화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물
Номер патента: KR20100125768A
Опубликовано: 01-12-2010
Автор(ы): 김성훈, 박순진, 유경욱, 최경미
Принадлежит: 동우 화인켐 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-12-2010
Автор(ы): 김성훈, 박순진, 유경욱, 최경미
Принадлежит: 동우 화인켐 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Onium salt, chemically amplified positive resist composition, and resist pattern forming process
Номер патента: US20240337927A1. Автор: Masahiro Fukushima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.