Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

三維半導體裝置及其製造方法

Номер патента: TW201813055A
Опубликовано: 01-04-2018
Автор(ы): 傑佛瑞 史密斯, 安東 德維利耶
Принадлежит: 日商東京威力科創股份有限公司
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20180240802A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Three-dimensional semiconductor device including integrated circuit, transistors and transistor components and method of fabrication

Номер патента: US20190326301A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583503B1. Автор: Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240339453A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor devices having silicide and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09704865B2. Автор: Junggun YOU,Wei-Hua Hsu,Hyungjong LEE,Choongho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09905574B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09793292B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203376A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20170263641A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20150357345A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Filler cell region with centrally uncut gate segments, semiconductor device including same and method of manufacturing same

Номер патента: US20230260985A1. Автор: Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN,Fei Fan DUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20120112260A1. Автор: Toshiro Nakanishi,Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Jaeyoung Ahn,Seunghyun Lim,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-10.

Wiring structures for three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9165611B2. Автор: Hoo-Sung Cho,Hong-Soo Kim,Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Power distribution networks for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200135645A1. Автор: Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11848266B2. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240071910A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20220319983A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of fabricating three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20140256101A1. Автор: Sung-Min Hwang,Woonkyung Lee,Hui-chang Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US11901356B2. Автор: Yuichiro Sasaki,Sang Woo Lee,Sungkeun Lim,Pil-Kyu Kang,Sangjin Hyun,Weonhong Kim,Yongho Ha,Kughwan Kim,Seungha Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210125989A1. Автор: Yoosang Hwang,Changkyu Kim,Kiseok LEE,Sangyeon HAN,Sung-Min Park,Hui-jung Kim,Taehyun An,Hyungeun CHOI,Ahram Lee,Joongchan SHIN,Eunju CHO,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR101003542B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR20100041625A. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-04-22.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20190355741A1. Автор: SANGHOON Lee,Joonsuk Lee,Seulye KIM,Sunggil Kim,Hyeeun HONG,Hwaeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20220384478A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US11721744B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US20220199805A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160204102A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device, semiconductor circuit, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240213309A1. Автор: Atsushi Ito,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, power module and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210296308A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11888042B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Three dimensional semiconductor devices

Номер патента: USRE50089E1. Автор: Sung-Il Chang,Changhyun LEE,Jin-Soo Lim,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Reverse contact and silicide process for three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20210098294A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann,Jodi Grzeskowiak,Hiroki Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Device, Semiconductor Component and Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200111759A1. Автор: Carsten Von Koblinski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Flip-flop with transistors having different threshold voltages, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US20230421141A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Yung-Chen CHIEN,Huaixin XIAN,Xing Chao YIN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Via structure connecting front side structure of semiconductor device to bspdn, and method of manufacturing the same using sacrificial via structure

Номер патента: US20230343839A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Eun Sung Kim,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240105724A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyung Hee Cho,Minchan Gwak,Myungil KANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4345874A2. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyung Hee Cho,Minchan Gwak,Myungil KANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4345874A3. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyung Hee Cho,Minchan Gwak,Myungil KANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09735243B2. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US11810902B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-07.

Analog-cells-boundary region with buried power grid segment, semiconductor device including same and method of manufacturing same

Номер патента: US20240014136A1. Автор: Amit KUNDU,Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Yu-tao YANG,Chung-Ting Lu,Wen-Shen Chou,Ming-Cheng SYU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor Device, Integrated Circuit and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150076590A1. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device layout structure and method for manufacturing semiconductor device layout structure

Номер патента: US20230238293A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Three-dimensional semiconductor devices including gate electrodes

Номер патента: US10468433B2. Автор: Kwang Soo Kim,Jae Duk Lee,Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-05.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20230146060A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Jae Hyun Park,Sungil Park,Daewon HA,Kyuman HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11925023B2. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240172444A1. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Three-dimensional semiconductor device having vertical channel extending through horizontal layer structure and method of fabricating same

Номер патента: US11387248B2. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-07-12.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230095830A1. Автор: Hyo-Jin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240162228A1. Автор: Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun,Hyungjoo NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Three dimensional semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20230292508A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20210159242A1. Автор: Chang-sun Hwang,JongHeun Lim,Kiseok JANG,Chungki MIN,Kieun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions

Номер патента: US8742466B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Three dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102332346B1. Автор: 장재훈,이재덕,심선일,한지훈,이소현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-01.

REVERSE CONTACT AND SILICIDE PROCESS FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210098294A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,GRZESKOWIAK Jodi,Kal Subhadeep,Tapily Kandabara,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,NIIMI Hiroki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200152654A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Conductor structure for three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09698080B2. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09831267B2. Автор: Eun-young Lee,Jung Ho Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Jintae Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09825053B2. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-07.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12075624B2. Автор: Junyong PARK,Seokcheon Baek,Jiho LEE,YoungHwan Son,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor memory device with vertical structures between contact plugs

Номер патента: US12082412B2. Автор: Jongsoo Kim,Dongwoo Kim,Sunil Shim,Wonseok Cho,Ju-Young Lim,Jesuk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11296102B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210098478A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230387056A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20120164789A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20150380341A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Methods and apparatuses for void-free tungsten fill in three-dimensional semiconductor features

Номер патента: SG10201402625UA. Автор: Joydeep Guha,Anand Chandrashekar,Hua Xiang,Raashina Hamayun. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Method of manufacturing of advanced three-dimensional semiconductor structures and structures produced therefrom

Номер патента: CA3088034A1. Автор: Robert Steven Hannebauer. Владелец: Lumiense Photonics Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of manufacturing of advanced three-dimensional semiconductor structures and structures produced therefrom

Номер патента: US20210057403A1. Автор: Robert Steven Hannebauer. Владелец: Lumiense Photonics Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Three-dimensional semiconductor device including a through-via structure having a via liner having protruding portions

Номер патента: US20210125928A1. Автор: Kwangsoo Kim,JoongShik SHIN,Junhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing of advanced three-dimensional semiconductor structures and structures produced therefrom

Номер патента: US12021072B2. Автор: Robert Steven Hannebauer. Владелец: Lumiense Photonics Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Three-dimensional semiconductor device including a through-via structure having a via liner having protruding portions

Номер патента: US20220344267A1. Автор: Kwangsoo Kim,JoongShik SHIN,Junhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172838A1. Автор: Kohji Kanamori,YoungHwan Son,Seo-Goo Kang,Kwonsoon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11785768B2. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,Dongyoun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11678488B2. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-13.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200194373A1. Автор: Junhyoung Kim,Seokcheon Baek,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200194456A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210202522A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20190157291A1. Автор: Taehee Lee,Kyoung-hoon Kim,Hee-Sung KAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10720441B2. Автор: Taehee Lee,Kyoung-hoon Kim,Hee-Sung KAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US12074128B2. Автор: Moorym CHOI,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Process of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US4612083A. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11910614B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US20150372057A1. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Method Of Fabricating Three Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR101778286B1. Автор: 박상용,염은선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160204102A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230024469A1. Автор: Masaki Iwamoto,Kouhei Sonoda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure

Номер патента: US8754533B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-06-17.

Methods of manufacturing three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US8741761B2. Автор: Youngwoo Park,Byungkwan You,Kwang Soo SEOL,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

3 Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: KR101548674B1. Автор: 김민구,김한수,최석헌,김진호,안영수,손병근,최재형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-09-01.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device including contact plugs

Номер патента: US12046512B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20200135568A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-04-30.

Three-dimensional semiconductor device with air gap

Номер патента: US11825643B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Hun SON,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11764266B2. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230100332A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20220181441A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: WO2022119650A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings Inc.. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, integrated circuit and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240213246A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices having fuses and methods of forming the same

Номер патента: US7510914B2. Автор: Jong-Kyu Kim,Hyun-Chul Yoon,Jang-Bin Yim,Sang-Dong Kwon,Sung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-31.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11929392B2. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20240047217A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20230335408A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device, integrated circuit and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11948941B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220328687A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180040695A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,Kal Subhadeep,Mohanty Nihar,Tapily Kandabara. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Three Dimensional Semiconductor Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102045858B1. Автор: 이웅,이우성,양준규,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-11-18.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20130270643A1. Автор: Hyun Park,Jae-Young Ahn,Kihyun Hwang,Jongsik Chun,Juyul Lee,Kwangmin Park,Dongchul Yoo,Bumsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR20190009401A. Автор: 이주열,김범수,박현,황기현,안재영,박광민,유동철,전종식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-01-28.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102130057B1. Автор: 이주열,김범수,박현,황기현,안재영,박광민,유동철,전종식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-07-06.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR20130116604A. Автор: 이주열,김범수,박현,황기현,안재영,박광민,유동철,전종식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-10-24.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: KR101907446B1. Автор: 김한수,이혜연,임진수,정진하,블라디미르 우라자에브. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-10-12.

Three-dimensional semiconductor device comprising an inter-die connection on the basis of functional molecules

Номер патента: US20130221540A1. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Three-dimensional semiconductor device comprising an inter-die connection on the basis of functional molecules

Номер патента: US8440561B2. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Three dimensional semiconductor integrated circuit having gate pick-up line and method of manufacturing the same

Номер патента: US9240479B1. Автор: Jin Ha Kim,Isaac CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-19.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US09691818B2. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09812526B2. Автор: Seong Soon Cho,Dongseog EUN,Byoungil Lee,Hyunkook LEE,Kyung-Jun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301104A1. Автор: Seung Min Lee,Jae Seok Kim,Bo yun KIM,Nam Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor device having a support pattern in contact with a side surface of a contact plug

Номер патента: US11930640B2. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Integrated semiconductor device and wafer level method of fabricating the same

Номер патента: US09691725B2. Автор: Chia-Hua Chu,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kuei-Sung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200251417A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11854975B2. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190148295A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240105604A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices having airgaps and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773795B2. Автор: Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Three-dimensional semiconductor device having a support pattern in contact with a side surface of a contact plug

Номер патента: US20240179918A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of monitoring a semiconductor device fabrication process and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20220068728A1. Автор: Youngjoo Lee,Taekyun KANG,Hyowon Bae,Sang Yoon Han,Jitae PARK,Doo Young Gwak,Aekyung KIM,Kyunggon You,Seongjin IN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device with recess and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049869B2. Автор: Takashi Hashimoto,Shinichiro Abe,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor device having opening and method of fabricating the same

Номер патента: US20040048489A1. Автор: Takashi Goto,Yoshinari Ichihashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20190326178A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118883A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118882A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069801B2. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device and a corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190035741A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Ivan Venegoni,Francesca Milanesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and a corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190035740A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Ivan Venegoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-31.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US20220344223A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US11935798B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US20240178078A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device including tsv and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273780A1. Автор: Sang Jun Park,Eun Ji Kim,Sung Dong Cho,Dong Chan Lim,Kwang Wuk Park,Hak Seung Lee,Dae Suk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device, semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210166944A1. Автор: Shinichi Tabuchi,Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor transistor with gate contact in active region

Номер патента: US09691897B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11968836B2. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203370A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20210154622A. Автор: 나훈주,김원홍,오승하. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-21.

