半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置.

半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置

Номер патента: CN102169823B
Опубликовано: 25-11-2015
Автор(ы): 栉引理人, 西村荣一
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device manufacturing method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8772172B2. Автор: Eiichi Nishimura,Masato Kushibiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20200312622A1. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US09583315B2. Автор: Tomoyuki Mizutani,Hiroshi Tsujimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Inductively coupled plasma etching apparatus, and inductively coupled plasma etching method using same

Номер патента: US20240055226A1. Автор: Byung Jun Lee,Kwang Ho KWON,No Min LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma etching apparatus and method for operating the same

Номер патента: US12046451B2. Автор: Ju Ho Lee,Seung Bo SHIM,Doug Yong SUNG,Nam Kyun Kim,Seung Han BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09748259B1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240055526A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Yu-Chi Lin,Yu-Ting WENG,Chiung Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20230245897A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20100133234A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Tetsuo Yoshida,Ryoichi Yoshida,Michishige Saito,Akira Obi,Toshikatsu Wakaki,Hayato Aoyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Plasma etching apparatus, plasma etching method using the same, and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20230187186A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of Producing a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20160071819A1. Автор: Manfred Engelhardt,Edward Fuergut,Bernd Roemer,Hannes Eder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09564325B2. Автор: Hyunwoo Kim,Ki-Jeong Kim,Hyosung Lee,Chawon KOH,Cheol Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170062327A1. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180068944A1. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9831179B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20080190892A1. Автор: Sung Tae Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20210118690A1. Автор: Shuichi Kuboi,Seiya YOSHINAGA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of manufacturing a semiconductor device including removing a relief layer from back surface of semiconductor chip

Номер патента: US09646856B2. Автор: Thorsten Meyer,Klaus Reingruber,David O'Sullivan. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297225A1. Автор: SHEN Wang,Shiang-Bau Wang,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hong Pin Lin,Kung-Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09570319B2. Автор: MING-CHING Chang,yu chao Lin,Chao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057734A1. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US09455156B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US20020009888A1. Автор: Akira Mizumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170345679A1. Автор: Sangjin Kim,TaeYong KWON,Yunkyeong JANG,Donghoon HWANG,Sebeom OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11145733B1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Po-Wen Su,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Method of making a semiconductor device using a barrier and antireflective coating (BARC) layer

Номер патента: US09589798B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of etching a semiconductor device

Номер патента: US7144749B2. Автор: Khim Hong Ng,Chin Ling Pong. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2006-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09524925B2. Автор: Yoshifumi ZAIZEN,Masaki Okamoto,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kazunori Nagahata,Reijiroh Shohji,Yutaka Ooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of forming a semiconductor device with a gate stack having tapered sidewalls

Номер патента: US09520474B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11776810B2. Автор: Chun-Yen Chang,Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Chih-Kai Yang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Ya Hui Chang,Chun-Hung Wu,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230411156A1. Автор: Chun-Yen Chang,Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Chih-Kai Yang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Ya Hui Chang,Chun-Hung Wu,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060211214A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027594B2. Автор: SHEN Wang,Shiang-Bau Wang,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hong Pin Lin,Kung Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786556B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09646982B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a transfer mask, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150227039A1. Автор: Masahiro Hashimoto,Osamu Nozawa,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a transfer mask, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9256122B2. Автор: Masahiro Hashimoto,Osamu Nozawa,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-02-09.

Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a transfer mask, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8501372B2. Автор: Masahiro Hashimoto,Osamu Nozawa,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a transfer mask, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09612527B2. Автор: Masahiro Hashimoto,Osamu Nozawa,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160071859A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US20160079086A1. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US09761689B2. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US09508551B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jeehoon HAN,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Methods of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device thereby

Номер патента: US20120187471A1. Автор: Seong-soo Lee,Dae-hyun Jang,Gyung-Jin Min,Suk-Ho Joo,Yoo-Chul Kong,Han-Geun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and designing a mask pattern

Номер патента: US20020197567A1. Автор: Akira Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and designing a mask pattern

Номер патента: US6815148B2. Автор: Akira Matsumoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Method of manufacturing a semiconductor device by ion implantation through an ion-sensitive resist

Номер патента: US5037767A. Автор: Peter J. Daniel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1991-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12142533B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09985034B2. Автор: Chang-Hyun Cho,Chan-Sic Yoon,Ho-In Ryu,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490178B2. Автор: Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing a semiconductor device with a continuous silicate glass structure

Номер патента: US09384960B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Markus Zundel,Alexander Susiti,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of producing a semiconductor device including treatment with dilute hydrofluoric acid

Номер патента: US8951844B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naomi Yanai,Yuka Kase. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160336431A1. Автор: Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Wen-Chung Yang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180190656A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Yu-Chieh Lin,Shih-Fang Tzou,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of wiring layout, semiconductor device, program for supporting design of wiring layout, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09953126B2. Автор: Koichi Nakayama,Toshiya Kotani,Chikaaki Kodama,Shigeki Nojima,Fumiharu Nakajima,Hirotaka Ichikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device comprising a gradually increasing field dielectric layer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893158B2. Автор: Oliver Haeberlen,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming key patterns and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09704721B2. Автор: Ja-Min Koo,Heeju Shin,Jonghwa Baek,Boo-Hyun Ham,Rankyung Jung,Hyunchang LEE,Yongkug Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device having bit line structures disposed in trenches

Номер патента: US09666585B2. Автор: Myoung Soo Kim,Jin Ki Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490349B1. Автор: Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Wen-Chung Yang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Fabrication method of integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20200395241A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongsoo Woo,Joonyoung Choi,Junsoo Kim,Namho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20080227258A1. Автор: Keon-Soo Kim,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-18.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09966262B2. Автор: JaeWoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09853111B2. Автор: Bon Young Koo,Kyung In CHOI,Hyun Gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793291B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Young-dae Kim,Hong-suk Kim,Jung-Hwan Kim,Hun-Hyeong Lim,Hyun-Jin Shin,Yong-Seok Cho,Han-Vit YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20090075462A1. Автор: Rolf Weis,Dirk Manger,Christoph Noelscher. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of removing a photoresist pattern, method of forming a dual polysilicon layer using the removing method and method of manufacturing a semiconductor device using the removing

Номер патента: US20070298596A1. Автор: Keum-Joo Lee,Kyoung-Chul Kim,Byoung-Yong Gwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-27.

Methods of forming a semiconductor device and related semiconductor devices

Номер патента: US20200211981A1. Автор: Adam L. Olson,John D. Hopkins,Jeslin J. Wu,Rohit Kothari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma edge ring, plasma etching apparatus including the same, and plasma etching method using the same

Номер патента: US20230142436A1. Автор: Sang Ki Nam,Hyunjoo Lee,Young Hyun Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11328931B1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Teng Liao,En-Ping Lin,I-Chung Wang,Yu-Ling Ko,Sheng-Kai Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220270886A1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Teng Liao,En-Ping Lin,I-Chung Wang,Yu-Ling Ko,Sheng-Kai Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US09653357B2. Автор: Junichi Arami,Kenji Okazaki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Plasma etching apparatus and method of plasma etching a semiconductor substrate

Номер патента: EP3958288A1. Автор: Maxime Varvara,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US5895551A. Автор: Chang Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-20.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20050061447A1. Автор: Yong-Dae Kim,Do-hyeong Kim,Doo-Won Lee,Soon-Ho Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-24.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20030203640A1. Автор: Kazue Takahashi,Saburo Kanai,Toshio Masuda,Tetsunori Kaji,Mitsuru Suehiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Wafer dicing with wide kerf by laser scribing and plasma etching hybrid approach

Номер патента: US20140346641A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Aparna Iyer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Process gas for cryogenic etching, plasma etching apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230230840A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Dongkyu LEE,Songyun Kang,Younseon Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Plasma etching apparatus component for manufacturing semiconductor comprising composite sintered body and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240055266A1. Автор: Young Jo Park,Jae Woong Ko,Ha Neul Kim,Mi Ju KIM,Hyeon Myeong OH. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma etching apparatus component and manufacturing method for the same

Номер патента: US20130251949A1. Автор: Michio Sato,Takashi Hino,Takashi Rokutanda,Masashi Nakatani. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606780C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having an active region and dummy patterns

Номер патента: US8119495B2. Автор: Kenichi Kuroda,Kozo Watanabe,Hirohiko Yamamoto. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Method of manufacturing a semiconductor device having interconnections located both above a semiconductor region and above an isolation region adjoining it

Номер патента: US4973562A. Автор: Hubertus J. den Blanken. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240249941A1. Автор: Ching-Yu Chang,Wei-Han Lai,Jing Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of wiring layout, semiconductor device, program for supporting design of wiring layout, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09977855B2. Автор: Koichi Nakayama,Toshiya Kotani,Chikaaki Kodama,Shigeki Nojima,Fumiharu Nakajima,Hirotaka Ichikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US09640585B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20180130665A1. Автор: Hyun Park,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of forming a semiconductor device comprising at least one germanium nanowire

Номер патента: US10714595B2. Автор: Liesbeth Witters,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-14.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09953878B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee,Ming-Huan Tsai,Chun-Hsiang FAN,Pei-Yi Lin,Sheng-Wen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of treating a porous dielectric layer and a method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09576848B2. Автор: Sanghoon Ahn,NaeIn Lee,Byunghee Kim,Thomas Oszinda,Taejin Yim,Keeyoung Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming a semiconductor device with multiple etch stop layers and inter-layer dielectrics

Номер патента: US09859431B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: WO2007148277A3. Автор: Fred Hurx,Johannes Josephus Theo Donkers. Владелец: Johannes Josephus Theo Donkers. Дата публикации: 2008-02-28.

