Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Cross point memory device

Номер патента: KR101726326B1
Опубликовано: 12-04-2017
Автор(ы): 양준성, 한현승
Принадлежит: 성균관대학교산학협력단
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8411477B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large cross-point memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US8559209B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Compact socket connection to cross-point array

Номер патента: WO2014004693A1. Автор: Fabio Pellizzer,Gianfranco Capetti,Antonino Rigano. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-01-03.

Local bit lines and methods of selecting the same to access memory elements in cross-point arrays

Номер патента: US8897050B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Chang Hua Siau,Seow Fong Lim,Sri Namala. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Cross-point memory single-selection write technique

Номер патента: US20190074058A1. Автор: Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Cross-point memory single-selection write technique

Номер патента: US20160336048A1. Автор: Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal,Mase J Taub. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Cross-point memory single-selection write technique

Номер патента: US20170294228A1. Автор: Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Memory structures and related cross-point memory arrays, electronic systems, and methods of forming memory structures

Номер патента: US9397145B1. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Cross point array architecture for multiple decks

Номер патента: EP4399708A1. Автор: Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Cross point array architecture for multiple decks

Номер патента: US20240268127A1. Автор: Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Cross point array architecture for multiple decks

Номер патента: US11895851B2. Автор: Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Cross-point architecture for pcram

Номер патента: US20230380194A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Storage device, memory device and semiconductor device

Номер патента: US20170076756A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device

Номер патента: US20240257841A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220077168A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2022132537A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Shicong Wang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Signal timing alignment based on a common data strobe in memory devices configured for stacked arrangements

Номер патента: US20240265961A1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: III Holdings 2 LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: US20240349498A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20210384256A1. Автор: Jeonghee Park,Changhyun Cho,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200395409A1. Автор: Jeonghee Park,Changhyun Cho,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20240244842A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device, memory system, and method

Номер патента: US20230410857A1. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Constructions, Electronic Systems, and Methods of Forming Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20170271411A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20160087010A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: EP4420494A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

System and method for reducing pin-count of memory devices, and memory device testers for same

Номер патента: US20130229878A1. Автор: Benjamin S. Louie,Scott N. Gatzemeier,Adam D. Johnson,Wallace E. Fister. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Transistor configurations for multi-deck memory devices

Номер патента: US20240194671A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Etch stop layer for memory device formation

Номер патента: US20240321635A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Microelectronic devices including stair step structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20210398997A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Microelectronic devices including support pillar structures, and related memory devices

Номер патента: US20220367500A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758729B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Microelectronic devices and memory devices including conductive levels having varying compositions

Номер патента: US20230154856A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device stack availability

Номер патента: WO2024086104A1. Автор: John Eric Linstadt,Dongyun Lee,Wendy Elsasser. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory devices having programmable elements with accurate operating parameters stored thereon

Номер патента: US20120036314A1. Автор: Jeffery W. Janzen,Scott Schaefer,Todd D. Farrell. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240276730A1. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device with adjustable delay propagation of a control signal to different page buffer driver groups

Номер патента: US12051484B2. Автор: Violante Moschiano,Andrea D'Alessandro,Giacomo DONATI,Luigi Marchese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Microelectronic devices including stack structures having air gaps, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12052862B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Magnetoresistive memory device

Номер патента: RU2653131C2. Автор: Тадаси МИЯКАВА,Кацухико ХОЯ,Хироюки ТАКЕНАКА,Кеисуке НАКАЦУКА,Такеси ХАМАМОТО. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2018-05-07.

Cross-Point Array of Polymer Junctions with Individually-Programmed Conductances

Номер патента: US20210020241A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,James B. Hannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Cross-Point Array of Polymer Junctions with Individually-Programmed Conductances

Номер патента: US20220044728A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,James B. Hannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Cross-point array of polymer junctions with individually-programmed conductances

Номер патента: US11842771B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,James B. Hannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Overlapping write schemes for cross-point non-volatile memory devices

Номер патента: US20180197607A1. Автор: Jay Kumar,Won Ho Choi,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

BLOCK ERASE SCHEMES FOR CROSS-POINT NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180218773A1. Автор: Bandic Zvonimir Z.,Choi Won Ho,Kumar Jay. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Block erase schemes for cross-point non-volatile memory devices

Номер патента: US10283199B2. Автор: Jay Kumar,Won Ho Choi,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11727965B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Eunji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: US20240345944A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: EP4459620A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Data input/output (i/o) apparatus for use in a memory device

Номер патента: US20070091693A1. Автор: Seung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Data input/output (I/O) apparatus for use in memory device

Номер патента: US20050226058A1. Автор: Seung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-13.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Stored charge use in cross-point memory

Номер патента: US20210020240A1. Автор: Hernan A. Castro,Eric S. Carman,Jeremy M. Hirst. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Program current controller and sense circuit for cross-point memory devices

Номер патента: US20240321355A1. Автор: Andrea Ghetti,Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device with increased electrode resistance to reduce transient selection current

Номер патента: US20210151672A1. Автор: John Gorman,Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Davide Mantegazza,Iniyan Soundappa Elango,Srivatsan Venkatesan,Davide Fugazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor constructions, electronic systems, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: EP2150978A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Apparatuses and methods for bi-directional access of cross-point arrays

Номер патента: EP3140834A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

Apparatuses and methods for bi-directional access of cross-point arrays

Номер патента: US20170352411A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Apparatuses and methods for bi-directional access of cross-point arrays

Номер патента: US20160276021A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-09-22.

Apparatuses and methods for bi-directional access of cross-point arrays

Номер патента: WO2015171520A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-11-12.

Access line grain modulation in a memory device

Номер патента: US12087358B2. Автор: David Ross Economy,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Power off recovery in cross-point memory with threshold switching selectors

Номер патента: US20220139454A1. Автор: Neil Robertson,Ward Parkinson,Michael Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Reference architecture in cross-point memory

Номер патента: RU2669103C2. Автор: Баладжи СРИНИВАСАН,Дойл РИВЕРС,Дерчан КАУ,Мэтью ГОЛДМАН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-10-08.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP3785308A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Concurrent multi-bit access in cross-point array

Номер патента: US20220415387A1. Автор: James O'Toole,Ward Parkinson,Nathan Franklin,Michael Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Concurrent multi-bit access in cross-point array

Номер патента: US20220157376A1. Автор: James O'Toole,Ward Parkinson,Nathan Franklin,Michael Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory controller for reducing capacitive coupling in a cross-point memory

Номер патента: WO2015031360A1. Автор: Eric Carman,Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-03-05.

Stored charge use in cross-point memory

Номер патента: US11854615B2. Автор: Hernan A. Castro,Eric S. Carman,Jeremy M. Hirst. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Program current controller and sense circuit for cross-point memory devices

Номер патента: US12002510B2. Автор: Andrea Ghetti,Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Cross point memory array devices

Номер патента: US20110084248A1. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Cross-point array ihold read margin improvement

Номер патента: US20230267981A1. Автор: James O'Toole,Ward Parkinson,Thomas Trent,Nathan Franklin,James W. Reiner,Hans Jurgen Richter,Michael Nicolas Albert Tran,Michael Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Power off recovery in cross-point memory with threshold switching selectors

Номер патента: US11783895B2. Автор: Neil Robertson,Ward Parkinson,Michael Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Via formation for cross-point memory

Номер патента: US11081173B2. Автор: Stephen Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Thermal disturb as heater in cross-point memory

Номер патента: WO2015199837A1. Автор: Nathan Franklin,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-12-30.

