• Главная
  • Three-dimensional semiconductor device structures and methods

Three-dimensional semiconductor device structures and methods

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20210320079A1. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Three-dimensional semiconductor package having a stacked passive device

Номер патента: EP4423815A1. Автор: Rahul Agarwal,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device having through-silicon-via and methods of forming the same

Номер патента: US09941190B2. Автор: Wayne H. Huang,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11935858B2. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240194627A1. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device having wire bonding connection and method for manufacturing the same

Номер патента: US9941236B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11678488B2. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: US20220102292A1. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device with connecting structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935831B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US11823992B2. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200350330A1. Автор: Jeehoon HAN,Jaeryong Sim,Jongseon Ahn,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device with cushion structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047286A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with cushion structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210193559A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device including via structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230005818A1. Автор: Jongmin Lee,Jeonil Lee,Yeonjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device having funnel-shaped interconnect and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047352A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with heat dissipation unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220238487A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device including multi-capping layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230080862A1. Автор: Jongmin Lee,Jimin CHOI,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Packaged semiconductor device with a lead frame and method for forming

Номер патента: US09640466B1. Автор: Varughese Mathew,Sheila Chopin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153878A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: US20220285330A1. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4064344A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-28.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4064344A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09831267B2. Автор: Eun-young Lee,Jung Ho Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Jintae Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Conductor structure for three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09698080B2. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20120164789A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20150380341A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device with connector in package and method therefor

Номер патента: US11961776B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20230017646A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US12033950B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20070085216A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-19.

Three-dimensional semiconductor package

Номер патента: US20240321840A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230095830A1. Автор: Hyo-Jin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307448A1. Автор: Jae Hyun Park,Sungil Park,Kyunghwan Lee,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4254478A1. Автор: Jae Hyun Park,Sungil Park,Kyunghwan Lee,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device including contact plugs

Номер патента: US12046512B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device including contact structure and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12010839B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor devices including gate structure and method of forming the same

Номер патента: US20220375847A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device package connector structure and method therefor

Номер патента: EP4105985A1. Автор: Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor device, electronic module, electronic apparatus, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20220262737A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device having a translation feature and method therefor

Номер патента: US20220068828A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210111122A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210296302A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device under bump structure and method therefor

Номер патента: EP4084056A3. Автор: Sharon Huey Lin Tay,Tsung Nan Lo,Antonio Aguinaldo Marquez Macatangay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-08-09.

Semiconductor device under bump structure and method therefor

Номер патента: US20220344296A1. Автор: Tsung Nan Lo,Antonio Aguinaldo Marquez Macatangay,Sharon Huey Tay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device under bump structure and method therefor

Номер патента: US20230307402A1. Автор: Sharon Huey Lin Tay,Tsung Nan Lo,Antonio Aguinaldo Marquez Macatangay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device under bump structure and method therefor

Номер патента: EP4084056A2. Автор: Sharon Huey Lin Tay,Tsung Nan Lo,Antonio Aguinaldo Marquez Macatangay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US9236327B2. Автор: Heung-Jae Cho,Bong-Seok Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20220384478A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200105786A1. Автор: Soyeon Kim,Dongseog EUN,Hanyoung LEE,Young-bae Yoon,Jibong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200135756A1. Автор: Jae-Joo Shim,Bongtae Park,Joo-Heon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09825053B2. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220310545A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with through semiconductor via and method for fabricating the same

Номер патента: US20220310580A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US12002772B2. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device with directing structure and method therefor

Номер патента: US11876059B2. Автор: Michael B. Vincent,Robert Joseph Wenzel. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device with directing structure and method therefor

Номер патента: EP4092829A1. Автор: Michael B. Vincent,Robert Joseph Wenzel. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-23.

Process of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US4612083A. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11925023B2. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240172444A1. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device with test-only contacts and method for making the same

Номер патента: US5334857A. Автор: James W. Sloan,Timothy J. Mennitt,John P. Warren. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor device with recessed pad layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11329028B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device with read out prevention and method of producing same

Номер патента: US7233076B2. Автор: Hirohisa Matsuki,Masamitsu Ikumo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

Electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction and method for fabricating same

Номер патента: US3848260A. Автор: H Tsunemitsu,H Shiba. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1974-11-12.

