METHOD FOR MANUFACTURING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF DIAMOND OR IRDIUM MATERIAL AND SUBSTRATE FOR EPITAXICALLY GROWING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF DIAMOND OR IRIDIUM MATERIAL
Номер патента: US20210020434A1
Опубликовано: 21-01-2021
Автор(ы): Ghyselen Bruno
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-01-2021
Автор(ы): Ghyselen Bruno
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Process for producing a monoocrystalline layer of AlN material by transferring a SiC-6H seed to a Si carrier substrate and epitaxially growing the monocrystalline layer of AlN material and substrate for the epitaxial growth of a monocrystalline layer of AlN material
Номер патента: US12071706B2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-08-27.