• Главная
  • Method of forming mask for ion implantation in manufacturing of photo diode

Method of forming mask for ion implantation in manufacturing of photo diode

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method Of Forming An Interdigitated Back Contact Solar Cell

Номер патента: US20160005914A1. Автор: Nicholas Pt Bateman. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Solar cell emitter region fabrication using substrate-level ion implantation

Номер патента: US11942565B2. Автор: Staffan Westerberg,Timothy Weidman,David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing solar cell and method of forming doping region

Номер патента: US09640707B2. Автор: Daeyong Lee,Jinsung Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming an interdigitated back contact solar cell

Номер патента: US09455368B2. Автор: Nicholas P T Bateman. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09609251B2. Автор: Kenji Togo,Masatsugu Itahashi,Takehito Okabe,Ryuichi Mishima,Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of fabricating light-controlled thyristor utilizing selective etching and ion-implantation

Номер патента: US4497109A. Автор: Peter Huber,Jeno Tihanyi,Jens P. Stengl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1985-02-05.

Method of forming a photo sensor in a photo diode

Номер патента: US20010042895A1. Автор: Jui-Hsiang Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Photo sensor in a photo diode on a semiconductor wafer

Номер патента: US6566722B1. Автор: Anchor Chen,Liang-Hua Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-20.

Method of forming a gate mask for fabricating a structure of gate lines

Номер патента: US09514942B1. Автор: Thorsten Kammler,Andreas Hellmich,Elliot John Smith,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation

Номер патента: US6027988A. Автор: Nathan W. Cheung,Chenming Hu,Xiang Lu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-02-22.

Method of forming light emitting device with separation by ion implantation

Номер патента: KR20100101485A. Автор: 김선호,변영태,우덕하,전영민,이석. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2010-09-17.

Method of forming light emitting device with separation by ion implantation

Номер патента: KR101119009B1. Автор: 김선호,변영태,우덕하,전영민,이석. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2012-03-14.

STRUCTURE AND A MANUFACTURING METHOD OF A MOSFET WITH AN ELEMENT OF IVA GROUP ION IMPLANTATION

Номер патента: US20200035810A1. Автор: Wang Sheng-Hong,Huang Chih-Fang,JIANG Jheng-Yi,HUNG Jia-Qing. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Method of manufacturing semiconductor device using one time high concentration ion-implantation

Номер патента: KR100427032B1. Автор: 황준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-30.

Preparing method of semiconductor device comprising process for mask pattern of ion implantation

Номер патента: KR100733216B1. Автор: 배상만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-27.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Producing method of mask integrated frame and mask for forming oled picture element

Номер патента: KR102254374B1. Автор: 이병일. Владелец: 주식회사 오럼머티리얼. Дата публикации: 2021-05-24.

Methods of employing a thin oxide mask for high dose implants

Номер патента: US20070298579A1. Автор: Binghua Hu,Yu-En Hsu,Qingfeng Wang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of reducing particle contamination for ion implanters

Номер патента: WO2008085405A1. Автор: Zhang Jincheng,Que Weiguo,Huang Yongzhang. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Method of forming a photo sensor in a photo diode

Номер патента: US20020022295A1. Автор: Jui-Hsiang Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of manufacturing cmos image sensor

Номер патента: US20080160666A1. Автор: Sun Kyung BANG. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20240266228A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chien-yuan Chen,Chen-Ming Lee,Jui-Ping Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing CMOS image sensor

Номер патента: US7659186B2. Автор: Sun Kyung BANG. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09444033B2. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming masks

Номер патента: US09892224B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Ta-Pen Guo,Yi-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of forming contact holes using pillar masks and mask bridges

Номер патента: US09875932B2. Автор: Nam-Gun Kim,Chan-Mi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of controlling an ion implanter in plasma immersion mode

Номер патента: RU2651583C2. Автор: Франк ТОРРЕГРОСА,Лорен РУ. Владелец: Ион Бим Сервисез. Дата публикации: 2018-04-23.

Method of forming device isolation film in semiconductor device

Номер патента: US20040266132A1. Автор: Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US6803288B2. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20030013243A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of forming a mos transistor of a semiconductor

Номер патента: US20020001910A1. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of Forming Ultra Shallow Junction

Номер патента: US20140302656A1. Автор: TianJin XIAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing source/drain regions having a deep junction

Номер патента: EP1264337A1. Автор: David Donggang Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-12-11.

Methods of forming electronic devices by ion implanting

Номер патента: US20090155726A1. Автор: Eric Apelgren,Nabil R. Yazdani. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-18.

