• Главная
  • Method of preparing silicon carbide and filters made therefrom

Method of preparing silicon carbide and filters made therefrom

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of preparing silicon carbide and filters made therefrom

Номер патента: US20200002177A1. Автор: Kun Yang,John T. Fox. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of preparing iron oxide containing catalysts

Номер патента: RU2320409C2. Автор: Кельд ЙОХАНСЕН,Петру ГОРДЕС. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2008-03-27.

Novel sorbent, method of preparation and use thereof

Номер патента: RU2551495C2. Автор: Ристо КОЙВУЛА,Ристо ХАРЙЮЛА,Ханнеле МАННИ. Владелец: Фортум Оий. Дата публикации: 2015-05-27.

Article containing silicon carbide as main component, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240158305A1. Автор: Motoki Okinaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Water repurification method of city water and its equipment

Номер патента: CA1321955C. Автор: Kyong Shing Shin. Владелец: Kyong Shing Shin. Дата публикации: 1993-09-07.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: US20230183075A1. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A9. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A3. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A2. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of making filter element and filter element

Номер патента: RU2728273C1. Автор: Валерий Иванович Чернышов. Владелец: Валерий Иванович Чернышов. Дата публикации: 2020-07-28.

High-rate filter with porous filtering medium and method of its blowback

Номер патента: RU2499629C1. Автор: Дзин Нак ЧОИ. Владелец: Мирэклуотер Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-11-27.

Method of attaching an end cap to porous filter media, and filter element which is a product thereof

Номер патента: WO2001087456A3. Автор: Timothy L Memmer. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

Method of preparing diacid/diamine salt solutions

Номер патента: RU2434842C2. Автор: Жан-Франсуа ТЬЕРРИ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2011-11-27.

Method of oxidising mercaptans contained in hydrocarbons

Номер патента: RU2406750C2. Автор: Паоло Поллезель,АНДЖЕЛИС Альберто ДЕ. Владелец: Эни С.П.А.. Дата публикации: 2010-12-20.

Preparation method of photocuring ceramic slurry and silicon carbide ceramic

Номер патента: CN112723890A. Автор: 刘雨,曹继伟,刘长勇,劳长石,陈张伟,朱俊逸. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-04-30.

Method of making compositon-filled silicon rubber

Номер патента: RU2374273C2. Автор: Руди УЛЬЦХАЙМЕР. Владелец: Дау Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2009-11-27.

Silicon carbide structure and method of producing the same

Номер патента: US20130292704A1. Автор: Norihide Imagawa. Владелец: Tis and Partners Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of producing a high density silicon carbide product

Номер патента: CA1124996A. Автор: Richard H. Smoak. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1982-06-08.

Method of producing a high density silicon carbide product

Номер патента: US4237085A. Автор: Richard H. Smoak. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1980-12-02.

Methods of forming electronic devices comprising silicon carbide materials

Номер патента: US12027363B2. Автор: Santanu Sarkar,Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Sealing method for silicon carbide parts used at high temperatures

Номер патента: US09702490B2. Автор: Nicolas Leblond,Mehrdad Mahmoudi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of synthesis of a superconducting material

Номер патента: US20100081573A1. Автор: Sihai Zhou,Shi Xue Dou,Hau Kun Liu,Alexey Vladimirovich Pan,Mihail Horia Ionescu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Manufacturing method of filter for reducing pesticide residue of root vegetables and filter thereof

Номер патента: KR101688395B1. Автор: 권미정,김인숙,신병곤,김장억. Владелец: 대한민국. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of manufacturing cubic crystals of silicon carbide

Номер патента: CA918043A. Автор: F. Knippenberg Wilhelmus,Verspui Gerrit. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1973-01-02.

Method of manufacturing a tubular filter with a pleated wall and filter thus obtained

Номер патента: FR1209259A. Автор: Rene Jaume. Владелец: . Дата публикации: 1960-03-01.

