnetic memory cell structure

Номер патента: US09589618B2. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11727974B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200020375A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200312393A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20230335171A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20220157360A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Magnetic memory having two transistors and two magnetic tunnel junctions per memory cell

Номер патента: US09472256B1. Автор: THOMAS Andre. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Ferroelectric random access memory

Номер патента: US20070047341A1. Автор: Daisaburo Takashima,Sumiko Domae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: US20120262980A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: S Aqua Semiconductor LLC. Дата публикации: 2012-10-18.

Selectively biasing magnetoresistive random-access memory cells

Номер патента: EP4334979A1. Автор: Michael RIZZOLO,Eric Raymond EVARTS,Saba Zare,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A2. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A3. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

One transistor one magnetic tunnel junction multiple bit magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US12108610B2. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Low power magnetic random access memory cell

Номер патента: US09886989B2. Автор: Ioan Lucian Prejbeanu,Clarisse Ducruet,Celine Portemont. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2018-02-06.

Equi-potential sensing magnetic random access memory (MRAM) with series diodes

Номер патента: US20040088471A1. Автор: James Eaton,Lung Tran,Frederick Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Resistive random-access memory and architecture with select and control transistors

Номер патента: US20210035636A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Method of reading from and writing to magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20130250667A1. Автор: Parviz Keshtbod,Siamack Nemazie,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US20150137291A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Magnetic random access memory device

Номер патента: EP1074992A1. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-02-07.

Method of writing to a multi-state magnetic random access memory cell

Номер патента: EP1661139A2. Автор: Bradley N. Engel,Jon M. Slaughter,Eric J. Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-05-31.

Method of writing to a multi-state magnetic random access memory cell

Номер патента: WO2005024905A2. Автор: Bradley N. Engel,Jon M. Slaughter,Eric J. Salter. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of writing to a multi-state magnetic random access memory cell

Номер патента: EP1661139A4. Автор: Bradley N Engel,Jon M Slaughter,Eric J Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-11.

Spin-transfer torque magnetic random access memory (STTMRAM) with enhanced write current

Номер патента: US09646668B2. Автор: Yuchen Zhou,Ebrahim Abedifard,Mahmood Mozaffari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory devices with series-interconnected magnetic random access memory cells

Номер патента: WO2012109093A3. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Magnetic random access memory using a non-linear memory element select mechanism

Номер патента: US6515897B1. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin,Roy Edwin Scheuerlein,Douwe Johannes Monsma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Ferroelectric random access memory and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4141933A1. Автор: Xia Wei,Yan Zhang,Xiaowei Wang,Xichao Yang,Jianying QIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Magnetoresistive random-access memory

Номер патента: US09583166B2. Автор: Nilesh Gharia. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Ferroelectric random access memory device and method for operating read and write thereof

Номер патента: US11790971B2. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-10-17.

Magnetoresistive random-access memory

Номер патента: US11087812B1. Автор: Yu-Chun Chen,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

High temperature data retention in magnetoresistive random access memory

Номер патента: WO2016057063A1. Автор: Jon Slaughter,Jason Allen Janesky. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-04-14.

Assisted write method for magnetic random access memory

Номер патента: US20210241809A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Magnetic random access memory (mram) array with magnetic tunnel junction (mtj) cells and remote diodes

Номер патента: MY118271A. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for accessing data on magnetic memory

Номер патента: US20070253241A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-01.

Ferroelectric memory cell without a plate line

Номер патента: US09812204B1. Автор: Yung-Tin Chen,Tianhong Yan. Владелец: Aucmos Technologies USA Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Magnetoresistive random access memory cell and fabricating the same

Номер патента: US09685604B2. Автор: Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Multiple-bit random access memory cell

Номер патента: US5623440A. Автор: Tamio Saito. Владелец: Solidas Corp. Дата публикации: 1997-04-22.

Magnetic non-volatile random access memory

Номер патента: US5396455A. Автор: Michael J. Brady,Richard J. Gambino,Lia Krusin-Elbaum,Ralph R. Ruf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-03-07.

Layer structure of a memory cell for a dynamic random access memory device and method for producing the same

Номер патента: US4910566A. Автор: Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-03-20.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, spin orbit torque magnetic random access memory array, and method for calculating hamming distance

Номер патента: US20230280978A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Feng Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Non-volatile random access memory (nvram)

Номер патента: US20170004867A1. Автор: Anirban Roy,Thomas Jew. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Apparatus, system, and method for writing multiple magnetic random access memory cells with a single field line

Номер патента: EP2766906A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-20.

Ferroelectric Random Access Memory with Single Plate Line Pulse During Read

Номер патента: US20120147654A1. Автор: Saim Ahmad Qidwai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Ferroelectric random-access memory with enhanced lifetime, density, and performance

Номер патента: US20240087632A1. Автор: Michael Ignatowski,Niti Madan,Divya Madapusi Srinivas Prasad. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Three terminal sot memory cell with anomalous hall effect

Номер патента: US20180137904A1. Автор: Neil Smith,Goran Mihajlovic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: WO2016144436A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: EP3268966A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Magnetic random access memory

Номер патента: US12082511B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Resistive random access memory apparatus with forward and reverse reading modes

Номер патента: US09576652B1. Автор: Johnny Chan,Chi-Shun Lin,Douk-Hyoun Ryu,Seow-Fong Lim. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Magnetic random access memory (MRAM) and method of operation

Номер патента: US09520173B1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd,Frank K. Baker, Jr.,Bruce L. Morton. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: US09437272B1. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory cell structure in a magnetic random access memory and a method for fabricating thereof

Номер патента: US5732016A. Автор: Saied N. Tehrani,Eugene Chen,Herbert Goronkin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-03-24.

Magnetic random access memory

Номер патента: US6947317B2. Автор: Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

2T1C Ferro-electric Random Access Memory Cell

Номер патента: US20190088320A1. Автор: Joseph S. Tandingan,Jayant Ashokkumar,Jesse J. Siman,Shan Sun,Fan Chu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Ferroelectric memory cell with access line disturbance mitigation

Номер патента: US20210020222A1. Автор: Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

2t1c ferro-electric random access memory cell

Номер патента: WO2018231399A1. Автор: Joseph S. Tandingan,Jayant Ashokkumar,Jesse J. Siman,Shan Sun,Fan Chu. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-20.

Two-bit magnetoresistive random-access memory cell

Номер патента: US11514962B2. Автор: Karthik Yogendra,Eric Raymond EVARTS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Magnetic random access memory using a series tunnel element select mechanism

Номер патента: US6331944B1. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin,Roy Edwin Scheuerlein,Douwe Johannes Monsma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20090166773A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-07-02.

Selectively biasing magnetoresistive random-access memory cells

Номер патента: US11942126B2. Автор: Michael RIZZOLO,Eric Raymond EVARTS,Saba Zare,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Two-bit magnetoresistive random-access memory cell

Номер патента: GB2616375A. Автор: Yogendra Karthik,Raymond Evarts Eric. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170170234A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Ki-Seok SUH,Sung-In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Magnetic random access memory device

Номер патента: EP1073062A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Multiple bit magnoresistive random access memory cell

Номер патента: EP4334937A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Bar-type magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US11997931B2. Автор: Shy-Jay Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: WO2009154833A2. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: S. Aqua Semiconductor Llc. Дата публикации: 2009-12-23.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: EP2673779A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Solid-state electrochemical random access memory (ecram) and methods of making and operating a solid-state ecram

Номер патента: WO2024137291A3. Автор: Qing Cao,Jinsong CUI. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2024-08-02.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: WO2012109094A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Solid-state electrochemical random access memory (ecram) and methods of making and operating a solid-state ecram

Номер патента: WO2024137291A2. Автор: Qing Cao,Jinsong CUI. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2024-06-27.

