Composite wing panels and fabrication method

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

A vertical tail of a composite-wing uav

Номер патента: EP4219320A1. Автор: Yu Tian. Владелец: Shanghai Autoflight Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Vertical Tail for a Composite-Wing UAV

Номер патента: US20230242283A1. Автор: Yu Tian. Владелец: Autoflight Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Vertical tail for a composite-wing UAV

Номер патента: US11952151B2. Автор: Yu Tian. Владелец: Autoflight Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508783B2. Автор: Yong Wu,Zhengzhong CHEN,Wenxin Jiang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Flexible display panel and fabrication method, and flexible display device thereof

Номер патента: US20200313116A1. Автор: Jialing Li. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Flexible display panel and fabrication method, and flexible display device thereof

Номер патента: US10790470B1. Автор: Jialing Li. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20240040855A1. Автор: Hui Song. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method, System and Apparatus for Assembling a Composite Wing Skin with Stiffeners

Номер патента: US20160244185A1. Автор: Doan Dinh Pham,Mark Charles Iden. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-08-25.

Method, system and apparatus for assembling a composite wing skin with stiffeners

Номер патента: US09914549B2. Автор: Doan Dinh Pham,Mark Charles Iden. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-03-13.

Crossbar array microelectronic electrochemical cells and fabrication methods therefor

Номер патента: US20040115524A1. Автор: John Damiano,Veena Misra. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2004-06-17.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Flexible display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US11793013B2. Автор: Jing Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Rotor, fabrication device thereof and fabrication method therefor

Номер патента: EP4366144A1. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Zhejiang PanGood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US20240082917A1. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-03-14.

Rotor, fabrication device thereof and fabrication method therefor

Номер патента: US20240305178A1. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Zhejiang PanGood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

Display substrate, display panel, display device, and fabrication method of display substrate

Номер патента: US20200274088A1. Автор: Tao Wang,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Fuel cell and fabricating method thereof

Номер патента: WO2010079376A1. Автор: Tsung-Her Yeh,Chen-Chia Chou. Владелец: National Taiwan University Of Science & Technology. Дата публикации: 2010-07-15.

Pole, battery cell, battery, electric device, and fabrication method for pole

Номер патента: EP4386878A1. Автор: Feng Liu,Xiaoming Ge,Manman Wang. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20150014635A1. Автор: Seung-Peom NOH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Joint for composite wings

Номер патента: RU2654270C2. Автор: Чан-Лианг ЛИН,Райан М. МАН,Карл Б. ЛИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-05-17.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Inkjet printer head and fabricating method thereof

Номер патента: US20070171259A1. Автор: Won-Chul Sim,Soon-Young Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Photoelectric lens module and fabrication thereof

Номер патента: US20110255179A1. Автор: Chien-Feng Lin,Cheng-Yu Huang,Chi-Yin Lin,Chi-Cheng Chiou. Владелец: Pacific Speed Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Fabrication apparatus for a light tunnel and fabrication method for fabricating a light tunnel

Номер патента: US20120210555A1. Автор: Tu-Fa Lai,Zhon-Gren ZHU,Bu-Yu ZHENG. Владелец: Preoptix Jiangsu Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Flexible substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20190229281A1. Автор: BO Liang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

High elongation ridge ventilation sheet for sloping roof and fabricating method therefor

Номер патента: US20170284101A1. Автор: Jian Cai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-05.

Thin-film double-glazed photovoltaic module and fabrication method thereof

Номер патента: CA3018695A1. Автор: Jinchun ZHANG. Владелец: Miasole Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-19.

Multi-layer substrate and fabrication method

Номер патента: CA2944309C. Автор: Daniel Chaleix,Bruno Schmitz,Eric Silberberg,Xavier Vanden Eynde,Sergio PACE. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2023-12-05.

Process for the manufacture of composite foam and fabric articles

Номер патента: CA1058365A. Автор: Terrill W. Woods. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 1979-07-17.

Nanofiber electrodes, fabricating methods and applications of same

Номер патента: US20200353719A1. Автор: Peter N. Pintauro. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-12.

Flexible display panel and fabricating method thereof, and image display terminal unit

Номер патента: US09591765B2. Автор: SeokHee JEONG,Jungchul Kim,Soonkwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Color electrophoretic display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09454058B2. Автор: Mingchao Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831533B2. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: Paper Battery Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: US09583653B2. Автор: Jin HO KIM,Hyun Jung Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Electrode for Secondary Battery and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20220190307A1. Автор: Jong Hyuk Lee,Mi Ryeong Lee,Hee Gyoung Kang. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Connector and fabrication method thereof

Номер патента: US20130344742A1. Автор: Seiya Matsuo,Takashi Kuwahara. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020041150A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-04-11.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1195814A3. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-02.

Cell array region of a NOR-type mask ROM device and fabricating method therefor

Номер патента: US20010017800A1. Автор: Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Multifunctional antistatic non-woven fabric and fabrication method thereof

Номер патента: US20100159773A1. Автор: Wei-Jen Lai,Sheng-Shan Chang. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2010-06-24.

Capacitive touch panel and recognition method and fabrication method thereof

Номер патента: US20130038562A1. Автор: Te-Mu CHEN,Hsin-Hao Lee. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US11793042B2. Автор: WENXU Xianyu,Jing Zhou,Yixian Zhang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Stabilized body care products, household products, textiles and fabrics

Номер патента: EP1718271A2. Автор: Mervin Gale Wood,Joseph Suhadolnik,Joseph Anthony Lupia. Владелец: Ciba SC Holding AG. Дата публикации: 2006-11-08.

Hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP4340046A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: AU2023201492A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Varistor and fabricating method of zinc phosphate insulation for the same

Номер патента: US6841191B2. Автор: Chien-Liang Wu. Владелец: Thinking Electronic Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Color solar energy module and fabrication method therefor

Номер патента: AU2017392061A1. Автор: Chien Chih Hsu,Huizhong CHE,Dayu GUO. Владелец: Rab Global Green Sdn Bhd. Дата публикации: 2019-08-29.