Method of forming a layer of silicon carbide on a silicon wafer

Номер патента: US20070101928A1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of forming microcrystalline silicon-containing silicon carbide film

Номер патента: US5021103A. Автор: Yoshihiro Hamakawa,Hiroaki Okamoto,Yutaka Hattori. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Oxidized catalytic granular bed filter device and preparation method of catalytic oxidation particles thereof

Номер патента: LU503452B1. Автор: Chunyan Diao. Владелец: Univ Guizhou Minzu. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09844893B2. Автор: Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Silicon carbide powder and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534316B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Bum Sup Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of producing composite material with metal matrix

Номер патента: RU2536847C2. Автор: Изабелль БУРЕШ,Вернер КРЕММЕР. Владелец: Виланд-Верке Аг. Дата публикации: 2014-12-27.

Method of extracting taiwan hypericum extract, taiwan hypericum extract, and use of the taiwan hypericum extract

Номер патента: US20190070522A1. Автор: Ho Shin Huang. Владелец: Tridl Technologies Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Detergent sheet and method of its production

Номер патента: RU2726639C2. Автор: Си Чан Ю. Владелец: Си Чан Ю. Дата публикации: 2020-07-15.

A kind of preparation method of highly dense high-purity silicon carbide product

Номер патента: CN110451973A. Автор: 张海,刘骏,刘振华. Владелец: Hunan Prince New Mstar Technology Ltd. Дата публикации: 2019-11-15.

A kind of preparation method of high tenacity, high resistivity silicon carbide ceramics

Номер патента: CN108203300A. Автор: 杨新领. Владелец: Shaanxi Ke Valley New Mstar Technology Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Method of preparing polysilane for silicon carbide ceramic material

Номер патента: KR840001598B1. Автор: 하우워드 바니 로날드. Владелец: 해리 디. 딩맨. Дата публикации: 1984-10-11.

A method of preparing high-purity silicon carbide powder

Номер патента: CN109502589A. Автор: 靳婉琪,热尼亚. Владелец: SICC Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-22.

Method of preparing a powder material, the powder material and a ceramic material made therefrom

Номер патента: SE519991C2. Автор: Leif Hermansson,Haakan Engqvist. Владелец: DOXA AB. Дата публикации: 2003-05-06.

Silicon carbide powder, method of fabrication the same and silicon carbide single crystal

Номер патента: KR102496031B1. Автор: 민경석,손해록. Владелец: (주)에스테크. Дата публикации: 2023-02-06.

MANUFACTURING METHOD OF SEMI-INSULATING SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE POWDER

Номер патента: US20210395919A1. Автор: Ma Dai-liang,Yu Bang-Ying,Lin Bo-Cheng. Владелец: TAISIC MATERIALS CORP.. Дата публикации: 2021-12-23.

The preparation method of carbon-fiber reinforced carbon silicon carbide double matrix composite

Номер патента: CN106966741A. Автор: 张坤,罗瑞盈. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-21.

Method of making shaped silicon infiltrated silicon carbide bodies

Номер патента: EP0470620A2. Автор: Jürgen Schmidt,Werner Benker. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 1992-02-12.

Preparation method of carbon fiber reinforced carbon-silicon carbide double-matrix composite material

Номер патента: CN106966741B. Автор: 张坤,罗瑞盈. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of making shaped silicon infiltrated silicon carbide bodies

Номер патента: EP0470620A3. Автор: Juergen Schmidt,Werner Benker. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 1992-08-05.

Method of manufacturing a dense polycrystalline silicon carbide article

Номер патента: DE3367763D1. Автор: Christoph Dr Hahn,Axel Dr Muller-Zell. Владелец: Hutschenreuther AG. Дата публикации: 1987-01-08.

Method of preparing an adsorption material for a vaporizer

Номер патента: US20220023826A1. Автор: Ben Wen,Adela Alas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-27.

Catalyst material and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2413406A3. Автор: Shuichi Suzuki,Makoto Morishima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-05-13.

Silicon oxide and method of preparing the same

Номер патента: US20140248538A1. Автор: Yong Ju Lee,Je Young Kim,Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Silicon oxide and method of preparing the same

Номер патента: US09601768B2. Автор: Yong Ju Lee,Je Young Kim,Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of preparing silicon from sand

Номер патента: US09938153B2. Автор: Sagar Mitra,Mohammad Furquan,Savithri Vijayalakshmi. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for production of silicon carbide

Номер патента: RU2747988C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2021-05-18.

