Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102401178B1
Опубликовано: 24-05-2022
Автор(ы): 김광수, 이재덕, 정영진
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Three-dimensional semiconductor devices including gate electrodes

Номер патента: US10468433B2. Автор: Kwang Soo Kim,Jae Duk Lee,Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-05.

Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11925023B2. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240172444A1. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09825053B2. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor memory device in which an oxide layer is formed at bottom of vertical structure of the device

Номер патента: US09490130B2. Автор: Youngwoo Park,Jin-Soo Lim,Hansoo Kim,Byoungkeun Son,Sung-hwan Jang,Jong In Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10727246B2. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-28.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09972638B2. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240162228A1. Автор: Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun,Hyungjoo NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230095830A1. Автор: Hyo-Jin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240105724A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyung Hee Cho,Minchan Gwak,Myungil KANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Three dimensional semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20230292508A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4345874A2. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyung Hee Cho,Minchan Gwak,Myungil KANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4345874A3. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyung Hee Cho,Minchan Gwak,Myungil KANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20230146060A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Jae Hyun Park,Sungil Park,Daewon HA,Kyuman HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200357819A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Three dimensional semiconductor devices

Номер патента: USRE50089E1. Автор: Sung-Il Chang,Changhyun LEE,Jin-Soo Lim,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10741577B2. Автор: Bongyong Lee,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-11.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240339453A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11764266B2. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230100332A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20220181441A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: WO2022119650A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings Inc.. Дата публикации: 2022-06-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11888042B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190319042A1. Автор: Hwan Lee,Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20190355741A1. Автор: SANGHOON Lee,Joonsuk Lee,Seulye KIM,Sunggil Kim,Hyeeun HONG,Hwaeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180308859A1. Автор: Ahn Jaeyoung,NAM Phil Ouk,Kim Sunggil,Choi Ji-hoon,KIM Hongsuk,KIM Seulye. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180076217A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200243559A1. Автор: Hwan Lee,Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20210159242A1. Автор: Chang-sun Hwang,JongHeun Lim,Kiseok JANG,Chungki MIN,Kieun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication thereof

Номер патента: US20220123013A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119012A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119011A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200152629A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361119A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP4273916A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307448A1. Автор: Jae Hyun Park,Sungil Park,Kyunghwan Lee,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4254478A1. Автор: Jae Hyun Park,Sungil Park,Kyunghwan Lee,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110204421A1. Автор: Byoungkeun Son,Kyunghyun Kim,Sukhun Choi,ChangSup Mun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US11721744B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US20220199805A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: EP4135018A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-15.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US12040327B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US20240363634A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09576970B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Seok Min JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: EP3828931A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Su Jong Kim,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210167080A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Su Jong Kim,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11864385B2. Автор: Seunghwan Lee,Suhyeong LEE,Daehyun Jang,Ju-Young Lim,Sanghoon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190333937A1. Автор: Phil Ouk NAM,HongSuk Kim,Ji-Hoon Choi,Jaeyoung Ahn,Seulye KIM,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR20230067788A. Автор: 박재현,박성일,하대원,황규만,최도영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-05-17.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20120248525A1. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-04.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8963231B2. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films

Номер патента: US09978768B2. Автор: Ryoichi Honma,Jiyin Xu,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing a three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09799657B2. Автор: Kihyun Hwang,Bio Kim,Jintae Noh,Hanvit Yang,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Three-dimensional semiconductor device with co-fabricated adjacent capacitor

Номер патента: US09601495B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09397114B2. Автор: Kwangmin Park,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Jumi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12069858B2. Автор: Dong-Sik Lee,Byungjin LEE,Woosung YANG,Bumkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional semiconductor device with co-fabricated adjacent capacitor

Номер патента: US20170033113A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20230240068A1. Автор: Dong-Sik Lee,Byungjin LEE,Woosung YANG,Bumkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150162344A1. Автор: Hwang Kihyun,Kim Kyunghyun,Lee Seongsoo,KIM JinGyun,YANG Jun-youl,CHA Se-ho,Eom Daehong,Yeo Chadong,JANG Daehyun,Lee Sunghae. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150303215A1. Автор: Youngwoo Park,Sung-Il Chang,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US20150372057A1. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11930639B2. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200411542A1. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20200135568A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-04-30.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US09691818B2. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20230045654A. Автор: 김효진,하대원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US12048159B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joonhee Lee,Byoungil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10431593B2. Автор: Sunyoung Kim,Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun,Hoosung Cho,Kyoil KOO,Cheol RYOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20180374867A1. Автор: Sunyoung Kim,Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun,Hoosung Cho,Kyoil KOO,Cheol RYOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Three-dimensional semiconductor transistor with gate contact in active region

Номер патента: US09691897B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210375904A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US09449870B2. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20120112260A1. Автор: Toshiro Nakanishi,Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Jaeyoung Ahn,Seunghyun Lim,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-10.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Vertical Structures

Номер патента: US20190157282A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200058667A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US11910607B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20210043647A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20220384482A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-07.

Three-dimensional semiconductor devices including vertical structures

Номер патента: US20200168621A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200066742A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210327894A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11917819B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Three-dimensional semiconductor device with air gap

Номер патента: US11825643B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Hun SON,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101692446B1. Автор: 박찬진,황기현,최한메,토시로 나카니시,유동철,황완식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-01-04.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101688604B1. Автор: 박찬진,황기현,최한메,민경진,공유철,유동철,양준규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-12-23.

Three dimensional semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8377817B2. Автор: Hanmei Choi,Junkyu Yang,Kihyun Hwang,Chanjin Park,Dongchul Yoo,Gyungjin Min,Yoochul Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-19.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09536895B2. Автор: Sung-Il Chang,Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Chanjin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Three-dimensional semiconductor device including a word line structure having a protruding portion

Номер патента: US20220231140A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Three dimensional semiconductor device having a back-gate electrode

Номер патента: US20240049467A1. Автор: Yun Heub Song,Chang Han Kim,In Ku Kang,Jae Min SIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-02-08.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20220384478A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of fabricating ultrathin inorganic semiconductor and method of fabricating three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102356456B1. Автор: 황성우,주원제. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-01-27.

Three dimensional semiconductor device with memory stack

Номер патента: US11903221B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Three dimensional semiconductor device with memory stack

Номер патента: US20230397442A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chenchen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure

Номер патента: US8754533B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-06-17.

Three-dimensional semiconductor device including vertical structure and the method for forming it

Номер патента: CN109390344A. Автор: 金星中,任峻成,黄盛珉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9209291B2. Автор: Ki Hong Lee,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR102414511B1. Автор: 김성중,황성민,임준성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-06-30.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING GATE PICK-UP LINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150279952A1. Автор: KIM Jin Ha,CHUNG Isaac. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200258994A1. Автор: Seol Kwang Soo,Hwang Kihyun,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170345907A1. Автор: Seol Kwang Soo,Hwang Kihyun,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

3 Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101584113B1. Автор: 김한수,김진호,이원준,손병근,장대현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-13.

Three-dimensional semiconductor memory devices and manufacture method thereof

Номер патента: CN102201416B. Автор: 刘东哲,黄棋铉,薛光洙,许星会,朴赞真,崔汉枚,黄浣植,中西俊郎,朴洸珉,李柱烈. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110076819A1. Автор: Jinho Kim,Wonjun Lee,Hansoo Kim,Byoungkeun Son,Daehyun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230044895A1. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR TRANSISTOR WITH GATE CONTACT IN ACTIVE REGION

Номер патента: US20170092764A1. Автор: Labonte Andre,KNORR Andreas,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-03-30.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583503B1. Автор: Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11903206B2. Автор: Young Jin Kwon,Jong Seon AHN,Ji Sung CHEON,Seok Cheon Baek,Woong Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Dual three-dimensional and RF semiconductor devices using local SOI

Номер патента: US09508743B2. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Three-dimensional semiconductor device having vertical channel extending through horizontal layer structure and method of fabricating same

Номер патента: US11387248B2. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-07-12.

Three-dimensional semiconductor device structures and methods

Номер патента: US20110298047A1. Автор: Qi Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

REVERSE CONTACT AND SILICIDE PROCESS FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210098294A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,GRZESKOWIAK Jodi,Kal Subhadeep,Tapily Kandabara,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,NIIMI Hiroki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method with lateral channel

Номер патента: CN104347711B. Автор: 金锡基. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Techniques for bottom-up filling of three-dimensional semiconductor device topographies

Номер патента: TW201724273A. Автор: 弗羅瑞恩 格斯坦,拉米 胡拉尼,史考特 克蘭德寧,葛蘭特 克拉斯特,肯 法雪. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-07-01.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTORS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200119011A1. Автор: Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTORS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200119012A1. Автор: Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

INTERLAYER VIA CONTACTS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200126987A1. Автор: Loubet Nicolas,Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTORS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200152629A1. Автор: Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Reverse contact and silicide process for three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20210098294A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann,Jodi Grzeskowiak,Hiroki Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20180240802A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Methods of fabricating three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20140256101A1. Автор: Sung-Min Hwang,Woonkyung Lee,Hui-chang Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09576664B2. Автор: Sung Lae OH,Chang Man SON,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200381294A1. Автор: Akihiro Takahashi,Wataru Sakamoto,Kazuo Kibi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL STRUCTURES WITH VARIED SPACING AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190043881A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,KIM SungJoong. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL STRUCTURES WITH VARIED SPACING

Номер патента: US20190393243A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,KIM SungJoong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-26.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200075627A1. Автор: Yong-Hoon Son,Sung-Soo Ahn,Daehyun Jang,Minhyuk Kim,Jae Ho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200243559A1. Автор: LIM Geunwon,Baek Seokcheon,LEE Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-30.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190312052A1. Автор: Kim Yongseok,KANAMORI Kohji,LEE Kyunghwan,KANG Changseok,LIM Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Three dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102332346B1. Автор: 장재훈,이재덕,심선일,한지훈,이소현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-01.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US8796091B2. Автор: Youngwoo Park,Sung-Il Chang,Kwang Soo SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-05.

Conductor structure for three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09698080B2. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09941122B2. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09455268B2. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190341456A1. Автор: Junhee LIM,Bongyong Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-07.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20120164789A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20150380341A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230247834A1. Автор: Gukhyon Yon,Soyeong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10790358B2. Автор: Junhee LIM,Bongyong Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-29.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10032791B2. Автор: Seong Soon Cho,Joonhee Lee,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200027894A1. Автор: Young Hwan Son,Shin Hwan KANG,Seo Goo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11792982B2. Автор: Joonhee Lee,Joon-Sung LIM,Euntaek JUNG,Woosung YANG,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240015970A1. Автор: Joonhee Lee,Joon-Sung LIM,Euntaek JUNG,Woosung YANG,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-01-11.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210167080A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Su Jong Kim,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190319042A1. Автор: LIM Geunwon,Baek Seokcheon,LEE Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: CN112563283A. Автор: 李承桓,李洙衡,林周永,张大铉,丁相勋. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: CN113140574A. Автор: 张在薰,朴京恩,沈载株,禹东城,林钟光. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-20.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11626417B2. Автор: Sung-Min Hwang,Dong-Sik Lee,Byungjin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: DE102020124539A1. Автор: Sung-Min Hwang,Dong-Sik Lee,Byungjin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional semiconductor devices with current path selection structure and methods of operating the same

Номер патента: US20140197469A1. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Dohyun LEE,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9245902B2. Автор: Kil-Su JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-26.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US11901356B2. Автор: Yuichiro Sasaki,Sang Woo Lee,Sungkeun Lim,Pil-Kyu Kang,Sangjin Hyun,Weonhong Kim,Yongho Ha,Kughwan Kim,Seungha Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Wiring structures for three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9165611B2. Автор: Hoo-Sung Cho,Hong-Soo Kim,Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11792993B2. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11387253B2. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-12.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210125989A1. Автор: Yoosang Hwang,Changkyu Kim,Kiseok LEE,Sangyeon HAN,Sung-Min Park,Hui-jung Kim,Taehyun An,Hyungeun CHOI,Ahram Lee,Joongchan SHIN,Eunju CHO,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Power distribution networks for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200135645A1. Автор: Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device including contact plugs

Номер патента: US12046512B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200350330A1. Автор: Jeehoon HAN,Jaeryong Sim,Jongseon Ahn,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same

Номер патента: US11882705B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Sun Jun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same

Номер патента: US20210384221A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Sun Jun CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-12-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11133327B2. Автор: Young-jin JUNG,Hyoung-ryeol In,Sung-Han Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-28.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200083250A1. Автор: Young-jin JUNG,Hyoung-ryeol In,Sung-Han Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20210384256A1. Автор: Jeonghee Park,Changhyun Cho,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200395409A1. Автор: Jeonghee Park,Changhyun Cho,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150028425A1. Автор: KIM Suk Ki. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Method for manufacturing a three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR101933665B1. Автор: 박광민,유동철,윤주미,장병현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-12-31.

