Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Associative memory device with time shared comparators

Associative memory device with time shared comparators

Номер патента: US4145737A
Опубликовано: 20-03-1979
Автор(ы): David B. Hurt, Sydney M. Lamb
Принадлежит: SEMIONICS ASSOC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

A memory device including an associative memory for the storage of data belonging to a plurality of classes

Номер патента: US20020038295A1. Автор: Alan Kramer,Roberto Canegallo,Mauro Chinosi,Giovanni Gozzini,Pierluigi Rolandi,Loris Navoni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2002-03-28.

Integrated microprocessor with associative memory device

Номер патента: US5101376A. Автор: Kanji Kato,Kouki Noguchi,Mitsuru Akizawa. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 1992-03-31.

Associative memory

Номер патента: CA2419776C. Автор: Harry Urbschat,Gannady Lapir. Владелец: BDGB Enterprise Software SARL. Дата публикации: 2013-01-29.

Associative memory including multiple cascaded associative memory blocks and its use in forwarding packets in a network

Номер патента: US09824162B1. Автор: Doron Shoham,Gilad Hazan. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Associative memory for realizing a k-nearest neighbors algorithm

Номер патента: US9911496B2. Автор: Shogo YAMASAKI,Hans Juergen Mattausch. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2018-03-06.

K-nearest neighbors associative memory

Номер патента: US20160225450A1. Автор: Shogo YAMASAKI,Hans Juergen Mattausch. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2016-08-04.

Associative memory device returning search results of a plurality of memory groups successively upon one search instruction

Номер патента: US20040010657A1. Автор: Daisuke Namihira. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-15.

Associative memory with enhanced capabilities

Номер патента: CA2494149C. Автор: Fusun Ertemalp,Bhushan Mangesh Kanekar,William N. Eatherton,Jaushin Lee,Bangalore L. Priyadarshan,Priyank Ramesh Warkhede,Hugh Weber Holbrook,Dileep Kumar Devireddy,Venkateshwar Rao Pullela. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-25.

Associative memory technology in intelligence analysis and course of action development

Номер патента: CA2784343A1. Автор: Brian Warn,William G. Arnold. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2013-03-23.

Adaptable associative memory system

Номер патента: US3699545A. Автор: Werner Erich Kluge. Владелец: Northern Electric Co Ltd. Дата публикации: 1972-10-17.

Using associative memory to perform database operations

Номер патента: WO2003017136A1. Автор: Rony Zarom,Kenneth Ross,Kenneth Yip. Владелец: Etagon Israel Ltd.. Дата публикации: 2003-02-27.

Narrowing Comparison Results of Associative Memories

Номер патента: US20140149655A1. Автор: John Desmond Whelan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-05-29.

Associative memory capable of matching a variable indicator in one string of characters with a portion of another string

Номер патента: US5319762A. Автор: Rollin P. Mayer. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 1994-06-07.

Cognitive decision system for security and log analysis using associative memory mapping in graph database

Номер патента: US20190171756A1. Автор: Sudhir RANGANNA PATAVARDHAN,Nikhil S. Tanwar. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

System and method for thermally coupling memory devices to a memory controller in a computer memory board

Номер патента: US09848517B2. Автор: Douglas Cowles,Allan Jeffrey Koeppel. Владелец: Saint Regis Mohawk Tribe. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods, systems and computer program products for using a distributed associative memory base to determine data correlations and convergence therein

Номер патента: EP3069305A2. Автор: Paul Hofmann,Manuel Aparicio, IV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-21.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09861826B2. Автор: Charles R Gordon,Duane R Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09440086B2. Автор: Charles R. Gordon,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Cache device for coupling to a memory device and a method of operation of such a cache device

Номер патента: US8200902B2. Автор: Nigel Charles Paver,Stuart David Biles,Dam Sunwoo,Prakash Shyamlal Ramrakhyani. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Method, associated memory device and controller thereof for performing programming management

Номер патента: US20190027221A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Power budget arbitration for multiple concurrent access operations in a memory device

Номер патента: US11775185B2. Автор: Luca De Santis,Walter Di Francesco,Ali Mohammadzadeh,Luca Nubile,Biagio Iorio,Yuanhang Cao,Fumin Gu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US20160375260A1. Автор: Charles R Gordon,Duane R Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2016-12-29.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: EP3044670A1. Автор: Charles R. Gordon,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2016-07-20.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US20150073497A1. Автор: Charles R. Gordon,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-03-12.

Solid-state device with load isolation

Номер патента: US20120297125A1. Автор: IRFAN SYED,Stephen R. BOORMAN,Omid NASIBY. Владелец: Stec Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Computing device with resource manager and civilware tier

Номер патента: US20170308405A1. Автор: Hanan Potash. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-26.

Method and apparatus for performing access control of memory device with aid of aggressor bit information

Номер патента: EP4213396A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Two-sided time-sharing driving and acquisition system based on dry contacts and system fault detection method therefor

Номер патента: US12093117B2. Автор: Yu Zheng,Yue Wang,Yong Qi,Guoqiang HE,Kun QI,Dingliang XU. Владелец: Nanjing Research Institute Of Electronics Technology. Дата публикации: 2024-09-17.

Data storage device with temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US09666249B1. Автор: Sang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory device with an EPLI comparator

Номер патента: US09378829B2. Автор: Ifat Nitzan KALDERON,Max Steven WILLIS, III. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Method and device with memory processing control

Номер патента: EP4398071A2. Автор: Hyun Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Method and device with memory processing control

Номер патента: EP4398071A3. Автор: Hyun Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Two-sided Time-sharing Driving and Acquisition System Based on Dry Contacts and System Fault Detection Method Therefor

Номер патента: US20230401119A1. Автор: Yu Zheng,Yue Wang,Yong Qi,Guoqiang HE,Kun QI,Dingliang XU. Владелец: Nanjing Research Institute Of Electronics Technology. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory device with variable trim parameters

Номер патента: US09905300B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device with variable trim parameters

Номер патента: US09594516B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device with plural memory die and controller die

Номер патента: US09348786B2. Автор: Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Method, computer program and device for supervising a scheduler for the management of processing time sharing in a multitask data-processing system

Номер патента: CA2731147C. Автор: Franck Dessertenne,Pierre Guirriec. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2018-06-05.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device, information-processing device and information-processing method

Номер патента: US09575887B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Daisuke Iwai,Shoji Sawamura,Takaya HORIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09384152B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and system for analyzing user loads in combination with time information

Номер патента: US09722430B2. Автор: Ning Li,Jiye Wang,Jianming Liu,Fengyu Wang,Lifang YANG,Aimei Yan. Владелец: GUO DIAN TONG NETWORK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Gaming system having dedicated player gaming devices with rng and time share features

Номер патента: WO2012125630A2. Автор: Elia Rocco Tarantino. Владелец: My Personal Casino, Llc. Дата публикации: 2012-09-20.

Creating Optimal Comparison Criterion within Associative Memories

Номер патента: US20130332671A1. Автор: John Whelan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2013-12-12.

Employing associative memory for enhanced lifecycle management

Номер патента: US09542436B2. Автор: Brian Warn,Leonard J. Quadracci. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-01-10.

Identifying contextual results within associative memories

Номер патента: US20140310312A1. Автор: John Desmond Whelan,Harry Eldridge Stovall, III. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-10-16.

Employing Associative Memory for Enhanced Lifecycle Management

Номер патента: US20170109428A1. Автор: Brian Warn,Leonard J. Quadracci. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-04-20.

Data Storage Devices with File System Managers

Номер патента: US20240289270A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Data storage devices with file system managers

Номер патента: WO2024182188A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-06.

Silver halide material for optical memory devices with luminescent reading and methods for the treatment thereof

Номер патента: WO1998037456A9. Автор: Mark A Alperovich,Eugene B Levich,Jacob N Malkin,Boris M Shapiro. Владелец: Boris M Shapiro. Дата публикации: 1999-11-11.

Silver halide material for optical memory devices with luminescent reading and methods for the treatment thereof

Номер патента: US20020115026A1. Автор: Mark Alperovich,Eugene Levich,Jacob Malkin,Boris Shapiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Time-shared AGC for ultra-sound liquid level meter

Номер патента: US4868797A. Автор: Daniel J. Soltz. Владелец: Fischer and Porter Co. Дата публикации: 1989-09-19.

Apparatus for time-sharing light distribution

Номер патента: US4669817A. Автор: Kei Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-06-02.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Associative memory device

Номер патента: US20240265236A1. Автор: Hiroshi Kage. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Wear-leveling system and method for reducing stress on memory device using erase counters

Номер патента: US09971682B2. Автор: Jian Zhou,Xinjie Chen,Xiaoxiang Geng,Yaoqiao LI. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Data processing device and associated memory management method

Номер патента: US20240370362A1. Автор: Yi-Lin Yang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Search device includes associative memory, search data generating unit for generating search information based on hit information and a search key generating unit generating search keys based on search information and the search data

Номер патента: US10191839B2. Автор: Takeo Miki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Method for performing host-directed operations, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ming-Yen Lin,Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Concurrent multi-bit subtraction in associative memory

Номер патента: US20230266911A1. Автор: Eyal AMIEL,Moshe LAZER. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for performing access management of memory device with aid of information arrangement, associated memory device and controller thereof, associated electronic device

Номер патента: US20200379898A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Cordic computation of sin/cos using combined approach in associative memory

Номер патента: US20220413799A1. Автор: Samuel LIFSCHES,Moshe LAZER,Almog LEVY. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Mapping a physical address differently to different memory devices in a group

Номер патента: US09934143B2. Автор: Kuljit S. Bains,John H. Crawford,Brian S. Morris,Suneeta Sah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Parallel associative memory

Номер патента: RU2498425C2. Автор: Хисатада МИЯТАКЕ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2013-11-10.

A computerized charging/interface device with application marketplace and ecosystem capabilities

Номер патента: EP4413483A1. Автор: Mordechai GURI. Владелец: BG Negev Technologies and Applications Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Error recovery storage for non-associative memory

Номер патента: US20200285550A1. Автор: Alan Jeremy BECKER,Peter VRABEL. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-09-10.

Boundary condition check using associative memory

Номер патента: US20210029037A1. Автор: Michael Chih-Yen Wang,Navdeep Bhatia,Hans Jonas Flodin. Владелец: Arista Networks Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for comparing data in the cell of the associative memory device, and module for comparing data in the cell of the associative memory device

Номер патента: RU2680870C1. Автор: Павел Григорьевич Кириченко. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-02-28.

Method for performing initialization in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190294354A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Power train controller and associated memory device

Номер патента: US09970532B2. Автор: Christian M. Litscher,Jeanne O. Rues,Michael J. Howenstein. Владелец: Allison Transmission Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for managing memory apparatus to perform writing control according to monitored data amount of received data, associated memory apparatus thereof and associated controller thereof

Номер патента: US09514042B2. Автор: Yu-Wei Fan,Po-Sheng Chou,Chung-Yuan Chan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for managing memory apparatus, associated memory apparatus thereof and associated controller thereof

Номер патента: US09507708B2. Автор: Yu-Wei Fan,Po-Sheng Chou,Chung-Yuan Chan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for performing memory access management with aid of machine learning in memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190347573A1. Автор: Po-Yi Shih. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for performing memory interface calibration in an electronic device, and associated apparatus and associated memory controller

Номер патента: US09824728B2. Автор: Shang-Pin Chen,Bo-Wei Hsieh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20230342302A1. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Computer system with distributed associative memory

Номер патента: WO1989009966A3. Автор: Semyon Berkovich. Владелец: Allied Signal Inc. Дата публикации: 1990-03-08.

Computer system with distributed associative memory

Номер патента: WO1989009966A2. Автор: Semyon Berkovich. Владелец: Allied-Signal Inc.. Дата публикации: 1989-10-19.

Method, server and mobile communication device for managing unique memory device identifications

Номер патента: EP2174481B1. Автор: Ismaila Wane,Alexandre Corda,Dominique Brule. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-10.

Associative memory device

Номер патента: EP1763759A1. Автор: Gheorghe Stefan,Dan Tomescu,Dominique Thiebaut. Владелец: Brightscale Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

System and method to discover and encode indirect associations in associative memory

Номер патента: US09558825B1. Автор: Michael D. Howard. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for performing data processing for error handling in memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190065305A1. Автор: Che-Yi Wu,Hung-En Hsieh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Apparatus and method to preserve data in a set associative memory device

Номер патента: US5584014A. Автор: Yousef A. Khalidi,Basem A. Nayfeh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1996-12-10.