Magnetic Random Access Memory (MRAM) Manufacturing Process for a Small Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Design with a Low Programming Current Requirement

Номер патента: US20130149797A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US8737119B2. Автор: Norikazu Ohshima,Takeshi Honda,Hideaki Numata,Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Ferroelectric random access memory devices having short-lived cell detector available for life test for ferroelectric capacitor and method for testing ferroelectric memory cells

Номер патента: US5991189A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Magnetic memory cell writable in a deterministic fashion and method for manufacturing such cell

Номер патента: EP3866168A1. Автор: Witold Kula,Marc Drouard,Sylvain Martin. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2021-08-18.

Method of making magnetoresistive memory cell over a selector pillar

Номер патента: US11765911B2. Автор: Lei Wan,Neil Robertson,Jordan Katine. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Spin-orbit-torque magnetoresistive memory cell with integrated selector elements and method of making the same

Номер патента: US20200350364A1. Автор: Lei Wan,Neil Robertson,Jordan Katine. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Perpendicular magnetic random-access memory (mram) formation by direct self-assembly method

Номер патента: US20160118577A1. Автор: Xiaomeng Chen,Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Chern-Yow Hsu,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Magnetic random access memory device with a reduced number of interconnections for selection of address

Номер патента: US20040125650A1. Автор: Takaharu Tsuji. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Magnetic random access memory device having write test mode

Номер патента: US20040196693A1. Автор: Yoshihisa Iwata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Ferroelectric random access memory device and method for operating the same

Номер патента: US6088257A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-11.

Manufacturing method of magnetic random access memory cell

Номер патента: US20190139959A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chun-Hsien Lin,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Magnetic tunnel junction structure of magnetic random access memory cell

Номер патента: US20190259762A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chun-Hsien Lin,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US20200227625A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Meng-Jun Wang,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Computational random access memory (cram) based on spin-orbit torque devices

Номер патента: US20200279597A1. Автор: Jian-Ping Wang,Thomas Peterson,Zamshed I. Chowdhury,Sachin S. Sapatnekar,Ulya R. Karpuzcu,Zhengyang Zhao,Masoud Zabihi,Michael Salonik Resch. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2020-09-03.

Magnetic random access memory and data read method thereof

Номер патента: EP1434231A3. Автор: Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Cell of magnetic random access memory (mram) with self reference inlcudning ferrimagnetic intrinsic layers

Номер патента: RU2599939C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Spin transfer torque magnetoresistive random-access memory and design methods

Номер патента: RU2427045C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Сеи Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Magnetic random access memory with reduced internal operating temperature range

Номер патента: US20190207090A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20200005849A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20190108866A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: EP3449484A1. Автор: Eric S. CARMEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Iterative memory cell charging based on reference cell value

Номер патента: WO2007134301A2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Method and apparatus for faster deterimation of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US20160372192A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10395714B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10127963B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US20170316815A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US12045553B2. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US20220147683A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: WO2020182998A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2020-09-17.

Phase change random access memory and layout method of the same

Номер патента: US20090231899A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

High speed data access memory arrays

Номер патента: US20060291300A1. Автор: Luigi Di Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-28.

High speed data access memory arrays

Номер патента: EP1498903A3. Автор: Luigi Di Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-19.

Staircase structures for accessing three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240021521A1. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Harsh Narendrakumar Jain,Martin Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US09734909B2. Автор: Tsai-Kan Chien,Lih-Yih Chiou,Yi-Sung Tsou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-08-15.

Data buffering operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US11922058B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou,Wei Jun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Control arrangements and methods for accessing block oriented nonvolatile memory

Номер патента: WO2012106107A2. Автор: Stephen P. Van Aken. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Green Transistor for Resistive Random Access Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110063888A1. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Apparatus for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20210109667A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Analog content addressable memory device, analog content addressable memory cell and method for data searching and comparing thereof

Номер патента: US20230395148A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20160104527A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Method and device for reading dual bit memory cells using multiple reference cells with two side read

Номер патента: US20030081458A1. Автор: Kazuhiro Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20140208054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: US09934850B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: US09741432B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: WO2015038328A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Memory systems and devices including examples of accessing memory and generating access codes using an authenticated stream cipher

Номер патента: US20240201871A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Thyristor Volatile Random Access Memory and Methods of Manufacture

Номер патента: US20180323197A1. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Optimized static random access memory

Номер патента: US12016169B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Choh fei Yeap,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory cell and memory

Номер патента: US09496047B2. Автор: HUA Chen,YONG Li,Jun Yang,Ju Shen,Hwong-Kwo Lin. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for accessing a data storage device

Номер патента: WO1997005617A3. Автор: Richard A Hussong,Michael J Yetsko. Владелец: Michael J Yetsko. Дата публикации: 1997-05-01.

Methods and apparatus for reusing lookup table random-access memory (LUTRAM) elements as configuration random-access memory (CRAM) elements

Номер патента: US09940995B1. Автор: Kenneth Duong,Trevis Chandler,Jung Ko,Dipak Sikdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Resistive random access memory device

Номер патента: US09792987B1. Автор: Wen-Ting Chu,Yue-Der Chih,Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of reading an electronic memory device including a plurality of memory cells of resistive random access memory type

Номер патента: US09786367B2. Автор: Carlo Cagli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11770923B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

P-Channel germanium on insulator (GOI) one transistor memory cell

Номер патента: US20090256206A1. Автор: Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: US09715930B2. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: US09685213B2. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: US09543004B1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Method for replacing defective memory cells in data processing apparatus

Номер патента: US20030061532A1. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-27.

Random number generation in ferroelectric random access memory (FRAM)

Номер патента: US09851914B2. Автор: John A Rodriguez,Robert C Baumann,Richard A Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US09653164B2. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US09530493B2. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods for accessing a storage unit of a flash memory and apparatuses using the same

Номер патента: US09459962B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory cell architecture

Номер патента: US20090207644A1. Автор: Bipul C. Paul. Владелец: Toshiba America Research Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Forming operation method of resistive random access memory

Номер патента: US20240282371A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Yi Ting Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface

Номер патента: US09898204B2. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606731B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606730B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Resistive random access memory cell structure

Номер патента: US09490427B2. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory systems and devices including examples of accessing memory and generating access codes using an authenticated stream cipher

Номер патента: US11537298B2. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Memory systems and devices including examples of accessing memory and generating access codes using an authenticated stream cipher

Номер патента: US11899942B2. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Circuits and methods for limiting current in random access memory cells

Номер патента: US09620209B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yi-Chun Shih,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Device and method for setting resistive random access memory cell

Номер патента: US09576656B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Circuits and methods for limiting current in random access memory cells

Номер патента: US09437292B1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yi-Chun Shih,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Resistive random access memory structure and method for operating resistive random access memory

Номер патента: US09419053B2. Автор: Mao-Teng Hsu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US20160189772A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2016-06-30.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US20140369108A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2014-12-18.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US9299425B2. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2016-03-29.