Flame retardant fiber blends comprising modacrylic fibers and fabrics and garments made therefrom

Номер патента: WO2005033382A3. Автор: Reiyao Zhu. Владелец: Reiyao Zhu. Дата публикации: 2005-06-23.

Flame retardant fiber blends comprising modacrylic fibers and fabrics and garments made therefrom

Номер патента: WO2005033382A2. Автор: Reiyao Zhu. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2005-04-14.

Flame retardant fiber blends comprising modacrylic fibers and fabrics and garments made therefrom

Номер патента: EP1649089A2. Автор: Reiyao Zhu. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2006-04-26.

Components for countertop assembly and fabrication

Номер патента: US20020018867A1. Автор: Theodore Liebig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Yarn and fabrics of fibre mixture containing oxidized polymer fibres

Номер патента: RU2552248C2. Автор: Зеб У. ЭТКИНСОН. Владелец: Инвиста Текнолоджиз С.А Р.Л.. Дата публикации: 2015-06-10.

Electromagnetic coil assembly for control rod drive mechanism, and fabrication method for same

Номер патента: EP3739603A1. Автор: Jie Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-18.

Mask-layer-free hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: AU2023201491A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Mask-layer-free hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP4354515A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Electrical feedthrough structure and fabrication method

Номер патента: US5425816A. Автор: Bruce T. Cavicchi,Anne V. Mason. Владелец: Spectrolab Inc. Дата публикации: 1995-06-20.

Circuit board surface structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8164003B2. Автор: Ying-Tung Wang,Sao-Hsia Tang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Current collector, electrode sheet, and fabrication method for current collector

Номер патента: US20240097140A1. Автор: Yi Pan,Riguo MEI,Yanhui CUI. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Multi-layered electrode for battery and fabrication method thereof

Номер патента: EP4310980A2. Автор: Dong Hoon Lee,Min Hwan Kim. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Magnetoresistive sensor and fabrication method for a magnetoresistive sensor

Номер патента: US11892526B2. Автор: Klemens Pruegl,Bernhard Endres. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-06.

Magnetoresistive sensor and fabrication method for a magnetoresistive sensor

Номер патента: US20210373094A1. Автор: Klemens Pruegl,Bernhard Endres. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-02.

Transistor device and fabrication method

Номер патента: US20140014968A1. Автор: MIENO FUMITAKE,Neil Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Sensing device and fabricating method of the same

Номер патента: US20230230996A1. Автор: Chia-Ming Chang,Chun-Lin Chen,Ruei-Pei Chen,Chia-Hsiu Tsai. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS, FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210280822A1. Автор: WANG Pinfan. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-09-09.

Composite wing panels and fabrication method

Номер патента: US12097973B2. Автор: Daniel R. Smith,Darrell Darwin Jones. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-09-24.

Fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20240326320A1. Автор: Hiroyuki Naito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-03.

Aircraft wheel, aircraft wheel panel and aircraft

Номер патента: RU2421375C2. Автор: Джеффри Питер МАКБРУМ. Владелец: Эебас ЮКей Лимитид. Дата публикации: 2011-06-20.

A plug-in assembly structure and an unmanned aerial vehicle with composite wing

Номер патента: EP4220869A1. Автор: Yu Tian. Владелец: Shanghai Autoflight Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Composite fabrication method and tooling to improve part consolidation

Номер патента: US5817269A. Автор: Mark L. Younie,Daniel J. Kovach,Jeffrey C. Bower,James T. Nishimura. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1998-10-06.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Electro-assisted transfer and fabrication of wire arrays

Номер патента: US20160181121A1. Автор: Xiaolin Zheng,Jeffrey Weisse. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-06-23.

3d printing and fabrication

Номер патента: US20230405881A1. Автор: Charlotte A.E. Hauser,Panagiotis BILALIS,Hamed Albalawi. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-12-21.

Hidden storage/utility system and fabrication thereof

Номер патента: WO1997005008A1. Автор: Scott Clare. Владелец: Scott Clare. Дата публикации: 1997-02-13.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Stretchable substrate and fabricating method therefor

Номер патента: US20210316529A1. Автор: HE Li. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US12042885B1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-23.

Display panel, display device, and fabricating method for display panel

Номер патента: US20240284721A1. Автор: Rubo Xing,Zhimin Yan,Siming GAO. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Fluid injection devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060071302A1. Автор: Hung-Sheng Hu,Wei-Lin Chen,Der-Rong Shyn. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Display device and fabricating method

Номер патента: US09966365B2. Автор: Qi Yao,Shi Shu,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhanfeng CAO,Seong Yeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Microfluidic chip and fabrication method

Номер патента: US12134097B2. Автор: Wei Li,ZHENYU Jia,Yunfei Bai,Baiquan LIN,Ping Su,Kerui XI,Kaidi Zhang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Eyeglass of 3D glasses and fabrication method thereof, and 3D glasses

Номер патента: US09841613B2. Автор: Junwei Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Optical security device and system and fabrication methods thereof

Номер патента: US09789724B2. Автор: Yingqiu Jiang,Aharon Hochbaum. Владелец: Opthentic Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Mems sensor and fabricating method therefor

Номер патента: EP4282811A1. Автор: Hai Chi,Xueqian Song,Yawei SONG. Владелец: Hangzhou Hikmicro Sensing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09416004B2. Автор: Xiaoping Zhang,Guangcai Fu,Tianlun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US11762239B2. Автор: Dongze Li,Yongming YIN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20210200038A1. Автор: Dongze Li,Yongming YIN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: WO2023007305A1. Автор: Hiroyuki Naito. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2023-02-02.

Fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: EP4377066A1. Автор: Hiroyuki Naito. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Mop Disc And Fabric Frame Fixation Structure

Номер патента: US20110271472A1. Автор: Mike Chen,Yang Bo Yi,Mei Ling Yang. Владелец: Mackay Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-10.

Fabrication method of display panel and display panel and display device

Номер патента: US09929189B2. Автор: Gang Yang,Jun Long. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Keyboard keys using marked elastic domes and fabrication method thereof

Номер патента: US7083343B2. Автор: Hung-Ming Tseng. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-01.