Apparatus and method for transparent multi-hit correction in associative memories

Номер патента: US20080140924A1. Автор: Michael J. Lee,Bao G. Truong,Vinod Ramadurai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Method of active flash management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20110138108A1. Автор: Xiangrong Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Facilitating improved use of stochastic associative memory

Номер патента: NL2028948B1. Автор: SENGUPTA DIPANJAN,Khan Jawad,CHAUHAN Chetan,DONGAONKAR Sourabh,Coulson Richard,Tepper Mariano,Willke Theodore. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Facilitating improved use of stochastic associative memory

Номер патента: NL2028948A. Автор: SENGUPTA DIPANJAN,Khan Jawad,CHAUHAN Chetan,DONGAONKAR Sourabh,Coulson Richard,Tepper Mariano,Willke Theodore. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for controlling memory apparatus, and associated memory apparatus and controller thereof

Номер патента: US09454430B2. Автор: Zhen-U Liu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for performing access control in a memory device, associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20190163571A1. Автор: Chiao-Wen Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for performing access control in a memory device, associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20200285411A1. Автор: Chiao-Wen Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Methods, systems and computer program products for providing a distributed associative memory base

Номер патента: EP2438512A2. Автор: James S. Fleming,Yen-Min Huang. Владелец: Saffron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-11.

Methods, systems and computer program products for providing a distributed associative memory base

Номер патента: WO2010141182A3. Автор: James S. Fleming,Yen-Min Huang. Владелец: Saffron Technology, Inc.. Дата публикации: 2011-01-27.

Caching associative memory

Номер патента: EP1212684A1. Автор: Alex E. Henderson,Walter E. Croft. Владелец: Fast-Chip Inc. Дата публикации: 2002-06-12.

Caching associative memory

Номер патента: WO2001011469A1. Автор: Alex E. Henderson,Walter E. Croft. Владелец: Fast-Chip Incorporated. Дата публикации: 2001-02-15.

Caching associative memory

Номер патента: EP1212684B1. Автор: Alex E. Henderson,Walter E. Croft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-12.

Canonical spiking neuron network for spatiotemporal associative memory

Номер патента: US20170061277A1. Автор: Dharmendra S. Modha,Steven K. Esser,Anthony Ndirango. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Canonical spiking neuron network for spatiotemporal associative memory

Номер патента: US20180018557A1. Автор: Dharmendra S. Modha,Steven K. Esser,Anthony Ndirango. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Canonical spiking neuron network for spatiotemporal associative memory

Номер патента: US11176445B2. Автор: Dharmendra S. Modha,Steve Kyle Esser,Anthony Ndirango. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-16.

Canonical spiking neuron network for spatiotemporal associative memory

Номер патента: US11138492B2. Автор: Dharmendra S. Modha,Steven Kyle ESSER,Anthony Ndirango. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-05.

Canonical spiking neuron network for spatiotemporal associative memory

Номер патента: US09665822B2. Автор: Dharmendra S. Modha,Steven K. Esser,Anthony Ndirango. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Canonical spiking neuron network for spatiotemporal associative memory

Номер патента: US09524462B2. Автор: Dharmendra S. Modha,Steven K. Esser,Anthony Ndirango. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Pseudo set-associative memory cacheing arrangement

Номер патента: CA1301367C. Автор: David James Ayers. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1992-05-19.

Process for emulating associative memory

Номер патента: EP1426868A3. Автор: Bruce A. Noyes. Владелец: Bull HN Information Systems Inc. Дата публикации: 2004-08-18.

Memory device with timing overlap mode and precharge timing circuit

Номер патента: US09552849B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Two-port ternary content addressable memory and layout pattern thereof, and associated memory device

Номер патента: EP3739586A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-11-18.

Identifying movements using a motion sensing device coupled with an associative memory

Номер патента: US20150293593A1. Автор: John Desmond Whelan,Leonard Jon Quadracci. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2015-10-15.

Two-port ternary content addressable memory and layout pattern thereof, and associated memory device

Номер патента: US10892013B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Method for performing writing management in a memory device, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20190235789A1. Автор: Ming-Yen Lin,Chin-Pang Chang,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Method and apparatus to perform batching and striping in a stochastic associative memory to avoid partition collisions

Номер патента: WO2022271219A1. Автор: Dipanjan Sengupta,Chetan Chauhan,Sourabh Dongaonkar,Mariano Tepper,Theodore Willke,Jawad B Khan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for performing writing management in a memory device, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20190377517A1. Автор: Ming-Yen Lin,Chin-Pang Chang,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Eyewear with time shared viewing supporting delivery of differing content to multiple viewers

Номер патента: US09979954B2. Автор: Nambirajan Seshadri,Jeyhan Karaoguz,James D. Bennett,Adil Jagmag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Identifying movements using a motion sensing device coupled with an associative memory

Номер патента: CA2883697C. Автор: John Desmond Whelan,Leonard Jon Quadracci. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-08-21.

Two-port ternary content addressable memory and layout pattern thereof, and associated memory device

Номер патента: US20200365207A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Associative memory for very large key spaces

Номер патента: US5490258A. Автор: Peter R. Fenner. Владелец: Fenner; Peter R.. Дата публикации: 1996-02-06.

Programmable logic device with partially configurable memory cells and a method for configuration

Номер патента: US5781756A. Автор: Lawrence C. Hung. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Dynamic hierarchial associative memory

Номер патента: US5341483A. Автор: Steven J. Frank,Paul A. Binder. Владелец: Kendall Square Research Corp. Дата публикации: 1994-08-23.

Obtaining metrics for a position using frames classified by an associative memory

Номер патента: RU2687707C2. Автор: Джон Десмонд ВЕЛАН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2019-05-15.

Dynamic hierarchical associative memory

Номер патента: CA2042291C. Автор: Steven J. Frank,Paul A. Binder. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2000-11-21.

Associative memory processing method for natural language parsing and pattern recognition

Номер патента: US5619718A. Автор: Nelson Correa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-04-08.

Associative memory

Номер патента: GB1527683A. Автор: . Владелец: VITALIEV G. Дата публикации: 1978-10-04.

Memory device with timing overlap mode

Номер патента: US20150124524A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Memory device with timing overlap mode

Номер патента: US20170084324A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Intrinsic barrier device with software configurable io type

Номер патента: US20160140058A1. Автор: Dinesh Kumar KN,Paul Gerhart,Sai Krishnan Jagannathan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

System and Method for Replacement in Associative Memories Using Weighted PLRU Trees

Номер патента: US20180095875A1. Автор: Chunhui Zhang,Robert S. Chappell,Yury N. Ilin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Facilitating improved use of stochastic associative memory

Номер патента: US20230305709A1. Автор: Dipanjan Sengupta,Jawad Khan,Richard Coulson,Chetan Chauhan,Sourabh Dongaonkar,Mariano Tepper,Theodore Willke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus and method for multi-hit detection in associative memories

Номер патента: US20080140925A1. Автор: Michael J. Lee,Bao G. Truong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Memory module with timing-controlled data paths in distributed data buffers

Номер патента: US09824035B2. Автор: Hyun Lee,Jayesh R. Bhakta. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Electronic portable device with keypad at back and method associated with said device

Номер патента: RU2375763C2. Автор: Сами СЯЙЛЯ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2009-12-10.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with user defined operations and associated methods and systems

Номер патента: US12045129B2. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Connector device with electronic control switch for controlling multichannel circuit wiring

Номер патента: US6115774A. Автор: Fumiaki Uzaki,Genryo Ezawa. Владелец: Whitaker LLC. Дата публикации: 2000-09-05.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US20240329852A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with user defined operations and associated methods and systems

Номер патента: US20240370332A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

A computerized charging/interface device with malware detection and backup capabilities

Номер патента: EP4338076A1. Автор: Yuval Elovici,Mordechai GURI. Владелец: BG Negev Technologies and Applications Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Erasing Device for long-term memory devices

Номер патента: US20200327086A1. Автор: Steven Bress,Mark Joseph Menz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12099639B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12105644B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US20240345967A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Controller-opaque communication with non-volatile memory devices

Номер патента: US09348774B2. Автор: Earl T. Cohen,Leonid Baryudin,Gordon James Coleman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-24.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Memory device with circuitry for improving accuracy of a time estimate and method for use therewith

Номер патента: WO2008154307A3. Автор: Michael Holtzman,Ron Barzilai,Rotem Sela,Fabrice E Jogand-Coulomb. Владелец: Fabrice E Jogand-Coulomb. Дата публикации: 2009-07-23.

Hybrid storage device with three-level memory mapping

Номер патента: US20220075729A1. Автор: Mark Ish,Jackson Ellis,Niranjan Anant Pol,Nitin Satishchandra Kabra. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2022-03-10.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09823874B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Battery charging device with charging profile data update facility

Номер патента: US09502911B2. Автор: Joseph A. Finnerty,Robert E. Fust,Mark C. Orlosky. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Assessment of control criteria from remote control device with camera

Номер патента: RU2602829C2. Автор: Томмазо ГРИТТИ,ГРИНСВЕН Петрус Аугюстинус Мария ВАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-11-20.

Methods and apparatus for probabilistic refresh in volatile memory devices

Номер патента: WO2022051602A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jeremy Chritz,David N. HULTON. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-10.

Methods and Apparatus for Probabilistic Refresh in Volatile Memory Devices

Номер патента: US20230410873A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Chinese character input method, apparatus, and associated memory medium

Номер патента: WO2011143808A1. Автор: Yang Yang,Qing Li,Mei DONG. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2011-11-24.

Updating mapping information during synchronization of memory device

Номер патента: US20200081645A1. Автор: Igor Genshaft,Marina Frid. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Non-volatile memory device with usb and wireless connectivity and method for controlling the connectivity

Номер патента: EP2044756A1. Автор: Teng Pin Poo,Henry Tan. Владелец: Trek 2000 International Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device with modified command and associated methods and systems

Номер патента: US11755412B2. Автор: Debra M. Bell,Joshua E. Alzheimer,Todd M. BUERKLE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Solid state storage device with command and control access

Номер патента: US20190058598A1. Автор: Robert W. Strong,Hemaprabhu Jayanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Solid state storage device with command and control access

Номер патента: US09900159B2. Автор: Robert W. Strong,Hemaprabhu Jayanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

One-pass programming in a multi-level nonvolatile memory device with improved write amplification

Номер патента: US09811284B2. Автор: Eyal Gurgi,Charan Srinivasan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and apparatus for refreshing and data scrubbing memory device

Номер патента: US09600362B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Real-time sharing method, apparatus and system

Номер патента: US09553826B2. Автор: Jin Qin,Pei Dang,Deepanshu Gautam. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device with microbumps to transmit data for a machine learning operation

Номер патента: US20210173583A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Packaged memory devices with various unique physical appearances

Номер патента: EP1782425A1. Автор: Hem P. Takiar,Robert C. Miller,Wesley G. Brewer. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-05-09.

Packaged memory devices with various unique physical appearances

Номер патента: EP1782425B1. Автор: Hem P. Takiar,Robert C. Miller,Wesley G. Brewer. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-12-16.

Packaged memory devices with various unique physical appearances

Номер патента: WO2006014792A1. Автор: Hem P. Takiar,Robert C. Miller,Wesley G. Brewer. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-02-09.

Memory device with multiple input/output interfaces

Номер патента: US12079479B2. Автор: Jonathan S. Parry,Chang H. Siau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Split protocol approaches for enabling devices with enhanced persistent memory region access

Номер патента: US20230297286A1. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory controller with time-based read and write phases

Номер патента: US20240281141A1. Автор: Robert Walker,Patrick A. La Fratta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Split protocol approaches for enabling devices with enhanced persistent memory region access

Номер патента: US12086468B2. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with volatile and non-volatile memories to retain data during power interruption

Номер патента: US09898194B2. Автор: Masaaki Hiroki,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Data storage device with memory services for storage access queues

Номер патента: WO2024168032A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-15.

Data Storage Device with Memory Services for Storage Access Queues

Номер патента: US20240264944A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Embedded MMC device with secure boot updates by loading golden boot image from write-protected partition and validating self-recovery using public key

Номер патента: US12069184B2. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US12061800B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit device with crossbar to route traffic

Номер патента: US20230273887A1. Автор: Roland Richter,Andreas Torno,Joaquin Ibanez Montemayor. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system with timing overlap mode for activate and precharge operations

Номер патента: US09870812B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device with adaptive voltage scaling based on error information

Номер патента: US09786356B2. Автор: Jonathan Liu,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Layout for a semiconductor memory device having redundant elements

Номер патента: US7043672B2. Автор: Todd A. Merritt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Memory devices with read level calibration

Номер патента: EP3662478A1. Автор: Peng Fei,Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Michael G. Miller,Harish R. Singidi,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga,Roland J. Awusie,Gianni S. Alsasua. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-10.