Light emitting diode array with inactive implanted isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: EP4427272A1. Автор: Saket Chadda,Zhen Chen,Shuke YAN. Владелец: GLO Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Ion implantation methods

Номер патента: US09666436B2. Автор: Yoshihiro Yamamoto,Cheng-Bai Xu,Cheng Han Wu,Dong Won Chung. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of forming MIS contact structures on transistor devices in CMOS applications

Номер патента: US09613855B1. Автор: Suraj K. Patil,Zhiguo Sun,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Manufacturing of a low-noise mos device

Номер патента: EP1407480A1. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-14.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of forming SRAM cell

Номер патента: US20060088964A1. Автор: Hyuck-Chai Jung,Hyeong-Mo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240304681A1. Автор: Chia-Ming Liu,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming a stress released image sensor package structure

Номер патента: US09853079B2. Автор: Vage Oganesian,Zhenhua Lu. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of forming a thin film transistor on a transparent plate

Номер патента: US6861301B2. Автор: Yuan-Tung Dai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-03-01.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP3025372A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP4009380A2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

Method of forming semiconductor device using high stress cleave plane

Номер патента: US20230299060A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming protection layer in finfet device

Номер патента: US20190006247A1. Автор: Jen-Chun CHOU,Ren-Yu CHANG,Yu-Chiang CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905569B1. Автор: Dong-won Kim,Jae-Hwang Sim,Bong-Tae Park,Ho-Jun SEONG,Jung-Hoon Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Ion implantation system and method of monitoring implant energy of an ion implantation device

Номер патента: US20080296484A1. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the same

Номер патента: US20100072560A1. Автор: Hee Youl Lee,Jae Yoon Noh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Method of forming ultra shallow junctions

Номер патента: MY130338A. Автор: Narayanan Meyyappan. Владелец: SilTerra Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2007-06-29.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09728654B2. Автор: Syoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of forming FinFET channel

Номер патента: US09711535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jhon Jhy Liaw,Wai-Yi Lien,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Repeller, cathode, chamber wall and slit member for ion implanter and ion generating devices including the same

Номер патента: US20180226218A1. Автор: Kyou Tae Hwang. Владелец: Value Engineering Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Methods of forming mis contact structures on transistor devices

Номер патента: US20170287777A1. Автор: Suraj K. Patil,Zhiguo Sun,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of forming a tunnel oxide layer of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020076883A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods of forming MIS contact structures on transistor devices

Номер патента: US09831123B2. Автор: Suraj K. Patil,Zhiguo Sun,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of controlling an ion implanter in plasma immersion mode

Номер патента: US09552962B2. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09431406B1. Автор: Yao-Fu Chan,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming a bipolar transistor

Номер патента: US5320972A. Автор: Ian W. Wylie. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1994-06-14.

Method of controlling metal formation processes using ion implantation, and system for performing same

Номер патента: US20040023489A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Method of testing ion implantation energy in ion implantation equipment

Номер патента: US20040185587A1. Автор: Doo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Vertical-channel type junction SiC power FET and method of manufacturing same

Номер патента: US09691908B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating high-voltage CMOS device

Номер патента: US20050142723A1. Автор: Kwang Ko. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210272815A1. Автор: Chong Kwang Chang,Sug Hyun SUNG,Dong Hoon KHANG,Min Hwan JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming a silicon oxide layer using pulsed nitrogen plasma implantation

Номер патента: US20020127882A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US12074031B2. Автор: Chong Kwang Chang,Sug Hyun SUNG,Dong Hoon KHANG,Min Hwan JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: EP2277195A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Method of producing bonded wafer

Номер патента: US09673086B2. Автор: Isao Yokokawa,Masahiro Kato. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of ion implantation and an apparatus for the same

Номер патента: US20200152411A1. Автор: Yi Tang,Weiyimin Dong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of ion implantation and an apparatus for the same

Номер патента: US11017979B2. Автор: Yi Tang,Weiyimin Dong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Plasma assisted damage engineering during ion implantation

Номер патента: US20240153775A1. Автор: Christopher R. HATEM,Edmund G. Seebauer,Michael Noel Kennedy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation

Номер патента: EP1836717A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-09-26.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-07-13.

High-voltage isolation semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20230085878A1. Автор: Ziquan Fang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Plasma assisted damage engineering during ion implantation

Номер патента: WO2024097593A1. Автор: Christopher R. HATEM,Edmund G. Seebauer,Michael Noel Kennedy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device by the same

Номер патента: US20190221439A1. Автор: Sung Min Kim,Dong Won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of manufacturing field effect transistors

Номер патента: US20030166316A1. Автор: Takashi Nakamura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-04.