Semiconductor device having a through electrode and method of manufacturing the same

Номер патента: US10269683B2. Автор: Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150303142A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Mikio Yukawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11910614B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: EP3828931A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Su Jong Kim,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210167080A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Su Jong Kim,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11296102B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210098478A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190319042A1. Автор: Hwan Lee,Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11848266B2. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240071910A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20220319983A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200194456A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210202522A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device with a programmable contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20210210611A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240339453A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12069858B2. Автор: Dong-Sik Lee,Byungjin LEE,Woosung YANG,Bumkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200243559A1. Автор: Hwan Lee,Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20230240068A1. Автор: Dong-Sik Lee,Byungjin LEE,Woosung YANG,Bumkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device with magnetically aligned chips and method for fabricating the same

Номер патента: US09773758B2. Автор: Ji Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20190333923A1. Автор: Jongwon Kim,Minyeong SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160293539A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312902A1. Автор: Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09812464B1. Автор: Sung-Min Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240023324A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional semiconductor device having a memory block and separation structures

Номер патента: US10978465B2. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-13.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190355737A1. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200091186A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Bio Kim,Junggeun Jee,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200395381A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Bio Kim,Junggeun Jee,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20230180477A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Junggeun LEE,Bio Kim,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10910396B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-02.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11973025B2. Автор: Seungmin Lee,Junhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10032791B2. Автор: Seong Soon Cho,Joonhee Lee,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11854982B2. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210005629A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200027894A1. Автор: Young Hwan Son,Shin Hwan KANG,Seo Goo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200168547A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20230056261A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices having a vertical semiconductor pattern

Номер патента: US11839084B2. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200388634A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240090224A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20220293633A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20120112260A1. Автор: Toshiro Nakanishi,Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Jaeyoung Ahn,Seunghyun Lim,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-10.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110204421A1. Автор: Byoungkeun Son,Kyunghyun Kim,Sukhun Choi,ChangSup Mun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09666525B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Sanghoon Ahn,Daeseok Byeon,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US12048159B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joonhee Lee,Byoungil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160204102A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190148295A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200251417A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11854975B2. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240105604A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11764178B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9484247B2. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160225663A1. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor devices comprising interconnect structures and methods of fabrication

Номер патента: US20150357284A1. Автор: Nishant Sinha,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Encapsulated semiconductor device package with heatsink opening, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09787254B2. Автор: David F. Abdo,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device including stack structure and trenches

Номер патента: US20240244843A1. Автор: Kwang Ho Lee,Jong Soo Kim,Seung Hyun Cho,Ji Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device including stack structure and trenches

Номер патента: US20190067320A1. Автор: Kwang Ho Lee,Jong Soo Kim,Seung Hyun Cho,Ji Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device including stack structure and trenches

Номер патента: US10707229B2. Автор: Kwang Ho Lee,Jong Soo Kim,Seung Hyun Cho,Ji Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-07.

Semiconductor device including process monitoring pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110187001A1. Автор: Dong-Hyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US11670587B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US20220336350A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device having gate structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240090193A1. Автор: Chung-Peng Hao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047448A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11830865B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030132A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9337091B2. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023312A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157712A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220093490A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220278025A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220084967A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11728299B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device with a liner layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203787A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with capacitor and fuse, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090212389A1. Автор: Roh Il Cheol. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220246662A1. Автор: Takuya Kurotori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157713A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US11776904B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device having buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242211A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20210159242A1. Автор: Chang-sun Hwang,JongHeun Lim,Kiseok JANG,Chungki MIN,Kieun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200066742A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20220077126A1. Автор: Seong Ho Choi,Jin HO KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210327894A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11917819B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device with contact structure and method for preparing the same

Номер патента: US11749730B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device with graphene-based element and method for fabricating the same

Номер патента: US20220051937A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210375904A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190341456A1. Автор: Junhee LIM,Bongyong Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-07.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Vertical Structures

Номер патента: US20190157282A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361119A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200058667A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Three-dimensional semiconductor devices including gate electrodes

Номер патента: US10468433B2. Автор: Kwang Soo Kim,Jae Duk Lee,Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-05.