Method of manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: EP2038919A2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Fred Hurx. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: WO2007148277A2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Fred Hurx. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-12-27.

Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process

Номер патента: SG11201809012PA. Автор: AJAY Kumar,James S Papanu,Brad Eaton,Prabhat Kumar,Wenguang Li,Alexander N Lerner,Ramesh Krishnamurthy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Hybrid wafer dicing approach using a rectangular laser spot-based laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20240363412A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Zavier Tan,Praveen Choragudi,Ananth Jupudi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09646951B2. Автор: Sudhama C. Shastri,Richard D. Moyers. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance

Номер патента: US20150214109A1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-30.

Laser scribing trench opening control in wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach

Номер патента: US20240079273A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Wei-Sheng Lei,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Laser scribing trench opening control in wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach

Номер патента: US11854888B2. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Wei-Sheng Lei,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch

Номер патента: US8642448B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Saravjeet Singh,James M. Holden. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210242309A1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240274668A1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: MY175969A. Автор: D Moyers Richard,C Shastri Sudhama. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2020-07-17.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20160064234A1. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of fabricating a semiconductor device including a plurality of isolation features

Номер патента: US09685344B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240258174A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09553165B2. Автор: Gordon M. Grivna,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09530870B2. Автор: Nam-Kyu Kim,Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Byeongchan Lee,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Sujin JUNG,Dong Chan Suh,Jieon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20140363939A1. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of forming nitride semiconductor epitaxial layer and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8349078B2. Автор: Makoto Kiyama,Hiromu Shiomi,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yu Saitoh,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230230936A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11984324B2. Автор: Yu-chen Wei,Feng-Inn Wu,Tzi-Yi Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240203750A1. Автор: Yu-chen Wei,Feng-Inn Wu,Tzi-Yi Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Multi-layer mask including non-photodefinable laser energy absorbing layer for substrate dicing by laser and plasma etch

Номер патента: US09620379B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process

Номер патента: US09793132B1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Brad Eaton,Alexander N. Lerner,Prabhat Kumar,Wenguang Li,Ramesh Krishnamurthy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: EP4010919A1. Автор: James S. Papanu,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment

Номер патента: WO2020055523A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US9852997B2. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: WO2017165706A1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-09-28.

Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: EP4014251A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20210050263A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20210043515A1. Автор: James S. Papanu,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Manufacturing method of semiconductor device, method of testing the semiconductor device and wafer holding member

Номер патента: US20230411200A1. Автор: Koji Ogata,Tsuyoshi Kanao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film

Номер патента: US8507363B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Saravjeet Singh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210296439A1. Автор: Yu-Lin Yang,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12119394B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240371982A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11776852B2. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12062580B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200105608A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a cleaning composition for an adhesive layer

Номер патента: US20180211830A1. Автор: Hyo-Sun Lee,Jung Hun Lim,Hoyoung Kim,Soojin Kim,Tae Soo Kwon,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jinhye Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240355681A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming a semiconductor device including a pitch multiplication

Номер патента: US09741582B2. Автор: Lionel LUPO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240014063A1. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of manufacturing a semiconductor device having frame structures laterally surrounding backside metal structures

Номер патента: US20220085174A1. Автор: Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Ronny Kern,Matteo Piccin,Guenter Denifl,Michael KNABL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor Device Including an Isolation Structure and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160190241A1. Автор: Till Schloesser,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device including an isolation structure and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09614033B2. Автор: Till Schloesser,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US12040218B2. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US09449879B2. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor device with buried channel/body zone and semiconductor device

Номер патента: US09368408B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-14.

Methods of forming dram assemblies, transistor devices, and openings in substrates

Номер патента: US20020072208A1. Автор: Er-Xuan Ping,Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device, pattern correction apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20080241972A1. Автор: Tomohiko Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Rear-Side Insert Structure

Номер патента: US20160300719A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-13.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09508832B2. Автор: Hyun Jung Lee,Seung Hun Lee,Poren Tang,Sunjung Kim,Jongryeol YOO,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170148887A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09911828B2. Автор: NAKJIN SON,Yeon Ho Park,Kyungsoo Kim,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench at least partially filled with a conductive material in a semiconductor substrate

Номер патента: US09842904B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device with lateral FET cells and field plates

Номер патента: US09660055B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of manufacturing FINFET semiconductor devices using sacrificial gate patterns and selective oxidization of a fin

Номер патента: US09431522B2. Автор: Sung-dae Suk,Sungmin Kim,JaeHoo PARK,Daewon HA,Dongho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7592260B2. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080057735A1. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of forming active patterns, active pattern array, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09634012B2. Автор: Sung-hee Han,Tae-Jin Park,Eun-Jung Kim,Dae-Ik Kim,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Yong-Kwan Kim,Chan-Sic Yoon,Hyeon-Ok Jung,Se-Myeong Jang,Ki-Seok Lee,Min-Su Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of making a semiconductor device having a semiconductor material on a relaxed semiconductor including replacing a strained, selective etchable material, with a low density dielectric in a cavity

Номер патента: US09530669B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming a pattern and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09425059B2. Автор: Jin-Seo Lee,Jung-Sik Choi,Youn-Joung Cho,Hyo-Jin Yun,Ji-man Park,Jun-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by means of the method

Номер патента: CA1216969A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-01-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240047379A1. Автор: Alim Karmous,Norbert Labrenz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11367784B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20180047582A1. Автор: Marko Lemke,Carsten Moritz,Alfred Vater. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-02-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200006154A1. Автор: I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070184634A1. Автор: Shinya Suzuki,Masatoshi Iwasaki,Toshiaki Sawada. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US20200388502A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US20220181161A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US9147579B2. Автор: Reiko Hiruta. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device with lateral FET cells and field plates

Номер патента: US9287404B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-15.

Method of fabricating a semiconductor device using laser annealing

Номер патента: US20230180473A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230352397A1. Автор: Eiji HIRAIWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of reducing an impurity concentration in a semiconductor body, method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09425063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11488829B1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6358835B1. Автор: Ryuichi Kanamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220367192A1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device including graphene interconnect and method of making the semiconductor device

Номер патента: US20230335497A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of fabricating conductive pattern, display device, and method of fabricating display device

Номер патента: US12041830B2. Автор: Jong Hyun Choung,Hong Sick Park,Jae Uoon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020019089A1. Автор: Masahiro Shimizu,Takashi Miyajima,Toshinori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110318910A1. Автор: Haruo Nakazawa,Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09418852B2. Автор: Haruo Nakazawa,Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09984887B2. Автор: Motomu DEGAI. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080200020A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240121953A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11889672B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: EP1728270A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-12-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5405803A. Автор: Takahisa Kusaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20060102288A1. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US8192577B2. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-06-05.

Focus ring and plasma etching apparatus comprising the same

Номер патента: EP4322200A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Focus ring and plasma etching apparatus comprising the same

Номер патента: US20240055238A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma etching apparatus and plasma cleaning method

Номер патента: US09659756B2. Автор: Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus

Номер патента: US5746928A. Автор: Po-Tao Chu,Kuang-Hui Chang,Shih Kuei Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Photomask plasma etching apparatus, etching method, and photomask forming method

Номер патента: US20060292727A1. Автор: Takeharu Motokawa,Junichi Tonotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of uv release dicing tape for film frame wafer application

Номер патента: WO2014062582A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided uv-curable adhesive film

Номер патента: WO2014004917A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-03.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160079201A1. Автор: Won Chul Do,Jin Hee Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Color filter manufacturing method and apparatus, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having display device, and display device panel manufacturing method and apparatus

Номер патента: KR100401316B1. Автор: 아까히라마꼬또,야마구찌히로미쯔. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-10-10.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09460897B2. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297253A1. Автор: Yan-Ting Shen,Chia-Chi Yu,Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Chih Hsuan Cheng,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190385852A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Christian Krueger,Michael Kokot. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-19.