Three-dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN113871398A. Автор: 罗勋奏,金元洪,吴承河. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-31.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190319042A1. Автор: Hwan Lee,Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200243559A1. Автор: Hwan Lee,Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09748378B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Karoline Koepp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, integrated circuit and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09614032B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11810970B2. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220254908A1. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device

Номер патента: WO2014086479A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9245902B2. Автор: Kil-Su JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-26.

Three-dimensional semiconductor devices with current path selection structure and methods of operating the same

Номер патента: US20140197469A1. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Dohyun LEE,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160293539A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200203431A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US10141372B2. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-27.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190081105A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11854982B2. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200168547A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20230056261A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit device including inter-die interface

Номер патента: US20240120276A1. Автор: Sun Hee Park,Jae Seung Choi,Byung-Su Kim,Bong Il Park,Chang Seok KWAK,Sang Joon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200258994A1. Автор: Seol Kwang Soo,Hwang Kihyun,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150303215A1. Автор: Youngwoo Park,Sung-Il Chang,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170345907A1. Автор: Seol Kwang Soo,Hwang Kihyun,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11588032B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-21.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR20120090356A. Автор: 장성일,이창현,손병근,임진수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-08-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230044895A1. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200135568A1. Автор: Ryckaert Julien,BOEMMELS Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US20240363634A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: EP4135018A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-15.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US12040327B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, electronic circuit and method for switching high voltages

Номер патента: US09768160B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor Device, Electronic Circuit and Method for Switching High Voltages

Номер патента: US20150042177A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-12.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307448A1. Автор: Jae Hyun Park,Sungil Park,Kyunghwan Lee,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4254478A1. Автор: Jae Hyun Park,Sungil Park,Kyunghwan Lee,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210375904A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361119A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200152629A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119012A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119011A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP4273916A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200058667A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of fabricating ultrathin inorganic semiconductor and method of fabricating three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102356456B1. Автор: 황성우,주원제. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-01-27.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication thereof

Номер патента: US20220123013A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor Device, Integrated Circuit and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140339633A1. Автор: Anton Mauder,Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor devices with nanowires and methods for fabricating the same

Номер патента: US11967595B2. Автор: Sang Yong Kim,Sang Jin HYUN,Jae Jung Kim,Young Suk CHAI,Hoon Joo NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Vertical Structures

Номер патента: US20190157282A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10431593B2. Автор: Sunyoung Kim,Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun,Hoosung Cho,Kyoil KOO,Cheol RYOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Three-dimensional semiconductor device including a word line structure having a protruding portion

Номер патента: US20220231140A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Three dimensional semiconductor device having a back-gate electrode

Номер патента: US20240049467A1. Автор: Yun Heub Song,Chang Han Kim,In Ku Kang,Jae Min SIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-02-08.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US11910607B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20210043647A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20220384482A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11903206B2. Автор: Young Jin Kwon,Jong Seon AHN,Ji Sung CHEON,Seok Cheon Baek,Woong Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Three-dimensional semiconductor devices including vertical structures

Номер патента: US20200168621A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10032791B2. Автор: Seong Soon Cho,Joonhee Lee,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20180374867A1. Автор: Sunyoung Kim,Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun,Hoosung Cho,Kyoil KOO,Cheol RYOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200027894A1. Автор: Young Hwan Son,Shin Hwan KANG,Seo Goo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of manufacturing a three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09799657B2. Автор: Kihyun Hwang,Bio Kim,Jintae Noh,Hanvit Yang,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Thin-film semiconductor device, display apparatus, and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130075745A1. Автор: Sadayoshi Hotta,Arinobu Kanegae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor devices, semiconductor structures and methods for fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20230127579A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Chia-Chung Chen,Szu-Lin LIU,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09972638B2. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110204421A1. Автор: Byoungkeun Son,Kyunghyun Kim,Sukhun Choi,ChangSup Mun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Three-dimensional semiconductor device structures and methods

Номер патента: US20110298047A1. Автор: Qi Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Three-dimensional semiconductor device having variable resistance structure

Номер патента: US12063795B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Test architecture of semiconductor device, test system, and method of testing semicondurctor devices at wafer level

Номер патента: US09824946B2. Автор: Young-Yong Byun,Chi-wook Kim,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20220037206A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11621193B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-04-04.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20230207391A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device with resistor and method of fabricating same

Номер патента: US20090278189A1. Автор: Hoo-Sung Cho,Kyoung-hoon Kim,Nok-Hyun JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, semiconductor package, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11901256B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chang-Jung Hsueh,Cheng-Nan Lin,Wan-Yu Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device, semiconductor package, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230068485A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chang-Jung Hsueh,Cheng-Nan Lin,Wan-Yu Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device, semiconductor package, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240145327A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chang-Jung Hsueh,Cheng-Nan Lin,Wan-Yu Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818701B2. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130069206A1. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11990373B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09941122B2. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Three-dimensional semiconductor memory devices including stair structures and dummy electrodes

Номер патента: US10332611B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Heonkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-25.

Three-dimensional semiconductor package having a stacked passive device

Номер патента: EP4423815A1. Автор: Rahul Agarwal,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US20160254158A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200066742A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210327894A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11917819B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230247834A1. Автор: Gukhyon Yon,Soyeong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11930639B2. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200411542A1. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Three-dimensional semiconductor device with co-fabricated adjacent capacitor

Номер патента: US09601495B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional semiconductor device with co-fabricated adjacent capacitor

Номер патента: US20170033113A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20190355741A1. Автор: Lee Sanghoon,Kim Sunggil,LEE JoonSuk,KIM Seulye,HONG Hyeeun,SHIN HWAEON. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices having a vertical semiconductor pattern

Номер патента: US11839084B2. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20220293633A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200388634A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240090224A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10672790B2. Автор: Han Geun Yu,Daehyun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200212061A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jongwon Kim,Dong-Sik Lee,Byungyong CHOI,Gilsung Lee,Kangyoon Choi,Eungsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Three dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20230045654A. Автор: 김효진,하대원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200381294A1. Автор: Akihiro Takahashi,Wataru Sakamoto,Kazuo Kibi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899411B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20180323182A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device including capacitor and method of forming the same

Номер патента: US11411069B2. Автор: Cheol Seong Hwang,Han Jin Lim,Sang Yeol Kang,Kyu Ho Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2022-08-09.

High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing

Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device termination structures and methods of manufacturing semiconductor device termination structures

Номер патента: US20240088237A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US11769803B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305375A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device, protection circuit, and method for manufacturing protection circuit

Номер патента: US20230078873A1. Автор: Tomoyuki FUNABASAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Three-dimensional semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230403840A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor devices, and three-dimensional semiconductor devices thereof

Номер патента: US20160204123A1. Автор: Chen Kuang-Chao,Hong Shih-Ping,Yang Ta-Hone,Lian Nan-Tsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947683B2. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices with recessed interconnects

Номер патента: US09711457B2. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09666525B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Sanghoon Ahn,Daeseok Byeon,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming key patterns and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09704721B2. Автор: Ja-Min Koo,Heeju Shin,Jonghwa Baek,Boo-Hyun Ham,Rankyung Jung,Hyunchang LEE,Yongkug Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190013237A1. Автор: Ahn Jaeyoung,NAM Phil Ouk,Lee Sangsoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140248766A1. Автор: JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,CHO Woojin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190326166A1. Автор: Ahn Jaeyoung,NAM Phil Ouk,Lee Sangsoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210020658A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150303142A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Mikio Yukawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Three-dimensional semiconductor memory devices, methods of fabricating the same, and electronic systems including the same

Номер патента: US20220216151A1. Автор: Donghwan Kim,Jung-Hwan Park,Shinhwan Kang,Sanghun Chun,Youngji Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180269214A1. Автор: Jiang Yu-Wei,Chiou Jia-Rong. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

On-Chip Capacitors in Three-Dimensional Semiconductor Devices and Methods of Forming The Same

Номер патента: KR20230014087A. Автор: 리앙 첸,웨이 리우,레이 슈. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2023-01-27.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US12027625B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313116A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

3D packages and methods for forming the same

Номер патента: US09543284B2. Автор: Ming-Chih Yew,Kuo-Chuan Liu,Wen-Yi Lin,Po-Yao Lin,Fu-Jen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Three-Dimensional Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20130295761A1. Автор: HWANG Sung-Min,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

On-chip capacitors in three-dimensional semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220102267A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Three-dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190206732A1. Автор: Shou-Wei Huang,Cheng-Wei Lin,Wei-Min Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Three-dimensional semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: KR102421766B1. Автор: 이상수,안재영,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-18.

Advanced through substrate via metallization in three dimensional semiconductor integration

Номер патента: US09786605B1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170133397A1. Автор: LEE Yeonghun. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9818758B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20120164789A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200027893A1. Автор: KWON Hyuk Ho,LEE So Yoon,YANG Han Vit,SON Yong Hoon,KANG Moon Jong,AHN Sung Soo. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210036014A1. Автор: KWON Hyuk Ho,LEE So Yoon,YANG Han Vit,SON Yong Hoon,KANG Moon Jong,AHN Sung Soo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-02-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190043880A1. Автор: Lee Jung Hwan,KIM Jee Yong,YUN Seok Jung,LEE Ji Hyeon. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200051998A1. Автор: Lee Jung Hwan,KIM Jee Yong,YUN Seok Jung,LEE Ji Hyeon. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PADS

Номер патента: US20150064900A1. Автор: Lee Ki Hong,Pyi Seung Ho,JEON Seok Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films

Номер патента: US09978768B2. Автор: Ryoichi Honma,Jiyin Xu,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11792993B2. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11387253B2. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-12.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device manufacturing methods and methods of forming insulating material layers

Номер патента: US09607826B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190341456A1. Автор: Junhee LIM,Bongyong Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-07.

Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same

Номер патента: US11882705B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Sun Jun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same

Номер патента: US20210384221A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Sun Jun CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-12-09.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: EP3828931A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Su Jong Kim,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210167080A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Su Jong Kim,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12069858B2. Автор: Dong-Sik Lee,Byungjin LEE,Woosung YANG,Bumkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including thyristor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8049248B2. Автор: Tetsuya Ikuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20240162377A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: CA3213630A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2022-09-22.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11133327B2. Автор: Young-jin JUNG,Hyoung-ryeol In,Sung-Han Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-28.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200083250A1. Автор: Young-jin JUNG,Hyoung-ryeol In,Sung-Han Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180145149A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20190088763A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan,Ju-Yuan TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10790358B2. Автор: Junhee LIM,Bongyong Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-29.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11864385B2. Автор: Seunghwan Lee,Suhyeong LEE,Daehyun Jang,Ju-Young Lim,Sanghoon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240313120A1. Автор: Kentaro Mori,Kenichi Ohashi,Soichi Yamashita,Hiroki Okuyama,Kazushiro NOMURA,Aya MURAYOSHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20210384256A1. Автор: Jeonghee Park,Changhyun Cho,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20230240068A1. Автор: Dong-Sik Lee,Byungjin LEE,Woosung YANG,Bumkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200395409A1. Автор: Jeonghee Park,Changhyun Cho,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device including graphene and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12027589B2. Автор: Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Yunseong LEE,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device including transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8937343B2. Автор: NaeIn Lee,Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-20.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240213335A1. Автор: Takashi Shiraishi,Kenichi Okazaki,Yasutaka Nakazawa,Yasuharu Hosaka,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200135925A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-30.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

Method for forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200135926A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device with stressors and methods thereof

Номер патента: WO2008147608A1. Автор: Paul A. Grudowski,Veeraraghavan Dhandapani,Stefan Zollner. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-12-04.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09997530B2. Автор: Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Gukhyon Yon,Dongkyum Kim,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated using the same

Номер патента: US20140106569A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Seongsoo Lee,Daehyun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Three-dimensional semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09876055B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210366986A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chiung-Lin Hsu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20120108048A1. Автор: Hyo Jung Kim,Kyung Hyun KIM,Jong Heun Lim,Jae Joo Shim,Chang Sup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Three Dimensional Semiconductor Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102054258B1. Автор: 양준규,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-12-10.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098996A1. Автор: Sunggil Kim,Siyeong YANG,Yuyeon Kim,Jumi Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230134878A1. Автор: KANAMORI Kohji,Jeehoon HAN,Seung Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312902A1. Автор: Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09812464B1. Автор: Sung-Min Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230262980A1. Автор: Jaechul Lee,Byung-Sun Park,Dae-Hun Choi,Seungjae Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954B1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Three dimensional semiconductor trace length matching and associated systems and methods

Номер патента: US20230378043A1. Автор: Chin Hui Chong,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11805710B2. Автор: Heejung Kim,Taehong Min,Chorong Park,Joohee SEO,Eunsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20190333923A1. Автор: Jongwon Kim,Minyeong SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847341B2. Автор: HongSoo KIM,Yoocheol Shin,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220375959A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Sukkang SUNG,Sangdon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11296104B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Three-dimensional semiconductor memory device with vertical channels in a connection region having a lower channel pattern contacting the substrate

Номер патента: US11864382B2. Автор: Jongwon Kim,Young-jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional semiconductor memory device andelectronic system including the same

Номер патента: US20240237362A9. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory device andelectronic system including the same

Номер патента: US20240138157A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Three-dimensional semiconductor package

Номер патента: US20240321840A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847346B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Three-Dimensional Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240105631A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Sheng-Chi Lin,Hao-Cheng Hou,Jeng-An Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240074192A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Byoung Jae Park,Jongseon Ahn,Seung Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN107039457B. Автор: 李星勋,申重植,朴玄睦,尹永培,郑夛恽,尹石重. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-30.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190371809A1. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210143176A1. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230282603A1. Автор: Hyun Soo Shin,Kang Sik Choi,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240023324A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11758719B2. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional semiconductor device having a first main separation structure and a second main separation structure on a lower structure

Номер патента: US11812609B2. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Three-dimensional semiconductor device having a memory block and separation structures

Номер патента: US10978465B2. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-13.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20170352674A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-07.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160293622A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190019804A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-17.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US10483274B2. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-19.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9748258B2. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320096A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190355737A1. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230413545A1. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING GATE PICK-UP LINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160005859A1. Автор: KIM Jin Ha,CHUNG Isaac. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP4301109A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US11887951B2. Автор: Jiyoung Kim,Moorym CHOI,Sanghee YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230309307A1. Автор: Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200161330A1. Автор: Kohji Kanamori,YoungHwan Son,Seo-Goo Kang,Kwonsoon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4258841A1. Автор: Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240130122A1. Автор: Jaeho Choi,Seungmin Lee,Daeyeong Lee,Sunyi LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220028731A1. Автор: SHIM Sunil,KANG Shinhwan,SON YOUNGHWAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-01-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190057898A1. Автор: SHIM Sunil,KANG Shinhwan,SON YOUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20230422523A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same

Номер патента: US20240040791A1. Автор: Sunil Shim,Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12010852B2. Автор: Yoonhwan SON,Jeongseok LEE,Gaeun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200395381A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Bio Kim,Junggeun Jee,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20230180477A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Junggeun LEE,Bio Kim,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10910396B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20220077126A1. Автор: Seong Ho Choi,Jin HO KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190333967A1. Автор: Mu-hui Park,Wooyeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10256250B2. Автор: Kihyun Kim,Chadong Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11973025B2. Автор: Seungmin Lee,Junhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200105786A1. Автор: Soyeon Kim,Dongseog EUN,Hanyoung LEE,Young-bae Yoon,Jibong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200402983A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200091186A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Bio Kim,Junggeun Jee,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190304993A1. Автор: Taehee Lee,Hyunwook Kim,Eun-jung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-03.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210005629A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device qfn package and method of making thereof

Номер патента: US20230115182A1. Автор: Zhiming Li,Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12015204B2. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US9916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297445A1. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US09916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US11887920B2. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US20200066625A1. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US20210074623A1. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20060220221A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor-device mounted board and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110127656A1. Автор: Toshio Kobayashi,Takashi Kurihara,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: US11837560B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: US20210391285A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device, semiconductor package, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220254699A1. Автор: Tun-Ching PI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: US20210183796A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device package assemblies and methods of manufacture

Номер патента: US20240162110A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Byoungok Lee,Jeungdae Kim. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: EP3840114A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Film carrier, semiconductor device using same and method for mounting semiconductor element

Номер патента: US5821626A. Автор: Masakazu Sugimoto,Shoji Morita,Kazuo Ouchi,Atsushi Hino. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6399457B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Myoung-Bum Lee,Byung-lyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-04.

Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles

Номер патента: US6184489B1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Fumihiko Uesugi,Natsuko Ito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-06.

Semiconductor device, lead frame, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190385942A1. Автор: Naoki Saegusa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device, corresponding apparatus and method

Номер патента: US20180190564A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-05.

Temporary protective film for producing semiconductor device, reel body, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12021551006A1. Автор: Tomohiro Nagoya,Takahiro Kuroda,Naoki Tomori. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-04.

Semiconductor device including capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145531A1. Автор: Do Hee KIM,Sei Yon KIM,Min Chul SUNG,Jung Wook WOO,Yeon Gyu LEE,Ja Yong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device, semiconductor arrangement and method for producing the same

Номер патента: US11887961B2. Автор: Paul Frank,Frank Wagner,Sven Schmidbauer,Oliver Schilling,Thomas Heinelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device manufacturing jig and method for manufacturing same

Номер патента: US11891713B2. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device termination structures and methods of manufacturing semiconductor device termination structures

Номер патента: WO2024054763A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240030359A1. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Hsuan-Ning Shih,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20170179146A1. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US8409977B2. Автор: Jinsoo Lim,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sungmi Hwang,Wonseok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-02.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09859326B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20140038341A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20090057798A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Integrated semiconductor devices with single crystalline beam, methods of manufacture and design structure

Номер патента: US09758365B2. Автор: Anthony K. Stamper,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: WO2020264037A1. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Flir Commercial Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: US11916039B2. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Teledyne Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor Devices, Image Sensors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150214267A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device including capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20210296430A1. Автор: Akira Kaneko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20110250741A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Integrated semiconductor devices with single crystalline beam, methods of manufacture and design structure

Номер патента: GB2509680A. Автор: Anthony K Stamper,David L Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-09.