Method of reducing oxidation of metal structures using ion implantation, and device formed by such method

Номер патента: US20040043605A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method for Preparing a Source Material for Ion Implantation

Номер патента: US20070178651A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

High Voltage Double-Diffused MOS (DMOS) Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20150200198A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Wafer temperature correction system for ion implantation device

Номер патента: US20130149799A1. Автор: Kazuhiro KANDATSU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Method of improving static refresh

Номер патента: US20030054603A1. Автор: Mark Fischer,Richard Lane,Fawad Ahmed,Charles Dennison,Kunal Parekh,John Zahurak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Structure for improving static refresh and its method of manufacture

Номер патента: US20010023948A1. Автор: Mark Fischer,Richard Lane,Fawad Ahmed,Charles Dennison,Kunal Parekh,John Zahurak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

In situ surface contaminant removal for ion implanting

Номер патента: WO2006023637A3. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Naushad Variam,Steve Walther. Владелец: Steve Walther. Дата публикации: 2007-03-01.

In situ surface contaminant removal for ion implanting

Номер патента: WO2006023637A2. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Naushad Variam,Steve Walther. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-03-02.

In situ surface contamination removal for ion implanting

Номер патента: US7544959B2. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Steven R. Walther,Naushad Variam. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Method of manufacturing semiconductor device including double patterning process

Номер патента: US20240130212A1. Автор: INOUE Naoki,Tsunehiro Nishi,Yonghoon MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

High voltage double-diffused MOS (DMOS) device and method of manufacture

Номер патента: US09786779B2. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High voltage double-diffused MOS (DMOS) device and method of manufacture

Номер патента: US09601615B2. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351795A1. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-01.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20150162197A1. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Ji-Min Jeong,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

High voltage double-diffused mos ( dmos) device and method of manufacture

Номер патента: WO2015108903A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-23.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: EP1964149A2. Автор: Brian Freer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A2. Автор: Brian Freer. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A3. Автор: Brian Freer. Владелец: Brian Freer. Дата публикации: 2007-10-04.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20050142736A1. Автор: Hyun Shin. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of improving static refresh

Номер патента: US6693014B2. Автор: Mark Fischer,Charles H. Dennison,John K. Zahurak,Kunal R. Parekh,Fawad Ahmed,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-17.

Trench isolation and method of fabricating trench isolation

Номер патента: US20090045468A1. Автор: James Spiros Nakos,Terence Blackwell Hook,Jeffrey Bowman Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of producing bonded silicon wafer

Номер патента: US20100167425A1. Автор: Takashi Sakai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09852925B2. Автор: Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09613811B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Ji-Min Jeong,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of fabricating MNOS transistors having implanted channels

Номер патента: US4196507A. Автор: Burchell B. Baptiste. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1980-04-08.

Method of Improving Memory Cell Device by Ion Implantation

Номер патента: US20120329220A1. Автор: Ralf van Bentum,Nihar-Ranjan Mohapatra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140225217A1. Автор: Tatsuhiko Fujihira,Michiya Yamada,Mutsumi Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Method of manufacturing photonic crystal and method of manufacturing surface-emitting laser

Номер патента: US20130252360A1. Автор: Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of making an electric conductive strip

Номер патента: US20020034708A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Fabrication method of display device

Номер патента: US20070161167A1. Автор: Akio Kawano,Jun Gotoh. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240088258A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Techniques for ion implantation of molecular ions

Номер патента: US20100084577A1. Автор: Christopher A. Rowland,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Method of ion implantation

Номер патента: US20020109105A1. Автор: Michael Huang,Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Vertical field effect transistor device and method of fabrication

Номер патента: US20240213363A1. Автор: Richard J Brown,James R. Shealy. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of reducing junction capacitance of source/drain region

Номер патента: US6383883B1. Автор: Kuan-Cheng Su,Yao-Chin Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-07.

Vertical field effect transistor device and method of fabrication

Номер патента: US11652165B2. Автор: James R. Shealy,Richard J. Brown. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device and adjusting apparatus

Номер патента: US9153459B2. Автор: Takashi Kyuho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Double-implant nor flash memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100171161A1. Автор: Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Yung-Chung Lee. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of making a semiconductor switch device

Номер патента: US20180337250A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-11-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12087622B1. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893195B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yusuke Sekine,Tatsuya Honda,Kosei Noda,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881959B2. Автор: Yi-Ming Chang,Po-Shen Lin,Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Fabrication method of fast recovery diode

Номер патента: US09837275B2. Автор: QUAN Wang,Wei Zhou,Deming Sun,Jieqiong DONG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09484203B2. Автор: Sung-Hwan Kim,Ki-Jae Hur,Soo-jin Hong,Jun-Hee Lim,Hae-In JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US8597530B2. Автор: Min Sub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-03.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

Ion-implantation method in solid materials for implanting impurities

Номер патента: US5096841A. Автор: Atsushi Miura,Akitsu Shimoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

