Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Fabrication method of wiring substrate for mounting semiconductor element and semiconductor device

Fabrication method of wiring substrate for mounting semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: KR100614548B1
Опубликовано: 25-08-2006
Автор(ы): 구사노히데도시, 오사와겐지, 이지마도모
Принадлежит: 노쓰 코포레이션, 소니 가부시끼 가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing multilayer wiring substrate, and multilayer wiring substrate

Номер патента: US20070293038A1. Автор: Yuji Nishitani,Hiroshi Asami,Hidetoshi Kusano,Ken Orui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate, and multilayer wiring substrate

Номер патента: CN102164464B. Автор: 前田真之介,铃木哲夫,平野训. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-12.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate, and multilayer wiring substrate

Номер патента: CN102164464A. Автор: 前田真之介,铃木哲夫,平野训. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-24.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate, and multilayer wiring substrate

Номер патента: US8859077B2. Автор: Satoshi Hirano,Tetsuo Suzuki,Shinnosuke Maeda. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Method of producing through wiring substrate and method of producing device

Номер патента: US09927349B2. Автор: Shinan Wang,Yutaka Setomoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of providing reflecting coating for substrate for light-emitting device

Номер патента: RU2597253C2. Автор: Кристиан КЛЕЙНЕН,Хендрик Йоханнес Баудевейн ЯГТ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Package for mounting and interconnecting a plurality of large scale integrated semiconductor devices

Номер патента: CA1137647A. Автор: Irving Feinberg,Jack L. Langdon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-12-14.

Method of producing through wiring substrate and method of producing device

Номер патента: US20170167970A1. Автор: Shinan Wang,Yutaka Setomoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of manufacturing compound wiring substrates, flexible substrates, semiconductor devices and compound wiring substrates

Номер патента: TW374974B. Автор: Takeshi Takeda,Yoshizumi Sato,Chiaki Takubo,Tomitsugu Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-21.

Method of dicing wiring substrate, and packaging substrate

Номер патента: US20200266077A1. Автор: Koji Imayoshi,Yuki Nitta. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Method of dicing wiring substrate, and packaging substrate

Номер патента: US20190304804A1. Автор: Koji Imayoshi,Yuki Nitta. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of manufacturing wiring substrate

Номер патента: US09420696B2. Автор: Junji Sato,Katsuya Fukase,Takayuki KIWANAMI. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate

Номер патента: US20120102732A1. Автор: Shinnosuke Maeda. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of Manufacturing Multilayer Wiring Substrate

Номер патента: KR101580343B1. Автор: 신노스케 마에다. Владелец: 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-12-23.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate

Номер патента: KR101470706B1. Автор: 신노스케 마에다,데츠오 스즈키,다쿠야 한도,사토시 히라노,아츠히코 스기모토,하지메 사이키. Владелец: 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-12-08.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate

Номер патента: TWI479973B. Автор: Hironori Sato,Erina YAMADA. Владелец: Ngk Spark Plug Co. Дата публикации: 2015-04-01.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate

Номер патента: TWI492688B. Автор: Shinnosuke Maeda. Владелец: Ngk Spark Plug Co. Дата публикации: 2015-07-11.

Method for producing package substrate for mounting semiconductor device

Номер патента: US12119277B2. Автор: Yoshihiro Kato,Syunsuke Hirano,Takaaki Ogashiwa. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Substrate for mounting an optical semiconductor element, manufacturing method thereof, an optical semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US8212271B2. Автор: Makoto Mizutani,Naoyuki Urasaki,Hayato Kotani. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-03.

Substrate for mounting an optical semiconductor element, manufacturing method thereof, an optical semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090095969A1. Автор: Makoto Mizutani,Naoyuki Urasaki,Hayato Kotani. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of manufacturing wiring substrate, and liquid ejection head manufactured by same

Номер патента: US20070222079A1. Автор: Hiroshi Ohta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Method of manufacturing a wiring substrate

Номер патента: US09437489B2. Автор: Tsuyoshi Yoda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Substrate for mounting semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: EP4411804A1. Автор: Yoshimasa Sugimoto. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Multi-layer wiring board substrate and semiconductor device using the multi-layer wiring substrate

Номер патента: US20010054757A1. Автор: Takashi Kurihara,Shigeru Mizuno,Michio Horiuchi,Yuka Tamadate. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-27.

Multi-layer wiring substrate and semiconductor device using the multi-layer wiring substrate

Номер патента: EP1168441A3. Автор: Shigeru Mizuno,Michio Horiuchi,Yuka Tamadate,Takashi Kuirhara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-15.

Multilayer wiring substrate

Номер патента: US09468100B2. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing wiring substrate and method of manufacturing electronic component device

Номер патента: US8176627B2. Автор: Kazuhiro Kobayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Method of manufacturing wiring substrate, and wiring substrate

Номер патента: US09699916B2. Автор: Takahiro Hayashi. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of producing foil formed member, method of producing wiring substrate, and method of producing integrated circuit

Номер патента: US20190286010A1. Автор: Takashi Imai,Yasuo Matsumura,Satoshi Hiraoka,Sumiaki Yamasaki,Shiori CHONAN. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Wiring substrate having columnar protruding part

Номер патента: US20130250533A1. Автор: Junichi Nakamura,Kotaro Kodani. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of manufacturing wiring substrate

Номер патента: US9006103B2. Автор: Kazuhiro Kobayashi,Junichi Nakamura,Kentaro Kaneko,Kotaro Kodani. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Conductive paste, wiring substrate, light-emitting device,and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230420269A1. Автор: Masaaki Katsumata,Atsushi Hosokawa,Eiko Minato. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of Manufacturing Multilayer Wiring Substrate, and Multilayer Wiring Substrate

Номер патента: KR101375998B1. Автор: 신노스케 마에다,데츠오 스즈키,다쿠야 한도,다츠야 이토,사토시 히라노,아츠히코 스기모토. Владелец: 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-03-19.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate, and multilayer wiring substrate

Номер патента: KR20120137300A. Автор: 신노스케 마에다,사토시 히라노,하지메 사이키. Владелец: 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-12-20.

Wiring substrate and method of manufacturing the wiring substrate

Номер патента: US8759685B2. Автор: Hideaki Sakaguchi,Akinori Shiraishi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-24.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate, and multilayer wiring substrate

Номер патента: KR20150008363A. Автор: 신노스케 마에다,사토시 히라노,하지메 사이키. Владелец: 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-01-22.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate, and multilayer wiring substrate

Номер патента: TW201132268A. Автор: Tatsuya Ito,Satoshi Hirano,Tetsuo Suzuki,Atsuhiko Sugimoto,Shinnosuke Maeda,Takuya Hando. Владелец: Ngk Spark Plug Co. Дата публикации: 2011-09-16.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate

Номер патента: KR101527630B1. Автор: 신노스케 마에다,사토시 히라노,하지메 사이키. Владелец: 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-06-09.

Methods of making multi-tier laminate substrates for electronic device packaging

Номер патента: TW288185B. Автор: Patrick O Weber. Владелец: Hestia Technologies Inc. Дата публикации: 1996-10-11.

Wiring substrate and method of manufacturing the wiring substrate

Номер патента: US11683886B2. Автор: Toshiki SHIROTORI. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Wiring substrate and method of manufacturing the wiring substrate

Номер патента: US20220217844A1. Автор: Toshiki SHIROTORI. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of manufacturing a wiring substrate and an electronic instrument

Номер патента: US7538031B2. Автор: Noboru Uehara,Kazuaki Sakurada,Tsuyoshi Shintate. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-26.

Method of manufacturing a wiring substrate and an electronic instrument

Номер патента: US20060068525A1. Автор: Noboru Uehara,Kazuaki Sakurada,Tsuyoshi Shintate. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Many-up wiring substrate, wiring board, and electronic device

Номер патента: US09526167B2. Автор: Hiroyuki Segawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US20170301558A1. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US10410884B2. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US9723724B2. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US20150021081A1. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Display module, display device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09807898B2. Автор: Sangmin Hong,Goeun LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of controlling contact load in electronic component mounting apparatus

Номер патента: WO2006025595A1. Автор: Hiroyuki Yoshida,Noriaki Yoshida,Shuichi Hirata,Yasuharu Ueno. Владелец: Morikawa, Makoto. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of controlling contact load in electronic component mounting apparatus

Номер патента: EP1799388A1. Автор: Shuichi c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. HIRATA,Yasuharu c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. UENO,Hiroyuki c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. YOSHIDA,Noriaki c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. YOSHIDA. Владелец: Morikawa Makoto. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100367809B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2003-01-10.

OPTICAL WIRING SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD OF the OPTICAL WIRING SUBSTRATE, AND OPTICAL MODULE

Номер патента: CN104142544A. Автор: 平野光树,安田裕纪,石川浩史. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-11-12.

Liquid composition used for etching of multilayer film containing copper and titanium, etching method using the composition, manufacturing method of multilayer film wiring, substrate

Номер патента: JP5692472B1. Автор: 智幸 安谷屋,邦夫 夕部,聡 玉井. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Method of connection for wiring substrate

Номер патента: JPS61174643A. Автор: Tsuneo Hanada,Tomozo Miyazaki,花田　常雄,宮崎　智三. Владелец: Sony Chemicals Corp. Дата публикации: 1986-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5530289A. Автор: Naohiko Hirano,Kazuhide Doi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070194435A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Substrate for mounting semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080217751A1. Автор: Shigeru Nonoyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Wiring substrate and method of manufacturing the wiring substrate

Номер патента: US20200029430A1. Автор: Makoto Kato,Yutaka Yamazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Wiring substrate and method of manufacturing the wiring substrate

Номер патента: US11178758B2. Автор: Makoto Kato,Yutaka Yamazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-11-16.

Method of bonding copper and a substrate for power electronics and made of a non-oxide ceramic

Номер патента: US5473137A. Автор: Roland Queriaud,Alain Petitbon. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1995-12-05.

Semiconductor device, heat conductor, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716053B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20050006744A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Method of manufacturing wiring substrate

Номер патента: US20050277282A1. Автор: Keiichi Takemoto,Yasuyoshi Horikawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-15.

Method of manufacturing wiring substrate

Номер патента: US7276438B2. Автор: Keiichi Takemoto,Yasuyoshi Horikawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Wiring module including wiring substrate having border portion separating two side metallic foils and manufacturing method of wiring module

Номер патента: US09615461B2. Автор: Takayuki Matsumoto,Atsushi Nakamura,Tsukasa NAKANISHI. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Substrate for mounting semiconductor element

Номер патента: US20200303289A1. Автор: Hidehiko Sasaki,Keiichi Otaki,Kaoru HISHIKI,Kotaro Tomeoka. Владелец: Ohkuchi Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device including a plurality of semiconductor chips, and a cover member with first and second brims

Номер патента: US09460938B2. Автор: Hiroyasu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Multilayer wiring substrate, probe card, and method for manufacturing multilayer wiring substrate

Номер патента: US09456494B2. Автор: Norio Sakai,Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Substrate for mounting semiconductor element

Номер патента: US20200312752A1. Автор: Hidehiko Sasaki,Keiichi Otaki,Kaoru HISHIKI,Kotaro Tomeoka. Владелец: Ohkuchi Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Packaging and cooling method and apparatus for power semiconductor devices

Номер патента: US09443786B1. Автор: George R. Woody,Wally E. Rippel,Paul F. Carosa,David L. Bogdanchik,Lon C. COOPER. Владелец: AC Propulsion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of manufacturing a wiring substrate

Номер патента: US7350297B2. Автор: Hideo Aoki,Naoko Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Method of manufacturing a wiring substrate

Номер патента: KR20070081422A. Автор: 마시히로 교즈카. Владелец: 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-08-16.

Method of manufacturing a wiring substrate

Номер патента: TW200746973A. Автор: Masahiro Kyozuka. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2007-12-16.

Wiring substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100006333A1. Автор: Nobuhiko Ishizuka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09853002B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Fabrication method of wiring structure for improving crown-like defect

Номер патента: US09426894B2. Автор: Yi-Ming Chang,I-Min Lin,Po-Shen Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Substrate for mounting electronic element and electronic device

Номер патента: US09596751B2. Автор: Hiroshi Yamada,Takuji Okamura. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: EP1598862A1. Автор: Katsumi c/o Hamamatsu Photonics K.K. SHIBAYAMA,Yutaka c/o Hamamatsu Photonics K.K. KUSUYAMA,Masahiro c/o Hamamatsu Photonics K.K. HAYASHI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-11-23.

Element housing package, component for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09491873B2. Автор: Mahiro Tsujino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12033922B2. Автор: Noboru Nagase,Toshihiro Nagaya,Akihiro Fukatsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Wiring substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the wiring substrate

Номер патента: US20240030149A1. Автор: Kosuke Tsukamoto. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of processing wiring substrate

Номер патента: US20200315021A1. Автор: Minoru Suzuki,Muneyuki Sato,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Fabricating method of a thin film transistor substrate for liquid crystal display device of minimizing defects due to static electricity

Номер патента: US8476092B2. Автор: Young-hun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US09673362B2. Автор: Naoyuki Urasaki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

METHOD OF PREPARING SURFACE OF InSb SUBSTRATE FOR HETEROSTRUCTURE CULTIVATION BY METHOD OF MOLECULAR-BEAM EPITAXY

Номер патента: RU2642879C1. Автор: Александр Иванович Торопов,Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Асхат Климович Бакаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2018-01-29.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US6894368B2. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: EP2195398A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Substrate for forming high-strength thin semiconductor element and method for manufacturing high-strength thin semiconductor element

Номер патента: CA2259777A1. Автор: Osamu Anzawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Optical semiconductor element mounting package and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US11810778B2. Автор: Naoyuki Urasaki,Kanako Yuasa. Владелец: Shenzhen Jufei Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of making a polycide interconnection layer having a silicide film formed on a polycrystal silicon for a semiconductor device

Номер патента: US20030205769A1. Автор: Hirotomo Miura. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

Method of manufacturing semiconductor substrate and substrate for semiconductor growth

Номер патента: US09666754B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Jun Youn KIM,Joo Sung KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor element coating glass and semiconductor element coating material using same

Номер патента: US20230365454A1. Автор: Masayuki Hirose. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor element bonding apparatus and semiconductor element bonding method

Номер патента: US20200235071A1. Автор: Hideyuki Murayama,Satoru Takemoto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor element memory cell and semiconductor element memory device

Номер патента: US20230377636A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a p-type compound semiconductor thin film containing a iii-group element and a v-group element by metal organics chemical vapor deposition

Номер патента: US5168077A. Автор: Kazuhiro Eguchi,Mitsuhiro Kushibe,Yasuo Ashizawa,Yoshihiro Kokubun,Takao Noda,Yasuo Ohba,Masahisa Funemizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-12-01.

