Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US8320092B2
Опубликовано: 27-11-2012
Автор(ы): Chikashi Fuchigami
Принадлежит: Lapis Semiconductor Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240006408A1. Автор: Tsutomu Tomioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20230085217A1. Автор: Shigefumi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20110205679A1. Автор: Chikashi Fuchigami. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09716382B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with fast turn-on esd protection circuit and method therefor

Номер патента: EP4372819A1. Автор: Guido Wouter Willem Quax. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device

Номер патента: EP4086958A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Protective circuit and method for protecting a circuit

Номер патента: US09673607B2. Автор: Bernhard Weiss,Wolfgang Reinprecht,Christian Stockreiter. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-06-06.

ESD protection circuit with false triggering prevention

Номер патента: US09893518B2. Автор: Eric Braun. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Electrostatic discharge protection circuit with a fail-safe mechanism

Номер патента: US09413169B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Electrostatic discharge protection circuit with a fail-safe mechanism

Номер патента: US20150288174A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US8385034B2. Автор: Shin-Tai Lo. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Electrostatic protection circuit

Номер патента: US12132308B2. Автор: QIAN Xu,Zhan XUE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Circuit and method of electrically decoupling nodes

Номер патента: US09762052B2. Автор: Chia-Hung Chu,Kuo-Ji Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Protection circuit, interface circuit, and communication system

Номер патента: US09520708B2. Автор: Tunehiko MORIUCHI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

ESD protection circuit

Номер патента: US09843183B2. Автор: Bin LV. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Overvoltage protection circuits and methods of operating same

Номер патента: US09793708B1. Автор: Tak Kwong Wong,Jon Roderick Williamson,Alan Wolfram Glaser,Al Fang,Roland Thomas Knaack. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Electrostatic breakdown protection circuit and capacitance sensor device

Номер патента: US20230268731A1. Автор: Masayuki Otsuka,Satoru Kurotsu. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Electrostatic discharge protection circuit and configuration method

Номер патента: US09876003B2. Автор: Wei Lei,Jie Chen,Yan Chen,Zhenjiang Su. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Esd and electric surge protected circuit and method of making same

Номер патента: WO2008002451A2. Автор: Peter J. Zampardi,Jane Xu,Ramanathan Ravi,Peter H. Dai. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2008-01-03.

ESD protection circuits and methods

Номер патента: US09543757B2. Автор: Ming-Hsien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US11791330B2. Автор: Tsutomu Tomioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

ESD protection circuit cell

Номер патента: US09449959B2. Автор: Jam-Wem Lee,Wan-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

ESD protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US11842995B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20220293586A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Voltage surge protection circuit

Номер патента: WO2009050641A3. Автор: Hervé Marie,Mickael Lucas,Nguyen Trieu Luan Le,Denis Crespo. Владелец: Denis Crespo. Дата публикации: 2009-06-11.

Active ESD protection circuit

Номер патента: US09466972B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230307439A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Protective circuit, electronic device, and method of driving a protective circuit

Номер патента: US09362739B2. Автор: Takaaki Tatsumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for wafer-level adjustment of protection circuits of electronic devices and a wafer for facilitating the same

Номер патента: US12046895B2. Автор: Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

High voltage tolerant electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20090161273A1. Автор: Xiaoming Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Electrostatic protection circuit and chip

Номер патента: US12100946B2. Автор: Ling Zhu,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313527A1. Автор: Masaru Koyanagi,Kentaro Watanabe,Yasuhiro Suematsu,Shigefumi Ishiguro,Maya INAGAKI,Shoki ITO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11799288B2. Автор: Keiji Tanaka,Hiroshi Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Adaptive electrostatic discharge (esd) protection circuit

Номер патента: EP2656386A1. Автор: Philippe Deval,Nicolas Furrer,Bart De Geeter. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Electrostatic protection circuit, chip, and terminal

Номер патента: EP4418483A1. Автор: Xin Gao,Lihui Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Electro-static discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US11848322B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Protective circuit against electrostatic discharges

Номер патента: US12009358B2. Автор: Michael Graf,Henning Lohmeyer,Julia Rauh,Timo Seitzinger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-11.

Overvoltage Protection Circuit with Reduced Sensitivity to Process Variations

Номер патента: US20090195943A1. Автор: Song Liu,Guoxing Wang,Ramesh Prakash. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US11870248B2. Автор: Shigefumi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Static electricity protection circuit, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20220231009A1. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Static electricity protection circuit, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12046592B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Electrostatic discharge protection circuit and related method

Номер патента: US09502892B2. Автор: Tsung-Ju Yang,Chien-Yuan Lee,Kuo-Ji Chen,Chia-Hui Chen,Tzu-Yi Yang,Po-Hsiang Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20200203947A1. Автор: Jae Hyun Lee,Jae Min Kim,Yong Nam Choi. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit

Номер патента: US09972999B2. Автор: Nathaniel Peachey. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Drain-ballasted electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20240372360A1. Автор: James E. Davis,Gregory A. King,Michael D. Chaine,Liuchun Cai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

ESD protecting circuit

Номер патента: US09679884B2. Автор: Bo-Shih Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

High Speed ESD Protection Circuit

Номер патента: US20220077679A1. Автор: Farzan Farbiz,Jaeduk Han,Praveen R. Singh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

ESD protection circuit

Номер патента: US09431823B2. Автор: Tadashi Ozawa. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Electrostatic discharge protection circuit for compound semiconductor devices and circuits

Номер патента: WO2008027802A3. Автор: Andrew T Ping,Dominic J Ogbonnah. Владелец: Dominic J Ogbonnah. Дата публикации: 2008-05-02.

Electrostatic discharge protection circuit for compound semiconductor devices and circuits

Номер патента: WO2008027802A2. Автор: Andrew T. Ping,Dominic J. Ogbonnah. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

ESD protection circuit, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US11869886B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US8525265B2. Автор: Ming-Dou Ker,Chun-Yu Lin,Chang-Tzu Wang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-09-03.

Esd protection circuit

Номер патента: US20170373493A1. Автор: Thomas H. Toifl,Jonas R. Weiss,Thomas E. Morf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Electrostatic Protection Circuit

Номер патента: US20210036512A1. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Method and protective circuit against overvoltage

Номер патента: US20080002323A1. Автор: Markus Huebl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-03.

Protection Circuit for Signal Processor

Номер патента: US20200235571A1. Автор: Vishwanath Joshi,Antonio Gallerano,Ann Margaret Concannon,Yanqing Li,Zhao GAO. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Electrostatic Discharge Protection Circuit Employing a Micro Electro-Mechanical Systems (MEMS) Structure

Номер патента: US20090296292A1. Автор: Choshu Ito,William Loh,Tze Wee Chen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Clamp based ESD protection circuits

Номер патента: US09728532B2. Автор: Swaminathan Muthukrishnan,Cody Hale,Ralph Williamson,Nathaniel Peachey. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

ESD protection circuit

Номер патента: US09685780B2. Автор: Tay-Her Tsaur,Cheng-Cheng Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Esd protection circuit with false triggering prevention

Номер патента: US20170179714A1. Автор: Eric Braun. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Low parasitic capacitance electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20110211285A1. Автор: Huei Wang,Bo-Jr Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Low parasitic capacitance electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US8305718B2. Автор: Huei Wang,Bo-Jr Huang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2012-11-06.

Band-pass structure electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20110181990A1. Автор: Huei Wang,Bo-Jr Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09846194B2. Автор: Nam Pyo Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09991698B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and design method of same

Номер патента: US09941270B2. Автор: Daisuke Matsuoka,Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US20240234411A1. Автор: Liang-Yu SU,Hang FAN,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11990747B2. Автор: Keiji Tanaka,Hiroshi Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Electrostatic discharge circuit and method of forming the same

Номер патента: US12046567B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Heating loop protective circuit, respiration heating circuit and respiration aiding equipment

Номер патента: US12113349B2. Автор: Jun Zhao,Liting Wang,Haibin Yu,Jiebing XU. Владелец: Vincent Medical Dong Guan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Electrostatic discharge circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240347483A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US09401603B2. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20210066911A1. Автор: Dai KAMIMARU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Overvoltage protection circuit, overvoltage protection method and panel driving circuit

Номер патента: US20160064925A1. Автор: Xiang Yang,Hua Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Over-limit electrical condition protection circuits and methods

Номер патента: US09490631B2. Автор: Xiaofeng Fan,Michael Chaine,John David Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Surge protection circuit

Номер патента: US20150194807A1. Автор: Dan Li,Zhenghai Wan,Junkai Li,Xifeng PU. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

A surge protection circuit

Номер патента: WO2024146736A1. Автор: Lijun Zhou. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2024-07-11.

ESD protection circuit

Номер патента: US12119640B2. Автор: Wei Gao,Hongquan Sun,Wangsheng Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Electrostatic protection circuit, memory device, memory system, and electrostatic protection method

Номер патента: US20240332959A1. Автор: Zhiguo Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US09614366B2. Автор: Tomokazu Kojima. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Surge protection circuit and method for testing a surge protection circuit

Номер патента: US09500699B2. Автор: Thomas Feucht. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2016-11-22.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US20180191155A1. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Transient voltage protection circuits and devices

Номер патента: US09601920B2. Автор: Alexander Glas,Klaus Scharnagl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Input surge protection circuit and method for an LED load

Номер патента: US09379533B1. Автор: Wei Xiong,Rohan Dayal. Владелец: Universal Lighting Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US9871374B2. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US20240063215A1. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US11935886B2. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US20240063214A1. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Totem pole pfc with a surge protection circuit and surge protection method for a totem pole pfc

Номер патента: EP4304032A1. Автор: Robert Pohlmann. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2024-01-10.

Charging circuit and electronic device

Номер патента: US12046932B2. Автор: Zhendong Li. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US20160134103A1. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US20170098933A1. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Hot switch protection circuit

Номер патента: US09680300B2. Автор: Jerold A. Williamson,Gregory Sobolewski,Matthew A. Holtz. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US09472947B2. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US10547170B2. Автор: Makoto Tanaka,Akihiro Nakahara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Cross-domain esd protection circuit

Номер патента: US20180097355A1. Автор: Tay-Her Tsaur,Cheng-Cheng Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Over-voltage protection circuit and electronic device

Номер патента: US09966757B2. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Electrostatic discharge protection circuit and method for radio frequency circuit

Номер патента: US09917079B2. Автор: Ming Hsien Tsai,Jen-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Totem pole pfc with a surge protection circuit and surge protection method for a totem pole pfc

Номер патента: US20240014732A1. Автор: Robert Pohlmann. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2024-01-11.

High-current, bidirectional protection circuits and methods

Номер патента: US20240258792A1. Автор: Gabriel Eugen Tanase. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Electrostatic protection circuit and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US12100703B2. Автор: Chunping Long,Yong Qiao,Xinyin WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US09627885B2. Автор: Tay-Her Tsaur,Cheng-Cheng Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Protection circuit and hub chip

Номер патента: US12021367B2. Автор: Hsiao Chyi Lin,shao-yu Chen,Chia Ming TU,Yi Shing LIN. Владелец: Via Labs Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits using tunneling field effect transistor (tfet) and impact ionization mosfet (imos) devices

Номер патента: US20230318287A1. Автор: Radhakrishnan Sithanandam. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09948090B2. Автор: Koji Takayanagi,Tadashi Fukui,Masashi Arakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Protection circuit and related method

Номер патента: US20150077892A1. Автор: Ching-Chung Lin,Pin-Hung Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Protection circuit and related method

Номер патента: US09478975B2. Автор: Ching-Chung Lin,Pin-Hung Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230317712A1. Автор: Kaku IGARASHI. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Protective circuit for self-protected electromagnet actuators, and also protective circuit for self-protected power supply systems

Номер патента: RU2372700C2. Автор: Йенс ТИЧЕРТ,Маркус ЛЕНЦИНГ,Джефф ТРЕВИС,Дэн ФЕРГЮСОН. Владелец: ДБТ ГМБХ. Дата публикации: 2009-11-10.

Single-gate-oxide power inverter and electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20220302699A1. Автор: Po-Hung Chen,Shao-Yu Chou,Kuo-Ji Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Single-gate-oxide power inverter and electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20210175707A1. Автор: Po-Hung Chen,Shao-Yu Chou,Kuo-Ji Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Power supply circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230146002A1. Автор: Toyoaki Uo,Tatsuhiko Maruyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Input protection circuit

Номер патента: WO2009132170A1. Автор: David W. Baarman,Scott A. Mollema,Dale R. Liff,Andrew C. Zeik,Mark A. Blaha. Владелец: ACCESS BUSINESS GROUP INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2009-10-29.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US11973076B2. Автор: Liang-Yu SU,Hang FAN,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method and processing unit for checking an overvoltage protection circuit for an electric machine, and converter arrangement

Номер патента: US20240204514A1. Автор: Timm Lohmann,Nima Saadat,Murugaperumal Devaraja,Kaveh HAGHVERDI,Vivek TAILOR. Владелец: SEG Automotive Germany GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Common mode filter and ESD-protection-circuit-equipped common mode filter

Номер патента: US09755606B2. Автор: Hisashi Akiyama,Noriyuki Ueki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Low-voltage test signal path protection circuit with extended bandwidth, overvoltage and transient protection

Номер патента: WO2000054061A1. Автор: Raymond D. Zoellick. Владелец: FLUKE CORPORATION. Дата публикации: 2000-09-14.