Cmut devices and fabrication methods

Номер патента: EP1713399A2. Автор: Jeffrey John Mclean,Joshua Glenn Knight,Levent F. Degertekin. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2006-10-25.

Method for preparing nanodiamond-containing thermoplastic fibers and the use of such fibers in yarns and fabrics

Номер патента: EP3548654A1. Автор: Dhruv Agarwal,Yongxin Wang. Владелец: HD Lee Co Inc. Дата публикации: 2019-10-09.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US20150329774A1. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256461A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020783A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256460A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Piezoelectric bio-organic films and fabrication method thereof

Номер патента: US20230363283A1. Автор: Zhengbao Yang,Zhuomin Zhang,Xuemu LI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006514A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Fabrication method for semiconductor structure

Номер патента: US20230299185A1. Автор: Yang Liu,Shan GUAN,Jiaxin Xiong,Junwei Luo,Shushen Li. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2023-09-21.

Method to apply retro-reflective material on elastic materials and fabrics

Номер патента: US09427947B2. Автор: Felipe Luis Harrison Eyquem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-30.

Airbag cushion exhibiting low seam and fabric usage and simultaneously high available inflation volume

Номер патента: CA2313959A1. Автор: Ramesh Keshavaraj. Владелец: Ramesh Keshavaraj. Дата публикации: 2001-01-30.

Alignment mark and semiconductor device, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200161251A1. Автор: Mengbin LIU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Detection chip, and fabrication method and sample introduction method thereof

Номер патента: US20240165619A1. Автор: Ding Ding,Zhukai LIU. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Asymmetric membrane cmut devices and fabrication methods

Номер патента: WO2005087391A2. Автор: F. Levent Degertekin,Jeffrey John Mclean,Joshua Glenn Knight. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-22.

Vertical tunneling field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10446660B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor laser diode formed with window at cleavage facet and fabricating method thereof

Номер патента: US20080259982A1. Автор: Chi Sun KIM,Ji Na Jbon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-10-23.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Touch-sensing liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09355807B2. Автор: Kun-hua Tsai,Yu-Cheng Lin,Hsu-Ho Wu,Hsing-Ying LEE,Ping-Yuan Su. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Micro led transfer method, display panel and fabrication method

Номер патента: US20240006217A1. Автор: Ping Zhu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

OLED display device and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09847488B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20100096987A1. Автор: Chong-Gi Hong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: EP2178104A3. Автор: Chong-Gi Hong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Liquid crystal panel for improving the uniformity of the parasitic capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US8179511B2. Автор: Moon Soo Kang,Hyung Ho Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070103609A1. Автор: Moon Kang,Hyung Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US09893091B2. Автор: Hongming Zhan. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Touch panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09874954B2. Автор: Yuh-Wen Lee,Xianbin Xu,Fengming Lin,Chuangdai Tang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Display substrate and fabricating method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US09472578B2. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Display motherboard, display panel, and fabricating method of display panel

Номер патента: US11532684B2. Автор: Gang Liu,Huannan WANG. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

Display panel and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12087747B2. Автор: LIANG Xing. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Organic light-emitting display panel and fabricating method

Номер патента: US11228018B2. Автор: Jian Jin,Congyi SU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040036685A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-02-26.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070236487A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-10-11.

Touch display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09785005B2. Автор: Po-Yuan Liu,Yu-Feng Chien,Hung-Wen Chou,Chia-Chun Yeh,Wen-Rei Guo,Chin-Chuan Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Electro-luminescence display panel and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09379332B2. Автор: Xue Dong,Peng Liu,Renwei Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20060043378A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-03-02.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040150341A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated device with inductive and capacitive portions and fabrication methods

Номер патента: US09460996B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09601428B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Waveplates on a curved surface and fabrication method thereof

Номер патента: EP3921145A1. Автор: Ying Geng,Babak Amirsolaimani. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

OLED backplane and fabrication method thereof

Номер патента: US09882172B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Mobile terminal and fabricating method thereof

Номер патента: US09798172B2. Автор: Kyunghee Yoo,Seungmin Seen,Giljae Lee,Sangjo Ryu,Haengchul Kwak,Jongin Im,Jongseok Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-10-24.

Amorphous silicon photoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US09741893B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09502517B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Xiangyong Kong,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

An array substrate, a display panel and a method for manufacturing the array substrate

Номер патента: US20200395391A1. Автор: Wentao Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG139758A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-02-29.

Acoustic wave device and fabrication method of the same

Номер патента: US20130076205A1. Автор: Tomo Kurihara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US7371694B2. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20050186804A1. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Capacitor structures with embedded electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09881738B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09716108B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Liquid crystal display panel, driving method and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09645455B2. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Nitride underlayer and fabrication method thereof

Номер патента: US09559261B2. Автор: Jie Zhang,Xiaofeng Liu,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Weihua Du. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Electroluminescence display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09508779B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Electrical interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09490210B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Touch display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200233516A1. Автор: Buyeol Lee,Jonghee Hwang,Kiduk Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09607885B2. Автор: Peter Zhang,Steven Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20200350511A1. Автор: Linshan Guo. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Apparatus for fabricating display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20240120230A1. Автор: Tae Hee Lee,Min Woo Kim,Sung Kook PARK,Jae Gwang Um. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Double-gate transistor array substrate and fabrication method of the same

Номер патента: US12034079B2. Автор: Yuhan QIAN,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Quantum chip, quantum computer, and fabrication method for quantum chip

Номер патента: US20240119335A1. Автор: Ye Li,Hui Yang. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Half tone mask and fabricating method

Номер патента: WO2010074481A3. Автор: Joo Hyun Hwang,Jin Ho HONG,Seung Ho Back,Seung Han Kang. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2010-09-16.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US11056476B2. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Light emitting diode structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110260203A1. Автор: Hsien-Chia Lin,Tzu-Yu Tang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Electronic device bonding structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220068872A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Backlight-type mini led chip and fabrication method therefor

Номер патента: US20230136566A1. Автор: Fan Zhang,Yongsheng Wu,Tingfang ZHANG,Jiapeng Qi. Владелец: Fujian Prima Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Photo sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080023782A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee,Ching-Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-31.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Quantum dot film layer, quantum dot light-emitting device, and fabrication method

Номер патента: US20230389406A1. Автор: Wenhai MEI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

[organic light-emtting device and fabricating method thereof]

Номер патента: US20040189192A1. Автор: Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US20210335978A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Pixel structure and fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20130119386A1. Автор: Chang-Yu Huang,Pei-Ming Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-05-16.