Thermal disturb as heater in cross-point memory

Номер патента: EP3161831A1. Автор: Nathan Franklin,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-03.

Via formation for cross-point memory

Номер патента: US20130235655A1. Автор: Stephen Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Via formation for cross-point memory

Номер патента: US20170069375A1. Автор: Stephen Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Via formation for cross-point memory

Номер патента: US10311947B2. Автор: Stephen Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Via formation for cross-point memory

Номер патента: US9484534B2. Автор: Stephen Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Via formation for cross-point memory

Номер патента: US20190318780A1. Автор: Stephen Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Memory device with improved phase change material nucleation rate

Номер патента: US20210305318A1. Автор: Dan Gealy,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Cross point memory array with fast access time

Номер патента: US20040160848A1. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Wayne Kinney,Steven Longcor,Edmond Ward,Steve Hsia. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

High-density SOI cross-point memory array and method for fabricating same

Номер патента: US20040235309A1. Автор: Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

Mixed cross point memory

Номер патента: US20200381046A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Mixed cross point memory

Номер патента: US10777266B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Mixed cross point memory

Номер патента: US20190156885A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Mixed cross point memory

Номер патента: US10803934B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Access line grain modulation in a memory device

Номер патента: US20200051624A1. Автор: David Ross Economy,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Multi-level synaptic weight device of vertical cross-point structure in three dimension and fabrication thereof

Номер патента: US20190288039A1. Автор: Hyunsang Hwang,Seungyeol Oh,In Kyeong Yoo. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2019-09-19.

Cross-point array device including conductive fuse material layer

Номер патента: US20190259814A1. Автор: Jaeyeon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory device with improved driver operation and methods to operate the memory device

Номер патента: US20240265963A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of fabricating for the same

Номер патента: KR20080043173A. Автор: 홍창기,최석헌,손윤호,이준영,백인규,김중현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-16.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: US20240312516A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Cross-Point Self-Aligned Reduced Cell Size Phase Change Memory

Номер патента: US20120087181A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

2s-1c 4f2 cross-point dram array

Номер патента: WO2019066893A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US11887661B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US20240221829A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: EP4266218A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-25.

Resistive random access memory device with three-dimensional cross-point structure and method of operating the same

Номер патента: US20190362786A1. Автор: Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Resistive random access memory device with three-dimensional cross-point structure and method of operating the same

Номер патента: US20230024213A1. Автор: Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Resistive random access memory device with three-dimensional cross-point structure and method of operating the same

Номер патента: US11972796B2. Автор: Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Resistive random access memory device with three-dimensional cross-point structure and method of operating the same

Номер патента: US20210264976A1. Автор: Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: WO2015038328A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Methods of forming a phase change memory with vertical cross-point structure

Номер патента: US20200303459A1. Автор: Federico Nardi,Christopher J. Petti,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Cross-point array with threshold switching selector memory element

Номер патента: US20230360700A1. Автор: Michael K. Grobis,Hans Jurgen Richter. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Nonvolatile semiconductor memory device using a variable resistance film and method of manufacturing the same

Номер патента: US8222075B2. Автор: Eiji Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Cross-point array with threshold switching selector memory element

Номер патента: US11996145B2. Автор: Michael K. Grobis,Hans Jurgen Richter. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory device with single transistor drivers and methods to operate the memory device

Номер патента: US20220343979A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory device with single transistor drivers and methods to operate the memory device

Номер патента: EP4128240A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Riccardo Muzzetto,Umberto Dl VINCENZO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Memory device with improved driver operation and methods to operate the memory device

Номер патента: US20240013831A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device with improved driver operation and methods to operate the memory device

Номер патента: US11996139B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Variable resistance nonvolatile memory device

Номер патента: US20130114327A1. Автор: Kazuhiko Shimakawa,Yuichiro Ikeda,Ken Kawai,Ryotaro Azuma. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100214820A1. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US8335099B2. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US20110044086A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Method of erasing a resistive memory device

Номер патента: US20080130392A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Yi-Ching Jean Wu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Artificial synapse device based on resistive change memory device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240237566A1. Автор: Jea Gun Park,Soo Min JIN,Dae Seong WOO,Sang Hong PARK,Sung Mok JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-11.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory devices with ballasts

Номер патента: WO2018125237A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20200035753A1. Автор: F. Daniel Gealy,Enrico Varesi,Paolo Fantini,Swapril A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Resistive memory device

Номер патента: US8547721B2. Автор: Changbum Lee,Bosoo Kang,Seungeon Ahn,Kihwan Kim,Changjung Kim,Myungjae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-01.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Resistive memory device having a retention layer

Номер патента: WO2019215489A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-11-14.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: US20200342933A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: EP3659037A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: WO2019022993A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180254084A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Configurable resistivity for lines in a memory device

Номер патента: US12040014B2. Автор: Jian Jiao,Michael P. O'Toole,Jason R. Johnson,William L. Cooper,Koushik Banerjee,Isaiah O. Gyan,Robert Cassel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Two bit memory device and method for operating the two-bit memory device and electronic component

Номер патента: US12046269B2. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Itai Lieberman,Takuya Kamiyama,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-23.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20190115532A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Swapnil A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Resistive memory device having ohmic contacts

Номер патента: WO2019175671A1. Автор: Seshubabu Desu. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180114574A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2018078349A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Resistive memory device having a retention layer with non-linear ion conductivity

Номер патента: US20190319185A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4DS Memory Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20200321523A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Swapnil A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: EP4412439A2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Swapnil A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory device having unity buffers with output current limiters

Номер патента: US20240170049A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Michele Maria Venturini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: EP4412439A3. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Swapnil A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Analog storage using memory device

Номер патента: US12080365B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Non-volatile memory device capable of supplying power

Номер патента: US20100027365A1. Автор: Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

On-die heater devices for memory devices and memory modules

Номер патента: US12073908B2. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Program continuation strategies after memory device power loss

Номер патента: US12119068B2. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Apparatus, memory device, and method for storing multiple parameter codes for operation parameters

Номер патента: US20220148631A1. Автор: Kiho Kim,Youngbin LEE,Yeonkyu CHOI,Jinhoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Dynamic power managment of a memory device

Номер патента: US20170294216A1. Автор: Taeyoung Oh,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Dual function compatible non-volatile memory device

Номер патента: WO2009079752A8. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-14.

Dual function compatible non-volatile memory device

Номер патента: US20110242906A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Staggered refresh counters for a memory device

Номер патента: US20210304814A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Access schemes for access line faults in a memory device

Номер патента: US20200051659A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US11200941B2. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Apparatus, memory controller, memory device, memory system, and method for clock switching and low power consumption

Номер патента: US12100475B2. Автор: Hyungjin Kim,Jungsik Park,Soongmann Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US12027227B2. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Magnetoresistive random access memory devices

Номер патента: EP1329904A2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-23.

Cross-point array refresh scheme

Номер патента: US20240265958A1. Автор: Ward Parkinson,Nathan Franklin,Michael K. Grobis,Michael Nicolas Albert Tran. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Array Of Cross Point Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20170330881A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Array Of Cross Point Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20190214390A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells

Номер патента: WO2017196918A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-11-16.

Array of Cross Point Memory Cells and Methods of Forming an Array of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20200152633A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Deck select transistor for three-dimensional cross-point memory

Номер патента: EP4012771A1. Автор: Max Hineman,Prashant Majhi,DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-15.

Cross point array memory device

Номер патента: US5034920A. Автор: Robert N. Rountree. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-07-23.

Cross point array memory in a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: WO2019209876A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Edward McGlaughlin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Calibration device and memory device including the calibration device for a high-speed data i/o operation under a low power condition

Номер патента: US20240331742A1. Автор: Jung Hwan Lee,Sung Ah Lee,Hee Jun Kim,Chan Keun KWON,In Seok Kong,Jae Hyeong Hong,Jun Seo Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Cross-point array refresh scheme

Номер патента: US20230386543A1. Автор: Ward Parkinson,Nathan Franklin,Michael K. Grobis,Michael Nicolas Albert Tran. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Cross-point array refresh scheme

Номер патента: US11972787B2. Автор: Ward Parkinson,Nathan Franklin,Michael K. Grobis,Michael Nicolas Albert Tran. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Cross-point array refresh scheme

Номер патента: WO2023229815A1. Автор: Ward Parkinson,Nathan Franklin,Michael K. Grobis,Michael Nicolas Albert Tran. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Spin orbit-torque magnetic random-access memory (sot-mram) with cross-point spin hall effect (she) write lines and remote sensing read magnetic tunnel-junction (mtj)

Номер патента: US20230086181A1. Автор: Michael RIZZOLO,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Dimitri Houssameddine,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Cross point array memory in a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: US20210027812A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Edward McGlaughlin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Redundant cross point switching system and method

Номер патента: US20080205171A1. Автор: Kimo Y. F. Tam,Jesse R. Bankman. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor nonvolatile memory device

Номер патента: US20120026798A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Daisuke Okada,Tetsuya Ishimaru,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile memory device and cross point array device including the same

Номер патента: US11729992B2. Автор: Sanghun Jeon,Youngin GOH. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-08-15.

Spin orbit-torque magnetic random-access memory (SOT-MRAM) with cross-point spin hall effect (SHE) write lines and remote sensing read magnetic tunnel-junction (MTJ)

Номер патента: US11869561B2. Автор: Michael RIZZOLO,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Dimitri Houssameddine,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Flash memory reference voltage detection with tracking of cross-points of cell voltage distributions using histograms

Номер патента: US20150092489A1. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan,Yunxiang Wu,Abdel-Hakim Alhussien. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor memory device, integrated circuit chip and method of manufacturing vertical memory structure

Номер патента: EP4163976A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

Memory device, method for reading information from the memory device, method for writing information into the memory device, and method for producing the memory device

Номер патента: US5438539A. Автор: Toshihiko Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Cross point resistive memory array

Номер патента: US7002197B2. Автор: Manish Sharma,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-21.

Self-aligned conductive line for cross-point magnetic memory integrated circuits

Номер патента: WO2002065475A2. Автор: Xian Ning. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Nonvolatile memory device using serial diode cell

Номер патента: US20050169036A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-04.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240012567A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

EPROM cell array, method of operating the same, and memory device including the same

Номер патента: US9916898B2. Автор: Yong Seop Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Eprom cell array, method of operating the same, and memory device including the same

Номер патента: US20160099055A1. Автор: Yong Seop Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Temperature-compensated analog voltage memory device

Номер патента: CA1091807A. Автор: Shunji Minami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240302968A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US20220285607A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: EP2351040A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-03.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US20240168635A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for improving memory device cycling endurance by providing additional pulses

Номер патента: US20090323428A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Memory devices and related electronic systems

Номер патента: US20240170427A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-07.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332969A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Reduced-voltage operation of a memory device

Номер патента: US20220415410A1. Автор: Vipul Patel,Ezra E. Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Decoder for memory device

Номер патента: WO2006096783A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US20020018376A1. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US7168016B2. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-23.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Timing signal delay for a memory device

Номер патента: US20220157365A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Protocol For Refresh Between A Memory Controller And A Memory Device

Номер патента: US20240242751A1. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Refreshing a memory device using real-time clock information

Номер патента: US20240249763A1. Автор: Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Skipping pages for weak wordlines of a memory device during pre-programming

Номер патента: US12080376B2. Автор: Ting Luo,Cheng Cheng Ang,Chun Lei Kong,Aik Boon Edmund Yap. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Microelectronic devices, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US12101932B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device health monitoring and dynamic adjustment of device parameters

Номер патента: US20240347127A1. Автор: Dongxiang Liao,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US20240347084A1. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device, host device and method of operating the memory device

Номер патента: US12093569B2. Автор: Young Don CHOI,Joo Hwan Kim,Jung Hwan Choi,Eun Seok SHIN,Su Cheol Lee,Jin do Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Adaptive parity techniques for a memory device

Номер патента: US20240362115A1. Автор: Justin Eno,Sean S. Eilert,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240345737A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US12040036B2. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US09990144B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20240202071A1. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: US20200133578A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: EP3761314A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20220171688A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20200293417A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Single-chip microcomputer and method of modifying memory contents of its memory device

Номер патента: US20010048442A1. Автор: Izumi Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240053893A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Built-in-self-test and self-repair methods and devices for computer memories comprising a reconfiguration memory device

Номер патента: US20020019957A1. Автор: Yervant Zorian,Hai Quang Pham,Ilyoung Kim,Goh Komoriya,Frank P. Higgins. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11734142B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11256588B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Headroom management during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20230105208A1. Автор: Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20080111124A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Programmable magnetic memory device

Номер патента: WO2004032145A3. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Gavin N Phillips. Владелец: Gavin N Phillips. Дата публикации: 2005-06-16.

Van der Waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US11705200B2. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research, National University of. Дата публикации: 2023-07-18.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Van der waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US20210391009A1. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research Institute, National University of. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20110213172A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

2-port memory device

Номер патента: US20020161977A1. Автор: Pien Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Divided quad clock-based inter-die clocking in a three-dimensional stacked memory device

Номер патента: US20240223196A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US20240347116A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US20240371423A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240370333A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-overlapped-extension-implantation nonvolatile memory device capable of being treated with anti-fuse operation

Номер патента: US09991269B2. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Method and device for changing content of memory devices of control blocks

Номер патента: RU2248627C2. Автор: Мартин ХУРИХ,Геральд ХОЛЬЦАПФЕЛЬ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-03-20.

Memory device with microbumps to transmit data for a machine learning operation

Номер патента: US20210173583A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US20240021233A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: EP2745203A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and system for analyzing a refresh rate of a volatile memory device

Номер патента: US20170062073A1. Автор: Michael Shaun Backsen,Frank D. Simon,Jennie Colleen Grosslight. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device with extended write data window

Номер патента: WO2024050265A1. Автор: Christopher Haywood,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Reducing spurious write operations in a memory device

Номер патента: US20230307019A1. Автор: Vinay Kumar,Shishir Kumar. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Temperature-dependent operations in a memory device

Номер патента: US20220293184A1. Автор: Giuseppina Puzzilli,Pitamber Shukla,Priya Venkataraman,Scott A. Stoller,Niccolo' Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

System having one or more memory devices

Номер патента: US20140325178A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh,Roland SCHUETZ,Steven Przybylski. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for initializing memory device

Номер патента: US20110116331A1. Автор: Cheng-Che Tsai,Pu-Jen Cheng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Complex page access in memory devices

Номер патента: US20240290391A1. Автор: Dmitri Yudanov,Jeongsu JEONG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Independently controlled virtual memory devices in memory modules

Номер патента: EP2313891A1. Автор: Norman P. Jouppi,Jung Ho Ahn,Jacob B. Leverich. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-04-27.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Channel modulation for a memory device

