Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 具有横向沟道的三维半导体器件及其制造方法

具有横向沟道的三维半导体器件及其制造方法

Номер патента: CN104347711B
Опубликовано: 07-05-2019
Автор(ы): 金锡基
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: EP4135018A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-15.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US12040327B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US20240363634A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20190355741A1. Автор: SANGHOON Lee,Joonsuk Lee,Seulye KIM,Sunggil Kim,Hyeeun HONG,Hwaeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US11721744B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US20220199805A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films

Номер патента: US09978768B2. Автор: Ryoichi Honma,Jiyin Xu,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150340463A1. Автор: KIM Suk Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Method of fabricating ultrathin inorganic semiconductor and method of fabricating three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102356456B1. Автор: 황성우,주원제. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-01-27.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190333937A1. Автор: Phil Ouk NAM,HongSuk Kim,Ji-Hoon Choi,Jaeyoung Ahn,Seulye KIM,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Three-dimensional semiconductor device having vertical channel extending through horizontal layer structure and method of fabricating same

Номер патента: US11387248B2. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-07-12.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication thereof

Номер патента: US20220123013A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20190355741A1. Автор: Lee Sanghoon,Kim Sunggil,LEE JoonSuk,KIM Seulye,HONG Hyeeun,SHIN HWAEON. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09972638B2. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor memory device in which an oxide layer is formed at bottom of vertical structure of the device

Номер патента: US09490130B2. Автор: Youngwoo Park,Jin-Soo Lim,Hansoo Kim,Byoungkeun Son,Sung-hwan Jang,Jong In Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing a three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09799657B2. Автор: Kihyun Hwang,Bio Kim,Jintae Noh,Hanvit Yang,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Three-dimensional semiconductor devices including gate electrodes

Номер патента: US10468433B2. Автор: Kwang Soo Kim,Jae Duk Lee,Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-05.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20230146060A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Jae Hyun Park,Sungil Park,Daewon HA,Kyuman HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Three dimensional semiconductor devices

Номер патента: USRE50089E1. Автор: Sung-Il Chang,Changhyun LEE,Jin-Soo Lim,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240162228A1. Автор: Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun,Hyungjoo NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230095830A1. Автор: Hyo-Jin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Three dimensional semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20230292508A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4345874A2. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyung Hee Cho,Minchan Gwak,Myungil KANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240172444A1. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240105724A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyung Hee Cho,Minchan Gwak,Myungil KANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11925023B2. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4345874A3. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyung Hee Cho,Minchan Gwak,Myungil KANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US20160254158A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US09691818B2. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US20150372057A1. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09576970B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Seok Min JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Diboride single crystal substrate, semiconductor device using this and its manufacturing method

Номер патента: EP1538243A4. Автор: Satoshi Kamiyama,Hiroyuki Matsunami,Hiroyuki Kinoshita,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Shigeki Otani,Jun Suda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: CA2612807A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shinsuke Fujiwara,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Trench power device and source capacitor integration and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246562A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Three-dimensional semiconductor device with co-fabricated adjacent capacitor

Номер патента: US09601495B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200152629A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119012A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119011A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361119A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP4273916A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307448A1. Автор: Jae Hyun Park,Sungil Park,Kyunghwan Lee,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4254478A1. Автор: Jae Hyun Park,Sungil Park,Kyunghwan Lee,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Three-dimensional semiconductor device with co-fabricated adjacent capacitor

Номер патента: US20170033113A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20210159242A1. Автор: Chang-sun Hwang,JongHeun Lim,Kiseok JANG,Chungki MIN,Kieun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Mid-tunneling dielectric band gap modification for enhanced data retention in a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09443866B1. Автор: Kiyohiko Sakakibara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180019336A1. Автор: Sang Yong Kim,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Mid-tunneling dielectric band gap modification for enhanced data retention in a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160284726A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180019336A1. Автор: OH Dong Yean,KIM Sang Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09941122B2. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09455268B2. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09825053B2. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device with non-volatile memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378284A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho,Jae Hoon Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

High voltage semiconductor device with esd self-protection capability and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230023179A1. Автор: Hee Hwan JI. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240339453A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11930639B2. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200411542A1. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11764266B2. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230100332A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20220181441A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: WO2022119650A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings Inc.. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor Device Including Trench Transistor Cell Array and Manufacturing Method

Номер патента: US20140327053A1. Автор: Manfred Schneegans,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Techniques for bottom-up filling of three-dimensional semiconductor device topographies

Номер патента: TW201724273A. Автор: 弗羅瑞恩 格斯坦,拉米 胡拉尼,史考特 克蘭德寧,葛蘭特 克拉斯特,肯 法雪. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-07-01.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: EP3828931A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Su Jong Kim,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210167080A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Su Jong Kim,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190319042A1. Автор: Hwan Lee,Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11864385B2. Автор: Seunghwan Lee,Suhyeong LEE,Daehyun Jang,Ju-Young Lim,Sanghoon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device having a fin structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259840A1. Автор: Yong-Seung Kim,Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Kwan-Heum Lee,Hyun-Ho NOH,Yu-yeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device including a columnar intermediate region and manufacturing method thereof

Номер патента: US8058686B2. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Method For Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20210358754A1. Автор: MASUOKA Fujio,HARADA Nozomu,Li Yisuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12069858B2. Автор: Dong-Sik Lee,Byungjin LEE,Woosung YANG,Bumkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200243559A1. Автор: Hwan Lee,Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20230240068A1. Автор: Dong-Sik Lee,Byungjin LEE,Woosung YANG,Bumkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having a surface insulator layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US10312093B2. Автор: FENG CHEN,Xianming Zhang,Ling TANG,Leibin Yuan,Feng DOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor device having multilayered metal interconnection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6087250A. Автор: Yasuhito Hyakutake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20120112260A1. Автор: Toshiro Nakanishi,Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Jaeyoung Ahn,Seunghyun Lim,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-10.

Three-dimensional semiconductor device structures and methods

Номер патента: US20110298047A1. Автор: Qi Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110204421A1. Автор: Byoungkeun Son,Kyunghyun Kim,Sukhun Choi,ChangSup Mun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Three-dimensional semiconductor transistor with gate contact in active region

Номер патента: US09691897B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR20230067788A. Автор: 박재현,박성일,하대원,황규만,최도영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-05-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US12048159B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joonhee Lee,Byoungil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Vertical Structures

Номер патента: US20190157282A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11888042B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10431593B2. Автор: Sunyoung Kim,Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun,Hoosung Cho,Kyoil KOO,Cheol RYOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US11910607B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional semiconductor devices including vertical structures

Номер патента: US20200168621A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20210043647A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20220384482A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20180374867A1. Автор: Sunyoung Kim,Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun,Hoosung Cho,Kyoil KOO,Cheol RYOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Dual three-dimensional and RF semiconductor devices using local SOI

Номер патента: US09508743B2. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process

Номер патента: US4822752A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-04-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200212061A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jongwon Kim,Dong-Sik Lee,Byungyong CHOI,Gilsung Lee,Kangyoon Choi,Eungsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150048293A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure

Номер патента: US8754533B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-06-17.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9209291B2. Автор: Ki Hong Lee,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20120248525A1. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-04.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8963231B2. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTORS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200119011A1. Автор: Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTORS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200119012A1. Автор: Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

INTERLAYER VIA CONTACTS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200126987A1. Автор: Loubet Nicolas,Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTORS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200152629A1. Автор: Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200212061A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jongwon Kim,Dong-Sik Lee,Byungyong CHOI,Gilsung Lee,Kangyoon Choi,Eungsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Silicon nanowire device and method for its manufacture

Номер патента: US09536947B1. Автор: Murat Okandan,Paul J. Resnick,Bruce L. Draper. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210375904A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190341456A1. Автор: Junhee LIM,Bongyong Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-07.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200058667A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10790358B2. Автор: Junhee LIM,Bongyong Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-29.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device including contact plugs

Номер патента: US12046512B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Reverse contact and silicide process for three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20210098294A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann,Jodi Grzeskowiak,Hiroki Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with STI and its manufacture

Номер патента: US20030173641A1. Автор: Hiroyuki Ohta,Yasunori Iriyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170133386A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Three-Dimensional Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20150037951A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Lim Jin-Soo,Chang Sung-IL Il. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102401178B1. Автор: 김광수,정영진,이재덕. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR TRANSISTOR WITH GATE CONTACT IN ACTIVE REGION

Номер патента: US20170092764A1. Автор: Labonte Andre,KNORR Andreas,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-03-30.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20220384478A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Three-dimensional semiconductor device including a word line structure having a protruding portion

Номер патента: US20220231140A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Three dimensional semiconductor device having a back-gate electrode

Номер патента: US20240049467A1. Автор: Yun Heub Song,Chang Han Kim,In Ku Kang,Jae Min SIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-02-08.

One piece semiconductor device having a power fet and a low level signal element with laterally spaced buried layers

Номер патента: US5811854A. Автор: Akio Iwabuchi,Kazuyoshi Sugita. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11903206B2. Автор: Young Jin Kwon,Jong Seon AHN,Ji Sung CHEON,Seok Cheon Baek,Woong Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20200135568A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-04-30.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230247834A1. Автор: Gukhyon Yon,Soyeong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11805710B2. Автор: Heejung Kim,Taehong Min,Chorong Park,Joohee SEO,Eunsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Three dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20230045654A. Автор: 김효진,하대원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-05.

Three dimensional semiconductor device with memory stack

Номер патента: US11903221B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Three dimensional semiconductor device with memory stack

Номер патента: US20230397442A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional semiconductor device including vertical structure and the method for forming it

Номер патента: CN109390344A. Автор: 金星中,任峻成,黄盛珉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR102414511B1. Автор: 김성중,황성민,임준성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-06-30.

3 Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101584113B1. Автор: 김한수,김진호,이원준,손병근,장대현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-13.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR20120090356A. Автор: 장성일,이창현,손병근,임진수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-08-17.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110076819A1. Автор: Jinho Kim,Wonjun Lee,Hansoo Kim,Byoungkeun Son,Daehyun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING GATE PICK-UP LINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150279952A1. Автор: KIM Jin Ha,CHUNG Isaac. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Three-dimensional semiconductor device with air gap

Номер патента: US11825643B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Hun SON,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09536895B2. Автор: Sung-Il Chang,Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Chanjin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09397114B2. Автор: Kwangmin Park,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Jumi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Methods of fabricating three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20140256101A1. Автор: Sung-Min Hwang,Woonkyung Lee,Hui-chang Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11792993B2. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11387253B2. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-12.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

METHODS OF FORMING A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A DUAL STRESS CHANNEL AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20140225168A1. Автор: JR. William J.,Miller Robert,Juengling Werner,Taylor,Pham Daniel T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Vertical three-dimensional semiconductor device and method of making same

Номер патента: US20160163731A1. Автор: Judit Gloria Lisoni Reyes,Chi Lim Tan. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-06-09.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PADS

Номер патента: US20150064900A1. Автор: Lee Ki Hong,Pyi Seung Ho,JEON Seok Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220181441A1. Автор: Smith Jeffrey,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,GUTWIN Paul. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-06-09.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device and Method of Forming the Same

Номер патента: KR101755643B1. Автор: 임승현,황기현,김동우,안재영,김비오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-07-10.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101692446B1. Автор: 박찬진,황기현,최한메,토시로 나카니시,유동철,황완식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-01-04.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101688604B1. Автор: 박찬진,황기현,최한메,민경진,공유철,유동철,양준규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-12-23.