Integrated semiconductor devices with single crystalline beam, methods of manufacture and design structure

Номер патента: US20130119490A1. Автор: Stephen E. Luce,Anthony K. Stamper,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor device, solid-state image sensor, methods of manufacturing the same, and camera

Номер патента: US20150303227A1. Автор: Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Integrated semiconductor devices with single crystalline beam, methods of manufacture and design structure

Номер патента: US20140008741A1. Автор: Stephen E. Luce,Anthony K. Stamper,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device, imaging apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11942495B2. Автор: Atsushi Tsukada,Hirotaka Kobayashi,Hiroyuki Shigeta,Koyo Hosokawa,Shigekazu Ishii,Daisuke Chino,Hirohisa Yasukawa,Kosuke Hareyama,Mitsuhito Kanatake,Kiyohisa Sakai,Ninao Sato,Yutaka OOTAKI,Yuki Yamane. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US12094781B2. Автор: Makoto Miura,Satoshi Sakai,Yasushi Sonoda,Kiyohiko Sato. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190312052A1. Автор: Kim Yongseok,KANAMORI Kohji,LEE Kyunghwan,KANG Changseok,LIM Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: US09634022B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US12048159B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joonhee Lee,Byoungil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160005747A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074132B2. Автор: Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20180097064A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US10566424B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20200161424A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device protective structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20070007648A1. Автор: Wen-Kun Yang,Jui-Hsien Chang,Chihwei Lin,Kuang-Chi Chao,Cheng-hsien Chiu. Владелец: Advanced Chip Engineering Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor device channel system and method

Номер патента: US09735239B2. Автор: Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220320346A1. Автор: Atsushi Sasaki. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device protective structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20070082428A1. Автор: Wen-Kun Yang,Jui-Hsien Chang,Chihwei Lin,Kuang-Chi Chao,Cheng-hsien Chiu. Владелец: Advanced Chip Engineering Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101692446B1. Автор: 박찬진,황기현,최한메,토시로 나카니시,유동철,황완식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-01-04.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR20120048415A. Автор: 박찬진,조혜진,장성일,이창현,손병근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-05-15.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101688604B1. Автор: 박찬진,황기현,최한메,민경진,공유철,유동철,양준규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-12-23.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150028425A1. Автор: KIM Suk Ki. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device and Method of Forming the Same

Номер патента: KR101755643B1. Автор: 임승현,황기현,김동우,안재영,김비오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-07-10.

Three dimensional semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8377817B2. Автор: Hanmei Choi,Junkyu Yang,Kihyun Hwang,Chanjin Park,Dongchul Yoo,Gyungjin Min,Yoochul Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-19.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method For Forming The Same

Номер патента: KR20170120073A. Автор: 박상용,박진택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-10-30.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190221610A1. Автор: Ludovic Goux,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Davide Francesco CROTTI,Luca Di Piazza. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10825868B2. Автор: Ludovic Goux,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Davide Francesco CROTTI,Luca Di Piazza. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09741733B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Three-Dimensional Calibration Structures and Methods for Measuring Buried Defects on a Three-Dimensional Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180224749A1. Автор: Robert M. Danen,Philip Measor. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Three-dimensional calibration structures and methods for measuring buried defects on a three-dimensional semiconductor wafer

Номер патента: WO2018144956A1. Автор: Robert M. Danen,Philip Measor. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-09.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor chip

Номер патента: US09620493B2. Автор: SoonKwan KWON,Joonsung YANG. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional semiconductor device with vertical and horizontal channels in stack structure having electrodes vertically stacked on the substrate

Номер патента: US09685452B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20240365568A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312908A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432805A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301098A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301102A1. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US12048168B2. Автор: Ki Hong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240023337A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Takuya Futatsuyama,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240203944A1. Автор: Jae Seung Choi,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20170352679A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09947684B2. Автор: Jinwoo Park,Seok-Won Lee,Yong-Hyun Kwon,Joyoung Park,Oik Kwon,Seungpil Chung,JeongSoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09659958B2. Автор: Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee,Sejun Park,Woong-Seop LEE,Keejeong Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10038009B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093642A1. Автор: Hyung Joon Kim,Yong Seok Cho,Su Hyeong Lee,Eun Yeoung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Fabricating three-dimensional semiconductor structures

Номер патента: US20220115399A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,Hojin Kim,Na Young Bae,Karthikeyan Pillai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Three-dimensional semiconductor device with isolated dummy pattern

Номер патента: US20180301407A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method, System, and Apparatus for Forming Three-Dimensional Semiconductor Device Package with Waveguide

Номер патента: US20210035927A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Stephen Ryan Hooper. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Three dimensional semiconductor circuit structure with optical interconnection

Номер патента: US5637907A. Автор: Glenn J. Leedy. Владелец: Elm Technology Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240164101A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device including capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US09673272B2. Автор: Younsoo Kim,Yunjung Choi,Hanjin Lim,Jin-Su Lee,Se Hoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20240196764A1. Автор: Shao-Ming Yu,Bo-Jiun Lin,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor devices, semiconductor packages, and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11728297B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ho-Jin Lee,Kwang-jin Moon,Ju-Il Choi,Dong-Chan Lim,Ju-Bin Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor devices including capacitors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130207232A1. Автор: Hyung Ju JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device having diode and method of forming the same

Номер патента: US20140183435A1. Автор: Dong-Bok Lee,Sea-Phyo KIM,Chan-Min LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device, manufacturing method and controlling method of semiconductor device

Номер патента: US20180083026A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Liquid Crystal Display Device and a Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20110195534A1. Автор: Kiyohiro Kawasaki. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-08-11.

Display device and an inspection method of a display device

Номер патента: EP3866148A1. Автор: Kyun Ho KIM,Bong Im Park,Yong Jin SHIN,Uk Jae JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Display device and bonding detection method of display device

Номер патента: US20220084894A1. Автор: Wei Li,Chienpang HUANG,Chuntong JIANG,Kaifang ZHU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09977074B2. Автор: Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, heat conductor, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716053B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device, test system and method of the same

Номер патента: US9859176B1. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Hung-Chih Lin,Tang-Jung CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having fuse and method for checking whether the fuse is fused

Номер патента: US6121820A. Автор: Nobuo Shishikura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20240355693A1. Автор: Katsuya Sato,Shogo Minami,Keiichiro Matsuo,Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004079822A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device and a testing method of the same

Номер патента: US7816154B2. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US11957070B2. Автор: Shao-Ming Yu,Bo-Jiun Lin,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11876349B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor Device, A Method of Manufacturing A Semiconductor Device and A Testing Method of the Same

Номер патента: US20110018573A1. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device having inductor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240071911A1. Автор: Yu-Jen Wang,Wei-Cheng Wu,Li-Feng Teng,Wen-Tuo Huang,Harry-HakLay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20110269268A1. Автор: Hiroshi Ono,Tamaki Wada,Naoki Kawanabe,Nobuyasu MUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device with fuses and method of manufacturing same

Номер патента: EP1287557A2. Автор: Hermanus J. Effing,Alfred R. Hamstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-03-05.

Semiconductor device positioning system and method for semiconductor device positioning

Номер патента: EP3472670A1. Автор: Thijs Kniknie,Jozef Petrus Wilhelmus STOKKERMANS. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-24.

Semiconductor device driving circuit and method of testing the same

Номер патента: US20140139245A1. Автор: Daisuke Hirata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device, wiring board and method of making same

Номер патента: US20040104487A1. Автор: Akira Chinda. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of operating semiconductor device

Номер патента: US20210011077A1. Автор: Yoichi Kawano,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of operating semiconductor device

Номер патента: US20220413039A1. Автор: Yoichi Kawano,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor Device, Memory Module, and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20090273044A1. Автор: Rainer Leuschner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Multiplexer for SDFQ having differently-sized scan and data transistors, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US11821947B1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Huaixin XIAN,Changlin Huang. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20070075414A1. Автор: Takashi Miwa,Yasumi Tsutsumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Multiplexer for sdfq having differently-sized scan and data transistors, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US20230408582A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Huaixin XIAN,Changlin Huang. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of the film substrate, a method of the semiconductor device using the same, a method of the display device using the same, and a method of the electric device using the same

Номер патента: US20060079026A1. Автор: Hideaki Adachi,Nobukazu Koizumi,Keiichiro Hayashi,Tsutomu Matsuhira,Tadahiro Nishigawa. Владелец: MARUWA Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device, apparatus of estimating lifetime, method of estimating lifetime

Номер патента: US20140091829A1. Автор: Kenji Hirohata,Yuu YAMAYOSE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

High power semiconductor device cooling apparatus and method

Номер патента: US4010489A. Автор: Frank J. Bourbeau,Barton L. Meredith,Arnold J. Rakowski. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1977-03-01.

Semiconductor device with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20230246014A1. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Shih-Fen Huang,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US11923352B2. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Shih-Fen Huang,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240178211A1. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Shih-Fen Huang,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, electronic component and method

Номер патента: US11380612B2. Автор: Matthias Stecher,Martin Kotzbauer,Julie Mathilde Suzanne Paye,Andreas Zankl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-07-05.

Light emitting device, display apparatus with an array of light emitting devices, and display apparatus method of manufacture

Номер патента: CA2353326C. Автор: Kunihiro Izuno,Yuichi Fujiwara,Yoshifumi Nagai. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

A developing device and a developing method of substrate

Номер патента: US20210356808A1. Автор: PENG Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Automatic detecting device and automatic detecting method of manufacturing equipment

Номер патента: US20220004180A1. Автор: Ching-Pei Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Panel structure, display device, and alignment detection method of panel structure

Номер патента: US11320700B2. Автор: Jiaxin Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-03.

Panel structure, display device, and alignment detection method of panel structure

Номер патента: US20220066268A1. Автор: Jiaxin Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Vertical noise reduction in 3D stacked semiconductor devices

Номер патента: US10879234B2. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Vertical noise reduction in 3d stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230048737A1. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Vertical noise reduction in 3d stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210118872A1. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Sangyeon HAN,Joongchan SHIN,Byeungmoo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150170714A1. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180240802A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-08-23.

Three-Dimensional Semiconductor Devices And Methods Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102059196B1. Автор: 박영우,이재덕,박진택,코지 카나모리. Владелец: 에프아이오 세미컨덕터 테크놀로지스, 엘엘씨. Дата публикации: 2019-12-24.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: CN103971722A. Автор: 金森宏治,朴泳雨,李载悳,朴镇泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-06.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: TWI618066B. Автор: 金森宏治,朴泳雨,朴鎭澤,李載悳. Владелец: 三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-11.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: TW201430844A. Автор: Kohji Kanamori,Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Jin-Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-01.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101825539B1. Автор: 최지훈,김중호,김진균,양상렬,공유철,신재진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-03-22.

Three-dimensional semiconductor device and related method of operation

Номер патента: US20110199804A1. Автор: Yong-Hoon Son,Myoung bum Lee,Ki Hyun Hwang,Seung Jae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150138862A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,LEE Jaeduk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN103971722B. Автор: 金森宏治,朴泳雨,李载悳,朴镇泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-14.