A system and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: WO2014083411A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,irar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology & Research (KUSTAR). Дата публикации: 2014-06-05.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US09653162B2. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University. Дата публикации: 2017-05-16.

Testing circuit for random access memory device

Номер патента: US4888772A. Автор: Takaho Tanigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

Memory cell and memory cell array of magnetoresistive random access memory operated by negative voltage

Номер патента: US20200327917A1. Автор: Chia-Fu Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory block select using multiple word lines to address a single memory cell row

Номер патента: WO1998014950A1. Автор: John Christian Holst,Dennis Lee Wendell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-04-09.

Resistive random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US8921819B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin,Chen-Hao Huang,Tzung-Bin Huang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US20230299774A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Resistance random access memory with accurate forming procedure, operating method thereof and operating system thereof

Номер патента: US09627058B2. Автор: Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile dynamic random access memory (NVDRAM) with programming line

Номер патента: US09607663B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

NAND type variable resistance random access memory and methods

Номер патента: US09548398B2. Автор: Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-01-17.

Local bit lines and methods of selecting the same to access memory elements in cross-point arrays

Номер патента: US8897050B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Chang Hua Siau,Seow Fong Lim,Sri Namala. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Nonvolatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5796670A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: Ramax Semiconductor Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Synapse memory cell driver

Номер патента: US20190228295A1. Автор: Takeo Yasuda,Masatoshi Ishii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US20170309332A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Magnetoresistive random access memory for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Номер патента: US11980026B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Chun-Yuan Lo,Chun-Chieh Chao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Reusing sneak current in accessing memory cells

Номер патента: US20170243642A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Erik Ordentlich,Yoocharn Jeon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-08-24.

Systems and techniques for accessing multiple memory cells concurrently

Номер патента: US20240013833A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Device, method and system to provide a random access memory with a ferroelectric resistive junction

Номер патента: US20240112730A1. Автор: Chia-Ching Lin,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Uygar Avci,Saima Siddiqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US20170179134A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US09773791B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Structures for resistance random access memory and methods of forming the same

Номер патента: US09537091B2. Автор: Chandra Mouli,Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US09515077B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US20240081036A1. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: EP3311387A1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Access line having a resistive layer for memory cell access

Номер патента: US11862215B2. Автор: Chandrasekhar MANDALAPU,Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan,Sateesh Talasila. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Technologies for dynamic biasing for memory cells

Номер патента: US20230317154A1. Автор: Yasir Mohsin Husain,Xuming Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: EP3304559A1. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-11.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: US20160358652A1. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory chip including control logic circuit with dynamic random-access memory and memory device including memory chips

Номер патента: US12016183B2. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Content addressable memory cell

Номер патента: CA2380343C. Автор: Richard Foss. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Multiple simultaneous access memory

Номер патента: US4656614A. Автор: Naruhito Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-04-07.

Multi-Layer Thyristor Random Access Memory with Silicon-Germanium Bases

Номер патента: US20190326294A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Random number generation in ferroelectric random access memory (fram)

Номер патента: US20180188987A1. Автор: John A. Rodriguez,Robert C. Baumann,Richard A. Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Static random-access memory (SRAM) compute in-memory integration

Номер патента: US11776608B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jianguo Yao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US20160267979A1. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-15.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11967374B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Multi-Layer Thyristor Random Access Memory with Silicon-Germanium Bases

Номер патента: US20200328214A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Multi-Layer Thyristor Random Access Memory with Silicon-Germanium Bases

Номер патента: US20210233912A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210295911A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210082504A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20230019326A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Quantum dot-based magnetic random access memory (mram) and method for manufacturing same

Номер патента: US20030103367A1. Автор: Gabriel Aeppli,David Norris,Christophe Renner,Yeong-Ah Soh. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20160196874A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Oxram oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US20200194671A1. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-06-18.

OxRAM oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US11329224B2. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-10.

Resistive random access memory cells having variable switching characteristics

Номер патента: US9047940B2. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Non-Volatile Memory Cell with Precessional Switching

Номер патента: US20100195380A1. Автор: WEI Tian,Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Haiwen Xi,Yong Lu,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Dimitar Dimitrov,Brian Seungwhan Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-08-05.

Method, apparatus, pager, and cellular telephone for accessing information from a memory unit utilizing a sequential select unit

Номер патента: US6034921A. Автор: James Gregory Viot,Avinash Palaniswamy. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Dynamic random access memory built-in self-test power fail mitigation

Номер патента: US20240021263A1. Автор: Bill Nale. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

In-situ encapsulation of metal-insulator-metal (MIM) stacks for resistive random access memory (RERAM) cells

Номер патента: US11882776B2. Автор: Dina Triyoso,Angelique RALEY,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Phase change random access memory (PRAM) device

Номер патента: US20060285380A1. Автор: Byung-Gil Choi,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-21.

Random access memory including nanotube switching elements

Номер патента: EP1792149A4. Автор: Thomas Rueckes,Claude L Bertin,Brent M Segal. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2009-05-20.

Random access memory including nanotube switching elements

Номер патента: EP1792149A2. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,Brent M. Segal. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Thyristor Volatile Random Access Memory and Methods of Manufacture

Номер патента: US20180097005A1. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

High density resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09570512B2. Автор: Qing Liu,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-14.

High density resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09484535B1. Автор: Qing Liu,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-01.

Non-volatile static randomm-access memory cell

Номер патента: CA1206615A. Автор: Parviz Keshtbod. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-06-24.

Three-dimensional memory cell structure

Номер патента: WO2022197352A1. Автор: Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-09-22.

Hybrid transistor and memory cell

Номер патента: US20230124085A1. Автор: Wei Cao,Kaustav Banerjee,Chao-Hui Yeh,Arnab Pal. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-04-20.

Three-dimensional memory cell structure

Номер патента: US11723187B2. Автор: Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods of Reading and Writing Data in a Thyristor Random Access Memory

Номер патента: US20180301181A1. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Differential source follower with current steering devices

Номер патента: US20210021277A1. Автор: Yoel Krupnik,Ariel Cohen,Yizhak Ethanan SHIFMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Methods of operating a bistable resistance random access memory with multiple memory layers and multilevel memory states

Номер патента: US20090303774A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Resistance random access memory, operating method thereof and operating system thereof

Номер патента: US20160372195A1. Автор: Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Metal isolation testing in the context of memory cells

Номер патента: US20190067300A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20210210555A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Resistive random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20140091273A1. Автор: Chun-Cheng Chen,Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin,Chen-Hao Huang,Tzung-Bin Huang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Silicon over insulator two-transistor one-resistor in-series resistive memory cell

Номер патента: US20220020815A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Thyristor Volatile Random Access Memory and Methods of Manufacture

Номер патента: US20210057415A1. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

RRAM memory cell with multiple filaments

Номер патента: US12075634B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Apparatuses and methods for accessing variable resistance memory device

Номер патента: US09990990B2. Автор: Daniele Ielmini,Paolo Fantini,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

High density resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09865653B2. Автор: Qing Liu,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-01-09.

