THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Номер патента: US20180019336A1
Опубликовано: 18-01-2018
Автор(ы): KIM Sang Yong, OH Dong Yean
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-01-2018
Автор(ы): KIM Sang Yong, OH Dong Yean
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Three-dimensional semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same
Номер патента: US20180019336A1. Автор: Sang Yong Kim,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.