Methods for Preparing Silicon Carbide Powder and Single Crystal Silicon Carbide

Номер патента: US20220371901A1. Автор: Yong Jin Kwon,Il Gon Kim,In Seok Yang. Владелец: HANA MATERIALS Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of producing silicon carbide sintered body for heater

Номер патента: US20070117722A1. Автор: Toshikazu Shinogaya,Fumio Odaka,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of producing silicon carbide

Номер патента: RU2689586C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2019-05-28.

Method of preparing polycarbosilanes

Номер патента: CA1160393A. Автор: Takashi Kawahito,Tadashi Iwai,Masahiro Tokuse. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 1984-01-10.

Silicon carbide monofilaments for improved composite properties and method

Номер патента: CA2001984A1. Автор: Raymond Loszewski. Владелец: Avco Corp. Дата публикации: 1990-05-28.

Method of preparing silicon carbide

Номер патента: US4327066A. Автор: Motoo Seimiya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-04-27.

Silicon and silica nanostructures and method of making silicon and silica nanostructures

Номер патента: US11807571B2. Автор: Prantik Mazumder,Valerio Pruneri,Albert Carrilero. Владелец: ICFO. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of producing a carbon-ceramic shaped body with an open porosity of from 15 to 60%

Номер патента: US12054430B2. Автор: Frank Hermanutz,Tanja Schneck. Владелец: Technikum Laubholz GmbH TLH. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for preparing size-controlled silicon carbide nancrystals

Номер патента: US7906672B2. Автор: Jonathan Gordon Conn Veinot,Eric James Henderson. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2011-03-15.

Method for preparing size-controlled silicon carbide nanocrystals

Номер патента: CA2646850C. Автор: Jonathan Veinot,Eric James Henderson. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for preparing size-controlled silicon carbide nanocrystals

Номер патента: CA2646850A1. Автор: Jonathan Veinot,Eric James Henderson. Владелец: Eric James Henderson. Дата публикации: 2010-06-16.

Diamond-containing adhesive for joining reaction-bonded silicon-carbide parts

Номер патента: EP4365153A1. Автор: Glenn Evans,Sam Salamone,Sean Mcanany. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Infiltrated silicon carbide bodies and methods of making

Номер патента: WO2012071353A4. Автор: Edmund A. Cortellini,Christopher Reilly,Robin M. Harrington. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2012-09-13.

Electronic devices comprising silicon carbide materials

Номер патента: US20240332002A1. Автор: Santanu Sarkar,Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating silicon carbide material

Номер патента: US20220024773A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Silicon carbide wafer and method of manufacturing same

Номер патента: US12037704B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

A kind of preparation method of high-purity semi-insulating silicon carbide substrate

Номер патента: CN106757357B. Автор: 宗艳民,高超,李加林,李长进. Владелец: SICC Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of growing 4H silicon carbide crystal

Номер патента: US5873937A. Автор: Godfrey Augustine,Richard H. Hopkins,H. McDonald Hobgood. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

METHOD OF MAKING COMPOSITE ARTICLES FROM SILICON CARBIDE

Номер патента: US20200040449A1. Автор: Fischer,III Walter,III William F,Wrigglesworth,Montgomery Lauren. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Method of forming coatings containing amorphous silicon carbide

Номер патента: KR950007667B1. Автор: 죠지 샤프 케네스,타헤이 레오. Владелец: 노만 에드워드 루이스. Дата публикации: 1995-07-14.

Method of producing boron-doped monocrystalline silicon carbide

Номер патента: US5964943A. Автор: Roland Rupp,Rene Stein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-12.

Method of etching platinum using a silicon carbide mask

Номер патента: US20030036264A1. Автор: Chentsau Ying,Jeng Hwang,Luc Autryve. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Method of forming trenches in monocrystalline silicon carbide

Номер патента: US5436174A. Автор: Bantval J. Baliga,Dev Alok. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1995-07-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09631296B2. Автор: Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Naoki Ooi,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Apparatus for producing bulk silicon carbide

Номер патента: US20210087706A1. Автор: Santhanaraghavan Parthasarathy,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

A method of fabricating translucent nano-ceramics

Номер патента: WO2017146622A1. Автор: WEI Xia,Xixiao CAI. Владелец: Cai Xixiao. Дата публикации: 2017-08-31.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US09512542B2. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US20180266012A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements

Номер патента: US20020104984A1. Автор: Gady Golan. Владелец: Silbid Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Thermal Interface Material Compound and Method of Fabricating the same

Номер патента: US20080061267A1. Автор: Ming-Chang Liu,Kuo-Len Lin,Wen-Jung Liu,Tien-Chih Tseng. Владелец: CpuMate Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Method of Etching a device using a hard mask and etch stop layer

Номер патента: US20090166330A1. Автор: Gary Yama. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2009-07-02.

