Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Organic field effect transistor, useful in electronic circuit, comprises a semiconducting layer partially containing a fullerene derivative with a carbon cluster and a substituent bound to the carbon cluster over a cyclopropane ring

Organic field effect transistor, useful in electronic circuit, comprises a semiconducting layer partially containing a fullerene derivative with a carbon cluster and a substituent bound to the carbon cluster over a cyclopropane ring

Номер патента: DE102006023074A1
Опубликовано: 06-12-2007
Автор(ы): Lars Blankenburg, Mario Schrodner, Steffi Sensfuss
Принадлежит: Thueringisches Institut fuer Textil und Kunststoff Forschung eV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Photographic material comprising a layer capable of being colored by organic dyes containing a ni complex of a 2,2'-bisphenol derivative

Номер патента: CA1190427A. Автор: Peter Bergthaller,Jurgen Strauss. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 1985-07-16.

Fullerene derivatives and optoelectronic devices utilizing the same

Номер патента: US20120305919A1. Автор: Yu-Wei Lin,Chih-Ping Chen,Shih-Ching Chuang,Yeu-Ding Chen,Fu-Wei Chan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-12-06.

Fullerene derivatives and photoelectric device and image sensor

Номер патента: US20190173015A1. Автор: Norihito ISHII,Yutaka Matsuo,Hiromasa Shibuya,Yeong suk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Fullerene derivative and method for manufacturing a fullerene derivative

Номер патента: US20150376110A1. Автор: Yoshinori Yamamoto,Takeshi Igarashi,Tienan Jin,Weili Si. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-12-31.

Fractionation system having rectifying and stripping columns in a single vessel with a uniform diameter

Номер патента: RU2662542C2. Автор: Стивен Т. КИНГ,Стивен КОЗАП,Синь С. ЧЖУ. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2018-07-26.

Antistatic, antislosh, flame arresting structure for use in containing holding flammable fluids

Номер патента: CA1313440C. Автор: R. Vernon Snelgrove,Francis P. McCullough, Jr.,Eckel R. Lane,David M. Hall. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1993-02-09.

Hydrogenation of aromatic compounds in a petroleum cut by use of a catalyst composition comprising a mesostructured material with nanoparticles of cerium oxide and containing a group VIII metal

Номер патента: FR2852324A1. Автор: Blaise Didillon,Avelino Corma,Ching Jean Yves Chane,Feliu Agustin Marinez. Владелец: Rhodia Electronics and Catalysis SAS. Дата публикации: 2004-09-17.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices

Номер патента: US09478745B2. Автор: Pascal Hayoz,Hans Jürg Kirner,Mathias DÜGGELI,Olivier Frédéric AEBISCHER,Marta Fonrodona Turon. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-10-25.

Process for producing a device for use in filtration, chemical processes or electrochemical processes comprising a porous layer and a supporting layer and device obtainable by the process

Номер патента: WO2023242404A1. Автор: Christian Fischer,Markus Lang,Christian STAUDIGEL,Wendelin Winkelmüller,Matthias Scharvogel,Johannes Geronimo SCHAPER,Florian Gerdts. Владелец: Element22 Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Polymerizable fullerene derivative and their use in organic photovoltaic cells

Номер патента: US20120060926A1. Автор: Pei-Jung Li,Chain-Shu Hsu,Yen-Ju Cheng,Chao-Hsiang Hsieh. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-03-15.

Fullerene derivative and photoelectric conversion device using same

Номер патента: US9287506B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Satoru Ikeda,Takatoshi Ito,Kazuyuki Moriwaki,Soichi Uchida,Takashi Sagawa,Toshiyuki Iwai,Toshinobu Ohno,Yuko Takao,Fukashi Matsumoto. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2016-03-15.

Fullerene derivative and photoelectric conversion device using same

Номер патента: US20140014882A1. Автор: Susumu Yoshikawa,Satoru Ikeda,Takatoshi Ito,Kazuyuki Moriwaki,Soichi Uchida,Takashi Sagawa,Toshiyuki Iwai,Toshinobu Ohno,Yuko Takao,Fukashi Matsumoto. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2014-01-16.

Electronic circuit board, and production method therefor

Номер патента: US20180001683A1. Автор: Tadashi Kawamoto,Shigeru Baba,Kazuhiko Tanaka,Sakae Murata,Youichi Sumoto. Владелец: Komura Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Fullerene derivatives and photoelectric devices and image sensors

Номер патента: US20190019955A1. Автор: TADAO Yagi,RIE Sakurai,Yutaka Matsuo,Hiromasa Shibuya,Yeong suk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-17.

Fullerene derivative and production method therefor

Номер патента: US20240306486A1. Автор: Chieko Nakagawa,Takeshi Igarashi. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Fullerene derivative, organic solar cell using same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923143B2. Автор: Jaesoon BAE,Jaechol LEE,Jiyoung LEE,Hangken LEE,Jinseck KIM,Songrim Jang,Jeong Min Choi,Keun Cho,Doo Whan Choi. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Fullerene derivative and perovskite solar cell

Номер патента: EP4266854A1. Автор: Guodong Chen,Zhihan Huang,Yongsheng Guo,WeiFeng Liang,Changsong CHEN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Formic acid formation from a carbon dioxide source

Номер патента: EP4031268A1. Автор: Earl Lawrence Vincent Goetheer,Maartje Sietske FEENSTRA,Styliani CHATZISAKOULA. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-07-27.

Fullerene derivatives and perovskite solar batteries

Номер патента: US20230348273A1. Автор: Guodong Chen,Zhihan Huang,Yongsheng Guo,WeiFeng Liang,Changsong CHEN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Fullerene derivative, organic solar cell using same, and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2962992A1. Автор: Jaesoon BAE,Jaechol LEE,Jiyoung LEE,Hangken LEE,Jinseck KIM,Songrim Jang,Jeong Min Choi,Keun Cho,Doo Whan Choi. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-01-06.

High density brines for use in wellbore fluids

Номер патента: CA2602004A1. Автор: HUI Zhang,Robert L. Horton,Bethicia B. Prasek,Mary L.K. Dimataris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Proteins with a double function and a pharmaceutical composition containing them

Номер патента: RU2741345C2. Автор: ДоХун КИМ,Дзун Хван КИМ,Сеиоунг ЛИМ,Миндзи СЕО,Хиун Хо ЧОИ,Ми Киеонг ДЗУ,Дзу-Йоунг ПАРК,Сеул Ги КИМ,Сангмиоун ЛИМ,Дзонг Гиун КИМ,Су Йоун НАМ. Владелец: Юхан Корпорейшн. Дата публикации: 2021-01-25.

Compounds useful in anti-allergy treatment

Номер патента: CA2173856A1. Автор: Denis Raymond Stanworth,Ian Victor Lewin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-04-20.

Pharmaceutical composition comprising a salt of mirtazapine

Номер патента: CA2561281C. Автор: Kees Van Der Voort Maarschalk,Gerardus Johannes Kemperman,Sytske Hyke Moolenaar. Владелец: MSD Oss BV. Дата публикации: 2013-04-02.

Bifunctional glycoproteins having a modified carbohydrate complement, and their use in tumor-selective therapy

Номер патента: CA2122745C. Автор: Klaus Bosslet,Dieter Hoffmann,Jorg Czech. Владелец: Behringwerke AG. Дата публикации: 2010-06-22.

Method for making chromogenic and/or fluorogenic substrates for use in monitoring catalytic or enzymatic activity

Номер патента: CA1194860A. Автор: Jemo Kang,Glen L. Tolman. Владелец: Biochem Immunosystems US Inc. Дата публикации: 1985-10-08.

A colloidal particle dispersion for use in an antimicrobial and virucidal surface coating

Номер патента: SE2051436A1. Автор: Jiayin YUAN,Gerald MCINERNEY. Владелец: Gerald MCINERNEY. Дата публикации: 2022-06-10.

Hexadecahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthrene derivatives useful in treating pain and inflammation

Номер патента: EP4292655A2. Автор: Jeyaprakashnarayanan Seenisamy,Curtis Harwig,Jennifer CROSS,Mahesh Narayan Keregadde,Jeremy D. PETTIGREW,Karthikeyan IYANAR,Samir Satish KHER. Владелец: Taro Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Composition for use in treating dystrophic epidermolysis bullosa

Номер патента: US20240050481A1. Автор: Yasushi Kikuchi,Katsuto Tamai,Takehiko Yamazaki,Tomoki TAMAKOSHI. Владелец: StemRIM Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Indene derivatives useful in treating pain and inflammation

Номер патента: US20230391790A1. Автор: Jeyaprakashnarayanan Seenisamy,Curtis Harwig,Jennifer CROSS,Mahesh Narayan Keregadde,Jeremy D. PETTIGREW,Karthikeyan IYANAR. Владелец: Taro Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Indene derivatives useful in treating pain and inflammation

Номер патента: US11773108B2. Автор: Jeyaprakashnarayanan Seenisamy,Curtis Harwig,Jennifer CROSS,Mahesh Narayan Keregadde,Jeremy D. PETTIGREW,Karthikeyan IYANAR. Владелец: Taro Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Fluorescent probe for use in detection of pancreatic cancer

Номер патента: US20240201189A1. Автор: Kiyoshi Hasegawa,Yasuteru Urano,Mako Kamiya,Takeaki Ishizawa,Ryugen TAKAHASHI. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for producing molded parts, especially for use in automobile manufacture, and corresponding appropriate films comprising a coating

Номер патента: KR101238411B1. Автор: 후베르트 바움가르트,베르톨트 오스트럽,클라우스 멘첼,파트미르 라카,호르스트 힌트체-브뤼닝,프랑크 디잇체,라인홀트 슈발름,이본느 하이쉬켈,니크 그루버,가브레엘레 들루고쉬,에리히 베크. Владелец: 바스프 코팅스 게엠베하. Дата публикации: 2013-03-04.

Method for producing molded parts, especially for use in automobile manufacture, and corresponding appropriate films comprising a coating

Номер патента: US9403297B2. Автор: Erich Beck,Reinhold Schwalm,Hubert Baumgart,Frank Dietsche,Horst HINTZE-BRÜNING,Yvonne Heischkel,Klaus Menzel,Nick Gruber,Gabriele Dlugosch,Fatmir Raka,Berthold Austrup. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2016-08-02.

Medicament for use in the treatment of familial mediterranean fever comprising a human il-1 beta binding antibody

Номер патента: IL245387B. Автор: . Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Method for producing molded parts, especially for use in automobile manufacture, and corresponding appropriate films comprising a coating

Номер патента: PL1809462T3. Автор: Erich Beck,Reinhold Schwalm,Hubert Baumgart,Frank Dietsche,Horst HINTZE-BRÜNING,Yvonne Heischkel,Klaus Menzel,Nick Gruber,Gabriele Dlugosch,Fatmir Raka,Berthold Austrup. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2011-02-28.

Dyketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices

Номер патента: US09434812B2. Автор: Pascal Hayoz,Mathias DÜGGELI,Natalia Chebotareva,Olivier Frédéric AEBISCHER. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-09-06.

Photoelectric conversion material containing fullerene derivative

Номер патента: US20090101200A1. Автор: Eiichi Nakamura,Yutaka Matsuo,Katsuhiko Kanaizuka. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2009-04-23.

Sulphur-containing fullerene derivatives and method for production thereof

Номер патента: RU2477273C2. Автор: Павел Анатольевич Трошин,Владимир Федорович Разумов,Екатерина Александровна Хакина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2013-03-10.

Polyaryl carboxylic fullerene derivative and use thereof in anti-coronavirus infection

Номер патента: US20230348354A1. Автор: Sheng Zhu,Changfeng ZHU,Suyuan Xie,Qianyan ZHANG,Lansun Zheng,Piaoyang XU,Tongzong YANG,Linlong DENG,Yuanzhi TAN. Владелец: Xiamen Funano New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for producing fullerene derivative

Номер патента: US20170253567A1. Автор: Yoshinori Yamamoto,Takeshi Igarashi,Tienan Jin,Weili Si. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-09-07.

Fullerene derivatives

Номер патента: EP1069107B1. Автор: Eiichi Nakamura,Masaya Sawamura,Hiroyuki Isobe. Владелец: Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-11.

Polyurethane compositions containing a polyhydroxyalkylphosphine oxide

Номер патента: CA1261530A. Автор: Joseph Green,Fui-Tseng H. Lee. Владелец: FMC Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Sulfonium salts of dntt and related compounds as soluble photocleavable precursors for organic semiconductors for use in organic field-effect transistors

Номер патента: EP3713946A1. Автор: Iori Doi,Hitoshi Yamato,Fabien Nekelson,Takuya Tsuda. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Thienopyrazine compound and field effect transistor containing the same

Номер патента: US20120248428A1. Автор: Takashi Sugioka,Yoshiro Yamashita,Hikaru Nakayama. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2012-10-04.

Organic semiconducting layer formulations comprising polyacenes and organic binder polymers

Номер патента: EP1687830B1. Автор: Beverley Anne Brown,Stephen William Leeming,Janos Veres,Remi Manouk Anemian,Richard Thomas Williams,Simon Dominic Ogier. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2010-07-28.

Fullerene derivative and n-type semiconductor material

Номер патента: US20160093807A1. Автор: Yutaka Ie,Yoshio Aso,Kenji Adachi,Takabumi Nagai,Makoto Karakawa. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-03-31.

Nanovesicle comprising heterodimeric G-protein coupled receptor, method for preparing nanovesicle, field effect transistor-based taste sensor comprising nanovesicle, and method for manufacturing taste sensor

Номер патента: US12099060B2. Автор: Seung Hun Hong,Hyun Seok Song,Tai Hyun Park,Hye Jun Jin,Sae Ryun Ahn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-24.

Organic electronic element comprising fullerene derivative

Номер патента: US09711729B2. Автор: Jaesoon BAE,Jaechol LEE,Jiyoung LEE,Hangken LEE,Jinseck KIM,Songrim Jang,Jeong Min Choi,Keun Cho,Doo Whan Choi. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Compound and an organic semiconducting layer, an organic electronic device, a display device and a lighting device comprising the same

Номер патента: EP3805206A1. Автор: Domagoj Pavicic,Benjamin SCHULZE,Elena Galàn GARCÍA,Lidia Marin. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2021-04-14.

Compound and an organic semiconducting layer, an organic electronic device, a display device and a lighting device comprising the same

Номер патента: US20240132468A1. Автор: Domagoj Pavicic,Benjamin SCHULZE,Elena Galàn GARCÍA,Lidia Marin. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Fullerene derivatives in a photoresponsive device

Номер патента: WO2024115338A1. Автор: Kiran Kamtekar,Nir YAACOBI-GROSS,Michal MACIEJCZYK. Владелец: SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Field effect transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2005086253A1. Автор: Makoto Kubota,Daisuke Miura,Satomi Sugiyama,Tomonari Nakayama,Akane Masumoto,Toshinobu Ohnishi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Catalyst solutions useful in activating substrates for subsequent plating

Номер патента: US20020062760A1. Автор: Mark Wojtaszek,Ronald Redline. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Organic/inorganic hybrid conductive material, useful in the preparation of membrane fuel cells, comprises a mineral phase and an integrated oligomer or polymer

Номер патента: FR2850300A1. Автор: Philippe Belleville,Karine Valle,Clement Sanchez. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2004-07-30.

Wafer Washing Method, and Liquid Chemical Used in Same

Номер патента: US20180308683A1. Автор: Kazuyuki Abe,Yuzo Okumura,Soichi Kumon,Yuki Fukui,Shota Watanabe,Takashi Saio,Hiroki Fukazawa,Tomohiro TAKATA,Masayoshi IMACHI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Resin, insulating film and organic field effect transistor comprising same

Номер патента: EP4421851A1. Автор: Takashi Fukuda,Shinya OKU,Shohei YUMINO,Yuta Iijima,Rei SHIWAKU. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices

Номер патента: US9276215B2. Автор: Pascal Hayoz,Patrice Bujard. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-03-01.

Dioxaborines as organic n-semiconductors, process for the production of semiconductors utilizing dioxaborines, and semiconductor component, field effect transistor, and diode having a dioxaborine

Номер патента: US20030234396A1. Автор: Günter Schmid,Lisa Davis,Marcus Halik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Organic field effect transistor

Номер патента: US9978943B2. Автор: Pascal Hayoz,Patrice Bujard,Natalia Chebotareva,Thomas Weitz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-05-22.

Fullerene derivatives

Номер патента: US20090247777A1. Автор: Eiichi Nakamura,Yutaka Matsuo,Ayako Muramatsu,Yu-Wu Zhong. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2009-10-01.

Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom

Номер патента: US20060154036A1. Автор: Klaus Kunze,Scott Haubrich,Joerg Rockenberger,Brent Ridley,Fabio Zurcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Fullerene derivative and lubricant

Номер патента: US10336764B2. Автор: Takeshi Igarashi,Yasuyuki Ueda,Kentaro Watanabe. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-07-02.

Fullerene derivative and lubricant

Номер патента: US20180086771A1. Автор: Takeshi Igarashi,Yasuyuki Ueda,Kentaro Watanabe. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-03-29.

Static dissipating coatings, electronic circuits comprising such coatings, and methods of forming such coatings and circuits

Номер патента: US12065585B2. Автор: Patrick John Kinlen. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-20.

Static dissipating coatings, electronic circuits comprising such coatings, and methods of forming such coatings and circuits

Номер патента: AU2021250926A1. Автор: Patrick John Kinlen. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-05-19.

Gate insulating material, gate insulating film, and organic field effect transistor

Номер патента: EP2259289A1. Автор: Jun Tsukamoto,Seiichiro Murase,Takenori Fujiwara,Yukari Jo. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2010-12-08.

Static dissipating coatings, electronic circuits comprising such coatings, and methods of forming such coatings and circuits

Номер патента: EP3992237A1. Автор: Patrick John Kinlen. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-05-04.

Fullerene-derived cellulose nanocrystal, their preparation and uses thereof

Номер патента: US20140256832A1. Автор: Zhaoling Yao,Janelle Huimin Tam. Владелец: Celluforce Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Optimized fiber loading of rubber useful in pdm stators

Номер патента: CA2945511C. Автор: Robert Bohmer,Peter Thomas Cariveau. Владелец: Abaco Drilling Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-16.

