Circuit with Impedance Elements Connected to Sources and Drains of PMOSFET Headers.

Circuit with Impedance Elements Connected to Sources and Drains of PMOSFET Headers

Номер патента: US20190007043A1
Опубликовано: 03-01-2019
Автор(ы): Chen Andy Wangkun, Chen Hsin-Yu, Chong Yew Keong, Li Yicong, Thyagarajan Sriram
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Circuit with impedance elements connected to sources and drains of pMOSFET headers

Номер патента: US10177760B1. Автор: Hsin-Yu Chen,Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Yicong Li. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-01-08.

Circuit with Impedance Elements Connected to Sources and Drains of PMOSFET Headers

Номер патента: US20190007043A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Yicong Li. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-01-03.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09933835B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Charge-scaling multiplier circuit with digital-to-analog converter

Номер патента: US20200127626A1. Автор: II John E. Sheets,George Paulik,Phil Paone,Karl Erickson,David Paulsen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Integrated circuit with self-reference impedance

Номер патента: US11804840B2. Автор: Qing-Zhe Qui,Can Quan,Su-Hang CHEN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrated circuit with self-reference impedance

Номер патента: US20230141008A1. Автор: Can Quan,Su-Hang CHEN,Qing-Zhe Qiu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Integrated circuit with clock distribution

Номер патента: EP3665777A1. Автор: Magnus ÅSTRÖM,Fredrik Tillman,Christian Elgaard. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2020-06-17.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: AU2021339521A9. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: EP4211801A1. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-07-19.

Electronic trimming circuit with reduced number of dedicated trimming pins

Номер патента: US8525579B2. Автор: Giuseppe Scilla,Francesco Distefano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-09-03.

Electronic trimming circuit with reduced number of dedicated trimming pins

Номер патента: US20120293241A1. Автор: Giuseppe Scilla,Francesco Distefano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-11-22.

Current mirror circuits with narrow bandwidth bias noise reduction

Номер патента: US09641167B2. Автор: Ganesh K. Balachandran,Vladimir P. Petkov. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-05-02.

Data receiving circuit with latch and equalizer

Номер патента: US11798602B1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Data receiving circuit with latch and equalizer

Номер патента: US20230368822A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Oscillation circuit with frequency dependent on incident light

Номер патента: US4357581A. Автор: Mitsuo Higuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-11-02.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09800048B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

CMOS power-on reset pulse generating circuit with extended reset pulse duration

Номер патента: US4558233A. Автор: Tutomu Nakamori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

Asynchronous circuit with sequential write operations

Номер патента: US09514081B2. Автор: Marc Renaudin,Yassine Rjimati,Alain Fonkoua,Yannick Monnet. Владелец: TIEMPO. Дата публикации: 2016-12-06.

Crossbar array circuits with 2t1r rram cells for low voltage operations

Номер патента: US20220130902A1. Автор: Ning Ge,Wenbo Yin. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory device having wiring layout for electrically connecting to switch and capacitor components

Номер патента: US09679629B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuits with asymmetric and stacked transistors

Номер патента: US09496268B2. Автор: Jun Liu,Qi Xiang,Irfan Rahim,Andy L. Lee,Yanzhong Xu,Srinivas Perisetty,Albert Ratnakumar,Shankar Sinha,Jeffrey T. Watt,Jeffrey Xiaoqi Tung,Shih-Lin S. Lee. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Universal error-correction circuit with fault-tolerant nature, and decoder and triple modular redundancy circuit that apply it

Номер патента: US09577960B2. Автор: Chen-Xiong Zhang,Yangyang Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit with identification signal writing circuitry distributed on multiple metal layers

Номер патента: US5787012A. Автор: Marc E. Levitt. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1998-07-28.

Power reset circuit with zero standby current consumption

Номер патента: US8633744B1. Автор: Yu-Chun Wang,Hsiao-Hua Lu,Chih-Ming Kuo. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Logic and memory circuit with reduced input-to-output signal propagation delay

Номер патента: US5557581A. Автор: Godfrey P. D'Souza. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Synchronizer circuit with dual input

Номер патента: US4544851A. Автор: Karl M. Guttag,Derek Roskell,Marvin Conrad,John V. Schabowski,Jim A. Carey,Brian Shore. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1985-10-01.

Junction field-effect transistor with raised source and drain regions formed by selective epitaxy

Номер патента: US9236499B2. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Kevin K. Chan,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Electronic circuit with device for monitoring a power supply using a trip threshold chosen from a range of voltages around a band gap voltage

Номер патента: US20190123737A1. Автор: Jimmy Fort,Francesco La Rosa,Nicolas Borrel. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2019-04-25.

Integrated circuit with ESD protection

Номер патента: US11990192B2. Автор: Toshiaki DOZAKA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Power-on-reset and supply brown out detection circuit with programmability

Номер патента: US09490796B2. Автор: Sajal Kumar MANDAL,Pralay Mandal. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2016-11-08.

Crossbar array circuit with parallel grounding lines

Номер патента: US20210159274A1. Автор: Ning Ge. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Multiple phase clock generator circuit with control circuit

Номер патента: US3740660A. Автор: T Davies. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1973-06-19.

Output buffer circuit with non-target odt function

Номер патента: WO2020209977A1. Автор: Tetsuya Arai,Junki Taniguchi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement, method of using, and system for using

Номер патента: US20230367949A1. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Glitch-free clock switching circuit with clock loss tolerance and operation method thereof and glitch-free clock switching device

Номер патента: US20230341891A1. Автор: Shih-Chuan Lu,Dianying LI. Владелец: Artery Technology Co. Дата публикации: 2023-10-26.

Electronic circuit with conductive links and method for making such links

Номер патента: RU2296440C2. Автор: Франсуа ДРОЗ. Владелец: Награид Са. Дата публикации: 2007-03-27.

Integrated circuit with precision current source

Номер патента: US09608626B1. Автор: Gabriel E. Tanase. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Pockels cell driver circuit with inductances

Номер патента: US09703126B2. Автор: Thorald Horst Bergmann,Mathias Siebold,Markus Löser. Владелец: Bergmann Messgeraete Entwicklung KG. Дата публикации: 2017-07-11.

Comparator circuit with speed control element

Номер патента: US20230370080A1. Автор: Aviv Berg,Roee Eitan,Yaakov DAYAN,Yosi Sanhedrai,Esther T. FRIDMAN,Kirill BLUM. Владелец: Retym Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Sensing circuit with signal compensation

Номер патента: US20220300109A1. Автор: Hung-Yen Tai,Chen-Yuan Yang,Tzu-Hsuan Liu. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2022-09-22.

Sequential circuit with error detection

Номер патента: US09594625B2. Автор: Tanay Karnik,Janice C. Lee,Nam Sung Kim,Keith A. Bowman,Vivek K. De,James W. Tschanz,Shih-Lien L. Lu,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Charge-scaling multiplier circuit with dual scaled capacitor sets

Номер патента: US20200125328A1. Автор: II John E. Sheets,George Paulik,Phil Paone,Karl Erickson,David Paulsen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for low-current oscillatory circuit with wide operation voltage and temperature compensation

Номер патента: US10951163B1. Автор: Chun-Hsien Lin,Wen-Sheng Lin,Peng-Han Chan,Sheng-Cheng LEE,Yu-Cheng Su. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

High-speed sample-and-hold circuit with gain

Номер патента: EP1402646A1. Автор: Sasan Cyrusian,Elmar Bach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-31.

Switched-capacitor circuit with large time constant

Номер патента: IE61344B1. Автор: Krishnaswamy Nagaraj. Владелец: American Telephone & Telegraph. Дата публикации: 1994-11-02.

Switched-capacitor circuit with large time constant

Номер патента: IE891184L. Автор: Krishnaswamy Nagaraj. Владелец: American Telephone & Telegraph. Дата публикации: 1989-10-11.

Rms circuits with bipolar logarithmic converter

Номер патента: US3681618A. Автор: David E Blackmer. Владелец: David E Blackmer. Дата публикации: 1972-08-01.

Level shift circuit, light source, and image forming apparatus

Номер патента: US20230101695A1. Автор: Naoki Isoda,Taro Muraki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Level shift circuit, light source, and image forming apparatus

Номер патента: US11824532B2. Автор: Naoki Isoda,Taro Muraki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Array substrate having source and drain transfer portions integrated with channel and liquid crystal display panel including same

Номер патента: US10388679B2. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-20.

A smps circuit with multiple ac/dc inputs and application of such circuit to computer power supplies or laptop adapters

Номер патента: EP2122804A2. Автор: Sergin Özenc. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-25.

Control circuit with multiple power sources

Номер патента: US20030098616A1. Автор: Li-Te Wu,Hsi-Yuan Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Crossbar array circuit with parallel grounding lines

Номер патента: US20230209841A1. Автор: Ning Ge. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Multi-deck circuits with common rails

Номер патента: US20210356980A1. Автор: Davide Bianchi,Neil J. HOWARD. Владелец: Sensata Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Multi-deck circuits with common rails

Номер патента: EP4150429A1. Автор: Davide Bianchi,Neil J. HOWARD. Владелец: Sensata Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with short one horizontal time

Номер патента: US20200135105A1. Автор: TONG Lu,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: EP4042474A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: WO2021067909A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-04-08.

Integrated circuit with fault reporting structure

Номер патента: US20240333024A1. Автор: Ming Lu,Hang YANG,Pengjie Lai. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with short one horizontal time

Номер патента: US20200135106A1. Автор: TONG Lu,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

An apd bias circuit with dual analog feedback loop control

Номер патента: US20240271998A1. Автор: HAIMIN TAO,Aleksandar Sevo,Karnekumar ARULANDU,Christian Jordan. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-08-15.

An apd bias circuit with dual analog feedback loop control

Номер патента: EP4352792A1. Автор: HAIMIN TAO,Aleksandar Sevo,Karnekumar ARULANDU,Christian Jordan. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-04-17.

Audio output device to dynamically generate audio ports for connecting to source devices

Номер патента: US09501259B2. Автор: Michael Larson,Todd Malsbary. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit with off-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266381A1. Автор: Gaudenzia BAGNATI,Diego Alagna,Marzia Annovazzi,Lucia MAGGIO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Circuit with a droop compensating mechanism

Номер патента: US09972995B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Chien-Jung Wang,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Switched current temperature sensor circuit with compounded ΔVBE

Номер патента: US5982221A. Автор: Michael G. Tuthill. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Integrated circuit with driver circuit

Номер патента: GB1536004A. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1978-12-13.

Array substrate having source and drain transfer portions integrated with channel and liquid crystal display panel including same

Номер патента: US20190148418A1. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Power-switching circuit with soft-start circuit

Номер патента: EP3751392A1. Автор: Cheng-Hung Yu,Yun-Teng Shih,Kuo-Chan Hsu,Yu-Shin Liao. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2020-12-16.

Integrated circuit with sensors and manufacturing method

Номер патента: US09606079B2. Автор: Matthias Merz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and internet terminal for remotely performing operations on a secure element connected to a communication device

Номер патента: US09578058B2. Автор: Andras Vilmos,Balázs István BENYÓ,Gergely Fördös. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Voltage booster circuit with plural booster units having outputs connected in common

Номер патента: US5644534A. Автор: Kouta Soejima. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-01.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Fan driving circuit with temperature compensation

Номер патента: US20220066421A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Sheng-Chien Chou,Cheng-Yung LO. Владелец: Sea Sonic Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US20170092523A1. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Voltage regulated circuit with well resistor divider

Номер патента: US6624737B2. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Hui-Chih Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Voltage regulated circuit with well resistor divider

Номер патента: US20030146740A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Hui-Chih Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Structure of AMOLED driver circuit with external compensation

Номер патента: US09847057B2. Автор: Taijiun HWANG,Jihshiang Lee. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Voltage supply circuit with an auxiliary voltage supply unit and method for starting up electronic circuitry

Номер патента: US09742393B2. Автор: Birama GOUMBALLA,Olivier Tico,Cristian Pavao-Moreira. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US09633882B2. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Programmable integrated circuits with decoupling capacitor circuitry

Номер патента: US09329608B1. Автор: Chris Wysocki,Zahir Parpia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

LCD having a peripheral circuit with TFTs having the same structure as TFTs in the display region

Номер патента: US5701167A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-23.

Integrated circuit with power state determination circuit

Номер патента: US20120074926A1. Автор: Hideaki Suzuki,Takayuki Nagasawa,Hidetoshi Sugiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Selection circuit with only idel, capture, shift, and update states

Номер патента: US8634508B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Multi-deck circuits with common rails

Номер патента: WO2021231189A1. Автор: Davide Bianchi,Neil J. HOWARD. Владелец: SENSATA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

All-digital spread spectrum clock generating circuit with emi reduction effect and a method for controlling the same

Номер патента: US20140177681A1. Автор: Ching-che Chung,Wei-Da Ho. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-26.

Integrated circuits with optical flow computation circuitry

Номер патента: US09819841B1. Автор: Dmitry N. Denisenko. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

All-digital spread spectrum clock generating circuit with EMI reduction effect and a method for controlling the same

Номер патента: US09450641B2. Автор: Ching-che Chung,Wei-Da Ho. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-09-20.

Oxidizing the Source and Doping the Drain of a Thin-Film Transistor

Номер патента: US20150372150A1. Автор: Ya-Ju Lu,Chin-Tzu Kao,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Cheng Lu. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Electronic Circuit with Connection Error Indication Function

Номер патента: US20190277902A1. Автор: Lin Yang,Tao Xiong,Chuanchuan Zhuang,Fengguo Zhang,Guiquan Lu. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for detecting arc short circuits with application of switched elements in socket

Номер патента: RU2633518C2. Автор: Джереми Д. ШРЕДЕР,Джозеф БЕЙЕРШМИТТ. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЮЭсЭй, ИНК.. Дата публикации: 2017-10-13.

Oscillator circuit with RF suppression

Номер патента: US09869698B2. Автор: Saieb Alrawi. Владелец: Landis and Gyr LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Voltage and current sense circuits for measuring a load connected to a power amplifier

Номер патента: US20240329099A1. Автор: Marco Berkhout,Mike Hendrikus Splithof. Владелец: Goodix Technology Hong Kong Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Eletronic circuit with a current ripple filter

Номер патента: US20150061411A1. Автор: Martin Svensson,Mikael Appelberg,Jorgen Olsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Two-Stage Circuit With Power Supply Rejection Filter

Номер патента: US20240275348A1. Автор: Yunliang Zhu,Marco Vigilante. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Two-stage circuit with power supply rejection filter

Номер патента: WO2024172960A1. Автор: Yunliang Zhu,Marco Vigilante. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic circuit with a current ripple filter

Номер патента: US09971315B2. Автор: Martin Svensson,Mikael Appelberg,Jorgen Olsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-05-15.

Flexible circuit with partial ground path

Номер патента: US09900981B2. Автор: Karl Ziegler,Kevin D. McKinstry. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Stabilizer circuit with frequency compensation circuit adapting to load changes

Номер патента: LU503319B1. Автор: Ye Lin,Yijie ZHANG. Владелец: Nanjing Research Institute Of Electronics Tech. Дата публикации: 2023-07-10.

Integrated circuit with switching amplifier output fault detection

Номер патента: US11750992B2. Автор: Mohit Chawla,Venkata Ramanan Ramamurthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

MOS-based current mirror circuit with push-pull amplifier

Номер патента: US12085971B2. Автор: Hiroyuki Kimura,Yuanyuan Yang. Владелец: Morse Micro Pty Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Voltage and current sense circuits for measuring load connected to power amplifier

Номер патента: WO2023109760A1. Автор: Marco Berkhout,Mike Hendrikus Splithof. Владелец: Goodix Technology (Hk) Company Limited. Дата публикации: 2023-06-22.

An electronic circuit with a current ripple filter

Номер патента: WO2013152785A1. Автор: Martin Svensson,Mikael Appelberg,Jorgen Olsson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2013-10-17.

An electronic circuit with a current ripple filter

Номер патента: EP2837078A1. Автор: Martin Svensson,Mikael Appelberg,Jorgen Olsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2015-02-18.

Method for dynamic noise reduction of magnetic field sensor signals and a magnetic field sensor circuit with dynamic noise reduction

Номер патента: US09989598B2. Автор: Stefan Keller,Rolf Hakenes. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2018-06-05.

Control circuit with manual/remote control function

Номер патента: US20080157604A1. Автор: Ren-Horng You. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2008-07-03.

Electrical circuits with non-linear impedance elements

Номер патента: FR1118491A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1956-06-06.

Automobile wheel integrated rotation sensor operational to indicate vehicle speed and distance travelled - uses flexible printed circuit with two folded, perforated tabs to make connection to coaxial cable.

Номер патента: FR2692351A1. Автор: Hennequin Yves,Bernard André. Владелец: Jaeger. Дата публикации: 1993-12-17.

Circuit with switch for discharging capacitive elements connected to a safety-related digital input

Номер патента: US20240272223A1. Автор: Christian Voss,Torsten Meyer,Karl Heckemann. Владелец: Wago Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Sensors with impedance elements on substrate for high voltage separable connectors

Номер патента: EP3811470A1. Автор: Carl J. Wentzel,Richard D. Twigg,Mark Gravermann,Jens Weichold,Jaylon D. Loyd,Christopher R. Wilson,Gunther A.J. STOLLWERCK,Harald Westkamp. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-04-28.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Display Port (DP) sink device having main Phy circuit with plurality of DP connectors and plurality of AUX Phy circuits coupled to subsidiary link circuit

Номер патента: US12125457B2. Автор: Wen-Chi Lin,Li-Wei Chen,Pao-Yen Lin,Chung-wen Hung,Hsiang-Chih Chen,Cheng-Wei Sung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-10-22.

Backlight control circuit with two transistors

Номер патента: US20070109253A1. Автор: TONG Zhou,HUA Xiao,Jia-Hui Tu,Jin-Liang Xiong. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Multi-stage voltage regulating circuit with automatic thermal compensation and regulating method thereof

Номер патента: US20120126770A1. Автор: Kuo-Chen Tsai,Der-Jiunn Wang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-05-24.

Tie-off circuit with output node isolation for protection from electrostatic discharge (ESD) damage

Номер патента: US09601921B2. Автор: CHEN GUO,Yutaka Nakamura,Jun Sawada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Input/output interface circuit with overpower protection

Номер патента: US20130194709A1. Автор: Andrei Bucsa,Aurel Cojocaru. Владелец: Tyco Safety Products Canada Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Power supply circuit with high speed response to large rush voltage in power supply

Номер патента: US12009739B2. Автор: Chen Kong TEH. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Computational circuit with hierarchical accumulator

Номер патента: US12118060B2. Автор: Ljubisa Bajic,Alex Cejkov,Davor Capalija. Владелец: Tenstorrent Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Rectifier circuit with AC side short-circuiting function and synchronized switch harvesting on inductor converter

Номер патента: US09450504B2. Автор: Peter Spies,Henrik ZESSIN,Lars LUEHMANN,María Loreto MATEU SÁEZ. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-09-20.

Transistor arrangement and electronic circuit with a transistor arrangement

Номер патента: WO2020182721A1. Автор: Björn Fischer,Hans Weber,Franz Hirler,Matteo-Alessandro Kutschak,Andreas Riegler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-09-17.