Alternating current time-sharing outlets and switch box

Номер патента: US11855420B1. Автор: Vincent Hung Nguyen,Trang Lan Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device with flexible data pin configuration and method thereof

Номер патента: US20240241652A1. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Time-shared compute-in-memory bitcell

Номер патента: WO2021178660A1. Автор: Ankit Srivastava. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-10.

Memory device with 4n and 8n die stacks

Номер патента: US20240281390A1. Автор: Tyler J. Gomm,Sujeet Ayyapureddi,Dong Uk Lee,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device with flexible data pin configuration and method thereof

Номер патента: US12079492B2. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Data Storage Devices with Services to Manage File Storage Locations

Номер патента: US20240289271A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device with 4n and 8n die stacks

Номер патента: WO2024177810A1. Автор: Tyler J. Gomm,Sujeet Ayyapureddi,Dong Uk Lee,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory devices with controllers under memory packages and associated systems and methods

Номер патента: US09627367B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Programming interface and method for managing time sharing option address space on a remote system

Номер патента: US20180091380A1. Автор: Susan Z. Demkowicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Systems and methods for time-sharing interactions using a shared artificial intelligence personality

Номер патента: US20210004680A1. Автор: Lewis James Marggraff,Nelson George Publicover,Mary Jo Marggraff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-07.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: EP2745203A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Stacked memory device with paired channels

Номер патента: US11775213B2. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US20170235632A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Dynamic random access memory (dram) device with write error protection

Номер патента: US20240311219A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US09747148B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device with internal measurement of functional parameters

Номер патента: US09646717B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-09.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US09606851B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Virtual boundary codes in a data image of a read-write memory device

Номер патента: US09442840B2. Автор: Ashwani Kumar,Dhamim Packer Ali,Benish Babu,Taara Nandakishore Ellala. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and apparatus for performing data access performance shaping of memory device

Номер патента: US20230315337A1. Автор: Cheng Yi,Kaihong Wang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Data storage device with weak bits handling

Номер патента: US12045509B2. Автор: Refael Ben RUBI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device with soft-decision decoding and methods of reading and forming thereof

Номер патента: US20190361769A1. Автор: Kheong Sann Chan,Zhiliang QIN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-11-28.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Error correction in differential memory devices with reading in single-ended mode in addition to reading in differential mode

Номер патента: US20150212880A1. Автор: Marco Pasotti,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-07-30.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory device with volatile and non-volatile media

Номер патента: US09767017B2. Автор: David Flynn,Nisha Talagala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory Device With Timing Overlap Mode

Номер патента: US20160104518A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Screen unlocking method with time information screen unlocking system with time information, and recording medium

Номер патента: US20140062903A1. Автор: Chih-Kung Lee,Pei-Wen HUANG,Kun-Hung Lee,Yung-Chieh HUNG,Emery Jou,Chia-Hsiang Chang,Jing-Fung CHEN,Yueh-Ying Chang. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2014-03-06.

Memory device with a multiplexed command/address bus

Номер патента: US10930632B2. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-23.

Memory device with data scrubbing capability and methods

Номер патента: US12086421B2. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device with compressed soft information and associated control method

Номер патента: US20240329845A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: WO2024226631A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device with data scrubbing capability and methods

Номер патента: EP4441607A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: US20240354005A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of operating semiconductor memory devices with selective write-back of data for error scrubbing and related devices

Номер патента: US09990163B2. Автор: Uk-Song KANG,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device with different parity regions

Номер патента: US09977712B2. Автор: Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device with variable strobe interface

Номер патента: US09672881B2. Автор: Ken-Hui Chen,Kuen Long Chang,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Information handling device with built-in stand

Номер патента: US09654608B2. Автор: Brian William Wallace,Ali Kathryn Ent. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Enhanced structure of extensible time-sharing bus

Номер патента: US20050240697A1. Автор: Tung-Tsai Liao,Wen-Zen Shih. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Methods and systems for time-sharing processing of gas data based on smart gas internet of things

Номер патента: US20240291726A1. Автор: YONG Li,Lei Zhang,Bin Liu,Zehua Shao. Владелец: Chengdu Qinchuan IoT Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Time-sharing wave recording method

Номер патента: US20200142592A1. Автор: Yunfeng Liu,Jinfa Zhang,Guoqiao SHEN,Qingsong Tao,Guojin Xu,Changliang Liu. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Time-shared compute-in-memory bitcell

Номер патента: US20210279039A1. Автор: Ankit Srivastava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Time-shared compute-in-memory bitcell

Номер патента: EP4115419A1. Автор: Ankit Srivastava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Non-volatile memory device with reduced area

Номер патента: US12052859B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Solid State Memory Device with PCI Controller

Номер патента: US20080040533A1. Автор: Jason Caulkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

A structure and method for detecting errors in a multilevel memory device with improved programming granularity

Номер патента: EP1435574A3. Автор: Angelo Visconti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-07-28.

Memory device with page emulation mode

Номер патента: WO2015009331A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2015-01-22.

Flash memory device with improved management of protection information

Номер патента: US20070016735A1. Автор: Mauro Sali,Francesco Mastroianni,Antonino Mondello,Massimiliano Mollichelli,Elena Cussotto. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-18.

Memory device with internal processing interface

Номер патента: US12099455B2. Автор: Hak-soo Yu,Yuhwan Ro,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory device with reduced area

Номер патента: US20240357804A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device with failed main bank repair using redundant bank

Номер патента: US12073092B2. Автор: Sangoh Lim. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device with over-refresh and method thereof

Номер патента: US09685217B2. Автор: Sergiy Romanovskyy,Cormac Michael Oconnell. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Single-ended memory device with differential sensing

Номер патента: US09679637B1. Автор: Kuoyuan Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device with parallel odd and even column access and methods thereof

Номер патента: US09552255B2. Автор: Dong-Uk Lee,Kyung-Whan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device with page emulation mode

Номер патента: US09529726B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Geographically distributed multiprocessor time-shared communication processing system

Номер патента: CA1183610A. Автор: Glenn R. Babecki,Frank Kaplan,Hueichi R. Liu,George F. MacLachlan,John F. McDonald,John D. Palframan,Martin J. Welt,Timothy A. Wendt,Gregory S. Yates. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-03-05.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Method and apparatus for the design and analysis of digital circuits with time division multiplexing

Номер патента: US7007254B1. Автор: Kenneth S. McElvain,Drazen Borkovic. Владелец: Synplicity LLC. Дата публикации: 2006-02-28.

Memory device with enhanced data reliability capabilities

Номер патента: US20220317900A1. Автор: Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory device with enhanced data reliability capabilities

Номер патента: US11966600B2. Автор: Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US11953988B2. Автор: Aaron P. Boehm,Scott E Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US20240045595A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: EP3973399A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: WO2020236403A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-26.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device stack availability

Номер патента: WO2024086104A1. Автор: John Eric Linstadt,Dongyun Lee,Wendy Elsasser. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cluster namespace for a memory device

Номер патента: US20240231610A9. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: US20210173580A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: WO2021119203A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Power down of memory device based on hardware reset signal

Номер патента: US20240289035A1. Автор: Steffen Buch,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240302968A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240345932A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: WO2024220299A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-24.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Utilization of solid state memory devices

Номер патента: US09846661B2. Автор: Shmuel Ur,Mordehai MARGALIT,David Hirshberg,Shimon Gruper,Menahem Kaplan. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Disabling a command associated with a memory device

Номер патента: US09740433B2. Автор: Kuljit S. Bains,Christopher P. Mozak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Secure transfer and tracking of data using removable nonvolatile memory devices

Номер патента: US09647992B2. Автор: Robert D. Widergren,Martin Paul Boliek. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Protecting a memory device from becoming unusable

Номер патента: US09606853B2. Автор: Nitin V. Sarangdhar,Sudhakar Otturu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: US09594611B2. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Disabling a command associated with a memory device

Номер патента: US09542123B2. Автор: Kuljit S. Bains,Christopher P. Mozak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Host verification for a memory device

Номер патента: US20240361950A1. Автор: Lance W. Dover,Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Associative memory operators, methods and computer program products for using a social network for predictive marketing analysis

Номер патента: WO2009148621A1. Автор: Iv Manuel Aparicio,Albert Azout. Владелец: Sociocast Networks Llc. Дата публикации: 2009-12-10.

Method and apparatus for performing lzw data compression utilizing an associative memory

Номер патента: CA2208049A1. Автор: Albert B. Cooper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-07-11.

Full-day train operation diagram generating method based on relationship between time-sharing plan and activity events

Номер патента: EP3957544A1. Автор: JIANG Qian,Jing Xu,Fengbo Liu,Honghui Yan,Lanxiang Wang,Tingliang ZHOU. Владелец: Casco Signal Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Fuel consumption predictions using associative memories

Номер патента: US20170254658A1. Автор: John D. Whelan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-09-07.

Fuel consumption predictions using associative memories

Номер патента: US09823086B2. Автор: John D. Whelan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-21.

Energy-based associative memory neural networks

Номер патента: US20220180147A1. Автор: Timothy Paul Lillicrap,Simon Osindero,Jack William Rae,Sergey Bartunov. Владелец: DeepMind Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Associative memory learning agent for analysis of manufacturing non-conformance applications

Номер патента: US20100205121A1. Автор: Brian Warn,Leonard J. Quadracci. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-08-12.

Nonlinear associative memories using linear arrays of associative memory cells, and methods of operating same

Номер патента: WO2008002510A3. Автор: Manuel Aparicio Iv. Владелец: Manuel Aparicio Iv. Дата публикации: 2008-05-22.

Nonlinear associative memories using linear arrays of associative memory cells, and methods of operating same

Номер патента: EP2033194A2. Автор: Manuel Aparicio, IV. Владелец: Saffron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Nonlinear associative memories using linear arrays of associative memory cells, and methods of operating same

Номер патента: EP2033194B1. Автор: Manuel Aparicio, IV. Владелец: Saffron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Nonlinear associative memories using linear arrays of associative memory cells, and methods of operating same

Номер патента: WO2008002510A2. Автор: Manuel Aparicio, IV. Владелец: Saffron Technology, Inc.. Дата публикации: 2008-01-03.

Method and apparatus for performing LZW data compression utilizing an associative memory

Номер патента: US5642112A. Автор: Albert B. Cooper. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1997-06-24.

Method and apparatus for performing LZW data compression utilizing an associative memory

Номер патента: US5838264A. Автор: Albert B. Cooper. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1998-11-17.

Associate memory learning for analyzing financial transactions

Номер патента: WO2010117534A1. Автор: William G. Arnold,Leonard J. Quadracci,Patrick N. Harris. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2010-10-14.

Unipolar terminal-attractor based neural associative memory with adaptive threshold

Номер патента: US5544280A. Автор: Hua-Kuang Liu,Jacob Barhen,Nabil H. Farhat,Chwan-Hwa Wu. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1996-08-06.

Linear associative memory-based hardware architecture for fault tolerant ASIC/FPGA work-around

Номер патента: US7765174B2. Автор: Christopher H. Pham. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-27.

Optical implementation of inner product neural associative memory

Номер патента: US5412755A. Автор: Hua-Kuang Liu. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1995-05-02.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

System and method for facilitating real-time sharing of location of points of interest

Номер патента: US20230280188A1. Автор: Henderson Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-07.

Mobile device with time-varying magnetic field and single transaction account numbers

Номер патента: US20240202480A1. Автор: Prabhakar Tadepalli,Thomas N. Spitzer,Siva G. Narendra. Владелец: Icashe Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Provisioning mobile device with time-varying magnetic field

Номер патента: US09626611B2. Автор: Prabhakar Tadepalli,Thomas N. Spitzer,Siva G. Narendra. Владелец: Tyfone Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method and system for repairing faulty cells of memory device

Номер патента: US12112823B2. Автор: Ankit Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Deokgu Yoon,Keerthi Kiran Jagannathachar,Atishay Kumar,Damini. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Information management systems with time zone information, including event scheduling processes

Номер патента: US09864975B2. Автор: Colin Fitzpatrick,Mohamed Anas Abbar,Jeff Eldridge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Information management systems with time zone information, including event scheduling processes

Номер патента: US09542670B2. Автор: Colin Fitzpatrick,Mohamed Anas Abbar,Jeff Eldridge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Machine learning apparatus and method with time-point information indicating the time point in a unit period

Номер патента: US09449286B2. Автор: Koji Tsukamoto,Shingo Hoshino,Shinichiro Sega. Владелец: Yahoo Japan Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and apparatus for providing an automated content time-sharing service

Номер патента: US20110283193A1. Автор: Linda Wright. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-17.