Three dimensional semiconductor memory device method for manufacturing the same

Номер патента: KR20120037296A. Автор: 손병근,임진수,윤종인. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for manufacturing a three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR20120129284A. Автор: 박광민,유동철,윤주미,장병현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-11-28.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449966B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160204102A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160293539A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200203431A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US10141372B2. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-27.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190081105A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11854982B2. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200168547A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20230056261A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit device including inter-die interface

Номер патента: US20240120276A1. Автор: Sun Hee Park,Jae Seung Choi,Byung-Su Kim,Bong Il Park,Chang Seok KWAK,Sang Joon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated using the same

Номер патента: US20140106569A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Seongsoo Lee,Daehyun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices having a vertical semiconductor pattern

Номер патента: US11839084B2. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20220293633A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200388634A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240090224A1. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,JiHye YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200212061A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jongwon Kim,Dong-Sik Lee,Byungyong CHOI,Gilsung Lee,Kangyoon Choi,Eungsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150048293A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

METHODS OF FORMING A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A DUAL STRESS CHANNEL AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20140225168A1. Автор: JR. William J.,Miller Robert,Juengling Werner,Taylor,Pham Daniel T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220181441A1. Автор: Smith Jeffrey,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,GUTWIN Paul. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-06-09.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Gate Electrodes

Номер патента: US20190139985A1. Автор: KIM Kwang Soo,JUNG Young Jin,LEE Jae Duk. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Vertical three-dimensional semiconductor device and method of making same

Номер патента: US20160163731A1. Автор: Judit Gloria Lisoni Reyes,Chi Lim Tan. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-06-09.

Method For Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20210358754A1. Автор: MASUOKA Fujio,HARADA Nozomu,Li Yisuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150340463A1. Автор: KIM Suk Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200212061A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jongwon Kim,Dong-Sik Lee,Byungyong CHOI,Gilsung Lee,Kangyoon Choi,Eungsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200411542A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,Lee Dong-sik,YANG WOOSUNG. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Method Of Fabricating Three Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR101778286B1. Автор: 박상용,염은선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140063936A1. Автор: Shim Sa Yong,Park Kyoung Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING GATE PICK-UP LINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160005859A1. Автор: KIM Jin Ha,CHUNG Isaac. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09812526B2. Автор: Seong Soon Cho,Dongseog EUN,Byoungil Lee,Hyunkook LEE,Kyung-Jun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Three-dimensional semiconductor memory device having sidewall and interlayer molds

Номер патента: US09418911B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions

Номер патента: US8742466B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09831267B2. Автор: Eun-young Lee,Jung Ho Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Jintae Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11910614B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US12074128B2. Автор: Moorym CHOI,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12075624B2. Автор: Junyong PARK,Seokcheon Baek,Jiho LEE,YoungHwan Son,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices including stair structures and dummy electrodes

Номер патента: US10332611B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Heonkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-25.

Three-dimensional semiconductor memory device with vertical structures between contact plugs

Номер патента: US12082412B2. Автор: Jongsoo Kim,Dongwoo Kim,Sunil Shim,Wonseok Cho,Ju-Young Lim,Jesuk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional semiconductor package having a stacked passive device

Номер патента: EP4423815A1. Автор: Rahul Agarwal,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11296102B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210098478A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Process of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US4612083A. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230387056A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200152654A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11848266B2. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240071910A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional semiconductor device including a through-via structure having a via liner having protruding portions

Номер патента: US20210125928A1. Автор: Kwangsoo Kim,JoongShik SHIN,Junhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20220319983A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Three-dimensional semiconductor device including a through-via structure having a via liner having protruding portions

Номер патента: US20220344267A1. Автор: Kwangsoo Kim,JoongShik SHIN,Junhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172838A1. Автор: Kohji Kanamori,YoungHwan Son,Seo-Goo Kang,Kwonsoon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Three-dimensional semiconductor memory device with vertical channels in a connection region having a lower channel pattern contacting the substrate

Номер патента: US11864382B2. Автор: Jongwon Kim,Young-jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods and apparatuses for void-free tungsten fill in three-dimensional semiconductor features

Номер патента: SG10201402625UA. Автор: Joydeep Guha,Anand Chandrashekar,Hua Xiang,Raashina Hamayun. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11785768B2. Автор: JoongShik SHIN,Euntaek JUNG,Dongyoun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11678488B2. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-13.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200194373A1. Автор: Junhyoung Kim,Seokcheon Baek,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200194456A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210202522A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of manufacturing of advanced three-dimensional semiconductor structures and structures produced therefrom

Номер патента: CA3088034A1. Автор: Robert Steven Hannebauer. Владелец: Lumiense Photonics Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20190157291A1. Автор: Taehee Lee,Kyoung-hoon Kim,Hee-Sung KAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing of advanced three-dimensional semiconductor structures and structures produced therefrom

Номер патента: US12021072B2. Автор: Robert Steven Hannebauer. Владелец: Lumiense Photonics Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10720441B2. Автор: Taehee Lee,Kyoung-hoon Kim,Hee-Sung KAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-21.

Method of manufacturing of advanced three-dimensional semiconductor structures and structures produced therefrom

Номер патента: US20210057403A1. Автор: Robert Steven Hannebauer. Владелец: Lumiense Photonics Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US12094781B2. Автор: Makoto Miura,Satoshi Sakai,Yasushi Sonoda,Kiyohiko Sato. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CO-FABRICATED ADJACENT CAPACITOR

Номер патента: US20170033113A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-02-02.

Three-dimensional semiconductor memory device having inclined gate electrode

Номер патента: CN108389865B. Автор: 孙龙勋,郑恩宅,申重植,朴志勋,车俊昊,禹钟昊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-03.

With the three-dimensional semiconductor memory device for tilting gate electrode

Номер патента: CN108389865A. Автор: 孙龙勋,郑恩宅,申重植,朴志勋,车俊昊,禹钟昊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-10.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: US09634022B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160005747A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Three-dimensional semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230403840A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09876055B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09812464B1. Автор: Sung-Min Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20190333923A1. Автор: Jongwon Kim,Minyeong SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847341B2. Автор: HongSoo KIM,Yoocheol Shin,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09997530B2. Автор: Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Gukhyon Yon,Dongkyum Kim,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Three-dimensional semiconductor memory device andelectronic system including the same

Номер патента: US20240237362A9. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098996A1. Автор: Sunggil Kim,Siyeong YANG,Yuyeon Kim,Jumi Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory device andelectronic system including the same

Номер патента: US20240138157A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312902A1. Автор: Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847346B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210366986A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chiung-Lin Hsu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230134878A1. Автор: KANAMORI Kohji,Jeehoon HAN,Seung Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Three-dimensional semiconductor package

Номер патента: US20240321840A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190371809A1. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210143176A1. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230282603A1. Автор: Hyun Soo Shin,Kang Sik Choi,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180019336A1. Автор: Sang Yong Kim,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11758719B2. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional semiconductor device having a first main separation structure and a second main separation structure on a lower structure

Номер патента: US11812609B2. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Three-dimensional semiconductor device having a memory block and separation structures

Номер патента: US10978465B2. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-13.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20170352674A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-07.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160293622A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190019804A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-17.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US10483274B2. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-19.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9748258B2. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190355737A1. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230413545A1. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240074192A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Byoung Jae Park,Jongseon Ahn,Seung Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150104919A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200161330A1. Автор: Kohji Kanamori,YoungHwan Son,Seo-Goo Kang,Kwonsoon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device used for diode

Номер патента: JP7261281B2. Автор: 群賢 蔡,庭鵑 李,聡富 顔,光瑞 張,群榮 蔡. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same

Номер патента: US20240040791A1. Автор: Sunil Shim,Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320096A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240023324A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230262980A1. Автор: Jaechul Lee,Byung-Sun Park,Dae-Hun Choi,Seungjae Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12010852B2. Автор: Yoonhwan SON,Jeongseok LEE,Gaeun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200395381A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Bio Kim,Junggeun Jee,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20230180477A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Junggeun LEE,Bio Kim,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10910396B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-02.

Three-dimensional semiconductor memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP4301109A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-03.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20220077126A1. Автор: Seong Ho Choi,Jin HO KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190333967A1. Автор: Mu-hui Park,Wooyeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10256250B2. Автор: Kihyun Kim,Chadong Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11973025B2. Автор: Seungmin Lee,Junhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200105786A1. Автор: Soyeon Kim,Dongseog EUN,Hanyoung LEE,Young-bae Yoon,Jibong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230309307A1. Автор: Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200402983A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4258841A1. Автор: Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200091186A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Bio Kim,Junggeun Jee,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190304993A1. Автор: Taehee Lee,Hyunwook Kim,Eun-jung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11805710B2. Автор: Heejung Kim,Taehong Min,Chorong Park,Joohee SEO,Eunsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20230422523A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US11887951B2. Автор: Jiyoung Kim,Moorym CHOI,Sanghee YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210005629A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240130122A1. Автор: Jaeho Choi,Seungmin Lee,Daeyeong Lee,Sunyi LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180019336A1. Автор: OH Dong Yean,KIM Sang Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

A method for manufacturing three-dimensional semiconductor diode device

Номер патента: TWI784335B. Автор: 蔡群賢,李庭鵑,蔡群榮,顏聰富,張光瑞. Владелец: 台灣奈米碳素股份有限公司. Дата публикации: 2022-11-21.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140099761A1. Автор: Kim Bio,Hwang Kihyun,Ahn Jaeyoung,Lim SeungHyun,Kim Dongwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-10.

METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE

Номер патента: US20220140106A1. Автор: TSAI CHUN-HSIEN,LEE Ting-Chuan,TSAI Chun-Jung,YEN Tsung-Fu,CHANG Kuang-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Three-dimensional semiconductor device having variable resistance structure

Номер патента: US12063795B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200135756A1. Автор: Jae-Joo Shim,Bongtae Park,Joo-Heon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11968836B2. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203370A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210020658A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: SG10201908165TA. Автор: Shim Jae-Joo,PARK Bongtae,KANG Joo-Heon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-Dimensional Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20150037951A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Lim Jin-Soo,Chang Sung-IL Il. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180040695A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,Kal Subhadeep,Mohanty Nihar,Tapily Kandabara. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PADS

Номер патента: US20150064900A1. Автор: Lee Ki Hong,Pyi Seung Ho,JEON Seok Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180330948A1. Автор: JANG Daehyun,KWON Yong-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

Three-dimensional semiconductor device including integrated circuit, transistors and transistor components and method of fabrication

Номер патента: US20190326301A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102024723B1. Автор: 김한수,조원석,황성민,이운경. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-09-24.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: TW201813055A. Автор: 傑佛瑞 史密斯,安東 德維利耶. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-01.

