Method for adjusting the stress state of a piezoelectric film and acoustic wave device employing such a film
Номер патента: WO2018178562A1
Опубликовано: 04-10-2018
Автор(ы): Damien RADISSON, Jean-Marc Bethoux, Yann Sinquin
Принадлежит: SOITEC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-10-2018
Автор(ы): Damien RADISSON, Jean-Marc Bethoux, Yann Sinquin
Принадлежит: SOITEC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming a groove on a surface of flat plate formed of a nitride semiconductor crystal
Номер патента: US20140370685A1. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.