Electrostatic discharge protection circuit and organic light emitting display device including the same

Номер патента: US20210225290A1. Автор: Dae-Gwang Jang,Ha Neul Kim,Ho Cheol Kang,Young-soo Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Device input protection circuit

Номер патента: WO2015167653A1. Автор: Jie Lv,Shi Mei DENG. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2015-11-05.

Over-Voltage Protection Circuit for Electric Vehicles

Номер патента: US20240317061A1. Автор: Manuel Cereijido Fernandez. Владелец: Ample Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Overvoltage protection circuit for a PMOS based switch

Номер патента: US12088085B2. Автор: Ravinder Kumar,Manoj Kumar,Nicolas Demange. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-10.

Over-voltage protection circuit for electric vehicles

Номер патента: WO2024196557A1. Автор: Manuel Cereijido Fernandez. Владелец: Ample Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, method of testing semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200144138A1. Автор: Seung-Duk Baek,Ae-nee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Electrostatic Discharge (ESD) Protection Circuits

Номер патента: US20220337052A1. Автор: Guobiao Zhang,Hongyu Yu,Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-10-20.

Overvoltage protection circuit

Номер патента: DK180187B1. Автор: S Sonne Darrell. Владелец: Altus Intervention Tech As. Дата публикации: 2020-07-23.

Protection Circuit

Номер патента: US20110058294A1. Автор: Hui-Mou WU,Kuo-Lun Tsen. Владелец: Giga Byte Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Operating device with staggered protection circuits against overvoltage and overcurrent and antenna for driving intelligent lamps and lighting appliances

Номер патента: CA3039113A1. Автор: Hermann Hampel,Ulrich Berold,Markus Pieger,Johannes Hampel. Владелец: IAD Gesellschaft fuer Informatik Automatisierung und Datenverarbeitung mbH. Дата публикации: 2018-04-12.

Electrostatic protection structure and electrostatic protection circuit

Номер патента: US12027846B2. Автор: QIAN Xu,Junjie Liu,Bin Song,Tieh-Chiang Wu,Pan Mao,Lingxin ZHU,Yingtao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180212422A1. Автор: Cheng-Pang Chan,Chien-Ming Wu,Jian-Ru LIN,Liang-Huan Lei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Mobile terminal with charging surge protection circuit

Номер патента: US9131036B2. Автор: Jianliang Gu,Zhan GU. Владелец: Huizhou TCL Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Electrostatic protection circuit, array substrate, and display device

Номер патента: EP3703125A1. Автор: Chunping Long,Yong Qiao,Xinyin WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Built-in test for an overvoltage protection circuit

Номер патента: US20120187969A1. Автор: Gary L. Hess. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Electrostatic protection circuit, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US09935096B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Over voltage protection circuit

Номер патента: US09979183B2. Автор: Matthieu Deloge,Arnoud Pieter Van Der Wel,Jaume Tornila Oliver. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-05-22.

Heating loop protective circuit, respiration heating circuit and respiration aiding equipment

Номер патента: US20240022062A1. Автор: Jun Zhao,Liting Wang,Haibin Yu,Jiebing XU. Владелец: Vincent Medical Dong Guan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Protection circuit

Номер патента: US20210013712A1. Автор: Wenqin Zhao. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Protective circuit for camera of terminal

Номер патента: EP4344000A1. Автор: Yi Wang,Chao Wang,Bo Xu,Zhiyong Sun,Jie Dong,Qiao SUN. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and a semiconductor package including the same

Номер патента: US20190363535A1. Автор: Jang Hoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

DC brushless motor controller comprising lightning protection and surge protection circuit

Номер патента: US11804798B2. Автор: Yunsheng Chen,Hairong Sun,Pengyuan Chen,Xiaosan XU. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Dc brushless motor controller comprising lightning protection and surge protection circuit

Номер патента: US20230030515A1. Автор: Yunsheng Chen,Hairong Sun,Pengyuan Chen,Xiaosan XU. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US20160164277A1. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Protection circuit

Номер патента: US20130308232A1. Автор: Pascal Rouet. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-11-21.

Electrical surge protection circuits

Номер патента: US11764569B2. Автор: Liangyun DONG. Владелец: Zhejiang Dahua Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Over-voltage protection system for a semiconductor device

Номер патента: GB2501326A. Автор: Martin Krajci. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2013-10-23.

Electrical discharge protection circuit and method of use

Номер патента: US20160036217A1. Автор: Chia-Wei Hsu,Jen-Chou Tseng,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Lightning surge protection circuit, method and system, and storage medium and electronic apparatus

Номер патента: EP3859959A1. Автор: Hong Wang,Mingming Liu,Yundong Yang,Zhirong Cheng,Fangchun Wang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

Electrostatic protection device and electrostatic protection circuit

Номер патента: US20220068763A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

An overvoltage protection circuit and overvoltage protection method

Номер патента: EP3820007A1. Автор: Hannah-Min YANG,Guangxin CHENG,Luna-Xue ZHANG. Владелец: Valeo Powertrain Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-12.

Quad tvs protection circuit for an electronic dsl component

Номер патента: US20220094779A1. Автор: Andrew Carl Brost,Christopher John Choulos,Robert Charles Burk,Viswanath Bhagavatula Rao. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2022-03-24.

Quad tvs protection circuit for an electronic dsl component

Номер патента: WO2022061086A1. Автор: Andrew Carl Brost,Christopher John Choulos,Robert Charles Burk,Viswanath Bhagavatula Rao. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2022-03-24.

Quad tvs protection circuit for an electronic dsl component

Номер патента: EP4214919A1. Автор: Andrew Carl Brost,Christopher John Choulos,Robert Charles Burk,Viswanath Bhagavatula Rao. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2023-07-26.

Bi-directional snapback esd protection circuit

Номер патента: US20170256940A1. Автор: Eric Braun. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Inrush current protection circuit for solid state lighting fixtures

Номер патента: US12108507B2. Автор: Perry Romano,Adam J. CLARK. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Protection circuit of power over ethernet port and ethernet power-sourcing equipment

Номер патента: US09472950B2. Автор: Jing Li,Ming Zhou,Shuai Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Protection circuit, circuit protection method using the same and display device

Номер патента: US09379539B2. Автор: Weon-Jun Choe,Byeong-Doo KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Overvoltage protection circuit and device

Номер патента: US11791624B2. Автор: Jie Fang,Heinrich Guenther Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-17.

Input protection circuit for high-speed analogue signal and time-of-flight mass spectrometer

Номер патента: US20100084551A1. Автор: Eizo Kawato. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09438032B2. Автор: Morio Iwamizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Protection circuit of communication interface

Номер патента: US09496705B2. Автор: Jianye Liu,Shihao Qin,Guohua Tang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Electrostatic discharge protection circuit and electronic circuit

Номер патента: US12107415B2. Автор: Wen-Hsin Lin,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Yeh-Ning Jou,Chun-Chih Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Pulse width modulation-based overcurrent protection circuit and operating method for the same

Номер патента: US11901885B2. Автор: Li-Cheng Chu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Rapid Short-Circuit Protection Circuit of Charger at Output End and Battery Charger

Номер патента: US20200259325A1. Автор: Mingliang ZHOU,Tongcheng LI. Владелец: Shenzhen Click Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

A protection circuit for use in a lighting circuit

Номер патента: EP4289230A1. Автор: Lijun Zhou,Chenghu LUO. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-12-13.

Current Protection-Type Semiconductor Device

Номер патента: US20240322558A1. Автор: Wenfang Du,Xinjiang LV,Xuqiang ZHU. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Protection circuit

Номер патента: US09866009B2. Автор: Takuya Oka. Владелец: Onkyo and Pioneer Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Resettable short-circuit protection circuit

Номер патента: WO2009006623A2. Автор: John P. Taylor. Владелец: Kyocera Wireless Corp.. Дата публикации: 2009-01-08.

Surge protection circuit and communication apparatus

Номер патента: US20140211359A1. Автор: Yasuhiro Senba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Socket for a solar panel with a protective circuit

Номер патента: US09620956B2. Автор: Martin Jankowski. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260987A1. Автор: Masayoshi Kojima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Inrush current limiting protection circuit

Номер патента: WO2000064023A1. Автор: Matti Lyly. Владелец: Nokia Networks Oy. Дата публикации: 2000-10-26.

Short-circuit protection circuit for voltage sampling resistor of primary side converter

Номер патента: US09923365B2. Автор: Haisong Li,Yangbo Yi,Changshen Zhao. Владелец: WUXI CHIPOWN MICRO-ELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Soft-Start Protection Circuit and Circuit Protection Integrated Chip

Номер патента: US20230378748A1. Автор: Yan Li,Huijie YOU. Владелец: Inspur Electronic Information Industry Co Ltd . Дата публикации: 2023-11-23.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20230283068A1. Автор: Qi'an Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Protection circuit in electronic device and method therefor

Номер патента: US12074572B2. Автор: Jihoon Kim,Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM,Namjun Cho,Sanghun Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Protection circuit, circuit and operation method therefor, and corresponding vehicle light and vehicle

Номер патента: WO2020108509A1. Автор: Zhenyu Zhang,Sylvain Yvon,Jintao Liang,Tianxun GONG,Peiliang YUAN,Shangye FANG. Владелец: Foshan Ichikoh Valeo Auto Lighting Systems Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-04.

Protection circuit, circuit and operation method therefor, and corresponding vehicle light and vehicle

Номер патента: EP3888209A1. Автор: Zhenyu Zhang,Sylvain Yvon,Jintao Liang,Tianxun GONG,Peiliang YUAN,Shangye FANG. Владелец: VALEO VISION SAS. Дата публикации: 2021-10-06.

Protection circuit, circuit and operation method therefor, and corresponding vehicle light and vehicle

Номер патента: EP3888209A4. Автор: Zhenyu Zhang,Sylvain Yvon,Jintao Liang,Tianxun GONG,Peiliang YUAN,Shangye FANG. Владелец: VALEO VISION SAS. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Overheat protection circuit, and semiconductor integrated circuit device and vehicle therewith

Номер патента: US20160336309A1. Автор: Hirofumi Yuki,Shuntaro Takahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-17.

Battery short-circuit protection circuit

Номер патента: US20170025843A1. Автор: Xintian Liu,Yao He,Guojian Zeng,Xinxin Zheng. Владелец: Heifei University Of Technology. Дата публикации: 2017-01-26.

Battery short-circuit protection circuit

Номер патента: US9871371B2. Автор: Xintian Liu,Yao He,Guojian Zeng,Xinxin Zheng. Владелец: Heifei University Of Technology. Дата публикации: 2018-01-16.

Electrostatic protection circuit, circuit board, and electrostatic protecting method

Номер патента: US20200305273A1. Автор: Ying Liu,Jie Yu,Pengtao LI,Yangbing Yu,Qin TAN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

A latch protection switch and a power rail protection circuit having the same

Номер патента: EP4447245A1. Автор: DONG Chen,Ke Wang,Yang Qu. Владелец: Self Electronics Germany GmbH. Дата публикации: 2024-10-16.

Pfc overcurrent protection circuit, and controller

Номер патента: EP3879655A1. Автор: Qi Wang,Yongsong Lv. Владелец: Hangzhou Leaderway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

Protection circuit for battery management system

Номер патента: US11670938B2. Автор: Yue Li,Ke Xu,Weiwei Lin,Jiaping Zhang,Brian Large,Steve Gierlach. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2023-06-06.

Protection circuit for battery management system

Номер патента: EP4143944A1. Автор: Yue Li,Ke Xu,Weiwei Lin,Jiaping Zhang,Brian Large,Steve Gierlach. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2023-03-08.

Protection monitoring circuit, battery pack, secondary battery monitoring circuit, and protection circuit

Номер патента: US09935451B2. Автор: Yoshihide Majima,Akira Ikeuchi. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Electrostatic discharge protection circuit arrangement, electronic circuit and ESD protection method

Номер патента: US09438031B2. Автор: Patrice Besse,Jerome Casters,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Over current protection circuit and liquid crystal display

Номер патента: US20190080659A1. Автор: Xianming Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Thermal protection circuit

Номер патента: US09819172B2. Автор: Changqi Li,Bingwu Luo. Владелец: Huawei Device Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

High voltage battery cluster, and overcurrent protection circuit and switch box thereof

Номер патента: AU2019435043A1. Автор: Renxian CAO,Jinsheng Li,Hui Tong,Xiaohu Xu,Yilei Gu,Jianjie Zhou,Shanming YANG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

High voltage battery cluster, and overcurrent protection circuit and switch box thereof

Номер патента: AU2019435043B2. Автор: Renxian CAO,Jinsheng Li,Hui Tong,Xiaohu Xu,Yilei Gu,Jianjie Zhou,Shanming YANG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Protection circuit and method

Номер патента: US20220329214A1. Автор: Alexander Simin,Gian Hoogzaad,Marc Gerardus Maria Stegers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-10-13.