Three-dimensional semiconductor chip containing memory die bonded to both sides of a support die and methods of making the same

Номер патента: US10665581B1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-26.

three dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101842900B1. Автор: 김한수,박영우,이재구,정길수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-03-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210020628A1. Автор: Kang Pil-kyu,Lee Sang Woo,SASAKI Yuichiro,Lim SungKeun,Hyun Sangjin,KIM WeonHong,OH Seungha,HA Yongho,KIM Kughwan. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190081105A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200083296A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200075627A1. Автор: Yong-Hoon Son,Sung-Soo Ahn,Daehyun Jang,Minhyuk Kim,Jae Ho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method with lateral channel

Номер патента: CN104347711B. Автор: 金锡基. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Three-dimensional semiconductor device and production method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN105679761A. Автор: 霍宗亮,夏志良. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-06-15.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200303390A1. Автор: Jin-Kyu Kang,Jaehoon Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Seungwan Hong,Okcheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09711520B2. Автор: XIA Zhiliang,Young-Gu Kim,Etienne Nowak,Daesin Kim,Narae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150311301A1. Автор: Seol Kwang Soo,Hwang Kihyun,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200402991A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

3 Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101584113B1. Автор: 김한수,김진호,이원준,손병근,장대현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-13.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110076819A1. Автор: Jinho Kim,Wonjun Lee,Hansoo Kim,Byoungkeun Son,Daehyun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Bridge line structure for bit line connection in a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09613975B2. Автор: Masayuki Hiroi,Chun-Ming Wang,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani,Chenche Huang,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150060752A1. Автор: SUH Jun Kyo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US12004350B2. Автор: JoongShik SHIN,SangJun HONG,Euntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL STRUCTURES WITH VARIED SPACING AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190043881A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,KIM SungJoong. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Three-dimensional semiconductor devices and method for fabricating the same

Номер патента: KR102533146B1. Автор: 이상수,김성길,김슬예,최지훈,김동겸,홍혜은. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-05-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20160056209A1. Автор: SUH Jun Kyo. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN105355602B. Автор: 霍宗亮,叶甜春. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20130313631A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,NAM Phil Ouk,Son Youngseon,Lee Kwangyoung. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING GATE PICK-UP LINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160005794A1. Автор: KIM Jin Ha,CHUNG Isaac. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170133400A1. Автор: KIM JinGyun,YANG Junkyu,NAM Phil Ouk,Eom Daehong,LEE Woong,Yoo Dongchul,LEE WOOSUNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190181226A1. Автор: Kim Sunggil,Choi Ji-hoon,Lee Sangsoo,KIM Seulye,Kim Dongkyum,HONG Hyeeun. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING GATE PICK-UP LINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150279952A1. Автор: KIM Jin Ha,CHUNG Isaac. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Three dimensional semiconductor device with memory stack

Номер патента: US11903221B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Three dimensional semiconductor device with memory stack

Номер патента: US20230397442A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200058667A1. Автор: BAEK SEOK CHEON. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20120248525A1. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-04.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8963231B2. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150162344A1. Автор: Hwang Kihyun,Kim Kyunghyun,Lee Seongsoo,KIM JinGyun,YANG Jun-youl,CHA Se-ho,Eom Daehong,Yeo Chadong,JANG Daehyun,Lee Sunghae. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180019336A1. Автор: Sang Yong Kim,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200350330A1. Автор: Jeehoon HAN,Jaeryong Sim,Jongseon Ahn,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process

Номер патента: US4822752A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-04-18.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150340463A1. Автор: KIM Suk Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180019336A1. Автор: OH Dong Yean,KIM Sang Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Method of forming sacrificial self-aligned features for assisting die-to-die and die-to-wafer direct bonding

Номер патента: US20210183814A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Vassilios Gerousis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Chuck assembly, semiconductor device fabricating apparatus including the same, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220223452A1. Автор: Taemin EARMME,Seungchul Han,Youngjae Son,Guesuk Lee,Hyeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Three-Dimensional Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20150037951A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Lim Jin-Soo,Chang Sung-IL Il. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150132906A1. Автор: Park Young Woo,Chang Sung-Il,Lee Jae Goo. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200135756A1. Автор: Jae-Joo Shim,Bongtae Park,Joo-Heon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Methods of Fabricating Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20180090512A1. Автор: Yoon Boun,JANG Ki Hoon,KWON Byoungho,Kim Ki-Woong,Kim Hyo-Jung,Seo Kieun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180330948A1. Автор: JANG Daehyun,KWON Yong-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

3D packages and methods for forming the same

Номер патента: US09793187B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu,Kung-Chen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US20210104410A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2020-02-05.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US20220349084A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US12031227B2. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230230937A1. Автор: Dong Young Kim,Young-Min Ko,Hyunuk Jeon,Yuseon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200266209A1. Автор: YU HAN GEUN,JANG Daehyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-08-20.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190288001A1. Автор: YU HAN GEUN,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

METHOD OF FABRICATING A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150318302A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077138A1. Автор: Hyosung Lee,Suk Koo Hong,Miyeong Kang,Kyoungyong Cho,Sunkak Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613B1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: SG10201908165TA. Автор: Shim Jae-Joo,PARK Bongtae,KANG Joo-Heon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613C0. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scient LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Group iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: TW201034054A. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-09-16.

METHOD OF MAKING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING UNIFORM THICKNESS SEMICONDUCTOR CHANNEL

Номер патента: US20180006041A1. Автор: Fukata Syo,XU Jiyin,HONMA Ryoichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Three-Dimensional Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20170154895A1. Автор: Huo Zongliang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170250193A1. Автор: Huo Zongliang. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR101057569B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2011-08-17.

Three-dimensional semiconductor template for making high efficiency solar cells

Номер патента: US9590035B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Parallelized three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: WO2024040142A2. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Parallelized three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: WO2024040142A3. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method, System, and Apparatus for Forming Three-Dimensional Semiconductor Device Package with Waveguide

Номер патента: US20210035927A1. Автор: Gong Zhiwei,Hayes Scott M.,Vincent Michael B.,Hooper Stephen Ryan. Владелец: NXP USA, Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09653565B2. Автор: Jaeyoung Ahn,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240324237A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeonil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200144380A1. Автор: HWANG Sung-Min,KIM Jiyoung,Lim Joon-Sung,KIM Jiwon,YANG WOOSUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200411542A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,Lee Dong-sik,YANG WOOSUNG. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CO-FABRICATED ADJACENT CAPACITOR

Номер патента: US20170033113A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-02-02.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101698193B1. Автор: 김한수,장재훈,조원석,황성민,심선일,임진수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device socket, assembly and methods

Номер патента: US20010000304A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210391350A1. Автор: Na Hoonjoo,KIM WeonHong,OH Seungha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-12-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES WITH CURRENT PATH SELECTION STRUCTURE AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140197469A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,KANAMORI Kohji,LEE Jaeduk,LEE Dohyun. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

Method of forming two-dimensional and three-dimensional semiconductor chip arrays

Номер патента: US20180337208A1. Автор: Gary D. Redding,Michael B. Monahan,Joseph F. Casey,Craig Alan Zufelt. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF DETECTING ELECTRICAL FAILURE THEREOF

Номер патента: US20210351199A1. Автор: KIM Taeyoung,Kim Dongchan,CHOI Moorym. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-11.

METHOD OF FORMING TWO-DIMENSIONAL AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR CHIP ARRAYS

Номер патента: US20180337208A1. Автор: Redding Gary D.,MONAHAN Michael B.,Casey Joseph F.,Zufelt Craig Alan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190267333A1. Автор: Sang Jun Hong,Kyeong Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

OPTOELECTRONIC DEVICE WITH THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR3039004A1. Автор: Christophe Durand,Joel Eymery,Amélie DUSSAIGNE,Damien Salomon,Philippe Gilet. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2017-01-20.

Semiconductor device for image sensor

Номер патента: US20080211046A1. Автор: Dong-bin Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240235222A9. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200091084A1. Автор: HWANG Sung-Min,Yun Jang-Gn,Lim Joon-Sung,KIM Young-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Optical semiconductor device, optical module, and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20180090910A1. Автор: Kouji Nakahara,Takeshi Kitatani. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Optical semiconductor device, optical unit, and method for manufacturing optical unit

Номер патента: US20230079029A1. Автор: Akira Higuchi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-16.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: EP4106101A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: US20230246325A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240136834A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160111441A1. Автор: Jang-Hyun You,Jintaek Park,Sunghoi Hur. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11792982B2. Автор: Joonhee Lee,Joon-Sung LIM,Euntaek JUNG,Woosung YANG,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240015970A1. Автор: Joonhee Lee,Joon-Sung LIM,Euntaek JUNG,Woosung YANG,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-01-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240107773A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeon Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210057445A1. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220352203A1. Автор: Kim Sungjin,Kim Junghwan,Kim Sunggil,KIM Seulye,KIM Chanhyoung. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107774A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeon Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Visualization of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20200271595A1. Автор: Thaddeus G. Dziura,Andrei Veldman,Jonathan Iloreta,Houssam Chouaib,Yin Xu,Liequan Lee,John Hench,Aaron J. ROSENBERG,Antonio GELLINEAU,Kaiwen Xu,Abhi Gunde. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Visualization of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20200393386A1. Автор: Thaddeus G. Dziura,Andrei Veldman,Jonathan Iloreta,Houssam Chouaib,Yin Xu,Liequan Lee,John Hench,Aaron J. ROSENBERG,Antonio GELLINEAU,Kaiwen Xu,Abhi Gunde. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190035798A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,Lee Dong-sik. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160276365A1. Автор: Lim SeungHyun,Kim Sunggil,Choi Ji-hoon,KIM Hongsuk,LIM HUNHYEONG,SIM HYUNJUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11626417B2. Автор: Sung-Min Hwang,Dong-Sik Lee,Byungjin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-11.

Vertical three-dimensional semiconductor device and method of making same

Номер патента: US20160163731A1. Автор: Judit Gloria Lisoni Reyes,Chi Lim Tan. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-06-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150048293A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150104919A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Three-dimensional semiconductor devices and method for fabricating the same

Номер патента: KR102419168B1. Автор: 황성민,이동식,임준성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-11.

METHODS OF FORMING A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A DUAL STRESS CHANNEL AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20140225168A1. Автор: JR. William J.,Miller Robert,Juengling Werner,Taylor,Pham Daniel T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130146961A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140063936A1. Автор: Shim Sa Yong,Park Kyoung Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140099761A1. Автор: Kim Bio,Hwang Kihyun,Ahn Jaeyoung,Lim SeungHyun,Kim Dongwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-10.