Plasma system, chuck and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09530618B2. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220359746A1. Автор: Yan-Ting Shen,Chia-Chi Yu,Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Chih Hsuan Cheng,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220013662A1. Автор: Yan-Ting Shen,Chia-Chi Yu,Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Chih Hsuan Cheng,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: EP1360722A2. Автор: Thomas Weiss,Nicolaas J. A. Van Veen,Marc A. De Sambre. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-11-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of Producing a Semiconductor Device and Semiconductor Device Having a Through-Wafer Interconnect

Номер патента: US20120286430A1. Автор: Jochen Kraft,Jordi Teva. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-11-15.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US09508894B2. Автор: Chien-Fu Huang,Min-Hsun Hsieh,Chun-Yu Lin,Yi-Ming Chen,Chih-Chiang Lu,Ching-Pei Lin,Tzu-Chieh Hsu,Hao-Min Ku,Chung-Hsun Chien. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device with through-substrate via and method of manufacturing a semiconductor device with through-substrate via

Номер патента: US12100644B2. Автор: Thomas Bodner,Joerg Siegert,Bernhard Loeffler. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US12094799B2. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of depositing vanadium metal, structure, device and a deposition assembly

Номер патента: US20240093363A1. Автор: Qi Xie,Eric James Shero,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni,Petro Deminskyi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240266238A1. Автор: Kyeong Tae Kim,Tae Yong Lee,Yi Seul Han,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12094804B2. Автор: Zhan Ying,Jie Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230039627A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210013144A1. Автор: Ji Yeon Ryu,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282695A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20220344506A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11158615B2. Автор: Won Geol Lee,Il Bok Lee,In Su Mok,Won Myoung Ki. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20020034843A1. Автор: Florin Udrea,Gehan Amaratunga. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240274512A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12125832B2. Автор: Won Geol Lee,Il Bok Lee,In Su Mok,Won Myoung Ki. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09825020B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620495B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09508716B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Yin Lin,Chi-Yuan Chen,Li-Ting Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Cheng-Tung Lin,Huicheng Chang,Wan-Chun Pan,Ming-Liang Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of separating a semiconductor device from a substrate

Номер патента: WO2024052695A1. Автор: Tongtong ZHU,Kunal Kashyap,Jia-liang TU,Kai-Jyun Huang. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: WO1991009425A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Teleki Péter. Дата публикации: 1991-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200343174A1. Автор: Junichi Murakami,Kota Nakamura,Hiromi Tominaga,Hidenori Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220029024A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP3945599A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220262955A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180122930A1. Автор: Shinichi Okamoto,Tsutomu Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240266225A1. Автор: Chih-Chang Hung,Tzu-Ging LIN,Shun- Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240250175A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230292500A1. Автор: Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020074572A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040150055A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US8907423B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20130087854A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020155653A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020179979A1. Автор: Gyu-Chul Kim,Han-Soo Kim,Yong Park,Kang-Sik Cho,Hoo-Seung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20110183483A1. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Hyun-Gi Kim,Jae-Man Yoon,Hui-jung Kim,Kang-Uk Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240298446A1. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09947632B2. Автор: CHI HO Leung,Shun Tik Yeung,Pompeo V Umali,Wai (Kan Wae) Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09941273B2. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09870923B2. Автор: Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of forming a semiconductor device package with warpage control

Номер патента: US20240379640A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620499B2. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device with capacitor electrodes

Номер патента: US6890817B2. Автор: Takashi Uehara,Hiroshi Maeda,Toshiyuki Oashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by using said method

Номер патента: US4052269A. Автор: Jacques Michel,Michel Iost. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1977-10-04.

Semiconductor device and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US11842998B2. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Hemanth Jagannathan,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220692A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180158914A1. Автор: Shoji Kitamura,Kazuhiro Kitahara,Tsukasa TASHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

System and method of testing a semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US11137435B2. Автор: Yongho Cho,Junbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170170122A1. Автор: Rainer Mintzlaff,Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister,Jochen Wynants,Joachim Utzig,Godfried Henricus Josephus Notermans. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-06-15.

System and method of testing a semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20200033389A1. Автор: Yongho Cho,Junbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060163719A1. Автор: Tetsuya Kaji,Megumi Yamamura,Toshihide Shimmei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262711A1. Автор: On Lok Chau,Fei WONG,Billie BI,Ivan Shiu,William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786565B2. Автор: Hiroyuki Ohta,Hidenobu Fukutome,Mitsugu Tajima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09520388B2. Автор: Thomas Keena,David M. Heminger. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8536708B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8030207B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8338953B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for use in such a method

Номер патента: EP1647045A1. Автор: Ingrid A. Rink,Reinoldus B. M. Vroom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-19.

Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20080224280A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor device and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09966308B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,II John E. Sheets,Junli Wang,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and substrate carrier structure

Номер патента: US20110183496A1. Автор: Yuichi Kaneko. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: WO2010100577A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-09-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20150325519A1. Автор: Hermanus Leonardus Peek,Willem Hendrik Maes,Wilco Klaassens. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP2842164A1. Автор: Hermanus Leonardus Peek,Willem Hendrik Maes,Wilco Klaassens. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-03-04.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12057445B2. Автор: Szu-Ping Tung,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Wen-Tzu Chen,Guan-Yao TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230037025A1. Автор: Szu-Ping Tung,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Wen-Tzu Chen,Guan-Yao TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device having a glass piece and a single-crystalline semiconductor portion

Номер патента: US09601376B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US20160211240A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20190296001A1. Автор: Masatoshi Fukuda,Tetsuya Kurosawa,Toshihiko Ohda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20110111578A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20100279495A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device including contact plugs

Номер патента: US12046512B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer

Номер патента: US20200381256A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20210143113A1. Автор: Katsuhiro TAKAO. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Integration manufacturing method of depletion high voltage nmos device and depletion low voltage nmos device

Номер патента: US20230178438A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-08.

Manufacturing method of mis-type semiconductor device

Номер патента: US20140287572A1. Автор: Toru Oka,Junya Nishii,Takahiro Sonoyama,Kiyotaka MIZUKAMI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230367220A1. Автор: Yung-Yao Lee,Kuo-Hung Chao,Hsieh-Yu WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Manufacturing method of MIS-type semiconductor device, including heating a zirconium oxynitride (ZrON) layer

Номер патента: US9299567B2. Автор: Toru Oka,Junya Nishii,Takahiro Sonoyama,Kiyotaka MIZUKAMI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and recording medium

Номер патента: US20160284552A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and recording medium

Номер патента: US09666439B2. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2629904C2. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-04.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220375901A1. Автор: Susumu Yamamoto,Tsutomu Fujita,Gen Toyota,Satoshi Hongo,Yukio KATAMURA,Takeori Maeda,Eiichi SHIN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7534657B2. Автор: Yoshihiko Yamaguchi,Yusuke Ohta,Atsushi Fujishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Manufacturing method for crystal, crystal, and semiconductor device

Номер патента: US20110254017A1. Автор: Shin Harada,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of making a semiconductor device having multiple die redistribution layer

Номер патента: US20080160674A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US8278168B2. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-02.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3996129A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220139724A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20120009746A1. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262712A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury,Ilyas Dchar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220693A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: US20220137607A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: EP4200903A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: WO2022093308A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09525043B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor Device Including Wrap Around Contact and Method of Forming the Semiconductor Device

Номер патента: US20180374958A1. Автор: Michael A. Guillorn,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110089513A1. Автор: Nobuyuki Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Methods of operating power semiconductor devices and structures

Номер патента: US09842917B2. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a silicon body in which semiconductor regions are formed by ion implantations

Номер патента: US5384279A. Автор: Reinier De Werdt,Andre Stolmeijer,Paulus A. Van Der Plas,Paulus M. T. M. van Attekum,Hubertus Den Blanken. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-01-24.

Manufacturing method for crystalline semiconductor film, semiconductor device, and display device

Номер патента: US20130140573A1. Автор: Yoshinobu Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110049709A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20110254150A1. Автор: Yoshimi Takahashi,Masazumi Amagai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device including wrap around contact, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20180006159A1. Автор: Michael A. Guillorn,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20120007238A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor device comprising an ESD protection device, an ESD protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490243B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing a semiconductor device having a semiconductor growth layer completely insulated from a substrate

Номер патента: US5308445A. Автор: Hidemi Takasu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-05-03.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Method of forming a semiconductor device with a seed layer migration process

Номер патента: US12051754B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG,Junbeom PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of forming a metal telluride material, related methods of forming a semiconductor device structure, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140227863A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2. Автор: Jeong-Hwan Son,Hyeong-Mo Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device including a gate electrode on a protruding group III-V material layer

Номер патента: US09666706B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee,Ki-ha Hong,Kyoung-Yeon Kim,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Self-registration method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1243131A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-10-11.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US20220384296A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device with through-substrate via and method of manufacturing a semiconductor device with through-substrate via

Номер патента: EP3900030A1. Автор: Jörg Siegert,Bernhard LÖFFLER,Thomas Bodner. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-10-27.

