Semiconductor structure comprising multiple barc and method of shaping pr pattern and method of shaping pattern of semiconductor device using the same structure
Номер патента: KR100618907B1
Опубликовано: 01-09-2006
Автор(ы): 강창진, 류만형, 우상균, 정영재, 조한구, 채윤숙, 하정환
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-09-2006
Автор(ы): 강창진, 류만형, 우상균, 정영재, 조한구, 채윤숙, 하정환
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of improving adhesion of photoresist in a staircase structure and methods of forming a staircase structure
Номер патента: US10930659B2. Автор: Adam L. Olson,David A. Kewley,Rohit Kothari,Jason Reece,Jason C. McFarland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-23.