System and method for diffuse imaging with time-varying illumination intensity

Номер патента: US09759995B2. Автор: Vivek K. Goyal,Ghulam Ahmed Kirmani. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-09-12.

Full-day train operation diagram generating method based on relationship between time-sharing plan and activity events

Номер патента: AU2020439771A1. Автор: JIANG Qian,Jing Xu,Fengbo Liu,Honghui Yan,Lanxiang Wang,Tingliang ZHOU. Владелец: Casco Signal Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Cartridge for printing device with memory device containing compressed multidimensional color tables

Номер патента: RU2664334C1. Автор: Джей С. ГОНДЕК,Стефен Дж. НИКОЛС,Джефферсон П. УОРД. Владелец: Хьюлетт-Паккард Дивелопмент Компани, Л.П.. Дата публикации: 2018-08-16.

Data carrier including a circuit with time slot determination means and time slot fixation means

Номер патента: US6510149B1. Автор: Franz Amtmann. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-21.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

Time Shared Automatic Machine Tool Control System.

Номер патента: GB1159799A. Автор: . Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1969-07-30.

Method and apparatus for use of associated memory with large key spaces

Номер патента: US5860136A. Автор: Peter R. Fenner. Владелец: Fenner; Peter R.. Дата публикации: 1999-01-12.

USB device with preassembled lid

Номер патента: US09462705B2. Автор: Robert C. Miller. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Method and system for analyzing a refresh rate of a volatile memory device

Номер патента: US20170062073A1. Автор: Michael Shaun Backsen,Frank D. Simon,Jennie Colleen Grosslight. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Method and arrangement for associative memory device based on ferrofluid

Номер патента: US7751220B2. Автор: Vladislav Korenivski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-06.

Method for programming memory device and associated memory device

Номер патента: US09478288B1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile associative memory cell, non-volatile associative memory device, monitoring method, and non-volatile memory cell

Номер патента: US12009019B2. Автор: Yuji Kakinuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile associative memory cell, non-volatile associative memory device, monitoring method, and non-volatile memory cell

Номер патента: US20220037587A1. Автор: Yuji Kakinuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device and method of controlling access to such a memory device

Номер патента: US20080141067A1. Автор: Vivek Nautiyal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Method and Arrangement for Associative Memory Device Based on Ferrofluid

Номер патента: US20080285323A1. Автор: Vladislav Korenivski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-20.

Associative memory system and method for flight plan modification

Номер патента: US09754495B2. Автор: John Whelan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor associative memory

Номер патента: US20020125500A1. Автор: Hans Mattausch,Takayuki Gyoten. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Intelligent allocation of programmable comparison operations for reducing the number of associative memory entries required

Номер патента: US20080244170A1. Автор: Ayaskanta Pani. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Associative memory having a mask function for use in a network router

Номер патента: US20040168021A1. Автор: Naoyuki Ogura. Владелец: Terminus Technology Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

Associative memory apparatus for searching data in which Manhattan distance is minimum

Номер патента: EP1557842A3. Автор: Yuji Yano,Tetsushi Koide,Hans Jurgen Mattausch. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2006-04-12.

Hybrid optical and electronic associative memory

Номер патента: WO1988010497A3. Автор: Yuri Owechko. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1989-01-26.

Associative memory circuit

Номер патента: US09564218B2. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory device with extended write data window

Номер патента: WO2024050265A1. Автор: Christopher Haywood,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor associative memory device

Номер патента: US20120206963A1. Автор: Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Associative memory

Номер патента: US20130114322A1. Автор: Masahiro Yasuda,Tetsushi Koide,Hans Juergen Mattausch,Seiryu Sasaki. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2013-05-09.

Associative memory with entry groups and skip operations

Номер патента: EP1678619A2. Автор: Monica Joshi,Philip Ngai,David Michael Thornburg,Hyesook Lim. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2006-07-12.

Associative memory

Номер патента: US8937828B2. Автор: Masahiro Yasuda,Tetsushi Koide,Hans Juergen Mattausch,Seiryu Sasaki. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2015-01-20.

Associative memory cells configured to selectively produce binary or ternary content-addressable memory lookup results

Номер патента: US7349230B2. Автор: Sunil Parthasarathy,Sriram Chitoor Krishnan. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-25.

Associative memory circuitry

Номер патента: US3573756A. Автор: Durrell W Hillis,Thomas W Hart Jr. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1971-04-06.

Utilizing capacitors integrated with memory devices for charge detection to determine dram refresh

Номер патента: US20190252385A1. Автор: David A. Roberts,Dmitri Yudanov. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Timing signal delay for a memory device

Номер патента: US20220157365A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US20170309332A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for programming memory device and associated memory device

Номер патента: US20160307627A1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110221007A1. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Associative memory and its retrieving method and router and network system

Номер патента: US20050047257A1. Автор: Naoyuki Ogura. Владелец: Terminus Technology Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Associative memory having a mask function for use in a network device

Номер патента: US20080098128A1. Автор: Naoyuki Ogura. Владелец: Terminus Technology Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Associative memory having a mask function for use in a network device

Номер патента: US7761599B2. Автор: Naoyuki Ogura. Владелец: Terminus Technology Ltd. Дата публикации: 2010-07-20.

Associative memory circuit

Номер патента: US20150131355A1. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-05-14.

Associative memory

Номер патента: US5453948A. Автор: Masato Yoneda. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1995-09-26.

Association memory and memory cell thereof

Номер патента: US20030095425A1. Автор: Tsuyoshi Higuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Associative memory apparatus for searching data in which manhattan distance is minimum

Номер патента: US20050162878A1. Автор: Yuji Yano,Hans Mattausch,Tetsushi Koide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Associative memory logical connectives

Номер патента: GB1011004A. Автор: Floyd Anthony Behnke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1965-11-24.

Associative memory

Номер патента: US8587980B2. Автор: Tetsushi Koide,Hans Juergen Mattausch,Tania Ansari,Wataru Imafuku,Akihiro Kaya. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2013-11-19.

Associative memory cells

Номер патента: WO1988002919A1. Автор: Richard John Edward Aras. Владелец: Richard John Edward Aras. Дата публикации: 1988-04-21.

Associative memory

Номер патента: US20120188811A1. Автор: Tetsushi Koide,Hans Juergen Mattausch,Tania Ansari,Wataru Imafuku,Akihiro Kaya. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2012-07-26.

Associative memory apparatus and routing apparatus

Номер патента: US20020172065A1. Автор: Yuichi Uzawa,Yasuhiro Ooba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-21.

Associative memory with entry groups and skip operations

Номер патента: WO2005043289A3. Автор: Monica Joshi,Philip Ngai,David Michael Thornburg,Hyesook Lim. Владелец: Cisco Tech Ind. Дата публикации: 2006-03-16.

Associative memory with entry groups and skip operations

Номер патента: CA2542048A1. Автор: Monica Joshi,Philip Ngai,David Michael Thornburg,Hyesook Lim. Владелец: Hyesook Lim. Дата публикации: 2005-05-12.

Associative memory with entry groups and skip operations

Номер патента: WO2005043289A2. Автор: Monica Joshi,Philip Ngai,David Michael Thornburg,Hyesook Lim. Владелец: Cisco Technology, Inc. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor nonvolatile memory device

Номер патента: US20120026798A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Daisuke Okada,Tetsuya Ishimaru,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor memory device with row and column redundancy circuits and a time-shared redundancy circuit test architecture.

Номер патента: US5867504A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-02-02.

Associative memory circuit

Номер патента: US3634833A. Автор: Roger S Dunn,Michael Leo Canning,Gerald E Jeansonne. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-01-11.

Sampled data filter with time shared weighters for use as an LPC and synthesizer

Номер патента: US4191853A. Автор: Gregory H. Piesinger. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1980-03-04.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

System and method for programming a memory device with multiple writes without an intervening erase

Номер патента: US09972396B1. Автор: Himanshu Naik,Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of reading an electronic memory device including a plurality of memory cells of resistive random access memory type

Номер патента: US09786367B2. Автор: Carlo Cagli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: US20200342933A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: EP3659037A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

A gaming device with prize chance configurable symbol

Номер патента: AU2024204384A1. Автор: Scott Olive,Matthew DEITZ. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor memory devices with ballasts

Номер патента: WO2018125237A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: US20240304269A1. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Electronic devices with multi-antenna sensing

Номер патента: US12111393B2. Автор: Firouz Behnamfar,Ayman F Naguib,Christian W Mucke. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Circuit protection device with automatic fault monitoring and detection function

Номер патента: US09906014B2. Автор: Shaohua Gao,Gaoke Zheng. Владелец: Zhejiang Trimone Electric Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09613713B2. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Built-in measuring device with vibration-type measurement sensor

Номер патента: RU2391635C2. Автор: Герхард ЭКЕРТ. Владелец: Эндресс+Хаузер Флоутек Аг. Дата публикации: 2010-06-10.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: WO2019022993A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor Memory Device with Spin-Orbit Coupling Channel

Номер патента: US20240296878A1. Автор: Hyunsoo Yang,Rahul Mishra,Ung Hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device with increased electrode resistance to reduce transient selection current

Номер патента: US20210151672A1. Автор: John Gorman,Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Davide Mantegazza,Iniyan Soundappa Elango,Srivatsan Venkatesan,Davide Fugazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory device and flash memory device with improved support for staircase regions

Номер патента: US12094814B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502140B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09478276B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Electronic device with time update function and time update method

Номер патента: US20120188853A1. Автор: Xin Lu,Shih-Fang Wong,ju-yuan Zhang,Zhang-Yong Zheng,Bi-Qing Luo. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device with reduced crosstalk between lines

Номер патента: US5060189A. Автор: Yoshiji Ota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Memory device with multi-mode deserializer

Номер патента: US20140029331A1. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Renu Rangnekar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-01-30.

Memory device with adjustable delay propagation of a control signal to different page buffer driver groups

Номер патента: US12051484B2. Автор: Violante Moschiano,Andrea D'Alessandro,Giacomo DONATI,Luigi Marchese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory device with a bypass circuit for verifying the characteristics of an internal clock signal

Номер патента: US20050002261A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09852778B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Resistive memory devices with a multi-component electrode

Номер патента: US09847378B2. Автор: Xia Sheng,Jianhua Yang,Hans S. Cho,Richard H. Henze,Yoocharn Jeon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device with reduced on-chip noise

Номер патента: US09691442B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Dietmar Gogl. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory device including memory area storing information used for searching erased page, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09640268B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09570116B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device with increased separation between memory elements

Номер патента: US09548448B1. Автор: Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Device with SRAM memory cells including means for polarizing wells of memory cell transistors

Номер патента: US09542996B2. Автор: Olivier Thomas,Bastien Giraud,Adam Makosiej. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory Device with Progressive Row Reading and Related Reading Method

Номер патента: US20180047455A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-15.

Memory device with high charging voltage bit line

Номер патента: US20040174758A1. Автор: Chieng-Chung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US20060146588A1. Автор: Richard Bailey,John Rodriguez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US10002672B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-19.

Memory device with packet command

Номер патента: US6256261B1. Автор: Jae Hyeong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-03.

Matrix-addressable apparatus with one or more memory devices

Номер патента: US20030099126A1. Автор: Hans Gudesen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Memory device with hierarchy bit line

Номер патента: US20070201271A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-30.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US20110305092A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US8441865B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-05-14.

Vertical memory device with a double word line structure

Номер патента: US12131774B2. Автор: Seung-Hwan Kim,Su-Ock Chung,Seon-Yong Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Multi time program device with power switch and non-volatile memory

Номер патента: US12068042B2. Автор: Jin Hyung Kim,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Resistive memory device with semiconductor ridges

Номер патента: US09871077B2. Автор: Qiangfei Xia. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US09805810B1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Timing signal delay compensation in a memory device

Номер патента: US20220076720A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Timing signal delay compensation in a memory device

Номер патента: US20210319816A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory devices with reduced power consumption refresh cycles

Номер патента: US20020133663A1. Автор: Ramandeep Sawhney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Time-Sharing Detection Control Circuit, Wireless Transceiver System And Time-Sharing Detection And Control Method

Номер патента: US20210135697A1. Автор: Yanwei Wang,Songlin Zhou,Ziping ZHAO. Владелец: SHENZHEN HUAPTEC CO Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory device

Номер патента: US20190057734A1. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Memory device with multiple input/output connections

Номер патента: US6184067B1. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-02-06.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile semiconductor memory device with alternative metal gate material

Номер патента: US20080217677A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Three-dimensional memory devices with drain select gate cut and methods for forming and operating the same

Номер патента: US12058857B2. Автор: Lichuan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device with selective precharging

Номер патента: US11756595B2. Автор: Ed McCombs. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device with a redundant decoder having a small scale in circuitry

Номер патента: US6023433A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Time-sharing multiplexing driving method and framework for image signal

Номер патента: US20040222961A1. Автор: Ming-Daw Chen,Chang-Cheng Lin,Jan-Ruei Lin,Jun-Ren Shin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Memory device with multiple input/output connections

Номер патента: US20010005049A1. Автор: Stephen Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-28.

