METHOD OF FORMING CONTACT AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THE METHOD
Номер патента: US20130277848A1
Опубликовано: 24-10-2013
Автор(ы): Ki Jun Yun
Принадлежит: Dongbu HitekCo Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-10-2013
Автор(ы): Ki Jun Yun
Принадлежит: Dongbu HitekCo Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby
Номер патента: US09922930B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.