Three dimensional semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20230292508A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP4273916A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Three-dimensional semiconductor device with co-fabricated adjacent capacitor

Номер патента: US20170033113A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10790358B2. Автор: Junhee LIM,Bongyong Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-29.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US11910607B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20210043647A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20220384482A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Three-dimensional semiconductor devices including vertical structures

Номер патента: US20200168621A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor transistor with gate contact in active region

Номер патента: US09691897B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09741733B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09659958B2. Автор: Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee,Sejun Park,Woong-Seop LEE,Keejeong Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090228A1. Автор: Jeehoon HAN,Hoyoung CHOI,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US12048168B2. Автор: Ki Hong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20170352679A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312908A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432805A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Three-dimensional semiconductor device with isolated dummy pattern

Номер патента: US20180301407A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10038009B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20230337432A1. Автор: Byoungil Lee,Seungwoo NAM,Yujin SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US09875808B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240074145A1. Автор: Yi-Jen Lo,Chiang-Lin Shih,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with horizontally arranged capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220406706A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US11854635B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device including an anti-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US11227868B2. Автор: Dong-Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor device including an anti-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20200212054A1. Автор: Dong-Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US12074128B2. Автор: Moorym CHOI,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of fabricating three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20140256101A1. Автор: Sung-Min Hwang,Woonkyung Lee,Hui-chang Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230387056A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional semiconductor device including a word line structure having a protruding portion

Номер патента: US20220231140A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172838A1. Автор: Kohji Kanamori,YoungHwan Son,Seo-Goo Kang,Kwonsoon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200194373A1. Автор: Junhyoung Kim,Seokcheon Baek,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US12040327B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US20240363634A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US09691818B2. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: SG10201908165TA. Автор: Shim Jae-Joo,PARK Bongtae,KANG Joo-Heon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: EP4135018A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-15.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20120164789A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20230146060A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Jae Hyun Park,Sungil Park,Daewon HA,Kyuman HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US20150372057A1. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Three-dimensional semiconductor device with air gap

Номер патента: US11825643B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Hun SON,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structure with spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230369497A1. Автор: Szu-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Reinforced semiconductor device packaging and associated systems and methods

Номер патента: US20220208632A1. Автор: Hong Wan Ng,Yeow Chon Ong,Suresh K. Upadhyayula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Reinforced semiconductor device packaging and associated systems and methods

Номер патента: US12080616B2. Автор: Hong Wan Ng,Yeow Chon Ong,Suresh K. Upadhyayula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11276754B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-15.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20200286991A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US12113112B2. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having an impurity concentration and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09793362B2. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device with peripheral void space and method of making the same

Номер патента: US9865680B2. Автор: Takuya Yamaguchi,Hideki Okumura,Sadayuki Jimbo,Masanobu Tsuchitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113196A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device with capping structure and method of forming the same

Номер патента: US20180166545A1. Автор: Chung-Ming Wang,Fang-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

3d semiconductor device with 2d semiconductor material and method of forming the same

Номер патента: US20230187280A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device having an air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US11791390B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20200381526A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008264A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device having a thermal contact and method of making

Номер патента: US20230386958A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with active mold package and method therefor

Номер патента: EP4345883A1. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device with active mold package and method therefor

Номер патента: US20240105660A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008262A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor devices with various line widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058559A1. Автор: Yuri Masuoka,Je-Min YOO,Sang-Deok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices with various line widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200312720A1. Автор: Yuri Masuoka,Je-Min YOO,Sang-Deok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device with one-side-contact and method for fabricating the same

Номер патента: US9728638B2. Автор: Jin-Ku Lee,Young-Ho Lee,Mi-Ri Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20220102516A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20230395674A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US11769811B2. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device package having stress isolation and method therefor

Номер патента: US11823968B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Stephen Ryan Hooper. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US20230262955A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11929397B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device having vertical pillar transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US8202781B2. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-19.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US8643096B2. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US20140110781A1. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device with gate structure and current spread region

Номер патента: US20240096934A1. Автор: Sandeep Walia,Paul Ellinghaus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11133327B2. Автор: Young-jin JUNG,Hyoung-ryeol In,Sung-Han Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-28.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200083250A1. Автор: Young-jin JUNG,Hyoung-ryeol In,Sung-Han Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US11721744B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US20220199805A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160111441A1. Автор: Jang-Hyun You,Jintaek Park,Sunghoi Hur. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190267333A1. Автор: Sang Jun Hong,Kyeong Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165639A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220189847A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11948857B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device having stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070228580A1. Автор: Masanori Shibamoto,Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor device and processing method therefor, and method for measuring temperature

Номер патента: US20230377920A1. Автор: MENG Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Three dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20230045654A. Автор: 김효진,하대원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-05.

