Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Shaped apertures in an ion implanter

Номер патента: WO2008053139A2
Опубликовано: 08-05-2008
Автор(ы): Geoffrey Ryding, Marvin Farley, Stephen Hays, Takao Sakase
Принадлежит: Applied Materials, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Shaped apertures in an ion implanter

Номер патента: WO2008053139A3. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Stephen Hays. Владелец: Stephen Hays. Дата публикации: 2008-10-02.

Target end station for the combinatory ion implantation and method of ion implantation

Номер патента: WO2003058671A3. Автор: Helmut Karl,Bernd Stritzker,Axel Wenzel,Ingo Grosshans. Владелец: Univ Augsburg. Дата публикации: 2004-01-22.

Dual xy variable aperture in an ion implantation system

Номер патента: WO2023003695A1. Автор: Jun Lu,Frank Sinclair,Shane W. CONLEY,Michael HONAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-26.

Split double gap buncher and method for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: EP1419514A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Split double gap buncher and method for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: WO2003019612A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

High-current ion implanter and method for controlling ion beam using high-current ion implanter

Номер патента: WO2021011156A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii,Antonella Cucchetti,Eric D. Hermanson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-21.

Method and apparatus for improved ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: WO2003019613A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

Method and apparatus for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: EP1419515A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii) using an ion tunnel

Номер патента: EP4281991A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-11-29.

Acceleration and analysis architecture for ion implanter

Номер патента: WO1999063572A1. Автор: Anthony Renau,Charles Mckenna. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 1999-12-09.

Adjustable deflection optics for ion implantation

Номер патента: WO2010033199A1. Автор: Bo Vanderberg,Edward Eisner,Mike Graf. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2010-03-25.

Adjustable deflection optics for ion implantation

Номер патента: EP2340549A1. Автор: Bo Vanderberg,Edward Eisner,Mike Graf. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-06.

Weakening focusing effect of acceleration-decelaration column of ion implanter

Номер патента: WO2006068754A1. Автор: Donald Anderson,Joseph C. Olson,Shengwu Chang,Daniel McGillicuddy. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-06-29.

Ion implantation systems

Номер патента: US20100237260A1. Автор: Jiong Chen. Владелец: Kingstone Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Ion implantation apparatus with improved post mass selection deceleration

Номер патента: US5747936A. Автор: Bernard Harrison,Frederick G. Plumb. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii)

Номер патента: EP4281990A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-11-29.

Ion implanter

Номер патента: US5729027A. Автор: Tetsunori Kaji,Takayoshi Seki,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-17.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032566A3. Автор: Joseph C Olson,Russell J Low,Stephen E Krause,Eric D Hermanson,Kasegn D Tekletsadik,Piotr R Lubicki,Jeffrey D Lischer. Владелец: Jeffrey D Lischer. Дата публикации: 2009-04-30.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032566A2. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Joseph C. Olson,Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause,Jeffrey D. Lischer. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032565A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Joseph C. Olson,Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause,Jeffrey D. Lischer. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system

Номер патента: US20140326901A1. Автор: Jincheng Zhang,Neil K. Colvin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-06.

Ion generation device and ion implanter

Номер патента: US20240266140A1. Автор: Masateru Sato,Sho Kawatsu. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Cathode and counter-cathode arrangement in an ion source

Номер патента: EP1580788A3. Автор: Richard David Goldberg,Adrian John Murrell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Apparatus and method for metal contamination control in an ion implantation system using charge stripping mechanism

Номер патента: US11923169B2. Автор: Shu Satoh,Causon KO-CHUAN JEN,William Bintz,Genise Bonacorsi. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Implementation of co-gases for germanium and boron ion implants

Номер патента: WO2012067653A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Ion source structure of ion implanter and its operation method

Номер патента: US20240234079A9. Автор: Wen Yi Tan,Wen Shuo Cui. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Repeller for ion generating apparatus, ion generating apparatus and semiconductor wafer ion implantation apparatus

Номер патента: US20240290570A1. Автор: Kyoungchul YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for extending lifetime of an ion source

Номер патента: SG188998A1. Автор: Ashwini Sinha,Lioyd A Brown. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-31.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A2. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-04-07.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A3. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-07-21.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A9. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-05-26.

Ion implanter with contaminant collecting surface

Номер патента: US7358508B2. Автор: Michael Graf,Philip J. Ring. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-04-15.

Ion Implanting Apparatus and Ion Implanting Method

Номер патента: CA2129403A1. Автор: Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-02-06.

Ion implanting apparatus and ion implanting method

Номер патента: CA2129403C. Автор: Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Chlorine-containing precursors for ion implantation systems and related methods

Номер патента: WO2024044187A1. Автор: Ying Tang,Joseph R. Despres. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-29.

Chlorine-containing precursors for ion implantation systems and related methods

Номер патента: US20240062987A1. Автор: Ying Tang,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Indirectly heated button cathode for an ion source

Номер патента: US20040061068A1. Автор: Peter Rose,Marvin Farley,Shu Satoh,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Christos Christou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of improving ion beam quality in an implant system

Номер патента: WO2014164441A1. Автор: Timothy J. Miller,Bon-Woong Koo,Svetlana B. Radovanov,Christopher J. Leavitt,Peter F. Kurunczi. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-10-09.

Hydrogen bleed gas for an ion source housing

Номер патента: US20190348252A1. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Neil K. Colvin. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Hydrogen bleed gas for an ion source housing

Номер патента: WO2019217953A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-11-14.

Low conductance self-shielding insulator for ion implantation systems

Номер патента: US20180350553A1. Автор: Neil Colvin,John F. Baggett. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Gas delivery system for an ion source

Номер патента: US20090289197A1. Автор: Chris Campbell,Robert Lindberg,John Slocum,Kevin M. KEEN,Stefan CASEY. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Ion implanting apparatus capable of preventing discharge flaw production on reverse side surface of wafer

Номер патента: US5945681A. Автор: Kensuke Amemiya,Isao Hashimoto,Yasuo Yamashita,Keiji Arimatsu,Kazuo Mera,Takayoshi Seki,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-08-31.

Ion implanters

Номер патента: US20090166565A1. Автор: Adrian Murrell,Gregory Robert Alcott,Martin Hilkene,Matthew Castle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Improvements relating to ion implanters

Номер патента: WO2009083726A1. Автор: Adrian Murrell,Gregory Robert Alcott,Martin Hilkene,Matthew Castle. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-07-09.

Mechanism for prevention of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: EP1332652A2. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-06.

Mechanism for containment of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: WO2002037906A2. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-05-10.

Mechanism for containment of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: WO2002037906A8. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Terminal structure of an ion implanter

Номер патента: US20080073578A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Terminal structure of an ion implanter

Номер патента: WO2008039745A2. Автор: Russell J. Low,Kasegan D. Tekletsadik. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-04-03.

Ion implanting apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20040056214A1. Автор: Sang-Kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-25.

Ion-implantation machine, control method thereof, and process for manufacturing integrated devices

Номер патента: US20040121498A1. Автор: Camillo Bresolin,Valter Soncini,Andrea Riva. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-06-24.

High-energy implantation process using an ion implanter of the low-or medium-current type and corresponding devices

Номер патента: US5625195A. Автор: Andre Grouillet. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1997-04-29.

Terminal Structures Of An Ion Implanter Having Insulated Conductors With Dielectric Fins

Номер патента: US20090057572A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Steve Krause,Eric Hermanson,Doug May,Russel John Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Terminal structures of an ion implanter having insulated conductors with dielectric fins

Номер патента: WO2009029560A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Douglas May,Russell J. Low,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-05.

Ion Implanter, Internal Structure of Ion Implanter and Method of Forming A Coating Layer in the Ion Implanter

Номер патента: US20100327191A1. Автор: Kyung-Ic Jang,Kyung-Hwan Ye,Sam-Woong Kim,Yong-Sup Reim. Владелец: Komico Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Ion implanter, internal structure of ion implanter and method of forming a coating layer in the ion implanter

Номер патента: WO2009008626A2. Автор: Kyung-Ic Jang,Kyung-Hwan Ye,Sam-Woong Kim,Yong-Sup Reim. Владелец: KoMiCo LTD.. Дата публикации: 2009-01-15.

Contamination reduction during ion implantation

Номер патента: US7544958B2. Автор: Russell John Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Ion implanting apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US6737657B2. Автор: Sang-Kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-18.

Ion-implantation machine, control method thereof, and process for manufacturing integrated devices

Номер патента: US20060226352A1. Автор: Camillo Bresolin,Valter Soncini,Andrea Riva. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-10-12.

Beam line system of ion implanter

Номер патента: US20130009075A1. Автор: Boon-Chau TONG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Scanning wheel for ion implantation process chamber

Номер патента: GB2327532A. Автор: Richard Cooke,Peter I T Edwards. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-01-27.

Shutter linkage for an ion implantation apparatus

Номер патента: US5534752A. Автор: Chung Hua-Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-07-09.

Ion source, ion implantation apparatus, and ion implantation method

Номер патента: US20090078890A1. Автор: Hideyuki Fujiwara,Takatoshi Yamashita,Tadashi Ikejiri,Keiko Kuzawa. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-26.

Ion implanter and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060017017A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Yoshimasa Kawase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Repeller assembly for mounting into an arc chamber of an ion implanter and arc chamber containing the repeller assembly

Номер патента: US20240029991A1. Автор: Nam Ngo,Gerhard Duerrhammer,Jacob Boyer,Florian Schaper,Dustin Hacker,Mason Payne,Surf Johnson,Andrew Dalager. Владелец: Plansee USA LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Repeller assembly for mounting into an arc chamber of an ion implanter and arc chamber containing the repeller assembly

Номер патента: WO2024020294A1. Автор: Nam Ngo,Gerhard Duerrhammer,Jacob Boyer,Florian Schaper,Dustin Hacker,Mason Payne,Surf Johnson,Andrew Dalager. Владелец: Plansee USA LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Ion implantation beam angle calibration

Номер патента: EP1955357A1. Автор: Robert Rathmell,Dennis Kamenista. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-13.

Ion implantation beam angle calibration

Номер патента: WO2007064508A1. Автор: Robert Rathmell,Dennis Kamenista. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-06-07.

ARC chamber for an ion implantation system

Номер патента: US6022258A. Автор: Richard C. Abbott,Raymond C. DesMarais. Владелец: Thermoceramix Inc USA. Дата публикации: 2000-02-08.

Ion generator and ion implanter

Номер патента: US11848170B2. Автор: Syuta Ochi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Ion generator and ion implanter

Номер патента: US20240079199A1. Автор: Syuta Ochi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Moving module of a wafer ion-implanting machine

Номер патента: US20100218720A1. Автор: Ting-Wei Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

Moving module of a wafer ion-implanting machine

Номер патента: US7956333B2. Автор: Ting-Wei Lin. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2011-06-07.

System and method for removing contaminant particles relative to an ion beam

Номер патента: EP1314180A2. Автор: Michael Anthony Graf,Victor Maurice Benveniste,Robert Day Rathmell,Eric Ryan Harrington. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-28.

Ion implanter for photovoltaic cell fabrication

Номер патента: US20100264303A1. Автор: Aditya Agarwal,Thomas Parrill. Владелец: Twin Creeks Technologies Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Ion implantation system with mixture of arc chamber materials

Номер патента: US20210020402A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Ion implantation system with mixture of arc chamber materials

Номер патента: EP4000086A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Joseph R. SWEENEY. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Partial ion implantation apparatus and method using bundled beam

Номер патента: US20080128640A1. Автор: SEUNG Woo Jin,Min Yong Lee,Kyoung Bong Rouh,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Ion implantation surface charge control method and apparatus

Номер патента: CA1280223C. Автор: Marvin Farley. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Ion implantation system with an interlock function

Номер патента: US7026633B2. Автор: Jin-Soo Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-11.

Ion implanting method and apparatus

Номер патента: EP1306879A3. Автор: Koji c/o Nissin Ion Equipment Co. Ltd. Iwasawa,Nobuo c/o Nissin Ion Equipment Co. Ltd. Nagai. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-20.

Collimator magnet for ion implantation system

Номер патента: US20100140494A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Collimator magnet for ion implantation system

Номер патента: WO2010064099A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD.. Дата публикации: 2010-06-10.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation uniformity

Номер патента: US20060145096A1. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation

Номер патента: EP1836717A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-09-26.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-07-13.

Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter

Номер патента: WO2019164614A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii,Robert C. Lindberg. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

Ion implanter system, method and program product including particle detection

Номер патента: WO2005069945A2. Автор: Paul S. Buccos. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2005-08-04.

Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor

Номер патента: WO2004077480A3. Автор: Robert Mitchell. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor

Номер патента: EP1611592A2. Автор: Robert Mitchell. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-01-04.

Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor

Номер патента: WO2004077480A2. Автор: Robert Mitchell. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2004-09-10.

Ion implanter vacuum integrity check process and apparatus

Номер патента: US20020117634A1. Автор: Donald Wilcox,Randy Underwood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Ion implanting apparatus and sample processing apparatus

Номер патента: US6501080B1. Автор: Hiroyuki Tomita,Kazuo Mera. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-31.

Ion implantation apparatus and ion implanting method

Номер патента: US20070152173A1. Автор: Hiroshi Hashimoto,Takeshi Shibata,Tadahiko Hirakawa,Kazuhiko Tonari. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Low emission cladding and ion implanter

Номер патента: US20200234917A1. Автор: Julian G. Blake. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Technique for uniformity tuning in an ion implanter system

Номер патента: US20060284114A1. Автор: Joseph Olson,Jonathan England,Shengwu Chang,Morgan Evans,William Callahan,Damian Brennan,Douglas Fielder,Gregg Norris. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Graphite member for beam-line internal member of ion implantation apparatus

Номер патента: US8673450B2. Автор: Tetsuro Tojo,Hitoshi Suzuki,Kiyoshi Saito,Fumiaki Yokoyama,Seiji Shinohara,Atsuko Ando. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Method for transmitting a broadband ion beam and ion implanter

Номер патента: US20150069261A1. Автор: Libo Peng,Huiyue Long,Junyu Xie. Владелец: Beijing Zhongkexin Electronic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines

Номер патента: EP1402559A1. Автор: Jay T. Scheuer,Gregory R. Gibilaro. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Technique for uniformity tuning in an ion implanter system

Номер патента: US20060266957A1. Автор: Joseph Olson,Shengwu Chang,Damian Brennan. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Method and system for controlling beam scanning in an ion implantation device

Номер патента: WO2002082496A3. Автор: Raymond Paul Boisseau,William Philip Nett,Robert Joseph Ledoux. Владелец: Frost Alex John. Дата публикации: 2003-05-30.

Ion beam scanning systems and methods for improved ion implantation uniformity

Номер патента: EP1766654A1. Автор: Kevin Wenzel,Bo Vanderberg,Andrew Ray. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines

Номер патента: WO2002097853A1. Автор: Jay T. Scheuer,Gregory R. Gibilaro. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2002-12-05.

Ion implanter

Номер патента: US5218209A. Автор: Kunihiko Takeyama. Владелец: Nissin High Voltage Co Ltd. Дата публикации: 1993-06-08.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii) using an ion tunnel

Номер патента: US20240303390A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-09-12.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A3. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Peter Kellerman. Дата публикации: 2007-11-08.

Scanning systems and methods for providing ions from an ion beam to a workpiece

Номер патента: US20060033046A1. Автор: Michael Graf,Joseph Ferrara,Bo Vanderberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20130196492A1. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Toshio Yumiyama,Yasuharu Okamoto. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

A Method for the Simulation of an Energy-Filtered Ion Implantation (EFII)

Номер патента: US20240232470A9. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Ion implanter with vacuum piston counterbalance

Номер патента: EP1047102A3. Автор: Geoffrey Ryding. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-12.

Ion-implanter having variable ion beam angle control

Номер патента: US5696382A. Автор: Chang-Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-09.

Multi directional mechanical scanning in an ion implanter

Номер патента: GB2389958A. Автор: Richard Cooke,Simon Frederick Dillon,Richard Naylor-Smith. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-24.

Multi-purpose electrostatic lens for an ion implanter system

Номер патента: WO2008042585A2. Автор: Anthony Renau,James S. Buff,Svetlana B. Radovanov. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-04-10.

Post-decel magnetic energy filter for ion implantation systems

Номер патента: WO2010008458A1. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Bo Vanderberg. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-21.

Ion implanter

Номер патента: US6084240A. Автор: Chien-Hsing Lin,Cheng-Tai Peng. Владелец: United Integrated Circuits Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Graphite Member for Beam-Line Internal Member of Ion Implantation Apparatus

Номер патента: US20090181527A1. Автор: Tetsuro Tojo,Hitoshi Suzuki,Kiyoshi Saito,Fumiaki Yokoyama,Seiji Shinohara,Atsuko Ando. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Post-decel magnetic energy filter for ion implantation systems

Номер патента: EP2304763A1. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Bo Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-04-06.

Ion implanter

Номер патента: US20020148977A1. Автор: Hiroyuki Tomita,Kazuo Mera. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-10-17.

Effective algorithm for warming a twist axis for cold ion implantations

Номер патента: WO2011152866A1. Автор: William D. Lee,Kan Ota. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2011-12-08.

Method and apparatus relating to ion implantation

Номер патента: US5194748A. Автор: Derek Aitken. Владелец: Superion Ltd. Дата публикации: 1993-03-16.

Ion implanter provided with beam deflector and asymmetrical einzel lens

Номер патента: US20110220808A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Ion implantation beam monitor

Номер патента: WO2000002229A1. Автор: Bernard Francis Harrison. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2000-01-13.

A Method for the Simulation of an Energy-Filtered Ion Implantation (EFII)

Номер патента: US20240135066A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Energy Filter Assembly for Ion Implantation System with at least one coupling element

Номер патента: US20240047168A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato,André Zowalla. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Energy filter assembly for ion implantation system with at least one coupling element

Номер патента: EP4238121A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato,André Zowalla. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-09-06.

Reduced implant voltage during ion implantation

Номер патента: WO2010042494A2. Автор: Ludovic Godet,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-04-15.

Techniques and apparatus for manipulating an ion beam

Номер патента: US20170076908A1. Автор: Frank Sinclair,Victor Benveniste,James S. Buff. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Material surface reforming apparatus using ion implantation

Номер патента: US20240258069A1. Автор: Myung Jin Kim,Jae Keun KIL,Bom Sok KIM. Владелец: Radpion Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Reduced implant voltage during ion implantation

Номер патента: WO2010042494A3. Автор: Ludovic Godet,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-07-22.

Method And Apparatus for Uniformly Implanting A Wafer With An Ion Beam

Номер патента: US20110037000A1. Автор: Cheng-Hui Shen,Don Berrian. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-17.

Method and apparatus for controlling an electrostatic lens about a central ray trajectory of an ion beam

Номер патента: WO2012091908A3. Автор: Svetlana Radovanov,Frank Sinclair,Peter L. Kellerman,Robert C. Lindberg. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Loading-unloading device for semiconductor plates for ion implantation assembly

Номер патента: RU2126191C1. Автор: Аллен Брюн Роберт,Марлоу Рэй Эндрю. Владелец: Итон Корпорейшн. Дата публикации: 1999-02-10.

Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus

Номер патента: US9269540B2. Автор: Keiji Fujita,Kei Hattori,Takahito Nagamatsu,Masayuki Jinguuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Method of Measuring Vertical Beam Profile in an Ion Implantation System Having a Vertical Beam Angle Device

Номер патента: US20160189927A1. Автор: Shu Satoh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of measuring vertical beam profile in an ion implantation system having a vertical beam angle device

Номер патента: WO2016106422A1. Автор: Shu Satoh. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

Detecting contaminant particles during ion implantation

Номер патента: GB2317988A. Автор: Seung-ki Chae,Jae-Sun Jeon,Won-Yeong Kim,Chi-Seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-08.

Systems and methods for beam angle adjustment in ion implanters

Номер патента: WO2008033448A3. Автор: Bo Vanderberg,Edward Eisner. Владелец: Edward Eisner. Дата публикации: 2008-11-20.

Apparatus for measuring a position of an ion beam profiler and a method for its use

Номер патента: US20070023688A1. Автор: Jung-Su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-01.

Ion implant beam angle integrity monitoring and adjusting

Номер патента: US20070045569A1. Автор: Sandeep Mehta,Steven Walther,Ukyo Jeong. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Plasma immersion ion implantation process with chamber seasoning and seasoning layer plasma discharging for wafer dechucking

Номер патента: WO2009108266A1. Автор: Canfeng Lai,Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Matthew D. Scotney-Castle,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-09-03.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US5025167A. Автор: Shigeo Sasaki,Tetsuya Nakanishi,Soichiro Okuda,Kazuhiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Resolving slit assembly and method of ion implantation

Номер патента: WO1993023871A1. Автор: Derek Aitken. Владелец: Superion Limited. Дата публикации: 1993-11-25.

Occluding beamline ion implanter

Номер патента: WO2002084713A3. Автор: David S Holbrook. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2003-03-13.