Номер патента: EP3912043A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Timothy M. Hollis,Roy E. Greeff,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Microelectronic devices including through-silicon vias, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240290385A1. Автор: James E. Davis,Shyam Surthi,Kangyoul LEE,Yui Shimizu,Martin W. Popp. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory devices, systems and methods employing command/address calibration

Номер патента: US20160307617A1. Автор: Young-Jin Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Memory device, memory system, and operation method of memory device

Номер патента: US20210327476A1. Автор: Ki-Seok OH,DongHun Lee,Young-Soo Sohn,Young-Hoon SON,Hyun-Yoon Cho,Kyung-Soo Ha,Changkyo LEE,Daesik Moon,Seokhun Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of identifying information related to an eye open monitor (EOM) operation performed in a memory device, and memory system performing the method

Номер патента: US12067292B2. Автор: Won Ho Kang,Chang Min Jeon,Young San KANG,Sung Tack HONG,Kwang Won Park,YeJin Cho,Hyunsoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Generating command snapshots in memory devices

Номер патента: US11733923B2. Автор: Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory device heating in cold environments

Номер патента: US20240170029A1. Автор: Poorna Kale,Christopher Joseph Bueb,Aravind Ramamoorthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Storage device including nonvolatile memory device and controller, controller and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230350609A1. Автор: Young-Ho Park,Yonghwa LEE,Seontaek Kim,Eun Ju Choi,Jesuk YEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Memory devices and systems configured to communicate a delay signal and methods for operating the same

Номер патента: US20240312512A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US20240329852A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Signal development caching in a memory device

Номер патента: US20240329885A1. Автор: Dmitri A. Yudanov,Shanky Kumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20240334840A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP4446899A2. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Gary Howe,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068046B2. Автор: Sang Ho Yun,Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US12057190B2. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Feedback for multi-level signaling in a memory device

Номер патента: EP4366167A3. Автор: M. Ataul Karim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Memory device testing

Номер патента: US20020172086A1. Автор: Ebrahim Abedifard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Dynamic programming time for a memory device

Номер патента: US20240221804A1. Автор: Yue Wang,Jingcheng Yuan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11557333B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Generic physical layer providing a unified architecture for interfacing with an external memory device and methods of interfacing with an external memory device

Номер патента: US20220208240A1. Автор: Chee Hak Teh,Soon Chieh Lim,Tat Hin Tan. Владелец: SKYECHIP SDN BHD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory device and method of managing temperature of the same

Номер патента: US20240203505A1. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and method for testing a memory device

Номер патента: US20170206982A1. Автор: Martin Huch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-20.

Characterization profiles of memory devices

Номер патента: US20170357463A1. Автор: Cullen E. Bash,Naveen Muralimanohar. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-14.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20210335414A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20240029785A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11776619B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11056179B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

RAM memory device selectively protectable with ECC

Номер патента: US8566670B2. Автор: Andre Roger,Charles Aubenas,Sergio Bacchin. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-10-22.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210319838A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A3. Автор: Kenneth K Smith,Colin A Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2005-04-21.

Frame protocol of memory device

Номер патента: US20200159687A1. Автор: Brent Keeth,James Brian Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Improving reliability, availability, and serviceability in a memory device

Номер патента: EP2035938A2. Автор: Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Memory device comprising an ecc for error correction based on hint data

Номер патента: EP4170660A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US20060034135A1. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US20220093157A1. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced wall displacement

Номер патента: US20110007559A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: WO2009072819A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: KOREA UNIVERSITY INDUSTRIAL & ACADEMIC COLLABORATION FOUNDATION. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US20200278907A1. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device, error correction device and error correction method thereof

Номер патента: US11949429B2. Автор: Kuan-Chieh Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230290409A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Stacked memory device with paired channels

Номер патента: US11775213B2. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-03.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US20230129949A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: WO2016007254A3. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-24.

Memory device

Номер патента: US20020152365A1. Автор: Uwe Weder,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-17.

Systems and methods for improving fuse systems in memory devices

Номер патента: US20190198127A1. Автор: Yu-feng Chen,Scott E. Smith,John E. Riley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Dynamic power control system for memory device and memory device using the same

Номер патента: US20200126598A1. Автор: Sung Whan Seo,Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Tae Hong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Applying chip select for memory device identification and power management control

Номер патента: EP3533058A1. Автор: James A. McCall,Bill Nale,Christopher E. Cox,Christopher P. Mozak,Kuljit Bains,Akshith Vasanth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-04.

Replacement memory device

Номер патента: EP1540656A2. Автор: Kenneth K. Smith,Colin A. Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-06-15.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A2. Автор: Kenneth K. Smith,Colin A. Stobbs. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2004-03-04.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: US8300445B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2012-10-30.

Techniques for command bus training to a memory device

Номер патента: US20230297523A1. Автор: Christopher P. Mozak,Alvin Shing Chye Goh,Steven T. TAYLOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US7065002B2. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-20.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: EP2973588A2. Автор: William Lam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: WO2014152627A2. Автор: William Lam. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Electrode structure for resistive memory device

Номер патента: US20180102472A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Seung Hyuk KANG,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

ADAPTIVE REFRESHING AND READ VOLTAGE CONTROL SCHEME FOR A MEMORY DEVICE SUCH AS AN FeDRAM

Номер патента: US20170337962A1. Автор: Yiran Chen,Ismail Bayram. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2017-11-23.

Memory device for a hierarchical memory architecture

Номер патента: US20150370750A1. Автор: Sean Eilert,Mark Leinwander. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: EP2973576A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: WO2014150815A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Bank sharing and refresh in a shared multi-port memory device

Номер патента: WO2009073331A1. Автор: Dongyun Lee. Владелец: SILICON IMAGE, INC.. Дата публикации: 2009-06-11.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US11042438B2. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200013451A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US12067264B2. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US20230298645A1. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Device for controlling data output for high-speed memory device and method thereof

Номер патента: US20060104126A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Read broadcast operations associated with a memory device

Номер патента: US20240281171A1. Автор: Dmitri A. Yudanov,Shanky Kumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device and system having a variable depth write buffer and preload method

Номер патента: US20040066673A1. Автор: Richard Perego,Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-04-08.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Common memory device for variable device width and scalable pre-fetch and page size

Номер патента: WO2010039625A3. Автор: Kuljit S. Bains,John Halbert. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-07-01.

Apparatuses systems and methods for identification encoding for memory devices

Номер патента: US20240290409A1. Автор: Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Variable capacitor and memory device employing the same

Номер патента: US20020041513A1. Автор: Chul-Woo Lee,Seung-tae Jung,Hee-wan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-11.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050146926A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory device having a systematic arrangement of logical data locations and having plural data portals

Номер патента: US20020062420A1. Автор: James Bullen,Robert Mclaughlin,Lawrence Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210043637A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Electronic memory device and a method of manipulating the electronic memory device

Номер патента: US20210134366A1. Автор: Muhammad Irfan,Zahid Ullah,Ray C. C. Cheung. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-05-06.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Magnetic random access memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240251684A1. Автор: Shujun YE,Yeliang Wang. Владелец: Yangtze Delta Graduate School Of Bit Jiaxing. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and method for protecting a memory device from the effect of row hammering

Номер патента: US20240185910A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Apparatuses systems and methods for identification encoding for memory devices

Номер патента: WO2024182096A1. Автор: Matthew A. Prather. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-06.

