Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of fabricating a flip chip mold injected package

Method of fabricating a flip chip mold injected package

Номер патента: US6083774A
Опубликовано: 04-07-2000
Автор(ы): Kazuhiro Arai, Toshio Shiobara
Принадлежит: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of balanced coefficient of thermal expansion for flip chip ball grid array

Номер патента: US20040121519A1. Автор: Kumar Nagarajan,Shirish Shah,Zafer Kutlu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080017969A1. Автор: Junichi Kimura,Nobuhiro Tada,Yoshitsugu Uenishi,Masanori Sadano,Yoshihisa Maehata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-24.

Assembly process for flip chip package having a low stress chip and resulting structure

Номер патента: US20010013392A1. Автор: Aleksander Zubelewicz,Timothy Carden. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Manufacturing method of flip chip package

Номер патента: US20040266061A1. Автор: Yu-Wen Chen,Chi-Hao Chiu,Chi-Ta Chuang,Chi-Sheng Chao. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor component of semiconductor chip size with flip-chip-like external contacts

Номер патента: US09385008B2. Автор: Michael Weber,Horst Theuss,Helmut Kiendl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Manufacturing method of light emitting device in a flip-chip configuration with reduced package size

Номер патента: US09490398B2. Автор: Nodoka OYAMADA,Kenji Imazu,Shusaku Mochizuki. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of packaging stacked dies on wafer using flip-chip bonding

Номер патента: US09704841B2. Автор: Chien-Li Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Flip chip module with enhanced properties

Номер патента: EP3332419A1. Автор: Julio C. Costa,Thomas Scott Morris,Jonathan Hale Hammond,Jon Chadwick,Stephen Parker,David Jandzinski. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-06-13.

Hollow-cavity flip-chip package with reinforced interconnects and process for making the same

Номер патента: US09793237B2. Автор: Kevin J. Anderson,Tarak A. Railkar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating copper metal bumps for flip-chip or chip-on-board IC bonding on terminating copper pads

Номер патента: US6340608B1. Автор: Xu Yi,Sudipto Ranendra Roy,Mei Sheng Zhou,Subhash Gupta,Paul Ho,John Sudijono,Simon Chooi,Yakub Aliyu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-01-22.

A method of fabricating copper metal bumps for flip-chip or chip-on-board ic bonding on terminating copper pads

Номер патента: SG90779A1. Автор: Aliyu Yakub,Sudijono John,Sheng Zhou Mei,Chooi Simon,Gupta Subhash,Ranendra Roy Sudipto. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-08-20.

Bumpless flip chip assembly with solder via

Номер патента: US20020125581A1. Автор: Charles Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of aligning the film in a flip chip bonder

Номер патента: KR101138704B1. Автор: 김종원. Владелец: 삼성테크윈 주식회사. Дата публикации: 2012-04-19.

Flip chip assembly and method of producing flip chip assembly

Номер патента: US20030015804A1. Автор: Joy Laskar,Daniela Staiculescu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Contact pad structure for flip chip semiconductor die

Номер патента: WO2007053479A3. Автор: Slawomir Skocki,Philip Adamson,Hazel D Schofield. Владелец: Hazel D Schofield. Дата публикации: 2007-12-27.

Contact pad structure for flip chip semiconductor die

Номер патента: WO2007053479A2. Автор: Slawomir Skocki,Hazel D. Schofield,Philip Adamson. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of fabricating a flip-chip ball-grid-array package without causing mold flash

Номер патента: US20020092162A1. Автор: Ying-Chou Tsai,Jen-Yi Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Solder joint flip chip interconnection having relief structure

Номер патента: US09773685B2. Автор: Rajendra D. Pendse,Taewoo Kang,KyungOe Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing method of an input circuit of a flip-flop

Номер патента: US20230412157A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,jin-wei Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Manufacturing method of an input circuit of a flip-flop

Номер патента: US20220173726A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,jin-wei Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Manufacturing method of an input circuit of a flip-flop

Номер патента: US11811407B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,jin-wei Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Preparation method of large-board-level fan-out substrate flip chip packaging structure

Номер патента: CN113299569B. Автор: 杨斌,崔成强,成海涛. Владелец: Guangdong Fozhixin Microelectronics Technology Research Co ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Method of application of conductive cap-layer in flip-chip, cob, and micro metal bonding

Номер патента: US20020100794A1. Автор: Yi Xu,Subhash Gupta,Mei Zhou,John Sudijono,Simon Chooi,Yakub Aliyu,Sudipto Roy,Kwok Keung Ho. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same

Номер патента: US6873032B1. Автор: Paul R. Hoffman,David R. McCann,Richard L. Groover. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Flip-chip package for integrated circuits

Номер патента: US5019673A. Автор: Marc V. Papageorge,Frank J. Juskey,Barry M. Miles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-05-28.

Flip chip mounting method by no-flow underfill

Номер патента: US20080153202A1. Автор: Takashi Mori,Hirofumi Matsumoto,Naruhiko Uemura. Владелец: Nippon Mektron KK. Дата публикации: 2008-06-26.

Flip chip mounting method by no-flow underfill having level control function

Номер патента: US20080153201A1. Автор: Akihiro Nakamura,Takashi Mori,Hirofumi Matsumoto,Naruhiko Uemura. Владелец: Nippon Mektron KK. Дата публикации: 2008-06-26.

Method of manufacturing light emitting device with multiple light emitting elements which are simultaneously connected to mounting board in flip chip manner

Номер патента: US10062814B2. Автор: Yuhki Ito,Yosuke Tsuchiya,Aya KAWAOKA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

MEMS sensor integrated with a flip chip

Номер патента: US09611137B2. Автор: Peter Smeys,Mozafar Maghsoudnia. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Flip chip package

Номер патента: US20040089879A1. Автор: Shih-Chang Lee,Cheng-Yin Lee,Wei-Chang Tai,Gwo-Liang Weng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2004-05-13.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US20170125644A1. Автор: Yuhki Ito,Yosuke Tsuchiya,Aya KAWAOKA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Light emitting device package, backlight unit, and method of manufacturing light emitting device package

Номер патента: US09806245B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Seung-Hyun OH,Kang-Min HAN. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device

Номер патента: EP1021837A1. Автор: Thomas P. Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Light-emitting diode (led) package having flip-chip bonding structure

Номер патента: US20140252402A1. Автор: Young-Jin Cho,Kun-jeong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of manufacturing flip chip package

Номер патента: US20140030855A1. Автор: Young Hwan Shin,Jin Seok Lee,Soon Jin Cho,Ey Yong Kim,Jong Yong Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Flip-chip system and method of making same

Номер патента: WO2004039886A3. Автор: Tian-An Chen,Song-Hua Shi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Flip chip on lead frame

Номер патента: US20050037545A1. Автор: Lily Khor,Au Yeun. Владелец: Carsem M Sdn Bhd. Дата публикации: 2005-02-17.

Flip chip package with anti-floating structure

Номер патента: US20060125113A1. Автор: Chien Liu,Meng-Jen Wang,Sheng-Tai Tsai. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Flip chip scheme and method of forming flip chip scheme

Номер патента: US20160190083A1. Автор: Jia-Wei Fang,Shen-Yu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method and encapsulant for flip-chip assembly

Номер патента: WO2013165323A3. Автор: Sathid Jitjongruck,Anongnat Somwangthanaroj. Владелец: Mektec Manufacturing Corporation (Thailand) Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Method and encapsulant for flip-chip assembly

Номер патента: US20150054154A1. Автор: Sathid Jitjongruck,Anongnat Somwangthanaroj. Владелец: Mektec Manufacturing Corp Thailand Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Flip chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583368B2. Автор: Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Low cost, high performance flip chip package structure

Номер патента: WO2005008730A3. Автор: Rajendra D Pendse. Владелец: Rajendra D Pendse. Дата публикации: 2005-10-27.

Flip-chip packaging substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190348375A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Pao-Hung Chou,Tung-Yao Kuo,Chun-Hsien Yu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Flip-chip device having underfill in controlled gap

Номер патента: EP1992016A2. Автор: Mark A. Gerber,Sohichi Kadoguchi,Masakazu Hakuno. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-11-19.

Flip-chip device having underfill in controlled gap

Номер патента: WO2007101239A2. Автор: Mark A. Gerber,Sohichi Kadoguchi,Masakazu Hakuno. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-07.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US20240304466A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Flip-chip bonding apparatus and method of using the same

Номер патента: US20230343743A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Yi-Jung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US12020952B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for exchanging a semiconductor chip of a flip-chip module and a flip-chip module suitable therefor

Номер патента: EP1987534A1. Автор: Ernst-A. Weissbach. Владелец: HTC Beteiligungs GmbH. Дата публикации: 2008-11-05.

Flip chip bump with multi-PI opening

Номер патента: US11978713B2. Автор: BO Yang,Ning Ye,Shenghua Huang,Yangming Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatus and method for flip chip laser bonding

Номер патента: US20240178182A1. Автор: Geunsik Ahn,Youn Sung Ko. Владелец: PROTEC CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Flip Chip Bump With Multi-PI Opening

Номер патента: US20230378112A1. Автор: BO Yang,Ning Ye,Shenghua Huang,Yangming Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Flip-chip system and method of making same

Номер патента: WO2004038769A3. Автор: Saikumar Jayaraman,Vijay Wakharkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Flip-chip system and method of making same

Номер патента: WO2004038769A2. Автор: Saikumar Jayaraman,Vijay Wakharkar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-05-06.

Method for stress reduction in flip chip bump during flip chip mounting and underfill process steps of making a microelectronic assembly

Номер патента: US20030045028A1. Автор: Ken Chen,Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Jones Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Adaptive Flip Chip Bonding for Semiconductor Packages

Номер патента: US20240213035A1. Автор: Swee Kah Lee,Fong Mei Lum,Chew Yeek Lau,Kon Hoe Chin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-27.

Inversion-type package structure for flip chip and flip chip having the same

Номер патента: US20180350711A1. Автор: Yuepeng YAN,Xuan TANG,Zhen Meng,Xingcheng Zhang,Mou LIU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-12-06.

Flip chip thermally enhanced ball grid array

Номер патента: US20010026955A1. Автор: John Briar. Владелец: ST Assembly Test Services Pte Ltd. Дата публикации: 2001-10-04.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Flip chip module with enhanced properties

Номер патента: US9960145B2. Автор: Julio C. Costa,Thomas Scott Morris,Jonathan Hale Hammond,Jon Chadwick,Stephen Parker,David Jandzinski. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Flip-chip mounted semiconductor device

Номер патента: US9704771B2. Автор: Kotaro Watanabe,Yukimasa Minami,Yoichi Mimuro. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package structure including the semiconductor package

Номер патента: US20240266307A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Flip-chip mounted semiconductor device

Номер патента: US09704771B2. Автор: Kotaro Watanabe,Yukimasa Minami,Yoichi Mimuro. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20200168477A1. Автор: Jin Kuk Lee,Jae Jin KWON. Владелец: LB Semicon Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09985008B2. Автор: JunHo Lee,Hongbin Shi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of fabricating three dimensional integrated circuit

Номер патента: US09761513B2. Автор: Chun Hui Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Flip-chip component packaging process and flip-chip component

Номер патента: CA2516058A1. Автор: Lary R. Larson,Mark R. Boone,Andreas A. Fenner,Juan G. Milla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Flip-chip component packaging process and flip-chip component

Номер патента: WO2004075294A2. Автор: Lary R. Larson,Mark R. Boone,Andreas A. Fenner,Juan G. Milla. Владелец: MEDTRONIC INC.. Дата публикации: 2004-09-02.

Flip-chip component packaging process and flip-chip component

Номер патента: EP1599902A2. Автор: Lary R. Larson,Mark R. Boone,Andreas A. Fenner,Juan G. Milla. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2005-11-30.

Interconnection by method of flip-chip based on formed connections

Номер патента: RU2441298C2. Автор: Марта УИЛСОН,Войтек СУДОЛ. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2012-01-27.

Manufacturing method of flip chip package structure

Номер патента: US20240203914A1. Автор: Yang-Ming Shih,Shiann-Tsong Tsai,Hung-Yun Hsu. Владелец: Amazing Cool Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Flip chip package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955443B2. Автор: Yang-Ming Shih,Shiann-Tsong Tsai,Hung-Yun Hsu. Владелец: Amazing Cool Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Flip chip package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230260936A1. Автор: Yang-Ming Shih,Shiann-Tsong Tsai,Hung-Yun Hsu. Владелец: Amazing Cool Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20060030075A1. Автор: Nobuhiro Kinoshita,Michiaki Sugiyama,Junpei Konno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Fabrication method of semiconductor package with stacked semiconductor chips

Номер патента: US20180261563A1. Автор: Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of manufacturing a flip chip package and an apparatus for testing flip chips

Номер патента: US20200357705A1. Автор: Dong Jin Kim,Chang Hyun Kim,Jee Won CHUNG,Byeung Ho KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods for improving thermal performance of flip chip packages

Номер патента: US09691683B2. Автор: Jaydutt Jagdish Joshi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Flip chip package and method of fabricating the same

Номер патента: US20080006919A1. Автор: Chi-hyun In. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US09295166B2. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Method of manufacturing a molded flip chip package to facilitate electrical testing

Номер патента: US11784100B2. Автор: Dong Jin Kim,Chang Hyun Kim,Jee Won CHUNG,Byeung Ho KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Selective underfill for flip chips and flip-chip assemblies

Номер патента: WO2004061934A1. Автор: Marc Chason,Jan Danvir. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-07-22.

Flip chip semiconductor packages

Номер патента: US20240063109A1. Автор: Kyunglyul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of fabricating wafer level package

Номер патента: US20130344627A1. Автор: Eun-Kyoung Choi,Sang-Won Kim,Sang-uk Han,Jong-Youn Kim,Ji-Seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US12046526B2. Автор: Jin-woo Park,Jung-Ho Park,Jae Gwon Jang,Gwang Jae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Adhesive for mounting flip chip for use in a method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09748195B2. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170345679A1. Автор: Sangjin Kim,TaeYong KWON,Yunkyeong JANG,Donghoon HWANG,Sebeom OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20180130665A1. Автор: Hyun Park,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Flip Chip Interconnection Having Narrow Interconnection Sites on the Substrate

Номер патента: US20120211880A9. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor Device and Method of Protecting Passivation Layer in a Solder Bump Process

Номер патента: US20100200985A1. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210111128A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Thermal compression flip chip bump for high performance and fine pitch

Номер патента: US12113038B2. Автор: Wei Wang,WEI Hu,Yangyang Sun,Lily Zhao,Dongming He,Hung-Yuan Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332268A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating a semiconductor package having mold layer with curved corner

Номер патента: US09929131B2. Автор: Hyein YOO,Yeongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Flip chip technology using electrically conductive polymers and dielectrics

Номер патента: US5074947A. Автор: Richard H. Estes,Frank W. Kulesza. Владелец: Epoxy Technology Inc. Дата публикации: 1991-12-24.

Semiconductor Device and Method of Protecting Passivation Layer in a Solder Bump Process

Номер патента: US20120211881A9. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Package having redistribution layer structure with protective layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355756A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices

Номер патента: US09984881B2. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Fan-out panel level package and method of fabricating the same

Номер патента: US09892980B2. Автор: Jinsung Kim,Younghoon Sohn,Yusin Yang,Chungsam Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US09818699B2. Автор: Bongchan Kim,Young-ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating semiconductor package having semiconductor element

Номер патента: US09812340B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Fu-Tang HUANG,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating semiconductor package having an interposer structure

Номер патента: US09548220B2. Автор: Chun-Tang Lin,Yi-Che Lai,Yi-Chian Liao,Kuan-Wei Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Flip chip technology using electrically conductive polymers and dielectrics

Номер патента: US5237130A. Автор: Richard H. Estes,Frank W. Kulesza. Владелец: Epoxy Technology Inc. Дата публикации: 1993-08-17.

Methods for improving thermal performance of flip chip packages

Номер патента: US20150243580A1. Автор: Jaydutt Jagdish Joshi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of producing contactless microelectronic device, particularly for electronic passport

Номер патента: RU2464635C2. Автор: Оливье БРЮНЕ,Иван ПЭЙТАВЭН,Жан-Франсуа САЛЬВО. Владелец: Смарт Пэкэджинг Солюшнс (Спс). Дата публикации: 2012-10-20.

Flip-chip LED, method for manufacturing the same and flip-chip package of the same

Номер патента: US09559265B2. Автор: Christopher Chyu,Ta-Lun Sung,Tung-Sheng Lai. Владелец: Mao Bang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US7712650B2. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Photoelectric device, method of fabricating the same and packaging apparatus for the same

Номер патента: US8093078B2. Автор: Chester Kuo,Hung Chin Lin. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US20070080190A1. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

MANUFACTURING METHOD OF AN INPUT CIRCUIT OF A FLIP-FLOP

Номер патента: US20220173726A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,CHEN Chih-Liang,XU JIN-WEI. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Flip chip bonder and flip chip bonding method

Номер патента: US09536856B2. Автор: Kohei Seyama. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Flip-chip bga assembly process

Номер патента: US20130059416A1. Автор: Yu-Chih Liu,Jing Ruei Lu,Sao-Ling Chiu,Hsin-Yu Pan,Wei-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of application of conductive cap-layer in flip-chip, COB, and micro metal bonding

Номер патента: US6378759B1. Автор: Yi Xu,Sudipto Ranendra Roy,Mei Sheng Zhou,Subhash Gupta,Kwok Keung Paul Ho,Simon Chooi,Yakub Aliyu,John Leonard Sudijono. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-04-30.

Packaged memory device with flip chip and wire bond dies

Номер патента: US12021061B2. Автор: YI Su,Kévin DU,Shixing Zhu,Hope Chiu,Paul Qu,Rui YUan,Zengyu Zhou. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: US20230178484A1. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A3. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A2. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-07.

Semiconductor package of a flipped MOSFET chip and a multi-based die paddle with top surface groove-divided multiple connecting areas for connection to the flipped MOSFET electrodes

Номер патента: US09929076B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020048904A1. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Methods of fabricating passive element without planarizing and related semiconductor device

Номер патента: US20080054393A1. Автор: Timothy Dalton,Jeffrey Gambino,Anthony Stamper,Ebenezer Eshun,Kunal Vaed,Anil Chinthakindi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of fabricating heat dissipating board

Номер патента: US09363885B1. Автор: Tsuyoshi Takagi,Noriaki Taneko,Shukichi Takii. Владелец: Meiko Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Flip chip package structure and fabrication process thereof

Номер патента: US09735122B2. Автор: Xiaochun Tan. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Flip chip package structure and fabrication process thereof

Номер патента: US09653355B2. Автор: Xiaochun Tan. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Dicing-tape integrated film for backside of semiconductor and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09679797B2. Автор: Akihiro Fukui,Naohide Takamoto,Hiroyuki Hanazono. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321823A1. Автор: Sunchul Kim,Donguk Kwon,Gongmyeong KIM,Chaein MOON,Hyeonrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus For Mounting A Flip Chip On A Substrate

Номер патента: US20100040449A1. Автор: Patrick Blessing,Ruedi Grueter,Dominik Werne. Владелец: ESEC AG. Дата публикации: 2010-02-18.

Flip chip interconnect solder mask

Номер патента: US09545014B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Flip chip interconnect solder mask

Номер патента: US09545013B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing a flip chip package and apparatus to attach a semiconductor chip used in the method

Номер патента: US20120100668A1. Автор: Ho-geon Song,Mitsuo Umemoto,Chang-seong Jeon,Sang-sick Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of manufacturing a flip chip package and apparatus to attach a semiconductor chip used in the method

Номер патента: US8697494B2. Автор: Ho-geon Song,Mitsuo Umemoto,Chang-seong Jeon,Sang-sick Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-15.

Hybrid element and method of fabricating the same

Номер патента: US12087754B2. Автор: Hyunjoon Kim,Dongho Kim,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Joonyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20240162128A1. Автор: Gi Jo Jung. Владелец: LB Semicon Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Wiring design method, wiring structure, and flip chip

Номер патента: US11887923B2. Автор: Ji Zhou,Xinpeng Feng,Gang Qin,Aofeng Qian. Владелец: NextVPU Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Flip-chip bonding apparatus using VCSEL device

Номер патента: US11810890B2. Автор: Geunsik Ahn,Youn Sung Ko. Владелец: PROTEC CO Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Wiring design method, wiring structure, and flip chip

Номер патента: EP3951868A1. Автор: Ji Zhou,Xinpeng Feng,Gang Qin,Aofeng Qian. Владелец: NextVPU Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Semicondunctor device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2012028109A1. Автор: Wei Huang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

Methods for flip chip stacking

Номер патента: US09508563B2. Автор: Suresh Ramalingam,Woon-Seong Kwon. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of fabricating substrate structure

Номер патента: US20180138140A1. Автор: Ching-Wen Chiang,Hsin-Ta Lin. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of fabricating a hollow wall for controlling directional deposition of material

Номер патента: AU2019477107A1. Автор: Pavel ASEEV,Amrita Singh,Guanzhong WANG,Ekaterina CHERNYSHEVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of fabricating electrodes, method of fabricating thin film transistor, method of fabricating array substrate, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3535776A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-09-11.

Method of fabricating a hollow wall for controlling directional deposition of material

Номер патента: EP4095886A1. Автор: Pavel ASEEV,Amrita Singh,Guanzhong WANG,Ekaterina CHERNYSHEVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-30.

Mask set for fabricating integrated circuits and method of fabricating integrated circuits

Номер патента: US8758961B1. Автор: Chooi Pei Lim,Francis Man-Chit Chow,Jordan Plofsky,Danny Biran. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Method of fabricating crystalline island on substrate

Номер патента: US20170154903A1. Автор: Douglas R. Dykaar. Владелец: DIFTEK LASERS Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Photomasks, methods of fabricating the photomasks, and method of fabricating semiconductor devices by using the photomasks

Номер патента: US09817309B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Byung-gook Kim,Sang-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating crystalline island on substrate

Номер патента: US09601329B2. Автор: Douglas R. Dykaar. Владелец: DIFTEK LASERS Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Integrated circuit, system and method of forming same

Номер патента: US12131998B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Trench field-effect device and method of fabricating same

Номер патента: US09601336B2. Автор: Hongwei Zhou,Dongyue Gao. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Substrate with locally integrated single crystalline silicon layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20060144323A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

FinFET devices having fins with a tapered configuration and methods of fabricating the same

Номер патента: US09875905B2. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Flip chip light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680059B2. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09627213B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20160064234A1. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of fabricating conductive pattern, display device, and method of fabricating display device

Номер патента: US12041830B2. Автор: Jong Hyun Choung,Hong Sick Park,Jae Uoon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Fabrication method of implanting siliconions into the silicon substrate

Номер патента: US20020155701A1. Автор: Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating semiconductor device and computing system for implementing the method

Номер патента: US09754789B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Yoon-hae Kim,Jong-Shik Yoon,Byung-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating a semiconductor device including a plurality of isolation features

Номер патента: US09685344B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US09508551B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jeehoon HAN,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of fabricating miniaturized semiconductor or other device

Номер патента: US09443755B2. Автор: Steven Zhang,Donjiang WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of fabricating temperature control device

Номер патента: US6848171B2. Автор: Kazuya Kuriyama,Yoichi Yasue. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 2005-02-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240071810A1. Автор: Hoon Han,Byung Keun Hwang,Young Hun Sung,Youn Joung CHO,Eun Hyea Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Bonding tool of flip chip laser bonding apparatus

Номер патента: US20240258265A1. Автор: Hyun Gu Kang. Владелец: Mi Equipment Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Bonding tool of flip chip laser bonding apparatus

Номер патента: EP4407662A1. Автор: Hyun Gu Kang. Владелец: Mi Equipment Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of forming SiOCN material layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09887080B2. Автор: Gi-gwan PARK,Kang-Hun Moon,Yong-Suk Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842841B2. Автор: Ji Hun Kim,Wonseok Yoo,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Ilgweon KIM,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09793165B2. Автор: Kyu-Ha Lee,Taeje Cho,Hogeon SONG,SeYoung JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming key patterns and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09704721B2. Автор: Ja-Min Koo,Heeju Shin,Jonghwa Baek,Boo-Hyun Ham,Rankyung Jung,Hyunchang LEE,Yongkug Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of generating plasma in remote plasma source and method of fabricating semiconductor device using the same method

Номер патента: US09685346B2. Автор: Sangheon Lee,Gon-Jun KIM,Sam Hyungsam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing a FinFET device having a stepped profile

Номер патента: US09514991B2. Автор: Yuan-Shun Chao,Hou-Yu Chen,Chih-Wei Kuo,Shyh-Horng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of fabricating a transistor using contact etch stop layers

Номер патента: US09412841B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US8038864B2. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Method of fabricating conductor structures with metal comb bridging avoidance

Номер патента: WO2002025715A3. Автор: Sey-Ping Sun,Bradley K Davis,Shengnian Song. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of fabricating conductor structures with metal comb bridging avoidance

Номер патента: WO2002025715A2. Автор: Sey-Ping Sun,Bradley K. Davis,Shengnian Song. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-03-28.

Flip-chip process and bonding equipment

Номер патента: US11605554B2. Автор: Chang-Fu Lin,Yu-Lung Huang,Chih-Ming Huang,Kuo-Hua Yu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US20080023335A1. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Fabricating a gate oxide

Номер патента: US8501562B1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Flip-chip process and bonding equipment

Номер патента: US20220406642A1. Автор: Chang-Fu Lin,Yu-Lung Huang,Chih-Ming Huang,Kuo-Hua Yu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of fabricating semiconductor device and patterning semiconductor structure

Номер патента: US12062547B2. Автор: Hsing Ou Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of fabricating a sige semiconductor structure

Номер патента: EP1716598A1. Автор: Peter Deixler,Roy Colclaser,Brian Wroblewski. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Method of fabricating self-aligned polysilicon via plug

Номер патента: US6291338B1. Автор: JHY-JYI SZE,Benjamin Szu-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040229467A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US20050142738A1. Автор: Byeong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060263982A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor device having a structure to improve contact processing margin, and method of fabricating the same

Номер патента: US20070037354A1. Автор: Dae Kim,Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US7067360B2. Автор: Byeong Ryeol Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-27.

Display substrate and method of fabricating display substrate

Номер патента: EP3453052A1. Автор: Dejiang Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-13.

Methods of fabricating a semiconductor device having low contact resistance

Номер патента: US20120208335A1. Автор: Ho Jin Cho,Yong Soo Joung,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of fabricating memory devices

Номер патента: US09960170B1. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Jemin PARK,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09923056B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of fabricating a semiconductor device having a via structure and an interconnection structure

Номер патента: US09905458B2. Автор: Seongho Park,Yongkong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09881809B2. Автор: Hong-Ji Lee,Xin-Guan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of fabricating semiconductor device with an overlay mask pattern

Номер патента: US09812364B2. Автор: Jong-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09793158B2. Автор: Yong Kong Siew,Hyunsu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09768025B2. Автор: Yongkong SIEW,Sung-yup Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of fabricating acoustic resonator with planarization layer

Номер патента: US09680439B2. Автор: Stefan Bader,Phil Nikkel,Robert Thalhammer. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09620518B2. Автор: Yao-Fu Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09564510B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09412649B1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Tsai-Sheng Gau,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Kuei-Shun Chen,Ta-Ching Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of fabricating silicon thin film layer

Номер патента: US20070048983A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Ji-sim Jung,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Process gas for cryogenic etching, plasma etching apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230230840A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Dongkyu LEE,Songyun Kang,Younseon Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of fabricating gate

Номер патента: US6448605B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-10.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: US20140170801A1. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080085472A1. Автор: Hyoung-Joo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074288A1. Автор: Kenichi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090197378A1. Автор: Satoru Shimada,Seiji Otake,Yasuhiro Takeda. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-06.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: US20060099757A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for fabricating a clamping device for flexible substrate

Номер патента: US7926170B2. Автор: Te-Chi Wong,Chen-Der Tsai,Chin-Jyi Wu,Yun-Chuan Tu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-04-19.

A method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: WO1996010839A1. Автор: Rick C. Jerome,Ian R. C. Post. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1996-04-11.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20200227314A1. Автор: Ji Young Kim,Sung Bin Park,Han Seong Kim,Jong Min Baek,Kyu Hee Han,Deok Young Jung,Yeong Gil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20120090535A1. Автор: Takashi Nakao,Hiroshi Itokawa,Tsutomu Sato,Shinji Mori,Ichiro Mizushima,Masahiko Murano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

A method of fabricating a release substrate

Номер патента: EP1709676A1. Автор: Olivier Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-10-11.

A method of fabricating a release substrate

Номер патента: WO2005074022A1. Автор: Olivier Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of fabricating a capacitor

Номер патента: US20240162279A1. Автор: Vincent Caro,Quentin Paoli. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of fabricating silicon carbide material

Номер патента: US20220024773A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of fabricating gate

Номер патента: US20020052103A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Methods of Forming Interconnect Structures in Semiconductor Fabrication

Номер патента: US20210375756A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of fabricating a release substrate

Номер патента: US7544265B2. Автор: Olivier Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-06-09.

Method of fabricating a release substrate

Номер патента: US20070077729A1. Автор: Olivier Rayssac,Pierre Rayssac,Gisele Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2007-04-05.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7932102B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of fabricating a multilayered dielectric diffusion barrier layer

Номер патента: US7470597B2. Автор: Elbert E. Huang,Jeffrey C. Hedrick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US10777588B2. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a cmos process flow

Номер патента: US20170084465A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140124834A1. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US8987118B2. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-24.

Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20170170012A1. Автор: Insu Jeon,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of fabricating metal silicide layer

Номер патента: US20060154474A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Yiing Chiang,Yu-Lan Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of fabricating MOS transistor

Номер патента: US20060141720A1. Автор: Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of Fabricating Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Номер патента: US20080038909A1. Автор: Woong Je Sung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080076213A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20180047585A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Chun-Hung Lee,Tzu-Yen Hsieh,Dai-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20220359282A1. Автор: Taesung Lee,JongSeok Lee,Uihyoung LEE,Honyun Park,Sewan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972683B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09966262B2. Автор: JaeWoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09947771B2. Автор: Byoung-Keon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating a vertical MOS transistor

Номер патента: US09941390B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09911613B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09847266B2. Автор: Kangmin JEON,Jaehyun Lee,Dongsoo Lee,Hyung Joo Lee,Kyounghoon Han,Tae-Hwa Kim,Chanhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for fabricating a finFET metallization architecture using a self-aligned contact etch

Номер патента: US09818876B1. Автор: Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating packaging substrate having embedded through-via interposer

Номер патента: US09781843B2. Автор: Dyi-chung Hu,Tzyy-Jang Tseng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US09779963B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Chun-Hung Lee,Tzu-Yen Hsieh,Dai-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating memory device

Номер патента: US09748261B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of fabricating FinFET device and structure thereof

Номер патента: US09653593B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating semiconductor structure with improved critical dimension control

Номер патента: US09653345B1. Автор: En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Che-Yi Lin,Chia-Hsun Tseng,Shin-Feng Su,Shang-Nan Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of fabricating switched-capacitor DC-to-DC converters

Номер патента: US09640445B1. Автор: Jae Ho Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

FinFET and method of fabricating the same

Номер патента: US09634104B2. Автор: Donald Y. Chao,Hou-Yu Chen,Shyh-Horng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627247B2. Автор: Hong-Ji Lee,Fang-Hao Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09614025B2. Автор: Chung-Yen Chou,Kuo-Chi Tu,Chih-Yang Pai,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09613967B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang,Yi-Hao Chien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09559112B2. Автор: Youngwoo Park,Jungdal CHOI,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabricating semiconductor device having a trench structure penetrating a buried layer

Номер патента: US09543190B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09543165B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09530870B2. Автор: Nam-Kyu Kim,Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Byeongchan Lee,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Sujin JUNG,Dong Chan Suh,Jieon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Carrier and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09496163B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Hyungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09496144B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Packaging structure and packaging method of digital circuit

Номер патента: US11791232B2. Автор: Yang Liu,Xiaojun Zhang,Bo Peng,Ling Gao,Qiang Duan,Dapeng Bi,Congge Lu. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240222123A1. Автор: Jiho Park,Ji-Eun Lee,Young-Seung Cho,Kang In KIM,Si Nyeon KIM,Youngwoo SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures

Номер патента: EP1523766A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-04-20.

Method of Semiconducotr integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20140138838A1. Автор: Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20120015510A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20110275204A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US7981782B2. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Method of fabricating a 3-d device

Номер патента: US20110171781A1. Автор: Dong Ho Lee,Jong Ho Lee,Eun Chul Ahn,Yong Chai Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of fabricating high-voltage CMOS device

Номер патента: US20050142723A1. Автор: Kwang Ko. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of fabricating a transistor with reduced hot carrier injection effects

Номер патента: US20170243950A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Miniature field plate t-gate and method of fabricating the same

Номер патента: WO2020214227A9. Автор: Jeong-Sun Moon,Joel C. Wong,Robert M. GRABAR,Michael T. ANTCLIFFE. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Miniature field plate t-gate and method of fabricating the same

Номер патента: EP3948955A2. Автор: Jeong-Sun Moon,Joel C. Wong,Robert M. GRABAR,Michael T. ANTCLIFFE. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2022-02-09.