Metal hard mask for precise tuning of mandrels

Номер патента: WO2024022857A1. Автор: Koichi Motoyama,Christopher Penny,Yann Mignot,Joe Lee. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Metal hard mask for precise tuning of mandrels

Номер патента: US20240038535A1. Автор: Koichi Motoyama,Christopher J. Penny,Yann Mignot,Joe Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Process for removing ion-implanted photoresist

Номер патента: WO2009055317A2. Автор: Srinivasa Raghavan,Murlidhar Bashyam,Mike Tucker,Kalyan Cherukuri. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of manufacturing contamination level of ion implanting apparatus

Номер патента: US20150079705A1. Автор: Sooman Kim,Wonseok Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: SG178705A1. Автор: Fuse Genshu,Sugitani Michiro. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030110A1. Автор: Tomohiro Yamashita,Masashi Kitazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of Fabricating Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Номер патента: US20080038909A1. Автор: Woong Je Sung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Point source light-emitting diode and method of producing the same

Номер патента: US12095004B2. Автор: Masatoshi Iwata,Naruki SHINDO. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Ion injector and lens system for ion beam milling

Номер патента: US09916993B2. Автор: Thorsten Lill,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

System, method and apparatus for ion milling in a plasma etch chamber

Номер патента: US09899227B2. Автор: Joydeep Guha,Aaron Eppler,Jun Hee Han,Butsurin JINNAI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09870990B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of fabricating DMOS and CMOS transistors

Номер патента: US09859168B1. Автор: Jung Lee,Kyung Ho Lee,Hyun Kwang Shin. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

FinFET device and method of forming

Номер патента: US09837539B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09837489B2. Автор: Junichi Uehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing non volatile memory device

Номер патента: US09704975B2. Автор: Kyung Ho Lee,Jeong Ho Cho,Doo Yeol Ryu. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of forming vertical memory strings, and methods of forming vertically-stacked structures

Номер патента: US09627550B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Vapor compression refrigeration chuck for ion implanters

Номер патента: US09558980B2. Автор: William D. Lee,Ashwin M. Purohit,Marvin R. LaFontaine. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Processing method of substrate and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US09552984B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsushi Hiramoto,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09466531B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing a color TV focusing mask

Номер патента: US4659317A. Автор: David C. Boyd. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1987-04-21.

Method of fabricating a temporary apertured mask for a color television tube

Номер патента: CA936051A. Автор: B. Law Harold. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-10-30.

Method of annealing an aperture shadow mask for a colour cathode ray tube

Номер патента: EP0305038A3. Автор: Thomas H. Gray. Владелец: Allegheny Ludlum Corp. Дата публикации: 1989-08-23.

Energy filter element for ion implantation systems for the use in the production of wafers

Номер патента: US12080510B2. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-09-03.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US5025167A. Автор: Shigeo Sasaki,Tetsuya Nakanishi,Soichiro Okuda,Kazuhiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Split double gap buncher and method for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: EP1419514A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Split double gap buncher and method for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: WO2003019612A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

Apparatus and method of photo-fragmentation

Номер патента: EP2396805A1. Автор: Alexandre Loboda. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2011-12-21.

Linear ion trap and method of controlling movement of ions using asymmetrical confinement field

Номер патента: RU2372686C2. Автор: Грегори Дж. УЭЛЛС. Владелец: Вэриэн, Инк.. Дата публикации: 2009-11-10.

In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter

Номер патента: WO2002052612A2. Автор: Alfred Michael Halling. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-07-04.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1027718A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter

Номер патента: WO2002052612A3. Автор: Alfred Michael Halling. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Collimator magnet for ion implantation system

Номер патента: US20100140494A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Collimator magnet for ion implantation system

Номер патента: WO2010064099A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD.. Дата публикации: 2010-06-10.

Reduced trace metals contamination ion source for an ion implantation system

Номер патента: US09543110B2. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Energy filter element for ion implantation systems for the use in the production of wafers

Номер патента: US20240055217A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-15.

Reduced implant voltage during ion implantation

Номер патента: WO2010042494A2. Автор: Ludovic Godet,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-04-15.

Apparatus and methods for ion mobility spectrometry

Номер патента: US09753011B2. Автор: Alexander Makarov. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording medium

Номер патента: US09424873B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Masanori Aniya. Владелец: WD Media Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Energy filter element for ion implantation systems for the use in the production of wafers

Номер патента: US11837430B2. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-12-05.

Electron confinement inside magnet of ion implanter

Номер патента: WO2006060231A3. Автор: . Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2006-07-27.

Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system

Номер патента: EP1527473A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Method for ion source component cleaning

Номер патента: US09627180B2. Автор: Lloyd Anthony Brown,Ashwini Sinha,Serge Marius Campeau. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Interdigitated electrode configuration for ion filter

Номер патента: US09588081B2. Автор: Matthew Hart,Andrew H. Koehl. Владелец: Ownstone Medical Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Occluding beamline ion implanter

Номер патента: WO2002084713A3. Автор: David S Holbrook. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2003-03-13.

Grid surface conditioning for ion beam system

Номер патента: US20240203683A1. Автор: Mohammad SAGHAYEZHIAN,Kirill Gutsol,Binyamin Rubin. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Grid surface conditioning for ion beam system

Номер патента: WO2024129423A1. Автор: Mohammad SAGHAYEZHIAN,Kirill Gutsol,Binyamin Rubin. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Ion implanter with contaminant collecting surface

Номер патента: US7358508B2. Автор: Michael Graf,Philip J. Ring. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-04-15.

Method and apparatus for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: EP1419515A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Method of manufacturing a switch panel to be disposed close to a magnetic sensor

Номер патента: US20070050972A1. Автор: Hiromichi Koyama,Hideki Mitsuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Method of manufacturing a full-face mask for an air purifying respirator and such a mask

Номер патента: WO2023247520A1. Автор: Mikael Klockseth. Владелец: Tiki Safety Ab. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of adjusting and controlling a device for cutting strip material in a machine for the manufacture of commodities

Номер патента: US5095920A. Автор: Riccardo Mattei. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 1992-03-17.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230422470A1. Автор: Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of reading out a cmos image sensor and a cmos image sensor configured for carrying out such method

Номер патента: EP2873231A1. Автор: Willem Hendrik Maes. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-05-20.

Method of and apparatus for providing offset for light detector

Номер патента: WO1994024810A1. Автор: Scott William Petrick,Paul Richard Granfors. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1994-10-27.

Apparatus and method of image processing to avoid image saturation

Номер патента: US20070096161A1. Автор: Mehdi Hatamian,Esin Terzioglu,Ali Anvar. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of fabricating mask read only memory

Номер патента: US20020168822A1. Автор: Chun-Jung Lin,Ful-Long Ni,Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Methods of making bulk metallic glass from powder and foils

Номер патента: US20180080109A1. Автор: Naoto Matsuyuki,Yoshihiko Yokoyama,Theodore A. Waniuk. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of growing graphene selectively

Номер патента: US20210206643A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of preparing a color subtractive mask

Номер патента: US3607265A. Автор: Ramon Bergero. Владелец: JASON TARSER. Дата публикации: 1971-09-21.

Method of strengthening glass articles using powdered salts for ion exchange

Номер патента: CA1028154A. Автор: Raymond T. Lau. Владелец: Owens Illinois Inc. Дата публикации: 1978-03-21.

Method of forming damascene structure for metal interconnection using ion implantation

Номер патента: KR100296907B1. Автор: 김상익,송일석. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-12.

Method of forming helical springs

Номер патента: US4302959A. Автор: Vladimir K. Yakovlev,Elektron P. Lugovoi,Vasily A. Ivankov. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-12-01.

Method of preparing a tissue swatch for a bioprosthetic device

Номер патента: EP2964277A1. Автор: Aaron J. Chalekian,Aditee A. KURANE,Jaishankar K. KUTTY. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Method of preparing a tissue swatch for a bioprosthetic device

Номер патента: US20180085216A1. Автор: Aaron J. Chalekian,Aditee Kurane,Jaishankar Kutty. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of investigating the electrical resistivity of the ground and apparatus for use in the method

Номер патента: US4246538A. Автор: Ronald D. Barker. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-01-20.

Intraocular lens and method of constructing the same

Номер патента: US20200038174A1. Автор: Randall Woods. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of forming an object by additive manufacturing within a furnace, and furnace for additive manufacture of an object

Номер патента: GB202110857D0. Автор: . Владелец: Plastiprint 3d Ltd. Дата публикации: 2021-09-08.

Method of calculating the required power of an intraocular lens

Номер патента: US5282852A. Автор: T. Scott Rowe,Thomas G. Capetan. Владелец: Alcon Surgical Inc. Дата публикации: 1994-02-01.

Method of profiled elements manufacturing

Номер патента: RU2641083C2. Автор: Марк ФРИККЕ,Марк ЭЛБИНГ,Нильс МОМАЙЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-01-15.

Method of making a scratch-resistant mask for photolithographic processing

Номер патента: US4081314A. Автор: Carlyle F. Smith, Jr.. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1978-03-28.

Method of improvement opacity

Номер патента: RU2527219C2. Автор: Маттиас Бури,Самуэль РЕНЧ,Патрик А.С. Гейн. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2014-08-27.