Semiconductor device with through-substrate via and method of manufacturing a semiconductor device with through-substrate via

Номер патента: US20220059434A1. Автор: Thomas Bodner,Joerg Siegert,Bernhard Loeffler. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Including an Edge Area

Номер патента: US20140302667A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130221440A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Multi-layered structure including an epitaxial layer having a low dislocation defect density, semiconductor device comprising the same, and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US6987310B2. Автор: Moon-han Park,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee,Jae-Yoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-17.

Method of manufacturing a semiconductor device including a high voltage MOS and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US8237224B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20110294235A1. Автор: Takuro Maede. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Two-dimensional material structure, semiconductor device including the two-dimensional material structure, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230112883A1. Автор: Minsu Seol,Keunwook SHIN,Changseok Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench surrounding plural unit cells

Номер патента: US20080274599A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20040058530A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020127785A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of mounting a semiconductor device to a substrate and a mounted structure

Номер патента: US20020005293A1. Автор: Tomoo Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US20210111021A1. Автор: Luc Haspeslagh,Robert Langer,Vasyl Motsnyi,Philippe Soussan,Bernardette Kunert,Stefano Guerrieri,Olga SYSHCHYK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Methods of manufacturing a semiconductor device by forming a separation trench

Номер патента: US09935055B2. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Poelzl,Georg Ehrentraut,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing a semiconductor device with an isolation region and a device manufactured by the method

Номер патента: US09793348B2. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of making a semiconductor device having a functional capping

Номер патента: US09620390B2. Автор: Thorbjörn Ebefors,Edvard Kalvesten,Tomas Bauer. Владелец: SILEX MICROSYSTEMS AB. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09548205B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device using photo enhanced CVD

Номер патента: US5094966A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

Production method of silicon carbide wafer, production method of semiconductor substrate, and production method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11795576B2. Автор: Yasushi Hibi,Bahman Soltani,Kazutoshi SASAYAMA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with a Metal-Filled Groove in a Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20180026130A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12040308B2. Автор: Jin Woong Kim,Sung Kyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device by Plasma Doping

Номер патента: US20170062587A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070259512A1. Автор: Kentaro Yamada,Masato Takahashi,Yasuhiro Obara,Takeshi Katoh,Yoshio Fukayama,Masaki Sakashita,Tatsuyuki Konagaya,Koichiro Takei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Method of manufacturing a semiconductor device having different kinds of insulating films with different thicknesses

Номер патента: US8435861B2. Автор: Junichi Ariyoshi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US9837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09996658B2. Автор: Youngseok Kim,Noyoung CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US09837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device assembly including a chip carrier, semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09768120B2. Автор: Anton Mauder,Khalil Hosseini,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09735243B2. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device with epitaxial layers and an alignment structure

Номер патента: US09711357B1. Автор: Hans Weber,Andreas Moser,Johannes Baumgartl,Gabor Mezoesi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685446B2. Автор: Tomonori MIZUSHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices including a diode structure over a conductive strap and methods of forming such semiconductor devices

Номер патента: US09646869B2. Автор: Ming Zhang,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09608070B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a semiconductor device using a self-aligned OPL replacement contact and patterned HSQ and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US09548238B2. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of forming a semiconductor device structure and such a semiconductor device structure

Номер патента: US09472642B2. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09349834B2. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09349694B2. Автор: Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya,Shinpei Ishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20120015510A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20110275204A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US7981782B2. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050250326A1. Автор: Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US6455381B1. Автор: Masahiro Shimizu,Yoshitaka Fujiishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130034960A1. Автор: HAIYANG Zhang,Dongjiang Wang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120184079A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Seung-Hun Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Sun-Ghil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of manufacturing a semiconductor device for reducing resistance of a CoSi2 layer

Номер патента: US20040209450A1. Автор: Cheng-Shun Chen,Wan-Yi Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060134865A1. Автор: Tsukasa Doi,Hiroyuki Inuzuka,Kazumasa Mitsumune. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11715636B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US12074107B2. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1275137A1. Автор: Antonius M. P. J. Hendriks,Margriet L. Diekema. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150364458A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Cheng-Ying Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080076213A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080020567A1. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230326741A1. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods of fabricating a semiconductor device having low contact resistance

Номер патента: US20120208335A1. Автор: Ho Jin Cho,Yong Soo Joung,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of manufacturing a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US12125822B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US20240371757A1. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US20240371829A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09923092B2. Автор: Thierry Coffi Herve Yao,Moshe Agam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of fabricating a semiconductor device having a via structure and an interconnection structure

Номер патента: US09905458B2. Автор: Seongho Park,Yongkong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09793158B2. Автор: Yong Kong Siew,Hyunsu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09791788B2. Автор: In-sung Kim,Jin-Seok Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09755057B1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having scribe lines

Номер патента: US09728477B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Yung-Ping Chiang,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of operating a semiconductor device having an IGBT and desaturation channel structure

Номер патента: US09621133B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device, method of processing a substrate, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09337015B2. Автор: Tsuyoshi Takeda,Taketoshi Sato,Minoru KOHASHI. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-05-10.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Method of making flexible semiconductor device with graphene tape

Номер патента: US11456188B2. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110183473A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130178067A1. Автор: Eunsung KIM,Chulho Shin,Han Geun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Methods of forming a semiconductor device including a diffusion barrier film

Номер патента: US7816255B2. Автор: Gil-heyun Choi,Kyung-In Choi,Jong-Won Hong,Jong-Myeong Lee,Hyun-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11923273B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming a semiconductor device including trench termination

Номер патента: US9773693B2. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of making a semiconductor device including an all around gate

Номер патента: US20140357036A1. Автор: Huiming Bu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: IE52979B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-04-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220359502A1. Автор: Jung-Hui Kao,Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Yi-huan Chen,Yi-Sheng Chen,Kau-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method of forming a semiconductor device structure having an isolation layer to isolate a conductive feature and a gate electrode layer

Номер патента: US11756995B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160372368A1. Автор: Jian-Hong Lin,Shiou-Fan CHEN,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Hsin-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of fabricating a semiconductor device having a pre metal dielectric liner

Номер патента: US20070155111A1. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US20020064950A1. Автор: Toshio Nagata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor device with conductive liners over silicide structures and method of making the semiconductor device

Номер патента: US20230299168A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Yuting CHENG,Ken-Yu Chang,Wei-Yip Loh,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kuan-Kan HU,Chuan-Hui SHEN,Harry CHIEN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Underlayer composition and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12099301B2. Автор: Chien-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Underlayer composition and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240369932A1. Автор: Chien-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09997451B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941159B2. Автор: Jian-Hong Lin,Shiou-Fan CHEN,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Hsin-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09905518B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09871122B2. Автор: Jaeseok Yang,Hyunjae Lee,In-wook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09837310B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Chi-Liang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09812329B2. Автор: Jung Sik Choi,Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming a semiconductor device comprising first and second nitride layers

Номер патента: US09601384B2. Автор: Kanta Saino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing substrate with a multilayer reflective film, method of manufacturing a reflective mask blank, substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09507254B2. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Junichi Horikawa,Tsutomu Shoki,Toshihiko Orihara,Hirofumi Kozakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Cell Field Portion and a Contact Area

Номер патента: US20160093529A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110104865A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130244385A1. Автор: Naoto Saitoh. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150227046A1. Автор: Jaeho Kim,Kyoungmi KIM,Jungsik CHOI,Jeong Ju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cell field portion and a contact area

Номер патента: US9852945B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of manufacturing a semiconductor device with a contact hole

Номер патента: US20020182854A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20100178736A1. Автор: Gottfried Beer,Irmgard Escher-Poeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160268398A1. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of making a semiconductor device with V2V rail

Номер патента: US12125792B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12135501B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chi-Ming Yang,Yen-Yu Chen,Tze-Liang Lee,Yi-Chen Kuo,Chih-Cheng Liu,Ming-Hui Weng,Jr-Hung Li,Yahru CHENG,Jia-Lin WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of manufacturing fan-out packaging device and fan-out packaging device manufactured thereby

Номер патента: US20240363550A1. Автор: Byung Joon Han,Byung Hoon Ahn. Владелец: Silicon Box Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of growing nitride single crystal and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09871162B2. Автор: Min Ho Kim,William SOLARI,Heon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cell field portion and a contact area

Номер патента: US09852945B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor wafers and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09779931B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Freund,Helmut Oefner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-03.