Read operation or word line voltage refresh operation in memory device with reduced peak current

Номер патента: US20220366990A1. Автор: Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Memory device

Номер патента: US12082391B2. Автор: Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Nonvolatile memory device with multiple clocks

Номер патента: US12125544B2. Автор: Sang-Wan Nam,You-Se Kim,Kee Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Refresh control device with plurality of oscillator circuits

Номер патента: US09997228B2. Автор: Jae Seung Lee,Chang Hyun Kim,Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device with shortened pre-charging time for bit-line

Номер патента: US09972370B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US09741400B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Shuhei Nagatsuka,Tomokazu Yokoi,Tatsuya Onuki,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device with selective precharging

Номер патента: US12142346B2. Автор: Ed McCombs. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Phase change memory device with voltage control elements

Номер патента: US09525007B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device with separately controlled sense amplifiers

Номер патента: US09384790B2. Автор: Setti Shanmukheswara Rao,Ankur Goel,Manish Trivedi. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Vertically stacked nonvolatile NAND type flash memory device with U-shaped strings, method for operating the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US09362305B2. Автор: Jun-Hyuk Lee,Seul-Ki Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Method and system of controlling device operation using integrated simulation with time shift option

Номер патента: RU2481612C2. Автор: Закари К. ХОЙЗИНГТОН,Блэйн К. РОУДОН. Владелец: Дзе Боинг Компани. Дата публикации: 2013-05-10.

Electronic exposure time measuring circuit with time indicator and shutter control means

Номер патента: US3677151A. Автор: Nickel Werner,Christopoulos Nikolaos. Владелец: Ernst Leitz Wetzlar GmbH. Дата публикации: 1972-07-18.

Read process in a semiconductor memory device including a memory cell transistor

Номер патента: US10593405B2. Автор: Makoto Morimoto,Kan Shimizu,Yumi Takada,Shigehito Saigusa,Hitoshi Shiga,Ryuichi Fujimoto,Motoki NAGATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190295649A1. Автор: Makoto Morimoto,Kan Shimizu,Yumi Takada,Shigehito Saigusa,Hitoshi Shiga,Ryuichi Fujimoto,Motoki NAGATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Stacked memory device with interface die

Номер патента: EP4423813A1. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics

Номер патента: US09633724B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Lin Shih Liu. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device with sampled resistance controlled write voltages

Номер патента: US09552863B1. Автор: THOMAS Andre,Dietmar Gogl,Chitra K. Subramanian,Syed Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Optical element, optical device and terahertz spectroscopic device with time resolution, including said device

Номер патента: RU2462790C1. Автор: Тосихико ОУТИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-09-27.

Gaming devices with dedicated player rng and time share features

Номер патента: US20140073407A1. Автор: Elia Rocco Tarantino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-13.

Gaming devices with dedicated player rng and time share features

Номер патента: US20150170456A1. Автор: Elia Rocco Tarantino. Владелец: Tipping Point Group LLC. Дата публикации: 2015-06-18.

Gaming devices with dedicated player rng and time share features

Номер патента: US20120238341A1. Автор: Elia Rocco Tarantino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Three-dimensional memory device with discrete charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US12029037B2. Автор: Yuki KASAI,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device with command buffer

Номер патента: US20010003512A1. Автор: Casey Kurth,Scott Derner,Patrick Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-14.

Semiconductor device with component circuits under symmetric influence of undesirable turbulence

Номер патента: US5060199A. Автор: Hiroyuki Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Sonos memory device with reduced short-channel effects

Номер патента: WO2007072396A3. Автор: Francois Neuilly,Schaijk Robertus T F Van,Duuren Michiel Van. Владелец: Duuren Michiel Van. Дата публикации: 2007-10-11.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017885A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US12051464B2. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Content addressable memory device with reduced power consumption

Номер патента: US6535410B2. Автор: Miki Yanagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-18.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: EP1606820A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-12-21.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: AU2004222869A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-10-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Memory device with split power switch and related methods

Номер патента: EP2118717B1. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US20240274189A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device with unique read and/or programming parameters

Номер патента: US12057161B2. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Erika Penzo,Dong-II MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116239A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017884A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Nonvolatile memory devices with common source line voltage compensation and methods of operating the same

Номер патента: US8446769B2. Автор: BoGeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Carrier based high volume system level testing of devices with pop structures

Номер патента: US20230062440A1. Автор: Karthik Ranganathan,Samer Kabbani,Gregory Cruzan,Gilberto Oseguera,Ira Leventhal. Владелец: Advantest Test Solutions Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Non-volatile memory device with current injection sensing amplifier

Номер патента: EP2831885A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-04.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor memory device with write disturb reduction

Номер патента: US12073886B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Floating gate memory device with increased coupling coefficient

Номер патента: WO2008147542A1. Автор: Fredrick B. Jenne. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a charge storage layer and a control gate and method of controlling the same

Номер патента: US20090268526A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Takeshi Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Packaged integrated device with memory buffer integrated circuit die and memory devices on module substrate

Номер патента: US12087681B2. Автор: Ming Li,Shahram Nikoukary,Jonghyun CHO,Nitin Juneja. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory device with a plurality of capping layers

Номер патента: US12112783B2. Автор: Yongjae Kim,Kilho Lee,Seung Pil KO,Gawon LEE,Geonhee BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US20240355385A1. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device with data mergers and aligner

Номер патента: US12002538B2. Автор: Seung Moon Yoo,Min Chul JUNG,Young Seung KIM. Владелец: Metacni Co ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Stack semiconductor device and memory device with driving circuits connected to through-silicon-vias (TSV) in different substrates in a staggered manner

Номер патента: US09941247B2. Автор: Ho-young Song,Sang-Hoon Shin,Hae-Suk LEE,Kyo-Min Sohn,Han-Vit JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Error-resilient memory device with row and/or column folding with redundant resources and repair method thereof

Номер патента: US09905315B1. Автор: Sourav Roy,Prokash Ghosh,Neha Raj. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory devices with improved refreshing operation

Номер патента: US09812182B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Chien-Yin Liu,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Display device with improved display quality

Номер патента: US09799260B2. Автор: Seung-Ho Park,Kang-Hee Lee,Jae-Hoon Lee,Mi-Young Joo,Jae-Woo Song. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Precharging and refreshing banks in memory device with bank group architecture

Номер патента: US09728245B2. Автор: Kuljit S Bains,John B Halbert,Tomer Levy,Nadav Bonen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device with address latch circuit

Номер патента: US09721633B2. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09697897B2. Автор: Anirban Roy,Michael A Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory devices with a connecting region having a band gap lower than a band gap of a body region

Номер патента: US09640260B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device with reduced test time

Номер патента: US09575125B1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,William Meadows. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device with improved refresh scheme for redundancy word line

Номер патента: US09514850B2. Автор: Sang-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device with stable writing and/or reading operation

Номер патента: US09496026B1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Mohammed Hasan TAUFIQUE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory devices with improved refreshing operation

Номер патента: US09455006B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Chien-Yin Liu,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Driving method for a semiconductor device with an oxide semiconductor layer between two gate electrodes

Номер патента: US09449706B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory device with different memory film diameters in the same laminate level

Номер патента: US09425207B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Electrically programmable read only memory device with timing detector for increasing address decoding signal

Номер патента: US5291441A. Автор: Ichiro Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Apparatuses, systems, and methods for counter-based read clock in stacked memory devices

Номер патента: US11869580B2. Автор: Takamasa Suzuki,Kiyoshi Nakai,Seiji Narui,Tomohiko Yamagishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US11854601B2. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US20230206985A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor memory device with advanced refresh control

Номер патента: US20070070765A1. Автор: Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

ROM memory device having repair function for defective cell and method for repairing the defective cell

Номер патента: US20040037122A1. Автор: Boo-Yung Huh,Seong-ho Jeung,Kwang-Lae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-26.

Memory device with high data bandwidth

Номер патента: US11875841B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Chong-Jen Huang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory device with reset voltage control

Номер патента: US20230260558A1. Автор: Atul Katoch,Ali Taghvaei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of testing for a leakage current between bit lines of nonvolatile memory device

Номер патента: US20100302866A1. Автор: Jae Won Cha,Duck Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Memory device with charge-recycling arrangement and method of operating the same

Номер патента: US20230178120A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods and devices with leak detection

Номер патента: EP3821930A1. Автор: Jeffrey Peter Armitstead,Dinesh Ramanan,Dushyant Rao. Владелец: ResMed Pty Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Memory device with self-refresh operations

Номер патента: WO2009076511A3. Автор: Seung-Moon Yoo,Myung Chan Choi,Arthur Kwon. Владелец: Arthur Kwon. Дата публикации: 2009-08-20.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US20210366568A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Memory device with high data bandwidth

Номер патента: US20230186972A1. Автор: Chun-Cheng Chen,Chong-Jen Huang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory device with improved driver operation and methods to operate the memory device

Номер патента: US20240265963A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130187216A1. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory Device with Spin-Harvesting Structure

Номер патента: US20230162773A1. Автор: Jonathan Zanhong Sun,Christopher Safranski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory device with low power consumption

Номер патента: US20020118590A1. Автор: Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device including vertical channel structure

Номер патента: US20230104865A1. Автор: Byungsoo Kim,Minjae Seo,Yongsung CHO,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods and systems for managing read operation of memory device with single ended read path

Номер патента: US12087387B2. Автор: Ved Prakash,Manish Chandra Joshi,Lava Kumar PULLURU,Poornima VENKATASUBRAMANIAN,Pushp KHATTER. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US12057180B2. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device

Номер патента: US09786350B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device having self-aligned cell structure

Номер патента: US09773839B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Sensor matrices for multiplexing with time-separation (mts) and multiplexing with wave length separation (mwls)

Номер патента: RU2665743C2. Автор: Домино ТАВЕРНЕР,Джон Дж. ГРАНБЕК,Джейсон Скотт КИДДИ. Владелец: ВЕЗЕРФОРД ТЕКНОЛОДЖИ ХОЛДИНГЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-09-04.

Display panel having a plurality of pixels driven in a time-sharing manner, display method thereof and display device

Номер патента: US09892696B2. Автор: HAO Zhang,Xue Dong,Kai Yang,Peng Liu,Renwei Guo,Lingyun SHI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Electronic devices with multi-antenna sensing

Номер патента: EP4152041A1. Автор: Christian W. MUCKE,Ayman F. Naguib,Firouz Behnamfar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device

Номер патента: US20070195593A1. Автор: Ming-Jer Kao,Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-08-23.

Selectively activated synaptic device with ultrasmall dimension and low power consumption

Номер патента: US20180019011A1. Автор: Bae Ho Park,Chansoo YOON. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor memory device with improved reference section

Номер патента: US6507052B1. Автор: Kazuteru Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Reducing widening of threshold voltage distributions in a memory device due to temperature change

Номер патента: EP3685384A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Semiconductor memory device with a variable delay for a data select signal and a counter for counting a selected data signal during a test operation

Номер патента: US12020772B2. Автор: Mitsuhiro Abe,Norichika ASAOKA,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of forming memory device with physical vapor deposition system

Номер патента: US12035538B2. Автор: Chin-Szu Lee,Yu-Jen Chien,I-Pin CHIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20020024866A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Memory device with voltage boosting circuit

Номер патента: US11158360B1. Автор: Wen-Pin Hsieh,Shih-Hao Chen. Владелец: Digwise Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-10-26.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240194263A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device with low power consumption and operation method thereof

Номер патента: US12040011B2. Автор: Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu,Yi-Lun Lu,Je-Min Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional memory device with high contact via density and methods of forming the same

Номер патента: US20240005990A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hirofumi TOKITA,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device with high content density

Номер патента: US20230282292A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US12046287B2. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device with memory cell structure including ferroelectric data storage layer, and a first gate and a second gate

Номер патента: US10896711B2. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Seung Hyun Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Memory device with source line control

Номер патента: US11776595B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Content addressable memory device with advanced precharge timing

Номер патента: US20020176270A1. Автор: Miki Yanagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Memory device with split power supply capability

Номер патента: US11735232B2. Автор: Christopher Cox. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20020064076A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Semiconductor memory device with a plurality of sense ampilifers overlapping a plurality of metal joints

Номер патента: US20230165010A1. Автор: Hiroshi Maejima,Naohito Morozumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a floating gate and a control gate

Номер патента: US20070020852A1. Автор: Akira Umezawa,Kazuhiko Kakizoe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20020048188A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20030012056A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Phase change memory device with dummy cell array

Номер патента: US20090190393A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: EP4421849A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: US20240284680A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device with signal lines arranged across memory cell array thereof

Номер патента: US20050259466A1. Автор: Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Ramp-based biasing and adjusting of access line voltage in a memory device

Номер патента: US11769552B2. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory device with high content density

Номер патента: US12057179B2. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Spin-transfer torque magnetoresistive memory device with a free layer stack including multiple spacers and methods of making the same

Номер патента: US20210065761A1. Автор: Neil Smith,Tiffany Santos. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor memory device with a triple well structure

Номер патента: US20010006247A1. Автор: Akemi Maruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor memory device with a triple well structure

Номер патента: US6404036B2. Автор: Akemi Maruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Semiconductor memory device with decoder means

Номер патента: IE56715B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-11-20.