Three-dimensional semiconductor memory device, memory system including the same, method of manufacturing the same and method of operating the same

Номер патента: US9130038B2. Автор: Kyoung Jin PARK,Sa Yong Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-08.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: DE102020124539A1. Автор: Sung-Min Hwang,Dong-Sik Lee,Byungjin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device used for diode

Номер патента: JP7261281B2. Автор: 群賢 蔡,庭鵑 李,聡富 顔,光瑞 張,群榮 蔡. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Three-dimensional semiconductor device and forming method thereof on insulator

Номер патента: CN103400858B. Автор: 许军,王敬,梁仁荣. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-20.

three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160005747A1. Автор: Lee Ki Hong,Pyi Seung Ho,Park In Su. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190035733A1. Автор: Park Hyun-Mog. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210074717A1. Автор: LIM Bongsoon,BYEON Daeseok. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200083250A1. Автор: Jung Young-Jin,Cho Sung-Han,In Hyoung-ryeol. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09960182B2. Автор: HongSuk Kim,Ji-Hoon Choi,Seunghyun Lim,Hyunjun Sim,Sunggil Kim,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-dimensional semiconductor nanoheterostructure and method of making same

Номер патента: US20180233624A1. Автор: Nikolay Ledentsov,Vitaly Shchukin. Владелец: VI Systems GmbH. Дата публикации: 2018-08-16.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Stackable semiconductor chip with edge features and methods of fabricating and processing same

Номер патента: WO2012074636A1. Автор: Kelly Bruland,John R. Carruthers,Timothy R. Webb,Andy E. Hooper. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090228A1. Автор: Jeehoon HAN,Hoyoung CHOI,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional memory device containing memory opening monitoring area and methods of making the same

Номер патента: US20240107758A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Miyamoto,Keisuke Shigemura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device containing memory opening monitoring area and methods of making the same

Номер патента: WO2024072502A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Miyamoto,Keisuke Shigemura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180026042A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-01-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160049346A1. Автор: JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,CHO Woojin. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Arreghini Antonio. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20190221610A1. Автор: Goux Ludovic,Kar Gouri Sankar,Crotti Davide Francesco,Delhougne Romain,Di Piazza Luca. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20200137806A. Автор: 김형준,조용석,이수형,최은영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-09.

Semiconductor package and three-dimensional semiconductor package including the same

Номер патента: US20160315029A1. Автор: Wook Kim,Yun-Hyeok Im,Dong-han Lee,Kee-Moon Chun,Jung-Su HA,Min-Seon Ahn,Je-Gil MOON,Jae-Soo CHAUNG,Bum-Keun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09613976B2. Автор: Masaru Kito,Yoshihiro Yanai,Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130270625A1. Автор: Lim SeungHyun,CHOI Jungdal,YANG Junkyu,PARK Kwangmin,KIM BYONGJU,Jang Byong-hyun,Seol Kwangsoo,YUN Janggn. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130334593A1. Автор: Lee Ju-Yul,Hwang Ki-Hyun,Seol Kwang-Soo,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150041882A1. Автор: Ahn Jae-Young,Hwang Kihyun,Park Hyun,Yoo Dongchul,CHUN Jongsik,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Kim Bumsu. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190074282A1. Автор: Yoon Boun,KWON Byoungho,MIN Chungki,SHIN Miso,KWON Myeongan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210098480A1. Автор: KIM Jung-Hwan,Kim Sungjin,Kim Sunggil,KIM Seulye,Kim Chan-Hyoung. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140227841A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Jaegoo,KIM Hansoo,JEONG Kil-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190157283A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200152654A1. Автор: HWANG Sung-Min,KIM Jiyoung,Lim Joon-Sung,KIM Jiwon,YANG WOOSUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210225870A1. Автор: Lim Joon-Sung,Lee Joonhee,Seong HoJun,YANG WOOSUNG,JUNG EUNTAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210225871A1. Автор: HWANG Sung-Min,LEE Byungjin,Lee Dong-sik. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180261626A1. Автор: Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Gukhyon Yon,Dongkyum Kim,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.. Дата публикации: 2018-09-13.

Three Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20160293625A1. Автор: CHA Junho,KANG Joo-Heon,HYUN Chung-II. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180294225A1. Автор: LEE Taehee,Lee Juyeon,HWANG Jeehoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170301689A1. Автор: Lim SeungHyun,Kim Sunggil,Choi Ji-hoon,KIM Hongsuk,LIM HUNHYEONG,SIM HYUNJUN. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150372005A1. Автор: Hwang Kihyun,Kim Dongwoo,Yoo Dongchul,Kim Dongkyum,Yon Gukhyon. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR102307487B1. Автор: 황기현,김동겸,김동우,연국현,유동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-10-05.

Input circuit of three-dimensional semiconductor apparatus capable of enabling testing and direct access

Номер патента: US09589670B2. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150064867A1. Автор: JEONG Kil-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150187791A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Three-dimensional semiconductor device provided with interchip interconnection selection means for electrically isolating interconnections other than selected interchip interconnections

Номер патента: TW200617981A. Автор: Hiroaki Ikeda,Hideaki Saito,Masayuki Mizuno,Kayoko Shibata,Yasuhiko Hagihara,Muneo Fukaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130313629A1. Автор: SHIM Sunil,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok,LIM Jinsoo,Hwang Sungmi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11917822B2. Автор: Seungjun Shin,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170069769A1. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985149B2. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

For measuring the three-dimensional calibration structure and method of the burial defect on three dimensional semiconductor die

Номер патента: CN110326094A. Автор: P·梅斯热,R·M·丹恩. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-10-11.

METHODS OF FABRICATING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140256101A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,MOON Hui-Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-11.

STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150228623A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES USING DIRECT STRAPPING LINE CONNECTIONS

Номер патента: US20140349453A1. Автор: Kim Dongchan,KIM Sang-Hoon,Lee Ae-Jeong,Lee Bongyong. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093642A1. Автор: Kim Hyung Joon,CHOI Eun Yeoung,LEE Su Hyeong,Cho Yong Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-24.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200243554A1. Автор: NAM Phil Ouk,LEE Sung Yun,KANG Chang Seok,LEE Chang Sup. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180261618A1. Автор: NAM Phil Ouk,LEE Sung Yun,KANG Chang Seok,LEE Chang Sup. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170309639A1. Автор: HWANG Sung-Min,Hur Sunghoi. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Three-Dimensional Calibration Structures and Methods for Measuring Buried Defects on a Three-Dimensional Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180224749A1. Автор: Danen Robert M.,Measor Philip. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200381446A1. Автор: Kim Hyung Joon,CHOI Eun Yeoung,LEE Su Hyeong,Cho Yong Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-12-03.

Three dimensional semiconductor memory device having peripheral circuit under cell structure

Номер патента: US10546814B2. Автор: Sung-Lae OH,Jung-Mi TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: SG10201906732VA. Автор: Kim Soyeon,YOON Young-bae,Eun Dongseog,Lee Hanyoung,Park Jibong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20140054787A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF DETECTING ELECTRICAL FAILURE THEREOF

Номер патента: US20190139980A1. Автор: KIM Taeyoung,Kim Dongchan,CHOI Moorym. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200227434A1. Автор: Kim Ha-Na,AHN Sung-Soo,LEE Haejoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20180240808A1. Автор: JANG Jaehoon,Yeo Chadong,LEE Jaeduk,SONG MINYEONG. Владелец: Samsung Electronics.,Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-08-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200303410A1. Автор: Kim Yongseok,KANAMORI Kohji,LEE Kyunghwan,LIM Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150333084A1. Автор: Hwang Kihyun,Son Yong-Hoon,LEE Myoungbum,Kim Jung Ho,Baik Seungjae. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Operating The Same

Номер патента: KR101652873B1. Автор: 손용훈,이명범,황기현,백승재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-08-31.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of detecting electrical failure thereof

Номер патента: KR102508522B1. Автор: 김태영,김동찬,최무림. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-03-10.

Three-dimensional semiconductor device having plural active semiconductor components

Номер патента: US20030038366A1. Автор: Hiroyuki Kozono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090211A1. Автор: Sung-Min Hwang,Soyeon Kim,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim,Bongtae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130163304A1. Автор: KIM Sung-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

METHODS OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140231899A1. Автор: Seol Kwang Soo,Park Youngwoo,LEE Jaegoo,YOU Byungkwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR CHIP CONTAINING MEMORY DIE BONDED TO BOTH SIDES OF A SUPPORT DIE AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200243500A1. Автор: Makala Raghuveer S.,Zhou Fei,SHARANGPANI Rahul,Rajashekhar Adarsh. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Three-dimensional semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105321952B. Автор: 刘东哲,黄棋铉,延国贤,金东宇,金东谦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-30.

Three-dimensional semiconductor module including system in a package (SIP) with improved heat dissipation efficiency

Номер патента: US11881248B2. Автор: Takao Adachi,Fumitake OKUTSU. Владелец: Ultramemory Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140070302A1. Автор: KIM JinGyun,YANG Junkyu,NAM Phil Ouk,Eom Daehong,LEE Woong,Yoo Dongchul,LEE WOOSUNG. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR NANOHETEROSTRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20180233624A1. Автор: Ledentsov Nikolay,Shchukin Vitaly. Владелец: VI Systems GmbH. Дата публикации: 2018-08-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130161831A1. Автор: HWANG Sung-Min,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN INTER-DIE CONNECTION ON THE BASIS OF FUNCTIONAL MOLECULES

Номер патента: US20130221540A1. Автор: Kronholz Stephan,Richter Ralf,Lenski Markus. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140048868A1. Автор: SHIN Yoocheol,Kim Juhyung. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190019804A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210020657A1. Автор: Song Juhak. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160056302A1. Автор: Lee Ki Hong,Bin Jin Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210074716A1. Автор: LIM Bongsoon,BYEON Daeseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Shin Joongchan,Kang Byeungmoo,Han Sangyeon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200075608A1. Автор: HAN Jee Hoon,KIM Kyung Dong,Shim Sun Il,Song Ju Hak. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL AND HORIZONTAL CHANNELS IN STACK STRUCTURE HAVING ELECTRODES VERTICALLY STACKED ON THE SUBSTRATE

Номер патента: US20170084624A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Changhyun,KANG Shinhwan,LEE Heonkyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200083242A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11758740B2. Автор: Yu-Ting Chen,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chiung-Lin Hsu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240114704A1. Автор: Jiyoung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US12120881B2. Автор: Daeseok Byeon,Bongsoon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional semiconductor device including ferroelectric transistor

Номер патента: US20240032303A1. Автор: Minjun LEE,Youngji Noh,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11950517B2. Автор: Kyusul PARK,Daehwan Kang,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11839091B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240357800A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,SiHyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device including capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292596A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240313776A1. Автор: Fumiya Watanabe,Kenro Kubota,Kazuhiko Satou,Atsuko SAEKI,Ryota Tsuchiya,Harumi ABE,Kanta NAGUMO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, semiconductor system and method of operating semiconductor device

Номер патента: US09906383B2. Автор: Chiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Network processing device and networks processing method of communication frames

Номер патента: EP3809639A1. Автор: Keiichiro Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-21.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12114511B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240373650A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200388320A1. Автор: Soo Min Lee,Ki Hwan SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Multiplexer for SDFQ having differently-sized scan and data transistors, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US12099090B2. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Huaixin XIAN,Changlin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Device and transmission/reception method of figure of package data in mobile communication system

Номер патента: RU2349032C1. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Дзунг-Соо ДЗУНГ,Беом-Сик БАЕ,Дае-Гиун КИМ,Йоун-Сун КИМ,Дзин-Киу ХАН,Донг-Хи КИМ,Ю-Чул КИМ,Дае-Гиун КИМ (KR),Дзин-Киу ХАН (KR),Хван-Дзоон КВОН (KR),Донг-Хи КИМ (KR),Дзунг-Соо ДЗУНГ (KR),Беом-Сик БАЕ (KR),Ю-Чул КИМ (KR),Йоун-Сун КИМ (KR). Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-03-10.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: US12108138B2. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device, clock circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20220014191A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Communication device and call transfer method of same

Номер патента: US20130157635A1. Автор: Qiang You. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Power supply system, electronic device, and electricity distribution method of electronic device

Номер патента: US09935467B2. Автор: Zhiji DENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Display device and haptic feedback method of the same

Номер патента: US11762469B2. Автор: Jung Hun NOH,Yi Joon Ahn,Ga Na KIM,Jae Been LEE,Eun Kyung Yeon,So Young YEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Display device and image display method of the same

Номер патента: EP3699902A1. Автор: Kwansik Yang,Kilsoo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-26.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: EP3678336A3. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: US20200213148A1. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Electrode for source/drain of organic semiconductor device, organic semiconductor device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US12133397B2. Автор: Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-10-29.

Display device and visibility improvement method of image therefor

Номер патента: US20240274102A1. Автор: Ji Won Lee,Yong Hee Kim,Seung Hyun Lee,Hee Jin Lee,Jun Min Lee,Byung Cheol Song,Jun Ho HEO,Seung Wan Yu,Se Ha JEONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display device and visibility improvement method of image therefor

Номер патента: EP4418254A1. Автор: Ji Won Lee,Yong Hee Kim,Seung Hyun Lee,Hee Jin Lee,Jun Min Lee,Byung Cheol Song,Jun Ho HEO,Seung Wan Yu,Se Ha JEONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Wireless network system, wireless device, and network registration method of the wireless device

Номер патента: US09838122B2. Автор: Young-jun Choi,Seong-man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and power off method of a semiconductor device

Номер патента: US20230315179A1. Автор: Dae Hwan Kim,Young Hoon Lee,Ho-Yeon JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and data outputting method of the same

Номер патента: US20090167413A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device, display apparatus, and driving method of semiconductor device

Номер патента: US20240188330A1. Автор: Susumu Kawashima,Tomoaki Atsumi,Hideaki Shishido,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20200041547A1. Автор: Akira Murayama,Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura,Yuko Kitaji,Yosuke Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US10033339B2. Автор: Hiroyuki Kuge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Predictive coding method, predictive coding device and predictive coding method of motion vector and predictive decoding method, predictive decoding device and motion vector prediction decoding program

Номер патента: RU2731026C1. Автор: Чоонг Сенг БООН,Йосинори СУДЗУКИ,Акира ФУДЗИБАЯСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2020-08-28.

PLL semiconductor device with testability, and method and apparatus for testing same

Номер патента: US20010028243A1. Автор: Kimitoshi Niratsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: US11115235B2. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: EP4254973A1. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device, regulator circuit, and method for starting regulator circuit

Номер патента: US20240111321A1. Автор: Yoichi Fueki. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: US20230319389A1. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Electronic device, system of electronic device, and system operating method of electronic device

Номер патента: US20200293262A1. Автор: Dae Won Kim,Ho Jung Lee,Young Seok Kim,Kee Hyun Nam,Hyoung Cheol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: CA3212739A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2022-09-29.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: AU2022245816A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2023-09-28.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: US20240056930A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2024-02-15.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US20180097987A1. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US10237471B2. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2019-03-19.

Electronic device and frame transmission method of electronic device

Номер патента: US11757789B2. Автор: Han-Yi Hung,Yi-Kuang Ko,Sheng-Pin Lin,Cheng-Yan Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Electronic device, and wireless communication method of electronic device

Номер патента: US20190246428A1. Автор: Soo-Jin Park,Su-Ha Yoon,Eui-Chang JUNG,Sung-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: EP4358354A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Image forming apparatus configured to partition menu information transmitted from a main device to a control device, control device, and screen display method of performing same

Номер патента: US10491763B2. Автор: Hisashi NAITOH. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Wireless network system, wireless device, and network registration method of the wireless device

Номер патента: CA2824968C. Автор: Young-jun Choi,Seong-man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Clamping device, electronic device and remote control method of electronic device

Номер патента: US20230362488A1. Автор: Chun-Wei Lu,Chi-Hwa Ho,Yea-Chin Yeh,Yi-Teng Tsai. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Induction heating device and vessel-sensing method of the induction heating device

Номер патента: US11672053B2. Автор: Shinjae Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-06.

Touch display device and touch driving method of same

Номер патента: US11768556B2. Автор: Jian Ye. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Image sensing device and image processing method of the same

Номер патента: US20230300481A1. Автор: Hee Kang,Chan Young Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Projection device and safety protection method of projection device

Номер патента: US20240215133A1. Автор: Sheng-Han Yang,Yao Lei Huang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

External data-input device and speech inputting method of portable electronical device

Номер патента: US20030008678A1. Автор: Winky Lin. Владелец: Silitek Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Display device and image display method of display device

Номер патента: US20200059627A1. Автор: Keita SANO. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

3 Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101597686B1. Автор: 이병찬,이선길,현성우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-02-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8268687B2. Автор: SungWoo Hyun,Byeongchan Lee,Sunghil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-18.

Method of manufacturing a three dimensional semiconductor memory device and the three dimensional semiconductor memory device fabricated by the method

Номер патента: KR102091729B1. Автор: 이준석,황기현,임헌형,이웅. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-20.

Three-dimensional semiconductor storage device and preparation method for three-dimensional semiconductor storage device

Номер патента: CN102544049A. Автор: 刘明,霍宗亮. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-04.

Semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09568615B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN105470260B. Автор: 叶甜春. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-18.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN107403803A. Автор: 黄盛珉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Three-dimensional semiconductor device with reduced size of string selection line device

Номер патента: TW201810619A. Автор: 陳士弘. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-16.

Organic electroluminescence display device, method for producing same, color filter substrate and method for producing same

Номер патента: US20120012834A1. Автор: Tohru Sonoda,Emi Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Three-dimensional semiconductor device having reduced size serial select line elements

Номер патента: CN107527916B. Автор: 陈士弘. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US20170330606A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device with transducer and method for forming the same

Номер патента: US20240050987A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Ming-Hsien Yang,Sheng Kai Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and temperature control method of semiconductor device

Номер патента: US09625986B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shuuji Matsumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US20240248255A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device fabrication mask and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110053058A1. Автор: Haruko Akutsu,Kyo Otsubo,Makiko Katano,Ayako Mizuno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Ultrasonic measuring device, and ultrasonic measuring method of flow rate

Номер патента: RU2488836C2. Автор: Торальф ДИЦ,Ларс ЭМИХЕН,Джон ЛЭНСИНГ. Владелец: ЗИК Энджиниринг ГмбХ. Дата публикации: 2013-07-27.

Image sensor, optical pointing device and motion calculating method of optical pointing device

Номер патента: US20050200600A1. Автор: Bang-Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device control circuit and method thereof

Номер патента: US09640272B2. Автор: Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230350010A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Medical device and computer-implemented method of predicting risk, occurrence or progression of adverse health conditions in test subjects in subpopulations arbitrarily selected from a total population

Номер патента: EP3695418A1. Автор: Luca Neri,Ulrich TSCHULENA,Francesco BELLOCCHIO,Carlo Barbieri,Wencke ARMSEN. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2020-08-19.

Storage device and data processing method of storage device

Номер патента: EP2151784A3. Автор: Shin c/o Hitachi Ltd Intellectual Property Group Nishihara,Shuichi c/oHitachi Ltd. Intellectual Property Group Yagi,Yasuyuki c/oHitachi Ltd. Intellectual Property Group Nagasoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-09.