Deposition methods of forming a layer while rotating the substrate in angular increments and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09698021B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device including a barrier structure

Номер патента: US09548376B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09535326B2. Автор: Jaeho Kim,Kyoungmi KIM,Jungsik CHOI,Jeong Ju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of forming encapsulated semiconductor device package

Номер патента: US09502323B2. Автор: Ming-Chih Yew,Kuo-Chuan Liu,Wen-Yi Lin,Po-Yao Lin,Cheng-Yi Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150303096A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: USRE28703E. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Hein Koelmans. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-02-03.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US10134583B2. Автор: Sang Ick Lee,Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20170207083A1. Автор: Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,Sang lck Lee,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US20240186446A1. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing fan-out packaging device and fan-out packaging device manufactured thereby

Номер патента: US20240347433A1. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: Silicon Box Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Optoelectronic semiconductor device and manufacturing method of an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2023222385A1. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Tansen Varghese,Martin Hetzl. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-11-23.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210013039A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2019159680A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-08-22.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11501971B2. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2678509C1. Автор: Акинори САКАКИБАРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-01-29.

Method of packaging a semiconductor device and a prefabricated connector

Номер патента: EP2084743A2. Автор: Kenneth R. Burch,Marc A. Mangrum. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: US7348229B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Raymond James Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-03-25.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US11901478B2. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210408757A1. Автор: Ramakanth Alapati,Darrell Paul Baker,Anthony B. Taguinod. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11784457B2. Автор: Ramakanth Alapati,Darrell Paul Baker,Anthony B. Taguinod. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device, method of making a semiconductor device, and processing system

Номер патента: US20200258997A1. Автор: Sanjay Natarajan,Yi-Chiau Huang,Patricia M. Liu,Xuebin Li,Saurabh Chopra,Gaurav Thareja,Abhishek Dube,Andy Lo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170170089A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Mark Andrzej Gajda,Jan Sonsky,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-06-15.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230145810A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20210376147A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230411519A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US11791409B2. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10840169B2. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210126090A1. Автор: Kyu Hyun Lee,Yoo Sang Hwang,Woo Young Choi,Sang-Il Han,Hui-jung Kim,Kyu Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: EP1880415A1. Автор: Jan Sonsky,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230253279A1. Автор: Kyeong Tae Kim,Tae Yong Lee,Yi Seul Han,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US10153365B2. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210280484A1. Автор: Kyeong Tae Kim,Tae Yong Lee,Yi Seul Han,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11915998B2. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11978687B2. Автор: Kyeong Tae Kim,Tae Yong Lee,Yi Seul Han,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170077291A1. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210090977A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4080583A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11417589B2. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200266132A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200373214A1. Автор: Kyeong Tae Kim,Tae Yong Lee,Yi Seul Han,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1719164A1. Автор: Gerben Doornbos,Marcus J. H. Van Dal,Radu C. Surdeanu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-08.

Method for monitoring abnormal sensors during fabrication of semiconductor structure, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230087390A1. Автор: Xiaojun Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10896869B2. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US8798110B2. Автор: Tatsuya Takeuchi,Taro Hasegawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

A semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP1808885A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US3811183A. Автор: W Celling. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1974-05-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a fabrication apparatus for a semiconductor device

Номер патента: US20050250254A1. Автор: Susumu Takada,Yoshihiko Kobayashi,Norinaga Arai,Shiro Oba,Kazutoshi Takashima,Tsutomu Ida,Shigeru Haga,Akio Ishizu,Yuji Kakegawa,Iwamichi Koujiro. Владелец: Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230215815A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11942552B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

A semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4184566A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230299016A1. Автор: Myoungsoo Kim,Jisung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200185343A1. Автор: Shinjiro Kato,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180269171A1. Автор: Shinjiro Kato,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230378357A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210074840A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369464A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11817500B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of packaging a semiconductor device with a clip

Номер патента: US20130285249A1. Автор: Chee Chian Lim,Yoke Chin Goh,Boon Huat Lim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device having a redistribution bonding interconnection, a method of manufacturing the semiconductor device, and a chip stack package including the semiconductor device

Номер патента: US20230230960A1. Автор: Jun Yong Song,Kang Hun KIM,Si Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US11961865B2. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8962428B2. Автор: Lele CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20160093731A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150115287A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, flip chip package having the semiconductor device and method of manufacturing the flip chip package

Номер патента: US8530275B2. Автор: You-Seung Jin,Se-Young Lee,Geon-Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: EP1593155A1. Автор: Robert Lander,Dirk M. Knotter. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-11-09.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210313454A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11757023B2. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240170339A1. Автор: Chih-Yuan Ting,Huan-Just Lin,Wen-Kuo HSIEH,Te-Chih Hsiung,Yang-Cheng WU,Yun-Hua Chen,Yi-Hsuan Chiu,Bing-Sian WU,Sheng-Hsun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: EP1579488A1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Jacob C. Hooker,Vincent C. Venezia,Charles J. J. Dachs. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-09-28.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20230163053A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090289361A1. Автор: Seiya Fujii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230253471A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, flip chip package having the semiconductor device and method of manufacturing the flip chip package

Номер патента: US20120295402A1. Автор: You-Seung Jin,Se-Young Lee,Geon-Woo Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Optical semiconductor device and method of assembling optical semiconductor device

Номер патента: US20210098523A1. Автор: Kyohei Maekawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210408286A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210013196A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190279921A1. Автор: Kiyoaki Kadoi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20160126236A1. Автор: Thomas Keena,David M. Heminger. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150235994A1. Автор: Yoshihiro Sato,Takashi Ohba. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20200058762A1. Автор: Shih-Chi Fu,Chi-Kang Chang,Kuei-Shun Chen,Chien-Ping HUNG,Chi-Wen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and a support plate, and a semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: WO2002017391A3. Автор: Johannes G P Mastboom,Karianne H Lindenhovius,Adrianus J M Vugts. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230352370A1. Автор: George Scott,Kwang Seok Oh,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220102374A1. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12010844B2. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210098291A1. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11424159B2. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9484280B2. Автор: Tiam Meng PON,Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11007005B2. Автор: Tung Ying Lee,Yee-Chia Yeo,Ziwei Fang,Meng-Hsuan Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor device and method of enveloping the semiconductor device

Номер патента: CA1093704A. Автор: Gerard J. Scholten,Johannes Brandsma. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5913114A. Автор: Chang-Ki Jeon,Cheol-Joong Kim,Sun-Hak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of fabricating a semiconductor device and method of cleaning a crystalline semiconductor surface

Номер патента: US5948161A. Автор: Hirotaka Kizuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20080277722A1. Автор: Joon-Jin Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A3. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-27.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US20130299455A1. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Jun Yamawaku,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device, manufacturing method of electronic appliance, semiconductor device, display device, memory device, and electronic appliance

Номер патента: US09947802B2. Автор: Masayuki Kimura,Yukiko TOJO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US09972575B2. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Method of forming a semiconductor device including forming a shield conductor overlying a gate conductor

Номер патента: US09780196B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin film transistor manufactured by low-temperature process, manufacturing method of the same transistor, transistor device and electronic device including the same transistor

Номер патента: US20240222466A1. Автор: Byungwook Yoo,Min Suk Oh. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a device obtained by means of said method

Номер патента: US20020123223A1. Автор: Johannes Van Rijckevorsel,Eugene Vriezen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170084665A1. Автор: Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Frank Caris,Brian Rees. Владелец: dpiX LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09698107B2. Автор: Alfred Goerlach,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12041780B2. Автор: Jeong Sang KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240347411A1. Автор: Keun Soo Kim,Yu Jin Jeon,Young Ik Kwon,Mi Kyoung Choi. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09929263B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-03-27.

Three-dimensional (3D) semiconductor devices and methods of fabricating 3D semiconductor devices

Номер патента: US09768193B2. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP4372825A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20140160390A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Hybrid bonding structures, semiconductor devices having the same, and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20220093549A1. Автор: Junghoon Lee,Kunmo Chu,Byonggwon SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240266379A1. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240282639A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220319928A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

A method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

Номер патента: WO2009013531A2. Автор: Paul Ronald Stribley. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220302267A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240274593A1. Автор: Seokho KIM,Sumin Park,Joohee Jang,Seongmin Son,Kyuha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887154B2. Автор: Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09640630B2. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620632B2. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and inspecting an electrical characteristic thereof using test socket terminals

Номер патента: US9905482B2. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and methods of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240145563A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240304674A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and inspecting an electrical characteristic thereof using test socket terminals

Номер патента: US09905482B2. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09812556B2. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Qiqing C. Ouyang,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Pranita Kerber,Gen Tsutsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and inspecting an electrical characteristic thereof using socket terminals

Номер патента: US09761501B2. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09620616B2. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Primer composition, method of forming a primer layer on a semiconductor device, and method of encapsulating a semiconductor device

Номер патента: US09540539B2. Автор: Joachim Mahler,Swee Kah Lee,Jagen KRISHNAN,Soon Lock Goh,Yik Yee TAN,Chew Theng TAI,Poh Cheng LIM,Peh Hean TEH. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09437724B2. Автор: Hiroaki Ueno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020016059A1. Автор: Masakazu Okada,Hiroyuki Chibahara,Keiichi Higashitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240243177A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device