Three dimensional semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8377817B2. Автор: Hanmei Choi,Junkyu Yang,Kihyun Hwang,Chanjin Park,Dongchul Yoo,Gyungjin Min,Yoochul Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140063936A1. Автор: Shim Sa Yong,Park Kyoung Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

Methods of Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20150126007A1. Автор: LEE Seung-yup,KIM JinGyun,LEE Myoungbum,SHIN Seungmok,Jang Kyung-Tae,SOHN YEON-SIL,Choi Dae-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: US20020113295A1. Автор: Ryoichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same

Номер патента: US11882705B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Sun Jun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same

Номер патента: US20210384221A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Sun Jun CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-12-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11133327B2. Автор: Young-jin JUNG,Hyoung-ryeol In,Sung-Han Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-28.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200083250A1. Автор: Young-jin JUNG,Hyoung-ryeol In,Sung-Han Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20210384256A1. Автор: Jeonghee Park,Changhyun Cho,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200395409A1. Автор: Jeonghee Park,Changhyun Cho,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200135756A1. Автор: Jae-Joo Shim,Bongtae Park,Joo-Heon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices having a vertical semiconductor pattern

Номер патента: US11839084B2. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20220293633A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200388634A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240090224A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230230937A1. Автор: Dong Young Kim,Young-Min Ko,Hyunuk Jeon,Yuseon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150028425A1. Автор: KIM Suk Ki. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09576664B2. Автор: Sung Lae OH,Chang Man SON,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077138A1. Автор: Hyosung Lee,Suk Koo Hong,Miyeong Kang,Kyoungyong Cho,Sunkak Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: SG10201908165TA. Автор: Shim Jae-Joo,PARK Bongtae,KANG Joo-Heon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190206732A1. Автор: Shou-Wei Huang,Cheng-Wei Lin,Wei-Min Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20210154622A. Автор: 나훈주,김원홍,오승하. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-21.

Three-dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN113871398A. Автор: 罗勋奏,金元洪,吴承河. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-31.

Methods of Fabricating Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20180090512A1. Автор: Yoon Boun,JANG Ki Hoon,KWON Byoungho,Kim Ki-Woong,Kim Hyo-Jung,Seo Kieun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

REVERSE CONTACT AND SILICIDE PROCESS FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210098294A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,GRZESKOWIAK Jodi,Kal Subhadeep,Tapily Kandabara,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,NIIMI Hiroki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-04-01.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150162344A1. Автор: Hwang Kihyun,Kim Kyunghyun,Lee Seongsoo,KIM JinGyun,YANG Jun-youl,CHA Se-ho,Eom Daehong,Yeo Chadong,JANG Daehyun,Lee Sunghae. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180308859A1. Автор: Ahn Jaeyoung,NAM Phil Ouk,Kim Sunggil,Choi Ji-hoon,KIM Hongsuk,KIM Seulye. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

METHOD OF MAKING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING UNIFORM THICKNESS SEMICONDUCTOR CHANNEL

Номер патента: US20180006041A1. Автор: Fukata Syo,XU Jiyin,HONMA Ryoichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Three dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102332346B1. Автор: 장재훈,이재덕,심선일,한지훈,이소현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-01.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130171806A1. Автор: Cho Hoosung,SHIM Sunil,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Hur Sunghoi. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180076217A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200135756A1. Автор: Shim Jae-Joo,PARK Bongtae,KANG Joo-Heon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-30.

NUCLEATION STRUCTURE SUITABLE FOR EPITAXIAL GROWTH OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: US20190153619A1. Автор: Hyot Berangere,Amstatt Benoit,Dupont Florian,HENAFF Ewen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09812526B2. Автор: Seong Soon Cho,Dongseog EUN,Byoungil Lee,Hyunkook LEE,Kyung-Jun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions

Номер патента: US8742466B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Three-dimensional semiconductor memory device having sidewall and interlayer molds

Номер патента: US09418911B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583503B1. Автор: Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Conductor structure for three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09698080B2. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US09449870B2. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US12074128B2. Автор: Moorym CHOI,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09831267B2. Автор: Eun-young Lee,Jung Ho Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Jintae Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11910614B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12075624B2. Автор: Junyong PARK,Seokcheon Baek,Jiho LEE,YoungHwan Son,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices including stair structures and dummy electrodes

Номер патента: US10332611B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Heonkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-25.

Three-dimensional semiconductor memory device with vertical structures between contact plugs

Номер патента: US12082412B2. Автор: Jongsoo Kim,Dongwoo Kim,Sunil Shim,Wonseok Cho,Ju-Young Lim,Jesuk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional semiconductor package having a stacked passive device

Номер патента: EP4423815A1. Автор: Rahul Agarwal,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11296102B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210098478A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Wiring structures for three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9165611B2. Автор: Hoo-Sung Cho,Hong-Soo Kim,Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230387056A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20120164789A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20150380341A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200152654A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Process of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US4612083A. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US11901356B2. Автор: Yuichiro Sasaki,Sang Woo Lee,Sungkeun Lim,Pil-Kyu Kang,Sangjin Hyun,Weonhong Kim,Yongho Ha,Kughwan Kim,Seungha Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11848266B2. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240071910A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional semiconductor device including a through-via structure having a via liner having protruding portions

Номер патента: US20210125928A1. Автор: Kwangsoo Kim,JoongShik SHIN,Junhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20220319983A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-07.

Three-dimensional semiconductor device including a through-via structure having a via liner having protruding portions

Номер патента: US20220344267A1. Автор: Kwangsoo Kim,JoongShik SHIN,Junhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172838A1. Автор: Kohji Kanamori,YoungHwan Son,Seo-Goo Kang,Kwonsoon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods and apparatuses for void-free tungsten fill in three-dimensional semiconductor features

Номер патента: SG10201402625UA. Автор: Joydeep Guha,Anand Chandrashekar,Hua Xiang,Raashina Hamayun. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11785768B2. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,Dongyoun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Power distribution networks for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200135645A1. Автор: Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210125989A1. Автор: Yoosang Hwang,Changkyu Kim,Kiseok LEE,Sangyeon HAN,Sung-Min Park,Hui-jung Kim,Taehyun An,Hyungeun CHOI,Ahram Lee,Joongchan SHIN,Eunju CHO,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11678488B2. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-13.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200194373A1. Автор: Junhyoung Kim,Seokcheon Baek,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200194456A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210202522A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of manufacturing of advanced three-dimensional semiconductor structures and structures produced therefrom

Номер патента: CA3088034A1. Автор: Robert Steven Hannebauer. Владелец: Lumiense Photonics Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20190157291A1. Автор: Taehee Lee,Kyoung-hoon Kim,Hee-Sung KAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing of advanced three-dimensional semiconductor structures and structures produced therefrom

Номер патента: US12021072B2. Автор: Robert Steven Hannebauer. Владелец: Lumiense Photonics Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10720441B2. Автор: Taehee Lee,Kyoung-hoon Kim,Hee-Sung KAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-21.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200066742A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210327894A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11917819B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of manufacturing of advanced three-dimensional semiconductor structures and structures produced therefrom

Номер патента: US20210057403A1. Автор: Robert Steven Hannebauer. Владелец: Lumiense Photonics Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899411B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09559111B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9245902B2. Автор: Kil-Su JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-26.

Three-dimensional semiconductor memory device with vertical channels in a connection region having a lower channel pattern contacting the substrate

Номер патента: US11864382B2. Автор: Jongwon Kim,Young-jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10032791B2. Автор: Seong Soon Cho,Joonhee Lee,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200411542A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,Lee Dong-sik,YANG WOOSUNG. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200027894A1. Автор: Young Hwan Son,Shin Hwan KANG,Seo Goo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-23.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: US09634022B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20180240802A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160005747A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11792982B2. Автор: Joonhee Lee,Joon-Sung LIM,Euntaek JUNG,Woosung YANG,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240015970A1. Автор: Joonhee Lee,Joon-Sung LIM,Euntaek JUNG,Woosung YANG,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-01-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL STRUCTURES WITH VARIED SPACING AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190043881A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,KIM SungJoong. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL STRUCTURES WITH VARIED SPACING

Номер патента: US20190393243A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,KIM SungJoong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-26.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11626417B2. Автор: Sung-Min Hwang,Dong-Sik Lee,Byungjin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: DE102020124539A1. Автор: Sung-Min Hwang,Dong-Sik Lee,Byungjin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method For Forming The Same

Номер патента: KR20170120073A. Автор: 박상용,박진택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-10-30.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210167080A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Su Jong Kim,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200243559A1. Автор: LIM Geunwon,Baek Seokcheon,LEE Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-30.

Three-dimensional semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09876055B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09997530B2. Автор: Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Gukhyon Yon,Dongkyum Kim,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098996A1. Автор: Sunggil Kim,Siyeong YANG,Yuyeon Kim,Jumi Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160293539A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230134878A1. Автор: KANAMORI Kohji,Jeehoon HAN,Seung Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312902A1. Автор: Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09812464B1. Автор: Sung-Min Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20190333923A1. Автор: Jongwon Kim,Minyeong SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847341B2. Автор: HongSoo KIM,Yoocheol Shin,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Three-dimensional semiconductor devices with current path selection structure and methods of operating the same

Номер патента: US20140197469A1. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Dohyun LEE,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210366986A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chiung-Lin Hsu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Three-dimensional semiconductor memory device andelectronic system including the same

Номер патента: US20240237362A9. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory device andelectronic system including the same

Номер патента: US20240138157A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Three-dimensional semiconductor package

Номер патента: US20240321840A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847346B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240074192A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Byoung Jae Park,Jongseon Ahn,Seung Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190371809A1. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210143176A1. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230282603A1. Автор: Hyun Soo Shin,Kang Sik Choi,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200203431A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11758719B2. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional semiconductor device having a first main separation structure and a second main separation structure on a lower structure

Номер патента: US11812609B2. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Three-dimensional semiconductor device having a memory block and separation structures

Номер патента: US10978465B2. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-13.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20170352674A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-07.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160293622A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190019804A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-17.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US10483274B2. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-19.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9748258B2. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US10141372B2. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-27.

Three-dimensional semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230403840A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320096A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190355737A1. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190081105A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230413545A1. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230262980A1. Автор: Jaechul Lee,Byung-Sun Park,Dae-Hun Choi,Seungjae Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP4301109A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230309307A1. Автор: Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200161330A1. Автор: Kohji Kanamori,YoungHwan Son,Seo-Goo Kang,Kwonsoon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4258841A1. Автор: Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Three-dimensional semiconductor memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20230422523A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US11887951B2. Автор: Jiyoung Kim,Moorym CHOI,Sanghee YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240130122A1. Автор: Jaeho Choi,Seungmin Lee,Daeyeong Lee,Sunyi LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same

Номер патента: US20240040791A1. Автор: Sunil Shim,Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-dimensional semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240023324A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12010852B2. Автор: Yoonhwan SON,Jeongseok LEE,Gaeun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200395381A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Bio Kim,Junggeun Jee,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20230180477A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Junggeun LEE,Bio Kim,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10910396B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20220077126A1. Автор: Seong Ho Choi,Jin HO KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190333967A1. Автор: Mu-hui Park,Wooyeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11854982B2. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10256250B2. Автор: Kihyun Kim,Chadong Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11973025B2. Автор: Seungmin Lee,Junhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200105786A1. Автор: Soyeon Kim,Dongseog EUN,Hanyoung LEE,Young-bae Yoon,Jibong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200402983A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200168547A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20230056261A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200091186A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Bio Kim,Junggeun Jee,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190304993A1. Автор: Taehee Lee,Hyunwook Kim,Eun-jung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-03.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210005629A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit device including inter-die interface

Номер патента: US20240120276A1. Автор: Sun Hee Park,Jae Seung Choi,Byung-Su Kim,Bong Il Park,Chang Seok KWAK,Sang Joon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of Preparing and Storing GaN Substrate, Prepared and Stored GaN Substrate, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20110278588A1. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US12094781B2. Автор: Makoto Miura,Satoshi Sakai,Yasushi Sonoda,Kiyohiko Sato. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device used for diode

Номер патента: JP7261281B2. Автор: 群賢 蔡,庭鵑 李,聡富 顔,光瑞 張,群榮 蔡. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150104919A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CO-FABRICATED ADJACENT CAPACITOR

Номер патента: US20170033113A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-02-02.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140099761A1. Автор: Kim Bio,Hwang Kihyun,Ahn Jaeyoung,Lim SeungHyun,Kim Dongwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-10.

METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE

Номер патента: US20220140106A1. Автор: TSAI CHUN-HSIEN,LEE Ting-Chuan,TSAI Chun-Jung,YEN Tsung-Fu,CHANG Kuang-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449966B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301104A1. Автор: Seung Min Lee,Jae Seok Kim,Bo yun KIM,Nam Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor device having a support pattern in contact with a side surface of a contact plug

Номер патента: US11930640B2. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three dimensional semiconductor trace length matching and associated systems and methods

Номер патента: US20230378043A1. Автор: Chin Hui Chong,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160204102A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200251417A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11854975B2. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190148295A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240105604A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Three-dimensional semiconductor device having a support pattern in contact with a side surface of a contact plug

Номер патента: US20240179918A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device having a through-silicon via and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899297B1. Автор: Victor Y. Lu,Pu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Semiconductor device including plural types of resistors and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US09601427B2. Автор: Kotaro Nagakura. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having crack-resisting ring structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559063B2. Автор: Takeshi Watanabe,Junya Ishii,Hiroyasu Kitajima,Yoshitsugu Kawashima,Hirofumi SAITOU,Tatsuki Kojima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150008579A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140073090A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150318244A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US09640478B2. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, electronic device including the same and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20150162247A1. Автор: Myeongcheol Kim,Yong-Joon Choi,Cheol Kim,Geumjung Seong,Hak-sun Lee,Ji-Eun Han,Haegeon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020100953A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device having an ultra-thin substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190181117A1. Автор: Ronald Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030030076A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device with etched landing pad surface and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023308A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device having wiring line with hole, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030146515A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11968836B2. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203370A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200381294A1. Автор: Akihiro Takahashi,Wataru Sakamoto,Kazuo Kibi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Gate Electrodes

Номер патента: US20190139985A1. Автор: KIM Kwang Soo,JUNG Young Jin,LEE Jae Duk. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102024723B1. Автор: 김한수,조원석,황성민,이운경. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-09-24.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP1603163A3. Автор: Tatsuya Shimoda,Satoshi Inou. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-18.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093642A1. Автор: Hyung Joon Kim,Yong Seok Cho,Su Hyeong Lee,Eun Yeoung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240324237A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeonil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190221610A1. Автор: Ludovic Goux,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Davide Francesco CROTTI,Luca Di Piazza. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10825868B2. Автор: Ludovic Goux,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Davide Francesco CROTTI,Luca Di Piazza. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-Dimensional Calibration Structures and Methods for Measuring Buried Defects on a Three-Dimensional Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180224749A1. Автор: Robert M. Danen,Philip Measor. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Three-dimensional calibration structures and methods for measuring buried defects on a three-dimensional semiconductor wafer

Номер патента: WO2018144956A1. Автор: Robert M. Danen,Philip Measor. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09741733B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Three-dimensional semiconductor device with vertical and horizontal channels in stack structure having electrodes vertically stacked on the substrate

Номер патента: US09685452B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20240365568A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09419011B2. Автор: Jin-woo Park,Seok-Won Lee,Seungwoo Paek,Kyoung-hoon Kim,Sunyeong LEE,Taekeun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312908A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432805A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240203944A1. Автор: Jae Seung Choi,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US12048168B2. Автор: Ki Hong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20170352679A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Three-dimensional semiconductor device having variable resistance structure

Номер патента: US12063795B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09947684B2. Автор: Jinwoo Park,Seok-Won Lee,Yong-Hyun Kwon,Joyoung Park,Oik Kwon,Seungpil Chung,JeongSoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09659958B2. Автор: Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee,Sejun Park,Woong-Seop LEE,Keejeong Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity

Номер патента: US20180350834A1. Автор: Kenichi Fujii,Makoto Watanabe,Takeshi Imamura,Hideo Wada,Hajime Kaneko,Osamu Matsuura,Masanari Fujita,Takanobu Itoh,Hideki Inokuma,Genki KAWAGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity

Номер патента: US10797077B2. Автор: Kenichi Fujii,Makoto Watanabe,Takeshi Imamura,Hideo Wada,Hajime Kaneko,Osamu Matsuura,Masanari Fujita,Takanobu Itoh,Hideki Inokuma,Genki KAWAGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10038009B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301102A1. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301098A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity

Номер патента: US10541251B2. Автор: Kenichi Fujii,Makoto Watanabe,Takeshi Imamura,Hideo Wada,Hajime Kaneko,Osamu Matsuura,Masanari Fujita,Takanobu Itoh,Hideki Inokuma,Genki KAWAGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-21.

Three-dimensional semiconductor device with isolated dummy pattern

Номер патента: US20180301407A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method, System, and Apparatus for Forming Three-Dimensional Semiconductor Device Package with Waveguide

Номер патента: US20210035927A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Stephen Ryan Hooper. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Three dimensional semiconductor circuit structure with optical interconnection

Номер патента: US5637907A. Автор: Glenn J. Leedy. Владелец: Elm Technology Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240164101A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240023337A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Takuya Futatsuyama,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Light emitting device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2528604C2. Автор: Масацугу ИТИКАВА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2014-09-20.

Photovoltaic device and method of its manufacture

Номер патента: RU2541698C2. Автор: Марк ВЕРМЕЕРШ,Брюно ЭСТИБАЛЬ,Коринн АЛОНСО,Лоик ФРАНК. Владелец: Тоталь Маркетинг Сервисиз. Дата публикации: 2015-02-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices and manufacture method thereof

Номер патента: CN102201416B. Автор: 刘东哲,黄棋铉,薛光洙,许星会,朴赞真,崔汉枚,黄浣植,中西俊郎,朴洸珉,李柱烈. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-25.

Display device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2521223C1. Автор: Хироюки МОРИВАКИ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2014-06-27.

Light-emitting device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2537091C2. Автор: Синдзи НИСИДЗИМА,Томохидэ МИКИ,Хирото ТАМАКИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2014-12-27.

Photosensitive device and method of its manufacture

Номер патента: RU2685032C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Генадий Викторович Святец,Константин Павлович Котляр,Родион Романович Резник,Илья Петрович Сошников,Георгий Эрнстович Цырлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-16.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102428273B1. Автор: 이정환,이지현,김지용,윤석중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-02.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200075627A1. Автор: Yong-Hoon Son,Sung-Soo Ahn,Daehyun Jang,Minhyuk Kim,Jae Ho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200258994A1. Автор: Seol Kwang Soo,Hwang Kihyun,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150303215A1. Автор: Youngwoo Park,Sung-Il Chang,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170345907A1. Автор: Seol Kwang Soo,Hwang Kihyun,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11588032B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230044895A1. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING GATE PICK-UP LINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160005859A1. Автор: KIM Jin Ha,CHUNG Isaac. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20220293633A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK,YUN JiHye. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Passive devices and modules for transceiver and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1276152A2. Автор: Insang Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-15.

Semiconductor device having high-density capacitor elements, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010053578A1. Автор: Atsushi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Laminate for light-emitting device and method of its manufacture

Номер патента: RU2663086C2. Автор: Йоунг-Сеонг ЛИ,Дзин-Воо ХАН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2018-08-01.

Nitride semiconductor device having a silicon-containing layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US8163576B2. Автор: Yuji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Semiconductor device assembly, crimping power semiconductor module, and manufacturing method

Номер патента: EP4254490A1. Автор: Han Li,Wenhao Zhang,Haihui Luo,Yongdian PENG,Xingfeng Li,Guiqin CHANG,Tingchang SHI,Liangxing LI,Guozhong DONG. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device for providing spike voltage protection and manufacturing method thereof

Номер патента: US11848321B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160111441A1. Автор: Jang-Hyun You,Jintaek Park,Sunghoi Hur. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

Visualization of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20200393386A1. Автор: Thaddeus G. Dziura,Andrei Veldman,Jonathan Iloreta,Houssam Chouaib,Yin Xu,Liequan Lee,John Hench,Aaron J. ROSENBERG,Antonio GELLINEAU,Kaiwen Xu,Abhi Gunde. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Visualization of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20200271595A1. Автор: Thaddeus G. Dziura,Andrei Veldman,Jonathan Iloreta,Houssam Chouaib,Yin Xu,Liequan Lee,John Hench,Aaron J. ROSENBERG,Antonio GELLINEAU,Kaiwen Xu,Abhi Gunde. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240107773A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeon Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180040695A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,Kal Subhadeep,Mohanty Nihar,Tapily Kandabara. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Three-dimensional semiconductor device and forming method thereof on insulator

Номер патента: CN103400858B. Автор: 许军,王敬,梁仁荣. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR101003541B1. Автор: 이상윤,박준일,정준. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN112234069A. Автор: 宋柱鹤. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-15.

Three-dimensional semiconductor devices including select gate patterns having different work function from cell gate patterns

Номер патента: US8110834B2. Автор: Jinho Kim,Hansoo Kim,Sunil Shim,Sunghoi Hur,Younggoan Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130146961A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200144380A1. Автор: HWANG Sung-Min,KIM Jiyoung,Lim Joon-Sung,KIM Jiwon,YANG WOOSUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-07.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20130093005A1. Автор: Jungdal CHOI,Jang-Gn Yun,Kwang Soo SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130248983A1. Автор: SHIM Sunil,Kim Jinho,Hur Sunghoi,Yi Su-Youn,Moon HuiChang,Jang Younggoan. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES INCLUDING A VERTICAL CHANNEL

Номер патента: US20170125522A1. Автор: Park Youngwoo,Sim Jaesung. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20220310652A1. Автор: HAN Jeehoon,SON YOUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200203370A1. Автор: HAN Jeehoon,SON YOUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200350330A1. Автор: Jeehoon HAN,Jaeryong Sim,Jongseon Ahn,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN109309095A. Автор: 朴玄睦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-05.

Three-dimensional semiconductor device including a cell array region and a contact region

Номер патента: US10615124B2. Автор: Hyun-Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-07.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20230403857A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11778828B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20220162224A. Автор: 손용훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-08.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR TEMPLATE FOR MAKING HIGH EFFICIENCY THIN-FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20150061086A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Wang David Xuan-Qi. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190088678A1. Автор: Arai Shinya. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20210104410A1. Автор: Nielson Gregory Nolan. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09653565B2. Автор: Jaeyoung Ahn,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200303390A1. Автор: Jin-Kyu Kang,Jaehoon Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Seungwan Hong,Okcheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL CHANNEL

Номер патента: US20150372057A1. Автор: KIM Suk Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220278125A1. Автор: Kwon Young Jin,BAEK SEOK CHEON,AHN Jong Seon,CHEON JI SUNG,LEE WOONG SEOP. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180330948A1. Автор: JANG Daehyun,KWON Yong-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11342351B2. Автор: Young Jin Kwon,Jong Seon AHN,Ji Sung CHEON,Seok Cheon Baek,Woong Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150311301A1. Автор: Seol Kwang Soo,Hwang Kihyun,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Three-dimensional semiconductor memory device and the method for manufacturing it

Номер патента: CN109817628A. Автор: 郑恩宅,申重植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210242237A1. Автор: LIM Geunwon,Baek Seokcheon,HONG SANGJUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-05.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947683B2. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09905574B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09793292B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203376A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20170263641A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20150357345A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20160056209A1. Автор: SUH Jun Kyo. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210057445A1. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200135568A1. Автор: Ryckaert Julien,BOEMMELS Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Three Dimensional Semiconductor Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102045858B1. Автор: 이웅,이우성,양준규,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-11-18.

Three-dimensional semiconductor devices and method for fabricating the same

Номер патента: KR102533146B1. Автор: 이상수,김성길,김슬예,최지훈,김동겸,홍혜은. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-05-18.

