NUCLEATION STRUCTURE ADAPTED FOR THE EPITAXIAL GROWTH OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS
Номер патента: FR3053054A1
Опубликовано: 29-12-2017
Автор(ы): Benoit Amstatt, Berangere Hyot, Ewen Henaff, Florian Dupont
Принадлежит: Aledia, Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-12-2017
Автор(ы): Benoit Amstatt, Berangere Hyot, Ewen Henaff, Florian Dupont
Принадлежит: Aledia, Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
NUCLEATION STRUCTURE SUITABLE FOR EPITAXIAL GROWTH OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS
Номер патента: US20190153619A1. Автор: Hyot Berangere,Amstatt Benoit,Dupont Florian,HENAFF Ewen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.