Method of manufacturing electronic device, and substrate for element transfer

Номер патента: US20240105884A1. Автор: Kazuyuki Yamada,Keisuke Asada,Kenichi Takemasa,Daiki ISONO. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Seed substrate for epitaxial growth use and method for manufacturing same, and semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: EP4306689A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Seed substrate for epitaxial growth use and method for manufacturing same, and semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20240141552A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Substrate for mounting semiconductor element and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH1140702A. Автор: Kenichi Maruhashi,建一 丸橋. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-12.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100420780B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-03-02.

Multilayer wiring substrate and method of manufacturing multilayer wiring substrate

Номер патента: TW201031293A. Автор: Akira Oikawa. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2010-08-16.

Method of manufacturing multilayer wiring substrate

Номер патента: KR101505248B1. Автор: 신노스케 마에다,데츠오 스즈키,다쿠야 한도,사토시 히라노,아츠히코 스기모토,하지메 사이키. Владелец: 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-23.

Semiconductor element protection circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: JP3446665B2. Автор: 正敏 森川,功 吉田,光造 坂本,成雄 大高. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-09-16.

Copper film forming method and manufacturing method of multi-layer wiring substrate

Номер патента: US20090169727A1. Автор: Ryo Fukasawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3967905B2. Автор: 道信 飯野,寛司 久間. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Copper film forming method and manufacturing method of multi-layer wiring substrate

Номер патента: TW200932941A. Автор: Ryo Fukasawa. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2009-08-01.

Wiring substrate, input device using the same wiring substrate, and method of manufacturing the same input device

Номер патента: US20050191872A1. Автор: Shoji Fujii,Koji Tanabe,Yosuke Chikahisa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Package substrate for mounting semiconductor chip with low impedance and semiconductor device having the same

Номер патента: US6359234B1. Автор: Tsunenobu Kouda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Semiconductor device including an inner conductive layer which is cut out in the vicinity of a corner

Номер патента: US8044504B2. Автор: Tooru Suda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

Mounter Device, Part Cartridge for the Device, and Method of Holding and Carrying Substrate

Номер патента: US20070266556A1. Автор: Atsushi Ishikawa,Akihiro Kimura,Osamu Deguchi,Koji Annou. Владелец: Daisho Denshi Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-22.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100415239B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-01-14.

WIRING SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE WIRING SUBSTRATE

Номер патента: US20200029430A1. Автор: KATO Makoto,YAMAZAKI Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Wiring Substrate And Method Of Manufacturing The Wiring Substrate

Номер патента: US20200045834A1. Автор: YAMAZAKI Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Method of Manufacturing Multilayer Wiring Substrate, and Multilayer Wiring Substrate

Номер патента: US20140202740A1. Автор: SUGIMOTO Atsuhiko,ITO Tatsuya,MAEDA Shinnosuke,Hirano Satoshi,SUZUKI Tetsuo,HANDO Takuya. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-24.

METHOD OF PRODUCING THROUGH WIRING SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING DEVICE

Номер патента: US20170167970A1. Автор: Setomoto Yutaka,WANG Shinan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor element mounting member and semiconductor device using same

Номер патента: WO2006090684A1. Автор: Kenjiro Higaki,Takehisa Yamamoto,Yoshiyuki Hirose,Yasushi Tsuzuki,Daisuke Takagi. Владелец: A. L. M. T. Corp.. Дата публикации: 2006-08-31.

Phosphor layer-covered optical semiconductor element, producing method thereof, optical semiconductor device, and producing method thereof

Номер патента: EP2731152A2. Автор: Takashi Kondo,Hiroyuki Katayama. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

A doctor blade device, a printing device, a printing method, and a method of manufacturing the wiring substrate

Номер патента: TWI602710B. Автор: Shinsuke Aoshima,Kazutoshi Koshimizu,Seiji Horino. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-10-21.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3527902B2. Автор: 宗裕 上村. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2004-05-17.

Apparatus for conducting a signal and method of making a wiring substrate

Номер патента: KR100890128B1. Автор: 챨스 에이. 밀러,에마드 비. 레이쉬. Владелец: 폼팩터, 인크.. Дата публикации: 2009-03-20.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3838888B2. Автор: 廉可 國松,義博 芭蕉,清吾 松園. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Semiconductor element evaluation apparatus and semiconductor element evaluation method

Номер патента: JP4504264B2. Автор: 正人 小山,良介 飯島. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-14.

Epoxy resin composition for sealing discrete elements and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3356398B2. Автор: 貴之 市川,孝則 櫛田,貴志 外山,竜三 原,雅樹 水本. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2002-12-16.

Epoxy resin composition for sealing discrete element and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH11269248A. Автор: 貴之 市川,Takanori Kushida,孝則 櫛田,貴志 外山,Takashi Toyama,Ryuzo Hara,竜三 原,雅樹 水本,Takayuki Ichikawa,Masaki Mizumoto. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Wiring substrate

Номер патента: US20240260178A1. Автор: Motoshi SETO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF PREPARING SAME, OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING PACKAGE, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180130931A1. Автор: Urasaki Naoyuki,Yuasa Kanako. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF PREPARING SAME, OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING PACKAGE, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170263832A1. Автор: Urasaki Naoyuki,Yuasa Kanako. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor element coating agent and semiconductor device

Номер патента: JP3207929B2. Автор: 和己 中吉,勝利 峰,君男 山川. Владелец: 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社. Дата публикации: 2001-09-10.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3898571B2. Автор: 康平 福田. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3631664B2. Автор: 修一 福留. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2005-03-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087651B2. Автор: Satoshi Kondo,Junji Fujino,Michio Ogawa,Kazuma Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601438B2. Автор: Taizo Nomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312877A1. Автор: Keiji Wada,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US11817422B2. Автор: Yohei Igarashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US9245856B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor Device

Номер патента: US20150221599A1. Автор: Yoshihiro Ihara,Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20160268215A1. Автор: Manabu Nakamura,Yukio Shimizu,Nahomi Inoue. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device

Номер патента: US9659880B2. Автор: Manabu Nakamura,Yukio Shimizu,Nahomi Inoue. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

RESIN COMPOSITION, LAMINATE, SEMICONDUCTOR WAFER WITH RESIN COMPOSITION LAYER, SUBSTRATE FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR WITH RESIN COMPOSITION LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210277221A1. Автор: Kida Tsuyoshi,TAKIGUCHI Takenori,HIGASHIGUCHI Kohei,OKANIWA Masashi. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2021-09-09.

RESIN COMPOSITION, LAMINATE, SEMICONDUCTOR WAFER WITH RESIN COMPOSITION LAYER, SUBSTRATE FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR WITH RESIN COMPOSITION LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190276657A1. Автор: Kida Tsuyoshi,TAKIGUCHI Takenori,HIGASHIGUCHI Kohei. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2019-09-12.

RESIN COMPOSITION, LAMINATE, SEMICONDUCTOR WAFER WITH RESIN COMPOSITION LAYER, SUBSTRATE FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR WITH RESIN COMPOSITION LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190300678A1. Автор: Kida Tsuyoshi,TAKIGUCHI Takenori,HIGASHIGUCHI Kohei. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of making metal-ceramic housings of to-220, to-247, to-254 type

Номер патента: RU2740006C1. Автор: Владимир Алексеевич Сидоров,Сергей Владимирович Катаев,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-12-30.

Methods of manufacturing semiconductor package and package-on-package

Номер патента: US20210242190A1. Автор: Jongho Park,Seunghwan Kim,Sangsoo Kim,Yongkwan LEE,Junyoung Oh,Kyonghwan Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Board for mounting semiconductor chip and manufacturing method and semiconductor module

Номер патента: CN1625805A. Автор: 苅谷隆,西川雅也. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, CHIP-SHAPED SEMICONDUCTOR ELEMENT, ELECTRONIC DEVICE PROVIDED WITH SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200006207A1. Автор: UMEZAWA JO,TSUNEMI HIROKI. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

A sealing material layer composite body, a sealed semiconductor element carrying substrate, and a sealing semiconductor element forming a wafer, a semiconductor device, and a semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TWI555144B. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi,Hideki Akiba. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2016-10-21.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11776889B2. Автор: Tsung-Yueh Tsai,Tsu-Hsiu Wu,Chih-Hsin Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200303294A1. Автор: Tsung-Yueh Tsai,Tsu-Hsiu Wu,Chih-Hsin Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210296244A1. Автор: Tsung-Yueh Tsai,Tsu-Hsiu Wu,Chih-Hsin Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

SEMICONDUCTOR ELEMENT BONDING PORTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220310548A1. Автор: Saito Takashi,TACHIOKA Masaaki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor element-mounting package and semiconductor device

Номер патента: WO2020045604A1. Автор: 横田　智之,郁夫 丹羽,泰孝 長谷,俊介 赤井,速人 高木,広志 真田. Владелец: パナソニックＩｐマネジメント株式会社. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor element mounting structure and semiconductor element mounting method

Номер патента: CN101578695B. Автор: 光明寺大道,户村善广. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Semiconductor element mounting structure and semiconductor element mounting method

Номер патента: CN101578695A. Автор: 光明寺大道,户村善广. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-11.

Semiconductor element manufacturing method and semiconductor element manufactured by same

Номер патента: CN110858562A. Автор: 周志飚. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Semiconductor element mounting structure and semiconductor element mounting method

Номер патента: JP5066529B2. Автор: 善広 戸村,鉄平 岩瀬,一博 登. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-11-07.

Semiconductor Device including a High Density MIM Capacitor and Method

Номер патента: US20200176557A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Jin-Mu Yin,Hung-Chao Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Light emitters on transition metal dichalcogenides directly converted from thermally and electrically conductive substrates and method of making the same

Номер патента: US20200328079A1. Автор: Lain-Jong Li,Chao Zhao,Boon Siew Ooi,Tien Khee Ng,Ahmed Y. ALYAMENI,Munir M. ELDESOUKI. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2020-10-15.

Substrate for mounting semiconductor element and method for manufacturing said substrate

Номер патента: MY179632A. Автор: Hosomomi Shigeru. Владелец: Ohkuchi Mat Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Substrate for mounting semiconductor element and method for manufacturing said substrate

Номер патента: PH12015501133B1. Автор: Shigeru Hosomomi. Владелец: SH Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-27.

METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY WITH A TRENCH, SEMICONDUCTOR BODY WITH AT LEAST ONE TRENCH AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220352016A1. Автор: PARTEDER Georg,Bodner Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Methods of forming a single layer substrate for high capacity memory cards

Номер патента: KR101106234B1. Автор: 헴 타키아르,치맨 유,차이-친 리아오. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2012-01-20.

Sealing structure and sealing method of through hole, and transfer substrate for sealing through hole

Номер патента: EP3611759A4. Автор: Kenichi Inoue,Toshinori Ogashiwa,Yuya SASAKI,Masayuki Miyairi. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2020-04-15.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer and semiconductor device

Номер патента: US20210147629A1. Автор: Tsuyoshi Kida,Takenori TAKIGUCHI,Kohei HIGASHIGUCHI,Masashi OKANIWA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Surface-modified-metal-oxide-particle material, composition for sealing optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: US09972757B2. Автор: Yoichi Sato,Takeshi Otsuka,Kenji Harada,Yasuyuki Kurino,Takeru Yamaguchi. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972713B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Resin composition, laminate including the resin composition, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device including the semiconductor wafer with resin composition layer

Номер патента: US10808103B2. Автор: Tsuyoshi Kida,Takenori TAKIGUCHI,Kohei HIGASHIGUCHI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Wire substrate, display device including the same, and method of fabricating wire substrate

Номер патента: US20190086754A1. Автор: Chan Woo Yang,Joon Yong Park,Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hong Sick Park,Hyun Eok Shin,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Wire substrate, display device including the same, and method of fabricating wire substrate

Номер патента: US20190324337A1. Автор: Chan Woo Yang,Joon Yong Park,Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hong Sick Park,Hyun Eok Shin,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device

Номер патента: JP7253151B2. Автор: 鉱平 東口,武紀 瀧口,正志 岡庭,剛 木田. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device

Номер патента: CN112005351A. Автор: 泷口武纪,东口鉱平,冈庭正志,木田刚. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-11-27.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device

Номер патента: WO2017209043A1. Автор: 鉱平 東口,武紀 瀧口,剛 木田. Владелец: 三菱瓦斯化学株式会社. Дата публикации: 2017-12-07.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device

Номер патента: CN109219623B. Автор: 泷口武纪,东口鉱平,木田刚. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-09-03.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device

Номер патента: JP7256967B2. Автор: 鉱平 東口,武紀 瀧口,正志 岡庭,剛 木田. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device

Номер патента: US20210147680A1. Автор: Tsuyoshi Kida,Takenori TAKIGUCHI,Kohei HIGASHIGUCHI,Masashi OKANIWA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device

Номер патента: EP3467028B1. Автор: Tsuyoshi Kida,Takenori TAKIGUCHI,Kohei HIGASHIGUCHI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer and semiconductor device

Номер патента: US11924979B2. Автор: Tsuyoshi Kida,Takenori TAKIGUCHI,Kohei HIGASHIGUCHI,Masashi OKANIWA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device

Номер патента: US20190276657A1. Автор: Tsuyoshi Kida,Takenori TAKIGUCHI,Kohei HIGASHIGUCHI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Wire substrate and display device including the same

Номер патента: US11099441B2. Автор: Chan Woo Yang,Joon Yong Park,Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hong Sick Park,Hyun Eok Shin,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor device capacitor fabrication method

Номер патента: US20080157158A1. Автор: Jung-Ho Ahn. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Adhesive, adhesive member, wiring board for mounting semiconductor provided with adhesive member, and semiconductor device using the same

Номер патента: JP3528639B2. Автор: 禎一 稲田,弘之 栗谷,和徳 山本,靖 島田,恭 神代,裕子 田中. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-17.

Coating agent, substrate for mounting optical semiconductor element using same, and optical semiconductor device

Номер патента: MY152752A. Автор: KOTANI Hayato,Urasaki Naoyuki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-28.

Semiconductor dies having substrate shunts and related fabrication methods

Номер патента: US20140252552A1. Автор: Chai Ean Gill,Wen-Yi Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-11.

Coating agent, substrate for mounting optical semiconductor element using same, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201032299A. Автор: Naoyuki Urasaki,Hayato Kotani. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Antenna modules employing three-dimensional (3d) build-up on mold package to support efficient integration of radio-frequency (rf) circuitry, and related fabrication methods

Номер патента: WO2023164323A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of preparing diamond substrates for cvd nanometric delta doping

Номер патента: US20180174834A1. Автор: James E. Butler. Владелец: Euclid Techlabs LLC. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of preparing diamond substrates for CVD nanometric delta doping

Номер патента: US10468246B2. Автор: James E Butler. Владелец: Euclid Techlabs LLC. Дата публикации: 2019-11-05.