Protective circuit equipped with a reflux circuit and a switching circuit and energy storage apparatus containing the protective circuit

Номер патента: US12088083B2. Автор: Masakatsu Fujimatsu. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Overvoltage protection circuit with digital control

Номер патента: US09543752B2. Автор: Jan Mulder,Jan Roelof Westra,Jeffrey Allan Riley,Qiongna ZHANG,Davide VECCHI. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Overload and short-circuit sensing circuit and converter protecting circuit and method

Номер патента: US09466973B2. Автор: Jeong Mo YANG,Yu Jin Jang,Hwan Cho. Владелец: Solum Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Protection circuit and server system

Номер патента: US20230163585A1. Автор: LIN Zhang,LI-Wen Guo. Владелец: Shenzhen Fulian Fugui Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

A CMOS Process Compatible Interface Chip power-failure Protection Circuit and The Method Thereof

Номер патента: NL2034089A. Автор: WANG Xiangqian,Gao Xiaoping,Han Genliang,Xie Mingling,Yuan Chaoxin. Владелец: Institute Of Sensor Tech Gansu Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-03-17.

Protection circuit and server system

Номер патента: US12015260B2. Автор: LIN Zhang,LI-Wen Guo. Владелец: Shenzhen Fulian Fugui Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Protection circuit and device for hdmi identification port

Номер патента: US20170170651A1. Автор: WEI Duan. Владелец: Le Holdings Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Selective independent overload and group overload protection circuit of power supply

Номер патента: US20090015064A1. Автор: Hsin-Sheng Huang. Владелец: Silver Stone Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Electronic ignition circuit and method for use

Номер патента: US09915513B1. Автор: Andreas Robert Zemla,Sascha Thieltges,Frank Graziola. Владелец: DynaEnergetics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-13.

Protection circuit for high temperature reverse bias test

Номер патента: US20240235183A1. Автор: Kai Hu,Yiming Lin,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power supply circuit, working method of power supply circuit, and lighting device

Номер патента: US20240235179A9. Автор: Yi Xie,Yi Huang,Xiangjun Zhou,Kun Tong. Владелец: Aputure Imaging Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Lamp driver circuit and lamp driving method

Номер патента: US11291100B2. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: Qisda Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Overcurrent protection circuit and bi-directional converter

Номер патента: US20210226440A1. Автор: Jinfa Zhang,Guoqiao SHEN,Yuhu ZHOU. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Lamp driver circuit and lamp driving method

Номер патента: US20210321506A1. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: Qisda Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Analog-to-digital converter protection circuit, method for controlling analog-to-digital converter protection circuit, and controller

Номер патента: US09923567B2. Автор: Qi Cheng,Weiguo LI,Qiwen WEI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Overheat protection circuit and voltage regulator

Номер патента: US09819173B2. Автор: Daiki Endo,Fumimasa AZUMA. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

High-reliability protection circuit and power supply system

Номер патента: US20240088641A1. Автор: Hui Sun,Yunli LIU. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Electronic fuse circuit and circuit system using the same

Номер патента: US20240291264A1. Автор: Pitleong Wong. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Over-energy protection circuit, residual current device, electronic device, and power distribution box

Номер патента: US12132304B2. Автор: Feng Niu,Kui Li,Zijian Xu,Qingying LIU,Chenyu XIE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Protective circuit module for secondary battery and battery pack using the same

Номер патента: US09496709B2. Автор: Seok Koh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Overvoltage protection circuit and power supply source system

Номер патента: RU2460189C2. Автор: Такео ОХКИДО,Масафуми ХАСИМОТО. Владелец: Дайкин Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2012-08-27.

Protective circuit and switch control device

Номер патента: US20240223179A1. Автор: Kiyotaka Kasahara. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Anti-reverse connection protection circuit and method, and electrochemical apparatus and energy storage system

Номер патента: AU2021345628A9. Автор: Qifan Liu. Владелец: Dongguan Poweramp Technology Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power transistor overcurrent protection circuit

Номер патента: US11115018B1. Автор: Kewei Ying. Владелец: Si En Technology Xiamen Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Anti-reverse connection protection circuit and method, and electrochemical apparatus and energy storage system

Номер патента: AU2021345628B2. Автор: Qifan Liu. Владелец: Dongguan Poweramp Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Protection circuit for power converter

Номер патента: US09520767B2. Автор: Ta-Yung Yang. Владелец: Fairchild Taiwan Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Protection circuit applied to electronic device and associated protection method

Номер патента: US20210234357A1. Автор: Dien-Shen Chiang,Tsui-Chuan CHUANG,Ming-Ruei Liu,Chien-Tai KAO. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Charging protection circuit, charging circuit, and electronic device

Номер патента: EP4075620A1. Автор: Hang Wang,Huaifeng Wang,Jiangtao YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-19.

Charging protection circuit, charging circuit, and electronic device

Номер патента: US20240355811A1. Автор: Hang Wang,Huaifeng Wang,Jiangtao YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated bidirectional ESD protection circuit for power semiconductor switching devices

Номер патента: US12107416B2. Автор: Ahmad Mizan,Edward MacRobbie. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Battery protection circuit and battery pack including same

Номер патента: US10680429B2. Автор: Dukjung Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

AC-DC converter device comprising an overvoltage protection circuit

Номер патента: US09425607B2. Автор: Thomas Olsen,Erik Myhre,Jan Tore Brastad. Владелец: ELTEK AS. Дата публикации: 2016-08-23.

Excessive heating protection circuit and image forming apparatus

Номер патента: US9709931B2. Автор: Hiroshi Eguchi,Takeshi Tamada,Katsuyuki Ikuta,Yoshihito Sasamoto. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device, battery protection circuit, and power management circuit

Номер патента: US20230215940A1. Автор: Kouki Yamamoto,Haruhisa Takata. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-07-06.

Overheat protection circuit and switching regulator including the same

Номер патента: US12046992B2. Автор: Yoshiomi Shiina. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Protection circuit of semiconductor device

Номер патента: US09972992B2. Автор: Kazuhiro Oyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Excessive heating protection circuit and image forming apparatus

Номер патента: US20170038708A1. Автор: Hiroshi Eguchi,Takeshi Tamada,Katsuyuki Ikuta,Yoshihito Sasamoto. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-02-09.

Protection circuit, battery control device, and battery pack

Номер патента: US8873212B2. Автор: Yoshihiro Yoneda,Koichi Mukai,Takahiro Asada,Masahiko Ishimaru,Yuuji Kimura,Chisato Komori,Shoko Nagaki. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Power supply circuit and polarity reversal protection circuit

Номер патента: US20140085759A1. Автор: Uwe Richter. Владелец: Webasto SE. Дата публикации: 2014-03-27.

Protection circuit and control circuit

Номер патента: US09817412B2. Автор: Shinji Tanaka,Takahiro Sakaguchi,Keiji Kobayashi,Atsushi Kikuchi. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Overcurrent protection circuit and power amplifier including overcurrent protection circuit

Номер патента: US20240213930A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Hyejin Lee,JeongHoon Kim,Youngwong JANG,Jongok HA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Driver circuit and method of operating the same

Номер патента: US20240259012A1. Автор: Ming Hsien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Surge protection circuit and dishwasher including the same

Номер патента: US20200395749A1. Автор: Wonwoo Lee,Soongkeun Lee,Gwigeun PARK,Wonjae Yi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-12-17.

Surge protection circuit and dishwasher including the same

Номер патента: EP3751690A1. Автор: Wonwoo Lee,Soongkeun Lee,Gwigeun PARK,Wonjae Yi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-12-16.

Overvoltage protection circuit, integrated circuit and switching converter with the same

Номер патента: US11750083B2. Автор: Hongfeng Fan,Dengke Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Overcurrent protection circuit and switching power apparatus using the same

Номер патента: US09997902B2. Автор: Shinji Kawata,Keita Itohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Load driving device, vehicle air-conditioning apparatus, and load short-circuit protection circuit

Номер патента: US09923364B2. Автор: Hidetaka Sato,Keiji Nagasaka. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Automotive Thermal Systems Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Drive protection circuit, semiconductor module, and automobile

Номер патента: US09455566B2. Автор: Kazuaki Hiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Over-current protection circuit for power circuit

Номер патента: US20210226443A1. Автор: Po-Chin Chuang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Over-current protection circuit, over-current protection method and display device

Номер патента: US20230421147A1. Автор: Minsung Kim,Dongmyung Lee,Jiajhang Wu,Jangjin Nam. Владелец: Hefei Eswin Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Overvoltage protection circuit for a power converter

Номер патента: CA3005023C. Автор: Jarle FROSTERØD,Tor Vang PEDERSEN. Владелец: Comrod AS. Дата публикации: 2023-07-11.

Under voltage protection circuit and device

Номер патента: US20230117084A1. Автор: Jing Liu,Wenqing Wang. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Esd protection circuits

Номер патента: EP1927174A2. Автор: Guann-Pyng Li,Yintat Ma. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-06-04.

Protection circuit module with thermistor and battery pack including the same

Номер патента: US09496587B2. Автор: Yeon Sung Jung. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Protective circuit breaker with detection of aperiodic current variation

Номер патента: RU2525082C2. Автор: Михаэль КОХ. Владелец: Итон Гмбх. Дата публикации: 2014-08-10.

Method and circuit for protecting power circuits against short circuit and over current faults

Номер патента: US5687049A. Автор: Vijay Mangtani. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-11-11.

Protection circuit and receiving apparatus

Номер патента: US20240213769A1. Автор: Nobuyoshi Hirama. Владелец: JVCKenwood Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Overcurrent protection circuit and power supply device

Номер патента: US20240275160A1. Автор: Tatsuya Okada,Shinji Takizawa,Daisaku Shugo,Atsuhiro Watanabe,Toyokazu Katsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Electronic switching and protection circuit with a logarithmic ADC

Номер патента: US09954548B2. Автор: Markus Ladurner,Robert Illing,Christian Djelassi,David Jansson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Safety circuit and brush holder for preventing fault conditions in an alternator

Номер патента: US09929685B2. Автор: Martin Graefling,Christoph Seidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Protection circuit, battery pack, and protection circuit operating method

Номер патента: US20220407306A1. Автор: Chisato Komori,Yuji Furuuchi. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Protection circuit applied to electronic device and associated protection method

Номер патента: US20190341765A1. Автор: Dien-Shen Chiang,Tsui-Chuan CHUANG,Ming-Ruei Liu,Chien-Tai KAO. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Ground fault protection circuit

Номер патента: EP1145400A3. Автор: Mihail S. Moisin. Владелец: Electro Mag International Inc. Дата публикации: 2002-11-27.

Protection circuit, battery pack, and protection circuit operating method

Номер патента: US12095259B2. Автор: Chisato Komori,Yuji Furuuchi. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Ground fault protection circuit

Номер патента: EP1145400A2. Автор: Mihail S. Moisin. Владелец: Electro Mag International Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Switch protection circuit and power converter suited for different input voltage ranges

Номер патента: US12107413B2. Автор: Aimin Xu. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Package module of battery protection circuit

Номер патента: US09450428B2. Автор: Young-Seok Kim,Sang-hoon Ahn,Seung-Wook Park,Hyeok-Hwi Na,Sung-Beum Park,Hyun-Mok Cho,Sun-Bok Park,Jae-Goo Park,Ho-Suk Hwang. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Surge protection circuit, switching power supply, and surge protection method

Номер патента: US09391445B2. Автор: Wei Di,Liangang Sun,Mei Zou,Yiyong Pu. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Protection circuit for brushless dc motor, and control device

Номер патента: US20180351348A1. Автор: Weilin GUO,Lina Yao,Wenxian WU,Anyong HU. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2018-12-06.

Voltage protection circuit to prevent power amplifier burnout, and electronic device having the same

Номер патента: EP3906615A1. Автор: Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM,Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-10.

Protection circuit for preventing misconnection at input end and photovoltaic power generation system

Номер патента: US20230104392A1. Автор: Xiufeng Zhang,Yanzhong ZHANG,Guangchao YAN,Fangpo Zhang,Xiaokang TIAN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Voltage protection circuit to prevent power amplifier burnout, and electronic device having the same

Номер патента: US20200313703A1. Автор: Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM,Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Protection circuit for preventing misconnection of input ends, and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP4148931A1. Автор: Xiufeng Zhang,Yanzhong ZHANG,Guangchao YAN,Fangpo Zhang,Xiaokang TIAN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Short-circuit protection circuit, chip and system for switched-mode power supply

Номер патента: US12119745B2. Автор: Bin Liu,Ruiping Li,Jinlong XU,Wei Chi. Владелец: Shanghai Xinlong Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device including amplifier

Номер патента: US20150341001A1. Автор: Kazuhiro Yoshida,Hisayuki Nagamine. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Load short-circuit protection circuit of LED power supply

Номер патента: US11778710B2. Автор: Pengyuan ZHAO,Yanhai LIN. Владелец: Ningbo Self Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Protection circuit that detects fault impedance during power up of a device

Номер патента: US20160233659A1. Автор: Jamaica L. Barnette,Raymond M. Clemo. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Shoot through current detection and protection circuit

Номер патента: US20230039217A1. Автор: Carl R. Haynie. Владелец: Aerojet Rocketdyne Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Shoot through current detection and protection circuit

Номер патента: US12027845B2. Автор: Carl R. Haynie. Владелец: Aerojet Rocketdyne Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Shoot through current detection and protection circuit

Номер патента: WO2021167599A1. Автор: Carl R. Haynie. Владелец: Aerojet Rocketdyne, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

Protecting circuit for battery during engine starting events

Номер патента: US20240291265A1. Автор: James O. Burke,Dean R. Solberg. Владелец: Kold-Ban International Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including amplifier

Номер патента: US09742361B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Hisayuki Nagamine. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Protection circuit for an inverter as well as inverter system

Номер патента: US09640978B2. Автор: Marco Schnell,Samuel Werner,Dirk Nowosad. Владелец: Ziehl Abegg SE. Дата публикации: 2017-05-02.