Backflow prevention device of light metal injection device and backflow prevention method of light metal injection device

Номер патента: US20210379649A1. Автор: Tadashi Morikawa. Владелец: Sodick Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Storage control device controlling access to a storage device and access controlling method of a storage device

Номер патента: US09632950B2. Автор: Motohiro Sakai,Akihito Kobayashi,Takuro Kumabe,Shinichiro Matsumura,Takahiro Ohyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: US20240264766A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

A storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: EP4414852A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Radar device and data output method of radar device

Номер патента: EP4411416A1. Автор: Hirosada Miyaoka,Ryosuke Yamada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Temperature warning device and temperature warning method of friction element

Номер патента: US09897202B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Hidetoshi Tsukidate,Kenichi Ooshima. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20140042585A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Electronic devices and corresponding hybrid methods of low light image enhancement

Номер патента: US12079973B2. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Storage device and garbage collection method of data storage system having the storage device

Номер патента: US09858182B2. Автор: JongWon Lee,Kangho Roh,Wooseok CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Machine learning device and maching learning method of machine learning device

Номер патента: US20190370661A1. Автор: Namyeong Kwon,Hayoung JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US20160372171A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US09576627B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US11914940B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20240193343A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device design system and method, and software product for the same

Номер патента: US20060190876A1. Автор: Kenta Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device and temperature control method of semiconductor device

Номер патента: US20160266640A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shuuji Matsumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device, memory system, and method of correcting duty cycle of output signal from semiconductor device

Номер патента: US11961586B2. Автор: Kensuke Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device, mobile apparatus, and method of controlling mobile apparatus

Номер патента: US20200387717A1. Автор: Keisuke Matsumoto,Remi MIYAMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and self-diagnostic method of semiconductor device

Номер патента: US20220328123A1. Автор: Terunori Kubo,Hirotsugu Nakamura,Daisuke Katagiri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: EP4312144A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US20170174507A1. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: US20240037307A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20170177062A1. Автор: Hiroshi Ueki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device, control system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20200073806A1. Автор: Toshiyuki Kaya,Shinichi Shibahara,Yuki Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Rack-mounted column, pouring device and temperature control method of drink

Номер патента: RU2493509C2. Автор: Барт Ян Бакс. Владелец: Хейнекен Сеплай Чейн Б.В.. Дата публикации: 2013-09-20.

Semiconductor device, electronic control unit, verification method of electronic control unit and manufacturing method of electronic control unit

Номер патента: US11845387B2. Автор: Masayuki Daito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US20230258860A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US11953720B2. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20050095774A1. Автор: Masahiro Abe,Tatsuo Akiyama,Akira Ogawa,Shigeru Komatsu,Yukihiro Ushiku,Hidenori Kakinuma,Shunji Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Magnetic field sensing device and a fabricating method of the same

Номер патента: US7338816B2. Автор: Kyung-Won Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Vehicle control device and data adjustment method of database

Номер патента: US20230365142A1. Автор: Takashi Okada,Yuuki Okuda. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: US11773568B2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device, semiconductor system and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11747853B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Source device and power control method of source device

Номер патента: US11886265B2. Автор: Zhenliu LI. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: EP3736383A2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Game platform for mobile devices and a related method of operating a game platform

Номер патента: WO2020012450A3. Автор: Travis George BULFORD,Konstantinos TZINGAKIS. Владелец: Celestial Electronic Entertainment (Pty) Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Medical device and computer-implemented method of predicting risk, occurrence or progression of adverse health conditions in test subjects in subpopulations arbitrarily selected from a total population

Номер патента: WO2019072692A1. Автор: Luca Neri,Ulrich TSCHULENA,Francesco BELLOCCHIO,Carlo Barbieri,Wencke ARMSEN. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2019-04-18.

Electronic device and screen display method of electronic device

Номер патента: US20210132790A1. Автор: Daehyun Kim,Soyoung KIM,Geon-soo Kim,Minsik Kim,Hyun-Suk Choi,Ji-Woo LEE,Jongmoo Lee,Jin-Wan An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Electronic device and operation control method of electronic device

Номер патента: US20190156746A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Seung-jae Lee,Young-Do Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20190285171A1. Автор: Kohei Sakai,Norihiro Akiyoshi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Displacement measuring device and speed measuring method of drilling traction robot

Номер патента: US11781420B2. Автор: Jianguo Zhao,Guorong Wang,Qingyou Liu,Haiyan ZHU. Владелец: Chengdu Univeristy of Technology. Дата публикации: 2023-10-10.

Display device and image display method of multi-monitor system

Номер патента: US20210407374A1. Автор: Daisuke Moriwaki. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: US20170293909A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Flexible display device and deformation compensation method of flexible display screen

Номер патента: US20190302848A1. Автор: WEN Han,Rong MA. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Read/write device, and format management method of read/write device

Номер патента: US20060047898A1. Автор: Hitoshi Ogawa,Terumi Takashi,Yoshiteru Ishida. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-03-02.

Displacement measuring device and speed measuring method of drilling traction robot

Номер патента: US20220307367A1. Автор: Jianguo Zhao,Guorong Wang,Qingyou Liu,Haiyan ZHU. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device and an operating method of a memory device

Номер патента: US20210050066A1. Автор: Jun Hyuk Lee,Yong Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230400577A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Data Driving Device and Panel Driving Method of Data Driving Device

Номер патента: US20220189374A1. Автор: Hyun Woo Jeong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Electronic device and copyright protection method of audio data thereof

Номер патента: US9196259B2. Автор: Chun-Te Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: EP3440610A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-13.

Memory Device and Read/Write Method of Memory Device

Номер патента: US20220199053A1. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Image processing device and image processing method of generating layout including multiple images

Номер патента: US20240202868A1. Автор: Chia-Wei Hsiao. Владелец: Aspeed Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory controller, a storage device, and an operating method of the storage device

Номер патента: US20240069790A1. Автор: Dongwoo Shin,Hyojin AHN,Seoyeong Lee,Changjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US10533660B2. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Electronic Devices and Corresponding Hybrid Methods of Low Light Image Enhancement

Номер патента: US20230036222A1. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20180313446A1. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140198552A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,KANAMORI Kohji,LEE Jaeduk. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

Method of metallization by a nickel or cobalt alloy for the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: WO2023150370A9. Автор: Mikaïlou Thiam,Hermine Marie BERTHON,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Geotextile cementing shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2632887C1. Автор: Виталий Васильевич Пронь,Сергей Михайлович Вострокнутов. Владелец: Сергей Михайлович Вострокнутов. Дата публикации: 2017-10-11.

Three dimensional semiconductor based optical switching device

Номер патента: US20060083465A1. Автор: Remus Nicolaescu,Mario Paniccia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

Registration device, processing machine and method of arrangement of sheet elements

Номер патента: RU2700093C1. Автор: Марко КАРДИЛЛО. Владелец: Бобст Мекс Са. Дата публикации: 2019-09-12.

Solid state three dimensional semiconductor memory array

Номер патента: US4535424A. Автор: Lee R. Reid. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1985-08-13.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Device and method of washing cylinder head channels

Номер патента: RU2692354C1. Автор: Дэминь ЦЗОУ,Цзябинь ТАНЬ. Владелец: Гуанси Юйчай Машинери Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-06-24.

Electronic device and vehicle control method of electronic device, server and method for providing precise map data of server

Номер патента: US12045064B2. Автор: Aron Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140160828A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY CHARGER, VOLTAGE MONITORING DEVICE AND SELF-DIAGNOSIS METHOD OF REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20120001588A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120112264A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130056820A1. Автор: JEONG Kil-Su. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120049268A1. Автор: Park Young Woo,Lee Jae Goo,CHANG Sung Il. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120083077A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120098049A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,MOON Hui-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120205722A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Jaegoo,KIM Hansoo,JEONG Kil-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120208347A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-16.

Three Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20120273872A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20120280299A1. Автор: Yun Jang-Gn,Seol Kwang Soo,Park Youngwoo. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130065369A1. Автор: Kim Jung-ho,Yang Sang-ryol,Kong Yoo-Chul,Choi Ji-hoon,KIM Jin-Gyun,SHIN Jae-jin. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120171861A1. Автор: PARK Sang-Yong,Youm Eunsun. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120319173A1. Автор: Yahashi Katsunori,KO Nikka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-12-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES HAVING DOUBLE CROSS POINT ARRAY AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120313072A1. Автор: BAEK INGYU,Kim Sunjung. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120295409A1. Автор: Yoo Dongchul,PARK Kwangmin,YUN Jumi,Jang Byong-hyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR TISSUE INVAGINATION

Номер патента: US20120004505A1. Автор: DeVRIES Robert B.,Sullivan Roy H.,Tassy,JR. Marc,Dimatteo Kristian,Kwan Tak,Shaw William J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making three-dimensional semiconductor structure and three-dimensional semiconductor structure

Номер патента: TWI766486B. Автор: 陳中怡. Владелец: 鴻海精密工業股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-01.

Three dimensional semiconductor structure and three dimensional capacitor and method for forming

Номер патента: TW518711B. Автор: Hsueh-Chung Chen,Tong-Yu Chen,Gwo-Shii Yang,Sung-Hsiung Wang,Chiung-Sheng Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Methods of Manufacturing Three Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20120070944A1. Автор: PARK Sang-Yong,Kim Hyu-Jung,Lim JongHeun,Kim Kyunghyun,Mun ChangSup. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120153372A1. Автор: Kim Bio,Hwang Kihyun,Ahn Jaeyoung,Lim SeungHyun,Kim Dongwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRICAL CUTOFF METHOD FOR USING FUSE PATTERN OF THE SAME

Номер патента: US20120225501A1. Автор: Kim Gu-Sung. Владелец: EPWORKS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-06.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120267701A1. Автор: Hwang Kihyun,Lim SeungHyun,Chae Soodoo,Choi Hanmei. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

METHODS OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130017629A1. Автор: Lim JongHeun,Kim Kyunghyun,Pyo Myungjung,Kim Hyo-Jung,Yoon Byoungmoon,Han JaHyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods of Manufacturing a Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20130078776A1. Автор: Kim Young-Hoo,Bae San Won,Lee Kuntack,Lee Hyosan. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

METHODS OF FORMING HIGH MOBILITY FIN CHANNELS ON THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130330916A1. Автор: Maitra Kingsuk,Miller Robert J.,Pham Daniel T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104022120B. Автор: 霍宗亮. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-03-30.

Three-dimensional semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPS6340343A. Автор: Takehide Shirato,猛英 白土. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-02-20.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120068259A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND RELATED METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120086072A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-12.

Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20120098050A1. Автор: PARK Jintaek,HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,Cho Hoosung,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,Kim Jong-Yeon,KIM Kyoung-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120199897A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Chang Sung-Il,Lim Jin-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-09.

BACK SIDE ALIGNMENT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES

Номер патента: US20130052777A1. Автор: Gong Zhiwei,Hayes Scott M.,Xu Jianwen. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.