Electron confinement inside magnet of ion implanter

Номер патента: WO2006060231A3. Автор: . Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2006-07-27.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1027718A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

Method and apparatus for supplying ion beam in ion implantation process

Номер патента: US20170243719A1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Jen-Chung Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system

Номер патента: EP1527473A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Thermal regulation of an ion implantation system

Номер патента: WO2002073651A1. Автор: Michael C. Vella. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2002-09-19.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: WO1999023685A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-05-14.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1235252A3. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation

Номер патента: EP2389680A1. Автор: William DiVergilio,Bo Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Apparatus and method for neutralizing the beam in an ion implanter

Номер патента: US4361762A. Автор: Edward C. Douglas. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-11-30.

Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus

Номер патента: US20140242732A1. Автор: Keiji Fujita,Kei Hattori,Takahito Nagamatsu,Masayuki Jinguuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Kinematic ion implanter electrode mounting

Номер патента: WO2005038856A2. Автор: Andrew Stephen Devaney,Jonathon Y. Simmons,John R. Shelley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2005-04-28.

Polarity exchanger and ion implanter having the same

Номер патента: US20040113100A1. Автор: Kyue-sang Choi,Hyung-sik Hong,Gyeong-Su Keum,Gum-Hyun Shin,Chung-Hun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-17.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: US20210090841A1. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Neil K. Colvin,Richard Rzeszut. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: WO2019144093A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Richard Rzeszut. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-07-25.

Systems and methods for ion implantation

Номер патента: US4743767A. Автор: Christopher Wright,Derek Aitken,Frederick Plumb,Bernard Harrison,Nicholas J. Bright. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1988-05-10.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: US20190228943A1. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Neil K. Colvin,Richard Rzeszut. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation

Номер патента: US20100181499A1. Автор: William F. Divergilio,Bo H. Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-22.

Ion source structure of ion implanter and its operation method

Номер патента: US20240136144A1. Автор: Wen Yi Tan,Wen Shuo Cui. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Front plate for an ion source

Номер патента: US20100288940A1. Автор: Christopher Burgess,Richard David Goldberg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Ion sources and ion implanters and methods including the same

Номер патента: US20060030134A1. Автор: Jae-Chul Lee,Sang-Chul Lee,Sung-Ho Kang,Yong-Kwon Kim,Ui-Yong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-09.

Method of operating an ion beam source, ion beam source and computer program

Номер патента: US20240266139A1. Автор: Ramu Pradip. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2024-08-08.

Gas delivery in an ion microscope system

Номер патента: WO2010132265A3. Автор: Randall Percival,Billy W. Ward,John A. Notte, IV. Владелец: CARL ZEISS NTS, LLC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Apparatus for dynamic temperature control of an ion source

Номер патента: US9287079B2. Автор: Craig R. Chaney,Neil J. Bassom,William Davis Lee. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Charge neutralization apparatus for ion implantation system

Номер патента: US5136171A. Автор: Charles M. Mckenna,Ka-Ngo Leung,Wulf B. Kunkel,Malcom D. Williams. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

Hydraulic feed system for an ion source

Номер патента: WO2023147108A1. Автор: Michael Cristoforo,Vladimir Romanov,Neil Colvin,Neil Bassom,Joshua Abeshaus,David Sporleder,Joseph Valinski,Pradeepa Kowrikan Subrahmnya. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-03.

Hydraulic feed system for an ion source

Номер патента: US11728140B1. Автор: Neil J. Bassom,Michael Cristoforo,Vladimir Romanov,Neil Colvin,Joshua Abeshaus,David Sporleder,Joseph Valinski,Pradeepa Kowrikan Subrahmnya. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for in-process cleaning of an ion source

Номер патента: US6135128A. Автор: Victor M. Benveniste,Michael A. Graf. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Shielded gas inlet for an ion source

Номер патента: WO2023076575A3. Автор: Neil Colvin,Neil Bassom,Joshua Abeshaus. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-06-08.

Ion implantation system

Номер патента: US20230369009A1. Автор: Min-Chang CHING,Hung-Ta Huang,Ching I Li,Kai-Yun Yang,Chen Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Gas delivery system with voltage gradient for an ion microscope

Номер патента: US8558192B2. Автор: Billy W. Ward,Randall G. Percival,John Notte, IV. Владелец: Carl Zeiss Microscopy LLC. Дата публикации: 2013-10-15.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: US12020896B2. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: US20240274405A1. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

In-situ cleaning using hydrogen peroxide as co-gas to primary dopant or purge gas for minimizing carbon deposits in an ion source

Номер патента: US20180096828A1. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Neil K. Colvin. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

In-situ cleaning using hydrogen peroxide as co-gas to primary dopant or purge gas for minimizing carbon deposits in an ion source

Номер патента: WO2018064157A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-04-05.

Ion implanter and model generation method

Номер патента: US20230038439A1. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Ion implanter and model generation method

Номер патента: US11823863B2. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source with gas mixing

Номер патента: US7655931B2. Автор: Atul Gupta. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2010-02-02.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20190074158A1. Автор: Takayuki Ito,Tsuyoshi Fujii,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: EP3945542A1. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Ion implanter toxic gas delivery system

Номер патента: US20210313144A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Ion implantation apparatus and scanning waveform preparation method

Номер патента: US20170271128A1. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Ion implantation method

Номер патента: US8921240B2. Автор: Yasunori Kawamura,Kyoko Kawakami,Yoshiki Nakashima. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Ion implantation method

Номер патента: US20120244724A1. Автор: Yasunori Kawamura,Kyoko Kawakami,Yoshiki Nakashima. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Plasma generation for ion implanter

Номер патента: US20180174807A1. Автор: Tsung-Min Lin,Hong-Hsing Chou,Fang-Chi Chien,Chao-Li Shih,Ming-Hsing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Ion implantation processes and apparatus using gallium

Номер патента: EP3850654A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES,Edward Edmiston JONES. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-07-21.

Ion implantation processes and apparatus using gallium

Номер патента: US20200083015A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Ion implanter and beam profiler

Номер патента: US20210134559A1. Автор: David Edward Potkins,Phillip Thomas Jackle. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Ion generator and ion implanter

Номер патента: US20210020403A1. Автор: Hiroki Murooka. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Phosphorus or arsenic ion implantation utilizing enhanced source techniques

Номер патента: US20170250084A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Barry Lewis Chambers. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

System and method for extending a lifetime of an ion source for molecular carbon implants

Номер патента: US11756772B2. Автор: XIAO Xu,Neil K. Colvin,Neil Bassom,Mike Ameen,David Sporleder. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for continuous production of beam of carborane ions with constant self-cleaning of ion source and component of ion implanter extraction system

Номер патента: RU2522662C2. Автор: Олег Васильевич Алексеенко,Сергей Николаевич Дугин,Элла Лазаревна Гуркова,Павел Аркадьевич Стороженко,Ефим Михайлович Окс,Дмитрий Николаевич Селезнев,Геннадий Николаевич Кропачев,Тимур Вячеславович Кулевой,Ростислав Петрович Куйбида,Гершкович Ади,Василий Иванович Гушенец. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (ФГБУ "ГНЦ РФ ИТЭФ"). Дата публикации: 2014-07-20.

Ion implantation system and control method

Номер патента: US20040104682A1. Автор: Thomas Horsky,Wade Krull,Brian Cohen,George Sacco Jr.. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Fluorine ion implantation system with non-tungsten materials and methods of using

Номер патента: WO2020123901A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: WO2024144890A1. Автор: Frank Sinclair,Daniel Hall,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER,Jonathan LOWDER,Pratim PALIT. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: US20240222072A1. Автор: Frank Sinclair,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: US20240222070A1. Автор: Frank Sinclair,Daniel Hall,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER,Jonathan LOWDER,Pratim PALIT. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for monitoring the performance of an ion implanter using reusable wafers

Номер патента: EP1002330A1. Автор: Don R. Rohner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-05-24.

Methods and apparatus for adjusting beam parallelism in ion implanters

Номер патента: EP1314179A2. Автор: Anthony Renau,Joseph C. Olson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2003-05-28.

Multi-directional mechanical scanning in an ion implanter

Номер патента: WO2008050079A1. Автор: Keith David John Relleen,Tristan Richard Holtam. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-05-02.

Apparatus and Method for Partial Ion Implantation Using Atom Vibration

Номер патента: US20090267002A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter

Номер патента: WO2002052612A2. Автор: Alfred Michael Halling. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-07-04.

In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter

Номер патента: WO2002052612A3. Автор: Alfred Michael Halling. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Method and apparatus for capturing and removing contaminant particles from an interior region of an ion implanter

Номер патента: CA2191115C. Автор: Robert Becker,Mary Jones,Frank Sinclair,Dale K. Stone,Julian G. Blake,David Chipman,Lyudmila Menn. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2002-02-05.

Method for capturing and removing contaminant particles from an interior region of an ion implanter

Номер патента: US5670217A. Автор: Robert Becker,Mary Jones,Frank Sinclair,Dale K. Stone,Julian G. Blake,David Chipman,Lyudmila Menn. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-09-23.

Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system

Номер патента: WO2007126966A3. Автор: Joseph C Olson,D Jeffrey Lischer,Stephen E Krause,Eric D Hermanson,Russell Low,Piortr R Lubicki. Владелец: Piortr R Lubicki. Дата публикации: 2008-03-06.

Parallel sweeping system for electrostatic sweeping ion implanter

Номер патента: US4942342A. Автор: Osamu Tsukakoshi. Владелец: Nihon Shinku Gijutsu KK. Дата публикации: 1990-07-17.

Method for monitoring the performance of an ion implanter using reusable wafers

Номер патента: WO1999008307A1. Автор: Don R. Rohner. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-02-18.

Method of controlling electrostatic lens and ion implantation apparatus

Номер патента: US20030151004A1. Автор: Koji Iwasawa. Владелец: Nissen Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Magnetic masks for an ion implant apparatus

Номер патента: WO2014093562A2. Автор: Robert B. Vopat,Christopher N. GRANT. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

Determining beam alignment in ion implantation using rutherford back scattering

Номер патента: WO2001027968A1. Автор: Peter Rose,Marvin Farley,Theodore H. Smick,Geoffrey Ryding,John Ruffell. Владелец: Cross, Rupert, Edward, Blount. Дата публикации: 2001-04-19.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US7119347B2. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-10.

Controlling an ion beam in a wide beam current operation range

Номер патента: US20170110286A1. Автор: Daniel Brosnan,Shengwu Chang,William Leavitt,Kristen Rounds. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Controlling an ion beam in a wide beam current operation range

Номер патента: WO2017066023A1. Автор: Daniel Brosnan,Shengwu Chang,William Leavitt,Kristen Rounds. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2017-04-20.

Ion implantation apparatus

Номер патента: GB1280305A. Автор: George Raymond Brewer,Charles Raymond Buckey. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1972-07-05.

Charge exchanger, ion implantation system comprising the charge exchanger, and method of controlling the rate at which the polarity of ions is changed

Номер патента: US6462347B1. Автор: Sang-kuen Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-08.

In situ ion beam current monitoring and control in scanned ion implantation systems

Номер патента: WO2018048889A1. Автор: Alfred Halling. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

Apparatus and method for reducing heating of a workpiece in ion implantation

Номер патента: EP1083587A3. Автор: Marvin Farley,Theodore H. Smick,Geoffrey Ryding. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-19.

Ion implanter and method of ion beam tuning

Номер патента: US20160079032A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Yuuji Takahashi,Yusuke Ueno. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Ion implanting apparatus

Номер патента: US5349196A. Автор: Noriyuki Sakudo,Kensuke Amemiya,Yoshimi Hakamata,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-09-20.

A masking apparatus for an ion implanter

Номер патента: WO2010144273A2. Автор: William T. Weaver,Charles Carlson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-12-16.

Ion implantation apparatus

Номер патента: CA1057422A. Автор: Demetrios Balderes,Charles J. Lucas,Herbert L. Arndt (Jr.),John R. Kranik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Methods and apparatus for scanning and focusing an ion beam

Номер патента: WO1999066528A1. Автор: Joseph C. Olson. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 1999-12-23.

Ion implantation method and apparatus

Номер патента: US4881010A. Автор: Neil R. Jetter. Владелец: Harris Semiconductor Patents Inc. Дата публикации: 1989-11-14.

Ion implantation apparatus and measurement device

Номер патента: US20190295818A1. Автор: Yoshiaki Inda. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Ion implantation with variable implant angle

Номер патента: US4745287A. Автор: Norman L. Turner. Владелец: Ionex HEI Corp. Дата публикации: 1988-05-17.

Ion implanter

Номер патента: US4274004A. Автор: Norio Kanai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-06-16.

Manufacturing method of semiconductor device, method for controlling ion beam, and ion implantation apparatus

Номер патента: US20110012034A1. Автор: Katsunari Nishikawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of determining angle misalignment in beam line ion implanters

Номер патента: US20100090131A1. Автор: Atul Gupta,Joseph C. Olson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US20050218345A1. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

An apparatus for the backside gas cooling of a wafer in a batch ion implantation system

Номер патента: WO2002027754A2. Автор: Dale Keith Stone,Robert John Mitchell,Bryan Christopher Lagos,David James Chipman,Gary Jay Rosen. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-04-04.

Apparatus for etching noble metals using ion implantation and method of use

Номер патента: WO2002023586A3. Автор: Young Jin Park,Jai-Hoon Sim,Brian Lee,Heon Lee,Satish Athavale,Kilho Lee,Young Limb. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Anisotropic surface energy modulation by ion implantation

Номер патента: WO2014022180A1. Автор: Ludovic Godet,Tristan MA,Christopher Hatem. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

An apparatus for the backside gas cooling of a wafer in a batch ion implantation system

Номер патента: EP1320866A2. Автор: Dale Keith Stone,Robert John Mitchell,Bryan Christopher Lagos,David James Chipman,Gary Jay Rosen. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-06-25.

System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter

Номер патента: WO2002027753A3. Автор: Robert John Mitchell. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter

Номер патента: WO2002027753A2. Автор: Robert John Mitchell. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of controlling electrostatic lens and ion implantation apparatus

Номер патента: SG140444A1. Автор: Koji Iwasawa. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-28.

Inductively coupled plasma type ion implanter

Номер патента: US20240021409A1. Автор: Seung Jae MOON,Jong Jin HWANG,Sung Mook JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-01-18.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: WO2024144887A1. Автор: Frank Sinclair,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter

Номер патента: EP1016118A1. Автор: Peter Edwards,Christopher Wright,Peter Kindersley,Richard Cooke,Stephen Chamberlain. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-05.

Repeller, cathode, chamber wall and slit member for ion implanter and ion generating devices including the same

Номер патента: US20180226218A1. Автор: Kyou Tae Hwang. Владелец: Value Engineering Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of reducing particle contamination for ion implanters

Номер патента: WO2008085405A1. Автор: Zhang Jincheng,Que Weiguo,Huang Yongzhang. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Ion source for use in an ion implanter

Номер патента: US20060169921A1. Автор: Klaus Becker,Klaus Petry,Werner Baer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Ion source for use in an ion implanter

Номер патента: EP1844487A2. Автор: Klaus Becker,Klaus Petry,Werner Baer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-10-17.

Apparatus and method for calibrating the position of a wafer platform in an ion implanter

Номер патента: US20030209050A1. Автор: Yu-Chun Peng,Lu-Chang Chen,Yi-Yao Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Fault detection and control methodologies for ion implantation processes, and system for performing same.

Номер патента: WO2005045875A1. Автор: Richard J. Markle,Elfido Coss, Jr.,Patrick M. Cowan,Tom Tse. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-19.

Delivery device, substrate ion-implanting system and method thereof

Номер патента: US20190385879A1. Автор: Rui Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

Номер патента: WO2006107797A2. Автор: Jonathan England,Joseph C. Olson,Russell J. Low,James R. Mclane,David R. Timberlake,Mark D. Saunders,James J. Cummings,Thomas B. Callahan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-10-12.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using fast ion beam control

Номер патента: US20060219954A1. Автор: Mark Saunders,Joseph Olson,Thomas Callahan,Jonathan England,James Cummings,Russell Low,David Timberlake,James McLane. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Method and apparatus for scanning a workpiece in a vacuum chamber of an ion beam implanter

Номер патента: US20070001129A1. Автор: Joseph Ferrara. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for checking ion implantation state, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP2565909A1. Автор: Isao Yokokawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Controlled dose ion implantation

Номер патента: WO2006031559A2. Автор: Aditya Agarwal,David Hoglund,Robert Rathmell. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-03-23.

Controlled dose ion implantation

Номер патента: EP1794774A2. Автор: Aditya Agarwal,David Hoglund,Robert Rathmell. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-06-13.

Holding device arrangement for use in an implantation process of a piezoelectric substrate

Номер патента: US20240297011A1. Автор: Cedric Charles-Alfred. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-09-05.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US12094685B2. Автор: Taisei Futakuchi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Ion implantation system and method suitable for low energy ion beam implantation

Номер патента: US6191427B1. Автор: Masataka Kase,Yoshiyuki Niwa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Ion implanter with variable scan frequency

Номер патента: WO2007111991A3. Автор: Joseph C Olson,Morgan Evans. Владелец: Morgan Evans. Дата публикации: 2008-01-24.

Low emission cladding and ion implanter

Номер патента: WO2020149955A1. Автор: Frank Sinclair,Julian G. Blake. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-07-23.

Ion implanter, magnetic field measurement device, and ion implantation method

Номер патента: US09984851B2. Автор: Hiroyuki Kariya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Ion implanting apparatus

Номер патента: US20110248182A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Kenji Sato,Tsutomu Tanaka,Takuya Uzumaki,Tadashi Morita,Tsutomu Nishihashi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-10-13.

Ion implanter

Номер патента: US20020180366A1. Автор: Won-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11728132B2. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Methods and apparatus for plasma doping and ion implantation in an integrated processing system

Номер патента: EP1438734A2. Автор: Steven R. Walther. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-07-21.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US20130295753A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US20150270103A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US9805913B2. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: US20210189550A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Joseph Sweeney. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: EP3794158A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: US11827973B2. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: EP1964149A2. Автор: Brian Freer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A2. Автор: Brian Freer. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A3. Автор: Brian Freer. Владелец: Brian Freer. Дата публикации: 2007-10-04.

Ion implant apparatus and method of controlling the ion implant apparatus

Номер патента: US20220270846A1. Автор: Hsun-Po WEN,Sung-Hui CHEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

Номер патента: WO2006107797A3. Автор: Jonathan England,Joseph C Olson,Russell J Low,James R Mclane,David R Timberlake,Mark D Saunders,James J Cummings,Thomas B Callahan. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2007-06-14.

Structures and methods for measuring beam angle in an ion implanter

Номер патента: US20090140717A1. Автор: Ivan Berry,Leonard M. Rubin,Walter Class. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Ion-implantation system using split ion beams

Номер патента: US5767522A. Автор: Shuichi Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Dual mode ion implanter

Номер патента: WO2015061101A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Joseph C. Olson,Kenneth H. Purser,Robert C. Lindberg. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-04-30.

Current limiter for high voltage power supply used with ion implantation system

Номер патента: US20130020940A1. Автор: Klaus Becker,Piotr Lubicki,Klaus Petry. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US20230260741A1. Автор: Tetsuya Kudo,Akihiro Ochi,Shinji Ebisu. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Energy filter element for ion implantation systems for the use in the production of wafers

Номер патента: US20240055217A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-15.

Ion implantation device

Номер патента: US5608223A. Автор: Suguru Hirokawa,Frank Sinclair. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Low contamination, low energy beamline architecture for high current ion implantation

Номер патента: WO2009131714A2. Автор: Y Huang. Владелец: Axcelis Technologies, Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20180145000A1. Автор: Masaki Ishikawa,Hiroyuki Kariya,Hideki Morikawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US20060076512A1. Автор: Yoshihiro Sohtome. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Ion implantation system and method for implanting aluminum using non-fluorine-containing halide species or molecules

Номер патента: WO2024026142A1. Автор: Edward Moore,Atul Gupta,Neil Colvin,Udo Verkerk,David Sporleder. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-01.

Ion implantation tool and ion implantation method

Номер патента: US20170125214A1. Автор: Sheng-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of manufacturing contamination level of ion implanting apparatus

Номер патента: US20150079705A1. Автор: Sooman Kim,Wonseok Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Excited gas injection for ion implant control

Номер патента: US8501624B2. Автор: Christopher A. Rowland,Craig R. Chaney,Bon-Woong Koo,Frank Sinclair,Victor Benveniste,Neil J. Bassom. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Ion implantation system and method for implanting aluminum using non-fluorine-containing halide species or molecules

Номер патента: US20240035148A1. Автор: Edward Moore,Atul Gupta,Neil Colvin,Udo H. Verkerk,David Sporleder. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Energy filter element for ion implantation systems for the use in the production of wafers

Номер патента: US11837430B2. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-12-05.

Ion Implantation Method, Ion Implantation Apparatus and Semiconductor Device

Номер патента: US20190066977A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Peter Zupan,Michael Brugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Ion implanter with variable scan frequency

Номер патента: WO2007111991A2. Автор: Joseph C. Olson,Morgan Evans. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-10-04.