High speed element of an integrated circuit with a majority carrier junction having a large current capability

Номер патента: US4015283A. Автор: Yutaka Hayashi,Yasuo Tarui. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-03-29.

Low-voltage test signal path protection circuit with extended bandwidth, overvoltage and transient protection

Номер патента: WO2000054061A1. Автор: Raymond D. Zoellick. Владелец: FLUKE CORPORATION. Дата публикации: 2000-09-14.

Integrated circuit with at least two switches

Номер патента: US09859274B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of valley inductance current polarity detection in a pulse width modulated circuit with an inductive charge

Номер патента: US09459311B2. Автор: Vratislav Michal. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2016-10-04.

Resonant virtual supply booster for synchronous logic circuits and other circuits with use of on-chip integrated magnetic inductor

Номер патента: US10270443B2. Автор: Rajiv V. Joshi,Bruce B. Doris,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Resonant virtual supply booster for synchronous logic circuits and other circuits with use of on-chip integrated magnetic inductor

Номер патента: US10256819B2. Автор: Rajiv V. Joshi,Bruce B. Doris,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Resonant virtual supply booster for synchronous logic circuits and other circuits with use of on-chip integrated magnetic inductor

Номер патента: US20180337679A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Bruce B. Doris,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Resonant virtual supply booster for synchronous logic circuits and other circuits with use of on-chip integrated magnetic inductor

Номер патента: US20180337678A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Bruce B. Doris,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Resonant virtual supply booster for synchronous logic circuits and other circuits with use of on-chip integrated magnetic inductor

Номер патента: US20180337677A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Bruce B. Doris,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Power supply decoupling circuit with decoupling capacitor

Номер патента: US09525349B1. Автор: Yeong-Sheng Lee. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Electrical Communications Circuit With Spur Diagnostics

Номер патента: US20110190955A1. Автор: Renato Kitchener,Steffen Graber,Gunther Rogoll. Владелец: Pepperl and Fuchs SE. Дата публикации: 2011-08-04.

Low power logic circuit with storage charge control for fast switching

Номер патента: US4626710A. Автор: Siegfried K. Wiedmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-12-02.

Semiconductor chip having a circuit with cross-coupled transistors to thwart reverse engineering

Номер патента: US09431398B2. Автор: Thomas Kuenemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Automatic on/off circuit with time delay

Номер патента: CA1276228C. Автор: Abdul K. Nusairat,Kurt L. Farmer. Владелец: FOX Technology Inc. Дата публикации: 1990-11-13.

Master-slave charging circuit with slave charger input current sensing and adaptive battery current limiting

Номер патента: WO2018208434A1. Автор: Stuart Pullen,Chunping Song,Steve Hawley,Jialei Xu,Neal Horovitz,Shashank Prakash Mane. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for adapting an electrical circuit with a controlling device

Номер патента: WO2020120372A1. Автор: VINCENT Thibault,Romain Cazalis,Eric NADAL. Владелец: NETATMO. Дата публикации: 2020-06-18.

Multi-stage voltage regulating circuit with automatic thermal compensation and regulating method thereof

Номер патента: US8466666B2. Автор: Kuo-Chen Tsai,Der-Jiunn Wang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-06-18.

Power supply circuit with synchronization functionality

Номер патента: US20230327459A1. Автор: Brian P. Brown,James E. Widen, JR.. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Power supply circuit with synchronization functionality

Номер патента: US11984708B2. Автор: Brian P. Brown,James E. Widen, JR.. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for adapting an electrical circuit with a controlling device

Номер патента: US20220006904A1. Автор: VINCENT Thibault,Romain Cazalis,Eric NADAL. Владелец: Netatmo SAS. Дата публикации: 2022-01-06.

Vtfet circuit with optimized mol

Номер патента: US20240213252A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuits with standard cell

Номер патента: US20190088639A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chin-Sheng Yang,Chien-Fu Chen,Chao-Wei Lin,Chen-Hsien Hsu,Zhi-Hong HUANG,Cheng-Yang Tsai,Cheng-Tsung Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-01-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP2012324B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: CA2565989A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: WO2005112040A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2005-11-24.

Backlight control circuit with flexible configuration

Номер патента: US09629214B2. Автор: Jing-Meng Liu,Chiawei Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Pixel driver circuit with load-balance in current mirror circuit

Номер патента: US9472138B2. Автор: Arokia Nathan,Peyman Servati,Shahin Jafarabadiashtiani,Kapil V. Sakariya. Владелец: Ignis Innovation Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuit with battery serving as power source having CMOS analog and digital circuits and regulated stepped up voltage source

Номер патента: US5107138A. Автор: Hiroyuki Saito,Yoichi Seki,Michio Taniwaki,Teruyo Hayakawa. Владелец: Seikosha KK. Дата публикации: 1992-04-21.

A battery circuit with parallel battery systems and battery testing means, and a method, for a vehicle

Номер патента: SE2150306A1. Автор: Gunnar Ledfelt,Lukas Rydén. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2022-09-19.

A battery circuit with parallel battery systems and battery testing means, and a method, for a vehicle

Номер патента: SE2150305A1. Автор: Gunnar Ledfelt,Lukas Rydén. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2022-09-19.

High precision current sampling circuit with on-chip real-time calibration

Номер патента: US11846658B2. Автор: WEI Qi,Nailong Wang. Владелец: X Signal Integrated Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Rectifier circuit with ac side short-circuiting function and synchronized switch harvesting on inductor converter

Номер патента: EP2764613A2. Автор: Peter Spies,Henrik ZESSIN,María Loreto MATEU SÁEZ,Lars LÜHMANN. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2014-08-13.

Electronic circuit with rram cells

Номер патента: US20240135991A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Jean-Michel PORTAL,Mona EZZADEEN. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2024-04-25.

Bias circuit with improved noise performance

Номер патента: US11985442B2. Автор: Francisco Tejada,Stephen Holden Black,Paul Richard Behmen. Владелец: NU-TREK Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Communication circuit with impedance matching

Номер патента: US09537462B2. Автор: James Spehar,Madan Vemula. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-01-03.

Amplifier circuit with crossed wiring of direct-current signals and shf signals

Номер патента: RU2565366C1. Автор: Бинь ЧЗАН,Хунци ТАО. Владелец: Чайна Электроникс Текнолоджи Груп Корпорейшн N 55 Ресэч Инститьют. Дата публикации: 2015-10-20.

Integrated electronic circuit comprising an electronic component and a delay element which is connected to the component

Номер патента: WO2000065714A1. Автор: Roger Ahlm. Владелец: Avancerade Logikmaskiner Ab. Дата публикации: 2000-11-02.

Darlington circuit with constant voltage source and integrated circuit device integrated the darlington circuit with constant voltage source

Номер патента: WO2008038998A1. Автор: Ok-Sang Jin. Владелец: Ok-Sang Jin. Дата публикации: 2008-04-03.

Radio frequency circuit with impedance matching

Номер патента: US8848394B2. Автор: Cristian Andrei. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-09-30.

Integrated circuit with inductive pickup loop

Номер патента: US20220367571A1. Автор: Alexander Schade,Sergey Miropolskiy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-11-17.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Integrated FET circuit with input current cancellation

Номер патента: US4068254A. Автор: George Erdi. Владелец: Precision Monolithics Inc. Дата публикации: 1978-01-10.

Amplifier circuit with cross wiring of direct-current signals and microwave signals

Номер патента: CA2873911A1. Автор: Bin Zhang,Hongqi TAO. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2013-11-28.

Amplifier circuit with cross wiring of direct-current signals and microwave signals

Номер патента: CA2873911C. Автор: Bin Zhang,Hongqi TAO. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2018-01-02.

Scalable integrated circuit with synaptic electronics and cmos integrated memristors

Номер патента: EP3987452A1. Автор: Jose Cruz-Albrecht,Narayan Srinivasa,Timothy Derosier. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2022-04-27.

High power amplifier circuit with protective feedback circuit

Номер патента: US20210075380A1. Автор: Daniel Gruner,Anton Labanc. Владелец: Comet AG. Дата публикации: 2021-03-11.

High power amplifier circuit with protective feedback circuit

Номер патента: EP3586440A1. Автор: Daniel Gruner,Anton Labanc. Владелец: Comet AG. Дата публикации: 2020-01-01.

Method for producing a transistor with metallic source and drain

Номер патента: US20110003443A1. Автор: Maud Vinet,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-06.

Flip-flop circuit with resonant tunneling diode

Номер патента: US5543748A. Автор: Yuji Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

COMPUTERIZED MONOLITHIC CIRCUIT WITH REMOTE PROGRAMMABLE FUNCTIONS THAT CAN BE CONNECTED TO ELECTRIC ACTUATORS AND DISPLAYS OR

Номер патента: ITMI981244A1. Автор: Lorenzo Ancona,Cristiano Ancona. Владелец: Cristiano Ancona. Дата публикации: 1999-12-03.

Switching element and a diode being connected to a power source and an inductive load

Номер патента: US20150287715A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Oxidizing the Source and Doping the Drain of a Thin-Film Transistor

Номер патента: US20150372150A1. Автор: Lu Wen-Cheng,Kao Chin-Tzu,Lu Ya-Ju,CHUNG Hsiang-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers

Номер патента: US09515633B1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Electrical circuit with passive wiring connector for electrical device mounted on vehicle window

Номер патента: US20140099840A1. Автор: John S. Kargilis,Hugh W. Ireland,David A. Bustamante. Владелец: CHRYSLER GROUP LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

Internally coated hollow member, has a coating supplied using a gas plasma by pulling the component to be coated through a ring electrode connected to an HF source and direct current source

Номер патента: DE10245459A1. Автор: Ludwig His. Владелец: Hiss, Ludwig. Дата публикации: 2004-04-08.

Battery cell charging/discharging jig capable of connecting to multiple power sources, and battery cell charging/discharging system including same

Номер патента: EP4084268A4. Автор: Ji Sun Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Integrated four-phase digital memory circuit with decoders

Номер патента: US3886532A. Автор: Horst A R Wegener,Douglas R Askegard. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1975-05-27.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US09466701B2. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Active device divider circuit with adjustable IQ

Номер патента: US09813056B2. Автор: Bin Shao,Junxiao Chen,Danzhu Lu. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043992A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor wafer having integrated circuits with bottom local interconnects

Номер патента: US20200303244A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US8884363B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US09673060B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443944B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Latch circuit with a small number of nodes for high speed operation

Номер патента: EP1096677A3. Автор: Toyoo NEC Yamagata Ltd. Kondoo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-05-23.

Integrated circuit with anti-punch through control

Номер патента: US12068317B2. Автор: Chien Lin,Yi-Chen Ho,Ching-Lun Lai,Tzu-Wei Lin,Ju Ru HSIEH,Ming-Kai LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuits with monolayer tmd channel and multilayer tmd source and drain

Номер патента: US20240355934A1. Автор: Uygar E. Avci,Kevin P. O'brien,Tristan A. TRONIC,Mahmut Sami KAVRIK,Jennifer Lux. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit with anti-punch through control

Номер патента: US20240371867A1. Автор: Chien Lin,Yi-Chen Ho,Ching-Lun Lai,Tzu-Wei Lin,Ju Ru HSIEH,Ming-Kai LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuits with monolayer tmd channel and multilayer tmd source and drain

Номер патента: EP4451339A1. Автор: Uygar E. Avci,Tristan A. TRONIC,Mahmut Sami KAVRIK,Jennifer Lux,Kevin P. O`BRIEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Methods for fabricating integrated circuits with low, medium, and/or high voltage transistors on an extremely thin silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09653365B1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Jae Han Cha,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuits with selective gate electrode recess

Номер патента: US09418898B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J WEEKS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Source line high voltage driver circuit with improved reliability and read performance

Номер патента: US20030117756A1. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method of making a multiple transistor integrated circuit with thick copper interconnect

Номер патента: US5728594A. Автор: Taylor R. Efland,Dale J. Skelton,David Cotton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-17.

Insulated top side bump connection for a power device, for example for gate, source and drain contacts of a power field effect transistor

Номер патента: WO2014149579A1. Автор: Gregory Dix,Roger MELCHER. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Fork sheet device with wrapped source and drain contact to prevent nfet to pfet contact shortage in a tight space

Номер патента: US20240213243A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Indira Seshadri,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Comparator circuit with speed control element

Номер патента: US20240305307A1. Автор: Aviv Berg,Roee Eitan,Yaakov DAYAN,Yosi Sanhedrai,Esther T. FRIDMAN,Kirill BLUM. Владелец: Retym Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US09620590B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Diode formed of PMOSFET and schottky diodes

Номер патента: US9576949B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Jam-Wem Lee,Ming-Hsiang Song,Wan-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Power up circuit with high noise immunity

Номер патента: US4210829A. Автор: Thomas S. W. Wong,Wing Y. Wong,Edwin M. W. Chow. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1980-07-01.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Integrated circuit comprising analog and digital sub-circuits with improved over-voltage protection and reduced substrate -noise coupling

Номер патента: US20020071229A1. Автор: Hans-Ulrich Schröder,Antonius P.G. Welbers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Structure for reduced source and drain contact to gate stack capacitance

Номер патента: US09601570B1. Автор: Carl J Radens,Richard Q Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Switching circuit with mos field effect transistor

Номер патента: CA1127724A. Автор: Tadao Yoshida,Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

Integrated circuit with multiple gallium nitride transistor sets

Номер патента: US20200195122A1. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,David C. Reusch. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Analogue selector circuit with reduced signal level dependent distortion

Номер патента: GB2395849A. Автор: John Laurence Pennock,Edward Mauger Granville. Владелец: Wolfson Microelectronics plc. Дата публикации: 2004-06-02.

Active device divider circuit with adjustable iq

Номер патента: US20170085263A1. Автор: Bin Shao,Junxiao Chen,Danzhu Lu. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-03-23.

Circuit and method for a gate control circuit with reduced voltage stress

Номер патента: US20090256625A1. Автор: Tae Hyung Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Layout design for a high power, GaN-based FET having interdigitated gate, source and drain electrodes

Номер патента: US8729565B2. Автор: Milan Pophristic,Boris Peres,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

Integrated circuit with depletion mode JFET

Номер патента: US20070069250A1. Автор: David Kelly,Alan Chen,Stephen Kuehne,Daniel Kerr,Daniel Dolan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Vertical field effect transistor with self-aligned source and drain top junction

Номер патента: US20210273077A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuits with image sensors and methods for producing the same

Номер патента: US20200161365A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Fin-based nonvolatile memory structures, integrated circuits with such structures, and methods for fabricating same

Номер патента: US09911867B2. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Ming-Tsang Tsai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit with multi-length power transistor segments

Номер патента: US20060110861A1. Автор: Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2006-05-25.

Transistor circuit with asymmetrical drain and source

Номер патента: EP4133529A1. Автор: John Jianhong ZHU,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Transistor circuit with asymmetrical drain and source

Номер патента: WO2021207434A1. Автор: John Jianhong ZHU,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-14.

Pulse-width modulated circuit with improved linearity

Номер патента: WO1997022915A1. Автор: Craig R. Weggel. Владелец: Performance Controls, Inc.. Дата публикации: 1997-06-26.

Radio-frequency switching circuit with damage detection of dc blocking capacitor

Номер патента: US20210359711A1. Автор: Ju Young Park,Jong Myeong Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Single-rail memory circuit with row-specific voltage supply lines and boost circuits

Номер патента: US11322200B1. Автор: Mahbub Rashed,Shivraj G. Dharne,Vivek Raj,Uttam K. Saha. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Packaging of an integrated circuit with internal impedance matching

Номер патента: WO2004100263A3. Автор: Wayne Mack Struble,Richard John Giacchino,Norbert Andrew Schmitz. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Audio switch circuit with slow turn-on

Номер патента: US09877104B2. Автор: Lei Huang,Eric Li,Julie STULZ. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US09716056B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Readout circuit with self-detection circuit and control method therefor

Номер патента: US09466388B2. Автор: Shuming Guo,Guoyi ZONG. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Transistors with source and word line voltage adjusting circuitry for controlling leakage currents and its method thereof

Номер патента: US09466342B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuit with EPROM cells

Номер патента: US5610421A. Автор: Claudio Contiero,Stefano Manzini,Tiziana Cavioni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-03-11.

Integrated circuit with EPROM cells

Номер патента: US5837554A. Автор: Claudio Contiero,Stefano Manzini,Tiziana Cavioni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-11-17.

Integrated circuit with topological semimetal interconnects

Номер патента: US20230030586A1. Автор: HyeukJin Han,Jeeyoung Cha. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-02.

Integrated circuit with improved signal noise isolation and method for improving signal noise isolation

Номер патента: WO2006130260A2. Автор: Olin L. Hartin,Radu M. Secareanu,Enrique Ferrer,Suman K. Banerjee. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-12-07.

Self-Aligned Source and Drain Contacts

Номер патента: US20220005934A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Low consumption flip-flop circuit with data retention and method thereof

Номер патента: US20110176653A1. Автор: Abhishek Jain,Andrea Mario Veggetti,Pankaj Rohilla. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Integrated circuit with protective element

Номер патента: US20240274595A1. Автор: Edgardo Laber,James Edwin Vinson. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuits with resistive non-volatile memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20200321396A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Driving circuit with a feed through voltage compensation and array substrate

Номер патента: US09858879B2. Автор: Zhaokeng Cao. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit with printed bond connections

Номер патента: US09824948B2. Автор: Erick Merle Spory. Владелец: Global Circuit Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuit with die edge assurance structure

Номер патента: US09741667B2. Автор: Liming Tsau,Rong Zeng. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09496283B1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-15.

LVDS input circuit with comparators, or gate, and multiplexer

Номер патента: US09484921B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Source and drain doping profile control employing carbon-doped semiconductor material

Номер патента: US09385237B2. Автор: Zhengmao Zhu,Pranita Kerber,Viorel Ontalus,Donald R. Wall. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor-on-insulator integrated circuit with selectively thinned channel region

Номер патента: US5418391A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-05-23.

Integrated circuit with guard region and diode circuit

Номер патента: US12040357B2. Автор: Guido Wouter Willem Quax,Dongyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory circuit with sense amplifier calibration mechanism

Номер патента: US20230267973A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chih-Sheng Lin,Tuo-Hung Hou,Yu-Hui Lin,Jian-Wei Su,Fu-Cheng TSAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20130279281A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: US20170062553A1. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuit with and method for connection of a plurality of floating diffusion regions

Номер патента: US20240266371A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Chao-Te Liu,Po-Wei Fong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20170047349A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-16.