Terminal device and fabrication method therefor

Номер патента: AU2019218326A1. Автор: Jianfeng Wang. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Fluid control assembly and fabrication method therefor

Номер патента: US20240159321A1. Автор: LONG Lin,Yun Wang,Lixin Wang,Jianhua CHI. Владелец: Zhejiang Sanhua Automotive Components Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Flexible housing and fabrication method thereof

Номер патента: US20190307004A1. Автор: Run YANG,Xiaoli Fan. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US20240250176A1. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Image sensor and fabricating method of image sensor

Номер патента: US20150048466A1. Автор: Yang Wu,Inna Patrick,Yu Hin Desmond Cheung,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Fiber optic cable assembly with overlapping bundled strength members, and fabrication method and apparatus

Номер патента: US11774677B2. Автор: QI Wu. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20200212028A1. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Resonating star gyroscope and fabrication methods

Номер патента: US20060225504A1. Автор: Ajit Sharma,Farrokh Ayazi,Mohammad ZAMAN,Babak Amini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US20130328164A1. Автор: Ling Liu,Xining Wang,Jenhao Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US8884399B2. Автор: Ling Liu,Xining Wang,Jenhao Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Backlight Module and Fabricating Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20160370536A1. Автор: Jifeng TAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Antenna and fabrication method

Номер патента: US12062852B2. Автор: ZHENYU Jia,Ning He,Kerui XI,Zuocai Yang,Donghua Wang,Qinyi Duan,Yunhua Liu,Yingru Hu. Владелец: Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US12074222B2. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Ingan-based led epitaxial wafer and fabrication method thereof

Номер патента: EP3906586A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-10.

InGaN-BASED LED EPITAXIAL WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220115560A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150123111A1. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9331106B2. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Active element and fabricating method thereof

Номер патента: US20160190342A1. Автор: Chia-Ming Chiang,Chih-Wen Lai,hao-wei Wang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US8178881B2. Автор: Jae Young Oh,Soopool Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Fiber optic cable assembly with integrated shuffle and fabrication method

Номер патента: US20220057592A1. Автор: QI Wu. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040227892A1. Автор: Ya-Hsiang Tai,Jun Chang Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20020085145A1. Автор: Su Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040070703A1. Автор: Su Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Recording medium cartridge and fabrication method thereof

Номер патента: US20070086111A1. Автор: Hideaki Shiga. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Color wheel unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20070081265A1. Автор: Nak-Yun Sung,Yong-Wan Cho,Ji-Hyung Jung,Ju-Dong Oh,Kye-Woong Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Magnetic head slider with crown profile and fabrication method for the magnetic head slider

Номер патента: US20080062566A1. Автор: Hirohisa Ishihara,Hironori Namba. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Display panel, display device, and fabricating method of display panel

Номер патента: US20240251643A1. Автор: Yang Gao,Haowei Wang,Yuanming Zhang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224540A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240313078A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Abraham Yoo,Hanzhu WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Metal nanoparticle sensor and fabrication method

Номер патента: US12077844B2. Автор: BO XIAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20220302061A1. Автор: Hung-Hsin Hsu,Nan-Chun Lin,Shang-Yu Chang-Chien. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12075705B2. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20180348552A1. Автор: Xin Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Touch substrate and fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US09996188B2. Автор: Jun Li,Lei Zhang,Ming Hu,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972643B2. Автор: Ke Wang,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Flexible display device having a self-healing capability and fabrication method thereof

Номер патента: US09947899B2. Автор: Conghui LIU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display

Номер патента: US09929277B2. Автор: Zhenyu Zhang,Changgang HUANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semicondcutor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09865777B2. Автор: Tzu-Han Hsu,Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US09853241B2. Автор: Defeng Bi,Kaen Jiang. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and fabrication method for forming the same

Номер патента: US09847419B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Array substrate and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09837479B2. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

OLED and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09818810B2. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Programmable via devices with metal/semiconductor via links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09812393B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US09773720B2. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Touch screen and fabrication method thereof

Номер патента: US09772707B2. Автор: Xiaomin Liu,Ting Zhou. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Diodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09768325B2. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09754893B2. Автор: ZUOPENG He,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Transistor device and fabrication method

Номер патента: US09741819B2. Автор: HAIYANG Zhang,Xuan Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Polarizer and fabrication method thereof

Номер патента: US09739919B2. Автор: Long Zhang,Ting Zhou,Poping Shen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US09721976B2. Автор: Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09721931B2. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-08-01.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US09721875B2. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

LDMOS device and fabrication method thereof

Номер патента: US09721806B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09711577B2. Автор: Peng Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09705007B2. Автор: WEI YANG,Wenlin Zhang,Woo Bong Lee,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Electroluminescence display device with a protective layer and fabrication method thereof

Номер патента: US09698380B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09696594B2. Автор: Xiaobin Yin. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Programmable devices with current-facilitated migration and fabrication methods

Номер патента: US09691497B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US09673128B2. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09660060B2. Автор: Chih-Pang Chang,Tzu-Yin Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09646830B2. Автор: Guohui Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Organic light-emitting diode display and fabrication method thereof

Номер патента: US09640590B2. Автор: Chen-Yu Liu,Hsi-Chien Lin,Hung-Chieh Lu. Владелец: TPK Touch Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Array crystal module and fabrication method thereof

Номер патента: US09599726B2. Автор: CHEN ZENG,Qingguo Xie,Daoming XI. Владелец: Raycan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Device substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09581906B2. Автор: Kai Pei. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-28.