Method and apparatus for testing random access memory devices

Номер патента: US6018484A. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-25.

Built-in self test circuit for segmented static random access memory (sram) array input/output

Номер патента: US20240071546A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Bhupender Singh,Hitesh Chawla,Manuj Ayodhyawasi,Tanuj KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-29.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: WO2022134870A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory repair circuit and repairable pseudo-dual port static random access memory

Номер патента: US20100014367A1. Автор: Szu-Mien WANG,Dan-Chi Yang. Владелец: FocalTech Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: GB2618233A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Non-volatile static random-access memory cell

Номер патента: US4527255A. Автор: Parviz Keshtbod. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1985-07-02.

Non-volatile dynamic random access memory cell

Номер патента: US4665417A. Автор: Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-05-12.

Non-volatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5396461A. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-07.

Organic ferroelectric material based random access memory

Номер патента: US20120314476A1. Автор: Saptarshi Das,Joerg Appenzeller. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-12-13.

Resistive random access memory cell structure with reduced programming voltage

Номер патента: US20150124520A1. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Resistive random access memory cell structure with reduced programming voltage

Номер патента: US9214230B2. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Apparatuses and methods for use in selecting or isolating memory cells

Номер патента: EP2973573A1. Автор: Marco Riva,Augusto Benvenuti,Luca Laurin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Apparatuses and methods for use in selecting or isolating memory cells

Номер патента: WO2014149569A1. Автор: Marco Riva,Augusto Benvenuti,Luca Laurin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Dynamic random access memory devices and memory systems having the same

Номер патента: US20200356437A1. Автор: Jong Pil Son,Sin Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Layout pattern of static random access memory and the forming method thereof

Номер патента: US20240161818A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yu-Fang Chen,Tzu-Feng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase-change random access memory

Номер патента: US20100214832A1. Автор: Hye-jin Kim,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: WO2022165828A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-11.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US12066932B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: EP3549024A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-09.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: WO2018102538A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-06-07.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Dedicated interface for coupling flash memory and dynamic random access memory

Номер патента: US09547447B2. Автор: James Bauman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20220093163A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US20170140616A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042103A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: EP3580759A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180366175A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180226116A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20210104270A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: WO2018148064A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-16.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20200035286A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Magnetic random access memory

Номер патента: US09459961B2. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method and apparatus for accessing a memory core multiple times in a single clock cycle

Номер патента: US20040109381A1. Автор: Eric Badi,Jean-Marc Bachot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for accessing memory

Номер патента: US20080276052A1. Автор: Ying-chih Lu. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US10895990B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US10521129B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Memory controller and method for accessing memory module

Номер патента: US20190205048A1. Автор: Yi Li,Gang Shan,Howard Chonghe YANG. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Apparatus and method of accessing random access memory

Номер патента: EP1031083A1. Автор: David Ashley Brown. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 2000-08-30.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A2. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2006-08-17.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US09933972B2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Non-volatile random access memory (nvram) as a replacement for traditional mass storage

Номер патента: EP2761469A1. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Leena K. Puthiyedath,Tony Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Method, device and system for access of intellectual household appliances to multiple servers

Номер патента: RU2673693C2. Автор: Эньсин ХОУ,Яньлу ЧЗАН,Беньчан СУ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-11-29.

Systems and methods for accessing memory

Номер патента: EP2946303A1. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-25.

Systems and methods for accessing memory

Номер патента: US20140208060A1. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Systems and methods for accessing memory

Номер патента: WO2014113758A1. Автор: Robert Walker. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

Alignment based block concurrency for accessing memory

Номер патента: US09910769B2. Автор: Michael K. Gschwind,Christian Jacobi,Timothy J. Slegel,Jonathan D. Bradbury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Alignment based block concurrency for accessing memory

Номер патента: US09904618B2. Автор: Michael K. Gschwind,Christian Jacobi,Timothy J. Slegel,Jonathan D. Bradbury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Alignment based block concurrency for accessing memory

Номер патента: US09582413B2. Автор: Michael K. Gschwind,Christian Jacobi,Timothy J. Slegel,Jonathan D. Bradbury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Synchronous multi-port random access memory

Номер патента: WO1997011419A3. Автор: Tom North,Francis Siu. Владелец: Shablamm Computer Inc. Дата публикации: 1997-04-24.

Methods for accessing a storage unit of a flash memory and apparatuses using the same

Номер патента: US09411686B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Yang-Chih Shen,Sheng-I Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for accessing a local area network and a corresponding device

Номер патента: RU2693326C1. Автор: Вэйшэн ЦЗИНЬ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-02.

Cache Memory System and Method for Accessing Cache Line

Номер патента: US20170262372A1. Автор: Jing Xia,Zhenxi Tu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Memory controller and method for accessing memory module

Номер патента: US20190205063A1. Автор: Yi Li,Gang Shan,Howard Chonghe YANG. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for accessing memory

Номер патента: US7870349B2. Автор: Ying-chih Lu. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2011-01-11.

Real-Time Quantum Random Access Memory

Номер патента: US20230229948A1. Автор: Hichem El Euch,Ashraf KHALIL,Mohammed Abdellatif Abdelaal Zidan,Abdulhaleem Mohamed Ahmed Abdelaty,Mahmoud Mohamed Ahmed Abdel-Aty. Владелец: Abu Dhabi University. Дата публикации: 2023-07-20.

Asynchronous microprocessor random access memory arbitration controller

Номер патента: US5047921A. Автор: Gerald R. Westcott,Harold B. Kinter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-09-10.

Coprocessor system for accessing shared memory during unused portion of main processor's instruction cycle where main processor never waits when accessing shared memory

Номер патента: US6006319A. Автор: Toshio Tanaka,Toyofumi Takahashi,Hideaki Terakawa. Владелец: Creative Design Inc. Дата публикации: 1999-12-21.

Memory virtualization for accessing heterogeneous memory components

Номер патента: US20220398194A1. Автор: Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Memory virtualization for accessing heterogeneous memory components

Номер патента: WO2019152224A1. Автор: Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-08.

Data processing system and method for accessing data in the data processing system

Номер патента: US11782744B2. Автор: Jan Hoogerbrugge,Wilhelmus Petrus Adrianus Johannus Michiels. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-10.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A3. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Jani Klint. Дата публикации: 2007-01-18.

Memory virtualization for accessing heterogeneous memory components

Номер патента: EP3750055A1. Автор: Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Electronic device capable of accessing memory card

Номер патента: US20230004765A1. Автор: Jiunn-Hung Shiau,Neng-Hsien Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Method and apparatus for accessing horizontal sequences, vertical sequences, and rectangular subarrays from a memory

Номер патента: CA1092720A. Автор: David C. Van Voorhis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-12-30.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: EP2684133A2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US20150074370A1. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US20180300079A1. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Memory management unit (mmu) for accessing borrowed memory

Номер патента: WO2020242683A1. Автор: Dmitri Yudanov,Samuel E. Bradshaw,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Sean Stephen Eilert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory Management Unit (MMU) for Accessing Borrowed Memory

Номер патента: US20210342274A1. Автор: Dmitri Yudanov,Samuel E. Bradshaw,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Sean Stephen Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory Management Unit (MMU) for Accessing Borrowed Memory

Номер патента: US20200379919A1. Автор: Dmitri Yudanov,Samuel E. Bradshaw,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Sean Stephen Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Method and system for accessing memory using an auxiliary memory

Номер патента: US20090216983A1. Автор: Marco Jan Bekooij. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for accessing memory data

Номер патента: US20080222345A1. Автор: Chung-Ching Huang,Wen-Juin Huang,Chien-Ping Chung. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Flash storage system and method for accessing a boot program

Номер патента: US20120317406A1. Автор: Mark Moshayedi. Владелец: Stec Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Random access memory assembly

Номер патента: US5819304A. Автор: William Schmidt,Kelvin D. Nilsen. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 1998-10-06.