Three Dimensional Semiconductor Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102054258B1. Автор: 양준규,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-12-10.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: TW201813055A. Автор: 傑佛瑞 史密斯,安東 德維利耶. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-01.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170110474A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200152659A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190214404A1. Автор: Kwon Young Jin,BAEK SEOK CHEON,AHN Jong Seon,CHEON JI SUNG,LEE WOONG SEOP. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180323209A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Three-dimensional semiconductor device including integrated circuit, transistors and transistor components and method of fabrication

Номер патента: US20190326301A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20130270643A1. Автор: Hyun Park,Jae-Young Ahn,Kihyun Hwang,Jongsik Chun,Juyul Lee,Kwangmin Park,Dongchul Yoo,Bumsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170133400A1. Автор: KIM JinGyun,YANG Junkyu,NAM Phil Ouk,Eom Daehong,LEE Woong,Yoo Dongchul,LEE WOOSUNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190181226A1. Автор: Kim Sunggil,Choi Ji-hoon,Lee Sangsoo,KIM Seulye,Kim Dongkyum,HONG Hyeeun. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190312052A1. Автор: Kim Yongseok,KANAMORI Kohji,LEE Kyunghwan,KANG Changseok,LIM Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR20190009401A. Автор: 이주열,김범수,박현,황기현,안재영,박광민,유동철,전종식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-01-28.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102130057B1. Автор: 이주열,김범수,박현,황기현,안재영,박광민,유동철,전종식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-07-06.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR20130116604A. Автор: 이주열,김범수,박현,황기현,안재영,박광민,유동철,전종식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-10-24.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR20120048415A. Автор: 박찬진,조혜진,장성일,이창현,손병근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-05-15.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: KR101907446B1. Автор: 김한수,이혜연,임진수,정진하,블라디미르 우라자에브. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-10-12.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20140042520A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190139983A1. Автор: KIM Tae Hun,Kim Yongseok,SEO Dongkyun,LEE Kyunghwan,LIM Junhee,KIM BYOUNG-TAEK. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203376A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09515087B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107774A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeon Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220352203A1. Автор: Kim Sungjin,Kim Junghwan,Kim Sunggil,KIM Seulye,KIM Chanhyoung. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Three-dimensional semiconductor devices and method for fabricating the same

Номер патента: KR102419168B1. Автор: 황성민,이동식,임준성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-11.

three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160005747A1. Автор: Lee Ki Hong,Pyi Seung Ho,Park In Su. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190035733A1. Автор: Park Hyun-Mog. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210074717A1. Автор: LIM Bongsoon,BYEON Daeseok. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200083250A1. Автор: Jung Young-Jin,Cho Sung-Han,In Hyoung-ryeol. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170110543A1. Автор: Eun Dongseog,Shin Kyung-Jun,Lee Byoungil,CHO SEONG SOON,LEE HYUNKOOK. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180151587A1. Автор: KIM Sunghoon,SON JAEICK. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190333855A1. Автор: Park Hyun-Mog. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: JPS56126919A. Автор: Masao Kato,Junichi Nishizawa,Yukihisa Takahashi,Keishiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1981-10-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: SG10201904364RA. Автор: Jung Young-Jin,Cho Sung-Han,In Hyoung-ryeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190035798A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,Lee Dong-sik. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20220077129A1. Автор: Jiyoung Kim,Junyoung Choi,Jungtae Sung,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160276365A1. Автор: Lim SeungHyun,Kim Sunggil,Choi Ji-hoon,KIM Hongsuk,LIM HUNHYEONG,SIM HYUNJUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Three-dimensional semiconductor memory device and operational approach thereof

Номер патента: CN106169307A. Автор: 朴泳雨,李昌炫,李载悳,安洙珍,李到显. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-30.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160005759A1. Автор: KIM Kihyun,Yeo Chadong. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170047343A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Jaeduk,LEE Dohyun,SON YOUNGHWAN,SONG MINYEONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20180076212A1. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170084696A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Changhyun,KANG Shinhwan,LEE Heonkyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160118399A1. Автор: Park Youngwoo,Sim Jaesung,KANG Shinhwan,LEE Jaeduk,SON YUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180151672A1. Автор: Lee Bongyong,CHOI Moorym,LIM Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device having an inter-layer via (ILV), and method of making same

Номер патента: US09484350B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng-Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09666525B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Sanghoon Ahn,Daeseok Byeon,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Self-aligned integrated line and via structure for a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09484296B2. Автор: Ryoichi Honma,Akihide Takahashi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated using the same

Номер патента: US20140106569A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Seongsoo Lee,Daehyun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor devices, and three-dimensional semiconductor devices thereof

Номер патента: US20160204123A1. Автор: Chen Kuang-Chao,Hong Shih-Ping,Yang Ta-Hone,Lian Nan-Tsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR101003542B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR20100041625A. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150303142A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Mikio Yukawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210020658A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2020-02-05.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954B1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US20210104410A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US20220349084A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US12031227B2. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220375959A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Sukkang SUNG,Sangdon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Three-dimensional semiconductor architecture

Номер патента: US09559003B2. Автор: Kuo H. Wu,Oscar M. K. Law. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170133397A1. Автор: LEE Yeonghun. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Three-Dimensional Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20170154895A1. Автор: Huo Zongliang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9818758B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Three-Dimensional Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240105631A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Sheng-Chi Lin,Hao-Cheng Hou,Jeng-An Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device manufacturing apparatus and its manufacturing method

Номер патента: TWI251874B. Автор: Tetsuya Kurosawa,Shinya Takyu,Ninao Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor device manufacturing apparatus and its manufacturing method

Номер патента: TW200416852A. Автор: Tetsuya Kurosawa,Shinya Takyu,Ninao Sato. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-09-01.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613B1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613C0. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scient LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Advanced through substrate via metallization in three dimensional semiconductor integration

Номер патента: US09786605B1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR101057569B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2011-08-17.

Three-dimensional semiconductor device comprising an inter-die connection on the basis of functional molecules

Номер патента: US20130221540A1. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Three-dimensional semiconductor device comprising an inter-die connection on the basis of functional molecules

Номер патента: US8440561B2. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20120108048A1. Автор: Hyo Jung Kim,Kyung Hyun KIM,Jong Heun Lim,Jae Joo Shim,Chang Sup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Three-Dimensional Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20130295761A1. Автор: HWANG Sung-Min,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190013237A1. Автор: Ahn Jaeyoung,NAM Phil Ouk,Lee Sangsoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-10.

On-chip capacitors in three-dimensional semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220102267A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140248766A1. Автор: JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,CHO Woojin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160204102A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180269214A1. Автор: Jiang Yu-Wei,Chiou Jia-Rong. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190326166A1. Автор: Ahn Jaeyoung,NAM Phil Ouk,Lee Sangsoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-24.

Three-dimensional semiconductor template for making high efficiency solar cells

Номер патента: US9590035B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11296104B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

On-Chip Capacitors in Three-Dimensional Semiconductor Devices and Methods of Forming The Same

Номер патента: KR20230014087A. Автор: 리앙 첸,웨이 리우,레이 슈. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2023-01-27.

Three-dimensional semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: KR102421766B1. Автор: 이상수,안재영,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-18.

Parallelized three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: WO2024040142A2. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Parallelized three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: WO2024040142A3. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20120164789A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220028731A1. Автор: SHIM Sunil,KANG Shinhwan,SON YOUNGHWAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-01-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200027893A1. Автор: KWON Hyuk Ho,LEE So Yoon,YANG Han Vit,SON Yong Hoon,KANG Moon Jong,AHN Sung Soo. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Method, System, and Apparatus for Forming Three-Dimensional Semiconductor Device Package with Waveguide

Номер патента: US20210035927A1. Автор: Gong Zhiwei,Hayes Scott M.,Vincent Michael B.,Hooper Stephen Ryan. Владелец: NXP USA, Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210036014A1. Автор: KWON Hyuk Ho,LEE So Yoon,YANG Han Vit,SON Yong Hoon,KANG Moon Jong,AHN Sung Soo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-02-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190043880A1. Автор: Lee Jung Hwan,KIM Jee Yong,YUN Seok Jung,LEE Ji Hyeon. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200051998A1. Автор: Lee Jung Hwan,KIM Jee Yong,YUN Seok Jung,LEE Ji Hyeon. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190057898A1. Автор: SHIM Sunil,KANG Shinhwan,SON YOUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A THROUGH-VIA STRUCTURE HAVING A VIA LINER HAVING PROTRUDING PORTIONS

Номер патента: US20210125928A1. Автор: KIM Junhyoung,SHIN Joongshik,KIM Kwangsoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190148295A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20170179028A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES WITH INCLINED GATE ELECTRODES

Номер патента: US20180226424A1. Автор: Son Yong-Hoon,CHA Junho,Park Jihoon,SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK,Woo Jongho. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

SELF-ALIGNED INTEGRATED LINE AND VIA STRUCTURE FOR A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160240476A1. Автор: HONMA Ryoichi,TAKAHASHI Akihide. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170250193A1. Автор: Huo Zongliang. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200251417A1. Автор: Lee Sung-hun,HAN Jeehoon,Lee Chang-Sup,CHO SEONG SOON,YUN Seokjung. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180294274A1. Автор: SHIM Sunil,JANG Jaehoon,HAN Jeehoon,LEE Jaeduk,LEE SOHYEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-11.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20150380341A1. Автор: Chiou Wen-Chih,Lu David Ding-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102451170B1. Автор: 이은영,김슬예,최지훈,김동겸,김중호,노진태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-10-06.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102442933B1. Автор: 심선일,손영환,강신환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR20210010748A. Автор: 이상우,임성근,강필규,김국환,김원홍,현상진,하용호,오승하,유이치로 사사키. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-01-28.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102437416B1. Автор: 이정환,김지용,안상훈,변대석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-30.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR20180061475A. Автор: 김성훈,손재익. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-06-08.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR20200008828A. Автор: 손용훈,안성수,권혁호,양한빛,이소윤,강문종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-01-29.

Process for fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP0168815A2. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-01-22.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN108122921A. Автор: 金成勋,孙在翼. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of manufacturing three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US8741761B2. Автор: Youngwoo Park,Byungkwan You,Kwang Soo SEOL,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN108122921B. Автор: 金成勋,孙在翼. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-04.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN110729306A. Автор: 权赫镐,孙龙勋,杨韩光,康文综,安圣洙,李昭润. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-24.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A4. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210210475A1. Автор: Jin HO KIM,Young Ki Kim,Sang Hyun Sung,Byung Hyun JUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150132906A1. Автор: Park Young Woo,Chang Sung-Il,Lee Jae Goo. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND RELATED METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150262826A1. Автор: Park Youngwoo,KIM Hansoo,SON Byoungkeun,Lim Jin-Soo,JANG SUNG-HWAN,YUN JONG IN. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

3 Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: KR101548674B1. Автор: 김민구,김한수,최석헌,김진호,안영수,손병근,최재형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-09-01.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN107039457B. Автор: 李星勋,申重植,朴玄睦,尹永培,郑夛恽,尹石重. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-30.

Three dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20220067716A. Автор: 이해민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20220158147A. Автор: 최무림,황윤조. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-11-30.

Test structure and methodology for three-dimensional semiconductor structures

Номер патента: US20120262197A1. Автор: Kerry Bernstein,Paul D. Kartschoke,Donald L. Wheater,Christopher M. Durham,Peter J. Klim,Jerome L. Cann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Three dimensional semiconductor assembly board with bump/flange supporting board, coreless build-up circuitry and built-in electronic device

Номер патента: US20130032938A1. Автор: Charles W.C. Lin,Chia-Chung Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Three-Dimensional Semiconductor Architecture

Номер патента: US20130316530A1. Автор: Wu Kuo H.,Law Oscar M.K.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-11-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220059565A1. Автор: Baek Seokcheon. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD OF MANUFACTURING OF ADVANCED THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND STRUCTURES PRODUCED THEREFROM

Номер патента: US20210057403A1. Автор: HANNEBAUER Robert Steven. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20170062330A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Sanghoon Ahn,Daeseok Byeon,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20170062472A1. Автор: Lee Seok-Won,Lim HyunSeok,HAN HAUK,LEE Jeonggil,PARK Jinwoo,PARK Joyoung,YOON KlHYUN,HA JOOYEON. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200066742A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210159242A1. Автор: Lim JongHeun,HWANG Chang-Sun,MIN Chungki,Seo Kieun,JANG Kiseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-05-27.

