Interconnect having intermediate film functioning as etch stop and barrier film
Номер патента: GB2345791A
Опубликовано: 19-07-2000
Автор(ы): Mototsugu Okushima
Принадлежит: NEC Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-07-2000
Автор(ы): Mototsugu Okushima
Принадлежит: NEC Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Dual etch-stop layer structure
Номер патента: US11842924B2. Автор: Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.