Radiation sensor dies having visual identifiers and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20230077602A1. Автор: Michael K. Jackson,Pramodha MARTHANDAM,Jennifer Jensen,James BALCOM,Amir Afshar. Владелец: Redlen Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of fabricating light extraction substrate for organic light emitting device

Номер патента: US09688571B2. Автор: Jae Ho Lee,Young Suk Lee,Ki Yeon Lee,Kyung Min YOON. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Wiring substrate, display device including the wiring substrate, and method of fabricating the wiring substrate

Номер патента: US10847076B2. Автор: Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hong Sick Park,Sang Woo Sohn,Hyun Eok Shin,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180240905A1. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of producing a semiconductor body with a trench, semiconductor body with at least one trench and semiconductor device

Номер патента: US20220352016A1. Автор: Thomas Bodner,Georg Parteder. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2022-11-03.

WIRING SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE WIRING SUBSTRATE, AND METHOD OF FABRICATING THE WIRING SUBSTRATE

Номер патента: US20190333435A1. Автор: LEE Ju Hyun,BAEK Gyung Min,SHIN Hyun Eok,PARK Hong Sick,SHIN Sang Won,SOHN Sang Woo. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US20040183161A1. Автор: Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20220149093A1. Автор: Kudoh Yoshiharu,Kataoka Toyotaka,KIMIZUKA Naohiko. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2022-05-12.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF PREPARING SAME, OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING PACKAGE, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20190252582A1. Автор: Urasaki Naoyuki,Yuasa Kanako. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Light-emitting device and method of preparing same, optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US10205072B2. Автор: Naoyuki Urasaki,Kanako Yuasa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on substrate

Номер патента: AU742589B2. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20020109225A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Computech International Ventures Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100353223B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2002-09-18.

WIRING SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE WIRING SUBSTRATE

Номер патента: US20190235330A1. Автор: YOON Yeo Geon,SON Dong Il,PARK Keun Woo. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8629433B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

OPTICAL WIRING SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD OF the OPTICAL WIRING SUBSTRATE, AND OPTICAL MODULE

Номер патента: CN104142543B. Автор: 平野光树,安田裕纪,石川浩史. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200212023A1. Автор: Chi-Han Chen,Chieh-Chen Fu,Chang-Yu Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor device

Номер патента: CN1251307C. Автор: 町田晓夫,碓井节夫,达拉姆·P·戈塞恩. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

A wafer bonding agent composition for an optical semiconductor element, and an optical semiconductor device using the same

Номер патента: TWI466972B. Автор: Miyuki Wakao,Yoshihira Hamamoto. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2015-01-01.

SEMICONDUCTOR ELEMENT HOUSING PACKAGE AND SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME

Номер патента: US20130307135A1. Автор: Tanaka Nobuyuki,Nakamoto Shinji,UEDA Yoshiaki,MIZUSHIMA Hiroshi. Владелец: KYOCERA CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD OF MANUFACTURING A WIRING SUBSTRATE

Номер патента: US20140082936A1. Автор: Yoda Tsuyoshi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-27.

OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING PACKAGE, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160035951A1. Автор: Urasaki Naoyuki,Yuasa Kanako. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using thermosetting resin composition for light reflection

Номер патента: US20170040513A1. Автор: Akira Nagai,Naoyuki Urasaki,Kanako Yuasa,Hayato Kotani,Mitsuyoshi Hamada. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

PHOSPHOR LAYER-COVERED OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF, OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140131752A1. Автор: KATAYAMA Hiroyuki,Kondo Takashi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-15.

OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING PACKAGE AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20210159374A1. Автор: Urasaki Naoyuki,Yuasa Kanako. Владелец: Shenzhen Jufei Optoelectronics Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-05-27.

OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING PACKAGE, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20140319569A1. Автор: Urasaki Naoyuki,Yuasa Kanako. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Optical semiconductor element mounting package and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US20210296545A1. Автор: Naoyuki Urasaki,Kanako Yuasa. Владелец: Shenzhen Jufei Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: KR101496066B1. Автор: 나오유키 우라사키,카나코 유아사. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2015-03-02.

Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: KR101308306B1. Автор: 나오유키 우라사키,카나코 유아사,아키라 나가이,하야토 코타니,미츠요시 하마다. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-09-17.

Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: KR101308263B1. Автор: 나오유키 우라사키,카나코 유아사,아키라 나가이,하야토 코타니,미츠요시 하마다. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-09-13.

Thermosetting light reflecting resin composition, method for producing the same, optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: JPWO2008059856A1. Автор: 晃 永井,永井　　晃,直之 浦崎,勇人 小谷,光祥 濱田,加奈子 湯浅. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Resin composition, method for manufacturing semiconductor element using same, and semiconductor device

Номер патента: EP3287495A4. Автор: Takenori Fujiwara,Yugo Tanigaki. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2018-10-17.

Semiconductor element storage package and semiconductor device using the same

Номер патента: JP4077770B2. Автор: 幸喜 川畑,義信 澤. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2008-04-23.

Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: KR101308199B1. Автор: 나오유키 우라사키,카나코 유아사,아키라 나가이,하야토 코타니,미츠요시 하마다. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-09-13.

Semiconductor element storage package and semiconductor device using the same

Номер патента: JP3847236B2. Автор: 哲生 平川,伸 松田,義信 澤. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-11-22.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3825343B2. Автор: 隆裕 木原. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-09-27.

Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin

Номер патента: CN101535366A. Автор: 浦崎直之,汤浅加奈子,小谷勇人,永井晃,滨田光祥. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-16.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3652279B2. Автор: 信幸 田中,俊彦 北村. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2005-05-25.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3909281B2. Автор: 貢 浦谷. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-04-25.

Semiconductor element storage package and semiconductor device using the same

Номер патента: JP3847247B2. Автор: 哲生 平川,伸 松田,義信 澤. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-11-22.

Semiconductor element storage package and semiconductor device using the same

Номер патента: JP4291113B2. Автор: 幸喜 川畑,義信 澤. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2009-07-08.

Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: KR20110113786A. Автор: 나오유키 우라사키,카나코 유아사. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-10-18.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3652278B2. Автор: 信幸 田中,努 杉本. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2005-05-25.

Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US9660156B2. Автор: Naoyuki Urasaki,Kanako Yuasa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Light reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting substrate, and optical semiconductor device

Номер патента: JPWO2013145607A1. Автор: 慶一 作道,作道　慶一,昌治 伊東. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor wafer with adhesive layer manufacturing method, semiconductor wafer with semiconductor element manufacturing method and semiconductor wafer laminate manufacturing method

Номер патента: JP2012238703A. Автор: Akira Nagai,哲也 榎本,朗 永井,恵介 大久保,一尊 本田,Tetsuya Enomoto,一行 満倉,Keisuke Okubo,Kazuyuki Mitsukura,Kazutaka Honda. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US9608184B2. Автор: Naoyuki Urasaki,Kanako Yuasa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Thermosetting light reflecting resin composition, method for producing the same, optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: JP5660173B2. Автор: 晃 永井,永井　　晃,直之 浦崎,勇人 小谷,光祥 濱田,加奈子 湯浅. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3686854B2. Автор: 信幸 田中,隆裕 木原. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2005-08-24.

Heat curable resin composition for light reflection, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: CN102408541A. Автор: 浦崎直之,汤浅加奈子,小谷勇人,永井晃,滨田光祥. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Thermosetting light reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: JP5979208B2. Автор: 晃 永井,永井　　晃,直之 浦崎,勇人 小谷,光祥 濱田,加奈子 湯浅. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-24.

Semiconductor element bonding method and semiconductor device

Номер патента: JP4997837B2. Автор: 達広 鈴木,正憲 山際. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-08.

Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: KR101308173B1. Автор: 나오유키 우라사키,카나코 유아사,아키라 나가이,하야토 코타니,미츠요시 하마다. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of fabricating solar modules, and solar module obtained thereby

Номер патента: WO2013029890A2. Автор: Guy Beaucarne,Ann Walstrom Norris,Frédéric Dross,Jonathan GOVAERTS. Владелец: Dow Corning Corporation. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of fabricating solar modules, and solar module obtained thereby

Номер патента: EP2751843A2. Автор: Guy Beaucarne,Ann Walstrom Norris,Frédéric Dross,Jonathan GOVAERTS. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2014-07-09.

Method of fabricating solar modules, and solar module obtained thereby

Номер патента: WO2013029890A3. Автор: Guy Beaucarne,Ann Walstrom Norris,Frédéric Dross,Jonathan GOVAERTS. Владелец: Dow Corning Corporation. Дата публикации: 2013-04-25.

SEMICONDUCTOR ELEMENT BONDING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR ELEMENT BONDING METHOD

Номер патента: US20200235071A1. Автор: MURAYAMA Hideyuki,TAKEMOTO Satoru. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2728484C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-29.

Method of selectively forming atomically flat plane on diamond surface, diamond substrate produced by the method, and semiconductor element employing the same

Номер патента: EP2023381A1. Автор: Satoshi Yamasaki,Hitoshi Umezawa,Norio Tokuda. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2009-02-11.

Semiconductor element holding device and semiconductor element transport method

Номер патента: JP4541807B2. Автор: 広幸 徳留. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-08.

Semiconductor element coating glass and semiconductor element coating material using the same

Номер патента: JP2021160951A. Автор: Masayuki Hirose,将行 廣瀬. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-11.

Plasma doping apparatus, plasma doping method, semiconductor element manufacturing method, and semiconductor element

Номер патента: WO2013105324A1. Автор: 孝行 辛川,正浩 岡,博一 上田,正弘 堀込,勇気 小林. Владелец: 東京エレクトロン株式会社. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor element, semiconductor sensor and semiconductor memory element

Номер патента: US20060278907A1. Автор: Makoto Ishida,Kazuaki Sawada,Daisuke Akai,Mikako Yokawa,Keisuke Hirabayashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor element support member and semiconductor element storage package using the same

Номер патента: JP3628187B2. Автор: 雄一朗 山口,孝昭 藤岡,光彦 野妻. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2005-03-09.

Method of selectively forming atomically flat plane on diamond surface, diamond substrate produced by the method, and semiconductor element employing the same

Номер патента: EP2023381A4. Автор: Satoshi Yamasaki,Hitoshi Umezawa,Norio Tokuda. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2011-11-09.

Semiconductor element support member and semiconductor element storage package using the same

Номер патента: JP3500304B2. Автор: 雄一朗 山口,孝昭 藤岡,光彦 野妻. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2004-02-23.

Semiconductor element, semiconductor substrate and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: TWI692866B. Автор: 林文斌. Владелец: 實用半導體有限公司. Дата публикации: 2020-05-01.

Manufacturing method of light emitting device and wiring board for mounting light emitting element

Номер патента: JP6201816B2. Автор: 敏昭 森脇,嘉一 竹内,篤 武市,高宏 谷. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170221843A1. Автор: Kuei-Sung CHANG,Nien-Tsung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor element manufacturing method and semiconductor substrate

Номер патента: WO2018055838A1. Автор: 光治 加藤. Владелец: 株式会社テンシックス. Дата публикации: 2018-03-29.

Manufacturing method of organic light emitting diode display panel and organic light emitting diode display panel

Номер патента: US10505158B2. Автор: Yunan ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Manufacturing method of organic light emitting diode display panel and organic light emitting diode display panel

Номер патента: US20180342705A1. Автор: Yunan ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Manufacturing method of organic light emitting diode display panel and organic light emitting diode display panel

Номер патента: US20190288244A1. Автор: Yunan ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Methods of manufacturing a substrate for a mask blank, a mask blank, a photomask and a semiconductor device

Номер патента: TW201044105A. Автор: Masaru Tanabe. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: WO2009044938A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: DOW CORNING TORAY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-04-09.

Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device

Номер патента: US20070184573A1. Автор: Alexey Krasnov. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Conversion element and radiation-emitting semiconductor device comprising a conversion element of said type

Номер патента: US20180375002A1. Автор: Adam Bauer,Michael Binder,Matthias Peter,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

Non-volatile memory element and non-volatile semiconductor device using the non-volatile memory element

Номер патента: WO2009050833A1. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Yoshihiko Kanzawa,Satoru Mitani,Zhiqiang Wei. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of fabricating of an array substrate for Liquid Crystal Display Device

Номер патента: KR101032603B1. Автор: 양준영. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2011-05-06.

Conversion element and radiation-emitting semiconductor device comprising such a conversion element

Номер патента: TWI636592B. Автор: 安德烈 羅夫爾,艾登 巴爾,馬提亞 彼特,麥克 白德爾. Владелец: 歐司朗光電半導體公司. Дата публикации: 2018-09-21.

Semiconductor switching element and silicon carbide semiconductor device manufacturing method

Номер патента: WO2016084141A1. Автор: 望月　和浩,久本　大,慶亮 小林. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2016-06-02.

METHOD OF MANUFACTURING FLEXIBLE DISPLAY AND SUBSTRATE FOR MANUFACTURING FLEXIBLE DISPLAY

Номер патента: US20140008657A1. Автор: LU Lin,Liu Weidong,CAO Jianwei. Владелец: HISENSE HIVIEW TECH CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-09.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR GROWTH

Номер патента: US20160351748A1. Автор: Park Young Hwan,Kim Mi Hyun,Kim Joo Sung,KANG Sam Mook,TAK Young Jo,KIM Jun Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of manufacturing thin film transistor substrate for liquid crystal display device

Номер патента: KR970024305A. Автор: 이주형,신종업. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

Preparing method of flexible display device and substrate for preparing flexible display device

Номер патента: CN104319263A. Автор: 徐磊,郭瑞,卜凡中,赵景训,秦心宇. Владелец: Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

manufacturing method of thin film transistor and substrate for liquid crystal display having the same

Номер патента: KR100537879B1. Автор: 임지만. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-20.

Methods of manufacturing semiconductor substrates and substrates for semiconductor growth

Номер патента: KR102443030B1. Автор: 박영환,김주성,탁영조,강삼묵,김미현,김준연. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-09-16.

a manufacturing method of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display

Номер патента: KR100601166B1. Автор: 김상갑,김장수,허성욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of processing a silicon carbide substrate for improved epitaxial deposition and structure and device obtained by the method

Номер патента: JP4846981B2. Автор: スヴォロフ，アレクサンダー,エドモンド，ジョン・アダム,マククルア，デーヴィス・アンドリュー,スレイター，デーヴィッド・ビアズリー，ジュニアー. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-12-28.

Manufacturing method of thin film transistor and substrate for liquid crystal display device comprising same

Номер патента: KR100386432B1. Автор: 김장수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-08-25.

A method of manufacturing a single crystal wavelength conversion element, a single crystal wavelength conversion element, and a light source including the same

Номер патента: DE112016002144T5. Автор: David Johnston,John Kelso,Alan Piquette. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Methods of forming a cutting element for an earth-boring tool, a related cutting element, and an earth-boring tool including such a cutting element

Номер патента: US9194189B2. Автор: Anthony A. DiGiovanni,Serdar Ozbayraktar,Kaveshini Naidoo. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Methods of treating a silicon carbide substrate for improved epitaxial deposition

Номер патента: AU2003210882A1. Автор: Davis Andrew McClure,John Adam Edmond,Alexander Suvorov,David Beardsley Slater Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-09-02.

Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles

Номер патента: US7560136B2. Автор: Thomas Rueckes,Jonathan W. Ward,Brent M. Segal. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2009-07-14.