Composition and method of producing cores intended for use in metal casting

Номер патента: RU2725314C2. Автор: Дэвид А. РОРБЭКЕР,Джон ЧЭТВУД,Уильям ПАЛМЕР. Владелец: Дестек Корпорейшн. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods and apparatus for treating a work piece with a vaporous element

Номер патента: EP1955378A1. Автор: John R. Tuttle,Robert F. Zwaap,Troy Berens. Владелец: Daystar Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-13.

Honey comb structure useful in a filtering structure or catalytic support, comprises a porous ceramic material based on aluminum titanate with a thermal expansion coefficient, and a less fraction of mullite

Номер патента: FR2931698A1. Автор: Barataud Carine Dien. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2009-12-04.

Porous vaporizer medium used in vaporizing burners in vehicle heating devices comprises a body having a pore structure and preferred pore orientation consisting of long chain particles made from magnetizable or magnetized material

Номер патента: DE102004028305B3. Автор: Thomas BAUER. Владелец: J Eberspaecher GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-01-12.

Apparatus for electroplating a tooling for use in semiconductor device encapsulation

Номер патента: US09487881B2. Автор: Shu Chuen Ho,Kai Fat YIP,Eng Cheng CHNG,Yew Lan NGO,Saravana Ranganathan Damodaran. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Micro and nano glass balls embedded in a gel presenting micrometer and nanometer scale curvature and stiffness patterns for use in cell and tissue culturing and a method for making same

Номер патента: US20140147918A1. Автор: Shengyuan Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-29.

Micro and nano glass balls embedded in a gel presenting micrometer and nanometer scale curvature and stiffness patterns for use in cell and tissue culturing and a method for making same

Номер патента: US8802430B2. Автор: Shengyuan Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-12.

Method for making a steel sheet useful in making a high strength drawn and ironed can

Номер патента: CA2060044C. Автор: Junichi Tanabe,Fumio Kunishige,Keiichi Shimizu. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-22.

Bituminous mastic useful in the preparation and maintenance of roadways, comprises a bitumen based hydrocarbon binder, of which the ultra fines have a specific diameter and represent a specific content

Номер патента: FR2897359A1. Автор: Gilles Gauthier,Pierre Chaverot,Benedetto Herve Di,Brice Delaporte. Владелец: Total France SA. Дата публикации: 2007-08-17.

Evaporator useful in a coating device for coating substrates, comprises a primary evaporator for receiving and evaporating a coating material, and a vapor distributor having steam vents, connected to the primary evaporator

Номер патента: DE102010030126A1. Автор: Carsten Deus,Hans-Jürgen Heinrich,Dr. Gross Harald,Frank Meissner,Jörk Richter. Владелец: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2011-09-08.

Bleach composition for use in e.g. detergent powders and liquids, comprises a peroxy bleaching agent, a metal-containing anionic bleach activator, and a cationic compound

Номер патента: DE10200672A1. Автор: Hiroshi Danjo. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Recombinant feline herpesvirus comprising a foreign DNA inserted into a region corresponding to a 3.0 kb EcoRI-SalI fragment of a feline herpesvirus genome

Номер патента: US6410311B1. Автор: Mark D. Cochran,Barbara J. Winslow. Владелец: Schering Plough Veterinary Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Lubricant containing a molybdenum compound

Номер патента: CA2321366C. Автор: Kazuhisa Morita,Yoko Saito,Atsuo Miyashita,Noriyoshi Tanaka,Aritoshi Fukushima,Kazuhiro Umehara. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2010-05-18.

Container for the treatment of biological tissue or cells, comprises a treatment chamber formed in the interior of the container, a holder arranged in the treatment chamber for positioning the tissue or cells, and a circulation device

Номер патента: DE102009039535A1. Автор: Michael Dr. Harder. Владелец: Dr Clemens Meyer-Kobbe 31157 Sarstedt). Дата публикации: 2011-03-03.

Monitoring and operation of a liquid flow circuit containing a chemical additive

Номер патента: WO2015067917A1. Автор: Paul Day. Владелец: Sentinel Performance Solutions Limited. Дата публикации: 2015-05-14.

Monitoring and operation of a liquid flow circuit containing a chemical additive

Номер патента: EP3071891A1. Автор: Paul Day. Владелец: Sentinel Performance Solutions Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Polymer composition, useful in the form of e.g. fibers, yarns, fabrics and fleeces, comprises polyolefin and a block copolymer containing a hydrophobic block formed from isobutane unit and a hydrophilic block formed from oxalkylene unit

Номер патента: DE102005025018A1. Автор: Karl Dr. Siemensmeyer,Michael Faber,Darijo Dr. Mijolovic,Claudia Dr. Sierakowski,Karin Fischl,Ulrich Dr. Karl. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2006-12-07.

Composition for making hole injecting or hole transporting layers in electroluminescent devices, organic solar cells, organic laser diodes, organic thin-film transistors or organic field effect transistors of for making electrodes or electroconductive coatings, electroluminescent device, as well as organic light-emitting diode

Номер патента: RU2382809C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР,Андреас ЭЛЬШНЕР,Петер Вилфрид ЛЕВЕНИХ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-02-27.

Carbon nanotube-graphene hybrid transparent conductor and field effect transistor

Номер патента: US09954175B2. Автор: Bhupesh Chandra,George S. Tulevski,Glenn J. Martyna,Amal Kasry,Ahmed Maarouf,Ageeth A. Bol. Владелец: Egypt Nanotechnology Center EGNC. Дата публикации: 2018-04-24.

Using a field effect device for identifying translocating charge-tagged molecules in a nanopore sequencing device

Номер патента: US09488636B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Andres JARAMILLO-BOTERO. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-11-08.

Carbon Nanotube-Graphene Hybrid Transparent Conductor and Field Effect Transistor

Номер патента: US20150340617A1. Автор: Bhupesh Chandra,George S. Tulevski,Glenn J. Martyna,Amal Kasry,Ahmed Maarouf,Ageeth A. Bol. Владелец: Egypt Nanotechnology Center EGNC. Дата публикации: 2015-11-26.

A method for the manufacture of nanoparticles on a carbon surface and products therefrom

Номер патента: EP2135306A2. Автор: Horst Weller,Andreas Kornowski,Christian Klinke,Beatriz Hernandez. Владелец: Centrum fuer Angewandte Nanotechnologie CAN GmbH. Дата публикации: 2009-12-23.

Conjugated polymers and their use in optoelectronic devices

Номер патента: US09472764B2. Автор: Tobin J. Marks,Antonio Facchetti,Robert P. H. Chang,Martin Drees,Nanjia ZHOU,Xugang Guo. Владелец: Polyera Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Nanowire Field Effect Transistor Detection Device and the Detection Method thereof

Номер патента: US20190206990A1. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2019-07-04.

Thermal control of droplets by nanoscale field effect transistors

Номер патента: US09433943B2. Автор: Rashid Bashir,Eric SALM,Carlos Eduardo Duarte Guevara,Muhammad Ashraf Alam. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2016-09-06.

Nanowire field effect transistor detection device and the detection method thereof

Номер патента: US10784343B2. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2020-09-22.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Field Effect Transistor Circuit

Номер патента: GB1193504A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1970-06-03.

Ferroelectric capacitor, ferroelectric field effect transistor, and method used in forming an electronic component comprising conductive material and ferroelectric material

Номер патента: US09876018B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Circuit arrangement for use in a variable speed wind turbine system comprising a double-fed induction generator and a back-to-back converter

Номер патента: EP1563598A1. Автор: John Godsk Nielsen. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2005-08-17.

Diketopyrrolopyrrole Polymers for Use in Organic Field Effect Transistors

Номер патента: US20180331296A1. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-11-15.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: US20190027690A9. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G.R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Olivier Frédéric AEBISCHER,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-01-24.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: US09893288B2. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-02-13.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: EP3456756A3. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias Dueggeli,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-05-01.

A boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same

Номер патента: EP1176231A3. Автор: Shigeki Otani,Jun Suda,Hiroyuki Kyocera Shiga Factory Kinoshita. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Organic field-effect transistor comprising a dielectric layer exhibiting high dielectric permittivity and being stable with temperature

Номер патента: US11871650B2. Автор: Fabrice Domingues Dos Santos,Thibaut SOULESTIN,Georges Hadziioannou,Damien Thuau. Владелец: Institut Polytechnique de Bordeaux. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductive composition and power cable having semiconductive layer formed therefrom

Номер патента: US20240279449A1. Автор: Gi Joon Nam,Young Eun Cho,Sue Jin SON. Владелец: LS Cable and Systems Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing a semiconducting organic film

Номер патента: US09899596B2. Автор: Christophe Derennes,Pierre Jean Yves Guichard. Владелец: Armor SAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor ferroelectric compositions and their use in photovoltaic devices

Номер патента: US09484475B2. Автор: Don Vincent West,Ilya Grinberg,Andrew M Rappe,Jonathan E Spanier,Peter K Davies. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2016-11-01.

Fullerene derivatives and processes for producing the same

Номер патента: US20050008558A1. Автор: Eiichi Nakamura,Yutaka Matsuo. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of removing semiconducting layers from a semiconducting substrate

Номер патента: EP3803980A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-04-14.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: EP4320431A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio SL. Дата публикации: 2024-02-14.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: WO2022214698A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio S.L.. Дата публикации: 2022-10-13.

Field-Effect Transistor-Based Biosensor

Номер патента: US20200141898A1. Автор: Pol Van Dorpe,Karolien Jans,Koen Martens,Gabrielle WORONOFF. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for making semiconducting layer

Номер патента: US09985212B2. Автор: Yang Wei,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Dong-Qi Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Polyimide based copolymer and electronic component and field effect transistor comprising the same

Номер патента: US20210395457A1. Автор: Mitsuru Ueda,Chun-Kai Chen,Wen-Chang Chen,Yan-Cheng Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-12-23.

Article comprising a semiconducting material

Номер патента: US20180023213A1. Автор: Jeffrey Whalen,Theo Siegrist. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Article comprising a semiconducting material

Номер патента: US10422051B2. Автор: Jeffrey Whalen,Theo Siegrist. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Article comprising a semiconducting material

Номер патента: US9777405B2. Автор: Jeffrey Whalen,Theo Siegrist. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Polymeric anion-conducting compound, its preparation and its use in electrochemistry

Номер патента: CA3205168A1. Автор: Oliver Conradi,Artjom Maljusch,Harald Rögl. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2022-07-28.

Polymeric anion-conducting compound, its preparation and its use in electrochemistry

Номер патента: US20240301153A1. Автор: Oliver Conradi,Artjom Maljusch,Harald Rögl. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus for use in a medical procedure in the vasculature comprising a guidewire and a catheter and a method of using the same

Номер патента: US12070561B2. Автор: Allan RONAN,Eoin Ryan. Владелец: CR Bard Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Photocurable composition comprising a fullerene

Номер патента: US12061416B2. Автор: Weijun Liu,Fen Wan. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Cyclopentadithiophene 기반의 유기트랜지스터(organic field-effect transistors OFETs)에 적용 가능한 전도성 고분자 제조방법

Номер патента: KR20220159635A. Автор: 이병훈,이정훈,성민기,유다현. Владелец: 동서대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-12-05.

Glass-containing pseudo-reference electrode for use in ion-selective electrode sensors and ion selective field-effect transistors

Номер патента: CA3155252A1. Автор: Jun Shen,Zhong Xie,Wei Qu,Eben Dy,Kidus Y. Tufa. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-10-09.

Glass-containing pseudo-reference electrode for use in ion-selective electrode sensors and ion selective field-effect transistors

Номер патента: US20220332631A1. Автор: Jun Shen,Zhong Xie,Wei Qu,Eben Dy,Kidus Y TUFA. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-10-20.

Glass-containing pseudo-reference electrode for use in ion-selective electrode sensors and ion selective field-effect transistors

Номер патента: US11873246B2. Автор: Jun Shen,Zhong Xie,Wei Qu,Eben Dy,Kidus Y TUFA. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-01-16.

Macromolecular compounds with nucleus-shell structure, synthesis method thereof, use thereof as semiconductors in electronic functional element and as electronic functional element

Номер патента: RU2397995C2. Автор: Штефан КИРХМАЙЕР,Сергей ПОНОМАРЕНКО,Азиз МУЗАФАРОВ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-08-27.

Heterojunction field effect transistor with monolayers in channel region

Номер патента: US5081511A. Автор: Saied N. Tehrani,Herbert Goronkin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-01-14.

Open roof assembly for use in a vehicle and a method for operating same

Номер патента: EP3835527A1. Автор: Gerrit Schwepper,Dennie Wilhelmus Hendrikus Craane. Владелец: Inalfa Roof Systems Group BV. Дата публикации: 2021-06-16.

An apparatus and method for use in a power delivery system

Номер патента: AU2021388956A9. Автор: Kamalaraj Kannan,Gabor Gulics,Lyn Jones,Giles Barnwell,Daniel David McClymont,Alejandro Santana Armas,Valentin Gruffaz,Milica Dekic. Владелец: Hawker Siddeley Switchgear Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

An apparatus and method for use in a power delivery system

Номер патента: US20240106224A1. Автор: Kamalaraj Kannan,Gabor Gulics,Lyn Jones,Giles Barnwell,Daniel David McClymont,Alejandro Santana Armas,Valentin Gruffaz,Milica Dekic. Владелец: Hawker Siddeley Switchgear Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

An apparatus and method for use in a power delivery system

Номер патента: EP4251466A1. Автор: Kamalaraj Kannan,Gabor Gulics,Lyn Jones,Giles Barnwell,Daniel David McClymont,Alejandro Santana Armas,Valentin Gruffaz,Milica Dekic. Владелец: Hawker Siddeley Switchgear Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Antenna assembly for use in a tyre

Номер патента: GB2383470A. Автор: John Peter Beckley,Victor Alexandrovich Kalinin,George P O'brien,Arthur R Metcalf. Владелец: Transense Technologies Plc. Дата публикации: 2003-06-25.

Vibrating transducer power supply for use in abnormal tire condition warning systems

Номер патента: CA1171496A. Автор: Daniel S. Snyder. Владелец: Imperial Clevite Inc. Дата публикации: 1984-07-24.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Methods of forming integrated circuitry, methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor, and methods of forming field effect transistors

Номер патента: US20020197804A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Field effect transistor, manufacturing method therefor, and electronic circuit

Номер патента: EP4379809A1. Автор: Hui Sun,Hongsheng YI,Biao Gao,Haolin Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Field effect transistor, production method thereof, and electronic circuit

Номер патента: EP4141954A1. Автор: Hongsheng YI,Hanxing WANG,Gangyi Yang,Huidong HUANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Electronic circuit to generate a DC voltage from a wireless signal and method of manufacture

Номер патента: US11984640B2. Автор: Brian COBB. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Circuit for the fast turn off of a field effect transistor

Номер патента: US5313109A. Автор: David A. Smith. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 1994-05-17.

An oscillator, a frequency synthesizer and a network node for use in a telecommunication network

Номер патента: EP2484006A1. Автор: Tomas Nylen. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2012-08-08.

Biological control in electronic smoking articles

Номер патента: RU2715686C2. Автор: Мишель Торанс. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-03-02.

Printing electronic and opto-electronic circuits

Номер патента: US20040209448A1. Автор: Yong Chen,R. Williams,Xiao-An Zhang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-10-21.

Electronic circuit for protecting a load against over-voltage

Номер патента: EP2932801A1. Автор: Hans Krämer. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2015-10-21.

Thermoelectric heat pump with a mounting and heat dissipating device for electronic components of a control electronic circuit board

Номер патента: WO2008117324A3. Автор: Giorgio Pastorino,Matteo Codecasa. Владелец: Matteo Codecasa. Дата публикации: 2009-08-06.

Thermoelectric heat pump with a mounting and heat dissipating device for electronic components of a control electronic circuit board

Номер патента: WO2008117324A2. Автор: Giorgio Pastorino,Matteo Codecasa. Владелец: Peltech S.R.L.. Дата публикации: 2008-10-02.

Cooled electronic circuit board

Номер патента: EP3529684A1. Автор: Mauro Rossi,Stefano Adami. Владелец: EUROTECH SPA. Дата публикации: 2019-08-28.

Cooled electronic circuit board

Номер патента: WO2018078664A1. Автор: Mauro Rossi,Stefano Adami. Владелец: Eurotech S.p.A.. Дата публикации: 2018-05-03.

Electronic circuit device

Номер патента: US20170005463A1. Автор: Yusuke MICHISHITA,Nobuo Segawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Double channel heterojunction semiconductor device, its use in a field effect transistor, and its use in a negative transductance device

Номер патента: EP0255416A1. Автор: Armand Tardella,Borge Vinter. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-02-03.

Device and method for monitoring power supply voltage of electronic circuit

Номер патента: US20240310418A1. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Mingming Zhang,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Junyan GUO,Weifeng Dong. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-09-19.

Ferroelectric Capacitor, Ferroelectric Field Effect Transistor, And Method Used In Forming An Electronic Device Comprising Conductive Material And Ferroelectric Material

Номер патента: US20190066917A1. Автор: Chavan Ashonita A.,Nahar Manuj. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Ferroelectric Capacitor, Ferroelectric Field Effect Transistor, And Method Used In Forming An Electronic Component Comprising Conductive Material And Ferroelectric Material

Номер патента: US20180102374A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Chavan Ashonita A.,Nahar Manuj. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Ferroelectric Capacitor, Ferroelectric Field Effect Transistor, and Method Used in Forming an Electronic Device Comprising Conductive Material and Ferroelectric Material

Номер патента: US20210175013A1. Автор: Chavan Ashonita A.,Nahar Manuj. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Ferroelectric Capacitor, Ferroelectric Field Effect Transistor, And Method Used In Forming An Electronic Component Comprising Conductive Material And Ferroelectric Material

Номер патента: US20170162587A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Chavan Ashonita A.,Nahar Manuj. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Ferroelectric Capacitor, Ferroelectric Field Effect Transistor, and Method Used in Forming an Electronic Component Comprising Conductive Material and Ferroelectric Material

Номер патента: US20200373314A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Chavan Ashonita A.,Nahar Manuj. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-26.

