Method of etching
Номер патента: US6812151B1
Опубликовано: 02-11-2004
Автор(ы): Kenichi Nanbu, Tamotsu Morimoto
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-11-2004
Автор(ы): Kenichi Nanbu, Tamotsu Morimoto
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods and apparatus for the optimization of etch resistance in a plasma processing system
Номер патента: WO2006011996A2. Автор: George Stojakovic,Yoko Yamaguchi Adams,Alan Miller. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-02.