Gas mixture as co-gas for ion implant

Номер патента: WO2024030209A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-08.

Gas mixture as co-gas for ion implant

Номер патента: US20240043988A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Holding device arrangement for use in an implantation process of a piezoelectric substrate

Номер патента: EP4374412A1. Автор: Cedric Charles-Alfred. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-05-29.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US11749501B2. Автор: Jian Wang,Takashi Sakamoto,Shinsuke Inoue,Yuta Iwanami,Weijiang Zhao. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method and apparatus for reducing vacuum loss in an ion implantation system

Номер патента: US11764042B2. Автор: Cheng-Yi Huang,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Chao-Po Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Ion implantation apparatus, substrate clamping mechanism, and ion implantation method

Номер патента: US20100133449A1. Автор: Hidenori Takahashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Ion Implantation Device

Номер патента: US20080054192A1. Автор: Masayuki Sekiguchi,Seiji Ogata,Tsutomu Nishihashi,Yuzo Sakurada. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method and Apparatus for Reducing Vacuum Loss in an Ion Implantation System

Номер патента: US20200126774A1. Автор: Cheng-Yi Huang,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Chao-Po Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US4831270A. Автор: Wesley Weisenberger. Владелец: Ion Implant Services. Дата публикации: 1989-05-16.

Ion implantation method and device

Номер патента: US11862429B2. Автор: Cheng-En Lee,Yi-Hsiung Lin,Hsuan-Pang LIU,Yao-Jen Yeh,Chia-Lin OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Ion source head and ion implantation apparatus including the same

Номер патента: US11482396B2. Автор: Ho Jun Lee,Jong Jin HWANG. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2022-10-25.

Ion source head and ion implantation apparatus including the same

Номер патента: US20220013322A1. Автор: Ho Jun Lee,Jong Jin HWANG. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2022-01-13.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20190244782A1. Автор: Sho Kawatsu,Noriyasu Ido. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Calibration hardware for ion implanter

Номер патента: US20240063045A1. Автор: Tsung-Min Lin,Lung-Yin TANG,Hsin-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Substrate treating apparatus, ion implantation apparatus, and ion implantation method

Номер патента: US11961695B2. Автор: Doyeon Kim,Hyun Yoon,Ho Jong Hwang. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Vacuum assembly for an ion implanter system

Номер патента: WO2015094621A1. Автор: Robert H. Bettencourt,Steven C. BORISCHEVSKY. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Low- inertia multi -axis multi -directional mechanically scanned ion implantation system

Номер патента: WO2010008455A3. Автор: Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Paul Eide,Kan Ota,Ronald Horner. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-06-10.

Low- inertia multi -axis multi -directional mechanically scanned ion implantation system

Номер патента: EP2289088A2. Автор: Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Paul Eide,Kan Ota,Ronald Horner. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Low- inertia multi -axis multi -directional mechanically scanned ion implantation system

Номер патента: WO2010008455A2. Автор: Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Paul Eide,Kan Ota,Ronald Horner. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-21.

Ion implantation method

Номер патента: US20200043700A1. Автор: Cheng-En Lee,Yi-Hsiung Lin,Hsuan-Pang LIU,Yao-Jen Yeh,Chia-Lin OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Ion implantation apparatus, ion implantation method, and semiconductor device

Номер патента: US20110248323A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Tetsuya Goto. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2011-10-13.

Plasma assisted damage engineering during ion implantation

Номер патента: WO2024097593A1. Автор: Christopher R. HATEM,Edmund G. Seebauer,Michael Noel Kennedy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Ion implant apparatus and a method of implanting ions

Номер патента: EP2786396A1. Автор: Takao Sakase,Geoffrey Ryding,William Park,Theodore Smick,Joseph Gillespie,Hilton Glavish,Paul Eide,Drew Arnold,Ronald Horner. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Ion implantation system and process for ultrasensitive determination of target isotopes

Номер патента: WO2016039828A1. Автор: Orville T. FARMER III,Martin Liezers. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2016-03-17.

Ion implantation system and process for ultrasensitive determination of target isotopes

Номер патента: EP3192094A1. Автор: Orville T. FARMER III,Martin Liezers. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2017-07-19.

Symmetrical shaper for an ion beam deposition and etching apparatus

Номер патента: US20080179535A1. Автор: Cherngye Hwang,Jorge A. Goitia,Peter M. Dang,Eduardo T. Mireles. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-07-31.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US20200216946A1. Автор: Jong-Moo Choi,Sung-Ki Kim,Heung-woo Park,Hasung Lee. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of ion implantation and an apparatus for the same

Номер патента: US20200152411A1. Автор: Yi Tang,Weiyimin Dong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of ion implantation and an apparatus for the same

Номер патента: US11017979B2. Автор: Yi Tang,Weiyimin Dong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Techniques for low temperature ion implantation

Номер патента: WO2008067213A2. Автор: Richard S. Muka,D. Jeffrey Lischer,Jonathan Gerald England. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-06-05.

Techniques for low-temperature ion implantation

Номер патента: US20090140166A1. Автор: Richard S. Muka. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Architecture for ribbon ion beam ion implanter system

Номер патента: WO2007089468A3. Автор: Kourosh Saadatmand,Peter L Kellerman. Владелец: Peter L Kellerman. Дата публикации: 2007-10-04.

Architecture for ribbon ion beam ion implanter system

Номер патента: WO2007089468A2. Автор: Peter L. Kellerman,Kourosh Saadatmand. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-08-09.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US11170975B2. Автор: Jong-Moo Choi,Sung-Ki Kim,Heung-woo Park,Hasung Lee. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Ion implanting apparatus and method for implanting ions

Номер патента: US20080191154A1. Автор: Chung Yi,Deok-Hoi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Umbilical cord facilities connection for an ion beam implanter

Номер патента: WO2005057632A1. Автор: Robert Mitchell,Kevin Ryan. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2005-06-23.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09984856B2. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Yasuharu Okamoto,Yusuke Ueno. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Ion implanter and ion implant method thereof

Номер патента: US20130130484A1. Автор: Zhimin Wan,Don Berrian,John D. Pollock. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Method Of Improving Ion Beam Quality In an Implant System

Номер патента: US20190027341A1. Автор: John W. Graff,Timothy J. Miller,Bon-Woong Koo,Nicholas P.T. Bateman,John A. Frontiero,Vikram M. Bholse. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of improving ion beam quality in an implant system

Номер патента: WO2015009975A1. Автор: John W. Graff,Timothy J. Miller,Bon-Woong Koo,Nicholas Pt Bateman,Vikram M. Bhosle,John A. Frontiero. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-01-22.

Method Of Improving Ion Beam Quality In An Implant System

Номер патента: US20170062182A1. Автор: John W. Graff,Timothy J. Miller,Bon-Woong Koo,Nicholas Pt Bateman,Vikram M. Bhosle,John A. Frontiero. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Ion implant assisted metal etching

Номер патента: US9435038B2. Автор: William Davis Lee,Tristan MA,Thomas Omstead. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Implant-induced damage control in ion implantation

Номер патента: WO2014055182A1. Автор: Shu Satoh,Serguei Kondratenko,Andrew Ray,Ronald REECE. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

High throughput cooled ion implantation system and method

Номер патента: WO2017023583A1. Автор: Joseph Ferrara,Brian Terry,Armin Huseinovic. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-02-09.

Monitoring device, ion implantation device, and monitoring method

Номер патента: US20160217973A1. Автор: Makoto Ishida. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Methods for increasing beam current in ion implantation

Номер патента: US20200013621A1. Автор: Aaron Reinicker,Ashwini K Sinha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-09.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11923167B2. Автор: Hiroshi Matsushita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11569058B2. Автор: Hiroshi Matsushita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Ion implantation apparatus and method of cleaning ion implantation apparatus

Номер патента: US10030304B2. Автор: Takayuki Nagai,Masateru Sato. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Method to accurately and repeatably setup an ion beam for an ion implantation system in reduced setup time to increase productivity

Номер патента: US20040244692A1. Автор: Jiong Chen,Simeon Ma. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Workpiece handling scan arm for ion implantation system

Номер патента: EP2057674A2. Автор: Robert Mitchell,Michel Pharand,Ari Eiriksson,Marvin Lafontaine,Ashwin Purohit,Steve Weed,Wayne Arsenault,Shantanu Pathak,Donovan Beckel. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Ion implantation device with an energy filter and a support element for overlapping at least part of the energy filter

Номер патента: US20240038491A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-01.

Plasma assisted damage engineering during ion implantation

Номер патента: US20240153775A1. Автор: Christopher R. HATEM,Edmund G. Seebauer,Michael Noel Kennedy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatus for implanting an ion on a target and method for the same

Номер патента: US20030030013A1. Автор: Takatoshi Yamashita. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-13.

Ion implantation and surface processing method and apparatus

Номер патента: US5212425A. Автор: Jesse N. Matossian,Dan M. Goebel. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1993-05-18.

Dopant compositions for ion implantation

Номер патента: SG11201808852YA. Автор: Ashwini Sinha,Aaron Reinicker. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Ion generating source for use in an ion implanter

Номер патента: CA2162748C. Автор: Thomas N. Horsky,William E. Reynolds,Piero Sferlazzo,Edward K. Mcintyre, Jr.,Richard M. Cloutier. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2001-04-17.

Gaseous ion source feed for oxygen ion implantation

Номер патента: US20020166975A1. Автор: Jaime Reyes. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

System and method for neutralizing an ion beam using water vapor

Номер патента: US5814819A. Автор: Frank Sinclair,Victor Benveniste,Jiong Chen. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Pumping system for reducing the effects of wafer outgasing on beam purity in an ion implanter

Номер патента: WO2001051296A1. Автор: John W. Vanderpot,Donald W. Berrian,John D. Pollock. Владелец: Proteros, Llc. Дата публикации: 2001-07-19.

Water-removing exhaust system for an ion implanter and a method for using the same

Номер патента: US5856676A. Автор: Byeong Ki Rheem,Sang Guen Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-05.

System and method for setecing neutral particles in an ion bean

Номер патента: US5814823A. Автор: Victor M. Benveniste. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Ion implantation apparatus with a cooled structure controlling the surface potential of a target surface

Номер патента: CA1088218A. Автор: Wolfgang F. Mueller,Charles M. Mckenna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-21.

Ion implantation apparatus for controlling the surface potential of a target surface

Номер патента: CA1089113A. Автор: John H. Keller,Charles M. Mckenna,John L. Forneris,William W. Hicks,James A. Seirmarco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-04.

System and method for spatially resolved optical metrology of an ion beam

Номер патента: US20200152417A1. Автор: Gang Shu,Shurong Liang,Glen Gilchrist. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Ionization chamber, ion-implantation apparatus and ion-implantation method

Номер патента: US20180374681A1. Автор: Rui Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Ion implanting system

Номер патента: US20110140005A1. Автор: Jong-hyun Park,Sun Park,Chun-Gi You,Yul-Kyu Lee,Jin-Hee Kang. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Ion implanting system

Номер патента: US8575574B2. Автор: Jong-hyun Park,Sun Park,Chun-Gi You,Yul-Kyu Lee,Jin-Hee Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-05.

System for controlling ion implantation dosage in electronic materials

Номер патента: US4021675A. Автор: Gordon A. Shifrin. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1977-05-03.

Ion implantation apparatus and measurement device

Номер патента: US20170271127A1. Автор: Kazuhisa Ishibashi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Uniform distribution monoenergetic ion implantation

Номер патента: CA2249157C. Автор: Andranik Sarkissian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-14.

Process for verifying the energy of an ion beam

Номер патента: US4870276A. Автор: Werner Lindinger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-09-26.

Plasma Source Ion Implanter with Preparation Chamber for Linear or Cross Transferring Workpiece

Номер патента: US20230092691A1. Автор: Xinxin Ma. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2023-03-23.

Fixed mask design for improving alignment with respect to an ion beam

Номер патента: WO2013095811A1. Автор: Benjamin B. Riordon,George M. Gammel. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

Device for plasma-immersion ion implantation at low pressure

Номер патента: RU2615161C2. Автор: Франк ТОРРЕГРОСА,Лорен РУ. Владелец: Ион Бим Сервисез. Дата публикации: 2017-04-04.

Monitoring plasma ion implantation systems for fault detection and process control

Номер патента: US7878145B2. Автор: Ludovic Godet,Ziwei Fang,Daniel Distaso,Jay T. Scheuer,Sung-Cheon Ko,Edmund J. Winder,Bon Woong Koo. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-02-01.

High impedance plasma ion implantation method and apparatus

Номер патента: CA2102384C. Автор: Jesse N. Matossian,Robert W. Schumacher,Dan M. Goebel. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

System in which a rotating body is connected to a rotary shaft in an ion implanter

Номер патента: US6762417B2. Автор: Hak-Young Kim,Jin-Hyeung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-13.

Device and method for detecting the drive state of a turbo pump in a tendetron accelerator of an ion implantation device

Номер патента: US20020050577A1. Автор: Kwang-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for reducing cross-contamination in ion implantation

Номер патента: US5880013A. Автор: Ming-Tsung Lee,Chien-Jung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Ion implantation having increased source lifetime

Номер патента: US5517077A. Автор: John Pontefract,Nicholas Bright,Paul A. Burfield,Bernard F. Harrison,Peter Meares,David R. Burgin,Andrew S. Devaney,Peter T. Kindersley. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-05-14.

Ion implantation apparatus having increased source lifetime

Номер патента: US5886355A. Автор: John Pontefract,Peter Torin Kindersley,Nicholas Bright,Peter Meares,David R. Burgin,Andrew Stephen Devaney,Paul Anthony Burfield,Bernard Francis Harrison. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-03-23.

Crucible design for liquid metal in an ion source

Номер патента: US11854760B2. Автор: Graham Wright,Daniel Alvarado,Robert C. Lindberg,Eric Donald WILSON,Jacob Mullin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Crucible design for liquid metal in an ion source

Номер патента: EP4360115A1. Автор: Graham Wright,Daniel Alvarado,Robert C. Lindberg,Eric Donald WILSON,Jacob Mullin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Method substance ion implantation

Номер патента: RU2666766C1. Автор: Денис Олегович Сивин,Александр Ильич Рябчиков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2018-09-12.

Masked ion implantation with fast-slow scan

Номер патента: EP2465146A2. Автор: Atul Gupta,Steven M. Anella,Nicholas P.T. Bateman,Benjamin B. Riordon. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-06-20.

Masked Ion Implant with Fast-Slow Scan

Номер патента: US20110272602A1. Автор: Atul Gupta,Steven M. Anella,Nicholas P.T. Bateman,Benjamin B. Riordon. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Power supply for an ion implantation system

Номер патента: WO2008086066A3. Автор: Eric Hermanson,Russell J Low,Stephen E Krause,Piotr R Lubicki. Владелец: Piotr R Lubicki. Дата публикации: 2008-12-18.

Power supply for an ion implantation system

Номер патента: WO2008086066A2. Автор: Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric Hermanson,Stephen E. Krause. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Bearing device and ion implantation device

Номер патента: US20180258988A1. Автор: Kang LUO,Fei Li,Xuewei Wang,Chao Tan,Jianbo Yang,Donghua Jiang,Yin Xie,Yongyi FU,Chenliang Liu,Rujian Li,Yongzhou LING. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

High-throughput ion implanter

Номер патента: WO2013067317A1. Автор: William T. Weaver,Paul Sullivan,Joseph C. Olson,James Buonodono,Charles T. Carlson. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-05-10.

Ion Implantation Apparatus with Ion Beam Directing Unit

Номер патента: US20160305012A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Stephan Voss,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Ion implantation apparatus with ion beam directing unit

Номер патента: US9809877B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Stephan Voss,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Thermally isolated captive features for ion implantation systems

Номер патента: WO2021194725A1. Автор: Adam M. McLaughlin,Jordan B. Tye. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-09-30.

Thermally Isolated Captive Features For Ion Implantation Systems

Номер патента: US20210296077A1. Автор: Adam M. McLaughlin,Jordan B. Tye. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Apparatus for transmission of energy and/or for transportation of an ion as well as a particle beam device having an apparatus such as this

Номер патента: US20110192973A1. Автор: Ulrike Zeile,Hubert Mantz,Albrecht Glasmachers,Alexander Laue,Michel Aliman,Holger Dömer. Владелец: Carl Zeiss NTS GmbH. Дата публикации: 2011-08-11.

Wafer bonding activated by ion implantation

Номер патента: WO2009039264A2. Автор: Paul Sullivan,Yuri Erokhin,Steven R. Walther,Peter Nunan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-26.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: US20230054419A1. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: WO2021155270A1. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US11201057B2. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-12-14.

Ion implantation system for implanting workpieces

Номер патента: WO1997030470A1. Автор: Julian G. Blake,Barbara J. Hughey,Zhongmin Yang,Peter H. Rose,Adam A. Brailove,Richard F. McRay. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1997-08-21.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US9379030B2. Автор: Takashi Kuroda,Shiro Ninomiya,Toshio Yumiyama,Akira Funai,Tadanobu Kagawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of controlling an ion implanter in plasma immersion mode

Номер патента: RU2651583C2. Автор: Франк ТОРРЕГРОСА,Лорен РУ. Владелец: Ион Бим Сервисез. Дата публикации: 2018-04-23.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: US11942343B2. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US20200135470A1. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for an ion implantation process employing an ion-collecting device that collects a distribution of ejected ions from a target to correct a tilt angle of the target

Номер патента: US12051593B2. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Dual mode ion source for ion implantation

Номер патента: EP1945832A1. Автор: Thomas Neil Horsky. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2008-07-23.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US20200098544A1. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US20200381210A1. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US11282673B2. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

High Temperature Intermittent Ion Implantation

Номер патента: US20160027646A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee,Tsun-Jen Chan,Yu-Chi Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Method for Preparing a Source Material for Ion Implantation

Номер патента: US20070178651A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Ion implanter system including remote dopant source, and method comprising same

Номер патента: EP2647036A2. Автор: W. Karl Olander,Robert Kaim,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

High temperature intermittent ion implantation

Номер патента: US10049856B2. Автор: YU Chi-Fu,Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee,Tsun-Jen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

High Temperature Intermittent Ion Implantation

Номер патента: US20160260580A1. Автор: YU Chi-Fu,Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US20210319978A1. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US20230113582A1. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US11527382B2. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Ion implantation device

Номер патента: US20150206710A1. Автор: Daisuke Goto,Satoshi Naganawa,Suguru Kenmochi. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

System and Method for Reducing Particle Formation in a Process Chamber of an Ion Implanter

Номер патента: US20240274404A1. Автор: Bon-Woong Koo,Frank Sinclair,Tseh-Jen Hsieh,Vikram M. Bhosle,Gregory Edward Stratoti. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for reducing particle formation in a process chamber of an ion implanter

Номер патента: WO2024167666A1. Автор: Bon-Woong Koo,Frank Sinclair,Tseh-Jen Hsieh,Vikram M. Bhosle,Gregory Edward Stratoti. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for enhanced lifetime and performance of ion source in an ion implantation system

Номер патента: MY166024A. Автор: Robert Kaim,Joseph D Sweeney,Anthony M Avila,Richard S Ray. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2018-05-21.

Ion implantation system and method of monitoring implant energy of an ion implantation device

Номер патента: US20080296484A1. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US20200118822A1. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US11875995B2. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US20220068648A1. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20170148633A1. Автор: Tetsuya Kudo,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Plasma chamber for controlling ion dosage in ion implantation

Номер патента: WO1997030464A1. Автор: Julian G. Blake,Peter H. Rose,Michael C. King. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1997-08-21.

Storage and delivery of antimony-containing materials to an ion implanter

Номер патента: US20200340098A1. Автор: Douglas C. Heiderman,Aaron Reinicker,Ashwini K Sinha. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Techniques for ion implantation of molecular ions

Номер патента: US20100084577A1. Автор: Christopher A. Rowland,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Cold stripper for high energy ion implanter with tandem accelerator

Номер патента: US20150187450A1. Автор: Shengwu Chang. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20140235042A1. Автор: Tetsuya Kudo,Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Apparatus and method for capturing ions in an electrostatic linear ion trap

Номер патента: AU2019281715B2. Автор: Martin F. JARROLD. Владелец: Indiana University. Дата публикации: 2024-06-13.

Ion implanter and particle detection method

Номер патента: US20220102112A1. Автор: Takao Morita,Takanori Yagita,Aki Ninomiya,Sayumi HIROSE. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method and apparatus for isolating ions in an ion trap with increased resolving power

Номер патента: WO1997044814A1. Автор: Vladimir M. Doroshenko,Robert J. Cotter. Владелец: THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 1997-11-27.

Ion implantation system and method adapted for serial wafer processing

Номер патента: US5929456A. Автор: Tadamoto Tamai. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Method for ion implantation that adjusts a target's tilt angle based on a distribution of ejected ions from a target

Номер патента: US20230230839A1. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

System and method for cooling workpieces processed by an ion implantation system

Номер патента: WO1997030471A1. Автор: Julian G. Blake,Zhongmin Yang,Kenneth H. Purser,Peter H. Rose,Adam A. Brailove. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1997-08-21.

