Field effect transistors having comb-shaped electrode assemblies.

Field effect transistors having comb-shaped electrode assemblies

Номер патента: US5614762A
Опубликовано: 25-03-1997
Автор(ы): Mikio Kanamori, Takafumi Imamura
Принадлежит: NEC Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Method of making field effect transistor

Номер патента: US5344788A. Автор: Minoru Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Field effect transistor

Номер патента: GB2273202A. Автор: Minoru Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-06-08.

Method of making a short gate field effect transistor

Номер патента: US4145459A. Автор: Jitendra Goel. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-03-20.

Fin field effect transistors having conformal oxide layers and methods of forming same

Номер патента: US09515188B2. Автор: Syun-Ming Jang,Chia-Cheng Chen,Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Meng-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20120104513A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Field effect transistor with a high breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060141726A1. Автор: Ji-Su Kim,Sung-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Gate air spacer for fin-like field effect transistor

Номер патента: US11764281B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20130178056A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Self-aligned gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2013090401A1. Автор: Daniel J. Grimm,Gregory Dix,Harold Kline,Rodney Schroeder. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-20.

Planar-type field-effect transistor having metallized-well electrodes and a method of fabrication of said transistor

Номер патента: US4482907A. Автор: Paul R. Jay. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-13.

Multi-fin fin-type field effect transistor with fine-tuned effective channel width

Номер патента: US20240347638A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Romain H.A. Feuillette,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

A method of fabricating a field effect short channel transistor having less length fluctuation by using an amorphous electrode material during implantation

Номер патента: DE102009006801B4. Автор: Sven Beyer,Thilo Scheiper,Andy Wei. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-05-19.

Extended-drain structures for high voltage field effect transistors

Номер патента: US09911815B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of fabricating a high-voltage field-effect transistor

Номер патента: EP2264772A3. Автор: Donald R. Disney,Vladimir Rumennik,Janardhanan S. Ajit. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2011-01-05.

High-voltage field-effect transistor having multiple implanted layers

Номер патента: US09660053B2. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Edge rounded field effect transistors and methods of manufacturing

Номер патента: US09412598B2. Автор: Shenqing Fang,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods of forming field effect transistors having self-aligned intermediate source and drain contacts

Номер патента: US6162690A. Автор: Kang-yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of making MIS-field effect transistor having a short channel length

Номер патента: US4382826A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-05-10.

Mos field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: US20160118494A1. Автор: Achim Trautmann,Ning Qu,Michael Grieb. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-04-28.

Logic and flash field-effect transistors

Номер патента: US20180158835A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Junction Field Effect Transistor Cell with Lateral Channel Region

Номер патента: US20150137143A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Field-effect transistors with vertically-serpentine gates

Номер патента: US20200357892A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Method of forming shallow junctions in field effect transistors

Номер патента: US5268317A. Автор: Udo Schwalke,Christoph Zeller,Wilfried Hänsch,Heinrich J. Zeininger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1993-12-07.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Field effect transistor having a multi-width electrode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905690B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: EP2269219A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-01-05.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: US20110024835A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-03.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: WO2009128035A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-10-22.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Field-effect transistors with isolation pillars

Номер патента: US20240072050A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Field effect transistor having improved gate structures

Номер патента: WO2021061252A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-04-01.

Field effect transistor having improved gate structures

Номер патента: US20210098285A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-04-01.

Field effect transistor having improved gate structures

Номер патента: EP4035210A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-08-03.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09634112B2. Автор: Chull Won JU,Jae Kyoung Mun,Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Sang Heung LEE,Hokyun Ahn,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Structure and fabrication of field-effect transistor having source/drain extension defined by multiple local concentration maxima

Номер патента: WO2010110900A8. Автор: Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Tunnel field effect transistors having low turn-on voltage

Номер патента: US09728639B2. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing field effect transistor having widened trench

Номер патента: US09741825B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Field effect transistor having channel silicon germanium

Номер патента: SG168481A1. Автор: Hiroyuki Ota,Vincent Sih. Владелец: Toshiba America Electronic. Дата публикации: 2011-02-28.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US12136659B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09589803B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Structure and fabrication of field-effect transistor having source/drain extension defined by multiple local concentration maxima

Номер патента: EP2412014A1. Автор: William D. French,Contsantin BULUCEA. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Gate-last process for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: US20200219777A1. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200211908A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Vertical transport field-effect transistor including dual layer top spacer

Номер патента: US20190172924A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Christopher Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Vertical transport field-effect transistor including dual layer top spacer

Номер патента: US20200152766A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Christopher Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Long-Term Implantable Silicon Carbide Neural Interface Device Using the Electrical Field Effect

Номер патента: US20140194719A1. Автор: Christopher Leroy Frewin,Stephen E. Saddow. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-07-10.

Long-term implantable silicon carbide neural interface device using the electrical field effect

Номер патента: WO2013010161A3. Автор: Christopher Leroy Frewin,Stephen E. Saddow. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2013-03-14.

Long-term implantable silicon carbide neural interface device using the electrical field effect

Номер патента: EP2731498A2. Автор: Christopher Leroy Frewin,Stephen E. Saddow. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-05-21.

Vertical field effect transistor having an elongated channel

Номер патента: US09905645B2. Автор: Sang Woo Lee,Seung Han Park,Keon Yong Cheon,Yong Hee Park,Myung Gil Kang,Sang Hoon BAEK,Sung Man WHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Fabrication of test field effect transistor structure

Номер патента: US6436773B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-20.

Novel III-V Heterojunction Field Effect Transistor

Номер патента: US20180254326A1. Автор: Zhihua Dong,Guohua Liu,Zhiqun Cheng,Huajie Ke. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor process, planar field effect transistor and fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US9773880B2. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor process, planar field effect transistor and fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US20170069730A1. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Cellular trench-gate field-effect transistors

Номер патента: EP1145326A2. Автор: Raymond J. E. Hueting,Erwin A. Hijzen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-17.

Field effect transistor having comb-shaped lead-out electrodes capable of reducing parasitic capacitance therebetween

Номер патента: US6376886B2. Автор: Noriaki Mizuhara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Method of forming field effect transistors relative to a semiconductor substrate and field effect transistors produced according to the method

Номер патента: US5597746A. Автор: Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Multi-gate field-effect transistor with enhanced and adaptable low-frequency noise

Номер патента: US20120168868A1. Автор: Hsin Chen,Jeng Gong,Tang-Jung CHIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of making asymmetrically optimized CMOS field effect transistors

Номер патента: US4874713A. Автор: Samuel C. Gioia. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1989-10-17.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of manufacturing field-effect transistors with self-aligned grid and transistors thus obtained

Номер патента: US4429452A. Автор: Didier Meignant. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Finfet pcm access transistor having gate-wrapped source and drain regions

Номер патента: US20170054005A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Chung H. Lam,Philip J. Oldiges,Darsen D. Lu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

FinFET PCM access transistor having gate-wrapped source and drain regions

Номер патента: US09825094B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Chung H. Lam,Philip J. Oldiges,Darsen D. Lu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

FinFET PCM access transistor having gate-wrapped source and drain regions

Номер патента: US09825093B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Chung H. Lam,Philip J. Oldiges,Darsen D. Lu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising a junction field effect transistor (JFET)

Номер патента: US11830776B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor

Номер патента: US11342449B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-05-24.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor (jfet) and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20220254905A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-08-11.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: WO2024205835A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09748239B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

A field effect transistor

Номер патента: WO2012072646A1. Автор: Richard John Lang,Richard Stuart Balmer,James Pilkington,Christopher Maxwell Snowden,Paul Gideon Huggett. Владелец: DIAMOND MICROWAVE DEVICES LIMITED. Дата публикации: 2012-06-07.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09536789B1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nanosheet field effect transistor with a source drain epitaxy replacement

Номер патента: US11942374B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Field effect transistor, method of fabricating field effect transistor, and electronic device

Номер патента: US20200328294A1. Автор: Shibo LIANG. Владелец: Beijing Hua Tan Yuan Xin Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Preparation method of GaN field effect transistor based on diamond substrate

Номер патента: US12112944B2. Автор: Yuangang WANG,Hongyu Guo,Zhihong FENG,Xingchang FU,Xubo Song,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG,Shaobo Dun. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabricating a field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy

Номер патента: US11894424B2. Автор: Seung Hwan Lee,Jin Su Jeong,Rock Hyun Baek,Jun Sik Yoon. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-02-06.

Heterostructure field effect transistor having high efficiency and method of preparing the same

Номер патента: US20150270381A1. Автор: Inhwan LEE,DaeWoo JEON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chonbuk National University. Дата публикации: 2015-09-24.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistor with self-aligned shared contacts

Номер патента: US20200212220A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Reduced parasitic resistance two-dimensional material field-effect transistor

Номер патента: US20230163203A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistor with self-aligned shared contacts

Номер патента: US20200066903A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Systems and methods for cmos-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US20150214384A1. Автор: Kenneth L. Shepard,Jacob Rosenstein,Ryan Michael Field,Dan Fleischer. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2015-07-30.

Two dimensional field effect transistors

Номер патента: US20180182849A1. Автор: Alireza Alian,Salim El Kazzi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-28.

Systems and methods for cmos-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US20170317219A1. Автор: Kenneth L. Shepard. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-11-02.

Systems and methods for CMOS-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US09741870B2. Автор: Kenneth L. Shepard,Jacob Rosenstein,Ryan Michael Field,Dan Fleischer. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide field effect transistor

Номер патента: US9685552B2. Автор: Cheng-Tyng Yen,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of forming integrated circuitry, methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor, and methods of forming field effect transistors

Номер патента: US20020197804A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Field effect transistor (fet) comprising channels with silicon germanium (sige)

Номер патента: EP4046202A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20230387122A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multi-gate device integration with separated fin-like field effect transistor cells and gate-all-around transistor cells

Номер патента: US11791339B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) COMPRISING CHANNELS WITH SILICON GERMANIUM (SiGe)

Номер патента: WO2021076241A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-22.

Complementary field effect transistors having multiple voltage thresholds

Номер патента: WO2023104536A1. Автор: Marc Bergendahl,Ruilong Xie,Joshua Rubin,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Field effect transistor including channel formed of 2D material

Номер патента: US12027588B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Diamond field effect transistor and mehtod for producing same

Номер патента: EP4117024A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-11.

