Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Electrical isolation of FinFET active region by selective oxidation of sacrificial layer

Electrical isolation of FinFET active region by selective oxidation of sacrificial layer

Номер патента: US09716174B2
Опубликовано: 25-07-2017
Автор(ы): Ajey Poovannummoottil Jacob, Jody A. FRONHEISER, Murat Kerem Akarvardar
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Partial fin on oxide for improved electrical isolation of raised active regions

Номер патента: US20160079397A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Terence B. Hook,Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Eric C. Harley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Dummy gate structure for electrical isolation of a fin DRAM

Номер патента: US09564445B2. Автор: Shom Ponoth,Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Kehan Tian,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Single and double diffusion breaks on integrated circuit products comprised of FinFET devices

Номер патента: US09865704B2. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Kwan-Yong Lim,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Electrical isolation structures for ultra-thin semiconductor-on-insulator devices

Номер патента: US20140061800A1. Автор: Shom Ponoth,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Transistors with laterally extended active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US20110183482A1. Автор: Min-Hee Cho,Sung-Sam LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US20200243395A1. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US10658244B2. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor devices having a convex active region and methods of forming the same

Номер патента: US7544565B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Won-Cheol Jeong,Yong-Sik Yim,Dong-Hwa Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-09.

Methods of forming a gate contact for a transistor above an active region and the resulting device

Номер патента: US09947589B1. Автор: Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Chanro Park,Nigel G. Cave,Andre P. Labonte,Mark V. Raymond. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of Semiconductor Fabrication with Height Control Through Active Region Profile

Номер патента: US20160240444A1. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Three-dimensional semiconductor transistor with gate contact in active region

Номер патента: US09691897B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of semiconductor fabrication with height control through active region profile

Номер патента: US09673112B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing an integrated circuit device including a fin-type active region

Номер патента: US12015063B2. Автор: Kye-Hyun Baek,Jin-Wook Lee,Hong-bae Park,Chang-yeon LEE,Min-Chan GWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Fin end spacer for preventing merger of raised active regions

Номер патента: US20160035875A1. Автор: Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin,Reinaldo A. Vega,Sameer H. Jain,Cung D. Tran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Fin end spacer for preventing merger of raised active regions

Номер патента: US20160035876A1. Автор: Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin,Reinaldo A. Vega,Sameer H. Jain,Cung D. Tran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Fin end spacer for preventing merger of raised active regions

Номер патента: US20160035864A1. Автор: Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin,Reinaldo A. Vega,Sameer H. Jain,Cung D. Tran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Fin end spacer for preventing merger of raised active regions

Номер патента: US20160284598A1. Автор: Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin,Reinaldo A. Vega,Sameer H. Jain,Cung D. Tran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for forming semiconductor substrate with convex shaped active region

Номер патента: US20030157759A1. Автор: Yin-Pin Wang,Hsin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Fin end spacer for preventing merger of raised active regions

Номер патента: US09679993B2. Автор: Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin,Reinaldo A. Vega,Sameer H. Jain,Cung D. Tran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Fin end spacer for preventing merger of raised active regions

Номер патента: US09601380B2. Автор: Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin,Reinaldo A. Vega,Sameer H. Jain,Cung D. Tran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Fin end spacer for preventing merger of raised active regions

Номер патента: US09515168B2. Автор: Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin,Reinaldo A. Vega,Sameer H. Jain,Cung D. Tran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Self-aligned active regions and passivation layer and methods of making the same

Номер патента: US20230387224A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Self-aligned active regions and passivation layer and methods of making the same

Номер патента: US11817485B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Fabrication method of semiconductor device by removing sacrificial layer on gate structures

Номер патента: US10748814B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-18.

Gate contact over active regions

Номер патента: US20210249270A1. Автор: Xikun Wang,Dong Wu,Sanjay Natarajan,Sean M. Seutter,Anchuan Wang,Gaurav Thareja,Keyvan Kashefizadeh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Gate contact over active region in cell

Номер патента: WO2019226229A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2019-11-28.

Gate contact over active region in cell

Номер патента: US20190363167A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Gate contact over active region in cell

Номер патента: US20210028288A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Gate contact over active region in cell

Номер патента: EP3803962A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Semiconductor device with a gate contact positioned above the active region

Номер патента: US09735242B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

FinFET structure having a gate contact above a metal gate and straddling the boundary of an active region

Номер патента: US12148834B2. Автор: Miao Xu,Xinfang Liu,Yanxiang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device with a gate contact positioned above the active region

Номер патента: US20170110549A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Methods of forming diffusion breaks on integrated circuit products comprised of finFET devices

Номер патента: US09653583B1. Автор: Min-Hwa Chi,Haiting Wang,Wei Zhao,Zhenyu Hu,Hongliang Shen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuit comprising components, for example NMOS transistors, having active regions with relaxed compressive stresses

Номер патента: US09899476B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Guilhem Bouton. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Finfet isolation by selective cyclic etch

Номер патента: WO2015074472A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Sivananda K. Kanakasabapathy,Stuart A. Sieg,Yunpeng Yin. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-05-28.

Integrated circuit with active region jogs

Номер патента: US20230387129A1. Автор: Lei Pan,Kuo-Ji Chen,Xin-Yong WANG,Tian-Yu Xie. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Buried damage layers for electrical isolation

Номер патента: US20210272812A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Siva P. Adusumilli,Michel J. Abou-Khalil,Bojidha Babu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor devices including a gate structure between active regions, and methods of forming semiconductor devices including a gate structure between active regions

Номер патента: US20140070291A1. Автор: Jin-Woo Lee,Ja-Young Lee,Seung-Ho Kim,Tae-Yong Song,Hyun-Mi Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device having recessed active region

Номер патента: US11742434B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Yong-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device having recessed active region

Номер патента: US20230143082A1. Автор: Ming-Chyi Liu,Yong-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Technique for patterning active regions of transistor elements in a late manufacturing stage

Номер патента: US20190027400A1. Автор: George Mulfinger,Ryan Sporer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Memory device having recessed active region

Номер патента: US20210234051A1. Автор: Ming-Chyi Liu,Yong-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Methods for fabricating electrically-isolated finfet semiconductor devices

Номер патента: US20140213033A1. Автор: David P. Brunco,Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20210043763A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Printable device wafers with sacrificial layers gaps

Номер патента: US09899432B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having a gate that is buried in an active region and a device isolation film

Номер патента: US09685540B2. Автор: Kang Yoo SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20220231159A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US11990549B2. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device having a gate that is buried in an active region and a device isolation film

Номер патента: US9401301B2. Автор: Kang Yoo SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for forming semiconductor structure by using sacrificial layer configured to be replaced subsequently to form bit line, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US11895852B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structures over active region and methods of forming the structures

Номер патента: US20200395356A1. Автор: Hui Zang,Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods of forming a gate contact for a semiconductor device above the active region

Номер патента: US09899321B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Ic structure with single active region having different doping profile than set of active regions

Номер патента: US20210351283A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Harold Mendoza,Jay A. Mody,Clynn J. Mathew,Yea-Sen Lin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Strained finfet with an electrically isolated channel

Номер патента: WO2014110005A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-17.

Strained finfet with an electrically isolated channel

Номер патента: US20140377924A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Structure and method for providing line end extensions for fin-type active regions

Номер патента: US11721761B2. Автор: Kuei-Liang Lu,Ming-Feng Shieh,Chih-Hao Chang,Hsin-Chih Chen,Chang-Yun Chang,Shao-Ming Yu,Yi-Tang LIN,Kai-Tai Chang. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Structure and method for providing line end extensions for fin-type active regions

Номер патента: US09673328B2. Автор: Kuei-Liang Lu,Ming-Feng Shieh,Chih-Hao Chang,Hsin-Chih Chen,Chang-Yun Chang,Shao-Ming Yu,Yi-Tang LIN,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Structure and method for providing line end extensions for fin-type active regions

Номер патента: US20230299203A1. Автор: Kuei-Liang Lu,Ming-Feng Shieh,Chih-Hao Chang,Hsin-Chih Chen,Chang-Yun Chang,Shao-Ming Yu,Yi-Tang LIN,Kai-Tai Chang. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming an at least penta-sided-channel type of FinFET transistor

Номер патента: US7723193B2. Автор: UENO Tetsuji,Moon-han Park,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hyun-Suk Kim,Hwa-Sung Rhee,Jae-Yoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-25.

Method of forming a semiconductor device including an active region with variable atomic concentration of oxide semiconductor material

Номер патента: US11862476B2. Автор: Ho Lee,Sang Woo Lee,Chankyung Kim,Jaehong MIN,Junsoo Kim,Minhee Cho,Sangwuk PARK,Woo Bin Song,Hei Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Fin field effect transistor including asymmetric raised active regions

Номер патента: US09553032B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Fin field effect transistor including asymmetric raised active regions

Номер патента: US09324870B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Fin field effect transistor including asymmetric raised active regions

Номер патента: US20160218043A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

Methods of forming a gate contact above an active region of a semiconductor device

Номер патента: US09780178B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Field effect transistors with self-aligned extension portions of epitaxial active regions

Номер патента: US09761721B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Gate structure cut after formation of epitaxial active regions

Номер патента: US20160027700A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Gate structure cut after formation of epitaxial active regions

Номер патента: US09633906B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Gate structure cut after formation of epitaxial active regions

Номер патента: US09559009B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Vertical transistor with uniform bottom spacer formed by selective oxidation

Номер патента: US09741626B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Gate structure cut after formation of epitaxial active regions

Номер патента: US20170140994A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Formation of dislocations in source and drain regions of FinFET devices

Номер патента: US09768256B2. Автор: Wei-Yang Lee,Wei-Yuan Lu,Chun Hsiung Tsai,Chien-Tai CHAN,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fully depleted devices with slots in active regions

Номер патента: US11239087B2. Автор: Kai Sun,Anurag Mittal,Manjunatha G. PRABHU,George J. Kluth,David C. Pritchard,Heng Yang,Lixia LEI,Neha Nayyar,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-01.

Devices with slotted active regions

Номер патента: US20200058515A1. Автор: Kai Sun,Anurag Mittal,Manjunatha G. PRABHU,George J. Kluth,David C. Pritchard,Heng Yang,Lixia LEI,Neha Nayyar,Hongru Ren. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices having fin active regions

Номер патента: US09941174B2. Автор: Dohyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Ah-young Cheon,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Selective oxidation of buried silicon-germanium to form tensile strained silicon FinFETs

Номер патента: US09570590B1. Автор: Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device including active region with variable atomic concentration of oxide semiconductor material and method of forming the same

Номер патента: US20190296018A1. Автор: Ho Lee,Sang Woo Lee,Chankyung Kim,Jaehong MIN,Junsoo Kim,Minhee Cho,Sangwuk PARK,Woo Bin Song,Hei Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Localized implant into active region for enhanced stress

Номер патента: US20130217198A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: EP3084811A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20200185526A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20180358467A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Source and drain architecture in an active region of a p-channel transistor by tilted implantation

Номер патента: US20130320409A1. Автор: Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3262688A1. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3916801A1. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-01.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US11996443B2. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Silicide-layer-coupled doped portion of active region and method of fabricating same

Номер патента: US20240234526A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices formed using a sacrificial layer and methods for manufacturing the same

Номер патента: US9147745B2. Автор: Hao Wu,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-09-29.

Iii-v semiconductor devices with selective oxidation

Номер патента: US20160240613A1. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Thin film transistor including a compositionally-modulated active region and methods for forming the same

Номер патента: US20240274723A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Po-Ting Lin,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Fin field effect transistor including self-aligned raised active regions

Номер патента: US09502562B2. Автор: Anirban Basu,Amlan Majumdar,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Fin field effect transistor including self-aligned raised active regions

Номер патента: US20160079421A1. Автор: Anirban Basu,Amlan Majumdar,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Fin field effect transistor including self-aligned raised active regions

Номер патента: US20150255570A1. Автор: Anirban Basu,Amlan Majumdar,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Non-volatile memory cell arrays with a sectioned active region

Номер патента: US20220028873A1. Автор: William Taylor,Oscar D. Restrepo,Edmund K. Banghart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for fabricating microelectronic devices with isolation trenches partially formed under active regions

Номер патента: US09437475B2. Автор: Romain Wacquez,Maud Vinet,Sylvie Mignot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-06.

Sacrificial layer for channel surface retention and inner spacer formation in stacked-channel fets

Номер патента: US20180366544A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Sacrificial layer for channel surface retention and inner spacer formation in stacked-channel fets

Номер патента: US20200091289A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Enhanced method of introducing a stress in a transistor channel by means of sacrificial sources/drain regions and gate replacement

Номер патента: US09431538B2. Автор: Pierre Morin,Shay REBOH. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-30.

Internal spacer formation from selective oxidation for fin-first wire-last replacement gate-all-around nanowire fet

Номер патента: US20170005180A1. Автор: Michael A. Guillorn,Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Three dimensional device formation using early removal of sacrificial heterostructure layer

Номер патента: US20230369453A1. Автор: Yan Zhang,Naushad K. Variam,Sankuei Lin,Johannes M. van Meer,Baonian Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Process for fabricating a TFT by selectively oxidizing or nitriding a light shielding layer

Номер патента: US5605847A. Автор: Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-25.

Semiconductor devices having tapered active regions

Номер патента: US09634092B2. Автор: Zhenhua Wu,Krishna Kumar Bhuwalka,Uihui KWON,Keunho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device having device element structures with pn junction formed in active region and voltage withstanding rings formed in periphery region surrounding the active region and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266433A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-planar semiconductor device having group III-V material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US09653548B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having a substrate including a first active region and a second active region

Номер патента: US09502417B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Tunnel field-effect transistor having a stacked structure including a first active region and a second active region

Номер патента: US11081550B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Device with isolation structures in active regions

Номер патента: US20240234425A1. Автор: Hui Zhan,George R. Mulfinger,Tamilmani Ethirajan,Eric S. Kozarsky,Kaustubh Shanbhag,Anton V. Tokranov. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Device with isolation structures in active regions

Номер патента: EP4401123A1. Автор: Hui Zhan,George R. Mulfinger,Tamilmani Ethirajan,Eric S. Kozarsky,Kaustubh Shanbhag,Anton V. Tokranov. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Non-planar semiconductor device having germanium-based active region with release etch-passivation surface

Номер патента: EP2901488A1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Semiconductor Device and Method using a Sacrificial Layer

Номер патента: US20120068240A1. Автор: Rudolf Berger,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-03-22.

Non-planar semiconductor device having active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US9018680B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US10090405B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Composite transistor having overlapping active regions and control electrode

Номер патента: US11004848B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Composite transistor with electrodes extending to active regions

Номер патента: US11688738B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Field Effect Transistor Device with Raised Active Regions

Номер патента: US20130071979A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Field Effect Transistor Device with Raised Active Regions

Номер патента: US20130069159A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device having a gate contact over an active region

Номер патента: US12046670B2. Автор: Shafiullah Syed,Manjunatha Prabhu,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device having different size active regions and method of making

Номер патента: US20230275090A1. Автор: Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Transition between different active regions

Номер патента: US20240120376A1. Автор: Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,You-Ting Lin,Po Shao LIN,Yu Mei Jian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device having a gate contact over an active region

Номер патента: US20230102787A1. Автор: Shafiullah Syed,Manjunatha Prabhu,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Gradient-doped sacrificial layers in integrated circuit structures

Номер патента: WO2022108655A1. Автор: Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-05-27.

Method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: US20020102784A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Methods of forming combined trench and locos-based electrical isolation regions in semiconductor substrates

Номер патента: US5858842A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-12.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US8753955B2. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-17.

Forming source/drain zones with a dielectric plug over an isolation region between active regions

Номер патента: US09530683B2. Автор: James Matthew,Jie Sun,Gordon Haller,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US20230197504A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US11688624B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Standard cell and ic structure with trench isolation through active regions and gate electrodes

Номер патента: US20240274603A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Standard cell and ic structure with trench isolation through active regions and gate electrodes

Номер патента: EP4418320A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Handler wafer removal by use of sacrificial inert layer

Номер патента: US09401303B2. Автор: Wei Lin,Kangguo Cheng,Mukta G. Farooq,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Jonathan E. Faltermeier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Handler wafer removal by use of sacrificial inert layer

Номер патента: US20160035616A1. Автор: Wei Lin,Kangguo Cheng,Mukta G. Farooq,Johnathan E. Faltermeier,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for isolating active regions in germanium-based mos device

Номер патента: US20150031188A1. Автор: Min Li,Ming Li,Xing Zhang,Ru Huang,Xia An. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-29.

Method for fabrication of integrated circuit structure with full dielectric isolation utilizing selective oxidation

Номер патента: US3944447A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-03-16.

Method for providing electrical isolation between spaced portions of a layer of semiconductive material and the product produced thereby

Номер патента: US4036706A. Автор: Raymond E. Scherrer. Владелец: International Telephone and Telegraph Corp. Дата публикации: 1977-07-19.

Leakage current reduction for continuous active regions

Номер патента: US20230369320A1. Автор: Wei-Ling Chang,Wei-Ren Chen,Ya-Chi CHOU,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for fabricating microelectronic devices with isolation trenches partially formed under active regions

Номер патента: US09437474B2. Автор: Romain Wacquez,Laurent Grenouillet,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Yannick Le Tiec. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11894231B2. Автор: HAIYANG Zhang,CHENXI Yang,Longjuan Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor devices with extended active regions

Номер патента: US8062953B2. Автор: Chong-Cheng Fu,Mark D. Hall,Glenn C. Abeln. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-11-22.

Semiconductor devices having active regions at different levels

Номер патента: US09673198B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of FinFET formation

Номер патента: US09660058B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of forming contact regions using sacrificial layers

Номер патента: US20130316520A1. Автор: Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Electrical isolation in photonic integrated circuits

Номер патента: US20190324300A1. Автор: Stephen Jones,Neil David Whitbread. Владелец: Lumentum Technology UK Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Electrical isolation in photonic integrated circuits

Номер патента: WO2018122393A1. Автор: Stephen Jones,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2018-07-05.

Electrical isolation in photonic integrated circuits

Номер патента: US10942380B2. Автор: Stephen Jones,Neil David Whitbread. Владелец: Lumentum Technology UK Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Method of fabricating electrically isolated photovoltaic modules arrayed on a substrate and product obtained thereby

Номер патента: US4667058A. Автор: Anthony W. Catalano,Robert V. D'Aiello,John A. Brewer,Richard J. Podlesny. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1987-05-19.

Special construct for continuous non-uniform active region FinFET standard cells

Номер патента: US9893063B2. Автор: Andy Nguyen,Juhan Kim,Mahbub Rashed,Navneet Jain. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Special construct for continuous non-uniform active region finfet standard cells

Номер патента: US20180122804A1. Автор: Andy Nguyen,Juhan Kim,Mahbub Rashed,Navneet Jain. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Special construct for continuous non-uniform active region FinFET standard cells

Номер патента: US09893063B2. Автор: Andy Nguyen,Juhan Kim,Mahbub Rashed,Navneet Jain. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and apparatus for providng thermal contact and electrical isolation of integrated circuits

Номер патента: US3686748A. Автор: Dale M Brown,William E Engeler. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-08-29.

Process for forming electrically isolating high resistivity regions in gaas

Номер патента: GB1398808A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1975-06-25.

Preparation method for platform-shaped active region based p-i-n diode string in reconfigurable loop antenna

Номер патента: US20180175160A1. Автор: Liang Zhang,Xiaoxue YIN. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Forming layers of materials over small regions by selective chemical reaction including limiting encroachment of the layers over adjacent regions

Номер патента: EP3050084A1. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts,Rami HOURANI,Eungnak Han,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Forming layers of materials over small regions by selective chemical reaction including limiting enchroachment of the layers over adjacent regions

Номер патента: US09530733B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts,Rami HOURANI,Eungnak Han,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Two mask technique for planarized trench oxide isolation of integrated devices

Номер патента: US4753901A. Автор: Daniel L. Ellsworth,Scott H. Cravens,Maurice M. Moll. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1988-06-28.

Two mask technique for planarized trench oxide isolation of integrated devices

Номер патента: CA1243425A. Автор: Daniel L. Ellsworth,Scott H. Cravens,Maurice M. Moll. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-10-18.

Line-end cutting method for fin structures of FinFETs formed by double patterning technology

Номер патента: US09536987B2. Автор: Ming Li,Chunyan Yi. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device including an active region and two layers having different stress characteristics

Номер патента: US09847389B2. Автор: Brian A. Winstead,Vance H. Adams,Paul A. Grudowski. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for forming shallow trenches of the dual active regions

Номер патента: US09871064B1. Автор: JIN Xu,Quan Jing,Jun Zhu,Xusheng Zhang,Yu Ren,Minjie Chen,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Active region design layout

Номер патента: US09529956B2. Автор: Ming Lei,Cheng-Wei Cheng,Chen-Liang Liao,Yi-Lii Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472466B2. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having storage nodes on active regions and method of fabricating the same

Номер патента: US20090073736A1. Автор: Min-Hee Cho,Seung-Bae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device including an active region and two layers having different stress characteristics

Номер патента: US20140054704A1. Автор: Brian A. Winstead,Vance H. Adams,Paul A. Grudowski. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Selective oxidation processes for gate-all-around transistors

Номер патента: WO2024196677A1. Автор: Shawn Thomas,Christopher S. Olsen,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Edy Cardona. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Selective oxidation processes for gate-all-around transistors

Номер патента: US20240321584A1. Автор: Shawn Thomas,Christopher S. Olsen,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Edy Cardona. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing memory using pseudo bit line structures and sacrificial layers

Номер патента: US12127398B2. Автор: Er-Xuan Ping,Zhen Zhou,Lingguo ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Active region design layout

Номер патента: US20160042109A1. Автор: Ming Lei,Cheng-Wei Cheng,Chen-Liang Liao,Yi-Lii Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150140749A1. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Sacrificial layer for post-laser debris removal systems

Номер патента: US09779932B2. Автор: Habib Hichri. Владелец: SUSS MicroTec Photonic Systems Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device with polycrystalline silicon active region and ic including semiconductor device

Номер патента: CA1218470A. Автор: Hisao Hayashi,Chiaki Sakai,Hisayoshi Yamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-02-24.

Semiconductor device having active regions of different dimensions and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030290A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Ching-Yu Huang,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Providing electrical connection between an active region and a conductive layer in a semiconductor device using carbon nanotubes

Номер патента: EP1361608A3. Автор: Gad S. Haase. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-24.

Method for forming active region array and semiconductor structure

Номер патента: US11887859B2. Автор: Zhen Zhou,Erxuan PING,Yanghao LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Stacked vertical field-effect transistors with sacrificial layer patterning

Номер патента: US20200303263A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for forming active region array and semiconductor structure

Номер патента: US20210343537A1. Автор: Zhen Zhou,Erxuan PING,Yanghao LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device including a conductive feature over an active region

Номер патента: US11075164B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

Method for making a transistor of which the active region includes a semimetal material

Номер патента: US11239347B2. Автор: Yves Morand,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-02-01.

Methods for Forming Semiconductor Devices Using Sacrificial Layers

Номер патента: US20140199810A1. Автор: Gil-heyun Choi,Jin-ho Park,Tae-Yeong Kim,Pil-Kyu Kang,Byung-lyul Park,Jum-Yong Park,Deok-Young Jung,Kyu-Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Method for making a transistor of which the active region includes a semimetal material

Номер патента: US20200343374A1. Автор: Yves Morand,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-10-29.

Active regions with compatible dielectric layers

Номер патента: US09847420B2. Автор: Pushkar Ranade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Active regions with compatible dielectric layers

Номер патента: US09646822B2. Автор: Pushkar Ranade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Active regions with compatible dielectric layers

Номер патента: US09515142B2. Автор: Pushkar Ranade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Active regions with compatible dielectric layers

Номер патента: US09397165B2. Автор: Pushkar Ranade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Process for fabricating a uniform gate oxide of a vertical transistor

Номер патента: US6150670A. Автор: Ulrike Gruening,Rajarao Jammy,Suryanarayan G. Hegde,Johnathan E. Faltermeier,Brian S. Lee,Helmut H. Tews. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Multi-function etching sacrificial layers to protect three-dimensional dummy fins in semiconductor devices

Номер патента: US20240162079A1. Автор: Yen Chuang,Ta-Hsiang Kung,Miao-Syuan Fan,Yuan-Lin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Process for producing contact to GaAs active region

Номер патента: US4301188A. Автор: William C. Niehaus. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1981-11-17.

Heterostructure with Sacrificial Layer

Номер патента: US20180374986A1. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Technique for defining active regions of semiconductor devices with reduced lithography effort

Номер патента: US20190043752A1. Автор: Michael Zier,Elliot John Smith. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Nitride semiconductor device comprising layered structure of active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230290836A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Wall coupled with two stacks of nanoribbons to electrical isolate gate metals

Номер патента: US20240113233A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Shengsi LIU,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Selective Oxidation of Transition Metal Nitride Layers Within Compound Semiconductor Device Structures

Номер патента: US20180174833A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Daniel S. Green. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-06-21.

Selective oxidation of transition metal nitride layers within compound semiconductor device structures

Номер патента: EP3555906A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Daniel S. Green. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-23.

Circuits having enhanced electrical isolation

Номер патента: US20240120371A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and apparatus for providing electrically isolated closely spaced features on a printed circuit board

Номер патента: EP2174534A2. Автор: Daniel R. Gamota,John B. Szczech,Kin P. Tsui,Tomasz L. Klosowiak,Jerzy Wieglus. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2010-04-14.

Method and apparatus for providing electrically isolated closely spaced features on a printed circuit board

Номер патента: WO2009017928A2. Автор: Daniel R. Gamota,John B. Szczech,Kin P. Tsui,Tomasz L. Klosowiak,Jerzy Wieglus. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-02-05.

Method and apparatus for providing electrically isolated closely spaced features on a printed circuit board

Номер патента: WO2009017928A3. Автор: John B Szczech,Daniel R Gamota,Jerzy Wieglus,Tomasz L Klosowiak,Kin P Tsui. Владелец: Kin P Tsui. Дата публикации: 2009-05-22.

Semiconductor device structure including active region having an extension portion

Номер патента: US09613181B2. Автор: Joachim Deppe,Ricardo Pablo. Mikalo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Power device with partitioned active regions

Номер патента: EP4371158A1. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-05-22.

Wide bandgap transistor layout with staggered gate electrode fingers and split active regions

Номер патента: US20240113190A1. Автор: Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Optical proximity correction for active region design layout

Номер патента: US20130285194A1. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Jen-Pan Wang,Chih-Hsun Lin,Mei-Hsuan LIN,Chih-Chan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device with t-shaped active region and methods of forming same

Номер патента: US20230343594A1. Автор: Qingchao Meng,Zhang-Ying YAN,Huaixin XIAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure having dummy active region

Номер патента: US20240145409A1. Автор: Ming-Che Lin,Chien-Chin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated Assemblies Having Ferroelectric Transistors with Heterostructure Active Regions

Номер патента: US20200152644A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Power device with partitioned active regions

Номер патента: WO2023287598A1. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Integrated Assemblies Having Ferroelectric Transistors with Heterostructure Active Regions

Номер патента: US20210242221A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Optical proximity correction for active region design layout

Номер патента: US20130069162A1. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Jen-Pan Wang,Chih-Hsun Lin,Mei-Hsuan LIN,Chih-Chan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Memory Active Region Layout for Improving Memory Performance

Номер патента: US20230046028A1. Автор: Feng-Ming Chang,Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim,Chao-Yuan Chang,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device with series connected inverters having different number of active regions

Номер патента: US9768172B2. Автор: Takeshi Okagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Junction field-effect transistor with raised source and drain regions formed by selective epitaxy

Номер патента: US9236499B2. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Kevin K. Chan,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Dynamic isolation of conductivity modulation states in integrated circuits

Номер патента: US4224083A. Автор: Michael W. Cresswell. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-09-23.

Semiconductor device and method of singulating thin semiconductor wafer on carrier along modified region within non-active region formed by irradiating energy

Номер патента: US9559004B2. Автор: Il Kwon Shim,Won Kyoung Choi,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing semiconductor chip that includes dividing substrate by etching groove along cutting region of substrate combined with forming modified region by laser irradiating along cutting region in substrate

Номер патента: US09754833B2. Автор: Kenichi Ono,Michiaki Murata,Tsutomu Otsuka,Hideyuki Ikoma,Takahiro Hashimoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Patterned nanochannel sacrificial layer for semiconductor substrate reuse

Номер патента: US11830733B2. Автор: John Stanley MANGUM,William Edwin McMAHON,Emily Lowell Warren,San THEINGI. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Active region, active region array and formation method thereof

Номер патента: US12087581B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having fin active regions and method of fabricating the same

Номер патента: US09991257B2. Автор: Hyunjung Lee,Sunjung Kim,Yong-Suk Tak,Miseon PARK,Jongryeol YOO,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure with dispersedly arranged active region trenches

Номер патента: US20130270669A1. Автор: Chih-Chiang Chuang,Chao-Hsin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Active region, active region array and formation method thereof

Номер патента: US20220310615A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

System and method for hydrogen-rich selective oxidation

Номер патента: WO2003105190A3. Автор: Cole Porter,Robert B Herring,Travis Dodwell,Ed Nazareno,Chris Ratliff,Anindita Chatterji. Владелец: Anindita Chatterji. Дата публикации: 2004-04-01.

System and method for hydrogen-rich selective oxidation

Номер патента: EP1532657A2. Автор: Cole Porter,Robert B. Herring,Travis Dodwell,Ed Nazareno,Chris Ratliff,Anindita Chatterji. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-25.

System and method for hydrogen-rich selective oxidation

Номер патента: WO2003105190A2. Автор: Cole Porter,Robert B. Herring,Travis Dodwell,Ed Nazareno,Chris Ratliff,Anindita Chatterji. Владелец: Asml Us, Inc.. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor device having an amorphous silicon active region

Номер патента: CA1091361A. Автор: David E. Carlson. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1980-12-09.

Transistor interface between gate and active region

Номер патента: US11843035B2. Автор: Yoshikazu Moriwaki,Moeko Kawana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Three-dimensional memory device containing source select gate electrodes with enhanced electrical isolation

Номер патента: US09659956B1. Автор: Tuan Pham,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor power device including wire or ribbon bonds over device active region

Номер патента: US20200013692A1. Автор: Gabriele Formicone. Владелец: Integra Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Nanowire grid structure having grid patterns and a sacrificial layer

Номер патента: US09456501B2. Автор: Jin Su Kim,Jun Lee,Young Jae Lee,Kyoung Jong Yoo. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

CMOS Gate Structures Fabricated By Selective Oxidation

Номер патента: US20070190713A1. Автор: Steven Holmes,Toshiharu Furukawa,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

CMOS gate structures fabricated by selective oxidation

Номер патента: US8568604B2. Автор: Bruce B. Doris,Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-29.

Chuck systems and methods having enhanced electrical isolation for substrate-biased ald

Номер патента: EP3574126A1. Автор: Adam Bertuch,Michael J. Sershen. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2019-12-04.

Method for manufacturing electrically isolated microcircuit resistors

Номер патента: RU2648295C1. Автор: Игорь Владимирович Родионов,Ирина Владимировна Перинская,Владимир Владимирович Перинский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2018-03-23.

Apparatus and method for electrical isolation

Номер патента: WO2002073692A3. Автор: Steven F Gillig,Barry W Herold. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Apparatus and method for electrical isolation

Номер патента: WO2002073692A2. Автор: Steven F. Gillig,Barry W. Herold. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2002-09-19.

Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies

Номер патента: US09556512B2. Автор: Peter John Cousins,Hsin-Chiao Luan,John Ferrer,Thomas Pass,Stephen F. Meyer,Rex Gallardo. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of forming insulating layer on conductive traces for electrical isolation in fine pitch bonding

Номер патента: US09418913B2. Автор: Seong Bo Shim,Yong Hee Kang,Kyung Oe Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Electrically isolating thermal interface module for low voltage electrical devices

Номер патента: WO2023172602A1. Автор: Timothy R. Faber,Cameron Lee WOODSON,Clinton Neal CARNE,Randy William Blake,Daniel Gene HOLLINGER. Владелец: Schneider Electric USA, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Differing device characteristics on a single wafer by selective etch

Номер патента: US20200058555A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Methods and apparatus for selective oxidation of a substrate

Номер патента: US09514968B2. Автор: Johanes Swenberg,Lara Hawrylchak,Christopher S. Olsen,Agus Tjandra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: US20220102360A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: EP4222741A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of improving oxide growth rate of selective oxidation processes

Номер патента: US20140057455A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Ramachandran,Yoshitaka Yokota,Norman L. Tam,Martin John Ripley. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Active region array formation method

Номер патента: US12100594B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Preparation methods of quantum dot light emitting device and quantum dot display panel using stacked sacrificial layer and photoresist layer

Номер патента: US12127464B2. Автор: Haowei Wang,Zhenqi Zhang,Xiaoyuan Zhang,Wenhai MEI,Aidi ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of selective oxidation on rapid thermal processing (rtp) chamber with active steam generation

Номер патента: US20240282601A1. Автор: Christopher Sean Olsen,Lara Hawrylchak,Tsung-Han Yang,Naman APURVA,Chaitanya Anjaneyalu Prasad,Erika Gabrielle HANSEN,Daniel C. GLOVER. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Patterning a functional layer by means of a sacrificial layer and preparing a mim capacitor implementing said patterning

Номер патента: US20240371923A1. Автор: Messaoud Bedjaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of forming semiconductor die with active region responsive to external stimulus

Номер патента: US09564413B2. Автор: Heap Hoe Kuan,Il Kwon Shim,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor devices with reduced active region deffects and unique contacting schemes

Номер патента: US20040121507A1. Автор: Clifford King,Jeffrey Bude,Malcolm Carroll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: EP3821465A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: WO2017042368A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: EP3347922A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-07-18.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: US20180261718A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for manufacturing semiconductor package using sacrificial layer and semiconductor package manufactured by using thereof

Номер патента: US20240096820A1. Автор: Young Lyong Kim,Hyun Soo Chung,In Hyo HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structures having active regions comprising InGaN and methods of forming such semiconductor structures

Номер патента: US09978905B2. Автор: Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods and apparatus for selective oxidation of a substrate

Номер патента: US20150206777A1. Автор: Johanes Swenberg,Lara Hawrylchak,Christopher S. Olsen,Agus Tjandra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Methods for fabricating integrated circuits with improved active regions

Номер патента: US9620418B2. Автор: Wei Lu,Liang Li,Alex See,Yung Fu Alfred Chong,Lian Choo Goh,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Selective oxidation of a substrate

Номер патента: WO2024072816A1. Автор: Chris Olsen,Hansel LO. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Selective oxidation of a substrate

Номер патента: US20240112903A1. Автор: Chris Olsen,Hansel LO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: WO2022072068A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Sacrificial layer for substrate analysis

Номер патента: US20240055305A1. Автор: Santosh Tripathi,Tuyen Tran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor arrangement having capacitor separated from active region

Номер патента: US09837421B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chia-Shiung Tsai,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Cheng-Jong Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor arrangement having capacitor separated from active region

Номер патента: US09466663B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chen-Jong Wang,Chia-Shiung Tsai,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Selective area oxidation of III-V compound semiconductors

Номер патента: US3929589A. Автор: Bertram Schwartz,Felix Ermanis. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-12-30.

Method for forming a microelectronic assembly including encapsulating a die using a sacrificial layer

Номер патента: US20080182363A1. Автор: Chandrasekaram Ramiah,Jerry L. White,Owen R. Fay,Lizabeth Ann Keser,William H. Lytle,Craig S. Amrine,Kevin R. Lish. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-07-31.

Sintering method using a sacrificial layer on the backside metallization of a semiconductor die

Номер патента: US20210242034A1. Автор: Paul Frank,Frederik Otto. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-05.

Selective oxidation and simplified pre-clean

Номер патента: US11776805B2. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Joung Joo Lee,Kelvin Chan,Xianmin Tang,Philip A. Kraus,Bencherki Mebarki,Alexander Jansen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Process Flow to Reduce Hole Defects in P-Active Regions and to Reduce Across-Wafer Threshold Voltage Scatter

Номер патента: US20120282763A1. Автор: Andreas Ott,Stephan Kronholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising mos-transistors having gate oxides of different thicknesses

Номер патента: EP1459377A2. Автор: Hendrik H. Van Der Meer,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-22.

Method for selectively oxidizing a silicon/metal composite film stack

Номер патента: US20020172756A1. Автор: David Lopes,Hyun Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-21.

A method and apparatus for selectively oxidizing a silicon/metal composite film stack

Номер патента: EP1277231A1. Автор: David R. Lopes,Hyun Song Joo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-01-22.

Semiconductor arrangement having capacitor separated from active region

Номер патента: US20180102368A1. Автор: Xiaomeng Chen,Chen-Jong Wang,Chia-Shiung Tsai,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: US20200119042A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor arrangement having capacitor separated from active region

Номер патента: US20170025417A1. Автор: Xiaomeng Chen,Chia-Shiung Tsai,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Cheng-Jong Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Insulating layer for planarization and definition of the active region of a nanowire device

Номер патента: US20160172538A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of Separating Nitride Films from the Growth Substrates by Selective Photo-Enhanced Wet Oxidation

Номер патента: US20120264247A1. Автор: Po-Chun Yeh,Lung-Han Peng,Jeng-Wei Yu. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of making semiconductor device by selective epitaxial growth

Номер патента: US5438018A. Автор: Toshihiko Mori,Yoshiki Sakuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Semiconductor devices including active regions in ram areas with deposition determined pitch

Номер патента: US20190348280A1. Автор: NAN Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

Номер патента: US20240090213A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sung-Kwan Kang,Jialiang Wang,Abhijit B. MALLICK,Soonil Lee,Chang Seok Kang,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Amy Child,Sanjay G. KAMATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

Номер патента: WO2024054369A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sung-Kwan Kang,Jialiang Wang,Abhijit B. MALLICK,Soonil Lee,Chang Seok Kang,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Amy Child,Sanjay G. KAMATH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing a micromechanical system comprising a removal of sacrificial material through a hole in a margin region

Номер патента: US09452923B2. Автор: Mirko Vogt,Thoralf Kautzsch,Heiko Froehlich,Maik Stegemann. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for removing upper part of sacrificial layer, and sacrificial solution and acidic aqueous solution used therefor

Номер патента: EP4268267A1. Автор: Takashi Sekito,Tatsuro Nagahara. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-11-01.

Three-dimensional memory device with electrically isolated support pillar structures and method of making thereof

Номер патента: US09978766B1. Автор: Takeshi Kawamura,Naohiro Hosoda,Kota Funayama,Yoko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Chirped multi-well active region led

Номер патента: EP1173894A1. Автор: YING-LAN Chang,Michael R. Krames,Christopher P. Kocot,Stephen A. Stockman,Patrick N. Grillot,Robert C. Taber,Eugene I. Chen. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2002-01-23.

Wiring board having electrical isolator and moisture inhibiting cap incorporated therein and method of making the same

Номер патента: US20150382468A1. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Electrically isolated discrete package with high performance ceramic substrate

Номер патента: US20240363478A1. Автор: Tiburcio MALDO,Rhodri Hughes,Aalok Bhatt,Francois Perraud,Cynthia Selke. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Electrically isolated power device package

Номер патента: US20020171134A1. Автор: Kang Rim Choi. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2002-11-21.

Heat sink and multi mount pad lead frame package and method for electrically isolating semiconductor die(s)

Номер патента: US5049973A. Автор: Robert J. Satriano,Thomas R. McLean. Владелец: Harris Semiconductor Patents Inc. Дата публикации: 1991-09-17.

Distribution point unit (dpu) with improved thermal management and electrical isolation

Номер патента: US20210195801A1. Автор: Paul Mathieu,Gilby Chacko,Karl Verran. Владелец: NETCOMM WIRELESS PTY LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

A distribution point unit (DPU) with improved thermal management and electrical isolation

Номер патента: AU2018379380A1. Автор: Paul Mathieu,Gilby Chacko,Karl Verran. Владелец: NETCOMM WIRELESS PTY LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

A distribution point unit (dpu) with improved thermal management and electrical isolation

Номер патента: EP3721685A1. Автор: Paul Mathieu,Gilby Chacko,Karl Verran. Владелец: NETCOMM WIRELESS PTY LTD. Дата публикации: 2020-10-14.

A distribution point unit (dpu) with improved thermal management and electrical isolation

Номер патента: WO2019109129A1. Автор: Paul Mathieu,Gilby Chacko,Karl Verran. Владелец: Netcomm Wireless Limited. Дата публикации: 2019-06-13.

Dynamical isolation of a cryogenic processor

Номер патента: US20220011384A1. Автор: Andrew J. Berkley,Jed D. Whittaker,Loren J. Swenson,Mark H. Volkmann,George E.G. Sterling. Владелец: DWSI Holdings Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method and device for temperature measurement of finfet devices

Номер патента: US20180038742A1. Автор: Junhong Feng,Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Method and device for temperature measurement of FinFET devices

Номер патента: US09970981B2. Автор: Junhong Feng,Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Electrically isolated power semiconductor package

Номер патента: GB2358960B. Автор: Kang Rim Choi. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-08-13.

Electrically isolated heatsink for single-in-line package

Номер патента: US4961107A. Автор: Eugene E. Segerson,Henry E. Geist. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-10-02.

Display panel and method for electrically-isolating light emitting diode in display panel

Номер патента: EP3644301A1. Автор: Shin-Bok Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Display panel and method for electrically-isolating light emitting diode in display panel

Номер патента: US20200135090A1. Автор: Shin-Bok Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Thermally Conductive IC Spacer with Integrated Electrical Isolation

Номер патента: US20240128210A1. Автор: Wai Lee,Jeffrey West,Amit Ashara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Light-emitting systems with close-packed leds and/or electrically isolated substrates and methods of making and/or operating the same

Номер патента: WO2021071928A1. Автор: Qifeng Shan,Shaohua Huang. Владелец: Luminus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Structure and method for determining isolation of integrated circuit

Номер патента: US5254941A. Автор: David M. Osika. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1993-10-19.

Semiconductor device with electrically isolated transistor

Номер патента: US6097067A. Автор: Akihiro Ouchi,Hayao Ohzu,Yukihiko Sakashita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device having contacting but electrically isolated regions of opposite conductivity types

Номер патента: US4547681A. Автор: Hideharu Egawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-10-15.

Thermal dissipation and electrical isolating device

Номер патента: EP3583622A1. Автор: Patrik APELGREN. Владелец: Lohmann GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-12-25.

Transistor layout structures for controlling sizes of transistors without changing active regions, and methods of controlling the same

Номер патента: US20080141204A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Well contact cell with doped tap region separated from active region, and methods to form same

Номер патента: US10909298B1. Автор: Nigel Chan,Navneet Jain. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2021-02-02.

Dissipating heat from an active region of an optical device

Номер патента: US11409141B2. Автор: Erik Norberg,Jonathan Edgar Roth. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Semiconductor device including memory cell array with transistors disposed in different active regions

Номер патента: US09704873B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuhisa Shimazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Power transistor, driver and output stage including an active region, a metallization level, and a further metallization level

Номер патента: US10649021B2. Автор: Daniel Schneider,Alexander Mann,Henning Lohmeyer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-05-12.

Integrated circuit device having active region coupled to metal layers on opposite sides of substrate, and method

Номер патента: US12021033B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with at least one functional element containing multiple active regions, and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2019162442A1. Автор: Ryan Lewis,David van Treeck,Sergio FERNANDEZ-GARRIDO. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device with at least one functional element containing multiple active regions, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP3756227A1. Автор: Ryan Lewis,David van Treeck,Sergio FERNANDEZ-GARRIDO. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Pattern form of an active region of a MOS type semiconductor device

Номер патента: US5760454A. Автор: Kenji Nishi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Methods for packaging integrated circuit devices including cavities adjacent active regions and related structures

Номер патента: WO2000048251A1. Автор: Walter M. Marcinkiewicz. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-17.

III-nitride nanowire LED with strain modified surface active region and method of making thereof

Номер патента: US09761757B2. Автор: Sungsoo Yi,Nathan Gardner,Linda Romano,Patrik Svensson. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-09-12.

Light emitting diode (LED) with three active regions and intensity control unit

Номер патента: GB2497183A. Автор: Eric Dias. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Sram cell layout including arrangement of multiple active regions and multiple gate regions

Номер патента: US20230403838A1. Автор: DHORI Kedar Janardan,Shafquat Jahan Ahmed. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-14.

Image sensor including active regions

Номер патента: US11804510B2. Автор: Kyoung-In Lee,Sun-Ho Oh,Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device including active region and semiconductor layer on side surface of active region

Номер патента: US20230232614A1. Автор: Jaepil Lee,Hijung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Device having cell that includes extended active region

Номер патента: US20230072698A1. Автор: Chang-Yu Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US20070158693A1. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US7719034B2. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-18.

Manufacturing method of display substrate using a carrier substrate and a sacrificial layer

Номер патента: US09685640B2. Автор: Khachatryan Hayk,Ki Hyun Kim,Jeong Ho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor structures having active regions including indium gallium nitride, methods of forming such semiconductor structures, and related light emitting devices

Номер патента: US09634182B2. Автор: Ding Ding,Li Huang,Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device with inverters having transistors formed in different active regions

Номер патента: US09570432B2. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Cavity structure using patterned sacrificial layer

Номер патента: US09418849B2. Автор: Kuei-Sung CHANG,Yi Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing semiconductor structure having word line disposed over portion of an oxide-free dielectric material in the non-active region

Номер патента: US11488964B2. Автор: Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Dissipating heat from an active region of an optical device

Номер патента: US20170351124A1. Автор: Erik Norberg,Jonathan Edgar Roth. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor structure having word line disposed over portion of an oxide-free dielectric material in the non-active region

Номер патента: US20210265361A1. Автор: Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Dissipating heat from an active region of an optical device

Номер патента: US20220350180A1. Автор: Erik Norberg,Jonathan Edgar Roth. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Dissipating heat from an active region of an optical device

Номер патента: US20210018769A1. Автор: Erik Norberg,Jonathan Edgar Roth. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device including standard cells with combined active region

Номер патента: US20230306175A1. Автор: Ta-Pen Guo,Guru Prasad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor integrated circuits having contacts spaced apart from active regions

Номер патента: US9748246B2. Автор: Tae-Joong Song,Jung-han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

A solar cell comprising clusters in the active region

Номер патента: GB2341002A. Автор: Dieter Meissner,Michael Westphalen,Joern Rostalski,Uwe Kreibig. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2000-03-01.

LED with active region disposed within an optical cavity defined by an embedded nanostructured layer and a reflector

Номер патента: US11942571B2. Автор: Toni LOPÉZ,Venkata Ananth TAMMA. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Micro-led active region co-doping for surface losses suppression

Номер патента: WO2023220417A1. Автор: Alexander Tonkikh,Pavel Gorlachuk,Arjun AJAYKUMAR. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Short wavelength infrared optoelectronic devices having graded or stepped dilute nitride active regions

Номер патента: US20200295221A1. Автор: Ding Ding,Ferran Suarez,Aymeric Maros. Владелец: Array Photonics Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Micro-led active region co-doping for surface losses suppression

Номер патента: US20230369537A1. Автор: Alexander Tonkikh,Pavel Gorlachuk,Arjun AJAYKUMAR. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of determining the active region width between shallow trench isolation structures using a c-v measurement technique for fabricating a flash memory semiconductor device and a device thereby formed

Номер патента: US6818462B1. Автор: Zhigang Wang,Tien-Chun Yang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

Red micro-led with dopants in active region

Номер патента: WO2021086941A1. Автор: Anurag Tyagi,Guillaume LHEUREUX,David Hwang,Alexander Tonkikh,Michael Grundmann,Markus Broell,Steven David LESTER. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Perc -tandem solar cell with sacrificial layer

Номер патента: EP4298675A1. Автор: Lambert Johan Geerligs,John Anker. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-01-03.

Perc -tandem solar cell with sacrificial layer

Номер патента: US20240030369A1. Автор: Lambert Johan Geerligs,John Anker. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-01-25.

Visualization system including tunnel junction based rgb die with isolated active regions

Номер патента: WO2024129662A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Tunnel junction based rgb die with isolated active regions

Номер патента: WO2024129659A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Use of GaAs extended barrier layers between active regions containing nitrogen and AlGaAs confining layers

Номер патента: US20050123015A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Method for removing sacrificial layers of a stack of a three-dimensional semiconductor structure in two steps

Номер патента: US20240172437A1. Автор: Yuan Yuan,ZHIPENG Wu,Lei Li,Wei Xu,ZHEN Guo,Zongliang Huo,Lei Xue,Xiaofen Zheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for producing a long wavelength indium gallium arsenide nitride (InGaAsN) active region

Номер патента: EP1361601A3. Автор: YING-LAN Chang,Tetsuya Takeuchi,David P. Bour,Scott Corzine,Michael R.T. Tan,Ashish Tandon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-07-27.

Display device manufacture using a sacrificial layer interposed between a carrier and a display device substrate

Номер патента: US09515272B2. Автор: Deyan Wang,Peng-Wei Chuang,Kathleen M. O'Connell,Moo-Young Lee,Young Seok Kim,Yerang KANG,Christopher D. Gilmore. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Early response to plasma/charging damage by special pattern design of active region

Номер патента: US6929965B2. Автор: Bor-Cheng Chen,Yu-Feng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-16.

Light emitting semiconductor device having an electrical confinement barrier near the active region

Номер патента: WO2008016829A2. Автор: Ralph H. Johnson,James K. Guenter,James R. Biard. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Electrical isolation apparatus

Номер патента: EP4411980A1. Автор: LI YANG,Zhenghua ZOU. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Electrical isolator

Номер патента: RU2528613C1. Автор: Бретт Александер УОТСОН. Владелец: Сименс Лтд.. Дата публикации: 2014-09-20.

Dc power control devices with electrically isolated outputs

Номер патента: US20230282192A1. Автор: David E. Christian,Paul E. Christian. Владелец: Cb Technology D/b/a Big Joe Stomp Box Co LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Method and structure for fastening and electrically isolating busbars insulated with heat-shrink material

Номер патента: WO2015119808A1. Автор: Amar G. KINI,Zdenek KUTALEK,Stefano Motta,Frantisek KOUDELKA. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2015-08-13.

Electrical isolation of optical components in photonic integrated circuits (PICs)

Номер патента: US20040028105A1. Автор: Frank Peters. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Electrical isolator

Номер патента: CA3065243A1. Автор: James William Bernard,Ioannis GIANNAKOPOULOS,Jon Pethick,Paul Peacock,Dale Faulker. Владелец: Crompton Technology Group Ltd. Дата публикации: 2020-10-02.

Battery pack with segmented, electrically isolated heat sink

Номер патента: US09397375B2. Автор: Benson Tsai,Richard Biskup. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Fuel cell system including a unit for electrical isolation of a fuel cell stack from a manifold assembly and method therefor

Номер патента: WO2006071841B1. Автор: Keith Davis,Mohammad Farooque,Dana A Kelley. Владелец: Fuelcell Energy Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Fuel cell system including a unit for electrical isolation of a fuel cell stack from a manifold assembly and method therefor

Номер патента: EP1839355A2. Автор: Keith Davis,Mohammad Farooque,Dana A. Kelley. Владелец: Fuelcell Energy Inc. Дата публикации: 2007-10-03.

Electrically isolating vertical-emitting devices

Номер патента: US20200388986A1. Автор: Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2020-12-10.

Isolating device for electrically isolating a plurality of power-storage assemblies from one another

Номер патента: US09818988B2. Автор: Anne-Claire Juventin,Laurent LE GALL. Владелец: Blue Solutions SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Electrically isolated assembly and method for the electrical isolation of an assembly

Номер патента: US20180213652A1. Автор: Harald Hundt. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-07-26.

Battery powered devices with electrically isolated outputs

Номер патента: US20200279545A1. Автор: David E. Christian,Paul E. Christian. Владелец: Cb Technology D/b/a Big Joe Stomp Box Co LLC. Дата публикации: 2020-09-03.