Method for preparing a source material including forming a paste for ion implantation

Номер патента: US7494905B2. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US11830703B2. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US20200027697A1. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US20240047176A1. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of monitoring ion implants by examination of an overlying masking material

Номер патента: WO2001088955A3. Автор: Carlos Strocchia-Rivera. Владелец: Kla Tencor Inc. Дата публикации: 2002-03-07.

Method and Device for Determining the content of Lubricating Oil in an Exhaust Gas Mixture

Номер патента: US20080210855A1. Автор: Gerhard Mätz,Marcus Gohl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Method and device for determining the content of lubricating oil in an exhaust gas mixture

Номер патента: US7902497B2. Автор: Gerhard Mätz,Marcus Gohl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-08.

Separating ions in an ion trap

Номер патента: US12080534B2. Автор: Jason Lee Wildgoose,Martin Raymond Green,David J. Langridge,Keith Richardson,Steven Derek Pringle. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Hydrogen co-gas when using aluminum iodide as an ion source material

Номер патента: WO2018226574A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh,Neil Basson. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Sapphire property modification through ion implantation

Номер патента: US20140248472A1. Автор: Christopher D. Prest,Douglas Weber,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Sapphire property modification through ion implantation

Номер патента: EP2772565A3. Автор: Douglas J. Weber,Christopher D. Prest,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-10.

System for preventing backflow in an ion source

Номер патента: SG178993A1. Автор: Maurizio Splendore,Christopher Mullen,Eloy R Wouters,R Paul Atherton. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2012-04-27.

System for preventing backflow in an ion source

Номер патента: EP2480317A1. Автор: Eloy R. Wouters,Maurizio Splendore,Christopher Mullen,R. Paul Atherton. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2012-08-01.

Ion implanter, ion implantation method, and beam measurement apparatus

Номер патента: US20160042915A1. Автор: Mitsukuni Tsukihara,Makoto Sano,Haruka Sasaki,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US11961707B2. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Ion implanting method

Номер патента: US20180151369A1. Автор: Chia-Cheng Liu,Ming-Hui LI,Ming-Ying Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Longitudinal cathode expansion in an ion source

Номер патента: WO2005010911A3. Автор: John Keem,David Matthew Burtner,Scott A Townsend,Daniel E Siegfried,Vsevolod Zelenkov,Mark Krivoruschko,Valery Alexeyev. Владелец: Valery Alexeyev. Дата публикации: 2005-12-29.

Precursor and neutral loss scan in an ion trap

Номер патента: US11764046B2. Автор: Robert Graham Cooks,Christopher Pulliam,Dalton Snyder. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of testing ion implantation energy in ion implantation equipment

Номер патента: US20040185587A1. Автор: Doo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Ion Implantation Apparatus and Method of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20190051488A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Reducing plasma formation in an ion pump

Номер патента: US12014913B2. Автор: Marcus Hans Robert Thierley,Evan PRIVET. Владелец: Edwards Vacuum LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of processing a substrate using an ion beam and apparatus for performing the same

Номер патента: US20190272979A1. Автор: Jong-Kyu Kim,Seok-Woo Nam,Kyoung-sub Shin,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Jong-Soon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-05.

Ion implantation device comprising energy filter and additional heating element

Номер патента: WO2021229054A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: mi2-factory GmbH. Дата публикации: 2021-11-18.

Ion implantation device comprising energy filter and additional heating element

Номер патента: US20230197398A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Ion implantation device comprising energy filter and additional heating element

Номер патента: EP4150656A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-03-22.

Ion implantation helicon plasma source with magnetic dipoles

Номер патента: US5686796A. Автор: John Howard Keller,Albert Rogers Ellingboe,Roderick William Boswell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-11-11.

An ion lens for reducing contaminant effects in an ion guide of a mass spectrometer

Номер патента: EP2569800A1. Автор: Alexandre Loboda. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2013-03-20.

Active workpiece heating or cooling for an ion implantation system

Номер патента: WO2018132408A1. Автор: Joseph Ferrara,Brian Terry,John Baggett. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-07-19.

Controlling ion temperature in an ion guide

Номер патента: WO2018037240A1. Автор: Kevin Giles,Martin Raymond Green,David John LANGRIDGE. Владелец: MICROMASS UK LIMITED. Дата публикации: 2018-03-01.

Ion implantation device with energy filter having additional thermal energy dissipation surface area

Номер патента: WO2021228500A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: mi2-factory GmbH. Дата публикации: 2021-11-18.

Ion implantation device with energy filter having additional thermal energy dissipation surface area

Номер патента: US20230197404A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Controlling ion temperature in an ion guide

Номер патента: EP3504727A1. Автор: Kevin Giles,Martin Raymond Green,David John LANGRIDGE. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2019-07-03.

Ion implantation device with energy filter having additional thermal energy dissipation surface area

Номер патента: EP4150655A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-03-22.

Gas inlet for an ion thruster

Номер патента: US09928984B2. Автор: Bernd Pfeiffer,Reiner Teuchner. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2018-03-27.

Selectively releasing ions from an ion trap into a TOF mass spectrometer

Номер патента: GB2388248A. Автор: Jeff Brown,Robert Harold Bateman,Anthony James Gilbert. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2003-11-05.

Two-dimensional fourier transform mass analysis in an electrostatic linear ion trap

Номер патента: EP3803939A1. Автор: Eric Thomas DZIEKONSKI. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2021-04-14.

Controlling ion temperature in an ion guide

Номер патента: US20210287893A1. Автор: Kevin Giles,Martin Raymond Green,David John LANGRIDGE. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of manufacturing an ion-barrier film on a microchannel plate

Номер патента: RU2686065C1. Автор: Владимир Ильич Локтионов,Николай Иосифович Беспалко,Сергей Аврамович Кесаев,Дмитрий Валериевич Горшков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Катод". Дата публикации: 2019-04-24.

Optimization of excitation voltage amplitude for collision induced dissociation of ions in an ion trap

Номер патента: CA2716645C. Автор: Scott T. Quarmby. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2014-04-22.

Systems and Methods for Calibrating Gain in an Electron Multiplier

Номер патента: US20160133448A1. Автор: Harald Oser,Oleg Silivra,Joshua T. MAZE. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Increased dynamic range for the attenuation of an ion beam

Номер патента: US12027357B2. Автор: Pascal Martin,Bruce Collings. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Resolution improvement in an ion cyclotron resonance mass spectrometer

Номер патента: US4990775A. Автор: Ying Pan,Alan L. Rockwood,D. P. Ridge,John Wronka. Владелец: University of Delaware. Дата публикации: 1991-02-05.

An ion source for mass spectrometry

Номер патента: GB2348049A. Автор: Baykut Gokhan. Владелец: Bruker Daltonik GmbH. Дата публикации: 2000-09-20.

Separating ions in an ion trap

Номер патента: EP3286557A1. Автор: Jason Lee Wildgoose,Martin Raymond Green,David J. Langridge,Keith Richardson,Steven Derek Pringle. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2018-02-28.

Separating ions in an ion trap

Номер патента: US20210057197A1. Автор: Jason Lee Wildgoose,Martin Raymond Green,David J. Langridge,Keith Richardson,Steven Derek Pringle. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Separating ions in an ion trap

Номер патента: US20220367162A1. Автор: Jason Lee Wildgoose,Martin Raymond Green,David J. Langridge,Keith Richardson,Steven Derek Pringle. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

A method for providing an ion beam

Номер патента: AU1822897A. Автор: Gregory C. Eiden,Charles J. Barinaga,David W. Koppenaal. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1997-08-01.

Method of manufacture for an ion mobility filter

Номер патента: WO2019097234A1. Автор: Matthew Hart,Max Allsworth,Daniel Melhirst. Владелец: Owlstone Inc.. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of detecting the ions in an ion trap mass spectrometer

Номер патента: CA2094869C. Автор: Jae Curtis Schwartz,John Nathan Louris. Владелец: Finnigan Corp. Дата публикации: 1998-12-29.

Precursor and neutral loss scan in an ion trap

Номер патента: US20190066989A1. Автор: Robert Graham Cooks,Christopher Pulliam,Dalton Snyder. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-02-28.

System for preventing backflow in an ion source

Номер патента: WO2011037942A1. Автор: Eloy R. Wouters,Maurizio Splendore,Christopher Mullen,R. Paul Atherton. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for precision oxidation control by ion implantation

Номер патента: US20240203743A1. Автор: Wei Zou,Supakit Charnvanichborikarn,Hans-Joachim Ludwig Gossmann,Andrew Michael Waite,Cao-Minh Vincent Lu,Ana Cristina Gomez Herrero. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Improvements in the performance of an ion source for use with a mass spectrometer

Номер патента: WO2010136824A1. Автор: Eliot Powell,Kevin R. Howes,Paul Read. Владелец: MICROMASS UK LIMITED. Дата публикации: 2010-12-02.

Method for generating a layout of electrodes for an ion guide

Номер патента: US20220005683A1. Автор: Stephan Graf,Michael Kamrath. Владелец: Tofwerk AG. Дата публикации: 2022-01-06.

Systems and methods for ejection of ions from an ion trap

Номер патента: US20180204714A1. Автор: Robert Graham Cooks,Dalton Snyder. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-07-19.

Method for generating a layout of electrodes for an ion guide

Номер патента: US11908674B2. Автор: Stephan Graf,Michael Kamrath. Владелец: Tofwerk AG. Дата публикации: 2024-02-20.

Method and systems for analyzing ions using differential mobility spectrometry and an ion guide comprising additional auxiliary electrodes

Номер патента: EP4453554A1. Автор: Yves Le Blanc,Igor Chernushevich,Nicholas G. BLOOMFIELD. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Improvements in an electrostatic trap

Номер патента: CA2610207C. Автор: Alexander Alekseevich Makarov,Eduard V. Denisov,Gerhard Jung,Wilko Balschun,Stevan Roy Horning. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for operating an ion trap mass spectrometer system

Номер патента: EP2140477A1. Автор: James W. Hager. Владелец: MDS Analytical Technologies Canada. Дата публикации: 2010-01-06.

Combined ion implantation and kinetic transport deposition process

Номер патента: GB1466786A. Автор: . Владелец: California Linear Circuits Inc. Дата публикации: 1977-03-09.

Reducing plasma formation in an ion pump

Номер патента: EP4026160A1. Автор: Marcus Hans Robert Thierley,Evan PRIVET. Владелец: Edwards Vacuum LLC. Дата публикации: 2022-07-13.

A method for obtaining high accuracy mass spectra using an ion trap mass analyser and a method for determining and/or reducing chemical shift in mass analysis using an ion trap mass analyser

Номер патента: WO2004109743A2. Автор: Li Ding,Francesco Lorenzo Brancia. Владелец: Shimadzu Research Laboratory (Europe)Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

An ion source

Номер патента: GB2609792A. Автор: D Quimby Bruce,A Andrianova Anastasia. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2023-02-15.

A method for obtaining high accuracy mass spectra using an ion trap mass analyser and a method for determining and/or reducing chemical shift in mass analysis using an ion trap mass analyser

Номер патента: EP1644956A2. Автор: Li Ding,Francesco Lorenzo Brancia. Владелец: Shimadzu Research Laboratory Europe Ltd. Дата публикации: 2006-04-12.

Mirror lens for directing an ion beam

Номер патента: US20170047216A1. Автор: Gerhard Jung,Johannes Schwieters. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2017-02-16.

In situ surface contaminant removal for ion implanting

Номер патента: WO2006023637A3. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Naushad Variam,Steve Walther. Владелец: Steve Walther. Дата публикации: 2007-03-01.

In situ surface contamination removal for ion implanting

Номер патента: US7544959B2. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Steven R. Walther,Naushad Variam. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Method for controlling a vaporizer of ion implantation equipment during indium implantation process

Номер патента: US20060124868A1. Автор: Sang Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Method for controlling a vaporizer of ion implantation equipment during indium implantation process

Номер патента: US7348577B2. Автор: Sang Bum Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-25.

In situ surface contaminant removal for ion implanting

Номер патента: WO2006023637A2. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Naushad Variam,Steve Walther. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-03-02.

Systems and Methods for Determing Mass of an Ion Species

Номер патента: US20200176238A1. Автор: Hans Pfaff. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2020-06-04.

Coaxial introduction of calibrant in a flow path with analyte to an ion source

Номер патента: US12051582B2. Автор: Joseph D. Michienzi,Michael O. Fogwill,Sylvain Gilles CORMIER. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Surface Hydration with an Ion Beam

Номер патента: US20230282470A1. Автор: Michael Scott Westphall,Joshua Jacques COON. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-07.

Increased dynamic range for the attenuation of an ion beam

Номер патента: EP4004967A1. Автор: Pascal Martin,Bruce Collings. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Method of manufacture for an ion mobility filter

Номер патента: EP3710821A1. Автор: Matthew Hart,Max Allsworth,Daniel Melhirst. Владелец: Owlstone Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Surface hydration with an ion beam

Номер патента: WO2023168406A2. Автор: Joshua Coon,Michael Westphall. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-07.

Increased dynamic range for the attenuation of an ion beam

Номер патента: WO2021014390A1. Автор: Pascal Martin,Bruce Collings. Владелец: DH Technologies Development Pte. Ltd.. Дата публикации: 2021-01-28.

Technique for using an improved shield ring in plasma-based ion implantation

Номер патента: WO2008083020A3. Автор: Vikram Singh,Richard J Hertel,Timothy J Miller,Harold M Persing,Edmund J Winder. Владелец: Edmund J Winder. Дата публикации: 2008-10-16.

Ion mobility spectrometer incorporating an ion guide in combination with an ms device

Номер патента: CA2364676C. Автор: Alexander V. Loboda. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2010-07-27.

Device for analyzing a sample gas comprising an ion source

Номер патента: US20160189948A1. Автор: Martin BREITENLECHNER,Armin Hansel. Владелец: UNIVERSITAET INNSBRUCK. Дата публикации: 2016-06-30.

An ion shutter, a method of controlling ion shutter, and detection methods and apparatus

Номер патента: EP4158328A1. Автор: Paul Arnold,Alastair Clark,Jonathan Atkinson,ELIZABETH HUMPHREYS. Владелец: Smiths Detection Watford Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

An ion shutter, a method of controlling ion shutter, and detection methods and apparatus

Номер патента: WO2021240158A1. Автор: Paul Arnold,Alastair Clark,Jonathan Atkinson,ELIZABETH HUMPHREYS. Владелец: Smiths Detection-Watford Limited. Дата публикации: 2021-12-02.

An ion shutter, a method of controlling ion shutter, and detection methods and apparatus

Номер патента: US20230194473A1. Автор: Paul Arnold,Alastair Clark,Jonathan Atkinson,ELIZABETH HUMPHREYS. Владелец: Smiths Detection Watford Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacture for an ion mobility filter

Номер патента: US11092568B2. Автор: Matthew Hart,Max Allsworth,Daniel Melhirst. Владелец: Owlstone Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

An ion shutter, a method of controlling ion shutter, and detection methods and apparatus

Номер патента: CA3179562A1. Автор: Paul Arnold,Alastair Clark,Jonathan Atkinson,ELIZABETH HUMPHREYS. Владелец: Smiths Detection Watford Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

An ion detection device and a method of controlling an ion detection device

Номер патента: GB2624543A. Автор: SCHLÜTER Hans-Jürgen. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2024-05-22.

A method and apparatus for interfacing ion and molecular selecting devices with an ion counter

Номер патента: GB2600225A. Автор: Zachar Gorbunov Boris,Douglas Burton Michael. Владелец: Ancon Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Tool and methods for removing and or inserting an ion transfer tube of a mass spectrometer

Номер патента: GB2625084A. Автор: Venckus Aivaras,Petker Andre,Flosky Carla. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2024-06-12.

Systems and methods for delivering liquid to an ion source

Номер патента: EP3097414A1. Автор: Peter Kovarik. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-30.

Manufacturing method for an ion guide

Номер патента: US20220199388A1. Автор: Wilko Balschun. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2022-06-23.

Systems and methods for providing an ion beam

Номер патента: US20190108965A1. Автор: Sagi Brink-Danan,Shmuel EISENMANN,Evgeny Papeer,Assaf Shaham,Yair Ferber,Ynon Hefets,Omer Shavit,Boaz Weinfeld. Владелец: Hil Applied Medical Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Ion supply system and method to control an ion supply system

Номер патента: US10811243B2. Автор: Amelia Corinne PETERSON,Denis CHERNYSHEV,Jan-Peter Hauschild,Erik COUZIJN. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2020-10-20.

A mounting arrangement for positioning an ion source

Номер патента: GB2443853A. Автор: Alan Finlay. Владелец: Microsaic Systems PLC. Дата публикации: 2008-05-21.

An ion guide supplied with a DC potential which travels along its length

Номер патента: GB2400231A. Автор: Kevin Giles,Steve Pringle,Robert Harold Bateman. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2004-10-06.

Mass scanning method using an ion trap mass spectrometer

Номер патента: US5714755A. Автор: Gregory J. Wells,Mingda Wang,Edward G. Marquette. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1998-02-03.

Mass analyzing method using an ion trap type mass spectrometer

Номер патента: US20040159785A1. Автор: Yoshiaki Kato. Владелец: Yoshiaki Kato. Дата публикации: 2004-08-19.

Systems and methods for providing an ion beam

Номер патента: US20190108968A1. Автор: Sagi Brink-Danan,Shmuel EISENMANN,Evgeny Papeer,Assaf Shaham,Yair Ferber,Ynon Hefets,Omer Shavit,Boaz Weinfeld. Владелец: Hil Applied Medical Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Continuous operable gas purification device in an ion mobility spectrometer

Номер патента: US20160263520A1. Автор: Wen He,Yangtian Zhang,Yi Xiao,Yuntai Bao,Wangyang WU,Haichao ZHOU,Changzhuo CHEN,Qifang Wang,Haijun YU. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Means for removing unwanted ions from an ion transport system and mass spectrometer

Номер патента: CA2676405C. Автор: Philip Marriott. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2015-11-24.

Means for removing unwanted ions from an ion transport system and mass spectrometer

Номер патента: CA2676411C. Автор: Philip Marriott. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2012-08-07.

Means for removing unwanted ions from an ion transport system and mass spectrometer

Номер патента: AU5877199A. Автор: Philip Marriott. Владелец: Unicam Ltd. Дата публикации: 2000-04-03.

An ion mirror, an ion mirror assembly and an ion trap

Номер патента: GB2534892A. Автор: Derrick Peter. Владелец: Auckland Uniservices Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Ion source for an ion mobility spectrometer

Номер патента: US20200312646A1. Автор: Gary A. Eiceman,Hermann Wollnik,Benjamin D. Gardner. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Ion service for a mass analyser and method of cleaning an ion source

Номер патента: GB9716666D0. Автор: . Владелец: Masslab Ltd. Дата публикации: 1997-10-15.

Ion source for a mass analyser and method of cleaning an ion source

Номер патента: WO1999008309A1. Автор: Stevan Bajic. Владелец: Masslab Limited. Дата публикации: 1999-02-18.

Package structure for mounting a field emitting device in an electron gun

Номер патента: US20030032362A1. Автор: Kent Kalar,Randolph Schueller,Anthony Kloba. Владелец: Extreme Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Apparatus and method for injection of ions into an ion cyclotron resonance cell

Номер патента: US4535235A. Автор: Robert T. McIver, Jr.. Владелец: Finnigan Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

An ion source

Номер патента: GB835118A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1960-05-18.

Ion source for an ion mobility spectrometer

Номер патента: AU2019280080A1. Автор: Gary A. Eiceman,Hermann Wollnik,Benjamin D. Gardner. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of manufacture for an ion mobility filter

Номер патента: WO2020188297A1. Автор: Jon Pearson. Владелец: Owlstone Inc.. Дата публикации: 2020-09-24.

An ion deflector for a mass spectrometer

Номер патента: EP2828881A1. Автор: louri KALINITCHENKO. Владелец: BRUKER CHEMICAL ANALYSIS BV. Дата публикации: 2015-01-28.

Devices and methods for generating resonance excitation for an ion manipulation apparatus

Номер патента: US20230014104A1. Автор: Siyu Wu,Yupeng Cheng. Владелец: Shanghai Polaris Biology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of manufacture for an ion mobility filter

Номер патента: EP3942290A1. Автор: Jonathan Pearson. Владелец: Owlstone Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

An ion source

Номер патента: WO2021194617A1. Автор: Bruce D. Quimby,Anastasia A. ANDRIANOVA. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of manufacture for an ion mobility filter

Номер патента: US12031944B2. Автор: Jonathan Pearson. Владелец: Owlstone Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

An ion deflector for a mass spectrometer

Номер патента: WO2013138852A1. Автор: louri KALINITCHENKO. Владелец: BRUKER BIOSCIENCES PTY LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

An ion detection device and a method of controlling an ion detection device

Номер патента: WO2024089085A1. Автор: Hans-Jürgen Schlüter. Владелец: Thermo Fisher Scientific (Bremen) GmbH. Дата публикации: 2024-05-02.