Nonvolatile memory device with configuration to apply adjustable voltage to pass transistor gate

Номер патента: US12062395B2. Автор: Yohan Lee,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Jungyun Yun,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device with pipelined address path

Номер патента: US20020051388A1. Автор: Chris Martin,Troy Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor memory device with reduced power consumption for refresh operation

Номер патента: US20050157582A1. Автор: Kuninori Kawabata,Masato Takita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Integrated circuit memory device with bit line pre-charging based upon partial address decording

Номер патента: US20060039216A1. Автор: Neal Berger,George Chang,Pearl Cheng,Anne Koh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Integrated semiconductor memory device with test circuit for sense amplifier

Номер патента: US20060152982A1. Автор: Martin Perner. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of controlling program operation of flash memory device with reduced program time

Номер патента: US20070002614A1. Автор: Byoung Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Non-volatile memory device with a program driver circuit including a voltage limiter

Номер патента: US20210366554A1. Автор: Vikas RANA,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-volatile memory device with comparison capability between target and readout data

Номер патента: US20220336027A1. Автор: Hsing-Yu Liu,Jyun-Yu Lai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Three-dimensional memory device with integrated contact and support structure and method of making the same

Номер патента: US20240274191A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device with reduced area

Номер патента: US20240257877A1. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: WO2014066160A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US20240321361A1. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic bubble memory device with guardrail

Номер патента: US4456975A. Автор: Ryo Suzuki,Tadashi Ikeda,Yutaka Sugita,Naoki Kodama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-06-26.

Dual-rail memory device with high speed and low power consumption

Номер патента: US20240312515A1. Автор: Jiann-Tseng Huang,Weinan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device with interplane pad part

Номер патента: US20240292634A1. Автор: Myunghun Lee,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory device with integrated contact and support structure and method of making the same

Номер патента: WO2024172891A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device with improved writing features

Номер патента: US20200302992A1. Автор: Martin Brox,Milena Ivanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: EP2909837A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

Memory Devices with Magnetic Random Access Memory (MRAM) Cells and Associated Structures for Connecting the MRAM Cells

Номер патента: US20140361392A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor memory device with test mode to monitor internal timing control signals at i/o terminals

Номер патента: EP1509924A1. Автор: Thomas Roehr,Tadashi Toshiba Corporation MIYAKAWA,Daisaburo Toshiba Corporation TAKASHIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-02.

Dual-rail memory device with high speed and low power consumption

Номер патента: EP4432281A1. Автор: Jiann-Tseng Huang,Weinan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory device with data validity check

Номер патента: EP3043350A3. Автор: Jeffrey Todd BORING. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-11.

Memory device with interplane pad part

Номер патента: EP4447049A1. Автор: Myunghun Lee,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Stackable memory devices with vertical channels and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240357789A1. Автор: Oreste Madia,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device with determined time window

Номер патента: US09990985B1. Автор: Kuoyuan Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09978453B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device with write driver

Номер патента: US09966123B2. Автор: Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Dual gate semiconductor memory device with vertical semiconductor column

Номер патента: US09837155B1. Автор: Sangsig Kim,Minsuk KIM,Doohyeok Lim,Youngin Jeon. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-05.

Apparatus with timed color change indication

Номер патента: US09810671B2. Автор: Gregory Lee Heacock,Louis Ellen Culham. Владелец: SENSOR INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Resistive random access memory device with a solid electrolyte including a region made of a first metal oxide and doped by a second element distinct from the first metal

Номер патента: US09722177B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device with shared read/write circuitry

Номер патента: US09697879B2. Автор: Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory device with sense amplifier groups and pipe latch groups

Номер патента: US09679620B1. Автор: Dong-Beom Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Vertical memory device with gate lines at the same level connected

Номер патента: US09640549B2. Автор: Chang-Hyun Lee,Seok-Won Lee,Joon-Hee Lee,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Resistive memory device with variable cell current amplification

Номер патента: US09589662B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with improved programming reliability

Номер патента: US09589647B1. Автор: Ji Hyun Seo,Sung Yong CHUNG,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure

Номер патента: US09576968B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device with dynamically operated reference circuits

Номер патента: US09576642B2. Автор: Richard Ferrant,Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device with open bit line structure which minimizes loading difference of sense amplifiers arranged outermost part

Номер патента: US09570150B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US09564190B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory device with advanced refresh scheme

Номер патента: US09548099B2. Автор: Jae-il Kim,No-Guen JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory device with shared read/write circuitry

Номер патента: US09530476B2. Автор: Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile magnetic memory device

Номер патента: US09508919B2. Автор: Mitsuharu Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US09484099B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US09443565B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Three-dimensional resistive memory device with adjustable voltage biasing

Номер патента: US09437296B2. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US09418735B2. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor nonvolatile memory device with one-time programmable memories

Номер патента: US09355740B2. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for transformation of packet stream of information signals to stream of information signals with time stamps and vice versa

Номер патента: RU2273111C2. Автор: Альберт М.А. РЕЙККАРТ,Николас ЛАМБЕРТ,Адрианус Й.М. ДЕНИССЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2006-03-27.

Method for non-invasive monitoring of fluorescent tracer agent with diffuse reflecting medium with time-varying optical properties

Номер патента: US20240237928A1. Автор: Jennifer Keating,Edward Solomon,Kate Bechtel,Kimberly Shultz. Владелец: Medibeacon Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Data transmission in device with tachograph

Номер патента: RU2387014C2. Автор: ЭСФАНДАБАДИ Риаз ХЕММАТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2010-04-20.

Electronic calculator with time counting function

Номер патента: CA1089103A. Автор: Mikio Yanagawa. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1980-11-04.

Electronic musical instrument of time-shared digital processing type

Номер патента: US4235142A. Автор: Eiichiro Aoki,Akira Nakada,Takatoshi Okumura,Akiyoshi Oya,Eiichi Yamaga,Yasuji Uchiyama. Владелец: Nippon Gakki Co Ltd. Дата публикации: 1980-11-25.

Gaming devices having player assigned random number generators and time share feature

Номер патента: US20130040728A1. Автор: Elia Rocco Tarantino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Alarm shut-off device, with a wake up signal delivering integrated circuit and a receiving and signal shaping network

Номер патента: US4894813A. Автор: Heinz Schiebelhuth,Lothar Pacher. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 1990-01-16.

Method of converting a packetized stream of information signals into a stream of information signals with time stamps and vice versa

Номер патента: MY123683A. Автор: Lambert Nicolaas,Maria Arnold Rijckaert Albert. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-05-31.

Control Method and Control Device for Charging Time Sharing

Номер патента: US20180047361A1. Автор: Chin-Hung Hsu,Han-Ying Chang,Yu-Shiuan Shen. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-15.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: EP4420494A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09646981B2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Access line management in a memory device

Номер патента: US09514829B2. Автор: Benjamin Louie,Aaron S. Yip,Ali Mohammadzadeh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

AC/DC/AC conversion device with reduced switching noise

Номер патента: US9755539B2. Автор: Eiji Takahashi,Kazuyuki Sakiyama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Transmission of overhead channels with timing offset and blanking

Номер патента: RU2467515C2. Автор: Тинфан ЦЗИ,Цзин СУНЬ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-11-20.

Multiple time delay power controller apparatus with time delay turn-on and turn-off

Номер патента: CA1303718C. Автор: John D. Pequet,Michael B. Pulizzi,Roger Cook. Владелец: Pulizzi Engineering Inc. Дата публикации: 1992-06-16.

Semiconductor read-only memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US5933735A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Semiconductor read-only memory device

Номер патента: GB2315596A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-02-04.

Multi-mode receiver with time-shared processing

Номер патента: EP1629613A2. Автор: Hisaya Kato,Hiroaki Ozeki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-01.

Hydraulic type braking device with a time of operation

Номер патента: RU2710313C1. Автор: Цзюи-Лунг ЧАН. Владелец: Гинда Нью-Тек Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-12-25.

Time device with time indication of spacecraft launch window to mars

Номер патента: RU2748398C1. Автор: Константин Юрьевич Чайкин. Владелец: Константин Юрьевич Чайкин. Дата публикации: 2021-05-25.

Sigma-Delta Circuit And Related Method with Time Sharing Architecture

Номер патента: US20080055132A1. Автор: De-Yu Kao,Hung-Lun Chien. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

High dynamic performance dc-dc converter system with time share control

Номер патента: US5068775A. Автор: Paolo Tenti,Riccardo Borgatti. Владелец: FIAR Fabbrica Italiana Apparecchiature Radioelettriche SpA. Дата публикации: 1991-11-26.

Sigma-delta circuit and related method with time sharing architecture

Номер патента: US7417573B2. Автор: De-Yu Kao,Hung-Lun Chien. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2008-08-26.

Time-shared moving-object radio communication system and device with power amplifier linearizing facilities

Номер патента: RU2109403C1. Автор: Патрик Ван Ден Хевель Энтони,Томас Вэлентайн Стефен,Боскович Дрэгэн. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 1998-04-20.

Device of hydraulic brake with timing of actuation and its assembly

Номер патента: RU2705893C1. Автор: Цзюи-Лунг ЧАН. Владелец: Гинда Нью-Тек Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-11-12.

Biological tissue stimulator with time-shared logic driving output timing and high voltage step-up circuit

Номер патента: CA1321240C. Автор: Alan Paul Dieken,Joel Rivard Dufresne. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1993-08-10.

Multi-mode receiver with time-shared processing

Номер патента: WO2004086657A3. Автор: Hisaya Kato,Hiroaki Ozeki. Владелец: Hiroaki Ozeki. Дата публикации: 2006-01-05.

Semiconductor read-only memory device and method of fabricating the same

Номер патента: GB2325338A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-11-18.

Method and device for selection of backlash in kinematic transmission of support-rotary device with two interconnected electric drives

Номер патента: RU2726951C1. Автор: Семен Львович Самсонович,Борис Константинович Федотов,Роман Владимирович Горюнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2020-07-17.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Printing devices with removeable extraction reservoirs

Номер патента: EP3820706A1. Автор: Jefferson P. Ward,Christopher John ARNOLD. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-05-19.

Digital logic devices with extremely skewed trip points and reset circuitry for rapidly propagating signal edges and methods, circuits and systems including same

Номер патента: US20030025527A1. Автор: John Porter,Dean Gans,Larren Weber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Channel occupancy time sharing

Номер патента: US20230269769A1. Автор: Karthikeyan Ganesan,Alexander Johann Maria Golitschek Edler Von Elbwart. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device incorporating selector element with multiple thresholds

Номер патента: US09812499B1. Автор: Hongxin Yang,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Medical injection device with time delay indicator

Номер патента: RU2508922C2. Автор: Андре ЛАРСЕН,Оле Кристиан НИЛЬСЕН,Салим БОУАЙДАТ,Ян ПРОЙТУН. Владелец: Ново Нордиск А/С. Дата публикации: 2014-03-10.

Multi-split system and time-sharing dehumidification method therefor

Номер патента: EP3770519A1. Автор: Min Liu,Yajun Li,Xiaonan WANG,Long SUN,Haibin Zhu,Mingshun HE. Владелец: Qingdao Hisense Hitachi Air Conditioning System Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Network access with a portable memory device

Номер патента: EP2039122A1. Автор: Teemu Savolainen,Petros Belimpasakis,Marko Luomi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-03-25.

Use of ketogenic compounds for treatment of age-associated memory impairment

Номер патента: KR101634083B1. Автор: 사무엘 티 핸더슨. Владелец: 액세라인크. Дата публикации: 2016-06-28.