Methods of using pre-formed nanotubes to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles

Номер патента: CA2483009A1. Автор: Thomas Rueckes,Jonathan W. Ward,Brent M. Segal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Methods of treating a silicon carbide substrate for improved epitaxial deposition and resulting structures and devices

Номер патента: CN1628370B. Автор: 约翰·亚当·埃德蒙,戴维斯·安德鲁·麦克卢尔,亚历山大·苏沃洛夫,小戴维·比尔兹利·斯莱特. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2011-05-18.

Method of fabricating thin film transistor substrate for display device

Номер патента: US7306979B2. Автор: Youn Gyoung Chang,Heung Lyul Cho. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-11.

manufacturing methods of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display

Номер патента: KR20000050881A. Автор: 공향식,박영배. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-08-05.

Processing method of processing station and flat substrate for flat substrate

Номер патента: TWI540667B. Автор: Michael Reichenbach,Markus Bau. Владелец: Jrt Photovoltaics Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2016-07-01.

Multi-piece board and fabrication method therefor

Номер патента: US20100124038A1. Автор: Yasushi Hasegawa. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332101A1. Автор: Yusuke Harada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor element driving circuit and semiconductor element driving device

Номер патента: US11990894B2. Автор: Mitsutaka Hano,Yuki Terado,Kazuya Hokazono,Jun Fukudome. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for producing substrate for mounting semiconductor element

Номер патента: US09870930B2. Автор: Hiroki Nakayama,Kaoru HISHIKI,Shunichi Kidoguchi. Владелец: SH Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Film carrier, semiconductor device using same and method for mounting semiconductor element

Номер патента: US5821626A. Автор: Masakazu Sugimoto,Shoji Morita,Kazuo Ouchi,Atsushi Hino. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Method of fabricating BGA packages

Номер патента: US6830957B2. Автор: Han-Ping Pu,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020081831A1. Автор: Tadashi Igarashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Fabrication method for ball grid array semiconductor package

Номер патента: US20040058471A1. Автор: Han-Ping Pu,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Die edge sealing structures and related fabrication methods

Номер патента: US20150056751A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230140664A1. Автор: Hiroyuki Harada,Yusuke Kaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7880301B2. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240170354A1. Автор: Yasutaka Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Acoustic wave device and fabrication method of the same

Номер патента: US20130076205A1. Автор: Tomo Kurihara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of manufacturing the printed circuit board embedded with wafer level component

Номер патента: US20240292544A1. Автор: Seon-Kyu CHANG,Hee-Il RYU. Владелец: DAEDUCK ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222206A1. Автор: Takayuki Matsumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor element bonding body, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor element bonding body

Номер патента: US20200273762A1. Автор: Koji Yamazaki,Tomoaki Kato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190252290A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20180076106A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of manufacturing multiwire lead assemblies

Номер патента: US4819329A. Автор: Vladimir Drits,Thomas W. Haley,Dale R. Johnson. Владелец: Innovex Inc. Дата публикации: 1989-04-11.

Pressure-sensitive element, method of producing the pressure-sensitive element, touch panel equipped with the pressure-sensitive element, and method of producing the pressure-sensitive element

Номер патента: US20150277646A1. Автор: Tetsuyoshi Ogura,Aki Yazawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Pressure-sensitive element, method of producing the pressure-sensitive element, touch panel equipped with the pressure-sensitive element, and method of producing the pressure-sensitive element

Номер патента: CN104951171A. Автор: 小掠哲义,矢泽亚希. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-30.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20140342505A1. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi,Yan-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and flexible substrate for mounting semiconductor

Номер патента: US20090134506A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Naoto Saito,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09997484B2. Автор: Hideo Aoki,Masatoshi Fukuda,Takeori Maeda,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09520304B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Hong-Da Chang,Chi-Hsin Chiu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Lead frame for mounting semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691689B2. Автор: Ryohei Yamashita,Ryouichi YOSHIMOTO. Владелец: SH Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020102769A1. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105539A1. Автор: Masayuki Miura,Naoya Shiroshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US12057365B2. Автор: Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements

Номер патента: US09899583B2. Автор: Kazunori Oda,Masaki Yazaki. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements

Номер патента: US09773960B2. Автор: Kazunori Oda,Masaki Yazaki. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements

Номер патента: US09553247B2. Автор: Kazunori Oda,Masaki Yazaki. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements

Номер патента: US09412923B2. Автор: Kazunori Oda,Masaki Yazaki. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements

Номер патента: US09362473B2. Автор: Kazunori Oda,Masaki Yazaki. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20170047266A1. Автор: Nobutaka Shimizu,Takumi Ihara,Masamitsu Ikumo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312868A1. Автор: Yukinori Hatori. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Lead frame and semiconductor device

Номер патента: US09548261B2. Автор: Hiroto Tamaki,Yoshitaka Bando,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20030214025A1. Автор: Shuichi Yamanaka,Kazuaki Yoshiike. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device and method of forming bond-on-lead interconnection for mounting semiconductor die in Fo-WLCSP

Номер патента: US09679824B2. Автор: Rajendra D. Pendse,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device packaging having plurality of wires bonding to a leadframe

Номер патента: US09536859B2. Автор: Hiroyuki Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Resin-sealed type semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6249043B1. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-19.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230238295A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190295959A1. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10756026B2. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US12125758B2. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Wiring substrate, manufacturing method of wiring substrate and electronic component device

Номер патента: US09786747B2. Автор: Hironari Kojima. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream

Номер патента: US09640437B2. Автор: Belgacem Haba,Ilyas Mohammed,Vage Oganesian,Piyush Savalia,Craig Mitchell. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having function circuits selectively connected to bonding wire

Номер патента: US20090302451A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140054757A1. Автор: Takayuki Hirose,Toshiyuki Kojima,Norihito Tsukahara,Keiko Ikuta,Kohichi Tanda,Lianji Jin. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20200185316A1. Автор: Akira Sengoku,Hidesato HISANAGA. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240304567A1. Автор: Fumihito KAWAHARA,Aya Muto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321720A1. Автор: Yuki Yano,Yoji Kawauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Heat spreader with wiring substrate for reduced thickness

Номер патента: US09666506B2. Автор: Takashi Ozawa,Kazuki TOKUNAGA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260686A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Resin-encapsulatd semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025320A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234348A9. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210082783A1. Автор: Youngho Kim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8865589B2. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130241073A1. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282676A1. Автор: Yasumasa Kasuya,Koshun SAITO,Ryotaro KAKIZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12136581B2. Автор: Youngho Kim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887178B2. Автор: Masanori Onodera. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Resin-encapsulatd semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728478B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US09660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices including insulating extension patterns between adjacent landing pads and methods of fabricating the same

Номер патента: US09530729B2. Автор: Hyun-Chul Kim,Seung-hee KO,Yong-Gyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508684B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Fabrication method of semiconductor package having embedded semiconductor elements

Номер патента: US09397081B2. Автор: Chun-Tang Lin,Hung-Wen Liu,Yan-Heng Chen,Chieh-Yuan Chi,Yan-Yi Liao,Hsi-Chang Hsu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090096097A1. Автор: Yutaka Kagaya,Hidehiro Takeshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210118935A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230073800A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100038767A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Hiroshi Moriya,Hisashi Tanie,Emi Sawayama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor device with self-protecting fuse and method of fabricating the same

Номер патента: US20150255394A1. Автор: Kang-Min Kuo,Bor-Zen Tien,Chin-Chia Chang,Che-Chia Hsu,Ying-Chieh Liao,Gwo-Chyuan Kuoh,Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Methods of fabricating semiconductor devices including supporting patterns in gap regions between conductive patterns

Номер патента: US09741608B2. Автор: Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Fabrication method for a semiconductor device

Номер патента: EP1291906B1. Автор: Tadatomo Suga,K. Toyo Kohan Co. Ltd Saijo,S. Toyo Kohan Co. Ltd Ohsawa,H. Toyo Kohan Co. Ltd. Okamoto,K Toyo Kohan Co. Ltd. Yoshida. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-04.

Mounting method of semiconductor element and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080124834A1. Автор: Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu,Joji Fujimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Lead frame for fabricating surface mount type semiconductor devices with high reliability

Номер патента: US20010033008A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Tokuhiro Uchiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Imaging element and method of manufacturing imaging element

Номер патента: US20240243155A1. Автор: Masaki HANEDA,Ikue Mitsuhashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200098679A1. Автор: Yoshiaki Sato,Junichi Arita,Yoshinori Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Metal frame, dummy wafer, semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069654B2. Автор: Jo Umezawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09947708B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Interconnection structures for semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941206B2. Автор: Minsung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Package on package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09905546B2. Автор: Cheng-Chia Chiang,Lung-Yuan Wang,Shih-Hao Tung,Chang-Yi Lan,Chu-Huei Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Surface-mount semiconductor device having exposed solder material

Номер патента: US09824956B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200343174A1. Автор: Junichi Murakami,Kota Nakamura,Hiromi Tominaga,Hidenori Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method of forming interconnect structure and mounting semiconductor die in recessed encapsulant

Номер патента: US09530738B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of insulation for mounting of flip chips

Номер патента: RU2648311C2. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Анатолий Александрович Колбенков,Андрей Анатольевич Стоянов,Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-03-23.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189895A1. Автор: Masaru Morita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240234233A1. Автор: Hiroyuki Shinkai,Naoyuki Sano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20130119551A1. Автор: Hung-Chang Chen. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US12046532B2. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274513A1. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240178100A1. Автор: Naoki Yoshimatsu,Shintaro Araki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20160035691A1. Автор: Takeshi Araki,Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US9515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20240332122A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355780A1. Автор: Chajea JO,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09972612B2. Автор: Tomoo MORINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US09711433B2. Автор: Jun Taniguchi,Yoshihiro Mizuno,Takeshi Shioga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09536855B2. Автор: Takeshi Araki,Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US09515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and a fabrication apparatus for a semiconductor device

Номер патента: US20050250254A1. Автор: Susumu Takada,Yoshihiko Kobayashi,Norinaga Arai,Shiro Oba,Kazutoshi Takashima,Tsutomu Ida,Shigeru Haga,Akio Ishizu,Yuji Kakegawa,Iwamichi Koujiro. Владелец: Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Stacked semiconductor package, method of fabrication, and method of wire-bond monitoring

Номер патента: US20080067659A1. Автор: Tae-hun Kim,Heung-Kyu Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150235994A1. Автор: Yoshihiro Sato,Takashi Ohba. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing lead frame and semiconductor package using the lead frame

Номер патента: US20130239409A1. Автор: Wang-Lai Yang. Владелец: Ambit Microsystems Zhongshan Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240234504A9. Автор: Kazufumi Oki,Kosuke Yamaguchi,Kazuhiro Kawahara,Seiya SUGIMACHI,Okinori Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160343658A1. Автор: Toshiya Kotani,Takafumi Taguchi,Chikaaki Kodama,Hiromitsu Mashita,Fumiharu Nakajima,Ryota Aburada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160013097A1. Автор: Toshiya Kotani,Takafumi Taguchi,Chikaaki Kodama,Hiromitsu Mashita,Fumiharu Nakajima,Ryota Aburada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11527477B2. Автор: Yasunori Okayama,Masato SHINI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-13.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200058600A1. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20170103995A1. Автор: Osamu Matsuura,Masaaki Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304510A1. Автор: Hiroaki Matsubara,Taro Nishioka,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of forming dual-sided interconnect structures in Fo-WLCSP

Номер патента: US09978654B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09806009B2. Автор: Shinichi Fujino,Takashi Kume. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09673214B2. Автор: Osamu Matsuura,Masaaki Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package and method of producing the semiconductor package

Номер патента: US09640477B1. Автор: Daisuke Iguchi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09425088B2. Автор: Seiji Ueno,Yasunori Fujimoto,Takumi Ihara,Joji Fujimori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120175788A1. Автор: Takao Ochi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20200052573A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Takashi Masuhara,Mamoru Kamikura,Kodai Katagiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230282534A1. Автор: Takumi Shigemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US11990391B2. Автор: Masayoshi Nishihata,Shota Yoshikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Wiring substrate

Номер патента: US20240243049A1. Автор: Masashi Kuwabara,Toshiki Furutani,Jun Sakai,Takuya INISHI. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US11948866B2. Автор: Nahoko KAWASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor power device and a method of assembling a semiconductor power device

Номер патента: US20180286814A1. Автор: Jacques Pierre Henri FAVRE,Jean-Michel Francis REYNES,Renaud André LACABANNE. Владелец: Agile Power Switch 3d - Integration Apsi3d. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and power converting device

Номер патента: US20240274557A1. Автор: Seiji Oka,Tetsu Negishi,Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303345A1. Автор: Yoshiaki Goto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Substrate for semiconductor elements and semiconductor device

Номер патента: US20190088578A1. Автор: Junichi Nakamura,Koji Watanabe,Kentaro Kaneko,Tsukasa NAKANISHI,Harunobu Sato. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Wiring substrate, semiconductor device, and method of manufacturing wiring substrate

Номер патента: US20230230911A1. Автор: Shota MIKI. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20140315352A1. Автор: Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device

Номер патента: US12087736B2. Автор: Tatsuya Nishiwaki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device connection structure, ultrasonic module, and ultrasonic endoscope system having ultrasonic module

Номер патента: US09997449B2. Автор: Junya Yamada. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09953961B2. Автор: Takeshi Yokoyama,Atsushi Maruyama,Tomonori Seki,Masaaki Ochiai,Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with a plate-shaped lead terminal

Номер патента: US09917064B2. Автор: Junji Fujino,Mikio Ishihara,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09853023B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US09748183B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Ching-Wen Chiang,Hsien-Wen Chen,Cheng-Chieh Wu,Cheng-Hao Ciou. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor chips having through silicon vias and related fabrication methods and semiconductor packages

Номер патента: US09698051B2. Автор: Gil-heyun Choi,Hyun-Soo Chung,Son-Kwan Hwang,Jin-Ho Chun,Byung-Iyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09607963B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and a device obtained by means of said method

Номер патента: US20020123223A1. Автор: Johannes Van Rijckevorsel,Eugene Vriezen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Method of bonding a semiconductor device to an electrically conductive plate

Номер патента: EP1366514A1. Автор: Johannes W. Van Rijckevorsel,Eugene A. Vriezen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768228B2. Автор: Yuta OKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20230307419A1. Автор: Soichi Homma,Chikara Miyazaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Organic semiconductor element, fabrication method thereof, woven and non-woven fabric structures therewith, and semiconductor device therewith

Номер патента: US09733209B2. Автор: Kang Eun LEE,Young Seok Oh,Jea Uk Lee,Moon Kwang Um,Dong Gi Seong,Byung Mun JUNG,Won Oh Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Fabricating method of semiconductor element

Номер патента: US20130109163A1. Автор: Po-Chao Tsao,Ming-Tsung Chen,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Light extraction substrate for organic light emitting device, fabrication method therefor and organic light emitting device including same

Номер патента: US09515295B2. Автор: YOON Young Kwon,Joo Young Lee,Jeong Woo Park,Eun Ho Choi,Kyoung Wook Park. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Electro-assisted transfer and fabrication of wire arrays

