Ligature resistant strainer and drain assembly.

Ligature resistant strainer and drain assembly

Номер патента: CA3092311A1
Опубликовано: 06-03-2021
Автор(ы): Darryl M. Boeltl
Принадлежит: Acorn Engineering Co
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Ligature resistant strainer and drain assembly

Номер патента: US20210071404A1. Автор: Darryl M. Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2021-03-11.

Venting clip for a floor drain assembly

Номер патента: US12006678B2. Автор: Alexander L Davis. Владелец: Oatey Co. Дата публикации: 2024-06-11.

Drain assembly and method of installation

Номер патента: US11905697B2. Автор: Kai Zhang,Matthew Valore. Владелец: Oatey Co. Дата публикации: 2024-02-20.

Tileable modular floor system and drain

Номер патента: CA3186275A1. Автор: Spencer P. Maheu,Dustin Prevete. Владелец: Laticrete International Inc. Дата публикации: 2023-06-30.

Method and Device for Unclogging a Drain Assembly

Номер патента: US20150007384A1. Автор: Mark A. Carlson. Владелец: PLUNGE-RIGHT LLC. Дата публикации: 2015-01-08.

Pop-Up Drain Assembly

Номер патента: US20170260724A1. Автор: Sanjay Ahuja,Harold Kent Beck. Владелец: PF Waterworks LP. Дата публикации: 2017-09-14.

Ligature-resistant toilet system with adaptable shroud

Номер патента: US09938704B2. Автор: Robert Lee deLoache, III. Владелец: BEHAVIORAL SAFETY PRODUCTS LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Ligature-resistant toilet system and method

Номер патента: US20180135286A1. Автор: Robert Lee deLoache, III. Владелец: BEHAVIORAL SAFETY PRODUCTS LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

Ligature-resistant toilet system with adaptable shroud

Номер патента: US20170268213A1. Автор: Robert Lee deLoache, III. Владелец: BEHAVIORAL SAFETY PRODUCTS LLC. Дата публикации: 2017-09-21.

Water dispenser and drain for use with a toilet

Номер патента: US09554676B1. Автор: Bernard Bisciotti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-31.

Ligature resistant floor drain and grate

Номер патента: CA3075584C. Автор: Darryl M. Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2022-08-30.

Linear drain assemblies

Номер патента: US09995032B2. Автор: Lawrence G. Meyers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Linear drain assemblies and methods of use

Номер патента: US09644363B2. Автор: Lawrence G. Meyers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-09.

Linear drain assembly comprising and end attachment

Номер патента: CA2939936C. Автор: Lawrence G. Meyers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-05.

Linear drain assemblies and methods of use

Номер патента: WO2015127269A1. Автор: Lawrence C. MEYERS. Владелец: Meyers Lawrence C. Дата публикации: 2015-08-27.

Linear drain assembly

Номер патента: US20240295112A1. Автор: Andrew J. Stokes,Vikas SALUNKE. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2024-09-05.

Drain assembly with adjustable spherical frame

Номер патента: CA2947709A1. Автор: Jason E. Morris,Seth A. Brooks. Владелец: Zurn Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-11.

Linear drain assembly

Номер патента: US12006677B2. Автор: Andrew J. Stokes,Vikas SALUNKE. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2024-06-11.

Multi-Channel, Ligation Resistant Drain Cover and Drain Assembly

Номер патента: US20210254321A1. Автор: Joshua A. Ritger. Владелец: InPro Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Modular drain assembly for pod constructed room

Номер патента: US20230257985A1. Автор: Christopher J. Say,John Matthew Lawrence,David Michael Gomo,Robert Anthony DiPlacido,Michael Thomas Benesh. Владелец: Zurn Industries LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Drain assembly

Номер патента: US20160258146A1. Автор: Salvatore Sisto. Владелец: Salvatore Sisto. Дата публикации: 2016-09-08.

Shower drain assembly and kit for its installation

Номер патента: CA3184569A1. Автор: Dennis Bordin. Владелец: PROGRESS PROFILES SPA. Дата публикации: 2023-06-24.

Assembly and drain cover

Номер патента: EP4187032A3. Автор: Ian Gell,Jake SNELL,Kevin LINNELL. Владелец: Aqualisa Products Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Assembly and drain cover

Номер патента: GB2613349A. Автор: Snell Jake,Gell Ian,Linnell Kevin. Владелец: Aqualisa Products Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Assembly and drain cover

Номер патента: EP4187032A2. Автор: Ian Gell,Jake SNELL,Kevin LINNELL. Владелец: Aqualisa Products Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Bathtub with door and drain

Номер патента: CA3006511C. Автор: Jean ROCHETTE,Alain Deslauriers,Alexandre MARCHAND,Marc Veilleux,Luc Beaupre,Patrick Charbonneau. Владелец: Les Produits Neptune Inc. Дата публикации: 2018-12-04.

BATHROOM WITH DOOR AND DRAIN

Номер патента: RU2018138734A. Автор: Жан Рошетт,Александр МАРШАНД,Марк ВЕИЛЛЕУКС,Люк БОПРЭ,Алэн ДЭЛОРЬЕЗ,Патрик ШАРБОННО. Владелец: Лес Продюитс Нептуне Инк.. Дата публикации: 2020-07-09.

Systems and methods of filling and draining plumbing fixtures

Номер патента: US20240318414A1. Автор: Douglas J. Brouwer,Jesse Miller,David Ritter,Brian Core. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Floor drain assembly system and method of forming the same

Номер патента: US09567739B2. Автор: Daniel Nyce. Владелец: Oldcastle Precast Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Fill and drain fittings for a hydroponic flood table

Номер патента: US09717192B1. Автор: Michael Danner,Steven Sawicki. Владелец: Eugene G Danner Manufacturing Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Floor drain assembly and method

Номер патента: US09422707B2. Автор: Eric Hull. Владелец: Oatey Co. Дата публикации: 2016-08-23.

Channel for collecting road dust and draining water

Номер патента: RU2764554C1. Автор: Сяньминь СЮЙ. Владелец: Шанхай Санкан Энвайромент Текнолоджи Ко.Лтд. Дата публикации: 2022-01-18.

Domestic appliance floor drain assembly and method

Номер патента: US20200181899A1. Автор: Michael Phillip Davis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-11.

Adjustable drain assembly

Номер патента: US20110173747A1. Автор: Jesse R. Evans,Bruce D. Niemitalo. Владелец: Niemitalo Bruce D. Дата публикации: 2011-07-21.

Drain assemblies, and related kits and methods

Номер патента: US11946241B2. Автор: Jeffrey Zhang,Aaron LORKOWSKI. Владелец: Oatey Co. Дата публикации: 2024-04-02.

Drain Assemblies, And Related Kits And Methods

Номер патента: US20230313518A1. Автор: Kai Zhang,Christopher Dodd. Владелец: Oatey Co. Дата публикации: 2023-10-05.

LIGATURE-RESISTANT TOILET SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20180135286A1. Автор: III Robert Lee,deLoache. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

LIGATURE-RESISTANT TOILET SYSTEM WITH ADAPTABLE SHROUD

Номер патента: US20170268213A1. Автор: III Robert Lee,deLoache. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Ligature resistant cabinet

Номер патента: AU2023222949A1. Автор: Darryl M. Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2024-04-04.

Removable Ligature Resistant Restraint Ring Receptacle

Номер патента: US20200206014A1. Автор: Jed C. Richardson,Abdullah Shahzad. Владелец: Norix Group. Дата публикации: 2020-07-02.

Ligature resistant cabinet

Номер патента: GB2623636A. Автор: M Boeltl Darryl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2024-04-24.

Ligature resistant cabinet

Номер патента: US20240090665A1. Автор: Darryl M. Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2024-03-21.

Ligature resistant cabinet

Номер патента: CA3212867A1. Автор: Darryl M. Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2024-03-20.

Method for attaching flooring to a drain assembly

Номер патента: US09422710B2. Автор: Douglas R. Wroblewski,Joseph Tripodi,James T. Kloecker. Владелец: Zurn Industries LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Drain assembly for use in an outdoor setting

Номер патента: US11840819B2. Автор: Kevin Tyler Kondas. Владелец: American Drain Company LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

Drain assembly for use in an outdoor setting

Номер патента: US20240110357A1. Автор: Kevin Tyler Kondas. Владелец: American Drain Company LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Infiltration drain assembly

Номер патента: AU2022419158A1. Автор: Fabian MERGNER. Владелец: Rehau Industries SE and Co KG. Дата публикации: 2024-05-16.

LIGATURE RESISTANT STRAINER AND DRAIN ASSEMBLY

Номер патента: US20210071404A1. Автор: Boeltl Darryl M.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

LIGATURE RESISTANT FLOOR DRAIN AND GRATE

Номер патента: US20200291631A1. Автор: Boeltl Darryl M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

DRAIN AND DRAIN LEVELING MECHANISM

Номер патента: US20170159278A1. Автор: Huber Donald G.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

DRAIN AND DRAIN LEVELING MECHANISM

Номер патента: US20200165807A1. Автор: Huber Donald G.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

DRAIN AND DRAIN LEVELING MECHANISM

Номер патента: US20170247872A1. Автор: Huber Donald G.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Ligature resistant quick disconnect with positive shutoff

Номер патента: US20240360930A1. Автор: Timothy Brandli. Владелец: Willoughby Industries Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Combined faucet and drain assembly

Номер патента: CA2475465C. Автор: Perry D. Erickson,Ricardo O. Gray,Jeffrey L. Mueller,Mark F. Mcmullen. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2007-11-13.

Pop-up drain assembly, connector device and drain stopper

Номер патента: CA2989574C. Автор: Sanjay Ahuja,Harold Kent Beck. Владелец: PF Waterworks LP. Дата публикации: 2020-07-21.

Tamper-proof strainer and drain stop assembly

Номер патента: US20210285196A1. Автор: Greg Glazar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-16.

Sink and drain for sink

Номер патента: US20200248441A1. Автор: Shawn Daly,Christopher Waas,Erik Lynch,Robert Zudic,Jonathan Chee Yeen Chong,Daniel Keating Childs. Владелец: Elkay Manufacturing Co. Дата публикации: 2020-08-06.

Sink and drain for sink

Номер патента: US09783968B2. Автор: Shawn Daly,Jonathan Chee Yeen Chong,Daniel Keating Childs. Владелец: Elkay Manufacturing Co. Дата публикации: 2017-10-10.

Inflow and drain fixture for bathtubs or shower tubs

Номер патента: CA2316734C. Автор: Maarten Röst,David Benne. Владелец: Geberit Technik Ag. Дата публикации: 2007-06-12.

Clicker drain assembly and method of assembling same

Номер патента: US20240295105A1. Автор: Sharathkumar B. Badiger. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2024-09-05.

Sink basin drain assembly

Номер патента: CA3205735A1. Автор: Joel D. Tyler. Владелец: V-T Industries Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Drain assembly and method of installation

Номер патента: CA3183067A1. Автор: Zhang Jian,Alexander Meyer,Aaron LORKOWSKI,Matthew Siena. Владелец: Oatey Co. Дата публикации: 2023-05-29.

Clicker Drain Assembly and Method of Assembling Same

Номер патента: US20220243439A1. Автор: Sharathkumar B. Badiger. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2022-08-04.

Clicker drain assembly and method of assembling same

Номер патента: US12018470B2. Автор: Sharathkumar B. Badiger. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2024-06-25.

Device for water drain assembly, comprising tubular element, attached to sanitary instrument by means of nut, intended for attachment of drain neck

Номер патента: RU2692012C2. Автор: КОЭН Даниэль ЛЕ,Поль РАБЕСАОТРА,Альбан БАКУ. Владелец: Виркин Пластик. Дата публикации: 2019-06-19.

Pop-Up Drain Assembly

Номер патента: US20170321401A1. Автор: Sanjay Ahuja,Harold Kent Beck. Владелец: PF Waterworks LP. Дата публикации: 2017-11-09.

Drain assembly

Номер патента: AU2019240840B2. Автор: Michael Schintler,Marco Oberholzer,Felix PREISIG. Владелец: GEBERIT INTERNATIONAL AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Pop-up drain assembly

Номер патента: US09745728B2. Автор: Sanjay Ahuja,Harold Kent Beck. Владелец: PF Waterworks LP. Дата публикации: 2017-08-29.

Plumbing drain assembly

Номер патента: US09534363B2. Автор: James Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-03.

Unitary Ball Rod Assembly for a Pop-Up Drain Assembly

Номер патента: US20230160189A1. Автор: Sanjay Ahuja. Владелец: PF Waterworks LP. Дата публикации: 2023-05-25.

Adjustable drain assembly

Номер патента: US20210180303A1. Автор: Michael William Johnson,Gregory Lee Sesser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Overflow drain assembly for sanitary vessels

Номер патента: US20070050907A1. Автор: Gary Uhl,Vincent Rotella. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Drain assembly

Номер патента: US5428847A. Автор: Edwin F. Atkins,Corrado Mangiafico. Владелец: Kenney Manufacturing Co. Дата публикации: 1995-07-04.

Combination sink strainer and stopper

Номер патента: US09869076B1. Автор: Michael Harris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-16.

Seamless sink drain assembly with disposer/strainer mounting system

Номер патента: CA2679883C. Автор: Daniel O. Sullivan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-14.

Drain assembly and faucet lift rod coupling device

Номер патента: CA3081682C. Автор: Garry Robin Marty,Brian Alan Enlow. Владелец: Delta Faucet Co. Дата публикации: 2023-01-24.

Drain assembly for a lavatory basin

Номер патента: US4218785A. Автор: Larry G. Turner,Dennis W. Crawford. Владелец: Bristol Products Inc. Дата публикации: 1980-08-26.

Sink drain assembly

Номер патента: GB2315998A. Автор: Tsan-Hsiung Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-02-18.

Pop-up drain assembly for lavatory basins

Номер патента: US4807306A. Автор: Dennis J. Hayman,David M. Pearce. Владелец: United States Brass Corp. Дата публикации: 1989-02-28.

Pop-up drain assembly

Номер патента: CA2787029C. Автор: Sanjay Ahuja,Harold Kent Beck. Владелец: PF Waterworks LP. Дата публикации: 2014-08-26.

Lift rod pop-up drain assembly

Номер патента: US20230146089A1. Автор: Ken Sapp,DeChang Li. Владелец: Compass Manufacturing International LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Pop-up drain assembly

Номер патента: CA2854530A1. Автор: Sanjay Ahuja,Harold Kent Beck. Владелец: PF Waterworks LP. Дата публикации: 2011-08-04.

Lift rod pop-up drain assembly

Номер патента: US12000127B2. Автор: Ken Sapp,DeChang Li. Владелец: Compass Manufacturing International LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Sink popup stopper drain assembly

Номер патента: US20100275357A1. Автор: Nick Fuoco,Egidio Gualtieri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Improvements in Combined Siphon Sink Strainers and Waste Pipe Cleaners.

Номер патента: GB191117460A. Автор: Bernard Peter Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 1911-09-14.

Strainer and insert assembly

Номер патента: US10132066B2. Автор: Robert A. Oropallo,Anthony Oropallo. Владелец: IPS Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Strainers and plugs

Номер патента: EP2681368A2. Автор: Sharon Ychie,Nir Eylon. Владелец: SINK SKIN Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Strainers and plugs

Номер патента: WO2012117400A2. Автор: Sharon Ychie,Nir Eylon. Владелец: Sink Skin Ltd.. Дата публикации: 2012-09-07.

Drain trap and drain system for drain pipe apparatus of bathroom

Номер патента: KR100338417B1. Автор: 최해권. Владелец: 최해권. Дата публикации: 2002-05-27.

Water closet bowl support and drain assembly

Номер патента: GB749121A. Автор: Hurley Vernon Boggess,John Henry Schmid. Владелец: J A ZURN Manufacturing CO. Дата публикации: 1956-05-16.

Coupling device for sewer and drain cleaning cable

Номер патента: US5618123A. Автор: Robert Pulse. Владелец: Pettibone Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

DRAIN AND DRAIN LEVELING MECHANISM

Номер патента: US20160010320A1. Автор: Huber Donald G.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Apparatus for watering and draining soil

Номер патента: CA1089243A. Автор: James P. Izatt. Владелец: CELLSYSTEM AG. Дата публикации: 1980-11-11.

Combination pool strainer and brush and method of use

Номер патента: US20120180812A1. Автор: Donald J. Holthusen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Ligature-resistant folded-sheet paper towel dispenser with convoluted paper outlet path

Номер патента: US20240268612A1. Автор: Mark Mendes,Cheri Skinner. Владелец: BEHAVIORAL SAFETY PRODUCTS LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Ligature-resistant folded-sheet paper towel dispenser with hidden outlet slot

Номер патента: US20230380641A1. Автор: Mark Mendes,David Cory deLoache. Владелец: BEHAVIORAL SAFETY PRODUCTS LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Ligature resistant roll holder assembly

Номер патента: US10314444B2. Автор: Darryl Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2019-06-11.

Ligature resistant roll holder assembly

Номер патента: US20190350416A1. Автор: Darryl Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2019-11-21.

Ligature-resistant paper towel dispenser and method of employing the same

Номер патента: US11877703B1. Автор: Christopher Kopp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-23.

Ligature-resistant toilet paper dispenser

Номер патента: US20190374076A1. Автор: Mark Mendes,Robert Lee deLoache, III,David Cory deLoache. Владелец: BEHAVIORAL SAFETY PRODUCTS LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Sliding shower door guide and drain assembly

Номер патента: US09433325B2. Автор: James Allen Austin, Iii. Владелец: Liberty Hardware Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Sliding shower door guide and drain assembly

Номер патента: CA2859532C. Автор: James A. Austin, Iii. Владелец: Liberty Hardware Manufacturing Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Ligature resistant cabinet

Номер патента: GB202313261D0. Автор: . Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2023-10-18.

Drain connection and drain pipe using same

Номер патента: CN1940192A. Автор: 石川浩,大霜新三郎,四元友治,今久保谦一郎. Владелец: Kubota CI Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-04.

Ligature resistant wardrobe

Номер патента: US11857476B2. Автор: Scott Karl,Kurt Staskon,Richard Karl. Владелец: NORIX GROUP Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Dish rack and drain tray assembly

Номер патента: US5158184A. Автор: Stacy L. Wolff,Charles W. Craft. Владелец: Rubbermaid Inc. Дата публикации: 1992-10-27.

Dishwasher with drain assembly and check valve

Номер патента: US20200245841A1. Автор: Antony M. Rappette,John Alan Miller,Todd Michael Jozwiak,Matthew Jerel Jaske. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Drying and draining multi-leveled shoe rack system

Номер патента: CA3028769C. Автор: Alice Morin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-05.

Trough section for treating surface water in root space of plants or with microorganisms has transverse partitions and drain holes in its base, retaining walls at ends rising to height of drain hole lips

Номер патента: DE10143985C1. Автор: Norbert Funke,Hans-Guenter Funke. Владелец: Funke Kunststoffe GmbH. Дата публикации: 2003-01-30.

Draining method and draining and irrigating tube thereof

Номер патента: CN101067313B. Автор: 梁耀德. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-08.

Method for starting up a drain for siphoning liquid and drain

Номер патента: CN106103856B. Автор: 蔡文宾. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-13.

Device for collecting, temporarily storing and draining off rainwater

Номер патента: AU4969197A. Автор: Oege Rene Offringa. Владелец: Wavin BV. Дата публикации: 1998-05-29.

Ligature-resistant hinge cap

Номер патента: CA3168317A1. Автор: Maria Shields,Gregory W. Dole Jr.. Владелец: Schlage Lock Co LLC. Дата публикации: 2023-01-20.

Ligature resistant door and door frame assembly

Номер патента: US20200362609A1. Автор: Richard Cornetto. Владелец: Accurate Door & Hardware Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Ligature resistant flexible swinging door

Номер патента: EP4435222A1. Автор: Francis Colligan,Daniel Barahona,Stephan Isaac Marquez. Владелец: Accurate Lock and Hardware Co LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Ligature Resistant Flexible Swinging Door

Номер патента: US20240318497A1. Автор: Francis Colligan,Daniel Barahona,Stephan Isaac Marquez. Владелец: Accurate Lock and Hardware Co LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Ligature-resistant vertical grab bar

Номер патента: US20130019434A1. Автор: Laurence D. Kopp,Christopher L. Kopp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Method of reservoir water area localization of pollutants entering reservoir from tributaries and drains

Номер патента: RU2665072C1. Автор: Юрий Викторович Герасимов,Алексей Гавриилович Афанасьев,Иван Алексеевич Афанасьев,Евгений Николаевич Прохоров. Владелец: Евгений Николаевич Прохоров. Дата публикации: 2018-08-28.