Index print with associated memory tags for storing image data

Номер патента: GB2417117A. Автор: James Thomas Edward Mcdonnell,Abigail Jane Sellen. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-15.

Methods of treating age associated memory impairment (aami), mild cognitive impairment (mci), and dementias with cell cycle inhibitors

Номер патента: WO2004026246A2. Автор: Barry Reisberg. Владелец: New York University. Дата публикации: 2004-04-01.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US12082411B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Sub-channel-based occupancy time sharing for unlicensed sidelink

Номер патента: EP4169324A1. Автор: Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Yisheng Xue,Ozcan Ozturk,Chih-Hao Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Sub-channel-based occupancy time sharing for unlicensed sidelink

Номер патента: WO2021257209A1. Автор: Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Yisheng Xue,Ozcan Ozturk,Chih-Hao Liu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-23.

Sub-channel-based occupancy time sharing for unlicensed sidelink

Номер патента: US11812474B2. Автор: Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Yisheng Xue,Ozcan Ozturk,Chih-Hao Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Time-shared latency locked loop circuit for driving a buffer circuit

Номер патента: US20110298509A1. Автор: John M. Khoury,Eduardo Viegas. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Methods for forming three-dimensional memory devices with backside source contacts

Номер патента: US12048151B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Flash memory device with telescopic connector port and a casing of the flash memory device

Номер патента: US20100311257A1. Автор: Cheng-Chung Kung,Xiao-Xia Meng. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Non-Volatile Memory Device with Improved Immunity to Erase Saturation and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20110183509A1. Автор: Hongyu Yu,Hag-Ju Cho,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-07-28.

Three-dimensional memory device with corrosion-resistant composite spacer

Номер патента: US20210104540A1. Автор: LU Zhang,Bo Xu,Chuan Yang,Ping Yan,Jing Gao,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A3. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: US12136618B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09941297B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09691781B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory devices with vertically integrated capacitor electrodes

Номер патента: US09659954B2. Автор: Hyun-Suk Kim,Kee-jeong Rho,Joon-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09634020B1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Reading device with time delay and accumulation of signals in digital form from multi-element infrared photodetectors

Номер патента: RU2739159C1. Автор: Петр Александрович Кузнецов,Иван Сергеевич Мощев,Никита Александрович Ларионов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2020-12-21.

Mechanism for distributed channel occupancy time sharing

Номер патента: WO2023279265A1. Автор: Tao Tao,Ling Yu,Yong Liu,Vinh Van Phan,Lianghai JI,Naizheng ZHENG,Nuno Manuel KIILERICH PRATAS,Torsten WILDSCHEK. Владелец: Nokia Shanghai Bell Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US12027581B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: US11758722B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication

Номер патента: US20070287219A1. Автор: Kristy Campbell,Joseph Brooks,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US20210375929A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device with word lines and contact landing

Номер патента: WO2024178724A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-06.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US12101939B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US20240321954A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device with word lines and contact landing

Номер патента: US20240298443A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Three-Dimensional Memory Device with Ferroelectric Material

Номер патента: US20240365553A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127408B2. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Transmission of channel occupancy time-sharing information (COT-SI) reserving a COT for sidelink communications in unlicensed bands

Номер патента: US12016052B2. Автор: Xiaoxia Zhang,Xiaojie Wang,Jing Sun,Yisheng Xue,Chih-Hao Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Split gate memory device for improved erase speed

Номер патента: US20160087056A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen,Tsung-Hsueh Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape and methods for forming the same

Номер патента: US12052865B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Flash memory device with enlarged control gate structure, and methods of making same

Номер патента: WO2007117851A1. Автор: Chandra Mouli,Di Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

A three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: EP3286785A1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,George Matamis,Jixin Yu,Wenguang Shi,Junichi Ariyoshi,Xiaolong Hu,Jiyin Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-28.

Memory devices having adjacent memory cells with mitigated disturb risk

Номер патента: US20240292630A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Riccardo Pazzocco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US09972640B1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US09741728B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: US09449987B1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Jixin Yu,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory device structure and method

Номер патента: US09406519B2. Автор: Kun-Tsang Chuang,Ping-Pang Hsieh,Chia Hsing Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method to transfer probing reference signal in upperlink at duplex mode with time-division channelling

Номер патента: RU2444157C1. Автор: Бо ДАЙ,Пэн ХАО,Бинь ЮЙ,Чхунли ЛЯН,Шуцян СЯ. Владелец: Зти Корпорейшн. Дата публикации: 2012-02-27.

Methods for channel occupancy time sharing, user equipment, base station and computer readable medium

Номер патента: WO2021110156A1. Автор: Hao Lin. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP., LTD.. Дата публикации: 2021-06-10.

Methods for channel occupancy time sharing, user equipment, base station and computer readable medium

Номер патента: EP4070576A1. Автор: Hao Lin. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

Methods of forming microelectronic devices with nitrogen-rich insulative structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240215246A1. Автор: Kadir Abdul,Swapnil A. Lengade,Jeremy Adams,Naiming Liu,Jeslin J. Wu,Carlo Mendoza OROFEO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Vertical NAND device with low capacitance and silicided word lines

Номер патента: US09449984B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for transferring data along circuit of connecting panel with multiplexing with time separation and a bridge connector

Номер патента: RU2273965C2. Автор: Чжэн ЛИ,Чжэня ЛИ,Гучжэнг ВУ,Куан Ю,Шоубо КСИЭ,Конгганг ВЭЙ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2006-04-10.

Current fed inverter circuit using the time sharing principle

Номер патента: US3725768A. Автор: B Pelly. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1973-04-03.

Methods for channel occupancy time sharing, user equipment, base station and computer readable medium

Номер патента: US20220304053A1. Автор: Hao Lin. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Three-dimensional memory device with dielectric fins in staircase region and methods of making thereof

Номер патента: US20240196610A1. Автор: Kenji Sugiura,Yudai Tanaka,Kota Funayama,Ryoichi EHARA,Katsufumi Okamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory devices with row-based configured supply voltages

Номер патента: US20240145385A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

3d memory device with a dram chip

Номер патента: US20240237361A1. Автор: Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-08-14.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A9. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-10-09.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory devices with shorten ferroelectric segments and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11765906B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods for forming three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region

Номер патента: US20220293533A1. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066461A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Zhengliang Xia. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of manufacturing three-dimensional memory device with vias connected to staircase structure

Номер патента: US12058855B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory device with backside support pillar structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240292628A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066336A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Three-dimensional memory devices with deep isolation structures

Номер патента: US20210013088A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Three-dimensional memory device with backside support pillar structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240315040A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory devices with buried lines

Номер патента: US8022385B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Fernando Gonzalez,Mike P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Memory device with magnetic tunnel junction

Номер патента: US20240355912A1. Автор: Wei-Jen Chen,Chih-Lin Wang,Chee-Wee Liu,Pang-Chun Liu,Ya-Jui Tsou,Shao-Yu LIN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US20240341096A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device with contact plugs extending inside contact connection portions

Номер патента: US09831121B2. Автор: Kei Sakamoto,Shigeki Kobayashi,Takamasa OKAWA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of manufacturing semiconductor devices with improved metal gate fill-in for vertical memory cell and devices thereof

Номер патента: US09627220B1. Автор: Chih-Yuan Wu,Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Jr-Meng Wang,Kuanf-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing semiconductor devices with combined array and periphery patterning in self-aligned quadruple patterning

Номер патента: US09553047B2. Автор: Yu-Min Hung,Tzung-Ting Han,Miao-Chih Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Resistive memory device with ring-shaped metal oxide on top surfaces of ring-shaped metal layer and barrier layer

Номер патента: US09455402B2. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Hvac system with time-based travel control

Номер патента: RU2692155C2. Автор: Кеннет Джеймс МИЛЛЕР,Джон Кёртис ХИКИ,Марк Г. СМИТ. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-06-21.

Modulation and frequency conversion by time sharing

Номер патента: US5678222A. Автор: William J. McFarland,Scott D. Willingham,Andrew Z. Grzegorek,Richard C. Walker,Thomas Hornak. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1997-10-14.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20210399045A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4398693A1. Автор: Sang Min Lee,Young Woo Son,Kyoung Hwan Kim,Young-Seung Cho,Sang-Bin Ahn,Kang In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Nonvolatile memory device with a metal-insulator-metal (mim) capacitor in a substrate and integration schemes

Номер патента: US20220165739A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nanosheet one transistor dynamic random access device with silicon/silicon germanium channel and common gate structure

Номер патента: US20200251474A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Clint Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

A sealed food can with time setting device

Номер патента: AU2020101837A4. Автор: SHENGLI Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-24.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US20230052035A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Three-dimensional memory device with divided drain select gate lines and method for forming the same

Номер патента: WO2023108330A1. Автор: Yan Gu,Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device with vertical body contact and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240260254A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220359760A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory device with barrier layer

Номер патента: WO2007019027A1. Автор: Satoshi Torii,Lei Xue,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-02-15.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US11716914B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Ferroelectric tunnel junction devices with discontinuous seed structure and methods for forming the same

Номер патента: US11756987B2. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with vertical body contact and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024163114A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory Device

Номер патента: US20230044721A1. Автор: Guobiao Zhang,Zhitang Song. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory device with barrier layer

Номер патента: EP1917685A1. Автор: Satoshi Torii,Lei Xue,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-07.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12082414B2. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape

Номер патента: US12089405B2. Автор: Xiaoxin LIU,Weihua Cheng,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334682A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Ferroelectric tunnel junction devices with a sparse seed layer and methods for forming the same

Номер патента: US12057471B2. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory devices with asymmetrical floating gates

Номер патента: US11901425B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Ferroelectric Tunnel Junction Devices with a Sparse Seed Layer and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240347581A1. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Self-aligned flash memory device

Номер патента: US09978761B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical memory devices with vertical isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09905572B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Recessed salicide structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09735245B2. Автор: Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Stacked package-on-package memory devices

Номер патента: US09685429B2. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Additive pcm speaker circuit for a time shared isdn conference arrangement

Номер патента: CA1331799C. Автор: Donovan A. Bruce. Владелец: GTE Communication Systems Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Amplifier for use in time-sharing applications

Номер патента: US5835049A. Автор: Krishnaswamy Nagaraj. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-11-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240237334A1. Автор: Sang Min Lee,Young Woo Son,Kyoung Hwan Kim,Young-Seung Cho,Sang-Bin Ahn,Kang In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for controlling time sharing starting of electronic ballasts and delayed-started electronic ballast

Номер патента: US09848477B2. Автор: Zhongwei Jiang,Shixue CAI. Владелец: Shenzhen Techone Tech Co ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods and apparatuses for provision of a flexible time sharing scheme on an unlicensed band of a system

Номер патента: US09549326B2. Автор: Wei Hong,Wei Bai,NA Wei,Gilles Charbit,Erlin Zeng,Haiming Wang,Chunyan Gao,Jing HAN. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Time shared frequency conversion system

Номер патента: US4320531A. Автор: Donald F. Dimon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-03-16.

Telephone line circuit having time-shared dtmf receivers

Номер патента: CA1216690A. Автор: Anthony Yung,Johann D. Ramsaran,Bora Biray,Nadir Nizamuddin. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1987-01-13.

Method and apparatus for improved control and time sharing of an echo canceller

Номер патента: CA1254278A. Автор: Gardner D. Jones, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-05-16.

Time-Shared Digital Power Controller

Номер патента: US20110127986A1. Автор: Steve DeCabooter,Edward Almquist. Владелец: Temic Automotive of North America Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Time Sharing Among Multiple Wireless Stations During a Single Resource Unit

Номер патента: US20240106584A1. Автор: Zhou Lan,Yong Liu,Tianyu Wu,Lochan VERMA,Jinjing Jiang,Ahmad Reza HEDAYAT,Jarkko L. KNECKT. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device with word line side-contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2024123476A1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device with hybrid support structures and methods of making the same

Номер патента: US20240237345A1. Автор: ZHIWEI CHEN,Kazuyuki Iwata,Yusuke Ikawa,Kei Samura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory device with reduced neighboring word line interference and methods of forming the same

Номер патента: US20240237344A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam,Longju LIU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Phase-change memory device with tapered thermal transfer layer

Номер патента: US20240237560A1. Автор: Yu-Wen Wang,Fu-Ting Sung,Tsung-Hsueh Yang,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Ferroelectric tunnel junction memory device with integrated ovonic threshold switches and methods of making the same

Номер патента: WO2021141616A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Three-dimensional memory device with high contact via density and methods of forming the same

Номер патента: US20240006310A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hirofumi TOKITA,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Three-dimensional memory device with through-stack contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240215243A1. Автор: Tomohiro Kubo,Masato Miyamoto,Koichi Matsuno,Masanori Tsutsumi,Takumi Moriyama,Michio Oryoji,Shunsuke Takuma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical memory device with metal and spacer support structure

Номер патента: US12046565B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US12041781B2. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240237354A1. Автор: Koichi Matsuno,Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240179916A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240178140A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20130228845A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20160197091A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20150221664A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20120086070A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Memory devices with nitride-based ferroelectric materials

Номер патента: EP4156232A1. Автор: Uygar E. Avci,Elijah V. KARPOV,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US11758723B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic memory device with nonmagnetic layer having two additive elements

Номер патента: US12075629B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Hiroki Kawai,Yasushi Nakasaki,Takamitsu Ishihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device with reduced bending stack

Номер патента: US12069861B2. Автор: Chih-Kai Yang,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2024123438A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takaaki IWAI,Masahiro Yaegashi,Akihiro Tobioka,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device with dielectric isolated via structures and methods of making the same

Номер патента: US12068249B2. Автор: Yoshitaka Otsu,Yoshiyuki KUROKO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional memory device with via structures surrounded by perforated dielectric moat structure and methods of making the same

Номер патента: US11756877B2. Автор: Hisaya Sakai,Yoshitaka Otsu,Kota Funayama,Kazuto Ohsawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Sequential circuit with timing event detection and a method of detecting timing events

Номер патента: WO2018193150A1. Автор: Ari Paasio,Matthew Turnquist. Владелец: MINIMA PROCESSOR OY. Дата публикации: 2018-10-25.

Three-dimensional memory device with on-axis self-aligned drain-select-level isolation structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2020185267A1. Автор: Johann Alsmeier,Tae-Kyung Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Three-dimensional memory device with integrated contact and support structure and method of making the same

Номер патента: US20240276725A1. Автор: Koichi Matsuno,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional semiconductor memory device with vertical structures between contact plugs

Номер патента: US12082412B2. Автор: Jongsoo Kim,Dongwoo Kim,Sunil Shim,Wonseok Cho,Ju-Young Lim,Jesuk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US20240334708A1. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory device with self-aligned etch stop rings for a source contact layer and method of making the same

Номер патента: US12133388B2. Автор: Satoshi Shimizu,Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Three-dimensional memory devices with support structures and methods for forming the same

Номер патента: US12058865B2. Автор: Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Yuhui HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory device with partially discrete charge storage regions and method of making thereof

Номер патента: US09960180B1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Fei Zhou,Rahul Sharangpani,Keerti Shukla,Raghuveer Makala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-dimensional memory device with vertical semiconductor bit lines located in recesses and method of making thereof

Номер патента: US09859337B2. Автор: Abhijit Bandyopadhyay,Christopher J. Petti,Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Resistive memory devices with an oxygen-supplying layer

Номер патента: US09847482B2. Автор: Hans S. Cho. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory device with first and second semiconductor films in first and second columnar bodies

Номер патента: US09831261B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Resistive three-dimensional memory device with heterostructure semiconductor local bit line and method of making thereof

Номер патента: US09818801B1. Автор: Peter Rabkin,Christopher J. Petti,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Three-dimensional memory device with different thickness insulating layers and method of making thereof

Номер патента: US09716105B1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device with conductive columnar body

Номер патента: US09613896B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory devices with stairs in a staircase coupled to tiers of memory cells and to pass transistors directly under the staircase

Номер патента: US09589978B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US09412750B2. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Three-dimensional memory device with layer contact via structures located in a memory array region and methods of forming the same

Номер патента: US20240381639A1. Автор: Takaaki IWAI,Yuji TOTOKI,Keisuke Izumi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods for fabricating a memory device with an enlarged space between neighboring bottom electrodes

Номер патента: US09349952B1. Автор: Jun Okuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Manufacturing method of semiconductor memory device with air gap isolation layers

Номер патента: US09293360B2. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Projectile for the dispersal of a load with time delay

Номер патента: US5329854A. Автор: Hans Ellström,Sven Komstadius,Soren Hanberger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-07-19.

Method and apparatus for adding audible noise with time varying volume to audio devices

Номер патента: US20130121517A1. Автор: Dean Robert Gary Anderson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-16.

Device and method for interband banding of carriers for switching transmission and reception of duplex with time division of channels and their application to multiplexing of different transmission time intervals

Номер патента: RU2692039C2. Автор: Нага БХУШАН,Питер ГААЛ,Тинфан ЦЗИ,Джон Эдвард Сми,Кришна Киран МУККАВИЛЛИ,Алексей Юрьевич ГОРОХОВ,Джозеф Бинамира СОРЬЯГА,Ротэм КУПЕР,Майкл Александр ГОВАРД,Питер АНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2019-06-19.

Feedback and data transfer speed adaptation for mimo transfer in duplex communication system with time division duplex (tdd)

Номер патента: RU2454831C2. Автор: Хао СЮЙ,Дурга Прасад МАЛЛАДИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-06-27.

Time shared bi-directional serial signaling system

Номер патента: US7746811B2. Автор: Xin Liu,Qingping Zheng,John Goldie. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

Method for monitoring a transmission system which comprises a plurality of virtual, asynchronously time-shared transmission channels via which a data flow can be transmitted

Номер патента: CA2026872C. Автор: Dick Brandt. Владелец: Koninklijke PTT Nederland NV. Дата публикации: 1994-05-24.

Microparticle multi-channel time-sharing separation device and method based on arcuate interdigital transducer

Номер патента: US11850594B2. Автор: Yancheng WANG,Chengyao XU,Deqing MEI,Chenyang HAN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-12-26.

Time-shared full duplex protocol for use with a wireless communications system with artificial intelligence-based distributive call routing

Номер патента: US20060246908A1. Автор: Jerry Petermann. Владелец: Wahoo Communications Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for controlling time sharing starting of electronic ballasts and delayed-started eletronic ballast

Номер патента: US20160088713A1. Автор: Zhongwei Jiang,Shixue CAI. Владелец: Shenzhen Techne Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Hip-knee passive exoskeleton device based on clutch time-sharing control

Номер патента: US20200085667A1. Автор: Shuang Wu,Wenbin Chen,Caihua XIONG,Tongtong Wei,Tiancheng Zhou. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-03-19.

Channel occupancy time sharing for sidelink transmission

Номер патента: WO2024026865A1. Автор: Ling Yu,Yong Liu,Vinh Van Phan,Jianguo Liu,Timo Erkki Lunttila,Naizheng ZHENG,Nuno Manuel KIILERICH PRATAS,Renato Barbosa ABREU,Torsten WILDSCHEK,Laura Luque SANCHEZ. Владелец: Nokia Shanghai Bell Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-08.

Time sharing subscriber identity modules

Номер патента: US20130273971A1. Автор: Ansgar Adamietz. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2013-10-17.

Method and system for time sharing N consecutive half-band decimating-by-2-filters using a single filter

Номер патента: US20060049969A1. Автор: Sean Lee. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Hand-operated safety switch with time delay

Номер патента: US09819342B2. Автор: Marco Pizzato. Владелец: PIZZATO ELETTRICA SRL. Дата публикации: 2017-11-14.

Method, apparatus and system to manage distributed channel access with time reservation

Номер патента: US09775173B2. Автор: Adrian P. Stephens. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Imaging apparatus having comparator configured to compare pixel signal with reference signal that changes with time

Номер патента: US09560302B2. Автор: Yasuji Ikeda,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Four-phase clock generator with timing sequence self-detection

Номер патента: US09455823B2. Автор: Cheng-Seng Hsu. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Inductive wireless transfer of power with the use of interconnection with time slots

Номер патента: RU2673457C1. Автор: ВАГЕНИНГЕН Андрис ВАН,Антониус Адриан Мария СТАРИНГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-11-27.

Time shared stimulator

Номер патента: US3888261A. Автор: Donald D Maurer. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 1975-06-10.

Method of Generating a Digital Signal that is Representative of Match Errors in an Analog Digital Conversion System With Time Interleaving, and an Analog Digital Converter with Time Interleaving Using Same

Номер патента: US20070247344A1. Автор: Patrick Gremillet. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2007-10-25.

Manipulator driven by modular joint time-sharing switching

Номер патента: US11850015B2. Автор: Jian Chen,Luhang CUI,Keji YANG,Yunjiang WANG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-12-26.

Systems and methods of decoding error correction code of a memory device with dynamic bit error estimation

Номер патента: US12009840B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Avi STEINER,Ofir Kanter. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device having MFMIS transistor and increased data storage time

Номер патента: US6509594B2. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Sealed food can with time setting device

Номер патента: US20210371176A1. Автор: SHENGLI Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

System comprised of a floor processing device, a memory device and at least one accessory device

Номер патента: US20230157502A1. Автор: Frederic Hahn. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3262680A2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240334717A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024206702A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09589981B2. Автор: Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Reading device with time delay and accumulation of signals from multi-element infrared photodetectors (versions)

Номер патента: RU2465684C1. Автор: Ирлам Игнатьевич Ли. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2012-10-27.

Match resolution circuit for an associative memory

Номер патента: EP1206777A1. Автор: Vishal Sarin,Alex E. Henderson,Walter E. Croft,Raymond Chu. Владелец: Fast-Chip Inc. Дата публикации: 2002-05-22.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Current protection device with dependent time lag on hermetic contacts

Номер патента: RU2333584C1. Автор: Марк Яковлевич Клецель,Александр Сергеевич Стинский,Мират Тулегенович Токомбаев,Константин Иванович Никитин. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет". Дата публикации: 2008-09-10.

Reading device with time delay and accumulation of signals from multi-element infrared photodetectors

Номер патента: RU2498456C1. Автор: Алексей Викторович Зверев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2013-11-10.

Reading device with time delay and accumulation of multi-element ir photoreceiver signals

Номер патента: RU2325728C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Юрий Владимирович Осипов,Дмитрий Владиленович Бородин,н Грачик Хачатурович Аветис (RU),Дмитрий Владиленович Бородин (RU),Юрий Владимирович Осипов (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2008-05-27.

Radio-signal dynamic memory device with binary fiber-optic structure

Номер патента: RU2210121C1. Автор: А.В. Горбунов,нцев К.Е. Рум,К.Е. Румянцев. Владелец: Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса. Дата публикации: 2003-08-10.

Transmission device for telemetry and video information with time-frequency radio channel multiplex and analog-to-digital method for frequency (phase) modulation of carrier frequency

Номер патента: RU2641460C1. Автор: Владимир Николаевич Грибков,Сергей Юрьевич Жуковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники". Дата публикации: 2018-01-17.

Adaptive control system of astatic object with time delays

Номер патента: RU2513847C1. Автор: Евгений Леонидович Еремин,Денис Алексеевич Теличенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Амурский государственный университет". Дата публикации: 2014-04-20.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL DEVICES WITH PROXIMITY DETECTION

Номер патента: US20120003933A1. Автор: . Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Electrosurgical Devices with Wire Electrode And Methods of Use Thereof

Номер патента: US20120004657A1. Автор: . Владелец: Salient Surgical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

LOCKING ASSEMBLY FOR SECURING A ROD MEMBER IN A RECEIVER PART FOR USE IN SPINAL OR TRAUMA SURGERY, BONE ANCHORING DEVICE WITH SUCH A LOCKING ASSEMBLY AND TOOL THEREFOR

Номер патента: US20120004689A1. Автор: Biedermann Lutz,Matthis Wilfried. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of transmission and reception of telemetering information with time-and-frequency consolidation of radio channel and analog-digital method of frequency (phase) modulation of carrier frequency and device for its realisation

Номер патента: RU2342783C1. Автор: Валерий Александрович Победоносцев,Александр Иванович Кравченко,Александр Михайлович Валовик,Алексей Николаевич Ивлев,Олег Анатольевич Лесиков. Владелец: ФГУП Научно-производственное объединение измерительной техники. Дата публикации: 2008-12-27.

FASTENER DRIVING DEVICE WITH DUST BLOWER

Номер патента: US20120000031A1. Автор: LIU Jim,Lee Sean,Liao Benson. Владелец: STANLEY FASTENING SYSTEMS, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD DEVICE WITH INTERNAL BATTERY

Номер патента: US20120000294A1. Автор: Mizutori Kenji,Mitsutake Ichiro,Watanabe Takashi. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

EMITTER WIRE CLEANING DEVICE WITH WEAR-TOLERANT PROFILE

Номер патента: US20120000486A1. Автор: . Владелец: TESSERA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.