Electrically isolated coupling

Номер патента: EP3619002A1. Автор: James Richard RASKIN,Matthew Paul KELLER. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2020-03-11.

Electrical isolation apparatus

Номер патента: US20220311113A1. Автор: LI YANG,Zhenghua ZOU. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Electrical isolator

Номер патента: EP4068502A1. Автор: LI YANG,Zhenghua ZOU. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Data access arrangement using a high frequency transformer for electrical isolation

Номер патента: EP1504543A2. Автор: Ping Dong,Jordan C. Cookman. Владелец: ESS Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Electrical isolator

Номер патента: EP3719371A1. Автор: Dale V. L. FAULKNER,Paul Peacock. Владелец: Crompton Technology Group Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Electrical isolator

Номер патента: CA3065225A1. Автор: Dale V. L. FAULKNER,Paul Peacock. Владелец: Crompton Technology Group Ltd. Дата публикации: 2020-10-02.

Method for recycling waste lithium iron phosphate by selective oxidation-reduction, recycled lithium iron phosphate, and lithium ion battery

Номер патента: US12021206B2. Автор: Shunyi Yang,Youyuan Huang,Xueqin He,Xiaobing Xi,Haifeng YUE,Caide YANG. Владелец: Liyuan Shenzhen Scientific Research Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods for electrically isolating areas of a metal body

Номер патента: US09985345B2. Автор: Francesco Ferretti,Collin D. CHAN,Joseph B. Marcinkowski,Tom H. Engbersen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for improving isolation of an antenna mounted on a structure

Номер патента: EP1435676B1. Автор: Yan Brand,Yves Gaudette. Владелец: EMS Technologies Canada Ltd. Дата публикации: 2006-12-13.

Systems and methods for high-speed data transmission across an electrical isolation barrier

Номер патента: US20230292990A1. Автор: Matthew M. McConnell,John A Barton,Derek C. LIOU,Kierstin Gray Parrish. Владелец: Intuitive Surgical Operations Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Aircraft electrical isolation component and method of manufacturing electrical isolation component

Номер патента: EP4223489A1. Автор: Robert Walsh,Paolo Ballocchi,Nigel Donaldson. Владелец: SHORT BROTHERS PLC. Дата публикации: 2023-08-09.

Diode laser electrical isolation system

Номер патента: US20070171947A1. Автор: Jacob Bell. Владелец: NLight Photonics Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Electrically isolated corner stiffener

Номер патента: WO2019074806A1. Автор: Prasad Raghavendra,Chandrashekar Gernipalli Subba. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-04-18.

Electrically isolating polymer composition

Номер патента: US09978479B2. Автор: Dean Michael Thelen,Arthur Winston Martin,Shawn Michael O'Malley,Lenwood Lynell Fields. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Touch sensor electrode with patterned electrically isolated regions

Номер патента: US09529481B2. Автор: Brock A. Hable,Billy L. Weaver,Roger W. Barton,Matthew W. Gorrell. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Electrical isolating switch

Номер патента: GB2129617A. Автор: Robert Charles Harrington. Владелец: Scott L & Electromotors Ltd. Дата публикации: 1984-05-16.

Auto-extending/retracting electrically isolated conductors in a segmented drill string

Номер патента: US20060124291A1. Автор: Albert Chau. Владелец: Merlin Technology Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Battery Pack with Segmented, Electrically Isolated Heat Sink

Номер патента: US20160093930A1. Автор: Benson Tsai,Richard Biskup. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Energy storage system with improved thermal and electrical isolating properties

Номер патента: WO2024036398A1. Автор: Thorsten Sauer. Владелец: MAGNA POWERTRAIN INC.. Дата публикации: 2024-02-22.

Energy storage device with electrically isolated sleeve housing closed with two separate end caps integrated with the current terminals

Номер патента: WO2024050625A1. Автор: Mitchell Miller,Ali Khosrozadeh,Behzad GORJI POUR SHAFIEE. Владелец: Atlas Power Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Electrical isolating device

Номер патента: GB2470079A. Автор: Martien Rijssemus. Владелец: Technetix Group Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Implantable medical devices with electrically isolated batteries in a separate enclosure

Номер патента: WO2016077295A2. Автор: Erik J. Hovland,Gordon O. Munns,Rajesh V. Iyer,Wesley A. Santa,Steven J. May. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2016-05-19.

An electrical isolator

Номер патента: CA2804380C. Автор: Brett Alexander Watson. Владелец: Siemens Ltd Australia. Дата публикации: 2018-01-16.

Battery powered devices with electrically isolated outputs

Номер патента: US11705097B2. Автор: David E. Christian,Paul E. Christian. Владелец: Cb Technology LLC. Дата публикации: 2023-07-18.

Electrically isolating vertical-emitting devices

Номер патента: US20200313401A1. Автор: Albert Yuen. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

Electrical isolator

Номер патента: US20200321148A1. Автор: James William Bernard,Ioannis GIANNAKOPOULOS,Jon Pethick,Dale FAULKNER,Paul Peacock. Владелец: Crompton Technology Group Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Electrical isolation system for the mast and shrouds of a sailboat

Номер патента: US4291639A. Автор: Glenn A. Burdick. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-09-29.

Mechanical-load bearing and electrically isolating mechanical connection

Номер патента: CA2908229C. Автор: Vladimir Danov,Andreas Koch,Manfred Wohlfart. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-09-20.

Data access arrangement using a high frequency transformer for electrical isolation

Номер патента: WO2003098644A3. Автор: Ping Dong,Jordan C Cookman. Владелец: ESS Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Data access arrangement using a high frequency transformer for electrical isolation

Номер патента: WO2003098644A2. Автор: Ping Dong,Jordan C. Cookman. Владелец: ESS Technology, Inc.. Дата публикации: 2003-11-27.

Data access arrangement using a high frequency transformer for electrical isolation

Номер патента: EP1504543A4. Автор: Ping Dong,Jordan C Cookman. Владелец: ESS Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-27.

Spark plug design having two electrically isolated center electrodes

Номер патента: CA1062567A. Автор: Lawrence R. Lentz. Владелец: Champion Spark Plug Co. Дата публикации: 1979-09-18.

Electrical isolator

Номер патента: CA3215432A1. Автор: Ian Thomas CHASE,Darcy John O'GARA,Miguel Palacios. Владелец: Crompton Technology Group Ltd. Дата публикации: 2017-04-08.

Electrically isolating polymer composition

Номер патента: EP2401309A2. Автор: Arthur W. Martin,Dean M. Thelen,Shawn M. O'malley,Lenwood L. Fields. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-01-04.

Electrically isolating polymer composition

Номер патента: WO2010099254A2. Автор: Arthur W. Martin,Dean M. Thelen,Shawn M. O'malley,Lenwood L. Fields. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-09-02.

Electrical isolator

Номер патента: CA2941751C. Автор: Ian Thomas CHASE,Darcy John O'GARA,Miguel Palacios. Владелец: Crompton Technology Group Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Selective oxidation of carbon oxide versus hydrogen with help of catalytically active gold

Номер патента: RU2386194C1. Автор: Марвин Е. ДЖОНС,Ларри А. БРЕЙ,Томас Е. ВУД,Дуан Д. ФАНСЛЕР,Джина М. БУЦЦЕЛЛАТО,Гезахегн Д. ДАМТЕ,Марк Е. МУЭЛЛЕР. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2010-04-10.

Multi-active-region cascaded bragg reflection waveguide edge-emitting diode laser

Номер патента: US20240088624A1. Автор: Lijun Wang,Lijie Wang,Cunzhu Tong,Hangyu PENG. Владелец: Jlight Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Quantum cascade laser design with stepped well active region

Номер патента: US09548590B2. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine Genevieve Caneau. Владелец: Thorlabs Quantum Electronics Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) with cascaded active region

Номер патента: US20240235160A9. Автор: Elad Mentovich,Tamir Sharkaz,Yuri Berk,Vladimir lakovlev. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-junction VCSEL with compact active region stack

Номер патента: US11757256B2. Автор: Giuseppe Tandoi. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Bipolar plate having duct divisions present in the active region, and a fuel cell stack

Номер патента: US20230378484A1. Автор: Sebastian Voigt,Oliver Keitsch,Armin Siebel,Fabian Lippl. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-11-23.

Multi-active-region cascaded semiconductor laser

Номер патента: EP4020725A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Shaoyang TAN,Quanling LI. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-29.

Quantum cascade laser design with stepped well active region

Номер патента: EP2786458A1. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine G. Caneau. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-10-08.

Quantum cascade laser design with stepped well active region

Номер патента: WO2013082070A1. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine G Caneau. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-06.

Quantum cascade laser system with angled active region

Номер патента: US11757251B2. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-09-12.

Process for the catalytic oxidation of carbon monoxide

Номер патента: CA1103900A. Автор: Otto J. Adlhart,Johann G.E. Cohn,Asmund A. Boyum. Владелец: Engelhard Minerals and Chemicals Corp. Дата публикации: 1981-06-30.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: US20040120377A1. Автор: John Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Heterostructure diode injection laser having a constricted active region

Номер патента: CA1096962A. Автор: Peter S. Zory, Jr.,Martin B. Small. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-03-03.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) with cascaded active region

Номер патента: US20240136795A1. Автор: Elad Mentovich,Tamir Sharkaz,Yuri Berk,Vladimir lakovlev. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Strain-engineered cladding layer for optimized active region strain and improved laser diode performance

Номер патента: US20220368108A1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: EP1362395B1. Автор: John Haig Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2005-04-13.

Strain-engineered cladding layer for optimized active region strain and improved laser diode performance

Номер патента: WO2021067033A1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: nLIGHT, Inc.. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of fabricating active layers in a laser utilizing InP-based active regions

Номер патента: US20040165631A1. Автор: YING-LAN Chang,Ashish Tandon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Long wavelength VCSEL active region using Sb in GaAsN barrier layers and InGaAsN quantum wells

Номер патента: US20050243888A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Catalyst and method for selectively oxidizing carbon monoxide in hydrogen-containing gas and solid polymer electrolyte-type fuel cell system using such catalyst

Номер патента: US6562499B1. Автор: Takashi Ito,Takahiro Naka,Shoji Isobe,Masako Takayama,Osamu Usaka,Katsumi Kurabayashi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-13.

Semiconductor laser with active layer having a radiation emitting active region therein which extends through and is bounded by a current limiting blocking layer

Номер патента: US4819243A. Автор: Jan Opschoor. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Quantum cascade laser with angled active region and related methods

Номер патента: US20180048118A1. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2018-02-15.

Method for making quantum cascade laser with angled active region

Номер патента: US20190260181A1. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2019-08-22.

Quantum cascade laser system with angled active region

Номер патента: US20200395736A1. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2020-12-17.

Quantum cascade laser system with angled active region

Номер патента: US20230131797A1. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-04-27.

QCL with wide active region and thinned stages and related methods

Номер патента: US10673209B2. Автор: Arkadiy Lyakh,Matthew Suttinger. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2020-06-02.

Qcl with wide active region and thinned stages and related methods

Номер патента: US20190115727A1. Автор: Arkadiy Lyakh,Matthew Suttinger. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2019-04-18.

Quantum well active region with three dimensional barriers and fabrication

Номер патента: WO2009023046A2. Автор: Victor C. Elarde,James J. Coleman. Владелец: The Board Of Trustees Of The University Of Illionis. Дата публикации: 2009-02-19.

Quantum well active region with three dimensional barriers and fabrication

Номер патента: WO2009023046A3. Автор: James J Coleman,Victor C Elarde. Владелец: Victor C Elarde. Дата публикации: 2009-04-16.

Antenna elements and apparatus suitable for aas calibration by selective couplerline and trx rf subgroups

Номер патента: WO2017202536A1. Автор: Risto Tapani MARTIKKALA,Asko Heikki NYKANEN. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2017-11-30.

Antenna elements and apparatus suitable for aas calibration by selective couplerline and trx rf subgroups

Номер патента: EP3465822A1. Автор: Risto Tapani MARTIKKALA,Asko Heikki NYKANEN. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2019-04-10.

Electro-optical device with lateral active regions

Номер патента: US20190252860A1. Автор: Lukas Czornomaz,Stefan Abel,Bert Jan Offrein,Charles CAER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Electro-optical device with lateral active regions

Номер патента: US20190252859A1. Автор: Lukas Czornomaz,Stefan Abel,Bert Jan Offrein,Charles CAER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method and apparatus for electrical, mechanical and thermal isolation of superconductive magnets

Номер патента: WO2010035246A3. Автор: Devlin Baker,Daniel Bateman. Владелец: Daniel Bateman. Дата публикации: 2010-07-22.

Method and apparatus for electrical, mechanical and thermal isolation of superconductive magnets

Номер патента: EP2351054A2. Автор: Devlin Baker,Daniel Bateman. Владелец: Magnetic-Electrostatic Confinement (Mec) Corp. Дата публикации: 2011-08-03.

Magnetic isolation of power sourcing equipment control circuitry

Номер патента: WO2008100987A2. Автор: Steven Andrew Robbins. Владелец: LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2008-08-21.

Electronic package including cavity formed by removal of sacrificial material from within a cap

Номер патента: US10574202B2. Автор: Atsushi Takano,Ichiro Kameyama,Mitsuhiro Furukawa,Tetsuya Uebayashi. Владелец: Skyworks Filter Solutions Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Selective solid-state isolation of NMR circuit elements using back-to-back field effect transistors

Номер патента: US12066588B2. Автор: David Walsh,Elliot Grunewald. Владелец: VISTA CLARA Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and apparatus for providing electrical isolation

Номер патента: US09606567B2. Автор: Thierry Sicard,Philippe PERRUCHOUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Electrically Isolating Support Element

Номер патента: US20230189403A1. Автор: Amirhossein AHADI,George Lynch,Aarik Subramanyam. Владелец: Kelvin Thermal Energy Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Electrically isolating support element

Номер патента: WO2022040800A1. Автор: Amirhossein AHADI,George Lynch,Aarik Subramanyam. Владелец: Kelvin Thermal Energy Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

High voltage isolation using discrete non-isolated devices and electrically isolating, thermally conductive substrate

Номер патента: US20220385081A1. Автор: Wensong Yu,Dakai WANG,Srdjan Miodrag Lukic. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2022-12-01.

Method And Arrangement For Facilitating Clearing Of A Pole Fault And Isolation Of A Faulted Pole In A Power Transmission System

Номер патента: US20180287371A1. Автор: Ying Jiang-Hafner,Sören NYBERG,Yifan JIA. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-10-04.

System and method for converting a signal while maintaining electrical isolation

Номер патента: US09379635B2. Автор: Vijay K. Earanky. Владелец: Regal Beloit America Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Flexible electrical isolation device

Номер патента: US09882360B2. Автор: Michael Howard Boudreau,Jody Milton Greer,Robert Wayne Palmer,David Karl Wabnegger. Владелец: Quanta Associates LP. Дата публикации: 2018-01-30.

Flexible electrical isolation device

Номер патента: US09478952B2. Автор: Michael Howard Boudreau,Jody Milton Greer,Robert Wayne Palmer,David Karl Wabnegger. Владелец: Quanta Associates LP. Дата публикации: 2016-10-25.

Electrical isolators

Номер патента: US8847574B2. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,William Michael James Holland,Iain Barnett. Владелец: Broadcom Europe Ltd. Дата публикации: 2014-09-30.

Electrical isolators

Номер патента: WO2011036490A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,William Michael James Holland,Iain Barnett. Владелец: Gigle Networks Limited. Дата публикации: 2011-03-31.

Electrical isolation in transferring power and data signals between completion systems in a downhole environment

Номер патента: WO2020131065A1. Автор: Thomas Jules FROSELL,Michael Linley Fripp. Владелец: Halliburton Energy Services, Inc.. Дата публикации: 2020-06-25.

Multi-grounded neutral electrical isolation between utility secondary low-voltage power service and high-voltage transmission structures

Номер патента: US6108180A. Автор: Bruce E. Wilson,Juan L. Severino,Randall K. Hamilton. Владелец: Wilson Hamilton and Severino Engineers LLC. Дата публикации: 2000-08-22.

System for electrically isolating a bus bar in a bus bar vault

Номер патента: US20240348018A1. Автор: Matthew DeLiso,Matthew Seiling. Владелец: Consolidated Edison Company of New York Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Combining power from electrically isolated power paths for powering remote units in a distributed antenna system(s) (DASs)

Номер патента: US09813982B2. Автор: Ami Hazani,Shlomo Zilberman. Владелец: Corning Optical Communications Wireless Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Combining power from electrically isolated power paths for powering remote units in a distributed antenna system(s) (DASs)

Номер патента: US09785175B2. Автор: Ami Hazani,Shlomo Zilberman. Владелец: Corning Optical Communications Wireless Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Double-insulated electrical isolation and distribution enclosure

Номер патента: GB201205157D0. Автор: . Владелец: Control Systems & Equipment Ltd. Дата публикации: 2012-05-09.

Selective solid-state isolation of circuit elements

Номер патента: US20230221455A1. Автор: David Walsh,Elliot Grunewald. Владелец: VISTA CLARA Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Power supply with means for electrically coupling a common ground electrical potential of a power supply circuit to, or electrically isolating the common ground electrical potential from, an earth grounded chassis

Номер патента: WO2001082667A3. Автор: Alan Beck,Peter Heffernan,Thiagarajan Natarajan. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-03-28.

Power supply with means for electrically coupling a common ground electrical potential of a power supply circuit to, or electrically isolating the common ground electrical potential from, an earth grounded chassis

Номер патента: WO2001082667A2. Автор: Alan Beck,Peter Heffernan,Thiagarajan Natarajan. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2001-11-01.

Power supply with means for electrically coupling a common ground electrical potential of a power supply circuit to, or electrically isolating the common ground electrical potential. from, an earth grounded chassis

Номер патента: EP1275279A2. Автор: Alan Beck,Peter Heffernan,Thiagarajan Natarajan. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Electrical isolation and distribution enclosure

Номер патента: GB201216299D0. Автор: . Владелец: Control Systems & Equipment Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Mechanically coupled electrical isolator including multi-output stabilization

Номер патента: CA1189155A. Автор: Michael G.C. Taylor. Владелец: GTE Atea NV SA. Дата публикации: 1985-06-18.

Electrically isolated power and data coupling system suitable for portable equipment

Номер патента: EP1554792A1. Автор: Clifford Mark Kelly,John Kenneth Fitch. Владелец: Draeger Medical Systems Inc. Дата публикации: 2005-07-20.

Electrically isolating support element

Номер патента: EP4205504A1. Автор: Amirhossein AHADI,George Lynch,Aarik Subramanyam. Владелец: Kelvin Thermal Energy Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Systems and methods for coupling electrically isolated sections of an electronic device

Номер патента: US09788443B2. Автор: Daniel William Jarvis. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Intelligent door lock system with faceplate and/or ring electrically isolated from circuit

Номер патента: US09470017B1. Автор: Jason Johnson,Shih Yu Thomas Cheng,Christopher Kim,Joseph Aranda. Владелец: August Home Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Co-operating electrical isolation and thermal interface layers in a high voltage power converter

Номер патента: US11855551B1. Автор: Claus Müller,Uwe Waltrich,Stanley BUCHERT,Marco BOHLLÄNDER. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd & Co Kg B. Дата публикации: 2023-12-26.

Co-operating electrical isolation and thermal interface layers in a high voltage power converter

Номер патента: US20240014745A1. Автор: Claus Müller,Uwe Waltrich,Stanley BUCHERT,Marco BOHLLÄNDER. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2024-01-11.

Method and apparatus for mechanically coupling a motor to an electrically isolated pump

Номер патента: EP3739730A1. Автор: Andrew Henry,Brian Bornemann. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2020-11-18.

Flexible electrical isolation device

Номер патента: AU2018202511A1. Автор: Michael Howard Boudreau,Jody Milton Greer,Robert Wayne Palmer,David Karl Wabnegger. Владелец: Quanta Associates LP. Дата публикации: 2018-05-10.

Efficient electrically isolated light sources

Номер патента: CA2718819C. Автор: Gregory Bernard Sheehan,Miroslaw Marek Grotkowski. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2019-02-26.

Dynamical isolation of a cryogenic processor

Номер патента: US11874344B2. Автор: Andrew J. Berkley,Jed D. Whittaker,Loren J. Swenson,Mark H. Volkmann,George E. G. Sterling. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Electrically Isolated Push-to-Talk Devices

Номер патента: US20170279484A1. Автор: Colin Oetken,Ramon Campbell. Владелец: Black Diamond Advanced Technology LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Electronics including electrical isolation

Номер патента: CA3094062C. Автор: Brian T. Smith. Владелец: Micro Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Voltage regulator with electrically isolated output stage

Номер патента: US4224562A. Автор: Ralph E. Scheidler. Владелец: Sure Power Products Inc. Дата публикации: 1980-09-23.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: EP4364543A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: AU2021454099A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Electrical isolators

Номер патента: EP2465207A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,William Michael James Holland,Iain Barnett. Владелец: Gigle Networks Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier

Номер патента: US20070086274A1. Автор: Ken Nishimura,Stephen Gilbert,John Larson. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Method and arrangement for facilitating clearing of a pole fault and isolation of a faulted pole in a power transmission system

Номер патента: WO2017063664A1. Автор: Ying Jiang-Hafner,Sören NYBERG,Yifan JIA. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-04-20.

Electrical isolation between IR receiver and further electronic circuits

Номер патента: US6384946B1. Автор: Robert Alan Pitsch,Nancy Dawn Boettner,John Palmer Manning,Carlton Jethro Simmons, Jr.,Albert Louis Doyle. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2002-05-07.

Electrical isolation device

Номер патента: US5574610A. Автор: Brian R. Pelly,Henry N. Tachick. Владелец: Dairyland Electrical Industries Inc. Дата публикации: 1996-11-12.

Multidirectional repeater for data transmission between electrically isolated and/or physically different signal transmission media

Номер патента: US5648984A. Автор: Robert S. Kroninger,Clifton C. Powers. Владелец: Alcatel Network Systems Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Heater tube with thermal insulation and electrical isolation

Номер патента: US20230397665A1. Автор: Michel BESSANT,Johannes Petrus Maria Pijnenburg,Jun WEI YIM,Silviu Natanael PANTEA,Grégori ISCHI,Omar Rispoli,Marco DELL’ANNA,Stefano Piccin,Sandro Sartor. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2023-12-14.

Heater tube with thermal insulation and electrical isolation

Номер патента: EP4238391A1. Автор: Michel BESSANT,Johannes Petrus Maria Pijnenburg,Jun WEI YIM,Silviu Natanael PANTEA,Grégori ISCHI,Omar Rispoli,Stefano Piccin,Sandro Sartor,Marco DELL'ANNA. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2023-09-06.

Integrated assemblies which include metal-containing interconnects to active-region pillars, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: WO2020117337A1. Автор: Arzum F. Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

Integrated circuit memory system with dummy active region

Номер патента: US20070207558A1. Автор: Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Donghua Liu,Ching Dong Wang,Swee Tuck Woo,Louis Yoke Leng Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

Integrated circuit memory system with dummy active region

Номер патента: SG135159A1. Автор: Liu Donghua,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,Jung Sung Mung,Wang Ching Dong,Lim Yoke Leng Louis. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-09-28.

Integrated circuit memory system with dummy active region

Номер патента: US7332378B2. Автор: Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Donghua Liu,Ching Dong Wang,Swee Tuck Woo,Louis Yoke Leng Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

SRAM cell layout including arrangement of multiple active regions and multiple gate regions

Номер патента: US11758707B2. Автор: Kedar Janardan Dhori,Shafquat Jahan Ahmed. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-09-12.

Fluidic device with fluid port orthogonal to functionalized active region

Номер патента: US20240230593A1. Автор: Rio Rivas,Gernot Fattinger. Владелец: Zomedica Biotechnologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Acoustic wave resonator with fractal active region and method of forming it

Номер патента: WO2023235645A1. Автор: Thomas A. Winslow,Rathnait LONG,Mihir S. PATEL,Douglas J. CARLSON. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-12-07.

PRAMs having a plurality of active regions located vertically in sequence and methods of forming the same

Номер патента: US20060076548A1. Автор: Kyu-Chul Kim,Jae-Hyun Park,Hyeong-Geun An,Yoon-Jong Song,Su-Jin Ahn,Hyung-Joo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

Virtual reality floor mat activity region

Номер патента: US20190302879A1. Автор: Julia Schwarz,Jason Michael RAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-10-03.

Optimizing server delivery of content by selective inclusion of optional data based on optimization criteria

Номер патента: US20120124132A1. Автор: Taylor S. Gautier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Optimizing server delivery of content by selective inclusion of optional data based on optimization criteria

Номер патента: EP1106007A1. Автор: Taylor S. Gautier. Владелец: Geoworks Corp. Дата публикации: 2001-06-13.

Optimizing Server Delivery Of Content By Selective Inclusion Of Optional Data Based On Optimization Criteria

Номер патента: US20130275499A1. Автор: Taylor S. Gautier. Владелец: MOUNT HAMILTON PARTNERS LLC. Дата публикации: 2013-10-17.

Optimizing server delivery of content by selective inclusion of optional data based on optimization criteria

Номер патента: US20120096117A1. Автор: Taylor S. Gautier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

Optimizing server delivery of content by selective inclusion of optional data based on optimization criteria

Номер патента: US09560113B2. Автор: Taylor S. Gautier. Владелец: Allied Security Trust. Дата публикации: 2017-01-31.

Fluidic device with fluid port orthogonal to functionalized active region

Номер патента: US11940415B2. Автор: Rio Rivas,Gernot Fattinger. Владелец: Zomedica Biotechnologies LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor structure having word lines intersect with active regions

Номер патента: US11980024B2. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

A method of providing video content to a production studio by selecting an input video stream from a plurality of wireless video cameras, as well as a corresponding stream controller

Номер патента: US20220264157A1. Автор: Mohamed Ibrahim,Thorsten Lohmar,Ali El Essaili. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-08-18.

A method of providing video content to a production studio by selecting an input video stream from a plurality of wireless video cameras, as well as a corresponding stream controller

Номер патента: EP3984236A1. Автор: Mohamed Ibrahim,Thorsten Lohmar,Ali El Essaili. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-04-20.