Method of screening for a carnitine transporter agonist or antagonist and its uses

Номер патента: EP1781817A2. Автор: Bodo Brunner,Petra Arndt,Daniel Margerie. Владелец: Sanofi Aventis Deutschland GmbH. Дата публикации: 2007-05-09.

Method and Apparatus of Forming Cracks as Masks for the Fabrication of Micro-Metal Mesh

Номер патента: US20180112315A1. Автор: LIU Zhihong. Владелец: 2M Technology, LLC. Дата публикации: 2018-04-26.

Method of making granules built up from a core and an envelope

Номер патента: CA1152389A. Автор: Jean P. Bruynseels. Владелец: NEERLANDAISE DE L'AZOTE Cie SA. Дата публикации: 1983-08-23.

Method of making diamond compacts for rock drilling

Номер патента: CA1147122A. Автор: Harold P. Bovenkerk. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-05-31.

Method of assembling two metal elements, one of which is tubular, applicable in particular to the manufacture of metal ladders

Номер патента: FR1408953A. Автор: . Владелец: ABA ETS. Дата публикации: 1965-08-20.

Mask for charged particle beam exposure, and method of forming the same

Номер патента: US20050008946A1. Автор: Kenichi Morimoto,Yoshinori Kinase,Yuki Aritsuka. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of manufacturing liquid jet head

Номер патента: US20050185025A1. Автор: Masato Shimada,Tetsushi Takahashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming a binary code of a ROM

Номер патента: US6166943A. Автор: Chun-Jung Lin,Mam-Tsung Wang,Ping-Ying Wang,Chun-Yi Yang,Jui-Chin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-26.

Ion implantation in metal alloys

Номер патента: WO1993012265A1. Автор: Lynann Clapham,James L. Whitton. Владелец: Queen's University At Kingston. Дата публикации: 1993-06-24.

Optical pickup device and method of adjusting the same

Номер патента: US20030103438A1. Автор: MITSUHIRO Togashi,Ichiro Morishita,Naoki Kaiho,Noriyoshi Takeya. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of agricultural lands monitoring

Номер патента: RU2695490C2. Автор: Илья Геннадьевич Прокудин. Владелец: Илья Геннадьевич Прокудин. Дата публикации: 2019-07-23.

Method and structure of ion implanted elements for the optimization of resistance

Номер патента: US20070111355A1. Автор: Russell Johnson,Curtis Rahn. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-05-17.

Process of manufacture of elastomer film, deposition form unit and elastomer film

Номер патента: RU2135357C1. Автор: Винтер Хьюго Де. Владелец: Ректисел. Дата публикации: 1999-08-27.

Apparatus for use in teaching shooting against moving targets by means of photo-electric apparatus

Номер патента: GB601209A. Автор: . Владелец: VITARAMA CORP. Дата публикации: 1948-04-30.

System and method for ion based radiotherapy treatment plan evaluation

Номер патента: US20190336790A1. Автор: Erik Traneus. Владелец: RaySearch Laboratories AB. Дата публикации: 2019-11-07.

System and method for ion based radiotherapy treatment plan evaluation

Номер патента: WO2018091427A2. Автор: Erik Traneus. Владелец: RaySearch Laboratories AB. Дата публикации: 2018-05-24.

Amplitude, frequency, and phase modulated entangling gates for ion trap quantum computers

Номер патента: WO2022047142A1. Автор: Yunseong NAM,Reinhold BLUMEL,Nikodem GRZESIAK. Владелец: IonQ, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of producing ion sensitive film for ion sensor

Номер патента: US6855747B2. Автор: Hirohisa Yoshida,Tokuo Mizuno,Tadashi Kawai,Atsuro Tonomura,Naoki Aota. Владелец: Jeol Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-15.

Amplitude, frequency, and phase modulated entangling gates for ion trap quantum computers

Номер патента: US12056573B2. Автор: Yunseong NAM,Reinhold BLUMEL,Nikodem GRZESIAK. Владелец: Ionq Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Ion implantation to modify glass locally for optical devices

Номер патента: WO2022204192A1. Автор: Ludovic Godet,Kang LUO,Jinxin FU,Nai-Wen Pi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-09-29.

Display panel,method of photo alignment and driving method of the display panel

Номер патента: US20220035206A1. Автор: Wei Li,Junhong CAO. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Charged triplet-state quenchers for mitigation of photo-induced damage

Номер патента: US09637782B2. Автор: Wei-Chuan Sun,Stephen Yue,Gene Shen,Andrei Fedorov. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Annealing treatment for ion-implanted patterned media

Номер патента: US09384773B2. Автор: Olav Hellwig,Qing Zhu,Kurt A. Rubin. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-07-05.