Methods of Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20150126007A1. Автор: LEE Seung-yup,KIM JinGyun,LEE Myoungbum,SHIN Seungmok,Jang Kyung-Tae,SOHN YEON-SIL,Choi Dae-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200135756A1. Автор: Shim Jae-Joo,PARK Bongtae,KANG Joo-Heon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200266209A1. Автор: YU HAN GEUN,JANG Daehyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-08-20.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190288001A1. Автор: YU HAN GEUN,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

METHOD OF FABRICATING A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150318302A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200328227A1. Автор: Lee Jung Hoon,Kang Jin-Kyu,LEE Jaeduk,PARK Sejun,Lee Changsub,JANG Woojae. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190326315A1. Автор: LEE Jaegoo,Lee Bongyong. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200381294A1. Автор: SAKAMOTO Wataru,TAKAHASHI Akihiro,KIBI Kazuo. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-12-03.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200066742A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Geunwon LIM,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150132906A1. Автор: Park Young Woo,Chang Sung-Il,Lee Jae Goo. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Three-dimensional semiconductor device having a support pattern in contact with a side surface of a contact plug

Номер патента: US11930640B2. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301104A1. Автор: Seung Min Lee,Jae Seok Kim,Bo yun KIM,Nam Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three dimensional semiconductor trace length matching and associated systems and methods

Номер патента: US20230378043A1. Автор: Chin Hui Chong,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200251417A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11854975B2. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190148295A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240105604A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093642A1. Автор: Hyung Joon Kim,Yong Seok Cho,Su Hyeong Lee,Eun Yeoung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Three-dimensional semiconductor device having a support pattern in contact with a side surface of a contact plug

Номер патента: US20240179918A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899411B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09559111B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US20160254158A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Methods of Fabricating Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20180090512A1. Автор: Yoon Boun,JANG Ki Hoon,KWON Byoungho,Kim Ki-Woong,Kim Hyo-Jung,Seo Kieun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102428273B1. Автор: 이정환,이지현,김지용,윤석중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150311301A1. Автор: Seol Kwang Soo,Hwang Kihyun,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: CN110364533A. Автор: 任峻成,尹壮根,赵恩锡. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-22.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR20120048415A. Автор: 박찬진,조혜진,장성일,이창현,손병근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-05-15.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20220189991A1. Автор: Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Byungjin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20220162224A. Автор: 손용훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-08.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR TEMPLATE FOR MAKING HIGH EFFICIENCY THIN-FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20150061086A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Wang David Xuan-Qi. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20210104410A1. Автор: Nielson Gregory Nolan. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200303390A1. Автор: Jin-Kyu Kang,Jaehoon Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Seungwan Hong,Okcheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20160056209A1. Автор: SUH Jun Kyo. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220278125A1. Автор: Kwon Young Jin,BAEK SEOK CHEON,AHN Jong Seon,CHEON JI SUNG,LEE WOONG SEOP. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Three-dimensional semiconductor devices and method for fabricating the same

Номер патента: KR102533146B1. Автор: 이상수,김성길,김슬예,최지훈,김동겸,홍혜은. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-05-18.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11342351B2. Автор: Young Jin Kwon,Jong Seon AHN,Ji Sung CHEON,Seok Cheon Baek,Woong Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170133400A1. Автор: KIM JinGyun,YANG Junkyu,NAM Phil Ouk,Eom Daehong,LEE Woong,Yoo Dongchul,LEE WOOSUNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

POWER DISTRIBUTION NETWORKS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200135645A1. Автор: Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200203370A1. Автор: HAN Jeehoon,SON YOUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210242237A1. Автор: LIM Geunwon,Baek Seokcheon,HONG SANGJUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200258905A1. Автор: KIM Tae Hun,Kim Yongseok,SEO Dongkyun,LEE Kyunghwan,LIM Junhee,KIM BYOUNG-TAEK. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180374867A1. Автор: HWANG Sung-Min,Cho Hoosung,Yun Jang-Gn,KIM Sunyoung,Lim Joon-Sung,YUN Jaesun,KOO Kyoil,RYOU Cheol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING A PENETRATION REGION PASSING THROUGH A GATE ELECTRODE

Номер патента: US20190393240A1. Автор: KIM Kwang Soo,KIM Si Wan,Kim Jun Hyoung,Choi Bong Hyun,Oh Kyoung Taek. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR101616089B1. Автор: 김한수,정재훈,장재훈,심선일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-04-28.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: KR101892245B1. Автор: 최정달,설광수,윤장근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-08-29.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10978480B2. Автор: Tae Hun Kim,Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Byoung-taek Kim,DongKyun Seo,Junhee LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-13.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10964714B2. Автор: Geunwon LIM,SangJun HONG,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-30.

Three-dimensional semiconductor memory device including through region passing through gate stack structure

Номер патента: CN110634872A. Автор: 金光洙,金俊亨,崔凤贤,金是完,吴京泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-31.

Three-dimensional semiconductor structures

Номер патента: KR20230036507A. Автор: 항-팅 루에,텡-하오 예,웨이-첸 첸. Владелец: 매크로닉스 인터내셔널 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2023-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20130093005A1. Автор: Jungdal CHOI,Jang-Gn Yun,Kwang Soo SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190139983A1. Автор: KIM Tae Hun,Kim Yongseok,SEO Dongkyun,LEE Kyunghwan,LIM Junhee,KIM BYOUNG-TAEK. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20220310652A1. Автор: HAN Jeehoon,SON YOUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190181226A1. Автор: Kim Sunggil,Choi Ji-hoon,Lee Sangsoo,KIM Seulye,Kim Dongkyum,HONG Hyeeun. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Three-Dimensional Calibration Structures and Methods for Measuring Buried Defects on a Three-Dimensional Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180224749A1. Автор: Robert M. Danen,Philip Measor. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Three-dimensional calibration structures and methods for measuring buried defects on a three-dimensional semiconductor wafer

Номер патента: WO2018144956A1. Автор: Robert M. Danen,Philip Measor. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-09.

Three-dimensional semiconductor device with vertical and horizontal channels in stack structure having electrodes vertically stacked on the substrate

Номер патента: US09685452B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20240365568A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09419011B2. Автор: Jin-woo Park,Seok-Won Lee,Seungwoo Paek,Kyoung-hoon Kim,Sunyeong LEE,Taekeun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190221610A1. Автор: Ludovic Goux,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Davide Francesco CROTTI,Luca Di Piazza. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10825868B2. Автор: Ludovic Goux,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Davide Francesco CROTTI,Luca Di Piazza. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09741733B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US12048168B2. Автор: Ki Hong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240203944A1. Автор: Jae Seung Choi,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20170352679A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312908A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432805A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09947684B2. Автор: Jinwoo Park,Seok-Won Lee,Yong-Hyun Kwon,Joyoung Park,Oik Kwon,Seungpil Chung,JeongSoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09659958B2. Автор: Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee,Sejun Park,Woong-Seop LEE,Keejeong Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301102A1. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor device with isolated dummy pattern

Номер патента: US20180301407A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301098A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10038009B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Method, System, and Apparatus for Forming Three-Dimensional Semiconductor Device Package with Waveguide

Номер патента: US20210035927A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Stephen Ryan Hooper. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Three dimensional semiconductor circuit structure with optical interconnection

Номер патента: US5637907A. Автор: Glenn J. Leedy. Владелец: Elm Technology Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240023337A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Takuya Futatsuyama,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Mid-tunneling dielectric band gap modification for enhanced data retention in a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09443866B1. Автор: Kiyohiko Sakakibara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240324237A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeonil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200135568A1. Автор: Ryckaert Julien,BOEMMELS Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190214404A1. Автор: Kwon Young Jin,BAEK SEOK CHEON,AHN Jong Seon,CHEON JI SUNG,LEE WOONG SEOP. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

Mid-tunneling dielectric band gap modification for enhanced data retention in a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160284726A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP1603163A3. Автор: Tatsuya Shimoda,Satoshi Inou. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-18.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20220077129A1. Автор: Jiyoung Kim,Junyoung Choi,Jungtae Sung,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20190371808A1. Автор: Dong-Sik Lee,Gilsung Lee,Kangyoon Choi,Eunsuk Cho,Yongsik Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200388634A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK,YUN JiHye. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190393241A1. Автор: KIM Kwang-Soo,Baek Seokcheon. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: KR102437273B1. Автор: 장대현,유한근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-30.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US10672790B2. Автор: Han Geun Yu,Daehyun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20220293633A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK,YUN JiHye. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09905574B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09793292B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR101003542B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR20100041625A. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-04-22.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203376A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20170263641A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20150357345A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160204102A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL CHANNEL

Номер патента: US20150372057A1. Автор: KIM Suk Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Three Dimensional Semiconductor Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102045858B1. Автор: 이웅,이우성,양준규,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-11-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20230403857A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11778828B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20130270643A1. Автор: Hyun Park,Jae-Young Ahn,Kihyun Hwang,Jongsik Chun,Juyul Lee,Kwangmin Park,Dongchul Yoo,Bumsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20140042520A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190088678A1. Автор: Arai Shinya. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203376A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200403001A1. Автор: Arai Shinya. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-12-24.

Optoelectronic device comprising a three-dimensional semiconductor structure arranged in an axial direction

Номер патента: CN111033747A. Автор: 埃里克·普尔基耶. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2020-04-17.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102130057B1. Автор: 이주열,김범수,박현,황기현,안재영,박광민,유동철,전종식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-07-06.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11417679B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: KR101907446B1. Автор: 김한수,이혜연,임진수,정진하,블라디미르 우라자에브. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-10-12.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES IN AXIAL CONFIGURATION

Номер патента: FR3068517A1. Автор: Eric Pourquier. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2019-01-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160111441A1. Автор: Jang-Hyun You,Jintaek Park,Sunghoi Hur. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09653565B2. Автор: Jaeyoung Ahn,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09711520B2. Автор: XIA Zhiliang,Young-Gu Kim,Etienne Nowak,Daesin Kim,Narae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Visualization of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20200271595A1. Автор: Thaddeus G. Dziura,Andrei Veldman,Jonathan Iloreta,Houssam Chouaib,Yin Xu,Liequan Lee,John Hench,Aaron J. ROSENBERG,Antonio GELLINEAU,Kaiwen Xu,Abhi Gunde. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Visualization of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20200393386A1. Автор: Thaddeus G. Dziura,Andrei Veldman,Jonathan Iloreta,Houssam Chouaib,Yin Xu,Liequan Lee,John Hench,Aaron J. ROSENBERG,Antonio GELLINEAU,Kaiwen Xu,Abhi Gunde. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional semiconductor device and production method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN105679761A. Автор: 霍宗亮,夏志良. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-06-15.

Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process

Номер патента: US4822752A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-04-18.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US20210104410A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2020-02-05.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US20220349084A1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: US12031227B2. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US12004350B2. Автор: JoongShik SHIN,SangJun HONG,Euntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613B1. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: EP3602613C0. Автор: Gregory Nolan NIELSON. Владелец: Nielson Scient LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Three-dimensional semiconductor template for making high efficiency solar cells

Номер патента: US9590035B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Parallelized three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: WO2024040142A2. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Parallelized three-dimensional semiconductor fabrication

Номер патента: WO2024040142A3. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20120164789A1. Автор: Wen-Chih Chiou,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150060752A1. Автор: SUH Jun Kyo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Vertical Structures

Номер патента: US20190157282A1. Автор: JUNG Young Jin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL STRUCTURES

Номер патента: US20200168621A1. Автор: JUNG Young Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-28.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Three-dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190206732A1. Автор: Shou-Wei Huang,Cheng-Wei Lin,Wei-Min Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES WITH INCLINED GATE ELECTRODES

Номер патента: US20180226424A1. Автор: Son Yong-Hoon,CHA Junho,Park Jihoon,SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK,Woo Jongho. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190237475A1. Автор: Lee Sung Hun,JUNG Eun Taek. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170250193A1. Автор: Huo Zongliang. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20150380341A1. Автор: Chiou Wen-Chih,Lu David Ding-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN109309095A. Автор: 朴玄睦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-05.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR101003541B1. Автор: 이상윤,박준일,정준. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN112234069A. Автор: 宋柱鹤. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-15.

Three-dimensional semiconductor device including a cell array region and a contact region

Номер патента: US10615124B2. Автор: Hyun-Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-07.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR20190095812A. Автор: 신중식,정은택,홍상준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-08-16.

Methods of manufacturing three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US8741761B2. Автор: Youngwoo Park,Byungkwan You,Kwang Soo SEOL,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN105355602B. Автор: 霍宗亮,叶甜春. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-18.

Three-dimensional semiconductor device and forming method thereof on insulator

Номер патента: CN103400858B. Автор: 许军,王敬,梁仁荣. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-20.

Three-dimensional semiconductor devices including select gate patterns having different work function from cell gate patterns

Номер патента: US8110834B2. Автор: Jinho Kim,Hansoo Kim,Sunil Shim,Sunghoi Hur,Younggoan Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240107773A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeon Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130146961A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130248983A1. Автор: SHIM Sunil,Kim Jinho,Hur Sunghoi,Yi Su-Youn,Moon HuiChang,Jang Younggoan. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING GATE PICK-UP LINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160005794A1. Автор: KIM Jin Ha,CHUNG Isaac. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES INCLUDING A VERTICAL CHANNEL

Номер патента: US20170125522A1. Автор: Park Youngwoo,Sim Jaesung. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200144380A1. Автор: HWANG Sung-Min,KIM Jiyoung,Lim Joon-Sung,KIM Jiwon,YANG WOOSUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-07.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20170207238A1. Автор: Seong Soon Cho,Joonhee Lee,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203372A1. Автор: Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200227438A1. Автор: Lee Sung-hun,Lee Joonhee,Lee Chang-Sup,CHO SEONG SOON. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

EXTERNAL UV LIGHT SOURCES TO MINIMIZE ASYMMETRIC RESIST PATTERN TRIMMING RATE FOR THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR CHIP MANUFACTURE

Номер патента: US20140335695A1. Автор: Joubert Olivier,LUERE Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190237477A1. Автор: BAEK SEOK CHEON,Lee Sung Hun. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US20150303213A1. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150311214A1. Автор: KIM JinGyun,YANG Junkyu,NAM Phil Ouk,Eom Daehong,LEE Woong,Yoo Dongchul,LEE WOOSUNG. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20180315772A1. Автор: Seong Soon Cho,Joonhee Lee,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-01.

Three-dimensional semiconductor wafer

Номер патента: US20170330936A1. Автор: Wang Zhenguo,DENG Jianwei,Zhang Zhilin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190341456A1. Автор: Lee Bongyong,CHOI Moorym,LIM Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200357817A1. Автор: Lee Dong-sik,CHO EUNSUK,CHOI KANGYOON,LEE GILSUNG,YIM Yongsik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-11-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200373324A1. Автор: Lim Joon-Sung,LEE Byungjin,Lee Dong-sik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-11-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190378855A1. Автор: KIM Kwang Soo,KIM Si Wan,Kim Jun Hyoung,OH Kyoung Taek. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200402991A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Three-dimensional semiconductor template for making high efficiency thin-film solar cells

Номер патента: US8168465B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Three-dimensional semiconductor template for making high efficiency thin-film solar cells

Номер патента: US8664737B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Selexel Inc. Дата публикации: 2014-03-04.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10998334B2. Автор: Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-04.

three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: CN110556384A. Автор: 李吉成,李东植,任庸植,赵恩锡,崔康润. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: CN110120393A. Автор: 郑恩宅,申重植,洪祥准. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-13.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: CN110600481A. Автор: 金光洙,金俊亨,金是完,吴京泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-20.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: WO2019167635A1. Автор: 良典 西脇,和雄 吉備,大久保　和哉,坂本　渉,俊武 津田,李　彰原,高橋　彰宏. Владелец: 東京エレクトロン株式会社. Дата публикации: 2019-09-06.

Semiconductor device having an inter-layer via (ILV), and method of making same

Номер патента: US09484350B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng-Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Vertical noise reduction in 3D stacked semiconductor devices

Номер патента: US10879234B2. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Vertical noise reduction in 3d stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230048737A1. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Vertical noise reduction in 3d stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210118872A1. Автор: Shu-Chun YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Bridge line structure for bit line connection in a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09613975B2. Автор: Masayuki Hiroi,Chun-Ming Wang,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani,Chenche Huang,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Three-dimensional semiconductor architecture

Номер патента: US09559003B2. Автор: Kuo H. Wu,Oscar M. K. Law. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Three-dimensional semiconductor device comprising an inter-die connection on the basis of functional molecules

Номер патента: US20130221540A1. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Three-dimensional semiconductor device comprising an inter-die connection on the basis of functional molecules

Номер патента: US8440561B2. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20120108048A1. Автор: Hyo Jung Kim,Kyung Hyun KIM,Jong Heun Lim,Jae Joo Shim,Chang Sup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210057445A1. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200058667A1. Автор: BAEK SEOK CHEON. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170110474A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200152659A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150170714A1. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-18.

BRIDGE LINE STRUCTURE FOR BIT LINE CONNECTION IN A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293621A1. Автор: Higashitani Masaaki,Wang Chun-Ming,MIZUTANI Yuki,Hiroi Masayuki,Huang Chenche,Koketsu Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180323209A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR20210010748A. Автор: 이상우,임성근,강필규,김국환,김원홍,현상진,하용호,오승하,유이치로 사사키. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-01-28.

Three-Dimensional Semiconductor Devices And Methods Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102059196B1. Автор: 박영우,이재덕,박진택,코지 카나모리. Владелец: 에프아이오 세미컨덕터 테크놀로지스, 엘엘씨. Дата публикации: 2019-12-24.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: CN103971722A. Автор: 金森宏治,朴泳雨,李载悳,朴镇泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-06.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN103971722B. Автор: 金森宏治,朴泳雨,李载悳,朴镇泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-14.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: TWI618066B. Автор: 金森宏治,朴泳雨,朴鎭澤,李載悳. Владелец: 三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-11.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20210154622A. Автор: 나훈주,김원홍,오승하. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-21.

Three-dimensional semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN113871398A. Автор: 罗勋奏,金元洪,吴承河. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-31.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: TW201430844A. Автор: Kohji Kanamori,Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Jin-Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-01.

POWER DISTRIBUTION NETWORKS FOR MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200135646A1. Автор: Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190259776A1. Автор: KIM Sunghoon,Kim Chang-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Advanced through substrate via metallization in three dimensional semiconductor integration

Номер патента: US20170345738A1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

ADVANCED THROUGH SUBSTRATE VIA METALLIZATION IN THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATION

Номер патента: US20170345739A1. Автор: Yang Chih-Chao,EDELSTEIN Daniel C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Three dimensional semiconductor memory device Method for manufacturing the same

Номер патента: KR101774508B1. Автор: 김한수,박영우,장성환,윤종인. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-04.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: KR20200008335A. Автор: 김태훈,이봉용,배민경. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-01-28.

3 Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: KR101548674B1. Автор: 김민구,김한수,최석헌,김진호,안영수,손병근,최재형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-09-01.

Three-dimensional semiconductor element with isolated quasi-patterns

Номер патента: CN108735728B. Автор: 叶腾豪,洪敏峰,胡志玮. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-05.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR102472376B1. Автор: 김동혁,오성래,정수남. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-12-01.

Three-dimensional semiconductor architecture

Номер патента: US9111936B2. Автор: Kuo H. Wu,Oscar M. K. Law. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: SG10202007886XA. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoosang,PARK Sung-Min,Kim Changkyu,LEE KISEOK,Shin Joongchan,Han Sangyeon,An Taehyun,Lee Ahram,CHO Eunju,CHOI Hyungeun,SHIN Iljae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09515087B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947683B2. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Three dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107774A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeon Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160005747A1. Автор: Lee Ki Hong,Pyi Seung Ho,Park In Su. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190035733A1. Автор: Park Hyun-Mog. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210074717A1. Автор: LIM Bongsoon,BYEON Daeseok. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200083250A1. Автор: Jung Young-Jin,Cho Sung-Han,In Hyoung-ryeol. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170110543A1. Автор: Eun Dongseog,Shin Kyung-Jun,Lee Byoungil,CHO SEONG SOON,LEE HYUNKOOK. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150138862A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,LEE Jaeduk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180151587A1. Автор: KIM Sunghoon,SON JAEICK. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190333855A1. Автор: Park Hyun-Mog. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220352203A1. Автор: Kim Sungjin,Kim Junghwan,Kim Sunggil,KIM Seulye,KIM Chanhyoung. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Three-dimensional semiconductor devices and method for fabricating the same

Номер патента: KR102419168B1. Автор: 황성민,이동식,임준성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-11.

Three Dimensional Semiconductor Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR102054258B1. Автор: 양준규,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-12-10.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: JPS56126919A. Автор: Masao Kato,Junichi Nishizawa,Yukihisa Takahashi,Keishiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1981-10-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: SG10201904364RA. Автор: Jung Young-Jin,Cho Sung-Han,In Hyoung-ryeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-29.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160005759A1. Автор: KIM Kihyun,Yeo Chadong. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190035798A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lim Joon-Sung,Lee Dong-sik. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170047343A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Jaeduk,LEE Dohyun,SON YOUNGHWAN,SONG MINYEONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170084696A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Changhyun,KANG Shinhwan,LEE Heonkyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160118399A1. Автор: Park Youngwoo,Sim Jaesung,KANG Shinhwan,LEE Jaeduk,SON YUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, OPERATING METHOD OF THE SAME AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210384221A1. Автор: Choi Chang Hwan,SONG Yun Heub,CHOI Sun Jun,JEONG Jae Kyeong. Владелец: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2021-12-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190304991A1. Автор: SEO Seongjun,Na Hyun-Seok,Lee Heejueng,JOO Heung Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10937797B2. Автор: Seongjun Seo,Hyun-Seok Na,Heejueng Lee,Heung Jin Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-02.

Three-dimensional semiconductor memory device and operational approach thereof

Номер патента: CN106169307A. Автор: 朴泳雨,李昌炫,李载悳,安洙珍,李到显. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-30.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20180076212A1. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180151672A1. Автор: Lee Bongyong,CHOI Moorym,LIM Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Sangyeon HAN,Joongchan SHIN,Byeungmoo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US8409977B2. Автор: Jinsoo Lim,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sungmi Hwang,Wonseok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210020628A1. Автор: Kang Pil-kyu,Lee Sang Woo,SASAKI Yuichiro,Lim SungKeun,Hyun Sangjin,KIM WeonHong,OH Seungha,HA Yongho,KIM Kughwan. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190081105A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200083296A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20170179146A1. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200203431A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180240802A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-08-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200273912A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

String Selection Structure Of Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: KR102024710B1. Автор: 이창현,황성민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-09-24.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9281019B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-08.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: JPS62154770A. Автор: Toru Inaba,稲葉　透. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-07-09.

Three-dimensional semiconductor device and related method of operation

Номер патента: US20110199804A1. Автор: Yong-Hoon Son,Myoung bum Lee,Ki Hyun Hwang,Seung Jae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20130313631A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,NAM Phil Ouk,Son Youngseon,Lee Kwangyoung. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101825539B1. Автор: 최지훈,김중호,김진균,양상렬,공유철,신재진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-03-22.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: CN114121968A. Автор: 李基硕,黄有商,崔贤根,金恩知,文钟淏,文泂烈,俞瀚植,郑承宰,安泰炫,韩相然. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-01.

three dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101842900B1. Автор: 김한수,박영우,이재구,정길수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-03-29.