Method of providing video content to a production studio by selecting an input video stream from a plurality of wireless video cameras, as well as a corresponding stream controller

Номер патента: US12010354B2. Автор: Mohamed Ibrahim,Thorsten Lohmar,Ali El Essaili. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-06-11.

A method of providing video content to a production studio by selecting an input video stream from a plurality of wireless video cameras, as well as a corresponding stream controller

Номер патента: WO2020249233A1. Автор: Mohamed Ibrahim,Thorsten Lohmar,Ali El Essaili. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2020-12-17.

Small cell base station comprising multiple antennas, and a method of controlling reception pattern by selecting a subset of the antennas for use

Номер патента: US20140141791A1. Автор: Rouzbeh Razavi,Holger Claussen. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2014-05-22.

Methods and devices for transmission by selecting between uplink resources

Номер патента: US12089188B2. Автор: Benoist Sebire,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods and devices for transmission by selecting between uplink resources

Номер патента: EP4415464A2. Автор: Benoist Sebire,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-08-14.

Systems and methods for achieving ad avoidance by selectively switching media streams

Номер патента: US09788024B1. Автор: William L. Thomas,Ti-Shiang Wang. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Small cell base station comprising multiple antennas, and a method of controlling reception pattern by selecting a subset of the antennas for use

Номер патента: US09451623B2. Автор: Rouzbeh Razavi,Holger Claussen. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2016-09-20.

Video slice and active region based dual partial encryption

Номер патента: CA2746510C. Автор: Brant L. Candelore,Henry Derovanessian,Leo M. Pedlow, JR.. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2014-09-16.

Video content activity regions

Номер патента: US20190370552A1. Автор: Fabian Nater,Gaurav Bradoo,Rahim KA,Tingshan Gou. Владелец: Logitech Europe SA. Дата публикации: 2019-12-05.

Cavities and active regions

Номер патента: US20220030350A1. Автор: John Fitzgerald Coakley,Claudia Sofia LEHMANN FERNANDEZ. Владелец: Carbon Air Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Cavities and active regions

Номер патента: EP3887036A1. Автор: John Fitzgerald Coakley,Claudia Sofia LEHMANN FERNANDEZ,Aaron William THORNTON. Владелец: Carbon Air Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Cavities and active regions

Номер патента: EP3887035A1. Автор: John Fitzgerald Coakley,Claudia Sofia LEHMANN FERNANDEZ. Владелец: Carbon Air Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Arithmetic coding data compression/de-compression by selectively employed, diverse arithmetic coding encoders and decoders

Номер патента: CA1292070C. Автор: Joan L. Mitchell,William B. Pennebaker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-11-12.

Reduction of the attack surface by selectively deploying applications on host computers

Номер патента: KR20220134610A. Автор: 미카엘 부 르,하니 탈랄 잼줌,이안 마이클 몰로이. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2022-10-05.

Methods and devices for transmission by selecting between uplink resources

Номер патента: US20230337190A1. Автор: Benoist Sebire,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-10-19.

Reducing attack surface by selectively collocating applications on host computers

Номер патента: US20210306367A1. Автор: Ian Michael Molloy,Hani Talal Jamjoom,Michael Vu Le. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Reducing attack surface by selectively collocating applications on host computers

Номер патента: CA3165559A1. Автор: Ian Michael Molloy,Hani Talal Jamjoom,Michael Vu Le. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Reducing attack surface by selectively collocating applications on host computers

Номер патента: AU2021244987A1. Автор: Ian Michael Molloy,Hani Talal Jamjoom,Michael Vu Le. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Reducing attack surface by selectively collocating applications on host computers

Номер патента: EP4127997A1. Автор: Ian Michael Molloy,Hani Talal Jamjoom,Michael Vu Le. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-08.

Reducing attack surface by selectively collocating applications on host computers

Номер патента: WO2021191014A1. Автор: Ian Michael Molloy,Hani Talal Jamjoom,Michael Vu Le. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-09-30.

Reducing attack surface by selectively collocating applications on host computers

Номер патента: AU2021244987B2. Автор: Ian Michael Molloy,Hani Talal Jamjoom,Michael Vu Le. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods and devices for transmission by selecting between uplink resources

Номер патента: EP3707944A1. Автор: Benoist Sebire,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Reducing attack surface by selectively collocating applications on host computers

Номер патента: CA3165559C. Автор: Ian Michael Molloy,Hani Talal Jamjoom,Michael Vu Le. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Continuous isolation of phthalic anhydride and maleic anhydride from reaction gases

Номер патента: CA1194030A. Автор: Ernest Miesen,Friedrich Wirth,Eckehard Danz,Gerd Duembgen,Johannes E. Schmidt. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1985-09-24.

Wellbore electrical isolation system

Номер патента: US09458676B2. Автор: Jacobo Rogelio Archuleta,Cole Thomas BRINKLEY. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method and apparatus to monitor loss of ground isolation of an electric motor drive circuit

Номер патента: US20110218745A1. Автор: Wei D. Wang,David P. Tasky,Mohammad N. Anwar,S.M. Nayeem Hasan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2011-09-08.

Method of monitoring the operating life of electrical isolation of a transformer

Номер патента: RU2649646C1. Автор: Сергей Сергеевич Малафеев. Владелец: Сергей Сергеевич Малафеев. Дата публикации: 2018-04-04.

System and method for manufacturing electrically isolated connection for electromagnetic gap sub assembly

Номер патента: US20180149297A1. Автор: Garry Holmen,Jeff Payne. Владелец: Multi Shot LLC. Дата публикации: 2018-05-31.

System and method for manufacturing electrically isolated connection for electromagnetic gap sub assembly

Номер патента: US09915387B2. Автор: Garry Holmen,Jeff Payne. Владелец: Multi Shot LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Electrically isolated catheter with wireless sensors

Номер патента: RU2459576C2. Автор: Роналд ДЕККЕР,Анатон Мари Генри ТОМБЕР,Теодорус Мартинус МИЧЕЛЬСЕН. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2012-08-27.

Method of free cyanide regeneration from waters containing thiocyanates and heavy metals, by selective oxidation

Номер патента: RU2654098C1. Автор: Владимир Феофанович Петров,Сергей Владимирович Петров. Владелец: Акционерное общество "Иркутский научно-исследовательский институт благородных и редких металлов и алмазов" АО "Иргиредмет". Дата публикации: 2018-05-16.

Electrical isolation of angle of attack vane bearings

Номер патента: CA2974583C. Автор: William B. Krueger,Richard Alan Schwartz,Kenneth Freeman. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Methods and apparatus for electrically isolating a section of railway track or similar

Номер патента: GB2595905A. Автор: Goodfellow Stephen. Владелец: Siemens Mobility Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Isolation mechanism for electrically isolating controls of boomed apparatus

Номер патента: US7980359B2. Автор: Joshua T. Chard,Edman R. Blair. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Hydrogen gas sensor utilizing electrically isolated tunneling magnetoresistive stress sensing elements

Номер патента: US12066401B2. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Systems and methods for a ring laser gyroscope with electrically isolated dither motor

Номер патента: US09551578B1. Автор: Dean Eivind Johnson,Stephen Matthew Baker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Electrically isolated actuation apparatus

Номер патента: WO1986000582A1. Автор: John C. Paine. Владелец: Caterpillar Industrial Inc.,. Дата публикации: 1986-01-30.

Electrically isolating non-convertible rail button joint

Номер патента: RU2671893C1. Автор: Андрей Евгеньевич Ушаков,Юрий Георгиевич Кленин,Максим Андреевич Хруленко,Михаил Александрович Тимофеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Прикладные перспективные технологии - АпАТэК". Дата публикации: 2018-11-07.

Mechanism and device for left atrial appendage occlusion with electrical isolation

Номер патента: US20210085388A1. Автор: Robert S. Fishel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Electrical contact having electrical isolated members for contacting an electrical component

Номер патента: MY190155A. Автор: Yu Sze Cheung,Kai Fung Lau. Владелец: Asm Tech Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Mechanism and device for left atrial appendage occlusion with electrical isolation

Номер патента: WO2022076258A1. Автор: Robert S. Fishel. Владелец: Fishel Robert S. Дата публикации: 2022-04-14.

Touch sensor with electrically isolated touch regions

Номер патента: US09971444B2. Автор: Alan M. Kuefler,Allen C. Hunt. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2018-05-15.

Electrically connecting electrically isolated printhead die ground networks as flexible circuit

Номер патента: EP2229279A1. Автор: Joseph M. Torgerson,Kevin Bruce,Gregory N. Burton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-09-22.

Electrically connecting electrically isolated printhead die ground networks as flexible circuit

Номер патента: EP2229279A4. Автор: Joseph M Torgerson,Kevin Bruce,Gregory N Burton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-12-22.

Electrically connecting electrically isolated printhead die ground networks at flexible circuit

Номер патента: US20170015099A1. Автор: Joseph M. Torgerson,Kevin Bruce,Gregory N. Burton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-01-19.

Electrically connecting electrically isolated printhead die ground networks at flexible circuit

Номер патента: US20100283818A1. Автор: Joseph M. Torgerson,Kevin Bruce,Gregory N. Burton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-11-11.

Buffered electrical isolator with switched output transistor

Номер патента: EP1719028A2. Автор: Alan D. McNutt,James Allen Knoop. Владелец: Siemens Energy and Automation Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Hydrogen gas sensor utilizing electrically isolated tunneling magnetoresistive sensing elements

Номер патента: US12055605B2. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method to produce electrically isolated or insulated areas in a metal, and a product comprising such area

Номер патента: WO2016190737A2. Автор: Hans Hendrik Wolters,Johannes Kuipers,Sybrandus Jacob Metz. Владелец: Metalmembranes.com B.V.. Дата публикации: 2016-12-01.

Receiver optical subassembly (ROSA) housing with sidewall receptacle to provide electrical isolation between an adjacent transmitter optical subassembly (TOSA) in a transceiver housing

Номер патента: US09915560B2. Автор: Jun Zheng,I-Lung Ho,Kai-Sheng Lin. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Gasket with electrical isolating coatings

Номер патента: US20240344609A1. Автор: Ian Brown,T. Scott TANNER,Ryan Buttimer,Christopher Remley. Владелец: Gpt Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Selective oxidation of graphite from mixture thereof with diamond

Номер патента: GB1115649A. Автор: . Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1968-05-29.

Subassembly electrical isolation connector for drill rod

Номер патента: US6158532A. Автор: Paul L. Camwell,Derek W. Logan,Anthony Robert Dopf. Владелец: Ryan Energy Technologies Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Subassembly electrical isolation connector for drill rod

Номер патента: CA2232213A1. Автор: Paul L. Camwell,Derek W. Logan,Anthony Robert Dopf. Владелец: Ryan Energy Technologies Inc. Дата публикации: 1999-09-16.

Subassembly electrical isolation connector for drill rod

Номер патента: CA2232213C. Автор: Paul L. Camwell,Derek W. Logan,Anthony Robert Dopf. Владелец: Ryan Energy Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-28.

Subassembly electrical isolation connector for drill rod

Номер патента: CA2260307C. Автор: Paul L. Camwell,Derek W. Logan,Anthony Robert Dopf. Владелец: Ryan Energy Technologies Inc. Дата публикации: 2003-12-30.

Isolation mechanism for electrically isolating controls of boomed apparatus

Номер патента: US20080308350A1. Автор: Joshua T. Chard,Edman R. Blair. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Electrically isolated support for overlying mem structure

Номер патента: US20040035205A1. Автор: Murray Rodgers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Electrically isolating baffle for horticulture grow light

Номер патента: US20220151164A1. Автор: Anthony Wendell Vilgiate. Владелец: Cabatech LLC. Дата публикации: 2022-05-19.

Systems for electrically isolating an electronic module from a front windshield and a rear window washer

Номер патента: US09981632B2. Автор: Daniel P. Carlesimo,Marcelo V. Lazarini. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Electrically isolated milk pump

Номер патента: US09765785B2. Автор: Kevin L. Torgerson,Matthew J. Stuessel,Duane F. Sellner,Jeffrey S. Hanson. Владелец: GEA Farm Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for selecting a method for catheter isolation of pulmonary veins in patients with atrial fibrillation

Номер патента: RU2731963C1. Автор: Игорь Александрович Ковалев,Мария Александровна Школьникова,Леонид Сергеевич Коков,Наталья Георгиевна Мокрышева,Виктор Юрьевич КАЛАШНИКОВ,Игорь Алексеевич Хамнагадаев,Сергей Артурович Термосесов,Артем Анатольевич Евмененко,Илья Леонидович Ильич,Игорь Иосифович Хамнагадаев,Наталья Викторовна Тарбаева,Ирина Андреевна Булавина. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Национальный Медицинский Исследовательский Центр Эндокринологии" Министерства Здравоохранения Российской Федерации (Фгбу "Нмиц Эндокринологии" Минздрава России). Дата публикации: 2020-09-09.

Electrically isolated actuation apparatus

Номер патента: CA1235464A. Автор: John C. Paine. Владелец: Caterpillar Industrial Inc. Дата публикации: 1988-04-19.

Electrical isolation connector subassembly for use in directional drilling

Номер патента: CA2420402C. Автор: Michael T. Sutherland,Rishi Gurjar. Владелец: Ryan Energy Technologies Inc. Дата публикации: 2008-01-08.

Electrically isolated tool with failsafe coating

Номер патента: US11772241B2. Автор: James Spaulding,Stephen M. Batsa,Chad Aaron Miley,Rolf DESWARDT. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Composite gesture for switching active regions

Номер патента: US09996242B2. Автор: Shigeaki Nishihashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for regenerating free cyanide by selective oxidation of thiocyanates

Номер патента: RU2650959C2. Автор: Владимир Феофанович Петров,Сергей Владимирович Петров,Евгения Петровна Ольберг. Владелец: Открытое акционерное общество "Иркутский научно-исследовательский институт благородных и редких металлов и алмазов" (ОАО "Иргиредмет"). Дата публикации: 2018-04-18.

Device, adaptable for electric isolation of pulmonary vessels at atrial fibrillation

Номер патента: RU2592785C2. Автор: Джан Баттиста КЬЕРКЬЯ,Энрико ПЕРФЛЕР. Владелец: Атрикат С.Р.Л.. Дата публикации: 2016-07-27.

Electrical isolation connector for electromagnetic gap sub

Номер патента: CA2577734C. Автор: Paul L. Camwell,Derek W. Logan,Anthony R. Dopf,David D. Whalen,Thomas H. Vermeeren. Владелец: Schlumberger Canada Ltd. Дата публикации: 2014-12-02.

Disk drive having an electrically isolated disk stack

Номер патента: US4999724A. Автор: Steven M. Johnson,Jeffrey S. McAllister. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1991-03-12.

A method and system for monitoring electrical isolation

Номер патента: GB2544610A. Автор: A Rodrigues Olsen,D Clements Neal,D Wanner Kent. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2017-05-24.

Temperature limited heater with a conduit substantially electrically isolated from the formation

Номер патента: CA2626969C. Автор: Harold J. Vinegar,Chester Ledlie Sandberg. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2014-06-10.

Domestic appliance having electrically isolated input control circuitry

Номер патента: CA2032966C. Автор: Peter Muller,Ralf-Jürgen Striek. Владелец: Coca Cola Co. Дата публикации: 2000-09-12.

High pressure electrical isolation flange gasket

Номер патента: US4406467A. Автор: Gary A. Kohn,Edward D. Burger. Владелец: Atlantic Richfield Co. Дата публикации: 1983-09-27.

Domestic appliance having electrically isolated input control circuitry

Номер патента: US5144543A. Автор: Peter Muller,Ralf-Jürgen Striek. Владелец: Coca Cola Co. Дата публикации: 1992-09-01.

Electrically isolated adapter

Номер патента: CA3100287C. Автор: Pierre Mesnil,Rolf Reitz De Swardt. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2023-02-21.

Drill bit assembly having electrically isolated gap joint for electromagnetic telemetry

Номер патента: CA2795482C. Автор: Brian Clark,Reza Taherian,Derek Logan,Rob Utter,Tony Dopf,Aaron Logan,Garry Holmen. Владелец: Schlumberger Canada Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Mechanism and device for left atrial appendage occlusion with electrical isolation

Номер патента: EP4225159A1. Автор: Robert S. Fishel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-16.

Electrically isolating, fire-safe sealing element

Номер патента: MY191144A. Автор: Varela Edward,Kristopher Kolb Steven,David Denham Jayson,A Jenkins Willie,D Kramer Benjamin. Владелец: Lgc Us Asset Holdings Llc. Дата публикации: 2022-06-01.

Load insulator for electrically isolating a lifting device from a load

Номер патента: GB2274899A. Автор: Michael Oppen Pratt Hugh. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-08-10.

Electrically isolating, fire-safe sealing element

Номер патента: CA2953900C. Автор: Steven Kristopher Kolb,Jayson David Denham,Willie A. Jenkins,Benjamin D. Kramer,Edward VARELA. Владелец: Lgc Us Asset Holdings Llc. Дата публикации: 2021-09-07.

Electrically isolated power and signal coupler system for a patient connected device

Номер патента: US6819013B2. Автор: Tomas Russ,Scott Newell,Clifford Mark Kelly. Владелец: Draeger Medical Systems Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

System and method to switch between electrically isolated welding output studs by sensing an electrode touch

Номер патента: EP3808489A1. Автор: Alexander C. Mehlman. Владелец: Lincoln Global Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Gasket with electrical isolating coatings

Номер патента: US11898637B2. Автор: Ian Brown,T. Scott TANNER,Ryan Buttimer,Christopher Remley. Владелец: Gpt Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Electrode assembly for applying tumor treating fields (ttfields) that includes a plurality of thermally linked but electrically isolated graphite sheets

Номер патента: WO2024003791A1. Автор: Yoram Wasserman,David Shapiro,Stas OBUCHOVSKY,Nataliya KUPLENNIK. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-01-04.

Microfabricated ultrasonic transducer having individual cells with electrically isolated electrode sections

Номер патента: EP3642611A1. Автор: Keith G. Fife,Susan A. Alie,Joseph Lutsky,David Grosjean. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2020-04-29.

Method to produce electrically isolated or insulated areas in a metal, and a product comprising such area

Номер патента: EP3303661A2. Автор: Hans Hendrik Wolters,Johannes Kuipers,Sybrandus Jacob Metz. Владелец: METALMEMBRANESCOM BV. Дата публикации: 2018-04-11.

Microfabricated ultrasonic transducer having individual cells with electrically isolated electrode sections

Номер патента: US20190160490A1. Автор: Keith G. Fife,Susan A. Alie,Joseph Lutsky,David Grosjean. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Electrically isolated tool with non-conductive torque transfer component

Номер патента: US11772248B2. Автор: James Spaulding,Stephen M. Batsa,Chad Aaron Miley,Rolf DESWARDT. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Electrode Assembly for Applying Tumor Treating Fields (TTFields) that Includes a Plurality of Thermally Linked but Electrically Isolated Graphite Sheets

Номер патента: US20240001111A1. Автор: Yoram Wasserman,David Shapiro,Stas OBUCHOVSKY,Nataliya KUPLENNIK. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-01-04.

Initialization and power fail isolation of a memory module in a system

Номер патента: US11928042B2. Автор: George Vergis,Dat T. LE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Electrically connecting electrically isolated printhead die ground networks at flexible circuit

Номер патента: US9555630B2. Автор: Joseph M. Torgerson,Kevin Bruce,Gregory N. Burton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-01-31.

Linear led lamp tube with one or more electrically isolated pins

Номер патента: US20200348011A1. Автор: Brian Halliwell. Владелец: Feit Electric Co Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of specific isolation of complete dna-content of bacterial pathogens

Номер патента: RU2567809C2. Автор: Габор КИШШ,Янош Кишш,Каталин СТАНЧИК,Георгина БЕРНАТ. Владелец: ДИАГОН Кфт.. Дата публикации: 2015-11-10.

Table saw with electrically isolated arbor shaft

Номер патента: AU2016229006A1. Автор: Brian Taylor,Timothy Szweda,Robert Doumani,Eric LALIBERTE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-10-05.

Inkjet printhead having thermal bend actuator heating element electrically isolated from nozzle chamber ink

Номер патента: CA2458596A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: Kia Silverbrook. Дата публикации: 2003-03-06.

Fast detaching electrically isolated implant

Номер патента: CA2301808C. Автор: Michael P. Wallace,Erik T. Engelson,Chad C. Roue,Mehran Bashiri,Pete Phong Pham,Cong Thach. Владелец: Boston Scientific Ltd Barbados. Дата публикации: 2008-08-05.

Inkjet printhead having thermal bend actuator heating element electrically isolated from nozzle chamber ink

Номер патента: CA2458596C. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2007-01-09.

Electrostatic microactuator with electrically isolated movable portion and associated drive circuitry

Номер патента: US20040160702A1. Автор: Henry Yang,Toshiki Hirano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Systems for electrically isolating an electronic module from a front windshield and a rear window washer

Номер патента: US20180029562A1. Автор: Daniel P. Carlesimo,Marcelo V. Lazarini. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of oxidation of h2s to sulfur

Номер патента: RU2142403C1. Автор: Филипп Андре,Нугеред Жан,Савен-Понсе Сабин. Владелец: ЭЛФ Эксплорасьон Продюксьон. Дата публикации: 1999-12-10.

Catalyst for selective oxidation of carbon monoxide in mixture with ammonia and method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2515529C1. Автор: Леонид Модестович Кустов,Ольга Алексеевна Кириченко,Елена Андреевна Редина,Николай Алексеевич Давшан. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН). Дата публикации: 2014-05-10.

Catalyst for selective oxidation of carbon monoxide in mixture with ammonia and method for production thereof

Номер патента: RU2515514C1. Автор: Леонид Модестович Кустов,Ольга Алексеевна Кириченко,Елена Андреевна Редина,Николай Алексеевич Давшан. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН). Дата публикации: 2014-05-10.

Electronic circuit having electrically isolated digital and analog circuitry

Номер патента: US5621347A. Автор: Akira Ito,Hiroyuki Saito,Yoichi Seki. Владелец: Seiko Precision Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Electrically isolated strain gage assembly

Номер патента: US4157032A. Автор: Richard R. Schaberg. Владелец: Gould Inc. Дата публикации: 1979-06-05.

Electrically isolated fastener driving device

Номер патента: US11865675B2. Автор: Timothy Edward Heitkamp. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Electrically isolating a system from an external power source

Номер патента: US20120017103A1. Автор: Benjamin Abraham,Robert Campesi. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-01-19.

Fault injection of finfet devices

Номер патента: US20140282332A1. Автор: Atul Katoch,Cormac Michael O'CONNELL,Saman M. I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Selective oxidative coupling

Номер патента: US4914252A. Автор: Michael E. Landis,Pochen Chu. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1990-04-03.

Active region adaptations for design domains in topology optimizations

Номер патента: US11914934B2. Автор: Lucia MIRABELLA,Suraj Ravi MUSUVATHY,Yu-Chin Chan. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

A protection set used in the production of electrically isolated bearings

Номер патента: EP3302823A1. Автор: Hamdullah MERDANE. Владелец: Ortadogu Rulman Sanayi Ve Ticaret AS. Дата публикации: 2018-04-11.

Active region adaptations for design domains in topology optimizations

Номер патента: WO2020055516A1. Автор: Lucia MIRABELLA,Suraj Ravi MUSUVATHY,Yu-Chin Chan. Владелец: Siemens Industry Software Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

Active region adaptations for design domains in topology optimizations

Номер патента: EP3834120A1. Автор: Lucia MIRABELLA,Suraj Ravi MUSUVATHY,Yu-Chin Chan. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2021-06-16.

Active region adaptations for design domains in topology optimizations

Номер патента: US20210200921A1. Автор: Lucia MIRABELLA,Suraj Ravi MUSUVATHY,Yu-Chin Chan. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for the isolation of stem cells by immuno-labeling with hla/mhc gene product marker

Номер патента: WO2002090511A3. Автор: Itzhak Avital,Daniel Inderbitzin,Walid Arnaout. Владелец: Cedars Sinai Medical Center. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for the isolation of stem cells by immuno-labeling with hla/mhc gene product marker

Номер патента: WO2002090511A2. Автор: Itzhak Avital,Daniel Inderbitzin,Walid Arnaout. Владелец: CEDARS-SINAI MEDICAL CENTER. Дата публикации: 2002-11-14.

Combination apparatus made of sacrificial anode material removably affixed to a shaft of a propeller of an engine of a water craft, the apparatus including removable and replaceable cutting blades

Номер патента: US09988132B1. Автор: Ian Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-05.

Process for selective oxidation of olefins to epoxides

Номер патента: WO2007050678A3. Автор: Bala Subramaniam,Daryle H Busch,Hyun-Jin Lee,Tie-Pan Shi. Владелец: Tie-Pan Shi. Дата публикации: 2007-09-27.

Process for selective oxidation of olefins to epoxides

Номер патента: US20070093666A1. Автор: Bala Subramaniam,Hyun-Jin Lee,Daryle Busch,Tie-Pan Shi. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for selectively oxidizing metals of an alloy

Номер патента: AU2019227094B2. Автор: Maurice-Michael Hannah,Kevin Luttjehuizen. Владелец: Aurum Integra Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Process for the oxidation of primary and secondary alcohols to aldehydes and ketones and for the oxidation of 1,2-diols to α-ketols and α-diketones

Номер патента: US5510538A. Автор: Marco Frigerio,Marco Santagostino,Simona Sputore. Владелец: Sigma Tau Industrie Farmaceutiche Riunite SpA. Дата публикации: 1996-04-23.

Article of footwear having active regions and secure regions

Номер патента: US09961962B2. Автор: Sang Jeong Lee. Владелец: Action Sports Equipment Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Nitroxyl-mediated oxidation of lignin and polycarboxylated products

Номер патента: US09903028B2. Автор: Shannon S. Stahl,Mohammad Rafiee. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-02-27.