Manufacturing method of photo-alignment film

Номер патента: US20150253632A1. Автор: Chung-Yi Wang,An-chang WANG,Shiang-Ruei OUYANG. Владелец: Innocom Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Packing material for ion chromatography and production method therefor

Номер патента: US12036486B2. Автор: Naoko Uchiyama,Shiho Iemura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Eluent for ion-exchange chromatography, and method of analyzing nucleic acid chains

Номер патента: US09481881B2. Автор: Koji Ushizawa,Takuya Yotani. Владелец: Sekisui Medical Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of making decorative and art articles

Номер патента: RU2598292C1. Автор: Юрий Иванович Литницкий. Владелец: Юрий Иванович Литницкий. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of cast aluminium alloy sheet manufacturing

Номер патента: RU2392089C1. Автор: Макото МОРИСИТА. Владелец: Кабусики Кайся Кобе Сейко Се. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of forming transport road (versions)

Номер патента: RU2582685C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Lampshade and method of its manufacturing

Номер патента: RU2734631C2. Автор: Сергей Никитович Тепляков. Владелец: Сергей Никитович Тепляков. Дата публикации: 2020-10-21.

Method of producing adiponitrile

Номер патента: RU2373191C2. Автор: Филипп Леконт,Беатрис БАРАТО. Владелец: Родиа Шими. Дата публикации: 2009-11-20.

Methods of photo-processing photoresist

Номер патента: US20010038955A1. Автор: Ziad Hatab,Paul Shirley,Tony Krauth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of producing hardener/catalyst compositions for casting resins

Номер патента: GB2074579B. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-11-16.

Diagnosis device and method of manufacturing the diagnosis device

Номер патента: WO2009011535A2. Автор: Byoung Su Lee,Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2009-01-22.

Preparation method of photo catalyst by transition metal halide molten salt and use thereof

Номер патента: US20230264971A1. Автор: Jiajia Wang,Zunfu Hu,Shanmin GAO. Владелец: Linyi University. Дата публикации: 2023-08-24.

Use of ptfe sheet in manufacturing wood-based products

Номер патента: WO2013138902A9. Автор: Jaime Antonio COSTA,Bruce GRUNERT. Владелец: Ainsworth Lumber Co. Ltd.. Дата публикации: 2015-08-06.

Use of ptfe sheet in manufacturing wood-based products

Номер патента: US20150054205A1. Автор: Jaime Antonio COSTA,Bruce Warren Grunert. Владелец: Ainsworth Lumber Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Use of ptfe sheet in manufacturing wood-based products

Номер патента: EP2828050A1. Автор: Jaime Antonio COSTA,Bruce GRUNERT. Владелец: Ainsworth Lumber Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

Optical writing device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060138305A1. Автор: Yujiro Nomura,Ken Ikuma,Kiyoshi Tsujino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of Manufacturing A Cartridge Case

Номер патента: US20210148687A1. Автор: Michael H. Blank. Владелец: Us Strategic LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

Systems and methods for ion measurements

Номер патента: US09891187B1. Автор: Yufeng Ma,Ranganathan Shashidhar,James A. Kane. Владелец: Polestar Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Cyclosporine suspensions a of form 2

Номер патента: RU2641963C2. Автор: Анурадха В. ГОР,Прем Сваруп МОХАНТИ,Э. Квинн ФАРНЕС. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming three-dimensional images in coatings

Номер патента: RU2590880C2. Автор: Петер КЛАУТЕР,Томас ГЁТЦ. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of forming blade edge

Номер патента: RU2725946C2. Автор: Сергей Георгиевич Бирюков. Владелец: Сергей Георгиевич Бирюков. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of sandwiched panel assembly and shaping

Номер патента: RU2516508C2. Автор: Эндрю ЛЕВЕРС,Гари УИЛЕС. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of forming a light guide plate insert mold

Номер патента: US20060073421A1. Автор: Irene Chen,Chin-Chen Yang,Tien-Yu Chou,Jyh-Huei Lay,Yuan-Hung Wang,Chuan-Lun Hsu. Владелец: U-Tech Media Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Chambered ion reflux system for ion chromatography, apparatus and method of use

Номер патента: EP3183569A1. Автор: John M. Riviello. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-28.

Method of forming nanopattern and substrate having pattern formed using the method

Номер патента: EP1999513A1. Автор: Seung-Tae Oh,Sang-Choll Han,Deok-Joo Kim,Matthias Henyk. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A3. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Limited. Дата публикации: 2008-12-24.