Three-dimensional semiconductor chip containing memory die bonded to both sides of a support die and methods of making the same

Номер патента: US10665581B1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-26.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20220068859A1. Автор: Jong-Ho Moon,Eun-ji Kim,Yoosang Hwang,Han-Sik Yoo,Kiseok LEE,Sangyeon HAN,Taehyun An,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Hyoungyol MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09666525B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Sanghoon Ahn,Daeseok Byeon,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Self-aligned integrated line and via structure for a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09484296B2. Автор: Ryoichi Honma,Akihide Takahashi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor devices, and three-dimensional semiconductor devices thereof

Номер патента: US20160204123A1. Автор: Chen Kuang-Chao,Hong Shih-Ping,Yang Ta-Hone,Lian Nan-Tsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954B1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150303142A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Mikio Yukawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230230937A1. Автор: Dong Young Kim,Young-Min Ko,Hyunuk Jeon,Yuseon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220375959A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Sukkang SUNG,Sangdon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077138A1. Автор: Hyosung Lee,Suk Koo Hong,Miyeong Kang,Kyoungyong Cho,Sunkak Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Advanced through substrate via metallization in three dimensional semiconductor integration

Номер патента: US09786605B1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Three-Dimensional Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240105631A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Sheng-Chi Lin,Hao-Cheng Hou,Jeng-An Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-Dimensional Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20130295761A1. Автор: HWANG Sung-Min,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220028731A1. Автор: SHIM Sunil,KANG Shinhwan,SON YOUNGHWAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-01-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190013237A1. Автор: Ahn Jaeyoung,NAM Phil Ouk,Lee Sangsoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200027893A1. Автор: KWON Hyuk Ho,LEE So Yoon,YANG Han Vit,SON Yong Hoon,KANG Moon Jong,AHN Sung Soo. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Method, System, and Apparatus for Forming Three-Dimensional Semiconductor Device Package with Waveguide

Номер патента: US20210035927A1. Автор: Gong Zhiwei,Hayes Scott M.,Vincent Michael B.,Hooper Stephen Ryan. Владелец: NXP USA, Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210036014A1. Автор: KWON Hyuk Ho,LEE So Yoon,YANG Han Vit,SON Yong Hoon,KANG Moon Jong,AHN Sung Soo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-02-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190043880A1. Автор: Lee Jung Hwan,KIM Jee Yong,YUN Seok Jung,LEE Ji Hyeon. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160056302A1. Автор: Lee Ki Hong,Bin Jin Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200051998A1. Автор: Lee Jung Hwan,KIM Jee Yong,YUN Seok Jung,LEE Ji Hyeon. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190057898A1. Автор: SHIM Sunil,KANG Shinhwan,SON YOUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

On-chip capacitors in three-dimensional semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220102267A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A THROUGH-VIA STRUCTURE HAVING A VIA LINER HAVING PROTRUDING PORTIONS

Номер патента: US20210125928A1. Автор: KIM Junhyoung,SHIN Joongshik,KIM Kwangsoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170133397A1. Автор: LEE Yeonghun. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190148295A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Three-Dimensional Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20170154895A1. Автор: Huo Zongliang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140248766A1. Автор: JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,CHO Woojin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-04.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20170179028A1. Автор: Seong Soon Cho,Sung-Hun Lee,Chang-Sup Lee,Jeehoon HAN,Seokjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

SELF-ALIGNED INTEGRATED LINE AND VIA STRUCTURE FOR A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160240476A1. Автор: HONMA Ryoichi,TAKAHASHI Akihide. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200251417A1. Автор: Lee Sung-hun,HAN Jeehoon,Lee Chang-Sup,CHO SEONG SOON,YUN Seokjung. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180269214A1. Автор: Jiang Yu-Wei,Chiou Jia-Rong. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180294274A1. Автор: SHIM Sunil,JANG Jaehoon,HAN Jeehoon,LEE Jaeduk,LEE SOHYEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190326166A1. Автор: Ahn Jaeyoung,NAM Phil Ouk,Lee Sangsoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-24.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102451170B1. Автор: 이은영,김슬예,최지훈,김동겸,김중호,노진태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-10-06.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102427324B1. Автор: 김종원,정영진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-29.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102442933B1. Автор: 심선일,손영환,강신환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-09-15.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102437416B1. Автор: 이정환,김지용,안상훈,변대석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-30.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR20180061475A. Автор: 김성훈,손재익. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-06-08.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11296104B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR101057569B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2011-08-17.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR20200008828A. Автор: 손용훈,안성수,권혁호,양한빛,이소윤,강문종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-01-29.

On-Chip Capacitors in Three-Dimensional Semiconductor Devices and Methods of Forming The Same

Номер патента: KR20230014087A. Автор: 리앙 첸,웨이 리우,레이 슈. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2023-01-27.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: CN102456675A. Автор: 金敬勋,黄盛珉,朴镇泽,赵源锡,沈载株,赵厚成,李云京,金种衍. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-16.

Three-dimensional semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: KR102421766B1. Автор: 이상수,안재영,남필욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9818758B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Process for fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP0168815A2. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-01-22.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN108122921A. Автор: 金成勋,孙在翼. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN108122921B. Автор: 金成勋,孙在翼. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-04.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN110729306A. Автор: 权赫镐,孙龙勋,杨韩光,康文综,安圣洙,李昭润. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-24.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20200137806A. Автор: 김형준,조용석,이수형,최은영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A4. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

METHOD OF MAKING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING UNIFORM THICKNESS SEMICONDUCTOR CHANNEL

Номер патента: US20180006041A1. Автор: Fukata Syo,XU Jiyin,HONMA Ryoichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210210475A1. Автор: Jin HO KIM,Young Ki Kim,Sang Hyun Sung,Byung Hyun JUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Test structure and methodology for three-dimensional semiconductor structures

Номер патента: US20120262197A1. Автор: Kerry Bernstein,Paul D. Kartschoke,Donald L. Wheater,Christopher M. Durham,Peter J. Klim,Jerome L. Cann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Three dimensional semiconductor assembly board with bump/flange supporting board, coreless build-up circuitry and built-in electronic device

Номер патента: US20130032938A1. Автор: Charles W.C. Lin,Chia-Chung Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130140623A1. Автор: Park Youngwoo,SON Byoungkeun,LEE Changhyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130171806A1. Автор: Cho Hoosung,SHIM Sunil,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Hur Sunghoi. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130270625A1. Автор: Lim SeungHyun,CHOI Jungdal,YANG Junkyu,PARK Kwangmin,KIM BYONGJU,Jang Byong-hyun,Seol Kwangsoo,YUN Janggn. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130313629A1. Автор: SHIM Sunil,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok,LIM Jinsoo,Hwang Sungmi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130334593A1. Автор: Lee Ju-Yul,Hwang Ki-Hyun,Seol Kwang-Soo,Choi Hanmei,Park ChanJin,Hur Sunghoi,PARK Kwangmin,Nakanishi Toshiro,Hwang Wansik. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140070302A1. Автор: KIM JinGyun,YANG Junkyu,NAM Phil Ouk,Eom Daehong,LEE Woong,Yoo Dongchul,LEE WOOSUNG. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190035807A1. Автор: Kim Jongwon,Jung Young-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

METHOD OF MANUFACTURING OF ADVANCED THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND STRUCTURES PRODUCED THEREFROM

Номер патента: US20210057403A1. Автор: HANNEBAUER Robert Steven. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20170062330A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Sanghoon Ahn,Daeseok Byeon,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210074724A1. Автор: Jongwon Kim,Young-jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210159242A1. Автор: Lim JongHeun,HWANG Chang-Sun,MIN Chungki,Seo Kieun,JANG Kiseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-05-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140225183A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180151590A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Cho Hyejin. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

NUCLEATION STRUCTURE SUITABLE FOR EPITAXIAL GROWTH OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: US20190153619A1. Автор: Hyot Berangere,Amstatt Benoit,Dupont Florian,HENAFF Ewen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200194373A1. Автор: Junhyoung Kim,Seokcheon Baek,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200194456A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20170263641A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Cho Hyejin. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Three-Dimensional Semiconductor Architecture

Номер патента: US20150357240A1. Автор: Law Oscar M. K.,Wu Kuo H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20150357339A1. Автор: Jungdal CHOI,Jang-Gn Yun,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Kwang Soo SEOL,Jeonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

ADVANCED THROUGH SUBSTRATE VIA METALLIZATION IN THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATION

Номер патента: US20170345737A1. Автор: Yang Chih-Chao,EDELSTEIN Daniel C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR20210157027A. Автор: 김종수,조원석,김동우,심선일,임주영,문제숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-28.

Three-dimensional semiconductor integrated packaging structure and process based on rear through hole technology

Номер патента: CN115312496A. Автор: 刘胜,王诗兆,东芳,高众杰,张云彭,盛灿. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2022-11-08.

Optoelectronic component comprising an axially formed three-dimensional semiconductor structure

Номер патента: CN108713258B. Автор: 张欣,布鲁诺-朱尔斯·多丹,布鲁诺·盖拉尔,菲利普·吉莱. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-02-02.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: KR20190125739A. Автор: 신중식,정은택,신동윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-11-07.

METHOD FOR PRODUCING A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT.

Номер патента: DE3586732D1. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-11-12.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES IN AXIAL CONFIGURATION

Номер патента: FR3044470A1. Автор: Xin Zhang,Philippe Gilet,Bruno-Jules Daudin,Bruno Gayral. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-06-02.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN107039457B. Автор: 李星勋,申重植,朴玄睦,尹永培,郑夛恽,尹石重. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-30.

NUCLEATION STRUCTURE ADAPTED FOR THE EPITAXIAL GROWTH OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: FR3053054A1. Автор: Berangere Hyot,Benoit Amstatt,Florian Dupont,Ewen Henaff. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-29.

Method for interconnecting three-dimensional semiconductor wafers, and component resulting therefrom.

Номер патента: FR2709020B1. Автор: VAL Christian. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-09-08.

Liquid epitaxial process for producing three-dimensional semiconductor structures

Номер патента: WO1987004854A3. Автор: Elisabeth Bauser,Horst Paul Strunk. Владелец: Horst Paul Strunk. Дата публикации: 1988-03-24.

Three dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20220067716A. Автор: 이해민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-25.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: CN111326521A. Автор: 黄善劲,李诚馥,赵始衍,申惠悧,崔庾植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-23.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210399003A1. Автор: Jongmin Lee,Sungmin Park,Donghyun Shin,Minkyu KANG,Seorim MOON,Seunggi MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US9953997B2. Автор: Jinwoo Park,Seok-Won Lee,Hyunseok Lim,Joyoung Park,Hauk Han,Jeonggil Lee,Kihyun YOON,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR102343847B1. Автор: 김광호,유지환,조승현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-28.

An optoelectronic device including a three-dimensional semiconductor structure of an axial configuration

Номер патента: KR20180112764A. Автор: 신 장,브뤼노-쥴 도댕,브뤼노 꺄이할,삘립 지레. Владелец: 알레디아. Дата публикации: 2018-10-12.

Optoelectronic device comprising three-dimensional semiconductor structures in an axial configuration

Номер патента: EP3384537A1. Автор: Xin Zhang,Philippe Gilet,Bruno-Jules Daudin,Bruno Gayral. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-10-10.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20220158147A. Автор: 최무림,황윤조. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-11-30.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: CN113497050A. Автор: 池正根,南泌旭,金载镐,李相受,李宇城. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-12.

Advanced through substrate via metallization in three dimensional semiconductor integration

Номер патента: US10312181B2. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Three-dimensional semiconductor memory devices, methods of fabricating the same, and electronic systems including the same

Номер патента: US20220216151A1. Автор: Donghwan Kim,Jung-Hwan Park,Shinhwan Kang,Sanghun Chun,Youngji Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES IN AXIAL CONFIGURATION

Номер патента: FR3044470B1. Автор: Xin Zhang,Philippe Gilet,Bruno-Jules Daudin,Bruno Gayral. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-23.