Electronic device and motherboard and protecting circuit of electronic device

Номер патента: US09553447B2. Автор: Xin Ye,Chun-Sheng Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Protection circuit that detects fault impedance during power up of a device

Номер патента: US09455565B2. Автор: Jamaica L. Barnette,Raymond M. Clemo. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Over-voltage protection circuit

Номер патента: US20090059456A1. Автор: Chuan-Tsai Hou. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

A protective circuit for a battery pack

Номер патента: EP4407833A1. Автор: Datta RAJARAM SAGARE,Duru Johnish Kumar,Upender Rao. Владелец: TVS Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

An overcurrent protecting circuit

Номер патента: GB2588215A. Автор: Szasz Francisc. Владелец: Continental Automotive Romania SRL. Дата публикации: 2021-04-21.

Voltage protection circuit to prevent power amplifier burnout, and electronic device having the same

Номер патента: EP4412093A2. Автор: Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM,Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Voltage protection circuit to prevent power amplifier burnout, and electronic device having the same

Номер патента: EP4412093A3. Автор: Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM,Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Overcurrent protection circuit

Номер патента: US20160241226A1. Автор: Katsuma TSUKAMOTO,Yusuke Yano. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Motor control circuit having motor protective circuit

Номер патента: US20010019470A1. Автор: Masaaki Tanaka,Minoru Hiwatari,Isao Takagi,Shuichi Nagaoka,Hiroaki Nakaya. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Protection circuit for a switched mode power supply

Номер патента: US20010019469A1. Автор: Kian Koh,Seng Ng,Kum Zee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Hybrid Fault Protection Circuits For High-Power Cyclical Loads

Номер патента: US20240250516A1. Автор: Gerald Murray Brown. Владелец: Komatsu America Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Protection circuit for a d.c. brushless motor pump

Номер патента: US20130043815A1. Автор: Hsia-Yuan Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-21.

Apparatuses and methods for passive fault monitoring of current sensing devices in protective circuit interrupters

Номер патента: US20240272225A1. Автор: William Vernon Miller, Iii,Gary Michael Miller,Edward Shi CHEN. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Hybrid fault protection circuits for high-power cyclical loads

Номер патента: WO2024158740A1. Автор: Gerald Murray Brown. Владелец: Komatsu America Corp.. Дата публикации: 2024-08-02.

Switching power supply protection circuit and power supply system

Номер патента: EP4300800A1. Автор: Shanghua Feng,Qingjun Chen. Владелец: Guangdong Carrier Hvac Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Motor protecting circuit

Номер патента: US20220393459A1. Автор: Kun-Min Chen. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Ferrite core, mutual inductance coil and leakage protection circuit breaker

Номер патента: RU2738254C2. Автор: Фенг МА,Фарид АЛЛАБ. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2020-12-11.

Overcurrent protection circuit, overcurrent protection method, and display device

Номер патента: US20200067300A1. Автор: Mingliang Wang. Владелец: Edge 3 Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Switching power supply protection circuit and power supply system

Номер патента: US20240007002A1. Автор: Shanghua Feng,Qingjun Chen. Владелец: Guangdong Carrier Heating Ventilation & Air Conditioning. Дата публикации: 2024-01-04.

Voltage protection circuit

Номер патента: US20100220420A1. Автор: Li-Yu Li,Tian-Yi Wang,Jie-Ying Shen. Владелец: Ambit Microsystems Shanghai Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Electrical protection circuit for energy storage unit

Номер патента: EP4435989A1. Автор: Panagiotis Bakas,Zichi ZHANG,Anton Söderblom,Haofeng BAI,Aleksandr Viatkin. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Electrical protection circuit for energy storage unit

Номер патента: WO2024200298A1. Автор: Panagiotis Bakas,Zichi ZHANG,Anton Söderblom,Haofeng BAI,Aleksandr Viatkin. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power supply device of switching mode with leakage current protection circuit

Номер патента: US6094365A. Автор: Po-Lun Chiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-07-25.

Over-current protection circuit, driving method for over-current protection circuit and display device

Номер патента: US11848551B2. Автор: Wei Chen,Yubo Gu,Chongwei TANG. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Battery protection circuit and lithium battery system

Номер патента: US20220352731A1. Автор: Jian Tan,Jinmao JIANG. Владелец: Suzhou Xysemi Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Reverse bias protection circuit for a vehicle battery system

Номер патента: US11881707B2. Автор: Yue Li,Ke Xu,Weiwei Lin,Jiaping Zhang,Brian Large,Steve Gierlach. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Overcurrent Protection Circuit, Overcurrent Protection Method, Clock Signal Generation Circuit and Display Device

Номер патента: US20220416531A1. Автор: Yonghua Zhou,Xinjiang ZHAO. Владелец: Hefei Eswin IC Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Over-current protection circuit, driving method for over-current protection circuit and display device

Номер патента: US20220247164A1. Автор: Wei Chen,Yubo Gu,Chongwei TANG. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Protection circuit for battery management system

Номер патента: US20240113514A1. Автор: Yue Li,Ke Xu,Weiwei Lin,Jiaping Zhang. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Protection circuit for battery management system

Номер патента: US20230253781A1. Автор: Yue Li,Ke Xu,Weiwei Lin,Jiaping Zhang,Brian Large,Steve Gierlach. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Protection circuit for battery management system

Номер патента: WO2021252547A1. Автор: Yue Li,Ke Xu,Weiwei Lin,Jiaping Zhang,Brian Large,Steve Gierlach. Владелец: A123 SYSTEMS, LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Battery protection circuit and lithium battery system

Номер патента: US11967843B2. Автор: Jian Tan,Jinmao JIANG. Владелец: Suzhou Xysemi Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Protection circuit and display panel

Номер патента: US20190348836A1. Автор: Wen Wen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Power line electronic leak detection and electronic leak protection circuit

Номер патента: EP4270701A1. Автор: Bill Zou,Xingjin Yu,Xiannan Li. Владелец: Zhongshan Kaper Electrical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Protective circuits for secondary battery packs

Номер патента: US8129948B2. Автор: Fang Chen. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-06.

Motor current protecting circuit

Номер патента: US20230223887A1. Автор: Kun-Min Chen. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Undervoltage protection circuit for LED lamp

Номер патента: US09609716B2. Автор: Wen Ying,Junjun Ying,Wanjiong Lin,Qizhi Wu. Владелец: Ningbo Self Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Protection circuit with low energy-consumption and driving circuit thereof

Номер патента: US9006979B2. Автор: Hua Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Timing leakage protection circuit and device containing same

Номер патента: US20210296880A1. Автор: Chunkai Zheng,Yingxian LI. Владелец: Kedu Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Protective monitoring circuit and battery pack

Номер патента: US8773830B2. Автор: Hidenori Tanaka,Akira Ikeuchi,Itsuki Nakano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Overvoltage protection circuit with digital control

Номер патента: US20150085412A1. Автор: Jan Mulder,Jan Roelof Westra,Jeffrey Allan Riley,Qiongna ZHANG,Davide VECCHI. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Battery protection circuit and electronic cigarette

Номер патента: US20220006310A1. Автор: Kui Liu,Weihua Qiu. Владелец: Changzhou Paiteng Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Reverse grounding protection circuit and ground fault circuit interrupter

Номер патента: US20190103741A1. Автор: Ze Chen,Xincheng Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-04-04.

Overvoltage and overcurrent protection circuit and mobile terminal

Номер патента: US20170012447A1. Автор: Jialiang Zhang,Kewei Wu,Yuanxiang HU,Wenqiang Cheng,Dashuai HUANG. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2017-01-12.

Protection circuit of resonant converter and operation method thereof

Номер патента: US20230170789A1. Автор: Seongho SON,Jongseong JI,Younghwan KWACK,Seonho JEON,Chuhyoung CHO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-01.

Overcurrent protection circuit

Номер патента: US20130063850A1. Автор: Fukuo Ishikawa,Akira Sugiura,Ippei Kawamoto,Takeyoshi Hisada. Владелец: Anden Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Overcurrent protection circuit

Номер патента: US20180048140A1. Автор: Naoki Takahashi,Toru TAKUMA,Shuntaro Takahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values

Номер патента: US09620954B2. Автор: Dean Fernando,Roel Barbosa,Toshio Takahashi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Protecting circuit

Номер патента: US09461455B2. Автор: Ching-Chung Lin,Fu-Shan Cui. Владелец: Shenzhen Treasure Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Protection control equipment for power conversion circuit and method of its control

Номер патента: RU2701365C1. Автор: Макото ОИСИ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-09-25.

A protection circuit

Номер патента: EP4138241A1. Автор: Henricus David STOKMAN,Panagiotis Kolios. Владелец: DC Systems BV. Дата публикации: 2023-02-22.

Overvoltage protection circuit

Номер патента: US20220077675A1. Автор: Ching-Feng Lai. Владелец: Global Mixed Mode Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

A protection circuit

Номер патента: AU2022209351A1. Автор: Henricus David STOKMAN,Panagiotis Kolios. Владелец: DC Systems BV. Дата публикации: 2023-03-09.

Over-current protection circuit, led backlight driving circuit and liquid crystal device

Номер патента: RU2649751C2. Автор: Дань ЦАО. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-04-04.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US12034322B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Overvoltage protection circuit, led backlight driving circuit and lcd

Номер патента: RU2648293C2. Автор: Дань ЦАО. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-03-23.

Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit

Номер патента: US09997514B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit

Номер патента: US09515065B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Secondary battery protection circuit, secondary battery protection device, battery pack and method of writing data

Номер патента: US09762072B2. Автор: Takashi Takeda,Takatoshi Itagaki,Ryota KAGEYAMA,Koichi Murano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Gate driver circuit and converter

Номер патента: WO2024100928A1. Автор: Guillaume Lefevre,Johan LE LESLE. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2024-05-16.

Protection circuit and operation method thereof

Номер патента: US20220149717A1. Автор: Yeh-Tai Hung,Chung Ming HSIEH,Chung-He Li. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Circuit and method for protecting circuit element, vehicle having the circuit, and method for controlling the vehicle

Номер патента: US09929647B1. Автор: Jiwoong Jang,Ki Jong Lee,Sangcheol Shin,Kangho Jeong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Protection circuit with surge protection capability

Номер патента: US09780641B1. Автор: Ming-Cheng Chuang. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Secondary battery protection circuit and secondary battery anomaly detection system

Номер патента: US11990778B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Takanori Matsuzaki,Ryota Tajima,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Overcurrent protection circuit for protecting semiconductor device from overcurrent at high speed, and switching circuit provided with the overcurrent protection circuit

Номер патента: US20230308088A1. Автор: Satoshi Iwai,Mamoru SUEKI. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Overcurrent protection circuit and power factor correction circuit comprising the same

Номер патента: US09917503B2. Автор: Taesung Kim,Gwanbon KOO. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Cell protection circuit, battery, and electronic device

Номер патента: US20220294091A1. Автор: Chuantao Song. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Protection Circuit of Flyback Converter and Control Method

Номер патента: US20240120849A1. Автор: Junming Zhang,Pitleong Wong,Xiangyong Xu,Xianghua Jiang. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Overvoltage protection circuit, LED backlight driving circuit and LCD

Номер патента: US09781807B2. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Overvoltage protection circuit, LED backlight driving circuit and LCD

Номер патента: US09591712B2. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Load Control Device Having an Overcurrent Protection Circuit

Номер патента: US20210007197A1. Автор: James P. Steiner,Dinesh Sundara Moorthy. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

DC voltage conversion circuit and liquid crystal display device including the same

Номер патента: US09960590B1. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Power supply circuit and electronic equipment

Номер патента: US8179107B2. Автор: Iwao Fukushi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-05-15.

Power Supply Circuit and Electronic Equipment

Номер патента: US20090322302A1. Автор: Iwao Fukushi. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Power supply circuit and control method thereof

Номер патента: US20240313626A1. Автор: Leaf Chen,Li Cheng Chu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for charging wireless headset, charging circuit and charging case

Номер патента: US12114121B2. Автор: Jie Fan,Xuede LV. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Tld. Дата публикации: 2024-10-08.