Field effect transistor and its use in a circuit arrangement for a Miller integrator

Номер патента: DE1919406C3. Автор: Rijkent Jan Nijmegen Nienhuis. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-11-05.

FIELD EFFECT TRANSISTOR AMPLIFIER, ESPECIALLY USED IN A MICROWAVE BAND.

Номер патента: FR2651936B1. Автор: Shuji Urasaki,Mitsuru Mochizuki,Tadashi Takagi,Youji Isota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-11-12.

Production of electrical contact region in micro-electronic semiconductor used in integrated circuit comprises producing trench in substrate, forming insulating layer partially covering trench wall and filling trench with conductive filler

Номер патента: DE10152549A1. Автор: Martin Popp,Dietmar Temmler,Andreas Wich-Glasen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor memory device and field-effect transistor suitable for use in the device

Номер патента: AU476893B2. Автор: Albertus Gosselaar Olof Erik Hans Klaver Jan Floros Verhey Johannes Gerrit Van San Ten Cornelis. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1976-10-07.

Trifunctional catalyst for use in vehicle exhaust gases and exhaust gas purification system

Номер патента: RU2632877C2. Автор: Джеффри Скотт ХЕПБЕРН,Хунвэнь ЦЗЕНЬ,Ева ТХАНАСИУ. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2017-10-11.

Stabilizers for use in substantially light-insensitive thermographic recording materials

Номер патента: US7060655B2. Автор: Johan Loccufier,Ingrid Geuens. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 2006-06-13.

Variable capacitance integrated electronic circuit module

Номер патента: EP2427907A1. Автор: Hervé Marie,Guillaume Herault. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2012-03-14.

Variable Capacitance Integrated Electronic Circuit Module

Номер патента: US20120052926A1. Автор: Hervé Marie,Guillaume Herault. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Variable capacitance integrated electronic circuit module

Номер патента: WO2010128017A1. Автор: Hervé Marie,Guillaume Herault. Владелец: St-Ericsson Sa (St-Ericsson Ltd). Дата публикации: 2010-11-11.

side channel leakage source identification in an electronic circuit design

Номер патента: NL2025907B1. Автор: Yao Yuan,Robert Schaumont Patrick,Kathuria Tarun,Ege Baris. Владелец: Riscure Beheer B V. Дата публикации: 2022-02-22.

Light data communication link device for use in magnetic resonance examination systems

Номер патента: US20170322268A1. Автор: Johan Samuel Van Den Brink,Marinus Johannes Adrianus Maria Van Helvoort. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-11-09.

Filler body to be used in a construction element, a construction element and a method of forming a filler body

Номер патента: EP4227471A3. Автор: Bo Altenstam. Владелец: Bo Altenstam Ab. Дата публикации: 2023-11-15.

Pressure vessel for use in a beverage dispensing assembly

Номер патента: US12037234B2. Автор: Edwin Johannes Cornelis GRIFFIOEN,Arie Maarten Paauwe,Robert Hugo Sluijter. Владелец: Heineken Supply Chain BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Box comprising a hinge device

Номер патента: US09673599B2. Автор: Michael Ketterer. Владелец: Eaton Protection Systems IP GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Vibration cancelling platform for use with laptops or tablet computers used in moving vehicles

Номер патента: US09637063B1. Автор: Michael Shawver. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-02.

Hybrid electronic circuit

Номер патента: GB2537218A. Автор: Bellion Frank. Владелец: Flight Refuelling Ltd. Дата публикации: 2016-10-12.

Electronic circuit breaker

Номер патента: CA3000877C. Автор: Diego Fernando ASANZA MALDONADO. Владелец: Ellenberger and Poensgen GmbH. Дата публикации: 2023-03-07.

Filter designs utilizing parasitic and field effects

Номер патента: US6147576A. Автор: Augusto Arevalo. Владелец: Ameramp LLC. Дата публикации: 2000-11-14.

Cooling system for an electronic circuit module

Номер патента: US20220312637A1. Автор: John Norton,Kevin B. Leigh. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2022-09-29.

Film carrier, film application apparatus, film application method, and film to be applied used in display panel

Номер патента: US20190237334A1. Автор: Tao Jin,Jianhui Zhang,Yong Cui,Litao Qu,Biao TIAN,Shihlun CHEN,Jieshu Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Film carrier, film application apparatus, film application method, and film to be applied used in display panel

Номер патента: US10566197B2. Автор: Tao Jin,Jianhui Zhang,Yong Cui,Litao Qu,Biao TIAN,Shihlun CHEN,Jieshu Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

Apparatus for use in the performance of cognitive behaviour therapy and method of performance

Номер патента: EP2991545A1. Автор: Paul Smith,Jeremy Parr,Helen McConachie. Владелец: THIRD EYE TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2016-03-09.

Apparatus for use in the performance of cognitive behaviour therapy and method of performance

Номер патента: US20230079542A1. Автор: Paul Smith,Jeremy Parr,Helen McConachie. Владелец: Third Eye Neurotech Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Apparatus for use in the performance of cognitive behaviour therapy and method of performance

Номер патента: WO2014177875A1. Автор: Paul Smith,Jeremy Parr,Helen McConachie. Владелец: Third Eye Technologies Limited. Дата публикации: 2014-11-06.

Particulate feedstock compound for use in a powder bed additive manufacturing process, and shaping and sintering process

Номер патента: EP4387794A1. Автор: Christian Fischer,Christian STAUDIGEL. Владелец: Headmade Materials Gmbh. Дата публикации: 2024-06-26.

Colour inorganic LED display for display devices with a high number of pixel

Номер патента: US10262977B2. Автор: William Henry,Padraig Hughes,Joseph O'Keeffe. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2019-04-16.

A safety arrangement for use in a motor vehicle

Номер патента: WO1999006244A1. Автор: Denis Bourcart,Jean-Luc Morantin. Владелец: Autoliv Development AB. Дата публикации: 1999-02-11.

Choke transformer used in liquid crystal display backlight driver

Номер патента: US20090284337A1. Автор: Cheng-Chia Hsu,Teng-Kang Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Steering system for use in test driving of an autonomous vehicle and disengagement method

Номер патента: US20240343293A1. Автор: Roland Kohari. Владелец: Aimotive Kft. Дата публикации: 2024-10-17.

Wellhead platform systems for use in extracting and testing multi-phase raw mixtures

Номер патента: US09803460B2. Автор: Thitinun Sillapacharn,Choosak Kokanutranont,Chanwith Buntoengpesuchsakul,Tanadcha Therdwikrant,Peeradet Aroonsangob. Владелец: PTT Exploration and Production PCL. Дата публикации: 2017-10-31.

Housing for an electronic circuit

Номер патента: WO2023104760A1. Автор: Stephen Gibbons,Justyna Bogiel. Владелец: Connaught Electronics Ltd.. Дата публикации: 2023-06-15.

Protection for use in protecting an elongated member

Номер патента: EP1161637A1. Автор: Alan William Atkinson,Melanie Jane Walsh,Adam Martin West. Владелец: Federal Mogul Technology Ltd. Дата публикации: 2001-12-12.

Waterproofing membrane with a solid filler component

Номер патента: EP4234228A3. Автор: Herbert Ackermann,Frank Hoefflin,Roman Rohrer,Roy Z'ROTZ,Simon SCHOENBRODT,Lisa GUTJAHR. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2023-09-20.

Electronic circuit breaker and method for operating same

Номер патента: CA3076956A1. Автор: Diego Fernando ASANZA MALDONADO. Владелец: Ellenberger and Poensgen GmbH. Дата публикации: 2019-04-04.

TRANSISTOR USING PIEZORESISTOR AS CHANNEL, AND ELECTRONIC CIRCUIT

Номер патента: US20170005265A1. Автор: KUROSAWA Minoru,Funakubo Hiroshi,Sugahara Satoshi,Shuto Yusuke,Yamamoto Shuichiro. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-01-05.

Substrate used in the production of integrated circuits comprises a first insulating layer on the substrate, a second insulating layer on the first insulating layer, hollow chambers

Номер патента: DE19957302A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Werner Pamler,Zvonimir Gabric. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-05-31.

Fault-detection circuit for use in the protection of an electrical system

Номер патента: GB1311719A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-03-28.

Container including a pressure relief valve for use in holding and dispensing soft drink material

Номер патента: US5415329A. Автор: David L. Westlund. Владелец: Tosca Ltd. Дата публикации: 1995-05-16.

Transistor using piezoresistor as channel, and electronic circuit

Номер патента: US9842992B2. Автор: Minoru Kurosawa,Satoshi Sugahara,Hiroshi Funakubo,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-12-12.

Device for use in the movement of furniture, machinery or the like

Номер патента: GB2100595A. Автор: Antonio Marangoni. Владелец: Domar SA. Дата публикации: 1983-01-06.

Plunger and apparatus useful in extruding or dispensing viscous materials

Номер патента: CA2203203C. Автор: Mark A. Bennett,Keith A. Beveridge,Clinton A. Haynes,Kenneth R. Waeber. Владелец: Essex Specialty Products LLC. Дата публикации: 2000-04-04.

Transistor using piezoresistor as channel, and electronic circuit

Номер патента: EP3118906A1. Автор: Minoru Kurosawa,Satoshi Sugahara,Hiroshi Funakubo,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-01-18.

Transistor using piezoresistor as channel, and electronic circuit

Номер патента: TW201543482A. Автор: Minoru Kurosawa,Satoshi Sugahara,Hiroshi Funakubo,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Japan Science & Tech Agency. Дата публикации: 2015-11-16.

Transistor using piezoresistor as channel, and electronic circuit

Номер патента: EP3118906A4. Автор: Minoru Kurosawa,Satoshi Sugahara,Hiroshi Funakubo,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-11-15.

Method and apparatus for use in the assembly of printed circuit boards

Номер патента: GB2165703A. Автор: Leslie John Honey Barnacle. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-04-16.

Polymer system with switchable physical properties and its use in direct exposure printing plates

Номер патента: US20030162129A1. Автор: David Morgan,Livia Memetea,Jonathan Goodin,Yisong Yu,Jon Bjork. Владелец: Creo SRL. Дата публикации: 2003-08-28.

Filler body to be used in a construction element, a construction element and a method of forming a filler body

Номер патента: SE2250151A1. Автор: Bo Altenstam. Владелец: Bo Altenstam Ab. Дата публикации: 2023-08-16.

Retractable antenna structure for use in telecommunications device

Номер патента: EP1854167A1. Автор: Thomas Stevens,Chris De Vos,Jan Wijnen. Владелец: OPTION NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Method for forming nano size turf on transparent polymer films used in solar cells, and method for enhancing transmittance of transparent polymer films of solar cells

Номер патента: US20110061734A1. Автор: Wan Doo Kim,Yong Soo Jeong,Jong Joo Rha,Koo Hyun Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2011-03-17.

Measurement apparatus for measuring fuel capacity used in a fuel cell system

Номер патента: US20060053881A1. Автор: Ya-Chien Chung,Yu Tang,Feng-Yi Deng,Hsi-Ming Shu. Владелец: Antig Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Open roof assembly for use in a vehicle and a method for operating same

Номер патента: US11577589B2. Автор: Mark Peter Anton Vervoort,Perry Johan Jacob Lambert Van Vegchel. Владелец: Inalfa Roof Systems Group BV. Дата публикации: 2023-02-14.

Electrolyte for use in sodium-sulfur batteries

Номер патента: WO2021086264A1. Автор: Vipin Kumar,Zhi Wei Seh. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2021-05-06.

Retractable antenna structure for use in telecommunications device

Номер патента: WO2006087384A1. Автор: Thomas Stevens,Chris De Vos,Jan Wijnen. Владелец: OPTION. Дата публикации: 2006-08-24.

Trolley for use in transporting a boat

Номер патента: US4434992A. Автор: Anthony W. Beach-Thomas. Владелец: ABT PRODUCTS Ltd. Дата публикации: 1984-03-06.

Electrical connector for use in combustible gas environments

Номер патента: GB1057903A. Автор: . Владелец: Pyle National Co. Дата публикации: 1967-02-08.

Flexographic printing plates, methods of their production and laminates for use in their production

Номер патента: CA1219488A. Автор: Erik Elsberg,David R.S. Fargus. Владелец: WR Grace and Co. Дата публикации: 1987-03-24.

Arrangement, device, method, product and use in connection with a blank made preferably of titanium powder

Номер патента: WO2003061509A1. Автор: Mikael Eriksson,Carina Berggren. Владелец: Nobel Biocare Ab (Publ). Дата публикации: 2003-07-31.

Particulate feedstock compound for use in a powder bed additive manufacturing process, and shaping and sintering process

Номер патента: CA3228954A1. Автор: Christian Fischer,Christian STAUDIGEL. Владелец: Headmade Materials Gmbh. Дата публикации: 2023-02-23.

Arrangement, device, method, product and use in connection with a blank made preferably of titanium powder

Номер патента: EP1460957A1. Автор: Mikael Eriksson,Carina Berggren. Владелец: Nobel Biocare AB. Дата публикации: 2004-09-29.

Device and method for determining a property of a sample that is to be used in a charged particle microscope

Номер патента: US20210257183A1. Автор: Maarten Kuijper,Matthijn Robert-Jan Vos,Ondrej Ludmil Shánel,Peet Goedendorp. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2021-08-19.

Spring brake actuator for use in a commercial vehicle and commercial vehicle comprising the same

Номер патента: EP4015323A3. Автор: Senthil Kumar Arangarasan,Ganesh Kumar Muthuraj,Pratheesh Kumar Prem Kumar. Владелец: Wabco India Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Electrolyte for use in sodium-sulfur batteries

Номер патента: US11876188B2. Автор: Vipin Kumar,Zhi Wei Seh. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for estimating a maximum safe articulation angle to be used in reversing of a vehicle combination

Номер патента: US11858492B2. Автор: Kristoffer Tagesson,Staffan Rödjedal. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Document conveying device for use in a scanner or the like

Номер патента: WO2010094333A1. Автор: Bo KJÆR OLSEN. Владелец: Contex A/S. Дата публикации: 2010-08-26.

Induction heating module for use in an inductively heating aerosol-generating device

Номер патента: WO2024033408A1. Автор: David Murray Cross,Enrico Stura,Stuart Michael Ruan Jones,Patrick Charles Silvestrini. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2024-02-15.

Colour inorganic led display for display devices with a high number of pixel

Номер патента: US20200343228A1. Автор: William Henry,Padraig Hughes,Joseph O'Keeffe. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Colour inorganic led display for display devices with a high number of pixel

Номер патента: US20190237442A1. Автор: William Henry,Padraig Hughes,Joseph O'Keeffe. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

A filter component for use in an electric circuitry

Номер патента: EP4128501A1. Автор: Mats REHNSTRÖM,Tomas HÅKANSSON,Anders LEIJON. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-02-08.

Arrangement, device, method product and use in connection with a blank made preferably of titanium powder

Номер патента: US20050126337A1. Автор: Mikael Eriksson,Carina Berggren. Владелец: Nobel Biocare AB. Дата публикации: 2005-06-16.

Document conveying device for use in a scanner or the like

Номер патента: EP2399382A1. Автор: Bo KJÆR OLSEN. Владелец: Contex AS. Дата публикации: 2011-12-28.

A serviceable part for use in an electrical appliance

Номер патента: WO2023047106A1. Автор: James McManus,Gareth Morris. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2023-03-30.

Permanent magnet for use in an electric machine with one or more grooves

Номер патента: US20230042082A1. Автор: Kurt Weber. Владелец: Bomatec Management Ag. Дата публикации: 2023-02-09.

Open roof assembly for use in a vehicle and a method for operating same

Номер патента: EP3868992A1. Автор: Marco Van Mourik,Dennie Wilhelmus Craane. Владелец: Inalfa Roof Systems Group BV. Дата публикации: 2021-08-25.

Pulley device adapted for use in a ski tow installation

Номер патента: US3805706A. Автор: G Bancel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-04-23.

Steering system for use in test driving of an autonomous vehicle and disengagement method

Номер патента: EP4367002A1. Автор: Roland Kohari. Владелец: Aimotive Kft. Дата публикации: 2024-05-15.

Device for Use in the Internet of Things

Номер патента: US20230344820A1. Автор: Andreas Kiepfer,Michael Grillenberger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Open roof assembly for use in a vehicle and a method for operating same

Номер патента: US12031369B2. Автор: Dennie Wilhelmus Hendrikus Craane,Marco Van Mourik. Владелец: Inalfa Roof Systems Group BV. Дата публикации: 2024-07-09.

METHOD OF BUNDLING BRISTLES TO BE USED IN PAINT BRUSHES, A PAINT BRUSH HEAD COMPRISING A PLURALITY OF BRISTLES AND A PAINT BRUSH COMPRISING A PLURALITY OF BRISTLES AND/OR A PAINT BRUSH HEAD

Номер патента: US20200037751A1. Автор: JOHANSSON Kare,TENGVALL Thomas,LUNDBERG Dorge. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Apparatus for use in radioimmunoassays

Номер патента: US4090850A. Автор: Ching-Hong Chen,Horng-Mou Tsay,Robert E. Heyer. Владелец: ER Squibb and Sons LLC. Дата публикации: 1978-05-23.

Apparatus for use in radioimmunoassays

Номер патента: CA1083264A. Автор: Ching-Hong Chen,Horng-Mou Tsay,Robert E. Heyer. Владелец: ER Squibb and Sons LLC. Дата публикации: 1980-08-05.

Optical fiber connector containing a light detector

Номер патента: CA1137602A. Автор: Lothar P. Mannschke. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-12-14.

Refillable universal fire extinguishing spraying device used in the fire service and in industry comprises a lid with an upper closure part for rotating a lower closure part to close a fire extinguishing agent container

Номер патента: DE202006012921U1. Автор: . Владелец: Binger Andre. Дата публикации: 2006-10-19.