Three dimensional semiconductor devices

Номер патента: USRE50089E1. Автор: Sung-Il Chang,Changhyun LEE,Jin-Soo Lim,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices including stair structures and dummy electrodes

Номер патента: US10332611B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Heonkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-25.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9245902B2. Автор: Kil-Su JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12075624B2. Автор: Junyong PARK,Seokcheon Baek,Jiho LEE,YoungHwan Son,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11758719B2. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230413545A1. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Wiring structures for three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9165611B2. Автор: Hoo-Sung Cho,Hong-Soo Kim,Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11785768B2. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,Dongyoun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11864385B2. Автор: Seunghwan Lee,Suhyeong LEE,Daehyun Jang,Ju-Young Lim,Sanghoon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12010852B2. Автор: Yoonhwan SON,Jeongseok LEE,Gaeun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10720441B2. Автор: Taehee Lee,Kyoung-hoon Kim,Hee-Sung KAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190333967A1. Автор: Mu-hui Park,Wooyeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20190157291A1. Автор: Taehee Lee,Kyoung-hoon Kim,Hee-Sung KAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11764266B2. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230100332A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20220181441A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: WO2022119650A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings Inc.. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor devices with crystallized channel regions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230261075A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device comprising transistor structures and methods for forming same

Номер патента: US20090026522A1. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor Device Including Trench Structures and Manufacturing Method

Номер патента: US20200176568A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device, electric power conversion device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240274655A1. Автор: Kohei Ebihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same

Номер патента: US09614094B2. Автор: Kazunori Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having field plate electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140179094A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Shigeki Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device having trench structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069109A1. Автор: Shingo Sato,Wataru Saito,Shizue MATSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device with graphene-based element and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059673A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor devices having recessed structures and methods of forming the same

Номер патента: US7659163B2. Автор: Chih-Huang WU,Chien-Jung Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor device comprising a MOS transistor and method of making the same

Номер патента: EP1515371A3. Автор: Qiang Chen,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-03-26.

Thin body semiconductor devices having improved contact resistance and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20110062443A1. Автор: Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device comprising 3d channel region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190319106A1. Автор: Yong-Keon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor Device with Improved Contact Pad and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20080251857A1. Автор: Adam Brown. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor devices with a protection layer and methods of fabrication

Номер патента: US20200176389A1. Автор: Jenn Hwa Huang,Darrell Glenn Hill,James Allen Teplik. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device with improved contact pad and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1932182A2. Автор: Adam Brown. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-06-18.

Semiconductor device with vertical channel transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20100163974A1. Автор: Seung-Chul Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device with improved contact pad and method for fabrication thereof

Номер патента: WO2007036898A3. Автор: Adam Brown. Владелец: Adam Brown. Дата публикации: 2007-09-07.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20240079467A1. Автор: Jisu Kang,Hojun Kim,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device including gate structures and gate isolation structure

Номер патента: EP4336549A1. Автор: Jisu Kang,Hojun Kim,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Active semiconductor device on high-resistivity substrate and method therefor

Номер патента: US20190378923A1. Автор: Hernan Rueda,Xiaowei Ren,Rodney Arlan Barksdale. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device for a volatile memory and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11244947B1. Автор: Huang Liu,John Zhang,Devendra K Sadana,Yanzun Li. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Semiconductor device with vertical channel transistor and method of operating the same

Номер патента: US20120119289A1. Автор: Daeik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor device with buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: US20130292792A1. Автор: Ki-Ro Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device including trench structures and manufacturing method

Номер патента: US11121220B2. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-14.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947683B2. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11903206B2. Автор: Young Jin Kwon,Jong Seon AHN,Ji Sung CHEON,Seok Cheon Baek,Woong Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20210384256A1. Автор: Jeonghee Park,Changhyun Cho,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200395409A1. Автор: Jeonghee Park,Changhyun Cho,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: SG10201906732VA. Автор: Kim Soyeon,YOON Young-bae,Eun Dongseog,Lee Hanyoung,Park Jibong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210020628A1. Автор: Kang Pil-kyu,Lee Sang Woo,SASAKI Yuichiro,Lim SungKeun,Hyun Sangjin,KIM WeonHong,OH Seungha,HA Yongho,KIM Kughwan. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor Device with Partial EMI Shielding and Method of Making the Same