Ionic vacuum pump incorporating an ion trap

Номер патента: US3631280A. Автор: Nathan D Levin,Andreas Niewold,Stephen D Sparks. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1971-12-28.

Combined pumping system comprising a getter pump and an ion pump

Номер патента: CA2752810C. Автор: Andrea Conte,Antonio Bonucci,Paolo Manini. Владелец: SAES Getters SpA. Дата публикации: 2015-09-15.

Heater for membrane mask in an electron-beam lithography system

Номер патента: US5742065A. Автор: Rodney Arthur Kendall,James Louis Speidell,Michael Stuart Gordon,David John Pinckney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Coaxial introduction of calibrant in a flow path with analyte to an ion source

Номер патента: US11764049B2. Автор: Joseph D. Michienzi,Michael O. Fogwill,Sylvain Gilles CORMIER. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Coaxial introduction of calibrant in a flow path with analyte to an ion source

Номер патента: US20240079223A1. Автор: Joseph D. Michienzi,Michael O. Fogwill,Sylvain Gilles CORMIER. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of determining the x-ray limit of an ion gauge

Номер патента: US4302679A. Автор: David Edwards, Jr.,Christopher P. Lanni. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1981-11-24.

Handling beam glitches during ion implantation of workpieces

Номер патента: US20110315899A1. Автор: William T. Weaver,Atul Gupta,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Handling beam glitches during ion implantation of workpieces

Номер патента: EP2589063A1. Автор: William T. Weaver,Atul Gupta,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Quartz lamp envelope with molybdenum foil having oxidation-resistant surface formed by ion implantation

Номер патента: US5021711A. Автор: Roy C. Martin,Mark D. Beschle,Sandra L. Madden. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1991-06-04.

Method of making an ion beam sputter-etched ventricular catheter for hydrocephalus shunt

Номер патента: US4432853A. Автор: Bruce A. Banks. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1984-02-21.

X-ray image intensifier tube with an ion pump to maintain a high vacuum in the tube

Номер патента: US5563407A. Автор: Shirofumi Yamagishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-08.

Methods and apparatus for cleaning at least one surface of an ion source

Номер патента: GB2486628A. Автор: John Allison. Владелец: Kratos Analytical Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

Supply source and method for enriched selenium ion implantation

Номер патента: US20140329377A1. Автор: Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Lloyd A. BROWN. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Manufacturing method for an ion guide

Номер патента: US11978618B2. Автор: Wilko Balschun. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2024-05-07.

System and method for introducing aluminum to an ion source

Номер патента: US11996281B1. Автор: Craig R. Chaney,Adam M. McLaughlin,Graham Wright,Ori NOKED. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Ion implant using tetrafluoroborate

Номер патента: US4851255A. Автор: Shantia Riahi,Andre Lagendijk. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1989-07-25.

Shutter for an ion mobility spectrometer

Номер патента: CA2952412C. Автор: Sergej Vasiljevitsj MITKO. Владелец: Eye On Air BV. Дата публикации: 2023-03-14.

Shutter for an ion mobility spectrometer

Номер патента: CA2952412A1. Автор: Sergej Vasiljevitsj MITKO. Владелец: Eye On Air BV. Дата публикации: 2015-12-23.

Wafer Support Assembly Including Ion Implantation Mask Structure

Номер патента: US20190051554A1. Автор: Sang Hoon Han,Tae Gon Kim,Hanmei Choi,Hyun Chul Song,Sun Hong Choi,Kyung In CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Bond pad isolation and current confinement in an led using ion implantation

Номер патента: WO2011137030A1. Автор: Chi-Chun Chen,San Yu. Владелец: Varian Semiconductior Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-11-03.

Bond pad isolation and current confinement in an led using ion implantation

Номер патента: US20110263054A1. Автор: Chi-Chun Chen,San Yu. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Ion accelaration method and apparatus in an ion implantation system

Номер патента: WO2002054443A2. Автор: David D. Swenson,Kourosh Saadatmand,William Frank Divergilio. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-07-11.

Method and apparatus for improved ion acceleration in an ion implantation system

Номер патента: EP1348226A2. Автор: David D. Swenson,Kourosh Saadatmand,William Frank Divergilio. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-01.

High voltage insulator for preventing instability in an ion implanter due to triple-junction breakdown

Номер патента: US20080315114A1. Автор: Shengwu Chang,Frank Slnclalr. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Ion implantation method in semiconductor device

Номер патента: US20050176224A1. Автор: JUNG Myung Jin,Kim Dae Kyeun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

SAG nanowire growth with ion implantation

Номер патента: AU2021280815A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: EP4158680A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-04-05.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: WO2021242345A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

SAG nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US12119224B2. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of masking and etching a semiconductor substrate, and ion implant lithography methods of processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20030096195A1. Автор: J. Rolfson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of reducing oxidation of metal structures using ion implantation, and device formed by such method

Номер патента: US20040043605A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Qubits with ion implant josephson junctions

Номер патента: US20220181536A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Jeffrey W. Sleight,Robert L. Sandstrom,Ryan T. Gordon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of making Schottky barrier diode by ion implantation and impurity diffusion

Номер патента: US4260431A. Автор: Leo R. Piotrowski. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1981-04-07.

High voltage insulator for preventing instability in an ion implanter due to triple-junction breakdown

Номер патента: WO2009002736A2. Автор: Frank Sinclair,Shengwu Chang. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-12-31.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

Wafer temperature correction system for ion implantation device

Номер патента: US20130149799A1. Автор: Kazuhiro KANDATSU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Method of ion implantation

Номер патента: US20020109105A1. Автор: Michael Huang,Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Buried channel strained silicon FET using a supply layer created through ion implantation

Номер патента: US20020030203A1. Автор: Eugene Fitzgerald. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Producing a diamond semiconductor by implanting dopant using ion implantation

Номер патента: US8328936B2. Автор: Kenji Ueda,Yoshiharu Yamauchi,Toshiki Makimoto,Makoto Kasu. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

High-Temperature Ion Implantation Apparatus and Methods of Fabricating Semiconductor Devices Using High-Temperature Ion Implantation

Номер патента: EP1860683A3. Автор: Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-06-08.

Ion implant method for topographic feature corner rounding

Номер патента: US20040005764A1. Автор: Hsueh-Li Sun,Jie-Shing Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Ion implantation method, method of producing solid-state imaging device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20100065938A1. Автор: Keiji Mabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Electronic device with interconnection structure oblate ellipsoid-shaped aperture

Номер патента: US11049828B2. Автор: Jin Seong Kim,Byong Woo Cho,Gyu Wan Han. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US20230005743A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US20210375624A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Method and apparatus for a silent blower in an information handling system

Номер патента: US20240231448A9. Автор: Travis C. North,Qinghong He. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for a silent blower in an information handling system

Номер патента: US20240134427A1. Автор: Travis C. North,Qinghong He. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-25.

Ion implantation process

Номер патента: WO1999030358A3. Автор: Carl Glasse,Martin John Powell,Barry Forester Martin. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-08-26.

Ion implantation process

Номер патента: WO1999030358A2. Автор: Carl Glasse,Martin John Powell,Barry Forester Martin. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-06-17.

Methods of fabricating non-volatile memory devices using inclined ion implantation

Номер патента: US20100317169A1. Автор: Keon-Soo Kim,Se-Jun Park,Min-Chul Kim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Ion implantation mask and method for manufacturing same, silicon carbide semiconductor device using ion implantation mask, and method for manufacturing same

Номер патента: US20070032002A1. Автор: Yusuke Fukuda,Masaaki Shimizu,Koichi Nishikawa,Hideki Hashimoto,Seiichi Yokoyama,Ken-ichi Nonaka,Hiroaki Iwakuro. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Apparatus for repairing defects in emulsion masks by passing laser light through a variable shaped aperture

Номер патента: US5347134A. Автор: Kazuo Watanabe,Hiroyuki Hashimoto. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1994-09-13.

Method of evaluating characteristics of ion implanted sample

Номер патента: US20170138863A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

High temperature ion implantation of nitride based HEMTS

Номер патента: EP2690653A3. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-03-05.

Ion-implantation method in solid materials for implanting impurities

Номер патента: US5096841A. Автор: Atsushi Miura,Akitsu Shimoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

High temperature ion implantation of nitride based HEMTS

Номер патента: EP2261959A3. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-04-27.

Ion implant defined nanorod in a suspended Majorana fermion device

Номер патента: US11948985B2. Автор: Ning Li,Patryk GUMANN,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Stephen W. Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: US20210151575A1. Автор: Ning Li,Patryk GUMANN,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Stephen W. Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: WO2021099222A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Steven Holmes,Patryk GUMANN,Stephen Bedell,Sean Hart. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-05-27.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: EP4022684A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Steven Holmes,Patryk GUMANN,Stephen Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: WO2019036582A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,Tristan MA,John Hautala. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-02-21.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: US20190056914A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,John Hautala,Tristan Y. Ma. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: US20200096870A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,John Hautala,Tristan Y. Ma. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter

Номер патента: CA1139015A. Автор: James S. Makris,Raj K. Raheja,George R. Goth,Arunachala Nagarajan,Conrad A. Barile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

Wafer temperature correction system for ion implantation device

Номер патента: US8378316B2. Автор: Kazuhiro KANDATSU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Method for ion implantation in a semiconductor wafer

Номер патента: US20230128033A1. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA,Julien BORREL,Paul Dumas,Fanny HILARIO,Ludovic BERTHIER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of manufacturing schottky gate field transistor by ion implantation method

Номер патента: US4889817A. Автор: Hiroshi Nakamura,Tadashi Saito,Masanori Tsunotani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-26.

Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation

Номер патента: US20200258742A1. Автор: Alexander Suvorov,Robert Leonard,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation

Номер патента: US20210066081A1. Автор: Alexander Suvorov,Robert Leonard,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of calculating ion implantation distribution and program implementing the calculation method

Номер патента: US20090306913A1. Автор: Kunihiro Suzuki,Shuichi Kojima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for forming memory device involving ion implantation of the control gate spacer and wet etching process to expose sidewall of control gate

Номер патента: US10896911B2. Автор: Cheng-Ta Yang,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Method of forming an integrated circuit region through the combination of ion implantation and diffusion steps

Номер патента: CA1082373A. Автор: Joseph Regh,Conrad A. Barile,Robert M. Brill,John L. Forneris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Method of manufacturing semiconductor device and ion implanter

Номер патента: US20120329256A1. Автор: Takayuki Ito,Koji Hadano,Masayuki Jinguji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of making a self aligned ion implanted gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: US20070281406A1. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Fuse element resistance enhancement by laser anneal and ion implantation

Номер патента: US20200286827A1. Автор: Yi Song,Chih-Chao Yang,Michael RIZZOLO,Juntao Li,Liying Jiang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of making ion implanted zener diode

Номер патента: US4119440A. Автор: John W. Hile. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1978-10-10.

Method of using an ion implantation process to prevent a shorting issue of a semiconductor device

Номер патента: US20160276465A1. Автор: Ching-Wen Hung,Rai-Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Scaffold for an ion-conductive membrane

Номер патента: US8147663B2. Автор: Steven Matthew QUIST,Scott Suarez. Владелец: Cekamatec Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Scaffold for an ion-conductive membrane

Номер патента: WO2010083528A3. Автор: Scott Suarez. Владелец: Ceramatec, Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Methods of Forming Stressed Silicon-Carbon Areas in an NMOS Transistor

Номер патента: US20130052783A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Process for forming shallow isolating regions in an integrated circuit and an integrated circuit thus formed

Номер патента: WO2002017386A1. Автор: Alain Inard,Franck Arnaud,Walter J. A. De Coster,Meindert M. Lunenborg. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-28.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Ion implantation for improved contact hole critical dimension uniformity

Номер патента: US20170178911A1. Автор: John Hautala,Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson,Boya Cui. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Long length high temperature superconducting wires with uniform ion implanted pinning microstructures

Номер патента: EP3338312A1. Автор: Li Qiang,Sathyamurthy Srivatsan,Rupich W. MARTIN,Solovyov F. VYACHESLAV. Владелец: American Superconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-27.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: US20240297044A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: EP4425533A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Method and apparatus for a mobile information handling system with an ion drag enhanced convection airflow

Номер патента: US20240231449A9. Автор: Travis C. North,Qinghong He,Enoch Chen. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for a mobile information handling system with an ion drag enhanced convection airflow

Номер патента: US20240134428A1. Автор: Travis C. North,Qinghong He,Enoch Chen. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for low temperature ion implantation

Номер патента: US20110244669A1. Автор: Zhimin Wan,John D. Pollock,Erik Collart. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of controlling metal formation processes using ion implantation, and system for performing same

Номер патента: US20040023489A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: WO2010085293A1. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-07-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: US20100190324A1. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: WO2010085293A8. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-12-29.

Selective sti stress relaxation through ion implantation

Номер патента: SG144067A1. Автор: Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Ong Shiang Yang,Sohn Dong Kyun,Elgin Quek,Vincent Leong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Self-detection method utilizing an ion generating device to dissipate electrostatic capacity

Номер патента: US9829527B2. Автор: Kuan-Ting Wu. Владелец: Yi Jing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Ion implantation with annealing for substrate cutting

Номер патента: US11855040B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Yun Chen Teng,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Dual nsd implants for reduced rsd in an nmos transistor

Номер патента: US20130149829A1. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Ion implantation with annealing for substrate cutting

Номер патента: US20240120314A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Yun Chen Teng,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and apparatus for an ion emitter-assisted heatpipe

Номер патента: US20240231447A9. Автор: Travis C. North,Qinghong He,Nikhil Vichare. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for an ion emitter-assisted heatpipe

Номер патента: US20240134426A1. Автор: Travis C. North,Qinghong He,Nikhil Vichare. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods of etching intermediate silicon germanium layers using ion implantation to promote selectivity

Номер патента: US7037768B2. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Dong-gun Park,Chang-Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-02.

Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation

Номер патента: US8461028B2. Автор: RODNEY S. Ruoff,Luigi Colombo,Robert M. Wallace. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-06-11.

Methods of Forming an Anode and a Cathode of a Substrate Diode by Performing Angled Ion Implantation Processes

Номер патента: US20130049164A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Methods of etching intermediate silicon germanium layers using ion implantation to promote selectivity

Номер патента: US20050003628A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Dong-gun Park,Chang-Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Plasma immersed ion implantation process using balanced etch-deposition process

Номер патента: US8273624B2. Автор: Peter Porshnev,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation

Номер патента: US20130026444A1. Автор: RODNEY S. Ruoff,Luigi Colombo,Robert M. Wallace. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-01-31.

Method of forming multiple gate oxide layers with different thicknesses in one ion implantation process

Номер патента: US20020127806A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Opc method for a shallow ion implanting layer

Номер патента: US20190035775A1. Автор: Meng Kang,Yueyu Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

OPC method for a shallow ion implanting layer

Номер патента: US10192861B1. Автор: Meng Kang,Yueyu Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Ion diffuser and cartridge for an ion diffuser

Номер патента: US20230285983A1. Автор: Alexander KORNEV,Siarhei KOSTEVITCH,Sergei KOSTEVITCH. Владелец: Real Scientists Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Controlled ion implant damage profile for etching

Номер патента: US4978418A. Автор: Carol I. H. Ashby,Paul J. Brannon,George W. Arnold, Jr.. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-12-18.

Method for fabricating a polymeric material for use in an energy storage apparatus, a polymeric material and an energy storage apparatus comprising thereof

Номер патента: US20190067737A1. Автор: Yan Huang,Chunyi Zhi. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2019-02-28.

Ion diffuser and cartridge for an ion diffuser

Номер патента: WO2022023692A1. Автор: Alexander KORNEV,Siarhei KOSTEVITCH,Sergei KOSTEVITCH. Владелец: Real Scientists Limited. Дата публикации: 2022-02-03.

Ion diffuser and cartridge for an ion diffuser

Номер патента: EP4189300A1. Автор: Alexander KORNEV,Siarhei KOSTEVITCH,Sergei KOSTEVITCH. Владелец: Real Scientists Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Process for producing a rubber elastic copolymer, an ion-conducting thin membrane composition containing the copolymer, an ion-conducting thin membrane and a process for producing the same, and a solid electrochemical material containing the membrane

Номер патента: US6123875A. Автор: Chang Jin Lee,Eun Kyoung Kim,Suh Bong Rhee,Wee Jin. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2000-09-26.

Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation

Номер патента: US6027988A. Автор: Nathan W. Cheung,Chenming Hu,Xiang Lu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-02-22.

Apparatus for supplying gas including an ion chamber and a gas supply unit connected to the ion chamber

Номер патента: US12030775B2. Автор: Sang Jin Lee,Young Kwon Kim,Jonghyun Lee,Ungi BAK,Ui Yong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Ion implantation assisted curing for flowable porous dielectrics

Номер патента: US20200388531A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Benjamin D. Briggs,Matthew T. Shoudy,Devika Sil,Yasir Sulehria,Danielle Durrant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US7183183B2. Автор: David C. Wang,Robert J. Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US20050087516A1. Автор: David Wang,Robert Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Articles containing an ion-conductive polymer and method of making the same

Номер патента: WO1991013444A1. Автор: Brian M. Pierce. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1991-09-05.

Using ion implantation to control trench depth and alter optical properties of a substrate

Номер патента: WO2009070514A1. Автор: Peter Nunan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-06-04.

Annealing of ion implanted iii-v compounds

Номер патента: CA1180256A. Автор: Jerry M. Woodall,Hans S. Rupprecht. Владелец: Hans S. Rupprecht. Дата публикации: 1985-01-02.

Solar cell emitter region fabrication using substrate-level ion implantation

Номер патента: US11942565B2. Автор: Staffan Westerberg,Timothy Weidman,David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of Reducing Floating Body Effect of SOI MOS Device Via a Large Tilt Ion Implantation

Номер патента: US20120021571A1. Автор: Xi Wang,Jing Chen,Xiaolu Huang,Jiexin Luo,Qingqing Wu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-01-26.

Methods of forming electronic devices by ion implanting

Номер патента: US20090155726A1. Автор: Eric Apelgren,Nabil R. Yazdani. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-18.

Method for making narrow channel FET by masking and ion-implantation

Номер патента: US4145233A. Автор: Robert K. Jones,Stephen A. Sefick. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1979-03-20.

Method for forming a buried subcollector in a semiconductor substrate by ion implantation

Номер патента: US4567645A. Автор: Richard A. Cavanagh,John L. Forneris,Gregory B. Forney,George Hrebin, Jr.,Ronald A. Knapp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-02-04.

Method of reducing floating body effect of SOI MOS device via a large tilt ion implantation

Номер патента: US8450195B2. Автор: Xi Wang,Jing Chen,Xiaolu Huang,Jiexin Luo,Qingqing Wu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-05-28.

A solid contact and an ion-selective electrode

Номер патента: WO2024049350A1. Автор: Wei Peng Goh,Simin Shermin GOH,Kim Kui Georgina Estelle SEAH,Zhi Hao NEO,Shi Hoe NG. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of manufacturing an ion-conducting membrane

Номер патента: EP4445439A2. Автор: Jake COOLE,Angus DICKINSON,Julie O'SULLIVAN. Владелец: Johnson Matthey Hydrogen Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US7781234B2. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: WO2010019495A1. Автор: Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley,Michael Chudzik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-02-18.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG124357A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US7972874B2. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-05.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US20100279442A1. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-04.

Ion implantation to increase mosfet threshold voltage

Номер патента: US20230178373A1. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang,Samphy Hong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of permanently phase-transiting semimetal using ion implantation and semimetal phase-transited thereby

Номер патента: US20220223365A1. Автор: Suk Ho Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-07-14.

Silicon carbide-based lateral PN junction extreme ultraviolet detector based on selective-area ion implantation, and preparation method thereof

Номер патента: US12080821B2. Автор: Dong Zhou,Hai Lu,Weizong Xu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-03.

Locating antennas in an apparatus

Номер патента: EP4429020A1. Автор: Ville Viikari,Anu LEHTOVUORI,Harri VARHEENMAA,Pasi YLA-OIJALA. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-09-11.

Duct adaptor for an ion generation device and ion generation device for use therein

Номер патента: EP4392698A1. Автор: Joseph Lehman,Jeremy Ferden. Владелец: Global Plasma Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Duct adaptor for an ion generation device and ion generation device for use therein

Номер патента: GB2624567A. Автор: Lehman Joseph,Ferden Jeremy. Владелец: Global Plasma Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Ion exchange membrane and method of manufacturing an ion exchange membrane

Номер патента: US20230192976A1. Автор: Stefano Catanorchi,Antonio Filpi,Federica TRIVARELLI,Jan-Justus SCHMIDT,Gabriele AGONIGI. Владелец: Enapter SRL. Дата публикации: 2023-06-22.

Ion exchange membrane and method of manufacturing an ion exchange membrane

Номер патента: WO2021204890A1. Автор: Stefano Catanorchi,Antonio Filpi,Federica TRIVARELLI,Jan-Justus SCHMIDT,Gabriele AGONIGI. Владелец: Enapter S.r.l.. Дата публикации: 2021-10-14.