Lidar with a biaxial mirror assembly

Номер патента: EP4323799A2. Автор: John Miller,Omer KEILAF,Yair Alpern,Ronen ESHEL,Nir Goren,Yuval YIFAT,David Elooz,Idan BAKISH,Lior ATIAS,Itay TEHORI,Roi MAUTNER,Uri Pomerantz,Ben TORTEMAN,Harel SHFARAM. Владелец: INNOVIZ TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Lidar with a biaxial mirror assembly

Номер патента: WO2022219410A3. Автор: John Miller,Omer KEILAF,Yair Alpern,Ronen ESHEL,Nir Goren,Yuval YIFAT,David Elooz,Idan BAKISH,Lior ATIAS,Itay TEHORI,Roi MAUTNER,Uri Pomerantz,Ben TORTEMAN,Harel SHFARAM. Владелец: Innoviz Technologies Ltd.. Дата публикации: 2023-01-19.

Composite conductive wire, used in the manufacture of overhead electricity conductors, comprises a reinforcing core of organic or inorganic material, coated with one or more braided aluminum wire layers

Номер патента: FR2836591A1. Автор: Pierre Robert Gouniot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-29.

Paper for use in both ink-jet recording and electrophotographic recording

Номер патента: EP1018439A1. Автор: Koji Mitsubishi Paper Mills Limited IDEI,Yoshihiko Mitsubishi Paper Mills Limited HIBINO. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2000-07-12.

Coextruded laminate comprising a polypropylene sheet, and a sheet of a mixture containing a high impact polystyrene

Номер патента: EP0060526B1. Автор: Jean Castelein. Владелец: Montefina Sa. Дата публикации: 1986-05-28.

Apparatus for compacting a load of food product, comprising: a weigher, a product supply cylinder towards the product container, a product settling device that is arranged between the weigher and the product supply cylinder, and a product download; machine.

Номер патента: CL2012001033A1. Автор: Amelinda Melanson,Patrick J Bierschenk,Frank M Brenkus,Jerry M Reaves,Leon J Krause,Ronald M Gust. Владелец: Frito Lay North America Inc Douglas Machine Inc. Дата публикации: 2012-07-13.

Antenna system for a vehicle radio comprises a roof rack support arranged on a vehicle and containing a closed inner surface and an earth connection and an antenna element held by the inner surface of the roof rack support

Номер патента: FR2896625A3. Автор: Ortigosa Enrique Martinez. Владелец: Advanced Automotive Antennas SL. Дата публикации: 2007-07-27.

A housing comprising a metal frame structure and a plastic component for containing a cell stack

Номер патента: JP6099775B2. Автор: フォーゲル ヴェロニカ,アッカーマン イェンス. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-03-22.

Atomizer head suitable for use with an aerosol container comprising a frame capable of tightly fitting to an aerosol container, a rotating circular ferrule, an atomizing channel and an associated actuation button.

Номер патента: CL2014001666A1. Автор: Christopher John Jones,Amit Arora,Garen Kouyoumjian,Joseph Butler,Simon Lewis Bilton,Kassie Terra-Lynn Betts. Владелец: Unilever NV. Дата публикации: 2014-11-21.

Side channel leakage source identification in an electronic circuit design

Номер патента: US20230237229A1. Автор: Yao Yuan,Baris EGE,Tarun KATHURIA,Robert Patrick SCHAUMONT. Владелец: Riscure Beheer BV. Дата публикации: 2023-07-27.

Side channel leakage source identification in an electronic circuit design

Номер патента: WO2021255019A1. Автор: Yao Yuan,Baris EGE,Patrick Robert SCHAUMONT,Tarun KATHURIA. Владелец: Riscure Beheer B.V.. Дата публикации: 2021-12-23.

Electronic circuit and method for providing a clock signal

Номер патента: US09557763B2. Автор: Marco Bucci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

ROLLED-UP, THREE-DIMENSIONAL FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND THE USE THEREOF IN ELECTRONICS, SENSORS AND MICROFLUIDICS

Номер патента: US20140234977A1. Автор: SCHMIDT Oliver G.,GRIMM Daniel,BUFON Carlos Cesar Bof. Владелец: LEIBNIZ-INSTITUT FUER FESTKOERPER-UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V. Дата публикации: 2014-08-21.

Electronic circuit and method for measuring a load current

Номер патента: US09465055B2. Автор: Christoph Boehm,Maximilian Hofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-11.

A valve device for use in a ventilation system

Номер патента: EP4390264A1. Автор: Maarten Jonas Pol VAN OVERBEKE,Pieterjan Platteeuw,Boris Martens. Владелец: RENSON NV. Дата публикации: 2024-06-26.

Piston head for use in a reciprocating compressor and method of producing the same

Номер патента: EP3090176A1. Автор: Nazim Arda EYYUBOGLU,Tolga Yaroglu. Владелец: Arcelik AS. Дата публикации: 2016-11-09.

System for use in carbon storage

Номер патента: WO2024110062A1. Автор: Charles Anthony August,Kristian WINDSOR,Julian Paul TUCKER. Владелец: Baker Hughes Energy Technology UK Limited. Дата публикации: 2024-05-30.

Beverage making unit for use in a process of preparing a beverage on the basis of at least two fluids

Номер патента: EP1934113A1. Автор: Paulus C. Duineveld,Joeke Noordhuis,Fred Fraij,Marinus C. Hansen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-06-25.

Beverage making unit for use in a process of preparing a beverage on the basis of at least two fluids

Номер патента: US20100005972A1. Автор: Paulus Cornelis Duineveld,Joeke Noordhuis,Fred Fraij,Marinus Christiaan Hansen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-01-14.

Cannula for Use in Drug Delivery Systems

Номер патента: CA2119124A1. Автор: Joseph A. Bancsi,Thomas A. Fowles,Ray W. Wood,Charles Eller,Charles Jersild,Brian J. Gorman,Terrence J. Hebron,Donald A. Jess,Joseph C. T. Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-02-17.

Cannula for use in drug delivery systems

Номер патента: WO1994003118A1. Автор: Joseph A. Bancsi,Thomas A. Fowles,Ray W. Wood,Charles Eller,Charles Jersild,Brian J. Gorman,Terrence J. Hebron,Donald A. Jess,Joseph C. T. Wong. Владелец: BAXTER INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 1994-02-17.

Sterile handheld instrument assembly for use in a surgical environment

Номер патента: EP4413944A1. Автор: Frederik Schaal,Antoine Pfeil. Владелец: Stryker European Operations Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Novel mixtures as ras inhibitors for use in the treatment of proliferative and genetic diseases

Номер патента: WO2024156704A1. Автор: Krishnaraj Rajalingam. Владелец: KHR Biotec GmbH. Дата публикации: 2024-08-02.

Structural element for use in internal works to finish premises

Номер патента: RU2463418C2. Автор: Алекс РОТТЬЕР,Стефан МЕС,Том ВЕЙЕР,Алекс РОТТЬЕР (BE),Стефан МЕС (BE),Том ВЕЙЕР (BE). Владелец: Андер-Кавер. Дата публикации: 2012-10-10.

An article for use in an aerosol provision system and a method of manufacturing an article for use in an aerosol provision system

Номер патента: AU2022419442A1. Автор: Barry DIMMICK,Fahim ASHRAF. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

An article for use in an aerosol provision system and a method of manufacturing an article for use in an aerosol provision system

Номер патента: AU2022422746A1. Автор: Barry DIMMICK,Fahim ASHRAF. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Edible sugarpaste decorations comprising a humectant

Номер патента: GB2338883A. Автор: Derrick Stanley Dixon. Владелец: Sugarfayre Ltd. Дата публикации: 2000-01-12.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Drainage system for use in masonry block construction

Номер патента: EP1856333A2. Автор: Tom Sourlis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.

Drainage system for use in masonry block construction

Номер патента: WO2006094173A2. Автор: Tom Sourlis. Владелец: Tom Sourlis. Дата публикации: 2006-09-08.

Aerosol generating article with a wrapper comprising a tobacco leaf portion

Номер патента: EP4376644A1. Автор: Alec WRIGHT,Andrew Robert John ROGAN. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2024-06-05.

Toning agents for use in thermographic and photothermographic recording materials

Номер патента: EP1435298A3. Автор: Johan Loccufier,Ingrid Geuens,Vera Drieghe. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 2004-07-14.

Hearing protector for use in magnetic resonance systems

Номер патента: US20090208029A1. Автор: Klaus Porzelt,Günter Schnur. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2009-08-20.

Tube for use in laser surgery

Номер патента: IE58455B1. Автор: . Владелец: Sherwood Medical Co. Дата публикации: 1993-09-22.

An article for use in an aerosol provision system and a method of manufacturing an article for use in an aerosol provision system

Номер патента: EP4451924A1. Автор: Barry DIMMICK,Fahim ASHRAF. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

An article for use in an aerosol provision system and a method of manufacturing an article for use in an aerosol provision system

Номер патента: EP4451940A1. Автор: Barry DIMMICK,Fahim ASHRAF. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

An article for use in an aerosol provision system and a method of manufacturing an article

Номер патента: EP4451935A2. Автор: John Richardson,Barry DIMMICK,Fahim ASHRAF. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Medical device and method for use in tissue characterization and treatment

Номер патента: US09999353B2. Автор: Dan Hashimshony,Gil Cohen,Gal Aharonowitz. Владелец: Dune Medical Devices LTD. Дата публикации: 2018-06-19.

Medical device and method for use in tissue characterization and treatment

Номер патента: US09901362B2. Автор: Dan Hashimshony,Gil Cohen. Владелец: Dune Medical Devices LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Pressure detecting apparatus made by 3D printing technologies being able to be used in dangerous areas

Номер патента: US09588001B2. Автор: Chia-Chin Chiang,Tso- Sheng Hsieh. Владелец: National Kaohsiung University of Applied Sciences. Дата публикации: 2017-03-07.

Drive assembly for use in a robotic control and guidance system

Номер патента: US09402555B2. Автор: Mark B. Kirschenman. Владелец: St Jude Medical Atrial Fibrillation Division Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Electronic circuit and method for measuring a load current

Номер патента: US20150084618A1. Автор: Christoph Boehm,Maximilian Hofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-26.

A mycobacterium for use in cancer therapy

Номер патента: US20240216443A1. Автор: Glen Martyn,Andrew GAYA,Casper Henricus Johannes VAN EIJCK. Владелец: Immodulon Therapeutics Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Endoscope in combination with a large mass removal apparatus

Номер патента: US20240197298A1. Автор: Michael McGee,Sharon A. Hibbs,Thomas Shireman,James M. Walden, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Pharmaceutical compositions for use in treating pain

Номер патента: CA3131384A1. Автор: Keelung Hong,Yun-Long TSENG,Sheue-Fang Shih,Wan-ni YU,Yi-Yu Lin,Min-Wen Kuo,Hao-Wen Kao,Carl Oscar BROWN,Tien-Tzu TAI,Hui-ting WANG,Weenee Yeun Ng JAO,Pei-Hsien HU. Владелец: TLC Biopharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Apparatus for use in the regeneration of structured human tissue

Номер патента: AU2004214531A1. Автор: Matthias Steinwachs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Pharmaceutical compositions for use in treating pain

Номер патента: AU2020229773A1. Автор: Keelung Hong,Yun-Long TSENG,Sheue-Fang Shih,Wan-ni YU,Yi-Yu Lin,Min-Wen Kuo,Hao-Wen Kao,Carl Oscar BROWN,Tien-Tzu TAI,Hui-ting WANG,Weenee Yeun Ng JAO,Pei-Hsien HU. Владелец: TLC Biopharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Multi-ply liner for use in corrugated board

Номер патента: US20240263401A1. Автор: Isto Heiskanen,Jukka Kankkunen,Hannu Heikkinen,Ismo Saarinen,Jukka LYYRA,Harri TAIPALE,Juha Rvenniemi. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus for use in measuring blood pressure

Номер патента: US12097166B2. Автор: Jens Muehlsteff,Ralph Wilhelm Christianus Gemma Rosa WIJSHOFF,Maarten Petrus Joseph Kuenen. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus and method for use in a flue-cured barn

Номер патента: EP3454677A1. Автор: Daniel Augusto Ritt,Jeronimo SCREMIN,Vando Braz DE OLIVEIRA,Valdir Milak,Irving Joseph Berger,Paula Fabiane Martins. Владелец: British American Tobacco Investments Ltd. Дата публикации: 2019-03-20.

Apparatus and method for use in a flue-cured barn

Номер патента: WO2017194914A1. Автор: Daniel Augusto Ritt,Jeronimo SCREMIN,Vando Braz DE OLIVEIRA,Valdir Milak,Irving Joseph Berger,Paula Fabiane Martins. Владелец: Souza Cruz Ltda. Дата публикации: 2017-11-16.

Current consumption monitoring device for checking an electronic circuit's consumption comprises a capacitor arranged in parallel to the circuit to be monitored together with a switch for isolating the so created parallel circuit

Номер патента: DE10248982A1. Автор: Udo Dipl.-Ing. Dr. Ausserlechner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-25.

Composition comprising a diindolylmethane and a retinoid to treat a skin condition

Номер патента: US20240277660A1. Автор: David Alpert. Владелец: Skintech Life Science Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Composition comprising a diindolylmethane and a retinoid to treat a skin condition

Номер патента: US09907785B2. Автор: David Alpert. Владелец: Skintech Life Science Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

User interface for handheld communicator for use in technological process control operating system

Номер патента: RU2542663C2. Автор: Кеннет Вильям ДЖАНК. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2015-02-20.

Improvements in and relating to drive mechanisms suitable for use in drug delivery devices

Номер патента: NZ577007A. Автор: Matthew Jones,Malcom Boyd,Richard Letham,David Plumptre,Robert Veasey,James May,Samuel Llewhelin Ghazaros. Владелец: Sanofi Aventis Deutschland. Дата публикации: 2011-05-27.

Improvements in and relating to drive mechanisms suitable for use in drug delivery devices

Номер патента: NZ576964A. Автор: Matthew Jones,Malcom Boyd,Richard Letham,David Plumptre,Robert Veasey,James May,Samuel Llewhelin Ghazaros. Владелец: Sanofi Aventis Deutschland. Дата публикации: 2011-05-27.

Combined well plug/chemical heater assemblies for use in down-hole operations and associated heater cartridges

Номер патента: US11634966B2. Автор: Paul Carragher,Lance D Underwood. Владелец: BiSN Tec LTD. Дата публикации: 2023-04-25.

Optical head devices for use in recording and/or reproduction of information

Номер патента: CA1325273C. Автор: Hidehiro Kume. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-12-14.

Machine or terminal for use in a game of chance, particularly bingo

Номер патента: GB2180460A. Автор: Lopez Francisco De Pa Martinez. Владелец: MAJSA MAT AUX JUEGO SA. Дата публикации: 1987-04-01.

Device for use in a delivery of ophthalmic lenses

Номер патента: GB2517921A. Автор: Stephen Paul Woods. Владелец: Duckworth and Kent Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

A crystal holder, particularly for use in connection with crystal analysis x-ray apparatus

Номер патента: GB740517A. Автор: . Владелец: Philips Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1955-11-16.

Surgical kit for use in a craniectomy procedure

Номер патента: US11849958B2. Автор: Alexandre Carpentier,Matthieu Cholvy,Alexandre Vignot. Владелец: Carthera SAS. Дата публикации: 2023-12-26.

A computer-implemented method, an apparatus and a computer program product for determining an updated set of words for use in an auditory verbal learning test

Номер патента: EP3682796A1. Автор: Murray Fulton Gillies,Juergen Vogt,Laura KLAMING,Jan Johannes Gerardus DE VRIES,Sanne Nauts. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2020-07-22.

Liquid-safety-rod system with a flexible diaphragm accumulator

Номер патента: US3607644A. Автор: Luciano Ghiurghi,Alberto Agazzi,Armando Broggi,Sergio Galli De Paratesi. Владелец: European Atomic Energy Community Euratom. Дата публикации: 1971-09-21.

Ignition system for an internal-combustion engine, particularly for use in a chain saw or the like

Номер патента: WO1995015438A1. Автор: Per-Anders Chrintz-Gath,Per Johan Udden. Владелец: Fhp Elmotor Aktiebolag. Дата публикации: 1995-06-08.

Combined well plug/chemical heater assemblies for use in down-hole operations and associated heater cartridges

Номер патента: MY201741A. Автор: Paul Carragher,Lance Underwood. Владелец: BiSN Tec LTD. Дата публикации: 2024-03-15.

Forming wire for use in paper-making, cellulose and similar machines

Номер патента: US4112982A. Автор: Hans Jorgen Bugge,Ingvald Strandly,Carl Olof Swanberg. Владелец: Nordiska Maskinfilt AB. Дата публикации: 1978-09-12.

Connector for use in butt splicing two optical fibres

Номер патента: US4435038A. Автор: Lucas Soes,Eduardus F. A. Ten Berge. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1984-03-06.

An erectable arm assembly for use in boreholes

Номер патента: CA2292639A1. Автор: Robert Trueman,Matthew Stockwell,Timothy Gregory Hamilton Meyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-12-10.

Process for photolithographically exposing a semiconductor wafer used in the production of semiconductor circuits comprises carrying out lithographic exposure using a lithographic mask and post-exposing the wafer in the substrate region

Номер патента: DE102004008835A1. Автор: Martin Niehoff,Michael Bernhard Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-08.

Improvements in Screens for use in Photo-engraving.

Номер патента: GB191507540A. Автор: Albert Keller-Dorian. Владелец: Individual. Дата публикации: 1916-05-19.

Improvements in washers for use in fixing corrugated iron roofing

Номер патента: GB168094A. Автор: . Владелец: ADOLPHUS PILLMAN. Дата публикации: 1921-08-15.

Portable device for use in playing step-ball

Номер патента: US4133531A. Автор: Eldon F. Arteaga,James J. Lydon, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-01-09.

An erectable arm assembly for use in boreholes

Номер патента: CA2292639C. Автор: Robert Trueman,Matthew Stockwell,Timothy Gregory Hamilton Meyer. Владелец: BHP Coal Pty Ltd. Дата публикации: 2006-11-21.

Radio frequency receive coil for use in magnetic resonance imaging systems with disconnection warning

Номер патента: US11435417B2. Автор: Miha Fuderer,Johannes Matia Van Eggermond. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2022-09-06.

A connector for use in butt splicing two optical fibres

Номер патента: SG33389G. Автор: . Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1989-09-22.

Process for the electrophotographic production of high-energy-radiation images and electrophotographic copying material for use in the process

Номер патента: GB1485299A. Автор: . Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1977-09-08.