Stacked memory device with interface die

Номер патента: EP4423813A1. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Techniques for command bus training to a memory device

Номер патента: US12093195B2. Автор: Christopher P. Mozak,Alvin Shing Chye Goh,Steven T. TAYLOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US12087352B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory module including memory devices, each to which unique id is assigned, and storage device including the same

Номер патента: EP4425495A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory module including memory devices, each to which unique id is assigned, and storage device including the same

Номер патента: US20240289058A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240312526A1. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of operating nonvolatile memory devices, methods of operating storage device and storage devices

Номер патента: US20200194072A1. Автор: Sang-Won Jung,Shin-Ho Oh,Sang-Kwon Moon,Min-cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Magnetic memory device

Номер патента: US6894923B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US7110285B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Memory device

Номер патента: WO1995032505A1. Автор: M. James Bullen,Robert B. Mclaughlin,Lawrence C. Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corporation. Дата публикации: 1995-11-30.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device including predecoder and operating method thereof

Номер патента: US12112795B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Kyu Won CHOI,Hyeong Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334706A1. Автор: Ki Deok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Modular memory devices

Номер патента: US12127361B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device storing logical page data and operating method of the memory device

Номер патента: US12106806B2. Автор: Jeong Hwan Kim,Jae Woong Kim,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US12125553B2. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4456069A1. Автор: Jaewoo Shin,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Minhwan AN,Jin Suk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Techniques for command bus training to a memory device

Номер патента: US20240370390A1. Автор: Christopher P. Mozak,Alvin Shing Chye Goh,Steven T. TAYLOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems, methods and media of optimization of temporary read errors in 3D NAND memory devices

Номер патента: US12136453B2. Автор: LEI Jin,Pan Xu,Wen Zhou,Da Li,Kun Yang,Jianquan Jia,Kaikai You,Zhe Luo,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US20160254038A1. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-01.

Memory devices and their operation having trim registers associated with access operation commands

Номер патента: US09997246B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: EP4398695A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Ferroelectric capacitors, transistors, memory devices, and methods of manufacturing ferroelectric devices

Номер патента: US20240206188A1. Автор: Sanghun Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-06-20.

Ferroelectric capacitors, transistors, memory devices, and methods of manufacturing ferroelectric devices

Номер патента: EP3846232A3. Автор: Sanghun Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-09-22.

Error correction with syndrome computation in a memory device

Номер патента: US12032444B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240221833A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20210027828A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20230335180A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240177775A1. Автор: Jae Hyeon Shin,Sung Hyun Hwang,In Gon YANG,Chang Han SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Racetrack memory device

Номер патента: EP2353167A1. Автор: Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-10.

Racetrack memory device

Номер патента: WO2010076050A1. Автор: Stuart Parkin. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor memory device having write column select line or read column select line for shielding signal line

Номер патента: US20030133332A1. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Data carrier for optical memory devices, method for producing said data carrier and optical recorder with appropriate recording layer

Номер патента: RU2248623C2. Автор: Атанас ЗАФИРОВ,Славчо РАКОВСКИ,Яна БАКАРДЖИЕВА-ЕНЕВА. Владелец: Вивастар Материалз Аг. Дата публикации: 2005-03-20.

Cross point non-volatile memory devices with a plurality of pillars having rounded corners and method of manufacturing

Номер патента: EP2449591A1. Автор: Huiwen Xu,Xiying Chen,Chuanbin Pan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Cross point non-volatile memory devices with a plurality of pillars having rounded corners and method of manufacturing

Номер патента: WO2011008385A1. Автор: Huiwen Xu,Xiying Chen,Chuanbin Pan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-01-20.

Wear-leveling method for cross-point memory for multiple data temperature zones

Номер патента: WO2018036394A1. Автор: Yunxiang Wu,Xiaobing Lee,Xiangyu Tang,Ken Hu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-03-01.

Wear-leveling method for cross-point memory for multiple data temperature zones

Номер патента: EP3497575A1. Автор: Yunxiang Wu,Xiaobing Lee,Xiangyu Tang,Ken Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-19.

Zero crossing point signal output and power line data transmitting method and device

Номер патента: US11860200B2. Автор: Dongsheng Li. Владелец: Tendyron Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Hybrid computer module element x-(cross)-point memory

Номер патента: US20230418358A1. Автор: L. Pierre de Rochemont. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Crossing point detector, camera calibration system, crossing point detection method, camera calibration method, and recording medium

Номер патента: US20190325610A1. Автор: Satoshi Sato,Kunio Nobori,Takeo Azuma,Nobuhiko Wakai,Ayako Maruyama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Crossing point detector, camera calibration system, crossing point detection method, camera calibration method, and recording medium

Номер патента: US20210118179A1. Автор: Satoshi Sato,Kunio Nobori,Takeo Azuma,Nobuhiko Wakai,Ayako Maruyama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Crossing point detector, camera calibration system, crossing point detection method, camera calibration method, and recording medium

Номер патента: US20180144502A1. Автор: Satoshi Sato,Kunio Nobori,Takeo Azuma,Nobuhiko Wakai,Ayako Maruyama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Induction heating apparatus with means for detecting zero crossing point of high-frequency oscillation to determine triggering time

Номер патента: US4145592A. Автор: Hirokazu Yoshida,Tatsuo Saka,Takumi Mizukawa,Mitsuyuki Kiuchi,Keizo Amagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1979-03-20.

Digital liquid level sensor based on magneto-resistive sensor cross-point array

Номер патента: EP3936834A1. Автор: James Geza Deak,Elamparithi Visvanathan. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Digital liquid level sensor utilizing cross-point magnetoresistive sensor array

Номер патента: US20220120601A1. Автор: James Geza Deak,Elamparithi Visvanathan. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Digital liquid level sensor utilizing cross-point magnetoresistive sensor array

Номер патента: US12072226B2. Автор: James Geza Deak,Elamparithi Visvanathan. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for accurately determining the crossing point within a logic transition of a differential signal

Номер патента: US20030060992A1. Автор: Gregory Ebert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Circuit and method for detecting current zero-crossing point and circuit and method for detecting load voltage

Номер патента: US20190356307A1. Автор: YANG LU,Xunwei Zhou,Yuancheng Ren,Yue Ji,Pitleong Wong. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: US20210173580A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: WO2021119203A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Power down of memory device based on hardware reset signal

Номер патента: US20240289035A1. Автор: Steffen Buch,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240345932A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: WO2024220299A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US20160357688A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Cluster namespace for a memory device

Номер патента: US20240231610A9. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Power loss protection of data in memory devices

Номер патента: US11747994B2. Автор: Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Power management in a memory device based on a host device configuration

Номер патента: US20240264753A1. Автор: Marco Redaelli,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US12086062B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Modifying conditions for memory device error connection operations

Номер патента: US20220050743A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Dynamic logical page sizes for memory devices

Номер патента: US12130747B2. Автор: Sushil Kumar,David Aaron Palmer,Venkata Kiran Kumar Matturi,Sharath Chandra Ambula,Sri Ramya Pinisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for selectively affecting data flow to or from a memory device

Номер патента: EP1639480A2. Автор: Richard Chin,Frank N. Cheung. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2006-03-29.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: US20230236734A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: WO2021081419A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Automated optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240256375A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device operation based on device characteristics

Номер патента: US20240255567A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: US12073088B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Parallel boot execution of memory devices

Номер патента: US11734018B2. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US20100199031A1. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Utilization of a memory device for per-user encryption

Номер патента: US20240267208A1. Автор: Zhan Liu,Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US8010762B2. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Techniques for firmware enhancement in memory devices

Номер патента: US12112066B2. Автор: Jia Sun,Ming Ma,Zhengbo Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device overhead reduction using artificial intelligence

Номер патента: US12131065B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Ezra E. Hartz,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US12067286B2. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US12032833B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US12026403B1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device wear-leveling techniques

Номер патента: WO2011090547A2. Автор: Yen Lin,Howard Tsai,Nirmal Saxena,Dimitry Vyshetsky. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2011-07-28.