Номер патента: US20060054916A1. Автор: Yoshihiko Hanamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080179693A1. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Jae-Man Yoon,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240274649A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US12137294B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09912891B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799762B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09762832B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, method of fabricating the semiconductor device, and method of forming epitaxial layer

Номер патента: US09653472B2. Автор: Joon Suk Lee,Woo Sung Lee,Woong Lee,Hun Hyeong LIM,Kyong Won AN,Chae Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method of an organic electroluminescence display device and the organic electroluminescence display device

Номер патента: US09577014B2. Автор: Toshihiro Sato,Yoshinori Ishii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Curing pre-applied and plasma-etched underfill via a laser

Номер патента: US20200395519A1. Автор: Jeb Wu,Zheng Sung Chio,Daniel Brodoceanu,Oscar Torrents Abad,Ali Sengül. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230378299A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09917196B1. Автор: Eric R. Miller,Gauri Karve,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Marc Adam Bergendahl,Robert Russell Robison,John Ryan Sporre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Oxide semiconductor devices, methods of forming oxide semiconductor devices and organic light emitting display devices including oxide semiconductor devices

Номер патента: US09614020B2. Автор: Tae-Young Kim,Hye-Hyang Park,Shin-Hyuk Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods of inspecting a semiconductor device and semiconductor inspection systems

Номер патента: US09476840B2. Автор: Seunghune YANG,Sibo CAI,Kiho Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor devices and methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12068359B2. Автор: Chor Shu CHENG,Lulu Peng,Lawrence Selvaraj SUSAI,Zishan Ali Syed Mohammed,Yong Chau Ng,Nuraziz Yosokumoro. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09947664B1. Автор: Terence B. Hook,Brent Alan Anderson,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050032264A1. Автор: James O'gorman. Владелец: Eblana Photonics Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09755032B1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09614090B2. Автор: Ju-youn Kim,Sang-jung KANG,Ji-Hwan An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method of solid-state image pickup device and solid-state image pickup device

Номер патента: US20140333807A1. Автор: Hitohisa Ono,Atsushi Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Manufacturing method of solid-state image pickup device and solid-state image pickup device

Номер патента: US8803204B1. Автор: Hitohisa Ono,Atsushi Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09960234B2. Автор: Kirk HUANG,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing a semiconductor device including applying ultrasonic waves to a ball portion of the semiconductor device

Номер патента: US09508678B2. Автор: Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device comprising an ESD protection device, an ESD protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09478531B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

A method of assembling a semiconductor device package

Номер патента: EP1188182A1. Автор: Charles Lee,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Semiconductor devices including conductive lines and methods of forming the semiconductor devices

Номер патента: US09911693B2. Автор: William R. Brown,David A. Kewley,Tim H. Bossart,Nikolay A. Mirin,Jenna L. Russon,Brian R. Watson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device comprising two-dimensional material and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230275128A1. Автор: Sangwoo Kim,Taehyeong Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Minseok SHIN,JunYoung KWON,Jaehwan Jung,Pin Zhao. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of making cBN semiconductor device having an ohmic electrode

Номер патента: US5444017A. Автор: Yoshiyuki Suda,Osamu Mishima,Satoshi Agawa,Koh Era. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1995-08-22.

Method of bonding a semiconductor device to an electrically conductive plate

Номер патента: EP1366514A1. Автор: Johannes W. Van Rijckevorsel,Eugene A. Vriezen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-03.

Semiconductor devices including stacked dies and methods of testing the semiconductor devices

Номер патента: US20200049767A1. Автор: Dong-hun Kang,Myeong-jun Song,Hyoung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US6022773A. Автор: Masato Sakao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Method of forming a semiconductor device structure using differing spacer widths and the resulting semiconductor device structure

Номер патента: US09876111B2. Автор: Juergen Faul,Thorsten Kammler,Steffen Sichler,Peter Javorka,Sylvain Henri Baudot. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Semiconductor devices, semiconductor packages, and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11728297B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ho-Jin Lee,Kwang-jin Moon,Ju-Il Choi,Dong-Chan Lim,Ju-Bin Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170256630A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Method of manufacturing a semiconductor device including PG-aligned cells

Номер патента: US12112117B2. Автор: Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming a semiconductor device including strain reduced structure

Номер патента: US09997480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-feng Chen,Tsung-Ding Wang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device with surface integrated focusing element and method of producing a semiconductor device with focusing element

Номер патента: US09947711B2. Автор: Rainer Minixhofer,Martin Schrems,Sara Carniello. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing display device, method of exposing terminal of display device and display device

Номер патента: US09601715B2. Автор: Toshihiro Sato,Kazuhiro ODAKA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming a semiconductor device having a GaNFET, an overvoltage clamping component, and a voltage dropping component

Номер патента: US09559093B2. Автор: Naveen Tipirneni,Sameer Pendharkar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing a semiconductor device including a silicon pillar

Номер патента: US8158502B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having an alignment mark

Номер патента: US20050170615A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20160104772A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20180261674A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device

Номер патента: US20070278897A1. Автор: Kyosuke Ozaki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device, an electronic system including the same, and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11744079B2. Автор: Chang-sun Hwang,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20170040427A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-09.

Methods of fabricating a semiconductor device with capacitors using mold structure and protection layer

Номер патента: US20140065784A1. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of producing electroconductive substrate, electronic device and display device

Номер патента: US10784122B2. Автор: Atsushi Sato,Hisayuki Abe,Susumu Taniguchi,Makoto Orikasa,Yuhei HORIKAWA,Akiko Seki,Takashi DAITOKU. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010016371A1. Автор: Atsushi Nakamura,Kunihiro Tsubosaki,Masachika Masuda,Akihiko Iwaya,Chikako Imura,Toshihiro Shiotsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240282582A1. Автор: Ching-Sen Kuo,Feng-Jia Shiu,Chun-Wei Chang,Wei-Chao Chiu,Yong-Jin LIOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3891481A. Автор: Reinhold Kaiser. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1975-06-24.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09991351B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing organic EL display device and organic EL display device

Номер патента: US09978827B2. Автор: Hiroki Ohara,Haruhito Hayakawa. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09905662B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming trench semiconductor device having multiple trench depths

Номер патента: US09859449B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09748378B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Karoline Koepp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Display panel, method of manufacturing the same, display device and method of controlling the display device

Номер патента: US09715851B1. Автор: Song Song,KAZUYOSHI Nagayama. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device using purified block copolymers and semiconductor devices

Номер патента: US09627205B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Jung-Sik Choi,Su-Jin KWON,Jun Won HAN,Hye-Ryun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: US09608197B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Solid state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09496303B2. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing cz silicon wafers, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190249330A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Freund,Helmut Oefner,Thomas Wuebben. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing card-type storage device and card-type storage device

Номер патента: EP1085459A3. Автор: Hiroshi Iwasaki,Osami Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-20.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12051696B2. Автор: Jaeseok Yang,Taehyung Kim,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070254389A1. Автор: Chang-ki Hong,Jeong-Nam Han,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Sung-il Cho,Jung-min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing card-type storage device and card-type storage device

Номер патента: US20010046152A1. Автор: Hiroshi Iwasaki,Osami Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US20210240227A1. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US11619974B2. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Method of forming a semiconductor device having asymmetric dielectric regions and structure thereof

Номер патента: WO2006104562A2. Автор: Leo Mathew,Venkat R. Kolagunta,David C. Sing. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of producing electroconductive substrate, electronic device and display device

Номер патента: US11410855B2. Автор: Atsushi Sato,Hisayuki Abe,Susumu Taniguchi,Makoto Orikasa,Yuhei HORIKAWA,Akiko Seki,Takashi DAITOKU. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Rework method of array substrate for display device and array substrate formed by the method

Номер патента: US09983451B2. Автор: Jiwon Kang,Donggeun Lim,KiTaeg Shin,ChelHee Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US09537066B2. Автор: Yoshitaka Kadowaki. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10312086B2. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Photomasks, methods of exposing a substrate to light, methods of forming a pattern, and methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110053096A1. Автор: Sang-Yong Yu,Gi-sung Yoon,Sung-Hyuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US20130011988A1. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US8883601B2. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12119337B2. Автор: Junichi Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3762967A. Автор: H Holzer,W Scherber. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1973-10-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: WO2007057803A1. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device and a testing method of the same

Номер патента: US7816154B2. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20230420544A1. Автор: Hans Mertens,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20240014218A1. Автор: Takashi Shiraishi,Kenichi Okazaki,Yasutaka Nakazawa,Kiyofumi Ogino,Yasuharu Hosaka,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor Device, A Method of Manufacturing A Semiconductor Device and A Testing Method of the Same

Номер патента: US20110018573A1. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP2067164A1. Автор: Philippe Lance,Yann Weber,Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-06-10.

A locking clip, a semiconductor device, and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4365941A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereof

Номер патента: EP2053636A3. Автор: Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi,Hidaki Tanaka. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200402885A1. Автор: Keun Soo Kim,Yu Jin Jeon,Young Ik Kwon,Mi Kyoung Choi. Владелец: Amkor Technology Korea Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Locking Clip, a Semiconductor Device, and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240153838A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-09.

