Method of forming mask for ion implantation in manufacturing of photo diode
Номер патента: KR100898676B1
Опубликовано: 22-05-2009
Автор(ы): 최선호
Принадлежит: 매그나칩 반도체 유한회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-05-2009
Автор(ы): 최선호
Принадлежит: 매그나칩 반도체 유한회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method Of Forming An Interdigitated Back Contact Solar Cell
Номер патента: US20160005914A1. Автор: Nicholas Pt Bateman. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-01-07.