Номер патента: US20160181121A1. Автор: Xiaolin Zheng,Jeffrey Weisse. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Substrate for mounting a semiconductor element thereon and semiconductor device comprising a semiconductor element mounted on said substrate

Номер патента: US20020167064A1. Автор: Satoru Yamada,Ichiro Kataoka,Yoshifumi Takeyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266310A1. Автор: Tsuyoshi Tanigaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, fabricating method thereof, and fabricating method of memory

Номер патента: US09899396B1. Автор: Chih-Hsiung Lee,Chien-Ying Lee,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device including ferroelectric capacitors and fabricating method thereof

Номер патента: US20030224538A1. Автор: Yoichi Miyasaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20210167186A1. Автор: HAIYANG Zhang,Yan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Manufacturing method of optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US10600932B2. Автор: Hsien-Te Chen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20070087521A1. Автор: Osamu Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355757A1. Автор: Jeonghyun Kim,Sangjin Kim,Jaesuk PARK,Changmin Park,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09728641B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Pang-Yen Tsai,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673303B2. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Fabrication method of implanting siliconions into the silicon substrate

Номер патента: US20020155701A1. Автор: Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

I-shaped and L-shaped contact structures and their fabrication methods

Номер патента: US20070032012A1. Автор: Ming Lee,Ruichen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060091401A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Naofumi Nakamura,Takahiko Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Methods of detecting bonding between a bonding wire and a bonding location on a wire bonding machine

Номер патента: US20200350216A1. Автор: Gary S. Gillotti. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Fabrication method of integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20200395241A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongsoo Woo,Joonyoung Choi,Junsoo Kim,Namho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11735647B2. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09679815B2. Автор: Dong Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Composite semiconductor device, print head and image forming apparatus

Номер патента: US20090322852A1. Автор: Hiroshi Hamano,Masumi Koizumi,Masumi Taninaka,Kazuya Ohkawa,Shinya Jyumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Under-fill material, sealing sheet, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20160064297A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070187779A1. Автор: Wen-Fang Lee,Dave Hsu,Asam Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080142921A1. Автор: Atsuo Isobe,Suguru Ozawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09812569B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and electronic equipment

Номер патента: US09634158B2. Автор: Takuya Sano,Shoji Kobayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Processing method of silicon substrate, fabricating method of substrate for liquid ejection head, and fabricating method of liquid ejection head

Номер патента: US09545793B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of fabricating nano-scale structures and nano-scale structures fabricated using the method

Номер патента: US09522821B2. Автор: Ripon Kumar DEY,Bo Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Thin film transistor manufactured by low-temperature process, manufacturing method of the same transistor, transistor device and electronic device including the same transistor

Номер патента: US20240222466A1. Автор: Byungwook Yoo,Min Suk Oh. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Wiring structure, method of manufacturing the same, and imaging device

Номер патента: US20230268369A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii,Masaki HANEDA,Koichi Sejima,Kenya Nishio,Takashi FUKATANI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of generating ballistic electrons and ballistic electron solid semiconductor element and light emitting element and display device

Номер патента: EP1278227A4. Автор: Nobuyoshi Koshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-07-05.

Contact structure with arched top surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20240266412A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Ruoh-Ning TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09659892B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Takuya Kadoguchi,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09548212B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Device for mounting semiconductors

Номер патента: US4780572A. Автор: Kazuo Kondo,Tatsunori Kurachi,Masateru Hattori. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1988-10-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory, and memory system

Номер патента: US20240164095A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of generating ballistic electrons and ballistic electron solid semiconductor element and light emitting element and display device

Номер патента: US20040085011A1. Автор: Nobuyoshi Koshida. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of manufacturing semiconductor devices including air gap spacers

Номер патента: US20160064270A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Nam-Gun Kim,Gyuhwan Oh,Eun-Ok Lee,Heesook Park,Kyungho JANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor Device Including First and Second Semiconductor Elements

Номер патента: US20130146971A1. Автор: Franz Hirler,Ulrich Glaser,Christian Lenzhofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Phase shift mask and fabrication method therefor

Номер патента: US20030091909A1. Автор: Haruo Iwasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device for audio

Номер патента: US20240304591A1. Автор: Yosuke Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Fabrication method of pixel structure

Номер патента: US09818774B2. Автор: Xiaofeng Yang,Zelin Chen,Xiaotao JIN,Fei OU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Group III nitride crystals, their fabrication method, and method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09670594B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Light-emitting device, method of manufacturing the same, method of mounting the same and lighting device

Номер патента: US09653661B2. Автор: Seiji Yamaguchi,Yoshinobu Suehiro,Koji Tasumi,Katsunori Arakane. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US09647425B1. Автор: Naoki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US09478467B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

T-shaped fin isolation region and methods of fabrication

Номер патента: US09373535B2. Автор: Zhenyu Hu,Hongliang Shen,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1962346A3. Автор: Hiroaki Naruse,Ryuichi Mishima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor device and method making the same

Номер патента: US20220139700A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Silicon photovoltaic element and fabrication method

Номер патента: US9231146B2. Автор: Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Underfill film, sealing sheet, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160035640A1. Автор: Kosuke Morita,Akihiro Fukui,Naohide Takamoto,Hiroyuki Hanazono. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Liquid crystal display panel and method of fabricating thereof

Номер патента: US20040263707A1. Автор: Hae Kim,Hyun SEO. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20240371784A1. Автор: Jung Han Lee,Ji Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Fabricating method of fin field effect transistor (FinFET)

Номер патента: US09793105B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Fabrication method of substrate

Номер патента: US09606393B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Guanbao HUI,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20150076520A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234402A9. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of Making Nanosheet Local Capacitors and NVM Devices

Номер патента: US20220278226A1. Автор: Anirban Roy,Mark Douglas Hall,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200043818A1. Автор: Akitoshi Shirao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US20010005029A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device having reliable electrical connection

Номер патента: US20010026015A1. Автор: Gorou Ikegami,Hirofumi Horita,Eita Iizuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device having increased capacitance of capacitor for data storage and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070161177A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor element, and method of forming silicon-based film

Номер патента: EP2230685A3. Автор: Shotaro Okabe,Masafumi Sano,Akira Sakai,Takaharu Kondo,Ryo Hayashi,Shuichiro Suigiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and substrate

Номер патента: US12065760B2. Автор: Masahiro Araki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US6339242B2. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: EP2681777A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Seren Photonics Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11742245B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180286819A1. Автор: Tatsuya Kobayashi,Kazuo Shimokawa,Akira Tojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor

Номер патента: US20020190741A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Makoto Haseyama,Futoshi Fukaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20100187653A1. Автор: Seiji Otake. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Transistor and semiconductor device with multiple threshold voltages and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096993A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and its fabricating method

Номер патента: US12087829B2. Автор: Bing ZOU,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body

Номер патента: US12132142B2. Автор: Kentaro Murakawa,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Fabrication method of display panel and display panel and display device

Номер патента: US09929189B2. Автор: Gang Yang,Jun Long. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Self-oscillating flexible OLED panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09905618B2. Автор: Jun Amano. Владелец: Konica Minolta Laboratory USA Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming a wire bond sensor package

Номер патента: US09893213B2. Автор: Vage Oganesian,Zhenhua Lu. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

OLED display element and its fabricating method, display panel and display device

Номер патента: US09831472B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09773936B2. Автор: Hayato Nakano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Fabrication methods of transparent conductive electrode and array substrate

Номер патента: US09659975B2. Автор: Chunsheng Jiang,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620408B2. Автор: Junya Maruyama,Toru Takayama,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Electronic device, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US09553064B2. Автор: Yoshihide Matsuo,Masashi YOSHIIKE. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of Fabricating Thin Film by Microplasma Processing and Apparatus for Same

Номер патента: US20120021132A1. Автор: Takeshi Sasaki,Yoshiki Shimizu,Naoto Koshizaki,Kazuhiro Kirihara,Davide Mariotti,Kazuo Terashima. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-26.

Substrate for flat panel display device, method of manufacturing the same, flat panel display device using substrate and method of manufacturing flat panel display device

Номер патента: WO2007132979A1. Автор: Jong-Uk Bu,Dong-Chun Kim. Владелец: Senplus Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20240332890A1. Автор: Daisuke Inoue,Konosuke AOYAMA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Electrode assembly, fabricating method of the electrode assembly and electrochemical cell containing the electrode assembly

Номер патента: US09806316B2. Автор: Hyang Mok Lee,Chang Bum Ahn,Dae Geun Ku,Hyuk Su Kim,Jun Woo HUH. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of fabricating Ge-Mn magnetic semi conductors with high cure temperature

Номер патента: US20040182307A1. Автор: Sang Lim,Sang Song. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-09-23.

Composite magnetic inductor element and fabrication method thereof

Номер патента: EP4369359A1. Автор: Antonio Rojas Cuevas,Francisco Ezequiel NAVARRO PÉREZ,Claudio Cañete Cabeza,José Ramón FERNÁNDEZ DE LA FUENTE,Paula PÉREZ CAMERO. Владелец: PREMO SA. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of fabricating Ge-Mn magnetic semiconductors with high cure temperature

Номер патента: US6946301B2. Автор: Sang Hoon Song,Sang Ho Lim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-09-20.

AC driven plasma display panel for electrical commercial boards and method of fabricating the same

Номер патента: US20030129916A1. Автор: Jun-Sei Lee. Владелец: SCIENCE ADVENTURE TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Fabrication method for superconducting circuit and superconducting quantum chip

Номер патента: US20240357945A1. Автор: Jie Zheng,Liangliang Ma,Bing YOU,Nianci WANG,Wenshu LIU. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Measurement method of specimen liquid and specimen liquid sensor

Номер патента: US20180074017A1. Автор: Hiroshi Katta. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Manufacturing method of display device and mother substrate for display device

Номер патента: US20240276840A1. Автор: Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of display device and mother substrate for display device

Номер патента: US20240276841A1. Автор: Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing sintered body for thermoelectric conversion element, sintered body for thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion element using it

Номер патента: AU3535499A. Автор: Kazunori Nakano,Hirofumi Tashiro,Mari Yonetsu. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-08.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US20230371313A1. Автор: Kano Masataka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Manufacturing method of thin film transistor array substrate for liquid crystal display

Номер патента: KR20020086973A. Автор: 김상갑. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-21.

Parallel and selective growth and connection method of carbon nanotubes on the substrates for electronic-spintronic device applications

Номер патента: KR100376768B1. Автор: 주병권,이윤희,장윤택. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2003-03-19.

A method of improving useful parameters of the objects which are provided with transparent combined elements, and an electronic system intended to use this method

Номер патента: WO2009128736A8. Автор: Andrzej Stafiej,Ireneusz Rabczak,Tomasz Stafiej. Владелец: Tomasz Stafiej. Дата публикации: 2010-11-18.

A method of improving useful parameters of the objects which are provided with transparent combined elements, and an electronic system intended to use this method.

Номер патента: EP2279320A1. Автор: Andrzej Stafiej,Ireneusz Rabczak,Tomasz Stafiej. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-02.

Methods of fine forming sapphire tubes and joining sapphire components for nuclear reactor fuel elements and assemblies

Номер патента: US20140262007A1. Автор: Roger Ian Lounsbury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of manufacturing substrate laminated body, substrate for liquid ejection head and method of manufacturing substrate for liquid ejection head

Номер патента: US11305539B2. Автор: Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Method of forming a rim phase shifting mask and using the rim phase shifting mask to form a semiconductor device

Номер патента: EP1529246A1. Автор: William J. Dauksher,Bernard J. Roman,Cesar M. Garza,Wei E. Wu,Panwitter J. S. Mangat,Kevin J. Nordquist. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-05-11.

Method of handling wind turbine blades and device for mounting wind turbine blades, in particular mounting blades on a wind turbine

Номер патента: EP1925583B2. Автор: Henrik Lynderup Hansen,Jesper Moeller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-05-15.

Method of remedying glass substrate defect, method of producing glass substrate, glass substrate for display panel, and display panel

Номер патента: US20110159227A1. Автор: Takenori Yoshizawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of preparing a magnesium alloy substrate for a surface treatment

Номер патента: US09580830B2. Автор: Guangling Song. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor element coating glass and semiconductor element coating material using same

Номер патента: US20230382785A1. Автор: Masayuki Hirose. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of producing fodder soya-maize substrate for growing probiotic fodder crops

Номер патента: RU2685886C1. Автор: Виктор Вячеславович Шишкин,Галина Юрьевна Шишкина,Евгений Андреевич Шульженко,Вячеслав Сергеевич Усанов,Владимир Васильевич Михалёв. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Дальневосточный научно-исследовательский институт механизации и электрификации сельского хозяйства (ФГБНУ ДальНИИМЭСХ). Дата публикации: 2019-04-23.

Method of producing hollow elements, hollow element, combined consecutive-action tool to produce hollow elements and rolling device

Номер патента: RU2414985C2. Автор: Иржи БАБЕЙ,Михель ФИТ,Рихард ХУМПЕРТ. Владелец: Профиль-Фербиндунгстехник Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2011-03-27.

Method of manufacturing fine-grained copper substrate for optical information carrier

Номер патента: US4673467A. Автор: Hanphire H. Nee. Владелец: CBS Inc. Дата публикации: 1987-06-16.

Method of manufacturing nanostructures on a surface, on a mold and on an optical element, and an optical element as such manufactured

Номер патента: US20150009571A1. Автор: Patrick Chin. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of manufacturing substrate laminated body, substrate for liquid ejection head and method of manufacturing substrate for liquid ejection head

Номер патента: US20210031524A1. Автор: Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Method of manufacturing nanostructures on a surface, on a mould and on an optical element, and an optical element as such manufactured

Номер патента: EP2812468A1. Автор: Chin Patrick. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2014-12-17.

Methods of preparing cemented metal carbide substrates for deposition of adherent diamond coatings and products made therefrom

Номер патента: US5713133A. Автор: Darrell Johnson,Deepak G. Bhat,Stephen L. Bennett. Владелец: Valenite LLC. Дата публикации: 1998-02-03.

Method of cell culture observation, carbon substrate for cell culture observation, and method for manufacture thereof

Номер патента: US20060194312A1. Автор: Kunitaka Yamada,Yoshihisa Suda,Hiroko Kaneko,Kaoru Katoh,Harumasa Okamoto. Владелец: Kaoru Katoh. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of driving semiconductor device

Номер патента: US09503087B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Fabrication method of a MgB2 superconducting tape and wire

Номер патента: US8173579B2. Автор: Hiroaki Kumakura,Takayuki Nakane,Hiroki Fujii,Hitoshi Kitaguchi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20050199941A1. Автор: Toru Anezaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Damper having a locally coated material and its fabrication method

Номер патента: US09693144B1. Автор: Hiroshi Ohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Driving device for semiconductor elements, and semiconductor device

Номер патента: US09627878B2. Автор: Masahiro Yamamoto,Yo Habu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Construction wall block and method of connecting the block to adjacent wall blocks

Номер патента: RU2742921C2. Автор: Александр Михайлович Балаев,Александр Александрович Балаев,Егор Александрович Балаев. Владелец: Егор Александрович Балаев. Дата публикации: 2021-02-11.