Heterocyclic compound, hole transport composition including the same, light-emitting device including the hole transport composition, method of manufacturing the light-emitting device, and electronic apparatus including the light-emitting device

Номер патента: US20220089604A1. Автор: Junwoo PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and production method of the same semiconductor device

Номер патента: US20080258315A1. Автор: Sadayuki Okuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090146194A1. Автор: Mihai Adrian Ionescu,Didier Bouvet,Kirsten Moselund. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device, active matrix substrate, method of manufacturing the semiconductor device and method of manufacturing the active matrix substrate

Номер патента: US6362027B1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-26.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230307454A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4310918A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-24.

Vertical semiconductor device with body contact, method of manufacturing vertical semiconductor device with body contact, and electronic apparatus

Номер патента: US20240072173A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230307450A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20180336956A1. Автор: Hiroshi Tachibana,Yasutaka Horikoshi,Kotaro SAKUMURA,Keita KASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US10255984B2. Автор: Hiroshi Tachibana,Yasutaka Horikoshi,Kotaro SAKUMURA,Keita KASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170077280A1. Автор: Chisato Furukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device including an n-type carrier stored layer, power conversion device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US10916631B2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20090057831A1. Автор: Florin Udrea,Cerdin Lee. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230411478A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Mcdermott W&e Llp LLP. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170194473A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-07-06.

Three-dimensional (3d) semiconductor devices and methods of fabricating 3d semiconductor devices

Номер патента: US20160240555A1. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180182876A1. Автор: Tadashi Inoue,Yukihiro Shibata. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230143543A1. Автор: Shigenobu Maeda,Choongsun Kim,Myoungkyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11843037B2. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: EP4060746A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-21.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP4345908A1. Автор: ANKIT Kumar,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4250359A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230343857A1. Автор: Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hang Chiu,An-Hung Tai,Yu-Hong LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11949209B2. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4250347A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230223396A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230198223A1. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: EP4302332A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12002716B2. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160240641A1. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120025286A1. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220173243A1. Автор: Kilian ONG,Benjamin HUNG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2008007259A3. Автор: Hoang Viet Nguyen. Владелец: Hoang Viet Nguyen. Дата публикации: 2008-06-12.

Vertical semiconductor device and method of manufacturing vertical semiconductor device

Номер патента: US20190267486A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Primer composition, method of forming a primer layer on a semiconductor device, and method of encapsulating a semiconductor device

Номер патента: US20150344730A1. Автор: Joachim Mahler,Swee Kah Lee,Jagen KRISHNAN,Soon Lock Goh,Yik Yee TAN,Chew Theng TAI,Poh Cheng LIM,Peh Hean TEH. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20170301769A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190131448A1. Автор: Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20130069714A1. Автор: Jai-Kwang Shin,U-In Chung,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20240105785A1. Автор: ANKIT Kumar,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190386456A1. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11038317B2. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US10242936B2. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Method of fabricating a semiconductor device using element isolation by field shield

Номер патента: US5672526A. Автор: Koichiro Kawamura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-09-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080038897A1. Автор: Hiroshi Yoshino,Kazushi Suzuki,Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and device manufactured by the method

Номер патента: US3811975A. Автор: Lierop J Van. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1974-05-21.

Plasma etching apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20240128056A1. Автор: SeungBo SHIM,Changho Kim,Kyungsun Kim,Minyoung HUR,Yoonbum Nam,Hyeontae Kim,Juneeok Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Silicon part for plasma etching apparatus and method of producing the same

Номер патента: US09472380B2. Автор: Yoshinobu Nakada,Fumitake Kikuchi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Plasma etching apparatus and semiconductor processing system

Номер патента: US20230078095A1. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Byeongsang KIM,Youngdo Kim,Sungho Jang,Yunhwan Kim,Jungmo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20020014308A1. Автор: Takayoshi Sawayama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Radio frequency electron cyclotron resonance plasma etching apparatus

Номер патента: US5401351A. Автор: Seiji Samukawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Microwave plasma etching apparatus

Номер патента: US4559100A. Автор: Shigeru Nishimatsu,Keizo Suzuki,Yoshifumi Ogawa,Sadayuki Okudaira,Ken Ninomiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-17.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: WO2001075931A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-03-21.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: EP1269513A2. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Light emission device, method of manufacturing the light emission device, and display device having the light emission device

Номер патента: US20080100196A1. Автор: Sang-jin Lee,Su-Joung Kang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of controlling an adjustable nozzle and method of making a semiconductor device

Номер патента: US10910199B2. Автор: Ding-I Liu,Wen-Long Lee,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20240332890A1. Автор: Daisuke Inoue,Konosuke AOYAMA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing lithium ion battery device and lithium ion battery device

Номер патента: US20190148778A1. Автор: Tatsuya Kubo,Tetsuo Sakai,Masanori Morishita,Akihiro YAMANO,Fumiya CHUJO. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Electronic device, method of controlling charging by electronic device, and method of supplying power by power supply device

Номер патента: US12013735B2. Автор: Seyoung JANG,SungGeun YOON,Kuchul JUNG,Kisun Lee,Hoyoung Lee,Hyemi YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods of forming a fiber coupling device and fiber coupling device

Номер патента: US09971108B2. Автор: Michael De Jong,Eric Stephan TEN HAVE,Andreas Matiss,Martin Spreemann. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070263691A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7263115B2. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-08-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040233952A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

A Semiconductor Device and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: EP1465303A3. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method of making an aerosol delivery device and an aerosol delivery device

Номер патента: RU2709939C1. Автор: Митчел ТОРСЕН. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2019-12-23.

Heating system and method of testing a semiconductor device using a heating system

Номер патента: US09609693B2. Автор: Carlos Pereira,Maxime Clairet. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing micro flow path device, and micro flow path device

Номер патента: US20230285959A1. Автор: Takayuki Komori. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of self-calibration of lighting device and lighting device executing this method

Номер патента: RU2642849C2. Автор: Томмазо ГРИТТИ,Петрус Йоханнес Арнольдус Хубертус КЕЙТЕН,Олег БЕЛИК,Джанлука МОНАЧИ. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-01-29.

Method of manufacturing a surface mounted device and corresponding surface mounted device

Номер патента: WO2012084291A1. Автор: Francois Lechleiter. Владелец: Microconnections SAS. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device and method of operating a semiconductor device

Номер патента: US09584104B2. Автор: Hubert Bode,Andreas Johann Roth,Mathieu Gauthier Lesbats. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240341104A1. Автор: Woo Tae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Boot-up method of E-fuse, semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09430247B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of video coding by prediction of partitioning of current block, method of decoding, coding and decoding devices and computer programs corresponding thereto

Номер патента: RU2648571C2. Автор: Жоэль ЖЮНГ,Картик ВИСВАНАТАН. Владелец: Оранж. Дата публикации: 2018-03-26.

Method of video image encoding, method of video image decoding, encoding device and decoding device

Номер патента: RU2689426C1. Автор: Хайтао ЯН,Хун Чжан. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-28.

Method of implementing wireless communication, network device and terminal device

Номер патента: RU2742601C1. Автор: Чжи ЧЖАН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнс Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-02-09.

Method of retranslation of wireless retranslation device and wireless retranslation device

Номер патента: RU2643480C1. Автор: Вэй ДУ,Чун ЧЖУ. Владелец: Хуавэй Дивайс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of displaying web resource, electronic device and computer-readable data medium

Номер патента: RU2580423C2. Автор: Саркис Араикович Арутюнян. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2016-04-10.

Method of coding and decoding and device and system

Номер патента: RU2628145C2. Автор: Сяофэн ЧЖАН,Сяошу СИ,Дао ПАНЬ,Фанлинь СУНЬ,Тао ОУЯН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of indicating resource and associated device and system

Номер патента: RU2718157C1. Автор: Хао Тан,Дундун ВЭЙ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-03-30.

Device and method of content provision, program, terminal device, and content provision system

Номер патента: RU2663187C2. Автор: Ясуаки ЯМАГИСИ,Масахито МОРИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Method of processing audio data, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230087531A1. Автор: LEI Jia,Tao Sun,Liqiang Zhang,Jiankang Hou,Zhipeng Nie. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Network control device and method of controlling said device, communication device and method of controlling said device

Номер патента: RU2555223C2. Автор: Кенитироу ХИАСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of transmitting signals, a terminal device and a network device

Номер патента: RU2738221C1. Автор: Вэньхун ЧЭНЬ,Чжихуа ШИ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-09.