Methods of fermentation of carbohydrate-rich agricultural crops

Номер патента: RU2642296C1. Автор: Эдвард Брайан ХЭМРИК. Владелец: Эдвард Брайан ХЭМРИК. Дата публикации: 2018-01-24.

Singulation of silicon carbide semiconductor wafers

Номер патента: US20240234155A1. Автор: Aira Lourdes VILLAMOR. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide mems structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2006020674A1. Автор: Chien-Hung Wu,Jeffrey M. Melzak. Владелец: Flx Micro, Inc.. Дата публикации: 2006-02-23.

Apparatus and method of narrow band x-ray filtering

Номер патента: US7903784B2. Автор: Jong Ha Lee,Sung Su Kim,Young Hun Sung,Dong Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-08.

Safe case for protective masks and filters and method of its use

Номер патента: WO2023080850A2. Автор: Tea PIRNAT. Владелец: Tpredrzno D.O.O.. Дата публикации: 2023-05-11.

Input low-pass passive filter and filtering method

Номер патента: EP4461586A2. Автор: Marcin Jarnut,Jacek Rusinski. Владелец: Ekoenergetyka Polska Spolka Akcyjna. Дата публикации: 2024-11-13.

Methods of conjugation

Номер патента: RU2595424C2. Автор: Бренда А. КЕЛЛОГ,Раджиева Сингх,Рави В. Дж. Чари. Владелец: Иммьюноджен, Инк.. Дата публикации: 2016-08-27.

System and method of bleed air feed into aircraft

Номер патента: RU2406653C2. Автор: Норберт РОСТЕК,Юрген РЭБОК. Владелец: Эирбус Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2010-12-20.

Method of preparing beer wort

Номер патента: RU2600885C2. Автор: Анна Метте Бхатиа ФРЕДЕРИКСЕН,Сиро ФУКУЯМА,Кейити АЯБЕ. Владелец: Новозимс А/С. Дата публикации: 2016-10-27.

Polymorphs of xanthosine and methods of making and using them

Номер патента: WO1988008847A3. Автор: Paul Gordon. Владелец: Paul Gordon. Дата публикации: 1989-11-02.

Polymorphs of xanthosine and methods of making and using them

Номер патента: WO1988008847A2. Автор: Paul Gordon. Владелец: Paul Gordon. Дата публикации: 1988-11-17.

Method of Preparing Botulinum Neurotoxin Type E Light Chain

Номер патента: US20090182123A1. Автор: Eric A. Johnson,Michael Baldwin,Marite Bradshaw,Joseph T. Barbieri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

A method of treating a silicon carbide bearing

Номер патента: WO2023175535A1. Автор: Dayle Robert FLYNN,Beverly Ann PLUMB. Владелец: Sibanye Stillwater Limited. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09845549B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of preparing azoiminoethers and azocarboxylic acid esters, and novel mixed azocarboxylic acid esters

Номер патента: RU2245872C2. Автор: Поль Бурдодюк. Владелец: Атофина. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of production of an ocular prosthesis

Номер патента: RU2683109C2. Автор: Сергей Борисович Деркачев. Владелец: Сергей Борисович Деркачев. Дата публикации: 2019-03-26.

Preparations and methods of coagulability disorder treatment

Номер патента: RU2335501C2. Автор: Паскаль ДРУЗГАЛА,Сируз БЕККЕР. Владелец: Арикс Терапьютикс. Дата публикации: 2008-10-10.

Silicon carbide semiconductor power transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230326972A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Food additive to enhance animal performance and method of using the same

Номер патента: US20210267235A1. Автор: Thomas Shau Shieh. Владелец: Vitech Bio Chem Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of using water-borne epoxies and urethanes in print bonding fluid and products made therefrom

Номер патента: MY130860A. Автор: Joseph F Merker,Charles J Garneski. Владелец: Kimberly Clark Co. Дата публикации: 2007-07-31.

