Tantalum nitride film formation method and film formation device therefore
Номер патента: KR101271869B1
Опубликовано: 07-06-2013
Автор(ы): 노부유키 가토, 다카카즈 야마다, 아키코 야마모토, 하루노리 우시카와
Принадлежит: 가부시키가이샤 알박
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-06-2013
Автор(ы): 노부유키 가토, 다카카즈 야마다, 아키코 야마모토, 하루노리 우시카와
Принадлежит: 가부시키가이샤 알박
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming titanium nitride film and apparatus for forming titanium nitride film
Номер патента: US20230030762A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Kensuke Higuchi,Asaka Fujikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.