METHOD FOR FORMING A NANOSTRUCTURE PENETRATING A LAYER
Номер патента: US20140002824A1
Опубликовано: 02-01-2014
Автор(ы): Borghs Gustaaf, Chen Chang, CHENG Kai, Lagae Liesbet, Van Dorpe Pol
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-01-2014
Автор(ы): Borghs Gustaaf, Chen Chang, CHENG Kai, Lagae Liesbet, Van Dorpe Pol
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Sensor including nanostructure and method for fabricating the same
Номер патента: US09625381B2. Автор: Jun-Hyung Kim. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.