MEMORY SYSTEM, AND A METHOD OF CONTROLLING AN OPERATION THEREOF
Номер патента: US20130159617A1
Опубликовано: 20-06-2013
Автор(ы): Choi Joo Sun, Hwang Hong Sun, Yu Hak Soo
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-06-2013
Автор(ы): Choi Joo Sun, Hwang Hong Sun, Yu Hak Soo
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
RESISTIVE MEMORY DEVICE AND RESISTIVE MEMORY SYSTEM INCLUDING A PLURALITY OF LAYERS, AND METHOD OF OPERATING THE SYSTEM
Номер патента: US20190051353A1. Автор: Kong Jun-Jin,Son Hong-rak,OH EUN-CHU,YOON PIL-SANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-02-14.