Contain and drain sill systems

Номер патента: US20240254830A1. Автор: Christopher Hanson,Adam Rietz,Allen DaRonco. Владелец: Andersen Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for construction of systems for combined removal of rain and drain water

Номер патента: RU2705679C1. Автор: Сабир Техранхан Оглы Гасанов,Валерий Андреевич Эвиев,Фахраддин Гасан оглы Габибов,Лейли Фахраддин кызы Габибова,Азад Таир оглы Амрахов,Сахавет Беюкбала оглы Асадов,Шафи Данял оглы Данялов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Калмыцкий государственный университет имени Б.Б. Городовикова". Дата публикации: 2019-11-11.

A device for collecting and draining off water of condensation from windows, galss doors and the like

Номер патента: GB769164A. Автор: . Владелец: HERMANUS ANNE HEEP. Дата публикации: 1957-02-27.

Drilling and draining integrated floor anchoring driller

Номер патента: ZA201601355B. Автор: Fan Zhang,Kun Wang,Xinli Zhang,Zhanguo Ma,Guiyang Chen,Zhongxi Jiang,Zhanbin Liu,Yushu Yang. Владелец: Univ China Mining. Дата публикации: 2023-12-20.

Device for drilling and draining holes in soil or rock

Номер патента: US20010004025A1. Автор: Josef Mocivnik,Karl BÖHM. Владелец: Techmo Entwicklungs und Vertriebs GmbH. Дата публикации: 2001-06-21.

Roof drain assembly, and method of forming a roof drain assembly

Номер патента: CA1270776A. Автор: Harvey C. Robertson. Владелец: Marathon Equipment Ltd. Дата публикации: 1990-06-26.

Roof drain assembly

Номер патента: US4759163A. Автор: Robert W. Mason,Harvey C. Robertson. Владелец: Marathon Equipment Ltd. Дата публикации: 1988-07-26.

Method of increasing efficiency of a y strainer and a y strainer

Номер патента: CA2802263C. Автор: Jay R. Morris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-22.

Trap and drain assembly for draining waste liquids while blocking odors

Номер патента: US20130205483A1. Автор: Karim Lagobi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Pop-Up Drain Assembly, Connector Device and Drain Stopper

Номер патента: US20180171610A1. Автор: Beck Harold Kent,Ahuja Sanjay. Владелец: PF Waterworks LP. Дата публикации: 2018-06-21.

TRAP AND DRAIN ASSEMBLY FOR DRAINING WASTE LIQUIDS WHILE BLOCKING ODORS

Номер патента: US20150218789A1. Автор: Lagobi Karim. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Multi-Channel, Ligation Resistant Drain Cover and Drain Assembly

Номер патента: US20210254321A1. Автор: Ritger Joshua A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Pop-up drain assembly, connector device and drain stopper

Номер патента: CA2989574A1. Автор: Sanjay Ahuja,Harold Kent Beck. Владелец: PF Waterworks LP. Дата публикации: 2018-06-19.

Trap and drain assembly for draining waste liquids while blocking odors

Номер патента: AU2011252810A1. Автор: Karim Lagobi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Click-clack mechanism for a drain for sanitary fixtures and drain comprising said click-clack mechanism

Номер патента: WO2023209453A1. Автор: Federico Stefini. Владелец: RAVANI S.r.l.. Дата публикации: 2023-11-02.

Universal installation box for use in dryer vent systems and in water supply and drain systems

Номер патента: US3847175A. Автор: K Anderson. Владелец: CARRCRAFT Manufacturing Co. Дата публикации: 1974-11-12.

BATHTUB OVERFLOW AND DRAIN ASSEMBLY

Номер патента: US20160281341A1. Автор: Spangler Anthony G.,Seckler Bernd. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Self-closing plug and drain assembly for washbasins, sinks, and the like

Номер патента: US2335129A. Автор: Moore-Macmahon Patrick. Владелец: Individual. Дата публикации: 1943-11-23.

Combined faucet and drain assembly

Номер патента: EP1474574A4. Автор: Perry D Erickson,Jeffrey L Mueller,Ricardo O Gray,Mark F Mcmullen. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2005-04-20.

Combined faucet and drain assembly

Номер патента: WO2003066977A1. Автор: Perry D. Erickson,Ricardo O. Gray,Jeffrey L. Mueller,Mark F. Mcmullen. Владелец: KOHLER CO.. Дата публикации: 2003-08-14.

Bathtub overflow and drain assembly

Номер патента: CA2924324A1. Автор: Anthony G. Spangler,Bernd Seckler. Владелец: Delta Faucet Co. Дата публикации: 2016-09-23.

Pipe disconnector e.g. for drain valves, has housing with intake, outlet and drain for liquid and in operating condition of flow, intake with discharge is hydraulically connected and drain locked

Номер патента: DE102006001925A1. Автор: Bert Miecznik. Владелец: HONEYWELL TECHNOLOGIES SARL. Дата публикации: 2007-07-26.

Architectural wall drain assembly

Номер патента: US20140261769A1. Автор: Anthony Patti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

A connector between drain water trap and drain water valve

Номер патента: KR200289237Y1. Автор: 장충삼. Владелец: 장충삼. Дата публикации: 2002-09-16.

Drain pipe connector and drain traps including same

Номер патента: KR102059569B1. Автор: 전미옥. Владелец: 주식회사 트인공조. Дата публикации: 2019-12-26.

Combined washtub, sink, and drain-board cover.

Номер патента: US964857A. Автор: Harry A Fredenhagen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1910-07-19.

Sewer and drain cleaner composition

Номер патента: AU5854169A. Автор: Spring Samuel. Владелец: Consolidated Foods Corp. Дата публикации: 1971-01-28.

Sink and drain for sink

Номер патента: US20120255117A1. Автор: Shawn Daly,Jonathan Chee Yeen Chong,Daniel Keating Childs. Владелец: Elkay Manufacturing Co. Дата публикации: 2012-10-11.

APPARATUS FOR AERATING AND DRAINING

Номер патента: US20140060668A1. Автор: Kerkhoff Dirk,Kerkhoff Johan. Владелец: BUILDWORKS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

SINK AND DRAIN FOR SINK

Номер патента: US20180030702A1. Автор: Childs Daniel Keating,Daly Shawn,Chong Jonathan Chee Yeen,Lynch Erik,Zudic Robert,Waas Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

Drain socket and drain socket-equipped toilet bowl

Номер патента: US20200378103A1. Автор: Hidekazu Miyake,Maiko NAKAGAWA,Takamasa Ina,Naoto Yonedu. Владелец: Lixil Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Automated pipeline vent and drain system

Номер патента: AU2021105051A4. Автор: Paul Anthony Whiteman,Derek Shane FEKETE,David Stuart Roy Nichols. Владелец: Intelligas Tech Developments Pty Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Actuating device for a drain fitting and drain fitting with such an actuating device and method of mounting such a drain fitting

Номер патента: CA2629109A1. Автор: Alfred Mahler. Владелец: Geberit Technik Ag. Дата публикации: 2008-11-25.

Actuating device for a drain fitting and drain fitting with such an actuating device and method of mounting such a drain fitting

Номер патента: CN101311433A. Автор: A·马勒. Владелец: Geberit Technik Ag. Дата публикации: 2008-11-26.

Vehicle-mounted portable apparatus for clarification and disinfection of wastewater produced by the washing of road drainage inlets and drains and tunnels, and method for clarification and disinfection of wastewater produced by the washing of road drainage inlets and drains and tunnels

Номер патента: US20180148362A1. Автор: Luigi Cappellotto. Владелец: Cappellotto SpA. Дата публикации: 2018-05-31.

DRAIN SOCKET AND DRAIN SOCKET-EQUIPPED TOILET BOWL

Номер патента: US20200378103A1. Автор: MIYAKE Hidekazu,Nakagawa Maiko,INA Takamasa,YONEDU Naoto. Владелец: LIXIL CORPORATION. Дата публикации: 2020-12-03.

Drain plate and drain apparatus installed slab laying gap for pier

Номер патента: KR101235245B1. Автор: 안병원,안태환. Владелец: 안태환. Дата публикации: 2013-02-20.

Vehicle-mounted portable apparatus for clarification and disinfection of wastewater produced by the washing of road drainage inlets and drains and tunnels, and method for clarification and disinfection of wastewater produced by the washing of road drainage inlets and drains and tunnels

Номер патента: WO2016202694A1. Автор: Luigi Cappellotto. Владелец: Cappellotto S.P.A.. Дата публикации: 2016-12-22.

SYSTEM FOR REMOVING ODOR FOR THE SANITARY AND TECHNICAL DEVICE CONTAINING A DRAIN BANK AND DRAIN BANK CONTAINING THE MENTIONED SYSTEM FOR REMOVING ODOR

Номер патента: RU2015118893A. Автор: ДИ ОЛИВЕЙРА Антонью Мануэл МОРА. Владелец: Оливейра Энд Ирмау С.А.. Дата публикации: 2016-12-10.

a control device for water supply and drain with all in one water supply and drain

Номер патента: KR101234120B1. Автор: 신현오,박봉남. Владелец: 박봉남. Дата публикации: 2013-02-22.

Drain pipe installation structure and drain pipe blockage prevention method

Номер патента: JP5228127B1. Автор: 喜美小松,喜廣吉田. Владелец: Yoshida Anny Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-03.

Drain valve switch having clutch structure, and drain valve

Номер патента: EP3929366A4. Автор: Xingdong Wang,Rongyu Zhang,Qicheng Hong. Владелец: Xiamen R&T Plumbing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Automatic water cutoff and drain

Номер патента: US2611383A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1952-09-23.

Test and drain valve with integrated relief valve

Номер патента: AU2021309188A1. Автор: Krishnaswamy Manikandan,James O. Williams,Normand James Roy,Joshua MOTHA. Владелец: Tyco Fire Products LP. Дата публикации: 2022-12-01.

Lever-style drain assembly for urine collection container

Номер патента: CA2378366C. Автор: Igor Blinow,Robert J. Baron,Richard Arndt. Владелец: CR Bard Inc. Дата публикации: 2009-01-20.

Fast filling and draining valve assembly and associated system

Номер патента: US20230000023A1. Автор: Benestine Lee,Todd Eberline,Paul Millett,Neill Wainwright. Владелец: Invertigro Pty Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Removable wound bandage and method for temporarily closing and draining open wound

Номер патента: RU2261692C2. Автор: Кеннет Уиль м ХАНТ,Кеннет Уильям ХАНТ,Кит Патрик ХИТОН,Уэйн М. Д. ШРОДЕР. Владелец: Кей-Си-Ай Лайсенсинг, Инк.. Дата публикации: 2005-10-10.

High-speed device for drying and grinding solid particles and a method of producing solid ground and drained particles using said device

Номер патента: RU2744347C9. Автор: Роберто Энрике АРАОС АЛЬМЕНДРАС. Владелец: Импресас Ианса С.А.. Дата публикации: 2021-04-26.

Aquarium capable of automatically collecting, precipitating and draining sewage

Номер патента: EP1741333A1. Автор: Chen Hui Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-10.

Remote controlled water flow and drain system

Номер патента: WO2003020012A1. Автор: FRANC GERGEK. Владелец: FRANC GERGEK. Дата публикации: 2003-03-13.

Remote controlled water flow and drain system

Номер патента: EP1422996A1. Автор: FRANC GERGEK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-02.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09916984B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09786756B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09673290B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09443957B1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Device for connecting and draining a pouch

Номер патента: CA1277634C. Автор: Roland Steiner,Eugene Van Meir. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 1990-12-11.

Systems, devices and methods for sensing physiologic data and draining and analyzing bodily fluids

Номер патента: CA2961757C. Автор: Daniel R. BURNETT,Christina Skieller,Stephen Boyd,Evan S. Luxon,Marcie HAMILTON,Mark Ziegler,Saheel SUTARIA,Rich Keenan,Alex YEE,Griffeth TULLY. Владелец: Potrero Medical Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Drain assembly for elimination of urine waste from an ostomy bag

Номер патента: EP4422566A1. Автор: Marion R. Green. Владелец: Gv Solutions Llc. Дата публикации: 2024-09-04.

High-speed device for drying and grinding solid particles and a method of producing solid ground and drained particles using said device

Номер патента: RU2744347C1. Автор: Роберто Энрике АРАОС АЛЬМЕНДРАС. Владелец: Импресас Ианса С.А.. Дата публикации: 2021-03-05.

Apparatus for irrigating and draining wounds

Номер патента: US5236426A. Автор: Philipp Schottes,Martin Scheffran. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-08-17.

Improved valve for testing and draining sprinkler systems

Номер патента: CA2276749C. Автор: Mario Giacomini. Владелец: Giacomini SpA. Дата публикации: 2002-09-17.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US20160336418A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US20160268395A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US20160336424A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US20170213736A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Valved drain assembly for urostomy pouch

Номер патента: CA1160124A. Автор: Marvin E. Jensen. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 1984-01-10.

Method for assembling a drain assembly and method for elimination of urine waste from an ostomy bag

Номер патента: US11951028B2. Автор: Marion R. Green. Владелец: Gv Solutions Llc. Дата публикации: 2024-04-09.

Drain assembly for elimination of urine waste from an ostomy bag

Номер патента: CA3234606A1. Автор: Marion R. Green. Владелец: Gv Solutions Llc. Дата публикации: 2023-05-04.

Drain assembly for elimination of urine waste from an ostomy bag

Номер патента: AU2022377284A1. Автор: Marion R. Green. Владелец: Gv Solutions Llc. Дата публикации: 2024-04-04.

Urine drain assembly with tube clamp valve

Номер патента: EP1202688A1. Автор: Ken Butcher,Brian Lincoln,Dan Nevill. Владелец: CR Bard Inc. Дата публикации: 2002-05-08.

Urine drain assembly with tube clamp valve

Номер патента: WO2001006969A1. Автор: Ken Butcher,Brian Lincoln,Dan Nevill. Владелец: C.R. BARD, INC.. Дата публикации: 2001-02-01.

Removable Ligature Resistant Restraint Ring Receptacle

Номер патента: US20200206014A1. Автор: Richardson Jed C.,Shahzad Abdullah. Владелец: The Norix Group. Дата публикации: 2020-07-02.

MOLDED READY-TO-TILE SHOWER BASES WITH ASSOCIATED TRENCHES AND DRAINS

Номер патента: US20130276226A1. Автор: Cook Joseph R.,Roth Phillip,Neff Benjamin A.,Cunningham James W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Ligature resistant roll holder assembly

Номер патента: CA2973713C. Автор: Darryl Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2020-03-10.

LIGATURE-RESISTANT DISPENSER

Номер патента: US20190191934A1. Автор: Miedzius Christopher G.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

LIGATURE-RESISTANT PAPER TOWEL DISPENSER

Номер патента: US20190357736A1. Автор: Mendes Mark,III Robert Lee,deLoache,deLoache David Cory. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

LIGATURE-RESISTANT TOILET PAPER DISPENSER

Номер патента: US20190374076A1. Автор: Mendes Mark,III Robert Lee,deLoache,deLoache David Cory. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Ligature resistant toilet

Номер патента: CA2960809C. Автор: Darryl Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2019-05-21.

LIGATURE RESISTANT ROLL HOLDER ASSEMBLY

Номер патента: US20180020886A1. Автор: Boeltl Darryl. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

LIGATURE-RESISTANT DISPENSER

Номер патента: US20200178735A1. Автор: Miedzius Christopher G.. Владелец: SPEAKMAN COMPANY. Дата публикации: 2020-06-11.

LIGATURE RESISTANT TOILET

Номер патента: US20170265694A1. Автор: Boeltl Darryl. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

LIGATURE RESISTANT ROLL HOLDER ASSEMBLY

Номер патента: US20180303295A1. Автор: Boeltl Darryl. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Ligature resistant toilet

Номер патента: CA2960809A1. Автор: Darryl Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2017-09-15.

SLIDING SHOWER DOOR GUIDE AND DRAIN ASSEMBLY

Номер патента: US20150208874A1. Автор: Austin,III James Allen. Владелец: LIBERTY HARDWARE MFG. CORP.. Дата публикации: 2015-07-30.

Bathtub for use by e.g. handicapped person, in e.g. hospital, has drain and overflow housing arranged below tub edge, and drain opening arranged at tub or in drain tray that is connected with drain and overflow housing by pipe line

Номер патента: DE102007031744A1. Автор: Norbert Scherer. Владелец: Norbert Scherer. Дата публикации: 2009-01-08.

Sliding shower door guide and drain assembly.

Номер патента: MX2014012596A. Автор: James Allen Austin Iii. Владелец: Liberty Hardware Mfg Corp. Дата публикации: 2015-07-27.

Sliding shower door guide and drain assembly

Номер патента: EP2898806A1. Автор: James Allen Austen III. Владелец: Liberty Hardware Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-07-29.

Force and drain faucet

Номер патента: US337210A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1886-03-02.

Ligature resistant showerhead

Номер патента: US20190321835A1. Автор: Darryl M. Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2019-10-24.

Probe and drain assembly

Номер патента: CA1202400A. Автор: Charles K. Hutchins,Donald I. Thornton,Richard H. Peyton. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1986-03-25.

Self-Aligned Source and Drain Contacts

Номер патента: US20220005934A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20170047349A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-16.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09922993B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09496283B1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Cooling system with integrated fill and drain pump

Номер патента: US09918409B2. Автор: Daniel J. Kearney,Gary F. Goth,Francis R. Krug, Jr.,Robert K. Mullady,Allan C. VANDEVENTER,Randy J. Zoodsma,Donald W. Porter,David L. Edwards,Peter W. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Cooling system with integrated fill and drain pump

Номер патента: US09861013B2. Автор: Daniel J. Kearney,Gary F. Goth,Francis R. Krug, Jr.,Robert K. Mullady,Allan C. VANDEVENTER,Randy J. Zoodsma,Donald W. Porter,David L. Edwards,Peter W. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming a field-effect transistor having difference in capacitance between source and drain with respect to shield layer

Номер патента: US5891757A. Автор: Yasuo Ohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-06.

Metal oxide thin film transistor with source and drain regions doped at room temperature

Номер патента: US09960281B2. Автор: Lei Lu,Man Wong,Hoi Sing Kwok. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2018-05-01.

Formation of dislocations in source and drain regions of FinFET devices

Номер патента: US09768256B2. Автор: Wei-Yang Lee,Wei-Yuan Lu,Chun Hsiung Tsai,Chien-Tai CHAN,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming performance optimized gate structures by silicidizing lowered source and drain regions

Номер патента: US09735058B2. Автор: Katsunori Onishi,Jian Yu,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming performance optimized gate structures by silicidizing lowered source and drain regions

Номер патента: US09455195B2. Автор: Katsunori Onishi,Jian Yu,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Locking and draining device of a railway tank car

Номер патента: RU170721U9. Автор: Денис Владимирович Шевченко,Кирилл Вальтерович Кякк,Роман Александрович Савушкин,Сергей Александрович Савельев,Александр Васильевич Александр Васильевич Калугин,Дмитрий Трофимович Дмитрий Трофимович Лавренко. Владелец: РЕЙЛ 1520 АйПи ЛТД. Дата публикации: 2022-04-11.

Fork sheet device with wrapped source and drain contact to prevent nfet to pfet contact shortage in a tight space

Номер патента: US20240213243A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Indira Seshadri,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US10211094B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US9853115B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Selective process for source and drain formation

Номер патента: US09923081B1. Автор: Zhiyuan Ye,Hua Chung,Schubert S. Chu,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Xuebin Li,Abhishek Dube,Flora Fong-Song Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US09853115B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US09484255B1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US09406568B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Asymmetrical transistor with lightly doped drain region, heavily doped source and drain regions, and ultra-heavily doped source region

Номер патента: US5831306A. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Washing machine appliances with shortened supplementary spin and drain cycles

Номер патента: US20240060226A1. Автор: Ryan James Scheckelhoff,Ryan Ellis Leonard. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

SHUT-OFF AND DRAIN DEVICE OF TANK CAR

Номер патента: RU210198U1. Автор: Александр Васильевич Калугин,Владимир Александрович Шнек,Денис Александрович Квактун,Татьяна Николаевна Шипицына. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Торгово-Закупочная Компания ОВК" (ООО "ТЗК "ОВК"). Дата публикации: 2022-03-31.

Recessed Single Crystalline Source and Drain For Semiconductor-On-Insulator Devices

Номер патента: US20130105898A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Recessed single crystalline source and drain for semiconductor-on-insulator devices

Номер патента: US20140073092A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20180166469A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-14.

Insulated top side bump connection for a power device, for example for gate, source and drain contacts of a power field effect transistor

Номер патента: WO2014149579A1. Автор: Gregory Dix,Roger MELCHER. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Jfet device with virtual source and drain link regions and method of fabrication

Номер патента: WO2008137294A1. Автор: Ashok K. Kapoor,Samar K. Saha. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20120292709A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: WO2010074973A3. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A2. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20100155848A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

A high electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: WO2023100058A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Eunjung Cha,Bogdan ZOTA. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nanowire MOSFET with support structures for source and drain

Номер патента: US09773868B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Threshold adjustment for quantum dot array devices with metal source and drain

Номер патента: US09748356B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-08-29.

Transistors incorporating metal quantum dots into doped source and drain regions

Номер патента: US09711649B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09601622B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Structure for reduced source and drain contact to gate stack capacitance

Номер патента: US09601570B1. Автор: Carl J Radens,Richard Q Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Motor vehicle body provided with a structure for receiving and draining water

Номер патента: US09481397B2. Автор: Gianfranco Del Nero,Sebastian Favaloro,Ernesto D'Andrea. Владелец: FCA Italy SpA. Дата публикации: 2016-11-01.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20240006541A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

3d source and drain contacts tuned for vertically stacked pmos and nmos

Номер патента: US20230395718A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Christopher J. Jezewski,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

3d high density devices integrated with source and drain rails

Номер патента: US20240071871A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Source and Drain Surface Treatment for Multi-Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20190165139A1. Автор: Yu-Lin Yang,Chun-Hsiang FAN,Wei-Yuan Lu,Sai-Hooi Yeong,Wei-Han Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device having metallic source and drain regions

Номер патента: US9583487B2. Автор: Annalisa Cappellani,Cory E. Weber,Rafael Rios,Aaron A. Budrevich,Martin D. Giles,Sanaz Kabehie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for fabricating memory cell matrix having parallel source and drain interconnection metal lines formed on the substrate and topped by orthogonally oriented gate interconnection parallel metal lines

Номер патента: US5279982A. Автор: Pier L. Crotti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1994-01-18.

Interlocked remote oil filter and drain

Номер патента: CA1313609C. Автор: Torey W. Degrazia, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-02-16.

Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines

Номер патента: US5327001A. Автор: Haruo Wakai,Nobuyuki Yamamura,Syunichi Sato,Minoru Kanbara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Fabricating field-effect transistors with interleaved source and drain finger configuration

Номер патента: US11842947B2. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Source and drain refractory metal cap

Номер патента: US20240006494A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Chi-hing Choi,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Nancy Zelick,I-Cheng Tung,Arnab SEN GUPTA,Jitendra Kumar JHA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of forming strained source and drain regions in a P-type finFET structure

Номер патента: US8987101B2. Автор: Yi Ding,JunHua Yan,Minghua Zhang,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Method of forming strained source and drain regions in a p-type finfet structure

Номер патента: US20140357041A1. Автор: Yi Ding,JunHua Yan,Minghua Zhang,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240112916A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Chun C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Low resistance source and drain extensions for etsoi

Номер патента: US20130015512A1. Автор: Sanjay Mehta,Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: EP4345869A1. Автор: Matthew Prince,Andrew Arnold,Alison Davis,Chun Kuo,Reza Bayati,Swapnadip Ghosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Transistors with vertically opposed source and drain metal interconnect layers

Номер патента: US20190198627A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Chemical mechanical polishing of metal gate cuts formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240213026A1. Автор: Matthew J. Prince,Robert R. Mitchell,Girish Sharma,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Lawrence Zaino,Barry B. Butler,Rajaram A. Pai,Niels Sveum,Chun Chen Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Co-deposition of titanium and silicon for improved silicon germanium source and drain contacts

Номер патента: EP4109494A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Anand Murthy,Chi-hing Choi,Nazila Haratipour,Harold Kennel,Jitendra Kumar JHA,Debaleena Nandi,Omair Saadat,Adedapo Oni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Technologies for selective source and drain epitaxial growth

Номер патента: US20230253404A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Process for the fabrication of mosfet devices depletion, silicided source and drain junctions

Номер патента: WO2002027799A3. Автор: Hussein Ibrahim Hanafi,Stephen Bruce Brodsky,Diane Catherine Boyd,Ronnen Andrew Roy. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-11-21.

Process for the fabrication of mosfet devices depletion, silicided source and drain junctions

Номер патента: EP1320878A2. Автор: Hussein Ibrahim Hanafi,Stephen Bruce Brodsky,Diane Catherine Boyd,Ronnen Andrew Roy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Valve Attachment, Filling Device, Filling Assembly, and Method for Filling a Container with Liquid and Draining Said Container of Liquid

Номер патента: US20160145089A1. Автор: Benedikt Leibinger. Владелец: LEIBINGER GMBH. Дата публикации: 2016-05-26.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US9620641B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20180323288A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Transistor with Asymmetric Source and Drain Regions

Номер патента: US20170345930A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Ru-Gun Liu,Tzu-Jin Yeh,Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for producing a transistor with metallic source and drain

Номер патента: US20110003443A1. Автор: Maud Vinet,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-06.

Integrated circuits with monolayer tmd channel and multilayer tmd source and drain

Номер патента: US20240355934A1. Автор: Uygar E. Avci,Kevin P. O'brien,Tristan A. TRONIC,Mahmut Sami KAVRIK,Jennifer Lux. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuits with monolayer tmd channel and multilayer tmd source and drain

Номер патента: EP4451339A1. Автор: Uygar E. Avci,Tristan A. TRONIC,Mahmut Sami KAVRIK,Jennifer Lux,Kevin P. O`BRIEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Strained channel region transistors employing source and drain stressors and systems including the same

Номер патента: US09698265B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Epitaxial growth of doped film for source and drain regions

Номер патента: US09583393B2. Автор: Tsan-Yao Chen,Chun Hsiung Tsai,Jian-An Ke,Chin-Kun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Source and drain process for FinFET

Номер патента: US09570567B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Nanowire structures having non-discrete source and drain regions

Номер патента: US09564522B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing a field effect transistor including forming a gate after forming the source and drain

Номер патента: US09502566B2. Автор: Perrine Batude,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction

Номер патента: US09390976B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Source and drain doping profile control employing carbon-doped semiconductor material

Номер патента: US09385237B2. Автор: Zhengmao Zhu,Pranita Kerber,Viorel Ontalus,Donald R. Wall. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Inverse T-gate FET transistor with lightly doped source and drain region

Номер патента: US5241203A. Автор: Seiki Ogura,Louis L. Hsu,Joseph F. Shepard,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Methods and structures for preventing gate salicidation and for forming source and drain salicidation and for forming semiconductor device

Номер патента: US20060040481A1. Автор: Bor-Wen Chan,Yu-Shen Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for forming an MOS transistor having a metallic gate electrode that is formed after the formation of self-aligned source and drain regions

Номер патента: US5960270A. Автор: Brad Smith,Suresh Venkatesan,Veena Misra,Christopher C. Hobbs,Jeffrey S. Cope,Earnest B. Wilson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US9768173B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US20170125535A1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US20180047824A1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Nanowire MOSFET with support structures for source and drain

Номер патента: US9263295B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Nanowire mosfet with support structures for source and drain

Номер патента: US20150255306A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Layout design for a high power, GaN-based FET having interdigitated gate, source and drain electrodes

Номер патента: US8729565B2. Автор: Milan Pophristic,Boris Peres,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

P-type field effect transistor (pfet) on a silicon germanium (ge) buffer layer to increase ge in the pfet source and drain to increase compression of the pfet channel and method of fabrication

Номер патента: EP4295410A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

P-type field effect transistor (pfet) on a silicon germanium (ge) buffer layer to increase ge in the pfet source and drain to increase compression of the pfet channel and method of fabrication

Номер патента: WO2022177683A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-08-25.

Source and drain epitaxy and isolation for gate structures

Номер патента: US20210288184A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US20160336323A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US20140353714A1. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Valve attachment, filling device, filling assembly, and method for filling a container with liquid and draining said container of liquid

Номер патента: US9783402B2. Автор: Benedikt Leibinger. Владелец: LEIBINGER GMBH. Дата публикации: 2017-10-10.

Process for the fabrication of mosfet devices depletion, silicided source and drain junctions

Номер патента: WO2002027799A2. Автор: Hussein Ibrahim Hanafi,Stephen Bruce Brodsky,Diane Catherine Boyd,Ronnen Andrew Roy. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2002-04-04.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20160172498A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Transistor with Asymmetric Source and Drain Regions

Номер патента: US20210184036A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Ru-Gun Liu,Tzu-Jin Yeh,Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US09620641B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Structure and method of making strained semiconductor CMOS transistors having lattice-mismatched semiconductor regions underlying source and drain regions

Номер патента: US6891192B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Huajie Chen,Haining S. Yang,Oleg G. Gluschenkov,An L. Steegen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US9337305B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Fully-depleted SOI MOSFETs with low source and drain resistance and minimal overlap capacitance using a recessed channel damascene gate process

Номер патента: US6841831B2. Автор: Diane C. Boyd,Kevin K. Chan,Leathen Shi,Hussein I. Hanafi,Wesley Natzle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-01-11.

Methods of forming field effect transistors having self-aligned intermediate source and drain contacts

Номер патента: US6162690A. Автор: Kang-yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Tool and method for cleaning and draining a water heater

Номер патента: US11920830B1. Автор: Russell Dwayne Mcnally. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-05.

Source and drain contacts formed using sacrificial regions of source and drain

Номер патента: US20230402513A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,Munzarin F. Qayyum,Subrina RAFIQUE,Nicloe K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Threshold adjustment for quantum dot array devices with metal source and drain

Номер патента: US20220140110A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for forming silicide at source and drain

Номер патента: US6743717B1. Автор: Jeng-Ping Lin,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Epitaxial source and drain structures for high voltage devices

Номер патента: US20190096887A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Trapping storage flash memory cell structure with inversion source and drain regions

Номер патента: US20080205166A1. Автор: Mu-Yi Liu,Chia-Lun Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Transistors including first and second semiconductor materials between source and drain regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11777022B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

High electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: US20230178642A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Three-dimensional memory device containing alternating stack of source layers and drain layers and vertical gate electrodes

Номер патента: US20210050359A1. Автор: James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

Source and drain contacts formed using sacrificial regions of source and drain

Номер патента: EP4293724A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,Munzarin F. Qayyum,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Nanowire mosfet with support structures for source and drain

Номер патента: US20160141361A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Tool and method for cleaning and draining a water heater

Номер патента: US20240200829A1. Автор: Russell Dwayne Mcnally. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for forming silicide at source and drain

Номер патента: US20040106282A1. Автор: Jeng-Ping Lin,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

Inlet system with an inboard drain assembly for a rotorcraft engine

Номер патента: US12049830B2. Автор: Robert J. Andrejczyk,William DiMaggio. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Structure and method of making strained channel CMOS transistors having lattice-mismatched epitaxial extension and source and drain regions

Номер патента: US6906360B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Huajie Chen,Haining S. Yang,Omer O. Dokumaci. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US20160087037A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Source and drain formation in silicon on insulator device

Номер патента: WO2007072305A2. Автор: Radu Surdeanu,Mark Van Dal. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-06-28.

Systems and methods for filling and draining liquid of a liquid cooling system

Номер патента: US20240040745A1. Автор: Laura Smith,Ben J. Sy,Eric M. Tunks,Camden SCHREEDER,Ian GREENER,Nathaniel HONL,Andre BRANCO,Pavel LAZURENKO,Jackson COLVIN. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-02-01.

Organic thin film transistor with protic group on source and drain electrodes for determining presence and/or concentration of ester

Номер патента: WO2020152453A1. Автор: Pascal Cachelin. Владелец: SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Source and drain epitaxy forming method capable of improving performance of finfet device

Номер патента: US20220029003A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative Schottky barrier height

Номер патента: US12034078B2. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Laundry treatment apparatus having a condensate tank and method of condensate collecting and draining

Номер патента: EP3008237A1. Автор: Giuseppe Rossi,Nicola Reid. Владелец: Electrolux Appliances AB. Дата публикации: 2016-04-20.

Recessed source and drain regions for finfets

Номер патента: US20130175624A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20240347641A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Solid source doping for source and drain extension doping

Номер патента: US09978649B2. Автор: Jeffrey Smith,Robert D. Clark,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for doping source and drain regions of a transistor by means of selective amorphisation

Номер патента: US09966453B2. Автор: Shay REBOH,Frédéric Mazen,Perrine Batude,Benoit Sklenard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-08.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US09620590B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US09478638B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Structure and method of making strained channel cmos transistors having lattice-mismatched epitaxial extension and source and drain regions

Номер патента: EP1668672A2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Huajie Chen,Haining S. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-14.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US10707332B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Condensate Liquid Level Sensor and Drain Fitting

Номер патента: US20120318381A1. Автор: Jeffrey N. Arensmeier. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 2012-12-20.

Source and drain formation in silicon on insulator device

Номер патента: WO2007072305A3. Автор: Dal Mark van,Radu Surdeanu. Владелец: Radu Surdeanu. Дата публикации: 2007-10-18.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US9190517B2. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-11-17.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US20150054032A1. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of making an igfet using solid phase diffusion to dope the gate, source and drain

Номер патента: US20010039094A1. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Source and Drain Isolation for CMOS Nanosheet with One Block Mask

Номер патента: US20190214314A1. Автор: Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Solid source doping for source and drain extension doping

Номер патента: US20170271212A1. Автор: Jeffrey Smith,Robert D. Clark,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Steam generation and drain system for modular oven

Номер патента: EP4330602A1. Автор: Philip R. Mckee,Lee Thomas Vanlanen,Jeff Maddox,Craig Douglas Burnett. Владелец: Alto Shaam Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Creation of a transistor with close silicide source and drain from the canal

Номер патента: US20240249945A1. Автор: Shay REBOH,Laurent Brunet,Pablo Acosta Alba,Frederic Milesi. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-25.

Strained source and drain (SSD) structure and method for forming the same

Номер патента: US09660052B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Expelling mechanism for discharge tubes and drain tubes of submarines

Номер патента: US4527502A. Автор: Josef Schmitt. Владелец: Krupp Mak Maschinenbau GmbH. Дата публикации: 1985-07-09.

Transistor with dopant-bearing metal in source and drain

Номер патента: US20050205896A1. Автор: Nirmal Chaudhary,Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Method of manufacturing a memory FET with shorted source and drain region

Номер патента: US4608748A. Автор: Hideo Noguchi,Tugunari Iwamoto. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-09-02.

Method of fabricating a metal gate MOS transistor with self-aligned first conductivity type source and drain regions and second conductivity type contact regions

Номер патента: US5547895A. Автор: Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Structure and method for vertical tunneling field effect transistor with leveled source and drain

Номер патента: US11894448B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20210083123A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20190109241A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20200091347A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20180145184A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20230006066A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Strained source and drain (ssd) structure and method for forming the same

Номер патента: US20150380521A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US20200266284A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US20180374930A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Multiple epitaxial layer source and drain transistors for low temperature computation

Номер патента: US20230317558A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Rajabali Koduri,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Structure and Method for Vertical Tunneling Field Effect Transistor with Leveled Source and Drain

Номер патента: US20190097029A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Structure and method for vertical tunneling field effect transistor with leveled source and drain

Номер патента: US20240178303A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US20240088268A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Air conditioner with condensation drain assembly and improved filter rack

Номер патента: US11585567B2. Автор: Robert L. Long,Kenneth D. Frederick,Karl S. Tallakson. Владелец: Rheem Manufacturing Co. Дата публикации: 2023-02-21.

Air conditioner with condensation drain assembly and improved filter rack

Номер патента: US20210010714A1. Автор: Robert L. Long,Kenneth D. Frederick,Karl S. Tallakson. Владелец: Rheem Manufacturing Co. Дата публикации: 2021-01-14.

Inlet system with an inboard drain assembly for a rotorcraft engine

Номер патента: US20230340895A1. Автор: Robert J. Andrejczyk,William DiMaggio. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Condensate drain assembly for a condensing boiler and boiler comprising the same

Номер патента: GB201114572D0. Автор: . Владелец: Greenpolly LTD. Дата публикации: 2011-10-05.

Drain assembly for a tank or containment vessel

Номер патента: CA2825232C. Автор: Blake DUCHARME,Lawrence Hruschak. Владелец: RHINOKORE COMPOSITES MANUFACTURING PARTNERSHIP. Дата публикации: 2016-04-26.

Drain assembly for acoustic baffle system

Номер патента: CA2257977C. Автор: David Jones. Владелец: Sika Corp. Дата публикации: 2002-10-29.

Drain assembly removal tool and method

Номер патента: US5946990A. Автор: Anthony S. Bonacci. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-09-07.

Aircraft toilet drain assembly

Номер патента: US4086670A. Автор: Eugene F. Colditz,John D. Krause. Владелец: Kaiser Aerospace and Electronics Corp. Дата публикации: 1978-05-02.

Fluid drain assembly

Номер патента: WO2004018848A1. Автор: Robert D. Symonds. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2004-03-04.

Fluid filter drain assembly

Номер патента: CA1290644C. Автор: John F. Church,Steve A. Neff. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Drain assembly for heat exchanger system

Номер патента: US20230383991A1. Автор: Ammar K. Sakarwala. Владелец: Rheem Manufacturing Co. Дата публикации: 2023-11-30.

Drain assembly for heat exchanger system

Номер патента: US20230392821A1. Автор: Ammar K. Sakarwala. Владелец: Rheem Manufacturing Co. Дата публикации: 2023-12-07.

Drain assembly for heat exchanger system

Номер патента: WO2023230227A1. Автор: Ammar K. Sakarwala. Владелец: Rheem Manufacturing Company. Дата публикации: 2023-11-30.

Integral drain assembly for a heat exchanger and method of forming

Номер патента: US10168114B2. Автор: Michael Zager,Michael Doe. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

Drain assembly with synthetic resin lock nut and coupling elements

Номер патента: CA1252256A. Автор: Joel B. Barlow. Владелец: Macristy Industries Inc. Дата публикации: 1989-04-11.

Drain assembly for aircraft

Номер патента: US4715561A. Автор: Frank Knoll,Dominic J. Spinosa. Владелец: East West Industries Inc. Дата публикации: 1987-12-29.

An integrated strainer and container for soaking clothes and the like

Номер патента: AU2018276067B2. Автор: Kelly Lavery. Владелец: MANGO STREET HOLDINGS PTY LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

End rim of cylindrical sieve for paper pulp strainer and classifier and process, of making it

Номер патента: US5255791A. Автор: Jean-Pierre Lamort. Владелец: E&M Lamort. Дата публикации: 1993-10-26.

Ligature Resistant Wardrobe

Номер патента: US20220047439A1. Автор: KARL Scott,Karl Richard,Staskon Kurt. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Safety screen and drain element for open sink

Номер патента: CA1082611A. Автор: Karl G. Otzen. Владелец: Safety Kleen Systems Inc. Дата публикации: 1980-07-29.

Improvements in or relating to sinks and draining boards particularly for domestic use

Номер патента: GB428983A. Автор: . Владелец: Benham & Sons Ltd. Дата публикации: 1935-05-22.

Door and drain control interlock

Номер патента: CA1071974A. Автор: Ronald E. Focht. Владелец: Hobart Corp. Дата публикации: 1980-02-19.