Integrated semiconductor circuit with polarity reversal protection

Номер патента: US5349489A. Автор: Johannes B. J. Schelen. Владелец: Optische Industrie de Oude Delft NV. Дата публикации: 1994-09-20.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20140119145A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor device including source pad region and drain pad region configured to improve current uniformity and reduce resistance

Номер патента: US12062716B2. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Ancora Semiconductors Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Multi-rail sense circuit with pre-charge transistors and memory circuit incorporating the sense circuit

Номер патента: US20240282373A1. Автор: Suresh Pasupula,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Multi-rail sense circuit with pre-charge transistors and memory circuit incorporating the sense circuit

Номер патента: EP4418268A1. Автор: Suresh Pasupula,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Circuit with power transistor and current sense that uses control drive as power source

Номер патента: EP4456425A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Edward MacRobbie,Yalong Li,Robert Wayne Mounger. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Circuit with power transistor and current sense that uses control drive as power source

Номер патента: US20240364201A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Edward MacRobbie,Yalong Li,Robert Wayne Mounger. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: US09991332B2. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09922993B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09646963B1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: US09520461B1. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device including circuits with data holding capability and bus for data transmission

Номер патента: US09472296B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuits with recessed gate electrodes

Номер патента: US10651093B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J. Weeks. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Self-aligned selective metal contact to source/drain diffusion region

Номер патента: US8405132B2. Автор: Peter Chang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-03-26.

Self-aligned selective metal contact to source/drain diffusion region

Номер патента: US20110037105A1. Автор: Peter Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-17.

Photodiode circuit with improved response time

Номер патента: US20060208164A1. Автор: Lian Xu,John Asuncion,Chee Teo,Wai Tai,Kok Yeo. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Method for forming a field-effect transistor having difference in capacitance between source and drain with respect to shield layer

Номер патента: US5891757A. Автор: Yasuo Ohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-06.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Fabrication method of an electrostatic discharge protection circuit with a low resistant current path

Номер патента: US6855611B2. Автор: Hua-Chou Tseng,Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen,Tsun-Lai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-15.

Transistors with Ballistic or Quasi-Ballistic Carrier Behavior and Low Resistance in Source and Drain Nodes

Номер патента: US20190334026A1. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US10211094B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US9853115B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Sub-threshold memory cell circuit with high density and high robustness

Номер патента: US20120069650A1. Автор: Chen Hu,Jie Li,Jun Yang,Na Bai,Longxing Shi. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-22.

Electrical test circuit with active-load and output sampling capability

Номер патента: US20070018638A1. Автор: Bernhard Roth. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-01-25.

Integrated circuit with an input multiplexer system

Номер патента: US20220166395A1. Автор: Ranga Seshu Paladugu,Hanqing Xing,Soon G. Lim,Carmelo Morello. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic Circuit with a Transistor Device and a Level Shifter

Номер патента: US20200044096A1. Автор: Franz Stueckler,Rolf Weis,Stefan Tegen,Richard Hensch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-02-06.

Gate driver circuits with independently tunable performance characteristics

Номер патента: US12119817B2. Автор: Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja,Sayan Acharya. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09978883B2. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Metal oxide thin film transistor with source and drain regions doped at room temperature

Номер патента: US09960281B2. Автор: Lei Lu,Man Wong,Hoi Sing Kwok. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2018-05-01.

Inverter circuit with voltage limitation

Номер патента: US09935537B2. Автор: Stefan Butzmann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-04-03.

Selective process for source and drain formation

Номер патента: US09923081B1. Автор: Zhiyuan Ye,Hua Chung,Schubert S. Chu,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Xuebin Li,Abhishek Dube,Flora Fong-Song Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US09853115B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Formation of dislocations in source and drain regions of FinFET devices

Номер патента: US09768256B2. Автор: Wei-Yang Lee,Wei-Yuan Lu,Chun Hsiung Tsai,Chien-Tai CHAN,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming performance optimized gate structures by silicidizing lowered source and drain regions

Номер патента: US09735058B2. Автор: Katsunori Onishi,Jian Yu,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit with test circuit

Номер патента: US09646954B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Wen Liu,Shih-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US09484255B1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming performance optimized gate structures by silicidizing lowered source and drain regions

Номер патента: US09455195B2. Автор: Katsunori Onishi,Jian Yu,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit with electromagnetic communication

Номер патента: US09444146B2. Автор: Ian A. Kyles,Gary D. McCormack. Владелец: Keyssa Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Shielded gate mosfet-schottky rectifier-diode integrated circuits with trenched contact structures

Номер патента: US20130020576A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Method and apparatus to actively sink current in an integrated circuit with a floating i/o supply voltage

Номер патента: EP1550217A2. Автор: Frederic Boutaud,Paul D. Krivacek,Sean M. Fitzpatrick. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2005-07-06.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20100155848A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Usb control circuit with built-in bypass function

Номер патента: US20170010997A1. Автор: Chong Liu,Neng-Hsien Lin,Luo-Bin Wang,Jian-Jhong ZENG. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Resistor and resistor-transistor-logic circuit with GaN structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12132043B2. Автор: Yi-Chun Chen,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Te-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

USB control circuit with built-in bypass function

Номер патента: US09984024B2. Автор: Chong Liu,Neng-Hsien Lin,Luo-Bin Wang,Jian-Jhong ZENG. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nanowire MOSFET with support structures for source and drain

Номер патента: US09773868B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Emulation of synchronous pipeline registers in integrated circuits with asynchronous interconnection resources

Номер патента: US09665670B1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09601622B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Configurable analog front ends for circuits with substantially gate enclosed inner electrode MOSFET switch

Номер патента: US09520880B2. Автор: Ralf Brederlow,Bjoern Oliver Eversmann. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US09406568B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Electrical circuit with two stable states

Номер патента: GB845905A. Автор: Theodore Hertz Bonn. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1960-08-24.

Semiconductor device having reduced capacitance between source and drain pads

Номер патента: US11817494B2. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Ancora Semiconductors Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrate circuit with nanowires

Номер патента: US9355915B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Jiun-Jia Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US20200266284A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US20180374930A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor structure having buried gate, buried source and drain contacts, and strained silicon and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057578A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240186388A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US20240088268A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

High data rate integrated circuit with transmitter configuration

Номер патента: EP4354131A3. Автор: Keith G. Fife,Jungwook Yang. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Electrostatic discharge protecting circuit with ultra-low standby leakage current for twice supply voltage tolerance

Номер патента: US20110026175A1. Автор: Ming-Dou Ker,Chang-Tzu Wang,Chua-Chin Wang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2011-02-03.

Jfet device with virtual source and drain link regions and method of fabrication

Номер патента: WO2008137294A1. Автор: Ashok K. Kapoor,Samar K. Saha. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20120292709A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: WO2010074973A3. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A2. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

A high electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: WO2023100058A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Eunjung Cha,Bogdan ZOTA. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Circuit with a latch having sets of inverters

Номер патента: EP4422071A2. Автор: Bram Nauta,Remon Bernardus Antonius Cents,Jeroen Ponte,Harijot Singh Bindra. Владелец: Twente Universiteit. Дата публикации: 2024-08-28.

ESD protection circuit with plural avalanche diodes

Номер патента: US09997511B2. Автор: Henry L. Edwards,Lili Yu,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

ESD protection circuit with plural avalanche diodes

Номер патента: US09899368B2. Автор: Henry L. Edwards,Lili Yu,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

ESD protection circuit with plural avalanche diodes

Номер патента: US09831231B2. Автор: Henry L. Edwards,Lili Yu,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Threshold adjustment for quantum dot array devices with metal source and drain

Номер патента: US09748356B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-08-29.

Transistors incorporating metal quantum dots into doped source and drain regions

Номер патента: US09711649B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-07-18.

Strained channel region transistors employing source and drain stressors and systems including the same

Номер патента: US09698265B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Gate drive circuit with a voltage stabilizer and a method

Номер патента: US09590619B2. Автор: Jukka-Pekka Kittila,Mika Niemi,Mikko SAARINEN. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2017-03-07.

Circuit with a latch having sets of inverters

Номер патента: EP4422071A3. Автор: Bram Nauta,Remon Bernardus Antonius Cents,Jeroen Ponte,Harijot Singh Bindra. Владелец: Twente Universiteit. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing a field effect transistor including forming a gate after forming the source and drain

Номер патента: US09502566B2. Автор: Perrine Batude,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-22.

Light emitting diode transmitter circuit with temperature compensation

Номер патента: US5012162A. Автор: Cornell S. L. Chun. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1991-04-30.

Integrate Circuit with Nanowires

Номер патента: US20150332971A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Jiun-Jia Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Fin-based nonvolatile memory structures, integrated circuits with such structures, and methods for fabricating same

Номер патента: US20180006158A1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Ming-Tsang Tsai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor integrated circuit with a shield wiring

Номер патента: EP1349212A3. Автор: Takashi c/o Fujitsu Limited Eshima,Shogo c/o Fujitsu Limited Tajima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods

Номер патента: US20190006338A1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steve Kummerl,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US20140353714A1. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Protecting an integrated circuit from the drilling of a source and/or drain contact

Номер патента: US20210020663A1. Автор: Philippe Galy,Thomas Bedecarrats. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit with at least one bump

Номер патента: EP1563537B1. Автор: Heimo Scheucher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-04-09.

Electronic circuits with dynamic bus partitioning

Номер патента: WO2001073566A3. Автор: Elon Wertheim,Andreas Daniel Olofsson. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-04.

Process for the fabrication of mosfet devices depletion, silicided source and drain junctions

Номер патента: WO2002027799A3. Автор: Hussein Ibrahim Hanafi,Stephen Bruce Brodsky,Diane Catherine Boyd,Ronnen Andrew Roy. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-11-21.

Process for the fabrication of mosfet devices depletion, silicided source and drain junctions

Номер патента: WO2002027799A2. Автор: Hussein Ibrahim Hanafi,Stephen Bruce Brodsky,Diane Catherine Boyd,Ronnen Andrew Roy. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2002-04-04.

Process for the fabrication of mosfet devices depletion, silicided source and drain junctions

Номер патента: EP1320878A2. Автор: Hussein Ibrahim Hanafi,Stephen Bruce Brodsky,Diane Catherine Boyd,Ronnen Andrew Roy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20160172498A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US9620641B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20180323288A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Transistor with Asymmetric Source and Drain Regions

Номер патента: US20170345930A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Ru-Gun Liu,Tzu-Jin Yeh,Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Pcb based doherty amplifier with impedance matching network elements integrated in the pcb

Номер патента: EP3640982A1. Автор: Qianli MU,Asmita Dani,Cristian Gozzi. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Source and drain process for FinFET

Номер патента: US9922816B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

A pixel circuit with photo-sensing function, a driving method, and a display apparatus

Номер патента: US20210407379A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Transistor with Asymmetric Source and Drain Regions

Номер патента: US20210184036A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Ru-Gun Liu,Tzu-Jin Yeh,Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Anti-fuse memory reading circuit with controllable reading time

Номер патента: US12119069B2. Автор: Jie Zhu,Jing Sun,Zhenkai JI,Yanfei Zhang,Zhengzhou CAO,Zhengnan DING. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Preventing shorting between source and/or drain contacts and gate

Номер патента: US09972620B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Charan V. Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Source and drain process for FinFET

Номер патента: US09922816B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure having a source and a drain with reverse facets

Номер патента: US09673296B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Jinghong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US09620641B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Epitaxial growth of doped film for source and drain regions

Номер патента: US09583393B2. Автор: Tsan-Yao Chen,Chun Hsiung Tsai,Jian-An Ke,Chin-Kun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Source and drain process for FinFET

Номер патента: US09570567B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Nanowire structures having non-discrete source and drain regions

Номер патента: US09564522B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit with control node circuitry and processing circuitry

Номер патента: US09552206B2. Автор: Toshio Nagata,Hamid R. Sheikh,John W. Glotzbach,William M. Johnson,David H. Bartley,Jeffrey L. Nye,Robert J.P. Nychka,Shalini Gupta,Murali S. Chinnakonda,Stephen Busch,Ajay Jayaraj,Ganesh Sundararajan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuits with memory cells and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09537092B2. Автор: Alex See,Shyue Seng Tan,Zheng Zou. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443738B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit with sewn interconnects

Номер патента: US09418929B1. Автор: Boon Yew Low,Weng Hoong Chan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction

Номер патента: US09390976B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Integral circuit with programmable logic analyser with expanded analysis and tuning capabilities and method

Номер патента: RU2579814C2. Автор: Джеймс Рэй БЕЙЛИ,Кристофер Уилсон КЭЙС,Джеймс Патрик ШАРП. Владелец: Лексмарк Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2016-04-10.

Comparator circuit with speed control element

Номер патента: WO2023224866A1. Автор: Aviv Berg,Roee Eitan,Yaakov DAYAN,Yosi Sanhedrai,Esther T. FRIDMAN,Kirill BLUM. Владелец: Retym, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Fabricating field-effect transistors with interleaved source and drain finger configuration

Номер патента: US11842947B2. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Pass transistor circuit with memory function, and switching box circuit including the pass transistor circuit

Номер патента: US20120223762A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Comparator circuit with speed control element

Номер патента: US11996858B2. Автор: Aviv Berg,Roee Eitan,Yaakov DAYAN,Yosi Sanhedrai,Esther T. FRIDMAN,Kirill BLUM. Владелец: Retym Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Solid source doping for source and drain extension doping

Номер патента: US20170271212A1. Автор: Jeffrey Smith,Robert D. Clark,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Dynamically adjustable circuit with circuit of characterized-path and method for generating circuit of characterized-path

Номер патента: US20150188541A1. Автор: Chi-Tien Sun,Chun-Yuan Cheng,Kuo-Su Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-07-02.

Fast fourier transform (FFT) circuit with an integrated half-bin offset

Номер патента: US10984072B1. Автор: Sean W. Mattingly. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2021-04-20.

Electronic devices employing adiabatic logic circuits with wireless charging

Номер патента: US20180041210A1. Автор: YU PU,Giby Samson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Electronic Circuit with Several Electronic Switches Connected in Series and a Drive Circuit

Номер патента: US20180351549A1. Автор: Rolf Weis,Ralf Rudolf,Herwig Wappis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-12-06.

An ultra low power sram cell circuit with a supply feedback loop for near and sub threshold operation

Номер патента: WO2012153257A2. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2012-11-15.

Data Sense Amplifier Circuit with a Hybrid Architecture

Номер патента: US20240339152A1. Автор: YANG LU,WonJun CHOI,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

An ultra low power sram cell circuit with a supply feedback loop for near and sub threshold operation

Номер патента: WO2012153257A3. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2013-02-21.

Solid source doping for source and drain extension doping

Номер патента: US09978649B2. Автор: Jeffrey Smith,Robert D. Clark,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods for producing integrated circuits with interposers and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US09799571B2. Автор: Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

System and method for peritoneal dialysis exchanges having reusable fill and drain containers

Номер патента: US09750863B2. Автор: Marc Steven Minkus. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Mapping pipeline run sources and targets in cloud infrastructures

Номер патента: US20240378037A1. Автор: Fady Copty. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of forming integrated circuit with conductive line having line-ends

Номер патента: US09524902B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Pei-Wen HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Cap structure coupled to source to reduce saturation current in hemt device

Номер патента: US20240332411A1. Автор: Chun Lin Tsai,Ming-Cheng Lin,Liang-Yu SU,Yun-Hsiang Wang,Haw-Yun Wu,Chen-Bau Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Dynamically adjustable circuit with circuit of characterized-path and method for generating circuit of characterized-path

Номер патента: US09455708B2. Автор: Chi-Tien Sun,Chun-Yuan Cheng,Kuo-Su Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-09-27.

Input/output circuit with high voltage tolerance and associated apparatus

Номер патента: US09450583B2. Автор: Chih-Tien Chang,Yao-Zhong Zhang,Ju-Ming Chou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-09-20.

Drive circuit with an external mode-adjusting pin

Номер патента: US09433045B2. Автор: Yueh-Hua Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Orthogonal coding source and receiver

Номер патента: RU2612896C2. Автор: Сунвоонг ЛИ,Джером Р. Кребс,Павел ДИМИТРОВ,Юнг Хо ЧА,Ануп А. Муллур,Натан Дж. ДАУНИ,Парта С. РУТ. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2017-03-13.

Integrated logic circuit with functionally flexible input/output macrocells

Номер патента: US5231312A. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Keith H. Gudger,Joe Yu,Jinglun Tam,Steven A. Sharp. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 1993-07-27.

Power supply switch circuit with current leakage protection

Номер патента: US20080186007A1. Автор: Yung-Fa Chen. Владелец: Chen Yung-Fa. Дата публикации: 2008-08-07.

Off-chip driver circuit with reduced hot-electron degradation

Номер патента: US5726589A. Автор: Robert R. Williams,Joseph J. Cahill. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

ESD protection for open drain I/O pad in integrated circuit with parasitic field FET devices

Номер патента: US6355960B1. Автор: Ming-Dou Ker,Geeng-Lih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-03-12.

Structure including transistor using buried insulator layer as gate dielectric and trench isolations in source and drain

Номер патента: US20240055434A1. Автор: Alban Zaka,Yiching Chen,Tom Herrmann,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Process for packaging circuit component having copper circuits with solid electrical and thermal conductivities and circuit component thereof

Номер патента: US20190228985A1. Автор: Chih-Liang Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-25.

Latch-based level shifter circuit with self-biasing

Номер патента: WO2022066262A1. Автор: Parag Upadhyaya,Mayank Raj. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Latch-based level shifter circuit with self-biasing

Номер патента: EP4218137A1. Автор: Parag Upadhyaya,Mayank Raj. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Phase interpolation circuit with high linearity

Номер патента: US20220103182A1. Автор: Xikun MA,Yizheng Xie. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Source and drain epitaxy forming method capable of improving performance of finfet device

Номер патента: US20220029003A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Low-latency switch drive circuit with power transfer

Номер патента: US20230353145A1. Автор: Karl Rinne,Joseph Duigan. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Efficient synthesis of probabilistic quantum circuits with fallback

Номер патента: EP3192018A1. Автор: Martin Roetteler,Alexei Bocharov,Krysta Svore. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-07-19.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative Schottky barrier height

Номер патента: US12034078B2. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit with two different bus control units

Номер патента: WO2005083577A3. Автор: Juerg Fries. Владелец: Juerg Fries. Дата публикации: 2006-03-09.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Creation of a transistor with close silicide source and drain from the canal

Номер патента: US20240249945A1. Автор: Shay REBOH,Laurent Brunet,Pablo Acosta Alba,Frederic Milesi. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-25.

Monolithic integrated circuit with integrated interference suppression device

Номер патента: US20070013037A1. Автор: Harald Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Technologies for selective source and drain epitaxial growth

Номер патента: US20230253404A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Recessed source and drain regions for finfets

Номер патента: US20130175624A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20240347641A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

ESD protection circuit with isolated SCR for negative voltage operation

Номер патента: US12057443B2. Автор: Amitava Chatterjee,Xiaoju Wu,Farzan Farbiz,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for doping source and drain regions of a transistor by means of selective amorphisation

Номер патента: US09966453B2. Автор: Shay REBOH,Frédéric Mazen,Perrine Batude,Benoit Sklenard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-08.

