场发射型电子源阵列及其制造方法与用途
Номер патента: CN1287678A
Опубликовано: 14-03-2001
Автор(ы): 冈直正, 幡井崇, 本多由明, 栎原勉, 渡部祥文, 相泽浩一, 菰田卓哉, 越田信义, 近藤行广
Принадлежит: Matsushita Electric Works Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-03-2001
Автор(ы): 冈直正, 幡井崇, 本多由明, 栎原勉, 渡部祥文, 相泽浩一, 菰田卓哉, 越田信义, 近藤行广
Принадлежит: Matsushita Electric Works Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Field emission display and method for forming negative holes of the same
Номер патента: US20030042842A1. Автор: Kyu-Won Jung,Jae-Cheol Cha,Ho-Su Han. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.