Electronic Power Protection Circuit And Applications Thereof

Номер патента: US20100091524A1. Автор: CHAO Chen,Rui-Xia Fei. Владелец: BCD Semiconductor Manufacturing Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Protection circuit and switching power supply

Номер патента: US09800165B2. Автор: Kazuki Yamamoto. Владелец: Onkyo Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

AC direct drive lamp having leakage current protection circuit

Номер патента: US09788390B2. Автор: Jong June PARK. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Input surge protection circuit and method for a non-isolated buck-boost LED driver

Номер патента: US09674907B1. Автор: Wei Xiong,Candice Ungacta. Владелец: Universal Lighting Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Overcharge current protection circuit and battery pack using same

Номер патента: WO1996034444A1. Автор: Jose M. Fernandez,Vernon Meadows,Erika Dawn Mack,Iilonga P. Thandiwe. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1996-10-31.

Battery including protective circuit and electronic device comprising same

Номер патента: EP4411951A1. Автор: KiYoun Jang,Tari PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Battery including protective circuit and electronic device comprising same

Номер патента: US20240274898A1. Автор: KiYoun Jang,Tari PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09819256B2. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Electrostatic protection circuit, array substrate and display device

Номер патента: US20180342864A1. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Battery protection circuit and battery pack including same

Номер патента: US12062933B2. Автор: Youngjun Kim,Jong-Chan HAN,Chul-Seung Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Over discharge protection circuit for additive manufactured battery adapters

Номер патента: AU2021103879A4. Автор: Wei Hong. Владелец: Summit Trade and Investment Pty Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Over-voltage and over-current protection circuits and electronic devices

Номер патента: US09504117B2. Автор: Hua Zhang,Xianming Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Protective circuit for energy-strorage device

Номер патента: EP2240991A2. Автор: John Joseph Christopher Kopera. Владелец: Sion Power Corp. Дата публикации: 2010-10-20.

Protective circuit for energy-strorage device

Номер патента: WO2009099659A3. Автор: John Joseph Christopher Kopera. Владелец: Sion Power Corporation. Дата публикации: 2009-10-08.

Protective circuit for energy-strorage device

Номер патента: WO2009099659A2. Автор: John Joseph Christopher Kopera. Владелец: Sion Power Corporation. Дата публикации: 2009-08-13.

Secondary cell protection circuit and battery

Номер патента: EP2539988A1. Автор: Kuniaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-02.

Secondary cell protection circuit and battery

Номер патента: WO2011105309A1. Автор: Kuniaki Arai. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2011-09-01.

Induction heating device having negative voltage protection circuit

Номер патента: US20200154531A1. Автор: Jaekyung Yang,Seongho SON,Yongsoo Lee,Younghwan KWACK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09800130B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09685862B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Charge pump circuit and integrated circuit

Номер патента: WO2007063474A3. Автор: Jean-Robert Tourret,Luca Lococo,Mohamed Bouhamame. Владелец: Mohamed Bouhamame. Дата публикации: 2007-09-13.

Protection circuit module and aerosol generating device including the same

Номер патента: EP4243641A1. Автор: Seungwon Lee,Sungwook Yoon,Daenam HAN,Seoksu JANG,Yonghwan Kim. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Pre-bias protection circuit for converter

Номер патента: WO2008013871A3. Автор: Yang Chen,Parviz Parto. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2008-07-17.

Battery protection circuit and battery apparatus including the same

Номер патента: US12057721B2. Автор: Hyeoncheol JEONG,Sanggu Lee,Kyongpil Jin. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Charging protection circuit, driving method, chip, encapsulation structure and electronic device

Номер патента: EP4362266A1. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Jianyun Zhu,Mingwei Jiang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Charging protection circuit, driving method, chip, package structure, and electronic device

Номер патента: US20240170979A1. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Jianyun Zhu,Mingwei Jiang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Protective circuit

Номер патента: WO2007051178A2. Автор: Bin Wu. Владелец: Caretta Integrated Circuits. Дата публикации: 2007-05-03.

Thermal protection circuit for switching power supply

Номер патента: US09906146B2. Автор: Kei ASAO. Владелец: Onkyo Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Protection circuit, dc-dc converter, battery charger and electric vehicle

Номер патента: EP4170882A1. Автор: Seok-Hyeong HAM. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Protection circuit for protecting a battery

Номер патента: SE544898C2. Автор: Olle Bliding,Eric Wiebols. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2022-12-20.

Protection circuit for protecting a battery

Номер патента: SE2050273A1. Автор: Olle Bliding,Eric Wiebols. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2021-09-14.

Protecting circuit for battery during engine starting events

Номер патента: US20240291296A1. Автор: James O. Burke,Dean R. Solberg. Владелец: Kold-Ban International Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Undervoltage protection circuit, undervoltage protection method and switching power supply

Номер патента: US09979275B2. Автор: Yunlong Han,Xiaoru Xu. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Power tool including solid-state protection circuit

Номер патента: US20240297513A1. Автор: Douglas R. FIELDBINDER,Benjamin R. Suhr. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Battery protection circuit

Номер патента: WO2021180934A1. Автор: Olle Bliding,Eric Wiebols. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2021-09-16.

Battery protection circuit

Номер патента: EP4118726A1. Автор: Olle Bliding,Eric Wiebols. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2023-01-18.

Electrostatic protection circuit, power management chip, and display terminal

Номер патента: US12130523B2. Автор: Fangyun LIU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09467047B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Inverter shoot-through protection circuit

Номер патента: WO1986005040A1. Автор: Anand Upadhyay. Владелец: Sundstrand Corporation. Дата публикации: 1986-08-28.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Charge protection circuit, charger, electronic device, and charge protection method

Номер патента: US12062931B2. Автор: Hideo Suzuki,Masanori Ishihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Start-up in-rush current protection circuit for dcdc converter

Номер патента: US20110234184A1. Автор: Jiong FU,Wee Sien HONG,Andi Soemarli Rasak LIE. Владелец: Panasonic Semiconductor Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Control device of power factor correction circuit, power factor correction circuit, power supply device, and semiconductor device

Номер патента: US11736003B2. Автор: Yoshinori Sato,Satoru Nate,Yifei Tang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Light-emitting device circuit and method of operating thereof

Номер патента: US09456484B2. Автор: Hsin-Mao Liu,Zong-Xi Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Clamp protection circuit and a PFC control circuit employing such clamp protection circuit

Номер патента: US8045308B2. Автор: Matthew Man Ho Ku,Run Qin Tan,Li Fang Guo. Владелец: Evergreen Micro Devices Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Switch circuit and semiconductor switch, for battery-powered equipment

Номер патента: WO2000059093A1. Автор: Pieter G. Blanken,Franciscus A. C. M. Schoofs,Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-10-05.

Protecting circuit against short-circuit of output terminal of AC adapter

Номер патента: US20020167770A1. Автор: Hiromi Kato,Yuji Yamanaka. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Leakage protection circuit, method and drive device

Номер патента: US20210212180A1. Автор: Shungen Sun,Weijia YU. Владелец: Shanghai Bright Power Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Leakage protection circuit, method and drive device

Номер патента: US20190170336A1. Автор: Shungen Sun,Weijia YU. Владелец: Shanghai Bright Power Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Power control module using protection circuit for regulating backup voltage to power load during power fault

Номер патента: US09899834B1. Автор: Ryan P. Mayo. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Battery secondary protection circuit and operation method thereof

Номер патента: US12027897B2. Автор: Chih-Liang Wu,Chun-Kuei CHIU,Shih-Kun LIANG. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Device detecting abnormality of secondary battery and semiconductor device

Номер патента: US20220045370A1. Автор: Kei Takahashi,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Overvoltage protection circuit

Номер патента: US09929726B2. Автор: Daniel M. Dreps. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit

Номер патента: US20140185170A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit

Номер патента: US20150243647A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit

Номер патента: US20170148781A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Reversal connection protection circuit

Номер патента: EP2324548A1. Автор: Mingxing Li,Yaozhong Mi,Xiangjun Dai,Qingfei Zheng. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-25.

Reversal connection protection circuit

Номер патента: WO2010028579A1. Автор: Mingxing Li,Yaozhong Mi,Xiangjun Dai,Qingfei Zheng. Владелец: BYD Company Limited. Дата публикации: 2010-03-18.

Protection circuit of battery module

Номер патента: US20230420958A1. Автор: Wen-Fan Chang,Chun-Chieh Li. Владелец: STL Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Dc/dc converter and semiconductor device using dc/dc converter

Номер патента: US20110241441A1. Автор: Masafumi Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Wearable device and electrostatic discharge protection circuit of the same

Номер патента: US09899832B2. Автор: Ching-Yen Kuo. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Voltage boosting circuits having over-voltage protection circuits therein

Номер патента: US6052022A. Автор: Chul-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-04-18.

Test circuit and method for semiconductor device

Номер патента: US09702931B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Test circuit and method of semiconductor device

Номер патента: US20160202314A1. Автор: Ho Sung Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Insulated gate type semiconductor device having built-in protection circuit

Номер патента: US5719420A. Автор: Yoshitaka Sugawara,Yasuhiko Kohno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Esd protection circuit with scr structure for semiconductor device

Номер патента: TWI308386B. Автор: Yasuyuki Morishita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09508692B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and system

Номер патента: US20050063112A1. Автор: Kazuo Kanetani,Hiroaki Nambu,Hideto Kazama,Takemi Negishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor device and system

Номер патента: US20030222285A1. Автор: Kazuo Kanetani,Hiroaki Nambu,Hideto Kazama,Takemi Negishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

A protection circuit of electrostatic discharge for semiconductor device

Номер патента: KR100314647B1. Автор: 장윤수,장상환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-12.

TEST CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160202314A1. Автор: CHO Ho Sung. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

TEST CIRCUIT AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140368224A1. Автор: Lee Dong-Uk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-12-18.

Test circuit and method for semiconductor devices

Номер патента: CN104237640B. Автор: 李东郁. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-11-30.

SUSPENDED PHASE LOOP CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2840470A1. Автор: Hyeok Chul Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-05.

Needle alignment verification circuit and method for semiconductor device

Номер патента: US7323894B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-29.

SUSPENDED PHASE LOOP CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2840470B1. Автор: Hyeok Chul Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-18.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Power storage pack, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240312881A1. Автор: Kouki Yamamoto,Toshifumi Ishida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-19.

Protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240321867A1. Автор: Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240347529A1. Автор: Tomoya Nishida,Hideaki Futai,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20210125943A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Overvoltage protection circuit, connector, and semiconductor device

Номер патента: US20240297644A1. Автор: Tomoya Nishitani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device including electrostatic discharge protection patterns

Номер патента: US10510746B2. Автор: Junghyun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-17.

Current protection-type semiconductor device

Номер патента: EP4435864A1. Автор: Wenfang Du,Xinjiang LV,Xuqiang ZHU. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Active protection circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20230275042A1. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US7319575B2. Автор: Hiroki Yamashita,Masayoshi Yagyu,Tatsuya Kawashimo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-01-15.

Electrostatic-breakdown-preventive and protective circuit for semiconductor-device

Номер патента: US20030222673A1. Автор: Katsuhiro Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230290772A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Silicon-controlled rectifier current-protection circuit, related operating method, and dimming circuit and lighting device containing the same

Номер патента: US09930746B2. Автор: Jinxiang Shen,Junshan Lou,Zhonghua WANG. Владелец: Zhejiang Shenghui Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

High Side Current Detection Circuit, Overcurrent Protection Circuit, Calibration Method and Electronic Devices

Номер патента: US20240213976A1. Автор: Dongming Liu. Владелец: Halo Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

HIGH VOLTAGE, HIGH FREQUENCY ESD PROTECTION CIRCUIT FOR RF ICs

Номер патента: WO2011091064A1. Автор: Eugene R. Worley,Byungwook Min,Der-Woei Wu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-07-28.

Protection circuit and load current detection circuit

Номер патента: EP1887830A3. Автор: Hiroshi Ogawa,Kenji Yokoyama,Yoshiro Miyake. Владелец: Flying Mole Corp. Дата публикации: 2009-10-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

An arc earth leakage protection circuit breaker

Номер патента: GB2609527A. Автор: LI Wenjie,Li Wenjun,LI Wenwei. Владелец: Dalian Ino Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

ESD protection circuit for multi-power and mixed-voltage integrated circuit

Номер патента: US20030039085A1. Автор: Meng-Huang Liu,Tao-Cheng Lu,Chun-Hsiang Lai,Sing Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Lighting circuit and vehicle lamp having the same

Номер патента: US09907151B2. Автор: Tomoyuki Ichikawa. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Turn-off protection circuit for a switch unit and associated turn-off protection method

Номер патента: US20210050849A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Electrostatic discharge protecting circuit with ultra-low standby leakage current for twice supply voltage tolerance

Номер патента: US20110026175A1. Автор: Ming-Dou Ker,Chang-Tzu Wang,Chua-Chin Wang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor element drive device having a plurality of protection circuits and outputting a protection operation notification signal that identifies which of the protection circuits detected a problem

Номер патента: US8779929B2. Автор: Satoru Motohashi,Sachiaki Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Overcurrent protection circuit and power amplifier including the same

Номер патента: US20240223138A1. Автор: Kyung Hee Hong,Yoshiyuki Tonami,Kyujin CHOI,Geunyong LEE,Suyeon HAN,Seungchul PYO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for optimizing protection circuits of electronic device chips in a wafer

Номер патента: US20240250084A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Circuit arrangement with a short-circuit protective circuit

Номер патента: US20060250175A1. Автор: Heinz-Wilhelm Meier. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-11-09.