Cleaning composition, cleaning apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20190241844A1. Автор: Young-Hoo Kim,Jung-min Oh,Tae Keun Kim,Min Hee Cho,Ji Soo Jeong,Hyo San LEE,Ye Rim YEON,Mi Hyun Park,Hae Rim Oh. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210272815A1. Автор: Chong Kwang Chang,Sug Hyun SUNG,Dong Hoon KHANG,Min Hwan JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of Semiconductor Integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20160172196A1. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of fabricating a mask

Номер патента: US20180226250A1. Автор: Chieh-Te Chen,Cheng-Yu Wang,Hsien-Shih Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device, display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010020702A1. Автор: Kiichi Hirano,Naoya Sotani,Toshifumi Yamaji,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160086813A1. Автор: Un-Gyu Paik,Sang-kyun Kim,Dong-jun Lee,Jong-woo Kim,Ye-Hwan Kim,Ji-hoon SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of fabricating a diode

Номер патента: US8034700B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Reiner Barthelmess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-10-11.

Method of fabricating a diode

Номер патента: US20100136774A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Reiner Barthelmess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-06-03.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130034960A1. Автор: HAIYANG Zhang,Dongjiang Wang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: US10446396B2. Автор: Tsung-Yao Wen,Angus Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20090075462A1. Автор: Rolf Weis,Dirk Manger,Christoph Noelscher. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US8906805B2. Автор: Sang-Yong Park,Jin-Taek Park,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US12074031B2. Автор: Chong Kwang Chang,Sug Hyun SUNG,Dong Hoon KHANG,Min Hwan JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of fabricating semiconductor strucutre

Номер патента: US20200098583A1. Автор: Jr-Sheng Chen,Chih-Hsien Hsu,Chin-Han Meng,An-Chi Li,Lin-Ching Huang,Yu-Pei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of fabricating a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7205197B2. Автор: Katsuji Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-17.

Miniature field plate T-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US11764271B2. Автор: Jeong-Sun Moon,Joel C. Wong,Robert M. GRABAR,Michael T. ANTCLIFFE. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130280882A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4246592A1. Автор: Jaejin Lee,Youngjun Kim,Eun-Ok Lee,Taekyung Yoon,Hunyoung Bark,Dongju Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266188A1. Автор: Kiseok Kim,Jihye SHIM,Okseon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating a damascene structure

Номер патента: US20020137319A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Hsueh-Chung Chen,Yung-Tsung Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of fabricating capacitor having hafnium oxide

Номер патента: US20030003648A1. Автор: Chang-Rock Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of fabricating memory

Номер патента: US20100323483A1. Автор: Cheng-Ming Yih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of fabricating semiconductor device using photo key

Номер патента: US20140038383A1. Автор: Jae-Hong Park,Dong-Chan Kim,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Gyung-Jin Min,Yong-Moon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of fabricating node contacts

Номер патента: US20020115291A1. Автор: Tzung-Han Lee,King-Lung Wu,Kun-Chi Lin. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP NO 3. Дата публикации: 2002-08-22.

Method of fabricating buried contact

Номер патента: US20020058367A1. Автор: Shih-Ying Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Cerium oxide nanoparticles, methods for fabricating the same and methods for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230167566A1. Автор: Sang Kyun Kim,Min Young Kim,Kyu Hyoung Lee,Hyo San LEE,Chul Oh Park,In Kwon Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-06-01.

Spatial semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150048486A1. Автор: Chih-Chien Liu,Wen-Yi Teng,Hung-Lin Shih,Jei-Ming Chen,Chieh-Wen Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332059A1. Автор: Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Youngin Kim,Byoungho Kwon,Jin-Woo Bae,Byungsoo JOO,Yeil KIM,Kyoungjoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240313066A1. Автор: Chan Hwang,Soo Kyung Kim,Jonghyun JUNG,Moosong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Oxide semiconductor sputtering target and method of fabricating thin-film transistor using same

Номер патента: US12119225B2. Автор: Shinhyuk Kang,Jeonghyun Moon,Kangmin Ok. Владелец: KV Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US20140084469A1. Автор: Hsiang-Huan Lee,Ming Han Lee,Tz-Jun Kuo,Chien-Hsin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and patterning method

Номер патента: US09984931B2. Автор: Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Dongwoo Han,Kwang-Yong Yang,Haegeon JUNG,KyungYub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09953841B2. Автор: Kuang-Chao Chen,Yen-Ju Chen,Shih-Ping Hong,Yuan-Chieh Chiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09947583B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09941139B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09917117B2. Автор: Moo Soon KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Self-aligned contact etch for fabricating a FinFET

Номер патента: US09905473B1. Автор: Guillaume Bouche,Vimal Kamineni,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Polycrystalline silicon thin film transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09891501B2. Автор: Ting-Yu Hsu,Hsiang-Yun Hsiao,Pei-Yun Wang,Cheng-Wei JIANG,Ya-Qin HUANG,Chia-Kai CHEN,Shih-Liang Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09818825B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Yong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09812329B2. Автор: Jung Sik Choi,Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating synapse memory device

Номер патента: US09773802B2. Автор: XIANYU Wenxu,Seong Ho Cho,Hojung Kim,Inkyeong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09761460B1. Автор: Chia-Ching Lin,En-Chiuan Liou,Yen-Pu Chen,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09755057B1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09728408B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Substrate peeling apparatus and method of fabricating device using the same

Номер патента: US09688062B2. Автор: Yukinori Asakawa. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09679850B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Chen-Hsiang LU,Wei Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of making a FinFET device

Номер патента: US09659810B2. Автор: Chen Kuang-Hsin,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Joanna Chaw Yane Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of fabricating power MOSFET

Номер патента: US09653560B1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excellence Mos Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09640444B2. Автор: Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Kwanyoung Chun,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of fabricating a semiconductor integrated circuit using a directed self-assembly block copolymer

Номер патента: US09640397B2. Автор: Tien-I Bao,Chieh-Han Wu,Chung-Ju Lee,Tsung-Yu Chen,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Yu-Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627514B1. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583705B2. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating semiconductor MOS device

Номер патента: US09577069B1. Автор: Chia-Lin Wang,Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Kuan-Lin Liu,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Shih-Chieh Pu,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09570347B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating transient semiconductor based on single-wall nanotube

Номер патента: US09564319B2. Автор: Sung-Hun Jin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating a semiconductor structure with a self-aligned contact

Номер патента: US09543203B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Wei-Hao Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating vertical field effect transistors with protective fin liner during bottom spacer recess etch

Номер патента: US09530700B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Reinaldo A. Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09524870B2. Автор: Chun-Soo KANG,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating thin-film transistor substrate

Номер патента: US09484442B2. Автор: Yuta Sugawara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09478430B2. Автор: Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of fabricating three-dimensional gate-all-around vertical gate structures and semiconductor devices, and three-dimensional gate-all-round vertical gate structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US09466610B1. Автор: Ta-Hone Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Wiring structure for trench fuse component with methods of fabrication

Номер патента: US09431339B2. Автор: Edward P. Maciejewski,Chengwen Pei,Subramanian S. Iyer,Toshiaki Kirihata,Deepal U. Wehella-Gamage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Reworkable circuit board assembly including a reworkable flip chip

Номер патента: US5953210A. Автор: Ching P. Lo. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1999-09-14.

Flip chip mmic having mounting stiffener

Номер патента: WO2015199908A1. Автор: Tse E. Wong,Jason G. Milne,Ethan S. HEINRICH,Christopher R. Koontz. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2015-12-30.

Method of fabricating wafer

Номер патента: US20140137793A1. Автор: Seok Min Kang,Moo Seong Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Heterostructure system and method of fabricating the same

Номер патента: US11062902B2. Автор: Gil Markovich,Yoram DAGAN,Alon RON,Amir HEVRONI. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Heterostructure system and method of fabricating the same

Номер патента: EP3501038A1. Автор: Gil Markovich,Yoram DAGAN,Alon RON,Amir HEVRONI. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Method of fabricating package

Номер патента: US20230369066A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11107723B1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method of fabricating non-polar and semi-polar devices using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: EP3776672A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Hongjian Li,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-02-17.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210257249A1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323886A1. Автор: Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240280895A1. Автор: Byung-Hyun Lee,Hoin Lee,Dongkyun Lee,Jinnam YEEM,Sangchul Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of fabricating semiconductor devices using a two-step gap-fill process

Номер патента: US20210050522A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Youngmin KO,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Self-aligned contacts and methods of fabrication

Номер патента: US20150279738A1. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andre Labonte,Gabriel Padron Wells. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7651933B2. Автор: Guee-Hwang SIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212206A1. Автор: Se Ho LEE,Bo yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: EP1695377A2. Автор: Huajie Chen,Guy Cohen,Stephen Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-30.

Method of fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: WO2005055290A2. Автор: Huajie Chen,Guy Cohen,Stephen Bedell. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of fabricating a structure with an oxide layer of a desired thickness on a Ge or SiGe substrate

Номер патента: US20060270244A1. Автор: Nicolas Daval,Yves-Mathieu Le Vaillant. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-11-30.

Power Module Having Stacked Flip-Chip and Method for Fabricating the Power Module

Номер патента: US20140273349A1. Автор: O-seob Jeon,Seung-won Lim,Keun-hyuk Lee,Yun-Hwa Choi,Joon-Seo Son. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Power Module Having Stacked Flip-Chip and Method of Fabricating the Power Module

Номер патента: US20100155914A1. Автор: O-seob Jeon,Seung-won Lim,Yun-Hwa Choi,Joon-Seo Son,Keun-kyuk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

Flip chip bonder and method of correcting flatness and deformation amount of bonding stage

Номер патента: US09406640B2. Автор: Kohei Seyama. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Polymer redistribution of flip chip bond pads

Номер патента: WO2002017392A3. Автор: Richard H Estes. Владелец: Polymer Flip Chip Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Method of batch-fabricating flip-chip bonded dual integrated circuit arrays

Номер патента: US4416054A. Автор: Richard N. Thomas,Michael M. Sopira. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1983-11-22.

Method for co-designing flip-chip and interposer

Номер патента: US09589092B2. Автор: Chi-Jih SHIH,Jia-Wei Fang,Shen-Yu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Flip-chip Mounting Structure and Flip-chip Mounting Method

Номер патента: US20120273942A1. Автор: Daisuke Uchida. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Self-aligned, flip-chip focal plane array configuration

Номер патента: US4369458A. Автор: Richard N. Thomas,Michael M. Sopira. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1983-01-18.

Low-noise flip-chip packages and flip chips thereof

Номер патента: US09490227B2. Автор: Ian Juso Dedic,Ghazanfer Ali. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

[flip-chip substrate and flip-chip bonding process thereof]

Номер патента: US20040119171A1. Автор: Yu-Wen Chen,Ming-Lun Ho,Chun-Yang Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Flip chip ball grid array package

Номер патента: US20240243046A1. Автор: Chi-Yuan Chen,Tai-Yu Chen,Chun-Yin Lin,Li-song LIN. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of handling test pad and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230395440A1. Автор: Jun Zhou,Sheng Hu,Qiong Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Flip chip package

Номер патента: US20090230549A1. Автор: Jong-Joo Lee,Cha-Jea JO,Tae-Joo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-17.

Flip chip package

Номер патента: US20120223427A1. Автор: Jong-Joo Lee,Cha-Jea JO,Tae-Joo Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-06.

Method of fabricating memory devices including b-site dopants and logic devices through wafer bonding

Номер патента: US20240276734A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Biswajeet Guha,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi,James David Clarkson,Abel Fernandez. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Flip chip devices with flexible conductive adhesive

Номер патента: WO1999056509A9. Автор: Kevin Kwong-Tai Chung. Владелец: Chung Kevin Kwong Tai. Дата публикации: 2000-03-16.

Power distribution design method for stacked flip-chip packages

Номер патента: US20030209809A1. Автор: Edward Nowak,Jerome Lasky,Edmund Sprogis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Flip-chip integrated circuit routing to I/O devices

Номер патента: US20010020746A1. Автор: Ramoji Rao,Mike Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Flip chip bonding apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120118876A1. Автор: Jung Hyun Cho,Sang Jean JEON,Hyungjoon Kim,Jae Bong Shin,Byung Joon Lee,Yury Tolmachev,Moon Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Flip-chip bonding structure and substrate thereof

Номер патента: US20230378044A1. Автор: Chin-Tang Hsieh,Chen-Yu Wang,Chih-Ming Kuo,Chun-Ting Kuo,Lung-Hua Ho,Kung-An Lin,Pai-Sheng Cheng,Chih-Hao Chiang,Yu-Hui Hu. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Chip package and its method of fabrication

Номер патента: US20240162259A1. Автор: Julien Cuzzocrea,Younes BOUTALEB. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8633038B2. Автор: Hideo Kawano,Haruko Tamegai,Tooru YASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of making a cavity ball grid array apparatus

Номер патента: US20020042160A1. Автор: Jerry Brooks,Steven Thummel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230081723A1. Автор: Yong Hyun Kim,Ju Hyung Lee,Min Jae Lee,Sun Chul Kim,Dong Uk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Flip-chip light emitting diode, manufacturing method of flip-chip light emitting diode and display device including flip-chip light emitting diode

Номер патента: US20200052151A1. Автор: Jinhee KANG,Jaephil SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof

Номер патента: US9490404B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method of a flip-chip light emitting diode package module

Номер патента: US09978915B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490404B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

A photon source and method of fabricating a photon source

Номер патента: GB2614300A. Автор: Krystyna Skiba-Szymanska Joanna,James Shields Andrew,Mark Stevenson Richard,Barbiero Andrea. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

Methods of assembling a flip chip on a locking dual leadframe

Номер патента: US10541225B2. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Lee Han Meng @ Eugene LEE,Wei Fen Sueann LIM. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

Flip chip light emitting diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180212105A1. Автор: Tsau-Hua Hsieh,Jong-Jan Lee,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chang-Ho Chen,Chien-Chung Peng,Chien-Shiang Huang,Paul-John Schuele. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Composition and methods of forming solder bump and flip chip using the same

Номер патента: US09462736B2. Автор: Yong Sung Eom,Jong Tae Moon,Sangwon OH,Keonsoo JANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-10-04.

Locking dual leadframe for flip chip on leadframe packages

Номер патента: US20170309595A1. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Lee Han Meng @ Eugene LEE,Wei Fen Sueann LIM. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of fabricating connection structure for a substrate

Номер патента: US09666548B2. Автор: Hsin-Hung Lee,Chih-Sheng Lin,Chun-Lung Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Light-receiving device, light receiver using same, and method of fabricating light-receiving device

Номер патента: US20140231628A1. Автор: Tetsuya Miyatake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Flip chip package substrate

Номер патента: US20040026797A1. Автор: Ho-Ming Tong,Kun-Ching Chen,Chun-Chi Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2004-02-12.

Flip-chip film

Номер патента: US20210351119A1. Автор: Yicheng Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of fabricating light emitting diode and light emitting diode manufactured thereby

Номер патента: US09947845B2. Автор: Seong-Ju Park,Young-Chul LEEM. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20010035528A1. Автор: Fang-Chen Luo,Chien-Sheng Yang. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09905732B2. Автор: Hwa Mok Kim,Ki Yon Park,Jeong Hun HEO,Gun Woo Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and apparatus for testing a flip-chip assembly during manufacture

Номер патента: US09870959B1. Автор: Nagesh Vodrahalli. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Floating heat sink support with conductive sheets and LED package assembly for LED flip chip package

Номер патента: US09748462B2. Автор: Yung Pun Cheng. Владелец: Viribright Lighting Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09496455B2. Автор: Hwa Mok Kim,Ki Yon Park,Jeong Hun HEO,Gun Woo Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Resistive switching memory including resistive switching layer fabricated using sputtering and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167286A1. Автор: Jin Pyo Hong,Tae Yoon Kim,Gwang Ho BAEK,Da Seul HYEON,Gabriel JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040075109A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Flip chip assembly

Номер патента: EP4404260A1. Автор: Lykourgos Bougas,Carsten Raven. Владелец: Quantum Brilliance GmbH. Дата публикации: 2024-07-24.

Deterministic Quantum Emitter Operating At Room Temperature In Optical Communication Wavelength Using Intersubband Transition Of Nitride-Based Semiconductor Quantum Dot, Method Of Fabricating Same, And Operating Method Thereof

Номер патента: US20190027645A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Hwanseop Yeo,JongHoi Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-24.

Flip chip assembly

Номер патента: WO2024153820A1. Автор: Lykourgos Bougas,Carsten Raven. Владелец: Quantum Brilliance GmbH. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating back-illuminated imaging sensors

Номер патента: US20100032783A1. Автор: Pradyumna Kumar Swain,Mahalingam Bhaskaran,Peter Alan Pal Levine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Flexible organic light emitting diode display and method of fabricating the same

Номер патента: US09966572B2. Автор: Jiangjiang JIN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Flip-chip employing integrated cavity filter, and related components, systems, and methods

Номер патента: US09812752B2. Автор: Young Kyu Song,Uei-Ming Jow,Xiaonan Zhang,Sangjo Choi,John Jong-Hoon Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Group III nitride crystals, their fabrication method, and method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09670594B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of fabricating light-scattering substrate

Номер патента: US09464351B2. Автор: Hyun Bin Kim,June Hyoung Park,Gun Sang Yoon. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Flip-chip employing integrated cavity filter, and related components, systems, and methods

Номер патента: US09443810B1. Автор: Young Kyu Song,Uei-Ming Jow,Xiaonan Zhang,Sangjo Choi,John Jong-Hoon Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Flip-chip light-emitting diode unit

Номер патента: US20140339576A1. Автор: Po-Jen Su,Cheng-Yen Chen,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2014-11-20.