Virtual space mapping of a variable activity region

Номер патента: US09399167B2. Автор: John Clavin,Peter Glenn Sarrett,Russell Glaser,Steven Michael Beeman,Scott Henson,Robert Sheldon Walker. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for selective oxidation of 5-hydroxymethylfurfural

Номер патента: RU2703511C2. Автор: Марко МИХОВИЛОВИЧ,Михаэль ШЕН,Стефан ДОЧЕВ. Владелец: Новолана Гмбх. Дата публикации: 2019-10-18.

Method of production of phenol and its derivatives and method of oxidation of benzene and its derivatives

Номер патента: RU2202532C2. Автор: Л.М. Кустов,В.И. Богдан,В.Б. Казанский. Владелец: Институт органической химии им. Зелинского РАН. Дата публикации: 2003-04-20.

Sacrificial layers made from aerogel for manufacturing MEMS devices

Номер патента: EP2450309A3. Автор: James F. Detry. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2014-04-30.

Metal-free oxidation of pyrenes

Номер патента: US20230212102A1. Автор: Dominic V. McGrath,Tarek H. El Assaad. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2023-07-06.

Metal-free oxidation of pyrenes

Номер патента: WO2021252984A1. Автор: Dominic V. McGrath,Tarek H. El Assaad. Владелец: Arizona Board of Regents on Behalf of the University of Arizona. Дата публикации: 2021-12-16.

Main pole layer with at least two sacrificial layers and a gap layer

Номер патента: US09922671B2. Автор: DONG Lin,WEI Tian,Jiaoming Qiu,Venkateswara Rao Inturi,Huaqing Yin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Selective oxidation of carbohydrates

Номер патента: US09751906B2. Автор: Johannes Gerardus De Vries,Andreas Herrmann,Andreas Alexander BASTIAN,Adriaan Jacobus MINNAARD,Manuel Jäger,Aditya Lakshmi Narasimha Raju Gottumukkala. Владелец: Rijksuniversiteit Groningen. Дата публикации: 2017-09-05.

Wet oxidation of biomass

Номер патента: US09458569B2. Автор: Kenn Petersen,Richard Alan Merrill. Владелец: CLEAN-VANTAGE LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Catalyst for selective oxidation of hydrogen sulfide and method of its use

Номер патента: RU2766555C1. Автор: Наиля Самильевна Сакаева,Юлия Сергеевна Чистяченко,Снежана Валерьевна Балина,Кирилл Юрьевич Федотов,Евгений Анатольевич Афиногенов. Владелец: Акционерное общество "Специальное конструкторско-технологическое бюро "Катализатор". Дата публикации: 2022-03-15.

Method of producing at least one end product via partial oxidation and/or oxidation of propylene in ammonia medium

Номер патента: RU2448946C2. Автор: Мартин ДИТЕРЛЕ,Клаус ХЕХЛЕР,Кристоф АДАМИ,Армин ДИФЕНБАХЕР. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2012-04-27.

Liquid-phase oxidation of lower alkanes to oxygen-containing compounds

Номер патента: RU2699672C2. Автор: Алакананда БХАТТАЧАРИИЯ,Джоэл Т. ВАЛЕНГА,Нина Кузнецова. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2019-09-09.

Method of lowering flash point temperature of fixed catalyst bed during synthesis of acrylic acid through two-step method for heterogeneously catalysed gas-phase partial oxidation of propylene

Номер патента: RU2415126C2. Автор: Клаус Йоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ,Мартин ДИТЕРЛЕ,Клаус ХЕХЛЕР,Ульрих ХАММОН,Армин ДИФЕНБАХЕР. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2011-03-27.

Improved catalyst for selective oxidation of hydrogen sulphide

Номер патента: RU2719369C1. Автор: Анне ВАН ВАРНЕРС,Тобиас РУЛОФС. Владелец: Уорли Недерланд Б.В.. Дата публикации: 2020-04-17.

Catalyst for selective oxidation of sulphur compounds

Номер патента: RU2598384C2. Автор: Томас М. МЭЛАНДЖО,Мария Долорес САФРА,Рафаэль РОЛЬДАН. Владелец: Репсоль С.А.. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of producing acrylic acid, method for selective oxidation of carbon monoxide, catalyst for selective oxidation of carbon monoxide, method for production thereof

Номер патента: RU2724109C1. Автор: Иван Николаевич Воропаев,Александр Вячеславович Гордеев,Анастасия Александровна БАБИНА. Владелец: Публичное акционерное общество "СИБУР Холдинг". Дата публикации: 2020-06-22.

Material for processing by selective laser sintering, moulded article obtained therefrom, as well as use in method of selective laser sintering

Номер патента: RU2730334C1. Автор: Максимилиан КУНКЕЛЬ,Манфред ОКСЕНКЮН,Хайнрих ЦАЙНИНГЕР. Владелец: СИМЕНС МОБИЛИТИ ГМБХ. Дата публикации: 2020-08-21.

Selective oxidation of chrysanthemyl alcohol

Номер патента: CA1059531A. Автор: Augustine I. Dalton (Jr.). Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1979-07-31.

Vanadium phosphorous catalysts and process for the selective oxidation of hydrocarbons

Номер патента: CA2122318C. Автор: John Wilhelm Geus,Rudolf Alfred Overbeek. Владелец: Engelhard de Meern BV. Дата публикации: 2005-09-13.

Method and reaction pathway for selectively oxidizing hydrocarbon compounds

Номер патента: US5585515A. Автор: Michael A. Lilga,Donald M. Camaioni. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1996-12-17.

Method utilizing dummy patterns to fabricate active region for stabilizing lithographic process

Номер патента: US20030212981A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Jia-Rong Chiou,Kuong-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Catalysts for selective oxidation of methanol to dimethoxymethane and related methods

Номер патента: US20230372903A1. Автор: Kuo-Wei Huang,Ding-Jier YUAN. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-11-23.

Editing bezier patch by selecting multiple anchor points

Номер патента: US20200388082A1. Автор: Hyunghwan Byun,John W. Peterson. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Methods, systems and device for oxidation of methane to methanol

Номер патента: WO2023196946A3. Автор: Kerry Matthew DOOLEY,James A. DORMAN. Владелец: Board of Supervisors of Louisiana State University and Agricultural and Mechanical College. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for interferential current stimulation by complex active regions

Номер патента: US20170182315A1. Автор: Kou-Chang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-29.

Process for the oxidation of unsaturated aliphatic hydrocarbons

Номер патента: US4420634A. Автор: Franco Codignola,Paolo Gronchi,Paolo Centola,Renato del Rosso. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-12-13.

Selective oxidation using encapsulated catalytic metal

Номер патента: US20200239784A1. Автор: Avelino Corma Canos,Manuel Moliner Marin,Pedro Serna Merino,Jadeene E. Gabay. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2020-07-30.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Mesoporous material and use thereof for the selective oxidation of organic compounds

Номер патента: WO2004026473A1. Автор: Zhiping Shan,Thomas Maschmeyer,Jacobus Cornelis Jansen. Владелец: Abb Lummus Global Inc.. Дата публикации: 2004-04-01.

Catalysts for the selective oxidation of carbon monoxide in hydrogen-containing gases

Номер патента: AU748488B2. Автор: Paulus Johannes De Wild,Michael Johannes Franciscus Maria Verhaak,Dianna Fokelina Bakker. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2002-06-06.

A process for selective oxidation of ortho-cresol and catalyst thereof

Номер патента: WO2021024275A1. Автор: Ganapati Dadasaheb Yadav,Devendra Shriram PISAL. Владелец: Ganapati Dadasaheb Yadav. Дата публикации: 2021-02-11.

Selective oxidation agent of hydrocarbons to synthesis gas based on separate particles of o-carrier and hydrocarbon activator

Номер патента: WO2009064591A3. Автор: Deng-Yang Jan,Bussche Kurt M Vanden,Lisa M King,Joseph A Kocal,Joel T Walenga. Владелец: Joel T Walenga. Дата публикации: 2009-08-13.

Catalyst for the selective oxidation of carbon monoxide and its preparation

Номер патента: WO2001017681A2. Автор: Olga Korotkikh,Robert J. Farrauto,Andrew Mcfarland. Владелец: Engelhard Corporation. Дата публикации: 2001-03-15.

Catalyst for the selective oxidation of carbon monoxide and its preparation

Номер патента: EP1212135A2. Автор: Olga Korotkikh,Robert J. Farrauto,Andrew Mcfarland. Владелец: Engelhard Corp. Дата публикации: 2002-06-12.

Soi-based opto-electronic device including corrugated active region

Номер патента: WO2007146235A3. Автор: Robert Keith Montgomery,Vipulkumar Patel. Владелец: Vipulkumar Patel. Дата публикации: 2008-04-24.

Selective oxidation of organic compounds

Номер патента: EP1812363A1. Автор: Michael John Greenhill-Hooper,Robert Raja,John Meurig-Thomas. Владелец: US Borax Inc. Дата публикации: 2007-08-01.

Green light sacrificial layer and method of manufacturing touch display device

Номер патента: US20230221596A1. Автор: Yuheng Liang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Soi-based opto-electronic device including corrugated active region

Номер патента: WO2007146235A2. Автор: Robert Keith Montgomery,Vipulkumar Patel. Владелец: Sioptical. Inc.. Дата публикации: 2007-12-21.

A process for catalytic, selective oxidation of carbon monoxide in gaseous mixtures containing excess hydrogen, a catalyst and a process for its preparation

Номер патента: EP1255693A2. Автор: Stanko Hocevar,Theophilos Ioannides,Jurka Batista,Haralambos Matralis,George Avgouropoulos. Владелец: Foundation for Research and Technology-Hellas Institute of Chemical Engineering and High Temperature Chemical Processes. Дата публикации: 2002-11-13.

Green light sacrificial layer and method of manufacturing touch display device

Номер патента: US12135477B2. Автор: Yuheng Liang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Catalyst for selective oxidation of sulphur compounds

Номер патента: US09776176B2. Автор: Tomas M. Malango,María Dolores ZAFRA,Rafael ROLDÁN. Владелец: Repsol SA. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of selective oxidative dehydrogenation of hydrogen-containing gas, mixed with co

Номер патента: RU2554879C2. Автор: Жунтао ЛИУ,Сикин Ли,Лей Ли,Линна ЖАНГ,Жун КУАЙ. Владелец: Шанхай Ресерч Инститьют Оф Петрокемикл Текнолоджи Синопек. Дата публикации: 2015-06-27.

Method of obtaining parts from aluminum alloys by selective laser fusion

Номер патента: RU2728450C1. Автор: Александр Исаакович Хаймович,Виталий Геннадиевич Смелов,Антон Владимирович Сотов,Антон Васильевич Агаповичев,Александр Сергеевич Кирилин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева". Дата публикации: 2020-07-29.

Oxidation of organosulphur compounds

Номер патента: US5621097A. Автор: Scott W. Brown,Angela M. Lee,Stephen C. Oakes. Владелец: Solvay Interox Ltd. Дата публикации: 1997-04-15.

Selective oxidation of a modified mcraly composition loaded with high levels of ceramic acting as a barrier to specific oxide formations

Номер патента: CA2842993C. Автор: William Jarosinski. Владелец: Praxair ST Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Process for selective oxidation of cellulose

Номер патента: AU776991B2. Автор: Arie Cornelis Besemer,Jan Matthijs Jetten,Ronald Van Den Dool,Wim Van Hartingsveldt. Владелец: SCA Hygiene Products Zeist BV. Дата публикации: 2004-09-30.

Process for the selective oxidation of alcohols using readily removable nitroxyl radicals

Номер патента: CA2326304A1. Автор: Reinhard Sommerlade,Souad Boulmaaz,Hansjörg Grützmacher. Владелец: Ciba Spezialitaetenchemie Holding AG. Дата публикации: 2001-05-19.

Catalyst-on-carrier for the non-selective oxidation of organic compounds, a process for the non-selective oxidation of, in particular, organic compounds

Номер патента: CA1335197C. Автор: John Wilhelm Geus,Ivo Ignatius Maria Tijburg. Владелец: Gaz de France SA. Дата публикации: 1995-04-11.

Process for selective oxidation of olefins to epoxides

Номер патента: US8080677B2. Автор: Daryle H. Busch,Bala Subramaniam,Hyun-Jin Lee,Madhav GHANTA,Tie-Pan Shi. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2011-12-20.

Methods for oxidation of methane to methanol, systems for oxidation of methane to methanol, and devices for oxidation of methane to methanol

Номер патента: WO2023196946A2. Автор: Kerry Matthew DOOLEY,James A. DORMAN. Владелец: Board of Supervisors of Louisiana State University and Agricultural and Mechanical College. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for selectively oxidizing metals of an alloy

Номер патента: US11772158B2. Автор: Maurice-Michael Hannah,Kevin Luttjehuizen. Владелец: Aurum Integra Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Process for the preparation of Cu—Cr oxides for selective oxidation reactions

Номер патента: US8697916B2. Автор: Kumar Jagdish,Rajaram Bal,Chandrashekar Pendem,Bipul Sarkar,Shilpi Ghosh,Shubhra Acharyya Shankha. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2014-04-15.

A multi-layer article with platinum zeolite for improved selective oxidation of ammonia

Номер патента: WO2024145156A1. Автор: Matthew T. Caudle,Fudong Liu,Shaohua Xie. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Process for the preparation of cu-cr oxides for selective oxidation reactions

Номер патента: US20130085305A1. Автор: Kumar Jagdish,Rajaram Bal,Chandrashekar Pendem,Bipul Sarkar,Shilpi Ghosh,Shubhra Acharyya Shankha. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2013-04-04.

Method for preparing maleate by selective catalytic oxidation of lignin

Номер патента: US10807938B2. Автор: Yingwen LI,Xuehui Li,Zhenping CAI,Jinxing LONG,Lefu WANG. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2020-10-20.

Method for preparing maleate by selective catalytic oxidation of lignin

Номер патента: US20190322611A1. Автор: Yingwen LI,Xuehui Li,Zhenping CAI,Jinxing LONG,Lefu WANG. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-10-24.

Modified binary search for transfer function active region

Номер патента: US20130222046A1. Автор: Igor Furlan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Novel sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices

Номер патента: WO2004087561A2. Автор: Jonathan Doan,Satyadev R. Patel. Владелец: Reflectivity, Inc.. Дата публикации: 2004-10-14.

Microscopic scale forming method by selective etching of a doped substrate

Номер патента: WO2001032554A3. Автор: Glenn J Fricano,Mark Lizza,Thomas A Pumo,William S Trimmer. Владелец: Standard Mems Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Method and catalyst for oxidation of h2s containing in gas at small concentration to sulfur by catalytic method

Номер патента: RU2142405C1. Автор: Филипп Андре,Савэн-Понсе Сабин,Нугайред Жан,Леду Марк,Фам XУУ Куонг,Крузе Клод. Владелец: ЭЛФ Эксплорасьон Продюксьон. Дата публикации: 1999-12-10.

Catalyst for selective oxidation of hydrogen sulfur (versions)

Номер патента: RU2629193C1. Автор: Наиля Самильевна Сакаева,Сергей Петрович Кильдяшев,Ольга Анатольевна Климова. Владелец: Акционерное общество "Специальное конструкторско-технологическое бюро "Катализатор". Дата публикации: 2017-08-25.

Method for selective oxidation of ethane to ethylene

Номер патента: RU2412145C2. Автор: Дебра А. РАЙАН. Владелец: Селаниз Интернэшнл Корпорейшн. Дата публикации: 2011-02-20.

Method of obtaining furfuryl alcohol by selective hydrogenation of furfuryl

Номер патента: RU2680799C1. Автор: Андрей Анатольевич Смирнов,Вадим Анатольевич Яковлев,Александр Викторович Федоров,Светлана Александровна Селищева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ). Дата публикации: 2019-02-27.

Device for obtaining articles from high-temperature polymers by selective laser sintering

Номер патента: RU2710822C1. Автор: Алексей Петрович Назаров,Иннокентий Алексеевич Скорняков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2020-01-14.

Device for obtaining articles from high-temperature polymers by selective laser sintering

Номер патента: RU2710823C1. Автор: Алексей Петрович Назаров,Иннокентий Алексеевич Скорняков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2020-01-14.

Method of making preform for aerodynamic profile, aerodynamic profile and nozzle sector by selective melting on powder bed

Номер патента: RU2719960C2. Автор: Себастьен ДРЕАНО. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2020-04-23.

Selective oxidation catalyst, preparation and use thereof

Номер патента: US6083473A. Автор: Jose Manuel Dominguez Esquivel,Amalia Tobon Cervantes,Joaquin Lorenzo de los Santos,Rafaela Hernandez Hernandez,Oscar H. Bermudez Mendizabal. Владелец: INSTITUTO MEXICANO DEL PETROLEO. Дата публикации: 2000-07-04.

Installation for fabricating part by selectively melting powder

Номер патента: RU2603737C2. Автор: Тома ВИЛАРО,Жан-Франсуа КАСТАНЬ,Дамьен ЭБЮТЕРН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2016-11-27.

Catalyst for selective oxidation of carbon monoxide, selective removing method of carbon monoxide, hydrogen refining catalyst, and hydrogen refining method

Номер патента: CA2310917C. Автор: Shigeru Nojima,Toshinobu Yasutake. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-30.

Catalyst for the selective oxidation of sulfur containing compounds

Номер патента: CA1300117C. Автор: Pieter Hildegardus Berben,John Wilhelmus Geus. Владелец: Comprimo BV. Дата публикации: 1992-05-05.

Selective oxidation catalyst and a method for oxidizing C2 hydrocarbons in the presence of the selective oxidation catalyst

Номер патента: US11883798B2. Автор: Srikant Gopal,Turki AL-SMARI. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-01-30.

Catalyst comprising platinum and gold nano-particles and its use for oxidation of glucose

Номер патента: EP4241881A3. Автор: George Frederick Salem,Guang Zhu,James Shoemaker,Eric L Dias,Vincent J Murphy,Raymond Archer. Владелец: Archer Daniels Midland Co. Дата публикации: 2023-11-22.

Catalyst comprising platinum and gold nano-particles and its use for oxidation of glucose

Номер патента: EP4241881A2. Автор: George Frederick Salem,Guang Zhu,James Shoemaker,Eric L Dias,Vincent J Murphy,Raymond Archer. Владелец: Archer Daniels Midland Co. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of obtaining zinc sulphate solution for electrowinning of zinc from selected waelz oxide of hydrometallurgical properties

Номер патента: EP2925672A1. Автор: Bogusław Ochab,Andrzej Trepka,Andrzej Szary,Jerzy Czekaj,Jerzy Nowak,Miroslaw Fatyga,Leszek Stencel,Bogdan Pieczonka,Lukasz Zieba,Jacek Jakubowski,Stanislaw Wycislik. Владелец: Zaklady Gorniczo-Hutnicze "boleslaw" Sa. Дата публикации: 2015-10-07.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US20230367491A1. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Selective oxidation

Номер патента: EP2847357A1. Автор: Per-Åke LUNDSTRÖM,Patrik Lundström. Владелец: Uvan Holding AB. Дата публикации: 2015-03-18.

Method and system to characterize transcriptionally active regions and quantify sequence abundance for large scale sequencing data

Номер патента: US20090287420A1. Автор: Xitong Li,Kenneth Stineman. Владелец: Genomic Health Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for forming a film by selective area MOCVD growth

Номер патента: US5728215A. Автор: Takushi Itagaki,Masayoshi Takemi,Norio Hayafuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

METHOD OF PRODUCING PARTS OF SMALL-SIZE GAS TURBINE ENGINE WITH THRUST OF UP TO 150 kgf BY SELECTIVE LASER FUSION

Номер патента: RU2767968C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Сергей Александрович Тарасов,Михаил Михайлович Бакрадзе,Владислав Валерьевич Антипов,Святослав Васильевич Неруш,Никита Алексеевич Ходырев,Дмитрий Игоревич Сухов,Ольга Геннадиевна Оспенникова,Павел Борисович Мазалов,Александр Игоревич Пашков,Гарегин Григорович Асланян,Артем Ренатович Шакиров,Георгий Георгиевич Тарасов,Денис Александрович Мурысин,Семен Сергеевич Титов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2022-03-22.

Device for and method of processing of waste gases formed when engine operates on lean mixtures by selective catalytic reduction of nitrogen oxides

Номер патента: RU2278281C2. Автор: Эгберт ЛОКС,Томас КРОЙЦЕР,Маркус ПФАЙФЕР,Юрген ГИСХОФФ,Пауль ШПУРК,Ивонна ДЕМЕЛЬ. Владелец: Умикор АГ унд Ко. КГ. Дата публикации: 2006-06-20.

Influencing definite mechanical properties of 3-d articles produced by selective sintering

Номер патента: RU2420403C2. Автор: Франк Мюллер,Андреас ПФИСТЕР,Мартин ЛЕЙТЕРЕР,Алан ВУД,Брайан УИЛСОН,Хорст ЗАНДНЕР. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2011-06-10.

Method of selective synthesis of acetic acid and catalyst for selective oxidation of ethane and/or ethylene to acetic acid

Номер патента: RU2189969C2. Автор: Хольгер БОРХЕРТ,Уве ДИНГЕРДИССЕН,Йенс ВАЙГУНИ. Владелец: Целанезе Кемикальз Юроп Гмбх. Дата публикации: 2002-09-27.

Support post for aircraft structural element made by selective laser fusion

Номер патента: RU2513082C2. Автор: Олаф РЕМЕ,Кристоф КЛАН,Рюди ГИЗЕМБЕРГ. Владелец: Эйрбас Оперейшнс Гмбх. Дата публикации: 2014-04-20.

Catalyst for the selective oxidation of sulfur compounds to elemental sulfur, process for preparing such catalyst and process for the selective oxidation of sulfur compounds to elemental sulfur

Номер патента: CA2172164C. Автор: John Wilhelm Geus,Robert Johan Andreas Maria Terorde. Владелец: Jacobs Nederland BV. Дата публикации: 2006-07-18.

System and method for inventory collection optimization by selective binding of the pre-boot drivers

Номер патента: US9348604B2. Автор: William C Munger,Sundar Dasar,Yogesh P Kulkarni. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-05-24.

Iron ore beneficiation by selective flocculation

Номер патента: CA1146677A. Автор: Hans P. Panzer,Richard M. Goodman. Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1983-05-17.

Epoxides produced by the oxidation of olefins with air or oxygen

Номер патента: CA2208988A1. Автор: Wolfgang Anton Herrmann,Bernd Scharbert,Gerhard Lobmaier. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-07-11.

Catalyst for the selective oxidation of sulfur compounds to elemental sulfur, process for preparing such catalyst and process for the selective oxidation of sulfur compounds to elemental sulfur

Номер патента: AU8117794A. Автор: John Wilhelm Geus,Robert Johan Andreas Maria Terorde. Владелец: Comprimo BV. Дата публикации: 1995-04-03.

Method for the synthesis of dialkoxy alkanes by means of the selective oxidation of alcohols

Номер патента: US20110071322A1. Автор: Jean-Luc Dubois. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2011-03-24.

Heterogeneous substrate including a sacrificial layer, and a method of fabricating it

Номер патента: US7993949B2. Автор: Bernard Diem,Francois Perruchot,Laurent Clavelier,Emmanuel Defay,Vincent Larrey. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2011-08-09.

Catalyst for the selective oxidation of sulphur compounds to elemental sulphur, process for preparing such a catalyst and method for the selective oxidation of sulphur compounds to elemental sulphur

Номер патента: CA2021527C. Автор: John Wilhelm Geus,Peter John Van Den Brink. Владелец: Comprimo BV. Дата публикации: 2000-09-19.

Method and apparatus for the oxidation of carbon monoxide

Номер патента: CA2197863C. Автор: David S. Watkins,Ronald Cohen,Richard F. Buswell,Leonard Mcneilly. Владелец: DBB Fuel Cell Engines GmbH. Дата публикации: 2000-04-18.

Mirror with selectively oxidized areas and method of making same

Номер патента: CA2617848C. Автор: Alexey Krasnov,Brent Boyce. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2011-01-11.

Selective oxidation catalyst

Номер патента: US4184981A. Автор: Thomas H. Vanderspurt. Владелец: Celanese Corp. Дата публикации: 1980-01-22.

Method enabling the detection of the speech signal activity regions

Номер патента: US20240013803A1. Автор: Selma OZAYDIN. Владелец: Cankaya Universitesi. Дата публикации: 2024-01-11.

Hydrocarbons selective oxidation with heterogeneous catalysts

Номер патента: US20130324761A1. Автор: Graham John Hutchings,Jose Antonio Lopez-Sanchez,Ceri Hammond,Nikolaos Dimitratos,Nicholas Fracois Dummer. Владелец: University College Cardiff Consultants Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Selective oxide-forming alloy, coating formed from and machine component including same

Номер патента: US11939648B1. Автор: Akane Suzuki,Collin Scott Holgate,Tresa Marie Pollock,Carlos Gerardo Levi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-03-26.

Catalysts for the selective oxidation of carbon monoxide in hydrogen-containing gases

Номер патента: EP1115651A1. Автор: Paulus Johannes De Wild,Michael Johannes Franciscus Maria Verhaak,Dianna Fokelina Bakker. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2001-07-18.

The selective oxidation of carbon monoxide in hydrogen-containing gases

Номер патента: EP1115651B1. Автор: Paulus Johannes De Wild,Michael Johannes Franciscus Maria Verhaak,Dianna Fokelina Bakker. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2003-03-05.

Method for the isolation of stem cells by immuno-labeling with hla/mhc gene product marker

Номер патента: EP1385936A2. Автор: Itzhak Avital,Daniel Inderbitzin,Walid Arnaout. Владелец: Cedars Sinai Medical Center. Дата публикации: 2004-02-04.

Mesoporous material and use thereof for the selective oxidation of organic compounds

Номер патента: EP1542799A1. Автор: Zhiping Shan,Thomas Maschmeyer,Jacobus Cornelis Jansen. Владелец: ABB Lummus Global Inc. Дата публикации: 2005-06-22.

Method for the isolation of stem cells by immuno-labeling with hla/mhc gene product marker

Номер патента: EP1385936A4. Автор: Itzhak Avital,Walid Arnaout,Daniel Dr Med Inderbitzin. Владелец: Cedars Sinai Medical Center. Дата публикации: 2005-10-12.