Ion exchange membrane and method of manufacturing an ion exchange membrane

Номер патента: EP4132999A1. Автор: Stefano Catanorchi,Antonio Filpi,Federica TRIVARELLI,Jan-Justus SCHMIDT,Gabriele AGONIGI. Владелец: Enapter SRL. Дата публикации: 2023-02-15.

Cantilevered microtip manufacturing by ion implantation and etching

Номер патента: US5026437A. Автор: Josef Berger,Armand P. Neukermans. Владелец: Tencor Instruments Inc. Дата публикации: 1991-06-25.

Ion implanted bubble propagation structure

Номер патента: CA1068830A. Автор: George E. Keefe,Yeong S. Lin,Edward A. Giess. Владелец: Edward A. Giess. Дата публикации: 1979-12-25.

Method of Improving Memory Cell Device by Ion Implantation

Номер патента: US20120329220A1. Автор: Ralf van Bentum,Nihar-Ranjan Mohapatra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Solar cell fabrication using laser patterning of ion-implanted etch-resistant layers and the resulting solar cells

Номер патента: WO2017106213A1. Автор: Staffan Westerberg,Peter John Cousins,Alejandro LEVANDER. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

Angled ion implant to reduce mosfet trench sidewall roughness

Номер патента: US20220223416A1. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang,Hans-Joachim L. Gossmann. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: SG172763A1. Автор: Peter I Porshnev,Martin A Hilkene,Majeed A Foad,Kartik Santhanam,Yen B Ta. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-08-29.

Locating Antennas in an Apparatus

Номер патента: US20240305004A1. Автор: Ville Viikari,Pasi YLA-OIJALA,Harri Arttur Varheenmaa,Anu Kristiina Lehtovuori. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-09-12.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INSULATED INSULATED LAYER IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, BY ION IMPLANTATION

Номер патента: FR2563377A1. Автор: Michel Bruel,Jean Du Port De Poncharra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1985-10-25.

Ion-implantation process for forming ic wafer with buried-zener diode and ic structure made with such process

Номер патента: CA1223086A. Автор: Richard S. Payne,Steven M. Hemmah. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1987-06-16.

Ion implantation method for reducing roughness of patterned resist lines

Номер патента: US20230335401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Chun-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Plasma immersed ion implantation process

Номер патента: WO2008073845A1. Автор: Shijian Li,Kartik Ramaswamy,Biagio Gallo,Majeed A. Foad,Dong Hyung Lee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-06-19.

Asymmetric gate spacer formation using multiple ion implants

Номер патента: US20200388541A1. Автор: Andrew M. Waite. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Plasma immersed ion implantation process using balanced etch-deposition process

Номер патента: US20110053360A1. Автор: Peter Porshnev,Majeed A. Foad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Ion implanted resistor and method

Номер патента: US3829890A. Автор: D Perloff,J Kerr,J Marley. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1974-08-13.

Method of making semiconductor device using oblique ion implantation

Номер патента: US5933716A. Автор: Shingo Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Drive current enhancement in tri-gate mosfets by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation

Номер патента: EP2517230A1. Автор: Ashutosh Ashutosh,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Jack Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: WO2012044361A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Plasma immersion ion implantation process with reduced polysilicon gate loss and reduced particle deposition

Номер патента: US20090215250A1. Автор: Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Kartik Santhanam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Techniques for depositing metallic films using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition

Номер патента: WO2007092529A8. Автор: Yuri Erokhin,Peter D Nunan. Владелец: Peter D Nunan. Дата публикации: 2008-09-25.

Plasma immersion ion implantation process with reduced polysilicon gate loss and reduced particle deposition

Номер патента: WO2009105151A1. Автор: Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Kartik Santhanam. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-08-27.

Spacer formation in a solar cell using oxygen ion implantation

Номер патента: US20180358490A1. Автор: David D. Smith,Seung Rim. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Method to make integrated device using oxygen ion implantation

Номер патента: US20140306304A1. Автор: Yimin Guo. Владелец: T3memory Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device manufacturing method using metal silicide reaction after ion implantation in silicon wiring

Номер патента: US20020098683A1. Автор: Tamihide Yasumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Process for making wafers for ion implantation monitoring

Номер патента: US20030008421A1. Автор: Larry Shive. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

F ion implantation into oxide films to form low-K intermetal dielectric

Номер патента: US6159872A. Автор: Stepan Essaian,Daniel Henry Rosenblatt. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

Phosphate based compound, use of the compound in an electrochemical storage device and methods for its preparation

Номер патента: WO2010066439A2. Автор: Christoph Kallfass,Helmut Schubert,Hermann Schier. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2010-06-17.

Phosphate Based Compound, Use Of The Compound In An Electrochemical Storage Device And Methods For Its Preparation

Номер патента: US20120064397A1. Автор: Christoph Kallfass,Helmut Schubert,Hermann Schier. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2012-03-15.

Method for manufacturing an electrochemical component comprising a lithium metal anode and an ion-conductive inorganic material layer

Номер патента: US20240234676A9. Автор: Jari Liimatainen,Ville KEKKONEN. Владелец: Pulsedeon Oy. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device and method for detecting an ion concentration

Номер патента: US20200355645A1. Автор: Xiaochen MA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of ion implantation through a photoresist mask

Номер патента: CA1043667A. Автор: San-Mei Ku,Claude Johnson (Jr.),Edward S. Pan,Harold V. Lillja. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Precursor compositions for ion implantation of antimony and ion implantation process utilizing same

Номер патента: US5972743A. Автор: Thomas H. Baum,W. Karl Olander,James V. McManus,Timothy E. Glassman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Manufacturing semiconductor devices using angled ion implantation process

Номер патента: GB2284709A. Автор: Toshihiko Ichikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-06-14.

Flow-frame for forming a sub-assembly for use in an electrochemical cell

Номер патента: CA2343228C. Автор: Stephen Hampden Joseph,Duncan Guy Clark,Herbert Stephen Oates. Владелец: Regenesys Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-08-05.

Method of fabricating an ion sensitive field effect transistor with a Ta2 O5 hydrogen ion sensing membrane

Номер патента: US5319226A. Автор: Byung K. Sohn,Dae H. Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-06-07.

Method of manufacturing photoelectric conversion apparatus using ion implantation

Номер патента: US20190067364A1. Автор: Masashi Kusukawa,Takehito Okabe,Nobuaki Kakinuma,Toshihiro Shoyama,Mitsuhiro Yomori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Led mesa sidewall isolation by ion implantation

Номер патента: US20120238046A1. Автор: Atul Gupta,San Yu. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Absorbing layers for reduced spontaneous emission effects in an integrated photodiode

Номер патента: WO2006074011A3. Автор: James R Biard,James K Guenter,Jimmy A Tatum. Владелец: Jimmy A Tatum. Дата публикации: 2007-01-18.

Coolant Circuit for a Fuel Cell System, and Method for Fluidically Coupling an Ion Exchange Module to a Component of a Coolant Circuit

Номер патента: US20130224619A1. Автор: Wolfgang Schwienbacher,Mario Mittmann. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2013-08-29.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US20160351458A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US20160093714A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

Process for fabricating non-volatile memory by tilt-angle ion implantation

Номер патента: US20060019441A1. Автор: Erik Jeng,Wu-Ching Chou,Chien-Chen Li,Li-Kang Wu. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for inserting a gaseous phase in a sealed cavity by ion implantation

Номер патента: US5985688A. Автор: Michel Bruel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-11-16.

Semiconductor device manufactured by using conductive ion implantation mask

Номер патента: US5075240A. Автор: Masatoshi Yasunaga,Katsuyoshi Mitsui,Yomiyuki Yama,Ikuo Ogoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-12-24.

Use of alkylphosphines and alkylarsines in ion implantation

Номер патента: CA1320105C. Автор: Jack Edward Ward. Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1993-07-13.

SOI structure with a deep thin oxide layer prepared by ION implantation at high energy followed by thermal treatment

Номер патента: US5707899A. Автор: Laura Meda,Gianfranco Cerofolini. Владелец: Istituto Guido Donegani SpA. Дата публикации: 1998-01-13.

Ion implantation masking method and devices

Номер патента: US5138406A. Автор: Joseph A. Calviello. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Ion implantation and annealing of compound semiconductor layers

Номер патента: CA1332697C. Автор: Jagdish Narayan,John C. C. Fan,Jhang Woo Lee. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Method for manufacturing ion implanted insulated gate field effect semiconductor transistor devices

Номер патента: US3852120A. Автор: W Johnson,S Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-12-03.

Ion implant mask and cap for gallium arsenide structures

Номер патента: US4494997A. Автор: Zachary J. Lemnios,He B. Kim. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1985-01-22.

An Ion Exchange Membrane Used for a Fuel Cell

Номер патента: CA2124839A1. Автор: Yasuhide Noaki,Saburo Okamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-08-27.

Method of manufacturing semiconductor devices in which oxide regions are formed by an oxidation mask disposed directly on a substrate damaged by ion implantation

Номер патента: CA1088217A. Автор: Billy L. Crowder,William R. Hunter,Douglas W. Ormond, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-21.

Solid-state battery based on an ion-conductive matrix composed of camphor or 2-adamantanone

Номер патента: CA3071989A1. Автор: Matthias Busse,Katharina Koschek,Ingo Bardenhagen,Marc Soto,Julian Schwenzel. Владелец: KOSCHEK KATHARINA. Дата публикации: 2019-02-28.

Tunneling Field Effect Transistor (TFET) With Ultra Shallow Pockets Formed By Asymmetric Ion Implantation and Method of Making Same

Номер патента: US20160133723A1. Автор: Ying Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Indium source reagent compositions, and use thereof for deposition of indium-containing films on substrates and ion implantation of indium-doped shallow junction microelectronic structures

Номер патента: US20010021785A1. Автор: Thomas Baum,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2001-09-13.

Euv pattern transfer with ion implantation and reduced impact of resist residue

Номер патента: US20200144061A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Yongan Xu,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for eliminating polysilicon residue by tilted ion implantation with oxygen

Номер патента: US20030143789A1. Автор: Chun-Lien Su,Ming-Shang Chen,Chun-Chi Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Duct adaptor for an ion generation device and ion generation device for use therein

Номер патента: CA3230125A1. Автор: Joseph Lehman,Jeremy Ferden. Владелец: Global Plasma Solutions Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG158179A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Novel silicon carbide-based lateral pn junction extreme ultraviolet detector based on selective-area ion implantation, and preparation method thereof

Номер патента: US20240204126A1. Автор: Dong Zhou,Hai Lu,Weizong Xu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of forming PN junctions including a post-ion implant dynamic surface anneal process with minimum interface trap density at the gate insulator-silicon interface

Номер патента: US7659187B2. Автор: Vijay Parihar,Philip Allan Kraus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Methods of making vertical junction field effect transistors and bipolar junction transistors without ion implantation and devices made therewith

Номер патента: CA2762564A1. Автор: LIN Cheng. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2010-12-23.

Dopant precursors and ion implantation processes

Номер патента: US6716713B2. Автор: Michael A. Todd. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2004-04-06.

Method of forming an MNOS/MONOS by employing large tilt angle ion implantation underneath the field oxide

Номер патента: US5700728A. Автор: Ta-chi Kuo,Jyh-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-12-23.

Junction breakdown voltage by means of ion implanted compensation guard ring

Номер патента: US3921199A. Автор: Han-Tzong Yuan,David Willis Mueller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1975-11-18.

Method for making solid state device utilizing ion implantation techniques

Номер патента: US5082793A. Автор: Chou H. Li. Владелец: Li Chou H. Дата публикации: 1992-01-21.

Method of making silicon material with enhanced surface mobility by hydrogen ion implantation

Номер патента: US5198371A. Автор: Jianming Li. Владелец: Biota Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Method for producing semiconductor matrix of light-emitting elements utilizing ion implantation and diffusion heating

Номер патента: US4055443A. Автор: Jury Stepanovich Akimov,Valery Petrovich Sushkov,Vladimir Ivanovich Kurinny. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-10-25.

Ion implantation and annealing of compound semiconductor layers

Номер патента: US4863877A. Автор: Jagdish Narayan,John C. C. Fan,Jhang W. Lee. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1989-09-05.

Method and apparatus for passive optical characterization of semiconductor substrates subjected to high energy (MEV) ion implantation using high-injection surface photovoltage

Номер патента: US5581194A. Автор: John K. Lowell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-12-03.

Ion-Implanted Thermal Barrier

Номер патента: US20190139856A1. Автор: Jon Ihlefeld,Patrick E. Hopkins,Luke Yates,Thomas Edwin Beechem, III,Khalid Mikhiel Hattar,Edward S. Piekos,Douglas L. Medlin. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-05-09.

Integrated resonator and amplifier system for use in an ion accelerator or ion implanter

Номер патента: NZ522808A. Автор: Kourosh Saadatmand,Ernst Frederick Scherer,William Frank Divergilio. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-25.

Ear tip with wedge-shaped apertures and earpiece with the same

Номер патента: US20210243516A1. Автор: Choon Kiat Teh,Long Chye Low,Woon Pheng Tan. Владелец: CREATIVE TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Method and apparatus for a mobile information handling system with an ion drag blower integrated with a fan for enhanced convection airflow

Номер патента: US20240147657A1. Автор: Travis C. North,Qinghong He,Mitchell Anthony MARKOW. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-02.

Process, kit and composition for detecting residues and contaminants in an object with three-dimensional geometry

Номер патента: EP2491379A1. Автор: Per MØLLER,Daniel Minzari,Rajan Ambat,Morten Stendahl JELLESEN,Peter Jacob Schwencke Westermann. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2012-08-29.

Drift tube, apparatus and ion implanter having variable focus electrode in linear accelerator

Номер патента: WO2023038814A1. Автор: William Davis Lee,Charles T. Carlson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-16.

Drift tube, apparatus and ion implanter having variable focus electrode in linear accelerator

Номер патента: US11825590B2. Автор: William Davis Lee,Charles T. Carlson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method and apparatus for confining, neutralizing, compressing and accelerating an ion field

Номер патента: WO2008008191B1. Автор: Mark Morehouse. Владелец: Mark Morehouse. Дата публикации: 2008-07-10.

Method and apparatus for confining, neutralizing, compressing and accelerating an ion field

Номер патента: WO2008008191A3. Автор: Mark Morehouse. Владелец: Mark Morehouse. Дата публикации: 2008-04-24.

An electrical component enclosure for recessed mounting in an opening of a panel

Номер патента: WO2024180158A1. Автор: Paul Tynan. Владелец: Progress Electroplating & Manufacturing Co Ltd.,. Дата публикации: 2024-09-06.

System and method of detecting a blocked aperture in letter or flat mail image sensor

Номер патента: US20130308819A1. Автор: Simon Franklin Reidel,Anthony Everett Sileo. Владелец: US Postal Service (USPS). Дата публикации: 2013-11-21.

Fabrication of magnesium diboride superconductor thin films and electronic devices by ion implantation

Номер патента: WO2004044262A1. Автор: Roger Webb,Guosheng Shao,Nianhua Peng,Christopher Jeynes. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2004-05-27.

Linear accelerator for accelerating an ion beam

Номер патента: RU2316157C2. Автор: Уго АМАЛЬДИ,Массимо КРЕШЕНТИ,Риккардо ЦЕННАРО. Владелец: Фондационе Пер Адротерапия Онколоджика-Тэра. Дата публикации: 2008-01-27.

Method for automatic adjustment of an ion cyclotron resonance heating system of a thermonuclear reactor

Номер патента: WO2022269379A1. Автор: Frederic Broyde,Evelyne Clavelier. Владелец: Excem. Дата публикации: 2022-12-29.

Josephson junction device fabricated by direct write ion implantation

Номер патента: US12035641B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Martin O. Sandberg,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Yasir Sulehria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Converter, in particular for an ion propulsion system

Номер патента: CA2627254C. Автор: Frank Herty,Jochen Haegele. Владелец: Astrium GmbH. Дата публикации: 2017-02-28.

Solid-state pulse generating apparatus and method particularly adapted for ion implantation

Номер патента: US5734544A. Автор: Paul R. Johannessen. Владелец: Megapulse Inc. Дата публикации: 1998-03-31.

Device for nitriding components made from aluminium alloy through ion-implantation doping and method where said device is used

Номер патента: RU2372418C2. Автор: Фредерик ГЕРНАЛЕК,Дени БЮЗАРДО. Владелец: Сосьете Кертек Энженьери (Кэ). Дата публикации: 2009-11-10.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: US20100302547A1. Автор: Johannes Moll. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: WO2010138646A3. Автор: Johannes Moll. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-02-03.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: WO2010138646A2. Автор: Johannes Moll. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-12-02.

Method for building an etching-free hybrid nonlinear waveguide composed of polymer and ion-implanted nonlinear crystal

Номер патента: US12038687B2. Автор: FENG CHEN,CHEN CHEN,Zhanghua HAN,Shengkun YAO. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

Precise ion implantation type modified geopolymer and preparation method thereof

Номер патента: US20240109809A1. Автор: Dong He,Kai Zhang,Haifeng Lu,Hang Xu,Xiaoxuan KONG,Xiangheng XIAO. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-04-04.

Ion generation device for straight tube square electromagnetic ion implantation equipment

Номер патента: GB2628519A. Автор: Wang Xianghong,LI Yunqing,Meng Qiujing,Dai Zhengyang. Владелец: Shanghai Technical Inst Electronics & Information. Дата публикации: 2024-09-25.

Apparatus for filtering a laser beam in an analytical instrument

Номер патента: US5719667A. Автор: David R. Miers. Владелец: Bayer Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Method of making precision shaped apertures in glass

Номер патента: US4750926A. Автор: George E. Berkey. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1988-06-14.

Integrated ion implant scrubber system

Номер патента: US20010008123A1. Автор: Jose I. Arno,Michael W. Hayes,Mark R. Holst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Method of detecting leaks in an air-to-air heat exchanger and a device for its implementation

Номер патента: RU2701457C1. Автор: Александр Николаевич Козырев,Станислав Евгеньевич Зеленский,Павел Игоревич Ермаков,Андрей Евгеньевич Голяев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КОНТУР-НИИРС". Дата публикации: 2019-09-26.

Method for building an etching-free hybrid nonlinear waveguide composed of polymer and ion-implanted nonlinear crystal

Номер патента: US20240069436A1. Автор: FENG CHEN,CHEN CHEN,Zhanghua HAN,Shengkun YAO. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-29.

Shaped aperture in enameled sheet metal

Номер патента: US3910004A. Автор: Jack E Bebinger. Владелец: White Westinghouse Corp. Дата публикации: 1975-10-07.

Apparatus and method for ion implantation in a magnetic field

Номер патента: US20140272181A1. Автор: Frank Sinclair,Alexander C. Kontos,Rajesh Dorai. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

System and method for growing nanotubes with a specified isotope composition via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: EP2310316A1. Автор: Delmar L. Barker,Warren Beck. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2011-04-20.

Analysis System for the Determination of Ions in an Ion-Containing Liquid Medium, and an Analysis Process Performed with the Analysis System

Номер патента: US20240183776A1. Автор: Lukas-David Hamm. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-06.

Thin film mask for use in an x-ray lithographic process and its method of manufacture by forming opaque pattern of ions in a diamond layer

Номер патента: US5314768A. Автор: Rakesh B. Sethi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

A method and apparatus for determining an energy deposition of an ion beam

Номер патента: WO2016009042A1. Автор: Katia Parodi,Vasilis Ntziachristos,Walter Assmann,Stephan KELLNBERGER,Günther Dollinger. Владелец: UNIVERSITAT DER BUNDESWEHR MUNCHEN. Дата публикации: 2016-01-21.

Detector and method for tracking an arrival time of single particles in an ion beam

Номер патента: US20200316404A1. Автор: Michael Seimetz,Joao Seco,Paulo Jorge MAGALHÃES MARTINS,Riccardo Dal Bello. Владелец: Deutsches Krebsforschungszentrum DKFZ. Дата публикации: 2020-10-08.

Ion implanted hardmetal cemented carbide cold sprayed coatings

Номер патента: WO2018167534A1. Автор: Peerawatt NUNTHAVARAWONG,Natasha SACKS. Владелец: University of the Witwatersrand, Johannesburg. Дата публикации: 2018-09-20.

Ion implanted hardmetal cemented carbide cold sprayed coatings

Номер патента: US20200048757A1. Автор: Peerawatt NUNTHAVARAWONG,Natasha SACKS. Владелец: University of the Witwatersrand, Johannesburg. Дата публикации: 2020-02-13.

Process for carrying out chemical reactions in an electrochemical cell

Номер патента: US6238547B1. Автор: Nikola Anastasijevic,Stefan Laibach,Dietrich Werner. Владелец: Metallgesellschaft AG. Дата публикации: 2001-05-29.