Flip-chip light-emitting diode unit

Номер патента: US9373768B2. Автор: Po-Jen Su,Cheng-Yen Chen,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120282745A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of fabricating a sputtering target, sputtering target fabricated by using the method, and an organic light-emitting display apparatus fabricated using the sputtering target

Номер патента: US20150014652A1. Автор: Jin-woo Park,Hun Kim,Su-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of fabricating memory and memory

Номер патента: US20060063279A1. Автор: Shigeharu Matsushita,Kazunari Honma. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Photovoltaic cell and methods of fabricating same.

Номер патента: AU2023250513A1. Автор: DI Yan,James Bullock,Heping SHEN,Sieu Pheng PHANG,Leiping DUAN,Kylie Catchpole,Daniel Harold MACDONALD,Rabin BASNET,Josua Andreas STÜCKELBERGER,Jose de Jesus IBARRA MICHEL. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of recovery of MOTFT backplane after a-Si photodiode fabrication

Номер патента: US09947704B1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Guangming Wang. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating a solar cell

Номер патента: US09899562B2. Автор: Po-Chuan YANG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-20.

Flip-chip light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859483B2. Автор: Hsiu Chang Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-02.

Dopant ink composition and method of fabricating a solar cell there from

Номер патента: US09799783B2. Автор: Paul LOSCUTOFF,Steven Edward Molesa,Kahn Wu. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of fabricating copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell using simplified co-vacuum evaporation and copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell fabricated by the same

Номер патента: US09472708B2. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Sung Woo Choi,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Guk-Yeong Jeong,Hisun Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of insulation for mounting of flip chips

Номер патента: RU2648311C2. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Анатолий Александрович Колбенков,Андрей Анатольевич Стоянов,Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-03-23.

Microlens, and method of fabricating thereof

Номер патента: US20090059391A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2009088890A3. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-09-17.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of fabricating light emitting body protection glass for quantum dot display

Номер патента: US10351468B1. Автор: Taehwan Kim,Hyunyoung Lim. Владелец: JINWOO ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100273304A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of fabricating capacitor over bit line and bottom electrode thereof

Номер патента: US20080124886A1. Автор: Cheng-Che Lee,Tsung-De Lin. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Nanoshell, method of fabricating same and uses thereof

Номер патента: US09991458B2. Автор: Yakov Roizin,Simon Litsyn,Gil Rosenman. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of fabricating group III nitride with gradually degraded crystal structure

Номер патента: US09822465B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09790616B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Solar cell module and method of fabricating the same

Номер патента: US09698290B2. Автор: Bong Seok Moon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09640685B2. Автор: Myoung Seok Sung. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of using laser welding to ohmic contact of metallic thermal and diffusion barrier layer for foil-based metallization of solar cells

Номер патента: US09634178B1. Автор: Nils-Peter Harder,Robert Woehl,Gabriel Harley,Matthieu Moors,Taeseok Kim,Jens-Dirk MOSCHNER,Michel Arsène Olivier Ngamo Toko. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Sputtering target, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09416439B2. Автор: Jin-woo Park,Dong-Jin Kim,Sun-young Jung,Sang-Wook Sin,Il-sang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of integrated scheme integration by flip chip method

Номер патента: RU2667741C1. Автор: Енг Сенг НГ,Сзе Йонг ПАНГ. Владелец: Смартфлекс Текнолоджи Пте Лтд. Дата публикации: 2018-09-24.

Substrate for mounting flip chip and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080105458A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Ji-Eun Kim,Sang-Duck Kim,Jong-Gyu Choi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: WO2019205130A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: US20210354435A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: EP3788653A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Method of fabricating crystal unit, crystal unit fabrication mask, and crystal unit package

Номер патента: US20140158292A1. Автор: Masakazu Kishi,Hajime Kubota,Masayuki Itoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Light emitting diode package and method of fabricating the same

Номер патента: US20130214315A1. Автор: Peiching Ling,Vivek B. Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140220752A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Inspection method, inspection system, and method of fabricating semiconductor package using the same

Номер патента: US20180101940A1. Автор: Younghoon Sohn,Yusin Yang,Ilsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of manufacturing ceramic LED packages with higher heat dissipation

Номер патента: US09842973B2. Автор: Xiantao Yan. Владелец: Ledengin Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of fabricating a heat sink

Номер патента: US09791219B2. Автор: Preben Bonde,Gorm Gamborg. Владелец: Schneider Electric IT Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating polarizing member, and method of fabricating liquid crystal display including polarizing member

Номер патента: US09541789B2. Автор: Gug-Rae Jo,Dae-Young Lee,Jung-Gun NAM,Dae-Hwan JANG,Kang-Soo Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating semiconductor cleaners

Номер патента: US09529366B2. Автор: Frank Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating a merged P-N junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Номер патента: US09525039B2. Автор: Ozgur Aktas,Quentin Diduck,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Thomas R. Prunty,Dave P. Bour. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09461148B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of fabricating a metal wrap through solar cell

Номер патента: US09455360B2. Автор: Tirunelveli S. Ravi,Ashish Asthana,Kramadhati V. Ravi,Somnath Nag. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Flip chip and wire bond semiconductor package

Номер патента: US7554185B2. Автор: Chee Seng Foong,Wai Yew Lo,Aminuddin Ismail,Bee Hoon Liau,Jin- Mei Liu,Jian- Hong Wang,Jin- Zhong Yao,Fu- Bin Song. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-06-30.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: WO2020107216A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Methods of fabricating memory devices

Номер патента: US9172039B2. Автор: Masayuki Terai,In-Gyu Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Thin single-crystal silicon solar cells mounted to a structural support member and method of fabricating

Номер патента: US11978820B2. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Method of fabricating schottky barrier diode

Номер патента: US20090029518A1. Автор: Tadaaki Souma. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof

Номер патента: WO2011109058A2. Автор: David Smith,Bo Li,Peter Cousins. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2011-09-09.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Flip-chip bonding with tilt feedback

Номер патента: WO2024134007A1. Автор: Mate Jenei,Eelis TAKALA,Vladimir MILCHAKOV. Владелец: IQM Finland Oy. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of fabricating printed circuit board (pcb) substrate having a cavity

Номер патента: US20150090688A1. Автор: Jack Ajoian. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Thin Single-Crystal Silicon Solar Cells Mounted to a Structural Support Member and Method of Fabricating

Номер патента: US20240097065A1. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Flip chip, surface light source, and display device using surface light source thereof

Номер патента: US20210242378A1. Автор: Yong Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Flip-Chip Light Emitting Diode and Fabrication Method

Номер патента: US20150115295A1. Автор: Xiaoqiang Zeng,Shaohua Huang,Qunfeng PAN,Shunping Chen. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080142921A1. Автор: Atsuo Isobe,Suguru Ozawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of fabrication of an integrated thermoelectric converter, and integrated thermoelectric converter thus obtained

Номер патента: US20210359189A1. Автор: Paolo Ferrari,Bruno Murari,Flavio Francesco Villa,Luca Zanotti,Lucia Zullino,Andrea NOMELLINI,Luca SEGHIZZI,Martina SCOLARI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of Fabricating Memory

Номер патента: US20220399344A1. Автор: Haibin XIANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Method of fabricating electronic device including a sensor module

Номер патента: US20230290175A1. Автор: Shinya Onoue,Dongjin Jeong,Jin HYUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Thermal And Electrical Interface For Flip-Chip Devices

Номер патента: US20220037249A1. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of testing a semiconductor-on-insulator structure and application of said test to the fabrication of such a structure

Номер патента: US09698063B2. Автор: Patrick Reynaud,Walter Schwarzenbach,Konstantin Bourdelle,Jean-Francois Gilbert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of fabricating sputtering target, sputtering target using the method, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the sputtering target

Номер патента: US09598764B2. Автор: Jin-woo Park,Dong-Jin Kim,Sun-young Jung,Il-sang Lee,Sang-Wook Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element having thick metal bump

Номер патента: US09530950B2. Автор: Hirofumi Kawaguchi,Akinori Yoneda,Kouichiroh Deguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof

Номер патента: US09406821B2. Автор: David Smith,Bo Li,Peter Cousins. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Compound carrier board structure of flip-chip chip-scale package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09406641B2. Автор: Ting-Hao Lin,Shuo-Hsun Chang,Kuo-Chun Huang,Yu-Te Lu,Yi-Fan Kao. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Group iii nitride based flip-chip integrated circuit and method for fabricating

Номер патента: CA2511005C. Автор: Primit Parikh,Yifeng Wu,Umesh K. Mishra. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Flip-chip solar cell

Номер патента: WO2024025995A1. Автор: Michael Bergmann,Brian Anthony,Matthew Johnson. Владелец: Sierra Space Corporation. Дата публикации: 2024-02-01.

Flip-chip solar cell

Номер патента: US20240038911A1. Автор: Michael Bergmann,Brian Anthony,Matthew Johnson. Владелец: Sierra Space Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Flip chip package substrate

Номер патента: US6714421B2. Автор: Ho-Ming Tong,Kun-Ching Chen,Chun-Chi Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Flip chip light emitting diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US10164142B2. Автор: Tsau-Hua Hsieh,Jong-Jan Lee,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chang-Ho Chen,Chien-Chung Peng,Chien-Shiang Huang,Paul-John Schuele. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Flip chip, surface light source, and display device using surface light source thereof

Номер патента: US12021176B2. Автор: Yong Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: EP2932802A1. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050181528A1. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Flip-chip light-emitting device and light emitting module having the same

Номер патента: US20240170615A1. Автор: Zhiwei Wu,Yu-Ren Peng,Weiping Xiong,Di Gao,Yanyun WANG,Huan-shao KUO. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20120012839A1. Автор: Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae,Yong-Yub Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20010017375A1. Автор: Shoji Hirata,Hironobu Narui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Flip chip circuit

Номер патента: US10218316B2. Автор: Gian Hoogzaad,Mark Pieter Van Der Heijden,Tony Vanhoucke. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-02-26.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070254389A1. Автор: Chang-ki Hong,Jeong-Nam Han,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Sung-il Cho,Jung-min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-01.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US7265432B2. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Solid-state image sensor with pillar surface microstructure and method of fabricating the same

Номер патента: US11749699B2. Автор: Shih-Ping Lee,Yi-Ping Lin,Ya-Ting Chen,Hsin-Ying Tung,Yu-Ching Liao. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Thermal and electrical interface for flip-chip devices

Номер патента: US12033932B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of fabricating a halide perovskite

Номер патента: US20240170591A1. Автор: Wei Wang,You Meng,Chung Yin Johnny Ho,Zhengxun Lai. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-05-23.

Carrier substrate having a plurality of fluid passages and method of fabricating display apparatus utilizing the same

Номер патента: US09997547B2. Автор: Yueping Zuo,Chien Hung Liu,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Light emitting device and method of manufacturing light emitting module

Номер патента: US09941451B2. Автор: Daisuke KISHIKAWA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating a tunable schottky diode with depleted conduction path

Номер патента: US09899500B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters

Номер патента: US09786716B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and processing apparatus for fabricating a magnetic resistive random access memory device

Номер патента: US09761795B2. Автор: Kiwoong Kim,Sechung Oh,Sangyong Kim,Yongsung PARK,Youngman JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09685582B2. Автор: Hyuck Jung Choi,Dae Hee Kim. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical light emitting diode with photonic nanostructures and method of fabrication thereof

Номер патента: US09647183B2. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Siew Lang Teo,Surani Bin Dolmanan,Krishna Kumar MANIPPADY,Kaixin Vivian LIN,Sivashankar KRISHNAMOORTHY. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2017-05-09.

Wire grid polarizer and method of fabricating the same

Номер патента: US09612379B2. Автор: Min Hyuck KANG,Eun Ae KWAK,Hyeong Gyu JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method and processing apparatus for fabricating a magnetic resistive random access memory device

Номер патента: US09570673B2. Автор: Kiwoong Kim,Sechung Oh,Sangyong Kim,Yongsung PARK,Youngman JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: US09490386B2. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of fabricating semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters

Номер патента: US09461089B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Apparatus and method of attaching solder ball and method of fabricating semiconductor package including solder ball

Номер патента: US09364914B2. Автор: Chul-Yong JANG,Seokhyun Lee,Jaegwon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of packaging multiple integrated circuit chips in a standard semiconductor device package

Номер патента: WO1997037374A3. Автор: Dennis J Herrell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-11-20.

Flip chip package and method for fabricating a flip chip package

Номер патента: WO2023057339A3. Автор: Do Hyung Kim,Navas Khan Oratti Kalandar,Ingolf Rau,Ariel Lizaba Miranda,Mario Soric,Kesvakumar V C Muniandy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-07-20.

Flip chip package and method for fabricating a flip chip package

Номер патента: WO2023057339A2. Автор: Do Hyung Kim,Navas Khan Oratti Kalandar,Ingolf Rau,Ariel Lizaba Miranda,Mario Soric,Kesvakumar V C Muniandy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-13.

Method of fabricating a pixel array

Номер патента: US20120171792A1. Автор: Chih-Ming Lai,Yung-Hui Yeh,Chun-Cheng Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of fabricating light pipe of image sensing device

Номер патента: US20170018595A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Tzu-Wen Kao,Yu-Yuan Lai,Meng-Chieh Hsieh. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Method of fabricating battery protection circuit package

Номер патента: US20220322537A9. Автор: Hyun Seok Lee,Hyuk Hwi NA,Ho Seok HWANG,Sang Hoon AHN. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of fabricating battery protection circuit package

Номер патента: US20210368631A1. Автор: Hyun Seok Lee,Hyuk Hwi NA,Ho Seok HWANG,Sang Hoon AHN. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Isolated flip chip or BGA to minimize interconnect stress due to thermal mismatch

Номер патента: US20020011353A1. Автор: David Chazan,Solomon Beilin,Sundar Kamath,Jan Strandberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Methods of fabricating semiconductor device using high-K layer for spacer etch stop and related devices

Номер патента: US8481392B1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-09.

Method of Fabricating High-Power Module

Номер патента: US20200171578A1. Автор: Hung-Cheng Chen,Chang-Shu Kuo,In-Gann Chen,Steve Lien-Chung Hsu,Chia-Ming Yang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20010018240A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Seung-Ki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Methods of fabricating a semiconductor device with capacitors using mold structure and protection layer

Номер патента: US20140065784A1. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of fabrication of low value resistors in a semiconductor material

Номер патента: WO2009138951A1. Автор: Sébastien Jacqueline,David Chevrie,Francois Lecornec,Serge Bardy. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor and thermoelectric materials and methods of making the same using selective laser melting

Номер патента: US20190229252A1. Автор: Michael Carter,Haidong Zhang,Saniya LeBlanc,Ahmed El Desouky. Владелец: George Washington University. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160099378A1. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170077346A1. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Compound for filling small gaps in a semiconductor device, composition including the compound, and method of fabricating a semiconductor capacitor

Номер патента: US20110151640A1. Автор: Tae Ho Kim,Chang Soo Woo,Sung Jae Lee,Hee Jae Kim,Sang Geun Yun. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of fabricating bipolar junction transistor

Номер патента: US20070184608A1. Автор: Mingshang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090130804A1. Автор: Chen-Pang Kung,Huai-Yuan Tseng,Ming-Hsien Lee,Horng-Chih Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of fabricating a thin film transistor

Номер патента: US20010026965A1. Автор: Joon-Young Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Wire substrate, display device including the same, and method of fabricating wire substrate

Номер патента: US20190086754A1. Автор: Chan Woo Yang,Joon Yong Park,Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hong Sick Park,Hyun Eok Shin,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Wire substrate, display device including the same, and method of fabricating wire substrate

Номер патента: US20190324337A1. Автор: Chan Woo Yang,Joon Yong Park,Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hong Sick Park,Hyun Eok Shin,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of fabrication of low value resistors in a semiconductor material

Номер патента: EP2286442A1. Автор: Sébastien Jacqueline,David Chevrie,Francois Lecornec,Serge Bardy. Владелец: Murata Integrated Passive Solutions SA. Дата публикации: 2011-02-23.

A cfet cell and a method of fabricating a cfet cell

Номер патента: EP4435843A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-25.

Complementary field effect transistor cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240321889A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating a thin film transistor

Номер патента: US6281055B1. Автор: Joon-Young Yang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-28.

Method of fabricating piezoelectric energy harvesting device

Номер патента: US09876161B2. Автор: Sang Kyun Lee,Yil Suk Yang,Jong-Kee Kwon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-01-23.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842961B2. Автор: Hyuck Jung Choi,Dae Hee Kim. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of fabricating light extraction substrate for organic light emitting device

Номер патента: US09688571B2. Автор: Jae Ho Lee,Young Suk Lee,Ki Yeon Lee,Kyung Min YOON. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Coating apparatus and method of fabricating liquid crystal display device using the same

Номер патента: US09567555B2. Автор: O-Jun Kwon,Kang-Il Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US09502605B2. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Photovoltaic perovskite material and method of fabrication

Номер патента: US09391287B1. Автор: Qi Wang,Cheng Bi,Jinsong Huang,Rui Dong,Qingfeng Dong,Yuchuan Sao,Zhengguo Xiao. Владелец: University of Nebraska. Дата публикации: 2016-07-12.

Method For Fabricating A Photovoltaic Module Including Laser Cutting Of A Photovoltaic Label

Номер патента: US20230207721A1. Автор: Mathieu Baudrit. Владелец: Sono Motors GmbH. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of fabricating memory

Номер патента: US7344938B2. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: WO2007079174A3. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Ming-Nung Lin. Дата публикации: 2007-12-06.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10312086B2. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Method of fabricating substrate where patterns are formed

Номер патента: US8691334B2. Автор: Euijoon Yoon,Sung-Hoon Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-08.

Method of fabricating MOS sensor

Номер патента: US20020151139A1. Автор: Jui-Hsiang Pan,Chih-Hua Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: EP1972016A2. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Chen Chung-Chin. Дата публикации: 2008-09-24.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: WO2007079174A2. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Chen, Chung, Chin. Дата публикации: 2007-07-12.

Fabricating method of a pixel structure

Номер патента: US20070099354A1. Автор: Meng-Yi Hung,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-03.

Methods of fabricating a device

Номер патента: US20190259614A1. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Method of fabricating a catalyst on a substrate

Номер патента: AU2022372236A1. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Siva Krishna KARUTURI,Bikesh Gupta,Joshua Zheyan SOO. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-06-06.

Encapsulated quantum confinement structures and method of fabricating same

Номер патента: US20240250222A1. Автор: Yehonadav BEKENSTEIN,Rotem STRASSBERG. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating a plurality of linear arrays with submicron y-axis alignment

Номер патента: US10943895B2. Автор: Gary D. Redding,Joseph F. Casey. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Method of fabricating nonvolatile organic bistable memory device including polymer thin film with nanoparticles serving as charge trapping region

Номер патента: WO2009022774A1. Автор: Jae-Hoon Jung,Tae-Whan Kim,Dong-Ick Son,Jae-Hyeon Leem. Владелец: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION, HANYANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US6940095B2. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Apparatus for and method of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20190288203A1. Автор: Jiho Park,Jaeho Jung,Jeonghee Park,Kyoung Sun Kim,Changyup Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Thin-film, flexible optoelectronic devices incorporating a single lattice-matched dilute nitride junction and methods of fabrication

Номер патента: WO2019245620A1. Автор: Nikhil Jain,Gang He,Brendan Kayes. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2019-12-26.

Thin-film, flexible optoelectronic devices incorporating a single lattice-matched dilute nitride junction and methods of fabrication

Номер патента: US20190386169A1. Автор: Nikhil Jain,Gang He,Brendan M. Kayes. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of fabricating a catalyst on a substrate

Номер патента: AU2022372236A2. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Siva Krishna KARUTURI,Bikesh Gupta,Joshua Zheyan SOO. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of fabricating a catalyst on a substrate

Номер патента: EP4419252A1. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Siva Krishna KARUTURI,Bikesh Gupta,Joshua Zheyan SOO. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of fabricating light emitting device

Номер патента: US8053261B2. Автор: Yu-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and pixel structure

Номер патента: US20120037908A1. Автор: Shine-Kai Tseng,Huang-Chun Wu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US20050032282A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US20040104401A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of designing and fabricating a microlens array

Номер патента: US20180209030A1. Автор: Qi Wang,TARIQ ALI,Ilyas I. Khayrullin,Amalkumar P. Ghosh,Ihor Wacyk,Kerry TICE,Evan DONOGHUE. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of fabricating a component material for a battery cell

Номер патента: WO2021064356A1. Автор: William Richardson,Robert Noble,Brian Hayden,Thomas Foley,Gianfranco ARESTA,Louise TURNER,Thomas RISBRIDGER,Owain Clark. Владелец: Ilika Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Substrate for flat panel display device, method of manufacturing the same, flat panel display device using substrate and method of manufacturing flat panel display device

Номер патента: WO2007132979A1. Автор: Jong-Uk Bu,Dong-Chun Kim. Владелец: Senplus Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Method of fabricating a component material for a battery cell

Номер патента: EP4038674A1. Автор: William Richardson,Robert Noble,Brian Hayden,Thomas Foley,Gianfranco ARESTA,Louise TURNER,Thomas RISBRIDGER,Owain Clark. Владелец: Ilika Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-08-10.

Design of a flip-chip assembly for high frequency applications

Номер патента: WO2024225957A1. Автор: Daryoush Shiri,Sandoko Kosen,Hangxi LI. Владелец: Wacqt-Ip Ab. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-woven fabric current collector, method of fabricating battery using the same, and system for fabricating the same

Номер патента: US09935316B2. Автор: Min Gyu Choi,Chang Hyeon Kim,Lee Hyun Shin. Владелец: Jenax Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Liquid leak sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220065737A1. Автор: Beak Myeong SEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of fabricating a support structure

Номер патента: WO2003028915A9. Автор: John D Porter,Roger W Barton,Theodore S Fahlen,Bob L Mackey,George B Hopple. Владелец: Candescent Intellectual Prop. Дата публикации: 2004-12-29.

Method of fabricating a support structure

Номер патента: WO2003028915A1. Автор: John D. Porter,Bob L. Mackey,Roger W. Barton,Theodore S. Fahlen,George B. Hopple. Владелец: Candescent Intellectual Property Services, Inc.. Дата публикации: 2003-04-10.

Liquid leak sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US11747234B2. Автор: Beak Myeong SEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-05.

Discharge light source and method of fabricating the same

Номер патента: US20050264214A1. Автор: Tsuyoshi Haga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Laser apparatus and a method of fabricating thereof

Номер патента: WO2003003530A9. Автор: Alexander A Betin,Hans W Bruesselbach,David Sumida. Владелец: David Sumida. Дата публикации: 2004-07-08.

Guided-mode laser apparatus with improved cladding structure and a method of fabricating thereof

Номер патента: US20030012534A1. Автор: David Sumida,Hans Bruesselbach,Alexander Betin. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C2. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2015-08-10.

Method of fabricating surface-emitting laser

Номер патента: US20180356459A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of patterning wall and phosphor well matrix utilizing glass

Номер патента: US6834431B1. Автор: John D. Porter,Bob L. Mackey,Roger W. Barton,Theodore S. Fahlen,George B. Hopple. Владелец: Candescent Intellectual Property Services Inc. Дата публикации: 2004-12-28.

Method of Fabricating an RF Substrate with Selected Electrical Properties

Номер патента: US20070117403A1. Автор: Terry Provo,Thomas Smyth,Dennis Tebbe,Dara Ruggiero. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of fabricating an rf substrate with selected electrical properties

Номер патента: WO2005043681A1. Автор: Terry Provo,Dara Ruggiero,Dennis L. Tebbe,Thomas P. Smyth. Владелец: HARRIS CORPORATION. Дата публикации: 2005-05-12.

Method of fabricating an rf substrate with selected electrical properties

Номер патента: CA2542132A1. Автор: Terry Provo,Dara Ruggiero,Dennis L. Tebbe,Thomas P. Smyth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Current collector for electrical energy storage device and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2024205487A1. Автор: Koichi Fukuda,Yoshihiko Kinoshita,Chang Chieh Hang. Владелец: Sodion Energy Pte. Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Atom and ion sources and sinks, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180098411A1. Автор: Jonathan J. Bernstein. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of fabricating an RF substrate with selected electrical properties

Номер патента: US20050087284A1. Автор: Terry Provo,Thomas Smyth,Dennis Tebbe,Dara Ruggiero. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of fabricating dry electrode

Номер патента: US20240282905A1. Автор: Hyun Jin Kim,Geun Ho Choi,Han Nah Song. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of fabricating an rf substrate with selected electrical properties

Номер патента: EP1678789A1. Автор: Terry Provo,Dara Ruggiero,Dennis L. Tebbe,Thomas P. Smyth. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2006-07-12.

Method of fabricating composite field emission source

Номер патента: US9005407B2. Автор: Jian-Min Jeng,Wen-Ching Shih,Jyi-Tsong Lo,Wei-Lung Tasi. Владелец: Tatung University. Дата публикации: 2015-04-14.

Method of fabricating a pre-lithiated electrode and lithium-ion battery cell

Номер патента: US20240170643A1. Автор: Felix Scheile,Armin ADER,Roman KRAFFT,Tanja Zünd,Richard Rauen. Владелец: Lilium eAircraft GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of fabricating magnetic bubble memory device

Номер патента: US4556583A. Автор: Tadashi Ikeda,Yutaka Sugita,Teruaki Takeuchi,Ryo Imura,Norio Ohta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-03.

Method of fabricating composite field emission source

Номер патента: US20120090986A1. Автор: Jian-Min Jeng,Wen-Ching Shih,Jyi-Tsong Lo,Wei-Lung Tasi. Владелец: Tatung University. Дата публикации: 2012-04-19.

Connector terminal, electric connector, and method of fabricating the connector terminal

Номер патента: US09735517B1. Автор: Takayoshi Endo,Takuya Takeda. Владелец: Dai Ichi Seiko Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating graphene nano-mesh

Номер патента: US09595401B1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of fabricating a three-dimensional (3D) porous electrode architecture for a microbattery

Номер патента: US09559349B2. Автор: Paul V. Braun,Kevin A. Arpin,Hailong Ning. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of forming electric heating element by method of plasma sputtering metal and/or metal oxide matrix

Номер патента: RU2383956C2. Автор: Джефри БОРДМАН. Владелец: 2Д Хит Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Methods of fabrication of high-density laser diode stacks

Номер патента: EP2786459A1. Автор: Edward F. Stephens, Iv,Frank L. Struemph,Jeremy Scott Junghans. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Methods of fabricating porous membrane

Номер патента: US20220331747A1. Автор: Chung-Yuan Mou,Kuo-Lun Tung,Jingling Yang,Geng-Sheng Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-10-20.

Graphite composite structure, method of fabricating the same and composite electrode structure of the same

Номер патента: US20180069240A1. Автор: Ming-Sheng Leu,Ding-Shiang Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of fabricating conductive thin film

Номер патента: US09966168B1. Автор: Hung-Tao CHEN,Chang-Shu Kuo,In-Gann Chen,Han-Hsuan Cheng. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2018-05-08.

Nanofiber membrane-electrode-assembly and method of fabricating same

Номер патента: US09876246B2. Автор: Peter N. Pintauro,Jason Ballengee,Matthew Brodt. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating catalyst carrier for generating hydrogen through methane reformation

Номер патента: US09630166B1. Автор: Wen-Song Hwang,Ruey-Yi Lee,Ning-Yih Hsu,Meng-Han Huang,Yi-Sin Chou. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating sample support membrane

Номер патента: US09613780B2. Автор: Yuji Konyuba. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing speaker with diaphragm arrangement

Номер патента: US09485581B2. Автор: Hsin Min Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Circuit for and method of preventing an error in a flip-flop

Номер патента: US7525362B1. Автор: Austin H. Lesea,Tan Canh Hoang. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-04-28.

Methods of using and fabricating a supporting substrate for the deposition, automated recognition, and spectroscopic identification of particles

Номер патента: US7016034B2. Автор: Markus Lankers,Oliver Valet,Lothar Holz. Владелец: rap ID Particle Systems GmbH. Дата публикации: 2006-03-21.

Method of, and apparatus for, manufacturing a flip- top box

Номер патента: CA1186541A. Автор: James E. Adams,Michael G. Livens. Владелец: Wilkinson Sword Ltd. Дата публикации: 1985-05-07.

Method of, and apparatus for, manufacturing a flip-top box

Номер патента: US4487596A. Автор: James E. Adams,Michael G. Livens. Владелец: Wilkinson Sword Ltd. Дата публикации: 1984-12-11.

Method of fabricating electrical machine

Номер патента: US09692282B2. Автор: Subhash Marutirao Brahmavar. Владелец: Regal Beloit America Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated micro/nanogenerator and method of fabricating the same

Номер патента: US09762151B2. Автор: Haixia Zhang,Xiaosheng Zhang,Mengdi Han,Fuyun Zhu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating a circuit board structure having an embedded electronic element

Номер патента: US09433108B2. Автор: Yung-Ching Lin,Ta-Han Lin,Chih-Kuie Yang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating same

Номер патента: US20060071256A1. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2006036691A2. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Fused quartz dual shell resonator and method of fabrication

Номер патента: US11703330B2. Автор: Andrei M. Shkel,Yusheng Wang,Mohammad H. ASADIAN ARDAKANI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-07-18.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20230209984A1. Автор: HUI Li,Weili Li,Mingxing Liu,Shuaiyan GAN,Haohan ZHANG. Владелец: Hefei Visionox Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of fabricating display device

Номер патента: US20240324279A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yuichi Yanagisawa,Shun Mashiro,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

A method of fabricating a single photon source

Номер патента: EP2250530A1. Автор: Steven Prawer,Steven Trpkovski,David Allan Simpson,Eric Ampem-Lassen,Brant Cameron Gibson. Владелец: University of Melbourne. Дата публикации: 2010-11-17.

Optical devices and method of counting optical pulses

Номер патента: WO2011032609A1. Автор: Gianluca Berrettini,Antonella Bogoni,Antonio D'Errico,Luca Poti,Gianluca Meloni. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2011-03-24.

Optical Devices and Method of Counting Optical Pulses

Номер патента: US20120229890A1. Автор: Gianluca Berrettini,Antonella Bogoni,Antonio D'Errico,Luca Poti,Gianluca Meloni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Fused quartz dual shell resonator and method of fabrication

Номер патента: US20240125599A1. Автор: Andrei M. Shkel,Yusheng Wang,Mohammad H. ASADIAN ARDAKANI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-18.

Machine for stacking and bonding sub-boards of a multilayer board for a printed circuit and method of fabrication of a multilayer board

Номер патента: WO2002067644A9. Автор: Amedeo Candore. Владелец: Amedeo Candore. Дата публикации: 2004-05-13.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Guide film, method of fabricating the guide film, and apparatus for and method of fabricating display device

Номер патента: US12049068B2. Автор: Sang Won Lee,Jong Deok PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element formed over a bottom conductor and methods of forming the same

Номер патента: EP2227827A1. Автор: Mark Clark,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-09-15.

Method of fabricating a magnetoresistive bit from a magnetoresistive stack

Номер патента: US20240049607A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of error correction code (ECC) decoding and memory system performing the same

Номер патента: US12080366B2. Автор: Kangseok Lee,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Guide film, method of fabricating the guide film, and apparatus for and method of fabricating display device

Номер патента: US20240343030A1. Автор: Sang Won Lee,Jong Deok PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of fabricating flash memory with shallow and deep junctions

Номер патента: US20020137283A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Wen-Jer Tsai,Tso Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of fabricating a radiative and conductive thermal metamaterial composite

Номер патента: US20210283569A1. Автор: Ercan M. Dede. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of fabricating a semiconductor IC DRAM device enjoying enhanced focus margin

Номер патента: US5670409A. Автор: Atsuyoshi Koike,Kazuyuki Miyazawa,Hiroshi Otori,Fumiyuki Kanai,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-23.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits having flip-chip arrangements with high coherence devices

Номер патента: WO2024102504A2. Автор: Andrew J. Berkley,Mohammad H. Amin,Timothy L. DUTY,Berta TRULLAS CLAVERA. Владелец: 1372934 B.C. Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of fabricating wiring board

Номер патента: US8387241B2. Автор: Hironori Sato,Masao Izumi,Kenji Nishio,Masaki Muramatsu,Kazunaga Higo,Takuya Torii. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: US20040142547A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of fabricating a static random access memory

Номер патента: US6287909B1. Автор: Yu-Chih Chuang,Tse-Yi Lu,Yi-Min Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: US6794280B2. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Method of fabricating memory device

Номер патента: US20030232484A1. Автор: Chih-Wei Hung,Da Sung,Chien-Chih Du. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-18.

Method of fabricating a micro-electromechanical fluid ejection device having enhanced actuator strength

Номер патента: US20050055829A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-03-17.

System and method of fabricating objects using additive manufacturing with reduced interference and noise

Номер патента: US20240324106A1. Автор: Richard Neill. Владелец: Advanced Printed Electronic Solutions LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of sensing flip cover

Номер патента: US09742456B2. Автор: Hyung-nam JIN,Seung-Hwan Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Graphene sensor and method of fabricating the same and touch-sensitive display device

Номер патента: US09551937B2. Автор: Zhen Liu,Yunping DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of fabricating read only memory

Номер патента: US6569713B2. Автор: Chih-Ping Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-27.

Bonding member, display module, and method of fabricating display device

Номер патента: US12069881B2. Автор: Sung Chul Kim,Yong Hwan SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of fabricating read only memory

Номер патента: US20020192877A1. Автор: Chih-Ping Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor data storage devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11690231B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of fabricating a floating gate for a nonvolatile memory

Номер патента: US20060138525A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of fabricating mask read only memory

Номер патента: US20020168822A1. Автор: Chun-Jung Lin,Ful-Long Ni,Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12089420B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of fabricating a multi-channel modulator driver with enclosure

Номер патента: US09936587B2. Автор: Anthony Chiu,Craig Steinbeiser,Khiem Dinh. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Fabricating a liquid-cooling apparatus with coolant filter

Номер патента: US09763357B2. Автор: Levi A. Campbell,Richard C. Chu,Michael J. Ellsworth, Jr.,Madhusudan K. Iyengar,Roger R. Schmidt,Robert E. Simons,Milnes P. DAVID. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating light functional substrate and organic light emitting diode having the same

Номер патента: US09678250B2. Автор: Seung Koo Park,Nam Sung Cho,Jaehyun MOON,Byoung Gon Yu,Jeong Ik Lee,Jonghee Lee,Doo-Hee Cho,Chul Woong Joo,Jin Wook Shin,Joo Hyun Hwang,Jun-Han Han,Jin Woo Huh,Jong Tae Lim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-06-13.

Sloped termination in molybdenum layers and method of fabricating

Номер патента: US09660603B2. Автор: Elizabeth Costner Stewart,Nicholas S. Dellas,Neng Jiang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Material in form of fabric and method of its manufacturing

Номер патента: RU2553294C2. Автор: Марк Роберт СИВИК,Франк Уильям ДЕНОМЕ,Грегори Чарльз ГОРДОН,Пол Деннис ТРОХАН,Алиссандрэа Хоуп ХАМАД-ЕБРАХИМПУР,Джон Герхард МАЙКЛ,Стивен Джозеф ХОДСОН,Брайан Патрик КРОЛЛ,Андреас Иосиф ДРЕХЕР. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2015-06-10.

Non-volatile memory structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20040115887A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20060270142A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20070259493A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Solid state electrolyte memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7696509B2. Автор: Cha-Hsin Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-04-13.

Method of fabricating a mask ROM

Номер патента: US6194274B1. Автор: Shyng Yeuan Che. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Method of fabricating multilayer printed circuit board

Номер патента: US20090056119A1. Автор: Jung Hyun Park,Myung Sam Kang,Ji Hong Jo,Je Gwang Yoo,Chang Sup Ryu,Jin Yong An,Soon Oh Jung,Shuhichi Okabe. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

A method of handling and fabricating a neutron responsive fuel

Номер патента: GB1077384A. Автор: . Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 1967-07-26.

METHOD OF DESIGNING AND FABRICATING A MICROLENS ARRAY

Номер патента: US20180209030A1. Автор: WANG Qi,Ghosh Amalkumar P.,Ali Tariq,KHAYRULLIN Ilyas I.,TICE Kerry,WACYK IHOR,DONOGHUE Evan. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Method of assembling infrared photodetector

Номер патента: RU2526489C1. Автор: Константин Олегович Болтарь,Никита Александрович Иродов,Вера Васильевна Поварихина. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2014-08-20.

Method of producing fire-resistant textile materials from cellulose and synthetic fibres

Номер патента: RU2714084C1. Автор: Сергей Вениаминович Заикин,Елена Анатольевна Соловьева,Елена Владимировна Сильченко,Вадим Александрович Баранов,Арюхан Васильевна Цыбикдоржиева,Ирина Агзамовна Курмашова,Любовь Еелиевна Абросимова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты" (ЗАО ЦВМ "Армированные композиты"). Дата публикации: 2020-02-11.

A method of fabrication of thermally expanded core in polarization-maintaining optical fibre, polarization-maintaining optical fibre with a thermally expanded core, use thereof, a method of fabrication a mode-field adapter and a fibre mode-field adapter

Номер патента: EP4459338A1. Автор: Katarzyna KRUPA,Yuriy Stepanenko,Mateusz PIELACH,Agnieszka JAMROZIK. Владелец: Instytut Chemii Fizycznej of PAN. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of improving the yield of a nozzle plate fabrication process

Номер патента: US09630411B2. Автор: Paul Van Der Sluis,Jeroen Herman Lammers,Alwin Rogier Martijn Verschueren,Adrianus Antonius Johannes OP 'T HOOG. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-04-25.

Seam for fabric for paper production and industrial fabric and method of its manufacture

Номер патента: RU2482233C2. Автор: Дана ИГЛС. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2013-05-20.

Method of fabricating a spar for a blade, and a method of fabricating a blade

Номер патента: US09950478B2. Автор: Jacques Gaffiero,Andre Amari,Benedicte Rinaldi. Владелец: Airbus Helicopters SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of non-contact measurement of biological rhythms accompanied by mechanical movements of human body surface

Номер патента: RU2651900C1. Автор: Владимир Анатольевич Канаков,Владимир Николаевич Иконников,Александр Геннадьевич Панкратов,Юлия Павловна Потехина,Дмитрий Евгеньевич Мохов,Сергей Михайлович Стариков,Андрей Евгеньевич Кантинов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АФС52". Дата публикации: 2018-04-24.

Flip chip micromirror technology

Номер патента: WO2023224704A1. Автор: Wyatt Owen Davis,Joseph Michael Luizzi,Di SUN,Xiao Chuan Ong. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Liquid crystal materials, methods of fabricating liquid crystal display panels and liquid crystal display panels

Номер патента: US20180105750A1. Автор: Song LAN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Method of fabricating solid freeform fabrication object and device for fabricating solid freeform fabrication object

Номер патента: US20180264717A1. Автор: Hiroyuki Naito,Yoshihiro Norikane,Kenji Sugiura,Yoshihito Shimada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Method of fabricating diffractive backlight

Номер патента: US12124073B2. Автор: ZHEN Peng,David A. Fattal,Ming Ma,Thomas HOEKMAN. Владелец: Leia Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Erosion shield, method of fabricating a shield, and method of fabricating an article having a shield

Номер патента: US09695697B2. Автор: II Theodore William FANDREI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of Fabricating a Photomask Used to Form a Lens

Номер патента: US20110170197A1. Автор: Nobuhiko Sato,Yasuhiro Sekine,Masataka Ito,Masaki Kurihara,Hitoshi Shindo,Kyouhei Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Systems and methods for fabricating a microchannel vascular network device and seeding a microchannel

Номер патента: WO2020257539A1. Автор: Craig Neville,Joseph P. Vacanti,Batzaya BYAMBAA,Matthew James Hancock,Carly COMER,Tyler LIEBERTHAL,Tatevik SAHAKYANTS,Andrew Paul SPANN. Владелец: 3D Biolabs, Llc. Дата публикации: 2020-12-24.

Concrete reinforcing guide and method of constructing concrete reinforcing guide

Номер патента: WO2008033991A3. Автор: Gloria Marie Buley. Владелец: Gloria Marie Buley. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of deriving etching correction values for petterns of photomask and method of fabricating photomask

Номер патента: US20080124632A1. Автор: Chao-Lung Lo,Sunwook Jung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Quantum-dot spectrometers for use in biomedical devices and methods of use

Номер патента: RU2665202C2. Автор: Хорхе ГОНСАЛЕС,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-08-28.

Method of producing a mesh filter, a mesh filter and an ejector assembly comprising such a mesh filter

Номер патента: RU2740653C2. Автор: Франсуа КОРМАН. Владелец: Зодиак Аэротекникс. Дата публикации: 2021-01-19.

Method of fabricating three-dimensional object and apparatus for fabricating three-dimensional object

Номер патента: US20230271256A1. Автор: Yunsheng Sun,Shozo Sakura,Yohei Osanai,Kohichiroh TANAKA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of fabricating one or more crocheted characters

Номер патента: US20220081813A1. Автор: Veronica F. Patterson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Method Of Forming A Flip-Top Cap And A Flip-Top Cap

Номер патента: US20210114781A1. Автор: Michael Knee,Marc Peuker,Andreas J. Boehm. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-04-22.

Vacuum packaged micromirror arrays and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2005045504A1. Автор: Fusao Ishii. Владелец: Fusao Ishii. Дата публикации: 2005-05-19.

Drug-transfer device, drug-delivery system incorporating the same, methods of fabricating the same, and methods of enabling administration of a drug

Номер патента: US20100326020A1. Автор: Scott Albert Uhland,Philipp Helmut Schmaelzle. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Programmable mask and method of fabricating biomolecule array using the same

Номер патента: US20060030030A1. Автор: Young Kim,Se Park,Dong Shin,Chang Choi,Hyeon Pyo,Moon Jung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-02-09.

Programmable mask and method of fabricating biomolecule array using the same

Номер патента: US20080273128A1. Автор: Moon Youn Jung,Chang Auck Choi,Se Ho Park,Young Jun Kim,Dong Ho Shin,Hyeon Bong Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of fabricating molds for forming waveguides and related systems and methods using the waveguides

Номер патента: US20240359372A1. Автор: Frank Y. Xu,Vikramjit Singh,Shuqiang Yang,Marlon Edward Menezes,David James Lentz,Yanhua Wang. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of fabricating a composite material part with improved intra-yarn densification

Номер патента: US09988750B2. Автор: Arnaud Fillion,Eric Philippe,Eric Bouillon,Francois Charleux. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of fabricating a wooden perch

Номер патента: US09718210B1. Автор: Michael Sazhin. Владелец: Parrot Wizard Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for fabricating a colored component for a watch

Номер патента: US09625879B2. Автор: Ching Tom Kong,Ying Nan WANG. Владелец: Master Dynamic Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of fabricating a polycrystalline diamond compact

Номер патента: US09453270B1. Автор: Michael A. Vail,Kenneth E. Bertagnolli. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Disposable underwear with solution of continuity and methods of production

Номер патента: RU2336064C2. Автор: Юнг Х. ХУАНГ,ГОМПЕЛЬ Пол Т. ВАН,Расселл Е. ТОРСОН,Кеннет Дж. ВАГНЕР,Джин Ф. НИМАЙЕР,Джудит А. МЬЮЗИЛ,Хайди К. ВУДИ,Бриджет А. БЭЛОГ,Синди МААС,Джером Стив ВЕЙТ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2008-10-20.

Conduits for transporting fluids and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210270405A1. Автор: John P. Leuer,Tony DI CARLO,Brian T. Vaniman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-09-02.

Thermally drawn chemically active fibre device and a method of fabrication thereof

Номер патента: WO2022157539A1. Автор: Fabien Sorin,Bastien Schyrr. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2022-07-28.

Hydrogen gas sensor and a method of fabricating thereof

Номер патента: US20190212293A1. Автор: Zain Hassan Yamani,Mohammad Kamal HOSSAIN,Qasem Ahmed DRMOSH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2019-07-11.

Rotary magnetic recording/reproducing apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: EP1037200A3. Автор: Shun Kayama,Junichi Ogasawara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-04.

Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method

Номер патента: US20070231715A1. Автор: Sung-Ho Park,Byung-gook Kim,Seong-Woon Choi,Hee-Bom Kim,Hak-Seung Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of fabricating three-dimensional structure and method of manufacturing substrate with spacer

Номер патента: US20090244126A1. Автор: Kazuaki Okamori. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Janus transition metal dichalcogenide thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20230151482A1. Автор: Won Jun Lee,Suk Ho Chol,Chan Wook Jang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of fabricating a device, device, and deposition apparatus

Номер патента: WO2024132142A1. Автор: Wolfgang Braun,Dong Yeong Kim,Alexander Everardus Maria SMINK. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of fabricating a multiple holographic lens

Номер патента: WO1990004797A1. Автор: Benjamin J. Pernick,Douglas S. Hobbs,Nils J. Fonneland,Stephen J. Caputi,John V. Fine, Sr.. Владелец: Grumman Aerospace Corporation. Дата публикации: 1990-05-03.

A thermal microactuator for a suspension arm of a hard disk drive and a method of fabricating the thermal microactuator

Номер патента: WO2012011874A1. Автор: Pantelis Alexopoulos,Jiaping YANG,Cheng Peng Tan. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: US12117630B2. Автор: Christophe Peroz,Mauro MELLI,Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: EP4439156A2. Автор: Mauro MELLI, Christophe PEROZ, Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Chute for cement truck and method of fabricating a chute for a cement truck

Номер патента: US09925690B2. Автор: Sylvain Morrissette. Владелец: Groupe PPD Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of fabricating COA type liquid crystal display panels and COA type liquid crystal display panels

Номер патента: US09897882B1. Автор: JI Li,Xiaolong Ma. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating film of substrate and film, backlight unit and liquid crystal display using the same

Номер патента: US09857502B2. Автор: Myoung Soo Ahn,Myung Jun Kim,Yun Gu Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of fabricating a glass ribbon

Номер патента: US09790121B2. Автор: Sean Matthew Garner,Xinghua Li,Anatoli Anatolyevich Abramov,James William Brown,Chester Hann Huei Chang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Alignment exposure method and method of fabricating display substrate

Номер патента: US09715173B2. Автор: Bin Wu,Kun Li,Xuequan Yu,Wenjun Shen,Lizhi Ren,Yadong Gao. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of fabricating a liquid crystal polymer film

Номер патента: US09617205B2. Автор: Nelson V. Tabirian,Sarik R. Nersisyan,Brian R. Kimball,Diane M. Steeves,Rafael O Vergara. Владелец: Beam Engineering for Advanced Measurements Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating a prescription label bag

Номер патента: US09561883B1. Автор: Stefan Jerzy Debski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating a foamed, injection molded component with improved ductility and toughness

Номер патента: US09555564B2. Автор: Xiaofei Sun,Lih-Sheng Turng. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing base fabric containing a waist component, and disposable panty product made thereof

Номер патента: RU2683739C1. Автор: Лукас БЕК,Карин ЛЬЮНГБЕРГ. Владелец: Эссити Хайджин энд Хелт АБ. Дата публикации: 2019-04-01.

Method of fabricating a magnetic head having a CPP sensor with ELG fabrication and a partially milled stripe height

Номер патента: US20080186626A1. Автор: Ying Hong,David John Seagle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-07.

Mask blank and method of fabricating phase shift mask from the same

Номер патента: US20030194620A1. Автор: Yong-Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Method of fabricating mask for forming wood grain patterns

Номер патента: US20090155482A1. Автор: Min Su Kim,Jong Seo Park. Владелец: Moltex Yangsan Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of installing and assembling a flip up pitot assembly to an ejection seat

Номер патента: EP1109718A2. Автор: Frank Knoll,Dominic Spinosa. Владелец: East West Industries Inc. Дата публикации: 2001-06-27.

Actuatable optical device, method of fabricating the device, and use of a magnetic substance

Номер патента: US20210221059A1. Автор: Harald Giessen,Simon Thiele,Chris Jung,Alois M. Herkommer. Владелец: Baden Wuerttemberg Stiftung gGmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of fabricating a fluid ejection device having a data storage structure

Номер патента: US7669314B2. Автор: Satya Prakash,James A Feinn,Lawrence White,Terry Mcmahon,Donald W Schulte,Adam Ghozeil. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-03-02.

Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method

Номер патента: US20110244376A1. Автор: Sung-Ho Park,Byung-gook Kim,Seong-Woon Choi,Hee-Bom Kim,Hak-Seung Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

A truss and a method of fabricating same

Номер патента: WO2001096679A1. Автор: Murray Ellen. Владелец: Bigspace Technologies Pty Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Bonded products and methods of fabrication therefor

Номер патента: US20030040180A1. Автор: Leigh Canham,Christopher Reeves. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Bonded products and methods of fabrication therefor

Номер патента: EP1242334A1. Автор: Leigh Trevor Canham,Christopher Leslie Reeves. Владелец: pSiMedica Ltd. Дата публикации: 2002-09-25.

Method of fabricating a bare aluminum conductor

Номер патента: US20040211588A1. Автор: Graham Stratford,Rosaire Begin,Danny Elder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Method of compensating for distortion caused by fingerprint input sensors of heterogeneous fingerprint recognition systems

Номер патента: US7856128B2. Автор: Hak Il Kim,Young Chan Han. Владелец: INHA Industry Partnership Institute. Дата публикации: 2010-12-21.