Method and apparatus for performing access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of automatic parameter setting

Номер патента: US20240232067A1. Автор: Shen-Ting Chiu,Te-Kai WANG,Po-Lin WU,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device log data storage

Номер патента: US12039163B2. Автор: Scheheresade Virani,Jeffrey Lee Munsil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US12039192B2. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US12038806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory devices

Номер патента: EP1618513A1. Автор: Ronald Barry Zmood. Владелец: Mems ID Pty Ltd. Дата публикации: 2006-01-25.

Memory devices

Номер патента: WO2004084131A1. Автор: Ronald Barry Zmood. Владелец: Mems-Id Pty Ltd.. Дата публикации: 2004-09-30.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US20240220159A1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method, apparatus, and system for securing data on a removable memory device

Номер патента: EP1929422A1. Автор: David N. Skinner,Yancy T. Chen. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-06-11.

A method, apparatus, and system for securing data on a removable memory device

Номер патента: WO2007027299A1. Автор: David N. Skinner,Yancy T. Chen. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-03-08.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Interleaved codeword transmission for a memory device

Номер патента: US20240289220A1. Автор: Thomas Hein,Steffen Buch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US20240289032A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for managing a plurality of memory devices

Номер патента: US20160124674A1. Автор: Sei-Jin Kim,Min-Jung Kim,Bo-Young Seo,Sung-Hwan Yun,Dong-Wook Suh,Jung-Yup Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Active calibration for high-speed memory devices

Номер патента: EP2384474A1. Автор: Frederick A. Ware,Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2011-11-09.

Portable memory device having mutually exclusive non-volatile electronic data storage

Номер патента: US20200241800A1. Автор: Chad Dustin Tillman,Evan Michael DORSEL. Владелец: Ipxcl LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

System for installing software on a small-memory device

Номер патента: WO2015190998A2. Автор: Ching Guan Tay,Tong Peow Ow. Владелец: Home Control Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-17.

Method and apparatus for concurrently communicating with multiple embedded dynamic random access memory devices

Номер патента: US20030014606A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Read performance improvement using memory device latches

Номер патента: US20240264933A1. Автор: Amiya Banerjee,Jameer Mulani,Sriraman Sridharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Neuronal to memory device communication

Номер патента: US20240160288A1. Автор: John D. Hopkins,Mohad Baboli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240320093A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Using a persistent byte-addressable memory in a compute express link (cxl) memory device for efficient power loss recovery

Номер патента: US20240311019A1. Автор: Rohit Sehgal,Vishal TANNA,Eishan MIRAKHUR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240303222A1. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Apparatus and method for supporting data input/output operation based on a data attribute in a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240338330A1. Автор: Sung Hyun Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US20240329874A1. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Selection of erase policy in a memory device

Номер патента: US20240370364A1. Автор: Peng Zhang,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Proportional performance metric control for physical functions of a memory device

Номер патента: US20240202030A1. Автор: Horia C. Simionescu,Parag R. Maharana,Alex Ga Hing Tang,Paul Roger Stonelake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Proportional performance metric control for physical functions of a memory device

Номер патента: WO2024129595A1. Автор: Horia C. Simionescu,Parag R. Maharana,Alex Ga Hing Tang,Paul Roger Stonelake. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Error protection for managed memory devices

Номер патента: US20240235578A9. Автор: Tal Sharifie,Yoav Weinberg,Chandrakanth Rapalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Bit error management in memory devices

Номер патента: US20230393739A1. Автор: Tommaso Vali,Luigi Pilolli,Cristina Lattaro,Agostino Macerola,Walter Di Francesco,Jeremy Binfet,Andrea D'Alessandro,Angelo COVELLO,Claudia CIASCHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Contactless data transmission for memory devices

Номер патента: US20240211581A1. Автор: Felice COSENZA,Domenico Balzano,Graziano LEONE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240061575A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Dynamically adjusting the initial polling timer in memory devices

Номер патента: US20240160367A1. Автор: Peng Fei,YUE Wei,Donghua Zhou,Shao Chun Shi,Kai Wen Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Host adaptive memory device optimization

Номер патента: US20210141570A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory device for cryptographic operations and method for interacting therewith

Номер патента: WO2008027165A3. Автор: Kevin Lewis,Susan Cannon. Владелец: Susan Cannon. Дата публикации: 2008-07-31.

Memory device having redundant media management capabilities

Номер патента: EP4133374A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Memory device having redundant media management capabilities

Номер патента: WO2021207405A1. Автор: Gil Golov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Method and system providing file system for an electronic device comprising a composite memory device

Номер патента: US20170228190A1. Автор: Vishak Guddekoppa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-10.

Isolating functions in a memory device

Номер патента: US20240078192A1. Автор: Michael Burk,Lance Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Host assisted operations in managed memory devices

Номер патента: US20240256468A1. Автор: Nadav Grosz,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US11762587B2. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240201851A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and system for efficient common processing in memory device controllers

Номер патента: US20170115887A1. Автор: Sandeep Sharma,Kenneth Alan Okin,Ashish Singhai,Sriram Rupanagunta,Rajendra Prasad Mishra,George Moussa,Krishanth Skandakumaran,Srikant SADASIVAM. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Collecting quality of service statistics for in-use child physical functions of multiple physical function non-volatile memory devices

Номер патента: WO2023146605A1. Автор: Scott Chao-Chueh Lee,Monish Shantilal SHAH,Lei Kou,Brenda Wai Yan BELL. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Collecting quality of service statistics for in-use child physical functions of multiple physical function non-volatile memory devices

Номер патента: US12056372B2. Автор: Scott Chao-Chueh Lee,Monish Shantilal SHAH,Lei Kou,Brenda Wai Yan BELL. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Operation management in a memory device

Номер патента: EP3014453A1. Автор: Robert Melcher,Nicholas Hendrickson,Anthony R. CABRERA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-04.

Operation management in a memory device

Номер патента: WO2014209986A1. Автор: Robert Melcher,Nicholas Hendrickson,Anthony R. CABRERA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Neuromorphic computing device, memory device, system, and method to maintain a spike history for neurons in a neuromorphic computing environment

Номер патента: US20180082176A1. Автор: Wei Wu,Somnath Paul,Charles Augustine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory devices, systems, and methods for updating firmware with single memory device

Номер патента: WO2019118130A1. Автор: Yuichi Ise,Cliff Zitlaw,Stephan Rosner,Sergey Ostrikov. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-20.

Portable memory device and method of securing the integrity of stored data therein

Номер патента: WO1994015320A1. Автор: Alan J. Eisenberg. Владелец: Base 10 Systems, Inc.. Дата публикации: 1994-07-07.

Reducing cryptographic update errors in memory devices using cyclical redundancy checks

Номер патента: US12066887B2. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory Device Based Accelerated Deep-Learning System

Номер патента: US20230251792A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Alexander Bazarsky. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US11281813B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2022-03-22.