Ion implantation thick film resist composition, method for manufacturing processed substrate using the same and method for manufacturing device using the same

Номер патента: WO2023165914A1. Автор: Masato Suzuki,Hiroshi Yanagita,Tetsumasa TAKAICHI. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-09-07.

Fabrication of a waveguide taper through ion implantation

Номер патента: WO2003102649A1. Автор: Michael Morse,Michael Salib. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

Ion implantation method for surfaces of part from structural steel

Номер патента: RU2637189C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Андреевна Жданович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет". Дата публикации: 2017-11-30.

Preventing polarization of a transfer roller using an ion conductive member

Номер патента: US11372352B2. Автор: Satoru Hori. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2022-06-28.

Preventing polarization of a transfer roller using an ion conductive member

Номер патента: EP4004650A1. Автор: Satoru Hori. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2022-06-01.

Ion current detector device for use in an internal combustion engine

Номер патента: US5734094A. Автор: Masahiro Ishikawa,Yoshihiro Matsubara,Mamoru Kodera,Terumasa Tomita. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-31.

Apparatus and Method for Improved Perpendicular Recording Medium Using Ion Implantation in a Magnetic Field

Номер патента: US20140272180A1. Автор: Frank Sinclair,Alexander C. Kontos,Rajesh Dorai. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Apparatus and method for improved perpendicular recording medium using ion implantation in a magnetic field

Номер патента: US9704528B2. Автор: Frank Sinclair,Alexander C. Kontos,Rajesh Dorai. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for growing nanotubes with a specified isotope composition via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: WO2010005616A1. Автор: Delmar L. Barker,Warren Beck. Владелец: The Arizona Board of Regents on Behalf of the University of Arizona. Дата публикации: 2010-01-14.

Method of ion-implantation treatment compressor's mono-wheel blades made of titanium alloys

Номер патента: RU2682741C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Process for the production of an ion exchange membrane

Номер патента: US4294933A. Автор: Hideo Toda,Kunio Kihara,Toshiaki Ishibashi,Taketoshi Tokita,Eiki Yasukawa. Владелец: Mitsubishi Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-13.

Process for the production of an ion exchange membrane

Номер патента: GB2026933B. Автор: . Владелец: Mitsubishi Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-25.

Selective drug delivery in an ion pump through proton entrapment

Номер патента: US20230012664A1. Автор: Magnus Berggren,Daniel T. Simon,Xenofon Strakosas,Maria SEITANIDOU. Владелец: OBOE IPR AB. Дата публикации: 2023-01-19.

Selective drug delivery in an ion pump through proton entrapment

Номер патента: WO2021123362A1. Автор: Magnus Berggren,Xenofon Strakosas,Maria SEITANIDOU,Daniel T SIMON. Владелец: OBOE IPR AB. Дата публикации: 2021-06-24.

Selective drug delivery in an ion pump through proton entrapment

Номер патента: SE545752C2. Автор: Xenofon Strakosas,Maria SEITANIDOU,Daniel T SIMON,Magnus Bergren. Владелец: OBOE IPR AB. Дата публикации: 2023-12-27.

System and method for regenerating an ion separation resin

Номер патента: US20150344341A1. Автор: Paul Steven Wallace. Владелец: Enviro Water Minerals Company Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Sanitizer with an ion generator and ion electrode assembly

Номер патента: US20160367712A1. Автор: Michael E. ROBERT. Владелец: DM TEC LLC. Дата публикации: 2016-12-22.

Electronic portion of an ion gauge with ion collectors bowed out of plane to form a three dimensional arrangement

Номер патента: US7609067B1. Автор: Chien-Hua Chen,James Mckinnell. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2009-10-27.

Recovery of cyanide from waste waters by an ion exchange process

Номер патента: CA1240521A. Автор: Carla C. Frey,Margaret K. Witte,W. Ronald Hatch. Владелец: Witteck Development Inc. Дата публикации: 1988-08-16.

Method for the determination of an ion with increased sensitivity, use of substances which are suitable for this and a corresponding agent

Номер патента: AU7641591A. Автор: Walter Rittersdorf,Peter Vogel,Detlef Thym,Werner Guethlein. Владелец: Boehringer Mannheim GmbH. Дата публикации: 1991-11-21.

Methods and apparatuses for electromagnetically-induced transparency cooling in an isotope with a nuclear spin of 3/2 or greater

Номер патента: US20230024811A1. Автор: Jonathan Albert MIZRAHI,Jeremy Matthew Sage,Michael Lurie Goldman. Владелец: Ionq Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method and apparatus for a mobile information handling system with control for an ion drag blower integrated with a fan

Номер патента: US20240142942A1. Автор: Travis C. North,Nikhil M. Vichare,Mitchell Anthony MARKOW. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-02.

Ion chromatography system for exchanging an ion exchanger in a suppressor and a suppressor means

Номер патента: US20020014446A1. Автор: Tadanori Sugimoto,Akiyoshi Miyanaga. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Quantum illumination using an ion trap

Номер патента: US20240249857A1. Автор: Jose Luis Verdu Galiana,Frances CRIMIN,Irene MARZOLI. Владелец: University of Sussex. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: EP2257496A2. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-12-08.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: WO2009123807A3. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-23.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: WO2009123807A2. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2009-10-08.

Method of treating powder made from cerium oxide using an ion beam

Номер патента: US09981249B2. Автор: Denis Busardo,Frederic Guernalec. Владелец: Ionics France SA. Дата публикации: 2018-05-29.

Acid separation by acid retardation on an ion exchange resin in an electrochemical system

Номер патента: WO2011097468A2. Автор: Ryan J. Gilliam,Nigel Antony Knott,Michael Kostowskyj. Владелец: CALERA CORPORATION. Дата публикации: 2011-08-11.

Device for controlling an ion, method for forming the same, and method for controlling the same

Номер патента: WO2023009067A2. Автор: PENG Zhao,Chuan Seng Tan,Yu Dian LIM. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-02.

Ion elution unit, appliance incorporating an ion elution unit, and washer incorporating an ion elution unit

Номер патента: MY141775A. Автор: Hirokazu Ooe. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2010-06-30.

An ion absorption/desorption device and a method thereof as well as a ph adjustor

Номер патента: EP2935121A1. Автор: Guangwei Wang,Jianyu JIN,Peixin Hu. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-10-28.

Antibodies comprising an ion concentration dependent antigenbinding domain, fc region variants, il-8-binding antibodies, and uses thereof

Номер патента: AU2020250266B2. Автор: Tomoyuki Igawa,Yuji Hori,Tatsuhiko Tachibana,Atsuhiko Maeda,Kenta HARAYA,Yuki IWAYANAGI. Владелец: Chugai Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for structuring an anti-counterfeit marking in an at least partially transparent object and at least partially transparent object comprising an anti-counterfeit marking

Номер патента: US11938745B2. Автор: Damien LE BOUDOUIL,Alexis Boulmay. Владелец: Comadur SA. Дата публикации: 2024-03-26.

Device for controlling an ion, method for forming the same, and method for controlling the same

Номер патента: EP4377853A2. Автор: PENG Zhao,Chuan Seng Tan,Yu Dian LIM. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-05.

Apparatus for removal of ions comprising an ion exchange membrane that comprises a crosslinked hyperbranched (co)polymer (a crosslinked hbp) with ion exchange groups

Номер патента: EP2616501A1. Автор: Albert Van Der Wal,Henricus Marie Janssen,Michel Henri Chrétien Joseph VAN HOUTEM,Hank Robert Reinhoudt. Владелец: Voltea BV. Дата публикации: 2013-07-24.

Air purification system for an ion mobility spectrometer, corresponding method of operation and ion mobility spectrometer

Номер патента: US20230236151A1. Автор: Alastair Clark,Oliver Jon LIPSCOMBE,Alex Edward PARKER,Alastair BEADLE. Владелец: Smiths Detection Watford Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Air purification system for an ion mobility spectrometer, corresponding method of operation and ion mobility spectrometer

Номер патента: CA3184716A1. Автор: Alastair Clark,Oliver Jon LIPSCOMBE,Alex Edward PARKER,Alastair BEADLE. Владелец: Smiths Detection Watford Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Air purification system for an ion mobility spectrometer, corresponding method of operation and ion mobility spectrometer

Номер патента: EP4176251A1. Автор: Alastair Clark,Oliver Jon LIPSCOMBE,Alex Edward PARKER,Alastair BEADLE. Владелец: Smiths Detection Watford Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Window, in particular, for use in aviation, configured to be locked in the window aperture in case of damage

Номер патента: RU2770428C2. Автор: Тома ТОНДЮ,Жером БАРБЬЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2022-04-18.

Method and system for introducing an analyte into an ion mobility spectrometer

Номер патента: EP1673606A2. Автор: Sabatino Nacson,John J. Carroll,Tri Le,Reno Francis Debono,Robert Bruce Sandor,Alexander Grigoriev. Владелец: Smiths Detection Inc. Дата публикации: 2006-06-28.

Separation method using an ion exchanger and a draw solution comprising adsorber particles

Номер патента: US11313842B2. Автор: Imad Ahmed. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Ophthalmic composition containing an ion sensitive, hydrophilic polymer and an inorganic salt in a ratio which gives low viscosity

Номер патента: CA2186591A1. Автор: Timo Reunamaki,Kari Lehmussaari,Olli Oksala,Esko Pohjala,Sakari Alaranta,Eija Vartiainen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-10-12.

Removal of salts from aqueous alkanolamines using an electrodialysis cell with an ion exchange membrane

Номер патента: CA1334836C. Автор: Richard A. Gregory, Jr.,Martin F. Cohen. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

A method for extracting lithium from a carbonate-hosted clay-type lithium ore by an ion exchange method

Номер патента: AU2020101882A4. Автор: Li Zhu,Hanjie WEN,Hannian GU,Chongguang LUO,Shengjiang DU. Владелец: Institute of Geochemistry of CAS. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of ion-implantation treatment of compressor blades from titanium alloys

Номер патента: RU2682743C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Method for checking beam steering in an ion beam therapy system

Номер патента: AU2801100A. Автор: Eugen Badura,Hartmut Eickhoff,Thomas Haberer,Klaus Poppensieker. Владелец: GSI Gesellschaft fuer Schwerionenforschung mbH. Дата публикации: 2000-09-04.

Process for the electrochemical recovery of bismuth from an ion exchange eluent

Номер патента: CA2081292C. Автор: John L. Cromwell,Varujan Baltazar. Владелец: Noranda Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Antibodies comprising an ion concentration dependent antigen-binding domain, fc region variants, il-8-binding antibodies, and uses thereof

Номер патента: AU2024201439A1. Автор: Tomoyuki Igawa,Yuji Hori,Tatsuhiko Tachibana,Atsuhiko Maeda,Kenta HARAYA,Yuki IWAYANAGI. Владелец: Chugai Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Quantum illumination using an ion trap

Номер патента: WO2022234274A1. Автор: Jose Luis Verdu Galiana,Frances CRIMIN,Irene MARZOLI. Владелец: The University of Sussex. Дата публикации: 2022-11-10.

Quantum illumination using an ion trap

Номер патента: EP4334745A1. Автор: Jose Luis Verdu Galiana,Frances CRIMIN,Irene MARZOLI. Владелец: University of Sussex. Дата публикации: 2024-03-13.

Erasable ion implanted optical couplers

Номер патента: WO2011142913A2. Автор: Graham T. Reed,Renzo Loiacono. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-11-17.

Ion implantation in metal alloys

Номер патента: WO1993012265A1. Автор: Lynann Clapham,James L. Whitton. Владелец: Queen's University At Kingston. Дата публикации: 1993-06-24.

A foldable seal of a seal assembly for closing an aperture in an aerodynamic surface

Номер патента: WO2012063047A1. Автор: James Wilson,Paul Hadley,Colin John West,David Alistair SUTTON. Владелец: AIRBUS OPERATIONS LIMITED. Дата публикации: 2012-05-18.

Clip for Flush Mounting a Plate Within a Corresponding Opening in an Extruded Frame Member

Номер патента: CA2074028A1. Автор: Robert D. Magoon. Владелец: Kawneer Co Inc. Дата публикации: 1994-01-17.

Panels for obstructing air flow through apertures in an aircraft wing

Номер патента: US11718385B2. Автор: Matthew POLONI,Julien LARDY,Jeffrey MASSEY,Faris JASEM. Владелец: Bombardier Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

A foldable seal of a seal assembly for closing an aperture in an aerodynamic surface

Номер патента: EP2637924A1. Автор: James Wilson,Paul Hadley,Colin John West,David Alistair SUTTON. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Method of operating an ion separation instrument

Номер патента: WO2007140400A2. Автор: Stephen Naylor,David E. Clemmer,Stormy L. Koeniger,Stephen J. Valentine,Samuel I. Merenbloom. Владелец: Predictive Physiology And Medicine, Inc.. Дата публикации: 2007-12-06.

Ion extraction and focusing from a field-free region to an ion mobility spectrometer at atmospheric pressure

Номер патента: US20240044840A1. Автор: Robert G. Ewing,Elizabeth Denis,Megan Nims,Garret L. Hart. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of operating an ion separation instrument

Номер патента: WO2007140400A3. Автор: Stephen Naylor,David E Clemmer,Stormy L Koeniger,Samuel I Merenbloom,Stephen J Valentine. Владелец: Predictive Physiology And Medi. Дата публикации: 2008-05-08.

Sheet comprising an ion exchanged reducing agent and methods of processing photographic elements in the presence of said sheet

Номер патента: EP1164415A2. Автор: Lyn M. c/o Eastman Kodak Company Irving,Mark E. c/o Eastman Kodak Company Irving,John M. c/o Eastman Kodak Company Noonan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2001-12-19.

Sheet comprising an ion exchanged reducing agent and methods of processing photographic elements in the presence of said sheet

Номер патента: EP1164415A3. Автор: Lyn M. c/o Eastman Kodak Company Irving,Mark E. c/o Eastman Kodak Company Irving,John M. c/o Eastman Kodak Company Noonan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-12-04.

Duct adapter system for mounting an ion generator unit upon an air aircraft air circulation system

Номер патента: US20240246680A1. Автор: Eric Stuck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-25.

Zinc ion-implanted quartz glass

Номер патента: RU2585009C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Николай Васильевич Гаврилов,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-27.

Modulation of an ion channel or receptor

Номер патента: WO2010060151A1. Автор: Steven Petrou,Evan Alexander Thomas. Владелец: HOWARD FLOREY INSTITUTE. Дата публикации: 2010-06-03.

Method of removing chromate ions from an ion-exchange effluent

Номер патента: EP3172171A1. Автор: Michael Waite. Владелец: IONEX SG Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Method of removing chromate ions from an ion-exchange effluent

Номер патента: WO2016012815A1. Автор: Michael Waite. Владелец: Ionex SG Limited. Дата публикации: 2016-01-28.

Ion extraction and focusing from a field-free region to an ion mobility spectrometer at atmospheric pressure

Номер патента: WO2024030126A1. Автор: Robert G. Ewing,Elizabeth Denis,Megan Nims,Garret HART. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2024-02-08.

Modulation of an ion channel or receptor

Номер патента: EP2353000A1. Автор: Steven Petrou,Evan Alexander Thomas. Владелец: Howard Florey Institute of Experimental Physiology and Medicine. Дата публикации: 2011-08-10.

Modulation of an ion channel or receptor

Номер патента: US20110294155A1. Автор: Steven Petrou,Even Alenxander Thomas. Владелец: Howard Florey Institute of Experimental Physiology and Medicine. Дата публикации: 2011-12-01.

Apparatus for obstructing air flow through an aperture for a duct in an aircraft wing

Номер патента: EP3253652A1. Автор: Daniel GALLIEN,Russell Coln HUMPHRIS,Dung Van LE,Cedric Ngo KHO,Charles TATOSSIAN. Владелец: Bombardier Inc. Дата публикации: 2017-12-13.

A seal assembly for closing an aperture in an aerodynamic surface of a structure

Номер патента: EP2637925A1. Автор: James Wilson,Paul Hadley,Alan Quayle. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Method for evaluating an ion current signal of a self-igniting internal combustion engine

Номер патента: US6279538B1. Автор: Gregor Renner,Ruediger Herweg,Katsuyoshi Koyanagi,Hartung Wilstermann,Rudolf Maly,Gerhard Muenkel. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2001-08-28.

A method for analyzing the activity of an ion channel

Номер патента: WO2017085189A1. Автор: Beatrice Schaack,Abdou Rachid Thiam. Владелец: Paris Sciences Et Lettres - Quartier Latin. Дата публикации: 2017-05-26.

Contact lenses having an ion-impermeable portion and related methods

Номер патента: GB2592304A. Автор: LAZON de la JARA Percy,Peng Cheng-Chun. Владелец: CooperVision International Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Method and device for computing in a volume physical and/or radiobiological quantities induced by an ion beam

Номер патента: US20160059042A1. Автор: Germano Russo,Andrea Attili,Flavio Pietro Marchetto,Damien Bertrand,Faiza Bourhaleb. Владелец: Internet-Simulation Evaluation Envision Srl. Дата публикации: 2016-03-03.

Method and apparatus for image formation utilizing a blocking member for blocking an ion flow through a photosensitive screen to provide a non-image area

Номер патента: US4442190A. Автор: Tadayuki Kitajima,Nobuhiro Kasama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1984-04-10.

Apparatus for removal of ions comprising an ion exchange membrane that comprises a crosslinked hyperbranched (co)polymer (a crosslinked hbp) with ion exchange groups

Номер патента: WO2012036554A1. Автор: Albert Van Der Wal,Henricus Marie Janssen,Michel Henri Chrétien Joseph VAN HOUTEM,Hank Robert Reinhoudt. Владелец: VOLTEA B.V.. Дата публикации: 2012-03-22.

Air conditioner comprising an ion generating device

Номер патента: EP4269885A1. Автор: Minwoo Jeong,Bongjun Kim,Ilna Son,Sehyoun KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-01.

High purity hydrogen and oxygen production using an ion exchange membrane having catalysts electrically isolated throughout

Номер патента: US5480518A. Автор: James F. McElroy,Eric M. Shane. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1996-01-02.

Device for feeding coins into the aperture in a coin-operated apparatus

Номер патента: RS51955B. Автор: Paul Gauselmann. Владелец: Adp Gauselmann Gmbh.. Дата публикации: 2012-02-29.

Circuit arrangement for measuring an ion current in a combustion chamber of an internal combustion engine

Номер патента: US5914604A. Автор: Michael Daetz,Ulrich Bahr. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 1999-06-22.

Method and apparatus for determining hydrogen concentration in liquid sodium utilizing an ion pump to ionize the hydrogen

Номер патента: US3683272A. Автор: Donald R Vissers,John T Holmes,Paul A Nelson,Louis G Bartholme. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1972-08-08.

Plasma spray method for the manufacture of an ion conducting membrane and an ion conducting membrane

Номер патента: CA2806403C. Автор: Malko Gindrat,Rajiv J. Damani,Jochen Haering. Владелец: OERLIKON METCO AG. Дата публикации: 2020-06-02.

Removal of contaminants from an ion exchange regenerant solution or suspension

Номер патента: GB2497863A. Автор: John Kerr,Anthony Baiada,Tommaso BARTALUCCI,Tim WINDEBANK. Владелец: European Sugar Holdings Sarl. Дата публикации: 2013-06-26.

Ion-implanted magnetic bubble memory with domain confinement rails

Номер патента: US4334291A. Автор: Terence J. Nelson,Joseph E. Geusic,Dirk J. Muehlner. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-06-08.

Method of Producing an Ion-Exchange for Iontophoresis

Номер патента: US20090124957A1. Автор: Kanji Sakata,Kenji Fukuta. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Faims apparatus and method comprising an ion separation channel of helical shape

Номер патента: CA2811682C. Автор: Anastassios Giannakopulos. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2016-12-13.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US20220144628A1. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US20170009337A1. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

High performance power sources integrating an ion media and radiation

Номер патента: WO2023086505A1. Автор: Roy Long,Junaid Razvi,Matthew A. Simmons. Владелец: Stargena Inc.. Дата публикации: 2023-05-19.

High performance power sources integrating an ion media and radiation

Номер патента: US20230145416A1. Автор: Roy Long,Junaid Razvi,Matthew A. Simmons. Владелец: Stargena Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Device for controlling an ion, method for forming the same, and method for controlling the same

Номер патента: WO2023009067A3. Автор: PENG Zhao,Chuan Seng Tan,Yu Dian LIM. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-19.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US11952267B2. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Oxygen ion implantation equipment

Номер патента: US20090260570A1. Автор: Yoshiro Aoki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Random number generation method based on multivariate non-normal distribution, parameter estimation method thereof, and application to simulation of financial field and semiconductor ion implantation

Номер патента: US20050114098A1. Автор: Yuichi Nagahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

High chromium ferritic steel with 0.5 atomic % hafnium, part of which is ion implanted

Номер патента: EP1737996A1. Автор: Roy Loughborough University FAULKNER. Владелец: Loughborough University Enterprises Ltd. Дата публикации: 2007-01-03.