Thin film magnetic head, method of manufacturing the same and method of forming magnetic layer pattern

Номер патента: US20020034045A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Continuous electrolytically regenerated packed bed suppressor for ion chromatography

Номер патента: EP1057013A1. Автор: Yan Liu,Hamish Small,John M. Riviello. Владелец: Dionex Corp. Дата публикации: 2000-12-06.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: EP2158562A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Improvements in or relating to the manufacture of zone plates

Номер патента: WO1984000823A1. Автор: Michael Christopher Hutley. Владелец: Secretary Trade Ind Brit. Дата публикации: 1984-03-01.

Kidney structures and methods of forming the same

Номер патента: US09580688B2. Автор: Anthony Atala,James J. Yoo. Владелец: Wake Forest University Health Sciences. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of obtaining protection elements and hologram

Номер патента: RU2640711C2. Автор: Николай А. ГРИГОРЕНКО,Мишель РИШЕР,Ролан ФЛЕРИ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-01-11.

Multi-layer fabric and its method of its manufacture

Номер патента: RU2507332C2. Автор: Роберт А. ХЭНСЕН. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of manufacture of architectural articles

Номер патента: RU2160239C1. Автор: И.М. Баранов. Владелец: Баранов Иван Митрофанович. Дата публикации: 2000-12-10.

Improvements in the Manufacture of Fishing Nets and the like and in Apparatus to be used for that Purpose

Номер патента: GB190706460A. Автор: Anders Johan Ohls,Oskar Gros. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-08-29.

Method of producing a treated face mask

Номер патента: PH22016000835U1. Автор: Cu Gonnie Ong. Владелец: Cu Gonnie Ong. Дата публикации: 2016-12-02.

Preparing method of semiconductor device comprising process for mask pattern of ion implantation

Номер патента: KR100764426B1. Автор: 김명수,길명군. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-05.

Manufacture of lateral pin photo diode

Номер патента: JPH01184878A. Автор: Yukihiro Ozeki,行弘 大関,Katsuhiro Sakaizawa,勝弘 境澤,Kiyonari Ogawa,研也 小川. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1989-07-24.

Method of producing a treated face mask

Номер патента: PH22016000835Y1. Автор: Gonnie Ong Cu. Владелец: Gonnie Ong Cu. Дата публикации: 2016-12-02.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

ION IMPLANTED BEAM DUMP

Номер патента: US20120001061A1. Автор: Zillmer Andrew J.. Владелец: HAMILTON SUNDSTRAND CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming universal set of reinforced cups for shafts

Номер патента: RU2178111C1. Автор: И.Я. Пинус. Владелец: Пинус Иосиф Яковлевич. Дата публикации: 2002-01-10.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PLATE, HEAT EXCHANGER AND METHOD OF MANUFACTURING A HEAT EXCHANGER

Номер патента: US20120000637A1. Автор: NOËL-BARON Olivier,Vännman Erik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURE OF PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000532A1. Автор: Meyers Peter V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming areflux esophageal-enteric anastomosis

Номер патента: RU2437623C2. Автор: Игорь Александрович Ли. Владелец: Игорь Александрович Ли. Дата публикации: 2011-12-27.

Acoustic horn and method of making same (versions)

Номер патента: RU2519852C1. Автор: Алексей Юрьевич Химичев. Владелец: Алексей Юрьевич Химичев. Дата публикации: 2014-06-20.

Improvements in and connected with the Production of Photo-relievo Impressions on Paper, Card, and other Materials.

Номер патента: GB189814814A. Автор: Dan Lichtenberg-Madsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-08-13.

IMAGE SCANNING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF DOCUMENT SIZE DETECTION LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120002247A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMPLANTABLE HEART ASSIST SYSTEM AND METHOD OF APPLYING SAME

Номер патента: US20120004495A1. Автор: . Владелец: Thoratec Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRASOUND IMAGING SYSTEM AND METHODS OF IMAGING USING THE SAME

Номер патента: US20120004539A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing canned food "rassolnik stolichny"

Номер патента: RU2340241C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2008-12-10.

Method of manufacturing canned food "hom shurbo"

Номер патента: RU2340238C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2008-12-10.

Method of forming decorative vinegrove head

Номер патента: RU2473206C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-01-27.

METHOD OF STERILIZING AN ORTHOPAEDIC IMPLANT

Номер патента: US20120000058A1. Автор: Vogel David,LAMBERT Richard,MCLEAN Terry. Владелец: Smith & Nephew, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Implanting An Interspinous Vertebral Implant

Номер патента: US20120004727A1. Автор: Fuentes Jean-Marc,Ben-Mokhtar Mourad. Владелец: Eden Spine, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming active layer of tubular catalyst

Номер патента: RU2401699C1. Автор: Юрий Терентьевич Синяпкин. Владелец: Юрий Терентьевич Синяпкин. Дата публикации: 2010-10-20.