Gas-phase method of forming radiation-sensitive patternable material
Номер патента: US20230324803A1
Опубликовано: 12-10-2023
Автор(ы): David Kurt De Roest, Jan Deckers, Kishan Ashokbhai Patel, René Henricus Jozef Vervuurt, Timothee Blanquart, Yoann Tomczak
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-10-2023
Автор(ы): David Kurt De Roest, Jan Deckers, Kishan Ashokbhai Patel, René Henricus Jozef Vervuurt, Timothee Blanquart, Yoann Tomczak
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of forming patterns for semiconductor device structures
Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.