Communication interface for interfacing a transmission circuit with an interconnection network, and corresponding system and integrated circuit

Номер патента: US09959226B2. Автор: Daniele Mangano,Mirko Dondini,Salvatore Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-01.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09916984B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Interposers for integrated circuits with multiple-time programming and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09806128B2. Автор: Yi Jiang,Danny Shum,Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Array of processor core circuits with reversible tiers

Номер патента: US09792251B2. Автор: Jun Sawada,Subramanian S. Iyer,Dharmendra S. Modha,John V. Arthur,Paul A. Merolla,Rodrigo Alvarez-Icaza Rivera,Andrew S. Cassidy,John E. Barth, Jr.,Bryan L. Jackson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09786756B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Level shifter circuit with improved time response and control method thereof

Номер патента: US09742404B2. Автор: Young Jin Woo,Seung Jong Lee,Hoo Hyun Cho. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09673290B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Strained source and drain (SSD) structure and method for forming the same

Номер патента: US09660052B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Sensing scheme for high speed memory circuits with single ended sensing

Номер патента: US09583208B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Vaibhav Verma,Sachin Taneja,Pritender Singh. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US09478638B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09443957B1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Cmos soi integral circuit with high radiation resistance (versions)

Номер патента: RU2601251C1. Автор: Александр Сергеевич ЛУШНИКОВ,Владимир Дмитриевич МЕЩАНОВ,Егор Сергеевич РЫБАЛКО,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИТРОНИКС-микродизайн". Дата публикации: 2016-10-27.

Integrated circuit with improved overvoltage protection

Номер патента: US5917220A. Автор: Charles D. Waggoner. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-06-29.

SOI CMOS Schmitt trigger circuits with controllable hysteresis

Номер патента: US6441663B1. Автор: Jente Benedict Kuang,Ching-Te Kent Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-27.

Integrated circuit with register selection

Номер патента: GB2337616A. Автор: Toshikazu Nakajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-24.

Asymmetrical transistor with lightly doped drain region, heavily doped source and drain regions, and ultra-heavily doped source region

Номер патента: US5831306A. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Processor circuit with testing device

Номер патента: US5841968A. Автор: Markus Steiner,Peter Caldera. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-11-24.

Counter circuit with or gates interconnecting stages to provide alternate testing of odd and even stages during test mode

Номер патента: US5339343A. Автор: Yoshinori Hashimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-08-16.

Semiconductor integrated circuit with protection circuit against electrostatic breakdown and layout design method therefor

Номер патента: US5500542A. Автор: Hiroshi Shimizu,Takashi Iida,Isao Amano,Tetsuya Nakajima,Akinori Tahara,Satoru Sumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-03-19.

Integrated circuit with fuse circuitry simulating fuse blowing

Номер патента: US5517455A. Автор: David C. McClure,William C. Slemmer. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-05-14.

ESD protection circuit for mixed mode integrated circuits with separated power pins

Номер патента: US6075686A. Автор: Ming-Dou Ker. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-06-13.

Programmable memory circuit with an improved programming voltage applying circuit

Номер патента: US4583205A. Автор: Takeshi Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Semiconductor die with peculiar bond pad arrangement for leveraging mutual inductance between bond wires to realize bond wire t-coil circuit with equivalent negative inductance

Номер патента: US20230402416A1. Автор: Chun-Wei Chen,Huan-Sheng Chen,Ming-Yin Ko. Владелец: Airoha Technology Hk Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Electronic circuit with a transistor device and a clamp circuit and method

Номер патента: US20240072785A1. Автор: Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen,Gerhard Nöbauer,Dirk Ahlers,Oliver Blank,Adrian Finney,Marius Aurel Bodea,Joachim Schönle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US11842769B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US20230335187A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Latch circuits with improved single event upset immunity and related systems, apparatuses, and methods

Номер патента: US20230024008A1. Автор: LIANG Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Structure including transistor using buried insulator layer as gate dielectric and trench isolations in source and drain

Номер патента: US11837605B2. Автор: Alban Zaka,Yiching Chen,Tom Herrmann,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Phase interpolation circuit with high linearity

Номер патента: US11791827B2. Автор: Xikun MA,Yizheng Xie. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system having termination circuit with variable resistor

Номер патента: USRE49783E1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Latch circuits with improved single event upset immunity and related systems, apparatuses, and methods

Номер патента: US11978521B2. Автор: LIANG Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Electronic circuit with a transistor device and a clamp circuit and method

Номер патента: EP4333302A1. Автор: Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen,Gerhard Nöbauer,Dirk Ahlers,Oliver Blank,Adrian Finney,Marius Aurel Bodea,Joachim Schönle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-06.

System and method of prototyping virtual circuits with physical proxies

Номер патента: US11301605B2. Автор: Jun Gong,Xing-Dong Yang,Alemayehu SEYED,Te-Yen WU. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2022-04-12.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20190051702A1. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US20160218168A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Integrated circuit with a memory of reduced consumption

Номер патента: US20060126375A1. Автор: Andrea Bonzo,Jean-Francois Pollet. Владелец: Dolphin Integration SA. Дата публикации: 2006-06-15.

Integrated circuit with a memory of reduced consumption

Номер патента: US20070133256A1. Автор: Andrea Bonzo,Jean-Francois Pollet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

System and method of prototyping virtual circuits with physical proxies

Номер патента: US20210117600A1. Автор: Jun Gong,Xing-Dong Yang,Alemayehu SEYED,Te-Yen WU. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2021-04-22.

Structure and method for making high density mosfet circuits with different height contact lines

Номер патента: EP1979941A2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Structure and method for making high density mosfet circuits with different height contact lines

Номер патента: WO2007082199A2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-19.

Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods

Номер патента: US20180190628A1. Автор: Benjamin Cook,Steve Kummerl,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Method and system to identify fabricated electrical circuits with hidden hardware modifications

Номер патента: WO2022098442A3. Автор: Milos Prvulovic,Alenka Zajic,Baki Berkay Yilmaz,Luong Ngoc Nguyen. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-07-07.

Method and system to identify fabricated electrical circuits with hidden hardware modifications

Номер патента: WO2022098442A9. Автор: Milos Prvulovic,Alenka Zajic,Baki Berkay Yilmaz,Luong Ngoc Nguyen. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Circuit with protection against electrostatic destruction

Номер патента: US20060092587A1. Автор: Michael Albert,Martin Czech. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2006-05-04.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US20160056253A1. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Integrated circuit with doped low-k sidewall spacers for gate stacks

Номер патента: US12136658B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuits with lateral bipolar transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761664B1. Автор: Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar,Wei Gao,Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuits with electrostatic discharge protection

Номер патента: US09698139B1. Автор: Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Driver circuit with device variation compensation and operation method thereof

Номер патента: US09543954B2. Автор: Ya-Hsiang Tai,Chi-Liang Wu,Yung-Hui Yeh,Zong-Hua Cai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US09484449B2. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit with an improved inductor structure and method of fabrication

Номер патента: US5717243A. Автор: Rex Everett Lowther. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-02-10.

Integrated circuit memory device having built-in self test circuit with monitor and tester modes

Номер патента: US5936900A. Автор: Kuong Hua Hii,Theo J. Powell,Daniel R. Cline. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor device having metallic source and drain regions

Номер патента: US9583487B2. Автор: Annalisa Cappellani,Cory E. Weber,Rafael Rios,Aaron A. Budrevich,Martin D. Giles,Sanaz Kabehie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

High-speed ECL synchronous logic circuit with an input logic circuit

Номер патента: US4560888A. Автор: Yoshio Oida. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-12-24.

LVDS input window circuit with two comparators and multiplexer

Номер патента: US9929732B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Mask generation technique for producing an integrated circuit with optimal metal interconnect layout for achieving global planarization

Номер патента: US5766803A. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Fred N. Hause,Basab Bandyopadhyay,Mark W. Michael,William S. Brennan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-06-16.

Interface circuit with backgate bias control of a transistor

Номер патента: US5442307A. Автор: Masanori Kinugasa,Hiroshi Shigehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-08-15.

Electronic switching device and circuits with a plurality of such switching devices

Номер патента: US5977662A. Автор: Jean-Luc Lamarche,Manfred Strobel,Karl Herrmann. Владелец: IFM ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 1999-11-02.

Master slice gate array integrated circuits with basic cells adaptable for both input/output and logic functions

Номер патента: US5367187A. Автор: Alex Yuen. Владелец: Quality Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-11-22.

Integrated logic circuit with partial scan path circuit and partial scan path design method for same

Номер патента: US5627841A. Автор: Yoshiyuki Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Deep source and drain for transistor structures with back-side contact metallization

Номер патента: US11688780B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Source and drain refractory metal cap

Номер патента: US20240006494A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Chi-hing Choi,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Nancy Zelick,I-Cheng Tung,Arnab SEN GUPTA,Jitendra Kumar JHA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Comparator circuit with low power consumption and low kickback noise

Номер патента: US10778204B1. Автор: Chung-Chih Hung,Shih-Hsing Wang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-09-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Integrated Circuit with Improved Logic Cells

Номер патента: US20100219860A1. Автор: Wen Zhou,Fung Fung Lee. Владелец: Agate Logic Beijing Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20240006541A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Recessed Single Crystalline Source and Drain For Semiconductor-On-Insulator Devices

Номер патента: US20130105898A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Recessed single crystalline source and drain for semiconductor-on-insulator devices

Номер патента: US20140073092A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Display device including pixel circuits with different transistor types and method for driving same

Номер патента: US11823623B2. Автор: Kaoru Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Low consumption flip-flop circuit with data retention and method thereof

Номер патента: US20130088272A1. Автор: Abhishek Jain,Andrea Mario Veggetti,Pankaj Rohilla. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2013-04-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

3d source and drain contacts tuned for vertically stacked pmos and nmos

Номер патента: US20230395718A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Christopher J. Jezewski,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

3d high density devices integrated with source and drain rails

Номер патента: US20240071871A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Low resistance source and drain extensions for etsoi

Номер патента: US20130015512A1. Автор: Sanjay Mehta,Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Word line driver circuit with reduced leakage

Номер патента: EP2179418A1. Автор: Dennis E. Dudeck,Donald Albert Evans,Hai Quang Pham,Wayne E. Werner,Ronald James Wozniak. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-04-28.

Source and Drain Surface Treatment for Multi-Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20190165139A1. Автор: Yu-Lin Yang,Chun-Hsiang FAN,Wei-Yuan Lu,Sai-Hooi Yeong,Wei-Han Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Integrated circuit with printed bond connections

Номер патента: US20160181171A1. Автор: Erick Merle Spory. Владелец: Global Circuit Innovations Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20180166469A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-14.

Integrated circuit with asymmetric access privileges

Номер патента: GB2606979A. Автор: Sharma Abhinav,WHYTE Neil,SAMINATHAN Pradeep,Eklund Jon,Chandler-Page Michael,Arnaldo Bianco Filho Jose. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Integrated Circuit with Improved Logic Cells

Номер патента: US20100219861A1. Автор: Wen Zhou,Fung Fung Lee. Владелец: Agate Logic Beijing Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Co-deposition of titanium and silicon for improved silicon germanium source and drain contacts

Номер патента: EP4109494A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Anand Murthy,Chi-hing Choi,Nazila Haratipour,Harold Kennel,Jitendra Kumar JHA,Debaleena Nandi,Omair Saadat,Adedapo Oni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Lead frame for hermetic RF chip package embedded with impedance matching function

Номер патента: US11342250B2. Автор: Sang-Hun Lee. Владелец: Wavepia Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor device including via plug connected to source/drain pattern

Номер патента: US12040275B2. Автор: Sun Ki MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US20210240440A1. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen,Kevin Hurd. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

FinFET-BASED INTEGRATED CIRCUITS WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20200312843A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Lead frame for hermetic rf chip package embedded with impedance matching function

Номер патента: US20210272883A1. Автор: Sang-Hun Lee. Владелец: Wavepia Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuits with peltier cooling provided by back-end wiring

Номер патента: US20180053707A1. Автор: Richard A. Wachnik,Sungjae Lee,Lan Luo,Siyuranga O. Koswatta,Scott K. Springer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Reconfigurable integrated circuit with on-chip configuration generation

Номер патента: EP3180860A1. Автор: Wayne Luk,Xinyu NIU. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LTD. Дата публикации: 2017-06-21.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US12056461B2. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Systems and methods for designing and making integrated circuits with consideration of wiring demand ratio

Номер патента: US8875081B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Wai-Kei Mak,Ren-Song Tsay,Tung-Chieh Chen. Владелец: Synopsys Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Sequential circuit with timing event detection and a method of detecting timing events

Номер патента: WO2018193150A1. Автор: Ari Paasio,Matthew Turnquist. Владелец: MINIMA PROCESSOR OY. Дата публикации: 2018-10-25.

Configurable circuits with microcontrollers

Номер патента: EP1963968A1. Автор: Frederic Reblewski. Владелец: M2000 SA. Дата публикации: 2008-09-03.

Configurable circuits with microcontrollers

Номер патента: WO2007071305A1. Автор: Frederic Reblewski. Владелец: M2000 SA. Дата публикации: 2007-06-28.

Apparatus and methods for local oscillator interface circuits with quadrature clock generation and phase correction

Номер патента: US20240291431A1. Автор: Xuesong Jiang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Apparatus and methods for local oscillator interface circuits with quadrature clock generation and phase correction

Номер патента: EP4422069A1. Автор: JIANG Xuesong. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Solid-state device including a conductive bump connected to a metal pattern and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966332B2. Автор: Satoshi Wada,Yoshinobu Suehiro,Koji Tasumi. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

SSTA with non-gaussian variation to second order for multi-phase sequential circuit with interconnect effect

Номер патента: US09898564B2. Автор: Mau-Chung Chang. Владелец: Sage Software Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Millimetre wave integrated circuits with thin film transistors

Номер патента: US09799686B2. Автор: Chunong Qiu,Ishiang Shih,Cindy X. Qiu,Yi-Chi Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory circuit with leakage compensation

Номер патента: US09799408B2. Автор: Stephen Keith Heinrich-Barna,Raviprakash Suryanarayana Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Differential sensing circuit with dynamic voltage reference for single-ended bit line memory

Номер патента: US09659606B2. Автор: Shih-Huang Huang,Rei-Fu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having semiconductor elements connected to an intermediate plate by a brazing filler metal, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09640491B2. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit with a patching function

Номер патента: US09600207B2. Автор: Nikolaos Moschopoulos,Dimitris Chanos,Ioannis Sifnaios,Konstantinos Ninos,Dimitrios Papadopoulos. Владелец: Dialog Semiconductor BV. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuits with guard ring structures for nonplanar transistor devices

Номер патента: US09530835B1. Автор: Chin Hieang Khor. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Rectifier circuit with a voltage sensor

Номер патента: US09509228B2. Автор: Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-29.

Millimetre wave integrated circuits with thin film transistors

Номер патента: US09437626B2. Автор: Chunong Qiu,Ishiang Shih,Cindy X. Qiu,Yi-Chi Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit with a scan controlled programmable fuse circuit

Номер патента: GB2316180A. Автор: Michael J Bennett,Robert W Proulx. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1998-02-18.

Integrated circuits with multiple low dielectric-constant inter-metal dielectrics

Номер патента: WO2000075988A1. Автор: James Lin,Henry Chung,Shi-Qing Wang. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 2000-12-14.

Clocked flip flop circuit with built-in clock controller and frequency divider using the same

Номер патента: US5945858A. Автор: Masaharu Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Inverse T-gate FET transistor with lightly doped source and drain region

Номер патента: US5241203A. Автор: Seiki Ogura,Louis L. Hsu,Joseph F. Shepard,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

CMOS digital circuits with active shunt feedback amplifier

Номер патента: US3986043A. Автор: Frederick Buckley, III,Gerald Aberdeen Miller,Vincent Anthony Scotto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-10-12.

Bidirectional switch circuit with automatic return-current path selector

Номер патента: US5237211A. Автор: Minoru Tanaka,Hiroshi Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

High voltage NMOS pass gate for integrated circuit with high voltage generator and flash non-volatile memory device having the pass gate

Номер патента: US5852576A. Автор: Masaru Yano,Shane Charles Hollmer,Shoichi Kawamura,Pau-Ling Chen,Binh Quang Le,Michael Shingche Chung,Vincent C. Leung. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Methods and structures for preventing gate salicidation and for forming source and drain salicidation and for forming semiconductor device

Номер патента: US20060040481A1. Автор: Bor-Wen Chan,Yu-Shen Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for forming an MOS transistor having a metallic gate electrode that is formed after the formation of self-aligned source and drain regions

Номер патента: US5960270A. Автор: Brad Smith,Suresh Venkatesan,Veena Misra,Christopher C. Hobbs,Jeffrey S. Cope,Earnest B. Wilson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

High side driver circuit with diagnostic output

Номер патента: US5923210A. Автор: Paul C. Gottshall,Long T. Le. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Decoder circuit with a differential amplifier and applications thereof

Номер патента: US5237217A. Автор: Toshio Yamada,Junko Hasegawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1993-08-17.

Normally-off, gate-controlled electrical circuit with low on-resistance

Номер патента: CA1205877A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-06-10.

Bipolar flip-flop circuit with improved noise immunity

Номер патента: US5541544A. Автор: Toshiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-07-30.

Integrated circuit with programmable-impedance output buffer and method therefor

Номер патента: US20060170450A1. Автор: Perry Pelley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Fast signal response circuit with hysteresis control

Номер патента: US20230412156A1. Автор: Xiaoyi ZHENG,Yangfeng XU,Tongbo HU,Zuoyou WANG. Владелец: Global Technology Inc USA. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of forming strained source and drain regions in a P-type finFET structure

Номер патента: US8987101B2. Автор: Yi Ding,JunHua Yan,Minghua Zhang,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Method of forming strained source and drain regions in a p-type finfet structure

Номер патента: US20140357041A1. Автор: Yi Ding,JunHua Yan,Minghua Zhang,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Transistor gate driving circuit with power saving of power converter

Номер патента: US20090309634A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chuan-Chang LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Configuration and Fabrication of Semiconductor Structure in Which Source and Drain Extensions of Field-effect Transistor Are Defined with Different Dopants

Номер патента: US20120184077A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US9768173B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US20170125535A1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US20180047824A1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Integrated circuit with configurable bypass capacitance

Номер патента: WO2007067423A3. Автор: Huy Nguyen. Владелец: Huy Nguyen. Дата публикации: 2007-07-26.

Nanowire MOSFET with support structures for source and drain

Номер патента: US9263295B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Nanowire mosfet with support structures for source and drain

Номер патента: US20150255306A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Power supply circuit with adjustable channel switch impedance and electronic device

Номер патента: US11838010B2. Автор: Lei Huang. Владелец: Shanghai Yaohuo Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240112916A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Chun C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Current source circuit with temperature compensation

Номер патента: US9007049B2. Автор: Junwei Huang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Pixel circuit with large and small OLED elements connected to a single driving transistor wherein the large OLED element is further controlled by a memory circuit within the pixel

Номер патента: US09711084B2. Автор: Naoki Uetake. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Current source circuit with temperature compensation

Номер патента: US20130265019A1. Автор: Junwei Huang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

A double ended retrofit light emitting diode, led, based lighting device for connection to a power source, which led based lighting device having an improved pin-safety circuit

Номер патента: EP4018787A1. Автор: Paul Robert Veldman,Raimundo DE HEER GALISTEO. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2022-06-29.