POWER DISTRIBUTION NETWORKS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200135645A1. Автор: Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

POWER DISTRIBUTION NETWORKS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200135646A1. Автор: Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200194373A1. Автор: Junhyoung Kim,Seokcheon Baek,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200194456A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203372A1. Автор: Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210265271A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Kang-Won,CHUNG JISOO. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

EXTERNAL UV LIGHT SOURCES TO MINIMIZE ASYMMETRIC RESIST PATTERN TRIMMING RATE FOR THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR CHIP MANUFACTURE

Номер патента: US20140335695A1. Автор: Joubert Olivier,LUERE Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

METHODS AND APPARATUSES FOR VOID-FREE TUNGSTEN FILL IN THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR FEATURES

Номер патента: US20140349477A1. Автор: Xiang Hua,GUHA Joydeep,Humayun Raashina,Chandrashekar Anand. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

Transceiver device and method for its manufacture

Номер патента: RU2770237C1. Автор: Владимир Денисович Бурцев,Дмитрий Сергеевич Филонов,Татьяна Сергеевна Вошева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2022-04-14.

Electrode for cell of energy-accumulating device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2444816C2. Автор: Евген КАЛИНУШКИН,Петер НОВАК. Владелец: Наноэнер Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2012-03-10.

Multi-core fibre for optical pumping device and method for its manufacture; optical pumping device; fibre laser and fibre amplifier

Номер патента: RU2439627C2. Автор: Содзи ТАНИГАВА,Митихиро НАКАИ. Владелец: Фудзикура Лтд.. Дата публикации: 2012-01-10.

Stationary electric induction device and method of its manufacture

Номер патента: RU2516256C2. Автор: Кийокацу АКИМОТО,Кей ТАКАНО,Син ЯМАДА,Осаму ХОСОКАВА,Такеси ТИГИРИ. Владелец: Кабусики Кайся Тосиба. Дата публикации: 2014-05-20.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US09728754B2. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Separator for electrochemical device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2535205C1. Автор: Сатоси НЭМОТО,Ёсихару МАТИЙ,Эри МУРАКАМИ. Владелец: Токусю Токай Пейпер Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-12-10.

Thin film manufacturing method, thin film manufacturing device, and liquid crystal display device manufacturing method

Номер патента: US20130134034A1. Автор: Hironobu Inoue,Hiroaki Yonekura. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US20140370364A1. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: GS Energy Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN105355602B. Автор: 霍宗亮,叶甜春. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-18.

Three-dimensional semiconductor device and production method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN105679761A. Автор: 霍宗亮,夏志良. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-06-15.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09711520B2. Автор: XIA Zhiliang,Young-Gu Kim,Etienne Nowak,Daesin Kim,Narae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US12004350B2. Автор: JoongShik SHIN,SangJun HONG,Euntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US8409977B2. Автор: Jinsoo Lim,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sungmi Hwang,Wonseok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150060752A1. Автор: SUH Jun Kyo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150138862A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,LEE Jaeduk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20200137806A. Автор: 김형준,조용석,이수형,최은영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160056302A1. Автор: Lee Ki Hong,Bin Jin Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Vertical Structures

Номер патента: US20190157282A1. Автор: JUNG Young Jin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL STRUCTURES

Номер патента: US20200168621A1. Автор: JUNG Young Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190237475A1. Автор: Lee Sung Hun,JUNG Eun Taek. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102427324B1. Автор: 김종원,정영진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-29.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: CN102456675A. Автор: 金敬勋,黄盛珉,朴镇泽,赵源锡,沈载株,赵厚成,李云京,金种衍. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-16.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR20190095812A. Автор: 신중식,정은택,홍상준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-08-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130270625A1. Автор: Lim SeungHyun,CHOI Jungdal,YANG Junkyu,PARK Kwangmin,KIM BYONGJU,Jang Byong-hyun,Seol Kwangsoo,YUN Janggn. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130313629A1. Автор: SHIM Sunil,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok,LIM Jinsoo,Hwang Sungmi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130334593A1. Автор: Lee Ju-Yul,Hwang Ki-Hyun,Seol Kwang-Soo,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140048868A1. Автор: SHIN Yoocheol,Kim Juhyung. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140070302A1. Автор: KIM JinGyun,YANG Junkyu,NAM Phil Ouk,Eom Daehong,LEE Woong,Yoo Dongchul,LEE WOOSUNG. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200402991A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101698193B1. Автор: 김한수,장재훈,조원석,황성민,심선일,임진수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-01-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130140623A1. Автор: Park Youngwoo,SON Byoungkeun,LEE Changhyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING GATE PICK-UP LINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160005794A1. Автор: KIM Jin Ha,CHUNG Isaac. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190035807A1. Автор: Kim Jongwon,Jung Young-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210074724A1. Автор: Jongwon Kim,Young-jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200111803A1. Автор: Shin Jaehoon,LIM Geunwon,Baek Seokcheon,Lee Myungkeun. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140225183A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180151590A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Cho Hyejin. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20170207238A1. Автор: Seong Soon Cho,Joonhee Lee,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200227438A1. Автор: Lee Sung-hun,Lee Joonhee,Lee Chang-Sup,CHO SEONG SOON. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190237477A1. Автор: BAEK SEOK CHEON,Lee Sung Hun. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190244970A1. Автор: JoongShik SHIN,SangJun HONG,Euntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20170263641A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Cho Hyejin. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09536897B2. Автор: Chaeho Kim,Woong Lee,Jaeyoung Ahn,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Vertical noise reduction in 3D stacked semiconductor devices

Номер патента: US10879234B2. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Vertical noise reduction in 3d stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230048737A1. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Vertical noise reduction in 3d stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210118872A1. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor chip

Номер патента: US09620493B2. Автор: SoonKwan KWON,Joonsung YANG. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional semiconductor nanoheterostructure and method of making same

Номер патента: US20180233624A1. Автор: Nikolay Ledentsov,Vitaly Shchukin. Владелец: VI Systems GmbH. Дата публикации: 2018-08-16.

Three-dimensional semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105321952B. Автор: 刘东哲,黄棋铉,延国贤,金东宇,金东谦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-30.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN103971722B. Автор: 金森宏治,朴泳雨,李载悳,朴镇泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-14.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090228A1. Автор: Jeehoon HAN,Hoyoung CHOI,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09960182B2. Автор: HongSuk Kim,Ji-Hoon Choi,Seunghyun Lim,Hyunjun Sim,Sunggil Kim,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Sangyeon HAN,Joongchan SHIN,Byeungmoo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor package and three-dimensional semiconductor package including the same

Номер патента: US20160315029A1. Автор: Wook Kim,Yun-Hyeok Im,Dong-han Lee,Kee-Moon Chun,Jung-Su HA,Min-Seon Ahn,Je-Gil MOON,Jae-Soo CHAUNG,Bum-Keun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09613976B2. Автор: Masaru Kito,Yoshihiro Yanai,Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Input circuit of three-dimensional semiconductor apparatus capable of enabling testing and direct access

Номер патента: US09589670B2. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional semiconductor device provided with interchip interconnection selection means for electrically isolating interconnections other than selected interchip interconnections

Номер патента: TW200617981A. Автор: Hiroaki Ikeda,Hideaki Saito,Masayuki Mizuno,Kayoko Shibata,Yasuhiko Hagihara,Muneo Fukaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Bridge line structure for bit line connection in a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09613975B2. Автор: Masayuki Hiroi,Chun-Ming Wang,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani,Chenche Huang,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11917822B2. Автор: Seungjun Shin,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US09484099B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity

Номер патента: US20200111809A1. Автор: Kenichi Fujii,Makoto Watanabe,Takeshi Imamura,Hideo Wada,Hajime Kaneko,Osamu Matsuura,Masanari Fujita,Takanobu Itoh,Hideki Inokuma,Genki KAWAGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING SLIT WITH LATERAL SURFACES HAVING PERIODICITY

Номер патента: US20180350834A1. Автор: Fujita Masanari,Watanabe Makoto,WADA Hideo,Imamura Takeshi,FUJII Kenichi,INOKUMA Hideki,KANEKO Hajime,MATSUURA Osamu,KAWAGUCHI Genki,ITOH Takanobu. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-12-06.

Three dimensional semiconductor memory device having peripheral circuit under cell structure

Номер патента: US10546814B2. Автор: Sung-Lae OH,Jung-Mi TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

Three-Dimensional Calibration Structures and Methods for Measuring Buried Defects on a Three-Dimensional Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180224749A1. Автор: Danen Robert M.,Measor Philip. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

For measuring the three-dimensional calibration structure and method of the burial defect on three dimensional semiconductor die

Номер патента: CN110326094A. Автор: P·梅斯热,R·M·丹恩. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-10-11.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: SG10201906732VA. Автор: Kim Soyeon,YOON Young-bae,Eun Dongseog,Lee Hanyoung,Park Jibong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Optoelectronic device comprising three-dimensional semiconductor elements and process for its manufacture

Номер патента: FR3098019B1. Автор: Olga Kryliouk,Jérôme Napierala. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2022-05-20.

Three-dimensional semiconductor device having plural active semiconductor components

Номер патента: US20030038366A1. Автор: Hiroyuki Kozono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190267333A1. Автор: Sang Jun Hong,Kyeong Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Three-dimensional semiconductor module including system in a package (SIP) with improved heat dissipation efficiency

Номер патента: US11881248B2. Автор: Takao Adachi,Fumitake OKUTSU. Владелец: Ultramemory Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090211A1. Автор: Sung-Min Hwang,Soyeon Kim,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim,Bongtae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130163304A1. Автор: KIM Sung-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180026042A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-01-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160049346A1. Автор: JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,CHO Woojin. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093642A1. Автор: Kim Hyung Joon,CHOI Eun Yeoung,LEE Su Hyeong,Cho Yong Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-24.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150170714A1. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-18.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20170179146A1. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Arreghini Antonio. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150228623A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20190221610A1. Автор: Goux Ludovic,Kar Gouri Sankar,Crotti Davide Francesco,Delhougne Romain,Di Piazza Luca. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180240802A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-08-23.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200243554A1. Автор: NAM Phil Ouk,LEE Sung Yun,KANG Chang Seok,LEE Chang Sup. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180261618A1. Автор: NAM Phil Ouk,LEE Sung Yun,KANG Chang Seok,LEE Chang Sup. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210391350A1. Автор: Na Hoonjoo,KIM WeonHong,OH Seungha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-12-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170309639A1. Автор: HWANG Sung-Min,Hur Sunghoi. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200381446A1. Автор: Kim Hyung Joon,CHOI Eun Yeoung,LEE Su Hyeong,Cho Yong Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-12-03.

Three-Dimensional Semiconductor Devices And Methods Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102059196B1. Автор: 박영우,이재덕,박진택,코지 카나모리. Владелец: 에프아이오 세미컨덕터 테크놀로지스, 엘엘씨. Дата публикации: 2019-12-24.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: CN103971722A. Автор: 金森宏治,朴泳雨,李载悳,朴镇泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-06.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: TWI618066B. Автор: 金森宏治,朴泳雨,朴鎭澤,李載悳. Владелец: 三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-11.