Air damper used in glove box of automobile

Номер патента: US6669178B2. Автор: Toshihiko Ookawara. Владелец: PIOLAX INC. Дата публикации: 2003-12-30.

System and method for use in photoplethysmography

Номер патента: US11737677B2. Автор: Javier Garcia,Zeev Zalevsky,Nisim Nisan OZANA,Moshe Arie Ariel SCHWARZ,Ran CALIFA,Hadar GENISH,Sagi Polani. Владелец: ContinUse Biometrics Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

A mycobacterium for use in cancer therapy

Номер патента: AU2021457845A1. Автор: Glen Martyn,Andrew GAYA,Casper Henricus Johannes VAN EIJCK. Владелец: Immodulon Therapeutics Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

A colloidal composite particle dispersion for use in an antimicrobial and virucidal surface coating

Номер патента: WO2022124973A1. Автор: Jiayin YUAN,Gerald MCINERNEY. Владелец: Mcinerney Gerald. Дата публикации: 2022-06-16.

Sequence gate for use in a milking arrangement

Номер патента: WO2023191686A1. Автор: Rafal FEDORCZUK. Владелец: DELAVAL HOLDING AB. Дата публикации: 2023-10-05.

Kit for use in diagnosing maladies

Номер патента: IE904616A1. Автор: . Владелец: Pasula Mark J. Дата публикации: 1991-07-17.

A composite material for use in a sensing electrode for measuring water quality

Номер патента: WO2009135270A1. Автор: Serge Zhuiykov. Владелец: Commonwealth Scientific And Industrial Reserach Organisation. Дата публикации: 2009-11-12.

Projectile launch apparatus for use in fluid environments

Номер патента: US20240003659A1. Автор: Peter Richard RUSHFORTH,David Timothy Newell. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatus for use in the regeneration of structured human tissue

Номер патента: EP1516922B1. Автор: Matthias Steinwachs. Владелец: Steinwachs Matthias. Дата публикации: 2009-04-22.

A mycobacterium for use in cancer therapy

Номер патента: EP4376945A1. Автор: Glen Martyn,Andrew GAYA,Casper Henricus Johannes VAN EIJCK. Владелец: Immodulon Therapeutics Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Apparatus for use in measuring blood pressure

Номер патента: EP3923788A1. Автор: Jens Muehlsteff,Ralph Wilhelm Christianus Gemma Rosa WIJSHOFF,Maarten Petrus Joseph Kuenen. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2021-12-22.

Projectile launch apparatus for use in fluid environments

Номер патента: WO2022101599A1. Автор: Peter Richard RUSHFORTH,David Timothy Newell. Владелец: The Secretary of State For Defence. Дата публикации: 2022-05-19.

Information and data logging system for use in a dental environment

Номер патента: EP3685406A1. Автор: Leif Kim SØRENSEN,Peter Verner Bojsen SØRENSEN. Владелец: Xo Care As. Дата публикации: 2020-07-29.

Information and data logging system for use in a dental environment

Номер патента: WO2019057525A1. Автор: Leif Kim SØRENSEN,Peter Verner Bojsen SØRENSEN. Владелец: Xo Care A/S. Дата публикации: 2019-03-28.

Apparatus for cleaning textile machines and a nozzle for use in such an apparatus

Номер патента: US5135175A. Автор: Jose R. Trias. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-08-04.

Projectile launch apparatus for use in fluid environments

Номер патента: AU2021379283A9. Автор: Peter Richard RUSHFORTH,David Timothy Newell. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 2024-04-18.

Projectile launch apparatus for use in fluid environments

Номер патента: AU2021379283A1. Автор: Peter Richard RUSHFORTH,David Timothy Newell. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 2023-06-15.

Projectile launch apparatus for use in fluid environments

Номер патента: EP4244566A1. Автор: Peter Richard RUSHFORTH,David Timothy Newell. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 2023-09-20.

An article for use in an aerosol provision system and a method of manufacturing an article for use in an aerosol provision system

Номер патента: CA3241442A1. Автор: Barry DIMMICK,Fahim ASHRAF. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

An article for use in an aerosol provision system and a method of manufacturing an article for use in an aerosol provision system

Номер патента: CA3241445A1. Автор: Barry DIMMICK,Fahim ASHRAF. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Beverage machine with a handy outlet

Номер патента: US09795247B2. Автор: Fabien Ludovic Agon,Frédérique HUILLET. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2017-10-24.

AN APPARATUS FOR USE IN A MEDICAL PROCEDURE IN THE VASCULATURE COMPRISING A GUIDEWIRE AND A CATHETER AND A METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20190009059A1. Автор: RONAN Allan,RYAN Eoin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

APPARATUS FOR USE IN A MEDICAL PROCEDURE IN THE VASCULATURE COMPRISING A GUIDEWIRE AND A CATHETER AND A METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20210220610A1. Автор: RONAN Allan,RYAN Eoin. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Longitudinal bone fixation element used in the fixation of splintered bone fragments comprises a rear section provided with a grid for cooperating with a stopper placed on the bone fixation element coaxially to the longitudinal axis

Номер патента: DE20215334U1. Автор: . Владелец: Synthes AG Chur. Дата публикации: 2004-02-19.

Lubricating compositions for primary backing fabrics used in the manufacture of tufted textile articles

Номер патента: US4288331A. Автор: John D. Shepley,Herman M. Muijs. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 1981-09-08.

Powdered cosmetic composition, useful in make-up and skin care compositions, comprises a fatty phase and a particulate phase that contains a sebum-absorbing agent and a mixed silicate

Номер патента: FR2854324A1. Автор: Guenaelle Martin,Maitena Collineau. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2004-11-05.

Antifog glass, useful in a headlamp of a motor vehicle, comprises a first transparent polymer material forming a transparent matrix having a second hydrophobic material

Номер патента: FR2972155A1. Автор: Valerie Molto,Hana Cherif. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2012-09-07.

Composition comprising a diindolylmethane and a retinoid to treat a skin condition

Номер патента: CA2831185C. Автор: David Alpert. Владелец: Skintech Life Science Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

Turbine for use in extracting energy from a water flow, comprising a set of turbine blades, where at least one turbine blades of the set are formed to be adjustable, and where the blade surface area presented in the flow direction it is reduced when it is in the return configuration; method.

Номер патента: CL2011000033A1. Автор: James Mowat. Владелец: Mowat Technical & Desing Services Ltd. Дата публикации: 2011-07-15.

Device used in window manufacture for connecting translucent elements comprises a first profile having a U-shape, and a second profile having a web and a panel engagement section made of different materials

Номер патента: DE20314292U1. Автор: . Владелец: Heinrich Strunz GmbH. Дата публикации: 2004-01-15.

Micromechanical step-by-step switch useful in microbiological analyzers, micro-optics and microelectronics comprises a moving part, a stop and a switching member all made from one piece

Номер патента: DE10240421A1. Автор: Bernd Schroter,Ramon Hahn,Jan Mehner,Wolfram DÖTZEL. Владелец: Technische Universitaet Chemnitz. Дата публикации: 2004-03-11.

Composition comprising a diindolylmethane and a retinoid to treat a skin condition

Номер патента: CA3011732A1. Автор: David Alpert. Владелец: IIAA Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Leaf profile used in the construction of a window frame comprises a right-angled folding leaf glass strip in which one side holds the glass and the other side is fixed or locked on the side of a mounting chamber on the profile

Номер патента: DE202006010370U1. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-31.

Composition comprising a diindolylmethane and a retinoid to treat a skin condition

Номер патента: US11911365B2. Автор: David Alpert. Владелец: Skintech Life Science Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Multi-ply liner for use in corrugated board

Номер патента: AU2022278700A1. Автор: Isto Heiskanen,Jukka Kankkunen,Juha Korvenniemi,Hannu Heikkinen,Ismo Saarinen,Jukka LYYRA,Harri TAIPALE. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2023-11-09.

Pharmaceutical compositions for use in treating pain

Номер патента: EP3930689A1. Автор: Keelung Hong,Yun-Long TSENG,Sheue-Fang Shih,Wan-ni YU,Yi-Yu Lin,Min-Wen Kuo,Hao-Wen Kao,Carl Oscar BROWN,Tien-Tzu TAI,Hui-ting WANG,Weenee Yeun Ng JAO,Pei-Hsien HU. Владелец: TLC Biopharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Multi-ply liner for use in corrugated board

Номер патента: EP4341489A1. Автор: Isto Heiskanen,Jukka Kankkunen,Juha Korvenniemi,Hannu Heikkinen,Ismo Saarinen,Jukka LYYRA,Harri TAIPALE. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2024-03-27.

Apparatus and method for determining a condition associated with a pellicle

Номер патента: NL2022080A. Автор: XIONG Xugang,Adams Joshua,Ranjan Manish,JUDGE Andrew,BENDIKSEN Aage,Jacobs Richard,Harry Lyons Joseph,Servatius Gertruda Brouns Derk,Adrianus Van De Kerkhof Marcus,Marinus Modderman Theodorus,Venkata Narasimha Narendra Phani Kottapalli Veera. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2019-06-19.

Apparatus and method for determining a condition associated with a pellicle

Номер патента: NL2024279A. Автор: XIONG Xugang,Adams Joshua,Ranjan Manish,JUDGE Andrew,BENDIKSEN Aage,Jacobs Richard,Harry Lyons Joseph,Servatius Gertruda Brouns Derk,Adrianus Van De Kerkhof Marcus,Marinus Modderman Theodorus,Venkata Narasimha Narendra Phani Kottapalli Veera. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2019-12-10.

Apparatus and method for determining a condition associated with a pellicle

Номер патента: NL2024279B1. Автор: XIONG Xugang,Adams Joshua,Ranjan Manish,JUDGE Andrew,BENDIKSEN Aage,Jacobs Richard,Harry Lyons Joseph,Servatius Gertruda Brouns Derk,Adrianus Van De Kerkhof Marcus,Marinus Modderman Theodorus,Venkata Narasimha Narendra Phani Kottapalli Veera. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2020-08-27.

A rotisserie spit comprising a food cage

Номер патента: NZ554406A. Автор: Rhett Linton Thompson. Владелец: Rhett Linton Thompson. Дата публикации: 2009-07-31.

Composition based on a mixture of biological factors isolated from colostrum and ozonized vegetable oils for use in the treatment of vaginitis and vaginosis

Номер патента: EP3755433A1. Автор: Giuseppa ZARBO. Владелец: BIOMEDICAL RESEARCH Srl. Дата публикации: 2020-12-30.

Cosmetic product, useful in cosmetic process for caring keratin materials, comprises a composition comprising aqueous phase and fatty phase, and composition comprising a mixture of organopolysiloxane elastomer and silicone oil

Номер патента: FR2964562A1. Автор: Gaelle Moneuze. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2012-03-16.

Liquid crystal arrangement used in bistable electro-optical liquid crystal displays comprises a layer containing a cholesteric material having different preferred orientation and different wall coupling on opposite electrodes

Номер патента: DE10111452A1. Автор: Christine Boeffel,Monika Bauer,Klaus-Uwe Badeke,Horst Zaschke,Frank Kuschel. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2002-09-19.

Micromechanical component used in the production of a pressure sensor comprises a bellows-like structure with lateral twists parallel to both main surfaces of the component

Номер патента: DE10148859A1. Автор: Heribert Weber,Hubert Benzel,Frank Schaefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-04-10.

Time data testing device used in e.g. mobile telephones and laptops comprises a time data preparation unit, memory units for storing time data, time data change and difference determination units and a testing unit

Номер патента: DE102005050352A1. Автор: David Jennings,Uma Ranjan,Eckhard Delfs,Andreas Dr. Siggelkow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-26.

Steam vacuum pump used in medical technology for evacuating sterilization devices comprises a pump head with a head plate and an intermediate plate with circular support surfaces running planar and parallel with the planar surface

Номер патента: DE102005025322A1. Автор: Christian Heitzer. Владелец: HYCO-VAKUUMTECHNIK GmbH. Дата публикации: 2006-12-07.

Flavonoid concentrate useful in foods, body care products and cosmetics comprises a polysorbate and isoflavones and/or quercetin

Номер патента: DE10103454A1. Автор: Dariush Behnam. Владелец: Aquanova AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Latent-heat accumulator on the basis of super-cooled melts useful in building power station or industrial technology, comprises a storage medium divided into crystallization-sub-critical mass packages

Номер патента: DE102007038631A1. Автор: Jan Harling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Hollow bone screw used in surgical interventions to join two bones comprises a shaft, an external thread section on the periphery of the shaft, and a non-circular channel extending through the shaft

Номер патента: DE10337672A1. Автор: Karl-Heinz Otto,Thomas Dr. Ebel. Владелец: Tricumed Medizintechnik GmbH. Дата публикации: 2005-03-17.

Disposable toothbrush with a dose of toothpaste

Номер патента: US4844641A. Автор: Jean-Pierre Grosfilley,Jean-Louis Dumoulin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-07-04.

Cosmetic and dermatologic composition comprising a stable aqueous dispersion of phytantriol-based gel particles containing a long-chain surfactant as dispersant and stabilizer

Номер патента: EP0686386A1. Автор: Bruno Biatry,Alain Ribier. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1995-12-13.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Organic field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09899616B2. Автор: Karl Leo,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem,Hans Kleeman. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

A biomolecular field-effect transistor comprising a polypeptide film and a method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2007060632A8. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Torre Antonio Della,Rocco Chiuri,Mercato Loretta Laureana Del. Владелец: Mercato Loretta Laureana Del. Дата публикации: 2007-09-20.

A biomolecular field-effect transistor comprising a polypeptide film and a method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2007060632A3. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Torre Antonio Della,Rocco Chiuri,Mercato Loretta Laureana Del. Владелец: Mercato Loretta Laureana Del. Дата публикации: 2007-10-18.

A biomolecular field-effect transistor comprising a polypeptide film and a method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2007060632A2. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Antonio Della Torre,Rocco Chiuri,Loretta Laureana Del Mercato. Владелец: Consiglio Nazionale Delle Ricerche - Infm Istituto Nazionale Per La Fisica Della Materia. Дата публикации: 2007-05-31.

A biomolecular field effect transistor comprising a polypeptide film, and a method for its manufacturing

Номер патента: EP1958275A2. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Antonio Della Torre,Rocco Chiuri,Loretta Laureana Del Mercato. Владелец: Istituto Nazionale per la Fisica della Materia INFM CNR. Дата публикации: 2008-08-20.

Ambipolar vertical field effect transistor

Номер патента: EP2926376A1. Автор: BO LIU,Andrew Gabriel Rinzler,Mitchell Austin Mccarthy. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2015-10-07.

Ambipolar vertical field effect transistor

Номер патента: US09601707B2. Автор: BO LIU,Andrew Gabriel Rinzler,Mitchell Austin Mccarthy. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Multi-gate tunnel field-effect transistor (TFET)

Номер патента: US09741848B2. Автор: Mohammad Ali Pourghaderi,Alireza Alian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic semiconductor composite, organic transistor material and organic field effect transistor

Номер патента: EP2109162A1. Автор: Junji Mata,Jun Tsukamoto,Seiichiro Murase,Yukari Jo. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2009-10-14.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: WO2008091273A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2008-07-31.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: EP2038933A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Carbon field effect transistors having charged monolayers to reduce parasitic resistance

Номер патента: GB2504643A. Автор: Shu-Jen Han,Hsin-Ying Chiu,Hareem T Maune. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Multiple carbon nanotube transfer and its applications for making high-performance carbon nanotube field-effect transistor (CNFET), transparent electrodes, and three-dimensional integration of CNFETs

Номер патента: US09748421B2. Автор: Chung Chun Wan,Subhasish Mitra,H.-S. Philip Wong,Nishant P. Patil. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-08-29.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming a bottom gate thin film transistor using a blend solution to form a semiconducting layer and an insulating layer

Номер патента: US7351606B2. Автор: Ana C. Arias. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-04-01.

Self-aligned nanotube field effect transistor and method of fabricating same

Номер патента: CA2479024C. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Phaedon Avouris,Kevin K. Chan,Philip G. Collins,Richard Martel,Joerg Appenzeller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-16.

Chemically sensitive field effect transistors and uses thereof in electronic nose devices

Номер патента: US20180282155A1. Автор: Hossam Haick. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for manufacturing a quantum electronic circuit

Номер патента: US20230105807A1. Автор: Heimanu Niebojewski,Benoit Bertrand,Thomas Bedecarrats. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-04-06.

Metal-free integrated circuits comprising graphene and carbon nanotubes

Номер патента: US20120326129A1. Автор: Yu-Ming Lin,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

Номер патента: US09506892B2. Автор: Yutaka Yamada,Kazuhiro Nagaike,Hiroshi Mitani,Kazuhiko Matsumoto,Satoru Nagao,Masanori Katou,Atsuhiko Kojima,Yasuo Ifuku. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-29.

Fullerene derivatives with low electron affinity and photovoltaic cell based thereon

Номер патента: RU2598079C1. Автор: Павел Анатольевич Трошин,Александр Валерьевич Мумятов,Диана Каримовна Сусарова,Владимир Федорович Разумов,Ольга Андреевна Мухачева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-09-20.

Controlling threshold voltage in carbon based field effect transistors

Номер патента: US20130175633A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Martin M. Frank,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US20240258322A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: EP4409638A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Cfet cell architecture with a side-routing structure

Номер патента: EP4415035A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-14.

Electronic displays using organic-based field effect transistors

Номер патента: EP1105772A1. Автор: Paul Drzaic. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2001-06-13.

Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes

Номер патента: US09806273B2. Автор: Shashi P. Karna,Govind Mallick. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-10-31.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: US09768289B2. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: US09614070B2. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Logic elements comprising carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) devices and methods of making same

Номер патента: US10002908B2. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Inverter circuit comprising density of states engineered field effect transistors

Номер патента: EP2355154A2. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-10.

Memory, gate-all-around field-effect transistor, and producing method

Номер патента: EP4261889A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Semi-metal tunnel field effect transistor

Номер патента: WO2017046024A1. Автор: James Greer,Lida ANSARI,Giorgos FAGAS. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2017-03-23.

Directionally etched nanowire field effect transistors

Номер патента: US20120280204A1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Guy M. Cohen,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Semi-metal tunnel field effect transistor

Номер патента: EP3350840A1. Автор: James Greer,Lida ANSARI,Giorgos FAGAS. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2018-07-25.

Complementary field-effect transistors

Номер патента: US20210210349A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Current sensing in power tool devices using a field effect transistor

Номер патента: US12105149B2. Автор: Timothy R. Obermann,Alexander T. Huber. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and apparatus for fabricating a carbon nanotube transistor

Номер патента: US20090032803A1. Автор: Phaedon Avouris,Yu-Ming Lin,Joerg Appenzeller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Field effect transistor, method of fabricating field effect transistor, and electronic device

Номер патента: US20200328294A1. Автор: Shibo LIANG. Владелец: Beijing Hua Tan Yuan Xin Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory, Gate-All-Around Field-Effect Transistor, and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352552A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor

Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US11881393B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Field-effect nanosensor for detecting simple metabolites in living organisms

Номер патента: US20210239645A1. Автор: Andres JARAMILLO BOTERO,Juan Marmolejo Tejada. Владелец: PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA. Дата публикации: 2021-08-05.

Stacked complementary field effect transistors

Номер патента: US11916073B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) COMPRISING CHANNELS WITH SILICON GERMANIUM (SiGe)

Номер патента: WO2021076241A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-22.

Field effect transistor (fet) comprising channels with silicon germanium (sige)

Номер патента: EP4046202A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Field-effect transistors with isolation pillars

Номер патента: US20240072050A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Composition containing fullerene derivative and organic photoelectric converter using the same

Номер патента: US20100276643A1. Автор: Yasunori Uetani,Shota Moriwaki. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: WO2023056167A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Bifunctional graphene dielectrophoresis (dep)-graphene field effect transistor (gfet) device and methods for using same

Номер патента: WO2023244489A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Ruixue LI,Steven J. Koester,Nezhueyotl Izquierdo ARRIOLA. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2023-12-21.

Field-effect nanosensor for detecting simple metabolites in living organisms

Номер патента: US11977049B2. Автор: Andres JARAMILLO BOTERO,Juan Manuel Marmolejo Tejada. Владелец: PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA. Дата публикации: 2024-05-07.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Complementary field effect transistor cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240321889A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-26.

Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Номер патента: US20210036248A1. Автор: Stefan Becker,Mi Zhou,Wei Hsiang Lin,Junmin Lee,Giseok LEE. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Номер патента: US20220293873A1. Автор: Stefan Becker,Mi Zhou,Wei Hsiang Lin,Junmin Lee,Giseok LEE. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

A Method for Producing an Organic Field Effect Transistor and an Organic Field Effect Transistor

Номер патента: US20160049603A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09705098B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769B1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: WO2008084085A9. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: US20100102402A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-29.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Electronic circuit and manufacturing method for electronic circuit

Номер патента: EP1044503A1. Автор: Anders Soderbarg,Sven Tor-Bjorn Wiklund. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-10-18.

Field effect transistors, field emission apparatuses, and a thin film transistor

Номер патента: US6504170B1. Автор: John Lee,Benham Moradi,J. Ung Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Organic field effect transistor with enhanced gas sensitivity

Номер патента: WO2024182129A1. Автор: Howard Katz,Klaus Seibert,Christopher Riley BOND,Daniel FRYDRYCH. Владелец: W. L. Gore & Associates GmbH. Дата публикации: 2024-09-06.

Improved oxide-based field-effect transistors

Номер патента: WO2008129238A1. Автор: Donal Donat Conor Bradley,Thomas Anthopoulos,Saif Ahmed Haque. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2008-10-30.

Gas multi-sensor based on organic field transistors (options) and device for analysis of multi-component gas mixture of the “electron nose” type on its basis

Номер патента: RU2676860C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Елена Валериевна Агина,Алексей Сергеевич Сизов,Алексей Андреевич Васильев,Алексей Николаевич Киселев,Даниил Сергеевич Анисимов,Аскольд Альбертович Труль,Виктория Петровна Чекусова,Александр Анатольевич Пермяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Печатной Электроники" (ООО "ПРИНТЭЛТЕХ"). Дата публикации: 2019-01-11.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: EP3707754A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: WO2019092313A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials

Номер патента: WO1999010939A9. Автор: Leeuw Dagobert Michel De,Christopher John Drury,Cornelis Marcus Johan Mutsaers. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2006-05-26.

Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09761715B2. Автор: Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US11411190B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2022-08-09.

Organic field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025667A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chien-Cheng Liu,Sheng-fu Horng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-02-04.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US20210210704A1. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of fabricating organic field effect transistor

Номер патента: US20060128056A1. Автор: Seong Kim,Jung Lee,Tae Zyung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-06-15.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US12069874B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Circuit comprising a cascode device and method of operating circuit

Номер патента: EP4170905A1. Автор: Maarten Jacobus Swanenberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Organic field effect transistor and its production method

Номер патента: EP2159859A3. Автор: Ikuo Fukui,Masateru Taniguchi,Tomoji Kawai,Hideyuki Kawaguchi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2011-09-21.

Organic field effect transistor and its production method

Номер патента: US20100051927A1. Автор: Ikuo Fukui,Masateru Taniguchi,Tomoji Kawai,Hideyuki Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Method for enhancing the performance of pentacene organic field-effect transistor and the structure of pentacence organic field-effect transistor

Номер патента: US11980042B2. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of Forming Vertical Field Effect Transistors, Vertical Field Effect Transistors, And DRAM Cells

Номер патента: US20110140187A1. Автор: David Hwang,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Method of fabricating organic field effect transistors

Номер патента: WO2004061906A3. Автор: Jie Zhang,Krishna Kalyanasundaram,Daniel Gamota,Paul Brazis,Min-Xian Zhang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

Method of fabricating organic field effect transistors

Номер патента: WO2004061906A2. Автор: Jie Zhang,Krishna Kalyanasundaram,Paul Brazis,Daniel Gamota,Min-Xian Zhang. Владелец: Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2004-07-22.

Methods of forming vertical field effect transistors, vertical field effect transistors, and DRAM cells

Номер патента: US8211763B2. Автор: David K. Hwang,Larson D. Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US11937438B2. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Memcapacitor devices, field effect transistor devices, and, non-volatile memory arrays

Номер патента: US8867261B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Method of forming high stability self-registered field effect transistors

Номер патента: US3614829A. Автор: James F Burgess,Constantine A Neugebauer,Reuben E Joynson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-10-26.

Organic field-effect transistor and method of manufacturing same

Номер патента: WO2004019427A1. Автор: Hidenori Okuzaki. Владелец: Yamanashi Tlo Co., Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

Field-effect transistors with semiconducting gate

Номер патента: US20200052071A1. Автор: Jing Chen,Qingkai Qian. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2020-02-13.

Fabrication of field-effect transistors with atomic layer doping

Номер патента: US20150236118A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,MIN Yang,Isaac Lauer,Dae-Gyu Park,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Young-Hee Kim. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20190140130A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-09.

Discrete circuit for driving field effect transistors

Номер патента: EP1635463A3. Автор: Balakrishnan V. Nair,Gerald A. Kilgour. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising a junction field effect transistor (JFET)

Номер патента: US11830776B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor

Номер патента: US11342449B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-05-24.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor (jfet) and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20220254905A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-08-11.

Field effect transistor current mode logic with changeable bulk configuration of load transistors

Номер патента: US09838019B2. Автор: Lauri Koskinen,Matthew Turnquist,Jani Mäkipää,Erkka Laulainen. Владелец: MINIMA PROCESSOR OY. Дата публикации: 2017-12-05.

III-V gate-all-around field effect transistor using aspect ratio trapping

Номер патента: US09583567B2. Автор: SANGHOON Lee,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2369940C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2009-10-10.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Pentacene organic field-effect transistor with n-type semiconductor interlayer and its application

Номер патента: US20220069244A1. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-03.

Pentacene organic field-effect transistor with n-type semiconductor interlayer and its application

Номер патента: US11575093B2. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-07.

Sensors and systems based on field-effect transistors, methods of preparation and devices for their operation

Номер патента: US20230236147A1. Автор: Omar Azzaroni,Jose Maria Piccinini,Esteban PICCININI,Waldemar Alejandro MARMISOLLE,Juan Alejandro ALLEGRETTO,Juliana SCOTTO,Agustín Lorenzo CANTILLO,Gonzalo Eduardo FENOY. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-27.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US20210343958A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Timothy Vasen,Gerben Doombos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US20200161574A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US20230276640A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Integrated electronic circuit comprising an electronic component and a delay element which is connected to the component

Номер патента: WO2000065714A1. Автор: Roger Ahlm. Владелец: Avancerade Logikmaskiner Ab. Дата публикации: 2000-11-02.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A3. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A2. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-01-28.

Integrated circuit comprising a jfet transistor and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20210151559A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-20.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Field effect transistor, and multilayered epitaxial film for use in preparation of field effect transistor

Номер патента: US09954087B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Naotaka Kuroda,Akio Wakejima,Yasuhiro Murase,Katsumi Yamanoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and system for providing automatic gate bias and bias sequencing for field effect transistors

Номер патента: US09787271B2. Автор: Lloyd L Lautzenhiser. Владелец: EMHISER RESEARCH Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2399989C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2010-09-20.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Trigger logic element on field-effect transistors

Номер патента: RU2715178C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-25.

High voltage cable with synthetic insulation and a semiconducting layer

Номер патента: CA1038052A. Автор: Mats G. Olsson,Carl O. Tollerz,Sven G. Wretemark. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1978-09-05.

Circuit comprising a cascode device and method of operating circuit

Номер патента: US20230117505A1. Автор: Maarten Jacobus Swanenberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-04-20.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: EP2277195A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: WO2009129049A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2009-10-22.

Field Effect Transistor Device

Номер патента: US20240304729A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Tunneling nanotube field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09735362B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09559118B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Systems and methods for controlling inrush electrical currents using a virtual miller capacitor and a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Номер патента: US09513681B2. Автор: Lei Wang,Mehran Mirjafari,Padmanabh R. Gharpure. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Field effect transistor

Номер патента: US09437726B2. Автор: Shinichi Handa,Tetsuzo Nagahisa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Differential cascade on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2684473C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with high stability of static mode

Номер патента: RU2710930C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2736548C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Control of threshold voltage in organic field effect transistors

Номер патента: WO2006052625A1. Автор: Vladimir Bulovic,Akintunde I. Akinwande,Ioannis Kymissis,Annie I. Wang. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-05-18.

Field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: GB2552488A. Автор: Ali Moazzam,Rajendran Nair Rakesh. Владелец: Saralon GmbH. Дата публикации: 2018-01-31.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Optoelectronic device comprising a light-emitting component and a transistor

Номер патента: US20180350870A1. Автор: Matthew Charles,Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono,Erwan Morvan,Rene Escoffier,Thierry Bouchet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-12-06.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

High-voltage bidirectional field effect transistor

Номер патента: WO2024112426A1. Автор: Chirag Gupta,Shubhra S. Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-30.

Field-Effect Transistor and Method for Producing a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20100308404A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-12-09.

Optoelectronic device comprising a light-emitting component and a transistor

Номер патента: US10497743B2. Автор: Matthew Charles,Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono,Erwan Morvan,Rene Escoffier,Thierry Bouchet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-12-03.

Field-effect transistor and method for producing a field-effect transistor

Номер патента: WO2009060078A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Cross field effect transistor (xfet) architecture process

Номер патента: EP4409626A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory cells comprising a programmable field effect transistor having a reversibly programmable gate insulator

Номер патента: US09947687B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

N-stacked field effect transistor based traveling wave power amplifier for monolithic microwave integrated circuits

Номер патента: US09780746B1. Автор: Kohei Fujii. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Thin-film field effect transistor, driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product

Номер патента: US09515191B2. Автор: Bo Wu,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors

Номер патента: US09472663B2. Автор: Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Input differential cascade on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2712416C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Олег Владимирович Олег Владимирович Дворников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Electronic circuit and method of operation of electronic circuit

Номер патента: RU2661311C2. Автор: Ян КНУДСЕН,Нильс Хогхольт ПЕТЕРСЕН. Владелец: Грундфос Холдинг А/С. Дата публикации: 2018-07-13.

Three-state complementary field effect integrated circuit

Номер патента: US4837463A. Автор: Yukio Miyazaki,Takenori Okitaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-06-06.

Field Effect Transistor Constructions and Methods of Programming Field Effect Transistors to One Of At Least Three Different Programmed States

Номер патента: US20230402082A1. Автор: Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240234498A9. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Field effect transistor, preparation method thereof, and electronic circuit

Номер патента: US20240213322A1. Автор: Hui Sun,Hongsheng YI,Biao Gao,Haolin Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

C-rich carbon boron nitride dielectric films for use in electronic devices

Номер патента: WO2013036322A1. Автор: Sanjay Mehta,Son Van Nguyen,Alfred Grill,Thomas J. Haigh. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

Vertical field-effect transistor

Номер патента: EP3347915A1. Автор: Franky So,Do Young Kim,Bhabendra K. Pradhan,Hyeonggeun Yu. Владелец: Nanoholdings LLC. Дата публикации: 2018-07-18.

Ferroic sensor having tini-film field-effect transistor and ferroic layer applied to substrate

Номер патента: US8461636B2. Автор: Sigurd Wagner,Martin Kaltenbrunner,Siegfried Bauer,Reinhard Schwödiauer,Ingrid Graz,Christoph Keplinger,Stéphanie Perichon Lacour. Владелец: UNIVERSITAET LINZ. Дата публикации: 2013-06-11.

Actuating apparatus for triggering at least one pyrofuse, and energy storage device comprising a pyrofuse of this kind

Номер патента: US12034291B2. Автор: Michael Schuler. Владелец: LIEBHERR COMPONENTS BIBERACH GMBH. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US20170243953A1. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US9780198B2. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Novel III-V Heterojunction Field Effect Transistor

Номер патента: US20180254326A1. Автор: Zhihua Dong,Guohua Liu,Zhiqun Cheng,Huajie Ke. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2018-09-06.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

An electrolyte-gated field-effect transistor with surfactant layer

Номер патента: WO2020216901A1. Автор: Qiaoming ZHANG,Marta Mas Torrent,Francesca LEONARDI. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Дата публикации: 2020-10-29.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Circuit arrangement with a preamplifier connected to an opto-electric transducer

Номер патента: AU608376B2. Автор: Karl-Heinz Prasse,Peter Bartenstein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-03-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Switch comprising a field effect transistor and integrated circuit

Номер патента: US10582580B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-03.

Transistor with interdigit electrodes, comprising a gate terminal connected by a plurality of vertical vias to the gate electrodes

Номер патента: US20230253401A1. Автор: Robin Jung. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2023-08-10.

Electronic circuits

Номер патента: US20160173099A1. Автор: Joao DE OLIVEIRA,Catherine Ramsdale,Scott Darren White. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Self-aligned contacts for nanosheet field effect transistor devices

Номер патента: US20210183711A1. Автор: Juergen Boemmels,Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Eugenio Dentoni Litta,Pieter Weckx. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Tunnelling field effect transistor

Номер патента: US09793351B2. Автор: Jin He,Dan Li,Haijun LOU,Xinnan LIN. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2017-10-17.

Electronic circuits

Номер патента: US09768782B2. Автор: Joao DE OLIVEIRA,Catherine Ramsdale,Scott Darren White. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US09660086B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Hsin-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09608070B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09589803B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Field-effect transistor including oxide semiconductor, and memory and semiconductor circuit including the same

Номер патента: US09548395B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Graphene field effect transistor for radiation detection

Номер патента: US09508885B1. Автор: Zhihong Chen,Mary J. Li. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2016-11-29.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2766864C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Trigger two-stage d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2734428C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования. "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-10-16.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Trigger logic element and-not/or-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2756096C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

A shallow channel field effect transistor

Номер патента: GB2070858A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1981-09-09.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Field effect transistor constructions with gate insulator having local regions radially there-through that have different capacitance at different circumferential locations relative to a channel core periphery

Номер патента: US10062426B2. Автор: Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-28.

Connected field effect transistors

Номер патента: US11827512B2. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-28.

Three-dimensional monolithic vertical field effect transistor logic gates

Номер патента: US20190181055A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Gate-all-around floating-gate field effect memory transistor constructions including ferroelectric gate insulator

Номер патента: US11769542B2. Автор: Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Fluid actuators connected to field effect transistors

Номер патента: US20210206161A1. Автор: Eric Martin,James R Przybyla,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-08.

Connected field effect transistors

Номер патента: EP3857599A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-08-04.

Connected field effect transistors

Номер патента: WO2020068035A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-04-02.

Apparatus and method for manufacturing plurality of electronic circuits

Номер патента: EP3417479A1. Автор: Stuart Philip Speakman,Richard David Price,Neil Davies,Stephen DEVENPORT. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2018-12-26.

Apparatus and method for manufacturing plurality of electronic circuits

Номер патента: WO2017141013A1. Автор: Stuart Philip Speakman,Richard David Price,Neil Davies,Stephen DEVENPORT. Владелец: Pragmatic Printing Ltd.. Дата публикации: 2017-08-24.

High electron mobility transistor, field-effect transistor, epitaxial substrate, method of manufacturing epitaxial substrate, and method of manufacturing group iii nitride transistor

Номер патента: CA2570558A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shin Hashimoto,Tatsuya Tanabe,Tomihito Miyazaki,Kouhei Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Diamond field effect transistor and mehtod for producing same

Номер патента: EP4117024A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-11.

Diamond field effect transistor and method for producing same

Номер патента: US20230136477A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Ncfet transistor comprising a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20240170577A1. Автор: Ionut Radu,Guillaume BESNARD,Sorin Cristoloveanu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-05-23.

Combination positive temperature coefficient resistor and metal-oxide semiconductor field-effect transistor devices

Номер патента: EP1105922A1. Автор: Thomas J. Dougherty. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2001-06-13.

Combination positive temperature coefficient resistor and metal-oxide semiconductor field-effect transistor devices

Номер патента: WO2000010203A1. Автор: Thomas J. Dougherty. Владелец: Johnson Controls Technology Company. Дата публикации: 2000-02-24.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: US20240056042A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Apparatus and method for electronic circuit protection

Номер патента: EP2591504A1. Автор: Javier A. Salcedo. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-05-15.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20120104513A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200075875A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Pooling of an antenna and of a converter for supplying power to an electronic circuit

Номер патента: US20190198997A1. Автор: Gael Pillonnet,Armande CAPITAINE,Adrien MOREL,Yohan WANDEROILD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-06-27.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20200373454A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-11-26.

Device comprising a plurality of fdsoi static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US20160343428A1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20150145032A1. Автор: Klaus Kohler,Rüdiger QUAY. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-05-28.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20240284688A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Electrolyte-based field effect transistor and associated method of fabrication

Номер патента: EP4117049A1. Автор: Sami Oukassi,Ngoc-Anh Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-11.

Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate-field effect transistors

Номер патента: US20080220581A1. Автор: Brian J. Greene,Scott D. Allen,Chun-Yung Sung,Christian Lavoie,Huilong Zhu,Sunfei Fang,Rajarao Jammy,Zhijiong Luo,Hung Ng,Cyril Cabral,Kevin K. Dezfulian,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Electronic circuit for protecting a load against over-voltage

Номер патента: US09893510B2. Автор: Hans Krämer. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-02-13.

Heterogeneous pocket for tunneling field effect transistors (TFETs)

Номер патента: US09871106B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09857328B2. Автор: Paul Hoffman. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812560B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US09620726B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Field-effect transistors based on macroscopically oriented polymers with high saturation mobility

Номер патента: US09559306B2. Автор: Lei Ying,Alan J. Heeger,Guillermo C. Bazan,Hsin-Rong Tseng,Ben B. Y. Hsu,Christopher J. TAKACS. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing a field effect transistor including forming a gate after forming the source and drain

Номер патента: US09502566B2. Автор: Perrine Batude,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-22.

Device comprising a plurality of FDSOI static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US09490007B1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Electrostatic discharge protection circuit arrangement, electronic circuit and ESD protection method

Номер патента: US09438031B2. Автор: Patrice Besse,Jerome Casters,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Electrode for use in a fuel cell functioning as a gas diffusion layer and an electrocatalyst layer

Номер патента: US09397347B2. Автор: Yasuo Imashiro,Jun-Ichi Ozaki,Naokazu Sasaki,Kyosuke Iida,Katsuyuki Matsubayashi. Владелец: Gunma University NUC. Дата публикации: 2016-07-19.

On-SOI integrated circuit comprising a subjacent protection transistor

Номер патента: US09337302B2. Автор: Claire Fenouillet-Beranger,Pascal Fonteneau. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-05-10.

Field-effect transistor using oxide film to transmit information and preparation method thereof

Номер патента: RU2400865C2. Автор: Тацуя ИВАСАКИ,Хидея КУМОМИ,Тацуя ИВАСАКИ (JP),Хидея КУМОМИ (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-09-27.

Electronic circuit with conductive links and method for making such links

Номер патента: RU2296440C2. Автор: Франсуа ДРОЗ. Владелец: Награид Са. Дата публикации: 2007-03-27.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Improvements in or relating to oscillators employing field-effect transistors

Номер патента: GB1035851A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1966-07-13.

Current stabilizer comprising enhancement field-effect transistors

Номер патента: US4399375A. Автор: Adrianus Sempel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1983-08-16.

Method of forming field effect transistors relative to a semiconductor substrate and field effect transistors produced according to the method

Номер патента: US5597746A. Автор: Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Biomolecule detector based on field effect transistor arrays containing reference electrodes and detection method for biomolecules using the same

Номер патента: US20080315861A1. Автор: Jeo Young SHIM,Kyu Tae YOO,Won Seok CHUNG,Jung Im HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20210020745A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Synapse array of a neuromorphic device including a synapse array having a plurality of ferroelectricity field effect transistors

Номер патента: US20220058470A1. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20230369397A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20210074869A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2021-03-11.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: WO2018174999A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20190088765A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US11769798B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20180277657A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: US20110181324A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,Ibrahim M. Khalil. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2011-07-28.

Radio frequency switch based on negative-capacitance field effect transistors

Номер патента: US20210135702A1. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP3602612A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Method and system for providing automatic gate bias and bias sequencing for field effect transistors

Номер патента: US20170093353A1. Автор: Lloyd L. Lautzenhiser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-30.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US20240204401A1. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Bipolar electrode comprising a loaded carbon felt

Номер патента: US20200388844A1. Автор: Francis W. Richey. Владелец: EOS Energy Storage LLC. Дата публикации: 2020-12-10.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Organic light emitting ambipolar field effect transistor with distributed light emission

Номер патента: EP2786437A1. Автор: Raffaella Capelli,Stefano Toffanin,Michele Muccini,Gianluca GENERALI. Владелец: ETC SRL. Дата публикации: 2014-10-08.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Trench Field Effect Transistor Having Improved Electrical Performance

Номер патента: US20240204071A1. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Jinho Seo. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Insulated top side bump connection for a power device, for example for gate, source and drain contacts of a power field effect transistor

Номер патента: WO2014149579A1. Автор: Gregory Dix,Roger MELCHER. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Tactile stimulation apparatus having a composite section comprising a semiconducting material

Номер патента: US20140266648A1. Автор: Ville MÄKINEN,Jukka Linjama,Zohaib Gulzar. Владелец: Senseg OY. Дата публикации: 2014-09-18.

Cross-bar vertical transport field effect transistors without corner rounding

Номер патента: US20210288181A1. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Optimization of vertical transport field effect transistor integration

Номер патента: US20240136357A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Optimization of vertical transport field effect transistor integration

Номер патента: US20240234418A9. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Complementary field effect transistor (cfet) with balanced n and p drive current

Номер патента: US20240204109A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Part comprising on its surface a film incorporating at least one printed electronic circuit provided with connection terminals, method for repairing such a part and part thus repaired

Номер патента: US20240196584A1. Автор: Patrice Lefebure,Alois Friedberger,Caroline Petiot. Владелец: AIRBUS SAS. Дата публикации: 2024-06-13.

Ferroelectric field-effect transistor memory structure

Номер патента: EP4386862A1. Автор: Jan Van Houdt,Amey Mahadev Walke. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-19.

One time programming memory cell with fin field-effect transistor using physically unclonable function technology

Номер патента: US20240021256A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: EP4404270A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: US20240250126A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for processing input variables by means of a processing device comprising at least two field-effect transistors, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240259031A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Eletronic circuit with a current ripple filter

Номер патента: US20150061411A1. Автор: Martin Svensson,Mikael Appelberg,Jorgen Olsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body

Номер патента: US20160093691A1. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2016-03-31.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Field effect power transistors

Номер патента: SG185120A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a field effect transistor having a stressed channel region

Номер патента: US20060113641A1. Автор: Kai Frohberg,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Field-Effect Transistor-Based Biosensor

Номер патента: US20200072788A1. Автор: Geert Hellings,Koen Martens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-05.

Field-effect transistor-based biosensor

Номер патента: US11391692B2. Автор: Geert Hellings,Koen Martens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-07-19.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200381425A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20180342609A1. Автор: Shukun QI,Guipeng Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Electronic circuit and data storage system

Номер патента: US10622068B2. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2020-04-14.

Electronic circuit and data storage system

Номер патента: WO2015159065A1. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Two dimensional field effect transistors

Номер патента: US20180182849A1. Автор: Alireza Alian,Salim El Kazzi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-28.

Complementary field effect transistor (cfet) with balanced n and p drive current

Номер патента: WO2024137197A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Ohmic electrode, method of manufacturing Ohmic electrode, field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20070051978A1. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Combined Source And Base Contact For A Field Effect Transistor

Номер патента: US20170287835A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Combined source and base contact for a field effect transistor

Номер патента: EP3437136A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Combined source and base contact for a field effect transistor

Номер патента: WO2017172908A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Field effect power transistors

Номер патента: EP2567404A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US20170317177A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Carbon brush and method of supplying power to a carbon brush sensor

Номер патента: SE545434C2. Автор: Erik Bjorklund,Jonathan Stenberg. Владелец: Ab Dynamoborstfabriken. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional (3d) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (mosfefet) system, and related methods and systems

Номер патента: EP3610499A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20180308967A1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-10-25.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Etch stop layer for use in forming contacts that extend to multiple depths

Номер патента: US20200105886A1. Автор: Wei Hong,Hui Zang,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Replacement metal gate processes for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: EP3711098A1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Organic field emitting element and method for manufacturing organic device

Номер патента: EP2112702A4. Автор: Koichiro Iida,Masayoshi Yabe,Tomoyuki Ogata,Kazuki Okabe. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2011-04-20.

Electronic circuit with low noise delay circuit

Номер патента: US20090051399A1. Автор: Johannes Petrus Antonius Frambach. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-26.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Method of forming a field effect transistor comprising a stressed channel region

Номер патента: US20060076652A1. Автор: Kai Frohberg,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20080166848A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Distributed inductance integrated field effect transistor structure

Номер патента: US20210320053A1. Автор: Nianhua (Frank) JIANG. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2021-10-14.

Dielectric layer response-based field effect transistor photodetector

Номер патента: US20240304743A1. Автор: Hongwei HAN,Anyi MEI. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-12.

Carbon brush and method of supplying power to a carbon brush sensor

Номер патента: AU2023211164A1. Автор: Erik Bjorklund,Jonathan Stenberg. Владелец: DYNAMOBORSTFABRIKEN AB. Дата публикации: 2024-08-15.

Insulated gate field effect transistors

Номер патента: EP1771886A1. Автор: John R. Cutter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-11.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Programmable delay circuit including hybrid fin field effect transistors (finFETs)

Номер патента: US09985616B2. Автор: James D. Warnock,Ayan Datta,Sumitha George,Charudhattan Nagarajan,Vijay K. Ankenapalli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Electronic circuit with a current ripple filter

Номер патента: US09971315B2. Автор: Martin Svensson,Mikael Appelberg,Jorgen Olsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-05-15.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09859384B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Hybrid phase field effect transistor

Номер патента: US09825095B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Fin field effect transistor device with reduced overlap capacitance and enhanced mechanical stability

Номер патента: US09793378B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Vertical field effect transistor with wrap around metallic bottom contact to improve contact resistance

Номер патента: US09773913B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Isolation structure of fin field effect transistor

Номер патента: US09773892B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertical field effect transistor with undercut buried insulating layer to improve contact resistance

Номер патента: US09761726B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Self-aligned heterojunction field effect transistor

Номер патента: US09741871B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Tunnel field effect transistors having low turn-on voltage

Номер патента: US09728639B2. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09728466B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Vertical field effect transistors with bottom contact metal directly beneath fins

Номер патента: US09721845B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704752B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Field-effect transistor (FET) devices employing adjacent asymmetric active gate / dummy gate width layout

Номер патента: US09634138B1. Автор: Ukjin Roh,Youn Sung Choi,Shashank Ekbote. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Cells including at least one fin field effect transistor and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US09576978B2. Автор: Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Programmable delay circuit including hybrid fin field effect transistors (finFETs)

Номер патента: US09543935B1. Автор: James D. Warnock,Ayan Datta,Sumitha George,Charudhattan Nagarajan,Vijay K. Ankenapalli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Normally off gallium nitride field effect transistors (FET)

Номер патента: US09520480B1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Fin field effect transistors having conformal oxide layers and methods of forming same

Номер патента: US09515188B2. Автор: Syun-Ming Jang,Chia-Cheng Chen,Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Meng-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09496394B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Fin structure of fin field effect transistor

Номер патента: US09484462B2. Автор: FENG Yuan,Clement Hsingjen Wann,Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang,Hung-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Hybrid phase field effect transistor

Номер патента: US09455343B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Techniques for ion implantation of non-planar field effect transistors

Номер патента: US09455335B2. Автор: Anthony Renau,Hans-Joachim L. Gossmann. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09419114B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Krishna Kumar Bhuwalka,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-16.

System and method of manufacturing a fin field-effect transistor having multiple fin heights

Номер патента: US09412818B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors

Номер патента: RU2770915C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors

Номер патента: RU2770912C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Insertable single-cell structure for use in an energy conversion system

Номер патента: RU2676752C2. Автор: Ричард С. ЧЗАН,Фань ЧЗАН,Куньлунь ЧЭНЬ,Стефан ШРЕДЕР,Чжихуэй ЮАНЬ,Цзе Шен. Владелец: ДжиИ Энерджи Пауэр Конвёшэн Текнолоджи Лтд. Дата публикации: 2019-01-11.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Switching device with series connection of junction field-effect transistors

Номер патента: RU2550551C2. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2015-05-10.

Improvements in or relating to Electric Circuit Arrangements Employing Field Effect Transistors

Номер патента: GB1155562A. Автор: Ian Carrodus Hutcheon,Stephen Arthur Foster. Владелец: George Kent Ltd. Дата публикации: 1969-06-18.

Biasing network for use with field effect transistor ring mixer

Номер патента: US5153469A. Автор: Brian E. Petted,Jeffrey P. Ortiz,Leo J. Wilz,Robert J. Baeten. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Integrated circuit comprising complementary field effect transistors

Номер патента: US4799092A. Автор: Francois M. Klaassen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Switching circuit utilizing a field effect transistor

Номер патента: CA1237488A. Автор: William E. Bowman. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1988-05-31.

Field Effect Transistor Device, and Method for Improving Short-Channel Effect and Output Characteristic Thereof

Номер патента: US20230223466A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-13.

Three-dimensional stacked vertical transport field effect transistor logic gate with buried power bus

Номер патента: US20190221484A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: EP3724928A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-10-21.

A semiconductor device comprising a low voltage insulated gate field effect transistor connected in series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: SE1850300A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: Klas Haakan Eklund Med Firma K Eklund Innovation. Дата публикации: 2019-09-17.

Voltage detection circuit and internal voltage generating circuit comprising it

Номер патента: US20040257148A1. Автор: Youichi Tobita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Vertical field-effect transistor with isolation pillars

Номер патента: US20240072051A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional stacked vertical transport field effect transistor logic gate with buried power bus

Номер патента: US20190181054A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Fin field effect transistor including a single diffusion break with a multi-layer dummy gate

Номер патента: US20200066898A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Fin field effect transistor including a single diffusion break with a multi-layer dummy gate

Номер патента: US20200066895A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Vertical field-effect transistor with isolation pillars

Номер патента: WO2024041867A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: EP3033770A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Methods for fabricating metal-oxide-semiconductor field effect transistors using gate sidewall spacers

Номер патента: US20040203197A1. Автор: Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Electronic circuit comprising a reference voltage circuit and a start check circuit

Номер патента: US20240231410A9. Автор: Nicolas Goux,Julien Goulier,Marc Joisson. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Structure and fabrication of field-effect transistor using empty well in combination with source/drain extensions or/and halo pocket

Номер патента: WO2010110904A8. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,William D. French,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-08-11.

Structure and fabrication of field-effect transistor using empty well in combination with source/drain extensions or/and halo pocket

Номер патента: EP2412018A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,William D. French,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200251469A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Power supply electronic circuit

Номер патента: EP3105832A1. Автор: Jingxu Gu. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-12-21.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Laterally diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180114831A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method for characterizing defects in electronic items using magnetic field detection

Номер патента: US11747407B2. Автор: C. Macgill LYNDE,Christopher A. Wiklof,Derek Platt,Alan Corwin,Ronald SCHOENBERG. Владелец: Innovaura Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148680A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Junction field effect transistor

Номер патента: US20110101500A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar,Patrick Martin McGuiness. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

MIS field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030211718A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Field effect transistor

Номер патента: US20240088058A1. Автор: Hideaki Yamada,Takahiro Yamaguchi,Junichi Kaneko,Hitoshi Koizumi,Shinya OHMAGARI,Hitoshi Umezawa,Naohisa HOSHIKAWA. Владелец: Ookuma Diamond Device Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Field effect transistor device

Номер патента: US20180097057A1. Автор: Pramod Kumar,Nir Tessler,Yoav Eichen,Yulia GERCHIKOV. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-05.

Field effect transistor device

Номер патента: WO2016157186A1. Автор: Pramod Kumar,Nir Tessler,Yoav Eichen,Yulia GERCHIKOV. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2016-10-06.

Field effect transistor device

Номер патента: EP3278369A1. Автор: Pramod Kumar,Nir Tessler,Yoav Eichen,Yulia GERCHIKOV. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2018-02-07.

Apparatuses including passing word lines comprising a band offset material, and related methods and systems

Номер патента: US20220246727A1. Автор: Deepak Chandra Pandey,Venkata Naveen Kumar Neelapala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20020036329A1. Автор: Robert Baird,Steven Merchant,Phillipe Dupuy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Field effect transistor, compound semiconductor substrate and process for forming a recess therein

Номер патента: US20080153303A1. Автор: Matthew Francis O'Keefe,Richard Alun Davies,Michael Charles Clausen,Robert Grey. Владелец: FILTRONIC PLC. Дата публикации: 2008-06-26.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Compound Semiconductor Substrate For a Field Effect Transistor

Номер патента: US20090261382A1. Автор: Matthew Francis O'Keefe,Richard Alun Davies,Michael Charles Clausen,Robert Grey. Владелец: FILTRONIC PLC. Дата публикации: 2009-10-22.

Method and system for control of sidewall orientation in vertical gallium nitride field effect transistors

Номер патента: US20220328688A1. Автор: Hao Cui,Michael Craven,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi,David DeMuynck. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Stacked graphene field-effect transistor

Номер патента: US20170077261A1. Автор: Joshua T. Smith,Hiroyuki Miyazoe,Aaron D. Franklin,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Electronic circuit and corresponding protection method

Номер патента: US20240260176A1. Автор: Sylvain DUCLOYER,Nicolas COULON,Yannick DOUARD. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2024-08-01.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

MIS field effect transistor with metal oxynitride film

Номер патента: US6803635B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-12.

System and method for use in electron microscopy

Номер патента: US20180294136A1. Автор: Gal HARARI,Ido KAMINER,Mordechay Segev,Maor MUTZAFI. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Compound semiconductor substrate for a field effect transistor

Номер патента: US7868356B2. Автор: Matthew Francis O'Keefe,Richard Alun Davies,Michael Charles Clausen,Robert Grey. Владелец: FILTRONIC PLC. Дата публикации: 2011-01-11.