Tolerating soft errors by selective duplication

Номер патента: US20110296228A1. Автор: Elmootazbellah Nabil Elnozahy,Mark William Stephenson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for forming precise porous metal structure by selective laser melting

Номер патента: US20210060646A1. Автор: Liping Wu,Shanfang ZOU,Ruicheng LIU,Zhixiao ZHANG,Anqi JIANG. Владелец: Chengdu Tianqi Additive Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of modifying the properties of an end product by selecting veneer according to properties

Номер патента: WO2012025671A3. Автор: Kasperi Sokka,Matti SIPILÄ. Владелец: Metsaliitto Osuuskunta. Дата публикации: 2012-05-10.

Method for Preparing Thallium Salt by Selectively Recovering Thallium from Thallium-containing Sludge

Номер патента: LU503415B1. Автор: LIN Zhang,Jie Li,Xiaoqin LI,Weizhen Liu. Владелец: Univ South China Tech. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for manufacturing objects by selective sintering

Номер патента: US09782932B2. Автор: Toon Roels,Bart Goderis. Владелец: Materialise NV. Дата публикации: 2017-10-10.

Increased ratio of melt indexes for polymer by loading catalyst on substrate saturated by selected liquid agent

Номер патента: RU2645216C2. Автор: Даниел П. ЗИЛКЕР,Ф. Дейвид ХУССЕЙН,Кевин Дж. КЭНН. Владелец: Юнивейшн Текнолоджиз, Ллк. Дата публикации: 2018-02-19.

Method for ensuring high resolution of a radio location apparatus in range by selecting the optimal inverse filter regularisation parameter

Номер патента: RU2756291C1. Автор: Сергей Анатольевич Скачков,Николай Владимирович Силаев,Игорь Леонидович Жбанов,Алексей Викторович Абраменков,Максим Сергеевич Макаров. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия войсковой противовоздушной обороны Вооруженных Сил Российской Федерации имени Маршала Советского Союза А.М. Василевского" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2021-09-29.

Device for obtaining articles from high-temperature polymers by selective laser sintering

Номер патента: RU2710821C1. Автор: Алексей Петрович Назаров,Иннокентий Алексеевич Скорняков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2020-01-14.

Method of part making by selective melting of powder

Номер патента: RU2695687C1. Автор: Стефан НИТТЕЛЬ,Паскаль Фабрис БИЛЕ. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2019-07-25.

Device for obtaining articles from high-temperature polymers by selective laser sintering

Номер патента: RU2744917C1. Автор: Сергей Александрович Егоров,Алексей Петрович Назаров,Татьяна Васильевна Тарасова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2021-03-17.

Catalysts for oxidation of ethane to acetic acid and methods for their preparing and using

Номер патента: RU2234368C2. Автор: Халид КАРИМ,Мохаммад Х. АЛЬ-ХАЗМИ,Асад Ахмад ХАН,Сейед Иршад ЗАХЕЕР. Владелец: Сауди Бейсик Индастриз Корпорейшн. Дата публикации: 2004-08-20.

Impact releasing tool of variable intensity, actuated by selected pressure

Номер патента: RU2735679C2. Автор: Кевин Дуэйн ДЖОУНС. Владелец: Гидрашок, Л.Л.С.. Дата публикации: 2020-11-05.

Tampon made of non-woven fabric by selective needle-punched method

Номер патента: RU2533549C2. Автор: Дэвид Л. КИМБАЛЛ,Энтони С. ЛАЛАМА. Владелец: МакНЕЙЛ-ППС, ИНК.. Дата публикации: 2014-11-20.

Controllable insulating effects by selective interposition of insulating particles in a cavity of an energy transmission panel assembly

Номер патента: CA1162713A. Автор: Danny L. Hopkins,Patrick C. Hardee. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-02-28.

DC level fluctuation correction by selecting a time constant coupled to a reproduced signal

Номер патента: US5864531A. Автор: Junichi Horigome. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-01-26.

Process for the beneficiation of coal by selective caking

Номер патента: CA1329987C. Автор: Armando Marcotullio,Nello Passarini,Antonio Vettor. Владелец: Eniricerche Spa. Дата публикации: 1994-06-07.

A process for benefication of coal by selective caking

Номер патента: AU2665988A. Автор: Armando Marcotullio,Nello Passarini,Antonio Vettor. Владелец: Eniricerche Spa. Дата публикации: 1989-06-22.

Oxidation of selectively protected 2,3-dihydro-6-methyl-8-hydroxy-9-ergolenes

Номер патента: US3962253A. Автор: Nicholas J. Bach,Edmund C. Kornfeld. Владелец: Eli Lilly and Co. Дата публикации: 1976-06-08.

An offshore gangway, a vessel, an offshore structure, a composite sacrificial layer panel and a method

Номер патента: EP4382405A1. Автор: Siebert FRIELING. Владелец: Ampelmann Holding BV. Дата публикации: 2024-06-12.

Element for lighting rooms by selective daylight guidance and method of manufacturing such an element

Номер патента: US20020051296A1. Автор: Walter Doll,Andreas Gombert,Laszlo Konczol. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2002-05-02.

Program execution coverage expansion by selective data capture

Номер патента: EP3956773A1. Автор: Tomer Schwartz,Arbel Zinger. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-02-23.

System and methods for suppression by selecting wavelets for feature compression in distributed speech recognition

Номер патента: US20190287551A1. Автор: Syu-Siang Wang,Yu Tsao. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2019-09-19.

Dynamically changing data access bandwidth by selectively enabling and disabling data links

Номер патента: US11886272B2. Автор: Frederick A Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-01-30.

Metal sacrificial layer

Номер патента: WO2004100214A2. Автор: Bernhard Vogeli. Владелец: Nantero, Inc.. Дата публикации: 2004-11-18.

Additive manufacturing by selective liquid cooling

Номер патента: US20190134887A1. Автор: Davey Vadder. Владелец: Evapco Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of controlled conversion of thermosetting resins and additive manufacturing thereof by selective laser sintering

Номер патента: US20220056305A1. Автор: C. Garrett CAMPBELL,Mathias C. Celina. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2022-02-24.

S hopingfunctionalization of terpenes by selective deprotonation for the synthesis of (+)-artemisinin and related compounds

Номер патента: WO2023225681A2. Автор: Nick Wilson,Doug E. Frantz,Shawn Blumberg,Eliezer ORTIZ,Nicholas CLANTON. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYTEM. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for the Removal of Nitrogen Oxides from Exhaust Gas by Selective Catalytic Reduction in Presence of an SCR Catalyst Comprising a Fe-AEI Zeolithic Material Essentially Free of Alkali Metal

Номер патента: US20180250632A1. Автор: Avelino Corma Canos,Manuel Moliner Marin,Nuria MARTIN GARCIA,Joakim Reimer Thogersen,Peter Nicolai Ravnborg VENNESTRØM. Владелец: Umicore AG and Co KG. Дата публикации: 2018-09-06.

Method for the removal of nitrogen oxides from exhaust gas by selective catalytic reduction in presence of an scr catalyst comprising a fe-aei zeolithic material essentially free of alkali metal

Номер патента: EP3411131A1. Автор: Avelino Corma Canos,Manuel Moliner Marin,Nuria MARTIN GARCIA,Joakim Reimer Thogersen,Peter Nicolai Ravnborg VENNESTRØM. Владелец: Umicore AG and Co KG. Дата публикации: 2018-12-12.

S hopingfunctionalization of terpenes by selective deprotonation for the synthesis of (+)-artemisinin and related compounds

Номер патента: WO2023225681A3. Автор: Nick Wilson,Doug E. Frantz,Shawn Blumberg,Eliezer ORTIZ,Nicholas CLANTON. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYTEM. Дата публикации: 2024-02-08.

S hopingfunctionalization of terpenes by selective deprotonation for the synthesis of (+)-artemisinin and related compounds

Номер патента: WO2023225681A9. Автор: Nick Wilson,Doug E. Frantz,Shawn Blumberg,Eliezer ORTIZ,Nicholas CLANTON. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYTEM. Дата публикации: 2024-03-21.

Method and apparatus for enhancement of ultrasound images by selective differencing

Номер патента: US09984450B2. Автор: Jason W. Fleischer,Jen-Tang Lu. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-29.

Dynamically changing data access bandwidth by selectively enabling and disabling data links

Номер патента: US09417687B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of producing metal part by selective melting of powder

Номер патента: RU2593312C2. Автор: Жан-Батист МОТТЕН,Бериль Кассандр Анн МЕРО,Софи Мартин ЖОБЕ,Оливье ШАНТУАЗО,РАЗЕ Брюно ЛЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2016-08-10.

Method and installation for isolation of precious metals from solutions

Номер патента: RU2081925C1. Автор: Юрий Петрович Кузнецов,Евгений Николаевич Большаков,Борис Борисович Крынецкий,Андрей Григорьевич Передерей,Светлана Сергеевна Фадеева. Владелец: Светлана Сергеевна Фадеева. Дата публикации: 1997-06-20.

Catalysts and process for selective oxidation of hydrogen sulfide to elemental sulfur

Номер патента: US5603913A. Автор: Tofik G. O. Alkhazov,Roland E. Meissner, III. Владелец: Azerbaidzhanskaya Gosudarstvennaya Neftianaya Academiya. Дата публикации: 1997-02-18.

Method of isolation of leakage of multihole well

Номер патента: RU2736595C1. Автор: Олег Марсович Гарипов,Ильшат Асгатович Талипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Марс". Дата публикации: 2020-11-18.

Radiography by selective detection of scatter field velocity components

Номер патента: CA2576088C. Автор: Alan M. Jacobs,Edward T. Dugan,Daniel Shedlock. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Fractionation and isolation of 7s and 11s proteins from isoelectrically precipitated vegetable protein mixtures

Номер патента: CA1181705A. Автор: Frank T. Orthoefer,William F. Lehnhardt,Paul W. Gibson. Владелец: TATE AND LYLE INGREDIENTS AMERICAS LLC. Дата публикации: 1985-01-29.

Improvements in or relating to the selective oxidation of carbon monoxide in a hydrogen-containing gas

Номер патента: GB846153A. Автор: . Владелец: Engelhard Industries Inc. Дата публикации: 1960-08-24.

Stimulating multiple production zones in a wellbore by selectively breaking down cement adjacent each production zone.

Номер патента: NZ579534A. Автор: Mark Zimmerman,Bobby Frank Mcmillin,Avel Z Ortiz. Владелец: Bj Services Co. Дата публикации: 2011-06-30.

Ink jet printhead having a ground bus that overlaps transistor active regions

Номер патента: CA2416837C. Автор: Joseph M. Torgerson,David M. Hurst. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2008-04-01.

Method of production of ethane by selective hydrogenolysis of alkanes

Номер патента: CA1070337A. Автор: Jacques Bousquet,Jean-Rene Bernard,Pierre Turlier. Владелец: Societe National Elf Aquitaine. Дата публикации: 1980-01-22.

Selective oxidation of carbalkoxy-1,3-indandione salts

Номер патента: GB1385102A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-02-26.

Process for selective oxidation of hydrogen sulphide

Номер патента: CA2790039A1. Автор: Ronald Jan Schoonebeek,Sipke Hidde Wadman. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2011-08-25.

Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in mems devices

Номер патента: WO2009149213A3. Автор: James Randolph Webster,Xiaoming Yan,Won Suk Chung,Thanh Nghia Tu. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2010-08-19.

Bulk separation of inositol and sorbitol by selective adsorption on zeolitic molecular sieves

Номер патента: CA1217782A. Автор: Chien C. Chao,John D. Sherman. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1987-02-10.

Improvements in processes for the separation of gases and/or vapours by selective adsorption and desorption

Номер патента: GB975371A. Автор: . Владелец: Esso Research and Engineering Co. Дата публикации: 1964-11-18.

Bulk lactulose/lactose separation by selective adsorption on zeolite molecular sieves

Номер патента: CA1175046A. Автор: Chien C. Chao,John D. Sherman. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1984-09-25.

Supported metal catalyst and use thereof for selective oxidation of glycerol

Номер патента: US9745243B2. Автор: Franck Dumeignil,Elzbieta Skrzynska,Mickaeel CAPRON. Владелец: Pivert SAS. Дата публикации: 2017-08-29.

Process for the selective oxidation of sulphur compounds to elemental sulphur

Номер патента: US5352422A. Автор: John W. Geus,Peter J. van den Brink. Владелец: Comprimo BV. Дата публикации: 1994-10-04.

Identification and isolation of human hematopoietic stem cells

Номер патента: US5643741A. Автор: Ann Tsukamoto,Charles M. Baum,Yukoh Aihara,Irving Weissman. Владелец: Systemix Inc. Дата публикации: 1997-07-01.

Compound based on cyanine scaffold for diagnosis sepsis by selectively detect glutathione

Номер патента: US9951226B2. Автор: Jun Yin,Juyoung Yoon,Gyoungmi KIM,Dabin KIM. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2018-04-24.

New process for the selective oxidation of bile acids, their salts or derivatives

Номер патента: WO2012131591A1. Автор: Daniela Monti,Sergio Riva,Erica Elisa FERRANDI,Fausto Polentini. Владелец: PRODOTTI CHIMICI E ALIMENTARI S.P.A.. Дата публикации: 2012-10-04.

Pharmaceutical formulation containing a psychedelic substance obtained by selective laser sintering (sls) 3d printing

Номер патента: US20230097076A1. Автор: Alejandro Carlos Antalich Raibar. Владелец: Biomind Labs Uk Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Plasma oxidation of an exhaust gas stream from chlorinating titanium-containing material

Номер патента: WO1997020617A1. Автор: Daniel Campos,Stephen Erwin Lyke. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 1997-06-12.

Process for the catalytic selective oxidation of sulphur compounds

Номер патента: EP1581601A1. Автор: Carolus Matthias Anna Maria Mesters,Ronald Jan Schoonebeek. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2005-10-05.

Method for removing dienes from a material stream containing c3 to c5 hydrocarbons by selective hydrogenation

Номер патента: US20210179518A1. Автор: Stefan Iselborn,Joachim Koetter,Andreas Joerg UFER. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2021-06-17.

Forming acetic acid by the selective oxidation of methane

Номер патента: EP4161895A1. Автор: Vasily Simanzhenkov,Shahin Goodarznia,Bolaji Olayiwola,Aashish GAURAV. Владелец: Nova Chemicals International SA. Дата публикации: 2023-04-12.

Endless fibres on the basis of hyaluronan selectively oxidized in the position 6 of the n-acetyl-d-glucosamine group, preparation and use thereof, threads, staples, yarns, fabrics made thereof and method for modifying the same

Номер патента: EP2925917A1. Автор: Tomáš Pitucha,Jiří Běták,Vladimír Velebný,Pavel Klein,Lucie VISTEJNOVA,Miroslava Nemcova,Jaromir KULHANEK,Radovan Buffa,Jana NOVAKOVA,Ilona Matejkova,Gabriela KUBICKOVA,Marketa BROULIKOVA,Michaela FELGROVA. Владелец: Contipro Biotech sro. Дата публикации: 2015-10-07.

Selective oxidation of LL-F28249-alpha using supported oxidising agents

Номер патента: NZ548937A. Автор: Jignesh Patel,Daniel Howard Cohen,Thomas Gerard Cullen,Michael Joseph O'neill. Владелец: Wyeth Corp. Дата публикации: 2007-02-23.

New process for the selective oxidation of bile acids, their salts or derivatives

Номер патента: EP2691516A1. Автор: Daniela Monti,Sergio Riva,Erica Elisa FERRANDI,Fausto Polentini. Владелец: Prodotti Chimici e Alimentari SpA. Дата публикации: 2014-02-05.

Catalytic process for the selective oxidation of organic tertiary polyphosphines to phosphine monooxides

Номер патента: US5919984A. Автор: Vladimir Grushin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-07-06.

Spatial vibration isolator of frame type

Номер патента: RU2662340C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-07-25.

Method for isolation of fragments of cumulative jet

Номер патента: RU2603664C1. Автор: Александр Сергеевич Князев,Дмитрий Владиленович Маляров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ>). Дата публикации: 2016-11-27.

Method of forming composite material by selective laser melting of refractory nickel alloy powder on a substrate from titanium alloy

Номер патента: RU2713255C1. Автор: Кирилл Александрович Осинцев,Сергей Валерьевич Коновалов,Виталий Геннадиевич Смелов,Екатерина Александровна Носова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева". Дата публикации: 2020-02-04.

Spatial vibration isolator of frame type

Номер патента: RU2662353C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-07-25.

Methods and assembly for isolation of zones in well borehole

Номер патента: RU2535320C2. Автор: Джон БРАУССАРД,Брайан НАТЛИ,Росс Кларк,Ким НАТЛИ. Владелец: Свэллтек Лимитед. Дата публикации: 2014-12-10.

Vibration isolator of suspended type

Номер патента: RU2656677C2. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-06-06.

Method for selective isolation of high-permeability intervals of a formation

Номер патента: RU2721917C1. Автор: Александр Яковлевич Соркин,Владимир Евгеньевич Ступоченко,Владимир Александрович Кан. Владелец: Владимир Александрович Кан. Дата публикации: 2020-05-25.

Method for isolation of chondrocytes

Номер патента: RU2677688C1. Автор: Анастасия Александровна Воропаева,Елена Игоревна Щелкунова. Владелец: Акционерное общество "Инновационный медико-технологический центр (Медицинский Технопарк)". Дата публикации: 2019-01-21.

Method for defluorination and isolation of anhydrous sodium sulphate from working gas cleaning solutions of aluminum electrolysers

Номер патента: RU2742987C1. Автор: Юрий Викторович Богданов,Андрей Анатольевич Гущинский,Александр Геннадиевич Сусс,Алексей Николаевич Пивоваров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2021-02-12.

Isolation of propylenoxide from mixture, containing propylenoxide and methanol

Номер патента: RU2341519C2. Автор: Ханс-Георг ГЕББЕЛЬ,Мальте ШУЛЬЦ,Майнольф ВАЙДЕНБАХ,Хеннинг ШУЛЬТЦ,Ренате ПАТРАСКУ,Петер ШУЛЬТЦ. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2008-12-20.

Method of demonstrating self-isolation of metal and splitting of its surface charge

Номер патента: RU2601208C2. Автор: Александр Яковлевич Гохштейн. Владелец: Александр Яковлевич Гохштейн. Дата публикации: 2016-10-27.

Chuyko device for internal cast-in-situ isolation of welded joint of a pipeline (embodiments)

Номер патента: RU2677913C1. Автор: Александр Георгиевич Чуйко,Анастасия Александровна Чуйко. Владелец: Александр Георгиевич Чуйко. Дата публикации: 2019-01-22.

Method of isolation of derivative of hexaazaisowurtzitan containing acyl group (variants), method of synthesis of tetraacylbis(arylmethyl)hexaazaisowurtzitan, method of synthesis of tetraacylhexaazaisowurtzitan

Номер патента: RU2146676C1. Автор: Кодама Тамоцу,Миноура Харуюки,Ми ке Нобухиза,Мияке Нобухиза,Ямамацу Сецуо,Кацумата Цутому. Владелец: Асахи Касеи Когио Кабусики Кайся. Дата публикации: 2000-03-20.

Isolation of inner cell mass to produce human embryonic stem cell lines

Номер патента: RU2291703C2. Автор: Сатиш Махадеорао ТОТЕЙ,Фируза Раджеш ПАРИКХ,Шаиладжа Анупам САКСЕНА. Владелец: Релайанс Лайф Сайенсиз Пвт., Лтд. Дата публикации: 2007-01-20.

Method for isolation of oligosaccharides containing sialic acid and compositions produced in this connection that contain oligosaccharides containing sialic acid

Номер патента: RU2496342C2. Автор: Альфред Вили БОНТЕ,Гейсбертус КЛАРЕНБЕК,Маркус Йоханнес Алоисиус БЕККЕР. Владелец: Фризлэнд Брэндз Б.В.. Дата публикации: 2013-10-27.

Vibration isolator of spring type

Номер патента: RU2662341C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-07-25.

Method for isolation of beds with manifestations of high-mineralization polymineral waters

Номер патента: RU2691229C1. Автор: Андрей Витальевич Кулигин,Иван Ильич Белей,Владимир Амиранович Сехниашвили,Светлана Александровна Родер,Дмитрий Александрович Скориченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром проектирование". Дата публикации: 2019-06-11.

Protective device for isolation of dangerously explosive or suspicious objects

Номер патента: RU2296293C2. Автор: Шарль ЛОБИ. Владелец: Сема. Дата публикации: 2007-03-27.

Expandable pipe system with pre-flushing for isolation of zones of complications during drilling of wells

Номер патента: RU2733546C1. Автор: Альберт Салаватович Ягафаров. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-10-05.

Production of acid-soluble isolates of soya bean protein

Номер патента: RU2551776C2. Автор: Сара МЕДИНА,Кевин И. СИГАЛЛ,Мартин ШВАЙЦЕР,Брент И. ГРИН,Брэнди ГОСНЕЛ. Владелец: Баркон Ньютрасайнс (Мб) Корп.. Дата публикации: 2015-05-27.

Isolation of protein responsible for restoration of uranium (vi)

Номер патента: RU2571221C1. Автор: Эррол Дюнкан КАСОН,ГЕРДЕН Эста ВАН,Лизелле Анн ПИАТЕР,Абитха Гейанендра ЮГДАВЕ,МАРВЕЙК Яквилине ВАН. Владелец: Юниверсити Оф Те Фри Стейт. Дата публикации: 2015-12-20.

Method for isolation of acinetobacter baylyi bacteria from river water

Номер патента: RU2769434C1. Автор: Евгений Петрович Сиволодский. Владелец: Евгений Петрович Сиволодский. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for isolation of cardiomyocytes from human heart tissue

Номер патента: RU2749986C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Шумаков,Дмитрий Игоревич Зыбин,Михаил Александрович Попов,Константин Игоревич Агладзе,Шейда Рауф кызы Фролова,Сандаара Георгиевна Романова. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения Московской области "Московский областной научно-исследовательский клинический институт им. М.Ф. Владимирского" (ГБУЗ МО МОНИКИ им. М.Ф. Владимирского). Дата публикации: 2021-06-21.

Complex isolation of pipeline weld joint and method of its production

Номер патента: RU2696653C2. Автор: Игорь Иванович Шапорин,Анатолий Петрович Свечкопалов,Алексей Александрович Бахарев,Михаил Сергеевич Забарный. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СВАП ИНЖИНИРИНГ". Дата публикации: 2019-08-05.

Improved endoprosthesis for complete isolation of the hepatic vascular system

Номер патента: RU2765210C1. Автор: Бруно Альберто Витторио ТРУОСОЛО. Владелец: Бруно Альберто Витторио ТРУОСОЛО. Дата публикации: 2022-01-26.

Production of an article by selective fusion of polymer powder layers

Номер патента: US9321192B2. Автор: Pierre-Yves Lahary,Cécile Corriol. Владелец: Rhodia Operations SAS. Дата публикации: 2016-04-26.

Method of vascular isolation of tumor thrombus of the inferior vena cava with kidney cancer

Номер патента: RU2661081C1. Автор: Владимир Федорович Куликовский,Вадим Николаевич Дмитриев,Сергей Валентинович Шкодкин,Сергей Александрович Фиронов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2018-07-11.

Material for isolation of deoxyribonucleic acid

Номер патента: RU2662174C1. Автор: Ольга Николаевна Михайлова,Софрон Павлович Корякин,Мария Александровна Егорова. Владелец: Мария Александровна Егорова. Дата публикации: 2018-07-24.

Energy-cooling system for the mode of complete isolation of a special fortification structure

Номер патента: RU2766659C2. Автор: Николай Геннадьевич Кириллов,Александр Александрович Сорокин,Сергей Владимирович Саркисов,Александр Сергеевич Якшин,Роман Сергеевич Новиков,Вячеслав Александрович Вакуненков,Кирилл Викторович Янович,Вячеслав Евгеньевич Прокофьев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия материально-технического обеспечения имени генерала армии А.В. Хрулёва" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-03-15.

Spatial vibration isolator of frame type

Номер патента: RU2661647C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-07-18.

Method for isolation of clinical isolates of mycobacterium tuberculosis from lung tissue

Номер патента: RU2659197C2. Автор: Денис Владимирович Краснов,Андрей Георгиевич Чередниченко,Татьяна Игоревна Петренко,Майя Александровна Дымова,Ольга Ивановна Альховик,Любовь Станиславовна Евдокимова. Владелец: ФГБУ "Новосибирский научно-исследовательский институт туберкулеза" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of isolation of resin tragacanth polysaccharide fraction from plant of genus astragal, composition based on polysaccharide fraction, method of inhibition of cancer tumor growth, method of inhibition of viral infections

Номер патента: RU2124361C1. Автор: Энтони Дж. Вербискар. Владелец: Энтони Дж. Вербискар. Дата публикации: 1999-01-10.

Aircraft or spacecraft fuselage and method of active isolation of said fuselage

Номер патента: RU2466906C2. Автор: Пауль ЙОРН. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Гмбх. Дата публикации: 2012-11-20.

Methods for producing hydrocarbon compositions with reduced acid number and for isolation of short-chain fatty acids

Номер патента: RU2749418C2. Автор: Дэвид БРЕССЛЕР. Владелец: Дзе Гавернэс оф дзе Юниверсити оф Альберта. Дата публикации: 2021-06-09.

Spatial vibration isolator of frame type

Номер патента: RU2662342C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-07-25.

Method of isolation of the posterior wall of the left atrium through the left atrial appendage

Номер патента: RU2664958C1. Автор: Александр Сергеевич Зотов,Сергей Алексеевич Вачев,Александр Витальевич Троицкий,Роберт Иосифович Хабазов,Даниил Валерьевич Борисов. Владелец: Даниил Валерьевич Борисов. Дата публикации: 2018-08-23.

Isolating valve system, method for isolation of flow in isolating valve system and method for replacement of element of isolating valve system

Номер патента: RU2383805C2. Автор: Рубен Ф. ЛАХ,Гари ЛАРСЕН. Владелец: Кертисс-Райт Флоу Контрол Корпорейшн. Дата публикации: 2010-03-10.