Three-dimensional semiconductor device and related method of operation

Номер патента: US20110199804A1. Автор: Yong-Hoon Son,Myoung bum Lee,Ki Hyun Hwang,Seung Jae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: TW201430844A. Автор: Kohji Kanamori,Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Jin-Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-01.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130161831A1. Автор: HWANG Sung-Min,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN INTER-DIE CONNECTION ON THE BASIS OF FUNCTIONAL MOLECULES

Номер патента: US20130221540A1. Автор: Kronholz Stephan,Richter Ralf,Lenski Markus. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20140054787A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190019804A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210020628A1. Автор: Kang Pil-kyu,Lee Sang Woo,SASAKI Yuichiro,Lim SungKeun,Hyun Sangjin,KIM WeonHong,OH Seungha,HA Yongho,KIM Kughwan. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210020657A1. Автор: Song Juhak. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150064867A1. Автор: JEONG Kil-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200058667A1. Автор: BAEK SEOK CHEON. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210074716A1. Автор: LIM Bongsoon,BYEON Daeseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200075608A1. Автор: HAN Jee Hoon,KIM Kyung Dong,Shim Sun Il,Song Ju Hak. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190081105A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL AND HORIZONTAL CHANNELS IN STACK STRUCTURE HAVING ELECTRODES VERTICALLY STACKED ON THE SUBSTRATE

Номер патента: US20170084624A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Changhyun,KANG Shinhwan,LEE Heonkyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200083242A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200083296A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200091084A1. Автор: HWANG Sung-Min,Yun Jang-Gn,Lim Joon-Sung,KIM Young-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140183756A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,KIM Hansoo,Cho Wonseok. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES WITH CURRENT PATH SELECTION STRUCTURE AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140197469A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,KANAMORI Kohji,LEE Jaeduk,LEE Dohyun. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

STRING SELECTION STRUCTURE OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140198572A1. Автор: HWANG Sung-Min,LEE Changhyun. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210143176A1. Автор: LEE Jae Duk,Yun Jang Gn. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200135749A1. Автор: HWANG Sung Min,Lim Joon Sung,AHN JAE HO,KANG BUM KYU. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

METHODS OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140231899A1. Автор: Seol Kwang Soo,Park Youngwoo,LEE Jaegoo,YOU Byungkwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-21.

Three-dimensional semiconductor devices with scribe line region structures

Номер патента: US20170148748A1. Автор: Sunyoung Kim,Jang-Gn Yun,Sunghoi Hur,Jaeho Jeong,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-25.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210183861A1. Автор: Minwoo Song,Hyun-Sil Oh,Minsu Lee,Kiseok LEE,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20160163733A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170179149A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Jinwoo,CHUNG SEUNGPIL,PARK Joyoung,KWON Oik,Kim JeongSoo,KWON Yong-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150187791A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150206896A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-07-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160218107A1. Автор: Lee Ki Hong,Pyi Seung Ho,BAEK Ji Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200203431A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210242229A1. Автор: SEO Yu Jin,Lee Byoung Il,Jin Jun Eon. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150235939A1. Автор: Park Jin-Woo,Lee Seok-Won,KIM Kyoung-Hoon,PAEK SeungWoo,Cho Taekeun,LEE Sunyeong. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180254247A1. Автор: HWANG Sung-Min,Yun Jang-Gn,Lim Joon-Sung,KIM Young-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210358933A1. Автор: HWANG Sung Min,Lim Joon Sung,AHN JAE HO,KANG BUM KYU. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170278863A1. Автор: KIM Tae-sung,CHA YOUNG-SAN,YOUN DONGKYU. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293539A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

BRIDGE LINE STRUCTURE FOR BIT LINE CONNECTION IN A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293621A1. Автор: Higashitani Masaaki,Wang Chun-Ming,MIZUTANI Yuki,Hiroi Masayuki,Huang Chenche,Koketsu Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160293622A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170287930A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Changhyun,KANG Shinhwan,LEE Heonkyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200273912A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A CONNECTION REGION

Номер патента: US20150303209A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,SHIN Yoocheol. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ISOLATED DUMMY PATTERN

Номер патента: US20180301407A1. Автор: Hu Chih-Wei,Yeh Teng-Hao,HUNG Min-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160322376A1. Автор: LEE Sang Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190312054A1. Автор: Yun Jang Gn,Lim Joon Sung,Cho Eun Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170338242A1. Автор: HWANG Sung-Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

METHOD OF FORMING TWO-DIMENSIONAL AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR CHIP ARRAYS

Номер патента: US20180337208A1. Автор: Redding Gary D.,MONAHAN Michael B.,Casey Joseph F.,Zufelt Craig Alan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170352674A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170352679A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190355737A1. Автор: SEO Yu Jin,Lee Byoung Il,Jin Jun Eon. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190371809A1. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

High temperature resistant adhesive composition, substrate bonding method, and three-dimensional semiconductor device

Номер патента: JP4911143B2. Автор: 健 浅野,不二夫 八木橋,吉隆 濱田. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-04.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR102154093B1. Автор: 김경훈,박진우,이석원,백승우,이순영,조태근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-09-10.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR20170073002A. Автор: 박진우,김정수,권오익,이석원,정승필,권용현,박조영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-06-28.

String Selection Structure Of Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: KR102024710B1. Автор: 이창현,황성민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-09-24.

three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102285787B1. Автор: 김영우,황성민,윤장근,임준성. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2021-08-04.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US10504844B2. Автор: Sung-Min Hwang,Young-Woo Kim,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-10.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9281019B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-08.

Three-dimensional semiconductor device with vertical and horizontal channels in stack structure having electrodes vertically stacked on the substrate

Номер патента: US10096616B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: JPS62154770A. Автор: Toru Inaba,稲葉　透. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-07-09.

Three-dimensional semiconductor device having stepped gate electrodes

Номер патента: US11088157B2. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-10.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN107452746A. Автор: 黄盛珉,许星会. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-08.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN107452746B. Автор: 黄盛珉,许星会. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11574923B2. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-07.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR102334914B1. Автор: 김지혜,정다운,박주원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of forming two-dimensional and three-dimensional semiconductor chip arrays

Номер патента: US20180337208A1. Автор: Gary D. Redding,Michael B. Monahan,Joseph F. Casey,Craig Alan Zufelt. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Three-dimensional semiconductor device provided with interchip interconnection selection means for electrically isolating interconnections other than selected interchip interconnections

Номер патента: TWI281672B. Автор: Hiroaki Ikeda,Hideaki Saito,Masayuki Mizuno,Yasuhiko Hagihara,Muneo Fukaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-05-21.

HIGH-EFFICIENCY PHOTOVOLTAIC BACK-CONTACT SOLAR CELL STRUCTURES AND MANUFACTURING METHODS USING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ABSORBERS

Номер патента: US20130167915A1. Автор: Kramer Karl-Josef,Moslehi Mehrdad M.,Kapur Pawan,Seutter Sean M.,Wang David Xuan-Qi,Rana Virenda V.. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160315029A1. Автор: IM Yun-hyeok,KIM Wook,Lee Dong-Han,HA Jung-su,Chun Kee-Moon,MOON Je-Gil,AHN Min-Seon,CHAUNG Jae-Soo,CHOI Bum-Keun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5353292B2. Автор: 隆志 眞子. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-11-27.

High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using three-dimensional semiconductor absorbers

Номер патента: WO2011072153A2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pawan Kapur,Karl-Josef Kramer,Sean Seutter. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2011-06-16.

High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using three-dimensional semiconductor absorbers

Номер патента: EP2510550A4. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M Moslehi,Pawan Kapur,Karl-Josef Kramer,Sean Seutter,Virendra V Rana. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2014-12-24.

High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using three-dimensional semiconductor absorbers

Номер патента: EP2510550A2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pawan Kapur,Karl-Josef Kramer,Sean Seutter. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Three-dimensional semiconductor package manufacturing method

Номер патента: JP4899604B2. Автор: 剛 小川,廣仁 宮崎,浩和 中山,奈美子 竹島. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20230337432A1. Автор: Byoungil Lee,Seungwoo NAM,Yujin SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210366925A1. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20130313631A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,NAM Phil Ouk,Son Youngseon,Lee Kwangyoung. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150041882A1. Автор: Ahn Jae-Young,Hwang Kihyun,Park Hyun,Yoo Dongchul,CHUN Jongsik,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Kim Bumsu. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190074282A1. Автор: Yoon Boun,KWON Byoungho,MIN Chungki,SHIN Miso,KWON Myeongan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Shin Joongchan,Kang Byeungmoo,Han Sangyeon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210098480A1. Автор: KIM Jung-Hwan,Kim Sungjin,Kim Sunggil,KIM Seulye,Kim Chan-Hyoung. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF DETECTING ELECTRICAL FAILURE THEREOF

Номер патента: US20190139980A1. Автор: KIM Taeyoung,Kim Dongchan,CHOI Moorym. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140227841A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Jaegoo,KIM Hansoo,JEONG Kil-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190157283A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200152654A1. Автор: HWANG Sung-Min,KIM Jiyoung,Lim Joon-Sung,KIM Jiwon,YANG WOOSUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210225870A1. Автор: Lim Joon-Sung,Lee Joonhee,Seong HoJun,YANG WOOSUNG,JUNG EUNTAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210225871A1. Автор: HWANG Sung-Min,LEE Byungjin,Lee Dong-sik. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200227434A1. Автор: Kim Ha-Na,AHN Sung-Soo,LEE Haejoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20180240808A1. Автор: JANG Jaehoon,Yeo Chadong,LEE Jaeduk,SONG MINYEONG. Владелец: Samsung Electronics.,Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-08-23.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180261626A1. Автор: Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Gukhyon Yon,Dongkyum Kim,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.. Дата публикации: 2018-09-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF DETECTING ELECTRICAL FAILURE THEREOF

Номер патента: US20210351199A1. Автор: KIM Taeyoung,Kim Dongchan,CHOI Moorym. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-11.

Three Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20160293625A1. Автор: CHA Junho,KANG Joo-Heon,HYUN Chung-II. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180294225A1. Автор: LEE Taehee,Lee Juyeon,HWANG Jeehoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170301689A1. Автор: Lim SeungHyun,Kim Sunggil,Choi Ji-hoon,KIM Hongsuk,LIM HUNHYEONG,SIM HYUNJUN. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200303410A1. Автор: Kim Yongseok,KANAMORI Kohji,LEE Kyunghwan,LIM Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150333084A1. Автор: Hwang Kihyun,Son Yong-Hoon,LEE Myoungbum,Kim Jung Ho,Baik Seungjae. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150372005A1. Автор: Hwang Kihyun,Kim Dongwoo,Yoo Dongchul,Kim Dongkyum,Yon Gukhyon. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220359563A1. Автор: Park Jung-Hwan,Jung Kwangyoung,HAN Jeehoon,RYU HYOJOON,Noh Youngji. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220367511A1. Автор: Lee Sung-hun,Seong HoJun,HWANG Younjeong,KIM Minbum,JIN Juneon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-11-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220375888A1. Автор: CHOI Moorym,HWANG Yoonjo. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Operating The Same

Номер патента: KR101652873B1. Автор: 손용훈,이명범,황기현,백승재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-08-31.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101825539B1. Автор: 최지훈,김중호,김진균,양상렬,공유철,신재진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-03-22.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR102307487B1. Автор: 황기현,김동겸,김동우,연국현,유동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-10-05.

Three-dimensional semiconductor memory device and the method for detecting its electric fault

Номер патента: CN109768045A. Автор: 崔茂林,金东赞,金兑泳. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-17.

three dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101842900B1. Автор: 김한수,박영우,이재구,정길수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-03-29.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20230090133A. Автор: 한지훈,코지 카나모리,김승윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-06-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of detecting electrical failure thereof

Номер патента: KR102508522B1. Автор: 김태영,김동찬,최무림. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-03-10.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20220143787A. Автор: 김형준,김비오,강상민,박경욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-10-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20230016022A. Автор: 이종민,김준형,성석강. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-01-31.

METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130203227A1. Автор: Huo Zongliang,Liu Ming. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140094012A1. Автор: Seol Kwang Soo,Chang Sung-Il,Youngwoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20220005759A1. Автор: LEE Seungmin,KIM Junhyoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-01-06.