System and method for use in electron microscopy

Номер патента: WO2016181385A1. Автор: Gal HARARI,Ido KAMINER,Mordechay Segev,Maor MUTZAFI. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2016-11-17.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09953884B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Dynamic tag compare circuits employing P-type field-effect transistor (PFET)-dominant evaluation circuits for reduced evaluation time, and related systems and methods

Номер патента: US09947406B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit comprising transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09911737B2. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Philippe Flatresse,Bertrand Pelloux-Prayer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-03-06.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09911598B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Solution for a semiconducting layer of an organic electronic device

Номер патента: US09905783B2. Автор: Christopher Newsome,Daniel Tobjork. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899526B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Li-Te Hsu,Chih-Hsiang Chu,Chung-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09876084B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09799568B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09786751B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768168B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication

Номер патента: US09748391B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722079B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Stacked graphene field-effect transistor

Номер патента: US09711613B2. Автор: Joshua T. Smith,Hiroyuki Miyazoe,Aaron D. Franklin,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09704960B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Field effect transistor devices having interconnect structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09627316B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Fin tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09614049B2. Автор: Krishna Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09613867B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR)

Номер патента: US09595519B2. Автор: Patrick L. Cole,Mark Savage,Jeffrey L. Titus,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-14.

III-V gate-all-around field effect transistor using aspect ratio trapping

Номер патента: US09590107B2. Автор: SANGHOON Lee,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09570443B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

High-side field effect transistor

Номер патента: US09508813B1. Автор: Yen-Ming Chen,Min-Hsuan Tsai,Wei Hsuan Chang,zheng hong Chen,Chiuling Lee,Tseng-Hsun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Stacked graphene field-effect transistor

Номер патента: US09508801B2. Автор: Joshua T. Smith,Hiroyuki Miyazoe,Aaron D. Franklin,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Processes used in fabricating a metal-insulator-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09508596B2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva Pattanayak. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Operational amplifier with a paraphase output for active rc-filters operating under conditions of neutron flux and low temperatures

Номер патента: RU2724921C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-26.

Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2721945C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Operational amplifier with low zero offset voltage on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770913C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Trigger logic element and/and-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2763585C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-12-30.

Trigger adder on modulus two on field-effect transistors

Номер патента: RU2714105C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-11.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060125006A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Method, device, and electronic signature tool for use in matching with audio interface of mobile terminal

Номер патента: RU2602390C2. Автор: Дуншэн ЛИ. Владелец: Тендирон Корпорейшн. Дата публикации: 2016-11-20.

Multi-output dc-dc converter using field-effect transistor switched at high frequency

Номер патента: CA2034531C. Автор: Hideo Nochi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Switching circuit with mos field effect transistor

Номер патента: CA1127724A. Автор: Tadao Yoshida,Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

Aerosol-forming system and aerosol-forming article for use in such system

Номер патента: RU2703099C2. Автор: Олег МИРОНОВ,Ихар Николаевич ЗИНОВИК,Олег ФУРСА. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-10-15.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759A1. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Johan Roger Axel Karlsson. Дата публикации: 1999-08-12.

Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making

Номер патента: US20070099360A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

High speed electronic circuit breaker

Номер патента: US4979068A. Автор: Seyd M. Sobhani,Anthony O. Thomas. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1990-12-18.

High voltage system using enhancement and depletion field effect transistors

Номер патента: US5051618A. Автор: Perry W. Lou. Владелец: Idesco Oy. Дата публикации: 1991-09-24.

Electronic circuits with wide dynamic range of on/off delay time

Номер патента: US6153948A. Автор: Shukri J. Souri,Adrian I. Cogan. Владелец: Tyco International PA Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Field effect transistor using diamond

Номер патента: US5903015A. Автор: Hiromu Shiomi,Yoshiki Nishibayashi,Shin-ichi Shikata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-05-11.

Field effect transistor using diamond

Номер патента: CA2158182C. Автор: Hiromu Shiomi,Yoshiki Nishibayashi,Shin-ichi Shikata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-03-14.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759C. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Biasing circuit for a field effect transistor

Номер патента: CA1227545A. Автор: Christian Rumelhard. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1987-09-29.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, manufacturing method of field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, and manufacturing method of amorphous oxide film

Номер патента: US7956361B2. Автор: Tatsuya Iwasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-07.

Field effect transistor-bipolar transistor darlington pair

Номер патента: US5187110A. Автор: Eric A. Martin,Olaleye A. Aina. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Hybrid field effect transistor and surface enhanced infrared absorption based biosensor

Номер патента: US20210181098A1. Автор: Abram L. Falk,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US20200091342A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US10879390B2. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190280120A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Multi-gate device integration with separated fin-like field effect transistor cells and gate-all-around transistor cells

Номер патента: US11791339B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Cross field effect transistor (XFET) library architecture power routing

Номер патента: US11862640B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Transistors for replacing metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in nanoelectronics

Номер патента: US20120309142A1. Автор: Mark S. Miller,Justin Millis,Justin B. Jackson,Divesh Kapoor. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2012-12-06.

Emitter coupled logic circuit with a data reload function

Номер патента: US20030011401A1. Автор: Ling-Wei Ke. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20230387122A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Ferroelectric field-effect transistors with a hybrid well

Номер патента: US20240120420A1. Автор: Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC,Zhixing ZHAO,Dominik Martin Kleimaier. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-04-11.

Gate-last process for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: US20200219777A1. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: US11316017B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2022-04-26.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: EP3688812A1. Автор: Damien Lenoble,Renaud Leturcq,Jonathan CREPELLIERE,Petru LUNCA POPA. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2020-08-05.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: WO2019063703A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2019-04-04.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: US20200266277A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2020-08-20.

Field effect transistor, gas sensor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210325336A1. Автор: Junzo Ukai,Taishi Shiotsuki,Tsuyoshi Minami,Yui Sasaki. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-10-21.

Field-effect transistor, field-effect transistor array structure and method of manufacturing field-effect transistor

Номер патента: US20220149166A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Adjacent buried power rail for stacked field-effect transistor architecture

Номер патента: WO2024114309A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-06.

Adjacent buried power rail for stacked field-effect transistor architecture

Номер патента: US20240178050A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated electronic circuit comprising a first transistor and a ferroelectric capacitor

Номер патента: US20200043938A1. Автор: Konrad Seidel,Thomas Kaempfe,Patrick Polakowski. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2020-02-06.

Electronic circuit for an electrochemical gas sensor

Номер патента: US20200191742A1. Автор: Jia WU,Keith Francis Edwin Pratt,Guoliang Li,Fuyin LIU,Ian UNDERHAY,Arek MAJCZAK. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Field effect transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240213373A1. Автор: Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

PHOTOCONDUCTIVE SEMICONDUCTOR SWITCH LATERALLY FABRICATED ALONGSIDE GaN ON Si FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20220320360A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Clay T. Long,Lovelace Soirez,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-10-06.

Photoconductive semiconductor switch laterally fabricated alongside gan on si field-effect transistors

Номер патента: EP4315432A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Clay T. Long,Matthew T. Dejarld,Lovelace J. Soirez. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-02-07.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

PHOTOCONDUCTIVE SEMICONDUCTOR SWITCH LATERALLY FABRICATED ALONGSIDE GaN ON Si FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: WO2022212487A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Clay T. Long,Matthew T. Dejarld,Lovelace J. Soirez. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20240055528A1. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Multi-gate field-effect transistor with enhanced and adaptable low-frequency noise

Номер патента: US20120168868A1. Автор: Hsin Chen,Jeng Gong,Tang-Jung CHIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Raised Source/Drain Field Effect Transistor

Номер патента: US20130043520A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Electronic Circuit and Method for Recovering Desired Signals from Carrier Signals by Demodulation as well as a Modem

Номер патента: US20130163651A1. Автор: Stefan Pilz,Björn HAASE. Владелец: Endress and Hauser Conducta Gesellschaft fuer Mess und Regeltechnik mbH and Co KG. Дата публикации: 2013-06-27.

Fabrication of complementary field-effect transistors with vertical body-material dopant profiles tailored to alleviate punchthrough and reduce current leakage

Номер патента: US7785971B1. Автор: Fu-Cheng Wang,Constantin Bulucea,Prasad Chaparala. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Linearizing field effect transistors in the ohmic region

Номер патента: US20130187683A1. Автор: Omid Foroudi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Field-effect transistor using amorphous oxide

Номер патента: EP2243164A1. Автор: Tatsuya Iwasaki,Naho Itagaki,Amita Goyal. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-10-27.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Molded housing used in force fit method

Номер патента: US20100282507A1. Автор: Ronny Ludwig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Field effect transistor

Номер патента: EP4273938A1. Автор: Hideaki Yamada,Takahiro Yamaguchi,Junichi Kaneko,Hitoshi Koizumi,Shinya OHMAGARI,Hitoshi Umezawa,Naohisa HOSHIKAWA. Владелец: Ookuma Diamond Device Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Field effect transistor (fet) and fet circuitry

Номер патента: WO2001035500A3. Автор: William Eccleston,Giles Christian Rome Lloyd. Владелец: Giles Christian Rome Lloyd. Дата публикации: 2002-05-10.

Deep buried channel junction field effect transistor (DBCJFET)

Номер патента: US20070275515A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of selective determination of the concentration of gas-containing mercapt-containing and/or amine-containing compounds by means of a gas sensor on the basis of organic field transistor and device for selective determination of the concentration of gas-bearing and/or amine-containing compounds

Номер патента: RU2675667C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Елена Валериевна Агина,Алексей Сергеевич Сизов,Михаил Юрьевич Яблоков,Алексей Андреевич Васильев,Аскольд Альбертович Труль,Виктория Петровна Чекусова,Александр Анатольевич Пермяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Печатной Электроники" (ООО "ПРИНТЭЛТЕХ"). Дата публикации: 2018-12-21.

Electronic circuits supply voltage stabilizer

Номер патента: RU2767990C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Ставропольский государственный аграрный университет». Дата публикации: 2022-03-22.

Co2 sensor based on a diamond field effect transistor

Номер патента: US20150177184A1. Автор: Bogdan Catalin Serban,Mihai Brezeanu,Octavian Buiu,Viorel Georgel Dumitru. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Device and process for magnetic material detection in electronic article surveillance (eas) electromagnetic systems

Номер патента: CA2643793A1. Автор: Jorge Jose Gouveia Abrunhosa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Device and process for magnetic material detection in electronic article surveillance (eas) electromagnetic systems

Номер патента: WO2007101317A2. Автор: Jorge Jose Gouveia Abrunhosa. Владелец: Gouveia Abrunhosa Jorge Jose. Дата публикации: 2007-09-13.

Device and process for magnetic material detection in electronic article surveillance (eas) electromagnetic systems

Номер патента: EP1991968A2. Автор: Jorge Jose Gouveia Abrunhosa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-19.

Voltage stabilizer for supply of electronic circuits

Номер патента: RU2755670C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2021-09-20.

Electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cell

Номер патента: US20240055036A1. Автор: Thomas KÄMPFE,Nelli Laleni. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of operating an electronic circuit for measurement of transistor variability and the like

Номер патента: US7764080B2. Автор: Keith A. Jenkins,Jae-Joon Kim,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-27.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US9683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of Operating an Electronic Circuit for Measurement of Transistor Variability and the Like

Номер патента: US20080315907A1. Автор: Keith A. Jenkins,Jae-Joon Kim,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US09683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: EP1506392A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen STW. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: WO2003098204A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen. Дата публикации: 2003-11-27.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

Rectifying electronic circuit

Номер патента: WO2024180359A1. Автор: Lars Klemm. Владелец: Linxens Holding. Дата публикации: 2024-09-06.

Disposable cartridge for use in electronic nicotine delivery system

Номер патента: RU2692831C2. Автор: Александру ПАУНЕСКУ,Салих Мухсин МУХАММЕД,Кристофер ОЛТОРП,Айан Джеймс БИНДЕР,Дэвид Эндрю МАКЛЕОД,Ли КЕЛЕПУРИС,Йохан НОРДСТРОМ. Владелец: Макнейл Аб. Дата публикации: 2019-06-28.

Routing of wires of an electronic circuit

Номер патента: US8015527B2. Автор: Juergen Koehl,Markus Buehler,Markus Olbrich,Philipp Panitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Method for activating fuse units in electronic circuit device

Номер патента: US20030145303A1. Автор: Gerd Frankowsky. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

System and Method for Improved Hierarchical Analysis of Electronic Circuits

Номер патента: US20090183130A1. Автор: Vasant Rao,Jeffrey P. Soreff,Ravichander Ledalla,Philip G. Shephard, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Non-planar field effect transistor test structure and lateral dielectric breakdown testing method

Номер патента: US09453873B2. Автор: Fen Chen,Michael A. Shinosky,Roger A. Dufresne,Kevin Kolvenbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Luggage bag comprising a geolocation module associated with a communication module

Номер патента: US09424723B2. Автор: Franck Albert Dubarry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-23.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Aerosol-generating system and aerosol-generating article for use in such system

Номер патента: RU2704890C2. Автор: Олег МИРОНОВ,Ихар Николаевич ЗИНОВИК,Олег ФУРСА. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-10-31.

Biasing arrangements for electronic circuits

Номер патента: CA1154104A. Автор: Satwinder D.S. Malhi,Clement A.T. Salama. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-09-20.

Sustain keyer circuitry with sustain time control circuit in electronic musical instrument

Номер патента: US3637915A. Автор: Katsuhiko Hirano. Владелец: Nippon Gakki Co Ltd. Дата публикации: 1972-01-25.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

Magnetic resonance imaging with switched-mode current-source amplifier having gallium nitride field effect transistors for parallel transmission in MRI

Номер патента: US09747789B2. Автор: Michael Twieg,Mark Griswold. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor integrated circuit device implemented by bipolar and field effect transistors and having stable sense amplifier

Номер патента: US5550778A. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

A field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US20160116434A1. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2016-04-28.

Ultrasound-based wireless battery-free implantable sensors comprising a solutiongated field-effect transistor

Номер патента: WO2023209142A1. Автор: Bruno FAIN,Clément Hébert,Sahil Sharma,Carole-Anne LERNOUD. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2023-11-02.

Electronic circuit for ion sensor

Номер патента: US20040223287A1. Автор: Wen-Yaw Chung,Chung-Huang Yang,Wladyslaw Torbicz,Alfred Krzyskow,Dorota Pijanowska,Yeong-Tsair Lin. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-11-11.

Improvements in Apparatus for Use in the Purification of Sewage and other Polluted Waters.

Номер патента: GB189901641A. Автор: Hector Tulloch. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-01-13.

A filling material for use in mattresses, futon, pillows and stuffed toys

Номер патента: PH22013000547Y1. Автор: Noel K Torres. Владелец: Noel K Torres. Дата публикации: 2014-09-22.

Anchorage device for use in sand or sandy soils

Номер патента: MY131296A. Автор: Rodney Walter Bellette. Владелец: Rodney Walter Bellette. Дата публикации: 2007-08-30.

Fullerene Derivatives and Organic Electronic Device Comprising the Same

Номер патента: US20120004476A1. Автор: KIM Dong Wook,LIM Hyun Seok,LEE Jaemin,JUNG Jae Wook,Yoon Sung Cheol,Lim Jongsun,Lee Chang Jin,KANG YONGKU,NAM So Youn. Владелец: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing norbornene-substituted cyclopropane fullerene derivatives and polymers based thereon

Номер патента: RU2579148C1. Автор: Ахат Газизьянович Мустафин,Раиса Зигандаровна Биглова,Юлия Николаевна Биглова,Мансур Сагарьярович Мифтахов,Владимир Владимирович Михеев,Седа Арамовна Торосян,Вадим Венерович Загитов,Фануза Арслановна Гималова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет". Дата публикации: 2016-04-10.

IGNITION CONTROL APPARATUS USED IN ELECTRONIC BALLAST AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001565A1. Автор: Hu Jin,Xu Qing,Wu Quansong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

USER INTERFACE WITH A COMPOSITE IMAGE THAT FLOATS

Номер патента: US20120002292A1. Автор: Smithson Robert L.W.,Iwasawa Masaru,Mizuno Kazuhiko,Rylander Richard L.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRODUCE WEIGHING SCALE WITH A CAMERA AND METHODS OF OPERATING A PRODUCE WEIGHING SCALE HAVING A CAMERA

Номер патента: US20120000976A1. Автор: Rollyson Stephen,Ehrhardt Dale. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Heterostructure modulated-doped field-effect transistor

Номер патента: RU2534437C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Юрий Владимирович Колковский,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-11-27.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Embedding Animation in Electronic Mail, Text Messages and Websites

Номер патента: US20120001924A1. Автор: Richardson Douglas G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WIND TURBINE BLADE WITH A LIGHTNING PROTECTION SYSTEM

Номер патента: US20120003094A1. Автор: . Владелец: LM GLASFIBER A/S. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Flip-flop logic element not on field-effect transistors

Номер патента: RU2704748C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Максим Сергеевич Брусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-10-30.

Field Effect Resistor for ESD Protection

Номер патента: US20120003818A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Glycopeptide fullerene derivative showing adjuvant activity

Номер патента: RU2124022C1. Автор: М.Е. Вольпин,В.Т. Иванов,В.С. Романова,М.Н. Жмак,О.М. Вольпина,М.А. Куприянова,Т.М. Андронова,Е.А. Макаров,З.Н. Парнес. Владелец: Институт биоорганической химии им.М.М.Шемякина и Ю.А.Овчинникова РАН. Дата публикации: 1998-12-27.

Method for mounting heat-exhausting electric radio-elements in electronic modules (variants)

Номер патента: RU2265977C2. Автор: А.Ю. Гончаров. Владелец: Гончаров Александр Юрьевич. Дата публикации: 2005-12-10.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING POWER CONSUMPTION USED IN COMMUNICATION SYSTEM HAVING TIME SLOTS

Номер патента: US20120002561A1. Автор: Su Wei-Kun,Huang Po-Chun,Chen Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Method of field effect transistor production with schottky barrier

Номер патента: RU2349987C1. Автор: Вадим Леонидович Романов,Максим Викторович Драгуть. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2009-03-20.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.