Diamond field effect transistor and method for producing same

Номер патента: US20230136477A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Structure and method to form a stack field effect transistor with different channel oriented gate-all-around devices

Номер патента: US20240203991A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Field Effect Transistor Having Loop Distributed Field Effect Transistor Cells

Номер патента: US20170053910A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: WO2017030825A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09698144B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: EP3338308A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-06-27.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

High voltage field effect transitor finger terminations

Номер патента: US09564497B2. Автор: Andrew P. Ritenour,Kevin Wesley Kobayashi,Haldane S. Henry. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Field effect transistor having electrode coated sequentially by oxide layer and nitride layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960244B2. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Field effect transistor having electrode coated sequentially by oxide layer and nitride layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799742B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Field effect transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240213373A1. Автор: Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7825493B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8187957B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP1763084A3. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Field effect transistor

Номер патента: US20210043743A1. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Complementary field effect transistor cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240321889A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-26.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Hybrid gate field effect transistor and manufacturing method therefor, and switch circuit

Номер патента: EP4187614A1. Автор: Hui Sun,Boning Huang,Zhibin Chen,Qimeng JIANG,Ruihong Luo,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Hybrid gate field effect transistor, method for preparing hybrid gate field effect transistor, and switch circuit

Номер патента: US20230187523A1. Автор: Hui Sun,Boning Huang,Zhibin Chen,Qimeng JIANG,Ruihong Luo,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20180254327A1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Insulated gate field effect transistor having passivated schottky barriers to the channel

Номер патента: US09583614B2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US11824000B2. Автор: Julien Buckley,Rene Escoffier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-21.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Field effect transistor having field plate

Номер патента: AU2020375557B2. Автор: Michael S. Davis,Eduardo M. Chumbes,Brian T. APPLETON JR.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-09-05.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Thin film tunnel field effect transistors having relatively increased width

Номер патента: US20200168636A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of making a field effect transistor having an elevated source and an elevated drain

Номер патента: US6057200A. Автор: Sujit Sharan,Kirk Prall,Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232A1. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Complementary field effect transistor with hybrid nanostructure

Номер патента: US20230307456A1. Автор: Yi-Bo Liao,Chun-Fu CHENG,Yi-Han WANG,Meng-Yu Lin,Szuya Liao,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having variable thickness gate dielectric

Номер патента: US09917168B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09559118B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Gate-all-around field effect transistors having end portions of nanosheet channel layers adjacent to source/drain regions being wider than the center portions

Номер патента: US12094972B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing junction field effect transistor

Номер патента: US09627433B2. Автор: Hideomi Kumano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Esd field-effect transistor and integrated diffusion resistor

Номер патента: US20130020645A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Rahul Mishra,Shunhua T. Chang,Kiran V. Chatty,Junjun Li,John B. Campi, JR.,Mujahid Muhammad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Field effect transistor including silicon oxide film and nitrided oxide film as gate insulator film and manufacturing method thereof

Номер патента: US5554876A. Автор: Shigeru Kusunoki,Masahide Inuishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Group III-nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09905647B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-02-27.

Dual channel vertical field effect transistor including an embedded electrode

Номер патента: US09343507B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-05-17.

Memory, gate-all-around field-effect transistor, and producing method

Номер патента: EP4261889A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors

Номер патента: US09472663B2. Автор: Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Carbon field effect transistors having charged monolayers to reduce parasitic resistance

Номер патента: GB2504643A. Автор: Shu-Jen Han,Hsin-Ying Chiu,Hareem T Maune. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Process of forming a field effect transistor without spacer mask edge defects

Номер патента: US5956590A. Автор: Shu-Jen Chen,Yong-Fen Hsieh,Joe Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Memory, Gate-All-Around Field-Effect Transistor, and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352552A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Trench Field Effect Transistor Having Improved Electrical Performance

Номер патента: US20240204071A1. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Jinho Seo. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having asymmetric lightly doped drain regions

Номер патента: US09583618B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Field effect transistor having field plate

Номер патента: US11862691B2. Автор: Michael S. Davis,Eduardo M. Chumbes,Brian T. Appleton, JR.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-01-02.

Circuits based on complementary field-effect transistors

Номер патента: US20190214469A1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20240055528A1. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Cross field effect transistor (xfet) architecture process

Номер патента: EP4409626A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

III-V gate-all-around field effect transistor using aspect ratio trapping

Номер патента: US09583567B2. Автор: SANGHOON Lee,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: AU3234597A. Автор: Ranbir Singh,John W Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1998-01-05.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Field-effect transistor, and method of production

Номер патента: US20240234571A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20150145032A1. Автор: Klaus Kohler,Rüdiger QUAY. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Nanosheet transistor having abrupt junctions between the channel nanosheets and the source/drain extension regions

Номер патента: US20210151608A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: US20240290860A1. Автор: Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I. Chou,Andrew Gaul,Nicolas Jean Loubet,Curtis S. Durfee,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: WO2024175381A1. Автор: Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I-Chih Chou,Andrew Gaul,Andrew Mark Greene,Nicolas Jean Loubet,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi,Curtis Scott DURFEE. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-08-29.

Stacked field effect transistor devices with replacement gate

Номер патента: US12094937B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US12027629B2. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Jen-Po Huang,Qinggang Xing,Ding-Lung Chen,Li Li Ding,Yao-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Annealed metal source drain overlapping the gate of a fin field effect transistor

Номер патента: US09935200B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Tunneling field effect transistors (TFETs) for CMOS architectures and approaches to fabricating N-type and P-type TFETs

Номер патента: US09911835B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung,Kelin J. Kuhn,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Anurag Chaudhry,Thomas D. Linton, Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Formation of a bottom source-drain for vertical field-effect transistors

Номер патента: US09799765B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Vertical field effect transistor including extension and stressors

Номер патента: US09793401B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Large area diode co-integrated with vertical field-effect-transistors

Номер патента: US09754933B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US09660086B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Hsin-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Field effect transistors including fin structures with different doped regions and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09653551B2. Автор: Bomsoo Kim,Myung Gil Kang,Changwoo Oh,Jongshik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09608070B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Junction field effect transistor cell with lateral channel region

Номер патента: US09548399B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-17.

Junction field effect transistor cell with lateral channel region

Номер патента: US09425327B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing field-effect transistor with periodically doped channel

Номер патента: RU2191444C1. Автор: В.К. Смирнов,Д.С. Кибалов,В.А. Гергель. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок". Дата публикации: 2002-10-20.

Hybrid complementary field effect transistor device

Номер патента: US11777034B2. Автор: Chen Zhang,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Vertical-type metal insulator semiconductor field effect transistor device, and production method for manufacturing such transistor device

Номер патента: US20050133856A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: US20240332297A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Metal-oxide semiconductor (MOS) field effect transistor having extremely shallow source/drain zones and silicide terminal zones, and a process for producing the transistor circuit

Номер патента: US4885617A. Автор: C. A. Mazure-Espejo,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-12-05.

Structure and method of making strained channel CMOS transistors having lattice-mismatched epitaxial extension and source and drain regions

Номер патента: US6906360B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Huajie Chen,Haining S. Yang,Omer O. Dokumaci. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Structure and method of making strained channel cmos transistors having lattice-mismatched epitaxial extension and source and drain regions

Номер патента: EP1668672A2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Huajie Chen,Haining S. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-14.

Field Effect Transistor Device, and Method for Improving Short-Channel Effect and Output Characteristic Thereof

Номер патента: US20230223466A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-13.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3262688A1. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Field-effect transistors with independently-tuned threshold voltages

Номер патента: US20210091202A1. Автор: Xiaoli He,Bingwu Liu,Tao Chu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3916801A1. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-01.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: US20230187516A1. Автор: Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Stacked field effect transistors with reduced gate-to-drain parasitic capacitance

Номер патента: US20230317793A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Low-noise gate-all-around junction field effect transistor

Номер патента: US20210320205A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Field effect transistor structure and method for making same

Номер патента: CA1061014A. Автор: Robert C. Dockerty,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-08-21.

Field effect transistor

Номер патента: US20170179270A1. Автор: Masashi Tanimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Field effect transistor having a gate dielectric with variable thickness

Номер патента: US5314834A. Автор: Marius K. Orlowski,Carlos A. Mazure. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Field-effect transistors having a gate electrode positioned inside a substrate recess

Номер патента: US20230317776A1. Автор: Steven M. Shank,Rajendran Krishnasamy,Michel Abou-Khalil,Sarah McTaggart,Aaron Vallett. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Insulated gate field-effect transistor device and method of making the same

Номер патента: EP4243080A3. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-08.

Vertical field effect transistor device and method of making thereof

Номер патента: WO2015138314A1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

Trench junction field effect transistor having a mesa region

Номер патента: US20230261117A1. Автор: Hans Weber,Andreas Riegler,David Kammerlander. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-17.

Vertical field effect transistor device and method of making thereof

Номер патента: EP3108506A1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-28.

Field effect transistor

Номер патента: US20240194759A1. Автор: Manabu Yanagihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Fin structure for vertical field effect transistor having two-dimensional shape in plan view

Номер патента: US20200403086A1. Автор: Ki Il Kim,Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Field-effect transistor, field-effect transistor array structure and method of manufacturing field-effect transistor

Номер патента: US20220149166A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Field effect transistor

Номер патента: US09972710B2. Автор: Masashi Tanimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A3. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US6803288B2. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Field effect transistor including a downward-protruding gate electrode and methods for forming the same

Номер патента: US12057475B2. Автор: Tsung-Hao YEH,Shiang-Hung HUANG,HsinFu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20030013243A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Silicon-containing, tunneling field-effect transistor including III-N source

Номер патента: US09773909B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

III-V gate-all-around field effect transistor using aspect ratio trapping

Номер патента: US09590107B2. Автор: SANGHOON Lee,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Processes used in fabricating a metal-insulator-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09508596B2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva Pattanayak. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming a metal semiconductor field effect transistor

Номер патента: US4358891A. Автор: Bruce Roesner. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Field-effect transistors (FETs) employing edge transistor current leakage suppression to reduce FET current leakage

Номер патента: US11948978B2. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Ferroelectric-based field-effect transistor with threshold voltage switching for enhanced on-state and off-state performance

Номер патента: US20200321445A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Horizontally depleted metal semiconductor field effect transistor

Номер патента: EP2191498A2. Автор: Trevor John Thornton,Joseph E. Ervin. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2010-06-02.

Field-effect transistors having a gate electrode positioned inside a substrate recess

Номер патента: EP4254505A1. Автор: Steven Shank,Rajendran Krishnasamy,Michel Abou-Khalil,Aaron Vallett,Sarah Mc TAGGART. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Stacked complementary field effect transistors

Номер патента: US11916073B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Field-effect transistors with dual thickness gate dielectrics

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Rui Ma,Mark Armstrong,Ayan KAR,Akm A. AHSAN,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Sameer Jayanta Joglekar,Hyuk Ju Ryu,Sayan Saha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods for fabricating metal-oxide-semiconductor field effect transistors using gate sidewall spacers

Номер патента: US20040203197A1. Автор: Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Manufacturing process of fin-type field effect transistor and semiconductor

Номер патента: US20110059584A1. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Katsuhiko Tanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Field effect transistor having two-dimensionally distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09685438B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-20.

Lateral field-effect transistor having an insulated trench gate electrode

Номер патента: EP1639651A1. Автор: Raymond J. E. Philips Intellectual HUETING,Erwin A. Philips Intellectual Property HIJZEN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-29.

Process for producing an MOS field effect transistor with a recombination zone

Номер патента: US20020081785A1. Автор: Friedrich Kröner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-27.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Lateral field effect transistor device

Номер патента: US09502501B2. Автор: Priyanka DE SOUZA. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Field effect transistor

Номер патента: US20240282831A1. Автор: Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic device comprising a field effect transistor for high-frequency aplications

Номер патента: US20060231905A1. Автор: Radjindrepersad Gajadharsing,Thomas Roedle,Hendrikus Jos,Stephan Theeuwen,Petra Hammes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Field effect transistor

Номер патента: US20160079403A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Structure of a field effect transistor having metallic silicide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070158757A1. Автор: Takashi Ichimori,Norio Hirashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Enhancement-mode field effect transistor having metal oxide channel layer

Номер патента: US09680030B1. Автор: Albert Chin,Chen-Wei Shih. Владелец: Advanced Device Research Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

Номер патента: US09506892B2. Автор: Yutaka Yamada,Kazuhiro Nagaike,Hiroshi Mitani,Kazuhiko Matsumoto,Satoru Nagao,Masanori Katou,Atsuhiko Kojima,Yasuo Ifuku. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Field-effect transistor having a graded contact layer

Номер патента: US5521403A. Автор: Tadashi Shibata,Hiroyuki Kano,Takatoshi Kato,Masanori Usui. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-28.

Ferroelectric field-effect transistors with a hybrid well

Номер патента: US20240120420A1. Автор: Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC,Zhixing ZHAO,Dominik Martin Kleimaier. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-04-11.

Stacked vertical field-effect transistors with sacrificial layer patterning

Номер патента: US20200303263A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A3. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A2. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-01-28.

Metal-gate field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010038136A1. Автор: Hitoshi Abiko. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for fabricating a field-effect transistor having a floating gate

Номер патента: US20030119261A1. Автор: Franz Hofmann,Robert Strenz,Georg Tempel,Robert Wiesner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US11791215B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20220375794A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200075875A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Field effect transistor

Номер патента: US11527629B2. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-13.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20240284688A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: US20240304241A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: WO2024187130A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Embedded hydrogen inhibitors for semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09577083B1. Автор: Richard Lai,Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Quin W. Kan,Keang H. Kho,Matthew R. Parlee. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Insulated top side bump connection for a power device, for example for gate, source and drain contacts of a power field effect transistor

Номер патента: WO2014149579A1. Автор: Gregory Dix,Roger MELCHER. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: EP3539158A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-09-18.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: WO2018089424A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-05-17.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Complementary field-effect transistors

Номер патента: US20210210349A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory cells comprising a programmable field effect transistor having a reversibly programmable gate insulator

Номер патента: US09947687B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

High-electron-mobility transistor having a buried field plate

Номер патента: US09728630B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Thin-film field effect transistor, driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product

Номер патента: US09515191B2. Автор: Bo Wu,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Field Effect Transistor Device

Номер патента: US20240304729A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Field effect transistor, and multilayered epitaxial film for use in preparation of field effect transistor

Номер патента: US09954087B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Naotaka Kuroda,Akio Wakejima,Yasuhiro Murase,Katsumi Yamanoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Fabricating field effect transistor(s) with stressed channel region(s) and low-resistance source/drain regions

Номер патента: US09735057B2. Автор: Min-Hwa Chi,Shashidhar Shreeshail SHINTRI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Field effect transistors having multiple effective work functions

Номер патента: US09484427B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Min Dai,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Field effect Trench transistor having lightly doped epitaxial region on the surface portion thereof

Номер патента: US5910669A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,King Owyang,Mike F. Chang,Sze-Hon Kwan. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-06-08.

Cmos transistors having differentially stressed spacers

Номер патента: US20130134523A1. Автор: Bruce B. Doris,Sanjay C. Mehta,Balasubramanian S. Haran,Lahir S. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Remote Doped High Performance Transistor Having Improved Subthreshold Characteristics

Номер патента: US20130105910A1. Автор: Prashant Majhi,Kausik Majumdar. Владелец: International SEMATECH. Дата публикации: 2013-05-02.

Fin field effect transistors having a nitride containing spacer to reduce lateral growth of epitaxially deposited semiconductor materials

Номер патента: US20140264387A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Gate-last ferroelectric field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996454B2. Автор: Min Liao,Yichun ZHOU,Binjian ZENG,Jiajia LIAO,Qiangxiang PENG,Yanwei HUAN. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: US20180130888A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-05-10.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200043727A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-02-06.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US09899515B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Multi-height fin field effect transistors

Номер патента: US09640552B2. Автор: Carl J. Radens,Pranita Kerber,Sudesh Saroop. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Field effect transistor with integrated Zener diode

Номер патента: US09543292B2. Автор: Hideaki Tsuchiko. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2369940C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2009-10-10.

High electron mobility transistor, field-effect transistor, epitaxial substrate, method of manufacturing epitaxial substrate, and method of manufacturing group iii nitride transistor

Номер патента: CA2570558A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shin Hashimoto,Tatsuya Tanabe,Tomihito Miyazaki,Kouhei Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device with junction fet transistor having multi pinch-off voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243132A1. Автор: Ji Man Kim,Hee Hwan JI,Song Hwa HONG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Tunnel field-effect transistor and method for manufacturing tunnel field-effect transistor

Номер патента: US20180261689A1. Автор: Jing Zhao,Chen-Xiong Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Vertical field-effect transistor

Номер патента: EP3347915A1. Автор: Franky So,Do Young Kim,Bhabendra K. Pradhan,Hyeonggeun Yu. Владелец: Nanoholdings LLC. Дата публикации: 2018-07-18.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

An electrolyte-gated field-effect transistor with surfactant layer

Номер патента: WO2020216901A1. Автор: Qiaoming ZHANG,Marta Mas Torrent,Francesca LEONARDI. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Дата публикации: 2020-10-29.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming an asymmetric field effect transistor

Номер патента: US7442613B2. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Asymmetric field effect transistor

Номер патента: US20070034926A1. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Multiple-layer spacers for field-effect transistors

Номер патента: US09947769B1. Автор: TAO Han,Zhenyu Hu,Jinping Liu,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812560B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Tunnel field-effect transistor, method for manufacturing same, and switch element

Номер патента: US09634114B2. Автор: Takashi Fukui,Katsuhiro Tomioka. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2017-04-25.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09548385B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09312383B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Field effect transistor having a multilayer interconnection layer therein with tapered sidewall insulators

Номер патента: US5157469A. Автор: Yasushi Matsui,Hideaki Arima,Kaoru Motonami,Makoto Ohi,Tomonori Okudaira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09553171B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: EP3326205A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-30.

Field effect transistor, electronic apparatus including the same, and method of manufacturing the field effect transistor

Номер патента: US20230103876A1. Автор: Minsu Seol,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US20240258322A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US20170243953A1. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US9780198B2. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Bidirectional output semiconductor field effect transistor and method for its maufacture

Номер патента: US4721986A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1988-01-26.

Method for fabricating quasi-soi source/drain field effect transistor device

Номер патента: US20160118245A1. Автор: Ming Li,Ru Huang,Yuancheng YANG,Hanming Wu,Jiewen Fan,Weihai Bu,Haoran Xuan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-28.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: WO2017074546A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for preparing diamond-based field effect transistor, and corresponding field effect transistor

Номер патента: US20210066471A1. Автор: CUI Yu,Jingjing Wang,Qingbin Liu,Zhihong FENG,Chuangjie Zhou,Zezhao HE,Xuedong GAO,Jianchao GUO. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for fabricating complementary tunneling field effect transistor based on standard cmos ic process

Номер патента: US20140220748A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yingxin Qiu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-07.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US20230085365A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: WO2022008977A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-13.

Field effect transistors with reduced leakage current

Номер патента: US11955555B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: EP4409638A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US12074216B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2399989C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2010-09-20.

Fabrication of field-effect transistor having hypoabrupt body dopant distribution below source/drain zone

Номер патента: US8034679B1. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Integrated circuit comprising complementary field effect transistors

Номер патента: US4799092A. Автор: Francois M. Klaassen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20210118878A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Field-effect transistors with diffusion blocking spacer sections

Номер патента: US20200287019A1. Автор: Hong Yu,George R. Mulfinger,Jianwei PENG,Man Gu,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Combination of tensilely strained n-type fin field effect transistors and compressively strained p-type fin field effect transistors

Номер патента: US20200381308A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Vertical field effect transistor inverter with single fin device

Номер патента: US11817497B2. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Vertical transport field-effect transistors having germanium channel surfaces

Номер патента: US11784096B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20200381426A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Fin field effect transistor including a single diffusion break with a multi-layer dummy gate

Номер патента: US20200066898A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Vertical transistor having an asymmetric gate

Номер патента: WO2013054212A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: IBM Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-18.

Fin field effect transistor including a single diffusion break with a multi-layer dummy gate

Номер патента: US20200066895A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: EP3688812A1. Автор: Damien Lenoble,Renaud Leturcq,Jonathan CREPELLIERE,Petru LUNCA POPA. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2020-08-05.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: WO2019063703A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2019-04-04.

Method for measuring an interface resistance of a field effect transistor

Номер патента: US20240036100A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang,Xuan-Zhang Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor Architecture Having Field-effect Transistors Especially Suitable for Analog Applications

Номер патента: US20120299097A1. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Field Effect Transistors with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20230395722A1. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab dba Tower Semiconductor Newport Beach LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Partially isolated fin-shaped field effect transistors

Номер патента: US09634000B2. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Structure and method of making strained semiconductor CMOS transistors having lattice-mismatched semiconductor regions underlying source and drain regions

Номер патента: US6891192B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Huajie Chen,Haining S. Yang,Oleg G. Gluschenkov,An L. Steegen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

Insulated-gate field-effect transistor and method of manufacturing same

Номер патента: CA1150853A. Автор: Royce Lowis,Peter M. Tunbridge. Владелец: Peter M. Tunbridge. Дата публикации: 1983-07-26.

Silicon nanoparticle field effect transistor and transistor memory device

Номер патента: CA2393962C. Автор: Munir H. Nayfeh,Gennadiy Belomoin,Joel Therrien. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2007-07-03.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US20200091342A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US10879390B2. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190280120A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: US11316017B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2022-04-26.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: US20200266277A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2020-08-20.

Stressed channel bulk fin field effect transistor

Номер патента: US20160035626A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Akira Hokazono. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20180342609A1. Автор: Shukun QI,Guipeng Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Stressed channel bulk fin field effect transistor

Номер патента: US09484262B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Akira Hokazono. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device with high packing density and having field effect transistors

Номер патента: US5385857A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170047426A1. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20180122938A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168511A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168512A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168510A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US10734287B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US10607894B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200020526A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-01-16.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200020525A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-01-16.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200043726A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-02-06.

Fin field effect transistor

Номер патента: US20160087079A1. Автор: Chu-Yun Fu,Hung-Ta Lin,Hung-Ming Chen,Shu-Tine Yang,Shin-Yeh HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Forming an uniform l-shaped inner spacer for a vertical transport fin field effect transistor (vt finfet)

Номер патента: US20190140078A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Jingyun Zhang,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Three-dimensional memory device containing peripheral circuit with fin and planar field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20240371760A1. Автор: Mohan DUNGA,Satoru Mayuzumi,Sudarshan Narayanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit including field effect transistors having a contact on active gate compatible with a small cell area having a small contacted poly pitch

Номер патента: US20190148298A1. Автор: RWIK Sengupta,Mark Rodder,Titash Rakshit,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Field effect transistor, manufacturing method therefor, and switching circuit

Номер патента: EP4300587A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Insulated-Gate Field-Effect Transistor

Номер патента: GB1175601A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1969-12-23.

Three-dimensional stacked vertical transport field effect transistor logic gate with buried power bus

Номер патента: US20190221484A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Three-dimensional stacked vertical transport field effect transistor logic gate with buried power bus

Номер патента: US20190181054A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Field effect transistor, preparation method thereof, and switch circuit

Номер патента: US20230420537A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Stacked field-effect transistors having latch cross-coupling connections

Номер патента: US20230335585A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Junli Wang,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Two-dimensional electrostrictive field effect transistor (2d-efet)

Номер патента: US20200335637A1. Автор: Saptarshi Das. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-10-22.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240136437A1. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-25.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Fin tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09614049B2. Автор: Krishna Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

High-voltage bidirectional field effect transistor

Номер патента: WO2024112426A1. Автор: Chirag Gupta,Shubhra S. Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-30.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: US20230178636A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor (hangzhou) Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Field effect transistors having ferroelectric or antiferroelectric gate dielectric structure

Номер патента: EP3688815A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim,Joshua M. HOWARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of forming fin field effect transistor having tapered sidewalls

Номер патента: US09825150B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09761715B2. Автор: Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Insulated gate field effect transistor with source field shield extending over multiple region channel

Номер патента: US4172260A. Автор: Isao Yoshida,Mineo Katsueda,Takeaki Okabe,Shikayuki Ochi,Yukio Shirota,Hidefumi Itoh,Masatomo Furumi,Toru Toyabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-10-23.

Method of making high voltage vertical field effect transistor with improved safe operating area

Номер патента: US4970173A. Автор: Stephen P. Robb. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-11-13.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Field-Effect Transistor and Method for Producing a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20100308404A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-12-09.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

System and method of manufacturing a fin field-effect transistor having multiple fin heights

Номер патента: US09412818B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759A1. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Johan Roger Axel Karlsson. Дата публикации: 1999-08-12.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759C. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-06-22.

Field-effect transistor and method for producing a field-effect transistor

Номер патента: WO2009060078A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09620627B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Field effect transistor having a Fermi filter between a source and source contact thereof

Номер патента: US10236345B2. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for effective fabrication of a field effect transistor with elevated drain and source contact structures

Номер патента: US6087235A. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: WO2021049990A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Synapse array of a neuromorphic device including a synapse array having a plurality of ferroelectricity field effect transistors

Номер патента: US20220058470A1. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US09620726B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: EP4029063A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2022-07-20.

Resistive random access memory integrated under a vertical field effect transistor

Номер патента: US20210175285A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

A semiconductor device comprising an insulated gate field transistor connected on series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: WO2019177529A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2019-09-19.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Field effect transistor and method for fabricating field effect transistor

Номер патента: US20160013272A1. Автор: Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Field-effect transistor, and methods for production

Номер патента: US20240234568A9. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: Rongwei Yu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240290880A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Junction field effect transistor

Номер патента: US20150357481A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Rotated channel semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20130181215A1. Автор: James Fiorenza,Bunmi T. Adekore. Владелец: RAMGOSS Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Deep buried channel junction field effect transistor (DBCJFET)

Номер патента: US20070275515A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Self-aligned channel-only semiconductor-on-insulator field effect transistor

Номер патента: US09935178B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09853102B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Chien-Hsun Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Hybrid circuit including a tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09748271B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Tamilmani Ethirajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Vertical field-effect transistor with isolation pillars

Номер патента: WO2024041867A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Field-effect transistor using oxide film to transmit information and preparation method thereof

Номер патента: RU2400865C2. Автор: Тацуя ИВАСАКИ,Хидея КУМОМИ,Тацуя ИВАСАКИ (JP),Хидея КУМОМИ (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-09-27.

Method for manufacturing a vertical field effect transistor structure and corresponding vertical field effect transistor structure

Номер патента: US20240128372A1. Автор: Christian Huber,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Vertical field-effect transistor with isolation pillars

Номер патента: US20240072051A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: WO2022216371A2. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-10-13.

Field effect transistor with frequency dependent gate-channel capacitance

Номер патента: US20090294802A1. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for introducing channel stress and field effect transistor fabricated by the same

Номер патента: US20120032239A1. Автор: Xing Zhang,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication

Номер патента: US09748391B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Gate all around device structure and Fin field effect transistor (FinFET) device structure

Номер патента: US09620607B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chin-Chi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Field effect semiconductor component and methods for operating and producing it

Номер патента: US09496364B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Peter Irsigler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, manufacturing method of field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, and manufacturing method of amorphous oxide film

Номер патента: US7956361B2. Автор: Tatsuya Iwasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-07.

A semiconductor device comprising a low voltage insulated gate field effect transistor connected in series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: SE1850300A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: Klas Haakan Eklund Med Firma K Eklund Innovation. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: US20210083066A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Vertical field effect transistor having two-dimensional channel structure

Номер патента: US20200243682A1. Автор: Young-seok Song,Keon Yong Cheon,Yong Hee Park,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Tunneling Field Effect Transistor and Manufacturing Method Thereof, Display Panel and Display Apparatus

Номер патента: US20240297243A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Tunnel field-effect transistor (TFET) with supersteep sub-threshold swing

Номер патента: US09748368B2. Автор: Abhijit MALLIK. Владелец: University of Calcutta. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film field effect transistor

Номер патента: US5847406A. Автор: Charles H. Dennison,Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Junction field-effect transistor with raised source and drain regions formed by selective epitaxy

Номер патента: US9236499B2. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Kevin K. Chan,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Method of manufacturing Schottky field-effect transistors utilizing shadow masking

Номер патента: US4377899A. Автор: Kenichi Kikuchi,Shunji Otani. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1983-03-29.

Junction field effect transistor

Номер патента: EP2497108A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-12.

Junction field effect transistor

Номер патента: WO2011053464A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Field effect transistor, production method thereof, and electronic circuit

Номер патента: EP4141954A1. Автор: Hongsheng YI,Hanxing WANG,Gangyi Yang,Huidong HUANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods of forming vertical field effect transistors, vertical field effect transistors, and DRAM cells

Номер патента: US8211763B2. Автор: David K. Hwang,Larson D. Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Vertical field-effect transistor device having at least two bypass schottky diodes

Номер патента: WO2015042148A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

Manufacture of trench-gate field-effect transistors

Номер патента: WO2002097876A3. Автор: Erwin A Hijzen,T Zandt Michael A A In. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-05-01.

High-power field-effect transistor (fet)

Номер патента: EP4214759A1. Автор: Abhijeet Paul. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435B1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-12-07.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A8. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435A4. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-10-24.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A8. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-03-08.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A3. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-04-19.

Vertical field-effect transistor device having at least two bypass schottky diodes

Номер патента: WO2015042148A4. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-06-11.

Manufacture of trench-gate field-effect transistors

Номер патента: EP1407485A2. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-04-14.

Manufacture of trench-gate field-effect transistors

Номер патента: WO2002097876A2. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Metal oxide and field-effect transistor

Номер патента: US20230282648A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

MOS field effect transistor and manufacture method therefor

Номер патента: US20060157793A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Electrolyte-based field effect transistor and associated method of fabrication

Номер патента: EP4117049A1. Автор: Sami Oukassi,Ngoc-Anh Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-11.

Reducing direct source-to-drain tunneling in field effect transistors with low effective mass channels

Номер патента: US09337255B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Anirban Basu,Amlan Majumdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Transparent double-injection field-effect transistor

Номер патента: US20040155270A1. Автор: Randy Hoffman. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-08-12.

Gate-all-around field-effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20220123144A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Methods of Forming Vertical Field Effect Transistors, Vertical Field Effect Transistors, And DRAM Cells

Номер патента: US20110140187A1. Автор: David Hwang,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Si/sige vertical junction field effect transistor

Номер патента: MY120718A. Автор: Khalid Ezzeldin Ismail,Bernard S Meyerson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

Electrolyte-based field effect transistor and associated method of fabrication

Номер патента: US20230008734A1. Автор: Sami Oukassi,Ngoc-Anh Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-12.

Coherent spin field effect transistor

Номер патента: US09614149B2. Автор: Peter Dowben,Jeffry A. Kelber. Владелец: QUANTUM DEVICES LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of fabricating a junction field effect transistor

Номер патента: CA1269764A. Автор: Craig A. Armiento. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-05-29.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor device

Номер патента: US20230387290A1. Автор: Min Wang,Lijun Li,Yonghong Tao,Zhidong Lin,Zhigao Peng,Yuanxu GUO. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US20160035989A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Vertical stacking of graphene in a field-effect transistor

Номер патента: US20140138624A1. Автор: Joshua T. Smith,Damon B. Farmer,Aaron D. Franklin,Sataoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Manufacturing method for field-effect transistor

Номер патента: US20070111408A1. Автор: Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method of silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230378341A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor field-effect transistor, power amplifier comprising the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230290830A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Adjustable Electrically Biased Suspended Graphene Field Effect Transistor

Номер патента: NL2034511A. Автор: Shan Dan,TANG Mingjun,Chen Xuesheng,Shi Fanfeng,Wang Menglong,Yang Ruihong,Sun Daoyuan,Cao Yunquing. Владелец: Yangzhou Polytechnic Inst. Дата публикации: 2023-06-29.

Adjustable Electrically Biased Suspended Graphene Field Effect Transistor

Номер патента: NL2034511B1. Автор: Shan Dan,TANG Mingjun,Chen Xuesheng,Shi Fanfeng,Wang Menglong,Yang Ruihong,Sun Daoyuan,Cao Yunquing. Владелец: Yangzhou Polytechnic Inst. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods of fabricating vertical channel field effect transistors having insulating layers thereon

Номер патента: US20070066018A1. Автор: Tai-su Park,Jong-ho Lee,Si-Young Choi,U-In Chung,Eui-Joon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-22.

Floating gate type field effect transistor having control gate applied with pulses for evacuating carriers from p-type semiconductor floating gate

Номер патента: US5650649A. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-22.

Novel field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: WO2004051712A3. Автор: Robert Chau,Been-Yih Jin,Douglas Barlage. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Structure and fabrication of asymmetric field-effect transistor having asymmetric channel zone and differently configured source/drain extensions

Номер патента: US20100244131A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Peter B. Johnson,Jeng-Jiun Yang,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Gate-all-around monolithic stacked field effect transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: WO2023104533A1. Автор: Veeraraghavan Basker,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Gate-all-around monolithic stacked field effect transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US11894436B2. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Self-aligned channel-only semiconductor-on-insulator field effect transistor

Номер патента: US20180108758A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Tunnel field-effect transistor having a stacked structure including a first active region and a second active region

Номер патента: US11081550B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US20170179412A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119012A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Normally-off gallium oxide field-effect transistor structure and preparation method therefor

Номер патента: US11456387B2. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2022-09-27.

Junction field effect transistor

Номер патента: US20110101424A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Junction field effect transistor with region of reduced doping

Номер патента: US20120217551A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar,Patrick Martin McGuiness. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Microelectronic device with two field-effect transistors having a common electrode

Номер патента: US20240038764A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-01.

System and method of manufacturing a fin field-effect transistor having multiple fin heights

Номер патента: EP3080839A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

System and method of manufacturing a fin field-effect transistor having multiple fin heights

Номер патента: WO2015088779A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-18.

Asymmetric junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2010094541A1. Автор: David Collins,Robert Mark Rassel,Michael Joseph Zierak,Richard Phelps,Frederick Gustav Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-08-26.

Nanowire field effect transistor device

Номер патента: WO2013070394A1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Guy M. Cohen,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Steep-switch vertical field effect transistor

Номер патента: US20200091237A1. Автор: Ruilong Xie,Daniel Chanemougame,Nicolas J. Loubet,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for forming pattern, structural body, method for producing comb-shaped electrode, and secondary cell

Номер патента: US20150243965A1. Автор: Takahiro Asai,Kaoru Ishikawa. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for forming pattern, structural body, method for producing comb-shaped electrode, and secondary cell

Номер патента: US9478791B2. Автор: Takahiro Asai,Kaoru Ishikawa. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US20220020677A1. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Complementary field effect transistor with conductive through substrate layer

Номер патента: US20240072115A1. Автор: Wei-De Ho,Wei-Cheng Lin,Jui-Chien Huang,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Ting-Yun Wu,Hsiang-Hung Huang,Wei-Cheng TZENG,Kuan-Kan HU,Szuya Liao,Szu-Hua Chen,Wei-Xiang YOU,Cheng-Yin WANG,Hsin Yang Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Vertical-transport field-effect transistors having gate contacts located over the active region

Номер патента: US20190326165A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Chanro Park,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Shesh Mani Pandey,Steven Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Field-effect transistor

Номер патента: US09698235B2. Автор: Hiroyuki Ota,Koichi Fukuda,Shinji Migita. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-04.

Field-effect transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20020089006A1. Автор: Federico Pio,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09893169B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09837405B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148680A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09953884B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09799568B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09570443B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Composite group III-V and group IV transistor having a switched substrate

Номер патента: US09461034B2. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Field effect transistor

Номер патента: EP4273938A1. Автор: Hideaki Yamada,Takahiro Yamaguchi,Junichi Kaneko,Hitoshi Koizumi,Shinya OHMAGARI,Hitoshi Umezawa,Naohisa HOSHIKAWA. Владелец: Ookuma Diamond Device Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

N-stacked field effect transistor based traveling wave power amplifier for monolithic microwave integrated circuits

Номер патента: US09780746B1. Автор: Kohei Fujii. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Switches with multiple field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US10431612B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making

Номер патента: US20070099360A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Tunneling field effect transistors and transistor circuitry employing same

Номер патента: US09941117B2. Автор: Paul R. Berger. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2018-04-10.

Transistor having dielectric stressor elements for applying in-plane shear stress

Номер патента: US20070096223A1. Автор: Dureseti Chidambarrao,Kern Rim,Brian Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Stacked field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US11049890B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Stacked field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US20200105803A1. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Fabrication of complementary field-effect transistors with vertical body-material dopant profiles tailored to alleviate punchthrough and reduce current leakage

Номер патента: US7785971B1. Автор: Fu-Cheng Wang,Constantin Bulucea,Prasad Chaparala. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Field-effect transistor devices having proximity contact features

Номер патента: US10014331B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Field-effect transistors with a body pedestal

Номер патента: US11764060B2. Автор: Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Michael J. Zierak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Photonics chips including a fully-depleted silicon-on-insulator field-effect transistor

Номер патента: US20230038887A1. Автор: Yusheng Bian,George R. Mulfinger,Ryan Sporer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Fin field effect transistor (FinFET) device with controlled end-to-end critical dimension and method for forming the same

Номер патента: US09508719B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148684A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Field-effect transistors with a grown silicon-germanium channel

Номер патента: US20200051808A1. Автор: Simeon MORVAN,Berthold Reimer,Carsten Metze. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: EP3033770A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Nanoscale Granularity Field Effect Transistor Array

Номер патента: US20200348256A1. Автор: Bruce B. Doris,Steven J. Holmes,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094618A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094650A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Composite Group III-V and Group IV Transistor Having a Switched Substrate

Номер патента: US20150371982A1. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for farbricating field-effect transistors in integrated semiconductor circuits and integrated semiconductor circuit fabricated with a field-effect transistor of this type

Номер патента: US20020037639A1. Автор: Wolfgang Angermann,Andreas Bänisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-28.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09857328B2. Автор: Paul Hoffman. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Molecular receptor-based chemical field-effect transistor (CHEMFET) devices, systems, and methods for in-situ nitrate monitoring in field soils

Номер патента: US09535031B2. Автор: Jordan Richard Kusiek,Calden Carroll Stimpson. Владелец: SUPRASENSOR TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Hybrid orientation fin field effect transistor and planar field effect transistor

Номер патента: WO2014058552A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-17.

Low noise field effect transistor

Номер патента: WO2006041798A1. Автор: Nathan Bluzer. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2006-04-20.

Lateral bipolar mode field effect transistor

Номер патента: US6084254A. Автор: Seong Dong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-04.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US20160293603A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US20160293611A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US9859280B2. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Three dimensional memory device having comb-shaped source electrode and methods of making thereof

Номер патента: KR101944201B1. Автор: 나오끼 다께구찌. Владелец: 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2019-01-30.

MEMORY DEVICE WITH COMB- SHAPED ELECTRODE HAVING A PLURALITY OF ELECTRODE FINGERS AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20160233270A1. Автор: Sato Yoshihiro,TAKAKI Seje. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Memory device with comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers and method of making thereof

Номер патента: US9419058B1. Автор: Yoshihiro Sato,Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

High-voltage transistor having shielding gate

Номер патента: US09590052B2. Автор: Kikuko Sugimae,Takeshi Kamigaichi,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Pillar-type field effect transistor having low leakage current

Номер патента: US09564200B2. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-02-07.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: US09768289B2. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

High performance power transistor having ultra-thin package

Номер патента: US09508633B2. Автор: Juan A. Herbsommer,Jonathan A. Noquil,Osvaldo J. Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Sensor using sensing mechanism having combined static charge and field effect transistor

Номер патента: US09634153B2. Автор: James Edward West,Won Kyu MOON,Yub JE,Min Sung,Kum Jae Shin. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-04-25.

Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR)

Номер патента: US09595519B2. Автор: Patrick L. Cole,Mark Savage,Jeffrey L. Titus,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-14.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: EP3707754A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: WO2019092313A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

Field effect transistor having high breakdown withstand capacity

Номер патента: EP1063705A3. Автор: Hideyuki c/o Shindengen Electric Manuf. Nakamura,Nobuki c/o Shindengen Electric Manuf. Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having a relatively high doped region in the channel for improved linearity

Номер патента: US20020125509A1. Автор: Larry M. Tichauer. Владелец: Ophir RF Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Three-dimensional monolithic vertical field effect transistor logic gates

Номер патента: US20190181055A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Field-effect transistor

Номер патента: RU2222845C1. Автор: А.Н. Алексеев,И.А. Соколов,В.П. Чалый,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2004-01-27.

Fin field-effect transistor (FinFET) resonator

Номер патента: US12057821B2. Автор: Harald Pretl,Ehrentraud Hager. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor

Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.

Field effect transistor

Номер патента: US20030230772A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Field effect transistor

Номер патента: US6989558B2. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-24.

Thin film transistor having an annealed gate oxide and method of making same

Номер патента: US4633284A. Автор: Zvi Yaniv,Vincent D. Cannella,Gregory L. Hansell. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1986-12-30.

Junction field effect transistor with vertical gate region

Номер патента: US4916499A. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Fin Field-Effect Transistor (FinFET) Based Semiconductor Memory Array Having Memory Cells Using A Reduced Surface Area

Номер патента: US20240062811A1. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-22.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US11695420B2. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-07-04.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-21.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US20230012345A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for forming a field-effect transistor having difference in capacitance between source and drain with respect to shield layer

Номер патента: US5891757A. Автор: Yasuo Ohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-06.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US12041770B2. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Double diffused field effect transistor having reduced on-resistance

Номер патента: EP1382071A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A2. Автор: Robert Beach. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2005-06-23.

Improved oxide-based field-effect transistors

Номер патента: WO2008129238A1. Автор: Donal Donat Conor Bradley,Thomas Anthopoulos,Saif Ahmed Haque. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2008-10-30.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A3. Автор: Robert Beach. Владелец: Robert Beach. Дата публикации: 2008-01-03.

System for a contactless control of a field effect transistor

Номер патента: US09762233B2. Автор: Erez Halahmi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-12.

Field-effect transistor including oxide semiconductor, and memory and semiconductor circuit including the same

Номер патента: US09548395B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Field effect transistors, field emission apparatuses, and a thin film transistor

Номер патента: US6504170B1. Автор: John Lee,Benham Moradi,J. Ung Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Nanowire Field Effect Transistor Detection Device and the Detection Method thereof

Номер патента: US20190206990A1. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2019-07-04.

Nanowire field effect transistor detection device and the detection method thereof

Номер патента: US10784343B2. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2020-09-22.

Field-Effect Transistor, Production Method Thereof, Switching Circuit, and Circuit Board

Номер патента: US20240030351A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Field effect transistor, control method for controling such a field effect transistor and a frequency mixer means including such a field effect transistor

Номер патента: US20010013622A1. Автор: Joannes Mathilda Josephus Sevenhans. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2001-08-16.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240234498A9. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Field effect transistor, display device , sensor, and method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20130328045A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Junction field effect transistor, integrated circuit for switching power supply, and switching power supply

Номер патента: US20120319177A1. Автор: Masaru Saito,Koji SONOBE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Switch comprising a field effect transistor and integrated circuit

Номер патента: US10582580B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-03.

Hetero-junction field effect transistor

Номер патента: US6320210B1. Автор: Yuji Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Ambipolar vertical field effect transistor

Номер патента: EP2926376A1. Автор: BO LIU,Andrew Gabriel Rinzler,Mitchell Austin Mccarthy. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2015-10-07.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Field-effect transistor, display element, display, system, and method of manufacturing field-effective transistor

Номер патента: US20170141237A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Resin, insulating film and organic field effect transistor comprising same

Номер патента: EP4421851A1. Автор: Takashi Fukuda,Shinya OKU,Shohei YUMINO,Yuta Iijima,Rei SHIWAKU. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09857329B2. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Tunnelling field effect transistor

Номер патента: US09793351B2. Автор: Jin He,Dan Li,Haijun LOU,Xinnan LIN. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2017-10-17.

Ambipolar vertical field effect transistor

Номер патента: US09601707B2. Автор: BO LIU,Andrew Gabriel Rinzler,Mitchell Austin Mccarthy. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09494550B1. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Junction field effect transistor, integrated circuit for switching power supply, and switching power supply

Номер патента: US09461115B2. Автор: Masaru Saito,Koji SONOBE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Field effect transistor having two gates for functioning at extremely high frequencies

Номер патента: GB1400040A. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1975-07-16.

Hybrid bipolar/field-effect power transistor in group III-V material system

Номер патента: US5359220A. Автор: Julia J. Brown,Lawrence E. Larson,Peter Asbeck. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-25.

Integrated circuit including field effect transistor and cerment resistor

Номер патента: US3694700A. Автор: George A Brown,Victor Harrap. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1972-09-26.

Field-effect transistor

Номер патента: US20140008649A1. Автор: Takamichi Fujii,Kenichi Umeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Field-effect transistor

Номер патента: US9406809B2. Автор: Takamichi Fujii,Kenichi Umeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Insulated gate field effect transistor having vertically layered elevated source/drain structure

Номер патента: US5235203A. Автор: Carlos Mazure,Marius Orlowski,Matthew S. Noell. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-08-10.

Vertical power field effect transistor having base region inwardly projecting from corners thereof into source region

Номер патента: US5304832A. Автор: Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and intergrated circuits incorperating the transistors

Номер патента: NZ555625A. Автор: Igor Sankin,Jeffrey B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2011-01-28.

Field-effect transistor with reduced drain-to-substrate capacitance

Номер патента: US3600647A. Автор: Peter V Gray. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-08-17.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20190140130A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-09.

Field Effect Transistor with Conduction Band Electron Channel and Uni-Terminal Response

Номер патента: US20160126341A1. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with reduced surface field folding

Номер патента: US9196680B1. Автор: Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Tahir Arif Khan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Field effect transistor

Номер патента: US4007478A. Автор: Hajime Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1977-02-08.

Bifunctional graphene dielectrophoresis (dep)-graphene field effect transistor (gfet) device and methods for using same

Номер патента: WO2023244489A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Ruixue LI,Steven J. Koester,Nezhueyotl Izquierdo ARRIOLA. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2023-12-21.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20200373454A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-11-26.

Back-gate field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: WO2019148170A3. Автор: Denis Murphy,Samuel Fuller,Max SHULAKER,Tathagata Srimani,Yosi Stein. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-04-16.

Versatile System for Cross-Lateral Junction Field Effect Transistor

Номер патента: US20070281408A1. Автор: Gregory Howard,Leland Swanson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Versatile System for Cross-Lateral Junction Field Effect Transistor

Номер патента: US20070281407A1. Автор: Gregory Howard,Leland Swanson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Field-effect transistor including transparent oxide and light-shielding member, and display utilizing the transistor

Номер патента: US20240266442A1. Автор: Katsumi Abe,Masafumi Sano,Hideya Kumomi,Ryo Hayashi,Kojiro Nishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Field-effect transistor including transparent oxide and light-shielding member, and display utilizing the transistor

Номер патента: US20230307546A1. Автор: Katsumi Abe,Masafumi Sano,Hideya Kumomi,Ryo Hayashi,Kojiro Nishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Heterogeneous pocket for tunneling field effect transistors (TFETs)

Номер патента: US09871106B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of making a V-MOS field effect transistor for a dynamic memory cell having improved capacitance

Номер патента: US4116720A. Автор: Mark Alexander Vinson. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1978-09-26.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: EP2375451A3. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey. B Casady. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-04-18.

Graphene Field Effect Transistors for Detection of Ions

Номер патента: US20190293595A1. Автор: Hongmei Li,Kenneth Walsh,Goutam Koley,MD. Sayful Islam. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2019-09-26.

Monolithic temperature compensation scheme for field effect transistor integrated circuits

Номер патента: EP1273044A2. Автор: Carl W. Pobanz,Mehran M. Matloubian. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-01-08.

Schottky barrier field effect transistors

Номер патента: CA1171553A. Автор: John M. Shannon. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1984-07-24.

High-frequency traveling wave field-effect transistor

Номер патента: US5627389A. Автор: Alison Schary. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-05-06.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: GB2487846B. Автор: Michael Guillorn,Josephine Chang,Eric Andrew Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Double diffused field effect transistor having reduced on-resistance

Номер патента: US20040178444A1. Автор: Richard Blanchard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Enhancement-mode field effect transistor

Номер патента: EP3690953A1. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-08-05.

Double diffused field effect transistor having reduced on-resistance

Номер патента: US20020140028A1. Автор: Richard Blanchard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Double diffused field effect transistor having reduced on-resistance

Номер патента: WO2002080282A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2002-10-10.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US20230209821A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: US20120108024A1. Автор: Eric A. Joseph,Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: WO2011064074A1. Автор: Michael Guillorn,Josephine Chang,Eric Andrew Joseph. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-06-03.

Ionic field effect transistor having heterogeneous triangular nanochannel and method of manufacturing the same

Номер патента: US8946785B2. Автор: Sung Jae Kim,Geunbae Lim,Bumjoo KIM,Joonseong Heo,Hyukjin J. Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2015-02-03.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: WO2023129203A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

Adjacent buried power rail for stacked field-effect transistor architecture

Номер патента: WO2024114309A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-06.

Adjacent buried power rail for stacked field-effect transistor architecture

Номер патента: US20240178050A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Field effect transistor

Номер патента: US20130292670A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Semi-metal tunnel field effect transistor

Номер патента: WO2017046024A1. Автор: James Greer,Lida ANSARI,Giorgos FAGAS. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2017-03-23.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistor

Номер патента: US4365263A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-21.

Staggered pitch stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US20240063223A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Staggered pitch stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: WO2024041858A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US12020988B2. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20230163031A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455255B2. Автор: Shuai ZHANG,Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Methods of forming an array of flash field effect transistors and circuitry peripheral to such array

Номер патента: US20030235963A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device

Номер патента: US20120208329A1. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Field effect transistors for integrated circuits and methods of manufacture

Номер патента: US3576475A. Автор: John William Kronlage. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1971-04-27.

Transistors for replacing metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in nanoelectronics

Номер патента: US20120309142A1. Автор: Mark S. Miller,Justin Millis,Justin B. Jackson,Divesh Kapoor. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2012-12-06.

Self-registering method of fabricating field effect transistors

Номер патента: CA1078077A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-05-20.

Organic field-effect transistor and method of manufacturing same

Номер патента: WO2004019427A1. Автор: Hidenori Okuzaki. Владелец: Yamanashi Tlo Co., Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Radiation-resistant and low-temperature operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2741056C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Field effect transistor

Номер патента: US3886582A. Автор: Kazuyoshi Kobayashi,Katsuhiko Akiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-05-27.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: US20110181324A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,Ibrahim M. Khalil. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2011-07-28.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Using a field effect device for identifying translocating charge-tagged molecules in a nanopore sequencing device

Номер патента: US09488636B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Andres JARAMILLO-BOTERO. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-11-08.

Semi-conductor inverter using complementary junction field effect transistor pair

Номер патента: US4329700A. Автор: Kojiro Tanaka. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1982-05-11.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

A Method for Producing an Organic Field Effect Transistor and an Organic Field Effect Transistor

Номер патента: US20160049603A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Organic field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09899616B2. Автор: Karl Leo,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem,Hans Kleeman. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09705098B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20020036329A1. Автор: Robert Baird,Steven Merchant,Phillipe Dupuy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Field effect transistor

Номер патента: US09796727B2. Автор: Masaaki Ikeda,Hirokazu Kuwabara,Kazuo Takimiya. Владелец: Nippon Kayaku Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Drain current sensing and fault protection circuit based on gate voltage for gate current driven field effect transistors

Номер патента: US20220278523A1. Автор: Fei Wang,Edward A. Jones. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-09-01.

Graphene field effect transistor for radiation detection

Номер патента: US09508885B1. Автор: Zhihong Chen,Mary J. Li. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2016-11-29.

Filter circuit based on a MOS field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US10930643B2. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20210074869A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2021-03-11.

Chemically sensitive field effect transistors and uses thereof in electronic nose devices

Номер патента: US20180282155A1. Автор: Hossam Haick. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Filter circuit based on a mos field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US20190067272A1. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Electronic displays using organic-based field effect transistors

Номер патента: EP1105772A1. Автор: Paul Drzaic. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2001-06-13.

Super-saturation current field effect transistor and trans-impedance mos device

Номер патента: US20200027880A1. Автор: Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Ferroic sensor having tini-film field-effect transistor and ferroic layer applied to substrate

Номер патента: US8461636B2. Автор: Sigurd Wagner,Martin Kaltenbrunner,Siegfried Bauer,Reinhard Schwödiauer,Ingrid Graz,Christoph Keplinger,Stéphanie Perichon Lacour. Владелец: UNIVERSITAET LINZ. Дата публикации: 2013-06-11.

MOS field-effect transistor

Номер патента: US20060006470A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-12.

Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Номер патента: US20210036248A1. Автор: Stefan Becker,Mi Zhou,Wei Hsiang Lin,Junmin Lee,Giseok LEE. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Номер патента: US20220293873A1. Автор: Stefan Becker,Mi Zhou,Wei Hsiang Lin,Junmin Lee,Giseok LEE. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes

Номер патента: US09806273B2. Автор: Shashi P. Karna,Govind Mallick. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming heterostructure field effect transistor

Номер патента: US5196359A. Автор: Hung-Dah Shih,Bumman Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-03-23.

Heterostructure field effect transistor

Номер патента: US5091759A. Автор: Hung-Dah Shih,Bumman Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-02-25.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: EP3724928A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-10-21.

Memory devices based on ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US20200083234A1. Автор: Jan Van Houdt,Julien Ryckaert,Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Current stabilizer comprising enhancement field-effect transistors

Номер патента: US4399375A. Автор: Adrianus Sempel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1983-08-16.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US11411190B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2022-08-09.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US20210210704A1. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2021-07-08.

Nano multilayer film, field effect tube, sensor, random accessory memory and preparation method

Номер патента: US09559295B2. Автор: SYED RIZWAN,PENG Guo,Guo-Qiang Yu,Yi-Ran Chen,Xiu-Feng Han,Hou-Fang Liu,Da-Lai Li,Dong-Ping Liu. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2017-01-31.

Field effect transistor-bipolar transistor darlington pair

Номер патента: US5187110A. Автор: Eric A. Martin,Olaleye A. Aina. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Hybrid field effect transistor and surface enhanced infrared absorption based biosensor

Номер патента: US20210181098A1. Автор: Abram L. Falk,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of fabricating vertical carbon nanotube field effect transistors for arrangement in arrays and field effect transistors and arrays formed thereby

Номер патента: WO2005078819A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Larry Alan Nesbit,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Peter Mitchell,Steven John Holmes. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2005-08-25.

Field effect transistor, gas sensor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210325336A1. Автор: Junzo Ukai,Taishi Shiotsuki,Tsuyoshi Minami,Yui Sasaki. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-10-21.

Methods of fabricating vertical carbon nanotube field effect transistors for arrangement in arrays and field effect transistors and arrays formed thereby

Номер патента: EP1714330A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Larry Alan Nesbit,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Peter Mitchell,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Semiconductor memory using field-effect transistor as selective element

Номер патента: USRE45861E1. Автор: Shuichi Tsukada,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-01-19.

GaAs-based semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20030006426A1. Автор: Akiyoshi Kudo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

Field effect transistor having an improved transistor characteristic

Номер патента: US5466955A. Автор: Kenichi Maruhashi,Kazuhiko Onda,Masaaki Kuzuhara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-14.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US20160258941A1. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-08.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: EP4235174A3. Автор: JAIN Abhinav,Bharath Takulapalli. Владелец: Inanobio LLC. Дата публикации: 2024-01-24.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US20200096505A1. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US12007389B2. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Inanobio Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell

Номер патента: CA1070836A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-01-29.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Three-transistor embedded dynamic random access memory gain cell in complementary field effect transistor process

Номер патента: US20240161817A1. Автор: Patrick Morrow,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Seenivasan Subramaniam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-16.

Field effect transistor

Номер патента: US4466008A. Автор: Heinz Beneking. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1984-08-14.

Semiconductor device including a field effect transistor and a passive capacitor having reduced leakage current and an improved capacitance per unit area

Номер патента: EP1535332A1. Автор: Karsten Wieczorek,Thomas Feudel,Gert Burbach. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Ionic field effect transistor having heterogeneous triangular nanochannel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140238521A1. Автор: Sung-Jae Kim,Geunbae Lim,Bumjoo KIM,Joonseong Heo,Hyukjin J. Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2014-08-28.

Wearable devices incorporating ion selective field effect transistors

Номер патента: US20170023519A1. Автор: Thomas Samuel Elliot,Javier L. Prieto,Aaron Alexander Rowe. Владелец: Fitbit LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

METHOD FOR FORMING PATTERN, STRUCTURAL BODY, METHOD FOR PRODUCING COMB-SHAPED ELECTRODE, AND SECONDARY CELL

Номер патента: US20140295264A1. Автор: ASAI Takahiro,Ishikawa Kaoru. Владелец: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for producing comb-shaped electrode

Номер патента: KR101777422B1. Автор: 다카시 오노,다카히로 아사이,고이치 미스미,기요시 가나무라,히로카즈 무나카타. Владелец: 도쿄 메트로폴리탄 유니버시티. Дата публикации: 2017-09-11.

Method for forming pattern, structural body, method for producing comb-shaped electrode, and secondary cell

Номер патента: US10243198B2. Автор: Takahiro Asai,Kaoru Ishikawa. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Method for forming pattern, structural body, method for producing comb-shaped electrode, and secondary cell

Номер патента: EP2784585A1. Автор: Takahiro Asai,Kaoru Ishikawa. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-01.

Surface acoustic wave device, duplexer and comb-shaped electrode

Номер патента: US20170194936A1. Автор: Takahiro Sato,Motoyuki Tajima. Владелец: Handy International Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Aerosol generation device with comb-shaped electrodes

Номер патента: EP4312620A1. Автор: Alec WRIGHT,Samuel John PAUL. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2024-02-07.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US11855361B2. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US20240204401A1. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Radio frequency network having plural electrically interconnected field effect transistor cells

Номер патента: US4456888A. Автор: Yalcin Ayasli. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1984-06-26.

SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, DUPLEXER AND COMB-SHAPED ELECTRODE

Номер патента: US20170194936A1. Автор: Sato Takahiro,TAJIMA Motoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Elastic wave device with a dielectric layer on the comb-shaped electrodes

Номер патента: US8085116B2. Автор: Takashi Matsuda,Shogo Inoue,Michio Miura,Kazunori Inoue,Satoru Matsuda,Suguru Warashina. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2011-12-27.

Aerosol generation device with comb-shaped electrodes

Номер патента: WO2022207743A1. Автор: Alec WRIGHT,Samuel John PAUL. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2022-10-06.

Electronic part utilizing a protective film on a comb-shaped electrode

Номер патента: US7589606B2. Автор: Yukio Iwasaki,Ryouichi Takayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-09-15.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Trigger logic element and-not/or-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2756096C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Method for processing input variables by means of a processing device comprising at least two field-effect transistors, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240259031A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Trigger logic element on field-effect transistors

Номер патента: RU2715178C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-25.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

High power rf field effect transistor switching using dc biases

Номер патента: WO2014085140A2. Автор: William Henry VON NOVAK III,Cody Burton Wheeland,Linda Stacey Irish,Gabriel Issac Mayo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-05.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Current sensing in power tool devices using a field effect transistor

Номер патента: US12105149B2. Автор: Timothy R. Obermann,Alexander T. Huber. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2736548C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Wide range linear controller using junction field effect transistors

Номер патента: CA1260076A. Автор: Edward S. Parsons,John J. Ludwick. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-09-26.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors

Номер патента: RU2770915C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors

Номер патента: RU2770912C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Switching device with series connection of junction field-effect transistors

Номер патента: RU2550551C2. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2015-05-10.

Biasing network for use with field effect transistor ring mixer

Номер патента: US5153469A. Автор: Brian E. Petted,Jeffrey P. Ortiz,Leo J. Wilz,Robert J. Baeten. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Discrete circuit for driving field effect transistors

Номер патента: EP1635463A3. Автор: Balakrishnan V. Nair,Gerald A. Kilgour. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2721945C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Operational amplifier with low zero offset voltage on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770913C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Trigger logic element and/and-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2763585C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-12-30.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2766864C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Multi-output dc-dc converter using field-effect transistor switched at high frequency

Номер патента: CA2034531C. Автор: Hideo Nochi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Switching circuit with mos field effect transistor

Номер патента: CA1127724A. Автор: Tadao Yoshida,Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

High voltage system using enhancement and depletion field effect transistors

Номер патента: US5051618A. Автор: Perry W. Lou. Владелец: Idesco Oy. Дата публикации: 1991-09-24.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Linearizing field effect transistors in the ohmic region

Номер патента: US20130187683A1. Автор: Omid Foroudi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Field effect transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2005086253A1. Автор: Makoto Kubota,Daisuke Miura,Satomi Sugiyama,Tomonari Nakayama,Akane Masumoto,Toshinobu Ohnishi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US09935626B2. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-03.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US09541522B2. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung Choe. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2017-01-10.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Trigger two-stage d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2734428C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования. "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-10-16.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Process for fabricating a field-effect transistor with a buried Mott material oxide channel

Номер патента: US20010055818A1. Автор: BRUCE Scott,Alejandro Schrott,James Misewich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Input differential cascade on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2712416C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Олег Владимирович Олег Владимирович Дворников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Field effect transistor circuit for modulator and demodulator applications

Номер патента: US4413239A. Автор: George W. McIver,Donald E. Romeo. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1983-11-01.

Organic light emitting ambipolar field effect transistor with distributed light emission

Номер патента: EP2786437A1. Автор: Raffaella Capelli,Stefano Toffanin,Michele Muccini,Gianluca GENERALI. Владелец: ETC SRL. Дата публикации: 2014-10-08.

Field effect transistor (fet) and fet circuitry

Номер патента: WO2001035500A3. Автор: William Eccleston,Giles Christian Rome Lloyd. Владелец: Giles Christian Rome Lloyd. Дата публикации: 2002-05-10.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Composition for making hole injecting or hole transporting layers in electroluminescent devices, organic solar cells, organic laser diodes, organic thin-film transistors or organic field effect transistors of for making electrodes or electroconductive coatings, electroluminescent device, as well as organic light-emitting diode

Номер патента: RU2382809C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР,Андреас ЭЛЬШНЕР,Петер Вилфрид ЛЕВЕНИХ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-02-27.

Ambipolar organic thin-film field-effect transistor and its fabrication method

Номер патента: EP1705726A2. Автор: Masateru Taniguchi,Tomoji Kawai,Ikuo Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Fukui,Eriko Mizuno. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2006-09-27.

Power Supply Device and Method for Checking a Field Effect Transistor of Such a Power Supply Device

Номер патента: US20240056070A1. Автор: Klaus Schürmann,Matthias Plöger,Michael Buschkamp,Tobias Blome. Владелец: Weidmueller Interface GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-15.

Field effect transistor current mode logic with changeable bulk configuration of load transistors

Номер патента: US09838019B2. Автор: Lauri Koskinen,Matthew Turnquist,Jani Mäkipää,Erkka Laulainen. Владелец: MINIMA PROCESSOR OY. Дата публикации: 2017-12-05.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: WO2008091273A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2008-07-31.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: EP2038933A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US12069874B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials

Номер патента: WO1999010939A9. Автор: Leeuw Dagobert Michel De,Christopher John Drury,Cornelis Marcus Johan Mutsaers. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2006-05-26.

Systems and methods for controlling inrush electrical currents using a virtual miller capacitor and a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Номер патента: US09513681B2. Автор: Lei Wang,Mehran Mirjafari,Padmanabh R. Gharpure. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Voltage control using field-effect transistors

Номер патента: US09419474B2. Автор: Larry O'Neal Reeder,David KNAGGS. Владелец: Telect Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Differential cascade on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2684473C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with high stability of static mode

Номер патента: RU2710930C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Static MOS memory cell using inverted N-channel field-effect transistor

Номер патента: US4352997A. Автор: Joseph H. Raymond, Jr.,Keith H. Gudger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-10-05.

Protective circuit for field effect transistor amplifier

Номер патента: US3912981A. Автор: Katsuaki Tsurushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-10-14.

High power rf field effect transistor switching using dc biases

Номер патента: EP2912751A2. Автор: Linda S. Irish,William H. Von Novak,Gabriel Issac Mayo,Cody B. Wheeland. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Nanovesicle comprising heterodimeric G-protein coupled receptor, method for preparing nanovesicle, field effect transistor-based taste sensor comprising nanovesicle, and method for manufacturing taste sensor

Номер патента: US12099060B2. Автор: Seung Hun Hong,Hyun Seok Song,Tai Hyun Park,Hye Jun Jin,Sae Ryun Ahn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-24.

Two-step output stage of class ab of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2706869C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-11-21.

Trigger adder on modulus two on field-effect transistors

Номер патента: RU2714105C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-11.

Field-effect transistor amplifier

Номер патента: GB1215590A. Автор: Robert William Polkinghorn,Arthur Francis Pfeifer. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1970-12-09.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: EP3456756A3. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias Dueggeli,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-05-01.

Electromagnetic interference regulator by use of capacitive parameters of field-effect transistor

Номер патента: US11804834B2. Автор: Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Hsiang Chi Meng,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US20180175850A1. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-21.

Improvements in or relating to Electric Circuit Arrangements Employing Field Effect Transistors

Номер патента: GB1155562A. Автор: Ian Carrodus Hutcheon,Stephen Arthur Foster. Владелец: George Kent Ltd. Дата публикации: 1969-06-18.

P-channel thin film transistor having a gate on the drain region of a field effect transistor

Номер патента: US6046478A. Автор: Richard K. Klein. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-04.

Switching circuit utilizing a field effect transistor

Номер патента: CA1237488A. Автор: William E. Bowman. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1988-05-31.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060211180A1. Автор: Daisuke Miura,Tomonari Nakayama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Method for implementing adaptive stochastic spiking neuron based on ferroelectric field effect transistor

Номер патента: US11868868B2. Автор: Jin Luo,Tianyi Liu,Ru Huang,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for implementing adaptive stochastic spiking neuron based on ferroelectric field effect transistor

Номер патента: US20230316052A1. Автор: Jin Luo,Tianyi Liu,Ru Huang,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-05.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: US20240056042A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Control of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: RU2754501C1. Автор: Юрген БЕМЕР,Эберхард Ульрих КРАФФТ,Ян ВАЙГЕЛЬ,Марк-Маттиас БАКРАН,Андреас НАГЕЛЬ,Мартин ХЕЛЬСПЕР,Бернд ЛАСКА,Штефан Ханс Вернер ШЕНЕВОЛЬФ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-09-02.

Dynamic random access memory device fabricated with two kinds of field effect transistor different in thickness of gate oxide films

Номер патента: US5083172A. Автор: Junji Kiyono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: CA1154089A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-09-20.

Field effect transistor switched temperature control circuit

Номер патента: CA1150800A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-07-26.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: US4280069A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1981-07-21.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US20150212039A1. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2015-07-30.

A biomolecular field-effect transistor comprising a polypeptide film and a method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2007060632A8. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Torre Antonio Della,Rocco Chiuri,Mercato Loretta Laureana Del. Владелец: Mercato Loretta Laureana Del. Дата публикации: 2007-09-20.

A biomolecular field-effect transistor comprising a polypeptide film and a method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2007060632A3. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Torre Antonio Della,Rocco Chiuri,Mercato Loretta Laureana Del. Владелец: Mercato Loretta Laureana Del. Дата публикации: 2007-10-18.

A biomolecular field-effect transistor comprising a polypeptide film and a method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2007060632A2. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Antonio Della Torre,Rocco Chiuri,Loretta Laureana Del Mercato. Владелец: Consiglio Nazionale Delle Ricerche - Infm Istituto Nazionale Per La Fisica Della Materia. Дата публикации: 2007-05-31.

A biomolecular field effect transistor comprising a polypeptide film, and a method for its manufacturing

Номер патента: EP1958275A2. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Antonio Della Torre,Rocco Chiuri,Loretta Laureana Del Mercato. Владелец: Istituto Nazionale per la Fisica della Materia INFM CNR. Дата публикации: 2008-08-20.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: AU2020410300A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: GB2605327A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: WO2021124003A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-06-24.

Thermal droop compensation in power amplifiers with field-effect transistors (fets)

Номер патента: US20240275339A1. Автор: John Bellantoni,Michael Simcoe,Michael Kevin O'Neal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Improvements in or relating to oscillators employing field-effect transistors

Номер патента: GB1035851A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1966-07-13.

Protection circuit for field effect transistor

Номер патента: EP1211809A1. Автор: Sang.Hee. Sumitomo Wiring Systems Ltd Chung. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2002-06-05.

Field-effect transistor current switching circuit

Номер патента: CA1238692A. Автор: Douglas G. Marsh. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-06-28.

Signal amplifier circuit using a pair of complementary junction field effect transistors

Номер патента: US4021747A. Автор: Shigeru Todokoro. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-03.

Circuit with metal-oxide semiconductor field-effect transistor and diode module and implemetation mehtod thereof

Номер патента: US20230043861A1. Автор: Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for enhancing the performance of pentacene organic field-effect transistor and the structure of pentacence organic field-effect transistor

Номер патента: US11980042B2. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-07.

Protective circuit for complementary field-effect transistors

Номер патента: US4630164A. Автор: Bengt G. Olsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-12-16.

Field effect transistor limiter circuitry

Номер патента: US4933646A. Автор: Donald J. Sauer. Владелец: RCA Licensing Corp. Дата публикации: 1990-06-12.

Field effect transistor as a buffer for a small signal circuit

Номер патента: US3603813A. Автор: James N Hall. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1971-09-07.

Method for gain control of field-effect transistor

Номер патента: US3875536A. Автор: Yutaka Hayashi,Yasuo Tarui. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-04-01.

Field effect transistor limiter circuitry

Номер патента: CA2012239C. Автор: Donald Jon Sauer. Владелец: RCA Licensing Corp. Дата публикации: 1999-06-01.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US20230276640A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Organic field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025667A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chien-Cheng Liu,Sheng-fu Horng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-02-04.

Modular light arrangement for headlight of person motor vehicle, has connection element with comb-shaped section having comb-shaped structure, where section is arranged such that section is partially visible at cover disk from outside

Номер патента: DE102007042624A1. Автор: Lee Tyler,Patrick Arkenbosch,Borris Ilse,Boris Jacob. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2009-03-12.

Water-souluble polyurthane having comb-shaped hydrophobic group and application thereof

Номер патента: US20020045724A1. Автор: Manabu Tsuruta,Masahiko Mitsuzuka,Yunzhi Wu. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Transparent flexible electrochemical device based on planar comb-shaped electrode structure, and preparation method thereof

Номер патента: CN103903862A. Автор: 李恒,赵清,俞大鹏. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-02.

Mutual inductive capacitive touch screen with round-shaped or comb-shaped electrodes

Номер патента: US9304637B2. Автор: Zhongshou Huang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Connected field effect transistors

Номер патента: US11827512B2. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-28.

Fluid actuators connected to field effect transistors

Номер патента: US20210206161A1. Автор: Eric Martin,James R Przybyla,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-08.

Connected field effect transistors

Номер патента: EP3857599A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-08-04.

Connected field effect transistors

Номер патента: WO2020068035A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-04-02.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

Storage system having bilateral field effect transistor personalization

Номер патента: CA1169556A. Автор: Wilbur D. Pricer,James E. Selleck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-06-19.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Power control circuit for memory circuit based on complementary field effect transistor devices

Номер патента: US20240321337A1. Автор: Chia-Che Chung,Chien-Chen Lin,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

Electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cell

Номер патента: US20240055036A1. Автор: Thomas KÄMPFE,Nelli Laleni. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-15.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US9683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US09683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Determining correlation coefficient(s) among different field effect transistor types and/or among different electrical parameter types

Номер патента: US09679094B2. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit device implemented by bipolar and field effect transistors and having stable sense amplifier

Номер патента: US5550778A. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Modeling the performance of a field effect transistor having a dynamically depleted channel region

Номер патента: US20160275225A1. Автор: Tamilmani Ethirajan,Anupam DUTTA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Modeling the performance of a field effect transistor having a dynamically depleted channel region

Номер патента: US09996650B2. Автор: Tamilmani Ethirajan,Anupam DUTTA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Adaptive gate-biased field effect transistor for low-dropout regulator

Номер патента: EP3871061A2. Автор: Zhengzheng Wu,Chao Song. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Co2 sensor based on a diamond field effect transistor

Номер патента: US20150177184A1. Автор: Bogdan Catalin Serban,Mihai Brezeanu,Octavian Buiu,Viorel Georgel Dumitru. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Wordline negative boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09842634B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

System for determining leakage current of a field effect transistor over temperature

Номер патента: US20240230748A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Field-Effect Transistor and Method and Control Unit for Operating a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20160305904A1. Автор: Philipp Nolte. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-20.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: EP4278184A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2023-11-22.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: US20240310320A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2024-09-19.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: WO2022153185A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: UNIVERSITÀ POLITECNICA DELLE MARCHE. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: EP1506392A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen STW. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: WO2003098204A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen. Дата публикации: 2003-11-27.

Method and apparatus for measuring the barrier height distribution in an insulated gate field effect transistor

Номер патента: US5612628A. Автор: Davorin Babic,Edward H. Nicollian,John C. Lofgren. Владелец: University of North Carolina System. Дата публикации: 1997-03-18.

Apparatus and method for the detection of localised fluctuations of ionic charge by ion sensitive field effect transistors during a chemical reaction

Номер патента: EP1379863A2. Автор: Christofer Toumazou,Sunil Purushothaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-14.

A field effect transistor current source

Номер патента: WO1986002180A1. Автор: Bernard Lee Morris,Jeffrey Jay Nagy,Lawrence Arthur Walter. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1986-04-10.

Selective chemical sensitive field effect transistor transducers

Номер патента: US4273636A. Автор: Makoto Yano,Kyoichiro Shibatani,Tsutomu Makimoto,Kiyoo Shimada. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 1981-06-16.

Insulated gate field effect transistor memory array

Номер патента: US3609712A. Автор: Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

A field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US20160116434A1. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2016-04-28.

Modeling the total parasitic resistances of the source/drain regions of a multi-fin multi-gate field effect transistor

Номер патента: US20130289964A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

System and method for generating a field effect transistor corner model

Номер патента: US20150089464A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Field effect transistor-based biosensor for detecting whole-cell bacteria and field effect transistor-based biosensor assembly including the same

Номер патента: US20210215683A1. Автор: Yuh-Shyong Yang,Daisy Cheng,Chen-Yun Lin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-07-15.

Ion-sensitive field effect transistor and method for producing an ion-sensitive field effect transistor

Номер патента: US20050263798A1. Автор: Christian Kunath,Eberhard Kurth,Heinrich Grüger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2005-12-01.

Ultrasound-based wireless battery-free implantable sensors comprising a solutiongated field-effect transistor

Номер патента: WO2023209142A1. Автор: Bruno FAIN,Clément Hébert,Sahil Sharma,Carole-Anne LERNOUD. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2023-11-02.

Field-effect transistor for sensing target molecules

Номер патента: EP3881063A1. Автор: Stephan Hofmann,Ruizhi Wang,Hannah STERN. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

Field effect transistor current source

Номер патента: CA1252835A. Автор: Bernard L. Morris,Jeffrey J. Nagy,Lawrence A. Walter. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-04-18.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device having a complementary field effect transistor

Номер патента: US8773195B2. Автор: Hitoshi Tanaka,Seiji Narui,Shinichi Miyatake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-08.

Biomolecule detector based on field effect transistor arrays containing reference electrodes and detection method for biomolecules using the same

Номер патента: US20080315861A1. Автор: Jeo Young SHIM,Kyu Tae YOO,Won Seok CHUNG,Jung Im HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of manufacturing piezoelectric ceramic transformer having comb-shaped electrode

Номер патента: JP2727969B2. Автор: 武志井上,修大西. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-18.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

Flip-flop logic element not on field-effect transistors

Номер патента: RU2704748C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Максим Сергеевич Брусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-10-30.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Method of field effect transistor production with schottky barrier

Номер патента: RU2349987C1. Автор: Вадим Леонидович Романов,Максим Викторович Драгуть. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2009-03-20.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

Heterostructure modulated-doped field-effect transistor

Номер патента: RU2534437C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Юрий Владимирович Колковский,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-11-27.

Номер патента: RU2516609C2. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Алексей Евгеньевич Лысенков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2014-05-20.

Process of manufacture of field-effect transistor with submicronic shottky-barrier gate

Номер патента: RU2046453C1. Автор: А.А. Чернявский,А.Ф. Мозгунов,В.Л. Романов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Планета". Дата публикации: 1995-10-20.

Metal-semiconductor field-effect transistor formed in silicon carbide

Номер патента: CA1312148C. Автор: Hua-Shuang Kong,John W. Palmour,Jeffrey T. Glass. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1992-12-29.

Field effect transistors having comb-shaped electrode assemblies

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты