Method for producing field effect transistor, field effect transistor, display device, image sensor, and x-ray sensor
Номер патента: KR101549797B1
Опубликовано: 02-09-2015
Автор(ы): 마사시 오노, 마사유키 스즈키, 마사히로 다카타, 아츠시 다나카, 후미히코 모치즈키
Принадлежит: 후지필름 가부시키가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-09-2015
Автор(ы): 마사시 오노, 마사유키 스즈키, 마사히로 다카타, 아츠시 다나카, 후미히코 모치즈키
Принадлежит: 후지필름 가부시키가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
METHOD FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY DEVICE, IMAGE SENSOR, AND X-RAY SENSOR
Номер патента: US20140131696A1. Автор: ONO Masashi,MOCHIZUKI Fumihiko,TAKATA Masahiro,TANAKA Atsushi,SUZUKI Masayuki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-05-15.