Drive for intermittently widening and narrowing an opening comprises a spring element connected to a voltage source and a plate excited by an inverse piezo-effect arranged on a support plate tensioned on a base body

Номер патента: DE102005015765A1. Автор: Kurt Bühner,Klaus Minks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-12.

Electropneumatic apparatus for sampling rapidly predetermined volumes of a mixture, to be connected to a computer

Номер патента: CA2102616C. Автор: Michel Brunette,Alfred Berteloot. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-09-24.

Double ended retrofit light emitting diode, LED, based lighting device for connection to a power source, which LED based lighting device having an improved pin-safety circuit

Номер патента: US11917736B2. Автор: Paul Robert Veldman,Raimundo DE HEER GALISTEO. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-02-27.

Circuitry connecting to battery, regulation circuit and method thereof

Номер патента: WO2024031213A1. Автор: Huaifeng Wang,Meihui LI,Jiajie CUI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Optoelectronic device for optical detection unit for liquid meter, has transmitter unit comprising resistor connected to voltage source, and capacitor connected to voltage pulse source and to resistor and anode of electroluminescent diode

Номер патента: FR2852099A1. Автор: Serge Bulteau. Владелец: Itron France SAS. Дата публикации: 2004-09-10.

Electrical energy converter suitable for connection to two power sources and suitable for energy recovery

Номер патента: FR3129544A1. Автор: Alexandre Battiston. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2023-05-26.

Dental colorimetry device has a measurement head connected to a light source and receiving electronics via an optical fiber and incorporates an activation switch in the head that is activated by pressure against a tooth

Номер патента: FR2831267A1. Автор: Emile Chokron,Jean Pierre Delgrande. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-25.

LIGHT RADIATOR WITH SCREW CONNECTION TO THE LIGHT SOURCE AND MULTIDIRECTIONAL EMISSION.

Номер патента: IT8922495A1. Автор: Kei Mori. Владелец: Kei Mori. Дата публикации: 1991-05-23.

Signal amplifying circuit with noise suppression function

Номер патента: US9608575B2. Автор: Jui-Te CHIU,Hsiang-Wei Hwang. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Signal amplifying circuit with noise suppression function

Номер патента: US20170019073A1. Автор: Jui-Te CHIU,Hsiang-Wei Hwang. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Charge pump circuit with enhanced output impedance

Номер патента: US09614434B2. Автор: Alexandru A. Ciubotaru. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Bias-boosting circuit with dual current mirrors for rf power amplifier

Номер патента: WO2016073784A1. Автор: Sifen Luo,Changli CHEN. Владелец: Morfis Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-05-12.

Integrated circuit with a differential amplifier

Номер патента: US20010028585A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoai-Thai Le,Sebastian Kühne. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Impedance Matched Transmission Circuit With Analog-To-Digital Converter

Номер патента: US20110285561A1. Автор: Ka Wai Ho,Wan Tim Chan,Isaac Terasuth Ko. Владелец: Supertex LLC. Дата публикации: 2011-11-24.

Signal processing circuit with timing recovery pll

Номер патента: US20020174396A1. Автор: Tsuyoshi Tomita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-21.

Sigma-delta ADC circuit with bias compensation and microphone circuit having a sigma-delta ADC circuit with bias compensation

Номер патента: US12095483B2. Автор: Harry Neuteboom,Costantino Ligouras,Sergio Andrés Rueda Gómez,Muhammad Kamran,Dave Sebastiaan Kroekenstoel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-17.

Impedance Matched Transmission Circuit with Analog-to-Digital Converter

Номер патента: US20120313485A1. Автор: Ka Wai Ho,Wan Tim Chan,Isaac Terasuth Ko. Владелец: Supertex LLC. Дата публикации: 2012-12-13.

Impedance matched transmission circuit with analog-to-digital converter

Номер патента: US8937565B2. Автор: Ka Wai Ho,Wan Tim Chan,Isaac Terasuth Ko. Владелец: Supertex LLC. Дата публикации: 2015-01-20.

Drive circuit with predistortion

Номер патента: US12136902B1. Автор: Carson White,Evan Schlomann. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-11-05.

Matching circuit with switchable load lines, load line switching method and power amplifier

Номер патента: US12028027B2. Автор: Xiumei Cao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-02.

Electro acoustic RF filter with impedance element having improved performance and multiplexer component comprising the filter

Номер патента: US11894836B2. Автор: Thomas BAUER,Gholamreza Dadgar Javid,Ansgar Schaeufele. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Electro acoustic rf filter with impedance element having improved performance and multiplexer component comprising the filter

Номер патента: US20220052669A1. Автор: Thomas BAUER,Gholamreza Dadgar Javid,Ansgar Schäufele. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-02-17.

Electro acoustic rf filter with impedance element having improved performance and multiplexer component comprising the filter

Номер патента: WO2020078971A1. Автор: Thomas BAUER,Gholamreza Dadgar Javid,Ansgar Schäufele. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2020-04-23.

Electro acoustic rf filter with impedance element having improved performance and multiplexer component comprising the filter

Номер патента: US20240204752A1. Автор: Thomas BAUER,Gholamreza Dadgar Javid,Ansgar Schaeufele. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Power amplifier circuit with means for tuning wave shape of ask rf signal envelope, and method for implementing the power amplifier circuit

Номер патента: US20120256690A1. Автор: Kevin Scott Buescher,Michal Prokes. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2012-10-11.

Electronic circuit with cascode amplifier

Номер патента: EP2220762A1. Автор: Melina Apostolidou,Dominicus Leenaerts,Mark Pieter Heijden. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2010-08-25.

Analog-to-digital converter circuit with a nested look up table

Номер патента: US20230283288A1. Автор: Thomas Morf,Pier Andrea Francese,Marcel A. Kossel,Mridula Prathapan,Abdullah Serdar Yonar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Amplifier circuit with a first and a second output line

Номер патента: US20100182082A1. Автор: Stefan Koch. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Battery pack containing PCM employed with safety member having a protection circuit with a fusing part

Номер патента: US09711780B2. Автор: Masayuki Wakebe,Jeongsuk Lee,Youngsun Park,Keunpyo Ahn,Chunyeon Kim,Joung Ho Ha. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Headset amplification circuit with error voltage suppression

Номер патента: US09699542B2. Автор: Ulrik Sørensen WISMAR,Sejun Kim. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-07-04.

Rectifier circuit with at least two working points

Номер патента: RU2599263C2. Автор: Петер ВАЛЬМАЙЕР,Пауль МАИБЕРГ,Грегор ДЮППЕ. Владелец: Аег Пауэр Солюшнс Б.В.. Дата публикации: 2016-10-10.

Tuner circuit with zero power loop through

Номер патента: US20180338176A1. Автор: Claude-Alain Gobet,Alfredo Bautista,Christian Marc Eichrodt. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Oscillator circuit with temperature compensation function

Номер патента: US7283008B2. Автор: Ken Fujita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-16.

Integrated circuit with electrical contact

Номер патента: EP1110175A1. Автор: Frits Van Der Wateren. Владелец: Chess Engineering BV. Дата публикации: 2001-06-27.

Hard disk circuit with direct connection to preamp

Номер патента: US20170365285A1. Автор: Hitoki Kanagawa,Alex N.E. Cayaban,Yukimasa KAWATO. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Circuit with two on-load tap changers, electrical plant with such a circuit, and use thereof

Номер патента: CA2917404C. Автор: Gerhard Bäuml,Dazhong Shen,Matthias Späth,Stanislav SHEIKO. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2023-08-22.

Printed circuit with surface mount capacitor for integration into a smart card

Номер патента: EP4441655A1. Автор: Yean Wei Yeap,Thomas Decker,Cindy NG. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-10-09.

Driving circuit with energy recycle capability

Номер патента: EP3836393A1. Автор: Jemm Yue Liang. Владелец: Xmems Labs Inc. Дата публикации: 2021-06-16.

Driving Circuit with Energy Recycle Capability

Номер патента: US20210175798A1. Автор: Jemm Yue Liang. Владелец: Xmems Labs Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Flex circuit with dual sided interconnect structure

Номер патента: US20130286800A1. Автор: Ravishankar Ajjanagadde Shivarama,Bradley J. Ver Meer. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-10-31.

Receiver circuits with blocker attenuating rf filter

Номер патента: EP4005097A1. Автор: Ahmed Emira,Esmail Babakrpur Nalousi,Mohamed Aboudina. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Flex circuit with dual sided interconnect structure

Номер патента: WO2013163409A1. Автор: Bradley J. Ver Meer,Ravishankar A. SHIVARAMA. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-10-31.

Adjustable rejection circuit with tunable impedance

Номер патента: US20220224303A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Coat application source and method of its fabrication

Номер патента: RU2564642C2. Автор: Георг ШТРАУСС,Петер ПОЛЬЦИК,Конрад ПОЛЬЦЕР,Маттиас ПЕРЛЬ,Стефан ШЛИХТЕРЛЕ. Владелец: Планзее ЗЕ. Дата публикации: 2015-10-10.

Amplifier circuit with a stabilized bias in its output stage

Номер патента: US5467058A. Автор: Shinichi Fujita. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1995-11-14.

Anti-noise input/output impedance control of semiconductor circuit with reduced circuit size

Номер патента: US20060290557A1. Автор: Masakazu Kurisu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Multimode millimeter-wave frequency divider circuit with multiple presettable frequency dividing modes

Номер патента: US20100271082A1. Автор: Hsien-Ku Chen,Shey-Shi Lu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2010-10-28.

Noise reduction circuit with blending of bilateral filtering and machine learning filtering

Номер патента: US20240303778A1. Автор: Maxim Smirnov. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Differential circuits with constant GM bias

Номер патента: US09722555B1. Автор: Simon Forey,Rajasekhar Nagulapalli,Parmanand Mishra. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Multimode power amplifier bias circuit with selectable bandwidth

Номер патента: US09413313B2. Автор: Philip H. Thompson,Matthew Lee BANOWETZ,Michael Lynn Gerard,Ramanan Bairavasubramanian. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Electrostatic deflection system with impedance matching for high positioning accuracy

Номер патента: WO2007041057B1. Автор: Dieter Winkler,Juergen Frosien,Benyamin Buller,William J Devore,Henry Pearce-Percy,Jr Eugene Mirro. Владелец: Jr Eugene Mirro. Дата публикации: 2007-07-19.

Electrostatic deflection system with impedance matching for high positioning accuracy

Номер патента: WO2007041057A2. Автор: Dieter Winkler,Juergen Frosien,Benyamin Buller,Henry Pearce-Percy,William J. DeVore,Jr. Eugene Mirro. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-04-12.

Electrostatic deflection system with impedance matching for high positioning accuracy

Номер патента: EP1941529A2. Автор: Dieter Winkler,Juergen Frosien,Benyamin Buller,Henry Pearce-Percy,William J. DeVore,Jr. Eugene Mirro. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-09.

Amplifier circuit with variable temperature coefficient of gain, and circuit for generating voltage with variable temperature coefficient, which becomes reference potential at reference temperature, direct voltage generating circuit, and circuit for compensating for temperature drift of another amplifier circuit, which use the amplifier circuit

Номер патента: CA3192418A1. Автор: Shingo Sobukawa,Takehito Kamimura,Tatsuru Tamori. Владелец: NF Holdings Corp. Дата публикации: 2023-09-09.

Electronic circuit with a linear amplifier assisted by a switched-mode amplifier

Номер патента: IL212427A. Автор: . Владелец: Etel SA. Дата публикации: 2013-11-28.

Integrated Circuit with FIB-Ready Structures

Номер патента: US20240321548A1. Автор: Yuval Kirschner. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High efficiency driver circuit with fast response

Номер патента: US09791110B2. Автор: Yuequan Hu,Daniel Pope,Qingcong Hu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Amplifier circuit with single-ended input and differential outputs

Номер патента: US09774302B1. Автор: Abdellatif Bellaouar,Sher Jiun Fang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

An oscillator circuit with feedback

Номер патента: WO2012059120A1. Автор: Mingquan Bao. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2012-05-10.

Circuit for monitoring an open collector output circuit with a significant offset

Номер патента: US20030193339A1. Автор: Mikhail Zarkhin,Timothy Philippart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Sigma-delta adc circuit with bias compensation and microphone circuit having a sigma-delta adc circuit with bias compensation

Номер патента: US20240106456A1. Автор: Harry Neuteboom,Costantino Ligouras,Sergio Andrés Rueda Gómez,Muhammad Kamran,Dave Sebastiaan Kroekenstoel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Sigma-delta adc circuit with bias compensation and microphone circuit having a sigma-delta adc circuit with bias compensation

Номер патента: EP4351003A1. Автор: Harry Neuteboom,Costantino Ligouras,Sergio Andrés Rueda Gómez,Muhammad Kamran,Dave Sebastiaan Kroekenstoel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Khz to 100ghz dc coupled circuit with an on-chip integrating capacitor

Номер патента: US20230208378A1. Автор: Zhi Zhang,Xianglin Xiang. Владелец: Suzhou Mi Tu Optoelectronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

An oscillator circuit with feedback

Номер патента: EP2636145A1. Автор: Mingquan Bao. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2013-09-11.

Wideband active circuit with feedback structure

Номер патента: US20110084766A1. Автор: Dong Hyun Kim,Chul Gyun PARK,Jae Sung Rieh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: CA2563557A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Source and manage supplier system and method

Номер патента: US11922508B1. Автор: Nathan Samuel Harding,Tasia Madrid Lee,Erin Nichele Thiele. Владелец: United Services Automobile Association USAA. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: WO2005101442A1. Автор: Silvestre Josep Montanyà. Владелец: Baolab Microsystems S.L.. Дата публикации: 2005-10-27.

Measure-controlled delay circuits with reduced phase error

Номер патента: US20060082401A1. Автор: FENG Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-04-20.

Integrated circuit with variable capacitor

Номер патента: US6013958A. Автор: Turgut Sefket Aytur. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-01-11.

Amplification circuit with read/write circuit

Номер патента: EP3451533A1. Автор: Ahmed Awny,Dietmar Kissinger,Alexey Balashov. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2019-03-06.

Varactor scan circuit with scan prevention circuitry during brief signal fades

Номер патента: US3559076A. Автор: Joseph A Worcester. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-01-26.

Scalable Integrated Circuit with Synaptic Electronics and CMOS integrated Memristors

Номер патента: US20190318232A1. Автор: Jose Cruz-Albrecht,Narayan Srinivasa,Timothy Derosier. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2019-10-17.

Scalable Integrated Circuit with Synaptic Electronics and CMOS integrated Memristors

Номер патента: US20220121911A9. Автор: Jose Cruz-Albrecht,Narayan Srinivasa,Timothy Derosier. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2022-04-21.

Matching circuit with switchable load lines, load line switching method and power amplifier

Номер патента: US20220029588A1. Автор: Xiumei Cao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-27.

Low noise amplifier circuit with multiple-input multiple-output (mimo) structure

Номер патента: US20190334488A1. Автор: Yoo Sam Na,Hyun Hwan Yoo,Hyun Jin YOO,Yoo Hwan KIM,Jong Mo LIM,Hyung Jun CHO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated circuit with inductive pickup loop

Номер патента: US11799438B2. Автор: Alexander Schade,Sergey Miropolskiy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-24.

System design for E-business and for access to sources of information, goods and services

Номер патента: US20020078145A1. Автор: David Beran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Filter circuits with emitter follower transistors and servo loops

Номер патента: US09614496B1. Автор: John Cowles. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Amplifier circuit with improved accuracy

Номер патента: US09564856B2. Автор: Peter VAN DER CAMMEN. Владелец: Qualcomm Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Multi-stage differential amplifier circuit with means for compensating the temperature drift of a constant current source transistor

Номер патента: US3970947A. Автор: Kikuo Saito,Itsuzo Sato. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1976-07-20.

Integrated circuit with an internal noise filter for direction indicator lamp flasher system

Номер патента: US5929569A. Автор: Toshiaki Sueoka. Владелец: Niles Parts Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-27.

N-way RF power amplifier circuit with increased back-off capability and power added efficiency using selected phase lengths and output impedances

Номер патента: US6791417B2. Автор: Raymond Sydney Pengelly,Simon Maurice Wood. Владелец: Cree Microwave LLC. Дата публикации: 2004-09-14.

Amplifier circuit with a programmable configuration

Номер патента: CA2231789C. Автор: Ian Macbeth. Владелец: Anadigm Ltd. Дата публикации: 2003-02-25.

Amplifier circuit with automatic gain control and hearing aid equipped with such a circuit

Номер патента: US4509022A. Автор: Philippe Ridel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1985-04-02.

Noise reduction circuit with a main signal path and auxiliary signal path having a high pass filter characteristic

Номер патента: US4547741A. Автор: Masayuki Katakura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1985-10-15.

Low power consuming quartz oscillator circuit with active polarisation

Номер патента: US20100321123A1. Автор: Arnaud Casagrande. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2010-12-23.

Analog-to-digital converter circuit with a nested look up table

Номер патента: US11811418B2. Автор: Thomas Morf,Pier Andrea Francese,Marcel A. Kossel,Mridula Prathapan,Abdullah Serdar Yonar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Amplifier circuit with variable temperature coefficient of gain, and circuit for generating voltage with variable temperature coefficient, which becomes reference potential at reference temperature, direct voltage generating circuit, and circuit for compensating for temperature drift of another amplifier circuit, which use the amplifier circuit

Номер патента: US20230291372A1. Автор: Shingo Sobukawa,Takehito Kamimura,Tatsuru Tamori. Владелец: NF Holdings Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic recording disk drive with multiple preapmlifiers and common transmission line with impedance compensation

Номер патента: MY179464A. Автор: Nishiyama Nobumasa,Contreras John,KUBO Yasunori,Nagaoka Kazuhiro,Martin Poss Joey,Van Trinh Tuyen,K Yanagisawa Craig. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2020-11-06.

Impedance matching circuit with tunable notch filters for power amplifier

Номер патента: EP2807745A1. Автор: Jose Cabanillas,Babak Nejati,Guy Klemens,Calogero D. PRESTI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-03.

Active circuits with load linearization

Номер патента: US20090051424A1. Автор: Li Liu,Prasad S. Gudem. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Differential feedback amplifier circuit with cross coupled capacitors

Номер патента: US7538615B2. Автор: Chun Che Lin,Tung-Ming Su. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-05-26.

Circuit with co-matching topology for transmitting and receiving RF signals

Номер патента: US10715089B1. Автор: Kuan-Ming Chen. Владелец: Rafael Microelectronics Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Broadband circuit with rapidly variable resistor

Номер патента: US4395643A. Автор: Klaus Lehmann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1983-07-26.

Circuit for driving a relay used in an AC circuit, with a protection against contact welding

Номер патента: US4769737A. Автор: Yasuhiro Ogita,Tamotu Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Electronic circuit with capacitor

Номер патента: CA2708649A1. Автор: Matthias Schnaubelt. Владелец: Legic Identsystems AG. Дата публикации: 2010-12-30.

Variable gain amplifier circuit with reduced power requirements

Номер патента: US5818300A. Автор: Yoji Hirano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-10-06.

Band pass filter circuit with over-voltage protection

Номер патента: US20230318575A1. Автор: George M. Kauffman,Christopher Aaron Penwell. Владелец: Nextek LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Distributed amplifier circuit with tunable peaking

Номер патента: EP4248560A1. Автор: Luca PIAZZON. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Band pass filter circuit with over-voltage protection

Номер патента: WO2023192612A1. Автор: George M. Kauffman,Christopher Aaron Penwell. Владелец: NexTek, LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Oscillator circuit with temperature compensation function

Номер патента: US20060077015A1. Автор: Ken Fujita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Active sensor circuit with one or more T-network pairs

Номер патента: US20050253600A1. Автор: Garimella Sarma,Siva Mangalam. Владелец: Tao of Systems Integration Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Active sensor circuit with one or more t-network pairs

Номер патента: EP1723437A2. Автор: Siva M. Mangalam,Garimella R. Sarma. Владелец: Tao of Systems Integration Inc. Дата публикации: 2006-11-22.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US20110001557A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

High q impedance matching inverter circuit with automatic line regulation

Номер патента: US20040189215A1. Автор: Timothy Chen. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2004-09-30.

Electricity distribution circuit with switches supplying loads by means of a selectable number of sources

Номер патента: US09887549B2. Автор: Romain Lucas. Владелец: Hispano Suiza Sa. Дата публикации: 2018-02-06.

Buck-boost circuit with protection feature

Номер патента: US09479056B2. Автор: Saroj Kumar Sahu,Binod Agrawal,Gopalakrishnan R PARAKULAM. Владелец: IMERGY POWER SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Power supply circuit with multiple modes

Номер патента: US20240322685A1. Автор: Dongyang TANG,Subbarao Surendra Chakkirala. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Hydroacoustic complex for detecting moving source sound, measuring azimuthal angle to source and horizon source of sound in fine sea

Номер патента: RU2629689C1. Автор: Борис Анатольевич Касаткин,Сергей Борисович Касаткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем морских технологий Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИПМТ ДВО РАН). Дата публикации: 2017-08-31.

Connection structure for noise reduction impedance element, noise reduction impedance element positioningmethod, and recording medium having noise reduction impedance element positioning program recorded therein

Номер патента: US20020050871A1. Автор: Toshiro Tsubouchi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Inverter circuit with current detection circuitry

Номер патента: US09973109B2. Автор: Masahiro Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Circuit with an LED dimming linear compensation

Номер патента: US09420646B2. Автор: Senhai CHEN. Владелец: Xiamen Yankon Energetic Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Heating circuit with control unit for domestic appliance

Номер патента: RU2565051C2. Автор: Паоло ДРИУССИ,Марко ЛОРЕНЦИ. Владелец: Электролюкс Хоум Продактс Корпорейшн Н.В.. Дата публикации: 2015-10-20.

System and method for electrolysis plant interconnected to renewable energy power source and power grid

Номер патента: EP4459820A1. Автор: Erik Wolf,Sven SCHÜMANN. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-11-06.

Protection circuit with surge protection capability

Номер патента: US09780641B1. Автор: Ming-Cheng Chuang. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Bandgap reference circuit with curvature compensation

Номер патента: US09582021B1. Автор: Matthias Arnold,Asif Qaiyum. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-02-28.

Rectifier circuit with current injection

Номер патента: US09444362B2. Автор: Michael Hartmann,Rudolf Fehringer. Владелец: SCHNEIDER ELECTRIC POWER DRIVES GMBH. Дата публикации: 2016-09-13.

Voltage conversion circuit with voltage selection of transistor bulk

Номер патента: US09413244B2. Автор: Chih-Ning Chen. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Power source and electrical device containing such power source

Номер патента: RU2629554C1. Автор: Кунио КАВАМУРА,Дайсукэ САКАИ. Владелец: ЭЙДЗО Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-30.

Intermediate circuit and vehicle-mounted charging circuit with intermediate circuit

Номер патента: US20220348093A1. Автор: Walter Schrod,Veit Wagenseil,Werner Lex. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2022-11-03.

Inrush current protection circuit with noise immune latching circuit

Номер патента: US12034295B2. Автор: Archie Boy Mendoza Magsombol,Jonathan Art Fulgencio Recaflanca,John Michael Dimacuha Gayondato,Ohvid Bartocillo Granaderos. Владелец: Appleton Grp Llc. Дата публикации: 2024-07-09.

Modularized control circuit with signal-capturing function for fan motor and controlling method

Номер патента: US20130249455A1. Автор: Chun-Lung Chiu,Wen-Chih Wang,Wen-Chuan Ma. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Control integrated circuit with combined output and input

Номер патента: US20090108829A1. Автор: Thomas Ribarich. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2009-04-30.

Pixel circuit with pulse width compensation and operation method thereof

Номер патента: US12125435B2. Автор: Po-Tsun Liu,Ta-Jen Huang,Chun-Ta Chen,Po Lun Chen,De-Fu Chen,Guang-Ting Zheng,Ting-Yi Yi. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Sample-and-hold circuit with black sun control

Номер патента: US09826180B2. Автор: Noam Eshel,Golan Zeituni. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

System for maintenance of fire-optic circuits with splice tray

Номер патента: RU2451957C2. Автор: Рутеш Д. ПАРИХ,Эрве БРУНЕТ,Патрик ДРУАРД. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2012-05-27.

Low-Dropout Regulator Circuit with Dynamic Transition Between Operation Modes

Номер патента: US20240094753A1. Автор: Gaurav Sharma,Nathan F. Hanagami,Mahir Uka,Benedikt Wolf. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Line interface circuit with active tip and ring feed means

Номер патента: AU637898B2. Автор: Oguz Ozkan,Tapan Kumar Das,George Sui Fung. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1993-06-10.

AC LED circuit with standard dimmer compatibility

Номер патента: US12058788B2. Автор: Chun Tung Lo. Владелец: Good Earth Linghting Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Line interface circuit with active tip and ring feed means

Номер патента: WO1991017623A1. Автор: Oguz Ozkan,Tapan Kumar Das,George Sui Fung. Владелец: Northern Telecom Limited. Дата публикации: 1991-11-14.

Line interface circuit with active tip and ring feed means

Номер патента: AU7584391A. Автор: Oguz Ozkan,Tapan Kumar Das,George Sui Fung. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1991-11-27.

Low voltage circuit with variable substrate bias

Номер патента: US20080122520A1. Автор: May Len,Kiyoshi Kase,Dzung T. Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Light emitting diode driving circuit with stable driving current

Номер патента: US09913326B1. Автор: Yu-Chen Lin,Hung-Chan Wang,Tsung-Heng Lin. Владелец: Edison Opto (dongguan) Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Motor driving circuit with power reversal protection and fan device

Номер патента: US09543864B1. Автор: Kun-Min Chen,Chien-Lun Chu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Converter having auxiliary resonant circuit with current discriminating inductor

Номер патента: US09531295B2. Автор: Erik Hansson,Jonas Persson. Владелец: COMSYS AB. Дата публикации: 2016-12-27.

Drive Circuit with Integrated Power Factor Correction for Blender/Shaver Machine

Номер патента: US20120001002A1. Автор: Scott B. Donaldson,Ronald Flanary. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Overvoltage Protection Circuit with Reduced Sensitivity to Process Variations

Номер патента: US20090195943A1. Автор: Song Liu,Guoxing Wang,Ramesh Prakash. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-08-06.

Electronic bridge and half-bridge circuits with suppression of high-voltage transients on the power supply line

Номер патента: US6160694A. Автор: Vanni Poletto,Angelo Crespi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-12-12.

Magnetic field sensor circuit with common-mode voltage nulling

Номер патента: US20090001981A1. Автор: Thirumalai Rengachari. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Electromagnetic coupling galvanic isolated digital output circuit with output feedback

Номер патента: US20070046501A1. Автор: Yi-Chang Lee,Chun-Hsiao Wang. Владелец: Netio Networking Tech. Дата публикации: 2007-03-01.

Integrated circuit with actuation circuit for actuating a driver circuit

Номер патента: US6351161B2. Автор: Ralf Schneider,Stephan Schroder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-26.

Arrangement comprising a box for housing an electronic circuit with changeable cable gland positioning

Номер патента: EP4428371A1. Автор: Thomas Materne,Herve Bouilly,Franck Terrien,L. Bouttier,Marco STEIMEL. Владелец: WILO SE. Дата публикации: 2024-09-11.

Building sensor with self-configuring analog output circuit with fault detection

Номер патента: US12104808B2. Автор: Daniel R. Hjortland. Владелец: Tyco Fire and Security GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Supply regulation circuit with energy efficient digital control

Номер патента: US09692300B2. Автор: Kevin M. JEFFERIES. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Electric circuit with power amplifier for piezoelectric actuators

Номер патента: US09484843B2. Автор: Stefan Storm,Boris Grohmann. Владелец: AIRBUS HELICOPTERS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-11-01.

Converter circuit with half-bridge current-doubler rectifier and integrated magnetics

Номер патента: US20240204676A1. Автор: Dianbo Fu. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Switching control circuit with variable switching frequency for primary-side-controlled power converters

Номер патента: EP1943717A1. Автор: Ta-Yung Yang,Guo-Kiang Hung,Jenn-yu G. Lin,Shao-Wei Chiu,Fengcheng Tsao. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2008-07-16.

Pfc circuits with very low thd

Номер патента: US20190288597A1. Автор: Donald F. Partridge. Владелец: One More Time LLC. Дата публикации: 2019-09-19.

Pfc circuits with very low thd

Номер патента: US20170317579A1. Автор: Donald F. Partridge. Владелец: One More Time LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Lamp with integral voltage converter having phase-controlled dimming circuit with hysteresis control for reducing RMS load voltage

Номер патента: US20060082327A1. Автор: George Kendrick,Matthew Ballenger. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-04-20.

Input circuit with function for detecting abnormality in input circuit and control device having the same

Номер патента: US20020118020A1. Автор: Kenji Tanaka,Mitsuo Mori,Kenji Kotani. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Integrated low-noise sensing circuit with efficient bias stabilization

Номер патента: US20140132284A1. Автор: Siew-Seong Tan,Yung-Jane Hsu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-05-15.

LED driver circuit with stepwise adjustable power and LED lighting tube

Номер патента: US09462645B1. Автор: Haibin Cai,Wenhong Ling. Владелец: Huizhou Xindi Energy Saving And Environmental Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Power converter circuit with AC output

Номер патента: US09461474B2. Автор: Gerald Deboy,Yi Tang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-04.

AC power supply circuit with filter capacitor between output terminals thereof

Номер патента: US8599583B2. Автор: Kohei Nishibori. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Offline synchronous rectifier circuit with turned-on arbiter and phase-lock for switching power converters

Номер патента: US20100172156A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chou-Sheng Wang,Pei-Sheng Tsu. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2010-07-08.

Rectifying circuit with thyristors

Номер патента: US20180152116A1. Автор: Laurent Gonthier,Ghafour Benabdelaziz. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2018-05-31.

Rectifying circuit with thyristors

Номер патента: US10298143B2. Автор: Laurent Gonthier,Ghafour Benabdelaziz. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2019-05-21.

Integrated photonic circuits with vertical connections

Номер патента: US20060215952A1. Автор: Thomas McIntyre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Correction current output circuit and reference voltage circuit with correction function

Номер патента: US20200333821A1. Автор: Yukihiro Tomonaga,Kazutaka Honda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Cooling system with integrated fill and drain pump

Номер патента: US09918409B2. Автор: Daniel J. Kearney,Gary F. Goth,Francis R. Krug, Jr.,Robert K. Mullady,Allan C. VANDEVENTER,Randy J. Zoodsma,Donald W. Porter,David L. Edwards,Peter W. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Rectifying circuit with thyristors

Номер патента: US09912249B2. Автор: Laurent Gonthier,Ghafour Benabdelaziz. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2018-03-06.

Cooling system with integrated fill and drain pump

Номер патента: US09861013B2. Автор: Daniel J. Kearney,Gary F. Goth,Francis R. Krug, Jr.,Robert K. Mullady,Allan C. VANDEVENTER,Randy J. Zoodsma,Donald W. Porter,David L. Edwards,Peter W. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Low-cost driver circuit with improved power factor

Номер патента: US09531255B2. Автор: Timothy Chen,Daniel Albert Haas. Владелец: Technical Consumer Products Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Power converter circuit with AC output

Номер патента: US09478989B2. Автор: Gerald Deboy,Yi Tang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for routing printed conductors of circuits with redundancy on opposite sides of printed circuit board

Номер патента: RU2754077C1. Автор: Артём Викторович Медведев,Тальгат Рашитович Газизов,Ольга Михайловна Кузнецова-Таджибаева,Хасан Аднан Алхадж. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-08-26.

Method of assembling non-molded radioelectronic components on printed circuit boards for circuits with redundancy

Номер патента: RU2693838C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Павел Евгеньевич Орлов,Виталий Расимович Шарафутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2019-07-05.

Method for switching circuits with double redundancy after failures

Номер патента: RU2770516C1. Автор: Артём Викторович Медведев,Тальгат Рашитович Газизов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2022-04-18.

Motor circuit with power-off braking function

Номер патента: US20130271045A1. Автор: Chung-Ken Cheng,Shou-Chien CHANG,Chieh-Jen YANG. Владелец: Sunon Electronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

CRT vertical scanning circuit with a low power standby

Номер патента: US7023149B2. Автор: Jean-Michel Moreau. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-04-04.

Voltage regulator circuit with current limiter

Номер патента: WO2022066237A1. Автор: Kenneth Colin Dyer. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Voltage regulator circuit with current limiter

Номер патента: EP4217816A1. Автор: Kenneth Colin Dyer. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-02.

Power switching circuit with current sharing capability

Номер патента: US20060006853A1. Автор: Vincent Thiery. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-01-12.

Sampling circuit with overvoltage protection

Номер патента: WO2015101563A1. Автор: Yi Tian CUI. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2015-07-09.

CRT vertical scanning circuit with a low power standby

Номер патента: US20040257008A1. Автор: Jean-Michel Moreau. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-12-23.

Optical transceiver having an interface circuit with a routing capability

Номер патента: US09900103B1. Автор: Sian Chong J. Lee. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Switching power supply startup circuit with normally on device providing startup charging current

Номер патента: US09742262B1. Автор: Mark Jutras. Владелец: Bel Fuse Macao Commercial Offshore Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Magnetic circuit with double magnet, loud-speaker and device for generating oscillations using such magnetic circuit

Номер патента: RU2367114C2. Автор: Сеонг Бае КИМ. Владелец: Сеонг Бае КИМ. Дата публикации: 2009-09-10.

System and method for transmitting and receiving a signal in mobile communications system, using adaptive antenna array circuit with a set of inputs and a set of outputs

Номер патента: RU2305898C2. Автор: Чан-Биоунг ЧАЕ,Пан-Йух ДЗОО,Чанг-Хо СУХ,Кац Маркос ДАНИЕЛЬ,Биоунг-Йун КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-09-10.

Superconducting circuit with proximity effect

Номер патента: RU2753673C1. Автор: Варнава Денисович Есин,Николай Николаевич Колесников,Эдуард Валентинович Девятов,Анна Владимировна Тимонина,Юрий Семенович Бараш. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-08-19.

Charge and discharge control circuit with function detecting charge and discharge current and chargeable power supply unit

Номер патента: US6150797A. Автор: Hiroshi Mukainakano. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-21.

Energy harvesting circuit with an oscillating structure

Номер патента: US20190115783A1. Автор: Massimiliano BRACCO. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2019-04-18.

Switching power supply circuit with synchronous rectification and associated control circuit and control method

Номер патента: US11356030B2. Автор: LEI Miao,Siran Wang. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Integrated circuit with configurable output cell

Номер патента: US20130108088A1. Автор: Dan Christian Raun Jensen,Palle Hegne PEDERSEN. Владелец: GN Resound AS. Дата публикации: 2013-05-02.

Bias Circuit with High Enablement Speed and Low Leakage Current

Номер патента: US20120119823A1. Автор: Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Rectifier circuit with reduced reverse recovery time

Номер патента: US20160276953A1. Автор: Jack L. Glenn. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Rectifier circuit with reduced reverse recovery time

Номер патента: EP3070830A3. Автор: Jack GLENN. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-28.

Synchronous rectification circuit with dead time regulation

Номер патента: US20050174819A1. Автор: Hui Yang. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

BRCT clamping absorption circuit with short circuit protection

Номер патента: US12132306B2. Автор: Zhihua Zhang,Wencai WEI. Владелец: Shenzhen Hontech-Wins Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Pixel circuit with a compensation module

Номер патента: US12057072B2. Автор: Gang Wang,Junfeng Li,Cuili Gai,Rubo Xing,Kangguan Pan,Enqing GUO,Fa-Hsyang CHEN. Владелец: Yungu Guan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

DC boosting circuit with at least one energy storage element

Номер патента: US09979283B2. Автор: Makoto Yatsu. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Electrophoretic apparatus and electronic device having a pixel circuit with a plurality of driving transistors and a plurality of selection transistors

Номер патента: US09966017B2. Автор: Katsunori Yamazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Flexible printed circuits with bend retention structures

Номер патента: US09769920B2. Автор: Fletcher R. Rothkopf,Stephen Brian Lynch,Colin M. Ely,Anna-Katrina Shedletsky. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Flexible printed circuit with removable testing portion

Номер патента: US09717141B1. Автор: Troy T. Tegg. Владелец: St Jude Medical Atrial Fibrillation Division Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of producing an electronic circuit with protection of the conductive layer

Номер патента: US09572265B2. Автор: Francois Lechleiter,Yannick de Maquille,Severine Dieu-Gomont. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2017-02-14.

Rectifier circuit with reduced reverse recovery time

Номер патента: US09559608B2. Автор: Jack L. Glenn. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Power supply circuit with control unit

Номер патента: US09459639B2. Автор: Kei Kasai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Energy-conducting circuit with rollers

Номер патента: RU2594053C2. Автор: Андреас ГЕРМИ. Владелец: Игус Гмбх. Дата публикации: 2016-08-10.

Protection circuit with low energy-consumption and driving circuit thereof

Номер патента: US9006979B2. Автор: Hua Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Adapter circuit, filter system, AC-DC power source and method

Номер патента: US11984797B2. Автор: HUA Chen,Zhiyu Wang,Yihe Wang,Faxin Yu,Xiaofeng LV,Jiongjiong MO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-05-14.

Bit-corrector circuits for photonic circuits with cascaded photonic gates

Номер патента: US12032023B1. Автор: Bicky A. Marquez. Владелец: Milkshake Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Electrostatic discharge protection circuit with a fail-safe mechanism

Номер патента: US20150288174A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Power supply conversion topology of multiphase switch capacitor resonant cavity conversion circuit with full-wave output rectification and power supply conversion structures based on power supply conversion topology

Номер патента: US20230091474A1. Автор: Hui Zhao,Yiran Chen. Владелец: Nanjing Efficient Power For Intelligent Computing Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Adapter circuit, filter system, ac-dc power source and method

Номер патента: US20240048044A1. Автор: HUA Chen,Zhiyu Wang,Yihe Wang,Faxin Yu,Xiaofeng LV,Jiongjiong MO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-02-08.

Power conversion circuit with multi-functional pin and multi-function setting method thereof

Номер патента: US20210111625A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Drive circuit with multiplexed signal line, array substrate and display panel

Номер патента: US12046175B2. Автор: Haoxuan ZHENG,Jianyu CUI. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Driving circuit, illumination light source, and illumination device

Номер патента: US09603207B2. Автор: Akira Takahashi,Masanobu Murakami,Kazuhiko Itoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

OLED pixel driving circuit with compensation circuitry for uniform brightness

Номер патента: US09514680B2. Автор: Yung-Chih Chen,Wei-Chu Hsu,Li-Wei Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-12-06.

Electrostatic discharge protection circuit with a fail-safe mechanism

Номер патента: US09413169B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Multiphase converting circuit with low content of higher harmonics

Номер патента: RU2344535C2. Автор: Кристиан ШТУЛЬЦ,Кристоф АЙХЛЕР,Эрих ЗЮТЕР,Адриан ЦУКЕРБЕРГЕР,Пидер ЙЁРГ,Томас БЕРНЕР. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2009-01-20.

Adaptation scheme for led connecting to ballast

Номер патента: RU2625333C2. Автор: Харальд Йозеф Гюнтер РАДЕРМАХЕР. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2017-07-13.

Circuit with light-emitting diodes, as well as light-emitting diode array and device

Номер патента: RU2420043C2. Автор: Бернд АКЕРМАНН,Георг ЗАУРЛЕНДЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-05-27.

Integrated circuit with suppression of spurious acoustic modes and method of producing same

Номер патента: RU2547165C2. Автор: Цзе Чэнь,Уилльям ОССМАН,Берни Дж. СЕЙВОРД,Род Дж. СОЛОМОН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-04-10.

Method for tracing a double-sided printed board for circuits with modular redundancy

Номер патента: RU2762336C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Мария Самойличенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-12-20.

Reduction of usefull current in circuits with rx diversity

Номер патента: RU2422995C2. Автор: Богдан ТУДОСОИУ. Владелец: Сони Эрикссон Мобайл Коммьюникейшнз Аб. Дата публикации: 2011-06-27.

Telephone hold circuit with improved self-limiting amplifier for injecting an audio signal during hold conditions

Номер патента: US4492822A. Автор: Robert J. Alderman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-01-08.

Clamping circuit with reverse polarity protection

Номер патента: US5625518A. Автор: Gregory D. Bober. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1997-04-29.

Inverter circuit with current detection circuitry

Номер патента: US20170237362A1. Автор: Masahiro Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Switching type AC adapter circuit with a latch protection circuit

Номер патента: US20040208024A1. Автор: Kouji Murakami,Junji Nagano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

High-speed Optical Transceiver Integrated Chip Drive Circuit with Phase Delay Compensation Function

Номер патента: US20220399941A1. Автор: Zhang Fan,AN Lin,Jinghu LI,Fujie Chen,Zhicong LUO,Jianhai YU,Hanghui TU,Qipeng LIN. Владелец: Xiamen EOchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Alternating current chopper circuit with low noise

Номер патента: US8547053B2. Автор: Chin-Hsiung Chang,Yu-Kai Chen. Владелец: NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-01.

Auto-switching triac compatability circuit with auto-leveling and overvoltage protection

Номер патента: EP2684423A1. Автор: Louis Robert Nerone. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-01-15.

Electrical circuits with reconfigurable interferer signal routing

Номер патента: US20090191815A1. Автор: Ian Sabberton,Paul Christopher Egan. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Electrical circuits with reconfigurable interferer signal routing

Номер патента: US8275321B2. Автор: Ian Sabberton,Paul Christopher Egan. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-09-25.

Rectifiers for wireless power transfer with impedance inverting filters for reduced electromagnetic interference

Номер патента: US09923584B2. Автор: Paolo Menegoli,Arvind Govindaraj,Linda Stacey Irish. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Current sense circuit with offset calibration

Номер патента: US09696352B2. Автор: Stanley Smith,Alan Wayne Brown,Mark Allen Enderich. Владелец: Hella Corporate Center USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Thick film circuits with conductive components formed using different conductive elements and related methods

Номер патента: US09681559B2. Автор: David A Smith,Lisa M Albaugh. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Isolated power supply circuit with programmable function and control method thereof

Номер патента: US09627984B2. Автор: Tzu-Chen Lin,Kuang-Fu Chang,Chih-Wei Chi. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Control circuit with multiple feedback loops and switching power supply thereof

Номер патента: US09525334B2. Автор: Jun Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Gate drive integrated circuit with input line overvoltage protection for a half-bridge power converter

Номер патента: US09520711B1. Автор: Wei Xiong. Владелец: Universal Lighting Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Determination method of the circuit insulation resistance and insulation resistance of the joined alternating current circuit with insulated neutral

Номер патента: RU2614187C1. Автор: Игорь Александрович Галкин,Андрей Борисович Малышев,Андрей Анатольевич Лопатин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "ЭКРА". Дата публикации: 2017-03-23.

Gas discharge lamp ballast circuit with electronic starter

Номер патента: US6147455A. Автор: Louis R. Nerone. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2000-11-14.

Motor start-up circuit with a triac and PTC thermistors

Номер патента: US5898289A. Автор: Junichi Hamatani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Gas discharge lamp ballast circuit with high speed gate drive circuitry

Номер патента: US6051934A. Автор: Louis R. Nerone. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2000-04-18.

Shock protecting circuit breaker for two circuits with common neutral

Номер патента: US3795841A. Автор: K Klein. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1974-03-05.

Switching bandgap reference circuit with compounded ΔV.sub.βΕ

Номер патента: US5867012A. Автор: Michael G. Tuthill. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1999-02-02.

Water conductivity monitor and circuit with extended operating life

Номер патента: US5057212A. Автор: Bruce D. Burrows. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-10-15.

Semiconductor device having gate-gate, drain-drain, and drain-gate connecting layers and method of fabricating the same

Номер патента: US6437455B2. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-08-20.

Bridge circuit with drift compensation

Номер патента: US4063447A. Автор: Leslie C. Mathison. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1977-12-20.

Systems and methods for increasing granularity and fan-out of electric circuits with co-packaged optical interfaces

Номер патента: US20210176542A1. Автор: Michael Y. Frankel,Eric Maniloff. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US9442506B2. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Pixel circuit with pulse width compensation and operation method thereof

Номер патента: US20240144868A1. Автор: Po-Tsun Liu,Ta-Jen Huang,Chun-Ta Chen,Po Lun Chen,De-Fu Chen,Guang-Ting Zheng,Ting-Yi Yi. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Driver circuit with a signal output

Номер патента: US20230112690A1. Автор: Hao Huang,Lijun Zhu,Mikhail DOLGANOV. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-04-13.

Systems and methods for increasing granularity and fan-out of electric circuits with co-packaged optical interfaces

Номер патента: WO2021113293A1. Автор: Michael Y. Frankel,Eric Maniloff. Владелец: Ciena Corporation. Дата публикации: 2021-06-10.

Vehicle charging circuit with rectifier device, link capacitor and precharging/discharge circuit

Номер патента: US20240025259A1. Автор: Thomas Franz,Walter Schrod,Martin Götzenberger,Waldemar Heimann. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Systems and methods for increasing granularity and fan-out of electric circuits with co-packaged optical interfaces

Номер патента: EP4070563A1. Автор: Michael Y. Frankel,Eric Maniloff. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Switch mode power supply circuit with high voltage output, and electrostatic spray apparatus and agricultural plant protection apparatus using the same

Номер патента: US20230291318A1. Автор: Hung-Yu Chen,Yu-Kai Chen,Chau-Chung Song. Владелец: NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-14.

Flash memory circuit with esd protection

Номер патента: US20110063762A1. Автор: Shao-Chang Huang,Wei-Yao Lin,Tang-Lung Lee,Kun-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Illumination power circuit with dimming function and associated control method

Номер патента: US11612025B2. Автор: Chao-An Chen,Chou-Pao Liao. Владелец: FSP Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-21.

String light circuit with human body sensing

Номер патента: US20240023219A1. Автор: Keyong Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-18.

Personal diagnostic device having a fluidic circuit with a plurality of analysis chambers

Номер патента: US09993189B2. Автор: Brigitte Chau Phan,Andrew Atilla Pal,Ramoncito M. Valencia,Donald Bollella. Владелец: Life Patch International. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit with low power scan system

Номер патента: US09964596B2. Автор: Ling Wang,Wanggen Zhang,Huangsheng Ding. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Pixel circuit with organic light emitting diode

Номер патента: US09773449B2. Автор: Chia-Yuan Yeh,Yung-Ming Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-09-26.

Image sensor circuit with power noise filtering function and control method thereof

Номер патента: US09723241B2. Автор: Mei-Chao Yeh,Chien-Jung Chou. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Receiving circuit with ultra-wide common-mode input voltage range

Номер патента: US09509488B1. Автор: Hsun-Hsiu Huang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Lamp brightness control circuit with ambient light compensation

Номер патента: US5404080A. Автор: Fazle Quazi. Владелец: Etta Industries Inc. Дата публикации: 1995-04-04.

Method and device to relate modulation and coding circuit with scope of resources

Номер патента: RU2480963C2. Автор: Кари ПАЮКОСКИ,Эса ТИИРОЛА,Паси КИННУНЕН. Владелец: Нокиа Сименс Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2013-04-27.

Resonance power circuit with clamping circuit

Номер патента: US5598324A. Автор: Nobuaki Imamura,Nobuhiro Oyama. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1997-01-28.

Ignition circuit with regulated ignition voltage

Номер патента: RU2347332C2. Автор: Кай АРБИНГЕР,Роман ПЛОНЕР,Хендрик ХАЙН. Владелец: Тридоникатко Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2009-02-20.

Telephone line circuit with differential loop current sensing and compensation

Номер патента: CA1074034A. Автор: Vincent V. Korsky. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1980-03-18.

Imaging device readout circuit with ADC connected to plural memory locations

Номер патента: GB2424781A. Автор: Graham Kirsch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-04.

Electric circuit with power amplifier for piezoelectric actuators

Номер патента: CA2831245C. Автор: Stefan Storm,Boris Grohmann. Владелец: AIRBUS HELICOPTERS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-03-29.

Metal detector circuit with automatic optimum sensitivity adjustment

Номер патента: US4204160A. Автор: Walter Voll. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-05-20.

Thermal flow sensor integrated circuit with low response time and high sensitivity

Номер патента: US20120103085A1. Автор: Ronald Dekker,Nicolaas Johannes Anthonius Van Veen,Alphonsus Tarcisius Jozef Maria Schipper,Pascal De Graaf,Jaap Roger Haartsen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-05-03.

Reference Voltage Circuit with Low Temperature Drift

Номер патента: US20190361476A1. Автор: Liang Zhang,Jia Zhou,Yuming Feng,Shirong Fan,Yijun Xu,Jianxun Li,Wenjie Yang,Xinchao PENG,Yuhua Xie. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2019-11-28.

Output circuit with peak voltage detection

Номер патента: US20230258698A1. Автор: Keiji Tanaka,Hiroshi Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Passive bridge circuit with oxide windows as leakage sink

Номер патента: US20190064246A1. Автор: Dirk Hammerschmidt,Manfred Steiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Light-emitting diode circuit with parallel sequence function, light-emitting diode lamp, and light-emitting diode light string

Номер патента: US20240163993A1. Автор: Wen-Chi PENG. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

DALI Interface Circuit with Bootstrap Function

Номер патента: US20190174591A1. Автор: Xiaobo YOU,Pengyuan ZHAO. Владелец: Self Electronics USA Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Pixel Circuit with Organic Light Emitting Diode

Номер патента: US20160063920A1. Автор: Yu-Kai Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-03-03.

Eos protection circuit with fet-based trigger diodes

Номер патента: US20150085408A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Methods Of Manufacturing Flex Circuits With Mechanically Formed Conductive Traces

Номер патента: US20220232706A1. Автор: Michael Peter Ciaccio. Владелец: Gentherm GmbH. Дата публикации: 2022-07-21.

Sensor circuit with noise elimination

Номер патента: US20240284063A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Hung-Yen Tai,Chen-Yuan Yang,Ming-Lung HSU. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-08-22.

Continuous leakage detection circuit with integrated robustness check and balanced fault detection

Номер патента: US09411004B2. Автор: Benjamin A. Tabatowski-Bush. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Switched-mode power supply having a sample-and-hold circuit with improved sampling control

Номер патента: US5956242A. Автор: Naveed Majid,Ton Mobers. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Connecting a generator to a a circuit with existing alternating current

Номер патента: GB2360402A. Автор: Wayne Kenneth Aldridge,George Mcchesney Francis,Isobel Dorothy Rea. Владелец: BG Intellectual Property Ltd. Дата публикации: 2001-09-19.

Method for fabricating memory cell matrix having parallel source and drain interconnection metal lines formed on the substrate and topped by orthogonally oriented gate interconnection parallel metal lines

Номер патента: US5279982A. Автор: Pier L. Crotti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1994-01-18.

LCD device having driving circuits with multilayer external terminals

Номер патента: US5748179A. Автор: Masahiko Suzuki,Kuniyuki Matsunaga,Masumi Sasuga,Shiro Ueda,Junichi Ohwada,Kimitoshi Ohgiichi,Masataka Natori,Hikaru Ito. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-05-05.

Power supply circuit with backup function

Номер патента: US4795914A. Автор: Osamu Higa,Syunichi Hirose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-03.

Battery recharging circuit with switch-mode converter

Номер патента: GB2320375A. Автор: Seung-Yun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-06-17.

Method and apparatus for field-effect transistor current sensing using the voltage drop across drain to source resistance that eliminates dependencies on temperature of the field-effect transistor and/or statistical distribution of the initial value of drain to source resistance

Номер патента: US6642738B2. Автор: Alaa Elbanhawy. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-11-04.

Switching circuit providing adjustable capacitive series voltage dropping circuit with a fractional horsepower motor

Номер патента: US4992709A. Автор: Raymond T. Griffin. Владелец: Lightolier Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Integrated circuit with input and/or output bolton pads with integrated logic

Номер патента: EP1797442B1. Автор: Eric Société Civile SPID BERNASCONI,Emmanuel Société Civile SPID SOLARI. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-28.

Inverter circuit with symmetry control

Номер патента: CA1189140A. Автор: Thomas E. Anderson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-06-18.

Single-stage AC-DC converter circuit with power factor correction function

Номер патента: US11848604B2. Автор: Jun Liu,Shun Yao,Jinzhu Xu,Yingying Feng. Владелец: Shenzhen VMAX New Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Voltage regulator circuits with pass transistors and sink transistors

Номер патента: US20180335794A1. Автор: Ramakrishna Ankamreddi,Rohit Phogat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Power supply circuit with spike suppression circuit

Номер патента: US20120326682A1. Автор: Peng Chen,Qi-Yan Luo,Song-Lin Tong. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Reference voltage generation circuit with startup circuit

Номер патента: US9864394B2. Автор: Yousuke Katsushima. Владелец: Torex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit with external resistance detection

Номер патента: EP3205024A1. Автор: Faruk Jose Nome SILVA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-16.

Line discharge circuit with low power components

Номер патента: WO2020167378A1. Автор: Bogdan Simionescu. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2020-08-20.

Line Discharge Circuit with Low Power Components

Номер патента: US20200266709A1. Автор: Bogdan Simionescu. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Installation including a stored energy source and an electric motor which can be fed by an inverter, and method for operating an installation

Номер патента: US20230031711A1. Автор: Dominik Hecht,Hubert Heine. Владелец: SEW Eurodrive GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-02.

Goa circuit with bidirectional outputs and seamlessly-joined screen

Номер патента: US20220122559A1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Wireless power overvoltage protection circuit with reduced power dissipation

Номер патента: EP2891226A2. Автор: Ryan Tseng,Edward Kenneth Kallal,Pavel Monat. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

High speed cmos image sensor circuits with block memory readout

Номер патента: WO2007044337A2. Автор: Alexander Krymski. Владелец: Alexander Krymski. Дата публикации: 2007-04-19.

Bandgap reference circuit with reduced flicker noise

Номер патента: EP4097559A1. Автор: Evgueni Ivanov. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Low dropout regulator circuit with reduced overshoot and undershoot and the method thereof

Номер патента: US20230400872A1. Автор: YONG ZHOU. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Control circuits with energy recycling for envelope elimination and restoration and related methods

Номер патента: US09660443B1. Автор: Gregory G. Romas, Jr.,Thomas E. Byrd,Huan V. Le,Tyrel D. Parks. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Cooled printed circuit with multi-layer structure and low dielectric losses

Номер патента: US09609740B2. Автор: Sebastien Bonnet,Serge Verdeyme,Michel Campovecchio,Alain Dravet,Marc-Yves Lienhart. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-03-28.

Device and transfer method for use in mobile communications system, based on orthogonal multiplexing circuit with frequency division

Номер патента: RU2290764C2. Автор: Янг-Квон ЧО,Хо-Киу ЧОЙ,Кац Маркос ДЭНИЕЛ,Сеок-Хиун ИООН,Донг-Сик ПАРК,Сеонг-Илл ПАРК,Пан-Иух ДЗОО,Янг-Киун КИМ,Хиеон Воо ЛИ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2006-12-27.

Layout of light-emitting diode circuit with improved twinkling performance

Номер патента: RU2511714C2. Автор: Харальд Й. Г. РАДЕРМАХЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for arranging printed conductors for circuits with modal redundancy

Номер патента: RU2751672C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Александр Михайлович Заболоцкий,Антон Олегович Белоусов,Евгений Сергеевич Жечев,Евгения Борисовна Черникова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-07-15.

Power source and electrical device containing such power source

Номер патента: RU2629554C9. Автор: Кунио КАВАМУРА,Дайсукэ САКАИ. Владелец: ЭЙДЗО Корпорейшн. Дата публикации: 2018-01-22.

High pressure lamp operating circuit with suppression of lamp flicker

Номер патента: US5608294A. Автор: Holger MÖNCH,Gunther H. Derra,Hanns E. Fischer,Hans G. Ganser. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Low-cost driver circuit with improved power factor

Номер патента: CA2968591C. Автор: Timothy Chen,Daniel Albert Haas. Владелец: Technical Consumer Products Inc. Дата публикации: 2021-07-20.

Inverter circuit with symmetry control

Номер патента: US4429359A. Автор: Thomas E. Anderson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-01-31.

A converter circuit with a single-ended blocking converter

Номер патента: AU1375088A. Автор: Detlef Kupka. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-09-29.

Circuit with at least one catalytic measuring element

Номер патента: CA2542789C. Автор: Matthias Martens,Mladen Schlichte. Владелец: Draeger Safety AG and Co KGaA. Дата публикации: 2013-07-09.

Subscriber's circuit with a symmetrical amplifier

Номер патента: US4211896A. Автор: Gilbert M. M. Ferrieu. Владелец: Telecommunications Radioelectriques et Telephoniques SA TRT. Дата публикации: 1980-07-08.

Sample-and-hold circuit with black sun control

Номер патента: US20170126998A1. Автор: Noam Eshel,Golan Zeituni. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Sample-and-hold circuit with black sun control

Номер патента: WO2017073352A1. Автор: Noam Eshel,Golan Zeituni. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2017-05-04.

Power supply circuit with soft start circuit

Номер патента: US20080158919A1. Автор: TONG Zhou,HUA Xiao,Jian-Hui Lu,Kun Le,Han-Tao Liu. Владелец: Innocom Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Multi-string led current balancing circuit with fault detection

Номер патента: US20220361303A1. Автор: Garrett Warren SATTERFIELD,Collin Philip WELLS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Multi-string LED current balancing circuit with fault detection

Номер патента: US11849516B2. Автор: Garrett Warren SATTERFIELD,Collin Philip WELLS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with data voltage applied at light-emitting device

Номер патента: US20190295473A1. Автор: TONG Lu,Naoki Ueda,Tim Michael Smeeton,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Active horizontal convergence circuit with two separately adjustable waveforms

Номер патента: US3798496A. Автор: M Koubek. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-03-19.

Rectifiers for wireless power transfer with impedance inverting filters for reduced electromagnetic interference

Номер патента: WO2017040059A1. Автор: Paolo Menegoli,Arvind Govindaraj,Linda Stacey Irish. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-09.

A mechanical wave inducing device being connectable to a needle

Номер патента: US20220233180A1. Автор: Gosta Ehnholm,Heikki J. NIEMINEN,Matti Mikkola,Yohann Le Bourlout. Владелец: Aalto Korkeakoulusäätiö sr. Дата публикации: 2022-07-28.

Trolley for pressure cleaning of piping has reel to hold pressure hose connected to pressurized water source and having brush on outlet end

Номер патента: CH693588A5. Автор: Hans Brunner. Владелец: A & B Buersten Technik Ag. Дата публикации: 2003-10-31.

Cleaning apparatus inside projection cabin comprises projector surrounded by closed loop connected to compressed air source and drilled with holes directed to loop center

Номер патента: FR2795978A1. Автор: Stephane Bonal. Владелец: Sames SA. Дата публикации: 2001-01-12.

Oxygen supplying circuit for aircraft passenger, has oxygen supply line connected to pressurized oxygen source, and pressure regulator operating in response to control signal provided by electronic control unit

Номер патента: FR2858560A1. Автор: Stephane Lessi,Jean Michel Cazenave,Nicolas Schmutz,Didier Gaget,Jean Dehayes. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2005-02-11.

Lubrication assembly for ball screw in e.g. machine tools, has grease guiding line connected to pressure medium source, and proportioned grease quantity supplied to thread of nut of ball screw by pressure medium impact fed into line

Номер патента: DE102009023984A1. Автор: Joseph Steiner,Helmuth Fritz. Владелец: DECKEL MAHO PFRONTEN GMBH. Дата публикации: 2010-12-16.

Actuating device for vehicle seat, has cylinder connected to pressure gas source, and piston received in cylinder for movement under influence of gas pressure

Номер патента: NL1018059C2. Автор: Johannes Theodorus M Rasenberg. Владелец: Whiplash Preventie Systems Hol. Дата публикации: 2002-11-12.

A brush for pet animals has an attachment for connecting to a vacuum source and a brush head with bundles of bristles extending through a sliding cover

Номер патента: DE202004011639U1. Автор: . Владелец: FUNK DREIDIMENSIONAL ENTWICKLUNGS- und VERTRIEBS GmbH. Дата публикации: 2004-10-07.

Refrigeration circuit with thermal storage

Номер патента: EP4386280A1. Автор: Sascha Hellmann,Subramanyaravi Annapragada,Rebecca Shen. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Defibrillation circuit with low voltage energy storage

Номер патента: EP4403204A1. Автор: Gust H. Bardy,Jason Felix,Joshua Djon Green. Владелец: Bardy Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Refrigeration circuit with reheat coil

Номер патента: US20020023443A1. Автор: Dwayne Johnson,Walter Earhart,David Eber,Paul Glamm,John Klouda,Brian Kiel,Dale Hulst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Mechanical kinematic circuit with eccentric motor for resonance electric toothbrush

Номер патента: RU2550432C2. Автор: Тайлер Г. КЛОСТЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-05-10.

Closed loop drive circuit with open circuit pump assist for high speed travel

Номер патента: EP2652212A1. Автор: Torsten Berg. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2013-10-23.

Ink circuit with several modular units

Номер патента: US12103311B2. Автор: Francis Pourtier,Thomas Marzano,Vincent Audouard,Matthieu Bardin. Владелец: Dover Europe Sàrl. Дата публикации: 2024-10-01.

Water dispenser and drain for use with a toilet

Номер патента: US09554676B1. Автор: Bernard Bisciotti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-31.

Closed loop drive circuit with external brake assist

Номер патента: US09458842B2. Автор: Torsten Berg. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Hydraulic transmission circuit with multiple capacities

Номер патента: US09512859B2. Автор: Clement Recoura,Guillaume Charrier. Владелец: POCLAIN HYDRAULICS INDUSTRIE. Дата публикации: 2016-12-06.

Motor cooling circuit with integrated fod particle separator

Номер патента: US20180169669A1. Автор: Richard A. Himmelmann. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Improved control concept for closed circuit with brighton cycle

Номер патента: RU2678233C2. Автор: Патрик ЛАФФОН. Владелец: Дженерал Электрик Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2019-01-24.

Gear box for power take-off in gas turbine engine consisting of kinematic circuit with engagement lines arranged in non-parallel planes

Номер патента: RU2641777C2. Автор: Беллал ВАИССИ,Стефан ПРЮНЕРА-ЮЗАШ,Жордан ПЕЛЬТЬЕ,Ален Пьер ГАРАССИНО,Франц АРМАНЖ,Ламбер Оливье Мари ДЕМУЛЕН,КАСТРО Нурия ЛЬЯМАС. Владелец: Испано Сюиза. Дата публикации: 2018-01-22.

Connecting element of circuit with protective spacer element

Номер патента: RU2591776C1. Автор: Эугениуш БРОДЗЯК. Владелец: ТИЛЕ ГМБХ унд КО.КГ. Дата публикации: 2016-07-20.

Fluidic assembly for an air conditioning circuit with a heat exchanger

Номер патента: EP2303617A1. Автор: Mariofelice Zanardi,Luigi Casella. Владелец: Dytech Dynamic Fluid Technologies SpA. Дата публикации: 2011-04-06.

Fluidic assembly for an air conditioning circuit with a heat exchanger

Номер патента: WO2010010450A1. Автор: Mariofelice Zanardi,Luigi Casella. Владелец: Dytech - Dynamic Fluid Technologies S.P.A.. Дата публикации: 2010-01-28.

Ligature resistant strainer and drain assembly

Номер патента: US20210071404A1. Автор: Darryl M. Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2021-03-11.

Ligature resistant strainer and drain assembly

Номер патента: CA3092311A1. Автор: Darryl M. Boeltl. Владелец: Acorn Engineering Co. Дата публикации: 2021-03-06.

Method of controlling stains of rail track circuits with electrical joints

Номер патента: RU2684162C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой,Александр Владимирович Горелик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский университет транспорта (МИИТ)" РУТ (МИИТ). Дата публикации: 2019-04-04.

Reactor feed water circuit with fluidised bed and reactor with fluidised bed with such feed water circuit

Номер патента: RU2396486C1. Автор: Пентти ЛАНКИНЕН. Владелец: Фостер Вилер Энергия Ой. Дата публикации: 2010-08-10.

Refrigerating circuit with heat regeneration module

Номер патента: RU2659679C2. Автор: Саша ХЕЛЛМАНН. Владелец: Кэррие Корпорейшн. Дата публикации: 2018-07-03.

Dental implant, elements, connected to dental implant, and internal connection between dental implant and each element

Номер патента: RU2379004C2. Автор: АЛЬДЕКОА Эдуардо АНИТУА. Владелец: Байотекнолоджи Инститьют, И Мас Д, С.Л.. Дата публикации: 2010-01-20.

Reinforced concrete sleeper for insulating joints of signal current of rail circuits with pulse supply (versions)

Номер патента: RU2700249C1. Автор: Нина Фридриховна Сирина,Михаил Евгеньевич Юшков,Светлана Сергеевна Юшкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный университет путей сообщения". Дата публикации: 2019-09-13.

Water closet bowl support and drain assembly

Номер патента: GB749121A. Автор: Hurley Vernon Boggess,John Henry Schmid. Владелец: J A ZURN Manufacturing CO. Дата публикации: 1956-05-16.

Defibrillation circuit with low voltage energy storage

Номер патента: US11794026B1. Автор: Gust H. Bardy,Jason Felix,Joshua Djon Green. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-24.

Refrigeration circuit with thermal storage

Номер патента: US20240200841A1. Автор: Sascha Hellmann,Subramanyaravi Annapragada,Rebecca Shen. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Remote controlled water flow and drain system

Номер патента: WO2003020012A1. Автор: FRANC GERGEK. Владелец: FRANC GERGEK. Дата публикации: 2003-03-13.

Remote controlled water flow and drain system

Номер патента: EP1422996A1. Автор: FRANC GERGEK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-02.

Removable wound bandage and method for temporarily closing and draining open wound

Номер патента: RU2261692C2. Автор: Кеннет Уиль м ХАНТ,Кеннет Уильям ХАНТ,Кит Патрик ХИТОН,Уэйн М. Д. ШРОДЕР. Владелец: Кей-Си-Ай Лайсенсинг, Инк.. Дата публикации: 2005-10-10.

Proportioning cover for simultaneous drain of two different fluids in required proportion

Номер патента: RU2424965C2. Автор: Фритц ЗЕЕЛЬХОФЕР. Владелец: Белькап Свитзерланд Аг. Дата публикации: 2011-07-27.

Circuit with double-stage throttling by capillary tubes and with receiver

Номер патента: RU2351859C2. Автор: Ларс Кристиан Вульф ЦИММЕРМАНН. Владелец: Ларс Кристиан Вульф ЦИММЕРМАНН. Дата публикации: 2009-04-10.

System of positioning of at least one flexible tubular element connected to cup-shaped element

Номер патента: RU2549109C2. Автор: Йонас ХОЛЬМКВИСТ,Керстин ВОЛЛЬМЕР. Владелец: ДЕЛАВАЛЬ ХОЛДИНГ АБ. Дата публикации: 2015-04-20.

METHOD OF DETECTING FAULT IN 6( 10 )-35 kV ELECTRIC CIRCUIT WITH ISOLATED OR COMPENSATED NEUTRAL POINT

Номер патента: RU2305292C1. Автор: Людмила Прокопьевна Андрианова,Эдуард Рамилевич Байбурин. Владелец: Эдуард Рамилевич Байбурин. Дата публикации: 2007-08-27.

Universal installation box for use in dryer vent systems and in water supply and drain systems

Номер патента: US3847175A. Автор: K Anderson. Владелец: CARRCRAFT Manufacturing Co. Дата публикации: 1974-11-12.

Track circuits with cab signals for dual gage railroads

Номер патента: CA1076242A. Автор: Crawford E. Staples. Владелец: Westinghouse Air Brake Co. Дата публикации: 1980-04-22.

Inflow and drain fixture for bathtubs or shower tubs

Номер патента: CA2316734C. Автор: Maarten Röst,David Benne. Владелец: Geberit Technik Ag. Дата публикации: 2007-06-12.

Fuel oil supply circuit for an oil burner having a solenoid valve in parallel circuit with diaphragm valve for controlling oil flow at start up

Номер патента: US20030113676A1. Автор: Dale Hunsberger,Bill Mitchell,David Zierke. Владелец: Suntec Industries Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Electrosurgical instrument with impedance transformer for delivering microwave energy

Номер патента: US11832881B2. Автор: Christopher Paul Hancock,Malcolm White,Patrick BURN. Владелец: Creo Medical Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Drain socket and drain socket-equipped toilet bowl

Номер патента: US20200378103A1. Автор: Hidekazu Miyake,Maiko NAKAGAWA,Takamasa Ina,Naoto Yonedu. Владелец: Lixil Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Determining an issue in an inkjet nozzle with impedance measurements

Номер патента: US09701116B2. Автор: Alexander Govyadinov,Andrew L. Van Brocklin,Eric T. Martin,David Maxfield. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-07-11.

Determining an issue in an inkjet nozzle with impedance measurements

Номер патента: US09463622B2. Автор: Alexander Govyadinov,Andrew L. Van Brocklin,Eric T. Martin,David Maxfield. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-10-11.

Ventilator breathing circuit with a nebulizer between the ventilator and humidifier

Номер патента: US20240075238A1. Автор: Gerald Smaldone. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-03-07.

Washing machine appliances with shortened supplementary spin and drain cycles

Номер патента: US20240060226A1. Автор: Ryan James Scheckelhoff,Ryan Ellis Leonard. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Hose adapter and drain assembly for a housing of a filter assembly

Номер патента: EP3646928A1. Автор: Javier Rodriguez,Darrell Morehouse. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2020-05-06.

Assembly and drain cover

Номер патента: GB2613349A. Автор: Snell Jake,Gell Ian,Linnell Kevin. Владелец: Aqualisa Products Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Ventilator breathing circuit with a nebulizer between the ventilator and humidifier

Номер патента: EP4277682A1. Автор: Gerald Smaldone. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2023-11-22.

Accessory mounting system for connection to a work component having an elongated T-shaped slot

Номер патента: US12017318B1. Автор: William D. Heidt. Владелец: Tso Products LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Steam generation and drain system for modular oven

Номер патента: EP4330602A1. Автор: Philip R. Mckee,Lee Thomas Vanlanen,Jeff Maddox,Craig Douglas Burnett. Владелец: Alto Shaam Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of liquefying natural gas using refrigerating circuit with closed cycle

Номер патента: RU2684060C2. Автор: Николя ШАМБРОН. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2019-04-03.

Railway track circuit with switching means

Номер патента: CA1171162A. Автор: Michel Guillard,Andre Even,Christian Fortier,Dominique Hedoin,Serge Le Guen,Dominique Raucourt,Christian Vendeventer. Владелец: Compagnie de Signaux et dEntreprises Electriques SA. Дата публикации: 1984-07-17.

Vehicle-starting circuit with excessive voltage detection

Номер патента: US4233552A. Автор: Dale M. Baumbach. Владелец: Associated Equipment Corp. Дата публикации: 1980-11-11.

Interlocked remote oil filter and drain

Номер патента: CA1313609C. Автор: Torey W. Degrazia, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-02-16.

Tileable modular floor system and drain

Номер патента: CA3186275A1. Автор: Spencer P. Maheu,Dustin Prevete. Владелец: Laticrete International Inc. Дата публикации: 2023-06-30.

Ink circuit with several modular units

Номер патента: US11807012B2. Автор: Francis Pourtier,Thomas Marzano,Vincent Audouard,Matthieu Bardin. Владелец: Dover Europe Sàrl. Дата публикации: 2023-11-07.

Ink circuit with several modular units

Номер патента: US20240149587A1. Автор: Francis Pourtier,Thomas Marzano,Vincent Audouard,Matthieu Bardin. Владелец: Dover Europe Sàrl. Дата публикации: 2024-05-09.

Sandwich plate element connection system and method for connecting sandwich plate elements

Номер патента: EP4416035A1. Автор: LUTZ Håkan Glanton. Владелец: Luvly AB. Дата публикации: 2024-08-21.

Sandwich plate element connection system and method for connecting sandwich plate elements

Номер патента: CA3235034A1. Автор: LUTZ Håkan Glanton. Владелец: Luvly AB. Дата публикации: 2023-04-20.

Sandwich plate element connection system and method for connecting sandwich plate elements

Номер патента: AU2022367794A1. Автор: LUTZ Håkan Glanton. Владелец: Luvly AB. Дата публикации: 2024-05-02.

Sandwich plate element connection system and method for connecting sandwich plate elements

Номер патента: WO2023062059A1. Автор: LUTZ Håkan Glanton. Владелец: Luvly AB. Дата публикации: 2023-04-20.

Element with a shank and a holding element connected to it for connecting to a rod

Номер патента: US09895173B2. Автор: Lutz Biedermann,Jurgen Harms. Владелец: Biedermann Technologies GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-02-20.

Fill and drain fittings for a hydroponic flood table

Номер патента: US09717192B1. Автор: Michael Danner,Steven Sawicki. Владелец: Eugene G Danner Manufacturing Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Locking and draining device of a railway tank car

Номер патента: RU170721U9. Автор: Денис Владимирович Шевченко,Кирилл Вальтерович Кякк,Роман Александрович Савушкин,Сергей Александрович Савельев,Александр Васильевич Александр Васильевич Калугин,Дмитрий Трофимович Дмитрий Трофимович Лавренко. Владелец: РЕЙЛ 1520 АйПи ЛТД. Дата публикации: 2022-04-11.

Hydraulic circuit with load sensing feature

Номер патента: US5615553A. Автор: Patrick M. Lourigan. Владелец: Case LLC. Дата публикации: 1997-04-01.

Fast filling and draining valve assembly and associated system

Номер патента: US20230000023A1. Автор: Benestine Lee,Todd Eberline,Paul Millett,Neill Wainwright. Владелец: Invertigro Pty Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

D.c. arc welding power circuit with solid state components

Номер патента: CA1049104A. Автор: Clemente Maule. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-02-20.

Device for connecting and draining a pouch

Номер патента: CA1277634C. Автор: Roland Steiner,Eugene Van Meir. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 1990-12-11.

Device for producing a closed current circuit with a flowable medium and a vibrating metal conductor

Номер патента: US20240083782A1. Автор: Harald Hielscher,Holger Hielscher,Thomas Hielscher. Владелец: DR HIELSCHER GMBH. Дата публикации: 2024-03-14.

Concentric breathing circuit with boost zone

Номер патента: US20240024609A1. Автор: Donald J. Novkov,Stefano Borali,Matthew J Phillips,Stanley B. KAUS,Maurizio Listo. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2024-01-25.

Device for protecting contacts of integration circuits with metal-dielectric-semiconductor structure from electrostatic discharges

Номер патента: RU2308146C2. Автор: Наталья Михайловна Горшкова,Наталь Михайловна Горшкова,Ярослав Сергеевич Губин,Артур Гини тович Сибагатуллин,Артур Гиниятович Сибагатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2007-10-10.

System for independent supply of heat to consumers relying on usage of low-potential heat source and powered from renewable electric energy sources

Номер патента: RU2350847C1. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Валерий Владимирович Харченко,Вячеслав Викторович Чемеков,В чеслав Викторович Чемеков. Владелец: Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2009-03-27.

Connection method of radiant energy source of compact electric energy-saving lamp to source of electric energy and device for its implementation

Номер патента: RU2539332C2. Автор: Константин Андреевич Деревенко,Андрей Константинович Деревенко. Владелец: Константин Андреевич Деревенко. Дата публикации: 2015-01-20.

Device to measure voltage in high-voltage circuit with remote data transfer

Номер патента: RU2482503C1. Автор: Владимир Константинович Козлов,Игорь Николаевич Лизунов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ"). Дата публикации: 2013-05-20.

Power supply circuit with multiple modes

Номер патента: WO2024196560A1. Автор: Dongyang TANG,Subbarao Surendra Chakkirala. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.