Three-Dimensional Semiconductor Architecture

Номер патента: US20130316530A1. Автор: Wu Kuo H.,Law Oscar M.K.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-11-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140048868A1. Автор: SHIN Yoocheol,Kim Juhyung. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220059565A1. Автор: Baek Seokcheon. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20170062472A1. Автор: Lee Seok-Won,Lim HyunSeok,HAN HAUK,LEE Jeonggil,PARK Jinwoo,PARK Joyoung,YOON KlHYUN,HA JOOYEON. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200111803A1. Автор: Shin Jaehoon,LIM Geunwon,Baek Seokcheon,Lee Myungkeun. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210265271A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Kang-Won,CHUNG JISOO. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20190267333A1. Автор: Sang Jun Hong,Kyeong Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200091084A1. Автор: HWANG Sung-Min,Yun Jang-Gn,Lim Joon-Sung,KIM Young-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES WITH CURRENT PATH SELECTION STRUCTURE AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140197469A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,KANAMORI Kohji,LEE Jaeduk,LEE Dohyun. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210183861A1. Автор: Minwoo Song,Hyun-Sil Oh,Minsu Lee,Kiseok LEE,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210391350A1. Автор: Na Hoonjoo,KIM WeonHong,OH Seungha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-12-16.

METHOD OF FORMING TWO-DIMENSIONAL AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR CHIP ARRAYS

Номер патента: US20180337208A1. Автор: Redding Gary D.,MONAHAN Michael B.,Casey Joseph F.,Zufelt Craig Alan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102285787B1. Автор: 김영우,황성민,윤장근,임준성. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2021-08-04.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US10504844B2. Автор: Sung-Min Hwang,Young-Woo Kim,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-10.

Method of forming two-dimensional and three-dimensional semiconductor chip arrays

Номер патента: US20180337208A1. Автор: Gary D. Redding,Michael B. Monahan,Joseph F. Casey,Craig Alan Zufelt. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210125989A1. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoosang,PARK Sung-Min,Kim Changkyu,LEE KISEOK,Shin Joongchan,Han Sangyeon,An Taehyun,Lee Ahram,CHO Eunju,CHOI Hyungeun,SHIN Iljae. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF DETECTING ELECTRICAL FAILURE THEREOF

Номер патента: US20210351199A1. Автор: KIM Taeyoung,Kim Dongchan,CHOI Moorym. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-11.

OPTOELECTRONIC DEVICE WITH THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR3039004A1. Автор: Christophe Durand,Joel Eymery,Amélie DUSSAIGNE,Damien Salomon,Philippe Gilet. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2017-01-20.

Optoelectronic device comprising three-dimensional semiconductor elements, and method for manufacturing said device

Номер патента: EP3323151A1. Автор: Christophe Durand,Joel Eymery,Amélie DUSSAIGNE,Damien Salomon,Philippe Gilet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-23.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20180211829A1. Автор: Eymery Joël,Salomon Damien,Durand Christophe,Gilet Philipe,Dussaigne Amélie. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09536897B2. Автор: Chaeho Kim,Woong Lee,Jaeyoung Ahn,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor chip

Номер патента: US09620493B2. Автор: SoonKwan KWON,Joonsung YANG. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional semiconductor nanoheterostructure and method of making same

Номер патента: US20180233624A1. Автор: Nikolay Ledentsov,Vitaly Shchukin. Владелец: VI Systems GmbH. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor package and three-dimensional semiconductor package including the same

Номер патента: US20160315029A1. Автор: Wook Kim,Yun-Hyeok Im,Dong-han Lee,Kee-Moon Chun,Jung-Su HA,Min-Seon Ahn,Je-Gil MOON,Jae-Soo CHAUNG,Bum-Keun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09613976B2. Автор: Masaru Kito,Yoshihiro Yanai,Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Input circuit of three-dimensional semiconductor apparatus capable of enabling testing and direct access

Номер патента: US09589670B2. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional semiconductor device provided with interchip interconnection selection means for electrically isolating interconnections other than selected interchip interconnections

Номер патента: TW200617981A. Автор: Hiroaki Ikeda,Hideaki Saito,Masayuki Mizuno,Kayoko Shibata,Yasuhiko Hagihara,Muneo Fukaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11917822B2. Автор: Seungjun Shin,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090228A1. Автор: Jeehoon HAN,Hoyoung CHOI,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09960182B2. Автор: HongSuk Kim,Ji-Hoon Choi,Seunghyun Lim,Hyunjun Sim,Sunggil Kim,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US09484099B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Three dimensional semiconductor memory device having peripheral circuit under cell structure

Номер патента: US10546814B2. Автор: Sung-Lae OH,Jung-Mi TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: SG10201906732VA. Автор: Kim Soyeon,YOON Young-bae,Eun Dongseog,Lee Hanyoung,Park Jibong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Three-Dimensional Calibration Structures and Methods for Measuring Buried Defects on a Three-Dimensional Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180224749A1. Автор: Danen Robert M.,Measor Philip. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

For measuring the three-dimensional calibration structure and method of the burial defect on three dimensional semiconductor die

Номер патента: CN110326094A. Автор: P·梅斯热,R·M·丹恩. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-10-11.

Three-dimensional semiconductor device having plural active semiconductor components

Номер патента: US20030038366A1. Автор: Hiroyuki Kozono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240164101A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional semiconductor module including system in a package (SIP) with improved heat dissipation efficiency

Номер патента: US11881248B2. Автор: Takao Adachi,Fumitake OKUTSU. Владелец: Ultramemory Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130161831A1. Автор: HWANG Sung-Min,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Cho Wonseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130163304A1. Автор: KIM Sung-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN INTER-DIE CONNECTION ON THE BASIS OF FUNCTIONAL MOLECULES

Номер патента: US20130221540A1. Автор: Kronholz Stephan,Richter Ralf,Lenski Markus. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20140054787A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190019804A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210020657A1. Автор: Song Juhak. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180026042A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-01-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160049346A1. Автор: JANG Jaehoon,KIM Hansoo,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,CHO Woojin. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150064867A1. Автор: JEONG Kil-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210074716A1. Автор: LIM Bongsoon,BYEON Daeseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093642A1. Автор: Kim Hyung Joon,CHOI Eun Yeoung,LEE Su Hyeong,Cho Yong Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200075608A1. Автор: HAN Jee Hoon,KIM Kyung Dong,Shim Sun Il,Song Ju Hak. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL AND HORIZONTAL CHANNELS IN STACK STRUCTURE HAVING ELECTRODES VERTICALLY STACKED ON THE SUBSTRATE

Номер патента: US20170084624A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Changhyun,KANG Shinhwan,LEE Heonkyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200083242A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140183756A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,KIM Hansoo,Cho Wonseok. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

STRING SELECTION STRUCTURE OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140198572A1. Автор: HWANG Sung-Min,LEE Changhyun. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210143176A1. Автор: LEE Jae Duk,Yun Jang Gn. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200135749A1. Автор: HWANG Sung Min,Lim Joon Sung,AHN JAE HO,KANG BUM KYU. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

METHODS OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140231899A1. Автор: Seol Kwang Soo,Park Youngwoo,LEE Jaegoo,YOU Byungkwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-21.

Three-dimensional semiconductor devices with scribe line region structures

Номер патента: US20170148748A1. Автор: Sunyoung Kim,Jang-Gn Yun,Sunghoi Hur,Jaeho Jeong,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-25.

Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20160163733A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170179149A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Jinwoo,CHUNG SEUNGPIL,PARK Joyoung,KWON Oik,Kim JeongSoo,KWON Yong-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150187791A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150206896A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-07-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Arreghini Antonio. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160218107A1. Автор: Lee Ki Hong,Pyi Seung Ho,BAEK Ji Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210242229A1. Автор: SEO Yu Jin,Lee Byoung Il,Jin Jun Eon. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150228623A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150235939A1. Автор: Park Jin-Woo,Lee Seok-Won,KIM Kyoung-Hoon,PAEK SeungWoo,Cho Taekeun,LEE Sunyeong. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20190221610A1. Автор: Goux Ludovic,Kar Gouri Sankar,Crotti Davide Francesco,Delhougne Romain,Di Piazza Luca. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200243554A1. Автор: NAM Phil Ouk,LEE Sung Yun,KANG Chang Seok,LEE Chang Sup. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180254247A1. Автор: HWANG Sung-Min,Yun Jang-Gn,Lim Joon-Sung,KIM Young-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180261618A1. Автор: NAM Phil Ouk,LEE Sung Yun,KANG Chang Seok,LEE Chang Sup. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210358933A1. Автор: HWANG Sung Min,Lim Joon Sung,AHN JAE HO,KANG BUM KYU. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170278863A1. Автор: KIM Tae-sung,CHA YOUNG-SAN,YOUN DONGKYU. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293539A1. Автор: Lee Seok-Won,PARK Joyoung,SEO Seongjun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160293622A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170287930A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Changhyun,KANG Shinhwan,LEE Heonkyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A CONNECTION REGION

Номер патента: US20150303209A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,SHIN Yoocheol. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ISOLATED DUMMY PATTERN

Номер патента: US20180301407A1. Автор: Hu Chih-Wei,Yeh Teng-Hao,HUNG Min-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170309639A1. Автор: HWANG Sung-Min,Hur Sunghoi. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160322376A1. Автор: LEE Sang Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190312054A1. Автор: Yun Jang Gn,Lim Joon Sung,Cho Eun Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170338242A1. Автор: HWANG Sung-Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170352674A1. Автор: Kim JiHye,JEONG Da Woon,PARK Joowon. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170352679A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190355737A1. Автор: SEO Yu Jin,Lee Byoung Il,Jin Jun Eon. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190371809A1. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200381446A1. Автор: Kim Hyung Joon,CHOI Eun Yeoung,LEE Su Hyeong,Cho Yong Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-12-03.

High temperature resistant adhesive composition, substrate bonding method, and three-dimensional semiconductor device

Номер патента: JP4911143B2. Автор: 健 浅野,不二夫 八木橋,吉隆 濱田. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-04.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR102154093B1. Автор: 김경훈,박진우,이석원,백승우,이순영,조태근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-09-10.

Three-dimensional semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105321952B. Автор: 刘东哲,黄棋铉,延国贤,金东宇,金东谦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-30.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR20170073002A. Автор: 박진우,김정수,권오익,이석원,정승필,권용현,박조영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-06-28.

Three-dimensional semiconductor device with vertical and horizontal channels in stack structure having electrodes vertically stacked on the substrate

Номер патента: US10096616B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Three-dimensional semiconductor device having stepped gate electrodes

Номер патента: US11088157B2. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-10.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN107452746A. Автор: 黄盛珉,许星会. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-08.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: CN107452746B. Автор: 黄盛珉,许星会. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11574923B2. Автор: Jae Duk Lee,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-07.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: KR102334914B1. Автор: 김지혜,정다운,박주원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-07.

Three-dimensional semiconductor device provided with interchip interconnection selection means for electrically isolating interconnections other than selected interchip interconnections

Номер патента: TWI281672B. Автор: Hiroaki Ikeda,Hideaki Saito,Masayuki Mizuno,Yasuhiko Hagihara,Muneo Fukaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-05-21.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160315029A1. Автор: IM Yun-hyeok,KIM Wook,Lee Dong-Han,HA Jung-su,Chun Kee-Moon,MOON Je-Gil,AHN Min-Seon,CHAUNG Jae-Soo,CHOI Bum-Keun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20230337432A1. Автор: Byoungil Lee,Seungwoo NAM,Yujin SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity

Номер патента: US20180350834A1. Автор: Kenichi Fujii,Makoto Watanabe,Takeshi Imamura,Hideo Wada,Hajime Kaneko,Osamu Matsuura,Masanari Fujita,Takanobu Itoh,Hideki Inokuma,Genki KAWAGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity

Номер патента: US10541251B2. Автор: Kenichi Fujii,Makoto Watanabe,Takeshi Imamura,Hideo Wada,Hajime Kaneko,Osamu Matsuura,Masanari Fujita,Takanobu Itoh,Hideki Inokuma,Genki KAWAGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-21.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity

Номер патента: US10797077B2. Автор: Kenichi Fujii,Makoto Watanabe,Takeshi Imamura,Hideo Wada,Hajime Kaneko,Osamu Matsuura,Masanari Fujita,Takanobu Itoh,Hideki Inokuma,Genki KAWAGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090211A1. Автор: Sung-Min Hwang,Soyeon Kim,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim,Bongtae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210366925A1. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130203227A1. Автор: Huo Zongliang,Liu Ming. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140094012A1. Автор: Seol Kwang Soo,Chang Sung-Il,Youngwoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20220005759A1. Автор: LEE Seungmin,KIM Junhyoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-01-06.