Element of heat-treated steel sheet and method of its production

Номер патента: RU2686715C1. Автор: Масафуми АДЗУМА,Йосихиро СУВА,Синитиро ТАБАТА,Казуо ХИКИДА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of processing liquids, epoxy fabrication method, method of fabricating a radio frequency intelligent communication device, and method involving a mixture of different liquids

Номер патента: US6089458A. Автор: Rickie C. Lake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-18.

Method of obtaining connective element for carbon fibrous composite material

Номер патента: RU2560372C2. Автор: Масаки ТАКЕУТИ,Тору КАНЕКО. Владелец: Тейдзин Лимитед. Дата публикации: 2015-08-20.

Gas spring assembly end element and method of its assembly

Номер патента: RU2514665C2. Автор: Леонардус Дж. Б. ПИТЕРС,Макиэль Г. А. ВЕНТИНК,Дэниел И. ЛЕВИ,Дэниел П. СТИЛ. Владелец: ФАЙРСТОУН ИНДАСТРИАЛ ПРОДАКТС КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-04-27.

Floral apparatus and method of assembling the same

Номер патента: US20200315333A1. Автор: Michael Christopher Grobinski,Daniel Slade Lykens,Matthew C. Williams,Jeffrey J. Pyros. Владелец: MGX Innovations. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of inspecting optical waveguide substrate for optical conduction at increased speed and also inspecting optical waveguide substrate for crosstalk

Номер патента: US20030117614A1. Автор: Yoshio Matsumoto,Hideo Kikuchi,Sakae Kitajo,Yuzo Shimada,Mikio Oda,Hikaru Kouta,Shinichi Tamabayashi. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method of forming protective film for touch panel electrode, photosensitive resin composition and photosensitive element, and method of manufacturing touch panel

Номер патента: US09488912B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Yasuharu Murakami,Ikuo Mukai,Naoki Sasahara. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Head suspension and method of manufacturing the head suspension with particular electrical connection arrangement between a piezoelectric element and a wiring member

Номер патента: US8416536B2. Автор: Hideki Fuchino,Sachie Yamada. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-09.

Manufacturing method of liquid discharging head

Номер патента: US9168750B2. Автор: Keiji Matsumoto,Koji Sasaki,Shuji Koyama,Seiichiro Yaginuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of pre-etching glass substrate for reducing releasing time

Номер патента: US20040192047A1. Автор: Bing-Ru Chen,Long-Sun Huang,Shi-Yuan Tseng. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Manufacturing method of liquid discharging head

Номер патента: US20140151336A1. Автор: Keiji Matsumoto,Koji Sasaki,Shuji Koyama,Seiichiro Yaginuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Bonding structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09931813B2. Автор: Kuan-Neng Chen,Cheng-Ta Ko,Wei-Chung Lo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing transparent circuit substrate for touch screen

Номер патента: US09696830B2. Автор: Jae-Young Park,Chung-Hee Lee,Jin-han Kim,Kyoung-Hun Kim,Eun-Jin Baek,Dong-Chul Lee,Yeong-Seop Lee,Jeong-Eun Kim,Seok-Hong Jeong,Sung-Ho Jung,Jae-Wook Cho,Sung-Il Jang,Hyoung-Jun Go,Myung-Sop Lee,Kyoung-Suk Oh,Jung-Hun Woo,Jong-Hyun Yim,Yong-Gu CHO,Hyeon-Beom KIM,Dae-Bin Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of determining at least one technological uncertainty factor in respect of nuclear fuel elements and method of designing, method of producing and method of checking the corresponding nuclear fuel elements

Номер патента: ZA200802030B. Автор: CHARMENSAT Pascal,PASQUET Michel. Владелец: AREVA NP. Дата публикации: 2009-08-26.

Non-linear silicon compound, fabrication method for oligomer array using the same, substrate for oligomer probe array with the same and oligomer probe array with the same

Номер патента: KR100801081B1. Автор: 최상준,류만형,하정환,지성민,김경선,김원선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-02-05.

Apparatus and method of using a simulated skin substrate for testing insect repellants

Номер патента: US20230363356A1. Автор: Richard W. Wadleigh,Thomas Michael Mascari. Владелец: SC Johnson and Son Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of handling wind turbine blades and device for mounting wind turbine blades, in particular mounting blades on a wind turbine

Номер патента: EP1925583A1. Автор: Henrik Lynderup Hansen,Jesper Moeller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of mounting lift speed limiter and device for mounting lift shaft equipment

Номер патента: RU2154014C1. Автор: Хокан Петтерссон,Марк Пикок,Иштван ТОТ. Владелец: Коне Корпорейшн. Дата публикации: 2000-08-10.

Optical wiring substrate, method of manufacturing optical wiring substrate and multilayer optical wiring

Номер патента: CA2373564A1. Автор: Masayuki Kato,Tsuyoshi Aoki,Akio Sugama,Shinya Sasaki,Masatoshi Ishii. Владелец: Masatoshi Ishii. Дата публикации: 2002-08-28.

Optical wiring substrate, method of manufacturing optical wiring substrate and multilayer optical wiring

Номер патента: US20050041906A1. Автор: Masayuki Kato,Tsuyoshi Aoki,Akio Sugama,Shinya Sasaki,Masatoshi Ishii. Владелец: Masatoshi Ishii. Дата публикации: 2005-02-24.

Method of handling wind turbine blades and device for mounting wind turbine blades, in particular mounting blades on a wind turbine

Номер патента: US9475677B2. Автор: Henrik Lynderup Hansen,Jesper Moeller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Optical wiring substrate, method of manufacturing optical wiring substrate and multilayer optical wiring

Номер патента: EP1237019A2. Автор: Akio Fujitsu Limited Sugama,Masayuki Fujitsu Limited Kato,Masatoshi Fujitsu Limited Ishii,Shinya Fujitsu Laboratories of America Sasaki,Tsuyoshi Fujitsu Limited Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-09-04.

Semiconductor element inspection apparatus and semiconductor element inspection method

Номер патента: TWI595227B. Автор: Tomonori Nakamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-08-11.

Apparatus and method of using a simulated skin substrate for testing insect repellants

Номер патента: US20200214267A1. Автор: Richard W. Wadleigh,Thomas Michael Mascari. Владелец: SC Johnson and Son Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Apparatus and method of using a simulated skin substrate for testing insect repellants

Номер патента: US11612143B2. Автор: Richard W. Wadleigh,Thomas Michael Mascari. Владелец: SC Johnson and Son Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

Method of forming a rim phase shifting mask and using the rim phase shifting mask to form a semiconductor device

Номер патента: AU2003232155A1. Автор: William J. Dauksher,Bernard J. Roman,Cesar M. Garza,Wei E. Wu,Panwitter J. S. Mangat,Kevin J. Nordquist. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-02-23.

Method of forming a rim phase shifting mask and using the rim phase shifting mask to form a semiconductor device

Номер патента: TW200405134A. Автор: Bernard J Roman,Wei E Wu,Cesar M Garza,Kevin J Nordquist,Panwitter J S Mangat,J Dauksher William. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A TABLECLOTH CONSISTING OF WIRES FORMED OF RESISTANT FILAMENTS, APPLICATION TO THE PRODUCTION OF TUBULAR ELEMENTS AND TUBULAR ELEMENTS THUS OBTAINED

Номер патента: FR2568171B1. Автор: Lucien Marcel Andre Lemarchand. Владелец: Garbolino SA Ets. Дата публикации: 1986-08-29.

SEMICONDUCTOR ELEMENT TEST APPARATUS AND SEMICONDUCTOR ELEMENT TEST METHOD

Номер патента: US20180172752A1. Автор: OKABE YOSHIFUMI,MIYATA MASANORI. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

High-strength lock, method of making high-strength lock, and method for mounting high-strength lock

Номер патента: US9273487B2. Автор: Robert Dalton,Donald E. Irwin,Michael L. Spears. Владелец: US Postal Service (USPS). Дата публикации: 2016-03-01.

Led module for mounting on a flat carrier element, and carrier element assembly comprising such an led module

Номер патента: EP3132192B1. Автор: Sascha Skergeth. Владелец: Zumtobel Lighting GmbH Austria. Дата публикации: 2018-05-09.

LED module for mounting on a flat carrier element, and carrier element arrangement with such an LED module

Номер патента: DE202014101310U1. Автор: . Владелец: Zumtobel Lighting GmbH Austria. Дата публикации: 2015-08-06.

Forming method of ink jet print head substrate and ink jet print head substrate, and manufacturing method of ink jet print head and ink jet print head

Номер патента: US20020118255A1. Автор: Ryoji Kanri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Carrier tape, package and packaging method of electronic component using same, and method for mounting electronic component packaged using same

Номер патента: WO2011132243A1. Автор: 楢岡浩喜. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2011-10-27.

Process for treating a workpiece, especially a substrate for a mask for producing semiconductor elements, comprises using water in a super-critical state

Номер патента: DE10320679A1. Автор: Michael Schmidt,Stephan Dr. Bradl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Composite coating based on carbon nanotubes and method of its production

Номер патента: RU2727604C2. Автор: Науфаль БАЛАВАН. Владелец: Люксембург Инститьют Оф Сайенс Энд Текнолоджи (Лист). Дата публикации: 2020-07-22.

Aluminum-alloy substrate for magnetic disk, method for manufacturing same and magnetic disk employing said aluminum-alloy substrate for magnetic disk

Номер патента: MY183251A. Автор: Takashi Nakayama,Yasuo Fujii,Hideyuki Hatakeyama,Makoto Yonemitsu,Ryo Sakamoto,Kotaro Kitawaki. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of monitoring the operation of a cyclically moving, power generating or power transmitting element and an apparatus for monitoring the operation of such an element

Номер патента: US4783998A. Автор: Curt A. R. Sander. Владелец: DME DANISH MICRO ENGR AS. Дата публикации: 1988-11-15.

Polycrystalline diamond compact cutting elements, methods of forming same and earth-boring tools

Номер патента: US20230219185A1. Автор: Jair Leal,John A. Bomidi,Aaron Gunn. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

One-step pretreatment method of metallic substrates at non-neutral ph values for metal cold forming

Номер патента: EP4314385A1. Автор: Yinfeng SHI,Martin ORBEN. Владелец: Chemetall GmbH. Дата публикации: 2024-02-07.

Photoresist topcoat compositions and methods of processing photoresist compositions

Номер патента: US20160333212A1. Автор: Deyan Wang,Mingqi Li,Cong Liu,Cheng-Bai Xu,Irvinder Kaur,Doris H. KANG. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

One-step pretreatment method of metallic substrates at non-neutral ph values for metal cold forming

Номер патента: CA3213974A1. Автор: Yinfeng SHI,Martin ORBEN. Владелец: Chemetall GmbH. Дата публикации: 2022-10-06.

Polycrystalline diamond compact cutting elements, methods of forming same and earth-boring tools

Номер патента: WO2023137329A1. Автор: John Abhishek Raj BOMIDI,Jair Leal,Aaron Gunn. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-07-20.

One-step pretreatment method of metallic substrates at non-neutral ph values for metal cold forming

Номер патента: US20240166968A1. Автор: Yinfeng SHI,Martin ORBEN. Владелец: Chemetall Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing liquid discharging head and liquid discharging head

Номер патента: US20240123731A1. Автор: Junichiro Iri,Takanobu Manabe,Naoyuki Kamano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE LAMINATED BODY, SUBSTRATE FOR LIQUID EJECTION HEAD AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20210031524A1. Автор: Yonemoto Taichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

METHOD OF ASSEMBLY OF A STRING OF ELEMENTS FOR DEEPWATER DRILLING AND ULTRADEEP OBSTRUCTION ELEMENT AND CORRESPONDING USE OF THE SAME IN SAID DRILLING STRING

Номер патента: US20170107774A1. Автор: CALDERONI Angelo. Владелец: DRILLMEC SPA. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of controlling the grain boundary and around the grain boundary solubility of doped elements and the manufacturing process of large grain nuclear fuel pellets by using those method

Номер патента: KR101165452B1. Автор: 이영우,김종헌,김동주,양재호,김건식,송근우,류칠선. Владелец: 한국수력원자력 주식회사. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of producing a flexible carrier substrate

Номер патента: CA1292932C. Автор: Heinz Maass. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1991-12-10.

Method of forming a rim phase shifting mask and using the rim phase shifting mask to form a semiconductor device

Номер патента: WO2004013694A1. Автор: William J. Dauksher,Bernard J. Roman,Cesar M. Garza,Wei E. Wu,Panwitter J. S. Mangat,Kevin J. Nordquist. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-02-12.

METHOD OF MANUFACTURING NANOSTRUCTURES ON A SURFACE, ON A MOLD AND ON AN OPTICAL ELEMENT, AND AN OPTICAL ELEMENT AS SUCH MANUFACTURED

Номер патента: US20150009571A1. Автор: Chin Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

METHODS OF FINE FORMING SAPPHIRE TUBES AND JOINING SAPPHIRE COMPONENTS FOR NUCLEAR REACTOR FUEL ELEMENTS AND ASSEMBLIES

Номер патента: US20140262007A1. Автор: Lounsbury Roger Ian. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF INCREASING STRENGTH OF GLASS SUBSTRATE FOR OPTICAL FILTER AND TEMPERED-GLASS OPTICAL FILTER MADE THEREBY

Номер патента: US20200207658A1. Автор: HA Tea Joo,Park Deok Young,Hwang Jae Young,Kim Hak Chul,Kim Hack Seon. Владелец: UTI INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

PRESSURE-SENSITIVE ELEMENT, METHOD OF PRODUCING THE PRESSURE-SENSITIVE ELEMENT, TOUCH PANEL EQUIPPED WITH THE PRESSURE-SENSITIVE ELEMENT, AND METHOD OF PRODUCING THE PRESSURE-SENSITIVE ELEMENT

Номер патента: US20150277647A1. Автор: Ogura Tetsuyoshi,YAZAWA AKI. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

METHOD OF FORMING PROTECTIVE FILM FOR TOUCH PANEL ELECTRODE, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PHOTOSENSITIVE ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING TOUCH PANEL

Номер патента: US20140377704A1. Автор: YAMAZAKI Hiroshi,Mukai Ikuo,Murakami Yasuharu,Sasahara Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

METHOD OF FORMING PROTECTIVE FILM FOR TOUCH PANEL ELECTRODE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PHOTOSENSITIVE ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING TOUCH PANEL

Номер патента: US20160357102A1. Автор: YAMAZAKI Hiroshi,Mukai Ikuo,Murakami Yasuharu,Sasahara Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Method of fabricating of an array substrate for LCD with color-filter on TFT

Номер патента: KR101100674B1. Автор: 박종진. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-01-03.