Three Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20160005753A1. Автор: KIM Young-gu,NOWAK Etienne,KIM Daesin,Zhiliang Xia,Jeong Narae. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180006055A1. Автор: KIM Kihyun,Yeo Chadong. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210005629A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220020762A1. Автор: SON Yoonhwan,LEE Jeongseok,KIM Gaeun. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20180012937A1. Автор: Mu-hui Park,Wooyeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220045097A1. Автор: Choi Ji-hoon,Kang Sangmin,YANG Siyeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-02-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200027894A1. Автор: Son Young Hwan,KANG Shin Hwan,KANG Seo Goo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-01-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210036010A1. Автор: HAN Jeehoon,SIM JAERYONG,AHN JONGSEON. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20220068859A1. Автор: Jong-Ho Moon,Eun-ji Kim,Yoosang Hwang,Han-Sik Yoo,Kiseok LEE,Sangyeon HAN,Taehyun An,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Hyoungyol MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220077126A1. Автор: Kim Jin Ho,Choi Seong Ho. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

POWER VOLTAGE SUPPLY APPARATUS FOR THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20140138798A1. Автор: Park Chang Kun,Hwang Ho Yong. Владелец: SOONGSIL UNIVERSITY RESEARCH CONSORTIUM TECHNO-PARK. Дата публикации: 2014-05-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170062453A1. Автор: Park Youngwoo,Sim Jaesung,KANG Shinhwan,LEE Jaeduk,SON YUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210066277A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Joo-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210066282A1. Автор: PARK Joo-Yong,KIM CHANHO,BYEON Daeseok. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210074719A1. Автор: Lim Ju-Young,Lee SeungHwan,JEONG SANGHOON,LEE Suhyeong,JANG Daehyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200075605A1. Автор: KIM Kwang-Soo,KIM Junhyoung,CHOI Bonghyun,KIM Siwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210082941A1. Автор: Kim Jae Hoon,Son Yong-Hoon,JUNG Seungjae,PARK Kwang-Ho,SONG Hyunji,LEE Gyeonghee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220139897A1. Автор: PARK Joo-Yong,KIM CHANHO,BYEON Daeseok. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200091186A1. Автор: Kim Bio,Kim Yujin,Jee Junggeun,AN Kyong-Won,YANG Jaehyun,Yong Sookyeom,Cheon Youngjun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210098478A1. Автор: HWANG Sung-Min,KIM Jiyoung,Lim Joon-Sung,KIM Jiwon,YANG WOOSUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of Manufacturing Three Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20150104916A1. Автор: Hwang Ki-Hyun,Lee Joon-Suk,Lim Hun-Hyeong,LEE Woong. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170103999A1. Автор: Lee Jung Hoon,Shin Jinhyun,Lee Dong-sik,Lee Woong-Seop,PARK Sejun,Rho Keejeong. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210125989A1. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoosang,PARK Sung-Min,Kim Changkyu,LEE KISEOK,Shin Joongchan,Han Sangyeon,An Taehyun,Lee Ahram,CHO Eunju,CHOI Hyungeun,SHIN Iljae. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200105786A1. Автор: Kim Soyeon,YOON Young-bae,Eun Dongseog,Lee Hanyoung,Park Jibong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-02.

Input circuit of three-dimensional semiconductor apparatus capable of enabling testing and direct access

Номер патента: US20170133067A1. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150145015A1. Автор: SHIN Yoocheol,Sim Jaesung,KIM HONGSOO. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190139979A1. Автор: KANAMORI Kohji,KANG Seo-Goo,SON YOUNGHWAN,Jo Kwonsoon. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210183770A1. Автор: Jeong Hwan Kim,Jin HO KIM,Chang Woon Choi,Byung Hyun JUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160163735A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190157291A1. Автор: LEE Taehee,KIM Kyoung-Hoon,Kam Hee-Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200152657A1. Автор: LEE Taehee,KIM Hyunwook,YANG Eun-jung. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

METHODS OF FABRICATING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140256101A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,MOON Hui-Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200161330A1. Автор: KANAMORI Kohji,KANG Seo-Goo,SON YOUNGHWAN,Jo Kwonsoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210202522A1. Автор: Baek Seokcheon. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Three-Dimensional Semiconductor Architecture

Номер патента: US20140264941A1. Автор: Law Oscar M. K.,Wu Kuo H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190172838A1. Автор: KANAMORI Kohji,KANG Seo-Goo,SON YOUNGHWAN,Jo Kwonsoon. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200168547A1. Автор: NAM Sang-Wan,LIM Bongsoon,PARK Sang-Won,Shim Sang-Won,JEON HONGSOO,CHOI Yonghyuk. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210210475A1. Автор: Kim Jin Ho,Kim Young Ki,SUNG Sang Hyun,JUN Byung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210217760A1. Автор: LEE Byungjin,Lee Dong-sik,YANG WOOSUNG,KANG BUMKYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210217765A1. Автор: KIM Jiyoung,YANG WOOSUNG,TAKAKI Sejie. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200185398A1. Автор: Yoon Boun,KWON Byoungho,MIN Chungki,SHIN Miso,KWON Myeongan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210225868A1. Автор: JANG Jaehoon,Shim Jae-Joo,PARK Kyungeun,WOO Dongsung,LIM Jongkwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200194448A1. Автор: KIM Kwang-Soo,KIM Junhyoung,LIM Geunwon. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200194455A1. Автор: CHO Siyeon,LEE Sung-Bok,Shin Hyeri,Choi Yusik,Hwang Sungyung. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200194457A1. Автор: Lee Kang-Won,Lee Dong-sik,JANG Donghoon,Song Jaeyoung. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20180211829A1. Автор: Eymery Joël,Salomon Damien,Durand Christophe,Gilet Philipe,Dussaigne Amélie. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210242236A1. Автор: SHIN SEUNGJUN,CHOI Bonghyun,KIM Siwan. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190221579A1. Автор: KIM Kihyun,Yeo Chadong. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Park Jin-Hong,LEE SUNGJOO,JU Jae Hyeok,BAEK Sungpyo. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-08-19.

OPTOELECTRONIC DEVICE WITH THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: US20180233610A1. Автор: Feuillet Guy,ROBIN Ivan-Christophe,Dussaigne Amélie,Gaugiran Stéphanie. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR NANOHETEROSTRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20180233624A1. Автор: Ledentsov Nikolay,Shchukin Vitaly. Владелец: VI Systems GmbH. Дата публикации: 2018-08-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160247817A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Cho Hyejin. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170243886A1. Автор: Lee Jung Hoon,Shin Jinhyun,Lee Dong-sik,Lee Woong-Seop,PARK Sejun,Rho Keejeong. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR CHIP CONTAINING MEMORY DIE BONDED TO BOTH SIDES OF A SUPPORT DIE AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200243500A1. Автор: Makala Raghuveer S.,Zhou Fei,SHARANGPANI Rahul,Rajashekhar Adarsh. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES USING DIRECT STRAPPING LINE CONNECTIONS

Номер патента: US20140349453A1. Автор: Kim Dongchan,KIM Sang-Hoon,Lee Ae-Jeong,Lee Bongyong. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210313398A1. Автор: KIM Sang-Kuk,KWON Oik,Kang Yunseung,KIM YEONJI,JEON SUJIN. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210327892A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK,SHIN Dongyoun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-10-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240114704A1. Автор: Jiyoung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US12120881B2. Автор: Daeseok Byeon,Bongsoon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11758740B2. Автор: Yu-Ting Chen,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chiung-Lin Hsu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional semiconductor device including ferroelectric transistor

Номер патента: US20240032303A1. Автор: Minjun LEE,Youngji Noh,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11950517B2. Автор: Kyusul PARK,Daehwan Kang,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11839091B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-Dimensional Semiconductor Image Reconstruction Apparatus and Method

Номер патента: US20150060669A1. Автор: Tu Chih-Chiang,Fu Chung-Min,CHENG Wen-Hao,Nandoriya Ajay. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240357800A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,SiHyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Electro-luminescent device and method for its manufacture

Номер патента: RU2269876C2. Автор: Паскаль МАГЭН,Рене УИНАН. Владелец: Решерш Е Девелопман Дю Груп Кокрилл Самбр. Дата публикации: 2006-02-10.

Laminate for light emitting device and method for its manufacture

Номер патента: RU2666962C2. Автор: Йоунг-Сеонг ЛИ,Дзин-Воо ХАН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2018-09-13.

Triboelectric generating device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2745850C1. Автор: Чарльз Кисеок СОНГ. Владелец: Чарльз Кисеок СОНГ. Дата публикации: 2021-04-02.

Target for neutron-generating device and method for its manufacturing

Номер патента: RU2644390C2. Автор: Казуки ЦУТИДА. Владелец: Ягами Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-02-12.

Combination of image display device and diffractive optical filter and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180088349A1. Автор: Makoto Okada,Daisuke Seki,Yosuke SAKOHIRA. Владелец: Nalux Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN105470260B. Автор: 叶甜春. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-18.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN107403803A. Автор: 黄盛珉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing a three dimensional semiconductor memory device and the three dimensional semiconductor memory device fabricated by the method

Номер патента: KR102091729B1. Автор: 이준석,황기현,임헌형,이웅. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-20.

Three-dimensional semiconductor storage device and preparation method for three-dimensional semiconductor storage device

Номер патента: CN102544049A. Автор: 刘明,霍宗亮. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-04.

Three-dimensional semiconductor device with reduced size of string selection line device

Номер патента: TW201810619A. Автор: 陳士弘. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-16.

Three-dimensional semiconductor memory array and method for its manufacture

Номер патента: EP0930654A1. Автор: Josef Dr. Willer,Franz Dr. Hofmann,Reinhard Dr. Stengl,Hans Dr. Reisinger,Wolfgang Dr. Krautschneider. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-07-21.

Three-dimensional semiconductor device having reduced size serial select line elements

Номер патента: CN107527916B. Автор: 陈士弘. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR20150060335A. Автор: 심재성,김홍수,신유철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-06-03.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit structures

Номер патента: US11744068B2. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US9159424B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20230389321A1. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

3 Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101597686B1. Автор: 이병찬,이선길,현성우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-02-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8268687B2. Автор: SungWoo Hyun,Byeongchan Lee,Sunghil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-18.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US20170330606A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Structural unit, device and method for its manufacture and laminated panel produced of structural unit

Номер патента: RU2294827C2. Автор: Йозеф ШТУТЦ. Владелец: Кроноспан Текникал Компани Лтд.. Дата публикации: 2007-03-10.

Lightweight structural panel, device and method for its manufacturing

Номер патента: RU2381337C2. Автор: Леонхард ШИТТЕР. Владелец: М. Кайндль. Дата публикации: 2010-02-10.

Interocclusion device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2468769C2. Автор: Фрэнк М. ЛЕСНЯК. Владелец: Хэйлофт Энтерпрайзес, Инк.. Дата публикации: 2012-12-10.

Set of blades for hair cutting device and method of its manufacture

Номер патента: RU2632339C2. Автор: Мартинус Бернардус СТАПЕЛЬБРУК,Ян ВАН ДАЛЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-10-04.

Liquid-crystal optical device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2415452C2. Автор: Сатоси НИИЯМА,Реми ТАНАКА. Владелец: Асахи Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2011-03-27.

Wood chopping device and method of its manufacture

Номер патента: RU2656967C2. Автор: Микко ХЕЙНЕ,Мика СОККА,Теему САНДЕЛИН. Владелец: Фискарс Финлэнд Ой Аб. Дата публикации: 2018-06-07.

Input device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2690968C1. Автор: Иван Александрович Корин,Николай Николаевич Бурдин,Вадим Вадимович Пальчиковский. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2019-06-07.