Memory device having redundant media management capabilities

Номер патента: US11734131B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Storage traffic pattern detection in memory devices

Номер патента: US11740837B2. Автор: Luca Porzio,Danilo Caraccio,Roberto IZZI,Nicola Colella,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Methods and apparatus for byte alignment operations for a memory device that stores an odd number of bytes

Номер патента: US20010032302A1. Автор: Raymond Chan,Mario Au. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Address translation metadata compression in memory devices

Номер патента: US20240264743A1. Автор: Scheheresade Virani,Brian Toronyi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Touchup for memory device using embedded encoder/decoder

Номер патента: US20240289218A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device to offload processing from an advanced driver assistance system

Номер патента: US20240012757A1. Автор: Shiva PAHWA,Sathyashankara Bhat Muguli,Abhilash Nag,Ravi Kiran Gummaluri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Touchup for memory device using embedded encoder and decoder

Номер патента: WO2024178374A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Read performance of memory devices

Номер патента: US12086467B2. Автор: Yi-Chun Liu,Ting-Yu Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device, operating method of memory device and memory system

Номер патента: US20240311054A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

Synchronized request handling at a memory device

Номер патента: US12111758B2. Автор: Dean E. Walker,Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device including receiving circuit, electronic device, and received signal processing method of electronic device

Номер патента: US12111680B2. Автор: Dae Hyun Kwon,Wang Soo KIM,Min-Hyeong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US12045379B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US11741269B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and device for detecting word line shorts in memory device

Номер патента: US20240202909A1. Автор: Wenlong Li,Zongliang Huo,Yanli Wang,Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Updating mapping information during synchronization of memory device

Номер патента: US20200081645A1. Автор: Igor Genshaft,Marina Frid. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Multi-tier health status in a memory device

Номер патента: US20240220110A1. Автор: LU Tong,Lawrence Celso Miranda,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Sheng-Huang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US20240201863A1. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Cross-point structure semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4377751B2. Автор: 尚之 新村. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-12-02.

Cross-point type semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4770930B2. Автор: 正義 佐々木. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-09-14.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20200027926A1. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20190013359A1. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20180138242A1. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Memory Device

Номер патента: US20230044721A1. Автор: Guobiao Zhang,Zhitang Song. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2023-02-09.

Three-dimensional stackable multi-layer cross-point memory with single-crystalline bipolar junction transistor selectors

Номер патента: US20200381481A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20190355789A1. Автор: Roberto Somaschini,Ombretta Donghi,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Vertical 3d cross point memory

Номер патента: US20240147877A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: WO2016073152A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cristina Casellato,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-05-12.

Array of cross point memory cells

Номер патента: WO2017019242A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-02-02.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20170358628A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cristina Casellato,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Self-aligned cross-point memory fabrication

Номер патента: WO2009017779A1. Автор: Sidlgata Sreenivasan,Dwayne LaBrake,Christopher Mark Melliar-Smith. Владелец: MOLECULAR IMPRINTS, INC.. Дата публикации: 2009-02-05.

Integration of high density cross-point memory and cmos logic for high density low latency envm and edram applications

Номер патента: US20200357782A1. Автор: Yih Wang,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20170186816A1. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: EP3742507A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Cristina Casellato,Roberto Somaschini,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo,Riccardo Mottadelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: EP3111488A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Cristina Casellato,Roberto Somaschini,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo,Riccardo Mottadelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-04.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: WO2015130455A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Cristina Casellato,Roberto Somaschini,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo,Riccardo Mottadelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20170365642A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Cristina Casellato,Roberto Somaschini,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo,Riccardo Mottadelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Array Of Cross Point Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180138239A1. Автор: Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell,Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Three-dimensional stackable multi-layer cross-point memory with bipolar junction transistor selectors

Номер патента: US20200381480A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12041787B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Cross-point memory structures, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2010096225A3. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott Sills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-10-21.

Cross-point shifting techniques

Номер патента: US09991878B2. Автор: Andreas Bock. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: EP3216065A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cristina Casellato,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Methods and Devices for Providing Cross Point Information

Номер патента: US20150130549A1. Автор: David Seebacher,Peter Singerl,Christian Schuberth,Martin Mataln. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-14.

Cross-point memory array device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180315796A1. Автор: JONGHO LEE,JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Self-aligned memory decks in cross-point memory arrays

Номер патента: US20210328142A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Self-aligned memory decks in cross-point memory arrays

Номер патента: US20200075858A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220013722A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Multi-layer ovonic threshold switch (ots) for switching devices and memory devices using the same

Номер патента: US20240015987A1. Автор: Alexander Grün,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Ethernet cross point switch with reduced connections by using dual control to the cross points in the switch

Номер патента: US20020080815A1. Автор: Jaan Raamot,Silverio Vasquez. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Te-free AsSeGe chalcogenides for selector devices and memory devices using same

Номер патента: US10374009B1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng,I-Ting KUO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-06.

Wire cross-point fet structure

Номер патента: US7423285B2. Автор: Hiroshi Ohki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

Cross point switch fabric and switch fabric slice

Номер патента: EP1414252A3. Автор: Benjamin Tang,Keith N. Bassett. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Determination method and apparatus for bldc counter-electromotive force zero crossing point threshold, and storage medium

Номер патента: EP3886311A1. Автор: Lei Yang,Ziqiang Zhu. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-29.

Novel integration scheme to form vertical 3d x-point memory with lower cost

Номер патента: WO2022032550A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Gas discharge display and memory device

Номер патента: GB1475794A. Автор: . Владелец: Owens Illinois Inc. Дата публикации: 1977-06-10.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12004356B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12004357B2. Автор: Lei Wan,Chu-Chen Fu,Jordan Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory device and method of manufacturing the device by simultaneously conditioning transition metal oxide layers in a plurality of memory cells

Номер патента: US20060267086A1. Автор: Steven Holmes,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Toshijaru Furukawa,Chung Lam,Gerhard Meijer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Amorphous material and cross-point type memory

Номер патента: EP4426083A1. Автор: Yuta Saito,Noriyuki Uchida,Shogo HATAYAMA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-09-04.

Stacked resistive random-access memory cross-point cell

Номер патента: US20240324476A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonblocking synchronous digital hierarchy column cross-point switch

Номер патента: US6108333A. Автор: Jaan Raamot,Silverio C. Vasquez. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-08-22.

Cross-point switch with equalized inputs

Номер патента: US20040081146A1. Автор: James Anderson,Benjamim Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Full-duplex one-sided cross-point switch

Номер патента: CA1245305A. Автор: Christos J. Georgiou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-11-22.

Cross-point lightly-doped drain-source trench transistor and fabrication process therefor

Номер патента: CA2006745C. Автор: Wei Hwang,Sang H. Dhong,Nicky C.-C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-06-15.

Commutator with several layers of cross-points

Номер патента: US4421965A. Автор: Alain Gentric,Andre Frances. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-12-20.

Optoelectric cross-point switch

Номер патента: CA1130398A. Автор: Elmer H. Hara,R. Ian MacDonald. Владелец: Canada Minister of Communications. Дата публикации: 1982-08-24.