Three Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20160005753A1. Автор: KIM Young-gu,NOWAK Etienne,KIM Daesin,Zhiliang Xia,Jeong Narae. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180006055A1. Автор: KIM Kihyun,Yeo Chadong. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210005629A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Won Shim,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220020762A1. Автор: SON Yoonhwan,LEE Jeongseok,KIM Gaeun. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220045097A1. Автор: Choi Ji-hoon,Kang Sangmin,YANG Siyeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-02-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150041882A1. Автор: Ahn Jae-Young,Hwang Kihyun,Park Hyun,Yoo Dongchul,CHUN Jongsik,LEE Juyul,PARK Kwangmin,Kim Bumsu. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220077126A1. Автор: Kim Jin Ho,Choi Seong Ho. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

POWER VOLTAGE SUPPLY APPARATUS FOR THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20140138798A1. Автор: Park Chang Kun,Hwang Ho Yong. Владелец: SOONGSIL UNIVERSITY RESEARCH CONSORTIUM TECHNO-PARK. Дата публикации: 2014-05-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170062453A1. Автор: Park Youngwoo,Sim Jaesung,KANG Shinhwan,LEE Jaeduk,SON YUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210066282A1. Автор: PARK Joo-Yong,KIM CHANHO,BYEON Daeseok. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200091186A1. Автор: Kim Bio,Kim Yujin,Jee Junggeun,AN Kyong-Won,YANG Jaehyun,Yong Sookyeom,Cheon Youngjun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-19.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210098480A1. Автор: KIM Jung-Hwan,Kim Sungjin,Kim Sunggil,KIM Seulye,Kim Chan-Hyoung. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Method of Manufacturing Three Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20150104916A1. Автор: Hwang Ki-Hyun,Lee Joon-Suk,Lim Hun-Hyeong,LEE Woong. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170103999A1. Автор: Lee Jung Hoon,Shin Jinhyun,Lee Dong-sik,Lee Woong-Seop,PARK Sejun,Rho Keejeong. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200105786A1. Автор: Kim Soyeon,YOON Young-bae,Eun Dongseog,Lee Hanyoung,Park Jibong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-02.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity

Номер патента: US20200111809A1. Автор: Kenichi Fujii,Makoto Watanabe,Takeshi Imamura,Hideo Wada,Hajime Kaneko,Osamu Matsuura,Masanari Fujita,Takanobu Itoh,Hideki Inokuma,Genki KAWAGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150145015A1. Автор: SHIN Yoocheol,Sim Jaesung,KIM HONGSOO. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190139979A1. Автор: KANAMORI Kohji,KANG Seo-Goo,SON YOUNGHWAN,Jo Kwonsoon. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF DETECTING ELECTRICAL FAILURE THEREOF

Номер патента: US20190139980A1. Автор: KIM Taeyoung,Kim Dongchan,CHOI Moorym. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210183770A1. Автор: Jeong Hwan Kim,Jin HO KIM,Chang Woon Choi,Byung Hyun JUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190157283A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190157291A1. Автор: LEE Taehee,KIM Kyoung-Hoon,Kam Hee-Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200152657A1. Автор: LEE Taehee,KIM Hyunwook,YANG Eun-jung. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

METHODS OF FABRICATING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140256101A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,MOON Hui-Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210202522A1. Автор: Baek Seokcheon. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190172838A1. Автор: KANAMORI Kohji,KANG Seo-Goo,SON YOUNGHWAN,Jo Kwonsoon. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210210475A1. Автор: Kim Jin Ho,Kim Young Ki,SUNG Sang Hyun,JUN Byung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210217760A1. Автор: LEE Byungjin,Lee Dong-sik,YANG WOOSUNG,KANG BUMKYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210217765A1. Автор: KIM Jiyoung,YANG WOOSUNG,TAKAKI Sejie. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210225868A1. Автор: JANG Jaehoon,Shim Jae-Joo,PARK Kyungeun,WOO Dongsung,LIM Jongkwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210225870A1. Автор: Lim Joon-Sung,Lee Joonhee,Seong HoJun,YANG WOOSUNG,JUNG EUNTAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200194448A1. Автор: KIM Kwang-Soo,KIM Junhyoung,LIM Geunwon. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200194455A1. Автор: CHO Siyeon,LEE Sung-Bok,Shin Hyeri,Choi Yusik,Hwang Sungyung. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200194457A1. Автор: Lee Kang-Won,Lee Dong-sik,JANG Donghoon,Song Jaeyoung. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210242236A1. Автор: SHIN SEUNGJUN,CHOI Bonghyun,KIM Siwan. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190221579A1. Автор: KIM Kihyun,Yeo Chadong. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Park Jin-Hong,LEE SUNGJOO,JU Jae Hyeok,BAEK Sungpyo. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-08-19.

OPTOELECTRONIC DEVICE WITH THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: US20180233610A1. Автор: Feuillet Guy,ROBIN Ivan-Christophe,Dussaigne Amélie,Gaugiran Stéphanie. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR NANOHETEROSTRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20180233624A1. Автор: Ledentsov Nikolay,Shchukin Vitaly. Владелец: VI Systems GmbH. Дата публикации: 2018-08-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20180240808A1. Автор: JANG Jaehoon,Yeo Chadong,LEE Jaeduk,SONG MINYEONG. Владелец: Samsung Electronics.,Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-08-23.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES USING DIRECT STRAPPING LINE CONNECTIONS

Номер патента: US20140349453A1. Автор: Kim Dongchan,KIM Sang-Hoon,Lee Ae-Jeong,Lee Bongyong. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210327892A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK,SHIN Dongyoun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-10-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180261626A1. Автор: Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Gukhyon Yon,Dongkyum Kim,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.. Дата публикации: 2018-09-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180294225A1. Автор: LEE Taehee,Lee Juyeon,HWANG Jeehoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200303390A1. Автор: JANG Jaehoon,Hong Okcheon,Kang Jin-Kyu,LEE Jaeduk,PARK Sejun,Hong Seungwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200303410A1. Автор: Kim Yongseok,KANAMORI Kohji,LEE Kyunghwan,LIM Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH A WIDER SINGLE-CRYSTAL PORTION

Номер патента: US20200313042A1. Автор: FERRET Pierre,KAHOULI Abdelkarim. Владелец: Commissariat à l 'énergie atommique et aux énergie alternatives. Дата публикации: 2020-10-01.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150357345A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Cho Hyejin. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190333922A1. Автор: SHIN Joongshik,JUNG EUNTAEK,SHIN Dongyoun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190333923A1. Автор: Kim Jongwon,SONG MINYEONG. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING SLIT WITH LATERAL SURFACES HAVING PERIODICITY

Номер патента: US20180350834A1. Автор: Fujita Masanari,Watanabe Makoto,WADA Hideo,Imamura Takeshi,FUJII Kenichi,INOKUMA Hideki,KANEKO Hajime,MATSUURA Osamu,KAWAGUCHI Genki,ITOH Takanobu. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-12-06.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES IN AN AXIAL CONFIGURATION

Номер патента: US20180351037A1. Автор: Zhang Xin,GILET Philippe,DAUDIN Bruno-Jules,GAYRAL Bruno. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150372005A1. Автор: Hwang Kihyun,Kim Dongwoo,Yoo Dongchul,Kim Dongkyum,Yon Gukhyon. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US20150380089A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200395381A1. Автор: Kyong-won An,Yujin Kim,Bio Kim,Junggeun Jee,JaeHyun Yang,Sookyeom Yong,Youngjun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200395409A1. Автор: PARK JeongHee,SONG Si-Ho,Cho Changhyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200402983A1. Автор: KIM Kwang-Soo,KIM Junhyoung,CHOI Bonghyun,KIM Siwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220359563A1. Автор: Park Jung-Hwan,Jung Kwangyoung,HAN Jeehoon,RYU HYOJOON,Noh Youngji. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220367511A1. Автор: Lee Sung-hun,Seong HoJun,HWANG Younjeong,KIM Minbum,JIN Juneon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-11-17.

Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Operating The Same

Номер патента: KR101652873B1. Автор: 손용훈,이명범,황기현,백승재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-08-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: CN113497053A. Автор: 南丞祐,李秉一,徐裕轸. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-12.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5353292B2. Автор: 隆志 眞子. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-11-27.

Three dimensional semiconductor module having multilateral-type ground block

Номер патента: KR100655218B1. Автор: 백승덕,강선원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR102472339B1. Автор: 김동혁,오성래,정수남. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-12-01.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR102307487B1. Автор: 황기현,김동겸,김동우,연국현,유동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-10-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: KR20210152840A. Автор: 강대환,박규술,박일목. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-16.

High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using three-dimensional semiconductor absorbers

Номер патента: WO2011072153A2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pawan Kapur,Karl-Josef Kramer,Sean Seutter. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2011-06-16.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR20170086176A. Автор: 김경훈,조상연. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-07-26.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH EXTENDED MONOCRYSTALLINE PORTION

Номер патента: FR3044469B1. Автор: Pierre Ferret,Abdelkarim Kahouli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-09.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH EXTENDED MONOCRYSTALLINE PORTION

Номер патента: FR3044469A1. Автор: Pierre Ferret,Abdelkarim Kahouli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-06-02.

OPTOELECTRONIC DEVICE WITH THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: FR3026564B1. Автор: Stephanie Gaugiran,Ivan-Christophe Robin,Amélie DUSSAIGNE,Guy Feuillet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-02-16.

High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using three-dimensional semiconductor absorbers

Номер патента: EP2510550A4. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M Moslehi,Pawan Kapur,Karl-Josef Kramer,Sean Seutter,Virendra V Rana. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2014-12-24.

Manufacture of three dimensional semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JPH11261001A. Автор: 浩之 栗野,Mitsumasa Koyanagi,光正 小柳,Hiroyuki Kurino. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 1999-09-24.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR20220143791A. Автор: 이동진,김현민,임준희,윤강오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-10-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20230090133A. Автор: 한지훈,코지 카나모리,김승윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-06-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of detecting electrical failure thereof

Номер патента: KR102508522B1. Автор: 김태영,김동찬,최무림. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-03-10.

Optoelectronic device with three-dimensional semiconductor elements

Номер патента: KR102389679B1. Автор: 이반-크리스토프 로빈,아멜리에 도쎄이네,가이 푀이에,스테파니 가우지란. Владелец: 알레디아. Дата публикации: 2022-04-21.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11239166B2. Автор: Jeong Hwan Kim,Jin HO KIM,Chang Woon Choi,Byung Hyun JUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-01.