Method of manufacturing hollow structural member, substrate for hollow structural member production, and apparatus for manufacturing hollow structural member

Номер патента: KR101253398B1. Автор: 도시히로 가네마츠,신야 세노. Владелец: 가부시키가이샤 리코. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of manufacturing metal or ceramic substrate for fuel cell or electrolytic cell and metal or ceramic substrate for fuel cell or electrolytic cell

Номер патента: JP6964087B2. Автор: ブラム・マルティン,ヴァッセン・ロベルト,ゴンザレス・イェズス,マルカーノ・ディアーナ. Владелец: フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング. Дата публикации: 2021-11-10.

Method of forming protective film for touch panel electrode, photosensitive resin composition and photosensitive element, and method of manufacturing touch panel

Номер патента: WO2013084873A1. Автор: 泰治 村上,向　郁夫,山崎　宏,笹原　直樹. Владелец: 日立化成株式会社. Дата публикации: 2013-06-13.

Photosensitive resin composition for photospacer, method for producing photospacer, substrate for liquid crystal display, liquid crystal display element, and liquid crystal display

Номер патента: WO2007105381A1. Автор: Katsuya Takemasa. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2007-09-20.

Etching mask for tempered glass and method of processing a tempered glass substrate for touch screens using the same

Номер патента: KR20130092804A. Автор: 김태정,이용수,윤인수,정윤교,노동수. Владелец: (주)미코씨엔씨. Дата публикации: 2013-08-21.

Method of diciding into several streams a multiple-layer stack of moving rod-like elements and valve-type dividing device therefor

Номер патента: PL196117B1. Автор: Leszek Sikora,Radosław Owczarek. Владелец: International Tobacco Machinery Poland Ltd. Дата публикации: 2007-12-31.

Method of manufacturing hollow structural member, substrate for hollow structural member production, and apparatus for manufacturing hollow structural member

Номер патента: WO2009113705A1. Автор: Toshihiro Kanematsu,Shin-Ya Seno. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2009-09-17.

Methods of fine forming sapphire tubes and joining sapphire components for nuclear reactor fuel elements and assemblies

Номер патента: US9570202B2. Автор: Roger Ian Lounsbury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing a laminated textile substrate for a body heating or cooling garment

Номер патента: US5538583A. Автор: Stephen P. Szczesuil,Rizalah Masadi. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1996-07-23.

Method of manufacturing nanostructures on a surface, on a mould and on an optical element, and an optical element as such manufactured

Номер патента: EP2812468B1. Автор: Chin Patrick. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2016-05-11.

Method of preparing a magnesium alloy substrate for a surface treatment

Номер патента: US20120064251A1. Автор: Guangling Song. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-03-15.

APPARATUS AND METHOD OF USING A SIMULATED SKIN SUBSTRATE FOR TESTING INSECT REPELLANTS

Номер патента: US20180014513A1. Автор: Mascari Thomas Michael,Wadleigh Richard W.. Владелец: S. C. Johnson & Son, Inc.. Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD OF COATING A REAR GLASS SUBSTRATE FOR AN ELECTROCHROMIC MIRROR REFLECTIVE ELEMENT

Номер патента: US20140173894A1. Автор: Uken John T.,Habibi Hamid,Baur Michael J.,McCabe Ian A.. Владелец: MAGNA MIRRORS OF AMERICA, INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

APPARATUS AND METHOD OF USING A SIMULATED SKIN SUBSTRATE FOR TESTING INSECT REPELLANTS

Номер патента: US20200214267A1. Автор: Mascari Thomas Michael,Wadleigh Richard W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

A method of treating a laser transparent substrate for subsequently separating the substrate

Номер патента: DE102013223637B4. Автор: Jonas Kleiner,Daniel Großmann. Владелец: Trumpf Laser und Systemtechnik GmbH. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of texture processing on glass substrate for magnetic hard disk and slurry therefor

Номер патента: CN1784719A. Автор: 堀江祐二,奥山弘光,谷藤达也. Владелец: Nihon Micro Coating Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-07.

Method of processing synthetic quartz glass substrate for semiconductor

Номер патента: KR101704811B1. Автор: 다이지쯔 하라다,마사끼 다께우찌,하루노부 마쯔이. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2017-02-08.

Method of fabricating the color filter substrate for Liquid crystal display device

Номер патента: KR101290598B1. Автор: 송태준. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-07-29.

Method of producing phosphor containing oxide substrate for metal complex catalysts

Номер патента: SU810261A1. Автор: Вагаб Сафарович Алиев,Вагиф Мелик оглы Ахмедов,Фируза Рашидовна Султанова,Фируза Фатулла Кызы Курбанова,Рамиз Хуршуд оглы Мамедов. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамениинститут Нефтехимическихпроцессов Им. Акад. Ю.Г.Мамедалиева. Дата публикации: 1981-03-07.

Method of manufacturing titanium compound based substrate for synthesizing polycrystalline cubic boron nitride

Номер патента: KR101340563B1. Автор: 이완재,차인선,차수일,장동빈,임정식,김승법. Владелец: 차인선. Дата публикации: 2013-12-11.

manufacturing method of liquid crystal panel, glass substrate for liquid crystal panel and liquid crystal panel including the same

Номер патента: BRPI1015380A2. Автор: YAMAZAKI IKUSHI. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2019-09-24.

Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles

Номер патента: AU2003205098A1. Автор: Thomas Rueckes,Jonathan W. Ward,Brent M. Segal. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2004-08-13.

The method of processing synthetic quartz glass substrate for semiconductor

Номер патента: CN101804589A. Автор: 松井晴信,原田大实,竹内正树. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

A method of assaying elements in a substrate for optics, electronics, or optoelectronics

Номер патента: TWI241401B. Автор: Laurent Viravaux. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2005-10-11.

Manufacturing method of magnetic disk and glass substrate for information recording medium

Номер патента: JP5907259B2. Автор: 小池　章夫,章夫 小池,中島　哲也,哲也 中島,学 西沢,知之 辻村. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

Substrate for semi-transmitting type liquid crystal display element and display element including the substrate

Номер патента: CN1847948A. Автор: 荻野悦男,筏井正博. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-18.

Method of coating a rear glass substrate for an electrochromic mirror reflective element

Номер патента: US9073490B2. Автор: Ian A. Mccabe,Hamid Habibi,John T. Uken,Michael J. Baur. Владелец: Magna Mirrors of America Inc. Дата публикации: 2015-07-07.

Method of manufacturing a sound absorption structure comprising a hollow-walled panel incorporating acoustic elements, and sound absorption structure obtained by said method

Номер патента: EP3674530B1. Автор: Laurent Caliman,Florian Ravise,Denis Brossard,Stephane Le Clainche. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2023-02-22.

Methods of forming microwires or nanowires

Номер патента: US20230226606A1. Автор: Martin Thuo,Chuanshen Du,Thomas Ward, III,Julia Jinling Chang. Владелец: LOWA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of fabricating and a method of renovating an electrical power supply rail, a carriage for carrying out the methods, a rail mounting body and a rail wear plate for use in the fabrication method, and an electrical power supply rail obtained by the method

Номер патента: US20020088680A1. Автор: Yves Pelletier. Владелец: Railtech International SA. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of and machine for mounting contact system

Номер патента: RU2216458C2. Автор: Йозеф Тойрер,Леопольд ГРУБЕР. Владелец: ФРАНЦ ПЛАССЕР БАНБАУМАШИНЕН-ИНДУСТРИГЕЗЕЛЬШАФТ м.б.Х.. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for mounting wire ties at large depth

Номер патента: RU2579034C1. Автор: Замир Галимович Ламердонов. Владелец: Замир Галимович Ламердонов. Дата публикации: 2016-03-27.

Separation method of twisted products into electrical strand in polymer sheath, steel wire and processing of steel wire pieces into reinforcement elements

Номер патента: RU2507279C1. Автор: Масхут Кутдусович Камалутдинов,Равиль Максумович Аксанов,Геннадий Васильевич Шеметов,Хаким Мидхатович Биктимиров,Ильдар Масхутович Камалутдинов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственный центр "Гальва". Дата публикации: 2014-02-20.

Shut-off and launching device and method of its operation

Номер патента: RU2695389C1. Автор: Наталья Викторовна Хазова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пожтехника". Дата публикации: 2019-07-23.

Method of forming a thin wax layer on a mounting block for mounting a semiconductor wafer

Номер патента: WO2002069391A1. Автор: Gianluca Valente,Ezio Bovio,Paride Corbellini,Giovanni Negri,Luca Moiraghi,Fausto Rubini. Владелец: Memc Electronic Materials, S.P.A.. Дата публикации: 2002-09-06.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7220521B2. Автор: Eiichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

EXHAUST VALVE FOR LARGE-SIZE TWO-STROKE DIESEL ENGINE, METHOD OF DECREASING NOx CONTENT IN SAID ENGINE AND SAID ENGINE

Номер патента: RU2458229C1. Автор: Мадс Лютье КРИСТЕНСЕН. Владелец: Ман Дизель Энд Турбо, Филиал Аф Ман Дизель Энд Турбо Се, Тискланд. Дата публикации: 2012-08-10.

Composite piezoelectric material and method of its production

Номер патента: RU2695917C1. Автор: Алексей Анатольевич Нестеров,Михаил Игоревич Толстунов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет". Дата публикации: 2019-07-29.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

Fabrication method and fabrication apparatus of head using near field light

Номер патента: US8323518B2. Автор: Manabu Oumi,Masakazu Hirata,Majung Park. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Medical device using flexible illuminating constructions and method of its production

Номер патента: RU2394614C2. Автор: Филлип БЕРВЕЛЛ,Джеймс К. ЧЕН,Цзыхун ГО,Стивен Р. ДЕЙЛИ,Дэвид Б. ШАЙН,Гэри ЛИЧТТЕНЕДЖЕР. Владелец: Лайт Сайенсиз Онколоджи, Инк.. Дата публикации: 2010-07-20.

Method of producing plastically crimped elements of rope or cable as whole

Номер патента: RU2731240C1. Автор: Елена Юрьевна Кушкина,Анна Александровна Герасимова. Владелец: Публичное акционерное общество "Северсталь" (ПАО "Северсталь"). Дата публикации: 2020-08-31.

Element from mineral cotton, method of its fabrication and method of isolating curved surfaces

Номер патента: RU2450932C1. Автор: Эса СЕППЯНЕН,Лассе САТКА,Ристо ХЕВОСМАА. Владелец: ПАРОК ОЙ АБ. Дата публикации: 2012-05-20.

Silicon photonic fiber and method of manufacture

Номер патента: US09546094B2. Автор: Fatih Yaman,Guifang Li. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2017-01-17.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

A casting insert fabrication method using a composition of powders, a casting insert and method of obtaining local composite zones in castings

Номер патента: EP4166258A3. Автор: Ewa Olejnik,Anna JESIOLOWSKA. Владелец: Innerco Sp Z OO. Дата публикации: 2024-08-21.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Fabrication method of burnable absorber nuclear fuel pellets and burnable absorber nuclear fuel pellets fabricated by the same

Номер патента: US09653188B2. Автор: Jong-Hun Kim,Young Woo Rhee,Dong-Joo Kim,Keon-Sik Kim,Yang-Hyun Koo,Jae-Jo Yang. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2017-05-16.

Ultrasound endoscope distal end portion to accommodate bend wires and wiring substrate

Номер патента: US09504444B2. Автор: Takanao Fujimura. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Aromatic latex and its method of fabricating

Номер патента: US20180282502A1. Автор: Guobin Liu. Владелец: Shenzhen Lezhimao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

Batch fabrication method of three-dimensional photonic microstructures

Номер патента: US09459381B2. Автор: Ki-Hun Jeong,Jae-Jun Kim,Dongmin KEUM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-10-04.

Fabrication method and fabrication device for composite material hollow part

Номер патента: US09403302B2. Автор: Tadashi Yazaki,Hidetaka Hattori,Hideki Horizono,Naoaki Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Building materials and components and methods of making the same

Номер патента: US20240150245A1. Автор: Gang Tan,Richard HORNER,Tengyao JIANG,Jennifer Tanner EISENHAUER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Building materials and components and methods of making the same

Номер патента: US20240150246A1. Автор: Gang Tan,Richard HORNER,Tengyao JIANG,Jennifer Tanner EISENHAUER. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-05-09.

Building materials and components and methods of making the same

Номер патента: US11891337B2. Автор: Gang Tan,Richard HORNER,Tengyao JIANG,Jennifer Tanner EISENHAUER. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-02-06.

Miniature diaphragm-based fiber-optic tip FP pressure sensor, and fabrication method and application thereof

Номер патента: US12044591B2. Автор: Wei Peng,Qiang Liu,Ang Li,Yueying Liu,Zhenguo Jing. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Ayurvedic encapsulated gold nanoparticles, fabrication methods and cancer therapeutic methods

Номер патента: EP3582757A1. Автор: Alsam KHAN,Kattesh Katti,Kavita Katti,Menka Khhobchandani,Chintamani Joshi,Vinay Mutalik. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2019-12-25.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Shoe fabric having a concealed pattern and its fabrication method

Номер патента: US20030061951A1. Автор: Tony Tseng. Владелец: Taiwan Paiho Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Additive friction stir methods of repairing substrates

Номер патента: US09862054B2. Автор: Jeffrey Patrick SCHULTZ,Kumar Kandasamy. Владелец: Aeroprobe Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method and device for mounting engine on aircraft pylon

Номер патента: RU2690834C2. Автор: Марк Патрик ТЕНЬЕР,Брюно Альбер БЁТЕН,Марио ЛАМБЕ. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2019-06-05.

Set of parts for mounting window lining and method of window lining with its application

Номер патента: RU2599391C2. Автор: Андерс Кель Бюлов. Владелец: Вкр Холдинг А/С. Дата публикации: 2016-10-10.

Tool for friction welding with mixing, method of its fabrication, method of friction welding with mixing of two metal workpieces, and method of producing metal part

Номер патента: RU2417143C2. Автор: Роберт Ян МАЗИАРЗ. Владелец: Эебас ЮКей Лимитид. Дата публикации: 2011-04-27.

Article with flange, method of making said article and method of making product containing element with flange

Номер патента: RU2591867C2. Автор: ДАМ Джереми Дэниел ВАН,Второй Майлз Стэндиш ПЕТЕРСОН,Карен Кеттлер ДИНАЙК,Кируба Сивасубраманиам ХАРАН,Дон Марк ЛИПКИН. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2016-07-20.

Lashing machine and method of securing part of lacing element in loop around one or more objects

Номер патента: RU2725330C2. Автор: Ове ЕНГЛУНД,Петер МЕРСТЕД,Ерик ДЭНИЕЭЛСОН. Владелец: Сунд Бирста Аб. Дата публикации: 2020-07-02.

Image-based control of wire harness and connector manufacturing processes using artificial intelligence

Номер патента: US20210049754A1. Автор: Edgar Ivan Sanchez Ortega. Владелец: Crimping & Stamping Technologies Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US8586810B2. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2013-11-19.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US20130096348A1. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Polystyrene-based filament for support structure in fused filament fabrication, and associated fused filament fabrication method and article

Номер патента: WO2020023291A1. Автор: Juha-Matti Levasalmi,Malvika BIHARI,Ethan Liu. Владелец: Sabic Global Technologies B.V.. Дата публикации: 2020-01-30.

