Analytical model for predicting current mismatch in metal oxide semiconductor arrays
Номер патента: US8832619B2
Опубликовано: 09-09-2014
Автор(ы): Amit KUNDU, Chung-Kai Lin, Jaw-Juinn Horng, Shih-Cheng Yang, Yung-Chow Peng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-09-2014
Автор(ы): Amit KUNDU, Chung-Kai Lin, Jaw-Juinn Horng, Shih-Cheng Yang, Yung-Chow Peng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods
Номер патента: US09978682B1. Автор: Anthony Correale, Jr.,William GOODALL, III,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.