Domestic appliance i.e. dishwasher, has drain comprising drain conduit formed in two parts, where drain conduit is provided with high point that is located in bent portion of inverted U, and drain comprises positioning unit and vent unit

Номер патента: FR2968531A1. Автор: Jean Jacques Rondeau,Marie Gerard Merlet. Владелец: FagorBrandt SAS. Дата публикации: 2012-06-15.

Dishwasher with drain assembly and check valve

Номер патента: US20220117460A1. Автор: Antony M. Rappette,John Alan Miller,Todd Michael Jozwiak,Matthew Jerel Jaske. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Adjustable lock and drain apparatus

Номер патента: US7878110B1. Автор: Alisa Michnik,Yefim Michnik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-01.

Dish washer and drain hose fixing assembly thereof

Номер патента: US20090139552A1. Автор: Kap Soo Shin. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-06-04.

Dish washer and drain hose fixing assembly thereof

Номер патента: WO2006036039A1. Автор: Kap Soo Shin. Владелец: LG Electronics, Inc.. Дата публикации: 2006-04-06.

Dish washing and draining machine

Номер патента: US422371A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1890-03-04.

WASHING APPARATUS AND DRAIN PUMP

Номер патента: US20140000664A1. Автор: Li Min,BADAFEM Awade,Walkden Thomas George. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Ligature resistant push-pull latch handle

Номер патента: US09605443B2. Автор: Ankit Kirti Shah,Kirti Shah,Daniel Quijano. Владелец: Architectural Builders Hardware Manufacturing Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

COMBINABLE LIGATURE-RESISTANT GRAB BAR FOR VERTICAL AND HORIZONTAL APPLICATION

Номер патента: US20200149286A1. Автор: Mendes Mark,III Robert Lee,deLoache,deLoache David Cory. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

LIGATURE RESISTANT DOOR AND DOOR FRAME ASSEMBLY

Номер патента: US20200362609A1. Автор: Cornetto Richard. Владелец: Accurate Door & Hardware, Inc.. Дата публикации: 2020-11-19.

Ligature-resistant hinge cap

Номер патента: US11542737B1. Автор: Maria Shields,Gregory W. Dole, Jr.. Владелец: Schlage Lock Co LLC. Дата публикации: 2023-01-03.

Ligature Resistant Swinging Door System

Номер патента: US20220282565A1. Автор: Colligan Francis,Barahona Daniel. Владелец: Accurate Lock & Hardware Co. LLC. Дата публикации: 2022-09-08.

LIGATURE RESISTANT PUSH-PULL LATCH HANDLE

Номер патента: US20150211253A1. Автор: Shah Kirti,SHAH Ankit Kirti,Quijano Daniel. Владелец: ARCHITECTURAL BUILDERS HARDWARE MFG., INC.. Дата публикации: 2015-07-30.

LIGATURE-RESISTANT COVER FOR SECURING WALL-MOUNTED DEVICES

Номер патента: US20190376319A1. Автор: Mendes Mark,III Robert Lee,deLoache,deLoache David Cory. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method for consolidating water-containing ground, and drain element for use in such method

Номер патента: WO2014129899A1. Автор: Catrinus VAN DER MEER. Владелец: Van Oord Dredging And Marine Contractors B.V.. Дата публикации: 2014-08-28.

Purpose built drained sports ground - has sandy cope overlying drainage bed, trenches and drains

Номер патента: FR2422772A1. Автор: . Владелец: HARMONIE JARDINS. Дата публикации: 1979-11-09.

Automatic receiving, draining and draining device

Номер патента: FR37883E. Автор: Henri Lancery. Владелец: . Дата публикации: 1931-02-04.

DRAINING WHEEL AND DRAINING DEVICE THEREFOR

Номер патента: FR3033585A1. Автор: Jean-Noel Louchart. Владелец: Societe Parisienne de Produits et Materiaux SPPM SARL. Дата публикации: 2016-09-16.

Waterproof board, draining board or waterproof and draining board and production method thereof

Номер патента: CN106046521A. Автор: 田丽,郭勇,金家康,马超锋,马伟斌,张松琦,马荣田,林传年,郭小雄,倪光斌. Владелец: China Railway Economic and Planning Research Institute. Дата публикации: 2016-10-26.

Method of construction for promoting drain by vacuum and pressure, and drain pipe there of

Номер патента: KR100729567B1. Автор: 윤윤모. Владелец: 주식회사 대한아이엠. Дата публикации: 2007-06-18.

PROCESS FOR PRODUCING DRAINING TRENCHES AND DRAINING TRENCHES PRODUCED BY THIS PROCESS

Номер патента: FR2483485A1. Автор: Alain Deniau. Владелец: SIF ENTREPRISE BACHY. Дата публикации: 1981-12-04.

Multilayer substrates to support and drain special turf - may include expanded or hydrophilic particles and a non:woven fabric to protect drains from fines

Номер патента: FR2492862A1. Автор: Yves Teruin,Roger-Francois Besnard. Владелец: SCREG Ouest SA. Дата публикации: 1982-04-30.

Improvement in ditching and draining machines

Номер патента: US190096A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-04-24.

Method for consolidating water-containing ground, and drain element for use in such method

Номер патента: SG11201506594VA. Автор: Der Meer Catrinus Van. Владелец: Oord Dredging And Marine Contractors B V Van. Дата публикации: 2015-09-29.

Outlet construction having talus protecting properties for tube ducts, in general, and drain ditches, in particular

Номер патента: DE3562641D1. Автор: Cornelis Pieter Meijers. Владелец: Meizon Bv. Дата публикации: 1988-06-16.

Insulated threshold damp proof and drain unit

Номер патента: GB2383344B. Автор: Philip Harvey. Владелец: TIMLOC BUILDING PRODUCTS Ltd. Дата публикации: 2005-02-23.

Structural material and drain

Номер патента: GB9023110D0. Автор: . Владелец: Fibrescreed Ltd. Дата публикации: 1990-12-05.

Insulating and draining board

Номер патента: US20130011622A1. Автор: Jonas Jalakas. Владелец: IGNUCELL AB. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of irrigating and draining urinary tract

Номер патента: US6102888A. Автор: Frank J. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-08-15.

Tissue expanders having fill port assemblies and drain port assemblies that are isolated from one another for preventing cross-contamination of fluids

Номер патента: AU2022331196A1. Автор: Michael Hoffman,Annmarie MULLEN. Владелец: MENTOR WORLDWIDE LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Tissue expanders having fill port assemblies and drain port assemblies that are isolated from one another for preventing cross-contamination of fluids

Номер патента: CA3229484A1. Автор: Michael Hoffman,Annmarie MULLEN. Владелец: MENTOR WORLDWIDE LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Tissue expanders having fill port assemblies and drain port assemblies that are isolated from one another for preventing cross-contamination of fluids

Номер патента: EP4387558A1. Автор: Michael Hoffman,Annmarie MULLEN. Владелец: MENTOR WORLDWIDE LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Water tank lifting harness and drain pan system

Номер патента: US09873562B2. Автор: Eric Marsolais. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

System and method for peritoneal dialysis exchanges having reusable fill and drain containers

Номер патента: US09750863B2. Автор: Marc Steven Minkus. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Post-operative compression bra and drain apron

Номер патента: US09578902B2. Автор: Lea M. Blackwell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-28.

Catheter and drain tube retainer

Номер патента: US4543100A. Автор: Stuart A. Brodsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-09-24.

Methods of urinary catheter collection and draining

Номер патента: US20190321212A1. Автор: Timothy A. Palmer. Владелец: Cure Medical LLC. Дата публикации: 2019-10-24.

Fishing reel equipped with deco trim and drain

Номер патента: US20170013817A1. Автор: Kang ho Hyun. Владелец: Doyo Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Fishing reel equipped with deco trim and drain

Номер патента: US9693542B2. Автор: Kang ho Hyun. Владелец: Doyo Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Water tank lifting harness and drain pan system

Номер патента: CA2920128C. Автор: Eric Marsolais. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Urine bag and drain tube therefor

Номер патента: GB2358804A. Автор: Charles David Cawood. Владелец: CAEWOOD FAMILY LP. Дата публикации: 2001-08-08.

Device for controlling fire protection hydraulic equipment during event of fire in building, has fluidic device provided with transportable water recovery cistern for recovering water, and draining circuit draining water in water tank

Номер патента: FR2951953A1. Автор: Eric Mechin,Jacques Narbey. Владелец: B E T SECURITE INCENDIE. Дата публикации: 2011-05-06.

Energy-saving cleaning and draining equipment for dried mulberry fruits and cleaning and draining process thereof

Номер патента: CN111820436A. Автор: 金燕. Владелец: Chengdu Keruizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

process for manufacturing a drained fermented dairy product and drained fermented dairy product

Номер патента: BR112017023467A2. Автор: Marchal Laurent,McCormick Casey,Saint-Denis Thierry,De La Cruz Luis. Владелец: Gervais Danone SA. Дата публикации: 2018-07-31.

Breast implants and tissue expanders having integrated systems for filling implant shells with fluids, infusing fluids, and draining fluids from breast tissue surrounding implant shells

Номер патента: US20230414342A1. Автор: Leo B. Kriksunov,Hector Toro Estrella. Владелец: Mentor Wordwide LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Outlet closure and draining and securement system for drainable pouch

Номер патента: WO2024020437A1. Автор: Robert J. Weinberg. Владелец: HOLLISTER INCORPORATED. Дата публикации: 2024-01-25.

Breast implants having integrated systems for filling implant shells with fluids, infusing fluids, and draining fluids from breast tissue surrounding implant shells

Номер патента: WO2023248036A1. Автор: Leo B. Kriksunov,Hector Toro Estrella. Владелец: MENTOR WORLDWIDE LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Skin suture insertion apparatus and drain securing apparatus

Номер патента: GB201102466D0. Автор: . Владелец: Leeds Teaching Hospitals NHS Trust. Дата публикации: 2011-03-30.

Breathing and draining device

Номер патента: GB201404780D0. Автор: . Владелец: ICON SCIENT Ltd. Дата публикации: 2014-04-30.

Device for controlling flood and drain conditions

Номер патента: GB201409149D0. Автор: . Владелец: CHAPPELL RYAN. Дата публикации: 2014-07-09.

Device for controlling flood and drain conditions

Номер патента: GB2516543B. Автор: CHAPPELL RYAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-16.

Device for quickly venting and draining a filter

Номер патента: US20150300524A1. Автор: Mario Konegger. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2015-10-22.

Cover and drain attachment for sprinkler-heads.

Номер патента: US876771A. Автор: Eugene F Cardell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-01-14.

Fast filling and draining valve assembly and associated system

Номер патента: EP4064825A4. Автор: Benestine Lee,Todd Eberline,Paul Millett,Neill Wainwright. Владелец: Invertigro Pty Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Improved cement to be used in sewers and drains

Номер патента: US100706A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-03-08.

Test and drain valve with integrated relief valve

Номер патента: EP4182041A4. Автор: Krishnaswamy Manikandan,Normand James Roy,Joshua MOTHA,James O Williams. Владелец: Tyco Fire Products LP. Дата публикации: 2024-07-31.

Fishing reel equipped with deco trim and drain

Номер патента: US20170013817A1. Автор: Kang ho Hyun. Владелец: Doyo Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Hose adapter and drain assembly for a housing of a filter assembly

Номер патента: EP3646928A1. Автор: Javier Rodriguez,Darrell Morehouse. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2020-05-06.

LIGATURE RESISTANT SHOWERHEAD

Номер патента: US20190321835A1. Автор: Boeltl Darryl M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Drain pump clog prediction device, air conditioner, and drain pump clog prediction method

Номер патента: EP4130598A1. Автор: Taro Kataoka. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Drain pump clog prediction device, air conditioner, and drain pump clog prediction method

Номер патента: AU2021241230A1. Автор: Taro Kataoka. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Drain pump clog prediction device, air conditioner, and drain pump clog prediction method

Номер патента: US11821640B2. Автор: Taro Kataoka. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11929409B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device including source pad region and drain pad region configured to improve current uniformity and reduce resistance

Номер патента: US12062716B2. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Ancora Semiconductors Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Asymmetric source and drain structures in semiconductor devices

Номер патента: US12057503B2. Автор: PENG Wang,Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Modified float bowl and drain valve for a carburetor

Номер патента: US09562495B1. Автор: Ante Tucak. Владелец: Xuma Products Of Bradenton LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Sputter targets for self-doped source and drain contacts

Номер патента: US20240186127A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Matthew V. Metz,Aaron A. Budrevich,Ilya V. Karpov,Dan S. Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Sputter targets and sources for self-doped source and drain contacts

Номер патента: US20230420246A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Matthew V. Metz,Aaron A. Budrevich,Ilya V. Karpov,Dan S. Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit layouts with source and drain contacts of different widths

Номер патента: US20200135869A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Jung-Chan YANG,Shang-Syuan Ciou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of simultaneous silicidation on source and drain of NMOS and PMOS transistors

Номер патента: US12062579B2. Автор: Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

CMOS device with raised source and drain regions

Номер патента: US09905474B2. Автор: Fu-Liang Yang,Chien-Chao Huang,Chun-Sheng Liang,Hung-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Mosfet including asymmetric source and drain regions

Номер патента: US20140187007A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Transistors with Ballistic or Quasi-Ballistic Carrier Behavior and Low Resistance in Source and Drain Nodes

Номер патента: US20190334026A1. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Source and drain structures and manufacturing methods

Номер патента: US20080185665A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Stack including heater layer and drain layer

Номер патента: US09532405B2. Автор: Alexander Bimanand,Khushroo H. LAKDAWALA,Krishna K. Uprety. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having gate-gate, drain-drain, and drain-gate connecting layers and method of fabricating the same

Номер патента: US6437455B2. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-08-20.

Drain hose and drain hose connection method

Номер патента: US20200238794A1. Автор: Masaya Matsushita,Akira Tanoi,Kazuhide Itou. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Diffusion barrier layer for source and drain structures to increase transistor performance

Номер патента: US20240243174A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Array substrate having source and drain transfer portions integrated with channel and liquid crystal display panel including same

Номер патента: US10388679B2. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-20.

Forming Source And Drain Features In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240274666A1. Автор: Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Shu Wen Wang,Dave Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming low parasitic capacitance source and drain contacts

Номер патента: US09768062B1. Автор: Kim Changhwa,RWIK Sengupta,Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,David Seo,Kota Oikawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Vertical tunneling field-effect transistor cell with coaxially arranged gate contacts and drain contacts

Номер патента: US09466714B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor structure having buried gate, buried source and drain contacts, and strained silicon and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057578A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Unit with plate and drain sleeve of gas and liquid contact column (versions) and method of steam escape through column zone (versions)

Номер патента: RU2134138C1. Автор: Т.Ли Адам,Дж.Бинкли Майкл,Ву Куанг,Бартон Лэрри. Владелец: Коч (Сайпрэс) Лимитед. Дата публикации: 1999-08-10.

Power integrated circuit including series-connected source substrate and drain substrate power mosfets

Номер патента: US20140197486A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Marie Denison,Taylor Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device having reduced capacitance between source and drain pads

Номер патента: US11817494B2. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Ancora Semiconductors Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Drain wire correcting device and drain wire correcting method

Номер патента: US20240079863A1. Автор: Miyuki Matsumoto,Naoki Fujisawa,Yoshiki Takahashi,Ayako SHIMMURA. Владелец: Shinmaywa Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Source and drain regions for laterally adjacent gate-all-around (gaa) pmos and nmos

Номер патента: US20240071831A1. Автор: William Hsu,Deepak Sridhar,Oleg Golonzka,Chang Wan Han,Kevin J. Fischer,Biswajeet Guha,Suman Dasgupta,Vivek Thirtha,Ian Yang,Sameerah Desnavi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230042480A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Power integrated circuit including series-connected source substrate and drain substrate power mosfets

Номер патента: US20150145036A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Marie Denison,Taylor Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Lateral semiconductor device having raised source and drain, and method of manufacture thererof

Номер патента: US20200343368A1. Автор: Viet Dinh,Paul Grudowski,Guido Sasse. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-10-29.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: US20240113161A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Transistor using source electrode and drain electrode having pointed portions

Номер патента: US20120104361A1. Автор: Chia-Ling Hsu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US10615279B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161453A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161454A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20180097113A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20160197186A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20200066908A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US10243077B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US9917190B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Microelectronic device comprising large contact surfaces between the conduction channel and the source and drain regions

Номер патента: US20240213359A1. Автор: Sylvain Barraud,Shay REBOH,Remi Coquand. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of forming epitaxial buffer layer for finfet source and drain junction leakage reduction

Номер патента: US20160284701A1. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US11380778B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor device having raised source and drain of differing heights

Номер патента: US20120074477A1. Автор: Keizo Kawakita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Reduced resistance source and drain extensions in vertical field effect transistors

Номер патента: US10332995B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Molded skiff and drain

Номер патента: US11173636B2. Автор: John St. John,C. Ray Coleman. Владелец: HI Boat Works. Дата публикации: 2021-11-16.

Semiconductor device with doped region between gate and drain

Номер патента: US20240250170A1. Автор: FENG HAN,Shuai ZHANG,Lian-Jie LI,Yan-Bin LU. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Reduced resistance source and drain extensions in vertical field effect transistors

Номер патента: US09935195B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction and semiconductor device having reduced junction leakage

Номер патента: US09793272B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction

Номер патента: US09786661B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication

Номер патента: US09748391B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

CMOS devices with Schottky source and drain regions

Номер патента: US09673105B2. Автор: Chih-Hsin Ko,Wen-Chin Lee,Hung-Wei Chen,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Superconducting device with c-axis channel and a-axis source and drain having a continuous crystal structure

Номер патента: US5447907A. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Deep source and drain for transistor structures with back-side contact metallization

Номер патента: US11688780B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Self-aligned embedded source and drain contacts

Номер патента: US20230420528A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Thin film transistor structures with regrown source and drain

Номер патента: US11887988B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

3d source and drain contacts tuned for pmos and nmos

Номер патента: US20230395717A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Christopher J. Jezewski,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240186388A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Drain wire straightening device and drain wire straightening method

Номер патента: EP4270693A1. Автор: Miyuki Matsumoto,Naoki Fujisawa,Yoshiki Takahashi,Ayako SHIMMURA. Владелец: Shinmaywa Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Source and Drain Enginering Process for Multigate Devices

Номер патента: US20230378304A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Po-Yu Lin,Wei-Han Fan,Tzu-Hua Chiu,Kuan-Hao CHENG,Wei Hao Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Configuration and Fabrication of Semiconductor Structure in Which Source and Drain Extensions of Field-effect Transistor Are Defined with Different Dopants

Номер патента: US20120184077A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Multi-gate semiconductor device with self-aligned epitaxial source and drain

Номер патента: EP2517231A1. Автор: Tahir Ghani,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Anand S. Murthy,Kuan-Yueh Shen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Configuration and fabrication of semiconductor structure in which source and drain extensions of field-effect transistor are defined with different dopants

Номер патента: EP2412013A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Thin film transistors with epitaxial source/drain and drain field relief

Номер патента: US20200006555A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Marinus P.J. Hopstaken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Microelectronic fet device including large contact surfaces between the conduction channel and the source and drain regions

Номер патента: US20240234573A1. Автор: Sylvain Barraud,Shay REBOH,Remi Coquand. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-11.

Binary metallic alloy source and drain (bmas) for non-planar transistor architectures

Номер патента: EP4109560A1. Автор: Navid Paydavosi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Finfet pcm access transistor having gate-wrapped source and drain regions

Номер патента: US20170054005A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Chung H. Lam,Philip J. Oldiges,Darsen D. Lu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Source and drain process for FinFET

Номер патента: US9922816B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Vertical field effect transistor with self-aligned source and drain top junction

Номер патента: US20210273077A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Source and drain process for FinFET

Номер патента: US09922816B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Transistor with source and drain electrodes connected to an underlying light shielding layer

Номер патента: US09831349B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Miyuki Ishikawa,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

FinFET PCM access transistor having gate-wrapped source and drain regions

Номер патента: US09825094B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Chung H. Lam,Philip J. Oldiges,Darsen D. Lu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

FinFET PCM access transistor having gate-wrapped source and drain regions

Номер патента: US09825093B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Chung H. Lam,Philip J. Oldiges,Darsen D. Lu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Flash EEPROM cell having gap between floating gate and drain for high hot electron injection efficiency for programming

Номер патента: US5378909A. Автор: Chen-Chi P. Chang,Mei F. Li. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1995-01-03.