FABRICATION METHOD OF HEXAGONAL BORON NITRIDE (h-BN)-BASED THERMALLY-CONDUCTIVE COMPOSITE FILM

Номер патента: US20220402257A1. Автор: Daniel Huang,Chaoming Wu,Renzheng Chen,Mars GUO. Владелец: Suzhou Kanronics Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Fabrication method of deflecting film

Номер патента: US20190121200A1. Автор: Zi WANG,Qibin Feng,Guoqiang Lv. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2019-04-25.

Fabricating method of alignment film

Номер патента: US09766499B2. Автор: Yongzhi SONG,Xiaona Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Grating connector and spacer apparatus, system, and methods of using the same

Номер патента: US09731730B2. Автор: Alexander Stiles. Владелец: Holland LP. Дата публикации: 2017-08-15.

Knitted fabric, method for producing a knitted fabric, and warp knitting machine

Номер патента: US09677209B2. Автор: Oliver Mathews,Rainer Kemper,Vera Daube,Michael Kieren. Владелец: KARL MAYER TEXTILMASCHINENFABRIK GMBH. Дата публикации: 2017-06-13.

Fabrication method for stratified and layered tissue to repair osteochondral defects

Номер патента: US09616110B2. Автор: Corey P. Neu,Tyler A. Novak,Garrett Shannon. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-11.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Tape-pipe method of extinguishing forest fires with transforming dismountable links

Номер патента: RU2470685C2. Автор: Владимир Ильич Юркин. Владелец: Владимир Ильич Юркин. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of turbojet batch manufacturing and turbojet manufactured according to this method

Номер патента: RU2544408C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Еричев,Николай Павлович Селиванов,Евгений Ювенальевич Марчуков,Виктор Викторович Куприк,Владимир Валентинович Кирюхин,Ирик Усманович Манапов,Сергей Анатольевич Симонов,Юрий Геннадьевич Шабаев,Игорь Александрович Кондрашов,Александр Викторович Артюхов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уфимское Моторостроительное Производственное Объединение" (Оао "Умпо"). Дата публикации: 2015-03-20.

Method of making print wiring substrate and like

Номер патента: JPS54766A. Автор: Kazuhide Fujita,Mitsumasa Satou. Владелец: Nitto Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1979-01-06.

METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER WIRING SUBSTRATE, AND MULTILAYER WIRING SUBSTRATE

Номер патента: US20120312590A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-13.

Wiring substrate, wiring material, copper-clad laminate, and method of manufacturing the wiring substrate

Номер патента: CN101032191A. Автор: 东谷秀树. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Wiring substrate, wiring material, copper-clad laminate, and method of manufacturing the wiring substrate

Номер патента: CN100591193C. Автор: 东谷秀树. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER WIRING SUBSTRATE

Номер патента: US20120097319A1. Автор: MAEDA Shinnosuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER WIRING SUBSTRATE

Номер патента: US20120145666A1. Автор: MAEDA Shinnosuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-14.

SEMICONDUCTOR ELEMENT DRIVING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299634A1. Автор: HIRATA Daisuke. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER WIRING SUBSTRATE

Номер патента: US20130111746A1. Автор: SUGIMOTO Atsuhiko,MAEDA Shinnosuke,Hirano Satoshi,SUZUKI Tetsuo,HANDO Takuya,SAIKI Hajime. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-09.

ETCHING SOLUTION AND METHOD OF MANUFACTURING PRINTED WIRING SUBSTRATE USING THE SAME

Номер патента: US20130175238A1. Автор: Choi Cheol Ho,Ryu Chang Sup,Lee Chang Bo,Hosomi Akira,HONG Dae Jo,Hong Sung Pyo,JEON Jong Hoon,TAKAMIYA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3840166B2. Автор: 民男 草野,晃子 松崎. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-11-01.

I / O terminal and semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3784346B2. Автор: 信幸 田中. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-06-07.

Method of making print wiring substrate

Номер патента: JPS5413965A. Автор: Hajime Inoue,Fumio Harada,Shiyouji Oikawa,Kazunobu Katou,Masao Kurosawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-02-01.

Method of preserving printed wiring substrate

Номер патента: JPS61164967A. Автор: 野村　誠七. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1986-07-25.

Semiconductor element connection bump and semiconductor device

Номер патента: JP4714593B2. Автор: 大輔 水谷. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-06-29.

Method of making print wiring substrate

Номер патента: JPS5429055A. Автор: Kimihiko Saitou. Владелец: SHINDO DENSHI KOUGIYOU KK. Дата публикации: 1979-03-03.

I / O terminal and semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3850344B2. Автор: 努 杉本. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-11-29.

I / O terminal and semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP4522010B2. Автор: 厚志 小笠原. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2010-08-11.

Semiconductor element storage package and semiconductor device

Номер патента: JP3694670B2. Автор: 宗裕 上村. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2005-09-14.

Optical semiconductor element storage package and optical semiconductor device

Номер патента: JP4142928B2. Автор: 将章 宮原,清吾 松園. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2008-09-03.

Optical semiconductor element storage package and optical semiconductor device

Номер патента: JP3921082B2. Автор: 信幸 田中,晃子 松崎. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of manufacturing soft and flexible substrate for electrical circuit

Номер патента: JPS5418071A. Автор: Riyouichi Sado. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1979-02-09.

Method of forming cavity in gallium arsenide substrate

Номер патента: RU2488189C1. Автор: Владимир Владимирович Волков,Валентина Петровна Иванова,Елена Владимировна Кочанова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Светлана-Электронприбор". Дата публикации: 2013-07-20.

Semiconductor element sealing apparatus and semiconductor element sealing method

Номер патента: JP4481705B2. Автор: 久幸 鶴田. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Multi-cavity wiring board, wiring board, multi-cavity semiconductor element storage package and semiconductor element storage package

Номер патента: JP4404460B2. Автор: 明彦 舟橋. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2010-01-27.

Semiconductor element inspection apparatus and semiconductor element inspection method

Номер патента: JP3613968B2. Автор: 正直 小林. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-26.

Semiconductor element inspection device and semiconductor element inspection method

Номер патента: JP2021111748A. Автор: Ryohei Tanuma,良平 田沼,晃一 村田,Koichi Murata,Isao Kamata,功穂 鎌田. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2021-08-02.

Semiconductor element manufacturing apparatus and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: JP3680677B2. Автор: 清一郎 東. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-10.

Method of turbojet batch manufacturing and turbojet manufactured according to this method

Номер патента: RU2544410C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Еричев,Николай Павлович Селиванов,Евгений Ювенальевич Марчуков,Виктор Викторович Куприк,Ирик Усманович Манапов,Сергей Анатольевич Симонов,Игорь Александрович Кондрашов,Константин Сергеевич Поляков,Сергей Андреевич Федоров,Александр Викторович Артюхов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уфимское Моторостроительное Производственное Объединение" (Оао "Умпо"). Дата публикации: 2015-03-20.

Method of turbojet batch manufacturing and turbojet manufactured according to this method

Номер патента: RU2544409C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Еричев,Николай Павлович Селиванов,Евгений Ювенальевич Марчуков,Виктор Викторович Куприк,Владимир Валентинович Кирюхин,Ирик Усманович Манапов,Сергей Анатольевич Симонов,Юрий Геннадьевич Шабаев,Игорь Александрович Кондрашов,Александр Викторович Артюхов,Дмитрий Алексеевич Мовмыга. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уфимское Моторостроительное Производственное Объединение" (Оао "Умпо"). Дата публикации: 2015-03-20.

Method of gas cleaning and device for its accomplishment

Номер патента: RU2019268C1. Автор: Владимир Николаевич Миланич,Алексей Петрович Осипов. Владелец: Алексей Петрович Осипов. Дата публикации: 1994-09-15.

Method of aligning metallic dispersion-reinforcement elements in concrete

Номер патента: RU2451647C1. Автор: Анатолий Сергеевич Пермикин,Илья Александрович Осокин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный университет путей сообщения" (УрГУПС). Дата публикации: 2012-05-27.

Optical wavelength conversion element, method of manufacturing the same, short wavelength coherent light generator using optical wavelength conversion element, and method of manufacturing optical wavelength conversion element

Номер патента: JP3052693B2. Автор: 和久 山本,公典 水内. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2000-06-19.

Method of determining force of dry friction in oscilating system with parallel connection of elements and with frictional coupling

Номер патента: SU1613934A1. Автор: Семен Львович Цыфанский,Борис Александрович Лушников,Мартинь Арвилович Магоне. Владелец: Рижский политехнический институт им.А.Я.Пельше. Дата публикации: 1990-12-15.

METHOD OF REFINING TIN FROM ALUMINUM AND OTHER MORE ELECTRIC-NEGATIVE THAN TIN, ELECTROLYSIS ELEMENTS AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: SU923237A1. Автор: В.Е. Дьяков,Е.А. Галкин,В.Д. Никитина,И.М. Селиванов,А.П. Дугельный,А.Е. Семенов,Б.А. Соловьев,М.Ю. Зыкус. Владелец: Новосибирский ордена Ленина оловянный комбинат. Дата публикации: 2011-11-10.

METHODS OF CLEANING HARD DRIVE DISK SUBSTRATES FOR NANOIMPRINT LITHOGRAPHY

Номер патента: US20120058258A1. Автор: Ye Zhengmao,Ramos Rick. Владелец: MOLECULAR IMPRINTS, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

METHODS OF FORMING A CUTTING ELEMENT FOR AN EARTH-BORING TOOL, A RELATED CUTTING ELEMENT, AND AN EARTH-BORING TOOL INCLUDING SUCH A CUTTING ELEMENT

Номер патента: US20130068535A1. Автор: DiGiovanni Anthony A.. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of obtaining sulfite liquor-base substrate for growing fodder yeast

Номер патента: SU1106832A1. Автор: Виталий Михайлович Крюков,Михаил Алексеевич Иванов,Юрий Александрович Бойко,Иван Иванович Бакалов,Юрий Васильевич Жигалов,Михаил Филиппович Мошкин,Владимир Николаевич Найдин,Арсен Васильевич Углицких,Луиза Петровна Пантюшина,Ремир Николаевич Чиков. Владелец: Пермский филиал всесоюзного научно-исследовательского института целлюлозно-бумажной промышленности Всесоюзного научно-производственного объединения целлюлозно-бумажной промышленности. Дата публикации: 1984-08-07.

Preparation method of super wear-resistant ceramic substrate for pure low temperature waste heat power generation

Номер патента: CN105418073A. Автор: 付延峰,鲁轶. Владелец: Luoyang Dituo Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-23.

Method of manufacturing flow path forming substrate for ink jet recording head

Номер патента: JP3473664B2. Автор: 一成 梅津,宣昭 岡沢,佳史 吉田,俊尚 新保. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-12-08.

Method of obtaining sorbent on fibrous substrate for air drying

Номер патента: RU2538899C1. Автор: Марина Александровна Ульянова,Владислав Петрович Андреев,Елена Евгеньевна Ломовцева,Ирина Александровна Ряшенцева,Светлана Анатольевна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Корпорация "Росхимзащита" (ОАО "Корпорация "Росхимзащита"). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of applying curable resin to substrate for use in papermaking

Номер патента: CN1180392A. Автор: 保罗·D·特罗克汉,约翰·R·鲍尔斯,詹姆斯·D·米勒二世,格伦·D·布提莱尔. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1998-04-29.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Mask frame apparatus for mounting solder balls

Номер патента: US20120000963A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION STRUCTURE OF ELEMENTS AND CONNECTION METHOD

Номер патента: US20120000501A1. Автор: AKIYAMA Hirokuni,MORISAKU Naoto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of filtering elements manufacturing

Номер патента: RU2553877C1. Автор: Александр Иванович Ермаков,Федор Васильевич Паровай,Изольд Давидович Эскин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2015-06-20.

Rock destroying drilling tool fabrication method

Номер патента: RU2392412C1. Автор: Родион Михайлович Богомолов,Николай Митрофанович Панин,Юрий Евдокимович Будюков,Владимир Федорович Сорокин,Игорь Николаевич Некрасов. Владелец: Николай Митрофанович Панин. Дата публикации: 2010-06-20.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DETONATOR CARTRIDGE AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120000387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Stand for estimation of wear resistance of protective metal coat of wire

Номер патента: RU2187088C2. Автор: А.В. Андреев,А.Э. Катков. Владелец: Катков Александр Эдуардович. Дата публикации: 2002-08-10.

Thick-film resistor fabrication method

Номер патента: RU2552631C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Борис Владимирович Бавыкин,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2015-06-10.

Fabrication method of long hollow ship's shafts of large and mean diametres from low-magnetic corrosion-resistant steels

Номер патента: RU2387494C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Константин Александрович Усанов,Дмитрий Всеволодович Марков. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Bicomponent filament for cord fabrics, method of its production, cord fabric

Номер патента: RU2175694C1. Автор: В.М. Баранов,С.Д. Лаушкин,Н.И. Столяров,ров Н.И. Стол,Н.В. Кулешова,А.П. Горшкова. Владелец: Щекинское открытое акционерное общество "Химволокно". Дата публикации: 2001-11-10.

Label fabrication method

Номер патента: RU2566256C1. Автор: Дмитрий Борисович Тугушев,Елена Александровна Маслова. Владелец: Дмитрий Борисович Тугушев. Дата публикации: 2015-10-20.

Module of semiconductor element and method of its manufacturing

Номер патента: RU2458431C2. Автор: Кендзи ФУДЗИВАРА,Синити КОБАЯСИ,Кодзи НАКАНО,Даиси УЕНО,Таро ВАДА,Масахиро ФУНАЯМА,Йосикацу КУРОДА,Юити КОНДО,Теруо ТАКЕСИТА,Кодзи НАКАНО (JP),Даиси УЕНО (JP),Таро ВАДА (JP),Масахиро ФУНАЯМА (JP),Йосикацу КУРОДА (JP),Юити КОНДО (JP),Синити КОБАЯСИ (JP),Кендзи ФУДЗИВАРА (JP),Теруо ТАКЕСИТА (JP). Владелец: Мицубиси Хэви Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2012-08-10.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing composite material from titanium or alloy thereof

Номер патента: RU2579708C2. Автор: Сергей Александрович Плотников,Александр Борисович Владимиров,Анна Петровна Рубштейн,Алан Юрьевич Кучиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н.Михеева Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Manufacturing method of friction bearing

Номер патента: RU2382248C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев,Валерий Александрович Иванов,Сергей Петрович Захарычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования " Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2010-02-20.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fabrication method of seamless hot-deformed tubes of large and mean diametres on tube-forming installations with pilger mills

Номер патента: RU2387498C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Валерий Александрович Головинов,Владимир Сергеевич Баричко,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Юрий Борисович Белокозович,Сергей Геннадьевич Чикалов,Константин Николаевич Бубнов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.