Method of using water-borne expoxies and urethanes in print bonding fluid and products made therefrom

Номер патента: EG22014A. Автор: . Владелец: Kimberly Clark Co. Дата публикации: 2002-05-31.

A kind of preparation method of the low drift angle silicon carbide epitaxial wafer of p-type

Номер патента: CN105006423B. Автор: 杨霏,钮应喜. Владелец: Smart Grid Research Institute of SGCC. Дата публикации: 2018-12-18.

MANUFACTURE METHOD OF GATE INSULATING FILM FOR SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170243732A1. Автор: Fujii Takeshi,SATO Mariko,Inamoto Takuro. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Method of fabricating oxide layer on silicon carbide layer utilizing anneal hydrogen environment

Номер патента: CN100517607C. Автор: M·K·达斯,L·A·利普金. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2009-07-22.

Methods of fabricating oxide layers on silicon carbide layers utilizing atomic oxygen

Номер патента: EP2259290A3. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-01-05.

Method of annealing semiconductor device having silicon carbide substrate and semiconductor device

Номер патента: JPWO2008136126A1. Автор: 真果 柴垣,明宏 江上. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP2546865B1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Method of using water-borne epoxies and urethanes in print bonding fluid and products made therefrom

Номер патента: TWI222963B. Автор: Joseph F Merker,Charles J Garneski. Владелец: Kimberly Clark Co. Дата публикации: 2004-11-01.

Method of manufacturing a high frequency filter as well as high frequency filters made according to the method

Номер патента: FI87854C. Автор: Aimo Turunen. Владелец: LK Products Oy. Дата публикации: 1993-02-25.

Method of preparing a silicon carbide wafer

Номер патента: EP4214741A2. Автор: Michael Cooke,Andrew Newton,Samantha MAZZAMUTO,Matthew LOVEDAY. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide:metal carbide alloy semiconductor and method of making the same

Номер патента: WO1989006438A1. Автор: James D. Parsons,Oscar Stafsudd. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1989-07-13.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth

Номер патента: US4946547A. Автор: John A. Edmond,Hua-Shuang Kong,John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1990-08-07.

Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth

Номер патента: WO1991006116A1. Автор: John A. Edmond,Hua-Shuang Kong,John W. Palmour. Владелец: Cree Research, Inc.. Дата публикации: 1991-05-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of plasma etching

Номер патента: US20020011464A1. Автор: Makoto Nawata,Tomoyuki Tamura,Mamoru Yakushiji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP3025372A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP4009380A2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide switching devices including P-type channels

Номер патента: US09552997B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of treating tumor and inflammatory diseases using photodynamic therapy

Номер патента: RU2700407C1. Автор: Михаил Тимофеевич Александров,Александр Сергеевич Иванов,Александр Юрьевич Семенов,Валерий Григорьевич Германов,Владимир Михайлович Зуев,Валентина Николаевна Олесова,Дмитрий Викторович Мартынов,Александр Федорович Степанов,Александр Сергеевич Румянцев,Егор Евгеньевич Олесов,Елена Вячеславовна Буданова,Алиаскер Натиг Оглы Ахмедов,Елена Валерьевна Глазкова,Инна Сергеевна Лашко,Анастасия Николаевна Калинина,Александр Яковлевич Лернер,Роман Семенович Заславский,Константин Владимирович Шматов,Погос Иванович Катунян,Андрей Руальдович Дрогин,Геворк Генрикович Тарасов,Диана Владиславовна Прикуле,Елизавета Игоревна Чечикова,Оксана Анатольенва Свитич,Елена Федоровна Дмитриева,Оксана Александровна Артемова. Владелец: Валентина Николаевна Олесова. Дата публикации: 2019-09-16.

Method of water supply of settlement point

Номер патента: RU2631893C2. Автор: Юрий Алексеевич Ищенко. Владелец: Юрий Алексеевич Ищенко. Дата публикации: 2017-09-28.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9040402B2. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Method of detecting short electric shutdowns and method of engine control

Номер патента: RU2453718C2. Автор: Кристоф МУНТУ. Владелец: Рено С.А.С. Дата публикации: 2012-06-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US11682553B2. Автор: Hasan Naser. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893177B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160163853A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250082A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234536A9. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332363A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Epitaxial structure and fabrication method of epitaxial structure

Номер патента: US20240304442A1. Автор: Po-Jung Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Carbon based contact structure for silicon carbide device technical field

Номер патента: US09917170B2. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799515B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09680006B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of using edge shift

Номер патента: RU2686007C2. Автор: Мин ДЗАНГ. Владелец: Инфобридж Пте. Лтд.. Дата публикации: 2019-04-23.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240237195A1. Автор: Chung-Jyh Lin,Ker-Yih Kao,Chin-Ming Huang,Chien-Lin Lai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138708A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Preparation method of blood-activating stasis-removing pills

Номер патента: NL2032301B1. Автор: Wang Fang,Zhu Fengtang. Владелец: Zhu Fengtang. Дата публикации: 2022-12-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20150311076A1. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of non-surgical correction of face shape

Номер патента: RU2721460C1. Автор: Ольга Николаевна Мороз. Владелец: Ольга Николаевна Мороз. Дата публикации: 2020-05-19.

Metal terminal edge for semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20210091177A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Da Teng. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258424A1. Автор: Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090170264A1. Автор: Masahiro Niizato. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of forming bonding structure

Номер патента: NZ626984B2. Автор: Norio Matsubara,Fujio Yamazaki,Ryo Shimizu. Владелец: Fuji Bolt Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of forming graphene contacts on source/drain regions of FinFET devices

Номер патента: US09972537B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793357B2. Автор: Hiroshi Kono,Yoichi Hori,Atsuko Yamashita,Tomohiro Nitta,Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640610B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Reducing method of metals from oxides

Номер патента: RU2476035C1. Автор: Андрей Валерьевич Шеленин. Владелец: Андрей Валерьевич Шеленин. Дата публикации: 2013-02-20.

A kind of preparation method of high density of defects silicon carbide nanometer line

Номер патента: CN103332692B. Автор: 朱嘉琦,杨振怀,韩杰才,于海玲. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2015-12-02.

A kind of preparation method of B, N codope nanometer silicon carbide absorbing material

Номер патента: CN105293499B. Автор: 孙鹏,张茂林,李智敏,郝跃,黄云霞,闫养希. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2017-10-24.

Zinc sulphide phosphor and method of of preparation

Номер патента: CA546618A. Автор: C. Froelich Herman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1957-09-24.

Silicon carbide powder, method of fabrication the same and silicon carbide single crystal

Номер патента: KR102272431B1. Автор: 민경석,김상일,손해록. Владелец: (주)에스테크. Дата публикации: 2021-07-02.

Silicon carbide powder method of fabrication the same and silicon carbide single crystal

Номер патента: KR102272431B9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2021-10-27.

Method of forming composite coating layer of titanium carbide and iron boride by solid treatment method

Номер патента: JPS5270943A. Автор: Takeshi Kawauchi. Владелец: Toyo Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-13.

Method of manufacturing combined body of silicon carbide and aluminum silicide

Номер патента: JP2005179076A. Автор: Mutsuo Hayashi,睦夫 林. Владелец: Mitsui and Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Method of firing graphite base or silicon carbide base refractory

Номер патента: JPS5447713A. Автор: Hiroki Yanagi. Владелец: Harima Refractories Co Ltd. Дата публикации: 1979-04-14.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2464250C1. Автор: . Владелец: Бушуев Вячеслав Максимович. Дата публикации: 2012-10-20.

Prepared food articles and methods of of preparing same

Номер патента: CA471990A. Автор: L. Spencer Percy. Владелец: Raytheon Manufacturing Co. Дата публикации: 1951-03-06.

Manufacturing method of fine free carbon dispersion type cemented carbide and coated cemented carbide

Номер патента: JP6213935B1. Автор: 良彦 土井. Владелец: UGEL CORPORATION. Дата публикации: 2017-10-18.

Proppants With Carbide And/Or Nitride Phases

Номер патента: US20120003136A1. Автор: Skala Robert D.,Coker Christopher E.,Loscutova John R.. Владелец: Oxane Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL PARTICULATE FILTER AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000171A1. Автор: Zheng Jing,Maxey Kirk. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL ENGINE AND METHOD OF CONTROLLING THE DIESEL ENGINE

Номер патента: US20120004826A1. Автор: . Владелец: MAZDA MOTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of bitter liqueur production

Номер патента: RU2151179C1. Автор: . Владелец: Закрытое акционерное общество "Фора Трейдинг". Дата публикации: 2000-06-20.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Pharmaceutical preparation and a method of its preparing

Номер патента: RU2089205C1. Автор: Иван Семенович Парфенов. Владелец: Иван Семенович Парфенов. Дата публикации: 1997-09-10.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PYRIMIDINE CLASSICAL CANNABINOID COMPOUNDS AND RELATED METHODS OF USE

Номер патента: US20120004250A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PREPARATION METHOD OF PIMARIC ACID TYPE RESIN ACID

Номер патента: US20120004390A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fish oil preparing

Номер патента: RU2202253C2. Автор: А.М. Солдаев,Курсат Абкелямов. Владелец: Солдаев Александр Михайлович. Дата публикации: 2003-04-20.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Stabilizing a Scorpion for Storage and Distribution in a Novelty Drink Form

Номер патента: US20120003370A1. Автор: Turner Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Inline vapor cooling and filtering apparatus

Номер патента: US20120000478A1. Автор: Wagenhals John Jason. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-COBRA TOXIN ANTIBODY FRAGMENTS AND METHOD OF PRODUCING A VHH LIBRARY

Номер патента: US20120003245A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR SITE-SPECIFIC DELIVERY OF IMATINIB AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003319A9. Автор: Liversidge Gary,Jenkins Scott. Владелец: ELAN PHARMA INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Silicon carbide based powder material

Номер патента: RU2117066C1. Автор: Николай Филиппович Гадзыра. Владелец: Николай Филиппович Гадзыра. Дата публикации: 1998-08-10.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-Layer Compressible Foam Sheet and Method of Making the Same

Номер патента: US20120000384A1. Автор: Vest Ryan W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MELT SPINNING BLENDS OF UHMWPE AND HDPE AND FIBERS MADE THEREFROM

Номер патента: US20120004358A1. Автор: Aminuddin Norman,TAM THOMAS YIU-TAI,Young John A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of preparing cement slurry (versions)

Номер патента: RU2396301C1. Автор: Александр Яковлевич Хавкин. Владелец: Александр Яковлевич Хавкин. Дата публикации: 2010-08-10.

Method of diabetic waffles production (versions)

Номер патента: RU2425550C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2011-08-10.

Method of preparing probiotic ferment for animals

Номер патента: RU2364406C1. Автор: . Владелец: Трофименков Василий Николаевич. Дата публикации: 2009-08-20.

Immunity-boosting pressed candy and the method of preparation

Номер патента: NZ770687A. Автор: Anhui,Xuluodan. Владелец: Unipharm Healthy Manufacturing Co Limited. Дата публикации: 2020-12-18.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing white okroshka kvass

Номер патента: RU2596417C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of biologically active tissue preparation preparing

Номер патента: RU2148408C1. Автор: Р.М. Полковников. Владелец: Полковников Роман Михайлович. Дата публикации: 2000-05-10.

SUPPORT PLATFORM AND METHOD OF CONSTRUCTION THEREOF

Номер патента: US20120000020A1. Автор: Newton John Reginald. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Production method of flavoured coffee drink "krasnodarskiy"

Номер патента: RU2387235C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-04-27.

Production method of flavoured coffee drink "krasnodarskiy"

Номер патента: RU2387237C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-04-27.

Production method of flavoured coffee drink "krasnodarskiy"

Номер патента: RU2387238C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-04-27.

Production method of flavoured yacon-apple drink

Номер патента: RU2390223C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-05-27.

Production method of flavoured coffee drink "krasnodarskiy"

Номер патента: RU2387179C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-04-27.

Production method of girasol-sunflower-cereals beverage

Номер патента: RU2387178C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-04-27.

Production method of flavoured coffee drink "krasnodarskiy"

Номер патента: RU2387234C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-04-27.

Production method of flavoured coffee drink "krasnodarskiy"

Номер патента: RU2387240C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-04-27.