Method for isolation of platinum metals from mineral-basis secondary material

Номер патента: RU2089636C1. Автор: Г.В. Мясоедова,А.С. Соловьев,Н.И. Щербинина,Л.В. Лилеева,П.Н. Комозин,С.С. Колобов. Владелец: Институт геохимии и аналитической химии им.В.И.Вернадского РАН. Дата публикации: 1997-09-10.

Methods and compositions for purification or isolation of microvesicles and exosomes

Номер патента: RU2748234C2. Автор: Айан ДИКСОН,Чако ДЖОЗЕФ,Джим ПАЛМЕР,Грегор ЛИХТФУСС. Владелец: Эксофарм Лтд. Дата публикации: 2021-05-21.

Method of producing combustion suppressing suspension containing ground fuel ash, for isolation of fires on coal deposits

Номер патента: RU2584186C1. Автор: Ботао ЦИНЬ,И Лу,Лэйлинь ЧЖАН,Юйвэй ЦЗЯ,Хонминь ШЭНЬ. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2016-05-20.

Isolation of carotinoid crystals from bacterial biomass

Номер патента: RU2235783C2. Автор: Мике СИБЕЙН,ПАТЕР Робертус Маттеус ДЕ. Владелец: ДСМ Ай Пи АССЕТС Б.В.. Дата публикации: 2004-09-10.

Method for isolation of bioactive fraction (baf) containing s-lipopolysaccharides (s-lps) from gram-negative bacteria, baf for prevention and treatment of diseases induced by endotoxic s-lps producing gram-negative bacteria, pharmaceutical composition, methods for inducing of protective immunity and improving state in patient in need of immune status increasing

Номер патента: RU2260053C2. Автор: С.И. Ёлкина,В.Л. Львов,М.Э. Головина,П.Г. Апарин,В.И. Шмиголь. Владелец: Апарин Петр Геннадьевич. Дата публикации: 2005-09-10.

Method of oxidising alkane, method of obtaining alkyl-carboxylate and alkenyl-carboxylate with isolation of alkenes by absorption method, method of obtaining vinyl-acetate with isolation of ethylene by absorption method

Номер патента: RU2330004C2. Автор: Эндрью Ричард ЛУСИ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2008-07-27.

Containers and methods of isolation of liquids before feeding

Номер патента: RU2600718C2. Автор: Гари Дж. АЛБАУМ. Владелец: Крафт Фудс Груп Брэндс Ллк. Дата публикации: 2016-10-27.

Detection system and method, and isolation of failures at measurement of pressure of air signal system with non-protruding pressure intakes (fads)

Номер патента: RU2498320C2. Автор: Джаякумар МАДХАВАНПИЛЛАИ,Ремеш НАРАЯНАН,Хариш Чандран СОУДАМИНИ,Сваминатхан СУБРАМАНИАИЙЕР,Сиван КАИЛАСАВАДИВОО,Шарма Сурендра ВИР. Владелец: Индиан Спейс Рисерч Организейшн. Дата публикации: 2013-11-10.

Selective nutritional medium for isolation of mushrooms of malassezia furfur species

Номер патента: RU2756696C1. Автор: Татьяна Валерьевна Припутневич,Людмила Анатольевна Любасовская,Вера Васильевна Муравьева,Юлия Валериевна Родченко,Виталий Яковлевич Авнерс. Владелец: Гольдберг Станислав Аронович. Дата публикации: 2021-10-04.

Vibration isolator of spring type

Номер патента: RU2668763C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-10-02.

Method of electrochemical oxidation of alcohols to nitriles

Номер патента: RU2724898C1. Автор: Ефим Шоломович Каган,Ирина Юрьевна Жукова,Вера Павловна Кашпарова,Елена Николаевна Шубина,Инна Николаевна Тягливая. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет", (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-26.

Method of isolation of nucleic acid fragment with desired nucleotide sequence

Номер патента: RU2060278C1. Автор: Кисимото Тосихико,Нива Син-итиро,Уно Атсуси. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз Лтд.. Дата публикации: 1996-05-20.

Method of isolation of palladium-base catalyst

Номер патента: RU2163509C2. Автор: Патуа Карл,Леконт Филип. Владелец: Рон-Пуленк Фибер э Резэн Энтермедиат. Дата публикации: 2001-02-27.

Preparation of meta-chlorophenols by selective hydrodechlorination of polychlorophenols

Номер патента: US4410738A. Автор: Georges Cordier. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1983-10-18.

Method for automatic isolation of physiological states of small laboratory animals

Номер патента: RU2751744C1. Автор: Анастасия Евгеньевна Руннова,Антон Робертович Киселев,Максим Олегович Журавлёв,Родион Владимирович Уколов,Евгения Юрьевна Ситникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2021-07-16.

Independent isolation of self-propelled motorised vehicle

Номер патента: RU2579978C2. Автор: Томас ВЕШ,Мертен ЛИПКОВСКИ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-04-10.

Method for the isolation of phytosterols from tall pitch

Номер патента: RU2655444C1. Автор: Аркадий Беньюминович Радбиль,Илья Сергеевич Ильичев,Михаил Алексеевич Лазарев,Тарас Иванович Долинский,Екатерина Александровна Маврина,Илья Николаевич Чернов,Алексей Олегович Коршунов. Владелец: Акционерное общество "Управляющая компания "Биохимического холдинга "Оргхим". Дата публикации: 2018-05-29.

Bulk separation of polyhydric alcohols by selective adsorption on zeolitic molecular sieves

Номер патента: US4456774A. Автор: Chien C. Chao,John D. Sherman. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1984-06-26.

Device for purifying exhaust gases of a vehicle by selective catalytic reduction including a heated piping

Номер патента: WO2007032035A1. Автор: Franco Colosimo,Mario Zasa,Simone Cavanna. Владелец: Dayco Fluid Technologies S.P.A.. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for the continuous production on n- butyraldehyde by selective hydrogenation of crotonaldehyde in the liquid phase, in the presence of a palladium aluminum oxide catalyst

Номер патента: CA1185990A. Автор: Lothar Fischer,Kurt Wember,Manfred zur Hausen. Владелец: Chemische Werke Huels AG. Дата публикации: 1985-04-23.

Palatability of dog food increased by selective treatment of meat meal

Номер патента: CA1172092A. Автор: Robert E. Schara,Joseph Giacone,William P. Citarella,Jamshed B. Dar. Владелец: General Foods Corp. Дата публикации: 1984-08-07.

Process for purifying anthracyclinonic glycosides by selective adsorption on resins

Номер патента: CA1204738A. Автор: Ernesto Oppici,Onorino Giacoma Rosa,Carlo Varesio. Владелец: Farmitalia Carlo Erba SRL. Дата публикации: 1986-05-20.

Preparation and isolation of chloromethyl methyl ether by solvent extraction

Номер патента: CA1039753A. Автор: Lawrence A. Ens. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1978-10-03.

Process for hydrocarbon purification by selective hydrogenation

Номер патента: US3770619A. Автор: M Derrien,Page J Le,Landeghem H Van,P Jeanjean. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 1973-11-06.

Method for manufacturing suspended graphene support film by selectively etching growth substrate

Номер патента: US11760641B2. Автор: Bing Deng,Liming Zheng,Hailin Peng. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and apparatus for producing three-dimensional objects by selectively solidifying a build material applied layer by layer

Номер патента: US20230311415A1. Автор: Joachim Wagner,Kai Etzel,Florian Schaede,Lukas Witz,Christian Dueformantel,Armin Burkhardt. Владелец: Trumpf Laser und Systemtechnik GmbH. Дата публикации: 2023-10-05.

Partially hydrogenated chlorosilanes and methods for preparing same by selective hydrogenation

Номер патента: US11827522B2. Автор: Michael Haas,Harald STÜGER,Odo Wunnicke,Michael Holthausen,Thomas Lainer. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2023-11-28.

Sacrificial Layer to Relieve Pinch Flashing in Molding Operations

Номер патента: US20120067484A1. Автор: Yue Zhang,Ralph Allen Hulseman. Владелец: Michelin Recherche et Technique SA Switzerland. Дата публикации: 2012-03-22.

Additive manufacturing by selective liquid cooling

Номер патента: US20210060852A1. Автор: Davey Vadder. Владелец: Evapco Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

System and Method for Updating Electronic Content By Selectively Replacing Virtual 3D Objects

Номер патента: US20230401802A1. Автор: Russ Maschmeyer,Brennan LETKEMAN. Владелец: Shopify Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for forming a multi-material part by selective laser melting

Номер патента: US20210170495A1. Автор: Lin Wang,Yun Wang,Jing Bai,Huanqing Yang,Dongjian Peng,Hulin LI. Владелец: Xi'an Space Engine Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

System and method for updating electronic content by selectively replacing virtual 3d objects

Номер патента: CA3199103A1. Автор: Russ Maschmeyer,Brennan LETKEMAN. Владелец: Shopify Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Device and a method for fabricating a three-dimensional part by selectively melting a powder bed

Номер патента: US11980943B2. Автор: Jean-Baptiste Mottin,Guillaume Fribourg. Владелец: Safran Aircraft Engines SAS. Дата публикации: 2024-05-14.

Dynamically changing data access bandwidth by selectively enabling and disabling data links

Номер патента: US20200401208A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2020-12-24.

Methods and apparatuses for contouring tissue by selective application of energy

Номер патента: WO2008067304A3. Автор: Michael Lau,Leonard F Pease. Владелец: Leonard F Pease. Дата публикации: 2008-07-31.

Reducing power consumption by selective memory chip hibernation

Номер патента: US20230024864A1. Автор: Mark Nelson,Brett Niver,Gabriel Zvi BenHanokh. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Methods and devices for producing three-dimensional components by selective solidification

Номер патента: US20210379662A1. Автор: Andreas Margolf. Владелец: Trumpf Laser und Systemtechnik GmbH. Дата публикации: 2021-12-09.

Additive manufacturing by selective liquid cooling

Номер патента: EP4253009A2. Автор: Davey Vadder. Владелец: Evapco Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Dynamically changing data access bandwidth by selectively enabling and disabling data links

Номер патента: US20190250695A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-08-15.

Balancing resiliency and performance by selective use of degraded writes and spare capacity in storage systems

Номер патента: US20210373796A1. Автор: DORON Tal,Yosef SHATSKY,Rivka Matosevich. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Dynamically changing data access bandwidth by selectively enabling and disabling data links

Номер патента: US20240184353A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-06.

Nickel-based superalloy formed by selective laser melting and preparation method thereof

Номер патента: US20240189897A1. Автор: Jun Zhang,Yong Zhao,Min Guo,Meng Wang,Lin Liu,Haijun Su,Hengzhi FU. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2024-06-13.

An ai based screening method for a detection and automated isolation of a covid-19 positive patient

Номер патента: AU2021104487A4. Автор: Dinesh BHATIA,Swarnava Biswas,Moumita Dey,Moumita Mukherjee,Pranjal Phukan,Debajit Sen. Владелец: Phukan Pranjal Dr. Дата публикации: 2022-04-28.

Isolation of the hepatoprotective agent acteoside from colerbrokea oppositifolia

Номер патента: WO2004087184A1. Автор: Ghulam Nabi Qazi,Gurdarshan Singh,Bal Krishan Kapahi,Om Parkash Suri,Krishan Avtar Suri,Naresh Kumar Satti,Kasturi Lal Bedi,Bal Krishan Chandan,Bupinder Singh Jaggi,Neelam Sharma,Musarat Amina,Bishan Datta Gupta. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC AND INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2004-10-14.

Microfluidic device, microfluidic system and method for the isolation of particles

Номер патента: AU2022235560B2. Автор: Gianni Medoro,Nicolò Manaresi,Alex Calanca. Владелец: Menarini Silicon Biosystems SpA. Дата публикации: 2024-06-20.

Isolation of the hepatoprotective agent acteoside from colerbrokea oppositifolia

Номер патента: AU2003215819A1. Автор: Ghulam Nabi Qazi,Gurdarshan Singh,Bal Krishan Kapahi,Om Parkash Suri,Krishan Avtar Suri,Naresh Kumar Satti,Kasturi Lal Bedi,Bal Krishan Chandan,Bupinder Singh Jaggi,Neelam Sharma,Musarat Amina,Bishan Datta Gupta. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2004-10-25.

Isolation of the hepatoprotective agent acteoside from colerbrokea oppositifolia

Номер патента: EP1617853A1. Автор: Ghulam Nabi Qazi,Gurdarshan Singh,Bal Krishan Kapahi,Om Parkash Suri,Krishan Avtar Suri,Naresh Kumar Satti,Kasturi Lal Bedi,Bal Krishan Chandan,Bupinder Singh Jaggi,Neelam Sharma,Musarat Amina,Bishan Datta Gupta. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2006-01-25.

Method for isolation of ac from mixture of radium, actinium and thorium

Номер патента: EP3430177A1. Автор: Martin Vlk,Karel Svoboda,Ján Kozempel,Michał Hoffmann,Petra MICOLOVA,Ekaterina KUKLEVA,Katerina FIALOVA,Lucie KOMANKOVA,Anna BAJZIKOVA,Josef PODLAHA,Patrick BURIAN,Stanislav SMRCEK. Владелец: UJV Rez AS. Дата публикации: 2019-01-23.

Anti-seismic isolator of the sliding pendulum type for protecting constructions

Номер патента: EP3872281A1. Автор: Gianpaolo COLATO. Владелец: Fip Mec Srl. Дата публикации: 2021-09-01.

Isolation of phenyl ester salts from mixtures comprising sulfolane

Номер патента: US20020040151A1. Автор: Kevin Fontenot,David Attride,Keith Terhune. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2002-04-04.

Isolation of Emergency within Process Systems of a Hydrocarbon Processing Facility

Номер патента: US20240152134A1. Автор: Omar A. Mohisin,Yasser Alshaalan,Omar A. Dubayan,Abdullah Ali Alghamdi,Haider Bashir. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-05-09.

Improved isolation of phenyl ester salts from mixtures comprising sulfolane

Номер патента: WO2001094303A3. Автор: Kevin J Fontenot,David C Attride,Keith B Terhune. Владелец: Eastman Chem Co. Дата публикации: 2002-08-08.

Improved isolation of phenyl ester salts from mixtures comprising sulfolane

Номер патента: EP1286960A2. Автор: Kevin J. Fontenot,David C. Attride,Keith B. Terhune. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2003-03-05.

Improved isolation of phenyl ester salts from mixtures comprising sulfolane

Номер патента: WO2001094303A2. Автор: Kevin J. Fontenot,David C. Attride,Keith B. Terhune. Владелец: EASTMAN CHEMICAL COMPANY. Дата публикации: 2001-12-13.

Improved isolation of phenyl ester salts from mixtures comprising sulfolane

Номер патента: AU2001268158A1. Автор: Kevin J. Fontenot,David C. Attride,Keith B. Terhune. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2001-12-17.

Method for the specific isolation of nucleic acids of interest

Номер патента: US09944974B2. Автор: Franck Tarendeau. Владелец: bioMerieux SA. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of isolation of polyhydroxyalkanoates (PHAs) from biomass fermented by microorganisms producing polyhydroxyalkanoates (PHAs) and/or from biomass containing at least one crop-plant producing polyhydroxyalkanoates

Номер патента: US09944748B2. Автор: Jiří Trejbal,Martin Zapletal. Владелец: Nafigate Corp AS. Дата публикации: 2018-04-17.

Procedure for the specific isolation of total DNA content of bacterial germs and a kit for this purpose

Номер патента: US09605256B2. Автор: Gabor Kiss,Janos Kiss,Georgina BERNÁTH,Katalin Sztancsik Ambrusne Kovacs. Владелец: DIAGON KFT. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for isolation of ethylene oxide

Номер патента: RU2220963C1. Автор: В.М. Бусыгин,В.В. Кузнецов,Д.Х. Сафин,Г.П. Ашихмин,В.Н. Краснов,Г.М. Макаров,А.И. Чебарева. Владелец: Открытое акционерное общество "Нижнекамскнефтехим". Дата публикации: 2004-01-10.

Method of isolation of clavulanic acid

Номер патента: RU2206613C2. Автор: Эгидий Цапудер. Владелец: Лек, Товарна Фармацевтских Ин Кемичних Изделков, Д.Д.. Дата публикации: 2003-06-20.

Active drug delivery to distant eye region by subconjunctival or periocular prodrug delivery

Номер патента: RU2353393C2. Автор: Патрик ХЬЮС,Крест ОЛЕДЖНИК. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2009-04-27.

Process for preparing citral by selective gas-phase oxidization of geraniol

Номер патента: CN1305983A. Автор: 王志忠,夏春谷,陈革新,姚彩兰,宋焕玲,李贵毓. Владелец: Lanzhou Institute of Chemical Physics LICP of CAS. Дата публикации: 2001-08-01.

Device for transmitting electrically isolated control signals

Номер патента: RU2254671C2. Автор: И.А. Семенов,А.И. Патрин. Владелец: Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА"). Дата публикации: 2005-06-20.

Device for transmitting electrically isolated control signals

Номер патента: RU2252490C2. Автор: И.А. Семенов,А.В. Копытин. Владелец: Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА"). Дата публикации: 2005-05-20.

Method for dc-to-dc voltage conversion in electrically isolated power supplies

Номер патента: RU2320066C1. Автор: Андрей Иванович Пономаренко,Игорь Юрьевич Томилин. Владелец: ОАО "Электроавтоматика". Дата публикации: 2008-03-20.

Electrically operated fish scaler having electrical isolation

Номер патента: CA1101621A. Автор: Floyd S. Saizon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-05-26.

Catalyst for selective oxidation of hydrogen sulfide, method of preparation thereof, and a process of selectively oxidizing hydrogen sulfide to elemental sulfur

Номер патента: RU2288888C1. Автор: Наиля Самильевна Сакаева,рова Галина Александровна Бухти,Галина Александровна Бухтиярова,Наталья Владимировна Кладова,Галина Ивановна Любушко,Наталь Владимировна Кладова,Наил Самильевна Сакаева. Владелец: Открытое акционерное общество "Катализатор". Дата публикации: 2006-12-10.

Video Slice and Active Region Based Multiple Partial Encryption

Номер патента: US20120002809A1. Автор: Candelore Brant L.,Pedlow,Derovanessian Henry,JR. Leo M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Honeycomb-structure block catalyst for selective oxidation of ammonia into nitrogen oxide

Номер патента: RU2207904C1. Автор: М.Г. Макаренко,В.В. Сотников,А.А. Кирчанов. Владелец: Кирчанов Александр Анатольевич. Дата публикации: 2003-07-10.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compound for isolation of high-permeable intervals in bed

Номер патента: RU2094606C1. Автор: Ф.Х. Галеев,Л.К. Алтунина,В.А. Кувшинов,Ю.А. Поддубный,А.Г. Дябин,Л.А. Стасьева,В.А. Кан,А.Я. Соркин,Ф.Ф. Галиев. Владелец: Российский межотраслевой научно-технический комплекс "Нефтеотдача". Дата публикации: 1997-10-27.

Method for selective oxidation of d-glucose

Номер патента: RU2423344C2. Автор: Михаил Геннадьевич Сульман,Линда Жановна Никошвили,Валентин Юрьевич Долуда,Валентина Геннадьевна Матвеева,Эсфирь Михайловна Сульман,Ирина Юрьевна Тямина,Наталья Валерьевна Лакина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверской государственный технический университет". Дата публикации: 2011-07-10.

Method of determining temperature of active region of light-emitting diode

Номер патента: RU2473149C1. Автор: Александр Николаевич Пихтин,Сергей Анатольевич Тарасов,Екатерина Андреевна Менькович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2013-01-20.

Method for surface treatment of epitaxial silicon wafers to form active regions

Номер патента: RU2565380C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Юсуп Пахрутдинович Шангереев,Азамат Ибрагимович Муртазалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-10-20.

Catalyst for the selective oxidation of sulfur compounds to elemental sulfur, method for the preparation of such catalyst, and method for the selective oxidation of sulfur compounds to elemental sulfur

Номер патента: CA2248129C. Автор: John Wilhelm Geus,Robert Johan Andreas Maria Terorde. Владелец: Jacobs Nederland BV. Дата публикации: 2006-04-25.

Method of increasing meat productivity of pigs by selection using genetic marker

Номер патента: RU2514634C2. Автор: Виктор Данилович Кабанов. Владелец: Виктор Данилович Кабанов. Дата публикации: 2014-04-27.

Method of measuring life-tine of minority carriers in active region of light-emitting diode

Номер патента: RU2018993C1. Автор: Н.В. Мороз,А.А. Птащенко,Б.В. Цап,Д.В. Мелконян. Владелец: Мороз Наталья Владимировна. Дата публикации: 1994-08-30.

Bulk separation of polyhydric alcohols by selective adsorption on zeolitic molecular sieves

Номер патента: CA1203252A. Автор: Chien C. Chao,John D. Sherman. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

N-OXIDES OF DIAZABICYCLONONYL PYRIMIDINE DERIVATIVES AND THEIR MEDICAL USE

Номер патента: US20120004215A1. Автор: . Владелец: NEUROSEARCH A/S. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for cleaning flue gases from nitrogen oxides by selective non-metallic reduction

Номер патента: RU2603806C2. Автор: Игорь Владимирович Исупов. Владелец: Игорь Владимирович Исупов. Дата публикации: 2016-11-27.

Method for water influx isolation of oil well

Номер патента: RU2593279C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Мирсаев Миргазямович Салихов,Ильнур Рашитович Мухлиев,Любовь Михайловна Миронова,Малик Шафикович Каюмов,Ленар Рафисович Сагидуллиин. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2016-08-10.

Compound for isolation of water-bearing beds

Номер патента: RU2124622C1. Автор: М.И. Старшов,В.М. Айдуганов,М.И. Старшов М.И. Старшов,В.М. Айдуганов В.М. Айдуганов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерно-производственный центр". Дата публикации: 1999-01-10.

Method for isolation of water-permeable bed

Номер патента: RU2124124C1. Автор: Р.Х. Муслимов,И.Г. Юсупов,Б.Е. Доброскок,Н.Н. Кубарева,Р.Х. Мусабиров,Г.Н. Пестерников,А.С. Максютин,С.И. Свиридов,В.Б. Обухова,В.П. Филиппов,С.П. Пучков,Ю.А. Поддубный,А.Г. Дябин,С.Ю. Ненароков. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "Научно-производственный центр "НОМАК". Дата публикации: 1998-12-27.

Composition for isolation of behind-casing flows and bed high-permeability zones

Номер патента: RU2499020C1. Автор: Людмила Александровна Скородиевская,Вадим Геннадиевич Скородиевский,Сергей Александрович Братусев,Власта Викторовна Братусева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РУССИЛ Центр". Дата публикации: 2013-11-20.

Method of extraction isolation of cobalt ions from water solutions

Номер патента: RU2336113C1. Автор: Ольга Станиславовна Кудряшова,Андрей Евгеньевич Леснов,Светлана Александровна Денисова,шова Ольга Станиславовна Кудр,Мари Алексеевна Попова,Мария Алексеевна Попова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Пермский государственный университет (ГОУ ВПО ПГУ). Дата публикации: 2008-10-20.

Method of isolation of lost-circulation formations

Номер патента: RU2172810C1. Автор: В.В. Ипполитов,В.Ф. Янкевич,М.П. Александров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТюменНИИгипрогаз". Дата публикации: 2001-08-27.

Method for isolation of aromatic hydrocarbon from noncondensed gases in manufacturing styrene

Номер патента: RU2263099C1. Автор: ров М.Х. Ишми,М.Х. Ишмияров,Х.Х. Рахимов,М.Н. Рогов,А.А. Галяутдинов,М.Л. Павлов,О.Л. Елин,чин С.И. М,С.И. Мячин,А.В. Прокопенко,утдинов А.А. Гал,Р.А. Басимова,Ю.И. Борисенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Салаватнефтеоргсинтез". Дата публикации: 2005-10-27.

Method for isolation of water flow in open horizontal section producing wells

Номер патента: RU2578095C1. Автор: Ильгизар Хасимович Махмутов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Рамзис Рахимович Кадыров,Айдар Ульфатович Мансуров. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2016-03-20.

Method of integrated processing of larch wood, method of isolation of bioflavanoids, and method of isolation of arabinogalactane obtained in the course of integrated processing

Номер патента: RU2228943C1. Автор: А.А. Уминский,К.А. Уминска,К.А. Уминская. Владелец: Уминская Кристина Анатольевна. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for isolation of intestinal virus rna for analysis by rt-pcr method

Номер патента: RU2313792C1. Автор: Надежда Алексеевна Новикова,Людмила Николаевна Голицына,Наталия Владимировна Епифанова,Оксана Федоровна Федорова,Любовь Борисовна Луковникова,Надежда Алексеевна Новикова (RU),Людмила Николаевна Голицына (RU),Натали Владимировна Епифанова (RU),Оксана Федоровна Федорова (RU),Любовь Борисовна Луковникова (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Нижегородский научно-исследовательский институт эпидемиологии и микробиологии имени академика И.Н. Блохиной" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of isolation of lost-circulation beds in well

Номер патента: RU2179229C2. Автор: Р.К. Ишкаев,Н.И. Рылов,Г.И. Захарова,Р.Н. Файзуллин,А.В. Бердников. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им.В.Д.Шашина. Дата публикации: 2002-02-10.

Method for selective isolation of water inflows in oil wells

Номер патента: RU2136879C1. Автор: М.Л. Осипов,И.С. Джафаров,Ф.А. Шарифуллин,Б.А. Мамедов,Д.В. Зазирный. Владелец: Мамедов Борис Абдулович. Дата публикации: 1999-09-10.

Broth for isolation of intestinal yersinioses and pseudotuberculosis incitats

Номер патента: RU2251570C2. Автор: И.В. Смирнов,В.В. Царьков. Владелец: Царьков Виталий Владимирович. Дата публикации: 2005-05-10.