Complementary metal oxide semiconductor transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09577011B2. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Pu Lin,Ta-wei Chiu,Chung-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-21.

FINFET semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09570589B2. Автор: Bing Wu,Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09543378B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09536878B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09525107B2. Автор: Yu-Hsuan Liu,Chia-Yu Tseng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09520304B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Hong-Da Chang,Chi-Hsin Chiu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09502555B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Organic light-emitting device and fabrication method for the same, and display device

Номер патента: US09496514B2. Автор: MINGHUA XUAN,BO Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Motherboard, array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09461074B2. Автор: Xu Liu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

MOS transistor and fabrication method

Номер патента: US09431516B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor

Номер патента: US20030152122A1. Автор: Syuzo Ohbuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Fiber optic cable assembly with integrated shuffle and fabrication method

Номер патента: EP3973341A1. Автор: QI Wu. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Semiconductor chip package and fabrication method therefor

Номер патента: US20010045632A1. Автор: Dong-You Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Organic light emitting display device and fabricating method thereof

Номер патента: US09923170B2. Автор: Taro Hasumi,Jongkyung KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905797B2. Автор: YUTING ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893090B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09684216B2. Автор: Chien-Han Chen,Shih-Fang Chen,Chih-Cheng Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09620460B2. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Organic light-emitting diode (OLED) display and fabrication method for the same

Номер патента: US09401391B2. Автор: Tae-Kon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US09362134B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Flexible display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20220005910A1. Автор: Xing Ming. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US6815322B2. Автор: Toshitaka Yamamoto,Shouji Satou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Pixel array and fabrication thereof

Номер патента: US8917364B2. Автор: Hsiao-hsien Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-23.

Pixel array and fabrication thereof

Номер патента: US20130114011A1. Автор: Hsiao-hsien Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20040014283A1. Автор: Toshitaka Yamamoto,Shouji Satou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-01-22.

Organic light emitting diode display panel, fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972665B2. Автор: Ze Liu,Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Chip package structure and fabrication

Номер патента: US20240371716A1. Автор: LI Tao,Shanshan Zhao,Baohua Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

OLED display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US11957004B2. Автор: Xingyu Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Fabric switchover for systems with control plane and fabric plane on same board

Номер патента: US09866428B2. Автор: Usha Sharma. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Liquid crystal display panel and method of fabricating thereof

Номер патента: US20040263707A1. Автор: Hae Kim,Hyun SEO. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

OLED display element and its fabricating method, display panel and display device

Номер патента: US09831472B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Optical device and fabrication method and apparatus for the same

Номер патента: US20060140537A1. Автор: Musubu Koishi. Владелец: Precise Gauges Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230036754A1. Автор: Hui Xue,Kejun MU,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Thin film transistor, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180309074A1. Автор: Defeng MAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Display panel and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20200264483A1. Автор: Xibin Shao,Xueqiang QIAN,Yanping Liao. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Organic light-emitting display panel and fabricating method

Номер патента: US20170207419A1. Автор: Jian Jin,Congyi SU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Display substrate and fabrication method, display panel and display apparatus

Номер патента: WO2017024786A1. Автор: LI Sun,Yingying SONG. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-02-16.

Display device, display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US9541788B2. Автор: Xiaodong Zhou. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Touch panels and fabrication methods thereof

Номер патента: US10359877B2. Автор: Yau-Chen Jiang,Yanjun Xie,Bixin Guan,Zhuxiu Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Liquid crystal display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20070109483A1. Автор: Young Lee,Hun Jeoung. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230317507A1. Автор: Taegyun Kim,Runping WU,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US7855504B2. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-12-21.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20220399375A1. Автор: Yang Yang,Liqiang Chen,Qingsong Wang,Jiafan SHI,Zuojia WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US20160064415A1. Автор: Hongming Zhan. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Display panel and fabrication method, and display device thereof

Номер патента: US20200035748A1. Автор: Gang Liu,Xingda XIA. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel, and display apparatus

Номер патента: EP3368944A1. Автор: WEI YANG,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-05.

Display panel and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US20190064560A1. Автор: NI YANG,Yan Fang,WU Wang,Xiaoyuan Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Display backplane and fabrication method therefor, display panel and display device

Номер патента: US20240019899A1. Автор: HAO LIU,Huijuan Zhang,Dengyun Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Silicon-Based Rib-Waveguide Modulator And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150378185A1. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Array substrate and display panel, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190271889A1. Автор: Xibin Shao,Hongming Zhan,Chao TIAN,Yu Ma. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Display substrate and fabrication method, display panel and display apparatus

Номер патента: EP3332427A1. Автор: LI Sun,Yingying SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-13.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170141031A1. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20100102717A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Display panel and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20240038781A1. Автор: Cao Liu,Xiaoli Liu,Yuqin LI. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160284643A1. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Oled display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20230422542A1. Автор: Fanjing Wu,Jingyuan HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Display device, display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20200295102A1. Автор: Song Zhang,Tao Wang,Dejun BU,Chengjie Qin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: EP4228017A1. Автор: Jianping Fang,Xiaolong Li,Yingbo Zhao,Haohui LONG,Shi Zhang,Shanshan WEI. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US20140252329A1. Автор: Min-Chuan Wu,Ming-Hung Chung,Chun-pin Liu,Jion-Ting WU. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US9136500B2. Автор: Min-Chuan Wu,Ming-Hung Chung,Chun-pin Liu,Jion-Ting WU. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20220129097A1. Автор: Cheng-Yen Yeh,Mu-Kai KANG,Sz-Kai HUANG,Jing-Xuan CHEN. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Led light bulb and fabrication method thereof

Номер патента: EP3290773A1. Автор: Szu-Min Fan. Владелец: Double Good Co. Дата публикации: 2018-03-07.

Laminate optical disc and fabrication method

Номер патента: CA1170873A. Автор: Frederick F. Geyer. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-07-17.

Bipolar transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20060252214A1. Автор: Tae-Jin Kim,Dong-Kyun Nam,Sung-ryoul Bae,Kye-Won Maeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Multilayer reflector for high efficiency and high spatial resolution pixelated x-ray scintillators and fabrication method

Номер патента: US11947055B2. Автор: Houxun Miao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-02.

LED light bulb and fabrication method thereof

Номер патента: US20180066812A1. Автор: Szu-Min Fan. Владелец: Double Good Co. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210020447A1. Автор: Yan Wang,Xin Jiang,Hai Yang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Multilayer reflector for high efficiency and high spatial resoution pixelated x-ray scintillators and fabrication method

Номер патента: US20230367023A1. Автор: Houxun Miao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-16.

Piezoelectric device and fabricating method thereof, and electronic device and controlling method thereof

Номер патента: US11985898B2. Автор: YuJu CHEN,Shuai Hou. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20240040856A1. Автор: Caiwen LI,Shijian Qin. Владелец: Huizhou China Star Optoelectronics Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200328085A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Structure of an embedded channel write/erase flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US20030003660A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Trench power MOSFET structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8872266B1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Trench power mosfet structure fabrication method

Номер патента: US20140349456A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190393101A1. Автор: Zhen Yu LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for designing and fabricating optical lens unit

Номер патента: US20070121220A1. Автор: Ching Chang,Hsiung Tsai. Владелец: PowerGate Optical Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Display panel and its fabrication method, and display device

Номер патента: US20220206634A1. Автор: Ruiqi HUANG,Qingxia Wang. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Electrophoretic display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20080037106A1. Автор: Keun Kyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Display panel and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09825063B2. Автор: Jing Li,Yulin CUI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Display device integrated with touch screen panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09710086B2. Автор: Taehwan Kim,Minjoo KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Structure of and fabricating method for a thin film transistor

Номер патента: US5578838A. Автор: Seok W. Cho,Jong M. Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10186598B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Semiconductor structure and fabrication method therefor

Номер патента: EP3971954A1. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US9570434B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: MY165794A. Автор: Deyuan Xiao,Richard Rugin Chang. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co. Дата публикации: 2018-04-27.

Double-sided capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US11894419B2. Автор: Yong Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof

Номер патента: US11942917B2. Автор: Guohuang YANG. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20230307378A1. Автор: Dong Xue. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Transistor structure, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220352361A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230422465A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and fabrication method including air gap spacers

Номер патента: US11127638B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200335402A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180261610A1. Автор: Er Hu ZHENG,Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US7816192B2. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9929267B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166466A1. Автор: Chi-Ho CHANG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-06-14.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9941305B2. Автор: Chi-Ho CHANG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180122701A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10418286B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190067127A1. Автор: Shi Liang JI,Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3291291A3. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20150076520A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10685962B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138184A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10475798B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138183A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Pixel substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US9230999B2. Автор: Chia-Hua Yu,Mu-Kai KANG,Hsien-Tang Hu,Chang-Ming Chao,Jui-Chi Lai. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Pixel substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US20150194449A1. Автор: Chia-Hua Yu,Mu-Kai KANG,Hsien-Tang Hu,Chang-Ming Chao,Jui-Chi Lai. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Tandem Solar Cell and Fabricating Method thereof

Номер патента: US20110100431A1. Автор: Ming-Kun Lee,Sheng-fu Horng,Jen-Chun Wang,Hsin-Fe Meng,Tsung-Te Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and fabrication method for the same, and light modulation device and fabrication method for the same

Номер патента: US20090294906A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20160322494A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166283A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Anti-surge resistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006098A1. Автор: Ren-Hong Wang,Shen-Li Hsiao,Kuang-Cheng Lin. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Anti-surge resistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11935675B2. Автор: Ren-Hong Wang,Shen-Li Hsiao,Kuang-Cheng Lin. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Electrochemical gas sensor and fabrication method therefor

Номер патента: LU504413B1. Автор: Jie Han,Lichun Zheng,Tianli LIU. Владелец: Sunvou Medical Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Electrochemical gas sensor and fabrication method therefor

Номер патента: US20240094159A1. Автор: Jie Han,Lichun Zheng,Tianli LIU. Владелец: Sunvou Medical Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US7589371B2. Автор: Masaya Hosaka,Masatomi Okanishi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20070105308A1. Автор: Masaya Hosaka,Masatomi Okanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

NROM semiconductor memory device and fabrication method

Номер патента: US7344923B2. Автор: Franz Hofmann,Michael Specht,Erhard Landgraf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-03-18.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20040207014A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Memory and fabricating method thereof

Номер патента: US11877441B2. Автор: Tao Chen,Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180130710A1. Автор: Xu Dong YI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11791225B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof

Номер патента: US20240186973A1. Автор: Guohuang YANG. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Finfet and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256632A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9773891B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157085A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100270910A1. Автор: Wei-Yuan Cheng,Yu-Chao Wu. Владелец: Hong Yuan Tech Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220278003A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Image sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138218A1. Автор: Ching-Hung Kao,Fu-Cheng Chang,Chia-Pin Cheng,Che-Chun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10199383B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180174921A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120080746A1. Автор: Se Hyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180286983A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180286747A1. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210343605A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US7646439B1. Автор: Seung Kyu Choi,Sang Moo Song. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-12.

Functional glue mixed with crushed on ginko (leaves) and poulownia (leaves) materials and fabricating method thereof

Номер патента: US20020185039A1. Автор: Man-Gu Sim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Memory and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220285363A1. Автор: Tao Chen,Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof

Номер патента: US7067340B1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chih-Sung Chang,Tzer-Perng Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2006-06-27.

Self aligned CCD element fabrication method therefor

Номер патента: US3927468A. Автор: Michael P Anthony,Kamleshwar Gunsagar,Choong-Ki Kim,Lloyd R Walsh. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1975-12-23.

Semiconductor integrated circuit fabrication method

Номер патента: US5388054A. Автор: Takeji Tokumaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-07.

Mono gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US7227216B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-05.

Flat panel display device and fabricating method thereof

Номер патента: US7732267B2. Автор: Hun Jeoung,Soon Kwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Thin-film thermo-electric generator and fabrication method thereof

Номер патента: US20110197942A1. Автор: Ping Fan,Dongping Zhang,Guangxing Liang,Zhuangghao Zjemg. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210320107A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Systems and methods for designing and fabricating mass-customized products

Номер патента: US20240057696A1. Автор: Huafeng Wen,Ashley Wen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Thermally conductive fibers and fabrics

Номер патента: US20070173589A1. Автор: L.P. Felipe Chibante. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-26.

Yarns and fabrics including modacrylic fibers

Номер патента: WO2021236871A1. Автор: Robert Charles Earhart,Christopher Brent Martin,Mia Rauston Alberto. Владелец: Glen Raven, Inc.. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of designing and fabricating a microlens array

Номер патента: US20180209030A1. Автор: Qi Wang,TARIQ ALI,Ilyas I. Khayrullin,Amalkumar P. Ghosh,Ihor Wacyk,Kerry TICE,Evan DONOGHUE. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

A system and method for garment fitting and fabrication

Номер патента: CA2760304C. Автор: Tamara Krawchuk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-09.

Lighting Device Equipped with Coaxial Line Laser Diodes and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20090135877A1. Автор: Chun-Chu Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

Light Emitting Diode and Fabricating Method thereof

Номер патента: US20110147790A1. Автор: Yu-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20220028890A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Mask and fabrication method thereof, and method of patterning by using mask

Номер патента: US9488917B2. Автор: HONGLIANG Liu,Dawei Shi. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20030104661A1. Автор: Kazuhide Koyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108427A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170424A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US20230253030A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Lighting device equipped with coaxial line laser diodes and fabrication method thereof

Номер патента: US8005125B2. Автор: Chun-Chu Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11676865B2. Автор: HAIYANG Zhang,Zhenyang ZHAO,Enning ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160020325A1. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Led display structures and fabrication of same

Номер патента: US20200305253A1. Автор: Vincent Lee,Ioannis Kymissis,Brian Tull. Владелец: Lumiode Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: WO2011066324A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-03.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: EP2504836A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-10-03.

Led display structures and fabrication of same

Номер патента: EP3803976A1. Автор: Vincent Lee,Ioannis Kymissis,Brian Tull. Владелец: Lumiode Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210358809A1. Автор: HAIYANG Zhang,Zhenyang ZHAO,Enning ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240206165A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for sealing and fabricating cap for field emission display

Номер патента: US6881116B2. Автор: Sang-Jo Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-04-19.

Fabrication method of semiconductor device by removing sacrificial layer on gate structures

Номер патента: US10748814B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-18.

Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof

Номер патента: US7589462B2. Автор: Hak Su Kim,Kwang Young Kim,Kwang Heum Baik. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Electrically conductive composition and fabrication method thereof

Номер патента: US20110101283A1. Автор: Hong-Ching Lin,Chun-An Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor package and fabrication method of the same

Номер патента: US6780670B2. Автор: Kye Chan Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US7489037B2. Автор: Yi-Hsin Chen,Feng-Lung Chien,Chao-Dung Suo. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-10.

Thin film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US6566180B2. Автор: Juhn-Suk Yoo,Min-Koo Han,Kee-Chan Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US8653560B2. Автор: Atsuhiro Kinoshita,Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Fingerprint sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US7400750B2. Автор: Yun-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-15.

Light emitting diode device and fabrication method thereof

Номер патента: US7884384B2. Автор: Chih-Cheng Chiang,Shu-Ru Chung,Kuan-Wen Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-02-08.

Piping and structural component design and fabrication system

Номер патента: US20030125826A1. Автор: Allen Holman,Curtis Broughton. Владелец: Quickpen International Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9269895B2. Автор: Hee Gyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Reflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US7242452B2. Автор: Hyun-Suk Jin,Yong-Jin Cho,Woo-Nam Jeong. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-10.

2-bit mask ROM device and fabrication method thereof

Номер патента: US6590266B1. Автор: Tao-Cheng Lu,Yen-hung Yeh,Mu-Yi Liu,Kwang-Yang Chan,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-08.

Dynamic random access memory cell layout and fabrication method thereof

Номер патента: US20050045936A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Organic light emitting display and fabricating method of the same

Номер патента: US20070170605A1. Автор: Tae Seung Kim,Jong Woo Lee,Ho Seok Lee,Dae Ho Lim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: MY183934A. Автор: Xiao Deyuan,Richard Rugin Chang,Mengjan Cherng,Chi Jen Hsu. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co. Дата публикации: 2021-03-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11201222B2. Автор: King Yuen Wong. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

LED package and fabricating method thereof

Номер патента: US8012778B2. Автор: Yong Suk Kim,Seog Moon Choi,Taek Jung Lee,Young Soo Oh,Hyoung Ho Kim. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-06.

Silica microstructure and fabrication method thereof

Номер патента: US6756319B2. Автор: Dong-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-29.

Microwavable composite material and fabrication method thereof

Номер патента: CA2524005A1. Автор: Yen-Kai Ting,Shiao-Tun Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11158532B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Liquid crystal display device capable of reducing leakage current, and fabrication method thereof

Номер патента: US20060289867A1. Автор: Byoung-Ho Lim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Infrared detector and fabrication method thereof

Номер патента: US5977603A. Автор: Tomohiro Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20220246544A1. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: CA2578443C. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Dielectric thin film and fabrication method thereof

Номер патента: US5874379A. Автор: Jae-Hyun Joo,Seung-Ki Joo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230328971A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Fluid control assembly and fabrication method therefor

Номер патента: EP4317752A1. Автор: LONG Lin,Yun Wang,Lixin Wang,Jianhua CHI. Владелец: Zhejiang Sanhua Automotive Components Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220270982A1. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20150108652A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Touch substrate and fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US20170147124A1. Автор: Jun Li,Lei Zhang,Ming Hu,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240049444A1. Автор: Kang You,Tangyu PAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Antenna and fabrication method

Номер патента: US20230411867A1. Автор: ZHENYU Jia,Ning He,Kerui XI,Zuocai Yang,Donghua Wang,Qinyi Duan,Yunhua Liu,Yingru Hu. Владелец: Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US20130328163A1. Автор: Ling Liu,Xining Wang,Jenhao Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11808975B2. Автор: Jun Liu,Hong Gang DAI,Dong Xiang CHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof

Номер патента: US11848657B2. Автор: Fei Qi,Guohuang YANG,Huan SUI. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

System-on-wafer structure and fabrication method

Номер патента: US11876071B1. Автор: Jianliang Shen,Ruyun Zhang,Shunbin Li,Weihao Wang,Qinrang Liu,Zhiquan WAN,Guandong Liu. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023217069A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US9024381B2. Автор: Hyuk Woo,Chang-sik Lim,Moon-soo CHO,Kwang-yeon Jun. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Fin field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10553722B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device, three-dimensional memory and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20230134659A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Static random-access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US11088149B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240008375A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240049458A1. Автор: KANG Yang,Yi Zhou,Ziyu ZHANG,Zhiyong Cai,Hsing-An LO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150207068A1. Автор: Yong Seok Lee,Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11908865B2. Автор: Zhen Tian,Da Huang,Yao QI DONG,Xiaowan DAI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10679902B2. Автор: Cheng Long ZHANG,Zhi Dong WANG,Wu Tao TU. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Nano/micro-patterned optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20110026876A1. Автор: Jian-Hong Chen,Lon Wang,Shih-Min Chuo. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2011-02-03.

Alloy-coated optical fiber and fabricating method thereof

Номер патента: US20010048800A1. Автор: Un-Chul Paek,Jin-han Kim,Dong-Soo Park,Yong-Kon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-06.

Organic light emitting diode display panel, display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3523827A1. Автор: Dejiang Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11830921B2. Автор: Qiongyang ZHAO,Anni WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20180337212A1. Автор: Chih-Chiang Chen,Hsu-Hsiang Tseng,Jui-Chieh HSIANG. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Touch control unit and fabricating method thereof

Номер патента: US20160291734A1. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190035683A1. Автор: Chun Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US9293469B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20150255473A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device having a contact window and fabrication method thereof

Номер патента: US20030132526A1. Автор: Jeong-sic Jeon,Jae-Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130313504A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11205703B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Piezoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US20120319792A1. Автор: Hidenori Harima. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220028855A1. Автор: JISONG Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210191183A1. Автор: Xinzhao Liu,Zhuan GAO. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Vertical high-voltage semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150076521A1. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Three-dimensional memory device and fabrication method

Номер патента: US20230402425A1. Автор: Yang Zhou,SHENG Peng,Jing Gao,Kai Yu,Wenbo Zhang,Zhiyong Lu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160111516A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Anode plate and fabrication method thereof, battery cell, battery and electronic device

Номер патента: EP4067457A1. Автор: Xiangfei Yuan. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Programmable devices with current-facilitated migration and fabrication methods

Номер патента: US20170092373A1. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11830913B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20230232626A1. Автор: Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US11871595B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075602A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160056231A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Backlight module, display device and fabricating method for backlight module

Номер патента: US20190285946A1. Автор: Xiaoling Xu,Meili Wang,Yuanxin DU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Fuse and fabrication method thereof

Номер патента: US20190019750A1. Автор: Yi Wang,Qiang Zhang,Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

GaN TRENCH MOSFET AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20240021724A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor Devices and Fabricating Methods Thereof

Номер патента: US20190115344A1. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20160190131A1. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210359126A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Capacitor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8623738B2. Автор: Tsung-Cheng Yang,Tah-Te Shih. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2014-01-07.

DRAM cell for reducing layout area and fabricating method thereof

Номер патента: US10177153B2. Автор: Tae Gyoung Kang. Владелец: Dosilicon Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-08.

Color filter plate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20170176801A1. Автор: Xiaoxiao Wu. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US8836075B2. Автор: Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US9881812B2. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US20160343590A1. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160141415A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Light emitting diode and fabricating method thereof

Номер патента: US7768022B2. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chih-Sung Chang,Way-Jze Wen,Chang-Han Chiang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2010-08-03.

Drug injection device based on electrochemical reaction and fabrication method for drug injection pump

Номер патента: US20230414872A1. Автор: Yue Cui. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US6875654B2. Автор: Tieh Chiang Wu,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-05.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040115927A1. Автор: Tieh Chiang Wu,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US8247589B2. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof

Номер патента: US20230353118A1. Автор: Wei Li,Herb He Huang,Hailong LUO. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp Shanghai Branch. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955483B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242946A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Piezoelectric assembly and fabrication method thereof, screen component, and mobile terminal

Номер патента: EP3852160A1. Автор: Yen Chiafu,Jing Chen. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11764300B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210399105A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Flash memory with reduced source resistance and fabrication method thereof

Номер патента: US20040161706A1. Автор: Chang Han,Sung Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050269670A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20110284984A1. Автор: Chih-Min Liu,Chung-Wei Chang,Fang-Ming Huang,Kuo-Chan Huang,Ping-Hung Yin. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Pixel structure and fabricating method of pixel structure

Номер патента: US20140042444A1. Автор: Wei-Lun Chang,Kuo-Yu Huang,Maw-Song Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-02-13.

Quantum chip and fabrication method therefor

Номер патента: US20230276719A1. Автор: Jie Zheng,Liangliang Ma,Bing YOU,Nianci WANG,Wenshu LIU. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-volatile memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US7943917B2. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Split gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20030214864A1. Автор: Yong Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DOUBLE-SIDED TOUCH SENSITIVE PANEL AND FLEX CIRCUIT BONDING

Номер патента: US20120004012A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in and relating to the Manufacture of Pattern Cards and Fabrics, and to Apparatus therefor.

Номер патента: GB190225749A. Автор: Curt Handwerck. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-11-12.

A New or Improved Device for Stretching Garments and Fabrics, also applicable as an Adjustable Screen Support.

Номер патента: GB190819490A. Автор: Eric Ahlquist. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-09-16.