Method of forming a display device by using separate masks in forming source and drain regions of MOS transistors

Номер патента: US8030143B2. Автор: Shan-Hung Tsai,Tsung-Yen LIN,Chih-Hung PENG,Chien-Peng WU,Yi Chun YEH. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Thin film transistors with offset source and drain structures and process for forming such

Номер патента: US11929415B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Travis W. LaJoie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Thin film transistors with raised source and drain contacts and process for forming such

Номер патента: US11908911B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Vertical Tunneling Field-Effect Transistor Cell with Coaxially Arranged Gate Contacts and Drain Contacts

Номер патента: US20150236153A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Structure including transistor using buried insulator layer as gate dielectric and trench isolations in source and drain

Номер патента: US20240055434A1. Автор: Alban Zaka,Yiching Chen,Tom Herrmann,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Array substrate having source and drain transfer portions integrated with channel and liquid crystal display panel including same

Номер патента: US20190148418A1. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Forming source and drain features in semiconductor devices

Номер патента: US11984478B2. Автор: Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Shu Wen Wang,Dave Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (ESD)

Номер патента: US11810872B2. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Drain hose and drain hose connection method

Номер патента: EP3690344A1. Автор: Masaya Matsushita,Akira Tanoi,Kazuhide Itou. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-05.

Vent and drain

Номер патента: US20120160369A1. Автор: Frank James Reeder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device having schottky junction between substrate and drain electrode

Номер патента: US09905684B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Tsunehiro Nakajima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for angular doping of source and drain regions for odd and even NAND blocks

Номер патента: US8163622B2. Автор: Shinji Sato,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-04-24.

Junction field-effect transistor with raised source and drain regions formed by selective epitaxy

Номер патента: US9236499B2. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Kevin K. Chan,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

METAL SOURCE AND DRAIN MOS TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A TRANSISTOR

Номер патента: FR2806832A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2001-09-28.

Electronic device including doped regions between channel and drain regions and a process of forming the same

Номер патента: US20110193143A1. Автор: Gordon M. Grivna,Gary H. Loechelt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Molded skiff and drain

Номер патента: US20200298453A1. Автор: John St. John,C. Ray Coleman. Владелец: HI Boat Works D/b/a Hog Island Boat Works. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of forming epitaxial buffer layer for finfet source and drain junction leakage reduction

Номер патента: US20160276463A1. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Structure including transistor using buried insulator layer as gate dielectric and trench isolations in source and drain

Номер патента: US11837605B2. Автор: Alban Zaka,Yiching Chen,Tom Herrmann,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Reduced resistance source and drain extensions in vertical field effect transistors

Номер патента: US20180197989A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Transistors with metal source and drain contacts including a heusler alloy

Номер патента: WO2018004700A1. Автор: Singh Kanwaljit,Chaudhry Anurag,Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device with doped region between gate and drain

Номер патента: US11978797B2. Автор: FENG HAN,Shuai ZHANG,Lian-Jie LI,Yan-Bin LU. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Electrical connector and drain

Номер патента: US20240146146A1. Автор: Daniel Lawrence Phelps,Erik A. Munevar,Mathew Hill. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Source and drain epitaxial layers

Номер патента: US20210119047A1. Автор: Chee-Wee Liu,Fang-Liang LU,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: US11923410B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Diffusion barrier layer for source and drain structures to increase transistor performance

Номер патента: US11901413B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200058767A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20190051702A1. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20160035878A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Diffusion barrier layer for source and drain structures to increase transistor performance

Номер патента: US20210336006A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Transistors with metal source and drain contacts including a heusler alloy

Номер патента: US20190181249A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Anurag Chaudhry,Kanwaljit Singh,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Electrical connector and drain

Номер патента: EP4362293A1. Автор: Daniel Lawrence Phelps,Erik A. Munevar,Mathew Hill. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Photolithography tool for manufacturing semiconductor device, has wafer whose patterned portion is immersed in liquid, where liquid`s flow direction is controlled and directed outwardly by manipulating nozzle and drain assemblies

Номер патента: FR2893429A1. Автор: BURN JENG LIN,Tsai Sheng Gau,Chun Kuang Chen,Ru Gun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-05-18.

Combined vent and drain assembly

Номер патента: US3100507A. Автор: Martin A Price. Владелец: Individual. Дата публикации: 1963-08-13.

Probe and drain assembly

Номер патента: EP0106737A2. Автор: Donald I. Thornton,Richard H. Peyton,Charles Kenneth Hutchins. Владелец: Fram Corp. Дата публикации: 1984-04-25.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US11856797B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Drain treating method, drain treating device and drain treating system

Номер патента: CN1212977C. Автор: 广直树,中泽范行. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-03.

Fluid filter and drain mechanism thereof, drain jig used in fluid filter, and fluid filter drain method

Номер патента: JP4190383B2. Автор: 敏広高原,徳之柘植,佳彦杉浦,晴昭坂田. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2008-12-03.

Vertical field effect transistor with self-aligned source and drain top junction

Номер патента: US20220059677A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Source and drain process for finfet

Номер патента: US20170194441A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Reduced resistance source and drain extensions in vertical field effect transistors

Номер патента: US20180197990A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Drain pump clog prediction device, air conditioner, and drain pump clog prediction method

Номер патента: EP4130598A4. Автор: Taro Kataoka. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Source and drain architecture in an active region of a p-channel transistor by tilted implantation

Номер патента: US20130320409A1. Автор: Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Drain wire straightening device and drain wire straightening method

Номер патента: EP4270693A4. Автор: Miyuki Matsumoto,Naoki Fujisawa,Yoshiki Takahashi,Ayako SHIMMURA. Владелец: Shinmaywa Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Transistor including wrap around source and drain contacts

Номер патента: US20190305136A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Van H. Le,Sean Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Nanosheet transistor with fully isolated source and drain regions and spacer pinch off

Номер патента: US20200303500A1. Автор: Nicolas Loubet,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Combined sediment-cup, strainer, and drain-plug.

Номер патента: US920271A. Автор: Howard E Coffin. Владелец: CHALMERS DETROIT MOTOR Co. Дата публикации: 1909-05-04.

A drain valve and drain valve insert

Номер патента: GB201506630D0. Автор: . Владелец: Sach Martin. Дата публикации: 2015-06-03.

Mobility enhancement by source and drain stress layer or implantation in thin film transistors

Номер патента: US20240373646A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

FinFET having highly doped source and drain regions

Номер патента: US09935181B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for reducing N-type FinFET source and drain resistance

Номер патента: US09865505B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

finFET having highly doped source and drain regions

Номер патента: US09735257B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Asymmetric cyclic deposition and etch process for epitaxial formation mechanisms of source and drain regions

Номер патента: US09502298B2. Автор: Tsan-Yao Chen,Chun Hsiung Tsai,Jian-An Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Drain treating method, drain treating device and drain treating system

Номер патента: CN1457322A. Автор: 广直树,中泽范行. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-19.

Integrated dynamic RAM unit for memory plane, has transistor with electric charge storage, source and drain zones, where electrical junction between source and storage zones is smaller than junction between drain and storage zones

Номер патента: FR2885261A1. Автор: Pierre Malinge. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-11-03.

METHOD FOR MANUFACTURING A MOUNTED TRANSISTOR DEVICE HAVING A DEPTHING GRID ON PORTIONS OF LOW DOPED SOURCE AND DRAIN REGIONS.

Номер патента: FR2654257A1. Автор: Robertus Societe Civil Verhaar. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1991-05-10.

Electrostatic discharge protection device and a method for simultaneously forming MOS devices with both lightly doped and non lightly doped source and drain regions

Номер патента: US5208475A. Автор: Gordon L. Mortensen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-05-04.

Fluid filter, drain mechanism thereof, draining jig used in fluid filter and draining method of fluid filter

Номер патента: US20040144734A1. Автор: Toshihiro Takahara,Sadahito Fukumori,Kiichiro Suzumori,Ryuichiro Kamioka,Jin Hashioka,Kenzo Kado. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2004-07-29.

Draining agent, pre-rinsing agent, draining method and draining device

Номер патента: JPWO2010126130A1. Автор: 省慈松本. Владелец: Asahi Kasei Chemicals Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Shower and drain combination has drain tank in which upper side of hollow body is constructed in form of shower tray, and drain combination can be movably and detachably fastened to towing bar of caravan

Номер патента: DE202005005034U1. Автор: . Владелец: Frohlich Christina. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of manufacturing compound semiconductor device with gate electrode forming before source electrode and drain electrode

Номер патента: US8569124B2. Автор: Toshiya Sato,Tsutomu Hosoda,Yoshitaka Watanabe,Kenji Nukui,Shinichi Akiyama,Yoichi Fujisawa,Tetsuya Itou,Yuuichi Satou,Mutsumi Katou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Capping source and drain regions of transistors to prevent diffusion of dopants during fabrication

Номер патента: US20240006488A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,David Kohen,Chi-hing Choi,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Nancy Zelick,I-Cheng Tung,Natalie BRIGGS,Arnab SEN GUPTA,Jitendra Kumar JHA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Steam oven water delivery and drain valve systems and methods

Номер патента: EP2496887A1. Автор: Paul E. Miller. Владелец: MAG Aerospace Industries LLC. Дата публикации: 2012-09-12.

Source and Drain Dislocation Fabrication in FinFETs

Номер патента: US20140349458A1. Автор: Zhiqiang Wu,Carlos H. Diaz,Tzer-Min Shen,Ya-Yun Cheng,Hua Feng Chen,Wen-Hsing Hsieh,Ting-Yun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Drive circuit and drain extended transistor for use therein

Номер патента: EP2016617A2. Автор: Sameer P. Pendharkar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

Thin film transistors with epitaxial source/drain and drain field relief

Номер патента: US20190172947A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Marinus P.J. Hopstaken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device with shared contact hole for gate electrode and drain region

Номер патента: EP2075831A3. Автор: Masahiko Renesas Technology Corp. Takeuchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

Epitaxial Formation Mechanisms of Source and Drain Regions

Номер патента: US20150076621A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Meng-Yueh Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Automated ultrasonic bath fill and drain system

Номер патента: US20240261827A1. Автор: Enrico Marcelo Sy,Zelman Hernandez Castro. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Selective contact on source and drain

Номер патента: US20240321965A1. Автор: Xia Li,Haining Yang,Hyunwoo Park,Junjing Bao,Ming-Huei Lin,Kwanyong LIM,Chih-Sung Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Selective contact on source and drain

Номер патента: WO2024205810A1. Автор: Xia Li,Haining Yang,Hyunwoo Park,Junjing Bao,Ming-Huei Lin,Kwanyong LIM,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

N-channel double diffusion MOS transistor with p-type buried layer underneath n-type drift and drain layers, and semiconductor composite device

Номер патента: US09812565B2. Автор: Kensuke Sawase,Motohiro TOYONAGA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Horizontal gate-all-around device having wrapped-around source and drain

Номер патента: US09754840B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Carlos H. Diaz,Chung-Cheng Wu,Yi-Ming Sheu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Conformal buffer layer in source and drain regions of fin-type transistors

Номер патента: US09634084B1. Автор: Chengwen Pei,Henry K. Utomo,Christopher D. Sheraw,Zhibin Ren,Yue Ke,Eric T. Harley,Yinxiao Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Conformal source and drain contacts for multi-gate field effect transistors

Номер патента: US09614086B1. Автор: Chih-Hao Wang,Yee-Chia Yeo,Yuan-Chen Sun,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Charge injection and drain-based electrical overstress (EOS) protection apparatus and method

Номер патента: US09537302B2. Автор: Suhas Vishwasrao Shinde. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Epitaxial formation mechanisms of source and drain regions

Номер патента: US09502404B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Meng-Yueh Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

THIN FILM TRANSISTORS WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN AND DRAIN FIELD RELIEF

Номер патента: US20200006555A1. Автор: Shahidi Ghavam G.,Hekmatshoartabari Bahman,Hopstaken Marinus P.J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

SOURCE AND DRAIN DOPING USING DOPED RAISED SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20140131735A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Illgen Ralf. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

BIODEGRADABLE RESIN COMPOSITION, AND DRAINING BOARD CORE MATERIAL AND DRAINING BOARD PRODUCED THEREFROM

Номер патента: US20140134380A1. Автор: Yun Ki Chull,Chun Jong Pil,PARK Yong Dae,CHO Kwan Young,Yoon Yoon Mo,Oh Uk. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ALTERNATING SOURCE AND DRAIN REGIONS, AND RESPECTIVE SOURCE AND DRAIN METALLIC STRIPS

Номер патента: US20140151797A1. Автор: Lopata Douglas Dean,Lotfi Ashraf W.,Demski Jeffrey,Feygenson Anatoly,Norton Jay,Weld John D.. Владелец: ENPIRION, INC.. Дата публикации: 2014-06-05.

DRAINING STRUCTURE OF WASHING MACHINE AND DRAINING METHOD

Номер патента: US20200087841A1. Автор: Wu Di,Xu Sheng,Li Yimin,LAO Chunfeng,HAO Xinghui,LV Yanfen. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

DIRECT-DRAIN TRENCH FET WITH SOURCE AND DRAIN ISOLATION

Номер патента: US20140264567A1. Автор: Challa Ashok. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2014-09-18.

THIN FILM TRANSISTORS WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN AND DRAIN FIELD RELIEF

Номер патента: US20190172947A1. Автор: Shahidi Ghavam G.,Hekmatshoartabari Bahman,Hopstaken Marinus P.J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

DRAIN HOSE AND DRAIN HOSE CONNECTION METHOD

Номер патента: US20200238794A1. Автор: Matsushita Masaya,Tanoi Akira,Itou Kazuhide. Владелец: NISSAN MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-30.

Filtration System with Anti Drain Valve and Drain X-Seal

Номер патента: US20160332095A1. Автор: Abdalla Wassem,Singh Jayant,Simon Stéphane,Deshpande Gandhali R.. Владелец: CUMMINS FILTRATION IP, INC.. Дата публикации: 2016-11-17.

Drain pan cleaning device and drain pan cleaning method

Номер патента: CN108067468A. Автор: 细田常大. Владелец: Mitsubishi Electric Building Techno Service Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-25.

Flat post items sorting method for e.g. post office, involves extracting post items from memory modules in sorting operation and storing items in module of segment, and draining sorted items in module of segments according to draining order

Номер патента: DE102006052315B3. Автор: Armin Zimmermann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-04-24.

Fluid filter having drain structure and drain tool

Номер патента: US7150828B2. Автор: Toshihiro Takahara,Haruaki Sakata,Yoshihiko Sugiura,Noriyuki Tsuge. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2006-12-19.

Drain pipe joint and drain pipe joint component

Номер патента: CN102996928A. Автор: 外山敬之,香川修三. Владелец: Kubota Corp. Дата публикации: 2013-03-27.

Fabrication of an electronic component with self-aligned source drain and gate includes self-aligned siliciding of a source and drain formed on either side of a dummy gate

Номер патента: FR2810157A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2001-12-14.

Memory cell for storing e.g. binary information, has field effect memory and access transistors including respective source and drain, where source and drain form additional electrode that is connected to additional control line

Номер патента: FR2897978A1. Автор: Antoine Jalabert. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-08-31.

FET e.g. N-type MOSFET for use in component, has conducting areas forming electric terminals with source and drain zones and extending from gate structure, where source and drain zones are contained with metallic material

Номер патента: FR2976122A1. Автор: Jean-Luc Huguenin,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2012-12-07.

FUEL CELL WITH ANODIC CHAMBER COMPRISING A WATER CONDENSING AND DRAINING SURFACE IN THE ANODIC CHAMBER, AND METHOD FOR CONDENSING AND DRAINING WATER FORMED IN SAID CHAMBER

Номер патента: FR2972303B1. Автор: Antoine LATOUR,Jessica Thery,Vincent Faucheux,Bruno Valon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-11-15.

Motor for drain pump, method for manufacturing the same, and drain pump having the same

Номер патента: CN111448395B. Автор: 佐藤克司,佐藤永. Владелец: Fujikoki Corp. Дата публикации: 2021-12-07.

INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT COMPRISING A MOS TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAINED DRAIN LAYERS

Номер патента: FR2494500A1. Автор: Matsuo Ichikawa. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1982-05-21.

Fluid filter, drain mechanism thereof and draining method of fluid filter

Номер патента: EP1419808B1. Автор: Toshihiro Takahara,Sadahito Fukumori,Kiichiro Suzumori,Ryuichiro Kamioka,Jin Hashioka,Kenzo Kado. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2007-03-07.

Automatic receiving, draining and draining device

Номер патента: FR692831A. Автор: Henri Lancery. Владелец: . Дата публикации: 1930-11-12.

Draining roll device and draining method for metal foil strip

Номер патента: JPH072245B2. Автор: 寿男小島,一芳藤沢,完治笠原. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1995-01-18.

Barc photo resist drain device and drain method of a semiconductor photo equipment

Номер патента: KR100990878B1. Автор: 이재훈. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2010-10-29.

Drain cleaner dispenser with locking feature and drain cleaning method

Номер патента: KR0185748B1. Автор: 스턴하이머 아더,델리아 안소니. Владелец: 블록 드러그 컴퍼니 인코포레이티드. Дата публикации: 1999-10-01.

Monobloc wine-making device for draining, steeping in hot must and draining grapes

Номер патента: FR2638760A1. Автор: Alfred Rosa,Francois Arnaud. Владелец: MERIDIONAL OENOLOGIE CENTRE. Дата публикации: 1990-05-11.

Engine with wall rib oil gauge mounting and drain means

Номер патента: CA1116963A. Автор: Nshan Hamparian. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1982-01-26.

Fluid filter having drain structure and drain tool

Номер патента: EP1520613B1. Автор: Toshihiro Takahara,Haruaki Sakata,Yoshihiko Sugiura,Noriyuki Tsuge. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Front loading horizontal axis washing machine/washer useful for laundries of, e.g. garments, linens, and fabrics, comprises cabinet cover, and drain passage forming portion having guide and drain portions

Номер патента: DE102006017953A1. Автор: Hyun Seok Kim,Hye Yong Changwon Park,Bo Yeon Changwon Kim,Dae Hee Busan Kwon,Seong Yeol Daegu Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-09.

Wind turbine rotor blade with combined lightning receptor and drain passage and lightning receptor with drain passage

Номер патента: CA2431086A1. Автор: Flemming Møller Larsen. Владелец: Flemming Møller Larsen. Дата публикации: 2002-06-20.

System for sealing junction between domestic and communal drain comprises molding surface and molding shield, gap between shield and drains being sealed and injection nozzles allowing sealing material to be injected into gap

Номер патента: DE10042489A1. Автор: Jens Bauer. Владелец: Jens Bauer. Дата публикации: 2002-03-14.

Source and drain region, contact hole and methods for forming source and drain region and contact hole

Номер патента: CN102237294A. Автор: 朱慧珑,尹海洲,骆志炯. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-11-09.

Double-gate FET fabricating method, involves inverting and bonding assembly of gate and hard layer to substrate, forming another gate in gate cavity, siliciding defining layer, and depositing metal for producing source and drain electrodes

Номер патента: FR2899381A1. Автор: Christophe Licitra,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-10-05.

Draining pump brushless motor and draining pump

Номер патента: CN104124849B. Автор: 王胜,邵韦,赵殿合,朋兴谱. Владелец: CHANGZHOU LEILI ELECTRICAL EQUIPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Box type waterseal, drain separating device using the same and drain separating method

Номер патента: KR102016330B1. Автор: 배병수. Владелец: 삼성중공업 주식회사. Дата публикации: 2019-10-21.

Source and drain region, contact hole and methods for forming source and drain region and contact hole

Номер патента: CN102237294B. Автор: 朱慧珑,尹海洲,骆志炯. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-27.

Apparatus of drain board and drain board

Номер патента: KR100815986B1. Автор: 김문수. Владелец: 김문수. Дата публикации: 2008-03-24.

A jointing device of a drain motor clutch lever and draining valve

Номер патента: KR0122427Y1. Автор: 김학실. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-10-01.

FET having gate insulating film of nonuniform thickness and asymmetrical source and drain structures

Номер патента: US5801416A. Автор: Keon-Soo Kim,Yong-bae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-01.

Method for producing a drain pan and drain pan produced thereby

Номер патента: CA2440540A1. Автор: Ronald D. Shuck. Владелец: Building Materials Investment Corp. Дата публикации: 2004-09-04.

Semiconductor device including alternating source and drain regions, and respective source and drain metallic strips

Номер патента: CN103855216A. Автор: J·诺顿,J·D·威尔德,D·D·洛帕塔,A·W·洛特菲,J·德姆斯基,A·菲根森. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-06-11.

Direct-drain trench FET with source and drain isolation

Номер патента: KR20140113349A. Автор: 아쇼크 찰라. Владелец: 훼어촤일드 세미컨덕터 코포레이션. Дата публикации: 2014-09-24.

Drain-source voltage detection circuit and drain-source voltage detection method

Номер патента: CN114089014A. Автор: 蜜林德·古普塔. Владелец: Guangdong Xidi Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-02-25.

Drain pipe cleaning method and drain pipe cleaning device

Номер патента: JP4564529B2. Автор: 睦小野,正明橋本,正明奥田. Владелец: 株式会社セイワ・プロ. Дата публикации: 2010-10-20.

Packing carton for wet fish - is fitted with convex base and drain holes to allow water to drain away

Номер патента: FR2320239A1. Автор: . Владелец: CLERGEAU PAPETERIES LEON. Дата публикации: 1977-03-04.

Loess color drain concrete composite and drain concrete paving method using this

Номер патента: KR101015061B1. Автор: 곽범구,김응태,최익현,송흥호. Владелец: (주)나비콘건설. Дата публикации: 2011-02-16.

RECRYSTALLIZATION OF SOURCE BLOCKS AND DRAIN FROM THE TOP

Номер патента: FR3009648A1. Автор: Frédéric Mazen,Perrine Batude,Benoit Sklenard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-02-13.

Geometric arrangement for single gate multi-source and drain FET - comprises central insulated gate surrounded by concentric ring of individually isolated source and drain regions

Номер патента: DE4108818A1. Автор: Herbert Dipl Ing Eichfeld. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-24.

A kind of low water level pond is drained device and drains method

Номер патента: CN106122043A. Автор: 张君波. Владелец: JUNHE PUMPS CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-16.

Method for setting drain plug of oil pan and drain part construction

Номер патента: JPS6371510A. Автор: Shinichiro Kuroki,新一郎黒木. Владелец: Mitsubishi Motors Corp. Дата публикации: 1988-03-31.

Source and drain doping using doped raised source and drain regions

Номер патента: US8835936B2. Автор: Jan Hoentschel,Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-16.

Wind turbine rotor blade with combined lightning receptor and drain passage and lightning receptor with drain passage

Номер патента: EP1342009A1. Автор: Flemming Møller Larsen. Владелец: Lm Glasfiber As. Дата публикации: 2003-09-10.

cabling arrangement to protect an aircraft's drain air supply system from overheating, and drain air supply system

Номер патента: BRPI0709752A2. Автор: Heiko Buehring. Владелец: Airbus Gmbh. Дата публикации: 2011-07-26.

Seal arrangement for turbo machine i.e. airplane engine, for sealing bearing devices, has fluid guide elements plunged in region in reservoir, and sealing unit includes oil inflow and oil drain, where inflow and drain lie in pressure region

Номер патента: DE102011122109A1. Автор: Sebastian HELDNER. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2013-06-27.

The interchangeable transistor of the optional source and drain of source and drain resistive formula conduction type and its manufacturing method

Номер патента: CN107681005B. Автор: 刘溪,高云翔,靳晓诗. Владелец: Shenyang University of Technology. Дата публикации: 2019-08-02.

Drain processing method and drain processing system

Номер патента: WO2020251005A1. Автор: 佳大岩田. Владелец: 株式会社愛研化工機. Дата публикации: 2020-12-17.

Dip coating and draining device for treating wood, has mobile chassis for supporting claws on which wood to be treated is placed, and draining charge of wood by slope of chassis

Номер патента: FR2858577A1. Автор: Jean Troccon. Владелец: A2C SARL. Дата публикации: 2005-02-11.

Engine with wall rib oil gauge mounting and drain means

Номер патента: US4213441A. Автор: Nshan Hamparian. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1980-07-22.

Mobility enhancement by source and drain stress layer of implantation in thin film transistors

Номер патента: US11825661B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Conformal Source and Drain Contacts for Multi-Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20190123157A1. Автор: Chih-Hao Wang,Yee-Chia Yeo,Yuan-Chen Sun,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Conformal Source and Drain Contacts for Multi-Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20170194442A1. Автор: Chih-Hao Wang,Yee-Chia Yeo,Yuan-Chen Sun,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Humidity control device, method of absorbing and draining moisture, method of generating power, heat exchange ventilation system, and method of controlling heat exchange ventilation system

Номер патента: US20220010983A1. Автор: Hiroki Sato,Yuriko Kaneko,Hiromasa TAMAKI,Takashi Ikawa,Hyunjeong Nam. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Source and drain contact cut last process to enable wrap-around-contact

Номер патента: US20200152756A1. Автор: Dechao Guo,Tenko Yamashita,Andrew Greene,Veeraraghavan S. Basker,Robert Robison,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Charge injection and drain-based electrical overstress (eos) protection apparatus and method

Номер патента: US20130335867A1. Автор: Suhas Vishwasrao Shinde. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Method and Apparatus for Operating Nonvolatile Memory With Floating Voltage at One of the Source and Drain Regions

Номер патента: US20080117690A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Circuit with impedance elements connected to sources and drains of pMOSFET headers

Номер патента: US10177760B1. Автор: Hsin-Yu Chen,Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Yicong Li. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-01-08.

Mobility enhancement by source and drain stress layer or implantation in thin film transistors

Номер патента: US20230389333A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Charge injection and drain-based electrical overstress (eos) protection apparatus and method

Номер патента: US20160028223A1. Автор: Suhas Vishwasrao Shinde. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-28.

Circuit with Impedance Elements Connected to Sources and Drains of PMOSFET Headers

Номер патента: US20190007043A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Yicong Li. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-01-03.

ALUMINUM ALLOY, WITH IMPROVED RESISTANCE TO OXIDATION, RESISTANCE TO CORROSION OR IMPROVED RESISTANCE OF FATIGUE AND DRAINED BY PRESSURE OF MATERIAL AND SEMI-EXTREME ALUMINUM

Номер патента: RU2013117706A. Автор: Се-Кванг КИМ,Янг-Ок ЮН,Цзинь-Киу ЛИ,Цзёнг-Хо СЕО. Владелец: Кореа Инститьют Оф Индастриал Текнолоджи. Дата публикации: 2014-11-27.

TOILET PAPER WITH BIOLOGICAL CLEANING PROPERTIES OF SEWER PIPES AND DRAINS

Номер патента: RU2019103497A. Автор: Евгений Сергеевич Каменев. Владелец: Евгений Сергеевич Каменев. Дата публикации: 2020-08-07.

Source and drain epitaxial semiconductor material integration for high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20170365521A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Drive circuit and drain extended transistor for use therein

Номер патента: EP2016617A4. Автор: Sameer P Pendharkar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-04-06.

Rinsing and draining device for clothes.

Номер патента: US1214297A. Автор: Robert Gosman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1917-01-30.

Thin film transistor with laminated source and drain electrodes and method of manufacture

Номер патента: GB2134707B. Автор: Sadatoshi Takechi,Fumiaki Funada,Tadanori Hishida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-08-20.

Unloading apron and drain trough for washers

Номер патента: US1903321A. Автор: Alonzo D Staley. Владелец: American Laundry Machinery Co. Дата публикации: 1933-04-04.

Self-aligned metal-semiconductor alloy and metallization for sub-lithographic source and drain contacts

Номер патента: TW200908331A. Автор: Paul M Solomon,Guy M Cohen. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-02-16.

Combined valve and drain.

Номер патента: US1146179A. Автор: David A Leahy. Владелец: ALLYNE BRASS FOUNDRY Co. Дата публикации: 1915-07-13.

Automatic gas and and drain valve.

Номер патента: US1016100A. Автор: Stead I Shand. Владелец: Individual. Дата публикации: 1912-01-30.

Machine for washing and draining soiled bottles.

Номер патента: US957220A. Автор: Edward H Waugh. Владелец: THOMAS D KYLE. Дата публикации: 1910-05-10.

Fin Spacer Protected Source and Drain Regions in FinFETs

Номер патента: US20180197782A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Pop-up sprinkler with integrated pressure regulator and drain check

Номер патента: EP2279793B1. Автор: Craig Nelson,George Sesser. Владелец: Nelson Irrigation Corp. Дата публикации: 2019-06-05.

Improvement in water and drain pipes

Номер патента: US114904A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-05-16.

Conveying and draining device for bottles after having been washed.

Номер патента: US724734A. Автор: Anders Andersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-04-07.

Metal gate transistors with epitaxial source and drain regions

Номер патента: TWI272681B. Автор: Justin Brask,Nick Lindert,Andrew Westmeyer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Pre-clean of silicon germanium for pre-metal contact at source and drain and pre-high k at channel

Номер патента: US20190326115A1. Автор: Bo Zheng,Avgerinos V. Gelatos,Raymond Hoiman Hung,Anshul VYAS. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Shadow masking process for forming source and drain regions for field-effect transistors and like regions

Номер патента: GB2041644A. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1980-09-10.

Externally serviceable transmission sump fill pipe and drain port assembly

Номер патента: US20060037427A1. Автор: Patrick Holub. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for forming raised source and drain

Номер патента: TW445524B. Автор: Yi-Shi Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-07-11.

Metal gate transistors with epitaxial source and drain regions

Номер патента: TW200618125A. Автор: Justin Brask,Nick Lindert,Andrew Westmeyer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of forming wiring pattern, and method of forming source electrode and drain electrode for TFT

Номер патента: US20060051500A1. Автор: Toshimitsu Hirai,Shinri Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Cooling unit and drain case for air conditioners

Номер патента: AU679050B2. Автор: Toshihiro Yamamoto,Takayuki Morita,Toshiya Nagasawa,Etsuo Hasegawa,Shogo Sumi,Yoshiharu Kajikawa,Suehiro Okazaki. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-19.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A4. Автор: Brian Doyle,Willy Rachmady,Robert S Chau,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-18.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering

Номер патента: EP2368267B1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-22.

Semiconductor device with a transistor having different source and drain lengths

Номер патента: US20090289308A1. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Sewer and drain tile

Номер патента: US270476A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1883-01-09.

Rfid tag having non-volatile memory device having floating-gate fets with different source-gate and drain-gate border lengths

Номер патента: US20130135933A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Shadow masking process for forming source and drain regions for field-effect transistors and like regions

Номер патента: SG60784G. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1985-03-15.

Shadow masking process for forming source and drain regions for field-effect transistors and like regions

Номер патента: HK14485A. Автор: Robert M Jecmen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1985-03-08.

Shadow masking process for forming source and drain regions for field-effect transistors and like regions

Номер патента: GB2041644B. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1983-05-11.

Method of forming wiring pattern, and method of forming source electrode and drain electrode for tft

Номер патента: TW200609119A. Автор: Toshimitsu Hirai,Shinri Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

A process apparatus for dealing with wasted ozone and drained water simultaneously and the method thereof

Номер патента: TWI282747B. Автор: Shin-Tong Wu,Ming-Jen Huang,Chin-Hsiang Peng,Jer-Min Chang,Jody Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Single transistor memory device having source and drain insulating regions and method of fabricating the same

Номер патента: TW200824095A. Автор: Woo-Yeong Cho,Chang-Woo Oh,Ki-whan Song,Nam-Kyun Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-01.

A process apparatus for dealing with wasted ozone and drained water simultaneously and the method thereof

Номер патента: TW200510053A. Автор: Shin-Tong Wu,Ming-Jen Huang,Chin-Hsiang Peng,Jer-Min Chang,Jody Liang,Chi Chieh Tsao. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09985114B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Tunneling fin type field effect transistor with epitaxial source and drain regions

Номер патента: US09947586B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Fin spacer protected source and drain regions in FinFETs

Номер патента: US09935011B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for making source and drain regions of a MOSFET with embedded germanium-containing layers having different germanium concentration

Номер патента: US09806171B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Source and drain stressors with recessed top surfaces

Номер патента: US09755077B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Pre-clean of silicon germanium for pre-metal contact at source and drain and pre-high K at channel

Номер патента: US09735009B2. Автор: Bo Zheng,Avgerinos V. Gelatos,Raymond Hoiman Hung,Anshul VYAS. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09620416B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Source and drain stressors with recessed top surfaces

Номер патента: US09583483B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Source and drain epitaxial semiconductor material integration for high voltage semiconductor devices

Номер патента: US09570555B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

NVM device using FN tunneling with parallel powered source and drain

Номер патента: US09553207B2. Автор: Troy N. Gilliland,Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Supply and drain device for an injector

Номер патента: US09534539B2. Автор: Bernard Joseph Jean Pierre Carrere. Владелец: Turbomeca SA. Дата публикации: 2017-01-03.

III-N device with extended source and drain

Номер патента: US09508809B2. Автор: Keiichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Channel strain and controlling lateral epitaxial growth of the source and drain in FinFET devices

Номер патента: US09461168B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

FinFET with reduced source and drain resistance

Номер патента: US09443977B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Epitaxial formation of source and drain regions

Номер патента: US09443847B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Nitrogen passivation of source and drain recesses

Номер патента: US20130087857A1. Автор: Ling-Sung Wang,Jia-Yang Ko,Ching-Chien HUANG,Ying-Han CHIOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Anode purge and drain valve strategy for fuel cell system

Номер патента: US20130089797A1. Автор: Steven R. Falta,Daniel C. Di Fiore,Matthew A. Lang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2013-04-11.

DETECTOR FOR DETECTING ELECTROMAGNETIC RADIATION WITH TRANSFER GATE AND DRAINING GATE

Номер патента: US20130134299A1. Автор: DURINI ROMERO Daniel,BROCKHERDE Werner,HOSTICKA Bedrich. Владелец: Fraunhofer-Gesellschaft zur Foerderung der angewandten Forschung e.V.. Дата публикации: 2013-05-30.

RFID TAG HAVING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING FLOATING-GATE FETS WITH DIFFERENT SOURCE-GATE AND DRAIN-GATE BORDER LENGTHS

Номер патента: US20130135933A1. Автор: Horch Andrew E.. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-05-30.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH NARROW BANDGAP SOURCE AND DRAIN REGIONS AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20130146945A1. Автор: Kavalieros Jack,Metz Matthew,Chau Robert S.,Brask Justin K.,Datta Suman,DOCZY Mark L.. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

REPLACEMENT GATE MOSFET WITH RAISED SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20130161697A1. Автор: Horak David V.,Ponoth Shom,Yang Chih-Chao. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

STRUCTURE AND METHOD TO ENABLING A BORDERLESS CONTACT TO SOURCE REGIONS AND DRAIN REGIONS OF A COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) TRANSISTOR

Номер патента: US20130178035A1. Автор: Vega Reinaldo A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

MANUFACTURING METHOD FOR A DEVICE WITH TRANSISTORS STRAINED BY SILICIDATION OF SOURCE AND DRAIN ZONES

Номер патента: US20130214363A1. Автор: NEMOUCHI Fabrice,GERGAUD Patrice,POIROUX Thierry,PREVITALI Bernard. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENE ALT. Дата публикации: 2013-08-22.

TRAP APPARATUS FOR CONDENSATE WATER AND DRAIN APPARATUS FOR CONDENSATE WATER INSTALLED ON THE SAME

Номер патента: US20130269915A1. Автор: LEE Dong-Ho,CHOI Jin-min. Владелец: Kiturami Boiler Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-10-17.

Integrated circuits having protruding source and drain regions and methods for forming integrated circuits

Номер патента: US20130277746A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

STRAINED CHANNEL REGION TRANSISTORS EMPLOYING SOURCE AND DRAIN STRESSORS AND SYSTEMS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130285017A1. Автор: Rachmady Willy,Mukherjee Niloy,Kavalieros Jack,Pillarisetty Ravi,Le Van H.,Kennel Harold W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Method for forming gate, source, and drain contacts on a mos transistor

Номер патента: US20130295734A1. Автор: Yves Morand,Fabrice Nemouchi,Heimanu Niebojewski,Cyrille Le Royer. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-11-07.

CHARGE INJECTION AND DRAIN-BASED ELECTRICAL OVERSTRESS (EOS) PROTECTION APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20130335867A1. Автор: Shinde Suhas Vishwasrao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-12-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METALLIC SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20140035059A1. Автор: Rios Rafael,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa,KABEHIE Sanaz,WEBER Cory E.,Budrevich Aaron A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

NANOWIRE STRUCTURES HAVING NON-DISCRETE SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20140042386A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Cea Stephen M.,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

Fin Field Effect Transistor Devices With Self-Aligned Source and Drain Regions

Номер патента: US20140042556A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Wilfried Haensch,Kathering Lynn Saenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Active Area Shaping of III-Nitride Devices Utilizing Steps of Source-Side and Drain-Side Field Plates

Номер патента: US20140070280A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-03-13.

Reducing Resistance in Source and Drain Regions of FinFETs

Номер патента: US20140070318A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Nan Yeh,Cheng-Hung Chang,Yu-Rung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Recessed single crystalline source and drain for semiconductor-on-insulator devices

QUANTUM DOT ARRAY DEVICES WITH METAL SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20140084245A1. Автор: Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

THRESHOLD ADJUSTMENT FOR QUANTUM DOT ARRAY DEVICES WITH METAL SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20140084247A1. Автор: Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

CMOS Devices with Schottky Source and Drain Regions

Номер патента: US20140094008A1. Автор: LEE Wen-Chin,KO Chih-Hsin,Chen Hung-Wei,Ke Chung-Hu. Владелец: Taiwan Seminconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-04-03.

Self-Aligned Source and Drain Contacts

Номер патента: US20220005934A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

FINFET HAVING HIGHLY DOPED SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20170005177A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Schepis Dominic J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Fin Spacer Protected Source and Drain Regions in FinFETs

Номер патента: US20160005656A1. Автор: LIU Chi-Wen,Ching Kuo-Cheng,Wang Chao-Hsiung,HSU Ting-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Asymmetric Source and Drain Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200006556A1. Автор: WANG Peng,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH RAISED SOURCE AND DRAIN REGIONS FORMED BY SELECTIVE EPITAXY

Номер патента: US20150008487A1. Автор: Liu Qizhi,PEKARIK JOHN J.,Ellis-Monaghan John J.,Harame David L.,Chan Kevin K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH SILICIDED SOURCE AND DRAIN EXTENSIONS AND PROCESS FOR FABRICATION

Номер патента: US20150008532A1. Автор: Mehrotra Manoj. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Circuit with Impedance Elements Connected to Sources and Drains of PMOSFET Headers

Номер патента: US20190007043A1. Автор: Chen Hsin-Yu,Chong Yew Keong,Thyagarajan Sriram,Chen Andy Wangkun,Li Yicong. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Oil separator and drain discharge system

Номер патента: US20170007944A1. Автор: Takuya Sugio,Hiroaki Kawanami. Владелец: Nabtesco Automotive Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE CONTAINING LOW-RESISTANCE SOURCE AND DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20180012892A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan Veera Venkata Satya. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

CONTACTING SOURCE AND DRAIN OF A TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20190013241A1. Автор: Labonte Andre,Xie Ruilong,Park Chanro,LIEBMANN Lars,Kamineni Vimal,Chane Daniel,Cave Nigel. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

EPITAXIAL GROWTH OF DOPED FILM FOR SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20150017776A1. Автор: TSAI Chun Hsiung,Wang Chin-Kun,Chen Tsan-Yao,Ke Jian-An. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication

Номер патента: US20140103456A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-17.