Device for isolation of formations in well

Номер патента: RU2182957C1. Автор: А.В. Власов,В.И. Ванифатьев,А.К. Дудаладов,С.В. Терентьев,В.Г. Воронов,А.М. Володин,Ю.М. Елуферьев. Владелец: Елуферьев Юрий Михайлович. Дата публикации: 2002-05-27.

Method for isolation of butadiene-styrene (methyl-styrene) and butadiene rubbers from latexes

Номер патента: RU2186072C1. Автор: А.В. Гусев,В.Д. Конюшенко,В.А. Привалов,А.В. Рачинский,О.В. Сигов,В.Г. Филь,В.Н. Папков,М.Я. Цырлов,А.В. Ковтуненко,В.Н. Лохмачев,Т.Е. Рогозина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт синтетического каучука им. академика С.В.Лебедева". Дата публикации: 2002-07-27.

Device for isolation of formation in well

Номер патента: RU2592914C1. Автор: Владимир Иванович Ванифатьев,Алексей Иванович Егоров,Александр Николаевич Носов,Михаил Алексеевич Мирошкин. Владелец: Михаил Алексеевич Мирошкин. Дата публикации: 2016-07-27.

Method of isolation of aniline from nitrobenzene hydrogenation product

Номер патента: RU2141473C1. Автор: И.И. Сабылин,М.К. Старовойтов,Ю.Д. Батрин,А.Ф. Качегин,Н.С. Фокин,В.И. Тихановский,М.И. Якушкин,В.А. Головачев,Л.И. Гайдин,В.Н. Донцов,Э.И. Степанова,Т.З. Кудряшова. Владелец: Сабылин Игорь Иванович. Дата публикации: 1999-11-20.

Method for production of modified protein isolate of sunflower press cake

Номер патента: RU2483565C2. Автор: Наталья Сергеевна Безверхая,Нелли Викторовна Ильчишина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО КубГТУ). Дата публикации: 2013-06-10.

Vibration isolator of kochetov

Номер патента: RU2357137C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Мария Олеговна Кочетова. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2009-05-27.

Method for isolation of emergency area of underground working

Номер патента: RU2459087C1. Автор: Григорий Васильевич Овчаренко,Владимир Павлович Зубов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)". Дата публикации: 2012-08-20.

Device for estimating and predicting technical state of isolation of electric motor

Номер патента: RU2283502C1. Автор: Андрей Николаевич Попов,Олег Иванович Хомутов,Станислав Олегович Хомутов,Дмитрий Анатольевич Свистёлко,Алексей Александрович Грибанов,Василий Иванович Сташко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ). Дата публикации: 2006-09-10.

Method of primary isolation of bovine respiratory syncytial virus strains, bovine respiratory syncitial virus strain for preparing diagnostic products

Номер патента: RU2451073C2. Автор: Татьяна Ивановна Глотова,Александр Гаврилович Глотов,Ирина Яковлевна Строганова. Владелец: Государственное научное учреждение Институт экспериментальной ветеринарии Сибири и Дальнего Востока Россельхозакадемии (ГНУ ИЭВСиДВ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2012-05-20.

Method for isolation of brine water inflow

Номер патента: RU2108455C1. Автор: Владимир Владимирович Мазаев,Сергей Владимирович Гусев,Ярослав Григорьевич Коваль,Николай Евдокимович Полторанин. Владелец: Николай Евдокимович Полторанин. Дата публикации: 1998-04-10.

Method for selective isolation of water influxes into oil wells by means of compositions based on solutions of polyvinylbuterene (variants)

Номер патента: RU2235856C2. Автор: И.У. Байсаев,Н.А.-В. Тепсаев,А.А. Галаев. Владелец: Открытое акционерное общество "Ингушнефтегазпром". Дата публикации: 2004-09-10.

Method for isolation of brine water inflow

Номер патента: RU2101486C1. Автор: Владимир Владимирович Мазаев,Сергей Владимирович Гусев,Ярослав Григорьевич Коваль. Владелец: Ярослав Григорьевич Коваль. Дата публикации: 1998-01-10.

Method for thermal isolation of mouth zone of product well in long frozen rocks

Номер патента: RU2247225C1. Автор: Рамиз Алиджавад Оглы Гасумов,С.Д. Шляховой,Д.С. Шляховой,А.В. Кулигин,В.М. Пищухин,Рамиз Алиджавад Оглы Гасумов (RU),ховой Д.С. Шл (RU),А.В. Кулигин (RU),ховой С.Д. Шл (RU),В.М. Пищухин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Северо-Кавказский научно-исследовательский проектный институт природных газов" Открытого акционерного общества "Газпром". Дата публикации: 2005-02-27.

Polymer backfilling composition for isolation of water influx in high temperature oil and gas wells

Номер патента: RU2426865C1. Автор: Виктор Александрович Котельников,Владимир Антонович Бурко,Виктор Борисович Заволжский,Альберт Раисович Идиятуллин,Любовь Ивановна Павлова,Анатолий Иванович Платов,Валерий Оттович Мейнцер,Юрий Григорьевич Серкин,Гамиль Шамильевич Абдульманов. Владелец: Гамиль Шамильевич Абдульманов. Дата публикации: 2011-08-20.

Method for isolation of lost-circulation formation

Номер патента: RU2042781C1. Автор: В.Ф. Целищев,О.В. Целищев. Владелец: Целищев Василий Федорович. Дата публикации: 1995-08-27.

Fungus strain aspergillus terreus 44-62 as producer of lovastatin, industrial method for isolation of lovastatin and method for lactoninization of statins

Номер патента: RU2261901C2. Автор: А.Г. Мишин,Н.И. Санцевич,В.Г. Джавахия,Т.М. Воинова,Н.А. Вавилова,Н.Г. Винокурова,В.М. Кадомцева,В.В. Джавахия,В.Г. Джавахи (RU),Т.М. Воинова (RU),Н.А. Вавилова (RU),Н.И. Санцевич (RU),Н.Г. Винокурова (RU),В.М. Кадомцева (RU),В.В. Джавахи (RU),А.Г. Мишин (RU). Владелец: Мишин Алексей Геннадиевич. Дата публикации: 2005-10-10.

Grouting composition for isolation of lost-circulation zones and a method for preparation thereof

Номер патента: RU2293100C1. Автор: Николай Иванович Крысин,Равиль Габдуллинович Салихов,Владимир Андреевич Опалев,Александр Павлович Пермяков,Александр Павлович Предеин,Николай Иванович Крысин (RU),Владимир Андреевич Опалев (RU),Александр Павлович Предеин (RU),Равиль Габдуллинович Салихов (RU),ков Александр Павлович Перм (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИНТЕНСИФИКАЦИЯ". Дата публикации: 2007-02-10.

Method for isolating of well from influx edge water

Номер патента: RU2232265C1. Автор: И.И. Клещенко,С.К. Сохошко,М.Г. Гейхман,В.К. Романов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТюменНИИгипрогаз". Дата публикации: 2004-07-10.

Method of selective isolation of high-permeability formation intervals in well

Номер патента: RU2183727C1. Автор: Азизага Ханбаба оглы Шахвердиев,Гейлани Минхадж оглы Панахов,Ф.А. Шарифуллин. Владелец: Некоммерческое партнерство Институт системных исследований процессов нефтегазодобычи. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of isolation of triethylenediamine

Номер патента: RU2184736C1. Автор: С.В. Костенко,С.Д. Каракотов,В.П. Чернышев,В.Г. Желонкин,В.А. Кошельков,В.И. Андропов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Щелково Агрохим". Дата публикации: 2002-07-10.

Method for isolation of protein substances from dairy raw materials

Номер патента: RU2295251C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Дмитрий Алексеевич Кондруцкий,Юлия Павловна Иощенко,Юли Павловна Иощенко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ). Дата публикации: 2007-03-20.

Method for selective isolation of watered intervals of oil bed

Номер патента: RU2085724C1. Автор: С.В. Иванов,В.В. Андреев,Ф.И. Алеев,И.Ф. Черноштанов. Владелец: Центральная научно-исследовательская лаборатория Производственного объединения "Оренбургнефть". Дата публикации: 1997-07-27.

Heat isolation of primary reforming tube furnace bottom manifold

Номер патента: RU2438772C1. Автор: Степан Романович Замятин,Владимир Евгеньевич Гельфенбейн,Юрий Леонидович Журавлев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Опытный завод огнеупоров". Дата публикации: 2012-01-10.

Viability preserving medium for clinical isolates of pathogenic treponema palladium

Номер патента: RU2344169C1. Автор: Наталия Владиславовна Фриго,Алексей Алексеевич Кубанов,Анна Алексеевна Кубанова,Сергей Владимирович Ротанов,Натали Владиславовна Фриго. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Государственный научный центр дерматовенерологии Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи "(ФГУ "ГНЦД Росмедтехнологий"). Дата публикации: 2009-01-20.

Procedure for isolation of water influx into well

Номер патента: RU2426863C1. Автор: Виктор Александрович Котельников,Владимир Антонович Бурко,Виктор Борисович Заволжский,Альберт Раисович Идиятуллин,Любовь Ивановна Павлова,Анатолий Иванович Платов,Валерий Оттович Мейнцер,Юрий Григорьевич Серкин,Гамиль Шамильевич Абдульманов. Владелец: Гамиль Шамильевич Абдульманов. Дата публикации: 2011-08-20.

Method for separate isolation of tanning substances and flavonoids from medicinal plant material

Номер патента: RU2522227C1. Автор: Ирина Александровна Самылина,Анна Игоревна Марахова,Николай Николаевич Федоровский,Алла Анатольевна Сорокина,Павел Витальевич Баурин. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Первый Московский государственный медицинский университет им. И.М. Сеченова Министерства здравоохранения Российской Федерации (ГБОУ ВПО Первый МГМУ им. И.М. Сеченова Министерства здравоохранения Российской Фед. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for selective isolation of high-permeable intervals in oil bed

Номер патента: RU2127797C1. Автор: Ю.А. Поддубный,А.Г. Дябин,В.А. Кан,В.Е. Ступоченко,А.Я. Соркин. Владелец: Дябин Александр Геннадьевич. Дата публикации: 1999-03-20.

Method for isolation of water inflow, absorbing zone, and for shut-off of well bed

Номер патента: RU2147331C1. Автор: А.С. Жарков,В.И. Марьяш,Ю.И. Максимович,В.А. Моисеев,И.П. Королев,А.Н. Лысенко,В.А. Губарь,В.Е. Лещенко,В.И. Червяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Компомаш-ГИРС". Дата публикации: 2000-04-10.

Multifunctional composition for bottomhole formation zone treatment and isolation of water influx to well

Номер патента: RU2572254C1. Автор: Владимир Анатольевич Волков,Валентина Георгиевна Беликова,Алексей Николаевич Турапин,Сергей Васильевич Афанасьев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Дельта-пром инновации". Дата публикации: 2016-01-10.

Method for isolation of absorption zone in wells

Номер патента: RU2139410C1. Автор: А.Н. Кульков,А.А. Ахметов,Г.А. Киряков,А.М. Шарипов. Владелец: Уренгойское производственное объединение им.С.А.Оруджева "Уренгойгазпром". Дата публикации: 1999-10-10.

Method of isolation of avermectin complexes

Номер патента: RU2182174C2. Автор: ев В.А. Дрин,В.А. Дриняев,В.А. Мосин,к Е.Б. Кругл,Е.Б. Кругляк,Т.С. Новик. Владелец: Дриняев Виктор Антонович. Дата публикации: 2002-05-10.

Method for initial isolation of influenza virus a strain, strain virus a/duck/novosibirsk/56/05 h5n1 for preparation for diagnosis, prophylaxis and therapeutical agents, and for evaluation of antiviral activity of various compounds

Номер патента: RU2309983C2. Автор: Петр Григорьевич Дерябин,Тарас Иванович Алипер,Евгений Анатольевич Непоклонов,Татьяна Владимировна Гребенникова,Дмитрий Константинович Львов,Михаил Юрьевич Щелканов,Алексей Дмитриевич Забережный,Алексей Геннадьевич Прилипов,Николай Анатольевич Власов,Дмитрий Евгеньевич Киреев,Дмитрий Константинович Львов (RU),бин Пётр Григорьевич Дер (RU),Алексей Дмитриевич Забережный (RU),Тарас Иванович Алипер (RU),Тать на Владимировна Гребенникова (RU),Михаил Юрьевич Щелканов (RU),Алексей Геннадьевич Прилипов (RU),Евгений Анатольевич Непоклонов (RU),Николай Анатольевич Власов (RU),Дмитрий Евгеньевич Киреев (RU). Владелец: Государственное учреждение Научно-исследовательский институт вирусологии им. Д.И. Ивановского Российской академии медицинских наук. Дата публикации: 2007-11-10.

Method for isolation of oil and protein-containing product from high-oleic vegetal material

Номер патента: RU2517855C2. Автор: Алексей Петрович Нечаев,Лариса Валентиновна Зайцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет пищевых производств" Министерства образования и науки Российской Федерации. Дата публикации: 2014-06-10.

Set-for external anticorrosive isolation of pipes

Номер патента: RU2282098C1. Автор: Валентин Германович Абезин,Василий Валентинович Карпунин,Василий Васильевич Карпунин,Андрей Васильевич Карпунин,Дмитрий Анатольевич Сердюков. Владелец: Государственное научное учреждение Поволжский научно-исследовательский институт эколого-мелиоративных технологий Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2006-08-20.

Method of isolation of 2,4-dichlorophenoxyacetic acid

Номер патента: RU2140900C1. Автор: Р.Б. Валитов,Л.В. Воронкова,В.С. Пилюгин,Ю.Е. Сапожников,Г.Е. Семенова. Владелец: Научно-исследовательский технологический институт гербицидов и регуляторов роста растений АН Башкортостан. Дата публикации: 1999-11-10.

Method for underground isolation of radioactive wastes

Номер патента: RU2160476C1. Автор: Т.А. Гупало. Владелец: ГУП Всероссийский проектно-изыскательский и научно-исследовательский институт промышленной технологии. Дата публикации: 2000-12-10.

Method for isolation of nucleic acids

Номер патента: RU2272072C1. Автор: Валентин Викторович Власов,Павел Петрович Лактионов,Елена Юрьевна Рыкова,Светлана Николаевна Тамкович. Владелец: Павел Петрович Лактионов. Дата публикации: 2006-03-20.

Unloaded vibration isolator of large carrying capacity

Номер патента: RU2506475C2. Автор: Александр Иванович Ермаков,Федор Васильевич Паровай,Изольд Давидович Эскин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2014-02-10.

Method for isolation of butanol, butyl acetate and water of mixture

Номер патента: RU2058284C1. Автор: Л.В. Полякова,Л.Н. Бельдеева,И.М. Марченко,М.С. Христенко,О.Ю. Сартакова,О.В. Червова,С.Б. Шаганова,Е.П. Катунина. Владелец: Алтайский государственный технический университет им.И.И.Ползунова. Дата публикации: 1996-04-20.

Method for preparative isolation of high density lipoprotein fraction from plasma or serum blood

Номер патента: RU2211040C2. Автор: Л.Е. Панин,Р.В. Галимов,Ф.В. Тузиков,Н.А. Тузикова. Владелец: Государственный научный центр вирусологии и биотехнологии "Вектор". Дата публикации: 2003-08-27.

METHOD OF ISOLATION OF SECRETION INHIBITOR OF SIDEROPHORES SYNTHESISED BY PGM-STRAINS Y. pestis AND ISOLATED INHIBITOR

Номер патента: RU2549712C1. Автор: Ольга Николаевна Подладчикова,Виолетта Андреевна Рыкова,Инна Владимировна Морозова. Владелец: Федеральное казенное учреждение здравоохранения "Ростовский-на-Дону ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский противочумный институт" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2015-04-27.

Method to detect pathogenic strains and isolates of bacteria pasteurella multocida

Номер патента: RU2477321C1. Автор: Татьяна Ивановна Глотова,Александр Гаврилович Глотов,Алексей Васильевич Нефедченко. Владелец: Государственное научное учреждение Институт экспериментальной ветеринарии Сибири и Дальнего Востока Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ИЭВСиДВ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2013-03-10.

Method for heat vision control of heat isolation of vessels and pipelines

Номер патента: RU2296983C1. Автор: Максим Михайлович Пеньков,Василий Иванович Шевченко,Алексей Петрович Софьин,Игорь Васильевич Наумчик,Андрей Владимирович Клепов,Ольга Петровна Ковалева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военно-космическая академия им. А.Ф. Можайского. Дата публикации: 2007-04-10.

Safety method against high-temperature oxidation of internal cavity surface of cooled turbine blades made of carbon-free heat-resistance alloy on basis of nickel

Номер патента: RU2349678C2. Автор: Сергей Артемович Мубояджян,дж н Сергей Артемович Мубо,Арам Грантович Галоян,н Арам Грантович Гало. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2009-03-20.

Method of vibration isolation of transport facility and self-propelled process vehicle operator and operator seat contact suspension to this end

Номер патента: RU2438888C1. Автор: Владимир Николаевич Говердовский,Владимир Валерьевич Бабенков,Павел Владимирович Говердовский,Александр Валерьевич Зобов,Юрий Николаевич Смородин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный университет путей сообщения" (СГУПС). Дата публикации: 2012-01-10.

Stop and control device for automatic isolation of gas well pipeline

Номер патента: RU2386882C1. Автор: Александр Нухович Коблев. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Промавтоматика". Дата публикации: 2010-04-20.

Compound for isolation of water inflow and absorbing zones in well, and its application method

Номер патента: RU2483093C1. Автор: Альфия Камилевна Сахапова,Дильбархон Келамединовна Хасанова,Рамзис Рахимович Кадыров,Владимир Михайлович Акуляшин,Сухроб Рустамович Хасанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-05-27.

Medium for isolation of legionella pneumophila

Номер патента: RU2580227C1. Автор: Александр Николаевич Терентьев,Георгий Давидович Харабаджахян,Ирина Константиновна Савельева,Елена Павловна Ульрих,Александр Иванович Шелохович,Елена Юрьевна Люкшина,Ольга Георгиевна Булахова. Владелец: Федеральное казенное учреждение здравоохранения "Ростовский-на-Дону ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский противочумный институт" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2016-04-10.

Vibration isolator of large carrying capacity

Номер патента: RU2506474C2. Автор: Александр Иванович Ермаков,Федор Васильевич Паровай,Изольд Давидович Эскин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2014-02-10.

Method for integrated processing of larch wood, method for isolation of bioflavanoids, and method for isolation of arabinogalactan obtained during integrated processing

Номер патента: RU2229490C1. Автор: А.А. Уминский,К.А. Уминска,К.А. Уминская,Р.П. Писарев,Т.Т. Белоев. Владелец: Белоев Тамаз Тикоевич. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of preparation of composition for isolation of formation highly flooded-out regions

Номер патента: RU2210666C2. Автор: С.В. Крупин,Л.В. Кирин. Владелец: Казанский государственный технологический университет. Дата публикации: 2003-08-20.

Method for isolation of 1-fluoro-1,1-dichloroethane, 1,1-difluoro-1-chloroethane, 1,1,1-trifluoroethane and hydrogen chloride from gas synthesis

Номер патента: RU2265007C1. Автор: В.В. Иванов,Б.Л. Никифоров,А.П. Орлов,В.Г. Барабанов,К.А. Мальцев,В.Б. Щавелев,А.В. Вахрушев,В.А. Пруг. Владелец: Пруг Валерий Андреевич. Дата публикации: 2005-11-27.

Method for unilateral surgical isolation of high, limited, immature, draining jejunal fistulas

Номер патента: RU2532885C1. Автор: Владимир Михайлович Бенсман,Александр Якубович Гучетль,Олег Васильевич Сидоренко. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный медицинский университет Министерства здравоохранения России. Дата публикации: 2014-11-10.

Composition for isolation of absorption zones

Номер патента: RU2373251C2. Автор: Владимир Сергеевич Петров,Александр Николаевич Мокшаев,Сергей Николаевич Горонович,Виктор Александрович Широков,Петр Федорович Цыцымушкин,Виталий Николаевич Степанов,Владимир Васильевич Романов,Андрей Витальевич Ефимов,Владимир Иванович Днистрянский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Волго-Уральский научно-исследовательский и проектный институт нефти и газа" (ООО "ВолгоУралНИПИгаз"). Дата публикации: 2009-11-20.

METHOD OF PREPARING BIOLOGICAL MATERIAL FOR ISOLATION OF Coxiella burnetii DNA

Номер патента: RU2475741C1. Автор: Елена Николаевна Лазарева,Светлана Жахслыковна Неталиева. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГБОУ ВПО АГМА Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2013-02-20.

Device for isolation of formation in well

Номер патента: RU2592592C1. Автор: Владимир Иванович Ванифатьев,Алексей Иванович Егоров,Александр Николаевич Носов,Михаил Алексеевич Мирошкин. Владелец: Михаил Алексеевич Мирошкин. Дата публикации: 2016-07-27.

Procedure for isolation of water-encroached sections of oil reservoir

Номер патента: RU2426864C1. Автор: Игорь Олегович Иванов,Станислав Васильевич Крупин,Мухамед Усманович Кадыров,Булат Мухамедович Кадыров,Игорь Игоревич Зарипов,Александр Михайлович Перфильев,Олег Владимирович Милавин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РИКАВЕРИ" (ООО "РИКАВЕРИ"). Дата публикации: 2011-08-20.

Method for realization of protective isolation of ethernet network services

Номер патента: RU2319313C2. Автор: Минхун ЦЗЯ,Юн Ю,Линбо СЮЙ. Владелец: Зте Корпорейшн. Дата публикации: 2008-03-10.

Method of isolation of trifluoroacetic acid from aqueous solutions

Номер патента: RU2151741C1. Автор: И.А. Яшакина,Б.Л. Никифоров. Владелец: Российский научный центр "Прикладная химия". Дата публикации: 2000-06-27.

Unloaded low-frequency vibration isolator of large carrying capacity

Номер патента: RU2506473C1. Автор: Александр Иванович Ермаков,Федор Васильевич Паровай,Изольд Давидович Эскин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2014-02-10.

Elective nutrient medium for isolation of pseudotuberculosis causiative agent

Номер патента: RU2336305C1. Автор: Людмила Семеновна Катунина,Нина Вадимовна Жаринова,Ольга Анатольевна Коняева,Ирина Юрьевна Борздова,Ольга Викторовна Малецка,Ольга Викторовна Малецкая,Нина Спиридоновна Царева,Виталий Иванович Шедрин,ева Ольга Анатольевна Кон,Ольга Николаевна Мухортова,Тать на Маратовна Лунева,Татьяна Маратовна Лунева. Владелец: Федеральное государственное учреждение здравоохранения Ставропольский научно-исследовательский противочумный институт Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2008-10-20.

Nutrient biphase medium for isolation of trichomonads

Номер патента: RU2272834C2. Автор: Оксана Витальевна Бойко,Александр Аркадьевич Николаев,Мария Вячеславовна Плосконос,Андрей Виталиевич Бойко,Дмитрий Леонидович Луцкий,Наталья Игоревна Гудинская,Мари В чеславовна Плосконос,Наталь Игоревна Гудинска. Владелец: Александр Аркадьевич Николаев. Дата публикации: 2006-03-27.

Method of isolation of restored tendons of finger flexors with application of polytetrafluorethylene

Номер патента: RU2452421C2. Автор: Светлана Васильевна Валетова,Андрей Георгиевич Полькин,Артем Олегович Афанасьев,Любовь Анатольевна Родоманова. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Российский ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им.Р.Р.Вредена Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ФГУ "РНИИТО им.Р.Р.Вредена Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2012-06-10.

Method of isolation of endonuclease from cobra venom

Номер патента: RU2515924C1. Автор: Лев Евгеньевич Панин,Татьяна Витальевна Ямковая,Виталий Иванович Ямковой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВИТАЛАНГ". Дата публикации: 2014-05-20.

Process for the manufacture of spherical bodies by selective agglomeration

Номер патента: CA1276069C. Автор: Andrew Rainis. Владелец: Chevron Research and Technology Co. Дата публикации: 1990-11-13.

Method of isolation of phenol, pyrocatechol and hydroquinone from their mixture with water and resin-like products

Номер патента: RU2028286C1. Автор: В.Н. Машин,Ю.М. Гольдберг,С.В. Трифонов,С.Н. Хахин,М.Л. Степанский,А.П. Козлов,В.Я. Эйдельман,М.В. Добрянский,Г.А. Овсянников,Л.К. Гончаренко,А.М. Цевелев. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "Промышленно-финансовая группа "Ассоциация внедрения". Дата публикации: 1995-02-09.

Method of processing larch wood and method for isolation of native bioflavonoids obtained in the course of processing

Номер патента: RU2165416C1. Автор: А.А. Уминский,К.А. Уминска,К.А. Уминская. Владелец: Открытое акционерное общество "Инвестиционная компания социальной защиты и развития малочисленных народов Севера "Титул". Дата публикации: 2001-04-20.

Isolation of bores in metal parts at painting

Номер патента: RU2566409C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Евгений Иванович Суздальцев,Екатерина Васильевна Миронова,Екатерина Валерьевна Горелова,Ирина Александровна Булимова. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина" (АО "ОНПП "Технология" им.А.Г.Ромашина"). Дата публикации: 2015-10-27.

Blocking composite for isolation of loss-circulation zones during well drilling and workover operation

Номер патента: RU2487909C1. Автор: Александр Владимирович Бондаренко,Василий Вячеславович Дуркин,Леопольт Александрович Руль,Михаил Николаевич Мымрин,Леонид Николаевич Сухогузов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт природных газов и газовых технологий - Газпром ВНИИГАЗ". Дата публикации: 2013-07-20.

Method for isolation of biologically active dihydroquercetin isomers

Номер патента: RU2308267C1. Автор: Владимир Петрович Тихонов,Валерий Геннадиевич Макаров,Юрий Арсеньевич Колесник,Дмитрий Анатольевич Шматков,Игорь Георгиевич Зенкевич,Анна Юрьевна Ещенко. Владелец: Открытое Акционерное Общество Завод Экологической Техники И Экопитания "Диод". Дата публикации: 2007-10-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.