Vertical cross-point arrays for ultra-high-density memory applications

Номер патента: US9691821B2. Автор: Bruce Lynn Bateman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical cross-point arrays for ultra-high-density memory applications

Номер патента: US11849593B2. Автор: Bruce Lynn Bateman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11856872B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Stacked gate process flow for cross-point EPROM with internal access transistor

Номер патента: US5240870A. Автор: Albert M. Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Cross-point type switch using common memories

Номер патента: CA2062561A1. Автор: Kazuo Iguchi,Hiroshi Takeo,Misao Fukuda,Tomohiro Shinomiya,Shinji Ohta. Владелец: Shinji Ohta. Дата публикации: 1992-09-12.

Circuit element - cross-point between two bus lines

Номер патента: US5033045A. Автор: Guy Marin,Louis Ramel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1991-07-16.

Three dimensional cross-point non-volatile memory

Номер патента: WO2024027623A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corporation ('ibm'). Дата публикации: 2024-02-08.

Three dimensional cross-point non-volatile memory

Номер патента: US20240049478A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Resistance variable element and resistance variable memory device

Номер патента: US8394669B2. Автор: Takumi Mikawa,Koji Arita,Yoshio Kawashima,Kenji Tominaga,Atsushi Himeno. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Resistance variable element and resistance variable memory device

Номер патента: US20110220862A1. Автор: Takumi Mikawa,Koji Arita,Yoshio Kawashima,Kenji Tominaga,Atsushi Himeno. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Cross-point magnetoresistive memory array containing selector rails and method of making the same

Номер патента: US20230292628A1. Автор: Lei Wan,Jordan Katine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Easy entry seat track assembly with single point memory

Номер патента: US5899532A. Автор: Mark R. Truman,Thomas W. Paisley. Владелец: Excel Industries Inc. Дата публикации: 1999-05-04.

System comprised of a floor processing device, a memory device and at least one accessory device

Номер патента: US20230157502A1. Автор: Frederic Hahn. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3262680A2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240334717A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024206702A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Integration of non-volatile charge trap memory devices and logic cmos devices

Номер патента: WO2008147529A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Sam Geha,Fredrick B. Jenne,Sagy Levy,Igor Kouznetsov,Jeremy Warren,Ravindra Kapre,William W.C. KOUTNY, Jr.. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Network access with a portable memory device

Номер патента: EP2039122A1. Автор: Teemu Savolainen,Petros Belimpasakis,Marko Luomi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-03-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315008A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Microelectronic devices, and related memory device packages and electronic systems

Номер патента: US20240304598A1. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4432803A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Microelectronic devices, and related memory device packages and electronic systems

Номер патента: WO2024186577A1. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240365534A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-31.

Resistive switching memory devices and method(s) for forming the resistive switching memory devices

Номер патента: US12075712B2. Автор: Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device assembly with a leaker device

Номер патента: US20240049473A1. Автор: Ashonita A. Chavan,Aditi P. Kulkarni,Aysha Siddique SHANTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Microelectronic device packages including wirebonding and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240153914A1. Автор: Akanksha Sahoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11770938B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: US20130134419A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory structures having a single access transistor for multiple memory devices

Номер патента: US20240284687A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Three-dimensional and planar memory device co-integration

Номер патента: US20200286956A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A3. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2013-04-11.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Microelectronic devices and memory devices including vertically spaced transistors and storage devices, and related electronic systems

Номер патента: US20240357793A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels

Номер патента: US20240357829A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Sidewall insulated resistive memory devices

Номер патента: US20180301507A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US20040233757A1. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Electronic devices including vertical strings of memory cells, and related memory devices, systems and methods

Номер патента: US20230066753A1. Автор: Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels, and method of forming the same

Номер патента: US12058869B2. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Line and space architecture for a non-volatile memory device

Номер патента: US20130299769A1. Автор: Steven Patrick MAXWELL. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Method and system for providing reducing thinning of field isolation structures in a flash memory device

Номер патента: US20020158284A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Contact formation for a memory device

Номер патента: US20240357837A1. Автор: ZHAO Zhao,Farrell M. Good,Nirav Vora,Kolya Yastrebenetsky,Darwin A. Clampitt,Stephen W. Russell,Steven P. Turini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240349478A1. Автор: Chunhua Yao,Scott L. Light,Fatma Arzum Simsek-Ege,Efe S. Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Methods of forming microelectronic devices with nitrogen-rich insulative structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240215246A1. Автор: Kadir Abdul,Swapnil A. Lengade,Jeremy Adams,Naiming Liu,Jeslin J. Wu,Carlo Mendoza OROFEO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240244820A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee`. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024151406A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Electronic devices including isolation structures exhibiting a weave pattern, and related memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240081076A1. Автор: Yi Hu,Sidhartha Gupta,Matthew J. King,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240260274A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: EP4407658A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230380133A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US6316313B1. Автор: Keun Woo Lee,Sung Kee Park,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: WO2024155421A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284810A1. Автор: Haider Abbas,Diing Shenp Ang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-22.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Optical signaling for stacked memory device architectures

Номер патента: US20240268131A1. Автор: Timothy M. Hollis,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Phase change memory device capable of satisfying reset current characteristic and contact resistance characteristic

Номер патента: US20100117044A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing memory device and method of manufacturing phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100197111A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: US20220005827A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US6873005B2. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul J. Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20050098825A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20040201060A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20070247913A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-25.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20060097308A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7361554B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US20230301210A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Shih-Wei Su,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Back-end-of-line selector for memory device

Номер патента: US20240276738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20240260269A1. Автор: Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324222A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324202A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: EP4176466A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315009A1. Автор: Jaejin Lee,Jihoon Kim,Youngjun Kim,Dohyung Kim,Yeonju OH,Dongju Chang,Taekjung Kim,Seohyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US12108691B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Shih-Wei Su,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory devices including staircase structures, and related 3D NAND flash memory devices

Номер патента: US12108600B2. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: WO2024211099A1. Автор: Tong Liu,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sony Varghese,Anand N. Iyer,Zhijun CHEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Binuclear crystalline complexes of rare-earth ions (3+), method for production thereof, method of producing magnetic polymer composites, use of magnetic polymer composites as photosensitive magnetic media for spintronics and memory devices

Номер патента: RU2728127C1. Автор: Роман Борисович Моргунов,Наталия Алексеевна Санина,Екатерина Игоревна Куницына,Федор Анатольевич Пруднов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-07-28.

Supporting element for the memory device and supporting element

Номер патента: RU2627087C2. Автор: Такеси ИВАМУРО,Хидетоси КОДАМА. Владелец: СЕЙКО ЭПСОН КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-08-03.

Interface film to mitigate size effect of memory device

Номер патента: US12035537B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Durable memory device

Номер патента: US11439004B1. Автор: Chin Feng Chang. Владелец: Team Group Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240224534A1. Автор: Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215463A1. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device having ultra-lightly doped region

Номер патента: US20240196595A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Способ опосредованного определения титра инфекционной активности вируса ящура в неинактивированном сырье для вакцин с помощью математического двойного дифференциала данных точки crossing point при амплификации вирусной кДНК

Номер патента: RU2793900C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Михалишин,Алексей Валерьевич Борисов,Максим Игоревич Доронин,Юлия Сергеевна Елькина,Олеся Олеговна Будина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Федеральный центр охраны здоровья животных" (ФГБУ "ВНИИЗЖ"). Дата публикации: 2023-04-07.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Transmission of signals by reflective signals between reflective memory devices

Номер патента: RU2568785C2. Автор: Владимир Владимирович Соколов,Геннадий Георгиевич Стецюра. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Nonvolatile memory device

Номер патента: RU2374704C1. Автор: Борис Аронович Гурович. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2009-11-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.