Method of transmitting data, an end device and a network device

Номер патента: RU2741785C1. Автор: Хай ТАН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнс Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of transmitting data, an end device and a network device

Номер патента: RU2741781C1. Автор: Хай ТАН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of acquiring eye image, apparatus, device and medium

Номер патента: US20240104957A1. Автор: Guanghui Liu,Jiu XIA. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Control method of information processing system, server device, and terminal device

Номер патента: US20130246579A1. Автор: Hidenobu Ito,Yosuke Nakamura,Kazuaki Nimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method of controlling terminal device, terminal device, and non-transitory computer readable medium storing program for executing the method

Номер патента: US20190028417A1. Автор: Sunghyun Lee. Владелец: Line Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Uninterruptible power supply control device, operation method of uninterruptible power supply control device, and smart textile

Номер патента: US10727690B2. Автор: Chen-Hsiang Lin. Владелец: Intelligence Textile Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor device including level shifter, display device including the semiconductor device and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20110032242A1. Автор: Woo-nyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor device including level shifter, display device including the semiconductor device and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US8502813B2. Автор: Woo-nyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-06.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: EP3245018A1. Автор: Urban Harrysson. Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2017-11-22.

Probe card for fine pitch circuit probe testing of semiconductor integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240272200A1. Автор: Yuan-Li Lin,Hsiao Kang LI,I-Tee LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus for manufacturing a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09415501B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device, semiconductor system including the semiconductor device, and method of operating the semiconductor device and system

Номер патента: US20190267058A1. Автор: Dong Kyun Kim,Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Optical protective device (versions), method of manufacturing of the specified device and method of verification of the protected object containing the specified optical protective device

Номер патента: RU2725667C1. Автор: Антон Станиславович Сазонов,Владимир Маркович Козенков,Данила Александрович Кожевников,Андрей Валентинович Смирнов,Леонид Игоревич Смирнов,Александр Михайлович Сергиенко,Борис Рудольфович Шаталов,Тимур Октаевич ПАШАЕВ,Валерий Васильевич БАБЮК. Владелец: Акционерное Общество "Научно-Производственное Объединение "Криптен". Дата публикации: 2020-07-03.

Device for treating urinary incontinence and method of treating urinary incontinence, stimulating device and stimulation method

Номер патента: RU2597803C2. Автор: Хершел ПЭДДИКОРД. Владелец: ИНКОНТРОЛ МЕДИКАЛ, Эл Эл Си. Дата публикации: 2016-09-20.

Print head for inkjet printing, method of its manufacture, inkjet printing device, and method of electric separation of single sections of print head for inkjet printing

Номер патента: RU2578122C2. Автор: Такуя ХАЦУИ,Юдзуру ИСИДА,Макото САКУРАИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2016-03-20.

Номер патента: RU2701714C1. Автор: Андрей Владимирович Смирнов,Айрат Наилевич Галиев,Дмитрий Николаевич Махотин,Владимир Николаевич Мымрин. Владелец: Акционерное общество "Московский машиностроительный завод "Вперед". Дата публикации: 2019-09-30.

Method of calibrating computed tomography image, device and computed tomography system

Номер патента: RU2602750C1. Автор: Ли ЧЖАН,Синь Цзинь,Цинпин ХУАН,Юньда СУНЬ. Владелец: Ньюктек Компани Лимитед. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of making pipe device, pipe device and oven equipped with such pipe device

Номер патента: RU2711168C2. Автор: Андерс ВАЛЛЕРЕ,Томас БЛОМФЕЛЬДТ,Йохан Хернблом,Петер НОРДИН. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2020-01-15.

Radioactive source for brachytherapy, method of making the device (versions), method of treatment by using the device and composition on its base

Номер патента: RU2251437C2. Автор: Мортен ЭРИКСЕН,Грегори Линн МакКИНТАЙР,Роберт А. СНОУ,Эдвард Р. БЕЙКОН,Эуден ТОРНЕС,Джералдин Фрай КУНИ,Вирджини Энн ГЕЙТС,Вирджиния Энн ГЕЙТС,Джоэл КОРНАКОФФ,Кристофер Д. В. БЛЭК. Владелец: Амершем пи-эл-си. Дата публикации: 2005-05-10.

Method of manufacturing a semiconductor device whereby photomasks comprising partial patterns are projected onto a photoresist layer so as to merge into one another

Номер патента: US5792591A. Автор: Albert J.P. Theuwissen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-08-11.

Semiconductor devices having mirrored terminal arrangements, devices including same, and methods of testing such semiconductor devices

Номер патента: US20020044476A1. Автор: Steven Hamren,James Nuxoll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a mask blank, method of manufacturing a transfer mask and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09625807B2. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Toshiharu Kikuchi,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of predicting traffic volume, electronic device, and medium

Номер патента: US12148295B2. Автор: Dejing Dou,Xinjiang LU. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Two-part dental sealant, method of applying with a syringe device, and kit

Номер патента: US12102499B2. Автор: Bradley D. Craig,Paul J. HOMNICK,Masayuki Nakamura,Joel D. Oxman,Yizhong Wang,Kenton D. Budd,Paul R. Klaiber,Richard P. Rusin,Afshin Falsafi,Bill H. Dodge,Mark B. AGRE,Randilynn B. CHRISTENSEN,Mahmut Aksit,Jana NINKOVIC,Jie J. Liu,Jason W. Bjork. Владелец: Solventum Intellectual Properties Co. Дата публикации: 2024-10-01.

Ultra-high frequency antenna device, ultra-high frequency antenna assembly, device method of forming such an antenna device, and support body material supply

Номер патента: WO2024147023A1. Автор: Lars Klemm. Владелец: Linxens Holding. Дата публикации: 2024-07-11.

Liquid crystal display device, driving method of the liquid crystal display device, and electronic device employing the same device and the same method

Номер патента: US09483973B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Wearable protection device, method of assembling said wearable protection device and motorcycle boot comprising said wearable protection device

Номер патента: EP3829377A1. Автор: Giovanni Mazzarolo. Владелец: Alpinestars Research SpA. Дата публикации: 2021-06-09.

Wearable protection device, method of assembling said wearable protection device and motorcycle boot comprising said wearable protection device

Номер патента: US20210259354A1. Автор: Giovanni Mazzarolo. Владелец: Alpinestars Research SpA. Дата публикации: 2021-08-26.

Execution method of position calculating circuit, position calculating circuit, operation control method of position calculating circuit, host device, and electronic apparatus

Номер патента: US20110084875A1. Автор: Toshikazu Akiyama,Kazunari Kobayashi,Hidekazu Maezawa,Norio Teruuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Method of preventing false triggering, wearable device and storage medium

Номер патента: US20240241603A1. Автор: Shupeng Li,Tao SUI,Zongxu YANG,Shumin Tan,Guiming CAO. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Cell potential detection device, method of manufacturing cell potential detection device, and information processing system

Номер патента: US20200283717A1. Автор: Masataka Maehara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of processing medical data, method of analyzing medical data, electronic device, and medium

Номер патента: US20240331416A1. Автор: Zhenzhong Zhang,Yulan HU,Xiaotian JIANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of controlling backlight of display device and display device for power reduction using a common luminance reduction rate

Номер патента: US12073801B2. Автор: Kouichi Ooga. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of controlling display of electronic device and electronic device

Номер патента: US09946393B2. Автор: Chi-Hyun CHO,Jae-Birm KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of mapping address in storage device, method of reading data from storage devices and method of writing data into storage devices

Номер патента: US09740630B2. Автор: Hyun-Seob Lee,Jung-Yeon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Crosslinked particles, composition comprising the crosslinked particles, method for the manufacture thereof, and method of treating an infection

Номер патента: US20230149514A1. Автор: Vincent M. Rotello,Ryan Francis Landis. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2023-05-18.

Control method of controlling washing machine, control device, and non-transitory recording medium in which program for controlling washing machine is recorded

Номер патента: US20190276967A1. Автор: Kazuki Sakamoto,Takayuki Nishikawa,Yu Sakata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device including a clock source for generating a clock signal and a clock control circuit for controlling the clock source in hardware, a semiconductor system including the semiconductor device, and a method of operating the semiconductor device

Номер патента: US10503674B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-10.

Method of recording an exposure pattern in a recording layer of a holographic mask, method of forming an exposure pattern in a photosensitive material film, method of manufacturing a semiconductor device and method of manufacturing an electro-optic device

Номер патента: US20070229927A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of detecting optical and optoelectronic devices and device therefor

Номер патента: RU2568336C2. Автор: Гюзель Абдулловна Богатова,Александр Анатольевич Герасимов,Василий Васильевич Перебейнос,Сергей Дмитриевич Питик,Михаил Владимирович Рузин. Владелец: Акционерное общество "Швабе-Исследования". Дата публикации: 2015-11-20.

Device for loading containers, method of loading containers using said device and container with such device

Номер патента: RU2450964C2. Автор: ВИДАЛЬ Оскар ФИЛЬОЛЬ. Владелец: Сиксер Лимитед. Дата публикации: 2012-05-20.

半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты