Flash memory systems and operating methods using adaptive read voltage levels
Номер патента: US20100020611A1
Опубликовано: 28-01-2010
Автор(ы): Kitae Park
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-01-2010
Автор(ы): Kitae Park
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of characterizing errors in nand flash memory, and error estimation method and storage system control method using the same
Номер патента: US20230297471A1. Автор: Do Hee KIM,Ha Young LIM,Ji Yoon JUNG,Sung Gil Hong. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2023-09-21.