Semiconductor component including a lateral transistor component
Номер патента: US8487307B2
Опубликовано: 16-07-2013
Автор(ы): Anton Mauder, Franz Hirler, Joachim Weyers, Paul Kuepper
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-07-2013
Автор(ы): Anton Mauder, Franz Hirler, Joachim Weyers, Paul Kuepper
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Power semiconductor component with a drift zone and a high-dielectric compensation zone and method for producing a compensation zone
Номер патента: US7868396B2. Автор: Franz Hirler,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-01-11.