Apparatus and Method for Use with a Substrate Chamber
Номер патента: US20230383435A1
Опубликовано: 30-11-2023
Автор(ы): Jung-Jen Chen, Li-Ting Wang, Ming-Hua Yu, Yee-Chia Yeo
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-11-2023
Автор(ы): Jung-Jen Chen, Li-Ting Wang, Ming-Hua Yu, Yee-Chia Yeo
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for growing a gallium oxide layer on a substrate and semiconductor wafer
Номер патента: EP4335949A1. Автор: Andreas Popp,Walter Häckl,Ta-Shun Chou,Saud Bin Anooz. Владелец: Leibniz Institut Fuer Kristallzuechtung Im Forschungsverbund Berlin EV. Дата публикации: 2024-03-13.