Method of compensating for distortion caused by fingerprint input sensors of heterogeneous fingerprint recognition systems

Номер патента: US20070230751A1. Автор: Hak Il Kim,Young Chan Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of fabricating optical fiber preform

Номер патента: US20090211300A1. Автор: Makoto Yoshida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

Photomask, method of fabricating a photomask, and method of fabricating a semiconductor structure using a photomask

Номер патента: US20220276552A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Tzu Han Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of fabricating a light-guide optical element

Номер патента: US20240337780A1. Автор: Elad Sharlin,Dror HERMONI. Владелец: Lumus Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of fabricating a light-guide optical element

Номер патента: US12135445B2. Автор: Elad Sharlin,Dror HERMONI. Владелец: Lumus Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Systems, assemblies, and methods of fabrication of radio-frequency coil assemblies of a magnetic resonance system

Номер патента: US20240369656A1. Автор: Jana M. Vincent,Fraser J.L. Robb. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of fabricating probe cards including nanotubes

Номер патента: US09851378B2. Автор: Alexander Brandorff. Владелец: Wentworth Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating a composite material casing for a gas turbine engine, and a casing obtained thereby

Номер патента: US09784122B2. Автор: Antoine Jean-Philippe BEAUJARD,Elric Georges Andre Fremont. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of fabricating a precoated steel plate

Номер патента: US09676061B2. Автор: Aurelien Pic,Rene Vierstraete,Pascal Verrier,Bernd Thommes,Wolfram Ehling,Jean-Francois Canourgues. Владелец: ArcelorMittal France SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating wavelength conversion device

Номер патента: US09606420B2. Автор: Keisuke Ota. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods of fabricating photonic crystal

Номер патента: US09593429B2. Автор: Moon Gyu Han,Chul-joon Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of longitudinal zigzag shadow weaves fabrics producing

Номер патента: RU2605379C2. Автор: Галина Ивановна Толубеева,Сергей Сергеевич Кольцов,Елена Евгеньевна Демидова,Анна Сергеевна Зяблицева,Денис Александрович Мирошниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение профессионального образования "Ивановский государственный политехнический университет". Дата публикации: 2016-12-20.

Sensor and method of determining type tissue

Номер патента: RU2655021C1. Автор: КРИШНАН Моханкумар ВАЛИЯМБАТХ,ЛиньФан СЮЙ,ВОНГ Вэй Лик УИЛЛЬЯМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-23.

System and method of generating log when executing file with vulnerabilities in virtual machine

Номер патента: RU2724790C1. Автор: Алексей Владимирович Монастырский,Михаил Александрович Павлющик,Владислав Валерьевич Пинтийский,Дмитрий Александрович Кирсанов,Денис Вячеславович Аникин. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2020-06-25.

Method of producing dice check fabrics

Номер патента: RU2656955C1. Автор: Николай Анатольевич Коробов,Галина Ивановна Толубеева,Денис Александрович Мирошниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный политехнический университет". Дата публикации: 2018-06-07.

Method of fabrication of nickel strip

Номер патента: RU2561629C2. Автор: Теодор ШТУТ. Владелец: Теодор ШТУТ. Дата публикации: 2015-08-27.

Cylindrical paper drum and method of fabricating the same

Номер патента: EP1136249B1. Автор: Motoharu Kasuya. Владелец: Taiyo Sealpack Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Method of installing and assembling a flip up pitot assembly to an ejection seat

Номер патента: EP1109718A4. Автор: Frank Knoll,Dominic Spinosa. Владелец: East West Industries Inc. Дата публикации: 2003-05-14.

Method of fabricating test probe

Номер патента: WO2024136242A1. Автор: Donghoon Park,Chaeyoon Lee,Seungha BAEK,Jinsik SON. Владелец: LEENO INDUSTRIAL INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of fabricating a mailbox

Номер патента: US20040244176A1. Автор: James Madara,Charles Lanyon,Richard Shreiner. Владелец: Spring City Electrical Manufacturing Co. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of determining a concentration of hydrogen gas with a hydrogen gas sensor

Номер патента: US20200064304A1. Автор: Zain Hassan Yamani,Mohammad Kamal HOSSAIN,Qasem Ahmed DRMOSH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-02-27.

Poled fiber, a method of fabricating the poled fiber, and a dispersion compensator

Номер патента: US6845201B2. Автор: Sahnggi Park,Jongbae Kim,Yonggyu Choi,Jungjin Ju. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-01-18.

Micro structure, micro actuators, method of fabricating micro structure and micro actuators

Номер патента: US20130141769A1. Автор: Jungwook CHOI,Jae-Ik Lee,Jongbaeg Kim,Youngkee EUN,Youngsup SONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of fabricating inkjet nozzles having associated ink priming features

Номер патента: US20070080133A1. Автор: Kai Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2007-04-12.

Mode size converters and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2015176024A1. Автор: Jibin Sun,Haipeng Zhang,Sandeep Razdan,Nicola PUGLIANO, (Nick). Владелец: TYCO ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-19.

Method of fabricating liquid crystal display

Номер патента: US20020036737A1. Автор: Hyeon Son,Ku Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Method of fabricating a printhead having isolated nozzles

Номер патента: US20060209134A1. Автор: Kia Silverbrook,Gregory Mcavoy. Владелец: KIA SILVERBROOK AND GREGORY JOHN MCAVOY. Дата публикации: 2006-09-21.

Inkjet printhead and method of fabricating color filter

Номер патента: US20070037075A1. Автор: Sang-Il Kim,Seung-Joo Shin,Sung-Woong Kim,Jung-yong Lee,Kye-Si Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of Fabricating a Uranium-Bearing Foil

Номер патента: US20100282375A1. Автор: Jackie G. Gooch,Amy L. DeMint. Владелец: Babcock and Wilcox Technical Services Y 12 Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Method of fabricating an aircraft structural component

Номер патента: GB2627516A. Автор: Barnett Thomas,Bryant Stuart. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Blank mask and method of fabricating the same

Номер патента: US20240345467A1. Автор: Tae Wan Kim,Tae Young Kim,Hyung Joo Lee,Min Gyo Jeong,Geon Gon LEE. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Variable immersion lobe mixer for turbofan jet engine exhaust and method of fabricating the same

Номер патента: US09995245B2. Автор: Mustafa Dindar,Vaughn Ray Kunze. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of fabricating a mask using common bias values in optical proximity correction

Номер патента: US09952499B2. Автор: Moon-gyu JEONG,So-Rang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabrication of laminates of elastic material suitable for dielectric elastomer sensing

Номер патента: US09816800B2. Автор: Benjamin Marc O'brien,Todd Alan Gisby,Antoni Edward HARBUZ,Samuel SCHLATTER. Владелец: Stretchsense Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating a bonded cascade assembly for an aircraft thrust reverser

Номер патента: US09803587B1. Автор: Henry A. Schaefer,Mark A. Wadsworth. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of fabricating scaffold for tissue engineering

Номер патента: US09795710B2. Автор: Katsuyuki Yamanaka,Yusuke Shigemitsu,Yuuhiro Sakai. Владелец: GC Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for fabricating a biocompatible material having a high carbide phase and such material

Номер патента: US09776246B2. Автор: Haitong Zeng,Aiguo Wang,Zongtao Zhang,Daniel E. Lawrynowicz. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Wire grid polarizer and method of fabricating the same

Номер патента: US09753201B2. Автор: Min Hyuck KANG,Su Mi LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of fabricating a composite engineered wood material floor board

Номер патента: US09616650B2. Автор: Francois Roy. Владелец: BOA-FRANC SENC. Дата публикации: 2017-04-11.

Polarizer and method of fabricating the same

Номер патента: US09594200B2. Автор: Tae Woo Kim,Seung Won Park,Dae Ho Yoon,Moon Gyu LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of fabricating a bonded cascade assembly for an aircraft thrust reverser

Номер патента: US09587582B1. Автор: Henry A. Schaefer,Mark A. Wadsworth. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of fabricating graphene using alloy catalyst

Номер патента: US09359211B2. Автор: Hyun-Jong Chung,Sun-Ae Seo,David Seo,Jin-Seong Heo,Yun-sung Woo,Sae-ra Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Method of fabrication of billets of coins

Номер патента: RU2383657C2. Автор: Адриан КЕМПСТЕР. Владелец: Диффьюжн Эллойс Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Bonding technique of fabric units for paper manufacturing and duck fabric to each other, manufactured by these methods

Номер патента: RU2334034C2. Автор: Фрэнсис Л. ДЭВЕНПОРТ,Джозеф Дж. О`КОННОР,Чарлз И. КРАМЕР,Морис ПАКУИН,Фрэнсис Л. ДЭВЕНПОРТ (US),Чарлз И. КРАМЕР (US),Джозеф Дж. О`КОННОР (US),Морис ПАКУИН (US). Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-09-20.

Method of fabrication of cooling plate and cooling plate fabricated by this method

Номер патента: RU2338790C2. Автор: Никола МУСЕЛЬ,Ги ТИЙЕН,Роберт ШМЕЛЕР. Владелец: Поль Вурт С.А.. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of fabricating inert anode for production of aluminium by means of electrolisis in melt

Номер патента: RU2336369C2. Автор: Арман ГАБРИЭЛЬ,Вероник ЛОРАН. Владелец: Алюминиюм Пешинэ. Дата публикации: 2008-10-20.

Method of fabricating thin film with varying thickness

Номер патента: US20220033954A1. Автор: Yu-Chi Lin,Chih-Chung Wu,Chi-Fang Huang,Cheng-Sheng Huang,Chi-Yung Hsieh. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of fabricating a liquid crystal display device and a liquid crystal display device

Номер патента: US20220197084A1. Автор: Michel Sagardoyburu,Simon Springer. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2022-06-23.

Scanning heat flow probe and the method of fabricating the same

Номер патента: US6652139B2. Автор: LI Shi,Uttam Shyamalindu Ghoshal,Steven Alan Cordes,Chandler Todd McDowell,James Patrick Doyle,David R. DiMilia,Matthew James Farinelli,Snigdha Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-25.

Method for fabricating a hydrophobic coating for corrosion protection

Номер патента: US20200140697A1. Автор: Gasan Selman Alabedi,Enrico Bovero,Aziz Fihri. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2020-05-07.

Hydrophobic coating for corrosion protection and method of fabrication

Номер патента: WO2019010300A1. Автор: Gasan Selman Alabedi,Enrico Bovero,Aziz Fihri. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2019-01-10.

Method of fabricating resistive touch panel

Номер патента: US20080001868A1. Автор: Chun-Hao Wang,Chien-Chung Kuo. Владелец: Wintek Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Flipped gate voltage reference and method of using

Номер патента: US12038773B2. Автор: Alex Kalnitsky,Mohammad Al-Shyoukh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of fabricating a catalyst converter

Номер патента: US20020133947A1. Автор: Yasuhiro Nogami,Fumihisa Yamaguchi. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of fabricating a composite membrane containing a metal ion adsorbent

Номер патента: US20150034860A1. Автор: Lin-Hsiang Huang,Wein-Duo Yang,Zen-Ja Chung. Владелец: National Kaohsiung University of Applied Sciences. Дата публикации: 2015-02-05.

Shaped fabric banks and a method of producing a fabric product

Номер патента: GB2597586A. Автор: Johnson Simon,GROVER Shruti. Владелец: Pattern Project Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Method of fabricating a magnetic deformable machine and deformable 3d magnetic machine

Номер патента: EP4168241A1. Автор: Wenqi Hu,Metin Sitti,Jiachen Zhang,Ziyu Ren. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-04-26.

A method of fabricating a cantilever structure and a cantilever structure

Номер патента: WO2010011186A9. Автор: Yee Chong Loke,Kuan Song Yeong,Erik Johansson Cox. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2010-04-22.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7220521B2. Автор: Eiichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method of fabricating foil brazing member

Номер патента: US20070090158A1. Автор: Sumio Susa,Haruhiko Watanabe,Masaki Harada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of fabricating photoconductor coupled liquid crystal light valve

Номер патента: US5324549A. Автор: Katsumi Adachi,Akitsugu Hatano,Takashi Hayakawa,Shiro Narikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Method of fabricating suspended beam in a MEMS process

Номер патента: US20070082422A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2007-04-12.

Fluid ejection devices and methods of fabrication

Номер патента: WO2008013748A1. Автор: Jeremy Harlan Donaldson,Bradley D. Chung,Michael Hager,Thomas R. Strand. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of fabricating magnetic head slider including partial removal step of protecting film

Номер патента: US20100291294A1. Автор: Kunihiro Ueda,Hong Xin Fang,Dong Wong. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Method of fabricating a tread plate having alternating stripes incorporated thereon

Номер патента: US20050066512A1. Автор: Raymond Buckley,Clarence Haas. Владелец: Sure Foot Ind Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Method of fabricating a tread plate having alternating stripes incorporated thereon

Номер патента: US20060123618A1. Автор: Raymond Buckley,Clarence Haas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Robot skin apparatus, method of fabricating a robot skin apparatus, and a system including a robot skin apparatus

Номер патента: US20230130680A1. Автор: ZHONG YANG,Dan O. Popa,Joshua R. Baptist,Mohammad Nasser Saadatzi,Ruoshi Zhang. Владелец: University of Louisville Research Foundation ULRF. Дата публикации: 2023-04-27.

Ceramic scintillating materials and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240091853A1. Автор: Yi Xie,Logan Joyce. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of fabricating an aircraft structural component

Номер патента: GB2627517A. Автор: Barnett Thomas,Bryant Stuart. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Spot size converter for adapting the diameter and/or the shape of a mode field of an optical component and method of fabricating a spot size converter

Номер патента: WO2024126496A1. Автор: Gerrit Fiol,Patrick Runge. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2024-06-20.

Spot size converter for adapting the diameter and/or the shape of a mode field of an optical component and method of fabricating a spot size converter

Номер патента: WO2024125774A1. Автор: Gerrit Fiol,Patrick Runge. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of fabrication polymer waveguide

Номер патента: US09910217B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Chun-Hao Tseng,Wan-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating a timepiece component and component obtained from this method

Номер патента: US12124223B2. Автор: Pierre Cusin,Alex Gandelhman,Clare Golfier,Michel MUSY. Владелец: Nivarox Far SA. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of fabricating a bath of electrolyte for plating a platinum-based metallic underlayer on a metallic substrate

Номер патента: US09752243B2. Автор: Juliette Hugot,Frederic Lagrange,Herve Molet. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Touch sensor including nanowire array and method of fabricating the same

Номер патента: US09740323B2. Автор: Myung-Han Yoon,Jaehyuk Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of fabricating reflective photomask

Номер патента: US09726970B2. Автор: Choong Han RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabricating a torque converter with an etched clutch surface and a torque converter with an etched clutch surface

Номер патента: US09657824B2. Автор: Rashid Farahati,Jeffrey Krause,Christine Malott,Prasanna Gurumurthy. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method of fabricating and assembling industrial plant modules for industrial plant construction

Номер патента: US09453333B2. Автор: Ronald Porter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of making biologically active alpha-beta peptides

Номер патента: US09416156B2. Автор: Lisa M. Johnson,Samuel H. Gellman,William S. Horne. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of producing multifunctional ceramic matrix composite materials (versions)

Номер патента: RU2603330C2. Автор: Сергей Викторович Соколов,Ольга Георгиевна Рыжова,Евгений Акимович Богачев,Иван Анатольевич Тимофеев,Екатерина Сергеевна Сафонова,Павел Анатольевич Тимофеев,Светлана Викторовна Жукова. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московской области "Технологический университет". Дата публикации: 2016-11-27.

Color organic fiber, fabric and sewn products and also method of fabrics obtaining

Номер патента: RU2658246C2. Автор: Кендзи ИВАСИТА,Хироки СИМАДА,Саори КУРОДА. Владелец: Тейдзин Лимитед. Дата публикации: 2018-06-19.

Method of fabricating hot-adhesive back with thermoplastic polymer points and thermoplastic polymer used in this method

Номер патента: RU2317311C2. Автор: Жан ЛЕФЕВР,Бенуа МЕСНИЛЬ. Владелец: Лэньер Де Пикарди Бс. Дата публикации: 2008-02-20.

Method of repairing articles from polymer composite materials with one-side access to repair area

Номер патента: RU2723868C1. Автор: Виктор Семенович Виленц. Владелец: Виктор Семенович Виленц. Дата публикации: 2020-06-17.

Flip chip micromirror technology

Номер патента: US20230375822A1. Автор: Wyatt Owen Davis,Joseph Michael Luizzi,Di SUN,Xiao Chuan Ong. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Corner cover, sealing assembly and method of installing the corner cover

Номер патента: CA3217051A1. Автор: Kevin Casey,Jason Cackley,Raymond Young,Scott Koppen,Leon Bogucki. Владелец: Arnold Jaeger Holding GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Window deco film and method of fabricating the same

Номер патента: US20200159348A1. Автор: Cheol Hun Lee,Gwang Yong TAK,Ki Joon PARK. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Tubular liner, method of fabrication and use thereof

Номер патента: AU2022341130A1. Автор: Sylvain Morissette,Joel Heraud,Olivier BOUX. Владелец: Sanexen Environmental Services Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of fabricating a magnetic deformable machine and deformable 3d magnetic machine

Номер патента: WO2022033933A1. Автор: Wenqi Hu,Metin Sitti,Jiachen Zhang,Ziyu Ren. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of fabricating a liquid crystal display

Номер патента: US20020031852A1. Автор: Hsin-Ming Chen. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of fabricating a polishing pad having an optical window

Номер патента: US20030084774A1. Автор: KYLE David. Владелец: Rodel Holdings Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Method of fabricating a biasing plate spring for a wire-dot print head

Номер патента: US4979277A. Автор: Tetsuhiro Yamada,Masahiro Tatsukami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1990-12-25.

Method of fabricating a reflective type LCD

Номер патента: US20020031605A1. Автор: Wei-Chih Chang,Hsin Ming Chen,Yao-Nan Chen,Yun-Chieh Yuan. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Medical leads with segmented electrodes and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12064617B2. Автор: Kevin Wilson,Jeffrey Mitchell,Ryan Sefkow,John R. Gonzalez,Christopher A. Crawford,Raymond P. Bray. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of fabricating a magnetic tag

Номер патента: WO2004031444A3. Автор: Daniel Robert Johnson,Jonathan Geoffrey Gore,George Jiri Tomka,William Norman Damerell,Rhian Jenna Pugh. Владелец: Rhian Jenna Pugh. Дата публикации: 2004-11-25.

Method of fabricating a magnetic tag

Номер патента: WO2004031444A2. Автор: Daniel Robert Johnson,Jonathan Geoffrey Gore,George Jiri Tomka,William Norman Damerell,Rhian Jenna Pugh. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2004-04-15.

Tubular liner, method of fabrication and use thereof

Номер патента: EP4399357A1. Автор: Sylvain Morissette,Joel Heraud,Olivier BOUX. Владелец: Sanexen Environmental Services Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Photoluminescent fabric and method of making the photoluminescent fabric

Номер патента: WO2014118742A1. Автор: Luca Beltrame,Andrea Bressan. Владелец: Akkotex Srl. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200143010A1. Автор: Kang-Min Jung,Sangtae Kim,Bong-Soo Kang,Sooyong Lee,Kyoil KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of fabricating a magnetic transducer with multilayer conductive leads including a tantalum layer, a chromium layer and a rhodium layer

Номер патента: US7200919B2. Автор: Mustafa Pinarbasi. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2007-04-10.

Method of fabricating a polishing pad having an optical window

Номер патента: WO2003039812A1. Автор: Kyle W. David. Владелец: Rodel Holdings, Inc.. Дата публикации: 2003-05-15.

Device for fabricating solid freeform object and method of fabricating solid freeform object

Номер патента: US20220250317A1. Автор: Shinya Seno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Hub lock releasing structure for a tape recorder and related method of fabrication

Номер патента: US20020020774A1. Автор: Sung-Hee Hong,Jae-kab Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

A cmos method of fabricating a combination of an ion sensitive field effect transistor (isfet) and mosfet device

Номер патента: WO2014189360A1. Автор: Zain Azlina Mohd,Mohd Rofei Mat Hussin,Muhamad Ramdzan Buyong,Zaini Khairil Mazwan MOHD,Sharaifah Kamariah WAN SABLI. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of fabricating a shade panel

Номер патента: AU2023267589A1. Автор: Chien-Fong Huang. Владелец: Teh Yor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of fabricating a continuous nanofiber

Номер патента: US09951444B2. Автор: Yuris Dzenis. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating a concrete slab system

Номер патента: US09926701B2. Автор: S. Allen Face,Gregory M Scurto. Владелец: GCP Applied Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of fabricating sand control screen assemblies using three-dimensional printing

Номер патента: US09909397B2. Автор: Michael W. Sanders,Philip D. Nguyen,James William OGLE. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating housing and housing

Номер патента: US09713889B2. Автор: Chih-Wei Chen,Hung-Chi Shui,Hsi-Hsing Hsu,Che-Kai Lin,Shan-Chin CHANG. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of fabricating housing and housing

Номер патента: US09582029B2. Автор: Chih-Wei Chen,Hung-Chi Shui,Hsi-Hsing Hsu,Che-Kai Lin,Shan-Chin CHANG. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of fabricating test sample containers by applying barrier coatings after sealed container sterilization

Номер патента: US09428287B2. Автор: Weihua Sonya Wolters,Stanley Michael Philipak. Владелец: Biomerieux Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Medical leads with segmented electrodes and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09370653B2. Автор: Kevin Wilson,Jeffrey Mitchell,Ryan Sefkow,John R. Gonzalez,Christopher A. Crawford,Raymond P. Bray. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Methods of fabricating a polycrystalline diamond structure

Номер патента: US20120000136A1. Автор: Mohammad N. Sani. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Blade spar of aerodynamic model of propeller and method of its manufacture

Номер патента: RU2652545C1. Автор: Владимир Алексеевич Козлов,Юрий Юрьевич Евдокимов,Сергей Владимирович Ходунов,Александр Викторович Усов,Антон Анатольевич Горский,Иван Владимирович Трифонов,Сергей Юрьевич Козырев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2018-04-26.

Method of fabricating rails

Номер патента: RU2336336C2. Автор: Масахару УЕДА,Акира КОБАЯСИ,Нориаки ОНОДЕРА,Таку САТОХ,Такуя САТОХ,Казуо ФУДЗИТА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2008-10-20.

Obstacle avoidance control system and method of its fabrication (versions)

Номер патента: RU2573117C2. Автор: Эрнст ЛИНДТНЕР,Михель БЛЮМЕЛЬ,Кристиан ХЕНГСТ. Владелец: Косма Инжиниринг Еуропе Аг. Дата публикации: 2016-01-20.

Floor tile including fabric material, and method of its production

Номер патента: RU2691030C1. Автор: Со Йоунг КИМ,Воон Киу ДЗАНГ,Йоунг Дае СОНГ. Владелец: Нокс Корпорейшн. Дата публикации: 2019-06-07.

Welded component comrising seamless curved pipe and sections of seamless straight pipe, and also methods of fabrication thereof

Номер патента: RU2433331C2. Автор: Цутому АРИТА. Владелец: Сумитомо Метал Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2011-11-10.

Fibre preform, composite element reinforced with fibres and method of their preparation

Номер патента: RU2542976C2. Автор: Джонатан ГОЕРИНГ. Владелец: Олбани Энджиниэрд Композитс, Инк.. Дата публикации: 2015-02-27.

Fabric for use in composite materials and method of producing fabric and element from composite material

Номер патента: RU2587554C2. Автор: Томас БИШОФФ,Мелике АФСАР. Владелец: Гроц-Беккерт Кг. Дата публикации: 2016-06-20.

Method of fabrication of wearable layer of refractory lining in casting ladles and casting moulds, also wearable layer of refractory lining fabricated by this method

Номер патента: RU2383412C2. Автор: Слагнес СТЕЙНАР. Владелец: Норт Кейп Минералз Ас. Дата публикации: 2010-03-10.

Moulding tool and method of fabrication of component

Номер патента: RU2457111C2. Автор: Марк Эдвин ФАННЕЛЛ. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2012-07-27.

Method of fabricating multilayer container and articles thus produced

Номер патента: RU2443610C2. Автор: Гайлес ГРИНФИЛД. Владелец: Гринфилд Бин, Ллс. Дата публикации: 2012-02-27.

Preferential etching method of forming a microstructure for an optical fibre

Номер патента: WO2008121270A1. Автор: Michael T Gallagher,Daniel W Hawtof,Karl W Koch Iii,Leonard C Ii Dabich,Brett J Hoover. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

Cover lens and a method of fabricating a cover lens

Номер патента: WO2024115037A1. Автор: Michael Renaud,Leonardus Novianto DEPARI,Hang Tong Edwin TEO,Venu Gopal Madhav ANNAMDAS,Thoralf Klingner,Shakerzadeh MAZIAR,Ikhwan SYED. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of fabricating a nanochannel system for dna sequencing and nanoparticle characterization

Номер патента: US20170152134A9. Автор: Jin-woo Kim,Taylor Busch,Chao-Hung Steve Tung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-01.

Preferential etching method of forming a microstructure for an optical fibre

Номер патента: EP2132150A1. Автор: Daniel Warren Hawtof,Michael Thomas Gallagher,Brett Jason Hoover,Leonard Charles II DABICH,Karl W Koch Iii. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-12-16.

Method of fabricating metal-nitride vertically aligned nanocomposites

Номер патента: WO2021141787A1. Автор: Haiyan Wang,Xinghang Zhang,Xuejing Wang. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of manufacturing in-mold decorative molded product

Номер патента: US20200147845A1. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Nagahara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of fabricating a magnetic recording medium

Номер патента: US20040131891A1. Автор: Takuya Uzumaki,Hiroto Takeshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of fabricating a free-standing microstructure

Номер патента: WO2006036518A2. Автор: Clarence Chui,Jeffrey B. Sampsell. Владелец: Idc, Llc. Дата публикации: 2006-04-06.

Mother substrate for liquid crystal display device and method of fabricating liquid crystal display device

Номер патента: US20070291214A1. Автор: Sang-Ky Jeon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

FILM FOR THE BACKSIDE OF FLIP-CHIP TYPE SEMICONDUCTOR, DICING TAPE-INTEGRATED FILM FOR THE BACKSIDE OF SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING FILM FOR THE BACKSIDE OF FLIP-CHIP TYPE SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126380A1. Автор: MATSUMURA Takeshi,Uenda Daisuke,INOUE Koichi,MORITA Miki. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric

Номер патента: GB201418427D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2014-12-03.

Manufacturing method of inductor formation using redistribution process of flip-chip

Номер патента: TW465078B. Автор: Jau-Jie Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-11-21.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric.

Номер патента: GB201518419D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2015-12-02.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD-PORTABLE IMPEDANCE READER AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120004851A1. Автор: Potyrailo Radislav Alexandrovich,Morris William Guy,Ashe Jeffrey Michael,Surman Cheryl Margaret. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RESONANCE IMAGING APPARATUS AND MAGNETIC RESONANCE IMAGING METHOD OF CONTROLLING IMAGE CONTRAST

Номер патента: US20120001632A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing multilayer contour-profiled tissue

Номер патента: RU2466219C1. Автор: Владимир Терентьевич Сергеев,Ирина Юрьевна Павлихина,Марина Николаевна Никулина,Татьяна Леонидовна Доброва. Владелец: Закрытое акционерное общество "ТРИ-Д". Дата публикации: 2012-11-10.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabricating helical rotor pump stator

Номер патента: RU2325557C1. Автор: Виталий Григорьевич Тамурка,Аркадий Николаевич Карпов,Александр Владимирович Алтынов,Марина Владимировна Алтынова,Олег Аркадьевич Карпов,Виталий Григорьевич Тамурка (RU),Александр Владимирович Алтынов (RU),Марина Владимировна Алтынова (RU),Аркадий Николаевич Карпов (RU),Олег Аркадьевич Карпов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральное научно-конструкторское бюро" (ФГУП "ЦНКБ"). Дата публикации: 2008-05-27.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RINSE ADDED AMINOSILICONE CONTAINING COMPOSITIONS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20120004156A1. Автор: Vetter Kerry Andrew,Panandiker Rajan Keshav,"ONeil Julie Ann",VETTER Nicholas David. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of apparatus for air cooling of gas, method of fabrication of apparatus heat exchanger section (versions), method of fabrication of apparatus chamber for gas inlet or outlet, method of hydraulic pressure testing of apparatus heat exchanger section and method of hydraulic pressure testing of apparatus manifold for gas supply and removal

Номер патента: RU2364811C2. Автор: Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of making housing based on chip dimensions

Номер патента: RU2410793C2. Автор: Владимир Иванович Громов. Владелец: Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2011-01-27.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming fabric with variable density of filling thread

Номер патента: RU2495168C2. Автор: Владимир Юрьевич Селиверстов,Александр Павлович Гречухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2013-10-10.

Method of fabric production

Номер патента: RU2516855C2. Автор: Сергей Борисович Шилов. Владелец: Сергей Борисович Шилов. Дата публикации: 2014-05-20.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of fabricating uniform layer of graphitic carbon nitride (g-c3n4) on conductive substrate and semiconductor device thereof

Номер патента: MY190658A. Автор: Asri Mat Teridi Mohd,Ahmad Ludin Norasikin,Fazli Ismail Aznan,Aida Mohamed Nurul,Safaei Javad,Adib Ibrahim Mohd. Владелец: Univ Kebangsaan Malaysia. Дата публикации: 2022-05-09.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of armour cover for insert charge of composite solid propellant for rocket motor and heat-barrier material

Номер патента: RU2557629C1. Автор: Татьяна Иосифовна Пастор,Александр Михайлович Губкин,Вячеслав Александрович Гуськов,Ираида Семеновна Ламзина,Сергей Николаевич Архиреев,Наталья Николаевна Орлова,Юрий Гаврилович Карнаухов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ"). Дата публикации: 2015-07-27.

Radiation-resistant fibre-optic guide, method for production thereof and method of improving radiation resistance of fibre-optic guide (versions)

Номер патента: RU2537523C1. Автор: Валерий Ефимович Карасик,Алексей Николаевич Гурьянов,Евгений Михайлович Дианов,Алексей Борисович Пнев,Владимир Федорович Хопин,Михаил Юрьевич Салганский,Александр Леонидович Томашук,Павел Федорович Кашайкин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of production of armour helmet from laminated polymeric composites and armour helmet from laminated polymeric composites

Номер патента: RU2564970C1. Автор: Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Илья Сергеевич Гавриков,Елена Владимировна Куприянова,Николай Владимирович Греков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты" (ЗАО ЦВМ "Армоком"). Дата публикации: 2015-10-10.

Method of giving the effect of translucence to fabrics made of mixture of cotton and polyether fibers

Номер патента: RU2021406C1. Автор: В.Н. Кондратьев,С.И. Архарова,В.Б. Кузнецов,Н.В. Егоров. Владелец: Ивановский научно-исследовательский институт хлопчатобумажной промышленности. Дата публикации: 1994-10-15.

Method and apparatus for forming a flip chip semiconductor package and method for producing a substrate for the flip chip semiconductor package

Номер патента: SG182882A1. Автор: Ding Wei Xia. Владелец: Advanced Systems Automation Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Method of fabrication of internal shell of nozzle of combustion chamber of liquid-propellant rocket engine (lpre)

Номер патента: RU2563289C1. Автор: Любовь Дмитриевна Гладкова,Анатолий Михайлович Гордон,Наталья Николаевна Короткова,Иван Тихонович Коптев,Борис Иванович Омигов,Сергей Степанович Юхневич,Юрий Владимирович Шаров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2015-09-20.

Method of fabrication of a food freshness indicator using polymer substrate

Номер патента: PH22018050220U1. Автор: Armando S Somintac,Christopher Jude T Vergara,Laureen Ida M Ballesteros. Владелец: Univ Of The Philippines Diliman. Дата публикации: 2018-12-21.

Method of determining anisotropy of properties of tissues under action of operational factors

Номер патента: RU2582224C2. Автор: Надежда Анатольевна Смирнова,Вероника Владимировна Замышляева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2016-04-20.

Method of production of fabrics of comb shadow weaves

Номер патента: RU2515863C1. Автор: Галина Ивановна Толубеева,Сергей Сергеевич Кольцов,Антон Евгеньевич Шопыгин,Александра Михайловна Псыркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановская государственная текстильная академия" (ИГТА). Дата публикации: 2014-05-20.

Method of fabrication of shape generating parts of die moulds out of steel for producing items out of plastic by casting method under pressure or by press forming

Номер патента: RU2375141C1. Автор: Борис Владимирович Афонин,Александр Михайлович Великолуг,Павел Вячеславович Воронин,Роман Павлович Воронин,Борис Владимирович Афонин (RU),Александр Михайлович Великолуг (RU),Павел Вячеславович Воронин (RU),Роман Павлович Воронин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2009-12-10.

Metal coating of upgraded adhesion to material of pad and method of fabrication of this coating

Номер патента: RU2358034C2. Автор: Александр Германович Ермилов,Сергей Иванович Сухонос,Дмитрий Николаевич Вовк. Владелец: Дмитрий Николаевич Вовк. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of fabricating complex axially symmetric welded structures

Номер патента: RU2409457C1. Автор: Рудольф Анатольевич Кобылин,Владимир Михайлович Заболотнов,Александр Николаевич Хабаров,Николай Александрович Макаровец,Владимир Евгеньевич Ерохин,Валерий Владимирович Гаевский. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Государственное научно-производственное предприятие "Сплав". Дата публикации: 2011-01-20.

Method of assembling fireproof structure

Номер патента: RU2477249C1. Автор: Андрей Алексеевич Дорофеев,Мария Петровна Пасечник,Эмма Валеевна Быкова,Гульзара Хамитовна Коршунова,Светлана Николаевна Силяева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2013-03-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.