High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using three-dimensional semiconductor absorbers

Номер патента: EP2510550A2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pawan Kapur,Karl-Josef Kramer,Sean Seutter. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: KR20230016022A. Автор: 이종민,김준형,성석강. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-01-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: CN112447748A. Автор: 金燦镐,边大锡,朴珠用. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-05.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: SG10202004477SA. Автор: PARK Joo-Yong,KIM CHANHO,BYEON Daeseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Fabricating three-dimensional semiconductor structures

Номер патента: US20240147719A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,Hojin Kim,Henan ZHANG,Na Young Bae,Steven Gueci. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

HIGH-EFFICIENCY PHOTOVOLTAIC BACK-CONTACT SOLAR CELL STRUCTURES AND MANUFACTURING METHODS USING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ABSORBERS

Номер патента: US20130167915A1. Автор: Kramer Karl-Josef,Moslehi Mehrdad M.,Kapur Pawan,Seutter Sean M.,Wang David Xuan-Qi,Rana Virenda V.. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20180012937A1. Автор: Mu-hui Park,Wooyeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200027894A1. Автор: Son Young Hwan,KANG Shin Hwan,KANG Seo Goo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-01-23.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210036010A1. Автор: HAN Jeehoon,SIM JAERYONG,AHN JONGSEON. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210066277A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Joo-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210074719A1. Автор: Lim Ju-Young,Lee SeungHwan,JEONG SANGHOON,LEE Suhyeong,JANG Daehyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190074282A1. Автор: Yoon Boun,KWON Byoungho,MIN Chungki,SHIN Miso,KWON Myeongan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Shin Joongchan,Kang Byeungmoo,Han Sangyeon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200075605A1. Автор: KIM Kwang-Soo,KIM Junhyoung,CHOI Bonghyun,KIM Siwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210082941A1. Автор: Kim Jae Hoon,Son Yong-Hoon,JUNG Seungjae,PARK Kwang-Ho,SONG Hyunji,LEE Gyeonghee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220139897A1. Автор: PARK Joo-Yong,KIM CHANHO,BYEON Daeseok. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210098478A1. Автор: HWANG Sung-Min,KIM Jiyoung,Lim Joon-Sung,KIM Jiwon,YANG WOOSUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-01.

Input circuit of three-dimensional semiconductor apparatus capable of enabling testing and direct access

Номер патента: US20170133067A1. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140227841A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Jaegoo,KIM Hansoo,JEONG Kil-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160163735A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200152654A1. Автор: HWANG Sung-Min,KIM Jiyoung,Lim Joon-Sung,KIM Jiwon,YANG WOOSUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200161330A1. Автор: KANAMORI Kohji,KANG Seo-Goo,SON YOUNGHWAN,Jo Kwonsoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Three-Dimensional Semiconductor Architecture

Номер патента: US20140264941A1. Автор: Law Oscar M. K.,Wu Kuo H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200168547A1. Автор: NAM Sang-Wan,LIM Bongsoon,PARK Sang-Won,Shim Sang-Won,JEON HONGSOO,CHOI Yonghyuk. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200185398A1. Автор: Yoon Boun,KWON Byoungho,MIN Chungki,SHIN Miso,KWON Myeongan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210225871A1. Автор: HWANG Sung-Min,LEE Byungjin,Lee Dong-sik. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200227434A1. Автор: Kim Ha-Na,AHN Sung-Soo,LEE Haejoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160247817A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Cho Hyejin. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170243886A1. Автор: Lee Jung Hoon,Shin Jinhyun,Lee Dong-sik,Lee Woong-Seop,PARK Sejun,Rho Keejeong. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US12120881B2. Автор: Daeseok Byeon,Bongsoon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11758740B2. Автор: Yu-Ting Chen,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chiung-Lin Hsu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240114704A1. Автор: Jiyoung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Three-dimensional semiconductor device including ferroelectric transistor

Номер патента: US20240032303A1. Автор: Minjun LEE,Youngji Noh,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US11950517B2. Автор: Kyusul PARK,Daehwan Kang,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11839091B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Junhyoung Kim,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-Dimensional Semiconductor Image Reconstruction Apparatus and Method

Номер патента: US20150060669A1. Автор: Tu Chih-Chiang,Fu Chung-Min,CHENG Wen-Hao,Nandoriya Ajay. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240357800A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,SiHyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of manufacturing a three dimensional semiconductor memory device and the three dimensional semiconductor memory device fabricated by the method

Номер патента: KR102091729B1. Автор: 이준석,황기현,임헌형,이웅. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-20.

Three-dimensional semiconductor storage device and preparation method for three-dimensional semiconductor storage device

Номер патента: CN102544049A. Автор: 刘明,霍宗亮. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-04.

Three-dimensional semiconductor device with reduced size of string selection line device

Номер патента: TW201810619A. Автор: 陳士弘. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-16.

Three-dimensional semiconductor device having reduced size serial select line elements

Номер патента: CN107527916B. Автор: 陈士弘. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN105470260B. Автор: 叶甜春. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-18.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN107403803A. Автор: 黄盛珉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR20150060335A. Автор: 심재성,김홍수,신유철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-06-03.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit structures

Номер патента: US11744068B2. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US9159424B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20230389321A1. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

3 Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR101597686B1. Автор: 이병찬,이선길,현성우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-02-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8268687B2. Автор: SungWoo Hyun,Byeongchan Lee,Sunghil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-18.

A kind of three-dimensional semiconductor memory and preparation method thereof

Номер патента: CN108962912A. Автор: 张勇,肖莉红,吕震宇,杨号号,朱宏斌,王恩博,陶谦,胡禺石,闾锦. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-07.

Fabricating three-dimensional semiconductor structures

Номер патента: WO2024097005A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,Hojin Kim,Henan ZHANG,Na Young Bae,Steven Gueci. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US20170330606A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of metallization by a nickel or cobalt alloy for the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: WO2023150370A9. Автор: Mikaïlou Thiam,Hermine Marie BERTHON,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Three dimensional semiconductor based optical switching device

Номер патента: US20060083465A1. Автор: Remus Nicolaescu,Mario Paniccia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Solid state three dimensional semiconductor memory array

Номер патента: US4535424A. Автор: Lee R. Reid. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1985-08-13.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140160828A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140198552A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,KANAMORI Kohji,LEE Jaeduk. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

WIRING STRUCTURES FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140203442A1. Автор: KIM Hong-soo,Yun Jang-Gn,CHO Hoo-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-24.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TOP DUMMY CELLS, BOTTOM DUMMY CELLS AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170330606A1. Автор: LEE Hee Youl. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2017-11-16.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US8148763B2. Автор: Sukpil Kim,Yoondong Park,Wonjoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-03.

Defect Discovery And Recipe Optimization For Inspection Of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20180149603A1. Автор: Santosh Bhattacharyya,Robert M. Danen,Philip Measor,Christopher Maher,Devashish Sharma,Bo Hua. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

INTEGRATING OPTIMAL PLANAR AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DESIGN LAYOUTS

Номер патента: US20140258960A1. Автор: Kye Jongwook,RASHED Mahbub,Deng Yunfei,JAIN Navneet,Doman David,Xiang Qi. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES INCLUDING STAIR STRUCTURES AND DUMMY ELECTRODES

Номер патента: US20180174661A1. Автор: KIM Kwang-Soo,LEE Heonkyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

RADIATION TOLERANT MICROSTRUCTURED THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170221595A1. Автор: Voss Lars,Nikolic Rebecca J.,Shao Qinghui,Frye Clint,Henderson Roger A.,Murphy John Winter,Qu Dongxia,Stoyer Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making three-dimensional semiconductor structure and three-dimensional semiconductor structure

Номер патента: TWI766486B. Автор: 陳中怡. Владелец: 鴻海精密工業股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-01.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120319173A1. Автор: Yahashi Katsunori,KO Nikka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-12-20.

Three dimensional semiconductor structure and three dimensional capacitor and method for forming

Номер патента: TW518711B. Автор: Hsueh-Chung Chen,Tong-Yu Chen,Gwo-Shii Yang,Sung-Hsiung Wang,Chiung-Sheng Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Methods of Manufacturing Three Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20120070944A1. Автор: PARK Sang-Yong,Kim Hyu-Jung,Lim JongHeun,Kim Kyunghyun,Mun ChangSup. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20120098050A1. Автор: PARK Jintaek,HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,Cho Hoosung,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,Kim Jong-Yeon,KIM Kyoung-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120112264A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120171861A1. Автор: PARK Sang-Yong,Youm Eunsun. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120199897A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Chang Sung-Il,Lim Jin-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-09.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRICAL CUTOFF METHOD FOR USING FUSE PATTERN OF THE SAME

Номер патента: US20120225501A1. Автор: Kim Gu-Sung. Владелец: EPWORKS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-06.

METHODS OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130017629A1. Автор: Lim JongHeun,Kim Kyunghyun,Pyo Myungjung,Kim Hyo-Jung,Yoon Byoungmoon,Han JaHyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

BACK SIDE ALIGNMENT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES

Номер патента: US20130052777A1. Автор: Gong Zhiwei,Hayes Scott M.,Xu Jianwen. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130056820A1. Автор: JEONG Kil-Su. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

Methods of Manufacturing a Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20130078776A1. Автор: Kim Young-Hoo,Bae San Won,Lee Kuntack,Lee Hyosan. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

METHODS OF FORMING HIGH MOBILITY FIN CHANNELS ON THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130330916A1. Автор: Maitra Kingsuk,Miller Robert J.,Pham Daniel T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104022120B. Автор: 霍宗亮. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-03-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: JPS6430251A. Автор: Mitsuo Matsunami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-02-01.

Three-dimensional semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPS6340343A. Автор: Takehide Shirato,猛英 白土. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-02-20.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120043673A1. Автор: Seol Kwang Soo,Park Youngwoo,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120049268A1. Автор: Park Young Woo,Lee Jae Goo,CHANG Sung Il. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120061744A1. Автор: HWANG Sung-Min,KIM Hansoo,Shim Jae-Joo,Cho Wonseok,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120068247A1. Автор: Park Youngwoo,SON Byoungkeun,LEE Changhyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120068255A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120068259A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120083077A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120098049A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,MOON Hui-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

METHODS OF MANUFACTURING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES USING SUB-PLATES

Номер патента: US20120135583A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120205722A1. Автор: Park Youngwoo,LEE Jaegoo,KIM Hansoo,JEONG Kil-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-16.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120208347A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-16.

TEST STRUCTURE AND METHODOLOGY FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120264241A1. Автор: Bernstein Kerry,Kartschoke Paul D.,Cann Jerome L.,Durham Christopher M.,Klim Peter J.,Wheater Donald L.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-18.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120267701A1. Автор: Hwang Kihyun,Lim SeungHyun,Chae Soodoo,Choi Hanmei. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

Three Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20120273872A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20120280299A1. Автор: Yun Jang-Gn,Seol Kwang Soo,Park Youngwoo. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120287694A1. Автор: Lee Byeongchan,Lee Sunghil,HYUN Sungwoo. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120295409A1. Автор: Yoo Dongchul,PARK Kwangmin,YUN Jumi,Jang Byong-hyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES USING DIRECT STRAPPING LINE CONNECTIONS

Номер патента: US20130009236A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130051146A1. Автор: YUN Sung-Won,YUN JUNG-YUN,PARK JONG-YEOL,YOON CHI-WEON,KIM SU-YONG. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130065369A1. Автор: Kim Jung-ho,Yang Sang-ryol,Kong Yoo-Chul,Choi Ji-hoon,KIM Jin-Gyun,SHIN Jae-jin. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130092994A1. Автор: Yun Jang-Gn,Seol Kwang Soo,CHOI Jungdal,SHIM Sunil,JANG Jaehoon,Choi Jeonghyuk. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR PACKAGE DEVICE HAVING ENHANCED SECURITY

Номер патента: US20140077355A1. Автор: Samoilov Arkadii V.,Harper Peter R.,Dias Don. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Manufacture of three-dimensional semiconductor integrated-circuit device

Номер патента: JPH11261000A. Автор: 浩之 栗野,Mitsumasa Koyanagi,光正 小柳,Hiroyuki Kurino. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 1999-09-24.

Bidirectional gate electrode of nonvolatile three-dimensional semiconductor memory and preparation method thereof

Номер патента: CN109887916B. Автор: 杨哲,童浩,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-08.

Methods of Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20120064682A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND RELATED METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120086072A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120112260A1. Автор: Kim Bio,Hwang Kihyun,Ahn Jaeyoung,Lim SeungHyun,Kim Dongwoo,Nakanishi Toshiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120153372A1. Автор: Kim Bio,Hwang Kihyun,Ahn Jaeyoung,Lim SeungHyun,Kim Dongwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR TEMPLATE FOR MAKING HIGH EFFICIENCY THIN-FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20120174861A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Wang David Xuan-Qi. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES HAVING DOUBLE CROSS POINT ARRAY AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120313072A1. Автор: BAEK INGYU,Kim Sunjung. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.