DT capacitor with silicide outer electrode and/or compressive stress layer, and related methods
Номер патента: US09653535B2
Опубликовано: 16-05-2017
Автор(ы): Dong Hun Kang, Herbert L. Ho, Nicolas L. Breil, Ricardo A. Donaton, Rishikesh Krishnan
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-05-2017
Автор(ы): Dong Hun Kang, Herbert L. Ho, Nicolas L. Breil, Ricardo A. Donaton, Rishikesh Krishnan
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
DT capacitor with silicide outer electrode and/or compressive stress layer, and related methods
Номер патента: US09496329B2. Автор: Dong Hun Kang,Rishikesh Krishnan,Herbert L. Ho,Nicolas L. Breil,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.