Ion implantation of plastic orthopaedic implants

Номер патента: US5133757A. Автор: Piran Sioshansi,Richard W. Oliver. Владелец: Spire Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Method for suppressing hydrogen formation in an electrolytic cell

Номер патента: US4486276A. Автор: Johann Gunther E. Cohn,Otto J. Adlhart. Владелец: Engelhard Corp. Дата публикации: 1984-12-04.

Method of manufacturing an ion-exchanged glass article

Номер патента: MY169296A. Автор: HASHIMOTO Kazuaki,Imai Mitsugu,SUGIHARA Osamu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Membrane of an ion-selective electrode for the determination of an octahydrotriborate anion

Номер патента: RU2621888C1. Автор: Александр Вадимович Тюремнов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Владимир Борисович Семин,Евгений Григорьевич Ильин,Александр Викторович Копытин,Константин Юрьевич Жижин,Ирина Петровна Малкерова,Александр Юрьевич Быков,Никита Алексеевич Селиванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН). Дата публикации: 2017-06-07.

Process for forming a reduced electrochromic layer in contact with an ion conducting oxide

Номер патента: US5019420A. Автор: R. David Rauh. Владелец: EIC Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-05-28.

Optical indicator for determining the activity of an ion in a sample

Номер патента: US5723340A. Автор: Hellfried Karpf. Владелец: AVL Medical Instruments AG. Дата публикации: 1998-03-03.

Method of conditioning an ion-selective electrode

Номер патента: AU2020249785B2. Автор: Grzegorz Artur ORLOWSKI,Tanya Hutter,Elizabeth Emma NEILL. Владелец: Kalium Health Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of conditioning an ion-selective electrode

Номер патента: CA3135348A1. Автор: Grzegorz Artur ORLOWSKI,Tanya Hutter,Elizabeth Emma NEILL. Владелец: Kalium Health Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

High performance power sources integrating an ion media and radiation

Номер патента: US11749419B2. Автор: Roy Long,Junaid Razvi,Matthew A. Simmons. Владелец: Stargena Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US20200270123A1. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of conditioning an ion-selective electrode

Номер патента: WO2020193974A1. Автор: Grzegorz Artur ORLOWSKI,Tanya Hutter,Elizabeth Emma NORGETT. Владелец: Kalium Health Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of conditioning an ion-selective electrode

Номер патента: AU2020249785A1. Автор: Grzegorz Artur ORLOWSKI,Tanya Hutter,Elizabeth Emma NEILL. Владелец: Kalium Health Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US20180023190A1. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Starter circuit for an ion engine

Номер патента: US20020047623A1. Автор: Thomas Phelps,Gilbert Cardwell. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Timing system for an ion trap quantum computer

Номер патента: EP4399654A1. Автор: Richard North. Владелец: Universal Quantum Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Oral product with a basic amine and an ion pairing agent

Номер патента: EP4408183A1. Автор: Kai Tang,Michael Zawadzki,Thomas H. POOLE,Steven Lee ALDERMAN. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

A cryostat socket for holding an ion trap device mounted on a substrate in a cryostat

Номер патента: EP4421422A1. Автор: Clemens Roessler,Silke Katharina Auchter,Matthias German Dietl,Yves Colombe,Klemens Karl Heinrich Schüppert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Cryostat socket for holding an ion trap device mounted on a substrate in a cryostat

Номер патента: US20240288213A1. Автор: Clemens Rössler,Silke Katharina Auchter,Matthias German Dietl,Yves Colombe,Klemens Karl Heinrich Schüppert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Neutralizer for an ion thruster of a spacecraft

Номер патента: WO2021204463A1. Автор: David Krejci,Quirin KOCH. Владелец: ENPULSION GmbH. Дата публикации: 2021-10-14.

Neutralizer for an ion thruster of a spacecraft

Номер патента: US20230106067A1. Автор: David Krejci,Quirin KOCH. Владелец: ENPULSION GmbH. Дата публикации: 2023-04-06.

Apparatus for determining the activity of an ion (pion) in a liquid

Номер патента: CA1228398A. Автор: Hendrik H. Van Den Vlekkert,Nicolaas F. De Rooij. Владелец: Sentron Vof. Дата публикации: 1987-10-20.

Method for welding with the help of ion implantation

Номер патента: US4452389A. Автор: Kamal E. Amin. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1984-06-05.

Method of expelling a fluid using an ion wind and ink-jet printhead utilizing the method

Номер патента: US7216958B2. Автор: Yong-soo Oh,You-Seop Lee,Seung-Joo Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

An ion-exchange membrane containing fluorinated polymers and a web of supporting fiber

Номер патента: NZ199500A. Автор: P R Resnick,W G Grot,T C Bissot. Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1985-10-11.

Temperature measurement using ion implanted wafers

Номер патента: US5435646A. Автор: Warren F. McArthur,Fred C. Session. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1995-07-25.

Method for varying the capacity of an ion exchanger for a specific chemical element

Номер патента: CA1330672C. Автор: Klaus Seifert,Werner Schweighofer,Christian Meyer Zu Schwabedissen,Brigitte Siewert-Posielek,Karl Habeck. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-07-12.

Ion implantation of zirconium alloys with hafnium

Номер патента: CA1309376C. Автор: David Lee Baty,William Crawford Young,David Evan Lewis. Владелец: Babcock and Wilcox Co. Дата публикации: 1992-10-27.

Ion-sensitive field effect transistor and method for producing an ion-sensitive field effect transistor

Номер патента: US20050263798A1. Автор: Christian Kunath,Eberhard Kurth,Heinrich Grüger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2005-12-01.

Active agent modulating the activity of an ion channel for use in hair growth regulation

Номер патента: WO2022043171A1. Автор: Ralf Paus,Andrei MARDARYEV. Владелец: Monasterium Laboratory Skin & Hair Research Solutions Gmbh. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for preparing an ion exchange media

Номер патента: CA2502554C. Автор: Ravi Chidambaran,Pavan Raina,Devesh Sharma,Narendra Bist. Владелец: Aquatech International Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Treatment of liquid radioactive waste with an ion-exchange material adapted to form a glass ceramic

Номер патента: GB2133607A. Автор: Robert Anthony Speranzini,Peter John Hayward,Robert Edward Hollies,Alan Shaddick. Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 1984-07-25.

System and process for producing ammonia using an ion transport membrane, gasifier, and ammonia synthesis unit

Номер патента: EP2896598A1. Автор: John Michael Repasky,Charles Mitchell Woods,Shankar Nataraj. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Contact lenses having an ion-impermeable portion and related methods

Номер патента: US11630327B2. Автор: Percy Lazon de la Jara,Cheng-Chun Peng. Владелец: CooperVision International Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for configuring an ion mobility spectrometer system

Номер патента: WO2010102291A8. Автор: Douglas Burns,Marshall CORY Jr.,Jeffrey Piotrowski. Владелец: ENSCO, Inc.. Дата публикации: 2011-10-06.

Contact Lenses Having An Ion-Impermeable Portion And Related Methods

Номер патента: US20190121161A1. Автор: Percy Lazon de la Jara,Cheng-Chun Peng. Владелец: CooperVision International Holding Co LP. Дата публикации: 2019-04-25.

Contact lenses having an ion-impermeable portion and related methods

Номер патента: AU2018356945A1. Автор: Percy Lazon de la Jara,Cheng-Chun Peng. Владелец: CooperVision International Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Contact lenses having an ion-impermeable portion and related methods

Номер патента: CA3079928A1. Автор: Percy Lazon de la Jara,Cheng-Chun Peng. Владелец: CooperVision International Holding Co LP. Дата публикации: 2019-05-02.

Contact lenses having an ion-impermeable portion and related methods

Номер патента: MY194460A. Автор: Cheng-Chun Peng,De La Jara Percy Lazon. Владелец: Coopervision Int Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Contact lenses having an ion-impermeable portion and related methods

Номер патента: IE87321B1. Автор: LAZON de la JARA Percy,Peng Cheng-Chun. Владелец: Coopervision Int Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

Contact lenses having an ion-impermeable portion and related methods

Номер патента: CA3079928C. Автор: Percy Lazon de la Jara,Cheng-Chun Peng. Владелец: CooperVision International Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Contact lenses having an ion-impermeable portion and related methods

Номер патента: EP3701321A1. Автор: Percy Lazon de la Jara,Cheng-Chun Peng. Владелец: CooperVision International Holding Co LP. Дата публикации: 2020-09-02.

Lubrication system comprising an ion exchanger

Номер патента: WO2015137866A1. Автор: Daniel BÄCKSTRÖM,Mima Ceco. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for configuring an ion mobility spectrometer system

Номер патента: EP2404168A1. Автор: Douglas Burns,Marshall CORY Jr.,Jeffrey Piotrowski. Владелец: Ensco Inc. Дата публикации: 2012-01-11.

Method for configuring an ion mobility spectrometer system

Номер патента: WO2010102291A1. Автор: Douglas Burns,Jeffrey Piotrowski,Marshall Cory. Владелец: ENSCO, Inc.. Дата публикации: 2010-09-10.

Perforator for oil well (variants) and method for concurrent perforation of apertures in casing string of oil well and in an area, surrounding oil well (variants)

Номер патента: RU2255208C2. Автор: Брайан БУРН. Владелец: Квинетик Лимитед. Дата публикации: 2005-06-27.

Plug for closing an aperture in a plug receiving member

Номер патента: CA2445830A1. Автор: Ezra T. Chang. Владелец: Scepter Corp. Дата публикации: 2004-09-24.

Method and apparatus for dispensing rinse water additive in an automatic washing machine

Номер патента: CA2091518C. Автор: Jerome Paul Cappel,Gary Eugene Mckibben,Richard Mark Baginski. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2000-07-18.

Improvements in an Apparatus for Manufacturing a Hose for Taking an Undisturbed Soil Sample

Номер патента: GB1194643A. Автор: . Владелец: STICHTING WATERBOUKWKUNDIG LAB. Дата публикации: 1970-06-10.

An apparatus in an infusor for a liquid food product

Номер патента: CA2320486C. Автор: Bengt Palm. Владелец: Tetra Laval Holdings and Finance SA. Дата публикации: 2007-05-22.

Heteroepitaxial growth using ion implantation

Номер патента: US20130020580A1. Автор: Chi-Chun Chen,Cheng-Huang Kuo,Morgan D. Evans. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Improved heteroepitaxial growth using ion implantation

Номер патента: WO2012174410A1. Автор: Chi-Chun Chen,Morgan D. Evans,Cheng Huang KUO. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

Antimony/Lewis base adducts for Sb-ion implantation and formation of antimonide films

Номер патента: US6005127A. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari,Michael A. Todd. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-12-21.

Generating power using an ion transport membrane

Номер патента: CA2805224A1. Автор: Rodney J. Allam. Владелец: GTLPETROL LLC. Дата публикации: 2012-01-19.

A process for the regeneration of an ion exchange resin using sulfurous acid

Номер патента: CA2743961C. Автор: Matthew Campbell,Mélina INFANTINO,John Sarlis,Vijay Bhambhani Godhwani. Владелец: Cansolv Technologies Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Deposition of thin film organic coatings by ion implantation

Номер патента: US4264642A. Автор: Michael W. Ferralli. Владелец: Lord Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

Pasteurization system having an ion-exchange device and a membrane filtration device, and method for operating a pasteurization system

Номер патента: AU2017349615A1. Автор: Roland Concin,Gunnar Demoulin,Christian RINDERER. Владелец: RED BULL GMBH. Дата публикации: 2019-05-23.

Process for selective separation of uranium from solutions by means of an ion exchanger

Номер патента: CA1106186A. Автор: Klaus Schröer,Nahit Eresen,Hans-Jochem Becker. Владелец: Uranerzbergbau GmbH. Дата публикации: 1981-08-04.

An ion exchange device

Номер патента: AU6097686A. Автор: Hanns-Heinz Eumann. Владелец: Eumann H H. Дата публикации: 1987-02-12.

A process of treating fabrics with a detergent tablet comprising an ion exchange resin

Номер патента: WO2001096522A1. Автор: Valerio Del Duca,Andrea Esposito,Silvia Zanazzi. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2001-12-20.

Pasteurization system having an ion-exchange device and a membrane filtration device, and method of operating a pasteurization system

Номер патента: CA3041551A1. Автор: Roland Concin,Gunnar Demoulin,Christian RINDERER. Владелец: RED BULL GMBH. Дата публикации: 2018-05-03.

Deposition of thin film organic coatings by ion implantation

Номер патента: CA1120345A. Автор: Michael W. Ferralli. Владелец: Lord Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Measuring system for measuring an ion concentration in a process liquid using capillary electrophoresis and method therefor

Номер патента: NL2031969B1. Автор: Haitsma Ijnse,Jorna Maarten,De Jong Tim. Владелец: Ce Line B V. Дата публикации: 2023-12-07.

Oral product with a basic amine and an ion pairing agent

Номер патента: EP4285743A3. Автор: Serban C. Moldoveanu,Christopher Keller,Thomas H. POOLE,Brian Michael KEYSER. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Anion-complexing compound, method of preparing the same, an ion-selective membrane and a sensor provided with such a compound or membrane

Номер патента: EP1073629B1. Автор: Peter Timmerman,David Nicolaas Reinhoudt,Martijn Marcus Gabri[L Antonisse,Bianca Henriette Maria Snellink-Ruel. Владелец: Priva Holding BV. Дата публикации: 2004-02-25.

Device and method for performing an ion-exchange process

Номер патента: WO2015026236A3. Автор: Machiel Saakes,David Arie Vermaas,Ivaylo Plamenov HITSOV,Olivier SCHAETZLE,Anne Haye GALAMA. Владелец: STICHTING WETSUS CENTRE OF EXCELLENCE FOR SUSTAINABLE WATER TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-04-23.

Oral product with a basic amine and an ion pairing agent

Номер патента: CA3233375A1. Автор: Kai Tang,Michael Zawadzki,Thomas H. POOLE,Steven Lee ALDERMAN. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Measuring system for measuring an ion concentration in a process liquid using capillary electrophoresis and method therefor

Номер патента: WO2023229463A1. Автор: Maarten JORNA,Tim De Jong,IJnse HAITSMA. Владелец: Ce-Line B.V.. Дата публикации: 2023-11-30.

Developable bottom antireflective coating compositions especially suitable for ion implant applications

Номер патента: US20100196825A1. Автор: Wu-Song Huang,Pushkara Rao Varanasi,Libor Vyklicky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for monitoring an emergency switch-off of an ion-beam therapy system

Номер патента: AU2906300A. Автор: Holger Brand,Wolfgang Ott,Eugen Badura,Hans-Georg Essel,Thomas Haberer,Klaus Poppensieker,Wolfgang Becher. Владелец: GSI Gesellschaft fuer Schwerionenforschung mbH. Дата публикации: 2000-09-04.

CONTROL APPARATUS FOR PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION OF A DIELECTRIC SUBSTRATE

Номер патента: US20120000421A1. Автор: Singh Vikram,Miller Timothy,Leavitt Christopher J.,Godet Ludo. Владелец: VARIAN SEMICONDUTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ION IMPLANTED BEAM DUMP

Номер патента: US20120001061A1. Автор: Zillmer Andrew J.. Владелец: HAMILTON SUNDSTRAND CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of treating objects with an ion source

Номер патента: RU2071992C1. Автор: . Владелец: Научно-производственное предприятие "Новатех". Дата публикации: 1997-01-20.

Ion implantation method

Номер патента: RU2403646C1. Автор: Владимир Николаевич Неволин,Вячеслав Юрьевич Фоминский,Роман Иванович Романов. Владелец: ФГБОУ ВПО Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". Дата публикации: 2010-11-10.

Ion implantation method for surfaces of parts made from structural steel

Номер патента: RU2581536C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Андреевна Жданович,Татьяна Юрьевна Скакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный машиностроительный университет (МАМИ)" (Университет машиностроения). Дата публикации: 2016-04-20.

Ion implantation method of surfaces of parts from titanium alloy

Номер патента: RU2536843C1. Автор: Антон Николаевич Кравченков,Виктор Васильевич Овчинников,Дмитрий Александрович Козлов,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Валерьевна Семендеева,Ольга Андреевна Жданович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2014-12-27.

Ion implantation method of surfaces of parts from structural steel

Номер патента: RU2482218C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Ирина Рафаиловна Шляпина,Светлана Викторовна Якутина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2013-05-20.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

Ion implantation unit cathode

Номер патента: RU2501886C1. Автор: Анатолий Дмитриевич Шляпин,Антон Николаевич Кравченков,Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Светлана Викторовна Якутина,Надежда Владимировна Учеваткина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2013-12-20.

Lintels wich are suitable for use to support courses of bricks or building blocks over an aperture or apertures in a wall during construction or when making an aperture in an existing wall

Номер патента: JO1128B1. Автор: روبنسون بريان. Владелец: كاتنيك كومبونينتس ليمتد. Дата публикации: 1982-07-10.

Ion implantation method

Номер патента: RU2181787C2. Автор: В.В. Будилов,Р.М. Киреев,Р.Д. Агзамов. Владелец: Уфимский государственный авиационный технический университет. Дата публикации: 2002-04-27.

Method of identifying the pattern of ion-implant component on die substrate

Номер патента: MY138318A. Автор: Kuan Siew Hor,Darakorn Sae Le Le Su Chin,Ho Le Ngoh. Владелец: Mini Circuits Technologies Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2009-05-29.

Procedure for ion implantation of surface of items of steel 30xgch2a

Номер патента: RU2430991C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Светлана Викторовна Якутина,Дмитрий Александрович Козлов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный индустриальный университет. Дата публикации: 2011-10-10.

Activated carbon and cat-ion and an-ion filter system

Номер патента: PH22020050318U1. Автор: Jeffrey M Carmona. Владелец: Ingen Solutions Inc. Дата публикации: 2021-02-08.

Ion-implantation treatment method of parts from titanium alloys

Номер патента: RU2479667C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Сергей Петрович Павлинич,Анатолий Михайлович Смыслов,Василий Андреевич Гонтюрев,Марина Константиновна Смыслова,Константин Сергеевич Селиванов,Михаил Юрьевич Дыбленко,Вячеслав Юрьевич Гордеев. Владелец: Вячеслав Юрьевич Гордеев. Дата публикации: 2013-04-20.

Method of copper and lead ions implantation into the construction steel

Номер патента: RU2442843C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Светлана Викторовна Якутина,Дмитрий Александрович Козлов,Алексей Сергеевич Немов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет"(ФГБОУ ВПО "МГИУ"). Дата публикации: 2012-02-20.

Ion implantation method of surfaces of parts made from structural steel

Номер патента: RU2465373C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Ирина Рафаиловна Шляпина,Дмитрий Александрович Козлов,Екатерина Александровна Серикова,Виктор Васильевич Овчинников (RU),Юрий Михайлович Боровин (RU),Екатерина Александровна Серикова (RU),Елена Владимировна Лукьяненко (RU),Ирина Рафаиловна Шляпина (RU),Дмитрий Александрович Козлов (RU). Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2012-10-27.

Suppression of transient enhanced diffusion in ion implanted silicon

Номер патента: WO1998020525A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1998-08-27.

Cooling Of An Electronic Device In An Aircraft By Case-By-Case Single-Phase Or Two-Phase Cooling

Номер патента: US20120000630A1. Автор: Roering Sebastian,REISS Matthias,CASAS NORIEGA Wilson WIlly. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

Information Distribution System for Use in an Elevator

Номер патента: US20120000734A1. Автор: . Владелец: GANNETT SATELLITE INFORMATION NETWORK, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Load Control System That Operates in an Energy-Savings Mode When an Electric Vehicle Charger is Charging a Vehicle

Номер патента: US20120001487A1. Автор: . Владелец: LUTRON ELECTRONICS CO., INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING FAULT IN AN AC MACHINE

Номер патента: US20120001580A1. Автор: Lu Bin,Zhang Pinjia,Habetler Thomas G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL OF A RESONANT SWITCHING SYSTEM WITH MONITORING OF THE WORKING CURRENT IN AN OBSERVATION WINDOW

Номер патента: US20120001662A1. Автор: Adragna Claudio,Pidutti Albino,Beria Stefano. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL BEAM SPLITTER FOR USE IN AN OPTOELECTRONIC MODULE, AND A METHOD FOR PERFORMING OPTICAL BEAM SPLITTING IN AN OPTOELECTRONIC MODULE

Номер патента: US20120002284A1. Автор: Wen Pengyue,McColloch Laurence R.. Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DATA TRANSMISSION IN AN OPTICAL TRANSPORT NETWORK

Номер патента: US20120002965A1. Автор: Bellato Alberto,Grandi Pietro Vittorio,Gumier Matteo,Belotti Sergio,Trowbridge Stephen John. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for identifying R waves in an ECG signal and an ECG measuring instrument as well as a magnetic resonance device

Номер патента: US20120004568A1. Автор: Rößler Jürgen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ion Implantation Device with Interlock Function

Номер патента: KR19990079787A. Автор: 김태우. Владелец: 김덕중. Дата публикации: 1999-11-05.

Ion implantation equipment in semiconductor manufacturing process

Номер патента: KR19980073451A. Автор: 이기영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-11-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.