SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Номер патента: US20120217157A1
Опубликовано: 30-08-2012
Автор(ы): Shoubin Zhang, Yoshinori Shirai
Принадлежит: Mitsubishi Materials Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-08-2012
Автор(ы): Shoubin Zhang, Yoshinori Shirai
Принадлежит: Mitsubishi Materials Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Sputtering target including carbon-doped gst and method for fabricating electronic device using the same
Номер патента: US20220190241A1. Автор: Jun Ku AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-16.