Ballast stabilizer-compatible lamp having leakage current protection circuit

Номер патента: US09839081B2. Автор: Jong June PARK. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Light string having at least one protecting circuit

Номер патента: US09433056B2. Автор: FENG DING. Владелец: Yunmeng Yun Xi Lighting Products. Дата публикации: 2016-08-30.

Protecting circuit of the semiconductor factory automation

Номер патента: US20030081368A1. Автор: Wen-Yung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US12100732B2. Автор: Chia-Wei Hsu,Jam-Wem Lee,Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Protection circuit and method against interference in lighting systems

Номер патента: US09615423B2. Автор: Dror Manor. Владелец: MAGNITUDE HOLDINGS Ltd A BERMUDA EXEMPT Co Ltd BY SHARES. Дата публикации: 2017-04-04.

Oscillator apparatus capable of protecting circuit element(s) within oscillator of oscillator apparatus from damage of signal glitch

Номер патента: US20200044630A1. Автор: Sheng-Yi Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Interface module with protection circuit and method of protecting an interface

Номер патента: AU4707399A. Автор: Ting-Li Chan,Thinh D. Tran. Владелец: QLogic LLC. Дата публикации: 2000-01-10.

Projector, color wheel protection circuit, and color wheel protection method

Номер патента: US20140204346A1. Автор: Ming-Te Lin,Cheng-Shen Lee. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Esd protection circuit

Номер патента: US20240312981A1. Автор: Toshihiro Nakamura,Masahiro Gion,Yoshito Uchihashi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Projector, color wheel protection circuit, and color wheel protection method

Номер патента: US09544553B2. Автор: Ming-Te Lin,Cheng-Shen Lee. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Protection circuit and method against interference in lighting systems

Номер патента: US20150061494A1. Автор: Dror Manor. Владелец: Magnitude Lighting Transformers Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Short-circuit protection circuit and electronic device

Номер патента: US09370065B2. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Electro-static discharge protection circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US7671415B2. Автор: Hirokazu Hayashi,Yasuhiro Fukuda,Toshikazu Kuroda. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Integrated circuit resistor with passive breakdown protection circuit

Номер патента: US20200312946A1. Автор: Lokesh Kumar Gupta,Basant BOTHRA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Electronic circuit with a transistor device and a protection circuit

Номер патента: US20240250678A1. Автор: Gerhard Thomas Nöbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

ESD Protection Circuits And Related Techniques

Номер патента: US20070132030A1. Автор: Ke-Yuan Chen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Interface module with protection circuit and method of protecting an interface

Номер патента: EP1088276A1. Автор: Ting-Li Chan,Thinh D. Tran. Владелец: QLogic LLC. Дата публикации: 2001-04-04.

Interface module with protection circuit and method of protecting an interface

Номер патента: WO1999067717A1. Автор: Ting-Li Chan,Thinh D. Tran. Владелец: Qlogic Corporation. Дата публикации: 1999-12-29.

Semiconductor device including ESD protection circuit

Номер патента: US09893053B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Kee-Moon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device including electrostatic protection circuit

Номер патента: US09712165B2. Автор: Mototsugu Okushima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Surge protection circuit and power supply for operating from a dc grid

Номер патента: EP4387399A1. Автор: Dietmar Klien. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-19.

Terminal protection circuit of semiconductor chip

Номер патента: US20210225833A1. Автор: Hiroshi Maruyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Electronic circuit with a transistor device and a protection circuit

Номер патента: EP4407871A1. Автор: Gerhard Nöbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-31.

Input stage protection circuit for a receiver

Номер патента: US20010012190A1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin. Владелец: ATI International SRL. Дата публикации: 2001-08-09.

Leakage protection circuit and dimming drive circuit

Номер патента: US11895751B2. Автор: Guoqiang Liu,Wanyue HE. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and wireless tag using the same

Номер патента: US09607975B2. Автор: Tatsuji Nishijima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Protection circuit, and semiconductor device and light emitting device using such protection circuit

Номер патента: US20090309117A1. Автор: Akira Shimizu,Naoki Takahashi,Kenichi Nakata,Mitsuru Okazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Fabrication method of an electrostatic discharge protection circuit with a low resistant current path

Номер патента: US6855611B2. Автор: Hua-Chou Tseng,Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen,Tsun-Lai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-15.

Semiconductor device, photoelectric conversion system, movable object

Номер патента: US20240339477A1. Автор: Nobuaki Kakinuma,Akira Oseto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US09575129B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240222359A1. Автор: Chung-Yu Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Low input capacitance electrostatic discharge protection circuit utilizing feedback

Номер патента: WO2003092074A1. Автор: Larry E. Tyler,James T. May. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2003-11-06.

Low input capacitance electrostatic discharge protection circuit utilizing feedback

Номер патента: EP1500143A1. Автор: Larry E. Tyler,James T. May. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2005-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20120211749A1. Автор: Masahiko Hayakawa,Osamu Fukuoka,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20100006848A1. Автор: Masahiko Hayakawa,Osamu Fukuoka,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-14.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Backlight module, over-temperature protection circuit and over-temperature protection method thereof

Номер патента: US20120229047A1. Автор: Kun-Chi Chiu,Yun-Chih Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor device including semiconductor chips stacked in a multi-layer structure by a flip-chip bonding method

Номер патента: US20230299111A1. Автор: Hyeokjong Lee,KyongSoon Cho,MinHO Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321865A1. Автор: Kenichi Sugawara,Takeshi Miyaba,Hiroaki NAKASA,Shouichi Ozaki,Syunsuke Sasaki,Maya OHSAKA,Shoki ITO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Overcurrent protection circuit for controlling a gate of an output transistor based on an output current

Номер патента: US09740222B2. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Electrostatic protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20230411383A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230299072A1. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Power amplifier and protection circuit for use in rf active circuit

Номер патента: US20190068137A1. Автор: Yi-Fong Wang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Direct current offset protection circuit and method

Номер патента: US11368130B1. Автор: Hsin-Yuan Chiu,Hsiang-Yu Yang. Владелец: Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-21.

Active matrix circuit, method of manufacturing active matrix circuit and image display apparatus

Номер патента: US09740068B2. Автор: Takuya Ohishi. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Over voltage protection circuit and power amplifier including the same

Номер патента: US20240243707A1. Автор: Kyung Hee Hong,Yoshiyuki Tonami,Kyujin CHOI,Geunyong LEE,Suyeon HAN,Seungchul PYO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Gate coupling electrostatic discharge protection circuit with redundant structures

Номер патента: US20050194644A1. Автор: Joe Wang,Yung-Chi Sung. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2005-09-08.

Drive control circuit, and ignition device for internal combustion engine

Номер патента: US09920735B2. Автор: Motoo Yamaguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

ESD protection circuit employing channel depletion

Номер патента: US4835653A. Автор: Xiaonan Zhang,Xiaolan Wu. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1989-05-30.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US20080055806A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Esd protection circuit employing channel depletion

Номер патента: WO1989007332A3. Автор: Xiaonan Zhang,Xiaolan Wu. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1989-09-08.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit and method

Номер патента: US20100073834A1. Автор: Hans A. Troemel, Jr.,Brian R. Mcclure. Владелец: Panasonic Automotive Systems Company of America. Дата публикации: 2010-03-25.

ESD protection circuit and integrated circuit

Номер патента: US9379099B2. Автор: Chun-Yu Lin. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2016-06-28.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09494830B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Electro static discharge protection circuit and electronic device having the same

Номер патента: US09478532B2. Автор: Bo-Yong Chung,Hai-Jung In. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device for electrostatic discharge protection

Номер патента: US09685431B2. Автор: Bart Sorgeloos,Benjamin Van Camp,Olivier Marichal. Владелец: Sofics BVBA. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with protective functions

Номер патента: EP1366552A2. Автор: Takeshi c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD NOBE,Shigeo c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD AKIYAMA,Noriteru c/o MATSUSHITA ELEC. WORKS LTD FURUMOTO,Takuya c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD SUNADA. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2003-12-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09824955B2. Автор: Noboru Kato,Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

ESD protection circuit, semiconductor device, on-vehicle electronic device, and on-vehicle electronic system

Номер патента: US09640525B2. Автор: Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20220285337A1. Автор: Yasuhiro Suematsu,Maya INAGAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

[metal oxide semiconductor device for electrostatic discharge protection circuit]

Номер патента: US20060033162A1. Автор: Steven Sang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Electrostatic discharge protection circuit, ESD protection semiconductor device, and layout structure of ESD protection semiconductor device

Номер патента: US09859271B2. Автор: Ching-Wei Lee,Tien-Hao Tang,Li-Cih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device including electrostatic discharge (ESD) protection circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679889B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Analog circuit and semiconductor device

Номер патента: US09419020B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Atsushi Hirose,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Bi-directional esd protection circuit

Номер патента: WO2006026390A1. Автор: Jonathan Brodsky,Wayne Tien-Feng Chen,Timothy Patrick Pauletti,Robert Steinhoff,Sameer Pendharker. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-03-09.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Ballast with Arc Protection Circuit

Номер патента: US20080067950A1. Автор: John G. Konopka,Qinghong Yu,Joseph L. Parisella,Grigoriy A. Trestman. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device designing method and apparatus, and memory medium that is stored with macro information

Номер патента: US6505329B1. Автор: Masao Matsuzawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-07.

Integrated circuit and driving application circuit for led tunnel lamp using three-phase alternating-current mains power supply

Номер патента: US20240349408A1. Автор: CHAO Xu,Hao Xue,Yifan Dai,Zhengyi WEI. Владелец: Hangzhou Yihuitong Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Bi-directional ESD protection circuit

Номер патента: US09812439B2. Автор: Jonathan Brodsky,Sameer Pendharkar,Wayne Tien-Feng Chen,Timothy Patrick Pauletti,Robert Steinhoff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09692424B2. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for testing protective circuit in electrical protective device for medium voltage and device for realizing said method

Номер патента: RU2702892C2. Автор: Мишель ПЕРРОН,Джанлука ФИЛИППИ,Мохаммед Хашир КАМАЛ. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2019-10-14.

Semiconductor device having a circuit for protecting the device from electrostatic discharge

Номер патента: US5521415A. Автор: Yasuo Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-28.

An arc earth leakage protection circuit breaker

Номер патента: AU2021221463A1. Автор: Wenjun Li,Wenjie Li,Wenwei Li. Владелец: Dalian Ino Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for measuring resistance for a subscriber line interface circuit using a protective circuit

Номер патента: US20050238165A1. Автор: Alberto Canella,Gerhard NÖSSING. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-27.

Battery protection circuit module and battery pack including the same

Номер патента: US09755279B2. Автор: Dae-Yon Moon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09590067B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Protection circuit for power amplifier

Номер патента: US09559639B2. Автор: Marco Cassia,Aristotele Hadjichristos,Wenjun Su,Gurkanwal S. Sahota. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240168086A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Protection circuit for power amplifiers

Номер патента: US20240162864A1. Автор: Tero Ranta,Shota Ishihara. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor electrostatic protection circuit device

Номер патента: US20130228824A1. Автор: Yasuyuki Morishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Inverter protection method and protection circuit for fluorescent lamp preheat ballasts

Номер патента: WO1998004103A1. Автор: Guang Liu,Anand K. Upadhyay. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1998-01-29.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US9997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20170256577A1. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20130146941A1. Автор: Takayoshi Andou. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240315037A1. Автор: Koichi Sakata,Keisuke Nakatsuka,Keita Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Protection circuit for protecting light-emitting diodes of laser emitter and protection method

Номер патента: US20130250989A1. Автор: xing-hua Tang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Protection circuit for protecting light-emitting diodes of laser emitter and protection method

Номер патента: US8582272B2. Автор: xing-hua Tang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240371925A1. Автор: Chia-Wei Hsu,Jam-Wem Lee,Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US09997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09613810B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor electrostatic protection circuit device

Номер патента: US09548296B2. Автор: Yasuyuki Morishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of stacking semiconductor die for system-level ESD protection

Номер патента: US11881476B2. Автор: Jonathan Clark,Changjun Huang. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor Device and Method of Stacking Semiconductor Die for System-Level ESD Protection

Номер патента: US20220285334A1. Автор: Jonathan Clark,Changjun Huang. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230204658A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210011076A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Fault-injection protection circuit for protecting against laser fault injection

Номер патента: US20240095411A1. Автор: Dung Le Tan Hoang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Circuits and methods for enabling redundancy in an electronic system employing cold-sparing

Номер патента: US20230305984A1. Автор: David A. Grant,Mark Hamlyn. Владелец: Apogee Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Electronic device for communication in a data network including a protective circuit for identifying unwanted data

Номер патента: EP2641358A1. Автор: Kevin McGrath,Alexander Wold. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 2013-09-25.

Semiconductor chips having improved electrostatic discharge protection circuit arrangement

Номер патента: US7898034B2. Автор: Ki-Tae Lee,Han-Gu Kim,Jae-hyok Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor chips having improved electrostatic discharge protection circuit arrangement

Номер патента: US20090080129A1. Автор: Ki-Tae Lee,Han-Gu Kim,Jae-hyok Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor chips having improved electrostatic discharge protection circuit arrangement

Номер патента: US7465993B2. Автор: Ki-Tae Lee,Han-Gu Kim,Jae-hyok Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Semiconductor chips having improved electrostatic discharge protection circuit arrangement

Номер патента: US20070176241A1. Автор: Ki-Tae Lee,Han-Gu Kim,Jae-hyok Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: EP2181462A2. Автор: Paul Padden. Владелец: Toumaz Technology Ltd. Дата публикации: 2010-05-05.

Cascode power amplification circuits, including voltage protection circuits

Номер патента: WO2023150259A1. Автор: Hui Liu,Baker Scott,George Maxim,Stephen James Franck. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Periodic signal generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09887691B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Myeong Jae PARK,Woo Yeol SHIN,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Periodic signal generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09722583B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Myeong Jae PARK,Woo Yeol SHIN,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09659926B2. Автор: Shinya Suzuki,Kiichi Makuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Endoscope apparatus with power generating section and protection circuit

Номер патента: US09610004B2. Автор: Makoto Ono,Hidekazu Shinano,Koichiro TABUCHI,Mitsutaka NEMOTO. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Buffer circuit for compensating for a mismatch between on-die termination resistors and semiconductor device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09438232B2. Автор: Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device comprising ESD protection circuit for protecting circuit from being destructed by electrostatic discharge

Номер патента: US20040119159A1. Автор: Makoto Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Gated diode having at least one lightly-doped drain (ldd) implant blocked and circuits and methods employing same

Номер патента: WO2010105178A3. Автор: Eugene R. Worley. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-01-13.

Solid-state relay and semiconductor device

Номер патента: US11758745B2. Автор: Noboru Inoue,Takahiro Fukutome,Shigeru Onoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Protective circuit substrate

Номер патента: US20170236665A1. Автор: Koichi Mukai,Takashi Fujihata,Yuji Furuuchi. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Avalanche protection circuit

Номер патента: US20240322812A1. Автор: Benjamin Schmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, liquid crystal display panel, and mobile information terminal

Номер патента: US09747855B2. Автор: Shinya Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09608625B2. Автор: Masanori Inoue,Shuichi Kunie. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Power amplifier architectures with input power protection circuits

Номер патента: US09602060B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Huan ZHAO,Lothar Musiol,Yongxi Qian. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, liquid crystal display panel, and mobile information terminal

Номер патента: US09501986B2. Автор: Shinya Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20200081071A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (ESD)

Номер патента: US11810872B2. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Esd protection circuit with isolated diode element and method thereof

Номер патента: WO2007143260A3. Автор: David C Burdeaux,Daniel J Lamey. Владелец: Daniel J Lamey. Дата публикации: 2008-04-10.

Thermal protection circuit for an led bulb

Номер патента: US20150102724A1. Автор: Ronald J. Lenk,John D. Grainger. Владелец: Switch Bulb Co Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Thermal protection circuit for an led bulb

Номер патента: WO2012170734A1. Автор: Ronald J. Lenk,John D. Grainger. Владелец: Switch Bulb Company, Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Delay locked loop circuit and semiconductor device having the delay locked loop circuit

Номер патента: US20110109357A1. Автор: Jun Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-12.

Protection circuit module and battery pack including the same

Номер патента: US09819058B2. Автор: Bongyoung Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Power-driven tool with battery supply, which has protection circuit against excess currents and battery power supply for this tool

Номер патента: RU2374735C2. Автор: Такао АРАДАЧИ,Хироюки ХАНАВА,Кадзухико ФУНАБАШИ,Масаюки ОГУРА. Владелец: Хитачи Коки Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-11-27.

Semiconductor device having electrostatic breakdown protection circuit

Номер патента: US5710452A. Автор: Kaoru Narita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-20.

Electrostatic protective circuit and semiconductor device

Номер патента: US20080024946A1. Автор: Masaharu Sato. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Lower the on-resistance in protection circuit of rechargeable battery by using flip-chip technology

Номер патента: US20040070081A1. Автор: Kou-Way Tu,Chii-Wen Chen,Feng-Tso Chien,Zheng-Feng Lin. Владелец: Chino Excel Tech Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20150371941A1. Автор: Noboru Kato,Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09704799B2. Автор: Noboru Kato,Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having an ESD protection circuit

Номер патента: US7826186B2. Автор: Masakazu Ikegami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor device for providing spike voltage protection and manufacturing method thereof

Номер патента: US11848321B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Silicon-on-insulator diodes and ESD protection circuits

Номер патента: US20030080350A1. Автор: Ming-Dou Ker,Tien-Hao Tang,Kei-Kang Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Data latch circuit, semiconductor device, and semiconductor storage device

Номер патента: US20240305279A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kiyofumi Sakurai,Eiji Kozuka,Teppei Higashitsuji,Takumi Kosaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Amplifier having electrostatic discharge and surge protection circuit

Номер патента: US12063014B2. Автор: David Steven Ripley,John Tzung-Yin LEE,Myunghwan Park,Jermyn Tseng. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit

Номер патента: US09997509B2. Автор: Muhammad Iqbal Chaudhry,Nathaniel Peachey. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Electrostatic discharge circuit and liquid crystal display device including the same

Номер патента: US09772532B2. Автор: Hoon Jeong,Sang Hee Yu,Sang Woon Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09747984B2. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Pulse output circuit and semiconductor device

Номер патента: US09742378B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Manabu Sato,Kenichi Okazaki,Yoshifumi Tanada,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Differential output circuit and semiconductor device

Номер патента: US09423815B2. Автор: Masayasu Komyo,Souji Sunairi,Masafumi Mitsuishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20170115357A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Analog-to-digital converter and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240195429A1. Автор: Ju Hyun Lee,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Esd protection circuit, protection method, semiconductor memory, and system

Номер патента: EP4276904A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Esd protection circuit for negative voltage operation

Номер патента: EP4369401A1. Автор: Bo-Shih Huang,Ming-Chun Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Circuit structure for connecting bonding pad and ESD protection circuit

Номер патента: US20030193071A1. Автор: Shao-Chang Huang,Jin-Tau Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Guarded electrical overstress protection circuit

Номер патента: US20110038083A1. Автор: Michael Coln,Yoshinori Kusuda,Gary Carreau. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2011-02-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

SOI electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US6496341B1. Автор: Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-17.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

A guarded electrical overstress protection circuit

Номер патента: WO2011022233A1. Автор: Michael Coln,Yoshinori Kusuda,Gary Carreau. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Error correcting code encoding circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240340025A1. Автор: Hong Rak Son,Kijun JEON,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Bohwan Jun,Dae-Yeol Yang,Kyoungbin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Battery pack including a protection circuit module for unit batteries

Номер патента: US09825276B2. Автор: Dae-Yon Moon,Byung-Kook Ahn. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09458535B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device including electrostatic discharge protection patterns and method of forming the same

Номер патента: SG10201807599QA. Автор: ROH Junghyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Isolation and protection circuit for a receiver in a wireless communication device

Номер патента: WO2012152902A1. Автор: Srinath Sridharan,Sanjeev Ranganathan,Ramikshore GANTI. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2012-11-15.

Isolation and protection circuit for a receiver in a wireless communication device

Номер патента: EP2707966A1. Автор: Srinath Sridharan,Sanjeev Ranganathan,Ramikshore GANTI. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2014-03-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090289310A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110312142A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

ESD protection circuit cell

Номер патента: US09893054B2. Автор: Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Output circuit using calibration circuit, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US09859869B1. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Connector having a thermal protection circuit

Номер патента: US09716350B2. Автор: Keiichi Taniguchi,Tsuyoshi Kitagawa,Hiroyuki Kaibara. Владелец: Hosiden Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Wafer with SOI structure having a buried insulating multilayer structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09590118B1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570407B2. Автор: Shuji Inoue,Takahiro Ebisui,Masako Furuichi. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09520374B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Dynamic shutdown protection circuit

Номер патента: US09490794B1. Автор: Bin Zhang,Mei Zhen Choo. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Protection circuit for integrated circuit devices

Номер патента: CA1179406A. Автор: Leslie R. Avery. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1984-12-11.

Pulse generation circuit and a drive circuit

Номер патента: US20020017918A1. Автор: Kiyoto Watabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device including electrostatic discharge protection patterns

Номер патента: US20190096875A1. Автор: Junghyun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Overheat detection circuit and semiconductor device

Номер патента: US09983067B2. Автор: Atsushi Igarashi,Masakazu Sugiura,Tsutomu Tomioka,Hideyuki SAWAI,Daisuke Okano,Nao OTSUKA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490242B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490216B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09431501B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20100302694A1. Автор: Yasuyuki Morishita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160322261A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Clock Generation Circuit and Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20120173915A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Masami Endo,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Duty correction device including duty correction circuit and semiconductor device including duty correction device

Номер патента: US11894102B2. Автор: Jin Hyung Lee,Chang Kwon Lee,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12074215B2. Автор: Tomomi Yamanobe,Yoshinobu Takeshita,Kazutaka Kodama,Minako Oritu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits, integrated circuits, systems, and methods for forming the esd protection circuits

Номер патента: US20160284689A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Shu-Chuan Lee,Wade MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Power-off protection circuit for an lvds driver

Номер патента: US20020075051A1. Автор: James Kuo. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device manufacturing method, x-ray diffraction device and semiconductor pattern transfer system

Номер патента: US20240231234A1. Автор: Yasuhiro Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Optical semiconductor device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12126138B2. Автор: Atsushi Nakamura,Hideaki Asakura,Shunya YAMAUCHI,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09985073B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of forming interposer frame electrically connected to embedded semiconductor die

Номер патента: US09966335B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09917138B1. Автор: Yusuke Goki,Keiichi Takenaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Battery pack containing PCM employed with safety member having a protection circuit with a fusing part

Номер патента: US09711780B2. Автор: Masayuki Wakebe,Jeongsuk Lee,Youngsun Park,Keunpyo Ahn,Chunyeon Kim,Joung Ho Ha. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US09711693B2. Автор: Chung Hoon Lee,Dae Sung Kal,Ki Bum Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09704912B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuits, integrated circuits, systems, and methods for forming the ESD protection circuits

Номер патента: US09659923B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Shu-Chuan Lee,Wade MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09595476B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09553144B2. Автор: Toru Mori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09520473B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US09306072B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8247841B2. Автор: Shinya Sato,Hiroyuki Takamiya,Takayuki Saiki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

V__ load dump protection circuit

Номер патента: CA1322231C. Автор: William E. Miller. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-09-14.

Common-mode transient suppression protection circuit for digital isolator

Номер патента: US20230188136A1. Автор: Yun Sheng,Qihui Chen. Владелец: Suzhou Novosense Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Protection circuit for common-mode transient immunity of digital isolator

Номер патента: EP4156516A1. Автор: Yun Sheng,Qihui Chen. Владелец: Suzhou Novosense Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Protection circuit and discharge lamp driving device employing the same

Номер патента: US20100019694A1. Автор: Chi-Hsiung Lee,Yu-Hsiao Chao,Hung-Yi Chen. Владелец: Ampower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor encapsulation material and semiconductor device

Номер патента: US12033907B2. Автор: Chika Arayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20220140120A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Packaged Overvoltage Protection Circuit For Triggering Thyristors

Номер патента: US20180145186A1. Автор: Subhas Chandra Bose Jayappa Veeramma. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230197470A1. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120217478A1. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Wafer alignment for stacked wafers and semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230065325A1. Автор: Eiichi Nakano,Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and electronic apparatus of a cascode-coupled system

Номер патента: US09960153B2. Автор: Satoru Akiyama,Hiroyoshi Kobayashi,Hisao Inomata,Sei SAITOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor package, interposer and semiconductor process for manufacturing the same

Номер патента: US09947635B1. Автор: Wen-Long Lu,Chi-Chang Lee,Yuan-Feng CHIANG,Chung-Hsi Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Packaged overvoltage protection circuit for triggering thyristors

Номер патента: US09935206B2. Автор: Subhas Chandra Bose Jayappa Veeramma. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09853023B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semicondcutor structure and semiconductor manufacturing process thereof

Номер патента: US09837366B1. Автор: Chin-Yu Ku,Rung-De Wang,Wei-Lun Hsieh,Chen-Hsun Liu,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai,Jheng-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837317B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09818895B2. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09768294B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09748244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653296B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09647142B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09490179B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US09478603B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09478545B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Storage circuit and semiconductor device

Номер патента: US09438206B2. Автор: Yukio Maehashi,Seiichi Yoneda,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

VDD load dump protection circuit

Номер патента: US4835416A. Автор: William E. Miller. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200335491A1. Автор: Kenji Sasaki,Yasuhisa Yamamoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20060158802A1. Автор: Hiroki Yamashita,Masayoshi Yagyu,Tatsuya Kawashimo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device, display device, and electronic apparatus

Номер патента: US11955473B2. Автор: Yutaka Kobashi. Владелец: 138 East LCD Advancements Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Low leakage protection circuit for rf power amplifier

Номер патента: US20180131334A1. Автор: Ming Ji,Douglas Andrew Teeter,Nick Marcoux. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Overdrive protection circuit with fast recovery

Номер патента: US20230108810A1. Автор: Peng Sun,David Steven Ripley,Yeung Bun Choi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240006475A1. Автор: Seiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3993061A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Electrostatic discharge (ESD) latch-up protective circuit for an integrated circuit

Номер патента: US20010048137A1. Автор: Dirk Uffmann,Christian Peters,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Current-limiting protection circuit of a remotely controlled ceiling fan-lamp

Номер патента: US20100007291A1. Автор: Ming-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Extension handle assembly for motor protective circuit breaker and motor protective circuit breaker

Номер патента: US20240006141A1. Автор: Shaofan Li,Sile Hu. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Simplified electronic protection circuit for LED luminaires for horticultural applications

Номер патента: US20200288553A1. Автор: Robert W. McCullough. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20210296476A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Resin-packaged protection circuit module for rechargeable batteries and method of making the same

Номер патента: US20030228502A1. Автор: Naoya Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

SOI input protection circuit

Номер патента: US5841172A. Автор: Fukashi Morishita,Kazutami Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and semiconductor component including the same preliminary class

Номер патента: US12051767B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Leak Detection and Leak Protection Circuit

Номер патента: US20110273813A1. Автор: Huadao Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7622351B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20220246632A1. Автор: Takeshi Shimane. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20130307017A1. Автор: Wei-Fan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Storage system and semiconductor package with improved power supply efficiency

Номер патента: US20240242742A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230402548A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Heat dissipation structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240321681A1. Автор: Sunggu Kang,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Sungho Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Static electricity protection circuit, electro-optical apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US09977299B2. Автор: Masahito Yoshii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Protective circuit for an apparatus

Номер патента: US09899170B2. Автор: Thomas L. Hopkins. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Bump structures, semiconductor device and semiconductor device package having the same

Номер патента: US09741675B2. Автор: Dao-Long Chen,Chang-Chi Lee,Chien-Fan Chen,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09583630B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09570439B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Protection circuit module integrated cap assembly, and method of manufacturing cap assembly and secondary battery

Номер патента: US09564662B2. Автор: Yu-Sik Hwang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09536998B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09443817B2. Автор: Yoshinori Kondo,Katsuhiko Hotta,Ayaka Okumura,Hiroaki OSAKA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09437682B2. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Protective circuit for output transformer-less circuit

Номер патента: US4402029A. Автор: Osamu Fujita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1983-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20220149035A1. Автор: Isao Hara,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shinji Nomoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor integrated circuit device having electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180025934A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US11837599B2. Автор: Isao Hara,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shinji Nomoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20020186517A1. Автор: Meng-Huang Liu,Shin Su,Tao-Cheng Lu,Chun-Hsiang Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

TEST MODE SET CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190128959A1. Автор: MOON Hong-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Internal Voltage Generation Circuit and Method of Semiconductor Device Using Test Pad

Номер патента: KR100365736B1. Автор: 김영희,오진근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-18.

Internal voltage generation circuit and method for semiconductor device

Номер патента: US20080219077A1. Автор: Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Data input/output circuit and method for semiconductor device

Номер патента: JPH1166892A. Автор: Chinseki Kaku,郭鎭錫. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

Human eye protection circuit, control method therefor, electronic device, medium, and vehicle

Номер патента: EP4403955A1. Автор: Xianglong GAO,Ziyang LAI. Владелец: NIO Technology Anhui Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Protection circuit, method and apparatus for data path, and computer-readable storage medium

Номер патента: EP4120084A1. Автор: Yi Zhou,Jing Li,Wenxing Li,Luyang Zhang. Владелец: Horizon Journey Hangzhou Artificial Intelligence Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Source drive integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US09734786B2. Автор: Tae-Gon Kim,Jung-Hoon Kim,Kyong-Tae Park,Dong-Yoon So,Seong-Yeun Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of measuring characteristics of a protection circuit for a linear voltage regulator

Номер патента: US9207694B2. Автор: Takashi Imura,Akihito YAHAGI. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Media access control circuit and packet management method

Номер патента: US20240193310A1. Автор: Yan-Xiong WU,Qin-Wei SHE,Shi-Xiang Zheng. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Protection circuit and electronic device using the same

Номер патента: US20110261488A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Protection circuit, method and apparatus for data path, and computer readable storage medium

Номер патента: US12119072B2. Автор: Yi Zhou,Jing Li,Wenxing Li,Luyang Zhang. Владелец: Horizon Journey Hangzhou Artificial Intelligence Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Input protection circuit for pacemaker activity sensor processing circuitry

Номер патента: US5556420A. Автор: Said Mortazavi,Alan Vogel. Владелец: Pacesetter Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Air conditioner controller, air conditioner control circuit and air conditioner control method

Номер патента: US09766003B2. Автор: Shangen Li,Wenming Run,Shanzeng Cheng. Владелец: Hangzhou Leaderway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Data I/O circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09823956B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

System-on-chip including resource isolation framework and countermeasure circuit, and corresponding method

Номер патента: US20240320359A1. Автор: Loic Pallardy. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-26.

Overlapping data integrity for semiconductor devices

Номер патента: US09329926B1. Автор: Larrie Simon Carr,David Joseph Clinton,Manthiramoorthy Ponmanikandan. Владелец: Microsemi Storage Solutions US Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor devices having initialization circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09524762B1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Circuit and method for detection of IC connection failure

Номер патента: US09435842B2. Автор: Cicero Silveira Vaucher,Antonius De Graauw,Mingda Huang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Elevator emergency protection circuit

Номер патента: RU2598485C2. Автор: Хуан Карлос АБАД. Владелец: Инвентио Аг. Дата публикации: 2016-09-27.

Overcurrent protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240160237A1. Автор: Makoto Yasusaka,Takeshi Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate protection circuit and display device including the same

Номер патента: US09984641B2. Автор: Kyun Ho KIM,Ji Eun Jang,Sung In KANG,Min Ho Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Protection circuit for machine tool control center

Номер патента: US09726324B2. Автор: Long Zhao,Yi-Hung Peng. Владелец: Hongfujin Precision Industry Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Data bus driving circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170315952A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Multifunctional bed, a multi-drive switch protection circuit and its control device

Номер патента: US12042450B2. Автор: Shuyi Zhu,Zhenqiu LU,Chunlu CHEN. Владелец: Shanghai Winsunny Electronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Current generation circuits and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09836074B2. Автор: Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09536592B2. Автор: Atsuo Isobe,Takuro Ohmaru,Wataru Uesugi,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and semiconductor device examination method

Номер патента: US11740287B2. Автор: Koichi Kimura,Takeshi Yamaguchi,Kazuhito Hosaka,Nariyuki Fukuda,Isao Ooigawa,Tsutomu MIYAMAE,Suguru Tahara,Keitarou MISHIMA,Yuichiro SANUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US7848143B2. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09997257B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20100122147A1. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Short-circuit protective circuit

Номер патента: US20050141152A1. Автор: Katsuhiko Tani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Voltage regulator equipped with an overcurrent protection circuit capable of adjusting a limited current and a short-circuited current

Номер патента: US09886045B2. Автор: Daiki Endo. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20210373784A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Protected circuit system and method of operation

Номер патента: CA3180575A1. Автор: Michael GLINKA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09672884B1. Автор: Min Sik HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Internal power supply circuit, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09620177B2. Автор: Koichiro Hayashi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9360957B2. Автор: Kazuhiro Okamura,Shigeru Ota. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20140210751A1. Автор: Kazuhiro Okamura,Shigeru Ota. Владелец: Renesas SP Drivers Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Protected circuit system and method of operation

Номер патента: US20230214536A1. Автор: Michael GLINKA. Владелец: Thales Nederland BV. Дата публикации: 2023-07-06.

Protected circuit system and method of operation

Номер патента: EP4158522A1. Автор: Michael GLINKA. Владелец: Thales Nederland BV. Дата публикации: 2023-04-05.

Protected circuit system and method of operation

Номер патента: WO2021239940A1. Автор: Michael GLINKA. Владелец: Thales Nederland B.V.. Дата публикации: 2021-12-02.

System and method to predict whether a protection circuit is likely to prevent a latent failure within a monitored circuit

Номер патента: US09904750B2. Автор: Kay Chesnut,Anthony C. Le,MaryAnne Dooley. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of analyzing electrostatic discharge network using common resistance removal, system performing the same and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240193339A1. Автор: Chanhee Jeon,Woojin SEO,Jordan Timothy Davis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Latch-control protection circuit

Номер патента: US20110187442A1. Автор: Ming Chiang Ting. Владелец: Analog Vision Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Protected circuit system and method of operation

Номер патента: US20230214539A1. Автор: Michael GLINKA. Владелец: Thales Nederland BV. Дата публикации: 2023-07-06.

Protected circuit system and method of operation

Номер патента: EP4158523A1. Автор: Michael GLINKA. Владелец: Thales Nederland BV. Дата публикации: 2023-04-05.

Protected circuit system and method of operation

Номер патента: CA3180570A1. Автор: Michael GLINKA. Владелец: Thales Nederland BV. Дата публикации: 2021-12-02.

Protected circuit system and method of operation

Номер патента: WO2021239946A1. Автор: Michael GLINKA. Владелец: Thales Nederland B.V.. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Information processing apparatus, method of controlling information processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20110078431A1. Автор: Akira Okamoto,Takayuki Kinoshita,Makoto Hataida,Seiji Satta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Regulator voltage detection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240319753A1. Автор: Takayoshi Fujino. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Refresh time detection circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09824745B1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Test mode circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09817065B2. Автор: Bo Kyeom Kim,Tae Seung SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09741407B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09542983B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Channel control circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US09470757B2. Автор: Ki Tae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and semiconductor system for performing an initialization operation

Номер патента: US09412434B1. Автор: Haeng Seon CHAE,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Voltage divider circuit and semiconductor device

Номер патента: US20110227635A1. Автор: Kenji Yoshida,Kazuaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-22.

Error correction circuit using multi-clock and semiconductor device including the same

Номер патента: US12100465B2. Автор: Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and semiconductor system for detecting an error occurred in a parity

Номер патента: US12148492B2. Автор: Yeong Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Sensors with integrated protection circuit

Номер патента: RU2766538C2. Автор: Лиза КВОК,Кеван САМИИ,Сююй ЦАЙ,Боян БОЯНОВ,Трейси Хелен ФУН,Лянлян ЦЯН,Хай ТРАН. Владелец: Иллюмина, Инк.. Дата публикации: 2022-03-15.

Protection circuit for display device and display device comprising same, and method for protecting display device using protection circuit

Номер патента: US11900856B2. Автор: Zhihua Sun,Kun Yang,Feng Qu,Ming DENG,Ruilian Li,Jituo TANG,Tianxun XIU,Zhun LIN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09805824B2. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor systems and semiconductor devices

Номер патента: US09640232B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09589669B1. Автор: Sang Hee Kim,Ji Eun Jang,Young Hyun Baek,Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09583174B1. Автор: Young Ran Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09460812B1. Автор: Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792969B1. Автор: Kwang-Soon Kim,Seung-Wook Oh,Hyun-seung KIM,Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09478260B2. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Data processor with a multi-level protection mechanism, multi-level protection circuit, and method therefor

Номер патента: US5649159A. Автор: James B. Eifert,Chinh H. Le. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Clock distribution network, and semiconductor device and semiconductor system including the clock distribution network

Номер патента: US20240192722A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Protection circuit for central processing unit

Номер патента: US8630075B2. Автор: Yong-Jun Song,Xing-Long Teng,Yong-Zhao Huang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09959164B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Truck-mounted concrete pump and protective circuit therefor

Номер патента: US09856661B2. Автор: Karl Westermann,Knut Kasten. Владелец: PUTZMEISTER ENGINEERING GMBH. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Transthoracic protection circuit for implantable medical devices

Номер патента: US9539435B2. Автор: Forrest C. M. Pape,Marshall J Rasmussen,Randolph E Crutchfield,Mark R Boone,Lonny V Cabelka,Kevin P Kuehn. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Insulating-film layer and sealant arrangement for protective circuit devices in a liquid crystal display device

Номер патента: US6122030A. Автор: Takayuki Shimada,Naofumi Kondo,Hisashi Nagata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Input protective circuit and manufacture thereof, semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPH1065109A. Автор: 宏知 三浦,Hirotomo Miura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-03-06.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PROTECTION CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002335A1. Автор: TANG XING-HUA. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEATING BLANKET WITH CONTROL CIRCUIT AND SAFETY WIRE

Номер патента: US20120004788A1. Автор: Keane Barry P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.