Номер патента: US20210335724A1. Автор: SungWon Cho,Changoh Kim,KyoWang Koo,KyoungHee Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Three-dimensional semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09876055B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178487A1. Автор: Seulgi Bae,Dongchan Lim,Jungha HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device with under-bump metallization and method therefor

Номер патента: US20240014152A1. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL,Leo van Gemert. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with under-bump metallization and method therefor

Номер патента: EP4303912A1. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL,Leo van Gemert. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847341B2. Автор: HongSoo KIM,Yoocheol Shin,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847346B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190371809A1. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210143176A1. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230282603A1. Автор: Hyun Soo Shin,Kang Sik Choi,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200161330A1. Автор: Kohji Kanamori,YoungHwan Son,Seo-Goo Kang,Kwonsoon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200203431A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9748258B2. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20170352674A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-07.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160293622A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190019804A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-17.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US10483274B2. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US10141372B2. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-27.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190081105A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230309307A1. Автор: Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4258841A1. Автор: Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US11887951B2. Автор: Jiyoung Kim,Moorym CHOI,Sanghee YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190304993A1. Автор: Taehee Lee,Hyunwook Kim,Eun-jung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-03.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10256250B2. Автор: Kihyun Kim,Chadong Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320096A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11805710B2. Автор: Heejung Kim,Taehong Min,Chorong Park,Joohee SEO,Eunsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200402983A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US12094781B2. Автор: Makoto Miura,Satoshi Sakai,Yasushi Sonoda,Kiyohiko Sato. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing a three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09799657B2. Автор: Kihyun Hwang,Bio Kim,Jintae Noh,Hanvit Yang,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09812526B2. Автор: Seong Soon Cho,Dongseog EUN,Byoungil Lee,Hyunkook LEE,Kyung-Jun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication thereof

Номер патента: US20220123013A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US09627500B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices having polysilicon gate patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09553159B2. Автор: Young Jin Son,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with void-free contact and method for preparing the same

Номер патента: US20220399454A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device with extension structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20110248361A1. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro,Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device including polysilicon structures and method of making

Номер патента: US11676856B2. Автор: J. J. Lee,Chun-Tse TSAI,M. C. Hang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device with an ohmic ontact and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132442A1. Автор: Bor-Jen Wu,Liann-Be Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device with conductive structure and insulation layer of different width

Номер патента: US11810860B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor Device with Dual Isolation Liner and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210265224A1. Автор: Yu-Kuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device with a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US7880260B2. Автор: Gerhard Schmidt,Josef Bauer,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor device with a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090261379A1. Автор: Gerhard Schmidt,Josef Bauer,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor device having a Schottky junction and method of manufacturing same

Номер патента: US3935586A. Автор: Hermanus Josephus Henricus Wilting,Frits Landheer. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-01-27.

Semiconductor device with compensated threshold voltage and method for making same

Номер патента: US6667513B1. Автор: Thomas Skotnicki,Romain Gwoziecki. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2003-12-23.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US11929289B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device with a defect layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US11901414B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Ljubo Radic,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor devices having polysilicon gate patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160056258A1. Автор: Young Jin Son,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

MOS semiconductor device with breakdown voltage performance and method for manufacturing the same

Номер патента: US6507073B1. Автор: Kuniyuki Hishinuma. Владелец: Nippon Precision Circuits Inc. Дата публикации: 2003-01-14.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20240170340A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190013237A1. Автор: Ahn Jaeyoung,NAM Phil Ouk,Lee Sangsoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160204102A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Three-dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190206732A1. Автор: Shou-Wei Huang,Cheng-Wei Lin,Wei-Min Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190326166A1. Автор: Ahn Jaeyoung,NAM Phil Ouk,Lee Sangsoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-24.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11296104B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20210154622A. Автор: 나훈주,김원홍,오승하. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-21.

Three-dimensional semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: KR102421766B1. Автор: 이상수,안재영,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN113871398A. Автор: 罗勋奏,金元洪,吴承河. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210036014A1. Автор: KWON Hyuk Ho,LEE So Yoon,YANG Han Vit,SON Yong Hoon,KANG Moon Jong,AHN Sung Soo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-02-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190043880A1. Автор: Lee Jung Hwan,KIM Jee Yong,YUN Seok Jung,LEE Ji Hyeon. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200051998A1. Автор: Lee Jung Hwan,KIM Jee Yong,YUN Seok Jung,LEE Ji Hyeon. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor chip

Номер патента: US09620493B2. Автор: SoonKwan KWON,Joonsung YANG. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20180240802A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301102A1. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160005747A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with a booster layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12106904B2. Автор: Han-Joon Kim,Ki-Vin Im,Se-Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and methods of manufacturing capacitors

Номер патента: US09679960B2. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including protection structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3693993A8. Автор: Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240347628A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device with SOI structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020171109A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device with a booster layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220351903A1. Автор: Han-Joon Kim,Ki-Vin Im,Se-Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device with nanowire capacitor plugs and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091088A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having a redundant circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: US5252844A. Автор: Hiroshi Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-12.

Manufacturing method of semiconductor device including stepping structure and supporting structure

Номер патента: US11751390B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device including stepped structure and supporting structure

Номер патента: US11094710B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor device using shallow trench isolation and method of fabricating the same

Номер патента: US6894363B2. Автор: Kazuhiro Tamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Semiconductor Device Including Protection Structure and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20200258775A1. Автор: Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-13.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107774A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeon Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device, semiconductor package comprising same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230096863A1. Автор: Akira Sagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Silcon carbide semiconductor device having schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US7838888B2. Автор: Takeo Yamamoto,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US20230420449A1. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: EP4229679A1. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-08-23.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US8153495B2. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US20060006387A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and ltps-tft within and method of making the same

Номер патента: US20090061570A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Three-dimensional semiconductor nanoheterostructure and method of making same

Номер патента: US20180233624A1. Автор: Nikolay Ledentsov,Vitaly Shchukin. Владелец: VI Systems GmbH. Дата публикации: 2018-08-16.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20240365568A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor device having variable resistance structure

Номер патента: US12063795B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09711520B2. Автор: XIA Zhiliang,Young-Gu Kim,Etienne Nowak,Daesin Kim,Narae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240203944A1. Автор: Jae Seung Choi,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09947684B2. Автор: Jinwoo Park,Seok-Won Lee,Yong-Hyun Kwon,Joyoung Park,Oik Kwon,Seungpil Chung,JeongSoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301098A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three dimensional semiconductor circuit structure with optical interconnection

Номер патента: US5637907A. Автор: Glenn J. Leedy. Владелец: Elm Technology Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210366925A1. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device with interface structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11751334B2. Автор: Chun-Huang Yu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device including capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230163162A1. Автор: Hanjin Lim,Intak Jeon,Jiye BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Vertical noise reduction in 3D stacked semiconductor devices

Номер патента: US10879234B2. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Vertical noise reduction in 3d stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230048737A1. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Vertical noise reduction in 3d stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210118872A1. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297197A1. Автор: Takahiro Kamei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: US20240282726A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: EP4417985A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: US20070131952A1. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor device with upset event detection and method of making

Номер патента: US09702925B2. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall,Steven G. H. Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with pad structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11832439B2. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with pad structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240040771A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device having stacked structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096921A1. Автор: Won Je Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11917822B2. Автор: Seungjun Shin,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device including heat insulating layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301208A1. Автор: Won Tae KOO,Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having three-dimensional construction and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070066052A1. Автор: Takaaki Aoki,Eiji Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US11894329B2. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20220328442A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20240136315A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20210407944A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device with resistor and fuse and method of manufacturing the same

Номер патента: US7847370B2. Автор: Yuichiro Kitajima. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US11715542B2. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US11417408B2. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US20220036958A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device including on-die resistor and method of calibrating on-die resistor

Номер патента: US20240120904A1. Автор: Dong Seok Kim,Joo Won OH,Keun Jin CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: EP3945330A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US20220328117A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Three dimensional semiconductor memory device having peripheral circuit under cell structure

Номер патента: US10546814B2. Автор: Sung-Lae OH,Jung-Mi TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160049346A1. Автор: JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,CHO Woojin. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200243554A1. Автор: NAM Phil Ouk,LEE Sung Yun,KANG Chang Seok,LEE Chang Sup. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180261618A1. Автор: NAM Phil Ouk,LEE Sung Yun,KANG Chang Seok,LEE Chang Sup. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170309639A1. Автор: HWANG Sung-Min,Hur Sunghoi. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130161831A1. Автор: HWANG Sung-Min,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210020657A1. Автор: Song Juhak. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US20160254158A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180019336A1. Автор: Sang Yong Kim,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200381294A1. Автор: Akihiro Takahashi,Wataru Sakamoto,Kazuo Kibi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240324237A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeonil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240107773A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeon Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional semiconductor device including vertical structure and the method for forming it

Номер патента: CN109390344A. Автор: 金星中,任峻成,黄盛珉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09793292B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09905574B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230230937A1. Автор: Dong Young Kim,Young-Min Ko,Hyunuk Jeon,Yuseon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203376A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20170263641A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20150357345A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Three-dimensional semiconductor device having plural active semiconductor components

Номер патента: US20030038366A1. Автор: Hiroyuki Kozono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Three Dimensional Semiconductor Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102045858B1. Автор: 이웅,이우성,양준규,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-11-18.

Three Dimensional Semiconductor Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102054258B1. Автор: 양준규,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-12-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11968836B2. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203370A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180040695A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,Kal Subhadeep,Mohanty Nihar,Tapily Kandabara. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150340463A1. Автор: KIM Suk Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Three-dimensional semiconductor devices and method for fabricating the same

Номер патента: KR102419168B1. Автор: 황성민,이동식,임준성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190035733A1. Автор: Park Hyun-Mog. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR101003542B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR20100041625A. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954B1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Sangyeon HAN,Joongchan SHIN,Byeungmoo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US20210104410A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2020-02-05.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US20220349084A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US12031227B2. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220375959A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Sukkang SUNG,Sangdon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077138A1. Автор: Hyosung Lee,Suk Koo Hong,Miyeong Kang,Kyoungyong Cho,Sunkak Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613B1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613C0. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scient LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Three-Dimensional Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20130295761A1. Автор: HWANG Sung-Min,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Three-Dimensional Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20150037951A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Lim Jin-Soo,Chang Sung-IL Il. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200135568A1. Автор: Ryckaert Julien,BOEMMELS Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180269214A1. Автор: Jiang Yu-Wei,Chiou Jia-Rong. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: TW201813055A. Автор: 傑佛瑞 史密斯,安東 德維利耶. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-01.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20200137806A. Автор: 김형준,조용석,이수형,최은영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-09.

Three-dimensional semiconductor template for making high efficiency solar cells

Номер патента: US9590035B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Parallelized three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: WO2024040142A2. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Parallelized three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: WO2024040142A3. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220028731A1. Автор: SHIM Sunil,KANG Shinhwan,SON YOUNGHWAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-01-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200027893A1. Автор: KWON Hyuk Ho,LEE So Yoon,YANG Han Vit,SON Yong Hoon,KANG Moon Jong,AHN Sung Soo. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160056302A1. Автор: Lee Ki Hong,Bin Jin Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190057898A1. Автор: SHIM Sunil,KANG Shinhwan,SON YOUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PADS

Номер патента: US20150064900A1. Автор: Lee Ki Hong,Pyi Seung Ho,JEON Seok Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09653565B2. Автор: Jaeyoung Ahn,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200303390A1. Автор: Jin-Kyu Kang,Jaehoon Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Seungwan Hong,Okcheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150104919A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150028425A1. Автор: KIM Suk Ki. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220352203A1. Автор: Kim Sungjin,Kim Junghwan,Kim Sunggil,KIM Seulye,KIM Chanhyoung. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Three-dimensional semiconductor devices and method for fabricating the same

Номер патента: KR102533146B1. Автор: 이상수,김성길,김슬예,최지훈,김동겸,홍혜은. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-05-18.

three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160005747A1. Автор: Lee Ki Hong,Pyi Seung Ho,Park In Su. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CO-FABRICATED ADJACENT CAPACITOR

Номер патента: US20170033113A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-02-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20160056209A1. Автор: SUH Jun Kyo. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210074717A1. Автор: LIM Bongsoon,BYEON Daeseok. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Input circuit of three-dimensional semiconductor apparatus capable of enabling testing and direct access

Номер патента: US09589670B2. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US12004350B2. Автор: JoongShik SHIN,SangJun HONG,Euntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180026042A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-01-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150060752A1. Автор: SUH Jun Kyo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150170714A1. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Arreghini Antonio. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20190221610A1. Автор: Goux Ludovic,Kar Gouri Sankar,Crotti Davide Francesco,Delhougne Romain,Di Piazza Luca. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180240802A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-08-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210391350A1. Автор: Na Hoonjoo,KIM WeonHong,OH Seungha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-12-16.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: CN103971722A. Автор: 金森宏治,朴泳雨,李载悳,朴镇泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-06.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: TWI618066B. Автор: 金森宏治,朴泳雨,朴鎭澤,李載悳. Владелец: 三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-11.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190219762A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20150212270A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130163304A1. Автор: KIM Sung-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190019804A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150064867A1. Автор: JEONG Kil-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200058667A1. Автор: BAEK SEOK CHEON. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210074716A1. Автор: LIM Bongsoon,BYEON Daeseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US12120881B2. Автор: Daeseok Byeon,Bongsoon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional semiconductor device including ferroelectric transistor

Номер патента: US20240032303A1. Автор: Minjun LEE,Youngji Noh,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11839091B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11950517B2. Автор: Kyusul PARK,Daehwan Kang,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240357800A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,SiHyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit structures

Номер патента: US11744068B2. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20230389321A1. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with improved overlay margin and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100203705A1. Автор: JOON-SOO PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Power up of semiconductor device having a temperature circuit and method therefor

Номер патента: US09933317B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor devices shared element(s) apparatus and method

Номер патента: WO2006007343A2. Автор: Jie Zhang,Daniel R. Gamota,Jerzy Wielgus,Hakeem B. Adewole,Paul W. Brazis. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device having gate structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240090195A1. Автор: Chung-Peng Hao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with epitaxial structures and method for forming the same

Номер патента: US11765884B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor devices shared element(s) apparatus and method

Номер патента: WO2006007343A3. Автор: Jie Zhang,Jerzy Wielgus,Paul W Brazis,Daniel R Gamota,Hakeem B Adewole. Владелец: Hakeem B Adewole. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device with bus connection circuit and method of making bus connection

Номер патента: US20110316581A1. Автор: Takeshi Ichikawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device including resistance changing layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11871684B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device including on-die resistor and method of calibrating on-die resistor

Номер патента: US11955943B1. Автор: Dong Seok Kim,Joo Won OH,Keun Jin CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Three-dimensional semiconductor device with reduced size of string selection line device

Номер патента: TW201810619A. Автор: 陳士弘. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-16.

Three-dimensional semiconductor device having reduced size serial select line elements

Номер патента: CN107527916B. Автор: 陈士弘. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US20170330606A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device with a controlled cavity and method of formation

Номер патента: US20110241181A1. Автор: Dwight L. Daniels,Scott M. Hayes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices of optical neural network and methods of forming the same

Номер патента: US20230409894A1. Автор: Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with temporary memory chip and method for driving the same

Номер патента: US10394465B2. Автор: Yong-Ju Kim,Young-Ook SONG,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device for performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20230409214A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device, and data processing circuit and method

Номер патента: US20230057708A1. Автор: Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Three dimensional semiconductor based optical switching device

Номер патента: US20060083465A1. Автор: Remus Nicolaescu,Mario Paniccia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Solid state three dimensional semiconductor memory array

Номер патента: US4535424A. Автор: Lee R. Reid. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1985-08-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140198552A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,KANAMORI Kohji,LEE Jaeduk. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120112264A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130056820A1. Автор: JEONG Kil-Su. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

BACK SIDE ALIGNMENT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES

Номер патента: US20130052777A1. Автор: Gong Zhiwei,Hayes Scott M.,Xu Jianwen. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

Methods of Manufacturing Three Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20120070944A1. Автор: PARK Sang-Yong,Kim Hyu-Jung,Lim JongHeun,Kim Kyunghyun,Mun ChangSup. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20120098050A1. Автор: PARK Jintaek,HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,Cho Hoosung,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,Kim Jong-Yeon,KIM Kyoung-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120171861A1. Автор: PARK Sang-Yong,Youm Eunsun. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120199897A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Chang Sung-Il,Lim Jin-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of Manufacturing a Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20130078776A1. Автор: Kim Young-Hoo,Bae San Won,Lee Kuntack,Lee Hyosan. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.