Silicon nitride powder and process for its production .

Silicon nitride powder and process for its production

Номер патента: DE69309515T2
Опубликовано: 06-11-1997
Автор(ы): Akira Yamakawa, Tomoyuki Awazu, Yasushi Tsuzuki
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High-packing silicon nitride powder and method for making

Номер патента: US5348919A. Автор: Akio Otsuka,Meguru Kashida,Haruyoshi Kuwabara,Yasuyuki Maki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-20.

Composite powder comprising silicon nitride and silicon carbide

Номер патента: US5767025A. Автор: Hitoshi Toyoda,Yoshikatsu Higuchi,Kazumi Miyake,Kagehisa Hamazaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Method for producing powder of α-silicon nitride

Номер патента: US4368180A. Автор: Hiroshi Inoue,Akihiko Tsuge,Katsutoshi Komeya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-11.

Silicon nitride powder

Номер патента: EP4455078A1. Автор: Hideaki Kawai,Ryuji Ishimoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Continuous process for the preparation of silicon nitride by carbonitriding and silicon nitride obtained thereby

Номер патента: IL104435A. Автор: . Владелец: Atochem Elf Sa. Дата публикации: 1996-11-14.

Silicon nitride powder production method, silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate using same

Номер патента: US20150056121A1. Автор: Takeshi Yamao,Koji Shibata,Takayuki Fujii,Masataka Fujinaga,Michio Honda,Takuji OHMARU. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Silicon diimide, a process for it's preparation and silicon nitride obtained therefrom

Номер патента: CA2052401A1. Автор: Aloys Eiling,Martin Jansen,Hans-Peter Baldus,Ulrich Wannagat,Adrian Schervan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-04-03.

Method for manufacture of silicon nitride

Номер патента: US4396587A. Автор: Isamu Iwami,Masami Yamaguchi,Yoshiharu Kitahama,Yoshirou Tajitsu. Владелец: Asahi Dow Ltd. Дата публикации: 1983-08-02.

Synthesis method of silicon nitride powder and sintered body

Номер патента: US20230339755A1. Автор: In Chul CHO. Владелец: ZONE INFINITY CO Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Thermoplastic molding compositions, preparation and use thereof and process for the production of molded articles from ceramic powders

Номер патента: US6054506A. Автор: John Huggins. Владелец: GE Bayer Silicones GmbH and Co KG. Дата публикации: 2000-04-25.

Process for preparing high-purity α-type silicon nitride

Номер патента: US4346068A. Автор: Kiyoshi Kasai,Yoshitaka Kubota,Takaaki Tsukidate. Владелец: Toyo Soda Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-24.

Method for producing water-resistant aluminum nitride powder

Номер патента: US09399577B2. Автор: Yukihiro Kanechika,Megumu Tamagaki. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Process for producing high purity silicon nitride by the direct reaction between elemental silicon and nitrogen-hydrogen liquid reactants

Номер патента: US4935214A. Автор: Eloise A. Pugar,Peter E. D. Morgan. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-06-19.

Nanostructured Silicon Nitride Synthesis from Agriculture Waste

Номер патента: US20170362087A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-12-21.

Nanostructured silicon nitride synthesis from agriculture waste

Номер патента: US10239757B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-03-26.

Nanostructured Silicon Nitride Synthesis from Agriculture Waste

Номер патента: US20190169028A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-06-06.

Nanostructured silicon nitride synthesis from agriculture waste

Номер патента: US10662062B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2020-05-26.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: EP4310051A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: US20240140798A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for producing spherical silicon nitride powder

Номер патента: US20190177162A1. Автор: Kuan-Ting Lai,Chun-Te Wu,Cheng-Hung Shih,Yang-Kuo Kuo. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for producing silicon nitride sinterned body

Номер патента: EP4317057A1. Автор: Satoru Wakamatsu,Dai Kusano,Kunihiro GOTOU. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Non-densified silicon nitride beta-phase material

Номер патента: US5405592A. Автор: Bohdan Lisowsky,James P. Edler. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Improvements in or relating to the manufacture of silicon nitride and oxynitride

Номер патента: GB1028977A. Автор: . Владелец: ERIC CAMPBELL SHEARS. Дата публикации: 1966-05-11.

Production of silicon nitride whiskers

Номер патента: GB998167A. Автор: Christopher Charles Evans. Владелец: TI Group Services Ltd. Дата публикации: 1965-07-14.

Highly delaminated hexagonal boron nitride powders, process for making, and uses thereof

Номер патента: EP1278701A2. Автор: Thomas M. Clere. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2003-01-29.

Highly delaminated hexagonal boron nitride powders, process for making, and uses thereof

Номер патента: EP1278701B1. Автор: Thomas M. Clere,Severine M. Laboure. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2008-07-23.

Silicon nitride sintered substrate

Номер патента: US20230357010A1. Автор: Hideaki Kawai,Norihira MITSUMURA,Dai Kusano. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon nitride powders for ceramics by carbothermic reduction and the process for the manufacture thereof

Номер патента: AU7103787A. Автор: Roland Bachelard,Philippe Joubert. Владелец: Atochem SA. Дата публикации: 1987-10-08.

Method of manufacturing silicon nitride powder

Номер патента: GB1414143A. Автор: . Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-11-19.

Silicon nitride vacuum furnace process

Номер патента: AU622092B2. Автор: Stephen D. Hartline,Normand P. Arsenault,Craig A. Willkins. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-03-26.

Method for making silicon nitride powder

Номер патента: CA1334333C. Автор: Akira Sano,Isao Imai,Kouichi Sueyoshi,Toshitsugu Ishii. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1995-02-14.

Method for making silicon nitride powder

Номер патента: US4986972A. Автор: Akira Sano,Isao Imai,Kouichi Sueyoshi,Toshitsuga Ishii. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-22.

Process for producing silicon nitride

Номер патента: CA1308231C. Автор: Sadashiv Nadkarni,Mukesh Jain. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1992-10-06.

Process for producing silicon nitride

Номер патента: US4990471A. Автор: Sadashiv Nadkarni,Mukesh K. Jain. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1991-02-05.

Synthesis of silicon nitride

Номер патента: CA1192377A. Автор: Kunihiko Terase,Hitoshi Kijimuta,Kimihiko Sato. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-27.

Hexagonal boron nitride powder, and method for producing same

Номер патента: EP4299511A1. Автор: Shota Daiki,Tomoyuki Kakigi. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing same, cosmetic preparation and method for producing same, and quality evaluation method

Номер патента: US20240270651A1. Автор: Ryuki MATSUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Translucent zirconia sintered body and zirconia powder, and use therefor

Номер патента: US09737383B2. Автор: Kiyotaka Kawamura,Hiroyuki Fujisaki. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Fine hollow powder, thin flaky titanium oxide powder obtained by pulverization of the fine hollow powder and processes for producing the same

Номер патента: CA2300811A1. Автор: Takayoshi Sasaki,Mamoru Watanabe,Yuichi Michiue,Masaki Iida. Владелец: Japan As Represented By The Head Of National Institute For Research In I Norganic Materials, Science & Technology Agency. Дата публикации: 1999-03-11.

Fine hollow powder, thin flaky titanium oxide powder obtained by pulverization of the fine hollow powder and processes for producing the same

Номер патента: CA2300811C. Автор: Takayoshi Sasaki,Mamoru Watanabe,Yuichi Michiue,Masaki Iida. Владелец: Ishihara Sangyo Kaisha Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Method for Producing Same, and Silicon Nitride Powder for Mold Release Material for Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Slurry Containing Same

Номер патента: US20140158858A1. Автор: Takeshi Yamao,Takayuki Fujii,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: EP2579300A4. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130075875A1. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Methods of adjusting carbon and silica content in rice hull ash (rha) byproducts to control carbothermal reduction forming nanostructured silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride nanocomposites

Номер патента: EP4399180A1. Автор: Richard Laine,Mengjie Yu,Eleni TEMECHE. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-07-17.

Process for converting silicon tetrachloride to trichlorosilane

Номер патента: US09776878B2. Автор: Christoph Ruedinger,Hans-Juergen Eberle,Jens Felix KNOTH. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2017-10-03.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US09997366B2. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Process for production of fluorescent substance

Номер патента: US20140054500A1. Автор: Masahiro Kato,Yumi Fukuda,Naotoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Catalyst, method of its production, application and method of extracting sulfur

Номер патента: RU2670606C9. Автор: Айхуа ЛЮ,Цзяньли ЛЮ,Вэйдун ТАО,Цзэнжан ЛЮ,Цуйцуй СЮЙ,Цзижун У,Цзяньдун ЧЗАН. Владелец: Чайна Петролиум энд Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2018-11-22.

Molding of a hydrophobic zeolitic material and process for its production

Номер патента: RU2670616C2. Автор: Ульрих МЮЛЛЕР,Андреас ВАЛЬХ,Михаэль ХЕССЕ,Йоахим Энрике ТЕЛЕС,Андрей-Николае ПАРВУЛЕСКУ,Ханс-Юрген ЛЮТЦЕЛЬ,Доминик РИДЕЛЬ,Бианка ЗЕЕЛИГ,Даниэль УРБАНЧИК,Ульрике Вегерле,Фолькер БЕНДИГ,Файт Штегманн,Хеннинг АЛЬТХЕФЕР,Борис ГАСПАР,Франк ШТАЛЛЬМАХ,Анне Кристин ПУШ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-10-24.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US20180108532A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing same, and cosmetic preparation and method for producing same

Номер патента: US20240277586A1. Автор: Ryuki MATSUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Boron-nitride powder and resin composition containing same

Номер патента: US09656868B2. Автор: Taiki Nishi,Toshikatsu Mitsunaga,Koki IKARASHI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Textile article comprising graphene and process for its preparation

Номер патента: US12037741B2. Автор: Giulio CESAREO,Laura Giorgia RIZZI,Razvan Popescu. Владелец: Directa Plus SpA. Дата публикации: 2024-07-16.

Epoxidation catalyst and process for its preparation

Номер патента: EP4436713A1. Автор: Toshiyuki Yokoi,Joaquim Henrique Teles,Andrei-Nicolae Parvulescu,Jaroslaw Michael MORMUL,Trees Maria DE BAERDEMAEKER,Feiyu QIN. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-10-02.

Epoxidation catalyst and process for its preparation

Номер патента: US20240326029A1. Автор: Toshiyuki Yokoi,Joaquim Henrique Teles,Andrei-Nicolae Parvulescu,Jaroslaw Michael MORMUL,Trees Maria DE BAERDEMAEKER,Feiyu QIN. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-10-03.

N-alkyl substituted cyclic and oligomeric perhydridosilazanes, methods of preparation thereof, and silicon nitride films formed therefrom

Номер патента: US20230279031A1. Автор: Barry C. Arkles,Youlin Pan,Fernando A. JOVE. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20180261462A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20190252197A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

N-alkyl substituted cyclic and oligomeric perhydridosilazanes, methods of preparation thereof, and silicon nitride films formed therefrom

Номер патента: EP3274354A1. Автор: Barry C. Arkles,Youlin Pan,Fernando JOVE. Владелец: Gelest Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing same

Номер патента: EP4455077A1. Автор: Makoto ABURATANI. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Precipitated silica and process for its manufacture

Номер патента: EP4452850A1. Автор: Laurent Guy,Emmanuelle Allain Najman,Cédric FERAL-MARTIN,Thomas Chaussee,Pascaline Lauriol-Garbey. Владелец: Rhodia Operations SAS. Дата публикации: 2024-10-30.

DDR-type zeolite powder, and process for the production of DDR-type zeolite powder

Номер патента: US09493362B2. Автор: Kenji Yajima,Hisayoshi Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Conversion coating and process and solution for its formation

Номер патента: CA2192449C. Автор: Anthony Ewart Hughes,Karen Joy Hammon Nelson,Russell James Taylor,Bruce Roy William Hinton,Mark Julian Henderson,Lance Wilson,Sally Ann Nugent. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2001-01-16.

Biaxially-oriented polyethylene films for thermoforming, process for the production thereof, their use, a process for thermoforming and its products

Номер патента: US12030964B2. Автор: Jan Barth,Michael Pecher,Andrei Douzhyk,Ilja Müller. Владелец: Brueckner Maschinenbau GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Halidosilane compounds and compositions and processes for depositing silicon-containing films using same

Номер патента: US20240191346A1. Автор: XINJIAN LEI,Alan Charles Cooper,Jianheng LI,John Francis Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same

Номер патента: US09630846B2. Автор: Katsuyuki Aoki,Takashi Sano,Noritaka Nakayama. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and evaluation method, evaluation device, and evaluation system for silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: EP4235156A1. Автор: Kazufumi Suenaga,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and evaluation method, evaluation device, and evaluation system for silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: US20230274992A1. Автор: Kazufumi Suenaga,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Processes for depositing silicon-containing films using halidosilane compounds and compositions

Номер патента: US11913112B2. Автор: XINJIAN LEI,Alan Charles Cooper,Jianheng LI,John Francis Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of uranium hexafluoride processing into uranium oxide and anhydrous hydrogen fluoride and device for its implementation

Номер патента: RU2599528C1. Автор: Юрий Николаевич Туманов,Николай Пантелеевич Зарецкий,Денис Юрьевич Туманов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2016-10-10.

Complex oxide and process for its preparation, and r exhaust gas purification catalyst

Номер патента: RU2621341C2. Автор: Наотака ОХТАКЕ,Казухико ЙОКОТА. Владелец: Солвей Спешиал Кем Джепэн, Лтд.. Дата публикации: 2017-06-02.

High surface area carbon and process for its production

Номер патента: US09517445B2. Автор: Parag Shah,Galen Suppes,Peter Pfeifer,Jimmy ROMANOS,Jacob Burress,Tyler Rash. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2016-12-13.

Systems and methods for rapid inactivation of SARS-CoV-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: US11844344B2. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Amorphous caesium aluminum fluoride complex, its production and use

Номер патента: US09498853B2. Автор: Hartmut Hofmann,Klaus-Peter Lehmann,Gerd J. Harms,Alexander Schiedt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-22.

Spinel powder and manufacturing process therefor, and processes for producing thermal spraying film and gas sensor elements

Номер патента: US20140050842A1. Автор: Takuji Nabeta,Namitsugu Fujii,Ryo Nishizawa. Владелец: Daiichi Kigenso Kagaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Sintered silicon nitride base ceramic and said ceramic

Номер патента: US4025351A. Автор: Hideyuki Masaki. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1977-05-24.

White cement and process and apparatus for its preparation

Номер патента: DE60209684D1. Автор: Guy Beauvent,Eric Holard. Владелец: CARRIERES DU BOULONNAIS FERQUE. Дата публикации: 2006-05-04.

Processed ferrous metal and process of production

Номер патента: CA1204944A. Автор: David J. Carter,Gary L. Wasserman. Владелец: Allied Iron Co. Дата публикации: 1986-05-27.

Livestock feed of high nutrient value and process and apparatus for its production

Номер патента: IL66958A0. Автор: . Владелец: Alfa Straw Int Srl. Дата публикации: 1983-02-23.

NICOTINAMIDE POWDER AND PROCESS AND DEVICE FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: US20150050497A1. Автор: Zacher Uwe,Gerritzen Detlef,Clausen Norbert,Irle Heike. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

Nicotinamide powder and process and device for its production

Номер патента: KR20140143817A. Автор: 데틀레프 게리첸,노르베르트 클라우젠,하이케 이를레,우베 차허. Владелец: 론자 아게 (론자 엘티디.). Дата публикации: 2014-12-17.

Nicotinamide powder and process and device for its production

Номер патента: TW201402153A. Автор: Uwe Zacher,Norbert Clausen,Detlef Gerritzen,Heike Irle. Владелец: Lonza AG. Дата публикации: 2014-01-16.

Nicotinamide powder and process and device for its production

Номер патента: CA2867768A1. Автор: Uwe Zacher,Norbert Clausen,Detlef Gerritzen,Heike Irle. Владелец: Lonza AG. Дата публикации: 2013-10-10.

Smoke projectile charge and process for its manufacture

Номер патента: US4186664A. Автор: Paul Huber,Alois Schiessl,Hartmut Krone. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-02-05.

Article plated with boron carbide in a nickel-phosphorus matrix, and process and bath for its preparation

Номер патента: EP1067220A3. Автор: Angelo Buratti. Владелец: SBR SRL. Дата публикации: 2003-03-19.

Terazosin monohydrochloride and processes and intermediate for its production

Номер патента: HK1012629A1. Автор: Rodger F Henry,John F Bauer,Stephen G Spanton,Ramesh R Patel,James A Morley. Владелец: Abbott Lab. Дата публикации: 1999-08-06.

Briquette,in particular made from coke furnace charging coal and process and apparatus for its manufacture

Номер патента: ZA801416B. Автор: H Kellerwessel,S Heintges. Владелец: Kloeckner Humboldt Deutz AG. Дата публикации: 1981-01-28.

Rifaximin powder, process for preparing the same an controlled release compositions containing said rifaximin useful for obtaining a long-lasting effect

Номер патента: US09498442B2. Автор: Giuseppe Claudio Viscomi,Donatella Confortini,Dario Braga,Paola Maffei,Vittoria Lauro,Maria Barbanti. Владелец: Alfa Wasserman SpA. Дата публикации: 2016-11-22.

High density, low stress amorphous carbon film, and process and equipment for its deposition

Номер патента: WO2018034811A1. Автор: Chentsau Ying,Srinivas D. Nemani,Michael W. Stowell,Jingjing Liu,Adolph Miller Allen,Zhong Qiang Hua,Viachslav Babayan,Bhargav Citla,Andrej HALABICA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-02-22.

Austenitic stainless steel powder and method for producing same

Номер патента: US20240295016A1. Автор: Christophe Desrayaud,Claude VARILLON,Pauline Chanin Lambert,Stephanie Verleene. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2024-09-05.

HIGH DENSITY, LOW STRESS AMORPHOUS CARBON FILM, AND PROCESS AND EQUIPMENT FOR ITS DEPOSITION

Номер патента: US20180051368A1. Автор: Nemani Srinivas D.,ALLEN ADOLPH MILLER,Hua Zhong Qiang,BABAYAN Viachslav,Stowell Michael W.,LIU Jingjing,Ying Chentsau,CITLA Bhargav,Halabica Andrej. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-02-22.

Intermediate product for the manufacture of glass and other silicates, and process and apparatus for its manufacture

Номер патента: FR1469109A. Автор: . Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 1967-02-10.

Granular material from molten masses and process and apparatus for its manufacture.

Номер патента: EP0007352A1. Автор: Nils Tiberg. Владелец: Svenskt Stal AB. Дата публикации: 1980-02-06.

NODULATING COMPOSITION OF GRAPHITE IN LIQUID CAST IRON AND PROCESS AND DEVICE FOR ITS USE

Номер патента: BR7404331D0. Автор: R Bellocci,M Degois,J Maquaire. Владелец: Pont A Mousson. Дата публикации: 1975-09-23.

CATALYST FOR THE NODULARIZATION OF CAST IRON, AND PROCESS AND MOLD FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2321545A1. Автор: . Владелец: Ford France SA. Дата публикации: 1977-03-18.

Sintered body and process and powder for its manufacture

Номер патента: DE2461736B2. Автор: Tatsuro Tokio Hamai,Yoshihiko Kawasaki Kanagawa Hamai,Akira Niiza Saitama Nakatani,Yuya Machida Tokio Tanaka. Владелец: KK Hamai Seisakusho Tokio. Дата публикации: 1979-01-25.

Article plated with boron carbide in a nickel-phosphorus matrix, and process and bath for its preparation

Номер патента: EP1067220A2. Автор: Angelo Buratti. Владелец: SBR SRL. Дата публикации: 2001-01-10.

Biaxially-oriented polyethylene films for thermoforming, process for the production thereof, their use, a process for thermoforming and its products

Номер патента: US20230087287A1. Автор: Jan Barth,Michael Pecher,Andrei Douzhyk,Ilja Müller. Владелец: Brueckner Maschinenbau GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-03-23.

Purification and processing process for raw sugar juice

Номер патента: FR46354E. Автор: Teatini. Владелец: . Дата публикации: 1936-06-02.

Purification and processing process for raw sugar juice

Номер патента: FR711314A. Автор: Dario Teatini. Владелец: . Дата публикации: 1931-09-07.

Catalyst feed system and process, process for producing olefin polymers, and olefin polymers obtainable by the same

Номер патента: TW202235149A. Автор: 艾爾諾伊洛瓦尼奧,克勞斯耐福斯,穆巴沙爾薩塔爾,朱尼基韋拉,薩穆利奇汀,米科利利康加斯,揚林德霍爾姆,丹尼考克斯. Владелец: 奧地利商柏列利斯股份公司. Дата публикации: 2022-09-16.

Rifaximin powder, process for preparing the same and controlled release compositions containing said rifaximin useful for obtaining a long-lasting effect.

Номер патента: WO2011107970A3. Автор: Giuseppe Claudio Viscomi,Donatella Confortini,Dario Braga,Paola Maffei,Miriam Barbanti,Vittoria Lauro. Владелец: Alfa Wassermann S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

An iron powder and sand filtration process for treatment of water contaminated with heavy metals and organic compounds

Номер патента: EP1216209A4. Автор: Xiaoguang Meng,George P Korfiatis. Владелец: Stevens Institute of Technology . Дата публикации: 2004-04-21.

An iron powder and sand filtration process for treatment of water contaminated with heavy metals and organic compounds

Номер патента: AU6056700A. Автор: George P. Korfiatis,Xiaoguang Meng. Владелец: Stevens Institute of Technology . Дата публикации: 2001-03-05.

Powder of a molybdenum, silicon and boron-containing alloy, use of this powder and additive manufacturing process for a workpiece from this powder

Номер патента: DE102017217082A1. Автор: Christoph Heinze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-03-28.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Conductive silicon nitride composite sintered body and a process for the production thereof

Номер патента: US20030155555A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Sintered silicon nitride and method for producing the same

Номер патента: US20080220963A1. Автор: Naohito Yamada,Takahiro Takahashi,Kazuhiro Nobori,Hideyuki Baba. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: EP1361202A4. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Silicon nitride - tungsten carbide composite sintered material, production process therefor, and glow plug comprising the same

Номер патента: US20020148823A1. Автор: Masaya Ito,Hiroki Watanabe,Katsura Matsubara. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-17.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: US20040046153A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Ceramic phase in silicon nitride containing cerium

Номер патента: WO1992001647A1. Автор: Bohdan Lisowsky,James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

A silicon oxynitride or an oxydized silicon nitride powder of the general formula si(x)o(y)n(z), a preparation method thereof and the use thereof in antipathogen products

Номер патента: EP4214178A1. Автор: WEI Xia,Håkan ENGQVIST,Ioannis KATSAROS. Владелец: Viaton Ab. Дата публикации: 2023-07-26.

A silicon oxynitride or an oxydized silicon nitride powder of the general formula si(x)o(y)n(z), a preparation method thereof and the use thereof in antipathogen products

Номер патента: WO2022060271A8. Автор: WEI Xia,Håkan ENGQVIST,Ioannis KATSAROS. Владелец: Viaton Ab. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of producing sintered silicon nitrides

Номер патента: US5394015A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-02-28.

Silicon nitride sintered products and processes for their production

Номер патента: US20020045530A1. Автор: Naoto Hirosaki,Mamoru Mitomo,Yoshinobu Yamamoto,Toshiyuki Nishimura. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 2002-04-18.

Silicon nitride sintered products and processes for their production

Номер патента: US20030139278A1. Автор: Naoto Hirosaki,Mamoru Mitomo,Yoshinobu Yamamoto,Toshiyuki Nishimura. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 2003-07-24.

Method of producing highly porous silicon nitride material with fibrous structure and installation for its implementation

Номер патента: RU2634443C1. Автор: Виктор Григорьевич Гилев,Иван Борисович Пуртов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-10-30.

Silicon nitride-alumina composite ceramics and producing method thereof

Номер патента: US4845061A. Автор: Kazuhiro Inoguchi,Naochika Nunogaki,Novuei Ito,Tetsuo Toyama. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1989-07-04.

Method of densifying an article formed of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: US4356136A. Автор: John A. Mangels. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1982-10-26.

Silicon nitride based charge and method for production of articles thereof

Номер патента: RU2610744C1. Автор: Татьяна Алексеевна Сафронова,Петр Георгиевич Лапин,Мария Анатольевна Громыхина,Анастасия Валерьевна Козлова. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2017-02-15.

Silicon nitride-ceramic and a manufacturing method therof

Номер патента: US4886767A. Автор: Yasuhiro Goto,Takeyuki Yonezawa,Yoshiyuki Ohnuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-12-12.

Silicon nitride sintered body and process for producing the same

Номер патента: CA2058151C. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto,Koichi Sogabe,Tomoyuki Awatsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-02-13.

Process for nitriding silicon-containing materials

Номер патента: WO1992001650A1. Автор: James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

Silicon nitride wear resistant member and method for producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US09663407B2. Автор: Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for preparing silicon nitride ceramic material

Номер патента: EP4282845A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for preparing silicon nitride ceramic material

Номер патента: US20240076243A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-03-07.

High-thermal-conductivity silicon nitride ceramic insulating plate and preparation method therefor

Номер патента: EP4269372A1. Автор: He Jing,Xiao He,Feng Sun,Xuemin Xu,Weiru Zhang,Panpan LIANG,Tingxia Dong,Peiyuan Lv,Jinmeng XU,Wenzhao WEI,Zhijie DING. Владелец: Sinoma Advanced Nitride Ceramics Co ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Method of making of caked article made of silicon nitride

Номер патента: RU2028997C1. Автор: И.П. Боровинская,В.А. Горшков,В.И. Юхвид,С.Ю. Шаривкер,А.М. Князик. Владелец: Институт структурной макрокинетики РАН. Дата публикации: 1995-02-20.

Production and sintering of reaction bonded silicon nitride composites containing silicon carbide whiskers or silicon nitride powders

Номер патента: US4919868A. Автор: Jow-Lay Huang. Владелец: Champion Spark Plug Co. Дата публикации: 1990-04-24.

Tool comprised of a silicon nitride sintered body

Номер патента: US5171723A. Автор: Toshio Nomura,Hideki Moriguchi,Mitsunori Kobayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-12-15.

Method for continuously producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US20230357087A1. Автор: Dai Kusano. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: US20240116822A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Highly thermally conductive silicon nitride sintered compact, silicon nitride substrate, silicon nitride circuit board, and semiconductor device

Номер патента: EP4397642A1. Автор: Yasuhiro Goto,Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: WO2023049804A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: EP4404875A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: US4256688A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1981-03-17.

Method of manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1091907A. Автор: Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1980-12-23.

Process for producing silicon nitride sintered material

Номер патента: US5178809A. Автор: Akira Takahashi,Keiichiro Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1993-01-12.

Batch sintering method for high-performance silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: EP4282844A1. Автор: HUI Zhang,Jian Huang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Silicon nitride containers for sintering silicon nitride

Номер патента: WO1992001898A1. Автор: James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

Dispersant system and process for formulating non-aqueous siliceous particulate slurries

Номер патента: WO2001026787A1. Автор: John Lang Lombardi,Kevin Haines Johnston,David Zackery Dent. Владелец: Advanced Ceramics Research, Inc.. Дата публикации: 2001-04-19.

Batch sintering method for high-property silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240067576A1. Автор: HUI Zhang,Jian Huang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon nitride ceramic substrate, silicon nitride ceramic circuit board using the substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1201623A3. Автор: Hideki Yamaguchi,Takayuki Naba,Michiyasu Komatsu,Haruhiko Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-01-07.

Zirconia-coated silicon nitride sintered member

Номер патента: US4816349A. Автор: Tomonori Takahashi,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-03-28.

Silicon nitride sintered body and wear resistant member using the same

Номер патента: US09440887B2. Автор: Katsuyuki Aoki,Michiyasu Komatsu,Kai Funaki,Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same

Номер патента: CA1257298A. Автор: Tomonori Takahashi,Takao Soma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-07-11.

Silicon nitride ceramic having devitrified intergranular glass phase and a process for its preparation

Номер патента: US5128287A. Автор: Marcellus Peuckert. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1992-07-07.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111B1. Автор: Kenji c/o NGK INSULATORS LTD. MORIMOTO,Shinji c/o NGK INSULATORS LTD. KAWASAKI,Masaaki c/o NGK INSULATORS LTD. MASUDA,Katsuhiro c/o NGK INSULATORS LTD. INOUE,Hiroaki c/o NGK INSULATORS LTD. SAKAI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111A4. Автор: Shinji Kawasaki,Hiroaki Sakai,Kenji Morimoto,Katsuhiro Inoue,Masaaki Masuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

Silicon nitride substrate, circuit substrate and electronic device using the same

Номер патента: US20120281362A1. Автор: Masayuki Moriyama,Kenji Komatsubara,Yuusaku Ishimine. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Silicon nitride sintered body, machine part, and bearing

Номер патента: EP4397643A1. Автор: Yuta Ito,Yasutake Hayakawa. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US20240043349A1. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2024-02-08.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: US20220177376A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: EP1063211A1. Автор: Kiyoshi Araki,Katsuhiro Inoue. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2000-12-27.

Hot pressed, high strength silicon nitride

Номер патента: US3830652A. Автор: G Gazza. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1974-08-20.

Silicon nitride cutting tool and process for making

Номер патента: US4670024A. Автор: Deepak G. Bhat,Vinod Sarin,Paul F. Woerner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-06-02.

Carbide-silicon nitride luminophores

Номер патента: RU2430948C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезиа ХИНТЦЕН,Йуан Кианг ЛИ. Владелец: Тридоник.Атко Оптоэлектроникс Гмбх. Дата публикации: 2011-10-10.

Silicon nitride substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275002A1. Автор: Kei Shimada,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon nitride porous body and its production process

Номер патента: EP1167321A3. Автор: Nobuhiro Shinohara,Kanji Arai,Naomichi Miyakawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-13.

Method of producing porous material based on silicon nitride

Номер патента: RU2736195C1. Автор: Владимир Николаевич Манжай,Мария Сергеевна Фуфаева,Константин Александрович Болгару. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-12.

Silicon nitride sintered material for cutting tools and process for making the same

Номер патента: US4769350A. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-09-06.

Silicon nitride wear resistant member and method for producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US20160137556A1. Автор: Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Silicon nitride/silicon carbide nano-nano composites

Номер патента: US20040179969A1. Автор: Julin Wan,Amiya Mukherjee,Matthew Gasch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-09-16.

Silicon nitride body having high as-fired surface strength

Номер патента: WO1996032359A1. Автор: Chien-Wei Li,Jean Yamanis,Mohammad Behi. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1996-10-17.

Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same

Номер патента: US5118645A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow,Douglas B. Schwarz,Donald R. Beaman,Barbara M. Pyzik,William J. Dubensky. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: CA2049204A1. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Barbara M. Pyzik. Дата публикации: 1992-02-16.

Polycrystalline sintered articles based on silicon nitride and sintering additives

Номер патента: US4814301A. Автор: Alfred Lipp,Detlef Steinmann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-03-21.

Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same

Номер патента: US4795724A. Автор: Tomonori Takahashi,Takao Soma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-01-03.

Silicon nitride sintered bodies and a method of producing the same

Номер патента: US4818733A. Автор: Tomonori Takahashi,Masahiro Shirai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-04-04.

Silicon nitride sintered products having high corrosion resistance and process for production thereof

Номер патента: US4499192A. Автор: Yasushi Matsuo,Yoshinori Hattori,Toru Shimamori. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1985-02-12.

Sintered silicon nitride and production method thereof

Номер патента: US5126294A. Автор: Akira Okada,Naoto Hirosaki. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-30.

Method for manufacturing silicon nitride substrate

Номер патента: EP4032700A1. Автор: Seung Yeon Lee,Eun Ok Chi,Seunggwan LEE. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Crucible for crystallisation of silicon and procedure for its fabrication

Номер патента: RU2401889C2. Автор: Жилбер РАНКУЛЬ. Владелец: Везувиус Крусибл Компани. Дата публикации: 2010-10-20.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: US5091347A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-02-25.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: EP4335834A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board

Номер патента: EP3846596A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Jun Momma,Kentaro IWAI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Preparation method for copper plate-covered silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: EP4282848A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Yan Liu,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Process for the elaboration of powders uniformly coated with ultrafine silicon-base particles using chemical vapor decomposition in the presence of core powders

Номер патента: US5298296A. Автор: Jean-Marie Friedt,Masahiko Matsukata,Toshinori Kojima,Eiichi Ozawa. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1994-03-29.

Silicon nitride circuit board

Номер патента: US5998000A. Автор: Kazuo Ikeda,Nobuyuki Mizunoya,Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Yoshitoshi Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Protection of silicon nitride artefacts

Номер патента: GB1510310A. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1978-05-10.

Silicon nitride sintered body, rolling body using same, and bearing

Номер патента: EP4209472A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Silicon Nitride Substrate And Silicon Nitride Circuit Board

Номер патента: US20210130241A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Jun Momma,Kentaro IWAI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Silicon nitride sintered body, rolling element using the same, and bearing

Номер патента: US20230303454A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Highly thermally conductive silicon nitride sintered body, silicon nitride substrate, silicon nitride circuit board, and semiconductor device

Номер патента: US20240182770A1. Автор: Yasuhiro Goto,Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of making a silicon nitride part

Номер патента: CA1094892A. Автор: Andre Ezis,James C. Uy. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1981-02-03.

Preparation method for copper plate-covered silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240067577A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Yan Liu,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon nitride sintered body and wear-resistant member using the same

Номер патента: US20240025811A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata,Naoto HOUTSUKI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Dense silicon nitride body having high strength, high weibull modulus and high fracture toughness

Номер патента: EP2526076A2. Автор: Biljana Mikijelj. Владелец: Ceradyne Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

High strength silicon nitride

Номер патента: WO1989008625A1. Автор: Hun C. Yeh. Владелец: Allied-Signal Inc.. Дата публикации: 1989-09-21.

Method of manufacturing a silicon nitride body

Номер патента: GB1335842A. Автор: . Владелец: Joseph Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1973-10-31.

Silicon nitride wear resistant member and method of manufacturing the member

Номер патента: US6784131B2. Автор: Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Hiroki Tonai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Sintered silicon carbide-based refractory material with silicon nitride as binder

Номер патента: RU2496745C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье МАРГЮИН,Лионель МУАТРИЕ,Оливье Ситти. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2013-10-27.

Polymeric hydridosilazanes and processes for their preparation, and their use

Номер патента: CA1336343C. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Thomas Gerdau,Hans-Jerg Kleiner,Fritz Aldinger. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1995-07-18.

High thermal conductive silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: US5439856A. Автор: Michiyasu Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Method of forming high density beta silicon nitride

Номер патента: CA1092325A. Автор: Gerald Q. Weaver. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1980-12-30.

Process for making a homogeneous doped silicon nitride article

Номер патента: CA1273185A. Автор: Sophia R. Su,Sheldon Lieberman,Elizabeth Trickett. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-08-28.

Process for making silicon nitride cutting tool material

Номер патента: US6066582A. Автор: Marianne Collin,Magnus Ekelund. Владелец: Sandvik Ab. Дата публикации: 2000-05-23.

Silicon nitride sintered members

Номер патента: US4940680A. Автор: Tomonori Takahashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1990-07-10.

Method for preparing silicon nitride and silicon nitride composites

Номер патента: US5980699A. Автор: Scott F. Timmons,Renee C. Graef,Stuart T. Schwab,Montgomery D. Grimes. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 1999-11-09.

Composition, manufacturing and application of silicon nitride as biomaterial for medicinal purposes

Номер патента: RU2229313C2. Автор: Кент ОЛЬССОН,Ли ЙИАНГУО,Урбан ЛИНДГРЕН. Владелец: Биомат Систем Аб. Дата публикации: 2004-05-27.

Polysilazanes, processes for their preparation, ceramic materials which contain silicon nitride and can be prepared from them, and preparation thereof

Номер патента: CA1320305C. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-07-13.

Chlorine-containing silazane polymers, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be prepared from them, and their preparation

Номер патента: CA2004404A1. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1990-06-03.

Silicon nitride ceramic heater

Номер патента: US5998049A. Автор: SATOSHI Tanaka,Jun Fukuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Silicon nitride sintered body and method for preparing the same

Номер патента: CA1223013A. Автор: Mikio Fukuhara,Yoshitaka Maekawa. Владелец: Toshiba Tungaloy Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-16.

Polymeric hydridochlorosilazanes, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be manufactured therefrom, and their manufacture

Номер патента: CA2004399A1. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Thomas Gerdau,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1990-06-03.

Sintered reaction-bonded silicon nitride components

Номер патента: WO1996001236A1. Автор: Robert Alan Wordsworth,Carol Jayne Pindar,Nicholas Dominic Butler,Matthew Arnold Hepworth. Владелец: T & N Technology Limited. Дата публикации: 1996-01-18.

Substituted silicon nitride products and method of production thereof

Номер патента: WO1994017010A1. Автор: Derek Parr Thompson,Hassan Mandal,Yi Bing Cheng. Владелец: Cookson Group Public Limited Company. Дата публикации: 1994-08-04.

Coated composite silicon nitride cutting tools

Номер патента: US4441894A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-04-10.

Silicon nitride based ceramics and method

Номер патента: US4603116A. Автор: Carr Lane W. Quackenbush,J. Thomas Smith,Anthony P. Moschetti,Helmut Lingertat. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-07-29.

Fiber-reinforced silicon nitride ceramic

Номер патента: US5187127A. Автор: Yasuhiro Goto,Takeyuki Yonezawa,Yoshiyuki Ohnuma,Jen Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-02-16.

Silicon nitride sintered body

Номер патента: US5399536A. Автор: Akira Yamakawa,Koichi Sogabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-03-21.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: EP3951857A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Ceramic composition, silicon nitride ceramic material and preparation method therefor, and ceramic product

Номер патента: ZA202308665B. Автор: LIANG XIAO,Yongquan Li,Xiaofeng Zeng,Fulin Zhu,Lihong Qian,Juxi Chen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US11919824B2. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2024-03-05.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member, and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4317106A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Kazuya Ookubo,Kai Funaki,Shoya Sano. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member, and method for manufacturing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4317107A1. Автор: Kazuya Ookubo. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Silicon nitride substrate

Номер патента: US20240150249A1. Автор: Kei Shimada,Youichirou Kaga,Rei FUKUMOTO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon Nitride Sintered Body, Wear-Resistant Member, And Method For Producing Silicon Nitride Sintered Body

Номер патента: US20230391677A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Kazuya Ookubo,Kai Funaki,Shoya Sano. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicon Nitride Sintered Body, Wear-Resistant Member, And Method For Manufacturing Silicon Nitride Sintered Body

Номер патента: US20230382809A1. Автор: Kazuya Ookubo. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Silicon nitride substrate

Номер патента: EP4293713A1. Автор: Kei Shimada,Youichirou Kaga,Rei FUKUMOTO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Silicon nitride compositions

Номер патента: CA2540048C. Автор: Michael Cohen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-21.

Improvements in or relating to the Production of Silicon Nitride Articles

Номер патента: GB1168499A. Автор: Richard Alan Taylor. Владелец: Birmingham Small Arms Co Ltd. Дата публикации: 1969-10-29.

Process for producing silicon nitride sliding member

Номер патента: US5961907A. Автор: Takashi Matsuura,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Masamichi Yamagiwa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Method of making a densified silicon nitride/oxynitride composite

Номер патента: US4496503A. Автор: Elaine C. Beckwith,Andre Ezis,Howard D. Blair. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1985-01-29.

Production of silicon nitride material components

Номер патента: US3819786A. Автор: E May. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1974-06-25.

Abrasion resistant articles based on silicon nitride

Номер патента: CA1155874A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-10-25.

Fiber-reinforced silicon nitride ceramics

Номер патента: CA1302059C. Автор: Normand D. Corbin,Stephen D. Hartline,George A. Rossetti, Jr.. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Process for applying a protective layer to shaped carbon bodies

Номер патента: CA1103104A. Автор: Erhard Sirtl,Heinz-Jorg Rath. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 1981-06-16.

Sintered self-reinforced silicon nitride

Номер патента: US5312785A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1994-05-17.

High density high strength alpha sialon based article and process for producing same

Номер патента: US5032553A. Автор: Christopher A. Tarry. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1991-07-16.

Dense silicon nitride ceramic having fine grained titanium carbide

Номер патента: US5908796A. Автор: William Collins,Vimal Pujari. Владелец: Saint Gobain Industrial Ceramics Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Silicon nitride components with protective coating

Номер патента: US6582779B2. Автор: Derek Raybould,Chien-Wei Li,Milton Ortiz,Thomas Edward Strangman. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Process for producing corrosion resistant silicon nitride bodies containing La2 O3

Номер патента: US4749539A. Автор: Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

High thermal conductivity silicon nitride circuit substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US6086990A. Автор: Fumio Ueno,Mitsuo Kasori,Akihiro Horiguchi,Hiroyasu Sumino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Sintering of silicon nitride to high density

Номер патента: US4379110A. Автор: Svante Prochazka,Charles D. Greskovich,John A. Palm. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-04-05.

Process for making a homogeneous doped silicon nitride article

Номер патента: US4814128A. Автор: Sophia R. Su,Sheldon Lieberman,Elizabeth Trickett. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1989-03-21.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US11807582B1. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2023-11-07.

Vanadium silicon nitride film, member coated with vanadium silicon nitride film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190390331A1. Автор: Hiroyuki Matsuoka,Wataru Sakakibara,Satoru HABUKA. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Silicon nitride sintered body and process for producing the same

Номер патента: CA2060241A1. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-11-23.

Silicon nitride cutting tool

Номер патента: US8496718B2. Автор: Takashi Watanabe,Shuichi Tateno,Tatsuyuki Nakaoka,Hiroshi Yoshimitsu,Takero Fukudome. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Production process and production device of silicon nitride wave-absorbing material

Номер патента: GB2625432A. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Silicon nitride wave-transmitting material, preparation process and preparation apparatus

Номер патента: GB2625431A8. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Silicon nitride ceramics with improved wear resistance and production method therefore

Номер патента: WO2013171324A1. Автор: Prof. Hasan MANDAL,Prof. Ferhat KARA,Prof. Servet TURAN,Prof. Alpagut KARA. Владелец: Mda Ileri Teknoloji Seramikleri Sanayi Ticaret Ltd. Sti.. Дата публикации: 2013-11-21.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: US20230093682A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Ceramic matrix composites and processes for their production

Номер патента: EP3166908A1. Автор: Walter Krenkel,Thomas Wamser,Sven Scheler. Владелец: UNIVERSITAET BAYREUTH. Дата публикации: 2017-05-17.

Method of preparation of the raw mix for production of the non-autoclave foamed concrete and the device for its realization

Номер патента: RU2306221C2. Автор: Михаил Аркадьевич Михеенков,Андрей Николаевич Бороздин,Сергей Иванович Чуваев,Игорь Владимирович Гордеев,Лев Кронидович Шляпников,Владимир Евгеньевич Овцын,Леонид Михайлович Кролик,Олег Михайлович Шабанов,Николай В чеславович Плотников,Николай Вячеславович Плотников,пников Лев Кронидович Шл. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Высокопрочный пенобетон". Дата публикации: 2007-09-20.

Chlorine-containing silazane polymers, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be prepared from them, and their preparation

Номер патента: US5032663A. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1991-07-16.

Concrete composition for the manufacture of moulds, mould and process for the manufacture of a mould

Номер патента: US5188791A. Автор: Jacques Thiery,Jacques Schoennahl. Владелец: Savoie Refractaires SA. Дата публикации: 1993-02-23.

Polymeric hydridochlorosilazanes, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be manufactured therefrom, and their manufacture

Номер патента: US5189132A. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Thomas Gerdau,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-02-23.

Process for manufacture of dense neodymium stabilised beta-silicon nitride - alpha-SiAlON composite

Номер патента: US20060089250A1. Автор: Siddhartha Bandyopadhyay,Himadri Maity. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-27.

Process for joining silicon nitride based ceramic bodies

Номер патента: CA1147538A. Автор: Howard D. Blair,Morton E. Milberg. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-06-07.

High-strength ceramic composite, process for its preparation and its use

Номер патента: US5139717A. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner,Fritz Aldinger. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1992-08-18.

Fiber-reinforced ceramic and process therefor

Номер патента: CA1282943C. Автор: Stephen D. Hartline,George A. Rossetti, Jr.. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1991-04-16.

Superplastic silicon nitride sintered body

Номер патента: US5672553A. Автор: Mamoru Mitomo,Hideki Hirotsuru,Toshiyuki Nishimura,Hisayuki Suematsu. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1997-09-30.

Reaction sintered boride-oxide-silicon nitride for ceramic cutting tools

Номер патента: CA1260505A. Автор: Thomas P. Deangelis. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1989-09-26.

Silicon nitride sintered bodies and method for producing the same

Номер патента: CA1207804A. Автор: Keiji Matsuhiro,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1986-07-15.

Silicon nitride ceramic and cutting tool made thereof

Номер патента: US5382273A. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Robert D. Nixon. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

Sintered silicon nitride bodies suitable for use as high impact materials

Номер патента: CA2059775C. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-08-20.

Method for making sintered silicon nitride articles

Номер патента: US4462816A. Автор: Robert W. Wolfe,Joseph J. Cleveland. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1984-07-31.

Silicon nitride-zirconium silicate ceramics

Номер патента: US4069059A. Автор: William J. McDonough,Roy W. Rice. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1978-01-17.

Silicon nitride with improved high temperature strength

Номер патента: CA1268488A. Автор: Russell L. Yeckley. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1990-05-01.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1133683A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1982-10-19.

Improvements relating to silicon nitride

Номер патента: GB1117788A. Автор: John Martin Herbert,Gerald George Deeley. Владелец: Plessey UK Ltd. Дата публикации: 1968-06-26.

High density silicon nitride bodies

Номер патента: US4879080A. Автор: Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1989-11-07.

Silicon nitride ceramic and cutting tool made thereof

Номер патента: CA2149658C. Автор: Pankaj Kumar Mehrotra,Robert David Nixon. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Preparation method of high-thermal-conductivity and net-size silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240116821A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-04-11.

Dense silicon nitride body having high strength, high weibull modulus and high fracture toughness

Номер патента: WO2011142789A2. Автор: Biljana Mikijelj. Владелец: CERADYNE, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA2036010C. Автор: Manabu Isomura,Hiroaki Sakai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1996-07-16.

Silicon nitride based components

Номер патента: GB1528160A. Автор: . Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1978-10-11.

Polymeric hydridochlorosilazanes and processes for their preparation

Номер патента: CA1313722C. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Thomas Gerdau,Hans-Jerg Kleiner,Fritz Aldinger. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-02-16.

A1n coated silicon nitride-based cutting tools

Номер патента: CA1333242C. Автор: Charles D'angelo,Vinod K. Sarin. Владелец: Valenite LLC. Дата публикации: 1994-11-29.

Process for producing organic products containing silicon, hydrogen, nitrogen, and carbon by the direct reaction between elemental silicon and organic amines and products formed thereby

Номер патента: WO1989009754A1. Автор: Eloise A. Pugar,Peter E. D. Morgan. Владелец: United States Department of Energy. Дата публикации: 1989-10-19.

Artificial marble and method for its production

Номер патента: RU2363585C2. Автор: До Чоон РА,Эун Се ПАРК,Джэ Воок Джуэн. Владелец: Чейл Индастриз Инк.. Дата публикации: 2009-08-10.

Silicon nitride-based sintered material and method for manufacturing the same

Номер патента: GB1521693A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-08-16.

Silicon nitride ceramics

Номер патента: GB2169594A. Автор: Isao Ikeda,Hiroyasu Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-07-16.

Process for production of silicon nitride

Номер патента: CA1247326A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Shiro Mitsuno. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-28.

Method of manufacturing silicon nitride whiskers

Номер патента: US5334565A. Автор: Masao Noguchi,Yusaku Takita,Tatsumi Ishihara,Yukako Mizuhara. Владелец: Ohita Gas Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Silicon nitride whiskers

Номер патента: GB2178417A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Shiro Mitsuno. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-11.

Sintered silicon nitride ceramic articles having surface layers of controlled composition

Номер патента: US4400427A. Автор: Vincent W. Nehring,J. Thomas Smith,Anthony P. Moschetti,Helmut Lingertat,Carr L. W. Quackenbush. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-08-23.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA1239943A. Автор: Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1988-08-02.

Method of molding silicon nitride ceramics

Номер патента: US5385701A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Osamu Komura,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-01-31.

Method of manufacturing silicon nitride objects

Номер патента: GB2065714A. Автор: . Владелец: Ford Motor Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-01.

Method of making silicon nitride based cutting tools - i

Номер патента: CA1142334A. Автор: Andre Ezis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-03-08.

Silicon nitride reinforced with molybdenum disilicide

Номер патента: US5064789A. Автор: John J. Petrovic,Richard E. Honnell. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1991-11-12.

Silicon nitride having low dielectric constant

Номер патента: US4708943A. Автор: Howard Mizuhara,Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Sintering of silicon nitride using mg and be additives

Номер патента: CA1088960A. Автор: Svante Prochazka,Richard J. Charles,Charles D. Greskovich,Robert A. Giddings. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1980-11-04.

All-purpose adhesive material and process for its production

Номер патента: EP1156092A1. Автор: Fernando H. Garcia,Armando Pieroni,Carlo Alfredo Bartolomei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-21.

Sintering of silicon nitride with Be additive

Номер патента: US4374792A. Автор: Svante Prochazka,Charles D. Greskovich. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-02-22.

Method for manufacturing a sintered body of silicon nitride

Номер патента: US4971740A. Автор: Takeshi Kawashima,Hiroaki Nishio. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1990-11-20.

Method of joining a pair of silicon nitride parts

Номер патента: US3881904A. Автор: Roger Francis Stokes,Brian John Hunt. Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-05-06.

Method of producing silicon-nitride-based sintered body

Номер патента: US5122486A. Автор: Masakazu Watanabe,Katsuhisa Yabuta,Tomohisa Kito. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-16.

Silicon nitride sintered product

Номер патента: CA1314293C. Автор: Kenji Nakanishi,Kazuhiro Urashima,Masakazu Watanabe,Yo Tajima. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-09.

Fiber cement product and process for its production

Номер патента: EP4339174A1. Автор: Roberto Franceschetti,Franco Teppa,Giovanni Bertelli. Владелец: Societa'italiana Lastre SpA. Дата публикации: 2024-03-20.

Silicon nitride wave-transmitting material, preparation process and preparation apparatus

Номер патента: GB2625431A. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Aluminum nitride powder, aluminum nitride-based ceramic sintered body, member for semiconductor manufacturing device, aluminum nitride luminescent material, and method of manufacturing aluminum nitride powder

Номер патента: US20070142205A1. Автор: Jun Yoshikawa,Yoshimasa Kobayashi,Naomi Teratani. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Silicon nitride substrate, method of manufacturing the same, and silicon nitride circuit board and semiconductor module using the same

Номер патента: US20090224399A1. Автор: Junichi Watanabe,Youichirou Kaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Ultra stable cementitious material formulation, process for its making, and ultra stable tile backer board formulation and processes for its making

Номер патента: US20240243689A1. Автор: Brett Rochner,James A. Wambaugh. Владелец: Jet Products LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Reprocessing method of metallurgical slags and process line (versions) for its implementation

Номер патента: RU2377324C2. Автор: Анатолий Александрович Карпов,Сергей Николаевич Филипьев,Алексей Тимофеевич Колотыгин,Евгений Александрович Васин,Николай Викторович Наумов,Владимир Генрихович Камерцель,Евгений Анатольевич Свистун. Владелец: Открытое акционерное общество "Чусовской металлургический завод". Дата публикации: 2009-12-27.

Heat exchange device for powder and granular material, and method for its manufacture

Номер патента: RU2503904C2. Автор: Итиро ЙОСИХАРА. Владелец: Нара Машинери Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-01-10.

Processing system and processing process for a microlens array

Номер патента: AU2020102269A4. Автор: Peng Zhou,Yiping Wang,Changrui Liao. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

Номер патента: US09824884B1. Автор: Jon Henri,James S. Sims,Ramesh Chandrasekharan,Seshasayee Varadarajan,Andrew John McKerrow,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Oxynitride phosphor powder and method for producing same

Номер патента: US20170174986A1. Автор: Takayuki Ueda,Masataka Fujinaga,Mao SUMINO,Kazuki Iwashita,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Laminated glass and process for producing laminated glass

Номер патента: US20130302580A1. Автор: Kazuyuki Kurihara,Tokihiko AOKI,Michihisa Tomida. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Systems and methods for selective laser sintering of silicon nitride and metal composites

Номер патента: EP4232228A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Process for preparing silicon-rich silicon nitride films

Номер патента: WO2023168082A1. Автор: Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-09-07.

Etchant composition with high selectivity to silicon nitride

Номер патента: US20190249082A1. Автор: Na HAN,Junwoo Lee,Sok Ho Lee,Jung Hwan Song,Seong Sik JEON,Sung Il Jo,Byeoung Tak KIM,Ah Hyeon LIM,Min Keun LEE,Joon Won KIM. Владелец: LTCAM Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: EP4449478A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of producing silicon nitride

Номер патента: RU2629656C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130109154A1. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Process for producing gray cast iron for use in high speed machining with cubic boron nitride and silicon nitride tools and the gray cast iron so produced

Номер патента: WO2001055458A1. Автор: Sundaresa V. Subramanian. Владелец: Subramanian Sundaresa V. Дата публикации: 2001-08-02.

Selective growth of silicon nitride

Номер патента: US09911595B1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of forming pattern structure including silicon nitride

Номер патента: US20240209497A1. Автор: Jihoon Park,Seong Gil Lee,Dong Sub Oh,Wan Jae Park,Hye Joon KHEEL,Yun Woo KIM,Da Yeong JEONG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A2. Автор: Koji Arita,Carlos A. Paz de Araujo,Larry D. McMillan,Masamichi Azuma. Владелец: SYMETRIX CORPORATION. Дата публикации: 2001-02-08.

Fischer-tropsch synthesis catalyst containing nitride carrier, and method for its preparation, and its application

Номер патента: RU2760904C2. Автор: Юн ЯН,Чэнхуа ЧЗАН,Юнван ЛИ,Хулинь ВАН,Сяньчжоу ВАН,Хунвэй СЯН. Владелец: Синфюэлс Чайна Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-12-01.

Infrared shielding film-coated glass and process for its production

Номер патента: US20080020134A1. Автор: Kazuo Sunahara,Hiroyuki Tomonaga. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4017548A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: AU2020334770A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4324808A3. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: AU2020334770B2. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A3. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Glass with optically transparent protective coating and method of its production

Номер патента: RU2608858C2. Автор: Владимир Алексеевич Соловьев,Сергей Григорьевич Псахье,Виктор Петрович Сергеев,Валерий Петрович Свечкин,Алексей Николаевич Яковлев,Александр Григорьевич Чернявский,Виктор Евгеньевич Панин,Петр Савельевич Чубик. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва" (ОАО "РКК "Энергия"). Дата публикации: 2017-01-25.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US20240297039A1. Автор: Hideaki Fukuda,Charles DEZELAH,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for forming pecvd silicon nitride film

Номер патента: US20080029021A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Shape memory polymer with polyester and polyacrylate segments and process for its production and programming

Номер патента: CA2649409A1. Автор: Andreas Lendlein,Ingo Bellin,Steffen Kelch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and apparatus of forming silicon nitride film

Номер патента: US09920422B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon-nitride-containing interlayer of great hardness

Номер патента: US20140272748A1. Автор: Krishna Uibel,David W. Worthey. Владелец: ESK Ceramics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-09-18.

17α-SUBSTITUTED 4-(3-OXOESTRA-4,9-DIEN-11β-YL)-BENZOIC ACID, ITS DERIVATIVES AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: WO2007118711B1. Автор: Uwe Kaden,Gerd Schubert. Владелец: Gerd Schubert. Дата публикации: 2007-12-06.

Wholly aromatic polyester carbonate and process for production of same

Номер патента: US20030171528A1. Автор: Hiroshi Sakurai,Shunichi Matsumura,Toyoaki Ishiwata,Masayuki Chokai. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2003-09-11.

Composition for bleaching woodpulp and process for its production

Номер патента: AU8216198A. Автор: Fausto De Donato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-06-28.

Article with a coating of electrically conductive polymer and precious/semiprecious metal and process for production thereof

Номер патента: EP2062467A1. Автор: Wessling Bernhard. Владелец: Ormecon GmbH. Дата публикации: 2009-05-27.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods of forming deuterated silicon nitride-containing materials

Номер патента: WO2005008763B1. Автор: Ronald A Weimer,Lyle D Breiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrik. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

Silicon Nitride Films With High Nitrogen Content

Номер патента: US20190013197A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-10.

Insulating glass (ig) window unit including heat treatable coating with silicon-rich silicon nitride layer

Номер патента: WO2003078346A9. Автор: Philip J Lingle. Владелец: Guardian Industries. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for the deposition of silicon nitride

Номер патента: US20050118336A1. Автор: Henry Bernhardt,Michael Stadtmueller,Dietmar Ottenwaelder,Anja Morgenschweis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Dry etching and mirror deposition processes for silicone elastomer

Номер патента: US20020148813A1. Автор: Axel Scherer,Mark Adams. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2002-10-17.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film

Номер патента: US09589790B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,James S. Sims,Shane Tang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structures comprising silicon nitride and related methods

Номер патента: US20180144927A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Methods of forming silicon nitride

Номер патента: US20210217611A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Optical film and process for its production

Номер патента: US20130116370A1. Автор: Takashi Okada,Koji Sasaki,Takeomi Miyako. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Precursors for deposition of silicon nitride, silicon oxynitride and metal silicon oxynitrides

Номер патента: WO2005121399A1. Автор: Paul Williams,Anthony Copeland Jones,Ravi Kanjolia,Rajesh Odedra,Megan Ravetz. Владелец: Epichem Limited. Дата публикации: 2005-12-22.

Photochromic glass and process for its production

Номер патента: US20020114956A1. Автор: Hiroyuki Tomonaga,Takeshi Morimoto,Taki Matsumoto. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Synthetic gtf chromium material and process therefor

Номер патента: AU3530289A. Автор: Ned L. Jensen. Владелец: Interhealth Nutraceuticals Inc. Дата публикации: 1989-11-24.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: WO2021217089A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: AU2021259641A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Aluminate phosphor and process for its production, phosphor paste compsition, and vacuum ultraviolet ray excitation type light-emitting device

Номер патента: US20020020831A1. Автор: Takayuki Hisamune,Akihiro Ohto,Kouhei Matsuda. Владелец: Kasei Optonix Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Polishing material for silicon nitride and sialon ceramics

Номер патента: US20030136057A1. Автор: Takeshi Sato,Shuji Sakaguchi,Shuzo Kanzaki,Yukihiko Yamauchi,Kiyoshi Hirao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2003-07-24.

Dry etching and mirror deposition processes for silicone elastomer

Номер патента: WO2002066700A1. Автор: Axel Scherer,Mark Adams. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-08-29.

Low temperature silicon nitride films using remote plasma CVD technology

Номер патента: US09583333B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Amit Chatterjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Wood board and process for its production

Номер патента: US09492943B2. Автор: Roger Jackson,Richard Hand. Владелец: Knauf Insulation Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Hyaluronic acid derivative, method of its production, method of its modification and its application

Номер патента: RU2647859C2. Автор: Владимир ВЕЛЕБНИ,Люси ВОЛФОВА,Радован БУФФА,Кристина НЕСПОРОВА,Петра СЕДОВА,Ивана БАСАРАБОВА,Роберт ПОСПИСИЛ,Мартина ХАСОВА. Владелец: Контипро А.С.. Дата публикации: 2018-03-21.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: EP4320285A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: CA3214652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US8889568B2. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: WO2023114132A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-06-22.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: AU2022254712A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: US20210331274A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of forming silicon nitride film

Номер патента: US20240240307A1. Автор: Yoshiki Nakano,Takafumi Nogami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: EP4138939A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: CA3175652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-28.

Silicon nitride chemical mechanical polishing slurry with silicon nitride removal rate enhancers and methods of use thereof

Номер патента: US20220315800A1. Автор: Jimmy Granstrom. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for reducing incubation period of silicon nitride layer deposition, structure formed using the method, and system for performing the method

Номер патента: US20240318311A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Rare-earth doped phosphor based on alkali-earth element and silicon nitride, method for production thereof and radiation converting device containing said phosphor

Номер патента: RU2470980C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Ченг-Джун ДУАН,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезия ХИНТЦЕН,Анна Шарлотта Ануанетта ДЕЛСИНГ. Владелец: Ледон Лайтинг Йеннерсдорф Гмбх. Дата публикации: 2012-12-27.

Composite material including silicon carbide and/or silicon nitride short fibers as reinforcing material and aluminum alloy with copper and relatively small amount of silicon as matrix metal

Номер патента: US4720434A. Автор: Masahiro Kubo,Atsuo Tanaka,Hidetoshi Hirai,Tadashi Dohnomoto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1988-01-19.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242790A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242791A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Flame retardant masterbatch for thermoplastic polymers and process for its production

Номер патента: WO2011125078A1. Автор: Josep Campasol. Владелец: Viba S.P.A.. Дата публикации: 2011-10-13.

Method and system for forming patterned structures including silicon nitride

Номер патента: US12100597B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Composition and process for selectively etching p-doped polysilicon relative to silicon nitride

Номер патента: WO2017091572A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Steven Bilodeau. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A2. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-10-23.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: WO2023150244A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: Cmc Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US12110435B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for patterning a silicon oxide-silicon nitride-silicon oxide stack and structures formed by the same

Номер патента: US20210183641A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4324808A2. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: WO2021034385A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-02-25.

Low Temperature Fabrication of Silicon Nitride Photonic Devices

Номер патента: US20240210625A1. Автор: Jiawei Wang,Daniel J. Blumenthal,Debapam Bose. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-27.

Bacterial cell wall bound to a mucopolysaccharide, uses thereof and process for its production

Номер патента: US20240238352A1. Автор: Franca Vergalito,Irene Magnifico,Laura Pietrangelo,Noemi Venditti,Marco Alfio Cutuli,Roberto Maria Antonio Di Marco,Sonia Longo Sormani,Giulio PETRONIO PETRONIO. Владелец: Aileens Pharma Srl. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on glass and ceramics

Номер патента: US20210180176A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Silicon nitride etching composition and method

Номер патента: US20230295502A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Hsing-chen Wu,Min-Chieh Yang,SeongJin Hong,Steven Michael BILODEAU. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Номер патента: US11732351B2. Автор: XINJIAN LEI,Moo-Sung Kim,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: US20240309272A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: WO2024192414A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Sofosbuvir in crystalline form and process for its preparation

Номер патента: US09845335B2. Автор: Graziano Castaldi,Mauro Gaboardi,Marta Castaldi,Sara Helmy. Владелец: Hc-Pharma AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Silicon-nitride-containing separating layer having high hardness

Номер патента: US09625213B2. Автор: Krishna Uibel,David W. Worthey. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11424119B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-08-23.

Salt of mangiferine-6-o-berberine, method for its production and application

Номер патента: RU2670088C1. Автор: Вэй У,Хаулей ДЭН,Чинчжо ЧАНГ,Чжэ ЛИН. Владелец: Чанчжоу Деце Медикл Сайэнс Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-10-18.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

A Silicon Nitride Film, A Semiconductor Device, A Display Device and a Method for Manufacturing a Silicon Nitride Film

Номер патента: US20070253881A1. Автор: Shinji Maekawa,Tetsuya Kakehata,Yuuichi Takehara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Process for the growth of alpha silicon nitride whiskers

Номер патента: US4604273A. Автор: Robin W. Munn,Samuel Natansohn,Robert A. Long,Gary Czupryna. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-08-05.

Method of forming silicon nitride film and film forming apparatus

Номер патента: US20240087885A1. Автор: Yusuke Suzuki,Yuji Otsuki,Munehito Kagaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11901175B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11939505B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of forming silicon nitride on a substrate

Номер патента: US6534424B2. Автор: Hung-Chuan Chen,Tzy-Tzan Fu,Chao-Ming Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-18.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11987740B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US11996286B2. Автор: Hideaki Fukuda,Viljami Pore,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: US20230365863A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of forming silicon nitride encapsulation layers

Номер патента: WO2020242592A1. Автор: Bo QI,Abhijit B. MALLICK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: WO2023219943A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-11-16.

2(,3(,5(-trihydroxy-androst-6-one, methods for its production and application

Номер патента: RU2629929C2. Автор: Цзинся ЧЖАН,Суйчжэнь ЛИНЬ,Миньюй СЕ. Владелец: Гуанчжоу Селлпротек Фармасьютикал Ко., Лтд. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming a silicon nitride layer

Номер патента: US5907792A. Автор: Jonathan K. Abrokwah,Matthias Passlack,Zhiyi Jimmy Yu,Ravi Droopad. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-25.

Method of forming a silicon nitride film transparent to ultraviolet radiation and resulting article

Номер патента: US4618541A. Автор: Abdul R. Forouhi,Bert L. Allen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-10-21.

Method of forming silicon nitride films

Номер патента: US20090087586A1. Автор: Toshiya Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of depositing silicon nitride film, apparatus for depositing film, and silicon nitride film

Номер патента: US20240055239A1. Автор: Naoki Morimoto,Akira Igari,Yuta Ando. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Forming low-stress silicon nitride layer through hydrogen treatment

Номер патента: US11830727B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh,Hsin-Hao YEH,Ching Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Selective deposition of silicon nitride

Номер патента: US20200266048A1. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Eric CONDO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A3. Автор: Koji Arita,Masamichi Azuma,Larry D Mcmillan,De Araujo Carlos A Paz. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Low-k dielectric protection during plasma deposition of silicon nitride

Номер патента: WO2023178216A1. Автор: Bo Gong,Andrew John McKerrow,Awnish GUPTA,Gopinath Bhimarasetti,Dustin Zachary Austin,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for forming silicon nitride passivation film, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210066065A1. Автор: Masaya Okada,Kazutaka Inoue,Kazuhide Sumiyoshi,Takumi YONEMURA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: AU2021259477A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: EP4138942A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: US20210330860A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: WO2021216872A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Process for the production of wine using flowers of castanea sativa mill as natural preservatives in alternative to the addition of sulphites

Номер патента: US20180127693A1. Автор: Isabel FERREIRA,Sandrina ALVES HELENO,Fernando MAGALHAES PINTO PAIVA,Albino Antonio BENTO. Владелец: Instituto Politecnico De Braganca. Дата публикации: 2018-05-10.

Composition for etching silicon nitride film and etching method using same

Номер патента: US20210363423A1. Автор: Jung Min Choi,Sang Ran Koh,Jun Young Jang,Youn Jin Cho,Yong Woon Yoon,Ki Wook Hwang,Kwen Woo HAN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Electro-optic silicon nitride via electric poling

Номер патента: US20200124884A1. Автор: Yi Zhang,Jaime Cardenas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods for depositing silicon nitride films

Номер патента: US09905415B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Haripin Chandra,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Abrasive articles including abrasive particles of silicon nitride

Номер патента: US09598620B2. Автор: Guan Wang,Vimal K. Pujari,Yves Boussant-Roux. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Catalyst suitable for production of aviation kerosene from synthetic fischer-tropsch oil from biomass, and process for preparation thereof

Номер патента: RU2656598C1. Автор: Дэчэн СУН,Ли Сюй,Ваньвань ВАН. Владелец: Ухань Кайди Инджиниринг Текнолоджи Рисерч Инститьют Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-06-06.

Conductive thick film paste for silicon nitride and other substrates

Номер патента: EP4235773A3. Автор: Umesh Kumar,Srinivasan Sridharan,John J. Maloney,George E. Sakoske,Ponnusamy Palanisamy,Bradford J. Smith,George E. Graddy Jr.. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Forming Low-Stress Silicon Nitride Layer Through Hydrogen Treatment

Номер патента: US20230386826A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh,Hsin-Hao YEH,Ching Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming silicon nitride films using microwave plasma

Номер патента: US11955331B2. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Hanhong Chen,Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US11848200B2. Автор: Jacob Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-19.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: WO2019103819A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-05-31.

A method of forming a silicon nitride layer on a substrate

Номер патента: EP1454343A2. Автор: Lee Luo,Shulin Wang,Xianzhi Tao,Steven A. Chen,Kegang Huang,Sang H. Ahn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: US20190157077A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

High pressure treatment of silicon nitride film

Номер патента: EP3635769A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Ellie Y. Yieh,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Processes for the preparation of pramipexole and salts thereof

Номер патента: WO2008104847A3. Автор: Mohammad Rafeeq,Mohammed Jaweed Mukarram Siddiqui,Aziz Imam Quadri Syed. Владелец: Aziz Imam Quadri Syed. Дата публикации: 2009-02-05.

Fluorinated copolymer and process for its production, water repellent composition, and article

Номер патента: US09487689B2. Автор: Takao Hirono,Kazunori Sugiyama,Minako Shimada,Kyouichi Kaneko,Reika FUKUDA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

CVD syntheses of silicon nitride materials

Номер патента: US20020016084A1. Автор: Michael Todd. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2002-02-07.

Transparent article having protective silicon nitride film

Номер патента: CA2189430C. Автор: Robert Bond,Roger P. Stanek,Wayne Hoffman. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2007-07-10.

Plasma cvd method, method for forming silicon nitride film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120178268A1. Автор: Toshio Nakanishi,Masayuki Kohno,Tatsuo Nishita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A3. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-04-11.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP3649270A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A2. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: US10811250B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A3. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Thermoplastically Processible Aminoplastic Resin, Thermoset Microfibre Non-Wovens, and Process and Plant for Their Production

Номер патента: US20100269318A1. Автор: Hartmut Bucka,Ulf Panzer,Steffen Pfeiffer,Bernd Riedel,Frank Meister,Markus Machherndl,Ina Sigmund,Markus Grossalber. Владелец: BOREALIS AGROLINZ MELAMINE GMBH. Дата публикации: 2010-10-28.

Solid forms of dabigatran etexilate mesylate and processes for their preparation

Номер патента: WO2013124385A3. Автор: Stephen Benedict David Winter,Martí BARTRA SANMARTÍ,María del Pilar LUPON ROSES,Silvia Donnici Garcia,Rosa Maria Espinosa Ferrer. Владелец: ESTEVE QUIMICA, S.A.. Дата публикации: 2013-12-05.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates for electrical, mechanical and optical devices

Номер патента: RU2607214C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Южуо ЛИ,Джеа-Джу ЧУ,Харви Уэйн ПИНДЕР,ИБРАХИМ Шейк Ансар УСМАН. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2017-01-10.

Treatment of sewage, agent for it and technology of its production

Номер патента: RU2175646C2. Автор: Джон Джеймз Тодд,Эдриан Хопвуд. Владелец: Просефф Лимитед. Дата публикации: 2001-11-10.

5-aryl-sustituted 4-(5-nitrofuran-2-yl)pyrimidine, with wide spectrum of antibacterial activity, method for its production and intermediate compound with wide spectrum of antibacterial activity

Номер патента: RU2626647C1. Автор: Олег Николаевич Чупахин,Валерий Николаевич Чарушин,Наталья Петровна Евстигнеева,Наталья Авенировна Герасимова,Наталья Владимировна Зильберберг,Николай Васильевич Кунгуров,Геннадий Леонидович Русинов,Полина Геннадьевна Аминева,Егор Владимирович Вербицкий,Светлана Анатольевна Баскакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт органического синтеза им. И.Я. Постовского Уральского отделения Российской академии наук (ИОС УрО РАН). Дата публикации: 2017-07-31.

Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials

Номер патента: EP2697330A2. Автор: William Ward. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-19.

Low-dielectric silicon nitride film and method of forming the same, semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US6890869B2. Автор: Gishi Chung. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Compositions and methods for polishing silicon nitride materials

Номер патента: MY150866A. Автор: Chen Zhan,Dysard Jeffrey,JOHNS Timothy,Anjur Sriram. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-14.

Method for selective deposition of silicon nitride and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US20240014030A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4347744A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Silicon nitride chemical mechanical polishing slurry with silicon nitride removal rate enhancers and methods of use thereof

Номер патента: US11999877B2. Автор: Jimmy Granstrom. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon that is transparent in visible light, method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon nitride that is transparent in visible light, and method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon oxide that is transparent in visible light

Номер патента: US20240084444A1. Автор: Jun Suk RHO,Young Hwan YANG,Gwan Ho YOON. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-03-14.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US12012540B2. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Biomaterial for immunomodulation, process for its production and uses thereof

Номер патента: WO2024013677A1. Автор: João Filipe COLARDELLE DA LUZ MANO,Mariana Braga De Oliveira,Ana Rita Fortunato Sousa. Владелец: UNIVERSIDADE DE AVEIRO. Дата публикации: 2024-01-18.

Crystalline forms of n-(4-(6,7-dimethoxyquinolin-4-yloxy)phenyl)-n'-(4-fluorophenyl) cyclopropane-1,1-dicarboxamide fumarate and process for its preparation

Номер патента: WO2024111001A1. Автор: Eswaraiah Sajja,Thirumalai Rajan Srinivasan,VENKATA NARASAYYA Saladi,Srinivas Reddy Gade,Vijayavitthal T MATHAD,Bal Raju Kammari,Venkateshwarlu SURIGILLA,Srikanth PAREESHA. Владелец: MSN LABORATORIES PRIVATE LIMITED, R&D CENTER. Дата публикации: 2024-05-30.

Aminoalkildeoxy derivative of cellulose, method of its production and agent possessing antiplatelet activity

Номер патента: RU2694342C1. Автор: Михаил Анатольевич Торлопов,Елена Васильевна Удоратина,Наталья Николаевна Дрозд. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр гематологии" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-07-11.

Composition and method for its production

Номер патента: RU2754454C2. Автор: Тимо НИССИНЕН,Яри КУККОНЕН. Владелец: Палонот Ой. Дата публикации: 2021-09-02.

Hot-formed member and process for its manufacturing

Номер патента: RU2659549C2. Автор: Коутароу ХАЯСИ,Акира СЕКИ. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2018-07-02.

Nucleating agent in form of particles, polymer composition, molded product and its production method

Номер патента: RU2764580C1. Автор: Юри ЙОКОТА,Такахиро ХОРИКОСИ. Владелец: Адека Корпорейшн. Дата публикации: 2022-01-18.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2021067150A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4189728A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Choleretic and anti-convulsant medicament and a process for its preparation

Номер патента: US3708544A. Автор: G Mattioda,G Loiseau,J Nordmann. Владелец: Ugine Kuhlmann SA. Дата публикации: 1973-01-02.

Pitavastatin calcium and process for its preparation

Номер патента: US20140148481A1. Автор: SHRIPRAKASH DHAR Dwivedi,Brij Khera,Dhimant Jasubhai Patel,Alpesh Pravinchandra SHAH. Владелец: Cadila Healthcare Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Stable monohydrate of df2755a and process for its preparation

Номер патента: WO2024156857A1. Автор: Andrea Aramini,Gianluca Bianchini,Marcello Allegretti. Владелец: Dompe' Farmaceutici Spa. Дата публикации: 2024-08-02.

Low-alloy cast iron tappet, apparatus, and process for its manufacturing

Номер патента: WO1998047648A2. Автор: Mile Jakir. Владелец: Mile Jakir. Дата публикации: 1998-10-29.

Stable monohydrate of df2755a and process for its preparation

Номер патента: EP4406942A1. Автор: Andrea Aramini,Gianluca Bianchini,Marcello Allegretti. Владелец: Dompe Farmaceutici SpA. Дата публикации: 2024-07-31.

Oxide catalyst, process for producing oxide catalyst, process for producing unsaturated acid, and process for producing unsaturated nitrile

Номер патента: US09427727B2. Автор: Takaaki Kato,Eri Tateno,Takeo Ichihara. Владелец: Asahi Kasei Chemicals Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Ultra-high IV polyester for extrusion blow molding and method for its production

Номер патента: US09399700B2. Автор: George F. Rollend,Helen J. Codd,Norman W. LISSON. Владелец: DAK AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6936548B2. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2005-08-30.

Buckwheat husk non-food pigment-dye and method for its production

Номер патента: RU2747687C1. Автор: Игорь Олегович Ломовский,Олег Иванович Ломовский,Сергей Юльевич Абрамов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела и механохимии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХТТМ СО РАН). Дата публикации: 2021-05-12.

8,10-DINITRO-DEHYDRO-1,5-5H,11H-[1,2,3,4]TETRAZINO[5',6':4,5][1,2,3]TRIAZOLO[2,1-a][1,2,3]BENZOTRIASEOL-1,3-DIOXIDE AND METHOD OF ITS PRODUCTION

Номер патента: RU2643363C1. Автор: Владимир Александрович Тартаковский,Михаил Сергеевич Кленов,Александр Михайлович Чураков,Алексей Анатольевич Коннов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН). Дата публикации: 2018-02-01.

Thin film capacitors on gallium arsenide substrate and process for making the same

Номер патента: CA2163130C. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma,Toshiyuki Ueda. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2005-05-24.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US20220033710A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Process for the preparation of ivacaftor and its intermediates

Номер патента: US20160016909A1. Автор: Satyanarayana Chava,Seeta Ramanjaneyulu Gorantla,Suresh THATIPALLY,Venkata Lakshmi Narasimha Rao Dammalapati. Владелец: Laurus Labs Pvt Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Processes for the preparation of dehydroepiandrosterone and its intermediates

Номер патента: US09879045B2. Автор: Anna FRYSZKOWSKA,Vilas Dahanukar,Michael Siegfried QUIRMBACH,Srikanth Sarat Chandra Gorantla,Sanjay Reddy ALIETI,Srinivas Reddy POREDDY,Naresh Kumar Reddy DINNE,Upadhya TIMMANNA. Владелец: Dr Reddys Laboratories Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Process for the preparation of rifamycin derivatives

Номер патента: US09765088B2. Автор: Goverdhan Gilla,Krishna Prasad CHIGURUPATI,Prasada Raju VETUKURI VNKV,Ambaiah Boini. Владелец: GRANULES INDIA Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Process for the preparation of Ivacaftor and its intermediates

Номер патента: US09573902B2. Автор: Satyanarayana Chava,Seeta Ramanjaneyulu Gorantla,Suresh THATIPALLY,Venkata Lakshmi Narasimha Rao Dammalapati. Владелец: Laurus Labs Pvt Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11186771B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-30.

Product and process for its manufacture

Номер патента: RU2668812C2. Автор: Пяйви МЮЛЛЯРИНЕН,Кирси РАЯКАРИ. Владелец: Валио Лтд. Дата публикации: 2018-10-02.

Rubber composition and method of its production

Номер патента: RU2699098C1. Автор: Владимир Владимирович Евсейченко. Владелец: Владимир Владимирович Евсейченко. Дата публикации: 2019-09-03.

Composite metal-diamond coating, method of its production, disperse system for deposition of composite metal-diamond coating and method for its production

Номер патента: RU2706931C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов,Сергей Сергеевич Кукушкин,Геннадий Валентинович Светлов,Евгений Васильевич Рыжов. Владелец: Евгений Васильевич Рыжов. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for producing composite metal-dispersed coating, dispersed system for precipitation of composite metal-dispersed coating and method for its production

Номер патента: RU2746863C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов,Целина Вацлавовна Есаулова. Владелец: Целина Вацлавовна Есаулова. Дата публикации: 2021-04-21.

Method for production of 4-benzyl-1-phenethyl-piperazin-2,6-dione, intermediate compound and method for its production

Номер патента: RU2631323C2. Автор: Фули ЧЖАН,Чжэчжоу ЯН,Жушэн БАО,Вэйвэй СЮЙ,Пэнчэн ЦЮ,Линьюн ЦЗИНЬ,Ху ПАН,Линьюй ПАН,Дунмин ЦЗЯН. Владелец: Чжэцзян Хисунь Фармасьютикал Ко., Лтд. Дата публикации: 2017-09-21.

Coating for the protection of magnesium and its alloys from corrosion and a method for its production

Номер патента: RU2757642C1. Автор: Владимир Владимирович Жуликов,Михаил Владимирович Герасимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук (ИФХЭ РАН). Дата публикации: 2021-10-19.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11955341B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Low wet etch rate silicon nitride film

Номер патента: WO2009085974A2. Автор: Jing Wu,Hemant P. Mungekar,Young S. Lee. Владелец: Wang, Anchuan. Дата публикации: 2009-07-09.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-01-19.

Silicon nitride based crucible

Номер патента: SG181418A1. Автор: Haavard Soerheim,Arve Solheim,De Schootbrugge Egbert Van. Владелец: Saint Gobain Ind Keramik Roedental Gmbh. Дата публикации: 2012-07-30.

Silicon nitride based crucible

Номер патента: US20120275983A1. Автор: Arve Solheim,Havard Sorheim,Egbert Van De Schootbrugge. Владелец: Saint Gobain IndustrieKeramik Roedental GmbH. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on plastic

Номер патента: US20210180177A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Palytoxyn, its medical use and process for its isolation

Номер патента: EP3087172A1. Автор: Olivier DETOURNAY,Jean Lorquin,Frederic GAULT. Владелец: CORAL BIOME. Дата публикации: 2016-11-02.

Palytoxyn, its medical use and process for its isolation

Номер патента: WO2015090591A1. Автор: Olivier DETOURNAY,Jean Lorquin,Frederic GAULT. Владелец: CORAL BIOME. Дата публикации: 2015-06-25.

AMORPHOUS Fe100-a-bPaMb ALLOY FOIL AND METHOD FOR ITS PREPARATION

Номер патента: EP2142678A1. Автор: Julian Cave,Estelle Potvin,François Allaire,Robert Lacasse,Michel Trudeau,Georges Houlachi. Владелец: HYDRO QUEBEC. Дата публикации: 2010-01-13.

A catalytic converter component and process for its manufacture

Номер патента: EP2888087A1. Автор: Robin Crawford,John Douglas. Владелец: Advanced Technology Emission Solutions Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Powder coating and process for the preparation of thin layers in the manufacture of printed circuit boards

Номер патента: EP1606358A2. Автор: Christoph Rickert,Jürgen Kress,Sandro Cicchetti. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-21.

Typical metal containing polysiloxane composition, process for its production, and its uses

Номер патента: US20130090447A1. Автор: Daiji Hara,Masato Shimizu. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Catalytic converter component and process for its manufacture

Номер патента: US20170312688A1. Автор: Robin Crawford,John Douglas. Владелец: Advanced Technology Emission Solutions Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Process for producing polytetrafluoroethylene molding powder and process for producing polytetrafluoroethylene agglomerated product

Номер патента: US09718930B2. Автор: Shinya Higuchi,Hiroki Nagai,Masahiro Takazawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Diallyl ether of 4-chlorophthalic acid as a monomer for production of thermosetting polymers of increased fire resistance and method for its production

Номер патента: RU2751105C1. Автор: Светлана Юрьевна Хаширова,Ауес Ахмедович Беев,Джульетта Анатольевна Беева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-08.

Nitrogen-generating composition for fire extinguishing and method for its production

Номер патента: RU2694773C1. Автор: Владимир Александрович Соловьев,Александр Сергеевич Сокольников. Владелец: Естиконде Инвестмент Лимитед. Дата публикации: 2019-07-16.

Porous iron-potassium oxide composite with a bidisperse structure and a method for its production

Номер патента: RU2763695C1. Автор: Анна Юлиановна Бугаева,Юрий Иванович Рябков,Владимир Александрович Белый,Людмила Юрьевна Назарова,Евгений Михайлович Тропников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "КОМИ научный центр Уральского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2021-12-30.

Oxidation-resistant heat-resistant alloy and method for its production

Номер патента: RU2760223C1. Автор: Хели Луо,Ксинглей Ванг,Шангпинг Ли,Жаоксионг Гу,Джянтао Ванг,Лиджуан Вэй,Фаджэй Юин,Женхуа Ванг. Владелец: Циндао Нпа Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-23.

Method of producing sheet electrotechnical steel with oriented structure and production line for its production

Номер патента: RU2695853C1. Автор: Сигэхиро ТАКАДЗЁ,Хиротака ИНОЭ,Сэйдзи ОКАБЭ,Такэси ОМУРА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-07-29.

Animal feed supplement based on a fermentation broth amino acid, a process for its production and its use

Номер патента: US5431933A. Автор: Hermann Lotter,Herbert Tanner,Heinz Friedrich,Wolfgang Leuchtenberger,Wolfram Binder,Henning Holldorff. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 1995-07-11.

Catalyst for production of unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid, and process for its production

Номер патента: US20050159620A1. Автор: Nariyasu Kanuka,Isao Teshigahara. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Palytoxyn, its medical use and process for its isolation

Номер патента: US20160310462A1. Автор: Olivier DETOURNAY,Jean Lorquin,Frederic GAULT. Владелец: CORAL BIOME. Дата публикации: 2016-10-27.

Pure crystalline form ii of l-malic acid salt of sunitinib and processes for its preparation

Номер патента: US20150112085A1. Автор: Mohan Prasad,Mahavir Singh Khanna,Hari Babu Matta. Владелец: Ranbaxy Laboratories Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Highly Concentrated Flowable Pigment Composition And Process For Its Manufacture

Номер патента: US20070289501A1. Автор: Thomas Healy,Tracy Murray,Lynda Cannon. Владелец: Ciba Specialty Chemicals Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Pure crystalline Form II of L-malic acid salt of sunitinib and processes for its preparation

Номер патента: US09604968B2. Автор: Mohan Prasad,Mahavir Singh Khanna,Hari Babu Matta. Владелец: SUN PHARMACEUTICAL INDUSTRIES LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Etching of silicon nitride

Номер патента: US5965465A. Автор: David L. Rath,Rangarajan Jagannathan,Keith R. Pope,Harald F. Okorn-Schmidt,Kenneth J. McCullough,Karen P. Madden. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-12.

Deposition of silicon nitride films from azidosilane sources

Номер патента: US4992299A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Method of manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US5234869A. Автор: Takahiko Moriya,Yuuichi Mikata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Cobalt based fisher-tropsh synthesis catalyst, its production method and its use

Номер патента: RU2661897C1. Автор: Дэчэн СУН,Сяодун ЧЖАНЬ,Цяньцянь ЛЮ,Шаша РАО,Голян ХАИ,Дашань ВАН,Чаньгиуань ЛИ. Владелец: Ухань Кайди Инджиниринг Текнолоджи Рисерч Инститьют Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-07-23.

Moisture barrier composite film of silicon nitride and fluorocarbon polymer and its use with an on-cell tester for an electrochemical cell

Номер патента: US5593794A. Автор: Guang Wei,Jack Treger,Bryan C. Lagos. Владелец: Duracell Inc USA. Дата публикации: 1997-01-14.

Abrasive articles including abrasive particles of silicon nitride

Номер патента: WO2013003830A3. Автор: Guan Wang,Vimal K. Pujari,Yves Boussant-Roux. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Technique for forming a silicon nitride layer having high intrinsic compressive stress

Номер патента: US20070254492A1. Автор: Volker Kahlert,Joerg Hohage,Steffen Baer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Single wafer reactor, low temperature, thermal silicon nitride deposition

Номер патента: WO2023230296A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Steven Goza,Aaron Blake MILLER,Aaron Durbin,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching composition for silicon nitride and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220081615A1. Автор: Akira Endo,Yasushi Nakasaki,Masayasu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Liquid composition for reducing damage of cobalt, alumina, interlayer insulating film and silicon nitride, and washing method using same

Номер патента: US20210087501A1. Автор: Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Liquid composition for reducing damage of cobalt, alumina, interlayer insulating film and silicon nitride, and washing method using same

Номер патента: EP3664125A1. Автор: Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-06-10.

Catalyst for the synthesis of alkyl mercaptan and process for its preparation

Номер патента: US20220194896A1. Автор: Achim Fischer,Johannes A. Lercher,Nadine Duerr,Manuel Weber-Stockbauer,Oliver Yair Gutierrez-Tinoco,Ricardo BERMEJO DEVAL,Ludger LAUTENSCHUETZ. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2022-06-23.

Process for one-step conversion of lignocellulosic material to hydrocarbon products and catalyst for use in said process

Номер патента: SE2051093A1. Автор: Martin Hedberg,Christian Bernlind. Владелец: Rise Res Institutes Of Sweden AB. Дата публикации: 2022-03-19.

Process for one-step conversion of lignocellulosic material to hydrocarbon products and catalyst for use in said process

Номер патента: AU2021345970A1. Автор: Martin Hedberg,Christian Bernlind. Владелец: Rise Research Institutes of Sweden Surface Process and Formulation AB. Дата публикации: 2023-03-09.

Process for one-step conversion of lignocellulosic material to hydrocarbon products and catalyst for use in said process

Номер патента: WO2022058128A1. Автор: Martin Hedberg,Christian Bernlind. Владелец: Rise Research Institutes of Sweden AB. Дата публикации: 2022-03-24.

Crystalline form of retigabine and processes for mixture of retigabine crystalline modifications

Номер патента: WO2013008250A3. Автор: Vishweshwar Peddy,RAJESHAM Boge,Srividya Ramakrishnan,Srinivasulu Rangineni,Venu Nalivela,Vamsi Krishna Mudapaka,Deepika PATHIVADA,Venkata Ramana Reddy Chimala,Ramya Kumar,Laxmi Charan SAMINENI. Владелец: Dr.Reddys Laboratories Limited.. Дата публикации: 2013-03-07.

Modified non-gelled alkyd resin composition and process for its preparation

Номер патента: US3692717A. Автор: Werner Josef Blank,Jerry Norman Koral. Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1972-09-19.

Fluorinated gelatin and process for its preparation

Номер патента: US5087694A. Автор: Georges Takerkart,Sylviane Dumas. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 1992-02-11.

Fire-retardant and biocide composition and process for its preparation

Номер патента: AU9163498A. Автор: Raimo Smolander,Paavo Puikko. Владелец: Erkobest Ay. Дата публикации: 1999-03-29.

Palonosetron free base and process for its preparation

Номер патента: US20100292267A1. Автор: Mubeen Khan,Mahendra Patil Raghunath,Prashant Yadav Kundlik. Владелец: Glenmark Generics LTD. Дата публикации: 2010-11-18.

Crystalline form of benzothiophene compound and process for preparation thereof

Номер патента: US20110009450A1. Автор: Dharmaraj Ramachandra Rao,Srinivas Laxminarayan Pathi,Rajendra Narayanro Kankan. Владелец: Cipla Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

2,2-dimethyl-1-nitrilo or 2,2-dimethyl-1-hydroxylamino-3-(alkyl phenyl) substituted propanes or 2-methyl-1-nitrilo-or 2-methyl-1-hydroxylamino-3-(methoxyphenyl) propane, organoleptic uses thereof and processes for preparing same

Номер патента: CA2034784A1. Автор: Anubhav P.S. Narula,Eleanor Fox,John J. Virgilio. Владелец: International Flavors and Fragrances Inc. Дата публикации: 1991-08-03.

Palonosetron free base and process for its preparation

Номер патента: EP2231658A2. Автор: Khan Mubeen,Raghunath Mahendra Patil,Kundlik Prashant Yadav. Владелец: Glenmark Generics LTD. Дата публикации: 2010-09-29.

Palonosetron free base and process for its preparation

Номер патента: WO2009087669A3. Автор: Khan Mubeen,Raghunath Mahendra Patil,Kundlik Prashant Yadav. Владелец: Glenmark Generics Limited. Дата публикации: 2009-10-15.

Solid forms of Ivacaftor and processes for the preparation thereof

Номер патента: US09809551B2. Автор: KINTALI Venkata Ramana,Padiyath Mohammed AKBARALI,Heggadde Nanjunda Bhatta SHREENIVASA MURTHY,Sankaran SURESH KUMAR,Ekkaluru VIJAYA BHASKAR,Nechipadappu SUNIL KUMAR,Karad MANJUNATH. Владелец: Apotex Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Alkane dehydrogenation catalyst and process for its preparation

Номер патента: US09782754B2. Автор: Mohammed Al-Hazmi,Abdulrahim Al-Zahrani,Lachezar A. Petrov,Mohammad Daous,Mohammad Umar,Yahia Al-Hamed. Владелец: Saudi Basic Industries Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Processes for the preparation of lorcaserin

Номер патента: US09714225B2. Автор: SHRIPRAKASH DHAR Dwivedi,Brij Khera,Jayprakash Ajitsingh PARIHAR,Alpeshkumar Pravinchandra SHAH,Samir Rameshbhai GAJJAR. Владелец: Cadila Healthcare Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Amorphous mirabegron and processes for crystal forms of mirabegron

Номер патента: US09655885B2. Автор: Vishweshwar Peddy,RAJESHAM Boge,Rajashekhar Totad,Navin Vaya,Snehalatha Movva,Vaibhav Sihorkar,Krishna Venkatesh,Yogesh S Gattani,Nagoji SHINDE,Pradip Kumar Ghosh,Sritharan SEETHARAMAN,Ganesh Arun KATKAR,Piyush CHUDIWAL. Владелец: Dr Reddys Laboratories Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Dihydrate of dodecahydro-closo-dodecaborate 5-aminotetrazole of cobalt and method of its production

Номер патента: RU2693700C1. Автор: Виталий Иванович Салдин,Василий Викторович Суховей. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2019-07-04.

Fuel composition "viezel" and procedure for its production

Номер патента: RU2418845C2. Автор: Тимоти ВЕТЦЕЛЬ. Владелец: ТЕЛЛУС РЕНЬЮЭБЛС ЭлЭлСи. Дата публикации: 2011-05-20.

Method for gasification of carbon-containing raw materials and device for its implementation

Номер патента: RU2744602C1. Автор: Юрий Владимирович Фещенко. Владелец: Юрий Владимирович Фещенко. Дата публикации: 2021-03-11.

Processing apparatus for hot-air treatment of fiber constituting nonwoven fabric to produce nonwoven fabric, and processing process for the same

Номер патента: US09481954B2. Автор: Hirokazu Terada,Taiju Terakawa. Владелец: JNC Fibers Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

HARD CARDBOARD CONTAINER AND PROCESS AND EQUIPMENT FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: IT1161135B. Автор: Patrick H Wnek,Handel Gerald J Van,John L Petit. Владелец: James River Dixie Northern Inc. Дата публикации: 1987-03-11.

Tampon for feminine hygiene and process and apparatus for its production

Номер патента: WO2001001908A1. Автор: Hans-Werner Schoelling. Владелец: JOHNSON & JOHNSON GMBH. Дата публикации: 2001-01-11.

Tampon for feminine hygiene and process and apparatus for its production

Номер патента: EP1194099B1. Автор: Hans-Werner Schoelling. Владелец: Johnson and Johnson GmbH. Дата публикации: 2003-10-01.

Crossed polymer laminate, and process and apparatus for its production

Номер патента: WO1984003470A1. Автор: Miyoshi Okamoto. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 1984-09-13.

Gastight connection between tubes of small diameter and process and installation for its production

Номер патента: CA2069672A1. Автор: Dieter Bitter,Horst Schnabel,Eberhard Bornkessel. Владелец: Krupp Vdm G.M.B.H.. Дата публикации: 1992-12-16.

DOCUMENT CARRIER AND PROCESS AND DEVICE FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: DE2637212A1. Автор: Alan Austin. Владелец: Alf Cooke Bag Co Ltd. Дата публикации: 1977-03-17.

CONTAINER-TERMS OF CERAMIC MATERIAL OF DOUBLE OR MULTIPLE WALLS AND PROCESS AND MOLD FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: PT82004B. Автор: . Владелец: Kirsten Kampp. Дата публикации: 1992-04-30.

Cutting for packaging books and process and machine for its production.

Номер патента: DE69202193T2. Автор: Janhonen Tarmo Janhonen Tarmo. Владелец: Pussikeskus Oy. Дата публикации: 1995-09-28.

TEXTILE AREA AND PROCESS AND DEVICE FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: DE2359212A1. Автор: Jacques Pelletier. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-06-06.

Crossed polymer laminate, and process and apparatus for its production.

Номер патента: EP0137854A4. Автор: Miyoshi Okamoto. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1987-01-10.

Tampon For Feminine Hygiene And Process And Apparatus For Its Production

Номер патента: KR20020016858A. Автор: 쇼얼링한스-베르너. Владелец: 죤슨 앤드 죤슨 게엠베하. Дата публикации: 2002-03-06.

Resin coated steel pipe and process and equipment for its production

Номер патента: CA1000568A. Автор: Yoshimi Yazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-11-30.

Distance piece for insulation glassing and process and apparatus for its production

Номер патента: HU910952D0. Автор: Horst Lingemann. Владелец: Lingemann Helmut Gmbh & Co. Дата публикации: 1991-10-28.

Sliding clasp fastener stringer and process and apparatus for its manufacture

Номер патента: GB1462644A. Автор: . Владелец: Opti Holding AG. Дата публикации: 1977-01-26.

ISOTROPE NON-WOVEN FABRIC AND PROCESS AND EQUIPMENT FOR ITS MANUFACTURE.

Номер патента: IT7823764D0. Автор: . Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1978-05-24.

PACKAGING TRAY WITH OPEN BOTTOM OF HIGH RESISTANCE AND PROCESSING AND DEVICE FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: IT1034443B. Автор: . Владелец: Diamond Int Corp. Дата публикации: 1979-09-10.

Efficient online debugging processing of real-time operating system and process scheduling method for it

Номер патента: KR100576006B1. Автор: 라만자네유루 나덴드라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Package for cylindrical products, particularly cigarettes or similar, and process and device for its fabrication

Номер патента: US5729957A. Автор: Valter Spada. Владелец: SASIB SpA. Дата публикации: 1998-03-24.

PACKAGING CONTAINER AND PROCESS AND DEVICE FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: DE2737384A1. Автор: Ronald A Beauchamp. Владелец: Boise Cascade Corp. Дата публикации: 1978-11-09.

THERMAL INSULATED PROFILE AND PROCESS AND DEVICE FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: DE2751622A1. Автор: Willi Bachmann,Joachim Langen,Werner Steinberg. Владелец: Julius and August Erbsloeh GmbH and Co. Дата публикации: 1979-05-23.

LAMINATED PRODUCT OF GLASS AND PLASTIC MATERIAL AND PROCESS AND APPARATUS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2404525A1. Автор: . Владелец: Kemanobel AB. Дата публикации: 1979-04-27.

INSULATING PROFILE AND PROCESS AND DEVICE FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2409367A1. Автор: . Владелец: Julius and August Erbsloeh GmbH and Co. Дата публикации: 1979-06-15.

NON WOVEN FABRIC AND PROCESS AND APPARATUS FOR ITS MAKING

Номер патента: FR2382535A1. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1978-09-29.

TIRE FOR VEHICLE AND PROCESS AND MACHINE FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2306071A1. Автор: . Владелец: SOPECOM FRIBOURG SA. Дата публикации: 1976-10-29.

Shaped nappy with elastic crutch elements and waistband, and process and plant for its continuous manufacture

Номер патента: CA2094700A1. Автор: Roland Pfeifer,Joakim Berntsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-04-27.

NETWORK OF POLYMERIC MATERIALS AND PROCESSES AND FILM FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: DE2339996B2. Автор: Willy Buch; Jensen Finn H.; Copenhague Valby Madsen (Dänemark); Rasmussen, Öle Bendt; Goldstein, Guy; Colmar; Roussin-Moynier, Yves, Wettolsheim; (Frankreich). Владелец: Beghin Say SA. Дата публикации: 1976-10-07.

Package for books and/or other products, and process and device for its manufacture

Номер патента: EP0653354A1. Автор: Helmut Sigloch. Владелец: Sigloch Verlag Service GmbH. Дата публикации: 1995-05-17.

TEXTILE MATERIAL AND PROCESS AND INSTALLATION FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2332130A1. Автор: John J Martin,Claire D Leclaire,Douglas J Ladish,Emil G Sammak. Владелец: Reichhold Chemicals Inc. Дата публикации: 1977-06-17.

Product forthe thermal insulation of pipes and process and apparatus for its application

Номер патента: AU443925B2. Автор: Buck Yves. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 1973-12-14.

Electric heating radiator, and process and apparatus for its manufacture.

Номер патента: ES254990U. Автор: . Владелец: EGO Elektro Gerate Blanc und Fischer GmbH. Дата публикации: 1981-09-01.

Potato salad can and process of preparation for it

Номер патента: KR0157146B1. Автор: 이호연,박우용,조한진,안성기. Владелец: 한성기업주식회사. Дата публикации: 1998-10-01.

Tubular components for aeronautical fuselages and processes and jigs for its manufacturing

Номер патента: US20090217529A1. Автор: Jorge Juan Galiana Blanco,Elena ARÉVALO RODRÍGUEZ,Alberto Ramón MARTINEZ CEREZO,Francisco Javier Jordan Carnicero. Владелец: Airbus Espana SL. Дата публикации: 2009-09-03.

Packaging and processes and apparatus for its manufacture

Номер патента: GB0003811D0. Автор: . Владелец: Industrial Automation Systems Ltd. Дата публикации: 2000-04-05.

IDENTITY OR SIMILAR VERIFICATION DOCUMENT AND PROCESS AND APPARATUS FOR ITS VERIFICATION

Номер патента: FR2289976A1. Автор: Thor Anders Helge Malmberg,Knut Goran Hogberg,Stig Roland Sjoquist. Владелец: ID KORT AB. Дата публикации: 1976-05-28.

Tobacco sheet and process and apparatus for its preparation

Номер патента: EP0443321A2. Автор: Casper Henk Koene,Jürgen Nüsslein,Arno Dipl.-Ing. Weiss,Uwe Dipl.-Ing. Ehling,Gerald Dipl.-Ing. Schmekel,Wilfried Dr.Dipl.-Ing. Stiller,Werner Dr.Dipl.-Chem. Hass,Volker Dr. Dipl.-Chem. Heemann. Владелец: BAT Cigarettenfabriken GmbH. Дата публикации: 1991-08-28.

Annular gasket and process and apparatus for its manufacture, especially for conical joints

Номер патента: EP0307507A3. Автор: Dietmar Dr.Sc.Nat. Glindemann,Christian Dr.Sc.Nat. Wohlfarth. Владелец: Vitlab Laborgerateherstellungs- und Vertriebsgesellschaft Mbh. Дата публикации: 1990-09-05.

FILAMENTAL CLOTH FORMED FROM AT LEAST TWO TYPES OF FIBERS AND PROCESS AND APPARATUS FOR ITS MAKING

Номер патента: FR2401253A1. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1979-03-23.

Electric radiating heater for heating plates warming and process and device for it's production

Номер патента: YU133986A. Автор: B Mikschl. Владелец: Ego Elektro Blanc & Fischer. Дата публикации: 1988-04-30.

Catheter adapter and process and assembly for its securance

Номер патента: CA925394A. Автор: F. Goyke Leonard,L. Bottorff Craig. Владелец: Baxter Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-05-01.

Shaped nappy with elastic crutch elements and waistband, and process and plant for its continuous manufacture.

Номер патента: GR3015763T3. Автор: Roland Pfeifer,Joakim Berntsson. Владелец: Peaudouce. Дата публикации: 1995-07-31.

Long wood lined bearing and process and apparatus for its manufacture

Номер патента: US3421197A. Автор: Roy E Thompson,Jurd M Young. Владелец: Individual. Дата публикации: 1969-01-14.

Concrete brick and process and apparatus for its fabrication

Номер патента: IL86489A. Автор: . Владелец: Ruckstuhl Willi. Дата публикации: 1991-06-30.

Processing apparatus for hot-air treatment of nonwoven fabric and processing process for the same

Номер патента: CN102212935B. Автор: 寺川泰树,寺田博和. Владелец: JNC Fibers Corp. Дата публикации: 2015-05-06.

Ultrathin foil transferring and processing method capable of reducing curling of ultrathin foil and preventing folding thereof

Номер патента: US11652199B2. Автор: Hyung Kyun YU,Hyung Seok Han,Ki Hoon Paeng,Jae Won Moon. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Processing apparatus for hot-air treatment of fiber constituting nonwoven fabric to produce nonwoven fabric, and processing process for the same

Номер патента: EP2372005B1. Автор: Hirokazu Terada,Taiju Terakawa. Владелец: JNC Fibers Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

MARTIAL ARTS CAGE COMPRISING MEANS FOR IMAGE CAPTURING AND PROCESSING; PROCESS FOR OBTAINING TRIDIMENSIONAL IMAGES AND/OR DATA FOR ENTERTAINMENT, TRAINING, EDUCATING AND/OR FOR SCORING MARTIAL ARTS

Номер патента: US20170134712A1. Автор: Remer Ricardo Amaral. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Shaft-like workpiece processing equipment and processing process for external helical teeth

Номер патента: CN105397196A. Автор: 袁培峰. Владелец: Tianjin Tanhas Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-16.

IMAGE CAPTURING AND PROCESSING PROCESS FOR COLOR VIDEO ENDOSCOPES AND VIDEO ENDOSCOPES USING THE SAME.

Номер патента: FR2670647A1. Автор: Fort Francois. Владелец: FORT FIBRES OPTIQUES RECH TEC. Дата публикации: 1992-06-19.

LONG-TERM CUT FLOWERS AND PROCESSING PROCESS FOR OBTAINING SUCH FLOWERS.

Номер патента: FR2651642B1. Автор: De Winter-Scailteur. Владелец: Nord Sarl Cie du. Дата публикации: 1994-08-05.

The spray dried powder and its industrialized process for preparing of hydrochloric vancomycin

Номер патента: CN104043104B. Автор: 孙新强,赵俊兴. Владелец: Zhejiang Innovation Biology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-10.

Compositions and processes for forming photovoltaic devices

Номер патента: EP2380204A2. Автор: Jon-Paul Maria,William Borland,Howard David Glicksman. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2011-10-26.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030183941A1. Автор: Satoru Yamada,Takafumi Tokunaga,Toshihiro Sekiguchi,Hiroyuki Enomoto,Kiyonori Oyu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Reflective mask blank for EUV lithography and process for its production, as well as substrate with reflective layer for such mask blank and process for its production

Номер патента: US09720316B2. Автор: Masaki Mikami. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Process for silicon nitride removal selective to SiGex

Номер патента: US09691628B2. Автор: Jeffery W. Butterbaugh,Anthony S. Ratkovich. Владелец: TEL FSI Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Trench filling process for preventing formation of voids in trench

Номер патента: US20040166635A1. Автор: Shih-Chi Lai,Yi-Fu Chung,Mao-Song Tseng,Pei-Feng Sun. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

Milk products comprising a combination of sheep's and goat's milk and process for its production and its uses thereof

Номер патента: AU2021300904A1. Автор: Chris Berryman. Владелец: New Zealand Dairy Products Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Silicon nitride films having reduced interfacial strain

Номер патента: EP4189726A1. Автор: Yong Liang,Ann MELNICHUK. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

SOLAR CELL BUILT AROUND p-TYPE HETEROSTRUCTURE OF AMORPHOUS AND NANOCRYSTALLINE SILICON NITRIDE - SILICON

Номер патента: RU2568421C1. Автор: Родригес Веласкес Гуни,Василий Сергеевич Захвалинский,Евгений Александрович Пилюк,Дормидонт Архипович Шербан,Алексей Васильевич Симашкевич,Леонид Измайлович Брук. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет", (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2015-11-20.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073284A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US12094796B2. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of liquefaction of natural gas through cycle of partial liquefaction due to change in pressure and installation for its implementation

Номер патента: RU2678236C1. Автор: Евгений Игоревич Соболев. Владелец: Публичное акционерное общество "НОВАТЭК". Дата публикации: 2019-01-24.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073285A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Silicon nitride core rib waveguides and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024186512A1. Автор: Haitao Zhang,Bin Zhu,Barry J. Paddock,Sukru Ekin Kocabas. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Cathode active material and process for its production

Номер патента: US20150200394A1. Автор: Tomohiro Sakai,Kentaro Tsunozaki,Michinori Suehara. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Integrated germanium photodetector with silicon nitride launch waveguide

Номер патента: US12078857B2. Автор: Dawei Zheng,Tongqing Wang,Xingyu Zhang. Владелец: Alpine Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: US20240332009A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: WO2024206046A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

TFT device with silicon nitride film and manufacturing method thereof

Номер патента: US09864247B1. Автор: Dongzi Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Stiffened surface micromachined structures and process for fabricating the same

Номер патента: WO2003036737A8. Автор: David L Dickensheets,Todd J Kaiser,Philip A Himmer,Jeffrey Lutzenberger,Robert A Friholm. Владелец: Robert A Friholm. Дата публикации: 2008-12-31.

Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices

Номер патента: WO2002099866A2. Автор: Oleg Gluschenkov,Jeffrey D. Gilbert,Philip L. Flaitz,Rajarao Jammy,Arne W. Ballantine,Jonathan E. Faltermeier,Carol J. Heenan. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2002-12-12.

Ozone Treatment for Selective Silicon Nitride Etch Over Silicon

Номер патента: US20200234969A1. Автор: Chun Yan,Hua Chung,Michael X. Yang,Shanyu WANG,Xinliang Lu,Ting Xie. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of selectively removing silicon nitride and etching apparatus thereof

Номер патента: US09799530B2. Автор: Chi-Ming Yang,Ying-Hsueh CHANGCHIEN,Yu-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Lowering tungsten resistivity by replacing titanium nitride with titanium silicon nitride

Номер патента: US09583349B2. Автор: Zhendong Liu,Srinivas Gandikota,Jianxin Lei,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Gas-phase silicon nitride selective etch

Номер патента: US09576815B2. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Jingjing Xu,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Lentinane lyophilized powder and process for its preparing

Номер патента: RU2303978C2. Автор: Пейюан ЧЕНГ,Джинг ВЕНГ,Юигонг ФАНГ,Гуанг ЧЕНГ. Владелец: Нанджинг Зензонг Биоинджиниринг Компани Лтд.. Дата публикации: 2007-08-10.

Method of patterning a silicon nitride dielectric film

Номер патента: WO2014113398A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Qingjun Zhou,Sergey G. BELOSTOTSKIY,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-24.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG124357A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20110133290A1. Автор: Satoru Muramatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Reflective mask blank for euv lithography, and process for its inspection and process for its production

Номер патента: US20160109384A1. Автор: Hiroshi Nakanishi,Junichi Kageyama,Yoshiaki Ikuta. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US20240241237A1. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride

Номер патента: US09911620B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Helen H. Zhu,Joon Hong Park,Linda Marquez,Ivan L. Berry, III,Ivelin A. Angelov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Reflective mask blank for EUV lithography, and process for its inspection and process for its production

Номер патента: US09739722B2. Автор: Hiroshi Nakanishi,Junichi Kageyama,Yoshiaki Ikuta. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Oxidation resistant mask layer and process for producing recessed oxide region in a silicon body

Номер патента: US3874919A. Автор: Herbert S Lehman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-04-01.

Multi-layer silicon nitride waveguide based integrated photonics optical gyroscope chip

Номер патента: EP4058753A1. Автор: Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Slider-equipped window glass and process for its production

Номер патента: US20190176579A1. Автор: Kazuhiro Takahashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Display device having a multilayered undercoating layer of silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: US09666599B2. Автор: Arichika Ishida,Yasushi Kawata,Masato Hiramatsu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Compositions and processes for forming photovoltaic devices

Номер патента: EP2324511A2. Автор: Jon-Paul Maria,William Borland. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2011-05-25.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US09893083B1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices including metal-silicon-nitride patterns

Номер патента: US09583440B2. Автор: Youngwook Park,Heesook Park,Mansug KANG,Taekjung Kim,Myung-Ho Kong,Seonghwee CHEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Reflective mask blank for EUV lithography, or reflective layer-coated substrate for EUV lithography, and process for its production

Номер патента: US09448469B2. Автор: Masaki Mikami. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Processes for the localized and deep diffusion of gallium into silicon

Номер патента: US3895976A. Автор: Guy H Dumas. Владелец: Silec Semi Conducteurs SA. Дата публикации: 1975-07-22.

Process for fabricating semiconductor device including antireflective etch stop layer

Номер патента: US6313018B1. Автор: Fei Wang,Subhash Gupta,David K. Foote,Myron R. Cagan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-11-06.

Process for fabricating semiconductor device including antireflective etch stop layer

Номер патента: EP1034564A1. Автор: Fei Wang,Subhash Gupta,David K. Foote,Myron R. Cagan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-13.

Silicon nitride process for reduction of threshold shift

Номер патента: US09741557B1. Автор: Naveen Tipirneni,Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

A soybean protein concentrate and process for its production

Номер патента: CA3217221A1. Автор: Marine Bianeis,Olivier Galet,Mbalo NDIAYE. Владелец: Avril SARL. Дата публикации: 2022-12-08.

Strand for stressed concrete structure and process for its production

Номер патента: WO1987003322A1. Автор: Otto Lakatos,Lajos Madarasz. Владелец: "December 4." Drótmüvek. Дата публикации: 1987-06-04.

A soybean protein concentrate and process for its production

Номер патента: EP4346430A1. Автор: Marine Bianeis,Olivier Galet,Mbalo NDIAYE. Владелец: Avril SARL. Дата публикации: 2024-04-10.

Tissue Implant and Process for Its Production

Номер патента: US20090041826A1. Автор: Christian Krettek,Michael Jagodzinski,Carl Haasper. Владелец: MEDIZINISCHE HOCHSCHULE HANNOVER. Дата публикации: 2009-02-12.

A soybean protein concentrate and process for its production

Номер патента: US20240358039A1. Автор: Marine Bianeis,Olivier Galet,Mbalo NDIAYE. Владелец: Avril SARL. Дата публикации: 2024-10-31.

Low degradation MRAM encapsulation process using silicon-rich silicon nitride film

Номер патента: US09515252B1. Автор: Jeong-Heon Park,Eugene J. O'Sullivan,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,JungHyuk Lee,Nathan P. Marchack,Chandrasekaran Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Silicon nitride-free isolation methods for integrated circuits

Номер патента: US5966614A. Автор: Tai-su Park,Ho-kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-12.

Mesa isolation Refill Process for Silicon on Insulator Technology Using Flowage Oxides as the Refill Material

Номер патента: US5882981A. Автор: Kelly J. Taylor,Keith A. Joyner,Rajan Rajgopal,Thomas R. Seha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Self-aligned non-volatile random access memory cell and process to make the same

Номер патента: US20020109179A1. Автор: Jed H. Rankin,Chung H. Lam,Dana Lee,Dale W. Martin,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Silicon nitride and silicon dioxide gate insulator transistors and method of forming same in a hybrid integrated circuit

Номер патента: US20020151188A1. Автор: Arvind Kamath,Rajiv Patel,Mohammad Mirabedini. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

Method to Improve Etch Selectivity During Silicon Nitride Spacer Etch

Номер патента: US20150364338A1. Автор: Alok Ranjan,Blake Parkinson. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Microwave-assisted magnetic recording (MAMR) head slider with diamoind-like carbon layer and a silicon nitride layer, and related head gimbal assembly and disk drive unit

Номер патента: US12106783B2. Автор: Hua Li,Peng Liu,Rong Huang,Jian Hui Huang,Da Yao HE. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor component including aluminum silicon nitride layers

Номер патента: US09761672B1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of training process organization and system for its implementation

Номер патента: RU2733870C1. Автор: Павел Николаевич Половников,Сергей Анатольевич Шашмурин. Владелец: Павел Николаевич Половников. Дата публикации: 2020-10-07.

Silicon nitride capped poly resistor with SAC process

Номер патента: US6232194B1. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-15.

Low loss silicon nitride and waveguides comprising low loss silicon nitride

Номер патента: WO2024049944A1. Автор: Robert Higashi,Robert Horning,David Deen,Christopher John CARRON,Molly KROGSTAD. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Silicon nitride hard mask for epitaxial germanium on silicon

Номер патента: US11830961B2. Автор: Edward J. Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US20230274997A1. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: WO2024085970A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: US20240128089A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US11742399B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US20220406910A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Low loss silicon nitride and waveguides comprising low loss silicon nitride

Номер патента: US20240079228A1. Автор: Robert Higashi,Robert Horning,David Deen,Christopher John CARRON,Molly KROGSTAD. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Tellurium-oxide-coated silicon nitride optical waveguides and methods of fabrication thereof

Номер патента: CA3025925A1. Автор: Andrew Knights,Jonathan Bradley,Henry Frankis,Dawson Bonneville,Khadijeh Miarabbas Kiani. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-05-30.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US20230343842A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: GB2579525A. Автор: Guo Jing,Liu Chi-chun,Meli Thompson Luciana,CHI Cheng,Seshadri Indira,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Semiconductor Component Including Aluminum Silicon Nitride Layers

Номер патента: US20170256618A1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US20240276896A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Cover for a motor vehicle roof and process for its production

Номер патента: US6773058B2. Автор: Thomas Schröferl,Christian Dunzinger. Владелец: Webasto Vehicle Systems International GmbH. Дата публикации: 2004-08-10.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Nasal septum model and its production method

Номер патента: RU2758082C1. Автор: Степан Евгеньевич Кудряшов,Кирилл Сергеевич Громов,Ирина Ивановна Козлова,Максим Николаевич Мысливец,Денис Павлович Роганков,Лев Александрович Андреев,Ольга Викторовна Наймушина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПЕРЕНОС". Дата публикации: 2021-10-26.

Process for producing devices containing silicon nitride films

Номер патента: CA1327338C. Автор: John Aaron Mucha,Chorng-Ping Chang,Daniel Lawrence Flamm,Dale Edward Ibbotson. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Silicon nitride life prediction method

Номер патента: CA1122438A. Автор: Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1982-04-27.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US20020177275A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for forming masks comprising silicon nitride and novel mask structures produced thereby

Номер патента: US4002511A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-01-11.

Photosensitive member for electrophotography and process for making using electron cyclotron resonance

Номер патента: US5057391A. Автор: Kunio Ohashi,Takashi Hayakawa,Yoshiharu Tsujimoto,Shiro Narikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Silicon nitride life prediction method

Номер патента: US4151740A. Автор: Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1979-05-01.

Method for stripping silicon nitride

Номер патента: US7323413B2. Автор: Teresa Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-29.

Doped silicon nitride for 3d nand

Номер патента: WO2022150285A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Xinhai Han,Tianyang Li,Chuan Ying WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-14.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20150194499A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor die containing silicon nitride stress compensating regions and method for making the same

Номер патента: US20210272912A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor die containing silicon nitride stress compensating regions and method for making the same

Номер патента: WO2021177990A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-10.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US10600660B2. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Reflective mask blank for EUV lithography and process for its production

Номер патента: US09423684B2. Автор: Kazunobu Maeshige,Masaki Mikami. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

In-situ silicon nitride and silicon based oxide deposition with graded interface for damascene application

Номер патента: US6507081B2. Автор: Preston Smith,Chi-hing Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride

Номер патента: US5286344A. Автор: Guy Blalock,David S. Becker,Fred Roe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Precision masking using silicon nitride and silicon oxide

Номер патента: US3592707A. Автор: Ralph J Jaccodine. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-07-13.

Method of forming silicon nitride capacitors

Номер патента: GB2250378A. Автор: Neal F Gardner. Владелец: Silicon Systems Inc. Дата публикации: 1992-06-03.

Nickel silicide - silicon nitride adhesion through surface passivation

Номер патента: US20040061184A1. Автор: Jiong-Ping Lu,Andrew McKerrow,Ralf Willecke,Glenn Tessmer,Melissa Hewson,Donald Miles,Brian Kirkpatrick,Clinton Montgomery. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Memory device comprising a silicon nitride charge storage layer doped with boron

Номер патента: WO2009086157A1. Автор: Mark Randolph,Gwyn R. Jones. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Silicon nitride x-ray window and method of manufacture for x-ray detector use

Номер патента: US11694867B2. Автор: XING Zhao,Joseph S. Fragala. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor device for integrated injection logic cell and process for fabricating the same

Номер патента: US20010035564A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Silicon nitride x-ray window and method of manufacture for x-ray detector use

Номер патента: EP4205158A1. Автор: XING Zhao,Joseph S. Fragala. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor device for integrated injection logic cell and process for fabricating the same

Номер патента: EP1122787A3. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-20.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Composition for controlled release of physiologically active substances and process for its preparation

Номер патента: US20240165042A1. Автор: Enrico GASPARI,Flavio FARNEDI,Devis UNGHERI,Arnaldo VALENTINI. Владелец: Balchem Italia SRL. Дата публикации: 2024-05-23.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US09789239B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Way of buserelin production and intermediate compounds for its production

Номер патента: RU2442791C1. Автор: Анна Борисовна Назаренко,Владимир Егорович Федоров. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Фарм-Синтез". Дата публикации: 2012-02-20.

Selective silicon nitride plasma etching

Номер патента: US5188704A. Автор: Bang C. Nguyen,Kenneth L. Devries,Wayne T. Babie,Chau-Hwa J. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Chemical mechanical polishing process for forming shallow trench isolation structure

Номер патента: US20080029478A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Hsiao-Ling Lu,Chia-Jung Hsu,Art Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Dielectric silicon nitride barrier deposition process for improved metal leakage and adhesion

Номер патента: US20230386907A1. Автор: Qi-Zhong Hong,Bhaskar Srinivasan,Joseph Jian Song,Gregory Boyd SHINN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Co-manufacturing of silicon-on-insulator waveguides and silicon nitride waveguides for hybrid photonic integrated circuits

Номер патента: US11796737B2. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Genxcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Selective etch process for silicon nitride

Номер патента: US20120077347A1. Автор: Hongyun Cottle,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Co-Manufacturing of Silicon-on-Insulator Waveguides and Silicon Nitride Waveguides for Hybrid Photonic Integrated Circuits

Номер патента: US20240004133A1. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Orca Computing Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Co-manufacturing of silicon-on-insulator waveguides and silicon nitride waveguides for hybrid photonic integrated circuits

Номер патента: US12032205B2. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Orca Computing Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Silicon nitride resonators for qubit generation and entanglement

Номер патента: US20230297872A1. Автор: Gil Semo,Dan Charash,Barak Dayan,Oded Melamed,Ziv AQUA,Serge ROSENBLUM. Владелец: Quantum Source Labs Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11658190B2. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Silicon nitride-carbon nanotube-graphene nanocomposite microbolometer IR detector

Номер патента: US09851257B1. Автор: Ashok K. Sood,Elwood J. Egerton. Владелец: Magnolia Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Flexible hose with knitting reinforcement and process for its manufacturing

Номер патента: RU2608801C2. Автор: Джанмарко КАНЕВА,Луиджино КАНЕВА. Владелец: Джанмарко КАНЕВА. Дата публикации: 2017-01-24.

Process for etching SiO2 layers to silicon in a moderate vacuum gas plasma

Номер патента: US4180432A. Автор: Harold A. Clark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-12-25.

Method of fabricating silicon nitride layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7544603B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Neng-Kuo Chen,Hsiu-Lien Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-06-09.

Dual-frequency silicon nitride for spacer application

Номер патента: US20050287823A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Shreesh Narasimha,James Kelliher,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Multiple well device and process of manufacture

Номер патента: US5698458A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ming-Tzong Yang,Sun-Chieh Chien,Chung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Method for producing silicon nitride film

Номер патента: US20200335322A1. Автор: Akira Nishimura,Takashi Abe,Akinobu Teramoto,Yoshinobu Shiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-22.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG158179A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Process for manufacturing isolated semi conductor components in a semi conductor wafer

Номер патента: US5457338A. Автор: Joseph Borel. Владелец: Etude et la Fabrication de Circuits Integres Speciaux Ste. Дата публикации: 1995-10-10.

Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating

Номер патента: US4751191A. Автор: Ronald C. Gonsiorawski,George Czernienko. Владелец: Mobil Solar Energy Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Fabrication process for narrow groove

Номер патента: US5328554A. Автор: Simon G. Ingram. Владелец: GEC Marconi Ltd. Дата публикации: 1994-07-12.

Two stage etching of silicon nitride to form a nitride spacer

Номер патента: US20040175955A1. Автор: John Lee,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-09.

Process for the fabrication of semiconductor devices having various buried regions

Номер патента: US5789288A. Автор: Paola Galbiati,Michele Palmieri,Lodovica Vecchi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-08-04.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: US11819847B2. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: WO2022020022A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-01-27.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: EP4182087A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: US20220016628A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US11940572B2. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US20220196813A1. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A3. Автор: Ehrenwall Andreas Von. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-25.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A2. Автор: Andreas Von Ehrenwall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-24.

Pharmaceutical composition in the form of a tablet, comprising metamizole, caffeine and drotaverine and a process for its preparation

Номер патента: WO2024221060A1. Автор: Abdulsalam Haled Homsi SAKTOURA,Haled Homsi SAKTOURA. Владелец: "Adipharm" Ead. Дата публикации: 2024-10-31.

Process for in-situ etching a hardmask stack

Номер патента: US20030129840A1. Автор: AJAY Kumar,Dragan Podlesnik,Anisul Khan,Sanjay Thekdi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20200365709A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Molybdenum silicide / silicon nitride composite infrared emitter apparatus and method of use thereof

Номер патента: US20200203914A1. Автор: Davorin Babic,Viet Nguyen,Alex Kropachev,Dragan Grubisik,Arshey Patadia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Methods Of Processing Silicon Nitride-Comprising Materials

Номер патента: US20180331120A1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Methods Of Processing Silicon Nitride-Comprising Materials

Номер патента: US20180114795A1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US10381377B2. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US10121799B2. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-06.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US11876056B2. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Three dimensional memory device containing discrete silicon nitride charge storage regions

Номер патента: WO2017146808A1. Автор: Zhenyu Lu,Yanli Zhang,Daxin Mao,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Chun GE,Andrey Serov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Multi-layer silicon nitride waveguide based integrated photonics optical gyroscope chip with electro-optic phase shifter

Номер патента: US20220011111A1. Автор: Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: WO2022192063A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Kah Wee Ang,Paul E. Gee,Wei Ying Doreen Yong,Samarth JAIN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-09-15.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: US20240120210A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus,Paul E. Gee,Tuck Foong Koh,Wei Ying Doreen Yong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: WO2024081509A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus,Paul E. Gee,Tuck Foong Koh,Wei Ying Doreen Yong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Plasma etching indium tin oxide using a deposited silicon nitride mask

Номер патента: WO1992022930A1. Автор: Paul L. Roselle. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1992-12-23.

Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components

Номер патента: EP1303878A2. Автор: Daniel E. Wilson,Robert E. Masseth,Michael Quan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-04-23.

Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components

Номер патента: WO2002008660A2. Автор: Daniel E. Wilson,Robert E. Masseth,Michael Quan. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-01-31.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US11957812B2. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US20220082756A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Drilled silicon nitride ball

Номер патента: US20030084584A1. Автор: Mark Osterstock. Владелец: Q-MARK MANUFACTURING Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Method for manufacturing semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9514930B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US20240252717A1. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor trench structure having a silicon nitride layer overlaying an oxide layer

Номер патента: US9029978B2. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-05-12.

Low-stress low-hydrogen LPCVD silicon nitride

Номер патента: US09580304B2. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Broadband silicon nitride polarization beam splitter

Номер патента: US09547127B1. Автор: Masaki Kato,Jie Lin. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Food product with filling, its semi-product, modes and equipment for its production

Номер патента: RU2325056C2. Автор: Розанно БОСКОЛО. Владелец: Пиконо С.Р.Л.. Дата публикации: 2008-05-27.

Product made out of a non-woven material with three-dimensional stamping, a method of its production and a device for its realization

Номер патента: RU2266823C2. Автор: Уиль м Э. КЕЙСИ,Уильям Э. КЕЙСИ,Клаудио СУАРЕЗ. Владелец: Карл Фрейденберг КГ. Дата публикации: 2005-12-27.

Process for fabricating capacitors in dynamic RAM

Номер патента: US5518946A. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Semiconductor integrated circuit having silicon nitride provided as insulator of capacitor

Номер патента: US5296734A. Автор: Megumi Satoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-22.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20180006132A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Heating element based on a mixture of pure graphene and carbon black and process for its production

Номер патента: WO2023199242A1. Автор: Francesco Bonaccorso,Sebastiano Bellani,Salvatore Polverino,Luca Gabatel,Irene Conticello,Gabriele Bianca,Matilde Eredia,Renata Morbiducci. Владелец: Bedimensional S.P.A.. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing a passivating composite comprising a silicon nitride (SI1 3N4) layer and a phosphosilicate glass (PSG) layer for a semiconductor device layer

Номер патента: USRE32351E. Автор: Robert H. Dawson,George L. Schnable. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Germanium-containing silicon nitride film

Номер патента: US4126880A. Автор: Akira Shintani,Seiichi Isomae,Michiyoshi Maki,Masahiko Ogirima,Yoichi Tamaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-11-21.

Blanket well counter doping process for high speed/low power MOSFETs

Номер патента: US5963799A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Frit protection in sealing process for flat panel displays

Номер патента: US6632117B1. Автор: Theodore S. Fahlen,Jueng-gil Lee. Владелец: Candescent Intellectual Property Services Inc. Дата публикации: 2003-10-14.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Reflective mask blank for euv lithography and process for its production, as well as substrate with reflective layer for such mask blank and process for its production

Номер патента: US20160109792A1. Автор: Masaki Mikami. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Silicon nitride electrosurgical blade

Номер патента: US4850353A. Автор: Peter Stasz,Scott R. Grabinger,Jeffrey J. Solberg. Владелец: Everest Medical Corp. Дата публикации: 1989-07-25.

Single component monomer for silicon nitride deposition

Номер патента: US4200666A. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-04-29.

Ceramics fixing heater containing silicon nitride

Номер патента: CA2246919C. Автор: Masuhiro Natsuhara,Yasuhisa Yushio,Hirohiko Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-11-25.

MIM capacitor structure and process for making the same

Номер патента: US20030011043A1. Автор: Douglas Roberts. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of machining silicon nitride ceramics and silicon nitride ceramics products

Номер патента: CA2073388C. Автор: Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-01-23.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US11832537B2. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Ultra low loss silicon nitride based waveguide

Номер патента: WO2023163994A1. Автор: Vimal Kamineni,Ann MELNICHUK. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon nitride waveguide coupled photodiode

Номер патента: US20240105875A1. Автор: Mona Mostafa HELLA,Asif Jahangir CHOWDHURY. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2024-03-28.

Silicon nitride layer under a copper pad

Номер патента: US20230420357A1. Автор: Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Sameer PAITAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: WO2019064172A1. Автор: CHENG Chi,Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Chi-chun Liu,Indira Seshadri,Luciana Meli Thompson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-04-04.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: WO2021071629A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Ultra low loss silicon nitride based waveguide

Номер патента: WO2023163994A9. Автор: Vimal Kamineni,Ann MELNICHUK. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2023-12-21.

Silicon nitride ceramic heating and ignition device for granular fuel barbecue oven

Номер патента: US20230165403A1. Автор: Shirong Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-01.

Novel process for preventing the reverse tunneling during programming in split gate flash

Номер патента: US20010016385A1. Автор: Kuei-Wu Huang,An-Ming Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Powder green compact, sintered compact and processes for producing them

Номер патента: US20100116913A1. Автор: Hiroyuki Suzuki,Yoshinobu Shimoitani. Владелец: Alloy Ind Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-13.

Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication

Номер патента: US9419165B2. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pranav Anbalagan,Jianjun Liang. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Formation of silicon nitride film for a phase shift mask at 193 nm

Номер патента: US6045954A. Автор: Chang-Ming Dai,Lon A. Wang,H.L. Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-04-04.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: US5468689A. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Apparatus for selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20200185238A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in mems manufacture

Номер патента: WO2007084317A2. Автор: Teruo Sasagawa,Wonsuk Chung,Steve Zee. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-07-26.

Systems and methods for rapid inactivation of sars-cov-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: EP4171225A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20180166303A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Electrode for a lithium-ion battery and process for its preparation

Номер патента: US20230178739A1. Автор: Sergio Corona Galvan,Pedro Filipe RIBEIRO DA COSTA,Senetxu LANCEROS MÉNDEZ,Carlos Miguel DA SILVA COSTA. Владелец: Dynasol Elastomeros SA. Дата публикации: 2023-06-08.

Mangosteen pericarp extract and process for its preparation thereof

Номер патента: US20230097302A1. Автор: Yen-Ting Chen,Yu-Fang Lin,Chia-Wen Chen,Rong-Hong Hsieh,Yin-Jun Chen. Владелец: Junhong Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Electrode for a lithium-ion battery and process for its preparation

Номер патента: EP4150683A1. Автор: Sergio Corona Galvan,Pedro Filipe RIBEIRO DA COSTA,Senetxu LANCEROS MÉNDEZ,Carlos Miguel DA SILVA COSTA. Владелец: Dynasol Elastomeros SA. Дата публикации: 2023-03-22.

Electrode for a lithium-ion battery and process for its preparation

Номер патента: WO2021228995A1. Автор: Sergio Corona Galvan,Pedro Filipe RIBEIRO DA COSTA,Senetxu LANCEROS MÉNDEZ,Carlos Miguel DA SILVA COSTA. Владелец: Dynasol Elastómeros, S.A.U.. Дата публикации: 2021-11-18.

New bioconservant for ensilage of feeds and method of its production

Номер патента: RU2645227C1. Автор: Татьяна Михайловна Воинова,Максим Игоревич Карташов,Наталия Владимировна Стацюк,Сергей Викторович Роговский,Яна Олеговна Гребенева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фермлаб". Дата публикации: 2018-02-19.

Organomineral sorbent and method for its production

Номер патента: RU2769244C1. Автор: Ольга Николаевна Дабижа,Ольга Алексеевна Шилова,Тамара Владимировна Хамова,Татьяна Владимировна Дербенева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН). Дата публикации: 2022-03-29.

High performance pnp and npn transistor structure and process for fabricating same

Номер патента: CA1148269A. Автор: Cheng T. Horng,Richard R. Konian,Robert O. Schwenker,Armin W. Wieder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-06-14.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: CA2118356C. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Process for fabricating gate insulating structure of a charge coupled device

Номер патента: US5238863A. Автор: Takashi Fukusho,Yoshinori Toshmiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Process for preventing misalignment in split-gate flash memory cell

Номер патента: US5940706A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-08-17.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US5897345A. Автор: Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Substrate having a built-in capacitor and process for producing the same

Номер патента: US5400210A. Автор: Yukihiro Kimura,Noriyasu Sugimoto,Masaharu Seto. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-21.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US20180147336A1. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Silicon nitride process for reduction of threshold shift

Номер патента: WO2017223541A1. Автор: Naveen Tipirneni,Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-12-28.

Planarised semiconductor structure including a conductive fuse and process for fabrication thereof

Номер патента: EP1266405A1. Автор: Michael Wise,Jeremy K. Stephens,Louis L. Hsu,Chandrasekhar Narayan,Larry Clevenger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-12-18.

Photonics integrated circuit with silicon nitride waveguide edge coupler

Номер патента: US20220268994A1. Автор: Karen A. Nummy,Yusheng Bian,Thomas Houghton,Kevin K. Dezfulian,Kenneth J. Giewont,Asli Sahin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Gel casing and system and method for its production

Номер патента: WO2024175469A1. Автор: Johannes Martinus Meulendijks,Oliver Schneider,Patricia Hoekstra-Suurs,Jürgen Johannes Antonius Thomas SMITS. Владелец: Van Hessen Holding B.V.. Дата публикации: 2024-08-29.

Hookah cigar with its own extract and method for its production

Номер патента: RU2705599C1. Автор: Алексей Юрьевич Марков,Сергей Владимирович Бижко. Владелец: Сергей Владимирович Бижко. Дата публикации: 2019-11-11.

Micro-granulated feed additive intended for the production of feed for farm animals and poultry, and the method for its production

Номер патента: RU2762368C1. Автор: Валерий Сергеевич Крюков,Михаил Андрееевич Полтараус. Владелец: Ооо "Кормогран". Дата публикации: 2021-12-20.

Method for producing and applying spheroplast on pipes and a device for its production in a continuously cyclic way

Номер патента: RU2770942C1. Автор: Александр Сергеевич Шестаков,Сергей Павлович Шестаков,Владимир Васильевич Власов,Андрей Юрьевич Дубровин. Владелец: Дубровина Анна Андреевна. Дата публикации: 2022-04-25.

Panel from wood or similar material and according method and machine for its production

Номер патента: RU2381894C2. Автор: Паоло БЕРНАРДИ. Владелец: БЬЕССЕ С.п.А.. Дата публикации: 2010-02-20.

Feedstuff or feedstuff additive and process for its production

Номер патента: CA1107121A. Автор: Rudolf Schanze. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-08-18.

Sticker and method for its production

Номер патента: RU2719157C1. Автор: Джанкарло ВИМЕРКАТИ. Владелец: Пайлот Италия С.П.А.. Дата публикации: 2020-04-17.

Mold release film, process for its production and process for producing semiconductor package

Номер патента: MY192516A. Автор: Masami Suzuki,Wataru Kasai. Владелец: AGC Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: WO2018156985A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2018-08-30.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210288083A1. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Optically efficient silicon nitride edge couplers in photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023215456A1. Автор: David Snyder,Sriram Tyagarajan,Kalpendu Shastri,Anujit Shastri,Rao Yelamarty,Ravinder Kachru. Владелец: Aayuna Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Imprinting mold and process for its production

Номер патента: US20090285927A1. Автор: Yasuhide Kawaguchi,Katsuya Ueno. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Imprinting mold and process for its production

Номер патента: US7767309B2. Автор: Yasuhide Kawaguchi,Katsuya Ueno. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-03.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: US20180277386A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Silicon nitride resonators for qubit generation and entanglement

Номер патента: US11847535B2. Автор: Gil Semo,Dan Charash,Barak Dayan,Oded Melamed,Ziv AQUA,Serge ROSENBLUM. Владелец: Quantum Source Labs Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Forming a composite pressure diaphragm with implantations, epitaxy, and a silicon nitride layer

Номер патента: WO2002054032A1. Автор: Michael J. Haji-Sheikh,Gilberto Morales. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods, systems, apparatus, and articles of manufacture to produce integrated circuit packages having silicon nitride adhesion promoters

Номер патента: US20240222259A1. Автор: WEI Wei,Xiaoying Guo,Xiao Liu,Dingying Xu,Gang Duan,Hiroki Tanaka,Srinivas PIETAMBARAM,Haobo Chen,Hongxia Feng,Leonel Arana,Ziyin LIN,Kyle Arrington,Bohan Shan,Xiyu Hu,Rhonda Jack,Catherine Mau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Capsule for bottle and process for its manufacture

Номер патента: WO2017145157A1. Автор: Naftali Lieber,Zeev BLAJWAJ. Владелец: Pitkit Printing Enterprises Ltd.. Дата публикации: 2017-08-31.

Refrigerated product containing pieces of chocolate and a process and an arrangement for its production

Номер патента: US20010007692A1. Автор: Walter Grassler,Manfred Wild. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2001-07-12.

Composition with increased bioavailability of orally administered embryo-peptides and process for its obtainment

Номер патента: US09999654B2. Автор: Florin Oancea,Gheorghe Mih{hacek over (a)}escu. Владелец: SC HIPOCRATE 2002 SERV Srl. Дата публикации: 2018-06-19.

Volume element and leaf for its production, connector of such elements and leaf for its production, construction set "yohocube" containing said volume elements and connectors, and also its application

Номер патента: RU2611874C2. Автор: Ирина Михайловна Бучельникова,Елена Владимировна Чуйкова. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Йохо". Дата публикации: 2017-03-01.

New special pump and compressor pipe for electric submersible pump for oil production and its production method

Номер патента: RU2749588C1. Автор: Цзяньлян ДУАНЬ,Цзянь ДУН,Сян Лю,Шуцзунь ЧЖАН,Юэцин ЛИНЬ. Владелец: Шиньда (Таншань) Криэйтив Ойл Энд Гэс Эквипмент Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-06-15.

Stiffener with inclined section, device and method for its production

Номер патента: RU2498904C2. Автор: Даррен Джон ВИНТЕР. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2013-11-20.

Multilayer sanitary paper product and a method for its manufacturing

Номер патента: RU2645997C2. Автор: Себастьен Жанно,Эмманюэлль КИНТЦ,Мари БЕРТЭН-ШАТО. Владелец: ЭсСиЭй ТИШЬЮ ФРАНС. Дата публикации: 2018-02-28.

Method for quantitative assessment of acupuncture channel activity, system and module for its implementation

Номер патента: RU2746036C1. Автор: Валерий Геннадьевич Мужиков. Владелец: Валерий Геннадьевич Мужиков. Дата публикации: 2021-04-06.

Feedstuff preparation method and device for its implementation

Номер патента: RU2728473C1. Автор: Евгений Михайлович Асманкин,Владимир Александрович Шахов,Юрий Андреевич Ушаков,Альфия Фагитовна Абдюкаева,Елена Федоровна Кислова,Рауль Рустамович Абдюкаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Оренбургский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-07-29.

Fiber-reinforced 3d weaving and method for its production

Номер патента: RU2767839C2. Автор: Харун БАЙРАКТАР. Владелец: Олбэни Энджиниред Композитс, Инк.. Дата публикации: 2022-03-22.

Immobilization tire and method for its production

Номер патента: RU2708507C1. Автор: Виталий Альбертович Мухтаруллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МедТехникоФ". Дата публикации: 2019-12-09.

Semiconductor integrated circuit device having capacitance element and process of manufacturing the same

Номер патента: US5880497A. Автор: Takashi Hashimoto,Shuji Ikeda,Soichiro Hashiba,Toshiaki Yamanaka,Junichi Takano,Keiichi Yoshizumi,Chiemi Hashimoto,Yasuko Yoshida,Koichi Imato,Kazuo Yoshizaki,Fumiyuki Kanai,Kazushi Tomita,Tsuyoshi Tabata,Kousuke Okuyama,Kohji Yamasaki,Mitsugu Oshima,Kazushi Fukuda,Motoko Kawashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

Double polysilicon process for fabricating CMOS integrated circuits

Номер патента: US4517731A. Автор: Mahboob Khan,Tom Trieu. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-05-21.

Process for producing an improved dielectrically-isolated silicon crystal utilizing adjacent areas of different insulators

Номер патента: US4056414A. Автор: Robert J. Kopp. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1977-11-01.

Process for forming field isolation

Номер патента: US5374585A. Автор: Thomas S. Kobayashi,Bradley P. Smith. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-12-20.

New etch process for forming high aspect ratio trenches in silicon

Номер патента: EP1036410A1. Автор: Shaoher Pan,Maocheng Li,Yiqiong Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-09-20.

Lead battery construction and process for its manufacture and/or regeneration

Номер патента: WO1989001243A1. Автор: Istvan Vegh,Mihály SÜMEGI,Iván VALLÓ,Attila VÉGH. Владелец: Vegh Istvan. Дата публикации: 1989-02-09.

Electrode material for a secondary cell and its production process

Номер патента: US20020001752A1. Автор: Yukihiko Asano,Shigeru Yao,Shyusei Ohya,Kazuhiro Miyoshi,Toshikazu Hamamoto. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Systems and processes for reinforcing components of articles of wear

Номер патента: US12122093B2. Автор: Thi Tran,Steven Edmund Jan Cornelis Ploem. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Package comprising relative dry material containing less than 20 wt% of water and methods for its production and use

Номер патента: RU2592188C2. Автор: Стивен Берджесс Таттум,Эдриан Джон КАРМАЙКЛ,Марк ФРОСТ,Эндрю Стюарт ОВЕРЕНД. Владелец: Колорматрикс Холдингс, Инк.. Дата публикации: 2016-07-20.

Construction waterproofing web, as well as method for its production

Номер патента: RU2736765C1. Автор: Удо ЗИМОНИС,Йоханнес ГЛЮК. Владелец: Бми Текникл Сервисиз Гмбх. Дата публикации: 2020-11-19.

Roasted and ground powdered coffee and methods for its production

Номер патента: RU2766609C2. Автор: Леннар ФРИС,Герхард НИДЕРРАЙТЕР,Федерико МОРА,Штефан ПАЛЬЦЕР,Мюррей ДЖОШУА,Деепак САХАИ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2022-03-15.

Smokeless tobacco product for oral cavity and method for its production

Номер патента: RU2698489C1. Автор: Джоанна Дон СОФФЕ,Йохан Роберт ГУСТАФСОН,Мишель МОЛА. Владелец: Фиедлер Энд Лундгрен Аб. Дата публикации: 2019-08-28.

Method for starch-containing raw material preparation for fermentation during ethanol production and process line for its implementation

Номер патента: RU2411293C2. Автор: Александр Иванович Сухов,Николай Сергеевич Руденко. Владелец: Смыков Алексей Афанасьевич. Дата публикации: 2011-02-10.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method of etching silicon nitride

Номер патента: US20020003126A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Jeffrey Chinn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Gases for low damage selective silicon nitride etching

Номер патента: US10217681B1. Автор: Rahul Gupta,James Royer,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Method for restoration of natural fertility of soil and device for its implementation

Номер патента: RU2688312C1. Автор: Сергей Владимирович Бриндюк. Владелец: Сергей Владимирович Бриндюк. Дата публикации: 2019-05-21.

Process for fabricating an X-ray absorbing mask

Номер патента: US5464711A. Автор: Douglas J. Resnick,William J. Dauksher,C. Joseph Mogab. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-11-07.

Process for production of commutator

Номер патента: US4598463A. Автор: Karl-Heinz Gerlach,Lothar Worner. Владелец: Kautt and Bux KG. Дата публикации: 1986-07-08.

Process for manufacturing semiconductor BICMOS device

Номер патента: US5462888A. Автор: Janmye Sung,Tzu-Yin Chiu,Frank M. Erceg,Francis A. Krafty,Te-Yin M. Liu,William A. Possanza. Владелец: AT&T IPM Corp. Дата публикации: 1995-10-31.

Method for producing dense silicon nitride containing yttrium oxide and aluminum oxide and having high temperature strength and oxidation resistance

Номер патента: CA1122385A. Автор: J. Thomas Smith,Carr L.W. Quackenbush. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-04-27.

Process for depositing a thin-film layer of magnetic material onto an insulative dielectric layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US4529621A. Автор: Delbert L. Ballard. Владелец: Utah Computer Industries Inc. Дата публикации: 1985-07-16.

Silicon nitride waveguide based integrated photonics front-end chip for optical gyroscope

Номер патента: US20240068813A1. Автор: Mike Horton,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Low-stress low-hydrogen lpcvd silicon nitride

Номер патента: US20160325987A1. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US11782211B2. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US20200197565A1. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Silicon nitride stabilized interface between lithium metal and solid electrolyte for high performance lithium metal batteries

Номер патента: WO2023086659A3. Автор: Qiao Qiao,Abiral BANIYA. Владелец: Baniya Abiral. Дата публикации: 2023-06-22.

Cylinder for piston engines and process for its production

Номер патента: WO1988008925A1. Автор: Gabor Szabo,László PAPP,Istvan Sarkozi,Laszlo Somfai,Attila SÁROSI,Mihály SÜMEGI. Владелец: Suemegi Mihaly. Дата публикации: 1988-11-17.

Low-stress low-hydrogen lpcvd silicon nitride

Номер патента: US20170133472A1. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Silicon nitride waveguide based integrated photonics front-end chip for optical gyroscope

Номер патента: WO2024043955A1. Автор: Mike Horton,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9224668B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Environment-friendly exhaust apparatus for use in sintering of porous silicon nitride ceramic material

Номер патента: NL2035879A. Автор: XIAO Liang,DENG Xiaofeng,Zhu Fulin,Tan Haowen,Tan Qingwen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-08.

Method for manufacturing semiconductor hemt device with stoichimetric silicon nitride layer

Номер патента: US20160049290A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US20240153888A1. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: EP4214796A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Environment-friendly exhaust apparatus for use in sintering of porous silicon nitride ceramic material

Номер патента: NL2035879B1. Автор: XIAO Liang,DENG Xiaofeng,Zhu Fulin,Tan Haowen,Tan Qingwen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: WO2024129761A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Electrophoretic display and process for its manufacture

Номер патента: WO2003019280A1. Автор: Rong-Chang Liang,HongMei Zang,Zarng-Arh George Wu,Scott C-J Tseng,Hsiao-Ken Chuang. Владелец: SIPIX IMAGING, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

Polypropylene composite material for sailcloth and process for manufacturing

Номер патента: CA3237452A1. Автор: Peter Berrang,Richard Myerscough. Владелец: Aluula Composites Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Derivatives of cis-3-hexenol and process for producing compositions of matter containing cis-3-hexenal and products produced thereby and organoleptic uses thereof

Номер патента: US4280933A. Автор: Cynthia J. Mussinan,Braja D. Mookherjee,Manfred H. Vock,Joaquin F. Vinals,Jacob Kiwala,Frederick L. Schmitt,Edward J. Granda. Владелец: International Flavors and Fragrances Inc. Дата публикации: 1981-07-28.

Bimetallic corrugated tube and process for its manufacturing

Номер патента: AU3847699A. Автор: Marco De Nardis. Владелец: AFATEC Srl. Дата публикации: 1999-12-20.

Structure and method for making a frame structure with supporting cross sections and process by which to manufacture it

Номер патента: US20020035813A1. Автор: Georg Triebel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Microstructure and Process for its Assembly

Номер патента: US20110048799A1. Автор: Oliver Paul,Patrick Ruther,Sebastian Kisban,Stanislav Herwik,Tobias Holzhammer. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2011-03-03.

Ammonia synthesis catalyst and process for its preparation

Номер патента: AU2023267221A1. Автор: Pierdomenico BIASI,Eric Gaigneaux,Cristina PIZZOLITTO,Valentin SMEETS. Владелец: Casale SA. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for processing of worn-out tires and mechanical rubber goods and device for its realization

Номер патента: RU2211144C2. Автор: В.А. Чиндяскин,А.В. Чиндяскин. Владелец: Чиндяскин Александр Вячеславович. Дата публикации: 2003-08-27.

Method for positioning of bobbin and device for its embodiment

Номер патента: RU2066290C1. Автор: Хеген Бернхард,Браун Лудвиг,Ковач Оттмар,Юдинг Михаэль. Владелец: Ритер Ингольштадт Шпиннераймашиненбау АГ. Дата публикации: 1996-09-10.

Multilayer carbide plate and method for its production

Номер патента: RU2749734C1. Автор: Михаил Владимирович Румянцев,Алексей Сергеевич Кульков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вириал" (ООО "Вириал"). Дата публикации: 2021-06-16.

Production and repair of composite armour plate and set for its production and repair

Номер патента: RU2564302C2. Автор: Майкл КОЭН. Владелец: Майкл КОЭН. Дата публикации: 2015-09-27.

Packed concentrate for cooking broth, soup, gravy, and sauce or for using as seasoning containing xanthan or cussia gum, procedure for its production and application

Номер патента: RU2385624C2. Автор: Георг АХТЕРКАМП,Дитер Курт Карл АКЕРМАН,Тихару ИНОУЭ,Рейнхард КОЛЮС,Маттиас КУН. Владелец: Юнилевер Н.В.. Дата публикации: 2010-04-10.

Method of the services payment, primary of the transport services and automated system for its implementation

Номер патента: RU2666235C1. Автор: Михаил Васильевич Муратов. Владелец: Михаил Васильевич Муратов. Дата публикации: 2018-09-06.

Plastic, homogenized, cottage cheese and process and equipment for its production

Номер патента: HU0400763A2. Автор: Peter Horvath,Robert Mezriczki. Владелец: Gervais Danone SA. Дата публикации: 2006-04-28.

Tampon for feminine hygiene and process and apparatus for its production.

Номер патента: ZA200200801B. Автор: Hans-Werner Schoelling. Владелец: JOHNSON & JOHNSON GMBH. Дата публикации: 2003-06-30.

Candy chain, and process and apparatus for its manufacture

Номер патента: CA35674A. Автор: Maximilian Jacker. Владелец: Individual. Дата публикации: 1890-12-27.

Catheter adapter and process and assembly for its securance

Номер патента: AU6443369A. Автор: FRANCIS GOIKE and CRAIG LESTER BOTTORFF LEONARD. Владелец: Baxter Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-06-03.

Catheter adapter and process and assembly for its securance

Номер патента: AU451960B2. Автор: FRANCIS GOIKE and CRAIG LESTER BOTTORFF LEONARD. Владелец: Baxter Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-06-03.

Method of increasing service life of electrode and nozzle devices and process plasma generator for its embodiment

Номер патента: RU2135629C1. Автор: К.В. Васильев,В.И. Зубков. Владелец: Государственное предприятие ВНИИавтогенмаш. Дата публикации: 1999-08-27.

Sample processing method for high-accuracy impurity analysis of silicon material and processing unit used for it

Номер патента: JPH11183342A. Автор: Masafumi Tanaka,雅文田中,Hideko Tanaka,英子田中,Shozo Ariga,昌三有賀,Yoshinobu Nagamine,義展長峯. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-09.

Round rod, especially curtain rod, and process and apparatus for its manufacture

Номер патента: AT401224B. Автор: . Владелец: Neuhofer Franz. Дата публикации: 1996-07-25.

Tobacco sheet and process and apparatus for its preparation

Номер патента: SG172694G. Автор: Casper Henk Koene,Juergen Nuesslein,Uwe Dipl-Ing Ehling,Gerald Dipl-Ing Schmekel,Wilfried Dr Dipl-Ing Stiller,Werner Dr Dipl-Chem Hass,Volker Dr Dipl-Chem Heemann,Arno Dipl-Ing Weiss. Владелец: Bat Cigarettenfab Gmbh. Дата публикации: 1995-05-12.

HOSE AND PROCESSING PROCESSES FOR HOSE MANUFACTURING

Номер патента: BR7206279D0. Автор: C Higbee. Владелец: Gates. Дата публикации: 1973-08-21.

METHOD OF SHOCK PRESSING POWDER AND POROUS MATERIALS AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2006135605A. Автор: Анатолий Кириллович Ботвинкин,Владимир Николаевич Хворостин,Анатолий Кириллович Ботвинкин (RU),Владимир Николаевич Хворостин (RU). Владелец: Российска Федераци в лице Федерального агентства по атомной энергии (RU). Дата публикации: 2008-04-20.

POROUS CERAMICS SHAPED BODY, AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20120003464A1. Автор: Uoe Kousuke,Yoshino Hajime,Suzuki Keiichiro. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OXYGEN PLASMA CONVERSION PROCESS FOR PREPARING A SURFACE FOR BONDING

Номер патента: US20120003813A1. Автор: Usenko Alex,Chuang Ta Ko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing silicon nitride alpha phase by self-propagating high temperature synthesis

Номер патента: RU2550882C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-05-20.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nitrogen containing alloy for steel alloying and procedure for its production

Номер патента: RU2395611C2. Автор: Игорь Михайлович Шатохин,Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Владелец: Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Дата публикации: 2010-07-27.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing protective coating on articles with silicon carbide, silicon nitride and carbon-containing base

Номер патента: RU2520310C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-06-20.

PROCESS FOR PRODUCING MULTILAYERED GAS-BARRIER FILM

Номер патента: US20120003500A1. Автор: . Владелец: MITSUBISHI PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PLASMA-ARC-THROUGH APPARATUS AND PROCESS FOR SUBMERGED ELECTRIC ARCS

Номер патента: US20120000787A1. Автор: . Владелец: MAGNEGAS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing silicon nitride-based sintered articles

Номер патента: RU2458023C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Нелля Александровна Попова,Александр Иванович Захаров,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Юрий Федорович Каргин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2012-08-10.

Dopand material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2218440C2. Автор: М.Х. Зиатдинов. Владелец: Зиатдинов Мансур Хузиахметович. Дата публикации: 2003-12-10.

Silicon nitride waveguide or photonic integrated circuit fabrication method

Номер патента: WO2024231800A1. Автор: Tobias Kippenberg,Xinru JI,Rui Ning WANG. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2024-11-14.

Method of producing titanium nitride powder

Номер патента: RU2488549C1. Автор: Александр Александрович Громов,Александр Андреевич Дитц,Юлия Игоревна Паутова,Екатерина Владимировна Чаплина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2013-07-27.

Silicon nitride-based composite powder

Номер патента: RU2571757C2. Автор: Инна Петровна Боровинская,Ирина Юрьевна Келина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Людмила Александровна Чевыкалова,Ирина Леонидовна Михальчик,Александр Владимирович Аракчеев. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г.Ромашина". Дата публикации: 2015-12-20.

Method of obtaining of cubic silicon nitride

Номер патента: RU2331578C2. Автор: Александр Васильевич Уткин,Владимир Евгеньевич ФОРТОВ,Анатолий Николаевич Дремин,Виктор Филиппович Таций,Андрей Николаевич Жуков,Александр Викторович Ананьин,Александра Иринеевна Рогачева. Владелец: Некоммерческая организация Учреждение Институт проблем химической физики Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2008-08-20.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Metal-Bridged Pillared Silicate Compounds And Process For Their Production

Номер патента: US20120004332A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of connecting ceramic units from silicon nitride

Номер патента: RU2365564C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Ирина Юрьевна Келина,Тамара Федоровна Баранова,Ираида Николаевна Курская,Владимир Васильевич Викулин (RU),Игорь Леонидович Шкарупа (RU),Тамара Федоровна Баранова (RU),Ирина Юрьевна Келина (RU),Ираида Николаевна Курская (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2009-08-27.

Process of production of alloying material based on silicon nitride

Номер патента: RU2210615C1. Автор: В.А. Чернов,И.М. Шатохин,А.Д. Носов,М.Х. Зиатдинов. Владелец: Чернов Валерий Александрович. Дата публикации: 2003-08-20.

Absorbing cellulose web of regenerated cellulose microfibres and method of its production

Номер патента: RU2425918C2. Автор: Дэниел У. ЗУМНИХТ,Брюс Дж. Кокко. Владелец: ДЖОРДЖИЯ-ПАСИФИК КОНЗЬЮМЕР ПРОДАКТС ЭлПи. Дата публикации: 2011-08-10.

Method of obtaining composite powders based on alpha-phase of silicon nitride by shs method

Номер патента: RU2556931C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-07-20.

Process for Producing Recombinant Lyosomal Using Insect Larvae

Номер патента: US20120003715A1. Автор: . Владелец: Bioorganic Research and Services S.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Silicon nitride preparation process

Номер патента: RU2257338C1. Автор: Ю.М. Максимов,Л.Н. Чухломина,А.Н. Аврамчик. Владелец: Томский научный центр СО РАН. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of producing cover of antenna dome out of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: RU2453520C1. Автор: Ирина Юрьевна Келина,Каюм Билялович Шамшетдинов,Ираида Николаевна Курская,Валентина Николаевна Рудыкина,Анатолий Степанович Шаталин,Виктор Юрьевич Шеянов,Александр Иванович Ганичев. Владелец: Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2012-06-20.

Aluminum phosphate binder based conserving agent and its production process

Номер патента: RU2271588C2. Автор: Олег Викторович Старков,Галина Петровна Махова,Владимир Яковлевич Сухоносов,кова Ирина Борисовна Шел,Ирина Борисовна Шелякова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научный центр Российской Федерации - Физико-энергетический институт им. А.И. Лейпунского". Дата публикации: 2006-03-10.

Process for preparing oxycodone hydrochloride having less than 25 ppm 14-hydroxycodeinone

Номер патента: AU2017204741C1. Автор: QI Hong,Donald Kyle,Robert Kupper,Lonn S. Rider,Robert Chapman. Владелец: Purdue Pharma LP. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of thermal control of complex spatial objects and device for its realisation

Номер патента: RU2537520C1. Автор: Александр Алексеевич Кульков,Олег Николаевич Будадин,Антон Андреевич Бекаревич,Андрей Николаевич Пичугин. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of applying silicon nitride-based coating on glass, in particular, quartz, surface

Номер патента: RU2121985C1. Автор: И.С. Епифановский,ев А.В. Шир,А.В. Ширяев,В.Т. Заболотный,В.О. Вальднер,Е.Е. Старостин,С.А. Терешин,Е.В. Бовбель,С.Д. Рудник. Владелец: Научно-производственное объединение машиностроения. Дата публикации: 1998-11-20.

SELF-DISPERSIBLE COATED METAL OXIDE POWDER, AND PROCESS FOR PRODUCTION AND USE

Номер патента: US20120003287A1. Автор: Schlossman David,Shao Yun,Orr Carl. Владелец: KOBO PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Silicon nitride with increased alpha-phase content

Номер патента: RU2149824C1. Автор: И.П. Боровинская,А.Г. Мержанов,В.В. Закоржевский,Т.И. Игнатьева,Л.П. Савенкова. Владелец: Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН. Дата публикации: 2000-05-27.

Improved rolling contact bearing, material for bearing surfaces, and processes therefor

Номер патента: CA1275120A. Автор: John W. Lucek. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1990-10-09.

Method of obtaining technological trainings of ceramic articles from silicon nitride

Номер патента: RU2641358C2. Автор: Вячеслав Викторович Сирота,Ольга Александровна Лукьянова,Василий Сергеевич Докалов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2018-01-17.

Hot pressing of silicon nitride using magnesium silicide

Номер патента: CA1096893A. Автор: Charles D. Greskovich,Chester R. O'Clair. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-03-03.

Self-aligned cmos process for bulk silicon and insulating substrate device

Номер патента: CA1057414A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Self-aligned cmos process for bulk silicon and insulating substrate device

Номер патента: CA1057415A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Self-aligned cmos process for bulk silicon and insulating substrated device

Номер патента: CA1057416A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Method of manufacturing silicon nitride-based products

Номер патента: RU2239613C1. Автор: В.В. Викулин,И.Н. Курска,И.Н. Курская,В.Н. Рудыкина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2004-11-10.

Method of manufacture of foam concrete and installation for its realization

Номер патента: RU2262497C2. Автор: Б.Э. Юдович,С.А. Зубехин,В.Г. Губарев. Владелец: Губарев Виктор Георгиевич. Дата публикации: 2005-10-20.

Fitting for Thick-Walled Pipes and Method for Its Production

Номер патента: US20120001414A1. Автор: . Владелец: VIEGA GMBH & CO. KG. Дата публикации: 2012-01-05.

Charge for composite cathode, and method for its manufacture

Номер патента: RU2454474C1. Автор: Геннадий Андреевич Прибытков,Елена Николаевна Коростелева,Виктория Викторовна Коржова,Арнольд Петрович Савицкий,Ирина Александровна Фирсина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2012-06-27.

Method for disposal of infected medical, chemical and biological waste and other hazardous materials, dead bodies of animals inclusive, and compound for its realization

Номер патента: RU2157951C1. Автор: Н.М. Вареных,Г.Н. Коржевенко,С.Н. Вагонов,Е.А. Кудрявцев,И.В. Тартынов,А.В. Мкртумян,Ю.Х. Ганиев. Владелец: Коржевенко Геннадий Николаевич. Дата публикации: 2000-10-20.

Method of gaging of oil well and device for its implementation (versions)

Номер патента: RU2386029C1. Автор: Рауф Рахимович Сафаров,Ян Рауфович Сафаров. Владелец: Рауф Рахимович Сафаров. Дата публикации: 2010-04-10.

Photoactivated composition for etching silicon nitride films

Номер патента: RU2507219C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович,Екатерина Юрьевна Ванифатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-02-20.

Material for production of contact current collection devices and method for its production

Номер патента: RU2441854C1. Автор: Леонид Михайлович Бучнев,Иосиф Сергеевич Гершман,Виталий Юрьевич Мищенко. Владелец: Виталий Юрьевич Мищенко. Дата публикации: 2012-02-10.

Demulsifier of resin kind for breaking stable emulsions of water-in-oil type, procedure for its production and device for it

Номер патента: RU2422494C1. Автор: Владимир Степанович Лебедев,Екатерина Альбертовна Антипова,Ирина Ивановна Потапочкина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Макромер". Дата публикации: 2011-06-27.

Porous ammonium nitrate for production of blasting explosives and a method of its production

Номер патента: RU2265002C1. Автор: А.И. Суханов,С.Д. Черемисинов,Н.И. Бердичевский,Ю.А. Мелихов,А.М. Черниловский,В.Г. Додух,А.В. Старшинов,В.И. Вильдяев,ев В.И. Вильд,Б.В. Гидаспов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Институт взрыва". Дата публикации: 2005-11-27.

Binuclear nitrosyl iron complexes with benzazeheterocyclic derivatives, ways of its production

Номер патента: RU2441872C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Зоя Сергеевна Смирнова,Михаил Иванович Давыдов,Татьяна Николаевна Руднева,Наталия Алексеевна Санина,Ольга Степановна Жукова,Геннадий Викторович Шилов. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Российский онкологический научный центр имени Н.Н.Блохина РАМН (РОНЦ им.Н.Н.Блохина РАМН). Дата публикации: 2012-02-10.

Supporting therapy remedy and method for its production from frozen sea urchin spawn

Номер патента: RU2420212C1. Автор: Владимир Хацкелевич Хавинсон,Галина Анатольевна Рыжак,Лариса Константиновна Шатаева,Ленар Васильевич Козлов,Андрей Юрьевич Соловьев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Гармония". Дата публикации: 2011-06-10.

Material for rare-earth permanent magnets and its production process

Номер патента: RU2174261C1. Автор: А.С. Лилеев,В.П. Менушенков,А.Г. Савченко. Владелец: Лилеев Алексей Сергеевич. Дата публикации: 2001-09-27.

Method of processing mating surfaces of shutoff device and device for its implementation

Номер патента: RU2546936C2. Автор: Владислав Павлович Смоленцев,Борис Иванович Омигов,Сергей Степанович Юхневич,Алексей Александрович Клименченков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-04-10.

Coarse reaction bonded silicon nitride

Номер патента: WO1995008519B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-06-08.

Corrosion-inhibiting lubricant for wire drawing and method for its production

Номер патента: RU2351637C1. Автор: Сергей Олегович Гордин,Борис Михайлович Лебошкин,Владимир Николаевич Шадрин,Геннадий Васильевич Обухов,Галина Петровна Жильсанова,Юлия Геннадьевна Фархутдинова,Валерий Яковлевич Метерский,Сания Муллакаевна Гордина,Вячеслав Павлович Проскурин. Владелец: Открытое акционерное общество "Западно-Сибирский металлургический комбинат". Дата публикации: 2009-04-10.

Method to monitor safety of bearing structures, structural elements of buildings and structures and system for its realisation

Номер патента: RU2413193C2. Автор: Олег Сергеевич Волков,Владимир Иванович Клецин. Владелец: Владимир Иванович Клецин. Дата публикации: 2011-02-27.

Fragmentation envelope of ammunition with preset fragmentation and method for its production

Номер патента: RU2267739C1. Автор: Владимир Владимирович Кореньков,Владимир Георгиевич Смеликов,Игорь Викторович Рыжков,Андрей Петрович Красинский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственное научно-производственное предприятие "Базальт". Дата публикации: 2006-01-10.

Diamond coating and method for its production

Номер патента: RU2544219C1. Автор: Владимир Алексеевич Попов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-03-10.

Номер патента: US20120000998A1. Автор: Yamada Shohei,TAKAHASHI Masanori,BANDO Takuji,AOKI Satoshi,KAWASAKI Junichi,ISHIGAMI Makoto,TANIGUCHI Youichi,YABUUCHI Tsuyoshi,FUJIMOTO Kiyoshi,NISHIOKA Yoshihiro,KOBAYASHI Noriyuki,FUJIMURA Tsutomu,ABE Kaoru,NAKAGAWA Tomonori,SHINHAMA Koichi,UTSUMI Naoto,TOMINAGA Michiaki,OOI Yoshihiro,TOMIKAWA Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR IDENTIFYING ANALYTE-CONTAINING SAMPLES USING SINGLE-READ DETERMINATION OF ANALYTE AND PROCESS CONTROL SIGNALS

Номер патента: US20120003646A1. Автор: . Владелец: GEN-PROBE INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Self-preserved biological preparation for protection of plants against diseases (versions) and method for its production (versions)

Номер патента: RU2380906C2. Автор: Владимир Николаевич Крюков,Елена Владимировна Быстрова,Светлана Константиновна Жиглецова,Любовь Васильевна Коломбет,Юрий Леонидович Дородных. Владелец: Юрий Леонидович Дородных. Дата публикации: 2010-02-10.

Proteinic foam-producing agent and method for its production

Номер патента: RU2552396C1. Автор: Евгений Александрович Пендюрин,Ирина Викторовна Старостина,Ирина Владимировна Овчарова,Елена Михайловна Кузина,Ирина Николаевна Беседина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2015-06-10.

Method of obtaining graphite and based on it composites from water suspension of particles of carbon-containing materials and device for its realisation

Номер патента: RU2493099C2. Автор: Юрий Александрович Семенов,Алексей Степанович Таранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курганский государственный университет". Дата публикации: 2013-09-20.

Silicon nitride powder and process for its production

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты