Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Lowering tungsten resistivity by replacing titanium nitride with titanium silicon nitride

Lowering tungsten resistivity by replacing titanium nitride with titanium silicon nitride

Номер патента: US09583349B2
Опубликовано: 28-02-2017
Автор(ы): Jianxin Lei, Rajkumar Jakkaraju, Srinivas Gandikota, Zhendong Liu
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Lowering tungsten resistivity by replacing titanium nitride with titanium silicon nitride

Номер патента: KR102072355B1. Автор: 젠동 리우,스리니바스 간디코타,지안신 레이,라즈쿠마 자카라주. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-01-31.

Nickel silicide - silicon nitride adhesion through surface passivation

Номер патента: US20040061184A1. Автор: Jiong-Ping Lu,Andrew McKerrow,Ralf Willecke,Glenn Tessmer,Melissa Hewson,Donald Miles,Brian Kirkpatrick,Clinton Montgomery. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of forming a semiconductor device comprising titanium silicon oxynitride

Номер патента: US10032625B2. Автор: Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Selective Formation Of Titanium Silicide And Titanium Nitride By Hydrogen Gas Control

Номер патента: US20240249948A1. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US20220230884A1. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US20190355585A1. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US20200294807A1. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US11295956B2. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US11972951B2. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Silicon nitride process for reduction of threshold shift

Номер патента: US09741557B1. Автор: Naveen Tipirneni,Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

LOWERING TUNGSTEN RESISTIVITY BY REPLACING TITANIUM NITRIDE WITH TITANIUM SILICON NITRIDE

Номер патента: US20140001576A1. Автор: Gandikota Srinivas,LEI JIANXIN,Liu Zhendong,JAKKARAJU Rajkumar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-02.

Solution based etching of titanium carbide and titanium nitride structures

Номер патента: US09831100B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,John Foster,Sean Lin,Ruilong Xie. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Silicon nitride process for reduction of threshold shift

Номер патента: WO2017223541A1. Автор: Naveen Tipirneni,Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-12-28.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG158179A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG124357A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices

Номер патента: WO2002099866A2. Автор: Oleg Gluschenkov,Jeffrey D. Gilbert,Philip L. Flaitz,Rajarao Jammy,Arne W. Ballantine,Jonathan E. Faltermeier,Carol J. Heenan. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2002-12-12.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of treating CVD titanium nitride with silicon ions

Номер патента: US6080667A. Автор: Koji Urabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

PEALD titanium nitride with direct microwave plasma

Номер патента: US11823870B2. Автор: Hanhong Chen,Philip A. Kraus,Arkaprava Dan,Joseph AuBuchon,Kyoung Ha Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Titanium nitride film forming method and titanium nitride film forming apparatus

Номер патента: US20220356565A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Kensuke Higuchi,Seokhyoung Hong. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of making a low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface, an amorphous titanium nitride barrier layer and a conductive plug

Номер патента: US5723382A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-03.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: EP4259845A1. Автор: Sung-hoon Jung,Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Conformal titanium nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20210104433A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Jae Seok Heo,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack,Srishti Chugh. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230395369A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Hee Seok Kim,Kyu Jin Choi,Yoshikazu Okuyama,Moonsig Joo,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Conformal titanium nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: WO2021071628A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Jae Seok Heo,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack,Srishti Chugh. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Highly conformal titanium nitride deposition process for high aspect ratio structures

Номер патента: WO2002003455A3. Автор: Kwong Hon Wong,Rajarao Jammy,Uwe Schroeder,Cheryl G Faltermeier. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

SELECTIVE FORMATION OF TITANIUM SILICIDE AND TITANIUM NITRIDE BY HYDROGEN GAS CONTROL

Номер патента: US20190355585A1. Автор: Chang Cheng-Wei,Lin Yu-Ting,Huang Huang-Yi,Hung Min-Hsiu,LIN Kao-Feng,CHAO Yi-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-11-21.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US20200294807A1. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Structures containing titanium silicon oxide

Номер патента: US20100176442A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-15.

Forming Low-Stress Silicon Nitride Layer Through Hydrogen Treatment

Номер патента: US20230386826A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh,Hsin-Hao YEH,Ching Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Forming low-stress silicon nitride layer through hydrogen treatment

Номер патента: US11830727B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh,Hsin-Hao YEH,Ching Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Process for silicon nitride removal selective to SiGex

Номер патента: US09691628B2. Автор: Jeffery W. Butterbaugh,Anthony S. Ratkovich. Владелец: TEL FSI Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods and apparatus for doping engineering and threshold voltage tuning by integrated deposition of titanium nitride and aluminum films

Номер патента: US20190057863A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Lin Dong,CHEN HAN LIN,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Chi-Chou Lin,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Method of fabricating silicon nitride layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7544603B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Neng-Kuo Chen,Hsiu-Lien Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-06-09.

Composition and process for selectively etching p-doped polysilicon relative to silicon nitride

Номер патента: WO2017091572A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Steven Bilodeau. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2017-06-01.

Two stage etching of silicon nitride to form a nitride spacer

Номер патента: US20040175955A1. Автор: John Lee,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-09.

Low-stress low-hydrogen lpcvd silicon nitride

Номер патента: US20160325987A1. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Low-stress low-hydrogen lpcvd silicon nitride

Номер патента: US20170133472A1. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20180006132A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9224668B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Method for forming silicon nitride passivation film, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210066065A1. Автор: Masaya Okada,Kazutaka Inoue,Kazuhide Sumiyoshi,Takumi YONEMURA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method to Improve Etch Selectivity During Silicon Nitride Spacer Etch

Номер патента: US20150364338A1. Автор: Alok Ranjan,Blake Parkinson. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for manufacturing semiconductor hemt device with stoichimetric silicon nitride layer

Номер патента: US20160049290A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

High pressure treatment of silicon nitride film

Номер патента: EP3635769A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Ellie Y. Yieh,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Method for manufacturing semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9514930B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Display device having a multilayered undercoating layer of silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: US09666599B2. Автор: Arichika Ishida,Yasushi Kawata,Masato Hiramatsu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices including metal-silicon-nitride patterns

Номер патента: US09583440B2. Автор: Youngwook Park,Heesook Park,Mansug KANG,Taekjung Kim,Myung-Ho Kong,Seonghwee CHEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Low-stress low-hydrogen LPCVD silicon nitride

Номер патента: US09580304B2. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Solution Based Etching of Titanium Carbide and Titanium Nitride Structures

Номер патента: US20150371872A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,John Foster,Sean Lin,Ruilong Xie. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

PEALD TITANIUM NITRIDE WITH DIRECT MICROWAVE PLASMA

Номер патента: US20210050186A1. Автор: Chen Hanhong,Kraus Philip A.,AuBuchon Joseph,KIM Kyoung Ha,Dan Arkaprava. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for forming titanium silicide of dense titanium nitride film and dense titanium nitride film / thin film and manufacturing method of semiconductor device using same

Номер патента: KR960032643A. Автор: 변정수,김학남. Владелец: Lg 반도체 주식회사. Дата публикации: 1996-09-17.

Methods of forming low resistivity titanium nitride thin film in horizontal vias and related devices

Номер патента: US20230175118A1. Автор: Mansour Moinpour,Daniel Moser,Ravindra Kanjolia,Andrew Kummel,Cheng-Hsuan Kuo,SeongUk Yun. Владелец: CALIFORNIA A CALIFORNIA, University of, Regents of. Дата публикации: 2023-06-08.

Process for the manufacture of a titanium/titanium nitride double layer for use as a contact and barrier layer in very large scale integrated circuits

Номер патента: HK76392A. Автор: Armin Dr Kohlhase,Gerald Dr Higelin. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-10-09.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: EP4259845A4. Автор: Sung-hoon Jung,Hae Young Kim,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere,Bunsen B Nie. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of performing titanium/titanium nitride integration

Номер патента: TW451292B. Автор: YIN LIN,Ming Xi,Frederick Wu,Fufa Chen,Jianhua Hu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-08-21.

CONFORMAL AND SMOOTH TITANIUM NITRIDE LAYERS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220172988A1. Автор: Jung Sung-Hoon,KIM HAE YOUNG,Nie Bunsen B.,Cho Hyunchol,Dhamdhere Ajit. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Deposition processes for titanium nitride barrier and aluminum

Номер патента: US20090087585A1. Автор: Wei Ti Lee,Yen-Chih Wang,Mohd Fadzli Anwar Hassan,Ryeun Kwan Kim,Hyung Chul PARK,Ted Guo,Alan A. Ritchie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-02.

Ruthenium-containing film deposited on ruthenium-titanium nitride film and method of forming same

Номер патента: KR20220136353A. Автор: 제이콥 우드러프,구오 리우. Владелец: 메르크 파텐트 게엠베하. Дата публикации: 2022-10-07.

Method of forming titanium nitride films with (200) crystallographic texture

Номер патента: US20200035481A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Technology for selectively etching titanium and titanium nitride in the presence of other materials

Номер патента: US09472456B2. Автор: Nabil G. Mistkawi,Erica J. Thompson,Rohit Grover. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Titanium nitride electrode

Номер патента: US09384990B2. Автор: Silke Musa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for forming titanium nitride film and apparatus for forming titanium nitride film

Номер патента: US20230030762A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Kensuke Higuchi,Asaka Fujikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Formation of titanium nitride on semiconductor wafer by reaction of titanium with nitrogen-bearing gas in an integrated processing system

Номер патента: US5236868A. Автор: Jaim Nulman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1993-08-17.

Method for forming local interconnect metal structures via the addition of a titanium nitride anti-reflective coating

Номер патента: US6020267A. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ching-Yau Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

A titanium nitride diffusion barrier for use in non-silicon technologies and metallization method

Номер патента: CA2292769C. Автор: Wilhelm Heuberger,Peter Roentgen,William Patrick,Abram Jakubowicz,Andreas Daetwyler,Urs Deutsch,Christoph Harder,Eberhard Latta,Albertus Oosenburg,Erica Williams. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2003-11-04.

Controlling via critical dimension with a titanium nitride hard mask

Номер патента: US10886197B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Yongan Xu,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Method for forming a titanium nitride layer

Номер патента: US20050053722A1. Автор: Ching-Hua Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Controlling via critical dimension with a titanium nitride hard mask

Номер патента: US20200194343A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Yongan Xu,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Liquid composition for removing titanium nitride, semiconductor-element cleaning method using same, and semiconductor-element manufacturing method

Номер патента: US09777251B2. Автор: Kenji Shimada,Satoshi Tamai. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Doped titanium nitride materials for dram capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods

Номер патента: EP3756222A1. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,Christopher W. Petz,Sanket S. Kelkar,Paul A. Paduano,Zhe Song,Vassil Antonov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Doped titanium nitride materials for dram capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods

Номер патента: WO2019164655A1. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,Christopher W. Petz,Sanket S. Kelkar,Paul A. Paduano,Zhe Song,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11424119B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-08-23.

In-situ silicon nitride and silicon based oxide deposition with graded interface for damascene application

Номер патента: US6507081B2. Автор: Preston Smith,Chi-hing Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride

Номер патента: US5286344A. Автор: Guy Blalock,David S. Becker,Fred Roe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Low-dielectric silicon nitride film and method of forming the same, semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US6890869B2. Автор: Gishi Chung. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Dielectric silicon nitride barrier deposition process for improved metal leakage and adhesion

Номер патента: US20230386907A1. Автор: Qi-Zhong Hong,Bhaskar Srinivasan,Joseph Jian Song,Gregory Boyd SHINN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: WO2018156985A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11901175B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US11848200B2. Автор: Jacob Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-19.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US11742399B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US20220406910A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Selective etch process for silicon nitride

Номер патента: US20120077347A1. Автор: Hongyun Cottle,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: US20180277386A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US20230343842A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Refractory metal-titanium nitride conductive structures

Номер патента: US5760475A. Автор: John Edward Cronin,Carter Welling Kaanta,Michael Albert Leach,Pei-Ing Paul Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Interlayer between titanium nitride and high density plasma oxide

Номер патента: KR100577446B1. Автор: 우텐크리스토퍼엘.,크리스티안크레이드더블유.,스파이크스토마스이.쥬니어,에반스앨렌엘.,호세인팀제트.. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-05-10.

Selective titanium nitride removal

Номер патента: US09607856B2. Автор: Xikun Wang,Dmitry Lubomirsky,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon nitride-free isolation methods for integrated circuits

Номер патента: US5966614A. Автор: Tai-su Park,Ho-kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-12.

Method for forming masks comprising silicon nitride and novel mask structures produced thereby

Номер патента: US4002511A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-01-11.

Semiconductor structures comprising silicon nitride and related methods

Номер патента: US20180144927A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Methods of forming silicon nitride

Номер патента: US20210217611A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A3. Автор: Ehrenwall Andreas Von. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-25.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A2. Автор: Andreas Von Ehrenwall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-24.

Semiconductor trench structure having a silicon nitride layer overlaying an oxide layer

Номер патента: US9029978B2. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-05-12.

Method for forming pecvd silicon nitride film

Номер патента: US20080029021A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Methods of forming deuterated silicon nitride-containing materials

Номер патента: WO2005008763B1. Автор: Ronald A Weimer,Lyle D Breiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Silicon nitride films having reduced interfacial strain

Номер патента: EP4189726A1. Автор: Yong Liang,Ann MELNICHUK. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming silicon nitride capacitors

Номер патента: GB2250378A. Автор: Neal F Gardner. Владелец: Silicon Systems Inc. Дата публикации: 1992-06-03.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US20230274997A1. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Methods Of Processing Silicon Nitride-Comprising Materials

Номер патента: US20180331120A1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Methods Of Processing Silicon Nitride-Comprising Materials

Номер патента: US20180114795A1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US10381377B2. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US10121799B2. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-06.

Plasma cvd method, method for forming silicon nitride film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120178268A1. Автор: Toshio Nakanishi,Masayuki Kohno,Tatsuo Nishita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US12094796B2. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US09893083B1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of fabricating field effect transistors including titanium nitride gates over partially nitrided oxide and devices so fabricated

Номер патента: US20100123206A1. Автор: Michael W. Dennen. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Method of forming a structure comprising silicon nitride on titanium nitride and structure formed

Номер патента: CN111276400A. Автор: 汤福,D.朗利. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-06-12.

Method of forming a silicon nitride film transparent to ultraviolet radiation and resulting article

Номер патента: US4618541A. Автор: Abdul R. Forouhi,Bert L. Allen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-10-21.

Technique for forming a silicon nitride layer having high intrinsic compressive stress

Номер патента: US20070254492A1. Автор: Volker Kahlert,Joerg Hohage,Steffen Baer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20200365709A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210288083A1. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory device comprising a silicon nitride charge storage layer doped with boron

Номер патента: WO2009086157A1. Автор: Mark Randolph,Gwyn R. Jones. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20150194499A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor Component Including Aluminum Silicon Nitride Layers

Номер патента: US20170256618A1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11658190B2. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor component including aluminum silicon nitride layers

Номер патента: US09761672B1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Three dimensional memory device containing discrete silicon nitride charge storage regions

Номер патента: WO2017146808A1. Автор: Zhenyu Lu,Yanli Zhang,Daxin Mao,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Chun GE,Andrey Serov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Transistor having a gate comprising a titanium nitride layer and method for depositing this layer

Номер патента: US09953837B2. Автор: Pierre Caubet,Sylvain Baudot. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Process for forming a layer of equiaxed titanium nitride and a MOSFET device having a metal gate electrode including a layer of equiaxed titanium nitride

Номер патента: US09691871B1. Автор: Pierre Caubet,Florian Domengie,Onintza Ros Bengoechea,Aurelie Bajolet,Carlos Augusto Suarez Segovia. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-06-27.

Process for forming a layer of equiaxed titanium nitride and a mosfet device having a metal gate electrode including a layer of equiaxed titanium nitride

Номер патента: US20170256625A1. Автор: Pierre Caubet,Florian Domengie,Onintza Ros Bengoechea,Aurelie Bajolet,Carlos Augusto Suarez Segovia. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-09-07.

Process for forming a layer of equiaxed titanium nitride and a MOSFET device having a metal gate electrode including a layer of equiaxed titanium nitride

Номер патента: US10211059B2. Автор: Pierre Caubet,Florian Domengie,Onintza Ros Bengoechea,Aurelie Bajolet,Carlos Augusto Suarez Segovia. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-02-19.

Process for forming a layer of equiaxed titanium nitride and a mosfet device having a metal gate electrode including a layer of equiaxed titanium nitride

Номер патента: US20170256625A1. Автор: Pierre Caubet,Florian Domengie,Onintza Ros Bengoechea,Aurelie Bajolet,Carlos Augusto Suarez Segovia. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-09-07.

METHODS AND APPARATUS FOR DOPING ENGINEERING AND THRESHOLD VOLTAGE TUNING BY INTEGRATED DEPOSITION OF TITANIUM NITRIDE AND ALUMINUM FILMS

Номер патента: US20190057863A1. Автор: Ma Paul F.,Lei Yu,Xu Yi,Chen Shih Chung,Zhang Wenyu,LIN Chi-Chou,Yoshida Naomi,DONG Lin,Yang Yixiong,Tang Wei V.,LIN CHEN HAN,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

REPLACEMENT METAL GATE WITH MULITIPLE TITANIUM NITRIDE LATERS

Номер патента: US20140246734A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-09-04.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: EP4449478A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Selective titanium nitride etching

Номер патента: US09449845B2. Автор: Jie Liu,Nitin K. Ingle,Seung Park,Anchuan Wang,Zhijun CHEN,Ching-Mei Hsu,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Selective titanium nitride etching

Номер патента: US20140179111A1. Автор: Jie Liu,Nitin K. Ingle,Seung Park,Anchuan Wang,Zhijun CHEN,Ching-Mei Hsu,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: WO2023114132A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-06-22.

Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal

Номер патента: US09472420B2. Автор: Madhukar Bhaskara Rao,Tianniu Chen,Brenda Faye Ross,Wen Dar Liu,Seiji Inaoka,Yi-Chia Lee,William Jack Casteel, Jr.. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Номер патента: US09546321B2. Автор: Emanuel I. Cooper,Jeffrey A. Barnes,Steven Lippy,Sheng-Hung Tu,Li-min Chen,Rekha Rajaram. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Etchant composition for adjusting etching selectivity of titanium nitride film with respect to tungsten film, and etching method using same

Номер патента: US20230295500A1. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Consistent alignment mark profiles on semiconductor wafers using metal organic chemical vapor deposition titanium nitride protective layer

Номер патента: US6157087A. Автор: Joe W. Zhao,Keith K. Chao,Shumay X. Dou. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Etching Solution For Titanium Nitride And Molybdenum Conductive Metal Lines

Номер патента: US20240010915A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Chao-Hsiang Chen,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for producing silicon nitride film

Номер патента: US20200335322A1. Автор: Akira Nishimura,Takashi Abe,Akinobu Teramoto,Yoshinobu Shiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-22.

Precision masking using silicon nitride and silicon oxide

Номер патента: US3592707A. Автор: Ralph J Jaccodine. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-07-13.

Selective silicon nitride plasma etching

Номер патента: US5188704A. Автор: Bang C. Nguyen,Kenneth L. Devries,Wayne T. Babie,Chau-Hwa J. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Silicon nitride capped poly resistor with SAC process

Номер патента: US6232194B1. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-15.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11186771B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-30.

Single component monomer for silicon nitride deposition

Номер патента: US4200666A. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-04-29.

Deposition of silicon nitride films from azidosilane sources

Номер патента: US4992299A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Method of manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US5234869A. Автор: Takahiko Moriya,Yuuichi Mikata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

CVD syntheses of silicon nitride materials

Номер патента: US20020016084A1. Автор: Michael Todd. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2002-02-07.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Method of producing silicon nitride

Номер патента: RU2629656C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Process for producing devices containing silicon nitride films

Номер патента: CA1327338C. Автор: John Aaron Mucha,Chorng-Ping Chang,Daniel Lawrence Flamm,Dale Edward Ibbotson. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

A Silicon Nitride Film, A Semiconductor Device, A Display Device and a Method for Manufacturing a Silicon Nitride Film

Номер патента: US20070253881A1. Автор: Shinji Maekawa,Tetsuya Kakehata,Yuuichi Takehara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials

Номер патента: EP2697330A2. Автор: William Ward. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-19.

Method of etching silicon nitride

Номер патента: US20020003126A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Jeffrey Chinn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Gases for low damage selective silicon nitride etching

Номер патента: US10217681B1. Автор: Rahul Gupta,James Royer,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Dual-frequency silicon nitride for spacer application

Номер патента: US20050287823A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Shreesh Narasimha,James Kelliher,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: CA2118356C. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2021067150A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating

Номер патента: US4751191A. Автор: Ronald C. Gonsiorawski,George Czernienko. Владелец: Mobil Solar Energy Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Method of manufacturing a passivating composite comprising a silicon nitride (SI1 3N4) layer and a phosphosilicate glass (PSG) layer for a semiconductor device layer

Номер патента: USRE32351E. Автор: Robert H. Dawson,George L. Schnable. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Germanium-containing silicon nitride film

Номер патента: US4126880A. Автор: Akira Shintani,Seiichi Isomae,Michiyoshi Maki,Masahiko Ogirima,Yoichi Tamaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-11-21.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: US5468689A. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Method of forming a silicon nitride layer

Номер патента: US5907792A. Автор: Jonathan K. Abrokwah,Matthias Passlack,Zhiyi Jimmy Yu,Ravi Droopad. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-25.

Compositions and methods for polishing silicon nitride materials

Номер патента: MY150866A. Автор: Chen Zhan,Dysard Jeffrey,JOHNS Timothy,Anjur Sriram. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-14.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11955341B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Low wet etch rate silicon nitride film

Номер патента: WO2009085974A2. Автор: Jing Wu,Hemant P. Mungekar,Young S. Lee. Владелец: Wang, Anchuan. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for stripping silicon nitride

Номер патента: US7323413B2. Автор: Teresa Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-29.

Method of forming silicon nitride film and film forming apparatus

Номер патента: US20240087885A1. Автор: Yusuke Suzuki,Yuji Otsuki,Munehito Kagaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: US20230365863A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of depositing silicon nitride film, apparatus for depositing film, and silicon nitride film

Номер патента: US20240055239A1. Автор: Naoki Morimoto,Akira Igari,Yuta Ando. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatus for selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20200185238A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20180261462A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20190252197A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Doped silicon nitride for 3d nand

Номер патента: WO2022150285A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Xinhai Han,Tianyang Li,Chuan Ying WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-14.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11939505B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Single wafer reactor, low temperature, thermal silicon nitride deposition

Номер патента: WO2023230296A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Steven Goza,Aaron Blake MILLER,Aaron Durbin,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming silicon nitride films using microwave plasma

Номер патента: US11955331B2. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Hanhong Chen,Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods of forming silicon nitride encapsulation layers

Номер патента: WO2020242592A1. Автор: Bo QI,Abhijit B. MALLICK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Etching composition for silicon nitride and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220081615A1. Автор: Akira Endo,Yasushi Nakasaki,Masayasu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for selective deposition of silicon nitride and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US20240014030A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4347744A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: WO2024085970A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: US20240128089A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Silicon nitride and silicon dioxide gate insulator transistors and method of forming same in a hybrid integrated circuit

Номер патента: US20020151188A1. Автор: Arvind Kamath,Rajiv Patel,Mohammad Mirabedini. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

Selective deposition of silicon nitride

Номер патента: US20200266048A1. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Eric CONDO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4189728A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: WO2022192063A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Kah Wee Ang,Paul E. Gee,Wei Ying Doreen Yong,Samarth JAIN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-09-15.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: WO2023219943A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-11-16.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US20220033710A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Low loss silicon nitride and waveguides comprising low loss silicon nitride

Номер патента: US20240079228A1. Автор: Robert Higashi,Robert Horning,David Deen,Christopher John CARRON,Molly KROGSTAD. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Liquid composition for reducing damage of cobalt, alumina, interlayer insulating film and silicon nitride, and washing method using same

Номер патента: US20210087501A1. Автор: Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Liquid composition for reducing damage of cobalt, alumina, interlayer insulating film and silicon nitride, and washing method using same

Номер патента: EP3664125A1. Автор: Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-06-10.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-01-19.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: US20240120210A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus,Paul E. Gee,Tuck Foong Koh,Wei Ying Doreen Yong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: WO2024081509A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus,Paul E. Gee,Tuck Foong Koh,Wei Ying Doreen Yong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US8889568B2. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Low-k dielectric protection during plasma deposition of silicon nitride

Номер патента: WO2023178216A1. Автор: Bo Gong,Andrew John McKerrow,Awnish GUPTA,Gopinath Bhimarasetti,Dustin Zachary Austin,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-21.

Ultra low loss silicon nitride based waveguide

Номер патента: WO2023163994A1. Автор: Vimal Kamineni,Ann MELNICHUK. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2023-08-31.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: WO2019103819A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-05-31.

A method of forming a silicon nitride layer on a substrate

Номер патента: EP1454343A2. Автор: Lee Luo,Shulin Wang,Xianzhi Tao,Steven A. Chen,Kegang Huang,Sang H. Ahn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Method of forming silicon nitride on a substrate

Номер патента: US6534424B2. Автор: Hung-Chuan Chen,Tzy-Tzan Fu,Chao-Ming Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-18.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11987740B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A3. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-04-11.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP3649270A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A2. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: US10811250B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Silicon nitride layer under a copper pad

Номер патента: US20230420357A1. Автор: Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Sameer PAITAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20180166303A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US11996286B2. Автор: Hideaki Fukuda,Viljami Pore,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: US20190157077A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor die containing silicon nitride stress compensating regions and method for making the same

Номер патента: US20210272912A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-02.

Silicon nitride chemical mechanical polishing slurry with silicon nitride removal rate enhancers and methods of use thereof

Номер патента: US11999877B2. Автор: Jimmy Granstrom. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor die containing silicon nitride stress compensating regions and method for making the same

Номер патента: WO2021177990A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-10.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US20180108532A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US12012540B2. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Ultra low loss silicon nitride based waveguide

Номер патента: WO2023163994A9. Автор: Vimal Kamineni,Ann MELNICHUK. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2023-12-21.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods, systems, apparatus, and articles of manufacture to produce integrated circuit packages having silicon nitride adhesion promoters

Номер патента: US20240222259A1. Автор: WEI Wei,Xiaoying Guo,Xiao Liu,Dingying Xu,Gang Duan,Hiroki Tanaka,Srinivas PIETAMBARAM,Haobo Chen,Hongxia Feng,Leonel Arana,Ziyin LIN,Kyle Arrington,Bohan Shan,Xiyu Hu,Rhonda Jack,Catherine Mau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A3. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Silicon nitride substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275002A1. Автор: Kei Shimada,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130109154A1. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of patterning a silicon nitride dielectric film

Номер патента: WO2014113398A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Qingjun Zhou,Sergey G. BELOSTOTSKIY,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-24.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: EP2579300A4. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242790A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US10600660B2. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Precursors for deposition of silicon nitride, silicon oxynitride and metal silicon oxynitrides

Номер патента: WO2005121399A1. Автор: Paul Williams,Anthony Copeland Jones,Ravi Kanjolia,Rajesh Odedra,Megan Ravetz. Владелец: Epichem Limited. Дата публикации: 2005-12-22.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Ozone Treatment for Selective Silicon Nitride Etch Over Silicon

Номер патента: US20200234969A1. Автор: Chun Yan,Hua Chung,Michael X. Yang,Shanyu WANG,Xinliang Lu,Ting Xie. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130075875A1. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Process for preparing silicon-rich silicon nitride films

Номер патента: WO2023168082A1. Автор: Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-09-07.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Silicon nitride etching composition and method

Номер патента: US20230295502A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Hsing-chen Wu,Min-Chieh Yang,SeongJin Hong,Steven Michael BILODEAU. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US20240297039A1. Автор: Hideaki Fukuda,Charles DEZELAH,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-05.

Etchant composition with high selectivity to silicon nitride

Номер патента: US20190249082A1. Автор: Na HAN,Junwoo Lee,Sok Ho Lee,Jung Hwan Song,Seong Sik JEON,Sung Il Jo,Byeoung Tak KIM,Ah Hyeon LIM,Min Keun LEE,Joon Won KIM. Владелец: LTCAM Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Silicon nitride chemical mechanical polishing slurry with silicon nitride removal rate enhancers and methods of use thereof

Номер патента: US20220315800A1. Автор: Jimmy Granstrom. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: WO2023150244A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: Cmc Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242791A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Номер патента: US11732351B2. Автор: XINJIAN LEI,Moo-Sung Kim,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Silicon Nitride Films With High Nitrogen Content

Номер патента: US20190013197A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-10.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073285A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073284A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Composition for etching silicon nitride film and etching method using same

Номер патента: US20210363423A1. Автор: Jung Min Choi,Sang Ran Koh,Jun Young Jang,Youn Jin Cho,Yong Woon Yoon,Ki Wook Hwang,Kwen Woo HAN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for reducing incubation period of silicon nitride layer deposition, structure formed using the method, and system for performing the method

Номер патента: US20240318311A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system for forming patterned structures including silicon nitride

Номер патента: US12100597B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Electro-optic silicon nitride via electric poling

Номер патента: US20200124884A1. Автор: Yi Zhang,Jaime Cardenas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2020-04-23.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US12110435B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: US20240332009A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: WO2024206046A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US09997366B2. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and apparatus of forming silicon nitride film

Номер патента: US09920422B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride

Номер патента: US09911620B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Helen H. Zhu,Joon Hong Park,Linda Marquez,Ivan L. Berry, III,Ivelin A. Angelov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Selective growth of silicon nitride

Номер патента: US09911595B1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods for depositing silicon nitride films

Номер патента: US09905415B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Haripin Chandra,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

Номер патента: US09824884B1. Автор: Jon Henri,James S. Sims,Ramesh Chandrasekharan,Seshasayee Varadarajan,Andrew John McKerrow,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of selectively removing silicon nitride and etching apparatus thereof

Номер патента: US09799530B2. Автор: Chi-Ming Yang,Ying-Hsueh CHANGCHIEN,Yu-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film

Номер патента: US09589790B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,James S. Sims,Shane Tang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Low temperature silicon nitride films using remote plasma CVD technology

Номер патента: US09583333B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Amit Chatterjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Gas-phase silicon nitride selective etch

Номер патента: US09576815B2. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Jingjing Xu,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US20020177275A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

LOWERING TUNGSTEN RESISTIVITY BY REPLACING TITANIUM NITRIDE WITH TITANIUM SILICON NITRIDE

Номер патента: US20150206756A1. Автор: Gandikota Srinivas,LEI JIANXIN,Liu Zhendong,JAKKARAJU Rajkumar. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Method for forming a titanium nitride layer and method for forming a lower electrode of a mim capacitor using the titanium nitride layer

Номер патента: TWI295823B. Автор: Dong-Jun Kim,Kyong-Min Kim,Byoung-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-11.

Selective polish process for titanium, titanium nitride, tantalum and tantalum nitride

Номер патента: US5676587A. Автор: Dean Allen Schaffer,William Francis Landers,Matthew Jeremy Rutten,Thomas Robert Fisher, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Method for forming a titanium nitride layer and method for forming a lower electrode of a MIM capacitor using the titanium nitride layer

Номер патента: KR100695887B1. Автор: 김경민,김동준,김병동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-20.

Method for depositing titanium nitride films for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20080274616A1. Автор: Toshio Hasegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-11-06.

Formation of titanium nitride thin film using remote activated specie generating method

Номер патента: JPH10183331A. Автор: Roderick C Mosely,Karl A Littau,エー． リタウ カール,Gogh Jim Van,ヴァン ゴフ ジム,シー． モーズリー ロデリック. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

COPPER INTERCONNECTS HAVING A TITANIUM-TITANIUM NITRIDE ASSEMBLY BETWEEN COPPER AND COMPOUND SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20130234333A1. Автор: Cheng Kezia. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

AUTOMATED PROCESS CONTROL OF ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TITANIUM NITRIDE THROUGH TREATMENT GAS PULSE TIME

Номер патента: US20180073140A1. Автор: Williams David J.,GOULD William Kyle. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

CONFORMAL TITANIUM NITRIDE-BASED THIN FILMS AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20210104433A1. Автор: Jung Sung-Hoon,Mukherjee Niloy,KIM HAE YOUNG,Okuyama Yoshikazu,Naghibolashrafi Nariman,Nie Bunsen B.,Rathi Somilkumar J.,Mack Jerry,Heo Jae Seok,Chugh Srishti. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Titanium Nitride Electrode

Номер патента: US20150137275A1. Автор: Musa Silke. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2015-05-21.

TECHNOLOGY FOR SELECTIVELY ETCHING TITANIUM AND TITANIUM NITRIDE IN THE PRESENCE OF OTHER MATERIALS

Номер патента: US20150179510A1. Автор: GROVER Rohit,Mistkawi Nabil G.,THOMPSON Erica J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

TRANSISTOR HAVING A GATE COMPRISING A TITANIUM NITRIDE LAYER AND METHOD FOR DEPOSITING THIS LAYER

Номер патента: US20150200099A1. Автор: Caubet Pierre,Baudot Sylvain. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

CONTROLLING VIA CRITICAL DIMENSION WITH A TITANIUM NITRIDE HARD MASK

Номер патента: US20200194343A1. Автор: Sankarapandian Muthumanickam,Mignot Yann,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING MULTILAYER TITANIUM NITRIDE DIFFUSION BARRIER AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20180247954A1. Автор: Inoue Shinya,ISHIKAWA Kensuke,Amano Fumitaka,SANO Michiaki. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Liquid composition for removing titanium nitride, semiconductor-element cleaning method using same, and semiconductor-element manufacturing method

Номер патента: US20160281038A1. Автор: Kenji Shimada,Satoshi Tamai. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

DOPED TITANIUM NITRIDE MATERIALS FOR DRAM CAPACITORS, AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS

Номер патента: US20190267383A1. Автор: Antonov Vassil,Rocklein Matthew N.,TAO Qian,Kelkar Sanket S.,Petz Christopher W.,Song Zhe,Paduano Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Selectively Removing Titanium Nitride Hard Mask and Etch Residue Removal

Номер патента: US20160293479A1. Автор: Chen Tianniu,LIU Wen Dar,JR. William Jack,Casteel,Inaoka Seiji. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2016-10-06.

Chemical mechanical polishing slurry for ruthenium titanium nitride and polishing process using the same

Номер патента: US20030003747A1. Автор: Jae Hong Kim,Sang Ick Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Chemical mechanical polishing slurry for ruthenium titanium nitride and polishing process using the same

Номер патента: US20040147123A1. Автор: Sang Lee,Jae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Composition for and method of suppressing titanium nitride corrosion

Номер патента: KR101891363B1. Автор: 엠마뉴엘 아이 쿠퍼,조지 가브리엘 토티르,마코넨 페인. Владелец: 엔테그리스, 아이엔씨.. Дата публикации: 2018-08-24.

Composition for and method of suppressing titanium nitride corrosion

Номер патента: US9416338B2. Автор: Emanuel I. Cooper,George Gabriel Totir,Makonnen Payne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Titanium-nitride removal

Номер патента: US8835326B2. Автор: David L. Rath,John A. Fitzsimmons,Shyng-Tsong Chen,Muthumanickam Sankarapandian,Oscar van der Straten. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Slurry for Chemical Mechanical Polishing of Ruthenium Titanium nitride and the Process for Polishing Using It

Номер патента: KR100649807B1. Автор: 이상익,김재홍. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-24.

Method to improve adhesion between copper and titanium nitride, for copper interconnect structures, via the use of an ion implantation procedure

Номер патента: US6015749A. Автор: Chung-Shi Liu,Chen-Hua Douglas Yu,Jane-Bai Lai,Lih-Juann Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Bismuth-titanium-silicon oxide, bismuth-titanium-silicon oxide thin film and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4387723B2. Автор: 永 眞 ▲曹▼,ヨセプ 閔,永 洙 朴,正 賢 李,俊 冀 李,容 均 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-24.

CONFORMAL AND SMOOTH TITANIUM NITRIDE LAYERS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Jung Sung-Hoon,Mukherjee Niloy,KIM HAE YOUNG,Okuyama Yoshikazu,Naghibolashrafi Nariman,Nie Bunsen B.,Rathi Somilkumar J.. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

SMOOTH TITANIUM NITRIDE LAYERS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210104397A1. Автор: Jung Sung-Hoon,CHOI Kyu Jin,Mukherjee Niloy,KIM Hee Seok,KIM HAE YOUNG,Okuyama Yoshikazu,Naghibolashrafi Nariman,Nie Bunsen B.,Rathi Somilkumar J.,Joo Moonsig. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

SELECTIVE TITANIUM NITRIDE REMOVAL

Номер патента: US20140256131A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,LUBOMIRSKY DMITRY,Wang Xikun. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Etching of silicon nitride

Номер патента: US5965465A. Автор: David L. Rath,Rangarajan Jagannathan,Keith R. Pope,Harald F. Okorn-Schmidt,Kenneth J. McCullough,Karen P. Madden. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-12.

Silicon nitride circuit board

Номер патента: US5998000A. Автор: Kazuo Ikeda,Nobuyuki Mizunoya,Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Yoshitoshi Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: EP1063211A1. Автор: Kiyoshi Araki,Katsuhiro Inoue. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2000-12-27.

High thermal conductivity silicon nitride circuit substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US6086990A. Автор: Fumio Ueno,Mitsuo Kasori,Akihiro Horiguchi,Hiroyasu Sumino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor integrated circuit having silicon nitride provided as insulator of capacitor

Номер патента: US5296734A. Автор: Megumi Satoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-22.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: EP3951857A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

N-alkyl substituted cyclic and oligomeric perhydridosilazanes, methods of preparation thereof, and silicon nitride films formed therefrom

Номер патента: US20230279031A1. Автор: Barry C. Arkles,Youlin Pan,Fernando A. JOVE. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Conductive thick film paste for silicon nitride and other substrates

Номер патента: EP4235773A3. Автор: Umesh Kumar,Srinivasan Sridharan,John J. Maloney,George E. Sakoske,Ponnusamy Palanisamy,Bradford J. Smith,George E. Graddy Jr.. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Silicon nitride hard mask for epitaxial germanium on silicon

Номер патента: US11830961B2. Автор: Edward J. Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and evaluation method, evaluation device, and evaluation system for silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: US20230274992A1. Автор: Kazufumi Suenaga,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods for patterning a silicon oxide-silicon nitride-silicon oxide stack and structures formed by the same

Номер патента: US20210183641A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US11876056B2. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Silicon Nitride Substrate And Silicon Nitride Circuit Board

Номер патента: US20210130241A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Jun Momma,Kentaro IWAI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board

Номер патента: EP3846596A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Jun Momma,Kentaro IWAI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Silicon nitride substrate

Номер патента: US20240150249A1. Автор: Kei Shimada,Youichirou Kaga,Rei FUKUMOTO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon nitride sintered substrate

Номер патента: US20230357010A1. Автор: Hideaki Kawai,Norihira MITSUMURA,Dai Kusano. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon nitride waveguide coupled photodiode

Номер патента: US20240105875A1. Автор: Mona Mostafa HELLA,Asif Jahangir CHOWDHURY. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2024-03-28.

N-alkyl substituted cyclic and oligomeric perhydridosilazanes, methods of preparation thereof, and silicon nitride films formed therefrom

Номер патента: EP3274354A1. Автор: Barry C. Arkles,Youlin Pan,Fernando JOVE. Владелец: Gelest Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Photonics integrated circuit with silicon nitride waveguide edge coupler

Номер патента: US20220268994A1. Автор: Karen A. Nummy,Yusheng Bian,Thomas Houghton,Kevin K. Dezfulian,Kenneth J. Giewont,Asli Sahin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Silicon nitride substrate

Номер патента: EP4293713A1. Автор: Kei Shimada,Youichirou Kaga,Rei FUKUMOTO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US20240153888A1. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A2. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-10-23.

Highly thermally conductive silicon nitride sintered body, silicon nitride substrate, silicon nitride circuit board, and semiconductor device

Номер патента: US20240182770A1. Автор: Yasuhiro Goto,Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Silicon nitride ceramic substrate, silicon nitride ceramic circuit board using the substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1201623A3. Автор: Hideki Yamaguchi,Takayuki Naba,Michiyasu Komatsu,Haruhiko Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-01-07.

Silicon nitride substrate, method of manufacturing the same, and silicon nitride circuit board and semiconductor module using the same

Номер патента: US20090224399A1. Автор: Junichi Watanabe,Youichirou Kaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Plasma etching indium tin oxide using a deposited silicon nitride mask

Номер патента: WO1992022930A1. Автор: Paul L. Roselle. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1992-12-23.

Highly thermally conductive silicon nitride sintered compact, silicon nitride substrate, silicon nitride circuit board, and semiconductor device

Номер патента: EP4397642A1. Автор: Yasuhiro Goto,Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components

Номер патента: EP1303878A2. Автор: Daniel E. Wilson,Robert E. Masseth,Michael Quan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-04-23.

Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components

Номер патента: WO2002008660A2. Автор: Daniel E. Wilson,Robert E. Masseth,Michael Quan. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-01-31.

Silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and evaluation method, evaluation device, and evaluation system for silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: EP4235156A1. Автор: Kazufumi Suenaga,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: US20220177376A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A3. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-09-23.

Silicon-nitride-containing interlayer of great hardness

Номер патента: US20140272748A1. Автор: Krishna Uibel,David W. Worthey. Владелец: ESK Ceramics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-09-18.

Silicon nitride substrate, circuit substrate and electronic device using the same

Номер патента: US20120281362A1. Автор: Masayuki Moriyama,Kenji Komatsubara,Yuusaku Ishimine. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Integrated germanium photodetector with silicon nitride launch waveguide

Номер патента: US12078857B2. Автор: Dawei Zheng,Tongqing Wang,Xingyu Zhang. Владелец: Alpine Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

TFT device with silicon nitride film and manufacturing method thereof

Номер патента: US09864247B1. Автор: Dongzi Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same

Номер патента: US09630846B2. Автор: Katsuyuki Aoki,Takashi Sano,Noritaka Nakayama. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon-nitride-containing separating layer having high hardness

Номер патента: US09625213B2. Автор: Krishna Uibel,David W. Worthey. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-04-18.

Low degradation MRAM encapsulation process using silicon-rich silicon nitride film

Номер патента: US09515252B1. Автор: Jeong-Heon Park,Eugene J. O'Sullivan,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,JungHyuk Lee,Nathan P. Marchack,Chandrasekaran Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

METHOD OF FORMING A STRUCTURE INCLUDING SILICON NITRIDE ON TITANIUM NITRIDE AND STRUCTURE FORMED USING THE METHOD

Номер патента: US20200181770A1. Автор: Tang Fu,Longrie Delphine. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Silicon nitride having low dielectric constant

Номер патента: US4708943A. Автор: Howard Mizuhara,Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Sintering of silicon nitride using mg and be additives

Номер патента: CA1088960A. Автор: Svante Prochazka,Richard J. Charles,Charles D. Greskovich,Robert A. Giddings. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1980-11-04.

Moisture barrier composite film of silicon nitride and fluorocarbon polymer and its use with an on-cell tester for an electrochemical cell

Номер патента: US5593794A. Автор: Guang Wei,Jack Treger,Bryan C. Lagos. Владелец: Duracell Inc USA. Дата публикации: 1997-01-14.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: EP4320285A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Molybdenum silicide / silicon nitride composite infrared emitter apparatus and method of use thereof

Номер патента: US20200203914A1. Автор: Davorin Babic,Viet Nguyen,Alex Kropachev,Dragan Grubisik,Arshey Patadia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: CA3214652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Silicon nitride stabilized interface between lithium metal and solid electrolyte for high performance lithium metal batteries

Номер патента: WO2023086659A3. Автор: Qiao Qiao,Abiral BANIYA. Владелец: Baniya Abiral. Дата публикации: 2023-06-22.

Silicon nitride x-ray window and method of manufacture for x-ray detector use

Номер патента: US11694867B2. Автор: XING Zhao,Joseph S. Fragala. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-07-04.

Tellurium-oxide-coated silicon nitride optical waveguides and methods of fabrication thereof

Номер патента: CA3025925A1. Автор: Andrew Knights,Jonathan Bradley,Henry Frankis,Dawson Bonneville,Khadijeh Miarabbas Kiani. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-05-30.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: AU2022254712A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon nitride x-ray window and method of manufacture for x-ray detector use

Номер патента: EP4205158A1. Автор: XING Zhao,Joseph S. Fragala. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-07-05.

Silicon nitride resonators for qubit generation and entanglement

Номер патента: US11847535B2. Автор: Gil Semo,Dan Charash,Barak Dayan,Oded Melamed,Ziv AQUA,Serge ROSENBLUM. Владелец: Quantum Source Labs Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Silicon nitride resonators for qubit generation and entanglement

Номер патента: US20230297872A1. Автор: Gil Semo,Dan Charash,Barak Dayan,Oded Melamed,Ziv AQUA,Serge ROSENBLUM. Владелец: Quantum Source Labs Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Plate with titanium dioxide on its surface, manufacturing process and uses thereof

Номер патента: US20140377542A1. Автор: Chao-Jung Chen,Yu-Ching Liu. Владелец: CHINA MEDICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-12-25.

Methods of adjusting carbon and silica content in rice hull ash (rha) byproducts to control carbothermal reduction forming nanostructured silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride nanocomposites

Номер патента: EP4399180A1. Автор: Richard Laine,Mengjie Yu,Eleni TEMECHE. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-07-17.

Etching Solution For Selectively Removing Tantalum Nitride Over Titanium Nitride During Manufacture of a Semiconductor Device

Номер патента: US20190085241A1. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-03-21.

CMP METHOD FOR SUPPRESSION OF TITANIUM NITRIDE AND TITANIUM/TITANIUM NITRIDE REMOVAL

Номер патента: US20150221521A1. Автор: WARD William,HOU Hui-Fang,Yeh Ming-Chih,Tsai Chih-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

CMP method for suppression of titanium nitride and titanium/titanium nitride removal

Номер патента: US9752057B2. Автор: Hui-Fang Hou,William Ward,Ming-Chih Yeh,Chih-Pin Tsai. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Etching solution for selectively removing tantalum nitride over titanium nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US10870799B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-12-22.

Cmp method for suppression of titanium nitride and titanium/titanium nitride removal

Номер патента: EP3103133A4. Автор: Hui-Fang Hou,William Ward,Ming-Chih Yeh,Chih-Pin Tsai. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-04.

Cmp method for suppression of titanium nitride and titanium/titanium nitride removal

Номер патента: WO2015120269A1. Автор: Hui-Fang Hou,William Ward,Ming-Chih Yeh,Chih-Pin Tsai. Владелец: Cabot Microelectronics Corporation. Дата публикации: 2015-08-13.

Cmp method for suppression of titanium nitride and titanium/titanium nitride removal

Номер патента: KR102307254B1. Автор: 후이-팡 호우,윌리엄 워드,밍-치 예,치-핀 차이. Владелец: 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-09-30.

CMP method for suppressing titanium nitride and titanium / titanium nitride removal

Номер патента: JP6538701B2. Автор: ワード ウィリアム,ホウ ホゥイ−ファン,イエー ミーン−チー,ツァイ チー−ピン. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-03.

Etching solution for selectively removing tantalum nitride over titanium nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: KR102283745B1. Автор: 이치아 리,원 다 리우. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2021-08-02.

Etching solution for selectively removing tantalum nitride over titanium nitride during manufacture of semiconductor device

Номер патента: JP2019075546A. Автор: Wen Dar Liu,Yi Chia Lee,ウエン ダー リウ,ウエン ダー リウ,イ−チア リ. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-05-16.

Removal of titanium nitride with xenon difluoride

Номер патента: EP1788120A1. Автор: Eugene Joseph Karwacki, Jr.,Dingjun Wu. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

For the etching solution of tantalum nitride to be optionally removed relative to titanium nitride during manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CN109423290A. Автор: 李翊嘉,刘文达. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-03-05.

Etching solution for selectively removing tantalum nitride over titanium nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3447792A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-02-27.

Removing titanium nitride from a bond pad used in the production of a semiconductor element comprises removing the titanium nitride using an aqueous solution and removing the oxide layer present on the bond pad

Номер патента: DE10014915A1. Автор: Herbert Obermeier,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-04.

Selective etching of titanium nitride with xenon difluoride

Номер патента: TW200721298A. Автор: Eugene Joseph Karwacki,Ding-Jun Wu. Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 2007-06-01.

Etching solution for selectively removing tantalum nitride over titanium nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3447792B1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-03.

A method for improving the quality of a titanium nitride layer including carbon and oxygen

Номер патента: TW363223B. Автор: Jeong-tae Kim,Sung-Bo Hwang. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1999-07-01.

A method of making and a device including a titanium nitride layer

Номер патента: GB9605507D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-15.

Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Номер патента: EP2798669B1. Автор: Emanuel I. Cooper,Jeffrey A. Barnes,Steven Lippy,Sheng-Hung Tu,Li-min Chen,Rekha Rajaram. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-03-31.

METHOD OF FORMING TITANIUM NITRIDE FILMS WITH (200) CRYSTALLOGRAPHIC TEXTURE

Номер патента: US20200035481A1. Автор: Tapily Kandabara. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Oxide Removal From Titanium Nitride Surfaces

Номер патента: US20200075313A1. Автор: Chung Hua,Wang Jin J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Selective titanium nitride etching

Номер патента: US20140179111A1. Автор: Jie Liu,Nitin K. Ingle,Seung Park,Anchuan Wang,Zhijun CHEN,Ching-Mei Hsu,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

High Productivity Combinatorial Techniques for Titanium Nitride Etching

Номер патента: US20140179112A1. Автор: Foster John,Metzger Sven. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Selective titanium nitride etching

Номер патента: US20150118857A1. Автор: Jie Liu,Nitin K. Ingle,Seung Park,Anchuan Wang,Zhijun CHEN,Ching-Mei Hsu,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Composition for Titanium Nitride Hard Mask and Etch Residue Removal

Номер патента: US20150175943A1. Автор: Chen Tianniu,RAO Madhukar Bhaskara,LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,JR. William Jack,Casteel,Inaoka Seiji,Ross Brenda Faye. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Etchant composition for titanium nitride layer and method for forming metal wire using the same

Номер патента: US20160257880A1. Автор: Sang-Tae Kim,Hyung-Pyo Hong,Hun-Pyo Hong,Jin-Seok Yang,Kyong-Ho Lee. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVELY ETCHING TITANIUM NITRIDE

Номер патента: US20170260449A1. Автор: Barnes Jeffrey A.,Lippy Steven,Rajaram Rekha,Cooper Emanuel I.,Tu Sheng-hung,Chen Li-Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Selective Etching of Titanium Nitride

Номер патента: US20140363981A1. Автор: Gregory Nowling. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

SELECTIVE TITANIUM NITRIDE REMOVAL

Номер патента: US20150357205A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,LUBOMIRSKY DMITRY,Wang Xikun. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Номер патента: US10428271B2. Автор: Emanuel I. Cooper,Steven Lippy,Sheng-Hung Tu,Li-min Chen,Chia-Jung Hsu,Chieh Ju WANG. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Titanium nitride hard mask and etch residue removal

Номер патента: US9222018B1. Автор: Tianniu Chen,Wen Dar Liu,Seiji Inaoka,William Jack Casteel, Jr.. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Composition and process for stripping photoresist from a surface including titanium nitride

Номер патента: US9678430B2. Автор: Emanuel I. Cooper,Marc Conner,Michael Owens. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal

Номер патента: KR101696711B1. Автор: 웬 다르 리우,이-치아 리,주니어 윌리엄 잭 카스틸,세이지 이나오카,마드우카르 바스카라 라오,브렌다 파이예 로스,티아니우 첸. Владелец: 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드. Дата публикации: 2017-01-16.

Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Номер патента: KR102102792B1. Автор: 엠마누엘 아이 쿠퍼,제프리 에이 반즈,스티븐 리피,리 민 첸,레카 라자람,셍-헝 투. Владелец: 엔테그리스, 아이엔씨.. Дата публикации: 2020-05-29.

Etching composition for controlling the etching selectivity ratio of the titanium nitride layer to the tungsten layer; and method for etching using the same

Номер патента: KR102266618B1. Автор: 이승훈,이승현,김승환,진승오. Владелец: 영창케미칼 주식회사. Дата публикации: 2021-06-18.

PROCESS FOR FORMING A LAYER OF EQUIAXED TITANIUM NITRIDE AND A MOSFET DEVICE HAVING A METAL GATE ELECTRODE INCLUDING A LAYER OF EQUIAXED TITANIUM NITRIDE

Номер патента: US20170179250A1. Автор: Caubet Pierre,Domengie Florian,Suarez Segovia Carlos Augusto,Bajolet Aurelie,Ros Bengoechea Onintza. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Base energy setting method of Auger electron spectroscopy analysis for titanium nitride film, and analyzing method of titanium nitride film and semiconductor devices having titanium nitride film thereby

Номер патента: TW502112B. Автор: Sang-eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-11.

High Temperature Sputtered Stoichiometric Titanium Nitride Thin Films

Номер патента: US20190276925A1. Автор: Xiao Liu,Battogtokh Jugdersuren,Brian T. Kearney. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-09-12.

Fixed-abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US20060009136A1. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

TITANIUM NITRIDE BASED METAMATERIAL

Номер патента: US20150285953A1. Автор: Shalaev Vladimir,Sands Timothy D.,Boltasseva Alexandra,Naik Gururaj Viveka,Saha Bivas. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2015-10-08.

High Temperature Sputtered Stoichiometric Titanium Nitride Thin Films

Номер патента: US20190276925A1. Автор: Liu Xiao,Jugdersuren Battogtokh,Kearney Brian T.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2019-09-12.

Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US6419554B2. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-16.

Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Номер патента: JP6723152B2. Автор: チェン，リ−ミン,リッピー，スティーブン,アイ． クーパー，エマニュエル,ソング，リンヤン. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Номер патента: WO2014138064A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Steven Lippy,Sheng-Hung Tu,Li-min Chen,Lingyan SONG,Chia-Jung Hsu,Chieh Ju WANG. Владелец: Atmi Taiwan Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-09-12.

Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Номер патента: US10472567B2. Автор: Emanuel I. Cooper,Steven Lippy,Sheng-Hung Tu,Li-min Chen,Lingyan SONG,Chia-Jung Hsu,Chieh Ju WANG. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2019-11-12.

Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Номер патента: US10920141B2. Автор: Steven Lippy,Li-min Chen,Lingyan SONG,Emanuel I Cooper. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Fixed-abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US20020106975A1. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Fixed-abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US20020115384A1. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Fixed-abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US6997781B2. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-14.

Fixed-abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US20050199588A1. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Fixed-abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US20020109122A1. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-15.

Fixed-abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US6881129B2. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-19.

Fixed-abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US7402094B2. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-22.

Fixed-abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US20060003675A1. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-05.

Fixed-abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride

Номер патента: US20020106977A1. Автор: Dinesh Chopra,Gundu Sabde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Titanium nitride based metamaterial

Номер патента: WO2014099110A2. Автор: Gururaj NAIK,Bivas SAHA,Timothy D. Sands,Vladimir Shalaev,Alexandra BOLTASSEVA. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2014-06-26.

Titanium nitride based metamaterial

Номер патента: US9784888B2. Автор: Gururaj NAIK,Bivas SAHA,Vladimir Shalaev,Alexandra BOLTASSEVA,Timothy Sands. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-10.

Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Номер патента: CN105683336A. Автор: 陈丽敏,斯蒂芬·里皮,埃马纽尔·I·库珀,宋凌雁. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-15.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: EP4018489A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: WO2021089706A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-05-14.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613B2. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of Growing Titanium Nitride on Silicon Substrate Free from Silicon Nitride Interface by Using a Titanium Seed Layer

Номер патента: US20210135330A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Protective plating, useful for magnet of neodymium-iron-boron, nickel layer and titanium nitride layer, where chromium layer is disposed between nickel layer and titanium nitride layer and titanium nitride layer is covered by lacquer layer

Номер патента: FR2993578A1. Автор: Claude Boursse. Владелец: AURIS. Дата публикации: 2014-01-24.

A kind of application of threadiness titanium nitride/silicon nitride/nitridation carbon composite nano-material

Номер патента: CN108275665A. Автор: 孙琴华. Владелец: Hangzhou Fuyang Weiwen Environment Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-13.

Titanium nitride/silicon nitride/carbon nitride/graphene composite nanomaterial and preparation method thereof

Номер патента: CN106531986A. Автор: 向红先. Владелец: Chengdu Yuya Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Reaction sputtering system for depositing titanium nitride without forming titanium nitride on titanium target and method for depositing titanium nitride layer

Номер патента: KR960023211A. Автор: 요시아끼 야마다. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-07-18.

A kind of threadiness titanium nitride/silicon nitride/nitridation carbon composite nano-material and preparation method thereof

Номер патента: CN106241755B. Автор: 孙琴华. Владелец: Hangzhou Fuyang Weiwen Environment Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-11.

Insulating gas used for electrical insulation or arc extinguishing by replacing sf6 gas and electrical device using same

Номер патента: US20240194372A1. Автор: Won Wook So,Sang Goo Lee,Hong Suk Kang,Ju Hyeon Kim,Hyun Jae JANG,In Joon Park,Shin Hong Yook,Myoung Sook Lee,Ki Dong Song,Bong Jun CHANG,Eun Ho Sohn,Yeon Ho OH,Ji Hoon BAIK. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2024-06-13.

Modification of iridium 9603 / 9603N SBD transceiver by replacing SAMTEC ST4-10-2.50L-D-P-TR user connector with molex 501591-2011 user connection

Номер патента: US09793630B2. Автор: Paul Brooks,Vincent Wilson,Anthony Chedrawy,Danny Garon. Владелец: Metocean Telematics Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

A kind of titanium nitride/silicon nitride/carbonitride/graphene composite nano material and preparation method thereof

Номер патента: CN106531986B. Автор: 向红先. Владелец: 苗强. Дата публикации: 2019-05-21.

A kind of threadiness titanium nitride/silicon nitride/carbonitride composite nano materials and preparation method thereof

Номер патента: CN106241755A. Автор: 孙琴华. Владелец: Hangzhou Fuyang Weiwen Environment Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-21.

Molybdenum nitride/titanium nitride nanotube array composite material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN105719843A. Автор: 田芳,谢一兵. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-29.

Titanium nitride-coated particles and conductive compositions comprising such titanium nitride coated particles

Номер патента: EP0401141A1. Автор: Brian R. Swallow. Владелец: Mearl Corp. Дата публикации: 1990-12-05.

Magnet, useful in ultra high vacuum applications, comprise magnetic body e.g. rare earth permanent magnet, chromium nitride layer as a covering layer disposed on a surface of magnetic body, and titanium nitride layer as interfacial layer

Номер патента: DE102012206464A1. Автор: Lothar Zapf,Werner Schroder,Susanne Meyer. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-10-24.

Methods and apparatus for reducing tungsten resistivity

Номер патента: WO2022060662A1. Автор: Prashanth Kothnur,Jianxin Lei,Wenting Hou,William R. Johanson,Jothilingam RAMALINGAM. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-24.

Full titanium nitride current collector/electrode super capacitor and preparation method thereof

Номер патента: CN109659156B. Автор: 杨旭,马晓倩,周大雨,孙纳纳. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2020-02-18.

Method of manufacturing self-heated hollow cathode from titanium nitride for plasma generation systems

Номер патента: RU2619591C1. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Александр Сергеевич Каменецких,Алексей Викторович Спирин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2017-05-17.

Post-titanium nitride mask ROM programming method

Номер патента: US5488009A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Yi-Chung Shen,Shing-Ren Sheu,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-01-30.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US20240276896A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Data transformation by replacement of sensitive information in a log

Номер патента: GB201220817D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-02.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US11832537B2. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: WO2021071629A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Carbide-silicon nitride luminophores

Номер патента: RU2430948C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезиа ХИНТЦЕН,Йуан Кианг ЛИ. Владелец: Тридоник.Атко Оптоэлектроникс Гмбх. Дата публикации: 2011-10-10.

Ceramics fixing heater containing silicon nitride

Номер патента: CA2246919C. Автор: Masuhiro Natsuhara,Yasuhisa Yushio,Hirohiko Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-11-25.

Silicon nitride sintered body

Номер патента: US5399536A. Автор: Akira Yamakawa,Koichi Sogabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-03-21.

Silicon nitride ceramic heater

Номер патента: US5998049A. Автор: SATOSHI Tanaka,Jun Fukuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Silicon nitride - tungsten carbide composite sintered material, production process therefor, and glow plug comprising the same

Номер патента: US20020148823A1. Автор: Masaya Ito,Hiroki Watanabe,Katsura Matsubara. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-17.

Silicon nitride core rib waveguides and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024186512A1. Автор: Haitao Zhang,Bin Zhu,Barry J. Paddock,Sukru Ekin Kocabas. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Heat-treatable coated product with ir-reflecting layers based on titanium nitride and ito

Номер патента: RU2754900C2. Автор: Говэнь ДИН,Ивэй ЛУ,Сейзар КЛАВЕРО,Даниель ШВАЙГЕРТ,Брент БОЙС,Минх Хуу ЛЭ. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-09-08.

Thermally treatable coated item with ir emission-reflecting titanium nitride-based layer(s)

Номер патента: RU2750788C2. Автор: Ивэй ЛУ,Филип Дж. Лингл,Патрисия ТАКЕР. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-07-02.

Heat-treated coating product with ir-reflecting layers based on titanium nitride and nickel-chromium

Номер патента: RU2748280C2. Автор: Ивэй ЛУ,Филип Дж. Лингл,Патрисия ТАКЕР. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-05-21.

Methods for applying metal coatings made of titanium nitride to glass products

Номер патента: RU2761391C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Старцев. Владелец: Дмитрий Юрьевич Старцев. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Reducing corrosion and water decomposition on a surface of a titanium nitride electrode

Номер патента: US20110308969A1. Автор: Hariklia Deligianni,Stefan Harrer,Binquan Luan,Hongbo Peng,Gustavo A. Stolovitzky,Stanislav Polonsky,Stephen Rossnagel,Shafaat Ahmed,Xiaoyan Shao,Glenn J. Martyna,Ali Afzali-Azdakani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for producing titanium-silicon sodium-containing product

Номер патента: RU2680493C1. Автор: Лидия Георгиевна Герасимова,Марина Валентиновна Маслова,Екатерина Сергеевна Щукина,Анатолий Иванович Николаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Кольский научный центр Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ РАН). Дата публикации: 2019-02-21.

Solar-control glazing unit comprising a layer of titanium nitride

Номер патента: US20230144355A1. Автор: Corentin Monmeyran,Laura Jane Singh,Lorenzo MANCINI,Alexandre Dehaupas. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2023-05-11.

Solar-control glazing unit comprising a layer of titanium nitride

Номер патента: US11884580B2. Автор: Corentin Monmeyran,Laura Jane Singh,Lorenzo MANCINI,Alexandre Dehaupas. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-01-30.

Dual titanium nitride layers for solar control

Номер патента: US6188512B1. Автор: Floyd Eugene Woodard,Yisheng Dai. Владелец: GMX Assoc Pte Ltd. Дата публикации: 2001-02-13.

Method for producing a titanium nitride coating on the surface of a titanium or titanium alloy substrate

Номер патента: US20240044035A1. Автор: Andrea Bonfanti,Alessandro Mancini,Federico Bertasi,Marco BANDIERA. Владелец: Brembo SpA. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for producing a titanium nitride coating on the surface of a titanium or titanium alloy substrate

Номер патента: EP4263921A1. Автор: Andrea Bonfanti,Alessandro Mancini,Federico Bertasi,Marco BANDIERA. Владелец: Brembo SpA. Дата публикации: 2023-10-25.

Use of titanium nitride as a counter electrode

Номер патента: EP3405787A1. Автор: John Foster,Janusz B. Wojtowicz,Markus Wallgren,Robert A. Yuan,Jason Komadina. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2018-11-28.

Use of titanium nitride as a counter electrode

Номер патента: WO2017125566A1. Автор: John Foster,Janusz B. Wojtowicz,Markus Wallgren,Robert A. Yuan,Jason Komadina. Владелец: Roche Diagnostics GmbH. Дата публикации: 2017-07-27.

Separated functional layer stack and titanium nitride layer for achieving solar control

Номер патента: EP2074443A2. Автор: Yisheng Dai,Sicco W.T. Westra,Boon Khee Yeo. Владелец: Novomatrix Pte Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Aluminum titanium nitride coating and method of making same

Номер патента: EP2483437A2. Автор: Yixiong Liu,Ronald M. Penich,Wangyang Ni,Michael F. Beblo. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Titanium nitride for MEMS bolometers

Номер патента: US09903763B2. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Ashwin K. SAMARAO,Gary O'brien,Fabian Purkl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-02-27.

Surface preparation and deposition method for titanium nitride onto carbonaceous

Номер патента: CA2121266C. Автор: Simon K. Nieh,Jesse N. Matossian,Frans G. Krajenbrink,Robert W. Schumacher. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1998-06-09.

Process for forming low resistivity titanium nitride films

Номер патента: US5279857A. Автор: Eric C. Eichman,Bruce A. Sommer,Michael J. Churley. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Process for forming low resistivity titanium nitride films

Номер патента: CA2114716A1. Автор: Eric C. Eichman,Bruce A. Sommer,Michael J. Churley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-03-04.

Titanium-nitride coated grinding wheel and method therefor

Номер патента: US5139537A. Автор: D. Lynn Julien. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-08-18.

Silicon nitride cutting tool and process for making

Номер патента: US4670024A. Автор: Deepak G. Bhat,Vinod Sarin,Paul F. Woerner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-06-02.

Ionic liquid-immobilized titanium-silicon molecular sieve catalyst and preparation method and use thereof, and method for preparing poly (butylene succinate)

Номер патента: US20240076447A1. Автор: Yukun Gao,Penggang Yin,Jihua Shi. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-07.

Reducing the susceptibility of titanium nitride optical layers to crack

Номер патента: US6707610B1. Автор: Yisheng Dai,Floyd E. Woodard. Владелец: Huper Optik International Pte Ltd. Дата публикации: 2004-03-16.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20030165619A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Titanium nitride-reinforced zirconia toughened alumina ceramic powder and preparation method thereof

Номер патента: US11345638B2. Автор: FENG Lin,CHAO Chen,Zhigang Xie,Peicheng MO,Jiarong Chen. Владелец: China Nonferrous Metal Guilin Geology and Mining Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Glazing comprising a stack of thin layers having two functional layer based on silver and multiple functional layers based on titanium nitride

Номер патента: WO2024042552A1. Автор: Veronique Rondeau,Priyesh DHANDHARIA,Uditendu MUKHOPADHYAY. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-02-29.

Ti/titanium nitride and ti/tungsten nitride thin film resistors for thermal ink jet technology

Номер патента: US5870121A. Автор: Lap Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Body joint replacement titanium implant having an anodically oxidized layer containing oxygen and silicon

Номер патента: CA2475168C. Автор: Hans-Georg Neumann,Peter Zeggel,Giles Melsom,Egidius Hermsen. Владелец: Diocom BV. Дата публикации: 2011-08-16.

Application of titanium nitride and tungsten nitride thin film resistor for thermal ink jet technology

Номер патента: US5710070A. Автор: Lap Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1998-01-20.

Glazing comprising a stack of thin layers having one functional layer based on silver and multiple functional layers based on titanium nitride

Номер патента: WO2024042546A1. Автор: Priyesh DHANDHARIA,Uditendu MUKHOPADHYAY. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-02-29.

Heatable low-e glazing comprising two layers based on titanium nitride

Номер патента: US20230339212A1. Автор: Norbert Huhn,Vincent Reymond,Corentin Monmeyran,Julie RUFF. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2023-10-26.

Titanium nitride-reinforced zirconia toughened alumina ceramic powder and preparation method thereof

Номер патента: US20200308057A1. Автор: FENG Lin,CHAO Chen,Zhigang Xie,Peicheng MO,Jiarong Chen. Владелец: China Nonferrous Metal Guilin Geology and Mining Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Plasma arc keyhole welding stability and quality through titanium nitride additions

Номер патента: US20020170888A1. Автор: John Sanders,John Lehmann,William McInteer. Владелец: McDermott Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Non-stoichiometric titanium nitride films

Номер патента: EP2222887A1. Автор: Anantha Padmanabhan Kuppuswamy,Ghanashyam Krishna Mamidipudi,Sri Rama Narasimha Kiran Mangalampalli. Владелец: Anna University. Дата публикации: 2010-09-01.

Process for depositing titanium nitride film by CVD

Номер патента: US5300321A. Автор: Tadashi Nakano,Tomohiro Ohta. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1994-04-05.

Polyester polymer and copolymer compositions containing titanium nitride particles

Номер патента: WO2007064312A2. Автор: Frederick Leslie Colhoun,Steven Lee Stafford,Zhiyong Xia,Susan Sims. Владелец: EASTMAN CHEMICAL COMPANY. Дата публикации: 2007-06-07.

Heat treatable coated article having titanium nitride based ir reflecting layer(s)

Номер патента: AU2018205723A1. Автор: Yiwei Lu,Patricia TUCKER,Philip J. Lingle. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2019-07-25.

Photolithography over reflective substrates comprising a titanium nitride layer

Номер патента: US4810619A. Автор: Thomas R. Pampalone,Edward C. Douglas,Brian C. Lee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-03-07.

Glazing comprising a stack of thin layers having two functional layers based on silver and titanium nitride

Номер патента: WO2024042545A1. Автор: Priyesh DHANDHARIA,Uditendu MUKHOPADHYAY. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-02-29.

Glazing comprising a stack of thin layers having three functional layers based on silver and on titanium nitride

Номер патента: WO2024042551A1. Автор: Veronique Rondeau,Priyesh DHANDHARIA,Uditendu MUKHOPADHYAY. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-02-29.

Separated functional layer stack and titanium nitride layer for achieving solar control

Номер патента: WO2008036363A2. Автор: Yisheng Dai,Sicco W.T. Westra,Boon Khee Yeo. Владелец: Novomatrix Pte Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Use of titanium nitride as a counter electrode

Номер патента: US20170212079A1. Автор: John Foster,Janusz B. Wojtowicz,Markus Wallgren,Robert A. Yuan,Jason Komadina. Владелец: Roche Molecular Systems Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Separated functional layer stack and titanium nitride layer for achieving solar control

Номер патента: WO2008036363B1. Автор: Yisheng Dai,Sicco W T Westra,Boon Khee Yeo. Владелец: Boon Khee Yeo. Дата публикации: 2008-12-24.

Vehicle gasoline produced by replacing methyl tertiary butyl ether

Номер патента: AU2021103811A4. Автор: Kai HAN,Jianpeng HAN. Владелец: Qingdao Yongquanhua Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Tin-titanium-silicon molecular sieve, preparation method and application thereof

Номер патента: US20230356202A1. Автор: Bin Zhu,MIN Lin,Xingtian Shu,Yujia Liu,Changjiu XIA,Xinxin PENG. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2023-11-09.

Solution for pickling coatings of titanium nitride

Номер патента: RU2019579C1. Автор: А.М. Полянский,С.В. Ружьева. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительной техники. Дата публикации: 1994-09-15.

Polyester polymer and copolymer compositions containing particles of titanium nitride and carbon-coated iron

Номер патента: CA2621779A1. Автор: Zhiyong Xia,Stephen Weinhold,Perry Michael Murdaugh. Владелец: Perry Michael Murdaugh. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for welding a titanium component with a titanium nitride coating

Номер патента: US11833605B2. Автор: Hailiang Zhao. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-12-05.

Quarternized titanium-nitride anti-bacterial coating for dental implants

Номер патента: US11864964B2. Автор: Christopher D. Batich,Arthur E. Clark, Jr.,Patrick Carey,Fan Ren,Josephine F. Esquivel-Upshaw. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Cobalt-nickel-chromium-molybdenum alloys with reduced level of titanium nitride inclusions

Номер патента: EP1664360B1. Автор: Robin M. Forbes Jones,Henry E. Lippard,David J. Bradley,Robert J. Myers,Timothy A. Stephenson. Владелец: Fort Wayne Metals Research Products LLC. Дата публикации: 2012-04-18.

Methods for crystal growth by replacing a sublimated target source material with a candidate source material

Номер патента: US11926922B2. Автор: Tian Yang,Min Li,Yu Wang,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for welding a titanium component with a titanium nitride coating

Номер патента: WO2022010641A1. Автор: Hailiang Zhao. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2022-01-13.

Quarternized titanium-nitride anti-bacterial coating for dental implants

Номер патента: EP3829522A1. Автор: Christopher D. Batich,Arthur E. Clark, Jr.,Patrick Carey,Fan Ren,Josephine F. Esquivel-Upshaw. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2021-06-09.

Quarternized titanium-nitride anti-bacterial coating for dental implants

Номер патента: US20240041575A1. Автор: Christopher D. Batich,Arthur E. Clark, Jr.,Patrick Carey,Fan Ren,Josephine F. Esquivel-Upshaw. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Cobalt-nickel-chromium-molybdenum alloys with reduced level of titanium nitride inclusions

Номер патента: EP1664360A1. Автор: Robin M. Forbes Jones,Henry E. Lippard,David J. Bradley,Robert J. Myers,Timothy A. Stephenson. Владелец: Fort Wayne Metals Research Products LLC. Дата публикации: 2006-06-07.

Method for creating new crop germplasm with broad-spectrum bacterial leaf streak resistance by gene editing and application thereof

Номер патента: LU506421B1. Автор: Dahui Huang. Владелец: Guangxi Academy Agricultural Sciences. Дата публикации: 2024-08-20.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Enhanced disease resistance by introduction of NH3

Номер патента: US09644214B2. Автор: Wei Bai,Pamela Ronald,Mawsheng Chern. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-05-09.

System and method for minimizing wave resistance by two-sided asymmetrical structure

Номер патента: RU2639354C2. Автор: Уильям ПФЛУГ,Брайан Дж. ТИЛЛОТСОН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2017-12-21.

Radiation mask for producing structural configurations in photo-sensitive resists by X-ray exposure

Номер патента: US4268563A. Автор: Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1981-05-19.

Methods to overcome drug resistance by re-sensitizing cancer cells to treatment with a prior therapy via treatment with a t cell therapy

Номер патента: WO2023220655A1. Автор: NATHAN MARTIN,Timothy Campbell,Shari KAISER,Ethan THOMPSON,Jennifer Erin Flynt,Nicholas STONG. Владелец: Celgene Corporation. Дата публикации: 2023-11-16.

Enhanced disease resistance by introduction of nh3

Номер патента: US20130152227A1. Автор: Wei Bai,Pamela Ronald,Mawsheng Chern. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-06-13.

Sintered silicon nitride and method for producing the same

Номер патента: US20080220963A1. Автор: Naohito Yamada,Takahiro Takahashi,Kazuhiro Nobori,Hideyuki Baba. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Silicon nitride compositions

Номер патента: CA2540048C. Автор: Michael Cohen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-21.

Sintering of silicon nitride with Be additive

Номер патента: US4374792A. Автор: Svante Prochazka,Charles D. Greskovich. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-02-22.

Silicon nitride with improved high temperature strength

Номер патента: CA1268488A. Автор: Russell L. Yeckley. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1990-05-01.

Silicon nitride-ceramic and a manufacturing method therof

Номер патента: US4886767A. Автор: Yasuhiro Goto,Takeyuki Yonezawa,Yoshiyuki Ohnuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-12-12.

Method of obtaining high-alloy heat resistant alloys on nickel base with titanium and aluminium content in narrow range

Номер патента: RU2716326C1. Автор: Илья Викторович Кабанов,Евгений Владимирович Шильников,Борис Владимирович Троянов,Татьяна Александровна Топилина. Владелец: Акционерное общество "Металлургический завод "Электросталь". Дата публикации: 2020-03-11.

Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same

Номер патента: US5118645A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow,Douglas B. Schwarz,Donald R. Beaman,Barbara M. Pyzik,William J. Dubensky. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Dense silicon nitride ceramic having fine grained titanium carbide

Номер патента: US5908796A. Автор: William Collins,Vimal Pujari. Владелец: Saint Gobain Industrial Ceramics Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of producing aluminum-based neutron-absorbing material containing layers with titanium diboride

Номер патента: RU2693580C1. Автор: Владимир Николаевич Скоробогатых,Александр Федорович Дегтярев,Евгений Львович Муханов,Фейзула Алибала оглы Нуралиев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Центральный научно-исследовательский институт технологии машиностроения" АО "НПО "ЦНИИТМАШ". Дата публикации: 2019-07-03.

Method of obtaining a composite material based on aluminium or its alloy doped with titanium

Номер патента: RU2742874C1. Автор: Лилия Александровна Пасечник,Сергей Павлович Яценко,Наиль Аделевич Сабирзянов,Владимир Михайлович Скачков,Светлана Александровна Бибанаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-02-11.

Sintered silicon carbide-based refractory material with silicon nitride as binder

Номер патента: RU2496745C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье МАРГЮИН,Лионель МУАТРИЕ,Оливье Ситти. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2013-10-27.

Silicon nitride based charge and method for production of articles thereof

Номер патента: RU2610744C1. Автор: Татьяна Алексеевна Сафронова,Петр Георгиевич Лапин,Мария Анатольевна Громыхина,Анастасия Валерьевна Козлова. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2017-02-15.

Process for producing silicon nitride

Номер патента: CA1308231C. Автор: Sadashiv Nadkarni,Mukesh Jain. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1992-10-06.

Silicon nitride electrosurgical blade

Номер патента: US4850353A. Автор: Peter Stasz,Scott R. Grabinger,Jeffrey J. Solberg. Владелец: Everest Medical Corp. Дата публикации: 1989-07-25.

Lubricants with titanium and/or tungsten and their use for reduction of premature ignition of mixture at low rpm

Номер патента: RU2719479C2. Автор: Кристин ФЛЕТЧЕР,Уильям У. ЛЕМ,Куншен ЯНГ,Джереми СТАЙЕР. Владелец: Эфтон Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2020-04-17.

Welded coat with titanium carbide and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2682738C2. Автор: Петр ФИАЛА,Отело Энойо ЧЕЙВЗ,Эрик КОЗКУЛАБ. Владелец: ЭРЛИКОН МЕТКО (ЮЭс) ИНК.. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of producing highly porous silicon nitride material with fibrous structure and installation for its implementation

Номер патента: RU2634443C1. Автор: Виктор Григорьевич Гилев,Иван Борисович Пуртов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-10-30.

Method for plastic repair of cotyloid cavity defects with titanium mesh

Номер патента: RU2715210C1. Автор: Елена Александровна Волокитина,Сергей Михайлович Кутепов,Антон Сергеевич Ершов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО УГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2020-02-25.

SOLAR CELL BUILT AROUND p-TYPE HETEROSTRUCTURE OF AMORPHOUS AND NANOCRYSTALLINE SILICON NITRIDE - SILICON

Номер патента: RU2568421C1. Автор: Родригес Веласкес Гуни,Василий Сергеевич Захвалинский,Евгений Александрович Пилюк,Дормидонт Архипович Шербан,Алексей Васильевич Симашкевич,Леонид Измайлович Брук. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет", (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2015-11-20.

Method of soldered connection of alumina ceramic with titanium alloy bt1-0

Номер патента: RU2717446C1. Автор: Борис Александрович Калин,Владимир Иванович Пахалюк,Иван Владимирович Федотов,Олег Николаевич Севрюков,Юрий Михайлович Немчинов,Александр Александрович Иванников,Алексей Николаевич Сучков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2020-03-23.

Silicon nitride components with protective coating

Номер патента: US6582779B2. Автор: Derek Raybould,Chien-Wei Li,Milton Ortiz,Thomas Edward Strangman. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Manufacturing method of forges from austenite steels stabilised with titanium

Номер патента: RU2373297C1. Автор: Андрей Геннадьевич Лебедев,Владимир Семенович Дуб,Леонид Яковлевич Левков,Дмитрий Александрович Шурыгин,Светлана Николаевна Баринова,Яков Маркович Васильев,Виталий Георгиевич Волков,Олег Степанович Коростин,Владимир Васильевич Чуев. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Центральный научно-исследовательский институт технологии машиностроения" ОАО НПО "ЦНИИТМАШ". Дата публикации: 2009-11-20.

Method of producing porous material based on silicon nitride

Номер патента: RU2736195C1. Автор: Владимир Николаевич Манжай,Мария Сергеевна Фуфаева,Константин Александрович Болгару. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-12.

Composition, manufacturing and application of silicon nitride as biomaterial for medicinal purposes

Номер патента: RU2229313C2. Автор: Кент ОЛЬССОН,Ли ЙИАНГУО,Урбан ЛИНДГРЕН. Владелец: Биомат Систем Аб. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of producing hybrid material based on multi-walled carbon nanotubes with titanium carbide coating

Номер патента: RU2612247C1. Автор: Николай Михайлович Семенов,Георгий Алексеевич Домрачев,Анатолий Михайлович Объедков,Кирилл Владимирович Кремлев,Сергей Юлиевич Кетков,Борис Сергеевич Каверин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН). Дата публикации: 2017-03-03.

Rare-earth doped phosphor based on alkali-earth element and silicon nitride, method for production thereof and radiation converting device containing said phosphor

Номер патента: RU2470980C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Ченг-Джун ДУАН,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезия ХИНТЦЕН,Анна Шарлотта Ануанетта ДЕЛСИНГ. Владелец: Ледон Лайтинг Йеннерсдорф Гмбх. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of making of caked article made of silicon nitride

Номер патента: RU2028997C1. Автор: И.П. Боровинская,В.А. Горшков,В.И. Юхвид,С.Ю. Шаривкер,А.М. Князик. Владелец: Институт структурной макрокинетики РАН. Дата публикации: 1995-02-20.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA2036010C. Автор: Manabu Isomura,Hiroaki Sakai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1996-07-16.

Process for joining silicon nitride based ceramic bodies

Номер патента: CA1147538A. Автор: Howard D. Blair,Morton E. Milberg. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-06-07.

Silicon nitride sintered body and process for producing the same

Номер патента: CA2058151C. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto,Koichi Sogabe,Tomoyuki Awatsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-02-13.

Process for producing corrosion resistant silicon nitride bodies containing La2 O3

Номер патента: US4749539A. Автор: Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA1239943A. Автор: Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1988-08-02.

Superplastic silicon nitride sintered body

Номер патента: US5672553A. Автор: Mamoru Mitomo,Hideki Hirotsuru,Toshiyuki Nishimura,Hisayuki Suematsu. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1997-09-30.

Reaction sintered boride-oxide-silicon nitride for ceramic cutting tools

Номер патента: CA1260505A. Автор: Thomas P. Deangelis. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1989-09-26.

Method of manufacturing a silicon nitride body

Номер патента: GB1335842A. Автор: . Владелец: Joseph Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1973-10-31.

Silicon nitride powders for ceramics by carbothermic reduction and the process for the manufacture thereof

Номер патента: AU7103787A. Автор: Roland Bachelard,Philippe Joubert. Владелец: Atochem SA. Дата публикации: 1987-10-08.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6936548B2. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2005-08-30.

Silicon nitride sintered bodies and method for producing the same

Номер патента: CA1207804A. Автор: Keiji Matsuhiro,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1986-07-15.

Silicon nitride based components

Номер патента: GB1528160A. Автор: . Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1978-10-11.

Formation of silicon nitride film for a phase shift mask at 193 nm

Номер патента: US6045954A. Автор: Chang-Ming Dai,Lon A. Wang,H.L. Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-04-04.

Polysilazanes, processes for their preparation, ceramic materials which contain silicon nitride and can be prepared from them, and preparation thereof

Номер патента: CA1320305C. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-07-13.

Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same

Номер патента: CA1257298A. Автор: Tomonori Takahashi,Takao Soma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-07-11.

Silicon nitride life prediction method

Номер патента: CA1122438A. Автор: Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1982-04-27.

Process for producing high purity silicon nitride by the direct reaction between elemental silicon and nitrogen-hydrogen liquid reactants

Номер патента: US4935214A. Автор: Eloise A. Pugar,Peter E. D. Morgan. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-06-19.

Method of manufacturing silicon nitride powder

Номер патента: GB1414143A. Автор: . Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-11-19.

Process for preparing high-purity α-type silicon nitride

Номер патента: US4346068A. Автор: Kiyoshi Kasai,Yoshitaka Kubota,Takaaki Tsukidate. Владелец: Toyo Soda Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-24.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

Silicon nitride ceramic and cutting tool made thereof

Номер патента: US5382273A. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Robert D. Nixon. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

High thermal conductive silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: US5439856A. Автор: Michiyasu Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Silicon nitride-based sintered material and method for manufacturing the same

Номер патента: GB1521693A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-08-16.

Method of forming high density beta silicon nitride

Номер патента: CA1092325A. Автор: Gerald Q. Weaver. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1980-12-30.

Method of molding silicon nitride ceramics

Номер патента: US5385701A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Osamu Komura,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-01-31.

Method of manufacturing silicon nitride objects

Номер патента: GB2065714A. Автор: . Владелец: Ford Motor Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-01.

Method of making silicon nitride based cutting tools - i

Номер патента: CA1142334A. Автор: Andre Ezis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-03-08.

Process for producing silicon nitride

Номер патента: US4990471A. Автор: Sadashiv Nadkarni,Mukesh K. Jain. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1991-02-05.

Method for producing powder of α-silicon nitride

Номер патента: US4368180A. Автор: Hiroshi Inoue,Akihiko Tsuge,Katsutoshi Komeya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-11.

A1n coated silicon nitride-based cutting tools

Номер патента: CA1333242C. Автор: Charles D'angelo,Vinod K. Sarin. Владелец: Valenite LLC. Дата публикации: 1994-11-29.

Coated composite silicon nitride cutting tools

Номер патента: US4441894A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-04-10.

Sintered silicon nitride base ceramic and said ceramic

Номер патента: US4025351A. Автор: Hideyuki Masaki. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1977-05-24.

Process for making a homogeneous doped silicon nitride article

Номер патента: CA1273185A. Автор: Sophia R. Su,Sheldon Lieberman,Elizabeth Trickett. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-08-28.

Silicon nitride reinforced with molybdenum disilicide

Номер патента: US5064789A. Автор: John J. Petrovic,Richard E. Honnell. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1991-11-12.

Silicon nitride-alumina composite ceramics and producing method thereof

Номер патента: US4845061A. Автор: Kazuhiro Inoguchi,Naochika Nunogaki,Novuei Ito,Tetsuo Toyama. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1989-07-04.

Improvements in or relating to the manufacture of silicon nitride and oxynitride

Номер патента: GB1028977A. Автор: . Владелец: ERIC CAMPBELL SHEARS. Дата публикации: 1966-05-11.

Silicon nitride wear resistant member and method of manufacturing the member

Номер патента: US6784131B2. Автор: Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Hiroki Tonai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: CA2049204A1. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Barbara M. Pyzik. Дата публикации: 1992-02-16.

Sintered silicon nitride bodies suitable for use as high impact materials

Номер патента: CA2059775C. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-08-20.

Process for making silicon nitride cutting tool material

Номер патента: US6066582A. Автор: Marianne Collin,Magnus Ekelund. Владелец: Sandvik Ab. Дата публикации: 2000-05-23.

Process for producing silicon nitride sintered material

Номер патента: US5178809A. Автор: Akira Takahashi,Keiichiro Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1993-01-12.

Method of making a silicon nitride part

Номер патента: CA1094892A. Автор: Andre Ezis,James C. Uy. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1981-02-03.

Production of silicon nitride whiskers

Номер патента: GB998167A. Автор: Christopher Charles Evans. Владелец: TI Group Services Ltd. Дата публикации: 1965-07-14.

Hot pressed, high strength silicon nitride

Номер патента: US3830652A. Автор: G Gazza. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1974-08-20.

Method for manufacture of silicon nitride

Номер патента: US4396587A. Автор: Isamu Iwami,Masami Yamaguchi,Yoshiharu Kitahama,Yoshirou Tajitsu. Владелец: Asahi Dow Ltd. Дата публикации: 1983-08-02.

Method for making sintered silicon nitride articles

Номер патента: US4462816A. Автор: Robert W. Wolfe,Joseph J. Cleveland. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1984-07-31.

Non-densified silicon nitride beta-phase material

Номер патента: US5405592A. Автор: Bohdan Lisowsky,James P. Edler. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Silicon nitride-zirconium silicate ceramics

Номер патента: US4069059A. Автор: William J. McDonough,Roy W. Rice. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1978-01-17.

Silicon nitride based ceramics and method

Номер патента: US4603116A. Автор: Carr Lane W. Quackenbush,J. Thomas Smith,Anthony P. Moschetti,Helmut Lingertat. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-07-29.

Continuous process for the preparation of silicon nitride by carbonitriding and silicon nitride obtained thereby

Номер патента: IL104435A. Автор: . Владелец: Atochem Elf Sa. Дата публикации: 1996-11-14.

Silicon nitride sintered members

Номер патента: US4940680A. Автор: Tomonori Takahashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1990-07-10.

Polycrystalline sintered articles based on silicon nitride and sintering additives

Номер патента: US4814301A. Автор: Alfred Lipp,Detlef Steinmann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-03-21.

Tool comprised of a silicon nitride sintered body

Номер патента: US5171723A. Автор: Toshio Nomura,Hideki Moriguchi,Mitsunori Kobayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-12-15.

Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same

Номер патента: US4795724A. Автор: Tomonori Takahashi,Takao Soma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-01-03.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: US4256688A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1981-03-17.

Improvements in or relating to the Production of Silicon Nitride Articles

Номер патента: GB1168499A. Автор: Richard Alan Taylor. Владелец: Birmingham Small Arms Co Ltd. Дата публикации: 1969-10-29.

Method for manufacturing a sintered body of silicon nitride

Номер патента: US4971740A. Автор: Takeshi Kawashima,Hiroaki Nishio. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1990-11-20.

Process for producing silicon nitride sliding member

Номер патента: US5961907A. Автор: Takashi Matsuura,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Masamichi Yamagiwa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Chlorine-containing silazane polymers, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be prepared from them, and their preparation

Номер патента: CA2004404A1. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1990-06-03.

Sintering of silicon nitride to high density

Номер патента: US4379110A. Автор: Svante Prochazka,Charles D. Greskovich,John A. Palm. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-04-05.

Silicon nitride sintered material for cutting tools and process for making the same

Номер патента: US4769350A. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-09-06.

Method for producing dense silicon nitride containing yttrium oxide and aluminum oxide and having high temperature strength and oxidation resistance

Номер патента: CA1122385A. Автор: J. Thomas Smith,Carr L.W. Quackenbush. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-04-27.

Composite material including silicon carbide and/or silicon nitride short fibers as reinforcing material and aluminum alloy with copper and relatively small amount of silicon as matrix metal

Номер патента: US4720434A. Автор: Masahiro Kubo,Atsuo Tanaka,Hidetoshi Hirai,Tadashi Dohnomoto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1988-01-19.

Method of making a densified silicon nitride/oxynitride composite

Номер патента: US4496503A. Автор: Elaine C. Beckwith,Andre Ezis,Howard D. Blair. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1985-01-29.

Production of silicon nitride material components

Номер патента: US3819786A. Автор: E May. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1974-06-25.

Abrasion resistant articles based on silicon nitride

Номер патента: CA1155874A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-10-25.

Silicon nitride ceramics

Номер патента: GB2169594A. Автор: Isao Ikeda,Hiroyasu Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-07-16.

Method of joining a pair of silicon nitride parts

Номер патента: US3881904A. Автор: Roger Francis Stokes,Brian John Hunt. Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-05-06.

Protection of silicon nitride artefacts

Номер патента: GB1510310A. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1978-05-10.

Silicon nitride sintered bodies and a method of producing the same

Номер патента: US4818733A. Автор: Tomonori Takahashi,Masahiro Shirai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-04-04.

Abrasive articles including abrasive particles of silicon nitride

Номер патента: WO2013003830A3. Автор: Guan Wang,Vimal K. Pujari,Yves Boussant-Roux. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Synthesis of silicon nitride

Номер патента: CA1192377A. Автор: Kunihiko Terase,Hitoshi Kijimuta,Kimihiko Sato. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-27.

Silicon nitride whiskers

Номер патента: GB2178417A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Shiro Mitsuno. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-11.

Method for preparing silicon nitride and silicon nitride composites

Номер патента: US5980699A. Автор: Scott F. Timmons,Renee C. Graef,Stuart T. Schwab,Montgomery D. Grimes. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 1999-11-09.

Chlorine-containing silazane polymers, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be prepared from them, and their preparation

Номер патента: US5032663A. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1991-07-16.

Sintered silicon nitride ceramic articles having surface layers of controlled composition

Номер патента: US4400427A. Автор: Vincent W. Nehring,J. Thomas Smith,Anthony P. Moschetti,Helmut Lingertat,Carr L. W. Quackenbush. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-08-23.

Fiber-reinforced silicon nitride ceramics

Номер патента: CA1302059C. Автор: Normand D. Corbin,Stephen D. Hartline,George A. Rossetti, Jr.. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1133683A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1982-10-19.

Fiber-reinforced silicon nitride ceramic

Номер патента: US5187127A. Автор: Yasuhiro Goto,Takeyuki Yonezawa,Yoshiyuki Ohnuma,Jen Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-02-16.

Method of densifying an article formed of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: US4356136A. Автор: John A. Mangels. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1982-10-26.

Silicon nitride sintered products having high corrosion resistance and process for production thereof

Номер патента: US4499192A. Автор: Yasushi Matsuo,Yoshinori Hattori,Toru Shimamori. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1985-02-12.

Process for manufacturing foils, sheets and shaped parts from an alloy with titanium and aluminium as its main elements

Номер патента: EP2272665A1. Автор: Jiulai Prof. Dr.-Ing. Zhang,Christoph Prof. Dr.-Ing. Leyens. Владелец: BRANDENBURGISCHE TECHNISCHE UNIVERSITAET COTTBUS. Дата публикации: 2011-01-12.

Sintered self-reinforced silicon nitride

Номер патента: US5312785A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1994-05-17.

Improvements relating to silicon nitride

Номер патента: GB1117788A. Автор: John Martin Herbert,Gerald George Deeley. Владелец: Plessey UK Ltd. Дата публикации: 1968-06-26.

Process for making a homogeneous doped silicon nitride article

Номер патента: US4814128A. Автор: Sophia R. Su,Sheldon Lieberman,Elizabeth Trickett. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1989-03-21.

Silicon nitride ceramic having devitrified intergranular glass phase and a process for its preparation

Номер патента: US5128287A. Автор: Marcellus Peuckert. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1992-07-07.

Method of producing silicon-nitride-based sintered body

Номер патента: US5122486A. Автор: Masakazu Watanabe,Katsuhisa Yabuta,Tomohisa Kito. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-16.

Transparent article having protective silicon nitride film

Номер патента: CA2189430C. Автор: Robert Bond,Roger P. Stanek,Wayne Hoffman. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2007-07-10.

Silicon nitride sintered body and method for preparing the same

Номер патента: CA1223013A. Автор: Mikio Fukuhara,Yoshitaka Maekawa. Владелец: Toshiba Tungaloy Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-16.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: US5091347A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-02-25.

Process for production of silicon nitride

Номер патента: CA1247326A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Shiro Mitsuno. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-28.

Polymeric hydridochlorosilazanes, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be manufactured therefrom, and their manufacture

Номер патента: CA2004399A1. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Thomas Gerdau,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1990-06-03.

Method of manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1091907A. Автор: Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1980-12-23.

High density silicon nitride bodies

Номер патента: US4879080A. Автор: Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1989-11-07.

Process for the growth of alpha silicon nitride whiskers

Номер патента: US4604273A. Автор: Robin W. Munn,Samuel Natansohn,Robert A. Long,Gary Czupryna. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-08-05.

Production and sintering of reaction bonded silicon nitride composites containing silicon carbide whiskers or silicon nitride powders

Номер патента: US4919868A. Автор: Jow-Lay Huang. Владелец: Champion Spark Plug Co. Дата публикации: 1990-04-24.

Method of machining silicon nitride ceramics and silicon nitride ceramics products

Номер патента: CA2073388C. Автор: Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-01-23.

Composite powder comprising silicon nitride and silicon carbide

Номер патента: US5767025A. Автор: Hitoshi Toyoda,Yoshikatsu Higuchi,Kazumi Miyake,Kagehisa Hamazaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Sintered silicon nitride and production method thereof

Номер патента: US5126294A. Автор: Akira Okada,Naoto Hirosaki. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-30.

Silicon nitride ceramic and cutting tool made thereof

Номер патента: CA2149658C. Автор: Pankaj Kumar Mehrotra,Robert David Nixon. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Method of forming silicon nitride films

Номер патента: US20090087586A1. Автор: Toshiya Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Polymeric hydridochlorosilazanes, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be manufactured therefrom, and their manufacture

Номер патента: US5189132A. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Thomas Gerdau,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-02-23.

Silicon nitride life prediction method

Номер патента: US4151740A. Автор: Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1979-05-01.

Silicon diimide, a process for it's preparation and silicon nitride obtained therefrom

Номер патента: CA2052401A1. Автор: Aloys Eiling,Martin Jansen,Hans-Peter Baldus,Ulrich Wannagat,Adrian Schervan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-04-03.

High-packing silicon nitride powder and method for making

Номер патента: US5348919A. Автор: Akio Otsuka,Meguru Kashida,Haruyoshi Kuwabara,Yasuyuki Maki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-20.

Silicon nitride sintered product

Номер патента: CA1314293C. Автор: Kenji Nakanishi,Kazuhiro Urashima,Masakazu Watanabe,Yo Tajima. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-09.

Silicon nitride sintered body, rolling body using same, and bearing

Номер патента: EP4209472A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US11807582B1. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: EP4335834A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: EP4310051A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for preparing silicon nitride ceramic material

Номер патента: EP4282845A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

High-thermal-conductivity silicon nitride ceramic insulating plate and preparation method therefor

Номер патента: EP4269372A1. Автор: He Jing,Xiao He,Feng Sun,Xuemin Xu,Weiru Zhang,Panpan LIANG,Tingxia Dong,Peiyuan Lv,Jinmeng XU,Wenzhao WEI,Zhijie DING. Владелец: Sinoma Advanced Nitride Ceramics Co ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Ceramic composition, silicon nitride ceramic material and preparation method therefor, and ceramic product

Номер патента: ZA202308665B. Автор: LIANG XIAO,Yongquan Li,Xiaofeng Zeng,Fulin Zhu,Lihong Qian,Juxi Chen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US11919824B2. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2024-03-05.

Silicon nitride waveguide based integrated photonics front-end chip for optical gyroscope

Номер патента: US20240068813A1. Автор: Mike Horton,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Low loss silicon nitride and waveguides comprising low loss silicon nitride

Номер патента: WO2024049944A1. Автор: Robert Higashi,Robert Horning,David Deen,Christopher John CARRON,Molly KROGSTAD. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for preparing silicon nitride ceramic material

Номер патента: US20240076243A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-03-07.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US20180147336A1. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: US11819847B2. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Nanostructured Silicon Nitride Synthesis from Agriculture Waste

Номер патента: US20170362087A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-12-21.

Nanostructured Silicon Nitride Synthesis from Agriculture Waste

Номер патента: US20190169028A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-06-06.

Nanostructured silicon nitride synthesis from agriculture waste

Номер патента: US10239757B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-03-26.

Nanostructured silicon nitride synthesis from agriculture waste

Номер патента: US10662062B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2020-05-26.

Hybrid, artificial bone tissue implant absorbing mechanical vibrations, whose architectural structure imitates trabecular bone, allowing the saturation of bone marrow, blood, and nutrients, supporting autological regeneration, which can be used with titanium structure

Номер патента: CA3215063A1. Автор: Mustafa Cüneyt Çikman,Gazi HURI,Oktay Topaloglu. Владелец: Bloocell Saglik Teknolojileri Sanayi Ve Ticaret Ltd Sirketi. Дата публикации: 2022-10-20.

Systems and methods for selective laser sintering of silicon nitride and metal composites

Номер патента: EP4232228A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member, and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4317106A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Kazuya Ookubo,Kai Funaki,Shoya Sano. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Optically efficient silicon nitride edge couplers in photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023215456A1. Автор: David Snyder,Sriram Tyagarajan,Kalpendu Shastri,Anujit Shastri,Rao Yelamarty,Ravinder Kachru. Владелец: Aayuna Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US11782211B2. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US20200197565A1. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Systems and methods for rapid inactivation of SARS-CoV-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: US11844344B2. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member, and method for manufacturing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4317107A1. Автор: Kazuya Ookubo. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for producing silicon nitride sinterned body

Номер патента: EP4317057A1. Автор: Satoru Wakamatsu,Dai Kusano,Kunihiro GOTOU. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Preparation method of high-thermal-conductivity and net-size silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240116821A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-04-11.

Multi-layer silicon nitride waveguide based integrated photonics optical gyroscope chip with electro-optic phase shifter

Номер патента: US20220011111A1. Автор: Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Co-manufacturing of silicon-on-insulator waveguides and silicon nitride waveguides for hybrid photonic integrated circuits

Номер патента: US11796737B2. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Genxcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in mems manufacture

Номер патента: WO2007084317A2. Автор: Teruo Sasagawa,Wonsuk Chung,Steve Zee. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-07-26.

Vanadium silicon nitride film, member coated with vanadium silicon nitride film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190390331A1. Автор: Hiroyuki Matsuoka,Wataru Sakakibara,Satoru HABUKA. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Hybrid, artificial bone tissue implant absorbing mechanical vibrations, whose architectural structure imitates trabecular bone, allowing the saturation of bone marrow, blood, and nutrients, supporting autological regeneration, which can be used with titanium structures

Номер патента: EP4323028A1. Автор: Mustafa Cüneyt Çikman,Gazi HURI,Oktay Topaloglu. Владелец: Bloocell Saglik Teknolojileri Sanayi Ve Ticaret Ltd Sirketi. Дата публикации: 2024-02-21.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4324808A2. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Sintered reaction-bonded silicon nitride components

Номер патента: WO1996001236A1. Автор: Robert Alan Wordsworth,Carol Jayne Pindar,Nicholas Dominic Butler,Matthew Arnold Hepworth. Владелец: T & N Technology Limited. Дата публикации: 1996-01-18.

Silicon nitride waveguide based integrated photonics front-end chip for optical gyroscope

Номер патента: WO2024043955A1. Автор: Mike Horton,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for producing spherical silicon nitride powder

Номер патента: US20190177162A1. Автор: Kuan-Ting Lai,Chun-Te Wu,Cheng-Hung Shih,Yang-Kuo Kuo. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2019-06-13.

Silicon nitride sintered body, rolling element using the same, and bearing

Номер патента: US20230303454A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Systems and methods for rapid inactivation of sars-cov-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: EP4171225A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Preparation method for copper plate-covered silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: EP4282848A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Yan Liu,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Batch sintering method for high-property silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240067576A1. Автор: HUI Zhang,Jian Huang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing silicon nitride substrate

Номер патента: EP4032700A1. Автор: Seung Yeon Lee,Eun Ok Chi,Seunggwan LEE. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Environment-friendly exhaust apparatus for use in sintering of porous silicon nitride ceramic material

Номер патента: NL2035879A. Автор: XIAO Liang,DENG Xiaofeng,Zhu Fulin,Tan Haowen,Tan Qingwen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-08.

Preparation method for copper plate-covered silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240067577A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Yan Liu,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Synthesis method of silicon nitride powder and sintered body

Номер патента: US20230339755A1. Автор: In Chul CHO. Владелец: ZONE INFINITY CO Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Silicon nitride based crucible

Номер патента: SG181418A1. Автор: Haavard Soerheim,Arve Solheim,De Schootbrugge Egbert Van. Владелец: Saint Gobain Ind Keramik Roedental Gmbh. Дата публикации: 2012-07-30.

Silicon nitride based crucible

Номер патента: US20120275983A1. Автор: Arve Solheim,Havard Sorheim,Egbert Van De Schootbrugge. Владелец: Saint Gobain IndustrieKeramik Roedental GmbH. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for continuously producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US20230357087A1. Автор: Dai Kusano. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Hybrid, artificial bone tissue implant absorbing mechanical vibrations, whose architectural structure imitates trabecular bone, allowing the saturation of bone marrow, blood, and nutrients, supporting autological regeneration, which can be used with titanium structures

Номер патента: AU2021440208A1. Автор: Mustafa Cüneyt Çikman,Gazi HURI,Oktay Topaloglu. Владелец: Bloocell Saglik Teknolojileri Sanayi Ve Ticaret Ltd Sirketi. Дата публикации: 2023-10-26.

Co-Manufacturing of Silicon-on-Insulator Waveguides and Silicon Nitride Waveguides for Hybrid Photonic Integrated Circuits

Номер патента: US20240004133A1. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Orca Computing Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Silicon Nitride Sintered Body, Wear-Resistant Member, And Method For Producing Silicon Nitride Sintered Body

Номер патента: US20230391677A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Kazuya Ookubo,Kai Funaki,Shoya Sano. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicon nitride powder production method, silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate using same

Номер патента: US20150056121A1. Автор: Takeshi Yamao,Koji Shibata,Takayuki Fujii,Masataka Fujinaga,Michio Honda,Takuji OHMARU. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: WO2022020022A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-01-27.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: EP4182087A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: US20220016628A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Silicon nitride sintered body and process for producing the same

Номер патента: CA2060241A1. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-11-23.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US11940572B2. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US20220196813A1. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Dense silicon nitride body having high strength, high weibull modulus and high fracture toughness

Номер патента: WO2011142789A2. Автор: Biljana Mikijelj. Владелец: CERADYNE, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Silicon nitride cutting tool

Номер патента: US8496718B2. Автор: Takashi Watanabe,Shuichi Tateno,Tatsuyuki Nakaoka,Hiroshi Yoshimitsu,Takero Fukudome. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Silicon nitride wear resistant member and method for producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US20160137556A1. Автор: Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Silicon Nitride Sintered Body, Wear-Resistant Member, And Method For Manufacturing Silicon Nitride Sintered Body

Номер патента: US20230382809A1. Автор: Kazuya Ookubo. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: WO2019064172A1. Автор: CHENG Chi,Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Chi-chun Liu,Indira Seshadri,Luciana Meli Thompson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-04-04.

Batch sintering method for high-performance silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: EP4282844A1. Автор: HUI Zhang,Jian Huang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: US20240140798A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: WO2021034385A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-02-25.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: EP4214796A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on plastic

Номер патента: US20210180177A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of manufacturing silicon nitride whiskers

Номер патента: US5334565A. Автор: Masao Noguchi,Yusaku Takita,Tatsumi Ishihara,Yukako Mizuhara. Владелец: Ohita Gas Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon that is transparent in visible light, method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon nitride that is transparent in visible light, and method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon oxide that is transparent in visible light

Номер патента: US20240084444A1. Автор: Jun Suk RHO,Young Hwan YANG,Gwan Ho YOON. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon nitride sintered body and wear-resistant member using the same

Номер патента: US20240025811A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata,Naoto HOUTSUKI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Environment-friendly exhaust apparatus for use in sintering of porous silicon nitride ceramic material

Номер патента: NL2035879B1. Автор: XIAO Liang,DENG Xiaofeng,Zhu Fulin,Tan Haowen,Tan Qingwen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Forming a composite pressure diaphragm with implantations, epitaxy, and a silicon nitride layer

Номер патента: WO2002054032A1. Автор: Michael J. Haji-Sheikh,Gilberto Morales. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-07-11.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: WO2024129761A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon nitride wave-transmitting material, preparation process and preparation apparatus

Номер патента: GB2625431A. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Silicon nitride ceramic heating and ignition device for granular fuel barbecue oven

Номер патента: US20230165403A1. Автор: Shirong Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-01.

Hybrid, artificial bone tissue implant absorbing mechanical vibrations, whose architectural structure imitates trabecular bone, allowing the saturation of bone marrow, blood, and nutrients, supporting autological regeneration, which can be used with titanium structures

Номер патента: US20240197958A1. Автор: Mustafa Cüneyt Çikman,Gazi HURI,Oktay Topaloglu. Владелец: Bloocell Saglik Teknolojileri Sanayi Ve Ticaret Ltd Sirketi. Дата публикации: 2024-06-20.

Co-manufacturing of silicon-on-insulator waveguides and silicon nitride waveguides for hybrid photonic integrated circuits

Номер патента: US12032205B2. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Orca Computing Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Production process and production device of silicon nitride wave-absorbing material

Номер патента: GB2625432A. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Silicon nitride sintered body, machine part, and bearing

Номер патента: EP4397643A1. Автор: Yuta Ito,Yasutake Hayakawa. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Silicon nitride porous body and its production process

Номер патента: EP1167321A3. Автор: Nobuhiro Shinohara,Kanji Arai,Naomichi Miyakawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-13.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: GB2579525A. Автор: Guo Jing,Liu Chi-chun,Meli Thompson Luciana,CHI Cheng,Seshadri Indira,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of forming pattern structure including silicon nitride

Номер патента: US20240209497A1. Автор: Jihoon Park,Seong Gil Lee,Dong Sub Oh,Wan Jae Park,Hye Joon KHEEL,Yun Woo KIM,Da Yeong JEONG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Dense silicon nitride body having high strength, high weibull modulus and high fracture toughness

Номер патента: EP2526076A2. Автор: Biljana Mikijelj. Владелец: Ceradyne Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4017548A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: AU2020334770A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4324808A3. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Silicon nitride containers for sintering silicon nitride

Номер патента: WO1992001898A1. Автор: James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

Process for the surface treatment of titanium, items made of or coated with titanium and treated according to such process

Номер патента: EP1354071A1. Автор: Pietro Centro Sviluppo Materiali S.p.A. GIMONDO. Владелец: Centro Sviluppo Materiali SpA. Дата публикации: 2003-10-22.

Process for the surface treatment of titanium, items made of or coated with titanium and treated according to such process

Номер патента: WO2002053792A1. Автор: Pietro Gimondo. Владелец: CENTRO SVILUPPO MATERIALI S.P.A.. Дата публикации: 2002-07-11.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111B1. Автор: Kenji c/o NGK INSULATORS LTD. MORIMOTO,Shinji c/o NGK INSULATORS LTD. KAWASAKI,Masaaki c/o NGK INSULATORS LTD. MASUDA,Katsuhiro c/o NGK INSULATORS LTD. INOUE,Hiroaki c/o NGK INSULATORS LTD. SAKAI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

Low Temperature Fabrication of Silicon Nitride Photonic Devices

Номер патента: US20240210625A1. Автор: Jiawei Wang,Daniel J. Blumenthal,Debapam Bose. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on glass and ceramics

Номер патента: US20210180176A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US11957812B2. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: AU2020334770B2. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: US20210331274A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: AU2021259477A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: EP4138942A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: US20210330860A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: WO2021216872A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US20220082756A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: US20240116822A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US20240043349A1. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2024-02-08.

Drilled silicon nitride ball

Номер патента: US20030084584A1. Автор: Mark Osterstock. Владелец: Q-MARK MANUFACTURING Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Silicon nitride wave-transmitting material, preparation process and preparation apparatus

Номер патента: GB2625431A8. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Silicon nitride ceramics with improved wear resistance and production method therefore

Номер патента: WO2013171324A1. Автор: Prof. Hasan MANDAL,Prof. Ferhat KARA,Prof. Servet TURAN,Prof. Alpagut KARA. Владелец: Mda Ileri Teknoloji Seramikleri Sanayi Ticaret Ltd. Sti.. Дата публикации: 2013-11-21.

New gel-coat additivated with titanium dioxide and alumina particles

Номер патента: US20200199399A1. Автор: Miguel Peragon Ortega,Francisco de Borja Dia Cabezas. Владелец: Liderkit SL. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of forming silicon nitride film

Номер патента: US20240240307A1. Автор: Yoshiki Nakano,Takafumi Nogami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

A silicon oxynitride or an oxydized silicon nitride powder of the general formula si(x)o(y)n(z), a preparation method thereof and the use thereof in antipathogen products

Номер патента: EP4214178A1. Автор: WEI Xia,Håkan ENGQVIST,Ioannis KATSAROS. Владелец: Viaton Ab. Дата публикации: 2023-07-26.

A silicon oxynitride or an oxydized silicon nitride powder of the general formula si(x)o(y)n(z), a preparation method thereof and the use thereof in antipathogen products

Номер патента: WO2022060271A8. Автор: WEI Xia,Håkan ENGQVIST,Ioannis KATSAROS. Владелец: Viaton Ab. Дата публикации: 2022-08-18.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrik. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

Zirconia-coated silicon nitride sintered member

Номер патента: US4816349A. Автор: Tomonori Takahashi,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-03-28.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111A4. Автор: Shinji Kawasaki,Hiroaki Sakai,Kenji Morimoto,Katsuhiro Inoue,Masaaki Masuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

Ceramic phase in silicon nitride containing cerium

Номер патента: WO1992001647A1. Автор: Bohdan Lisowsky,James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

Multi-layer silicon nitride waveguide based integrated photonics optical gyroscope chip

Номер патента: EP4058753A1. Автор: Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Silicon nitride/silicon carbide nano-nano composites

Номер патента: US20040179969A1. Автор: Julin Wan,Amiya Mukherjee,Matthew Gasch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-09-16.

Silicon nitride vacuum furnace process

Номер патента: AU622092B2. Автор: Stephen D. Hartline,Normand P. Arsenault,Craig A. Willkins. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-03-26.

Process for preparing grit blasting particles coated with titanium dioxide

Номер патента: US20020032988A1. Автор: Andreas Gutsch,Guido Zimmermann,Manfred Schuck,Gerlinde Lange,Katja Heck. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 2002-03-21.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US20240252717A1. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: US20230093682A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: EP4138939A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: WO2021217089A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: CA3175652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: AU2021259641A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

High strength silicon nitride

Номер патента: WO1989008625A1. Автор: Hun C. Yeh. Владелец: Allied-Signal Inc.. Дата публикации: 1989-09-21.

Conductive silicon nitride composite sintered body and a process for the production thereof

Номер патента: US20030155555A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Process for producing gray cast iron for use in high speed machining with cubic boron nitride and silicon nitride tools and the gray cast iron so produced

Номер патента: WO2001055458A1. Автор: Sundaresa V. Subramanian. Владелец: Subramanian Sundaresa V. Дата публикации: 2001-08-02.

Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Method for Producing Same, and Silicon Nitride Powder for Mold Release Material for Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Slurry Containing Same

Номер патента: US20140158858A1. Автор: Takeshi Yamao,Takayuki Fujii,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Insulating glass (ig) window unit including heat treatable coating with silicon-rich silicon nitride layer

Номер патента: WO2003078346A9. Автор: Philip J Lingle. Владелец: Guardian Industries. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for the deposition of silicon nitride

Номер патента: US20050118336A1. Автор: Henry Bernhardt,Michael Stadtmueller,Dietmar Ottenwaelder,Anja Morgenschweis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Substituted silicon nitride products and method of production thereof

Номер патента: WO1994017010A1. Автор: Derek Parr Thompson,Hassan Mandal,Yi Bing Cheng. Владелец: Cookson Group Public Limited Company. Дата публикации: 1994-08-04.

Polishing material for silicon nitride and sialon ceramics

Номер патента: US20030136057A1. Автор: Takeshi Sato,Shuji Sakaguchi,Shuzo Kanzaki,Yukihiko Yamauchi,Kiyoshi Hirao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2003-07-24.

Silicon nitride body having high as-fired surface strength

Номер патента: WO1996032359A1. Автор: Chien-Wei Li,Jean Yamanis,Mohammad Behi. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1996-10-17.

Silicon nitride sintered products and processes for their production

Номер патента: US20020045530A1. Автор: Naoto Hirosaki,Mamoru Mitomo,Yoshinobu Yamamoto,Toshiyuki Nishimura. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 2002-04-18.

Silicon nitride sintered products and processes for their production

Номер патента: US20030139278A1. Автор: Naoto Hirosaki,Mamoru Mitomo,Yoshinobu Yamamoto,Toshiyuki Nishimura. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 2003-07-24.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: US20040046153A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US20240241237A1. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: WO2023049804A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: EP4404875A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: EP1361202A4. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Microwave-assisted magnetic recording (MAMR) head slider with diamoind-like carbon layer and a silicon nitride layer, and related head gimbal assembly and disk drive unit

Номер патента: US12106783B2. Автор: Hua Li,Peng Liu,Rong Huang,Jian Hui Huang,Da Yao HE. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Silicon nitride powder

Номер патента: EP4455078A1. Автор: Hideaki Kawai,Ryuji Ishimoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: US20240309272A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: WO2024192414A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of producing titanium metal with titanium-containing material

Номер патента: US09963796B2. Автор: Beilei Yan,Bin Deng,Fuxing Zhu,Hongbo Mu,Tianzhu Mu,Weixing Peng,Sanchao Zhao. Владелец: Pangang Group Panzhihua Iron and Steel Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of producing sintered silicon nitrides

Номер патента: US5394015A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-02-28.

Silicon nitride-carbon nanotube-graphene nanocomposite microbolometer IR detector

Номер патента: US09851257B1. Автор: Ashok K. Sood,Elwood J. Egerton. Владелец: Magnolia Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US09789239B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon nitride wear resistant member and method for producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US09663407B2. Автор: Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Abrasive articles including abrasive particles of silicon nitride

Номер патента: US09598620B2. Автор: Guan Wang,Vimal K. Pujari,Yves Boussant-Roux. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Broadband silicon nitride polarization beam splitter

Номер патента: US09547127B1. Автор: Masaki Kato,Jie Lin. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Silicon nitride sintered body and wear resistant member using the same

Номер патента: US09440887B2. Автор: Katsuyuki Aoki,Michiyasu Komatsu,Kai Funaki,Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Verification by replaceable printer components

Номер патента: US20210064312A1. Автор: Bartley Mark Hirst,Paul L. Jeran,James Michael MAGDICH. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-03-04.

Verification by replaceable printer components

Номер патента: EP3652666A1. Автор: Bartley Mark Hirst,Paul L Jeran,James Michael MAGDICH. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-05-20.

Managing a collaboration of attachement objects by replacing them by stubs in outgoing communications

Номер патента: EP3948621A1. Автор: David Bass,Yakov Faitelson,Ophir KRETZER-KATZIR. Владелец: Varonis Systems Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Managing a collaboration of attachement objects by replacing them by stubs in outgoing communications

Номер патента: WO2020197555A1. Автор: David Bass,Yakov Faitelson,Ophir KRETZER-KATZIR. Владелец: Varonis Systems Inc.. Дата публикации: 2020-10-01.

Apparatus for correcting faulty pixel signals by replacing the faulty pixel signals with normal pixel signals

Номер патента: US5392070A. Автор: Yoshitaka Egawa,Yukio Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-21.

Source node isochronous data e.g. video, flow modifying method for e.g. backbone network, involves replacing initial values of packet fields by replacement value to throw modified packet based on digital transfer content protection protocol

Номер патента: FR2888354A1. Автор: Pascal Rousseau,Xavier Henocq,Pascal Lagrange. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2007-01-12.

Information processing apparatus and non-transitory computer readable medium for automatic retouching by replacing magenta with pink after CMYK conversion

Номер патента: US11785168B2. Автор: Masahiko Kubo,Kaoru Yamauchi. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2023-10-10.

Recording medium recording replacement printing control program for performing replacement on original data and causing printing machine to print based on data obtained by replacement, replacement printing control apparatus, and replacement printing control method

Номер патента: US9047024B2. Автор: Takashi Kubo. Владелец: Riso Kagaku Corp. Дата публикации: 2015-06-02.

Auxiliary silk acts on lower tungsten-silk electric arc increasing material manufacturing apparatus and method

Номер патента: CN110039156A. Автор: 陈辉,熊俊,刘广超,施孟含. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2019-07-23.

Polycrystalline cubic boron nitride compacts - which contain titanium nitride, titanium carbo:nitride, or titanium boro:nitride, and can be used for turning very hard steels etc.

Номер патента: FR2464928A1. Автор: V N Troitsky,O N Breusov,E S Bogorodsky,B M Sokolovsky,Y A Shifrin,N S Goryachev,A N Dremin,S V Pershin,V Y Averin,T V Bavina,I A Kiyansky,B M Grebtsov,O M Grebtsova,E B Grebtsova. Владелец: INST NOVYKH KHIM. Дата публикации: 1981-03-20.

Ceramics used for decoration component for timepiece, contains titanium nitride as main component, nickel as subcomponent, and additional component chosen from vanadium nitride, niobium nitride and tantalum nitride

Номер патента: CH698824B1. Автор: Shunichi Murakawa,Mizuho Ohta. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Sports equipment comprising diffused titanium nitride

Номер патента: US20080213619A1. Автор: Philos Jongho Ko,Bongsub Samuel Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Formation of titanium nitride or zirconium nitride coatings

Номер патента: AU6408486A. Автор: Jiinjen Albert Sue,Harden Henry Troue. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1987-04-24.

Sports equipment comprising diffused titanium nitride

Номер патента: US20140141272A1. Автор: Philos Jongho Ko,Bongsub Samuel Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-22.

A method of chemically depositing titanium nitride, tantalum nitride, or nitrided silicate is disclosed.

Номер патента: KR970001620A. Автор: 샤피로 마이클,칸졸리아 라비,씨. 휴이 벤,에프. 세이들러 폴,홀로웨이 카렌,콘티 리챠드,채플-소콜 조나단. Владелец: 머톤 인터내셔날, 인코포레이티드. Дата публикации: 1997-01-24.

NEW MATERIALS IN THE FORMS OF REFRACTORY GRAINS BOUND BY A MATRIX OF ALUMINUM OR SIALON NITRIDE CONTAINING TITANIUM NITRIDE AND DISPERSED GRAPHITE AND / OR BORON NITRIDE PARTICLES

Номер патента: FR2727400B1. Автор: Jacques Paul Raymon Schoennahl,Jean Philippe Marie Bitouzet. Владелец: Savoie Refractaires SA. Дата публикации: 1996-12-27.

NEW MATERIALS IN THE FORMS OF REFRACTORY GRAINS BOUND BY A MATRIX OF ALUMINUM OR SIALON NITRIDE CONTAINING TITANIUM NITRIDE AND DISPERSED GRAPHITE AND / OR BORON NITRIDE PARTICLES

Номер патента: FR2727400A1. Автор: Jacques Paul Raymon Schoennahl,Jean Philippe Marie Bitouzet. Владелец: Savoie Refractaires SA. Дата публикации: 1996-05-31.

Method for generating a preferred image by replacing a region of a base image

Номер патента: US20160225127A1. Автор: JIN Wang,Yanqing Lu. Владелец: Multimedia Image Solution Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Data reduction by replacement of repeating pattern with single instance

Номер патента: US20210132836A1. Автор: Amitai Alkalay,Uri Shabi. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for generating a preferred image by replacing a region of a base image

Номер патента: US09489727B2. Автор: JIN Wang,Yanqing Lu. Владелец: Multimedia Image Solution Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

METHOD FOR PREPARING TITANIUM NITRIDE-TITANIUM DIBORIDE-CUBIC BORON NITRIDE COMPOSITE MATERIAL

Номер патента: US20160297713A1. Автор: Wu Yuping,ZHANG Jianfeng,Guo Wenmin,Hong Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Method for producing titanium nitride and titanium carbonitride by two-stage reduction nitridation

Номер патента: CN109437917B. Автор: 张国华,吴柯汉. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2020-06-12.

Method for preparing titanium nitride-titanium diboride-cubic boron nitride composite

Номер патента: KR101821220B1. Автор: 지엔펑 장,위핑 우,성 홍,원민 궈. Владелец: 허하이 대학교. Дата публикации: 2018-01-23.

Operating interface e.g. grill plate, coating for use in e.g. kitchen, has layers of titanium nitride, and obtained by plasma nitriding thermo-chemical processing

Номер патента: FR2862511A1. Автор: Frank Zimmermann. Владелец: OPUS 69. Дата публикации: 2005-05-27.

Method for preparing titanium nitride-titanium diboride-cubic boron nitride composite

Номер патента: GB201609493D0. Автор: . Владелец: Hohai University HHU. Дата публикации: 2016-07-13.

Production of fine zirconium nitride and titanium nitride powder by high-pressure ammonia process

Номер патента: JPS6311507A. Автор: Masahiro Yoshimura,Shigeyuki Somiya,昌弘 吉村,宗宮　重行. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1988-01-19.

Unsaturated polyester resins modified by replacement, with lactic acid, of an acid and alcohol component of the polyester

Номер патента: MY157774A. Автор: Jerome Mazajczyk,Guillaume Cledat,Jose Ignacio Royo,Oscar Gadea Ugarte. Владелец: Ccp Composites. Дата публикации: 2016-07-29.

Roller contact unit used in electrolytic bath electroplating e.g. offset printing screen, has surface layers of conductive chromium nitride or titanium nitride

Номер патента: DE102007030821A1. Автор: Norbert Hofer. Владелец: MASCHINENBAU HOFER GmbH. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures

Номер патента: US5378501A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Solar protection glazing comprising a thin layer based on titanium nitride and a layer of silicon nitride sub-stoichiometric in nitrogen.

Номер патента: FR3118440A1. Автор: Vinicius Da Silva Balani,Jean Lorenzzi. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2022-07-01.

Carbon nitride-titanium nitride catalyst for synthesizing guaiacol and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111359646B. Автор: 王勤隆,王锐,黎源,李俊平,林建东,付松,吴训锟,丁大康. Владелец: Wanhua Chemical Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-05.

PROCEDURE FOR THE DEPOSIT OF A FILM CONTAINING TITANIUM NITRIDE ON A GLASS SUBSTRATE AND RELATED FILM CONTAINING TITANIUM NITRIDE FOR THE CONTROL OF SOLAR ENERGY PARTICULARLY FOR THE PRODUCTION OF SOLAR GLASS

Номер патента: IT8368218D0. Автор: Roy Gerald Gordon. Владелец: Roy Gerald Gordon. Дата публикации: 1983-11-21.

A stab-resisting material coated with abrasive particles such as silicon carbide, titanium carbide, alumina, tungsten carbide, titanium nitride and silicon nitride which confers stab resistance properties

Номер патента: NZ337999A. Автор: Joseph Judith Breukers. Владелец: Twaron Products V. Дата публикации: 2001-02-23.

Method for preparing titanium nitride-titanium diboride-cubic boron nitride composite material

Номер патента: US9714198B2. Автор: Sheng Hong,JianFeng Zhang,Yuping Wu,Wenmin Guo. Владелец: Hohai University HHU. Дата публикации: 2017-07-25.

Boron nitride containing titanium nitride, method of producing the same and composite ceramics produced therefrom

Номер патента: DE3463641D1. Автор: Tsuyoshi Masumoto,Naoki Uno,Toshio Hirai,Hiroyuki Nakae,Yukio Matsunami,Toshitsugu Matsuda. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1987-06-19.

Titanium nitride/titanium carbide coating, preparation method thereof and coated part with titanium nitride/titanium carbide coating

Номер патента: CN105648410A. Автор: 王文宝,方骏飞. Владелец: Benchmark Precision Industry (huizhou) Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

Aluminium-titanium nitride cating with adapted morphology for increased wear resistance during machining operations and corresponding method

Номер патента: RU2624876C2. Автор: Зигфрид КРАССНИТЦЕР,Мирьям АРНДТ,Денис КУРАПОВ. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон. Дата публикации: 2017-07-07.

A HEAT-TREATABLE COATED PRODUCT WITH REFLECTING IR RADIATION LAYERS BASED ON TITANIUM NITRIDE AND NICKEL-CHROME

Номер патента: RU2019124552A. Автор: Ивэй ЛУ,Филип Дж. Лингл,Патрисия ТАКЕР. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-02-05.

Damaged metallic blade repairing method for e.g. jet engine, involves replacing damaged part of blade by replacement parts that are welded using welding seams burnished with tool having movable ball unit applying pressure on seams

Номер патента: FR2871399A1. Автор: Catherine Richin,Etoundi Marie Christine Ntsama,Eric Pinto. Владелец: SNECMA Moteurs SA. Дата публикации: 2005-12-16.

COATED HEAT-TREATABLE PRODUCT WITH REFLECTIVE IR RADIATION LAYER (S) BASED ON TITANIUM NITRIDE

Номер патента: RU2019124553A. Автор: Ивэй ЛУ,Филип Дж. Лингл,Патрисия ТАКЕР. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-02-06.

ALUMINUM-TITANIUM NITRIDE COATING WITH ADAPTED MORPHOLOGY FOR INCREASED WEAR RESISTANCE AT CUTTING OPERATIONS AND THE RELATED METHOD

Номер патента: RU2014117178A. Автор: Зигфрид КРАССНИТЦЕР,Денис КУРАПОВ. Владелец: Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of repairing an internal combustion engine by replacing the crank-shaft thereof

Номер патента: GB1520913A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-08-09.

Creating jobs by replacing execution attributes within job definition when a job activation request is received with execution attributes based on predetermined conditions being satisfied

Номер патента: US8707307B2. Автор: Masahiro Fukuda,Masashi Kato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-22.

Nickel-molybdenum bonded titanium nitride-titanium carbide compositions

Номер патента: IL35674A0. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1971-01-28.

Nickel-molybdenum bonded titanium nitride-titanium carbide

Номер патента: ZA707873B. Автор: H Bergna. Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1971-09-29.

Nickel-molybdenum bonded titanium nitride-titanium carbide compositions

Номер патента: IL35674A. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1973-02-28.

Aluminum titanium nitride coating and method of making same

Номер патента: EP2483437A4. Автор: Yixiong Liu,Wangyang Ni,Ronald M Penich,Michael F Beblo. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Method for fabricating a titanium nitride sensing membrane on an EGFET

Номер патента: TW200419800A. Автор: Jung-Chuan Chou,Tai-Ping Sun,Wen-Yaw Chung,Yuan-Lung Chin,S K Stephen Hsiung. Владелец: Univ Chung Yuan Christian. Дата публикации: 2004-10-01.

Titanium nitride dispersion strengthened alloys

Номер патента: GB2156863B. Автор: Eric George Wilson,Andrew Mark Wilson. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1987-08-19.

Titanium nitride dispersion strengthened alloys

Номер патента: GB8506967D0. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1985-04-24.

Removing titanium nitride film

Номер патента: GB8323278D0. Автор: . Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1983-10-05.

Method for removing a titanium nitride film

Номер патента: HK88190A. Автор: Tsutomu Noguchi,Kenji Hanai,Toshimitsu Shirota,Yoshiyuki Nohara. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1990-11-02.

Aluminum titanium nitride coating with adapted morphology for enhanced wear resistance in machining operations and method thereof

Номер патента: US09447488B2. Автор: Siegfried Krassnitzer,Denis Kurapov. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for preparing titanium, silicon and titanium-silicon alloy by using titanium-containing slag

Номер патента: CN109457114B. Автор: 王超,邱鹏,马文会,李绍元,魏奎先,伍继君,雷云,秦博,颜恒维. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-07-10.

Ternary layered ceramic titanium silicon carbon based on Zn foil interlayer and diffusion connection method of solid solution of ternary layered ceramic titanium silicon carbon and ferritic stainless steel

Номер патента: CN114180983A. Автор: 徐斌,程强,孙明月,张铁柱,张洪信,郑莉莉,戴作强,时婧,李希超. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2022-03-15.

Composite cored wire composed of solid calcium metal, silicon iron and titanium-silicon nitride alloy containing rare earth, barium and molybdenum

Номер патента: CN106636552A. Автор: 凌春源. Владелец: ZHEJIANG BAOXIN NEW FURNACE TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Method for smelting titanium-silicon alloy by reducing titanium-containing blast furnace slag with silicon

Номер патента: CN115896494A. Автор: 丁满堂. Владелец: Panzhihua University. Дата публикации: 2023-04-04.

Titanium-Nitride Removal

Номер патента: US20140312265A1. Автор: Rath David L.,Fitzsimmons John A.,Sankarapandian Muthumanickam,Chen Shyng-Tsong,van der Straten Oscar. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-23.

Titanium nitride-based composite ceramic material and preparation method thereof

Номер патента: CN113149658B. Автор: 何强龙,王为民,王爱阳,郭文超,田田,田仕. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2023-02-07.

Method for preparing titanium nitride-doped lithium ferrous phosphate anode material

Номер патента: CN101969115A. Автор: 吴永文,童庆松,张贵萍,黄子欣,陈梅蓉,郑华杰,刘灿培. Владелец: YOKU ENERGY (ZHANGZHOU) CO Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Reducing the susceptibility of titanium nitride optical layers to crack

Номер патента: EP1546771A4. Автор: Yisheng Dai,Floyd E Woodard. Владелец: Huper Optik International Pte Ltd. Дата публикации: 2009-11-11.

HEAT-TREATABLE COATED ARTICLE HAVING TITANIUM NITRIDE-BASED IR REFLECTIVE LAYER (S)

Номер патента: BR112019013879A2. Автор: Lu Yiwei,TUCKER Patricia,J. Lingle Philip. Владелец: GUARDIAN GLASS, LLC. Дата публикации: 2020-03-03.

Arrangement for software controlled galvanically decoupled conditioning of retina implant electrode contacts of patient, performs surface conditioning i.e. activation, of electrode contacts coated with iridium oxide or titanium nitride

Номер патента: DE102010018319A1. Автор: Uwe Thomas,Dirk Höhl. Владелец: THOMAS RECORDING GMBH. Дата публикации: 2011-10-27.

Photocatalytic glazing comprising a layer based on titanium nitride

Номер патента: FR3105211A1. Автор: Vincent Reymond,Laura Jane Singh. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2021-06-25.

Cubic aluminum titanium nitride coating and method of making same

Номер патента: CN102653148A. Автор: 倪旺阳,刘一雄,班志刚,R·M·潘尼克. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2012-09-05.

Dual titanium nitride layers for solar control

Номер патента: WO2000026704A1. Автор: Floyd Eugene Woodard,Yisheng Dai. Владелец: GMX ASSOCIATES Pte Ltd. Дата публикации: 2000-05-11.

Pad integrity improvement by replacing the constructive adhesive with ultrasonic compressions

Номер патента: US20020123725A1. Автор: Chinmay Betrabet,Ruth Lachapell. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2002-09-05.

Method for manufacturing large-diameter titanium-silicon molecular sieve and method for manufacturing cyclohexanone oxime using such a molecular sieve

Номер патента: TW201119738A. Автор: Pin-To Yao,Cheng-Fa Hsieh,Yang-Min Liang,Shih-Yao Chao. Владелец: China Petrochemical Dev Corp Taipei Taiwan. Дата публикации: 2011-06-16.

TITANIUM NITRIDE REMOVAL

Номер патента: US20130200040A1. Автор: Rath David L.,Fitzsimmons John A.,Sankarapandian Muthumanickam,Chen Shyng-Tsong,Peethala Brown C.,van der Straten Oscar. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

COMPOSITION FOR AND METHOD OF SUPPRESSING TITANIUM NITRIDE CORROSION

Номер патента: US20130303420A1. Автор: Cooper Emanuel I.,Payne Makonnen,Totir George Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

METHOD FOR WELDING A TITANIUM COMPONENT WITH A TITANIUM NITRIDE COATING

Номер патента: US20220001481A1. Автор: Zhao Hailiang. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

HEAT TREATABLE COATED ARTICLE HAVING TITANIUM NITRIDE AND ITO BASED IR REFLECTING LAYERS

Номер патента: US20200010360A1. Автор: Lu Yiwei,Ding Guowen,BOYCE Brent,Le Minh,CLAVERO Cesar,SCHWEIGERT Daniel. Владелец: GUARDIAN GLASS, LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVELY ETCHING TITANIUM NITRIDE

Номер патента: US20150027978A1. Автор: Barnes Jeffrey A.,Lippy Steven,Rajaram Rekha,Cooper Emanuel I.,Tu Sheng-hung,Chen Li-Min. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVELY ETCHING TITANIUM NITRIDE

Номер патента: US20160032186A1. Автор: Hsu Chia-Jung,Lippy Steven,WANG Chieh Ju,Cooper Emanuel I.,Tu Sheng-hung,Song Lingyan,Chen Li-Min. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

USE OF TITANIUM NITRIDE AS AN ELECTRODE IN NON-FARADAIC ELECTROCHEMICAL CELL

Номер патента: US20170037467A1. Автор: Foster John,Komadina Jason. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

TITANIUM NITRIDE PLASMONIC NANOPARTICLES FOR CLINICAL THERAPEUTIC APPLICATIONS

Номер патента: US20200054752A1. Автор: Guler Urcan,Kildishev Alexander,SHALAEV Vladimir M.,Boltasseva Alexandra,Naik Gururaj. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-02-20.

SPORTS EQUIPMENT COMPRISING DIFFUSED TITANIUM NITRIDE

Номер патента: US20140141272A1. Автор: Ko Philos Jongho,Ko Bongsub Samuel. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-22.

Method Of Reducing Titanium Nitride Etching During Tungsten Film Formation

Номер патента: US20220098731A1. Автор: SRIRAM Mandyam,Gandikota Srinivas,Chen Shih Chung,LIN Chi-Chou,SHEN Chenfei,Wu Kedi,Fisher Ilanit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-31.

Niobium titanium nitride thin film coatings for far-infared absorption and filtering

Номер патента: US20190086269A1. Автор: Edward J. Wollack,Ari D. Brown,Kevin H. Miller. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2019-03-21.

TITANIUM NITRIDE PLASMONIC NANOPARTICLES FOR CLINICAL THERAPEUTIC APPLICATIONS

Номер патента: US20160120978A1. Автор: Guler Urcan,Kildishev Alexander,SHALAEV Vladimir M.,Boltasseva Alexandra,Naik Gururaj. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVELY ETCHING TITANIUM NITRIDE

Номер патента: US20160130500A1. Автор: Lippy Steven,Song Lingyan,Chen Li-Min,Cooper Emanuel I. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2016-05-12.

COMPOSITION AND PROCESS FOR STRIPPING PHOTORESIST FROM A SURFACE INCLUDING TITANIUM NITRIDE

Номер патента: US20150168843A1. Автор: Owens Michael,Cooper Emanuel I.,Conner Marc. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

USE OF TITANIUM NITRIDE AS AN ELECTRODE IN NON-FARADAIC ELECTROCHEMICAL CELL

Номер патента: US20190161795A1. Автор: Foster John,Komadina Jason. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

HEAT TREATABLE COATED ARTICLE HAVING TITANIUM NITRIDE BASED IR REFLECTING LAYER(S)

Номер патента: US20180186691A1. Автор: Lu Yiwei,LINGLE Philip J.,TUCKER Patricia. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

HEAT TREATABLE COATED ARTICLE HAVING TITANIUM NITRIDE AND NICKEL CHROME BASED IR REFLECTING LAYERS

Номер патента: US20180187477A1. Автор: Lu Yiwei,LINGLE Philip J.,TUCKER Patricia. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

HEAT TREATABLE COATED ARTICLE HAVING TITANIUM NITRIDE AND NICKEL CHROME BASED IR REFLECTING LAYERS

Номер патента: US20190186194A1. Автор: Lu Yiwei,LINGLE Philip J.,TUCKER Patricia. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVELY ETCHING TITANIUM NITRIDE

Номер патента: US20160200975A1. Автор: Hsu Chia-Jung,Lippy Steven,WANG Chieh Ju,Tu Sheng-hung,Chen Li-Min,COOPER Enamuel I.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ALUMINUM TITANIUM NITRIDE COATING WITH ADAPTED MORPHOLOGY FOR ENHANCED WEAR RESISTANCE IN MACHINING OPERATIONS AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140287209A1. Автор: Krassnitzer Siegfried,Kurapov Denis. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

QUARTERNIZED TITANIUM-NITRIDE ANTI-BACTERIAL COATING FOR DENTAL IMPLANTS

Номер патента: US20210228323A1. Автор: Clark,Ren Fan,Batich Christopher D.,Carey Patrick,JR. Arthur E.,Esquivel-Upshaw Josephine F.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

USE OF TITANIUM NITRIDE AS A COUNTER ELECTRODE

Номер патента: US20170212079A1. Автор: Foster John,Yuan Robert A.,Wójtowicz Janusz B.,Wallgren Markus,Komadina Jason. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Titanium Nitride for MEMS Bolometers

Номер патента: US20160223404A1. Автор: Feyh Ando,Yama Gary,"OBrien Gary",Purkl Fabian,Samarao Ashwin K.. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-08-04.

HEAT-TREATED TITANIUM NITRIDE FILM AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20160223713A1. Автор: Chan Kin Sheng Ken,Wang Peng Jun Albert. Владелец: CPFILMS INC.. Дата публикации: 2016-08-04.

Heat treatable coated article having titanium nitride and ito based ir reflecting layers

Номер патента: US20180237336A1. Автор: Yiwei Lu,Brent Boyce,Guowen Ding,Cesar Clavero,Daniel Schweigert,Minh Le. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2018-08-23.

HEAT TREATABLE COATED ARTICLE HAVING TITANIUM NITRIDE AND ITO BASED IR REFLECTING LAYERS

Номер патента: US20200270173A1. Автор: Lu Yiwei,Ding Guowen,BOYCE Brent,Le Minh,CLAVERO Cesar,SCHWEIGERT Daniel. Владелец: GUARDIAN GLASS, LLC. Дата публикации: 2020-08-27.

TITANIUM NITRIDE-REINFORCED ZIRCONIA TOUGHENED ALUMINA CERAMIC POWDER AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200308057A1. Автор: Chen Chao,LIN Feng,Xie Zhigang,Chen Jiarong,MO Peicheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Method of forming titanium nitride powders

Номер патента: KR100959931B1. Автор: 이승철,김동익,김지우,정우상,심재혁,조영환. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2010-05-26.

Polyester polymer and copolymer compositions containing particles of titanium nitride and carbon-coated iron

Номер патента: US7776942B2. Автор: Zhiyong Xia,Stephen Weinhold,Perry Michael Murdaugh. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2010-08-17.

Polyester polymer and copolymer compositions containing titanium nitride particles

Номер патента: US8039577B2. Автор: Frederick Leslie Colhoun,Steven Lee Stafford,Zhiyong Xia,Susan Sims. Владелец: Grupo Petrotemex SA de CV. Дата публикации: 2011-10-18.

Method and apparatus for applying titanium nitride-based coatings

Номер патента: RU2566246C2. Автор: Максим Владимирович Ненашев,Андрей Юрьевич Мурзин,Ильдар Дугласович Ибатуллин,Илья Владимирович Нечаев,Сергей Юрьевич Ганигин,Александр Анатольевич Чеботаев,Павел Константинович Кондратенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-10-20.

Method of producing titanium nitride powder

Номер патента: RU2488549C1. Автор: Александр Александрович Громов,Александр Андреевич Дитц,Юлия Игоревна Паутова,Екатерина Владимировна Чаплина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2013-07-27.

Method of forming self-incandescent hollow cathode from titanium nitride for nitrogen plasma generating system

Номер патента: RU2513119C2. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Андрей Игоревич Меньшаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2014-04-20.

Composition for removal coating out of titanium nitride off surface of items out of titanium alloys

Номер патента: RU2396372C1. Автор: Андрей Александрович Быбин,Евгений Владимирович Парфенов,Павел Валерьевич Тарасов,Римма Рахимзяновна Невьянцева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2010-08-10.

Titanium and titanium nitride proofing etching solution

Номер патента: RU2350688C2. Автор: Александр Захарович Шарыпов,Елена Юрьевна Субочева,вленский Анатолий Викторович Бого,Анатолий Викторович Богоявленский. Владелец: Открытое акционерное общество "Пермский моторный завод". Дата публикации: 2009-03-27.

Method of producing titanium nitride nanopowders

Номер патента: RU2434716C2. Автор: Эдуард Константинович Добринский,Станислав Иванович Малашин,Алексей Николаевич Ермаков,Юрий Галиулович Зайнулин,Игорь Георгиевич Григоров,Ольга Николаевна Ермакова,Ирина Викторовна Мишарина. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт химии твердого тела Уральского Отделения РАН. Дата публикации: 2011-11-27.

Removal method of coatings from titanium nitride from surface of parts from titanium alloys

Номер патента: RU2471017C1. Автор: Андрей Александрович Быбин,Евгений Владимирович Парфенов,Павел Валерьевич Тарасов,Римма Рахимзяновна Невьянцева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2012-12-27.

Method of obtaining titanium-silicon sodium-containing composition

Номер патента: RU2539303C1. Автор: Лидия Георгиевна Герасимова,Екатерина Сергеевна Щукина,Анатолий Иванович Николаев,Виктор Нестерович Яковенчук,Григорий Юрьевич Иванюк,Юрий Васильевич Кузьмич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2015-01-20.

Method of applying titanium and titanium nitride protective-decorative coating in vacuum on surface of materials and items

Номер патента: RU2334826C2. Автор: Виктор Николаевич Лавро,Владислав Иванович Зынь,Наталь Генриховна Чумаченко,Наталья Генриховна Чумаченко,Екатерина Викторовна Бондарева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный архитектурно-строительный университет" (СГАСУ). Дата публикации: 2008-09-27.

Method of forming microstructured layer of titanium nitride

Номер патента: RU2522919C1. Автор: Дмитрий Андреевич Кочуев,Дмитрий Владимирович Абрамов,Кирилл Сергеевич Хорьков,Валерий Григорьевич Прокошев,Степан Андреевич Маков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

Titanium nitride coating manufacturing method

Номер патента: RU2506344C1. Автор: Андрей Николаевич Журавлев,Владимир Васильевич Калашников,Максим Владимирович Ненашев,Андрей Юрьевич Мурзин,Ирина Геннадьевна Куликова,Ильдар Дугласович Ибатуллин,Илья Владимирович Нечаев,Сергей Юрьевич Ганигин,Георгий Владимирович Бичуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-02-10.

Method of plasma-electrolytic removal of coatings from titanium nitrides or those of compounds of titanium with metals

Номер патента: RU2467098C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Анатолий Михайлович Смыслов,Дамир Рамилевич Таминдаров,Константин Сергеевич Селиванов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Вакууммаш". Дата публикации: 2012-11-20.

Method of preparing titanium nitride

Номер патента: RU2089489C1. Автор: С.В. Александровский. Владелец: Санкт-Петербургский государственный горный институт им.Г.В.Плеханова (технический университет). Дата публикации: 1997-09-10.

Solution for removing coating of titanium nitride

Номер патента: RU2087591C1. Автор: О.В. Остапов,И.И. Хазанская. Владелец: Государственный тульский машиностроительный завод "Штамп". Дата публикации: 1997-08-20.

Method of applying decorative titanium nitride coating for ceramic, metallic, glass, and polymeric articles

Номер патента: RU2266351C1. Автор: А.В. Шлемин,Е.П. Шамаев,А.П. Гридасов,А.В. Шлемин (RU),Е.П. Шамаев (RU),А.П. Гридасов (RU). Владелец: Калининградский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-12-20.

Method of processing of titanium-silicon containing concentrates

Номер патента: RU2264478C1. Автор: М.П. Федун,В.К. Баканов,В.В. Пастихин,Л.Б. Чистов,ков В.А. Юфр,В.А. Юфряков,В.Е. Охрименко. Владелец: Охрименко Владимир Емельянович. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of titanium-silicon raw materials decomposition

Номер патента: RU2264477C1. Автор: Э.П. Локшин,В.Т. Калинников,Т.А. Седнева. Владелец: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук. Дата публикации: 2005-11-20.

Method to process titanium-silicon-containing stock

Номер патента: RU2377332C2. Автор: Александр Николаевич Дьяченко,Артем Андреевич Андреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фторидные технологии". Дата публикации: 2009-12-27.

Method for removal of titanium nitride film from surface of stainless steel products

Номер патента: RU2039851C1. Автор: В.Г. Шкуро,В.Н. Михайлов,В.С. Данилов,О.В. Антропова. Владелец: Чебоксарское производственное объединение "Химпром". Дата публикации: 1995-07-20.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lead acid battery with titanium core grids and cabon based grids

Номер патента: US20120003509A1. Автор: Gerber Eliot. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining charge material for synthesis of silicon nitride

Номер патента: RU2465197C2. Автор: Юрий Александрович Бирюков,Леонид Николаевич Богданов,Александр Ювинальевич Объедков,Владимир Анатольевич Полюшко,Александр Николаевич Ищенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное общество "МИПОР". Дата публикации: 2012-10-27.

Method of connecting ceramic units from silicon nitride

Номер патента: RU2365564C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Ирина Юрьевна Келина,Тамара Федоровна Баранова,Ираида Николаевна Курская,Владимир Васильевич Викулин (RU),Игорь Леонидович Шкарупа (RU),Тамара Федоровна Баранова (RU),Ирина Юрьевна Келина (RU),Ираида Николаевна Курская (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2009-08-27.

Method of producing polycrystalline cubic boron nitride with fine-grain structure

Номер патента: RU2450855C1. Автор: Николай Иванович Полушин,Михаил Николаевич Сорокин,Александр Иванович Лаптев,Александр Вячеславович Елютин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2012-05-20.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Dopand material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2218440C2. Автор: М.Х. Зиатдинов. Владелец: Зиатдинов Мансур Хузиахметович. Дата публикации: 2003-12-10.

Method of producing cover of antenna dome out of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: RU2453520C1. Автор: Ирина Юрьевна Келина,Каюм Билялович Шамшетдинов,Ираида Николаевна Курская,Валентина Николаевна Рудыкина,Анатолий Степанович Шаталин,Виктор Юрьевич Шеянов,Александр Иванович Ганичев. Владелец: Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2012-06-20.

Nickel-based alloy for application of wear and corrosion resistance by micro plasma or cold supersonic spraying

Номер патента: RU2527543C1. Автор: Борис Владимирович Фармаковский,Татьяна Игоревна Бобкова,Алексей Филиппович Васильев,Артём Андреевич Деев,Елена Юрьевна Геращенкова,Марина Андреевна Бурьян. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2014-09-10.

Method of obtaining technological trainings of ceramic articles from silicon nitride

Номер патента: RU2641358C2. Автор: Вячеслав Викторович Сирота,Ольга Александровна Лукьянова,Василий Сергеевич Докалов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2018-01-17.

Silicon nitride with increased alpha-phase content

Номер патента: RU2149824C1. Автор: И.П. Боровинская,А.Г. Мержанов,В.В. Закоржевский,Т.И. Игнатьева,Л.П. Савенкова. Владелец: Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН. Дата публикации: 2000-05-27.

Method of obtaining composite powders based on alpha-phase of silicon nitride by shs method

Номер патента: RU2556931C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-07-20.

Method of producing silicon nitride-based sintered articles

Номер патента: RU2458023C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Нелля Александровна Попова,Александр Иванович Захаров,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Юрий Федорович Каргин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2012-08-10.

Photoactivated composition for etching silicon nitride films

Номер патента: RU2507219C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович,Екатерина Юрьевна Ванифатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-02-20.

Silicon nitride preparation process

Номер патента: RU2257338C1. Автор: Ю.М. Максимов,Л.Н. Чухломина,А.Н. Аврамчик. Владелец: Томский научный центр СО РАН. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of making articles from silicon nitride

Номер патента: RU2540674C2. Автор: Владимир Никитович Анциферов,Валентина Борисовна Кульметьева,Максим Николаевич Каченюк,Екатерина Николаевна Прямилова,Федор Николаевич Овсянников,Артур Шафикович Зайдулин,Антон Евгеньевич Соколов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Реализация инженерно-технических целей порошковой металлургии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of obtaining ultradisperse silicon nitride powder

Номер патента: RU2541058C1. Автор: Юрий Александрович Бирюков,Леонид Николаевич Богданов,Александр Ювинальевич Объедков,Александр Юрьевич Бирюков,Владимир Анатольевич Полюшко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of manufacturing silicon nitride-based products

Номер патента: RU2239613C1. Автор: В.В. Викулин,И.Н. Курска,И.Н. Курская,В.Н. Рудыкина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2004-11-10.

Method of diffusion welding of alloys based on titanium nickelide with titanium and its alloys

Номер патента: RU2539247C1. Автор: Кирилл Сергеевич Сенкевич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "МАТИ-Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского" (МАТИ). Дата публикации: 2015-01-20.

Method of producing titanium disk with titanium carbine coating

Номер патента: RU2454311C2. Автор: Александр Станиславович Хвостиков,Павел Алексеевич Саблин,Владимир Алексеевич Ким,Олег Викторович Башков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Комсомольский-на-Амуре государственный технический университет" (ГОУВПО "КнАГТУ"). Дата публикации: 2012-06-27.

Method of producing ingots from alloys based on vanadium with titanium and chromium vacuum arc skull melting

Номер патента: RU2167949C1. Автор: А.К. Шиков,В.М. Чернов,В.С. Зурабов,Г.П. Ведерников,Ю.И. Чистов,В.И. Панцырный,А.А. Дубиков,В.А. Дробышев,А.Б. Золотарев,М.М. Потапенко. Владелец: Государственный научный центр РФ Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. академика А.А. Бочвара. Дата публикации: 2001-05-27.

Method for producing silicon nitride alpha phase by self-propagating high temperature synthesis

Номер патента: RU2550882C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-05-20.

Method for covering implant with titanium and its alloys

Номер патента: RU2159094C1. Автор: А.В. Карлов,В.И. Верещагин,В.П. Игнатов,В.П. Шахов. Владелец: Закрытое акционерное общество Клиническое научно-производственное объединение "Биотехника". Дата публикации: 2000-11-20.

Silicon nitride-based composite powder

Номер патента: RU2571757C2. Автор: Инна Петровна Боровинская,Ирина Юрьевна Келина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Людмила Александровна Чевыкалова,Ирина Леонидовна Михальчик,Александр Владимирович Аракчеев. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г.Ромашина". Дата публикации: 2015-12-20.

Process of production of alloying material based on silicon nitride

Номер патента: RU2210615C1. Автор: В.А. Чернов,И.М. Шатохин,А.Д. Носов,М.Х. Зиатдинов. Владелец: Чернов Валерий Александрович. Дата публикации: 2003-08-20.

Method of applying silicon nitride-based coating on glass, in particular, quartz, surface

Номер патента: RU2121985C1. Автор: И.С. Епифановский,ев А.В. Шир,А.В. Ширяев,В.Т. Заболотный,В.О. Вальднер,Е.Е. Старостин,С.А. Терешин,Е.В. Бовбель,С.Д. Рудник. Владелец: Научно-производственное объединение машиностроения. Дата публикации: 1998-11-20.

Method of obtaining of cubic silicon nitride

Номер патента: RU2331578C2. Автор: Александр Васильевич Уткин,Владимир Евгеньевич ФОРТОВ,Анатолий Николаевич Дремин,Виктор Филиппович Таций,Андрей Николаевич Жуков,Александр Викторович Ананьин,Александра Иринеевна Рогачева. Владелец: Некоммерческая организация Учреждение Институт проблем химической физики Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2008-08-20.

Method of producing protective coating on articles with silicon carbide, silicon nitride and carbon-containing base

Номер патента: RU2520310C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-06-20.

Hot pressing of silicon nitride using magnesium silicide

Номер патента: CA1096893A. Автор: Charles D. Greskovich,Chester R. O'Clair. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-03-03.

Coarse reaction bonded silicon nitride

Номер патента: WO1995008519B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-06-08.

Inkjet printhead with titanium aluminium alloy heater

Номер патента: SG187485A1. Автор: Angus John North,Jennifer Mia Fishburn,C S Lakshmi. Владелец: Silverbrook Res Pty Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Silicon nitride waveguide or photonic integrated circuit fabrication method

Номер патента: WO2024231800A1. Автор: Tobias Kippenberg,Xinru JI,Rui Ning WANG. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2024-11-14.

Method for obtaining composite target for sputtering from tungsten-titanium-silicon alloy

Номер патента: RU2454481C2. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2012-06-27.

Method for forming titanium nitride layer with low resistance by multiple plasma processing

Номер патента: TW419747B. Автор: Jen-Hua Yu,Shiau-Lin Suei. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-01-21.

METHOD FOR ELECTROLYTE-PLASMA REMOVAL OF COATINGS FROM TITANIUM NITRIDES OR NITRIDES OF TITANIUM COMPOUNDS WITH METALS

Номер патента: RU2011116352A. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Анатолий Михайлович Смыслов,Дамир Рамилевич Таминдаров,Константин Сергеевич Селиванов,Анатолий Михайлович Смыслов (RU),Аскар Джамилевич Мингажев (RU),Константин Сергеевич Селиванов (RU),Дамир Рамилевич Таминдаров (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Вакууммаш" (RU). Дата публикации: 2012-10-27.

METHOD OF FORMING TITANIUM NITRIDE FILM, APPARATUS FOR FORMING TITANIUM NITRIDE FILM, AND PROGRAM

Номер патента: US20120219710A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-08-30.

METHODS OF FABRICATING FIELD EFFECT TRANSISTORS INCLUDING TITANIUM NITRIDE GATES OVER PARTIALLY NITRIDED OXIDE AND DEVICES SO FABRICATED

Номер патента: US20120264283A1. Автор: Dennen Michael W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

Titania nitriding process for preparing nanometer titanium nitride powder

Номер патента: CN1312218A. Автор: 孙静,张青红,高濂,李景国. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2001-09-12.

Production of sintered body of cubic boron nitride combining alumina and titanium nitride

Номер патента: JPS59153851A. Автор: Tatsuro Kuratomi,倉富　龍郎. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-09-01.

Synthesizing dense titanium aluminum nitride-titanium nitride composite block material by in site thermal press process

Номер патента: CN1944338A. Автор: 王苹,严明,周卫兵,朱教群,梅炳初,田晨光. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2007-04-11.

Silicon nitride-titanium nitride composite ceramics and method for producing the same

Номер патента: JP2658944B2. Автор: 裕一 沢井,素之 宮田,義幸 安富,恒行 金井. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-30.

Plasma discharging and sintering process of synthesizing aluminum-titanium nitride-titanium nitride composite block material

Номер патента: CN100391898C. Автор: 王苹,严明,周卫兵,朱教群,梅炳初,田晨光. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2008-06-04.

Method for preparing non-stoichiometric titanium nitride and aluminum nitride composite material

Номер патента: CN102503433A. Автор: 王明智,赵玉成,邴建立,乔丽娜,邹芹. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-20.

Aluminum nitride-silicon carbide composite circuit board substrate material enhanced by anti-corrosive high-density nanometer titanium nitride and preparation method thereof

Номер патента: CN105367100A. Автор: 王丹丹,王乐平,夏运明,涂聚友. Владелец: HEFEI LONGDUO ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-02.

Titanium nitride nanometer material having three-dimensional connected pore channel structure and preparation method of titanium nitride nanometer material

Номер патента: CN102701163B. Автор: 涂铭旌,黄建国,田亮亮,张艳华,蔡艳华,邓莹,杨宏涛,李忠彬. Владелец: Chongqing University of Arts and Sciences. Дата публикации: 2014-03-19.

A kind of method preparing vanadium nitride/titanium nitride

Номер патента: CN103641080B. Автор: 邓斌,赵三超,朱福兴,穆天柱,闫蓓蕾,彭卫星,穆宏波. Владелец: Pangang Group Panzhihua Iron and Steel Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-02.

Method of receiving of composite ceramic powder on basis of silicium nitride and titanium nitride

Номер патента: RU2382690C1. Автор: Юрий Михайлович Максимов,Людмила Николаевна Чухломина,Ольга Геннадьевна Витушкина. Владелец: Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2010-02-27.

METHOD FOR FORMING A SELF-FILLED HOLLOW CATHODE FROM TITANIUM NITride FOR A NITROGEN PLASMA GENERATION SYSTEM

Номер патента: RU2012125780A. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Андрей Игоревич Меньшаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2013-12-27.

METHOD AND DEVICE FOR APPLICATION OF COATINGS BASED ON TITANIUM NITRIDE

Номер патента: RU2013157056A. Автор: Максим Владимирович Ненашев,Андрей Юрьевич Мурзин,Ильдар Дугласович Ибатуллин,Илья Владимирович Нечаев,Сергей Юрьевич Ганигин,Александр Анатольевич Чеботаев,Павел Константинович Кондратенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-06-27.

Titanium nitride deposition for reducing the aluminum-copper loss in via etching process

Номер патента: TW401462B. Автор: Chuen-Ming Liou,Jian-Jung Wang,Tzung-Jie Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-08-11.

Method for forming a titanium nitride layer

Номер патента: TW200607880A. Автор: Ching-Hua Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-01.

Preparation of titanium nitride

Номер патента: CA543990A. Автор: E. Jacobsen Arthur. Владелец: NL Industries Inc. Дата публикации: 1957-07-23.

Titanium nitride refractory compositions

Номер патента: CA734027A. Автор: Colton Ervin. Владелец: Allis Chalmers Corp. Дата публикации: 1966-05-10.

Titanium nitride electrode for electrolytic reduction

Номер патента: JPS56136988A. Автор: Hiroshi Miura,Tadashi Iwai,Yoshiharu Matsuda,Hisayuki Mizuno. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 1981-10-26.

Method for reducing chlorine content in titanium nitride layer

Номер патента: TW441001B. Автор: Jiun-Rung Jang,Shr-Jung Jang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-06-16.

Titanium nitride electrolytic condenser

Номер патента: CA584476A. Автор: H. Cornish Eric. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1959-10-06.

Titanium nitride and improved process for preparation of same

Номер патента: CA543991A. Автор: J. Cacciotti Joseph. Владелец: NL Industries Inc. Дата публикации: 1957-07-23.

Method of fabricating a titanium nitride layer

Номер патента: TWI222109B. Автор: Yu-Piao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-10-11.

Formation method of titanium nitride

Номер патента: TW471030B. Автор: Lung-Shan Lai,Kuen-Sz Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Preparation method of barium titanate film on titanium nitride

Номер патента: TW200801245A. Автор: Fu-Hsing Lu,shu-jun Xu,You-Zhi Jie. Владелец: Nat Univ Chung Hsing. Дата публикации: 2008-01-01.

Hierarchical-pore titanium silicon molecular sieve catalyst synthesized with assistance of aerosol and preparation method of hierarchical-pore titanium silicon molecular sieve catalyst

Номер патента: CN103418432A. Автор: 郭振东,熊光. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2013-12-04.

Titanium-silicon composite oxide precursor, precursor solution thereof, production method thereof, and titanium-silicon composite oxide

Номер патента: JP4168541B2. Автор: 寿男 小野,誠 三原,弘二 河原. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Formation of thin titanium nitride film

Номер патента: JPS61190064A. Автор: Yasuo Suzuki,Kiyoshi Ogata,Yasunori Ando,潔 緒方,靖典 安東,泰雄 鈴木. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-08-23.

METHOD OF OBTAINING TITANIUM NITRIDE COATING ON DETAILS

Номер патента: SU1067859A1. Автор: А.А. Ефанов,А.А. Углов,Е.Н. Власов,В.Г. Панаетов,Н.Н. Рыкалин,В.А. Гребенников,И.Ю. Смуров,А.Г. Гнедовец. Владелец: Н.Н. Рыкалин. Дата публикации: 2005-07-27.

METHOD FOR PROCESSING TITANIUM-SILICON-CONTAINING RAW MATERIALS

Номер патента: RU2008106532A. Автор: Александр Николаевич Дьяченко,Артем Андреевич Андреев,Артём Андреевич Андреев (RU),Александр Николаевич Дьяченко (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фторидные технологии" (RU). Дата публикации: 2009-08-27.

Material for coating on the base of titanium nitride

Номер патента: RU2070598C1. Автор: Б.С. Хомяк. Владелец: Научно-производственное государственное предприятие "Синтез" при Донском государственном техническом университете. Дата публикации: 1996-12-20.

Boron nitride base evaporation vessel having a surface coating of titanium-silicon thereon

Номер патента: CA874350A. Автор: C. Montgomery Lionel. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1971-06-29.

TITANIUM NITRIDE FILMS

Номер патента: US20120056326A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

Cubic Aluminum Titanium Nitride Coating and Method of Making Same

Номер патента: US20120201615A1. Автор: Ban Zhigang,Liu Yixiong,Ni Wangyang,Penich Ronald M.. Владелец: KENNAMETAL INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

TRANSISTORS HAVING A GATE COMPRISING A TITANIUM NITRIDE LAYER AND METHOD FOR DEPOSITING THIS LAYER

Номер патента: US20130001708A1. Автор: Caubet Pierre,Baudot Sylvain. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

Titanium-Nitride Removal

Номер патента: US20130171829A1. Автор: Rath David L.,Fitzsimmons John A.,Sankarapandian Muthumanickam,Chen Shyng-Tsong,van der Straten Oscar. Владелец: International Business Machines Operation. Дата публикации: 2013-07-04.

TITANIUM NITRIDE AS SENSING LAYER FOR MICROWELL STRUCTURE

Номер патента: US20130190211A1. Автор: REARICK Todd,Hinz Wolfgang,Bustillo James,Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

Preparation of titanium nitride base hard sintered alloy for decorative parts

Номер патента: JPS569342A. Автор: Teruyoshi Tanase,Naohisa Ito. Владелец: Mitsubishi Metal Corp. Дата публикации: 1981-01-30.

Tough cermet containing titanium nitride

Номер патента: JPS5388609A. Автор: Hironori Yoshimura,Hidekazu Doi,Kenichi Nishigaki. Владелец: Mitsubishi Metal Corp. Дата публикации: 1978-08-04.

Preparation of titanium nitride base hard sintered alloy for decorative parts

Номер патента: JPS569343A. Автор: Teruyoshi Tanase,Naohisa Ito. Владелец: Mitsubishi Metal Corp. Дата публикации: 1981-01-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.