Damping device and method of its manufacture

Номер патента: RU2656202C2. Автор: Горник ТОМАШ,Цзыз ПЕТР,Вагалик ЗДЕНЕК. Владелец: Хэнон Системз. Дата публикации: 2018-05-31.

Ultrasonic device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2310522C2. Автор: Тони АМАТО,Майкл Джон КРЕЙН. Владелец: Сонико Лимитед. Дата публикации: 2007-11-20.

Volume solid electrolyte for high-temperature electrotechnical devices and method of its manufacturing

Номер патента: RU2422952C1. Автор: Виктор Владимирович Иванов,Сергей Николаевич Паранин,Александр Сергеевич Липилин,Алексей Викторович Спирин,Владимир Рудольфович Хрустов,Сергей Николаевич Шкерин,Алексей Викторович Никонов,Виктор Владимирович Иванов (RU),Сергей Николаевич Шкерин (RU),Владимир Рудольфович Хрустов (RU),Александр Сергеевич Липилин (RU),Алексей Викторович Никонов (RU),Алексей Викторович Спирин (RU),Сергей Николаевич Паранин (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт электрофизики Уральского отделения РАН (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2011-06-27.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic atomization device and atomization assembly thereof, and manufacturing method of atomization assembly

Номер патента: US12121064B2. Автор: Chunfeng Zhang,Hongming Zhou,Jianxin XIAO,Caiqiang ZHU,Chaoyong BIE. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Lead-free solder, method of its manufacturing and soldering method with usage of this solder

Номер патента: RU2356975C2. Автор: КайХва ЧУ,Винсент Ю Серн ХО,КайХва ЧУ (SG),Винсент Ю Серн ХО (SG). Владелец: КУОНТУМ КЕМИКАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ (СИНГАПУР)Пи-Ти-И ЛТД. Дата публикации: 2009-05-27.

Light slab, connection device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2576584C1. Автор: Бруно РАЙТЕР,Хельмут НЕРФ. Владелец: Фриц Эггер Гмбх Унд Ко. Ог. Дата публикации: 2016-03-10.

Electrochromic device and method for its manufacture

Номер патента: RU2676807C9. Автор: Алексей Сергеевич Чувашлев,Дмитрий Вильямович Крыльский,Алексей Геннадьевич Дмитриев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СмартЭлектроГласс". Дата публикации: 2019-03-19.

Electrochromic device and method for its manufacture

Номер патента: RU2676807C2. Автор: Дмитрий Вильямович Крыльский,Алексей Геннадьевич Дмитриев,Алексей Сергеевич Чувашнев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СмартЭлектроГласс". Дата публикации: 2019-01-11.

Drop dispensing device and method for its manufacture

Номер патента: CA1284284C. Автор: Philip M. Kimball. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1991-05-21.

Filtering material and device and method of its manufacture

Номер патента: AU5466700A. Автор: . Владелец: Nicast Ltd. Дата публикации: 2000-12-28.

Filtering material and device and method of its manufacture

Номер патента: CA2291411C. Автор: Alexander Dubson. Владелец: Nicast Ltd. Дата публикации: 2008-09-30.

Fastening Device and Method for its Manufacture

Номер патента: US20230375027A1. Автор: Jan Müller,Albert Sbongk,Gerit Vollmer,Melanie Sindel. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Display device and display panel thereof, and manufacturing method for display device

Номер патента: US20210165295A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Water treatment device and ion concentration adjusted water manufacturing method

Номер патента: EP3842130A1. Автор: Yasushi Shimizu,Toshio Takagi,Katsuyuki Murata,Naoto TANIGAKI. Владелец: Kotobuki Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Noodle string cutting device, noodle manufacturing device, and noodle and instant noodle manufacturing method

Номер патента: CA3165445C. Автор: Yoshiaki Nagayama. Владелец: Sanyo Foods Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Electronic atomization device and atomization assembly thereof, and manufacturing method of atomization assembly

Номер патента: US20220071290A1. Автор: Chunfeng Zhang,Hongming Zhou,Jianxin XIAO,Caiqiang ZHU,Chaoyong BIE. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of metallization by a nickel or cobalt alloy for the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: WO2023150370A9. Автор: Mikaïlou Thiam,Hermine Marie BERTHON,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Three dimensional semiconductor based optical switching device

Номер патента: US20060083465A1. Автор: Remus Nicolaescu,Mario Paniccia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Solid state three dimensional semiconductor memory array

Номер патента: US4535424A. Автор: Lee R. Reid. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1985-08-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140198552A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,KANAMORI Kohji,LEE Jaeduk. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140160828A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

WIRING STRUCTURES FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140203442A1. Автор: KIM Hong-soo,Yun Jang-Gn,CHO Hoo-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TOP DUMMY CELLS, BOTTOM DUMMY CELLS AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170330606A1. Автор: LEE Hee Youl. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2017-11-16.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US8148763B2. Автор: Sukpil Kim,Yoondong Park,Wonjoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-03.

Defect Discovery And Recipe Optimization For Inspection Of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20180149603A1. Автор: Santosh Bhattacharyya,Robert M. Danen,Philip Measor,Christopher Maher,Devashish Sharma,Bo Hua. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

INTEGRATING OPTIMAL PLANAR AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DESIGN LAYOUTS

Номер патента: US20140258960A1. Автор: Kye Jongwook,RASHED Mahbub,Deng Yunfei,JAIN Navneet,Doman David,Xiang Qi. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES INCLUDING STAIR STRUCTURES AND DUMMY ELECTRODES

Номер патента: US20180174661A1. Автор: KIM Kwang-Soo,LEE Heonkyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

RADIATION TOLERANT MICROSTRUCTURED THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170221595A1. Автор: Voss Lars,Nikolic Rebecca J.,Shao Qinghui,Frye Clint,Henderson Roger A.,Murphy John Winter,Qu Dongxia,Stoyer Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High-temperature semiconductor device and process of its manufacture

Номер патента: RU2166221C1. Автор: В.А. Ильин,А.А. Петров,А.В. Афанасьев. Владелец: Центр Технологий Микроэлектроники (Цтм). Дата публикации: 2001-04-27.

Actuating element of lock device and method of its manufacturing out of alloy with shape memory effect

Номер патента: RU2555890C1. Автор: Сергей Иванович Синельников,Алла Игоревна Логачёва,Александр Васильевич Логачев,Валентина Григорьевна Кобелева,Николай Геннадьевич Александров,Игорь Геннадьевич Оленин. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2015-07-10.

Double stamped-welded finger for cutting device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2428830C2. Автор: Борис Александрович Белокопытов,Петр Иванович Пекшев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Завод "Симферопольсельмаш". Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2507634C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Виктор Алексеевич Курмачев,Надежда Борисовна Гладышева,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-02-20.

Actuating element of lock device and method of its manufacturing out of alloy with shape memory effect

Номер патента: RU2555890C9. Автор: Сергей Иванович Синельников,Алла Игоревна Логачёва,Александр Васильевич Логачев,Игорь Георгиевич Оленин,Валентина Григорьевна Кобелева,Николай Геннадьевич Александров. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2015-11-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104022120B. Автор: 霍宗亮. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-03-30.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120319173A1. Автор: Yahashi Katsunori,KO Nikka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for making three-dimensional semiconductor structure and three-dimensional semiconductor structure

Номер патента: TWI766486B. Автор: 陳中怡. Владелец: 鴻海精密工業股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-01.

Three dimensional semiconductor structure and three dimensional capacitor and method for forming

Номер патента: TW518711B. Автор: Hsueh-Chung Chen,Tong-Yu Chen,Gwo-Shii Yang,Sung-Hsiung Wang,Chiung-Sheng Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

BACK SIDE ALIGNMENT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES

Номер патента: US20130052777A1. Автор: Gong Zhiwei,Hayes Scott M.,Xu Jianwen. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120112264A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130056820A1. Автор: JEONG Kil-Su. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

Three-dimensional semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPS6340343A. Автор: Takehide Shirato,猛英 白土. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-02-20.

Methods of Manufacturing Three Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20120070944A1. Автор: PARK Sang-Yong,Kim Hyu-Jung,Lim JongHeun,Kim Kyunghyun,Mun ChangSup. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20120098050A1. Автор: PARK Jintaek,HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,Cho Hoosung,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,Kim Jong-Yeon,KIM Kyoung-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120171861A1. Автор: PARK Sang-Yong,Youm Eunsun. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120199897A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Chang Sung-Il,Lim Jin-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-09.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRICAL CUTOFF METHOD FOR USING FUSE PATTERN OF THE SAME

Номер патента: US20120225501A1. Автор: Kim Gu-Sung. Владелец: EPWORKS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-06.

METHODS OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130017629A1. Автор: Lim JongHeun,Kim Kyunghyun,Pyo Myungjung,Kim Hyo-Jung,Yoon Byoungmoon,Han JaHyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods of Manufacturing a Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20130078776A1. Автор: Kim Young-Hoo,Bae San Won,Lee Kuntack,Lee Hyosan. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

METHODS OF FORMING HIGH MOBILITY FIN CHANNELS ON THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130330916A1. Автор: Maitra Kingsuk,Miller Robert J.,Pham Daniel T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: JPS6430251A. Автор: Mitsuo Matsunami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-02-01.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120049268A1. Автор: Park Young Woo,Lee Jae Goo,CHANG Sung Il. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120068259A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120083077A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND RELATED METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120086072A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-12.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120098049A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,MOON Hui-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120153372A1. Автор: Kim Bio,Hwang Kihyun,Ahn Jaeyoung,Lim SeungHyun,Kim Dongwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120205722A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Jaegoo,KIM Hansoo,JEONG Kil-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120208347A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-16.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120267701A1. Автор: Hwang Kihyun,Lim SeungHyun,Chae Soodoo,Choi Hanmei. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

Three Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20120273872A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20120280299A1. Автор: Yun Jang-Gn,Seol Kwang Soo,Park Youngwoo. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130065369A1. Автор: Kim Jung-ho,Yang Sang-ryol,Kong Yoo-Chul,Choi Ji-hoon,KIM Jin-Gyun,SHIN Jae-jin. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120043673A1. Автор: Seol Kwang Soo,Park Youngwoo,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120061744A1. Автор: HWANG Sung-Min,KIM Hansoo,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

Methods of Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20120064682A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120068247A1. Автор: Park Youngwoo,SON Byoungkeun,LEE Changhyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120068255A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120112260A1. Автор: Kim Bio,Hwang Kihyun,Ahn Jaeyoung,Lim SeungHyun,Kim Dongwoo,Nakanishi Toshiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

METHODS OF MANUFACTURING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES USING SUB-PLATES

Номер патента: US20120135583A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR TEMPLATE FOR MAKING HIGH EFFICIENCY THIN-FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20120174861A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Wang David Xuan-Qi. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

TEST STRUCTURE AND METHODOLOGY FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120264241A1. Автор: Bernstein Kerry,Kartschoke Paul D.,Cann Jerome L.,Durham Christopher M.,Klim Peter J.,Wheater Donald L.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120287694A1. Автор: Lee Byeongchan,Lee Sunghil,HYUN Sungwoo. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120295409A1. Автор: Yoo Dongchul,PARK Kwangmin,YUN Jumi,Jang Byong-hyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES HAVING DOUBLE CROSS POINT ARRAY AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120313072A1. Автор: BAEK INGYU,Kim Sunjung. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES USING DIRECT STRAPPING LINE CONNECTIONS

Номер патента: US20130009236A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130051146A1. Автор: YUN Sung-Won,YUN JUNG-YUN,PARK JONG-YEOL,YOON CHI-WEON,KIM SU-YONG. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130092994A1. Автор: Yun Jang-Gn,Seol Kwang Soo,CHOI Jungdal,SHIM Sunil,JANG Jaehoon,Choi Jeonghyuk. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR PACKAGE DEVICE HAVING ENHANCED SECURITY

Номер патента: US20140077355A1. Автор: Samoilov Arkadii V.,Harper Peter R.,Dias Don. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.