ESD Clamp Circuit For Low Leakage Applications
Номер патента: US20230009740A1
Опубликовано: 12-01-2023
Автор(ы): Jam-Wen Lee, Kuo-Ji Chen, Tao Yi HUNG, Wun-Jie Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-01-2023
Автор(ы): Jam-Wen Lee, Kuo-Ji Chen, Tao Yi HUNG, Wun-Jie Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
ESD Clamp Circuit For Low Leakage Applications
Номер патента: US20230009740A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Tao Yi HUNG,Wun-Jie Lin,Jam-Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.