Method and Bus for Accessing Dynamic Random Access Memory

Номер патента: US20170262404A1. Автор: Hu Liu,Jun Liang,Zhiqiang Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Techniques for accessing memory, system and bus arbitration

Номер патента: US20120159027A1. Автор: Chuan Lin. Владелец: Vimicro Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Selective access memory circuit

Номер патента: US20110199805A1. Автор: Neal Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-18.

Device and method for accessing memory

Номер патента: US20060224855A1. Автор: Kuan-Jui Ho,Hsiu Chu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

System for accessing memory modules

Номер патента: CA1127318A. Автор: Shigeru Koyanagi,Takao Imura,Yoshihiro Joda. Владелец: Panafacom Ltd. Дата публикации: 1982-07-06.

Data layout configurations for access operations

Номер патента: US20240192890A1. Автор: Amiya Banerjee,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Arrangement and method for accessing data in a virtual memory arrangement

Номер патента: EP1183607A2. Автор: Desi Rhoden,James Crawford Steele,George Crouse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-03-06.

Arrangement and method for accessing data in a virtual memory arrangement

Номер патента: WO2001038985B1. Автор: Desi Rhoden,James Crawford Steele,George Crouse. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Arrangement and method for accessing data in a virtual memory arrangement

Номер патента: WO2001038985A2. Автор: Desi Rhoden,James Crawford Steele,George Crouse. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-05-31.

Sorting system using cascaded modules with levels of memory cells among which levels data are displaced along ordered path indicated by pointers

Номер патента: US5204967A. Автор: Philip N. Armstrong. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-04-20.

System setting operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US11899584B2. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

System setting including operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US20240152456A1. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Resistive switching memory cell

Номер патента: GB2616558A. Автор: Ando Takashi,Vega Reinaldo,Adusumilli Praneet,CHI Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Resistive switching memory cell

Номер патента: US20230301213A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Page indexing system for accessing sequentially stored data representing a multi-page document

Номер патента: US4571700A. Автор: Grover H. Neuman,Carl A. Emry, Jr.,Lynda K. Mersiovsky,Margaret S. Pfeuffer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-02-18.

Method and device for access control

Номер патента: RU2628483C2. Автор: Чжэн ЛИ,Тецзюнь ЛЮ,Лян ЧЭН,Сяньлинь ЧЭНЬ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2017-08-17.

Terminal device and computer readable medium for accessing content on a network

Номер патента: US8543670B2. Автор: Tomoyasu Yabuki. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-24.

Bridge device for access control in a multi-tenant environment

Номер патента: US20220058903A1. Автор: Thomas D. Johnson,Ashok Hirpara,Arkadiusz Zimny. Владелец: Delphian Systems LLC. Дата публикации: 2022-02-24.

Authorization and access control system for access rights using relationship graphs

Номер патента: AU2022427703A1. Автор: Jeff Venable. Владелец: Brex Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods and systems for accessing host memory through non-volatile memory over fabric bridging with direct target access

Номер патента: US20200401551A1. Автор: Noam Mizrahi,Eitan Joshua,Dimitry Melts,Scott Furey. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Wakeup-signal forwarding method for access enforcement point(s) and access control systems

Номер патента: WO2024175606A1. Автор: Louis Marcel Meli,Urs Duetschler,Benjamin Jonathan MAIJ. Владелец: Dormakaba Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Wakeup-signal forwarding method for access enforcement point(s) and access control systems

Номер патента: EP4418222A1. Автор: Louis Marcel Meli,Urs Duetschler,Benjamin Jonathan MAIJ. Владелец: Dormakaba Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

Authorization and access control system for access rights using relationship graphs

Номер патента: CA3242694A1. Автор: Jeff Venable. Владелец: Brex Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Handling access rights for access to a physical space

Номер патента: US20240321029A1. Автор: Frans Lundberg,Gustav Ryd. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2024-09-26.

Access management system, authentication device for access management system, management device for access management system, portable terminal for access management system, mobile body for access management system, data structure for access management data, access management program, and construction method for access management system

Номер патента: US12118070B2. Автор: Manato Takai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method, apparatus and system for access mode control of a device

Номер патента: US09740832B2. Автор: Jianxiong Jason Shi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Content object encapsulating content items for accessing content and access authorization information

Номер патента: US09690948B2. Автор: Marc B. VELASCO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

System on chip and method for accessing device on bus

Номер патента: US09489328B2. Автор: Jian Chen,Jianfeng Yu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Access proxy for accessing peripheral component interconnect express endpoint device, PCIe exchanger and computer system

Номер патента: US09477632B2. Автор: Ge Du. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and device for accessing message memory of communication module

Номер патента: RU2377729C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ,Кристиан ХОРСТ,Франц БАЙЛЕР. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2009-12-27.

Device for accessing data on-board aircraft

Номер патента: RU2566939C2. Автор: Жан-Арно КОСС,Пьер ГАМЕ,Сильвен ЯН. Владелец: Таль. Дата публикации: 2015-10-27.

Cascade complementary source follower and controlling circuit

Номер патента: US10879890B1. Автор: Cheng Tao,YU Chen,Yanan Zhang,Xiangyu Ji,Jiaxi FU,Haiyan WEI. Владелец: Lontium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Authentication of a user for access

Номер патента: US20240194011A1. Автор: Christian Hess,Friedrich Schick. Владелец: trinamiX GmbH. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus for adding protection function for indirect access memory controller

Номер патента: EP3707636A1. Автор: Peng Jiang,Jun Yang,Jiaqi XI,Shu BAO. Владелец: Hangzhou C Sky Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-16.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: US20210165580A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: EP4070202A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Systems and methods for access point device recovery using mobile devices

Номер патента: US20220408254A1. Автор: Ethan Wright,Matthew James WRIGHT,Wystan SCHMIDT. Владелец: Charter Communications Operating LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Authorization methods and systems for accessing multiple data sources

Номер патента: US11921869B1. Автор: Jon Peterson,James Bryan ZIMMERMAN,Marius OANCEA,Dakota Kidd Kanner. Владелец: Seeq Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Systems and methods for access point device recovery using mobile devices

Номер патента: US20210250763A1. Автор: Ethan Wright,Matthew James WRIGHT,Wystan SCHMIDT. Владелец: Charter Communications Operating LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

System and method for accessing non-relational data by relational access methods

Номер патента: EP1128281A3. Автор: Ingo Franzki,Wilhelm Mild. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-03-10.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20230251982A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Authentication of a user for access

Номер патента: WO2023156313A1. Автор: Christian Hess,Friedrich Schick. Владелец: trinamiX GmbH. Дата публикации: 2023-08-24.

System for access control

Номер патента: EP2070054A2. Автор: Petrus Wilhelmus Maria Paijens,Maurice Erick Rensink. Владелец: Nederlandsche Apparatenfabriek NEDAP NV. Дата публикации: 2009-06-17.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Network, method and memory cell array for region proposal

Номер патента: WO2022093118A1. Автор: Arindam Basu,Sumon Kumar BOSE. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Reader coordination for access control

Номер патента: AU2020247107B2. Автор: Hans-Juergen Pirch,Fredrik Carl Stefan Einberg,Tomas Lars Jonsson,Sylvain Jacques PREVOST,Jan STEFFL,Hans Gunnar FRANK. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2023-09-28.

Device and method for accessing target cell

Номер патента: RU2758933C2. Автор: Цинхай ЦЗЭН,Жуй ВАН,Минцзэн ДАЙ,Чун ЛОУ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-03.

Method and device for access to smart camera

Номер патента: RU2674311C1. Автор: Хун ЧЭНЬ,Цзыгуан ГАО,Эньсин ХОУ. Владелец: Бейджин Сяоми Мобайл Софтвэар Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-06.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and device for access to wireless access point

Номер патента: RU2641255C1. Автор: Эньсин ХОУ,Дэго МЭН,Ий ДИНЬ. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-16.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Resistive random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478741B2. Автор: Mao-Teng Hsu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

Magnetic random access memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20240276889A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Dynamic random access memory cell with self-aligned strap

Номер патента: US09735162B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Dynamic random access memory cell with self-aligned strap

Номер патента: US09564443B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20030015745A1. Автор: Belford Coursey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Magnetic random-access memory cell, memory and device

Номер патента: US12029135B2. Автор: Weisheng Zhao,Zhaohao Wang,Kaihua Cao,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170373073A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317090A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317091A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Dynamic random access memory structure

Номер патента: US20200006347A1. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20180315763A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Short bridge phase change memory cells and method of making

Номер патента: US20090289243A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Method of making dynamic random access memory having a reliable contact

Номер патента: US5288655A. Автор: Toshio Nomura,Daitei Shin,Masaaki Higasitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-02-22.

Static random-access memory (sram) cell array and forming method thereof

Номер патента: US20180006040A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US12063875B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09953988B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09947674B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Static random-access memory (SRAM) cell array and forming method thereof

Номер патента: US09728541B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Doped oxide dielectrics for resistive random access memory cells

Номер патента: US09425394B2. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit using finfets and having a static random access memory (sram)

Номер патента: WO2007120292A2. Автор: Leo Mathew,James D. Burnett,Byoung W. Min. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Resistive random access memory containing a steering element and a tunneling dielectric element

Номер патента: US09704920B2. Автор: XIAO Li,Michael Konevecki,Abhijit Bandyopadhyay,Zhida Lan,Venkatagirish NAGAVARAPU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196759A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Novel resistive random access memory device

Номер патента: US20240260278A1. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo,Tsai-Hao Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US12048250B2. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (mram)

Номер патента: US20240349616A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Resistive random-access memory (RRAM) with a low-K porous layer

Номер патента: US09502647B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Ting-Chang Chang,Shih-Chieh Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Te-Ming Kung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Doped ternary nitride embedded resistors for resistive random access memory cells

Номер патента: US09425389B2. Автор: Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory cell of resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09385314B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Heng-Yuan Lee,pei-yi Gu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and device for access to wireless network

Номер патента: RU2654152C2. Автор: Цян ФУ,Эньсин ХОУ,Шицуань ЧЖОУ. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-16.

Semiconductor memory device having a peripheral wall at the boundary region of a memory cell array region and a peripheral circuit region

Номер патента: US5218219A. Автор: Hideaki Arima,Natsuo Ajika,Kaoru Motonami,Tomonori Okudaira,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-08.

Dram technology compatible non volatile memory cells

Номер патента: US20020024083A1. Автор: Wendell P. Noble,Eugene H. Cloud. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Electronic devices comprising memory cells comprising channel materials

Номер патента: US11882685B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory having a memory cell array

Номер патента: US20010032991A1. Автор: Franz Hofmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Method for forming a capacitor in a memory cell in a dynamic random access memory device

Номер патента: US5897983A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kazuki Yokota,Masanobu Zenke,Tomomi Kurokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Random access memory cells using spatial wavefunction switched field-effect transistors

Номер патента: US9000417B1. Автор: John Chandy,Faquir Chand Jain,Evan Heller,Pawan Gogna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

MOS random access memory having array of trench type one-capacitor/one-transistor memory cells

Номер патента: US5895946A. Автор: Fumio Horiguchi,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Dynamic random access memory device having a plurality of one-transistor type memory cells

Номер патента: US4737829A. Автор: Toshio Takeshima,Mitsutaka Morimoto,Yuji Okuto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-12.

Static random access memory device having a memory cell array region in which a unit cell is arranged in a matrix

Номер патента: US6118158A. Автор: Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-12.

Method for manufacturing an internally shielded dynamic random access memory cell

Номер патента: US5352621A. Автор: Jae-Kap Kim,In-Sool Chung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-04.

Dynamic random access memory device comprising memory cells having capacitor formed above cell transistor and peripheral circuit for improving shape and aspect ratio of contact hole in the peripheral circuit and producing method thereof

Номер патента: US5693970A. Автор: Shinichirou Ikemasu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-12-02.

Multi-Layer Random Access Memory and Methods of Manufacture

Номер патента: US20200381434A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Multi-layer random access memory and methods of manufacture

Номер патента: WO2019204795A1. Автор: Harry Luan. Владелец: Tc Lab, Inc.. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor material for resistive random access memory

Номер патента: US20210384419A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Van H. Le,Shriram SHIVARAMAN,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Multi-layer random access memory and methods of manufacture

Номер патента: US11605636B2. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2023-03-14.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US11758711B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11785756B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Dynamic random access memory cell with self-aligned strap

Номер патента: US20160027788A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230371406A1. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US20190326296A1. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of accessing memory of de-interleaving unit

Номер патента: US6754790B2. Автор: Wen-Jeng Chang. Владелец: Via Optical Solution Inc. Дата публикации: 2004-06-22.

Dynamic random access memory cell with self-aligned strap

Номер патента: US20150206884A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US20220208770A1. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of accessing memory of de-interleaving unit

Номер патента: US20030041219A1. Автор: Wen-Jeng Chang. Владелец: Via Optical Solution Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Three-dimensional resistive random access memory and method making it possible to obtain such a memory

Номер патента: US11985833B2. Автор: Khalil El Hajjam. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-05-14.

Magnetic random access memory with thermally stable magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US6518588B1. Автор: Stuart S. P. Parkin,Mahesh G. Samant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-11.

One-bit memory cell in static random access memory device with PMOS thin film transistor load pair

Номер патента: US5404030A. Автор: Jhang-Rae Kim,Sung-Bu Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-04-04.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A3. Автор: Norbert Arnold,V C Jaiprakash,Michel Seitz. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Diamond Shaped Magnetic Random Access Memory

Номер патента: US20240180045A1. Автор: Oscar van der Straten. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Resistive random access memory and manufacturing method thereoff

Номер патента: US20210175421A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Meng-Hung Lin,Ying-Fu Tung,Han-Hsiu CHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Incorporation of oxygen into memory cells

Номер патента: US20130193394A1. Автор: Dale W. Collins,Yongjun Jeff Hu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Swapnil Lengade. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-01.

Integrated sram memory tag circuitry and dram memory cell architectures

Номер патента: US20230200093A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Seamed resistive random access memory cell

Номер патента: US20240224819A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Youngseok Kim,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic Random Access Memory Cell and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100035389A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Dynamic random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US7754544B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-13.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: EP3790065A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-10.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Capacitively coupled ferroelectric random access memory cell and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20020000586A1. Автор: Thomas Evans,Glen Fox. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Class ab enhanced transconductance source follower

Номер патента: US20070109052A1. Автор: Stephen Franck,Sateh Jalaleddine. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-05-17.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US12114579B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Systems and methods for fabricating self-aligned resistive/magnetic memory cell

Номер патента: US09711714B2. Автор: Makoto Nagashima. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Image sensor device with first and second source followers and related methods

Номер патента: US09570498B2. Автор: Francois Roy,Frederic Lalanne,Pierre Emmanuel Marie MALINGE. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of making a resistive random access memory device

Номер патента: US09472757B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of making single layer thin film transistor static random access memory cell

Номер патента: US5451534A. Автор: Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Methods of making random access memory devices, transistors, and memory cells

Номер патента: US8470666B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Trench random access memory cell and method of formation

Номер патента: US5879971A. Автор: Keith E. Witek. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Single layer thin film transistor static random access memory cell

Номер патента: US5592011A. Автор: Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-01-07.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US20230301206A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuits including memory cells

Номер патента: EP4289626A3. Автор: Michael W. Cumbie,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuits including memory cells

Номер патента: EP4289626A2. Автор: Michael W. Cumbie,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-12-13.

Method to improve magnetic tunnel junction memory cells by treating native oxide

Номер патента: US11844283B2. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Meng Yu Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US10468420B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Method for fabricating embedded static random access memory

Номер патента: US20090023256A1. Автор: Chien-Li Kuo,Tung-Hsing Lee,Chih-Ming Su,Yun-San Huang,Buo-Chin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Single gate three-dimensional (3d) dynamic random-access memory (dram) devices

Номер патента: US20240098971A1. Автор: Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US9941288B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133474B2. Автор: Jun Xie,Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Kun-Chen Ho,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Yi-Syun Chou,Chang-Min Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and device for accessing a channel

Номер патента: RU2689125C1. Автор: Юньбо ЛИ,Яньчунь ЛИ,И Луо. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-24.

High performance direct coupled FET memory cell

Номер патента: US6137129A. Автор: Claude L. Bertin,John E. Cronin,Erik L. Hedberg,Jack A. Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Method of making static random access memory cell having a trench field plate for increased capacitance

Номер патента: US5879980A. Автор: Raymond T. Lee,Asim A. Selcuk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5650350A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

MOS Dynamic memory cells and method of fabricating the same

Номер патента: US4492973A. Автор: Mitsugi Ogura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-08.

Method for manufacturing dynamic random access memory cell

Номер патента: US5200354A. Автор: Jae C. Om,In S. Chung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-04-06.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5739056A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Methods to improve magnetic tunnel junction memory cells by treating native oxide

Номер патента: US20240065110A1. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Meng Yu Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing resistive random access memory

Номер патента: US20230397513A1. Автор: Hung-Sheng Chen,cheng-hong Wei,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Resistive random access memory containing a steering element and a tunneling dielectric element

Номер патента: WO2017074548A1. Автор: XIAO Li,Michael Konevecki,Abhijit Bandyopadhyay,Zhida Lan,Venkatagirish NAGAVARAPU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Resistive random access memory containing a steering element and a tunneling dielectric element

Номер патента: US20170117324A1. Автор: XIAO Li,Michael Konevecki,Abhijit Bandyopadhyay,Zhida Lan,Venkatagirish NAGAVARAPU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Finer grain dynamic random access memory

Номер патента: US11791317B2. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Dynamic random access memory

Номер патента: EP1148545A3. Автор: Ulrike Gruening,Rainer Florian Schnabel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2006-08-02.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11778932B2. Автор: Hung-Sheng Chen,cheng-hong Wei,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Single gate three-dimensional (3d) dynamic random- access memory (dram) devices

Номер патента: WO2024063895A1. Автор: Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for fabricating memory cell of magnetoresistive random access memory

Номер патента: US11849649B2. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Resistive memory cell structure

Номер патента: US20200373482A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for fabricating memory cell of magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20220140229A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Ferroelectric random access memory (FRAM) capacitors and methods of construction

Номер патента: US11937434B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190237660A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Ferroelectric random access memory (fram) capacitors and methods of construction

Номер патента: US20230345735A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Resistive random access memory device

Номер патента: US11963368B2. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo,Tsai-Hao Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US11944016B2. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Ferroelectric random-access memory cell

Номер патента: US20240064997A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Ferroelectric random-access memory cell

Номер патента: WO2024037525A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-22.

Landing pad in peripheral circuit for magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US9793318B2. Автор: Yiming Huai,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Landing Pad in Peripheral Circuit for Magnetic Random Access Memory (MRAM)

Номер патента: US20160276406A1. Автор: Yiming Huai,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (mram)

Номер патента: US20240090336A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US11849644B2. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Dynamic random access memory device including stacked capacitors each having a lower electrode aligned with an upper electrode without tolerance and process of fabrication thereof

Номер патента: US5187549A. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-02-16.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: AU2020410300A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: GB2605327A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: WO2021124003A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-06-24.

Resistive random access memory device

Номер патента: US12096706B2. Автор: Po-Shu WANG,Wei-Ming Wang,Huei-Tsz WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Diffusion barrier layer for resistive random access memory cells

Номер патента: US9246097B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Self-aligned non-volatile random access memory cell and process to make the same

Номер патента: US20020109179A1. Автор: Jed H. Rankin,Chung H. Lam,Dana Lee,Dale W. Martin,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for making self-aligned node contacts to bit lines for capacitor-over-bit-line structures on dynamic random access memory (DRAM) devices

Номер патента: US5837577A. Автор: George Meng-Jaw Cherng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-17.

Method for manufacturing crown-shaped storage capacitors on dynamic random access memory cells

Номер патента: US5700731A. Автор: Daniel Hao-Tien Lee,John C. H. Lin,Meng-Jaw Cherng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-12-23.

Method of damage free doping for forming a dram memory cell

Номер патента: US5747378A. Автор: Der-Tsyr Fan,Chon-Shin Jou,Ting-S. Wang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

Dynamic random access memory device with trench type memory cell

Номер патента: US5168336A. Автор: Hiroaki Mikoshiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-12-01.

Dynamic random access memory cell layout and fabrication method thereof

Номер патента: US20050045936A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US20230422638A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Dynamic random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080173896A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Static random access memory cell

Номер патента: US11864368B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Kuo-Hung Lo,Shau-Wei LU,Jordan HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Resistive random access memory cell and method of fabricating the same

Номер патента: US11800815B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Static random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343250A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Static random access memory cell

Номер патента: US20200126997A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Kuo-Hung Lo,Shau-Wei LU,Jordan HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor dynamic random access memory cell free from leakage between accumulating electrode and counter electrode

Номер патента: US5438541A. Автор: Koichi Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-08-01.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: US20210074917A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Method and system for accessing network element user services realising access gateway control function

Номер патента: RU2515701C2. Автор: Киянг ЯНГ,Чен ВАНГ. Владелец: Зте Корпорэйшен. Дата публикации: 2014-05-20.

Method and system for accessing ims domain for traditional fixed network users

Номер патента: RU2513760C2. Автор: Менг ЛИ,Джинлей КСУ,Чжен КЕ. Владелец: Зте Корпорэйшен. Дата публикации: 2014-04-20.

Dynamic random access memory device fabricated with two kinds of field effect transistor different in thickness of gate oxide films

Номер патента: US5083172A. Автор: Junji Kiyono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Method, device and system for access control handover of user between base stations

Номер патента: RU2524175C2. Автор: Яли ГО,Бинь ЦЗЯО. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-07-27.

Control circuits of paging and power consumption for access to local network

Номер патента: RU2530732C2. Автор: Раджарши ГУПТА,Параг А. АГАШЕ,Фатих УЛУПИНАР. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-10-10.

Method for making static random-access memory device

Номер патента: US4774203A. Автор: Shuji Ikeda,Satoshi Meguro,Sho Yamamoto,Kotaro Nishimura,Nobuyoshi Tanimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-09-27.

Planar resistive random-access memory (rram) device with a shared top electrode

Номер патента: US20220013723A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Saumya Sharma,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240032439A1. Автор: Jun Xie,Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Kun-Chen Ho,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Yi-Syun Chou,Chang-Min Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for accessing service network, and communication apparatus

Номер патента: EP3758300A1. Автор: Weisheng Jin,Hualin ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Method and apparatus for access parameter sharing

Номер патента: EP2868131A1. Автор: Jukka Pekka Reunamäki,Janne Marin,Sverre Slotte,Niko TAPANI KIUKKONEN. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2015-05-06.

Authorization and access control system for access rights using relationship graphs

Номер патента: US12069056B2. Автор: Jeff Venable. Владелец: Brex Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and system for accessing completion of call to busy subscriber service based on identity

Номер патента: US20120282897A1. Автор: Yang Gao,Shaolian Zhang,Mingjiang Zou. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method and apparatus for accessing unlicensed channel, and device and storage medium

Номер патента: EP4412379A1. Автор: Ting Fu. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for accessing network by user equipment, and access device

Номер патента: US09942809B2. Автор: LI YANG,Xiao Chen,Hongzhuo Zhang,Tianle Deng. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and an apparatus for access network selection in a wireless communication system

Номер патента: US09900832B2. Автор: Hyunsook Kim,Taehyeon Kim,Laeyoung Kim,Jaehyun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Systems, apparatus and methods for synchronizing a global time reference for access points over the air

Номер патента: US09655072B2. Автор: Santosh Paul Abraham,George Cherian,Gwendolyn Denise Barriac,Simone Merlin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Apparatus and method for access point selection

Номер патента: US09572066B2. Автор: Seung Jae HAN,Jung Han HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-14.

Access point with controller for billing and generating income for access point owner

Номер патента: US09553996B2. Автор: Vasudevan Ganesan. Владелец: Vasu Networks Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for accessing wireless local area network, access point and wireless local area network system

Номер патента: US09516675B2. Автор: Junjun Zhu,Ruiqiang Diao,Huanteng Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and device for accessing operator network

Номер патента: RU2648612C2. Автор: Чжунюань ЯН,Фэн Цзинь. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-03-26.

Transfer of alarm of random access for access to system in wireless communication

Номер патента: RU2479150C2. Автор: Хуан МОНТОХО,Дурга Прасад МАЛЛАДИ,Александар ДАМНЯНОВИЧ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-04-10.

Method and system for accessing unified resource indicator

Номер патента: RU2543560C2. Автор: Дени СИЛВЕЙН. Владелец: РОКСТАР КОНСОРЦИУМ ЮЭс ЛП. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for accessing moving cell, and apparatus using same method

Номер патента: EP4221326A1. Автор: Hyunsoo Ko,Kijun KIM,Hyangsun YOU. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor memory cell

Номер патента: EP1280209A3. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-05-12.

Systems, methods, and devices for access control for private slices in a plmn

Номер патента: US20230319701A1. Автор: Ching-Yu Liao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Reader and Access Device Operation for Access Control without Bluetooth Low Energy Pairing

Номер патента: US20240244683A1. Автор: Siegfried Lehmann,Florian Galdo,Su Khiong Yong,Lochan VERMA,Yann LY-GAGNON,Martijn T. Haring. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods and systems for access point clustering

Номер патента: EP3590200A1. Автор: Yan Zhou,George Cherian,Abhishek Pramod PATIL,Alfred ASTERJADHI,Venkata Ramanan Venkatachalam Jayaraman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-01-08.

Methods and systems for access point clustering

Номер патента: WO2018160296A1. Автор: Yan Zhou,George Cherian,Abhishek Pramod PATIL,Alfred ASTERJADHI,Venkata Ramanan Venkatachalam Jayaraman. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-07.

Methods and systems for access point clustering

Номер патента: EP4236546A2. Автор: Yan Zhou,George Cherian,Abhishek Pramod PATIL,Alfred ASTERJADHI,Venkata Ramanan Venkatachalam Jayaraman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

A method, system and device for accessing data storage in a telecommunications network.

Номер патента: EP3183865A1. Автор: Rogier August Caspar Joseph Noldus,Arturo Martin De Nicolas. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-06-28.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and method of arranging static data objects in heterogeneous random-access memory

Номер патента: RU2422883C1. Автор: Михаил Петрович Левин,Вячеслав Юрьевич Подшивалов,Константин Александрович Карасёв,Жу-Янг ХВАНГ. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2011-06-27.

Memory cell of static storage device

Номер патента: RU2507611C1. Автор: Роман Александрович Федоров,Наталья Иосифовна Малашевич. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр "МИЭТ". Дата публикации: 2014-02-20.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

Random-access magnetic memory cell

Номер патента: RU2704732C1. Автор: Лев Александрович Фомин,Илья Валентинович Маликов,Анатолий Васильевич Черных. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-30.

Method of determining periodicity of inspecting random access memory during operation in radiation conditions of cosmic space on sun-synchronous orbit

Номер патента: RU2438163C1. Автор: Евгений Владимирович Фролков,Александр Владимирович Шатунов. Владелец: Войсковая часть 32103. Дата публикации: 2011-12-27.

ACCESSORIES FOR A BICYCLE AND THE LIKE, AND METHOD FOR ACCESSING ARTICLES FROM A MOVING BICYCLE AND THE LIKE

Номер патента: US20120000313A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Portable device and method for accessing device activated by key data

Номер патента: RU2274899C2. Автор: Деннис В. ХОЛЛИНГШЕД. Владелец: Байоскрипт Инк.. Дата публикации: 2006-04-20.

Memory cell for high-speed eeprom with controlled potential of under-gate region

Номер патента: RU2465659C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Олег Михайлович Орлов,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2012-10-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.