III-Nitride Semiconductor Device with Reduced Electric Field Between Gate and Drain

Номер патента: US20150021619A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

MANUAL VALVE, TANK WALL, AND DRAIN DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160023806A1. Автор: Thurston Tara. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

COMPOSITE SPACERS FOR TAILORING THE SHAPE OF THE SOURCE AND DRAIN REGIONS OF A FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200020770A1. Автор: Qi Yi,HU Zhenyu,Zang Hui,LO Hsien-Ching,Wu Xusheng,MULFINGER George R.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Forming Bottom Source and Drain Extension on Vertical Transport FET (VTFET)

Номер патента: US20200020804A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Defect Reduction for Formation of Epitaxial Layer in Source and Drain Regions

Номер патента: US20150024567A1. Автор: Su Chien-Chang,TSAI Chun Hsiung,KWOK Tsz-Mei. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

CHARGE INJECTION AND DRAIN-BASED ELECTRICAL OVERSTRESS (EOS) PROTECTION APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20160028223A1. Автор: Shinde Suhas Vishwasrao. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

FORMING EMBEDDED SOURCE AND DRAIN REGIONS TO PREVENT BOTTOM LEAKAGE IN A DIELECTRICALLY ISOLATED FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE

Номер патента: US20150028348A1. Автор: JACOB Ajey Poovannummoottil,Akarvardar Murat K.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

DEVICES AND METHODS OF FORMING BULK FINFETS WITH LATERAL SEG FOR SOURCE AND DRAIN ON DIELECTRICS

Номер патента: US20150035018A1. Автор: Chi Min-Hwa,Liu Jin Ping. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20170033159A1. Автор: CHANG Chih-Yang,Tu Kuo-Chi,Chu Wen-Ting,Chen Hsia-Wei,Yang Chin-Chieh,Liao Yu-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH DOPED BUFFER AND DRAIN FIELD PLATE

Номер патента: US20170033187A1. Автор: RAJAN Siddharth,Bajaj Sanyam. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

FINFET HAVING HIGHLY DOPED SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20160035858A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Schepis Dominic J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

FINFET HAVING HIGHLY DOPED SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20160035877A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Schepis Dominic J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20160035878A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

FORMATION OF LOW-TEMPERATURE AND HIGH-TEMPERATURE IN-SITU DOPED SOURCE AND DRAIN EPITAXY USING SELECTIVE HEATING FOR WRAP-AROUND CONTACT AND VERTICALLY STACKED DEVICE ARCHITECTURES

Номер патента: US20220051905A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,NIIMI Hiroaki,Tapily Kandabara,Gardner Mark I.,Fulford H. Jim,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-02-17.

Forming Source And Drain Features In Semiconductor Devices

Номер патента: US20220052159A1. Автор: Liao Chih-Teng,Chen Chih-Shan,HSIEH Jui Fu,Wang Shu Wen,Lo Dave. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Source and Drain Structure with Reduced Contact Resistance and Enhanced Mobility

Номер патента: US20190035908A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Chih Hsuan Cheng,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Source and drain stressors with recessed top surfaces

Номер патента: US20190035931A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Source and Drain Formation Technique for Fin-Like Field Effect Transistor

Номер патента: US20200035812A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

RECRYSTALLIZATION OF SOURCE AND DRAIN BLOCKS FROM ABOVE

Номер патента: US20150044828A1. Автор: Sklenard Benoit,Batude Perrine,Mazen Frederic. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

SOURCE AND DRAIN DOPING PROFILE CONTROL EMPLOYING CARBON-DOPED SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20150044846A1. Автор: Ontalus Viorel,Kerber Pranita,Zhu Zhengmao,Wall Donald R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND DRAIN TOP JUNCTION

Номер патента: US20220059677A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Zhang Chen. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

FABRICATION OF A TRANSISTOR WITH A CHANNEL STRUCTURE AND SEMIMETAL SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20190043970A1. Автор: Colinge Jean-Pierre. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES AL TERNATIVES. Дата публикации: 2019-02-07.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING ALTERNATING STACK OF SOURCE LAYERS AND DRAIN LAYERS AND VERTICAL GATE ELECTRODES

Номер патента: US20210050359A1. Автор: Alsmeier Johann,Kai James,Chowdhury Murshed. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING ALTERNATING STACK OF SOURCE LAYERS AND DRAIN LAYERS AND VERTICAL GATE ELECTRODES

Номер патента: US20210050360A1. Автор: Alsmeier Johann,Kai James,Chowdhury Murshed,MATSUNO Raiden. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Melt Anneal Source and Drain Regions

Номер патента: US20200044025A1. Автор: CHANG Huicheng,Chen Wen-Yen,Wang Ying-Lang,LIU Su-Hao,Wang Li-Ting,Yeo Yee-Chia,Chen Li-Heng,Chen Liang-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Source and Drain Surface Treatment for Multi-Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20200044062A1. Автор: Lu Wei-Yuan,Fan Wei-Han,Fan Chun-Hsiang,YANG Yu-Lin,Yeong Sai-Hooi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

TRANSISTORS WITH SEPARATELY-FORMED SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20210050419A1. Автор: Shu Jiehui,WANG Haiting,ZHU Baofu,Gu Sipeng. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND DRAIN CONTACTS AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20170047349A1. Автор: Zhang John Hongguang. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2017-02-16.

HYBRID SOURCE AND DRAIN CONTACT FORMATION USING METAL LINER AND METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR CONTACTS

Номер патента: US20180047824A1. Автор: Yamashita Tenko,NIIMI Hiroaki,Siddiqui Shariq. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

METHODS FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SHAPED SOURCE AND DRAIN RECESSES AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20150054032A1. Автор: Reznicek Alexander,Loubet Nicolas,LATULIPE DOUGLAS. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20190051702A1. Автор: CHANG Chih-Yang,Tu Kuo-Chi,Chu Wen-Ting,Chen Hsia-Wei,Yang Chin-Chieh,Liao Yu-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Horizontal Gate All-Around Device Having Wrapped-Around Source and Drain

Номер патента: US20190051734A1. Автор: Wang Chih-hao,Hsieh Wen-Hsing,SHEU YI-MING,Wu Chung-Cheng,DIAZ Carlos H.,Lin Chun-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Source and Drain Dislocation Fabrication in FinFETs

Номер патента: US20140131812A1. Автор: Zhiqiang Wu,Carlos H. Diaz,Tzer-Min Shen,Ya-Yun Cheng,Hua Feng Chen,Wen-Hsing Hsieh,Ting-Yun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING BURIED GATE, BURIED SOURCE AND DRAIN CONTACTS, AND STRAINED SILICON AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210057578A1. Автор: Huang Tse-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

FINFET PCM ACCESS TRANSISTOR HAVING GATE-WRAPPED SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20170053966A1. Автор: Lam Chung H.,Lin Chung-Hsun,Oldiges Philip J.,Lu Darsen D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

FINFET PCM ACCESS TRANSISTOR HAVING GATE-WRAPPED SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20170054005A1. Автор: Lam Chung H.,Lin Chung-Hsun,Oldiges Philip J.,Lu Darsen D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Source and Drain Stressors with Recessed Top Surfaces

Номер патента: US20150061024A1. Автор: Lee Tze-Liang,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-03-05.

SELF-LUBRICATING AND DRAINING, CONTACTING FACE, ROTATING SHAFT SEAL

Номер патента: US20160061331A1. Автор: Taylor Charles,Slagell Jesse,Thomas Ron. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Bottom drain device hydromonitor nozzle for heating and draining high-viscosity and congealed products by substitution

Номер патента: RU2403984C1. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Михаил Алексеевич Елисеев,Владимир Валентинович Писарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Домодедовский опытный машиностроительный завод". Дата публикации: 2010-11-20.

Device for heating and draining of high-viscous oil products from tank

Номер патента: RU2538657C2. Автор: Дмитрий Александрович Боднарчук. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Производственная компания "Нефтехранение". Дата публикации: 2015-01-10.

Device to fill and drain reservoir with oil and oil products

Номер патента: RU2449944C2. Автор: Татьяна Сергеевна Мещерякова. Владелец: Татьяна Сергеевна Мещерякова. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of warming and draining of high viscosity products from transport and stationary reservoirs

Номер патента: RU2297959C1. Автор: Николай Анатольевич Бердников,Алексей Константинович Тоболкин,Рауф Багадыр Оглы Садыхов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Северо-Западное Морское Агентство ТЕРМИНАЛ". Дата публикации: 2007-04-27.

Intensifier of thick fluid filling and draining

Номер патента: RU2475439C1. Автор: Алексей Викторович Гладилин,Павел Александрович Курбатов,Игорь Мильевич Маргулис,Всеволод Анатольевич Пирогов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2013-02-20.

Method of heating and draining of cold and thick products and device to this end

Номер патента: RU2517137C2. Автор: Сергей Геннадьевич Конесев,Марат Радусович Садиков,Эдуард Юрьевич Кондратьев,Андрей Дмитриевич Кисеев. Владелец: Сергей Геннадьевич Конесев. Дата публикации: 2014-05-27.

Flushing-and-draining device for toilet (versions) and rubber gate for flushing-and-draining device

Номер патента: RU2274570C1. Автор: Александр Альбертович Василенко,Алексей Моисеевич Мейстер,Александр Сергеевич Рогачев,Алексей Алимпиевич Юхневский. Владелец: Зао Но "Тив". Дата публикации: 2006-04-20.

Method of heating and draining of thick and frozen products from vessel

Номер патента: RU2500598C1. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Андрей Геннадьевич Харитонов,Михаил Алексеевич Елисеев,Владимир Валентинович Писарев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Аккорд Эстейт". Дата публикации: 2013-12-10.

Device for filling and draining rocket booster oxidiser

Номер патента: RU2440919C1. Автор: Михаил Викторович Рожков,Владимир Владимирович Ерпылев. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2012-01-27.

Method of heating and draining residual fuel oils from rail tank cars

Номер патента: RU2112733C1. Автор: Е.Л. Левченко,М.А. Елисеев,В.Н. Кудеяров,С.А. Веялис,А.С. Шаранов,Б.Н. Дубинкин,А.И. Жиров,Б.В. Забулдин,Е.Ф. Ляхин,В.В. Иноземцев. Владелец: Левченко Евгений Леонидович. Дата публикации: 1998-06-10.

Railway tank car shutoff-and-drain device

Номер патента: RU2286269C2. Автор: Валерий Аванесович Айриев,Олег Георгиевич Крыжановский. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственная фирма "Центральное конструкторское бюро арматуростроения". Дата публикации: 2006-10-27.

Device for warming and draining products in cold and viscous state from tanks

Номер патента: RU2307057C2. Автор: Ирек Альбертович Макулов,Рустам Ирекович Макулов,Тимур Мингарифович Зидиханов,Ильгиз Флюрович Ягудин,Радик Рифаитович Музиров. Владелец: ООО "Газ-Проект Инжиниринг". Дата публикации: 2007-09-27.

Method of and device for heating and draining high-viscosity products from railway tanks

Номер патента: RU2275317C2. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Валентин Митрофанович Мазур,Михаил Алексеевич Елисеев,Евгений Леонидович Левченко (RU),Валентин Митрофанович Мазур (RU),Михаил Алексеевич Елисеев (RU). Владелец: Евгений Леонидович Левченко. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of and device for heating and draining high-viscosity products from containers

Номер патента: RU2204514C1. Автор: А.Ф. Федоров,Е.Л. Левченко,М.А. Елисеев,В.М. Мазур,Л.М. Беккер. Владелец: Левченко Евгений Леонидович. Дата публикации: 2003-05-20.

Method for storage and draining of viscous fluids

Номер патента: RU2020116C1. Автор: Егор Владимирович Гольцов. Владелец: Егор Владимирович Гольцов. Дата публикации: 1994-09-30.

Improvements in the Means for Supporting, Anchoring and Draining Tramway Rails and Rail Beds and the like.

Номер патента: GB190817592A. Автор: Robert Birkett. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-07-08.

An Improved Conveying and Draining Device for Washed Bottles

Номер патента: GB190122419A. Автор: Anders Andersen Pindstofte. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-09-11.

An Overflow and Drain Cock for Oil Wells of Bearings.

Номер патента: GB190111011A. Автор: . Владелец: Vickers Sons and Maxim Ltd. Дата публикации: 1901-07-13.

Water cleaner and draining valve with automatic exhausting and leak- stopping capability

Номер патента: SG166705A1. Автор: Chih-Chien Hsiao. Владелец: Chih Chien Hsiao. Дата публикации: 2010-12-29.

Improvements in the Method of and in Means for Cleansing Rivers, Streams, and Drains.

Номер патента: GB190612698A. Автор: William Robinson,James WHITWORTH. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-05-30.

Method of heating and draining high-viscosity products from vessel with bottom hatch, device to this end and device to feed hot products into said vessel

Номер патента: RU2448888C2. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Михаил Алексеевич Елисеев,Владимир Валентинович Писарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Домодедовский опытный машиностроительный завод". Дата публикации: 2012-04-27.

Hand cart to carry barrels and drain liquids therefrom

Номер патента: RU2375228C1. Автор: Дмитрий Ильич Овчинин,Владимир Николаевич Еремин,Владимир Михайлович Таран,Фёдор Валентинович Белохвостов,Игорь Анатольевич Кувичка. Владелец: Федеральное автономное учреждение "25 Государственный научно-исследовательский институт химмотологии Министерства обороны Российской Федерации". Дата публикации: 2009-12-10.

Installation for sealed processing of oil-sludge, trapped and drain emulsions

Номер патента: RU2116106C1. Автор: Геннадий Николаевич Позднышев,Алексей Михайлович Черек,Владислав Иванович Кузаев. Владелец: Владислав Иванович Кузаев. Дата публикации: 1998-07-27.

Method of warming-up and draining high-viscous products from reservoir and device for realization of this method

Номер патента: RU2260552C1. Автор: Ю.В. Попов,У.Н. Сабиров,Е.Л. Левченко,М.А. Елисеев,А.И. Гамобрамов. Владелец: Левченко Евгений Леонидович. Дата публикации: 2005-09-20.

Floor drain assembly and method

Номер патента: CA2803994C. Автор: Eric Hull. Владелец: Oatey Co. Дата публикации: 2020-01-14.

Valved drain assembly for urostomy pouch

Номер патента: CA1160126A. Автор: Marvin E. Jensen. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 1984-01-10.

Drain assembly for a bathtub and the like

Номер патента: CA2838212C. Автор: William T. Ball,Eric. Pilarczyk. Владелец: WCM Industries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Water trap for a floor drain assembly

Номер патента: AU336807S. Автор: . Владелец: Plastec Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2011-05-27.

LIGATURE-RESISTANT VERTICAL GRAB BAR

Номер патента: US20130019434A1. Автор: Kopp Laurence D.,Kopp Christopher L.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

LIGATURE-RESISTANT LAVATORY ASSEMBLY AND ADJUSTABLE FAUCET AND VALVE

Номер патента: US20130220460A1. Автор: Kopp Laurence D.,Kopp Edward J.,Kopp Christopher L.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

Anti-reflux pumping and draining assembly of headless deaerator and device with anti-reflux pumping and draining assembly

Номер патента: CN212982519U. Автор: 张春香,潘尚尚. Владелец: Jiangsu Juheng Machinery Co ltd. Дата публикации: 2021-04-16.

Improvements in Relief and Drain Valves for Steam, Pneumatic, Hydraulic and other Cylinders.

Номер патента: GB189707710A. Автор: Joseph Freeman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-03-19.

Improved self-closing plug and drain assembly for washbasins sinks andthe like

Номер патента: AU115887B2. Автор: Moore-Macmahon Patrick. Владелец: Individual. Дата публикации: 1942-10-01.

Improved self-closing plug and drain assembly for washbasins sinks andthe like

Номер патента: AU362341A. Автор: Moore-Macmahon Patrick. Владелец: Individual. Дата публикации: 1942-10-01.

Low-wind-resistance strainer or filter block for purifying air, and use method and device of strainer or filter block for purifying air

Номер патента: CN104524876A. Автор: 李涛. Владелец: 李涛. Дата публикации: 2015-04-22.

Improved Construction of Travelling, Plug, for Cleansing Sewers and Drains.

Номер патента: GB190310227A. Автор: Phillip Chase. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-03-10.

A Combined Washing Sink and Draining Table.

Номер патента: GB190515767A. Автор: Franklin Wise Howorth. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-06-07.

Improvements in Apparatus for Rinsing and Draining Bottles.

Номер патента: GB190122449A. Автор: John Leah. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-09-18.

Device for warming up and draining of viscous liquid from rail tank car

Номер патента: RU2033379C1. Автор: Павел Антонович Мусийчук. Владелец: Павел Антонович Мусийчук. Дата публикации: 1995-04-20.

Catheter and drain tube retainer

Номер патента: CA1231608A. Автор: Stuart A. Brodsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-01-19.

Combined vent and drain assembly

Номер патента: CA714338A. Автор: A. Price Martin. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1965-07-27.

Water closet bowl support and drain assembly

Номер патента: CA575158A. Автор: H. Schmid John,V. Boggess Hurley. Владелец: J A ZURN Manufacturing CO. Дата публикации: 1959-05-05.

Device for temporally reducing blood circulation and draining the abdominal cavity when performing surgical operations on spleen

Номер патента: RU2199962C2. Автор: В.В. Протопопов,В.В. Агаджанян,Ю.А. Атаманов. Владелец: Государственный научно-клинический центр охраны здоровья шахтеров. Дата публикации: 2003-03-10.

Device for heating and draining of viscous liquid from rail tank cars

Номер патента: RU2048392C1. Автор: Владимир Владимирович Мусийчук. Владелец: Владимир Владимирович Мусийчук. Дата публикации: 1995-11-20.

Improvement on assembling a block and drain hole prior to setting up a drain pipe

Номер патента: TW333239U. Автор: Jian-Cheng Lai. Владелец: Jian-Cheng Lai. Дата публикации: 1998-06-01.

Improvement connected with Man Holes, and the like for Sewers and Drains.

Номер патента: GB190803476A. Автор: Frederick Edward Bristowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-11-05.

Improvements in the Method of Packing Earthenware, China, and Glass, more particularly applicable to Earthenware Water Closets, Lavatory Basins, and Drain Pipes, and such like. And in the Apparatus employed therein.

Номер патента: GB190403406A. Автор: Harold Hobson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-02-09.

Improved Means for Aerating and Draining Filter Beds.

Номер патента: GB189912182A. Автор: Samuel Henry Adams. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-04-28.

Improvements in Sewer and Drain Pipes.

Номер патента: GB189704960A. Автор: Edwin Codling. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-12-24.

Modular element for draining of water and draining systems

Номер патента: PL357836A1. Автор: Włodzimierz Mysłowski,Janusz Matusiak,Anna Bernacka. Владелец: Przedsiębiorstwo Produkcyjno-Usługowo-Handlowe MARBET-WIL Sp.z o.o.. Дата публикации: 2004-06-28.

Method of draining off water from surface of damp insulation and drain tube therefor

Номер патента: PL296009A1. Автор: Julian Kazanski. Владелец: Inst Badawczy Drog I Mostow. Дата публикации: 1994-04-05.

Draining method of wash water, and drain valve device and draining device having this device and toilet bowl

Номер патента: JP2003239347A. Автор: Takashi Yoshioka,Takayuki Otani,孝幸大谷,Koichi Ogawa,隆吉岡,博之徳永,Hiroyuki Tokunaga,建博小杉,泰司杉田,孝一小川,Takehiro Kosugi,Taiji Sugita. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2003-08-27.

Draining member, draining member installation system, and draining member installation method

Номер патента: JP6704370B2. Автор: 崇公塩本,久矢藤井,塩本　崇公. Владелец: Pacific Consultants Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-03.

Method of connecting plane draining material and drain pipe and coupling

Номер патента: JPS5226704A. Автор: Takayuki Hiraoka,Tomokazu Ninomiya. Владелец: Mitsui Petrochemical Industries Ltd. Дата публикации: 1977-02-28.

Nuclear power plant equipment cooling water drain pipeline plug device and drain pipeline assembly

Номер патента: CN214662912U. Автор: 王志敏,李鸿飞,王琪,徐洋洋,李小泽,贺湘江,吕杰帅,谢岱良. Владелец: Guangxi Fangchenggang Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

HYDRO DISTRIBUTOR OF HYDRAULIC DRIVES OF CONSTRUCTION AND ROAD MACHINES • ^^ "i ^ '^ f- f; 1 • - • It g?" •' ^ / f! C ^ i1;: D (^ ii (ihlL ^^^ I1The hydraulic control valve of the hydraulic drive of construction and road maship is known, containing supply, discharge and working sections, each of which is made in the form of a housing with a spool and pressure and drain channels having seals on butt surfaces. However, during operation of a known hydraulic distributor with significant working pressures, the stud tightening forces ensure reliable sealing of the section joints are very large. As a result, the section bodies are deformed in the transverse direction and the round hole The zolopnik takes on an oval shape. As a result, the spools become jammed with a small diametrical gap. In order to avoid jamming of the spool it is necessary to increase the gap between it and the hole in the body. However, oval opening of the slide under the valve causes significant imbalance and increased displacement, and the expansion of the gap increases the leakage The object of the invention is to reduce the displacement force of the spool by eliminating the ovality of the valve hole from compressing the sections; reduction of fluid leakage into the slide of the slide valve pair due to its reduction; and increasing the reliability of sealing the joints of sections with significant working pressures due to an increase in compression of sections to the required value. This is achieved by the fact that, in the proposed design, the discharge and drain channels are located in the supporting surfaces of the sections between which the axes of the spools are formed notches, width last more openings under the valve. By means of this arrangement of the supporting surfaces of the sections and channels in the housings, the hole for the spool is not deformed and does not change its round shape. FIG. . 1 shows the valve, a general view; in fig. 2 is a cross section along A — A in FIG. one; in fig. 3 is a longitudinal section along section B — B in FIG. one; in fig. 4 is a longitudinal section along B — B in FIG. 1. The proposed hydraulic distributor consists of an inlet of section 1, working section 2 and outlet section 3. Each working section 25 intersects the inlet channel a in which the working fluid is circulated under pressure, pumped by a pump, discharge channels b and 6 ^ along which the fluid returns to the tank, and the overflow channel g. 30 At the junctions between the sections,

Номер патента: SU420740A1. Автор: . Владелец: , П. В. Панкрашкин. Дата публикации: 1974-03-25.

Forest and check strip and method for constructing forest and check systems for joint windbreak and drain controlling on sloping lands

Номер патента: RU2101923C1. Автор: Александр Георгиевич Матгашян. Владелец: Александр Георгиевич Матгашян. Дата публикации: 1998-01-20.

Drain trap construction jig and drain trap construction method

Номер патента: JP3909437B2. Автор: 隆生相原,晶江幡. Владелец: 東陶機器株式会社. Дата публикации: 2007-04-25.

Drain pipe cleaning system and drain pipe cleaning method

Номер патента: JP4514568B2. Автор: 実森田. Владелец: 実森田. Дата публикации: 2010-07-28.

Drain pipe odor blocking piece and drain pipe

Номер патента: CN211948765U. Автор: 彭伍青. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-17.

Bottom drain device hydromonitor nozzle for heating and draining high viscosity and congealed products by substitution

Номер патента: EA017534B1. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Михаил Алексеевич Елисеев,Владимир Валентинович Писарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Домодедовский опытный машиностроительный завод". Дата публикации: 2013-01-30.

Water supply backheating and drain system with medium pressure heater and drain pump

Номер патента: CN203404770U. Автор: 冯伟忠. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-22.

Holder for drain plug and drain plug device provided with the holder

Номер патента: JP3218221B2. Автор: 育實太田. Владелец: 育實太田. Дата публикации: 2001-10-15.

Block for storage and drain and storage and drain structure

Номер патента: JP2018127812A. Автор: 拓治飯田,Takuji Iida,Katsuhiko Baba,克彦馬場. Владелец: Nitto Shoji Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Drain pipe embedding method and drain pipe embedding device used in the method

Номер патента: JP3836201B2. Автор: 耕之吉田. Владелец: Chiyoda Geotech Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-25.

Direct-current brushless draining pump and draining system for air conditioner

Номер патента: CN105275827A. Автор: 黄伟,刘超. Владелец: CHANGZHOU LEILI ELECTRICAL EQUIPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

Drain hose and drain using the hose

Номер патента: JP6179856B2. Автор: 三善梅本. Владелец: SUN-TECH LIMITED. Дата публикации: 2017-08-16.

Draining solvent composition and draining method

Номер патента: JP4320919B2. Автор: 真彰津崎,毅花田. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

LOWER DRAIN DEVICE HYDRAULIC INSTALLATION FOR HEATING AND DRAINING OF HIGH VISCOUS AND FILLED PRODUCTS BY SUBSTITUTION METHOD

Номер патента: RU2009129921A. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Михаил Алексеевич Елисеев,Владимир Валентинович Писарев,Евгений Леонидович Левченко (RU),Михаил Алексеевич Елисеев (RU),Владимир Валентинович Писарев (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Домодедовский опытный машиностроительный завод" (RU). Дата публикации: 2010-10-10.

Device for heating-up viscous liquid and draining it from tank having a draining hole

Номер патента: SU1490031A1. Автор: Николай Иванович Вохмянин. Владелец: Vokhmyanin Nikolaj. Дата публикации: 1989-06-30.

Drain and drain leveling mechanism

Номер патента: CA2997150A1. Автор: Donald G. Huber. Владелец: Drain Company LLC. Дата публикации: 2018-11-12.

Process for draining-off underground waters in soils and draining-off device

Номер патента: RO102474B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1992-11-25.

Solid drain pipe cleaning agent and drain pipe cleaning method

Номер патента: JP4708776B2. Автор: 智光清水,裕美子堀越. Владелец: ST Corp. Дата публикации: 2011-06-22.

Drain recovering system of bog tube and drain recovering method

Номер патента: JPH102495A. Автор: Shinichi Takagi,Shinji Sakai,Masayuki Someya,信二酒井,信以智高木,Yasushi Kuno,泰志久野,真之染谷. Владелец: Chiyoda Chemical Engineering and Construction Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-06.

Water stop structure between water tank and drain trap and water stop method between water tank and drain trap

Номер патента: JP7285674B2. Автор: 信寛穴沢. Владелец: Lixil Corp. Дата публикации: 2023-06-02.

Hot water supply apparatus, drain treatment method thereof, and drain treatment program thereof

Номер патента: JP4974651B2. Автор: 寿晃青木. Владелец: Purpose Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Method for laying horizontal drain with covering filter of fibrous cloth and drain layer bin for its realization

Номер патента: RU2004684C1. Автор: Иван Семенович Николодышев. Владелец: Nikolodyshev Ivan S. Дата публикации: 1993-12-15.

Drain pan mounting device and drain pan mounting method

Номер патента: JP6780834B1. Автор: 忠裕森. Владелец: 株式会社ヤブシタ. Дата публикации: 2020-11-04.

Connection structure between drain opening of toilet stool and drain socket

Номер патента: JPH11324083A. Автор: Hiroyuki Moriki,啓之森木,克巳岩井,Katsumi Iwai. Владелец: Inax Corp. Дата публикации: 1999-11-26.

Roof drain and drain body built into it

Номер патента: JP4951358B2. Автор: 智滝口. Владелец: 株式会社滝口商店. Дата публикации: 2012-06-13.

Drain structure and drain structure construction method

Номер патента: JP2007314963A. Автор: Kenji Taketomi,英樹越川,Hideki Koshikawa,賢治武富. Владелец: KYOWA HARMOTECH KK. Дата публикации: 2007-12-06.

Drain valve device and draining device and toilet bowl

Номер патента: JP2003239348A. Автор: Takashi Yoshioka,Takayuki Otani,孝幸大谷,Koichi Ogawa,隆吉岡,博之徳永,Hiroyuki Tokunaga,建博小杉,泰司杉田,孝一小川,Takehiro Kosugi,Taiji Sugita. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2003-08-27.

Draining agent and draining method using the same

Номер патента: JP3501439B2. Автор: 英二名越. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2004-03-02.

Drain pipe fixture and drain pipe structure

Номер патента: JP5485509B2. Автор: 茂之後藤. Владелец: Mirai Kogyo KK. Дата публикации: 2014-05-07.

Improvements in Traps for Water Closets and Drains.

Номер патента: GB190003717A. Автор: Walter Peplow Little. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-12-31.

Movable storage tank, movable storage tank with draining apparatus and draining apparatus

Номер патента: ZA200807345B. Автор: Pieter Willem Adriaan Steyn. Владелец: Exol Group (Pty) Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

Drain recovery treatment equipment and drain recovery treatment method

Номер патента: TW386898B. Автор: Masahiro Kurokawa,Shiro Inoue,Shoichi Momose,Kazunori Koba. Владелец: Hitachi Shipbuilding Eng Co. Дата публикации: 2000-04-11.

Movable storage tank, movable storage tank with draining apparatus and draining apparatus

Номер патента: AP2008004591A0. Автор: Pieter Willem Adriaan Steyn. Владелец: Exol Group Pty Ltd. Дата публикации: 2008-08-31.

Movable storage tank, movable storage tank with draining apparatus and draining apparatus

Номер патента: AP2928A. Автор: Pieter Willem Adriaan Steyn. Владелец: Exol Group Pty Ltd. Дата публикации: 2014-06-30.

Movable storage tank, movable storage tank with draining apparatus and draining apparatus

Номер патента: AP2013007302A0. Автор: Pieter Willem Adriaan Steyn. Владелец: Exol Group Pty Ltd. Дата публикации: 2013-12-31.

Improvements in and in Centrifugal Machinery or Apparatus for Steeping or Soaking and Draining.

Номер патента: GB190203177A. Автор: James Bingham Alliott. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-01-22.

Device for diagnosing, treating, preventing and draining and/or administering preparations

Номер патента: RU2205039C2. Автор: О.И. Бусел. Владелец: Бусел Олег Ильич. Дата публикации: 2003-05-27.

BLOCK AND DRAIN DEVICE, PREFERREDLY, FOR RAILWAY TANK

Номер патента: RU2004115134A. Автор: Валерий Аванесович Айриев,Олег Георгиевич Крыжановский,Валерий Аванесович Айриев (RU),Олег Георгиевич Крыжановский (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственна фирма "Центральное конструкторское бюро арматуростроени " (RU). Дата публикации: 2005-10-27.

DEVICE FOR FILLING AND DRAINING OXIDIZER OF ROCKET ROCKET

Номер патента: RU2007130388A. Автор: Михаил Викторович Рожков,Владимир Владимирович Ерпылев,Михаил Викторович Рожков (RU),Владимир Владимирович Ерпылев (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическа корпораци "Энерги " имени С.П. Королева" (RU). Дата публикации: 2009-02-20.

Device for warming up and draining of mazut from railway tank cars

Номер патента: RU2103212C1. Автор: Е.Л. Левченко,М.А. Елисеев,В.Н. Кудеяров,С.А. Веялис,А.С. Шаранов,Б.Н. Дубинкин,А.И. Жиров,Б.В. Забулдин,Е.Ф. Ляхин,В.В. Иноземцев. Владелец: Левченко Евгений Леонидович. Дата публикации: 1998-01-27.

METHOD FOR HEATING AND DRAINING HIGH VISCOUS PRODUCTS FROM THE TANK WITH LOWER HATCH, DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION AND DEVICE FOR DELIVERY OF HOT PRODUCT TO THE TANK

Номер патента: RU2009129922A. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Михаил Алексеевич Елисеев,Владимир Валентинович Писарев,Евгений Леонидович Левченко (RU),Михаил Алексеевич Елисеев (RU),Владимир Валентинович Писарев (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Домодедовский опытный машиностроительный завод" (RU). Дата публикации: 2010-10-10.

Detection and draining of leaked water in closed apparatus

Номер патента: JPS5443831A. Автор: Yoshitake Suzuki. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1979-04-06.

Washing machine supply and drain receptacle

Номер патента: CA676203A. Автор: L. Gray Guy,W. Dick Charles. Владелец: Individual. Дата публикации: 1963-12-17.

Recirculating and drain system

Номер патента: CA658239A. Автор: K. Steidley Virgil. Владелец: Gorman Rupp Industries Inc. Дата публикации: 1963-02-19.

An improved apparatus for washing, straining, and draining wool

Номер патента: AU150404A. Автор: Ashworth Henry. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-07-25.

An improved apparatus for washing, straining, and draining wool

Номер патента: AU150404B. Автор: Ashworth Henry. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-07-25.

Force and drain faucet

Номер патента: CA22112A. Автор: Albert J. Weatherhead. Владелец: Individual. Дата публикации: 1885-07-18.

Pipe coupling, closiing device and drain

Номер патента: CA92918A. Автор: Albert Henry Hicks. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-05-02.

Improvements in Means or Apparatus for the Detention, Regulation, and Controlling of the Supply of Water to Closets, Urinals, and Drains for Flushing the same, and for other similar purposes.

Номер патента: GB189502209A. Автор: Alfred Long. Владелец: Individual. Дата публикации: 1895-12-07.

Improvements in and connected with Water Closets and Drains, and in Flushing Apparatus for the same.

Номер патента: GB189415800A. Автор: John Clayton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1894-10-06.

Combined lavatory, faucet and drain control

Номер патента: USD228500S. Автор: Richard L. Ritzenthaler. Владелец: . Дата публикации: 1973-10-02.

Joining structure of water gathering equipment and drain pipe

Номер патента: JPS56124791A. Автор: Seigo Yamawaki. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1981-09-30.

An improved trolley for transporting and draining drums

Номер патента: AU124119B2. Автор: James Darbyshire Ernest. Владелец: Individual. Дата публикации: 1947-05-08.

Improvements in Interceptor Traps and Channels for Sewers and Drains.

Номер патента: GB189414133A. Автор: John Barron. Владелец: Individual. Дата публикации: 1895-05-18.

Apparatus for impregnating and draining shingles

Номер патента: CA305870A. Автор: E. Gosch Harry. Владелец: Creo Dipt Co Inc. Дата публикации: 1930-11-18.

Nozzle for filling and draining tanks

Номер патента: CA515070A. Автор: Everett H. Badger, Jr.. Владелец: PARKER APPLIANCE CO. Дата публикации: 1955-07-26.

Device for toilet and drain opening and floor cleaning

Номер патента: TW410831U. Автор: Lung-Jing Lin. Владелец: Lin Lung Jing. Дата публикации: 2000-11-01.

Gas and Air Testing Apparatus, for Testing Gas, Soil, and Drain Pipes.

Номер патента: GB189501972A. Автор: Robert Morton,David Purves. Владелец: Individual. Дата публикации: 1896-01-04.

A bridge that simulates geothermal heat to melt ice and snow and drain water

Номер патента: GB202009610D0. Автор: . Владелец: Dongyang Mianshi Construction Eng Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-05.

Jointing structure of drainage head and draining pipe

Номер патента: TWM319947U. Автор: Ti-Nian Shr. Владелец: P Sun Internat Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-01.

Combined trapp and ventilator sewers and drains

Номер патента: CA7805A. Автор: Francois X. Rousseau. Владелец: Individual. Дата публикации: 1877-08-29.

Machine for cleaning sewers and drain pipes

Номер патента: CA69298A. Автор: Patrick J. Haley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-02-01.

Compound for the manufacture of sanitary and drain pipes

Номер патента: CA32416A. Автор: Bertel E. Olsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1889-10-02.

Attachment for filling and draining fuel tanks

Номер патента: CA511619A. Автор: H. Davies Robert. Владелец: PARKER APPLIANCE CO. Дата публикации: 1955-04-05.

Improvements relating to oil scraping and draining means for use on pistons

Номер патента: AU343239A. Автор: Herman Cords William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1940-01-25.

Improvements relating to oil scraping and draining means for use on pistons

Номер патента: AU109582B2. Автор: Herman Cords William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1940-01-25.

Air line filter and drain float assembly therefor

Номер патента: CA820063A. Автор: J. Lansky Zdenek. Владелец: Individual. Дата публикации: 1969-08-12.

Coal washing and draining method

Номер патента: CA330003A. Автор: Lessing Rudolf,Herbert Allen Roland. Владелец: CLEAN COAL Co Ltd. Дата публикации: 1933-02-07.

Water supplying and draining apparatus for a toilet bowl

Номер патента: AU2002241393A1. Автор: Heung-Mook Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-08.

Inflation and drain valve first for lp-gas cylinders of household purpose

Номер патента: HUT56931A. Автор: Istvan Hajdu,Zoltan Bertli. Владелец: Pebe Coop Gazipari Fejlesztoe. Дата публикации: 1991-10-28.

Tank filling and draining system and control valve assembly therefor

Номер патента: AU404578B2. Автор: STUART ELBOGEN and PAUL ANDRE DEGRAAF JAMES. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 1967-03-16.

A Combined Plate Rack and Draining Board

Номер патента: GB190312097A. Автор: William Charles Horner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-04-28.

Mattress and drain tube

Номер патента: CA70122A. Автор: Felix Philias Geoffrion. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-02-05.

Combined spout and drain control lever

Номер патента: USD296236S. Автор: Axel Enthoven. Владелец: American Standard Inc. Дата публикации: 1988-06-14.

An improved trolley for transporting and draining drums

Номер патента: AU1928145A. Автор: James Darbyshire Ernest. Владелец: Individual. Дата публикации: 1947-05-08.

Scalding, sterilizing, and draining dish, and water tray, for drying crockery after washing up

Номер патента: AU206088B2. Автор: Percy Alfred Childs Sydney. Владелец: Individual. Дата публикации: 1955-04-21.

Fluid filling and draining apparatus for tanks

Номер патента: CA723436A. Автор: N. Shaw Harry,E. Poethig Robert. Владелец: Bastian Blessing Co. Дата публикации: 1965-12-14.

Structure of waterrpermeable waterproof porous paper pipe for water collection and draining

Номер патента: JPS5374707A. Автор: Yoshiyuki Shimokawa. Владелец: KINDAI CHISUI SENTAA KK. Дата публикации: 1978-07-03.

Improved apparatus for moving and draining clothes andother articles

Номер патента: AU118511A. Автор: Thomas Freeman George. Владелец: Individual. Дата публикации: 1912-05-28.

Combined cover and drain boards

Номер патента: CA302623A. Автор: E. Geldhof Peter. Владелец: Syracuse Washing Machine Corp. Дата публикации: 1930-07-29.

Combined sink and draining board unit

Номер патента: CA47429S. Автор: . Владелец: BILL S CAMERACRAFT Ltd. Дата публикации: 1980-10-20.

Method of dewatering soil in particular road and railway embankments and drain pipe therefor

Номер патента: PL289880A2. Автор: Andrzej Pietrzyk,Grzegorz Bajorek. Владелец: Politechnika Rzeszowska. Дата публикации: 1992-01-13.

Seal structure of container and drain filter

Номер патента: AU2001271029A1. Автор: Jiro Tanaka,Hideaki Kasahara,Takaaki Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2003-03-03.

Combined trap and ventilator for sewers and drains

Номер патента: CA15385A. Автор: Francois X. Rousseau. Владелец: Individual. Дата публикации: 1882-08-29.

Wire basket for receiving and draining china, etc.

Номер патента: CA22319A. Автор: Charlotte C. Cannom. Владелец: Individual. Дата публикации: 1885-08-31.

Air inlet for sewers, traps and drains

Номер патента: CA29219A. Автор: Ezra S. Mcclellan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1888-05-28.

A New or Improved Presser and Drainer for Pressing and Draining certain kinds of Cooked Vegetables and for other like purposes.

Номер патента: GB189715622A. Автор: Frederick Ryland. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-05-20.

METHOD TO REDUCE CONTACT RESISTANCE OF N-CHANNEL TRANSISTORS BY USING A III-V SEMICONDUCTOR INTERLAYER IN SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20120168877A1. Автор: Mukherjee Niloy,Dewey Gilbert,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Metz Matthew V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

Configuration and Fabrication of Semiconductor Structure in Which Source and Drain Extensions of Field-effect Transistor Are Defined with Different Dopants

Номер патента: US20120184077A1. Автор: Bahl Sandeep R.,Bulucea Constantin,French William D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

Structure and Method to Enabling A Borderless Contact To Source Regions and Drain Regions Of A Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Transistor

Номер патента: US20120217588A1. Автор: Vega Reinaldo A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-30.

Shallow Source and Drain Architecture in an Active Region of a Semiconductor Device Having a Pronounced Surface Topography by Tilted Implantation

Номер патента: US20120241864A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

Ligature resistant strainer and drain assembly

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты