Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Voltage regulator, semiconductor device, and voltage generation method of voltage regulator

Voltage regulator, semiconductor device, and voltage generation method of voltage regulator

Номер патента: JP6530226B2
Опубликовано: 12-06-2019
Автор(ы): 大塚　雅之, 雅之 大塚
Принадлежит: Lapis Semiconductor Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Voltage regulator, semiconductor device, and voltage generation method for voltage regulator

Номер патента: US09602003B2. Автор: Masayuki Otsuka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Voltage regulator

Номер патента: US20140347946A1. Автор: Filippo Marinelli,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device including a high voltage generation circuit and method of generating a high voltage

Номер патента: CN101154463A. Автор: 边大锡,林瀛湖. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-02.

Voltage generation circuits and methods of operating same that use charge sharing to increase voltage step-up

Номер патента: TW565851B. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-11.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09647538B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Simultaneous multi-voltage rail voltage regulation messages

Номер патента: US20130015715A1. Автор: Alon Naveh,Edward R. Stanford,II Joseph T. DiBene,Hung-Piao Ma,Kosta Luria,Annabelle Pratt,Gil Schwarzband,Jorge Pedro Rodriguez,Sean M. WeIch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-17.

Memory device including voltage regulator

Номер патента: EP4369340A1. Автор: Sungho Moon,Sang-Wan Nam,Seongjin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: EP1043727A3. Автор: Hidenori C/O Oki Electric Ind. Co. Ltd. Uehara,Nobutaka c/o Oki Electric Ind. Co. Ltd. Nasu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-11.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09455692B2. Автор: Seung Han Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of operating a voltage regulator to reduce contention current

Номер патента: US09502098B2. Автор: Ming-Chieh Huang,Chan-Hong Chern,Yuwen Swei,Chih-Chang Lin,Tien Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Phase-change memory with supply-voltage regulation circuit

Номер патента: EP3767627A1. Автор: Mr. Michele LA PLACA,Mr. Fabio Enrico Carlo DISEGNI,Mr. Federico GOLLER. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-20.

Semiconductor devices having mirrored terminal arrangements, devices including same, and methods of testing such semiconductor devices

Номер патента: US20020044476A1. Автор: Steven Hamren,James Nuxoll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor devices including an external power voltage control function and methods of operating the same

Номер патента: US7230475B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Kwang-Sook Noh,Beob-Rae Cho,Mi-Jo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-12.

Semiconductor device including sense amplifier having enhanced sensing margin and method of controlling the same

Номер патента: US11763878B2. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Byungjun Kang,Yunhee Lee,Daehyun KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09747983B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09614080B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09455262B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device including cell region stacked on peripheral region and method of fabricating the same

Номер патента: US09666289B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices with a double sided word line structure and methods of manufacture

Номер патента: US11856876B2. Автор: Cheng-Chun Chang,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US11887666B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20240127889A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Dynamic adjustment of power supply ripple ratio and frequency in voltage regulators

Номер патента: US20230027702A1. Автор: Layne A. Berge,Justin HENSPETER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240282356A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Voltage regulator supply for independent wordline reads

Номер патента: US20240233825A9. Автор: Shigekazu Yamada,Violante Moschiano,Marco Domenico Tiburzi,Federica Paolini,Filippo Bruno,Leo Raimondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09478260B2. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Word Line Voltage Generation Circuit and Method of Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR100632366B1. Автор: 김우일,서희권. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-09.

Die voltage regulation

Номер патента: US20230100397A1. Автор: Kang-Yong Kim,Hyunyoo Lee,Taeksang Song,Saira S. Malik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Voltage regulator circuit for a switching circuit load

Номер патента: US20240339917A1. Автор: Marco Pasotti,Laura Capecchi,Riccardo Zurla,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-10.

Voltage regulator circuit for a switching circuit load

Номер патента: US12046987B2. Автор: Marco Pasotti,Laura Capecchi,Riccardo Zurla,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-23.

Voltage regulator and method of controlling a voltage regulator comprising a variable inductor

Номер патента: US09857854B2. Автор: Shiguo Luo,Kejiu Zhang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-01-02.

Display apparatus, power voltage generating apparatus, and method of generating power voltage

Номер патента: US09520086B2. Автор: Kyoung-Jin Park,Jin-woo Kim,Byeong-Doo KANG,Jong-Man Bae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Voltage regulator, memory device including voltage regulator, and operation method of memory device

Номер патента: US20240161816A1. Автор: Sungho Moon,Sang-Wan Nam,Seongjin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Internal Voltage Generation Circuit and Method of Semiconductor Device Using Test Pad

Номер патента: KR100365736B1. Автор: 김영희,오진근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-18.

Voltage generation circuit

Номер патента: US20140062445A1. Автор: Jong Man IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Flash memory device and related high voltage generating circuit

Номер патента: US20070268751A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Hee-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-22.

Flash memory device and related high voltage generating circuit

Номер патента: US7649785B2. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-19.

Device and arrangement for controlling an electromagnetic wave, methods of forming and operating the same

Номер патента: SG11201806484WA. Автор: Arseniy KUZNETSOV,Dominguez Ramon Jose Paniagua. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Memory device, voltage generating device and voltage generating method thereof

Номер патента: US20240021221A1. Автор: Chih-Jen Chen,Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device, voltage generating device and voltage generating method thereof

Номер патента: US11955196B2. Автор: Chih-Jen Chen,Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Voltage regulator with distributed output transistor

Номер патента: US20040076034A1. Автор: Ernst Stahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor device with a voltage regulator

Номер патента: US6600692B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-29.

Voltage regulator circuit for a memory circuit

Номер патента: US20090296509A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Voltage regulator

Номер патента: US20050242794A1. Автор: Wen-Cheng Yen,Cheng-Chung Chou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20020064076A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Integrated circuit device, voltage regulation circuitry and method for regulating a voltage supply signal

Номер патента: US09429966B2. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20020024866A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20020048188A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20030012056A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Memory device, operating method of the memory device, and memory system including the same

Номер патента: US20240078043A1. Автор: Kyungmin Kim,Byongmo Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Voltage generating system and memory device using the same

Номер патента: US20140036611A1. Автор: Chih Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Voltage regulator and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11797038B2. Автор: Jaewoo Park,Eunseok SHIN,WooChul Jung,Myoungbo KWAK,Junhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Fast settling low dropout voltage regulator

Номер патента: US09939831B2. Автор: Sridhar Yadala,Saurabh Verma,Subodh Taigor. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ELECTRICALLY FLOATING BODY TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BOTH VOLATILE AND NON-VOLATILE FUNCTIONALITY AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20200051633A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20190156890A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20170169887A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20180182458A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20210249078A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20200211647A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20190295646A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20180301191A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20160365444A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US11004512B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US10388378B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Memory device and operating method of the memory device and host device

Номер патента: US11740966B2. Автор: Walter JUN,Young San KANG,Ye Jin CHO,Sung Tack HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device having pairs of vertical complementary bipolar transistors and method of fabrication therefor

Номер патента: EP0021393A1. Автор: Denny D. Tang,Victor J. Silvestri,Siegfried K. Wiedmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CELL REGION STACKED ON PERIPHERAL REGION AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160307632A1. Автор: KIM Sunghoon,Lee Jae-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Memory devices and memory systems including discharge lines and methods of forming

Номер патента: US20120092946A1. Автор: Jin-Young Kim,Ji-Hyun Jeong,Jae Hee OH,Ki Whan SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-19.

Nonvolatile semiconductor storage device, and writing method, reading method and erasing method of the same

Номер патента: CN101548333B. Автор: 佐藤嘉洋. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-01-02.

Nonvolatile semiconductor storage device, and writing method, reading method and erasing method of the same

Номер патента: KR20090087872A. Автор: 요시히로 사토. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2009-08-18.

Semiconductor device including plurality of parallel input/output lines and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20090207654A1. Автор: Sung-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG COMPANY Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device for improving performance in continuous read and operation method of semiconductor device

Номер патента: US20240274188A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device related to performance of a program operation and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240161832A1. Автор: Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Power supply device and power supply method using the same

Номер патента: US09819223B2. Автор: Sang Hun Jeon,Ho-Jin Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for automatic detection and configuration of voltage regulator phases in a multi-rail voltage regulator

Номер патента: US09612638B1. Автор: Stuart Allen Berke,Abey K. Mathew. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-04-04.

Voltage Regulator And Method Of Controlling A Voltage Regulator Comprising A Variable Inductor

Номер патента: US20170248996A1. Автор: Luo Shiguo,Zhang Kejiu. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Device and arrangement for controlling an electromagnetic wave, methods of forming and operating the same

Номер патента: US20210272596A1. Автор: Arseniy KUZNETSOV,Ramon Jose PANIAGUA DOMINGUEZ. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2021-09-02.

Regulator with master/slave voltage regulator scheme

Номер патента: US11747847B2. Автор: Joo Won OH,Keun Jin CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Control circuit and control method of trans-inductor voltage regulator

Номер патента: US20240333160A1. Автор: Peng Zhou,Zhiyuan Shen,Zhaolong Yu. Владелец: Nanjing Silergy Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with transistor cells and a drift structure and method of manufacturing

Номер патента: US10700182B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Bernd Zippelius,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-30.

Reference voltage generator circuit such as band gap reference voltage generator circuit, and method of generating reference voltage

Номер патента: US11977405B2. Автор: Kaoru Nakano,Yohkoh HIROSE. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor Device and Voltage Regulator Using the Semiconductor Device

Номер патента: US20080197829A1. Автор: Kohji Yoshii,Toshihisa Nagata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT SUCH AS BAND GAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT, AND METHOD OF GENERATING REFERENCE VOLTAGE (as amended)

Номер патента: US20230333587A1. Автор: Kaoru Nakano,Yohkoh HIROSE. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods of manufacturing semiconductor devices, method sof performing extreme ultraviolet ray exposure, and methods of performing optical proximity correction

Номер патента: US20200064728A1. Автор: Ki-Soo Kim,No-Young Chung,Akio Misaka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Temperature sensor device and radiation thermometer using this device, production method of temperature sensor device, multi-layered thin film thermopile using photo-resist film and radiation thermometer using this thermopile, and production method of multi-layered thin film thermopile

Номер патента: US09759613B2. Автор: Mitsuteru Kimura,Nobuo Tanaka,Hironori Shimobayashi. Владелец: HME CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with integrated hot plate and recessed substrate and method of production

Номер патента: US09570390B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having a reverse bias voltage generator

Номер патента: US4996446A. Автор: Kazuhiro Nakada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-02-26.

Semiconductor Device with Transistor Cells and a Drift Structure and Method of Manufacturing

Номер патента: US20180331204A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Bernd Zippelius,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device, radio terminal device, radio communication system and communication method of radio terminal device

Номер патента: US20200204965A1. Автор: Suguru Fujita,Hiroshi CHANO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Voltage regulator

Номер патента: US09705393B2. Автор: Sukanta Kishore Panigrahi,Timothy Charles Clapp,Richard Andrew Wilkinson,Peter Andrew Rees Williams,Barnaby Golder. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Voltage regulator circuitry including module for switching frequency self-optimization

Номер патента: US20190103801A1. Автор: Ankush Varma,Narayanan Natarajan,Jonathan P. Douglas,Srikrishnan Venkataraman,Sreedhar Narayanaswamy,Chih-Chung Jonathan Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Systems and methods for integrated voltage regulators

Номер патента: WO2013109889A3. Автор: Kenneth L. Shepard,Noah Andrew STURCKEN. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2015-06-18.

Voltage regulation circuit of semiconductor device

Номер патента: KR960009155A. Автор: 김주영,박주원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-03-22.

Method of forming a voltage regulator and structure therefor

Номер патента: KR101375549B1. Автор: 스티번 더블유. 다우,프레이빈 메너프레게티,데이비드 에프. 모우러. Владелец: 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨. Дата публикации: 2014-03-24.

Semiconductor device, charge pump circuit, semiconductor system, vehicle, and control method of semiconductor device

Номер патента: KR20170105409A. Автор: 히로마사 스즈키,웨이 조우,신이치 코야마,타케시 쿠스노키. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-09-19.

POWER SUPPLY CONTROL DEVICE AND CONTROL CHARACTERISTIC CORRECTION DATA GENERATION METHOD FOR POWER SUPPLY CONTROL DEVICE

Номер патента: US20180123441A1. Автор: YANAI Takayuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

Negative voltage generator circuit, light receiver module, and lidar

Номер патента: WO2024125661A1. Автор: Shaoqing Xiang,Xue ZHANG,Zhenliang Chen,Jianxiong Zhu,Luying QIANG. Владелец: Hesai Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Voltage regulator

Номер патента: US09477252B2. Автор: Pietro Gabriele Gambetta. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Devices and methods for minimizing input capacitance in computer design

Номер патента: US09665147B1. Автор: Christopher Lyon,Srikanth Lakshmikanthan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Voltage regulation apparatus, chip and electronic device

Номер патента: US12009748B2. Автор: Dong Li,Maoxu Li. Владелец: Chipone Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Power management integrated circuit with a field programmable array of voltage regulators

Номер патента: EP4285201A1. Автор: Peng Zou,Gang Ren,Syrus Ziai,Curtis Roger MCALLISTER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Control device and method for a switching voltage regulator, and switching voltage regulator

Номер патента: US20240210978A1. Автор: Ivan FLORIANI,Salvatore Cannavacciuolo,Mauro Jonathan PELLEGRINI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-27.

Current balancing for voltage regulator units in field programmable arrays

Номер патента: EP4285480A1. Автор: Peng Zou,Gang Ren,Syrus Ziai,Curtis Roger MCALLISTER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Fault identification of multiple phase voltage regulator

Номер патента: US20240231456A9. Автор: Ralph H. Johnson,Shiguo Luo. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Voltage regulator circuit and method therefor

Номер патента: US09588530B2. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Alexandre Pujol,Mohammed Mansri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor circuit including a dc-dc converter and a voltage regulator

Номер патента: US20200083810A1. Автор: Ki Jae SONG,Jong Woon YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Voltage regulator using feedback loop circuit for accurately regulating output voltage when integration of error voltage is on hold

Номер патента: US12027977B2. Автор: Hao-Ping Hong,Yung-Chih Yen,Man Pun Chan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Voltage regulator which redundantly monitors for an over-voltage condition based on a regulated voltage provided to a controller and methods

Номер патента: US20230185322A1. Автор: Jean-Philippe Meunier,Loic HUREAU,Maxime Clairet,Thomas Henry Luedeke,Alaa Eldin Y. El Sherif. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

On die voltage regulation with distributed switches

Номер патента: EP3646132A1. Автор: Dipanjan Sengupta,Stephen V. Kosonocky,Erhan ERGİN,Elsie Lo,Sree Rajesh Saha,Divya Guruja. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-05-06.

On die voltage regulation with distributed switches

Номер патента: WO2019005677A1. Автор: Dipanjan Sengupta,Stephen V. Kosonocky,Erhan ERGİN,Elsie Lo,Sree Rajesh Saha,Divya Guruja. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2019-01-03.

Apparatus for starting up switching voltage regulator

Номер патента: US09831762B2. Автор: Peng Zou,Fenardi Thenus,Henry W. Koertzen,Raghu Nandan CHEPURI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Apparatus and methods for voltage regulation

Номер патента: US09971377B2. Автор: Florinel G. Balteanu,Peter Harris Robert Popplewell,Jakub F. Pingot. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Voltage regulator for a power distribution system and method of controlling same

Номер патента: US20160041568A1. Автор: Daniel Joseph Daley. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2016-02-11.

Voltage regulator for a power distribution system and method of controlling same

Номер патента: CA2957243C. Автор: Daniel Joseph Daley. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Voltage regulator for a power distribution system and method of controlling same

Номер патента: US09519299B2. Автор: Daniel Joseph Daley. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2016-12-13.

Intelligent voltage regulator

Номер патента: US09429964B2. Автор: David G. Wright. Владелец: Tamiras Per Pte Ltd Llc. Дата публикации: 2016-08-30.

Voltage regulator supply for independent wordline reads

Номер патента: US20240135994A1. Автор: Shigekazu Yamada,Violante Moschiano,Marco Domenico Tiburzi,Federica Paolini,Filippo Bruno,Leo Raimondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Converting variable renewable energy to constant frequency electricity by a voltage regulated speed converter, a voltage-controlled motor generator set or a voltage converter

Номер патента: SE2350016A1. Автор: Kyung Soo Han. Владелец: Differential Dynamics Corp. Дата публикации: 2023-08-09.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

METHOD OF OPERATING A VOLTAGE REGULATOR

Номер патента: US20160155488A1. Автор: HUANG Ming-Chieh,CHERN Chan-Hong,LIN Chih-Chang,SWEI Yuwen,YANG Tien Chun. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Storage controller, storage device, storage system and method of operating the storage controller

Номер патента: US09846542B2. Автор: Jung-Min Seo,Ju-Pyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160141011A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device, controller associated therewith, system including the same, and methods of operation

Номер патента: TW201145295A. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-16.

Semiconductor device having early operation high voltage generator and high voltage supplying method therefore

Номер патента: KR100391152B1. Автор: 조성규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-12.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US20170330606A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20190122711A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Apparatus with equalizing voltage generation circuit and methods of use

Номер патента: US20060126405A1. Автор: Chulmin Jung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor memory devices for outputting bit cell data without separate reference voltage generator and related methods of outputting bit cell data

Номер патента: TW200428391A. Автор: Jong-Hoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor memory devices for outputting bit cell data without separate reference voltage generator and related methods of outputting bit cell data

Номер патента: TWI247307B. Автор: Jong-Hoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-11.

Semiconductor device, information processing system including the same, and control method of semiconductor device

Номер патента: JP2013182635A. Автор: Toru Ishikawa,透 石川. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor integrated circuit device and read start trigger signal generating method therefor

Номер патента: US6903983B2. Автор: Hideo Kato,Hidetoshi Saito,Yasuhiko Honda,Tokumasa Hara,Tadayuki Taura,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-07.

ELECTRONIC DEVICE AND WIRELESS POWER TRANSMISSION AND RECEPTION CONTROL METHOD OF ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20190025891A1. Автор: YUN Yongsang,KIM Yongyoun. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Memory system, memory device, and output data strobe signal generating method

Номер патента: US7362648B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Electronic device and wireless power transmission and reception control method of electronic device

Номер патента: WO2017135554A1. Автор: 윤용상,김용연. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2017-08-10.

Electronic device and wireless power transmission and reception control method of electronic device

Номер патента: US11139687B2. Автор: Yongyoun KIM,Yongsang YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor integrated circuit device and read start trigger signal generating method therefor

Номер патента: EP1326252A2. Автор: Tokumasa Kabushiki Kaisha Toshiba Hara,Hidetoshi Kabushiki Kaisha Toshiba Saito,Hitoshi Intel.Prop.Div. K.K. Toshiba Shiga,Yasuhiko Kabushiki Kaisha Toshiba Honda,Yadayuki Kabushiki Kaisha Toshiba Taura,Hideo Kabushiki Kaisha Toshiba Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-09.

Voltage converter, wireless power reception device and wireless power transmission system including the same

Номер патента: US09904306B2. Автор: Filippo Neri,Sung-Woo MOON,Myeong-Lyong KO,Pyung-Woo YEON,Kyung-Goo Moh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Power circuit, display device, and method of controlling the display device

Номер патента: GB2625861A. Автор: Tae Kwon Ki,Hwa Park Yong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Low-vibration frequency-controlled electric drive and method of controlling said electric drive

Номер патента: RU2702761C2. Автор: Сергей Николаевич Сидоров,Ярослава Константиновна Старостина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-10-11.

Supply-side voltage regulator

Номер патента: US09588540B2. Автор: Jie Jin,Zhengxiang Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-07.

Voltage generation apparatus

Номер патента: US20160164513A1. Автор: Hyun Ju HAM,Kee Teok Park,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Control method of output voltage of ac sinusoidal voltage controller

Номер патента: RU2727929C1. Автор: Дмитрий Иванович Панфилов,Михаил Георгиевич Асташев,Михаил Игоревич Петров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2020-07-27.

Voltage regulator system and method of use

Номер патента: CA2987820A1. Автор: Thomas Ambrose Dauzat. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2018-06-20.

Voltage Regulator System and Method of Use

Номер патента: US20180173257A1. Автор: Thomas Ambrose Dauzat. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2018-06-21.

Low drop-out voltage regulator and method of starting same

Номер патента: US09893607B1. Автор: Jian Qing,Xindong Duan,Mingliang Wan. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-13.

Power converter for a computer device and method for operating a power converter

Номер патента: US09921628B2. Автор: Andreas C. DOERING,Rihards Dziedatajs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Dc voltage-limiting circuits and electronic devices and thermostats including dc voltage-limiting circuits

Номер патента: US20150122900A1. Автор: LIANG Cao,Bradley C. Zikes,Zhongliang Xu,Cuikun Chu. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 2015-05-07.

Enhanced fault reporting in voltage regulators

Номер патента: US20170110963A1. Автор: Douglas M. Mattingly. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2017-04-20.

Driving device and electronic apparatus

Номер патента: US11783787B2. Автор: Zongzhe Xie. Владелец: Chipone Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Start-up circuit for voltage regulators

Номер патента: WO2001057996A1. Автор: Andrew M. Cowell,Martin E. Garnett,Steve I. Chaney. Владелец: Micrel Incorporated. Дата публикации: 2001-08-09.

Start-up circuit for voltage regulators

Номер патента: EP1212827A1. Автор: Andrew M. Cowell,Martin E. Garnett,Steve I. Chaney. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2002-06-12.

Start-up circuit for voltage regulators

Номер патента: WO2001057996A9. Автор: Martin E Garnett,Steve I Chaney,Andrew M Cowell. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2004-03-25.

Anti-deadlock circuit for voltage regulator and associated power system

Номер патента: US09753515B2. Автор: Chi-Yang Chen. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

System and method for voltage regulation with zero voltage reduction and autotransformer modes

Номер патента: US09680462B2. Автор: Mark Petersen,Jonathan Stewart Thomson. Владелец: LEGEND POWER SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Multi-level power-domain voltage regulation

Номер патента: US20180241305A1. Автор: Vikas Vijay,Yi Cheng Chang,Miguel Mendez Villegas. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Power control device and power control method

Номер патента: US12115967B2. Автор: Chih-Chiang Wu,Yun-Huan Li,Uma Sankar ROUT,Bang-Yuan Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-10-15.

Voltage regulator stabilization for operation with a wide range of output capacitances

Номер патента: US09594387B2. Автор: Vikram Gakhar,Preetam Charan Anand Tadeparthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Voltage regulator error detection and correction

Номер патента: EP3650977A1. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-05-13.

Voltage regulator error detection and correction

Номер патента: US20200150704A1. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-05-14.

Pressure control device and safety control of safety valve and method of operation thereof

Номер патента: RU2743735C1. Автор: Вэй Ван,Сяофэн ЧЖАН,Жуй ЧЖАН,Сяцзюнь Сюй,Фэнчунь Чжи,Юйдон Ли,Юншэн Лю,Цзяньтянь Ли,Цзиньта Гуань,Гуанюй Бян,Юйчжэнь Ван,Тянь Цзяо,Япинг Ге. Владелец: Цзянсуская корпорация по ядерной энергетике. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20070024349A1. Автор: Masaki Tsukude. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Method of correcting a design layout of a semiconductor device, a computing device performing the same and a method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230229073A1. Автор: Jongmin Lee,Cheolhwan Kim,Jichang SIM,Sangeun GO,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Device and method to control radiation source and method of radiation control

Номер патента: RU2383883C2. Автор: Жикианг ЧЕН,Ли ЖАНГ,Минг РУАН,Хуа ПЕНГ,Шангмин СУН,Янли ДЕНГ,Юанджинг ЛИ,Йинонг ЛИУ,Джунли ЛИ,Яаохонг ЛИУ,Джинйу ЖАНГ,Кингджун ЖАНГ,Яли КСИЕ,Сиюан ЛИАНГ,Гуанг ЯНГ,Вей ДЖИА. Владелец: Нактех Компани Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Neural network model training method and device, and time-lapse photography video generating method and device

Номер патента: US12001959B2. Автор: WEI Liu,Lin Ma,Wenhan LUO. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for voltage regulation on the load in a regulator with regulated voltage converter

Номер патента: RU2679829C1. Автор: Дмитрий Иванович Панфилов,Михаил Георгиевич Асташев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2019-02-13.

Voltage regulator circuits for wireless devices

Номер патента: US09973088B2. Автор: Florinel G. Balteanu,Peter Harris Robert Popplewell,Jakub F. Pingot. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of preventing inversion of output current flow in a voltage regulator and related voltage regulator

Номер патента: US09582017B2. Автор: Sandor Petenyi. Владелец: STMicroelectronics Design and Application sro. Дата публикации: 2017-02-28.

High-voltage tolerant voltage regulator

Номер патента: US09588529B2. Автор: Florinel G. Balteanu,Peter Harris Robert Popplewell,Jakub F. Pingot. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of managing power of static compensator of reactive power, operating in network of sinusoidal ac voltage

Номер патента: RU2675620C1. Автор: Дмитрий Иванович Панфилов,Михаил Георгиевич Асташев. Владелец: Михаил Георгиевич Асташев. Дата публикации: 2018-12-21.

DC voltage-limiting circuits and electronic devices and thermostats including DC voltage-limiting circuits

Номер патента: US9223324B2. Автор: LIANG Cao,Bradley C. Zikes,Zhongliang Xu,Cuikun Chu. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 2015-12-29.

Shift register and method of driving shift register

Номер патента: US09626890B2. Автор: Chia-Heng Chen,Wei-Li Lin,Che-Wei Tung. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Voltage generation systems for programming memory

Номер патента: US10937505B2. Автор: Qiang Tang,Xiaojiang Guo,Guanglei An. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Device and method for equalizing current drain from a battery stack

Номер патента: US09513339B2. Автор: Lawrence C. Streit. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Reference voltage regulator for eDRAM with VSS-sensing

Номер патента: US8363488B2. Автор: Sergiy Romanovskyy,Muhammad NUMMER. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-29.

Reference voltage regulator for edram with vss-sensing

Номер патента: US20120020170A1. Автор: Sergiy Romanovskyy,Muhammad NUMMER. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US20230282277A1. Автор: Haruhiko Terada,Yotaro Mori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

High and low power voltage regulation circuit

Номер патента: US09958889B2. Автор: Alexandre Pons. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2018-05-01.

Digitally calibrated voltage regulators for power management

Номер патента: US09684745B2. Автор: Eric Yang,Michael Hsing. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Dynamic capacitor modulated voltage regulator

Номер патента: US09658666B1. Автор: Rupak Ghayal,Venkata S. Nittala. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Digitally calibrated voltage regulators for power management

Номер патента: US09541973B2. Автор: Eric Yang,Michael Hsing. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Systems and methods for bypassing a voltage regulator

Номер патента: US09438036B2. Автор: Daniel Joseph Daley,Richard John Kaluzny. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2016-09-06.

Voltage Regulator, Power Supply System And Receiver

Номер патента: US20230244259A1. Автор: Hao Fan,Dongmyung Lee,Jangjin Nam,Donghoon BAEK,Zhengbei Hua. Владелец: Hefei Eswin Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Voltage regulated circuit with well resistor divider

Номер патента: US6624737B2. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Hui-Chih Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Voltage regulated circuit with well resistor divider

Номер патента: US20030146740A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Hui-Chih Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Devices and methods for bypassing voltage regulation in voltage regulators

Номер патента: US20200228007A1. Автор: David Alan Brown. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Authentication in voltage regulation systems, and related methods and circuits

Номер патента: US20180309367A1. Автор: Timothy Phillips,Gene Sheridan,David Lidsky. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Control techniques in voltage regulation systems, and related methods and circuits

Номер патента: US20180375431A1. Автор: Timothy Phillips,Gene Sheridan,David Lidsky. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Control techniques in voltage regulation systems, and related methods and circuits

Номер патента: US10855180B2. Автор: Timothy Phillips,Gene Sheridan,David Lidsky. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-12-01.

Voltage regulator controller frequency varied by load current (61065-R)

Номер патента: US20100259236A1. Автор: James S. Dinh,Robert D. Wickersham,William G. Rider. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-14.

Methods and devices for bypassing a voltage regulator

Номер патента: EP4064002A1. Автор: V Narayanan SRINIVASAN,Mayankkumar Hareshbhai Niranjani,Gourav Garg. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-09-28.

Switching voltage regulators with hysteretic control for enhanced mode-transition speed and stability

Номер патента: US8593123B2. Автор: Jia Chen,Bin Shao. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-11-26.

Ripple cancellation circuit with fast load response for switch mode voltage regulators with synchronous rectification

Номер патента: US5929692A. Автор: Bruce W. Carsten. Владелец: Computer Products Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Current feed-through adaptive voltage position control for a voltage regulator

Номер патента: US7560917B2. Автор: Hsin-Hsin Ho,Liang-Pin Tai,Hung-I Wang,Jian-Rong Huang,Jiun-Chiang Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2009-07-14.

Method and apparatus for operating a voltage regulator based on operation of a timer

Номер патента: US20040008062A1. Автор: Don Nguyen,Thovane Solivan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR AND DRIVING METHOD OF LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR

Номер патента: US20210026385A1. Автор: PARK Ju Sang,KIM Hyung Sun,KIM Hyoung Kyu. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and voltage regulator using the semiconductor device

Номер патента: EP1792342A4. Автор: Kohji Yoshii,Toshihisa Nagata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-27.

Semiconductor device and voltage regulator using the semiconductor device

Номер патента: JP5080721B2. Автор: 敏久 永田,宏治 吉井. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit

Номер патента: US20040012406A1. Автор: Kensaku Naito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of transmitting data between an on-board device configured to obtain data relating to motion and/or control parameters of the vehicle and a remote processing center

Номер патента: RU2736572C2. Автор: Джузеппе ДЗУКО,Паоло ДЗУККОНЕЛЛИ. Владелец: Окто Телематикс С.П.А.. Дата публикации: 2020-11-18.

Device and method for hybrid multiple access in system of mobile communication

Номер патента: RU2411657C2. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Дзин-Киу ХАН,Донг-Хи КИМ,Ю-Чул КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2011-02-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10153174B2. Автор: Tomoko Ojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Display device and control method thereof

Номер патента: US12111563B2. Автор: Xin Yu,Yi Li,CHEN CHEN,Fei Hu. Владелец: Appotronics Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method, terminal device, and network device for improving information security

Номер патента: US09781109B2. Автор: Zhengde ZHAI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method, apparatus, device, and storage medium for page processing

Номер патента: US20240231570A1. Автор: Han Xu,Licong SONG,Yirui CAO,Liyue Ji,Yanting HUA. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Pressure detection method, pressure detection method of bonding device using the same, and bonding system including the same

Номер патента: US20240313153A1. Автор: Futoshi Yoshida,Jong Hyup Kim,Chung Sic CHOI,Jin Pyung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

System and methods of diagnosing and repairing a smart mobile device by disabling components

Номер патента: US20180181461A1. Автор: Amit Gross. Владелец: CELLEBRITE MOBILE SYNCHRONIZATION Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

System and methods of diagnosing and repairing a smart mobile device by disabling components

Номер патента: US10684912B2. Автор: Amit Gross. Владелец: ESW Holdings Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Electronic device and operating method therof

Номер патента: US20240244160A1. Автор: Jiyoon JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Infrared imaging device and fixed pattern noise data generation method

Номер патента: US20240244348A1. Автор: Masaharu Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

IMAGE TAKING DEVICE, METHOD FOR MANAGING THE IMAGE TAKING DEVICE, PROGRAM AND METHOD FOR MANAGING THE IMAGE TAKING DEVICE AND THE RECORDING MEDIA ON WHICH THE METHOD OF THE METHOD OF THE METHOD IS WRITTEN

Номер патента: RU2008149130A. Автор: Рюити СИМОДА,Ёсимицу КОМИЯ,Судзи СИМИМЗУ,Даиго ЯНАГИ,Рюити СИМОДА (JP),Ёсимицу КОМИЯ (JP),Судзи СИМИМЗУ (JP),Даиго ЯНАГИ (JP). Владелец: Сони Корпорейшн (JP). Дата публикации: 2010-06-20.

CAPACITANCE DETECTION CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, INPUT DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF DETECTING CAPACITANCE

Номер патента: US20190257870A1. Автор: Shimada Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Mask defect inspecting method, semiconductor device manufacturing method, mask defect inspecting apparatus, generating method of defect influence map, and computer program product

Номер патента: TW200418092A. Автор: SATOSHI Tanaka,Shinji Yamaguchi,Soichi Inoue,Mari Inoue. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-09-16.

Portable device for measurement of chromophores in skin and method of using said device

Номер патента: RU2601678C2. Автор: Максим Алексеевич ВИЛЕНСКИЙ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2016-11-10.

Display device and control method thereof

Номер патента: US20220269158A1. Автор: Xin Yu,Yi Li,CHEN CHEN,Fei Hu. Владелец: Appotronics Corp Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Electronic device and control method therefor

Номер патента: EP4287615A1. Автор: Hyungchul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, LIGHT EMISSION ELEMENT ARRAY, OPTICAL PRINT HEAD, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180033908A1. Автор: FURUTA Hironori. Владелец: Oki Data Corporation. Дата публикации: 2018-02-01.

A cooling system for a high voltage electromagnetic induction device, a system and a method of cooling the same

Номер патента: EP3032552A1. Автор: Robert Saers,Anna Savenstedt,Dan Fransson,Anders Erikmats. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-06-15.

System and methods of diagnosing and repairing a smart mobile device by disabling components

Номер патента: IL249816B. Автор: GROSS Amit. Владелец: ESW Holdings Inc. Дата публикации: 2019-03-31.

Portable device, control program and control method of the portable device

Номер патента: US20130029731A1. Автор: Sunao Hashimoto,Takayoshi Fuchigami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Page processing method and apparatus, device, and storage medium

Номер патента: EP4390642A1. Автор: Han Xu,Licong SONG,Yirui CAO,Liyue Ji,Yanting HUA. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Design support apparatus for semiconductor device, design support program, and layout information generating method

Номер патента: US20120233581A1. Автор: Kyou Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

TEMPERATURE SENSOR DEVICE AND RADIATION THERMOMETER USING THIS DEVICE, PRODUCTION METHOD OF TEMPERATURE SENSOR DEVICE, MULTI-LAYERED THIN FILM THERMOPILE USING PHOTO-RESIST FILM AND RADIATION THERMOMETER USING THIS THERMOPILE, AND PRODUCTION METHOD OF MULTI-LAYERED THIN FILM THERMOPILE

Номер патента: US20140036953A1. Автор: Tanaka Nobuo,KIMURA Mitsuteru,Shimobayashi Hironori. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

Design support apparatus for semiconductor device, design support program, and layout information generating method

Номер патента: US20120233581A1. Автор: Kyou Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Method, apparatus, electronic device and storage medium for information processing

Номер патента: US20240126724A1. Автор: FAN YANG,Fang Liu,TIAN Lan,Yao Wang,Linna Zhang,Changming Wang,Changyu Guo,Siyu HOU,Bingxi LIN,Zisheng LIU,Fabin LIU,Zhengzhe ZHANG. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR ATTACHING TO A FLEXIBLE DISPLAY AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200103943A1. Автор: HUANG Cheng-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device with integrated hot plate and recessed substrate and method of production

Номер патента: US20150303141A1. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor Device with Transistor Cells and a Drift Structure and Method of Manufacturing

Номер патента: US20180331204A1. Автор: Siemieniec Ralf,Peters Dethard,AICHINGER Thomas,BERGNER Wolfgang,ESTEVE Romain,KUECK Daniel,ZIPPELIUS Bernd. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device including fuse region having fuse isolation barrier and methods of fabricating the same

Номер патента: KR100663364B1. Автор: 김도완,박승준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-02.

Semiconductor device with integrated hot plate and recessed substrate and method of production

Номер патента: EP2741322B1. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-04-27.

Electronic device and operation method thereof

Номер патента: US20200076389A1. Автор: Shukjae Choi,Hyeonsik JEONG,Jaeyoun Cho,Sangmo SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device with an optical waveguide mounting member and the method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1619528B1. Автор: Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-01.

Electronic device and operation method thereof

Номер патента: EP3827430A1. Автор: Shukjae Choi,Hyeonsik JEONG,Jaeyoun Cho,Sangmo SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Light converting complex, light converting, light emitting package device and display device having the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR102449686B1. Автор: 성진우,전성만,장동선. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2022-09-30.

Semiconductor integrated circuit device, and method for producing the same, and method of producing masks

Номер патента: CN1191610C. Автор: 福田宏. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-02.

Light converting complex, light converting, light emitting package device and display device having the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR20170034181A. Автор: 성진우,전성만,장동선. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2017-03-28.

Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR101934419B1. Автор: 김성훈. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2019-01-03.

Capacitor device and Organic light emitting display apparatus, and Method of manufacturing the Organic light emitting display apparatus

Номер патента: KR20140120734A. Автор: 김현태. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2014-10-14.

Control method, imaging device and the user terminal for executing this method of imaging device

Номер патента: CN105391901B. Автор: 姜秀英. Владелец: HP Printing Korea Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-10.

Shopping support processing device and shopping support system having the same, method of supporting shopping

Номер патента: KR20160140510A. Автор: 최충광. Владелец: 최충광. Дата публикации: 2016-12-07.

Control method, imaging device and the user terminal for executing this method of imaging device

Номер патента: CN105391900B. Автор: 姜秀英. Владелец: HP Printing Korea Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

Semiconductor device including structure connecting frontside and backside metal and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402367A1. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device with lower contact and lower power structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312914A1. Автор: Dong Kwon Kim,Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device, and failure detection system and failure detection method of data hold circuit

Номер патента: US8362799B2. Автор: Hideaki Arima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Semiconductor devices including a gate structure between active regions, and methods of forming semiconductor devices including a gate structure between active regions

Номер патента: US20140070291A1. Автор: Jin-Woo Lee,Ja-Young Lee,Seung-Ho Kim,Tae-Yong Song,Hyun-Mi Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US09997537B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device assembly including a chip carrier, semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09768120B2. Автор: Anton Mauder,Khalil Hosseini,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices including an isolation layer on a fin and methods of forming semiconductor devices including an isolation layer on a fin

Номер патента: US09704864B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Yeon-Jin Gil,Ha-Young Jeon,Ji-Won YUN,Won-Sang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device, ramp signal control method, image data generating method, and camera system

Номер патента: US09686494B2. Автор: Yasutoshi Aibara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043922A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11929409B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor devices having gate dielectric layers of varying thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US12051695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device, an electronic system including the same, and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11744079B2. Автор: Chang-sun Hwang,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200235097A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device with dummy pattern in high-voltage region and method of forming the same

Номер патента: US10068900B1. Автор: Chin Yang,Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor device comprising a gradually increasing field dielectric layer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893158B2. Автор: Oliver Haeberlen,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Devices and systems for obtaining conductance data and methods of manufacturing and using the same

Номер патента: US09734938B2. Автор: Ghassan S. Kassab,William Combs,Mark Svendsen,John Browder,Kevin Mauser,Lynette Peters. Владелец: 3DT Holdings LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having backside interconnect structure through substrate via and method of forming the same

Номер патента: US09449898B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chia-Yin Chen,HsiaoYun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device including gate stack formed on inclined surface and method of fabricating the same

Номер патента: US20100112763A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi,Xiaoxin Zhang,Hans S. Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-06.

Call centre having operator workstations, a switching device and a call distribution system, and a method of operating a call centre of this kind

Номер патента: US20070041563A1. Автор: Christian Maierhofer,Bernhard Plakolm. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor device with conductive elements formed over dielectric layers and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240250130A1. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-25.

D/A converter circuit, semiconductor device incorporating the D/A converter circuit, and manufacturing method of these

Номер патента: EP1469507A3. Автор: Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun c/o Koyama,Kazuhiko c/o Sharp Kabushiki Kaisha Miyata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

Semiconductor device conductive pattern structures including dummy conductive patterns, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20120193792A1. Автор: Gil-heyun Choi,Jong-Won Hong,Jong-Myeong Lee,In-sun Park,Ji-Soon Park,Hei-Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device that is advantageous in complex stress engineering and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070262391A1. Автор: Zhengwu Jin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device including joint portion between conductive connection structures and method of fabricating the same

Номер патента: US20230260956A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device with a portion including silicon and nitrogen and method of manufacturing

Номер патента: US11075134B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Christian Maier,Angelika Koprowski,Oliver Humbel,Philipp Sebastian Koch,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-27.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices having super-junction trenches with conductive regions and method of making the same

Номер патента: US09768295B2. Автор: Zia Hossain,Juraj Vavro,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device, and failure detection system and failure detection method of data hold circuit

Номер патента: US20110241724A1. Автор: Hideaki Arima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US20170092657A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor devices with semiconductor bodies having interleaved horizontal portions and method of forming the devices

Номер патента: US20150364611A1. Автор: Qizhi Liu,Christopher J. Funch,Dean W. Siegel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor device, ramp signal control method, image data generating method, and camera system

Номер патента: US20170264847A1. Автор: Yasutoshi Aibara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device comprising an insulated gate field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: USRE30251E. Автор: Else Kooi. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1980-04-08.

Semiconductor device with fine metal lines for beol structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4080556A1. Автор: Hoonseok Seo,Taeyong BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor device comprising a gradually increasing field dielectric layer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200044036A1. Автор: Oliver Haeberlen,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220359682A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device with fine metal lines for BEOL structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11990409B2. Автор: Hoonseok Seo,Taeyong BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device including dielectrics made of porous organic frameworks, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230402386A1. Автор: Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device with fine metal lines for beol structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213155A1. Автор: Hoonseok Seo,Taeyong BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with conductive elements formed over dielectric layers and method of fabrication therefor

Номер патента: US11923424B2. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device for improving performance of a block insulator and method of manufacturing the same

Номер патента: US11735673B2. Автор: Akira Takashima,Masaki Noguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor Devices Having Gate Dielectric Layers of Varying Thicknesses and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device comprising a gradually increasing field dielectric layer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170033191A1. Автор: Oliver Haeberlen,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices having fin-type patterns and metal contacts and methods of manufacturing the same

Номер патента: US10147650B2. Автор: Sung-min Kim,Jae-Hyun Park,Ji-su Kang,Byung-Chan RYU,Yu-Ri Lee,Dong-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-04.

Semiconductor device with conductive element formed over dielectric layers and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4092755A3. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor device including oxide channel layer and ferroelectric layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20240008282A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device manufacturing method, data generating apparatus, data generating method and recording medium readable by computer recorded with data generating program

Номер патента: US20110320987A1. Автор: Hiromi Hoshino. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device for preventing voids in the contact region and method of forming the same

Номер патента: US7875982B2. Автор: Satoshi Abe. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230042480A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240186388A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device, an electronic system including the same, and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220254802A1. Автор: Chang-sun Hwang,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-11.

Combination monitoring device and patch for a pneumatic tire and method of installing the same

Номер патента: CA2307073C. Автор: Georg G. A. Bohm,Russell W. Koch,Robert J. Trew,John D. Rensel,John L. Turner. Владелец: Bridgestone Firestone Inc. Дата публикации: 2009-01-06.

Semiconductor device including integrated capacitor and vertical channel transistor and methods of forming the same

Номер патента: US11895825B2. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device including an amorphous nitrided silicon adhesion layer and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2008121925A2. Автор: Stuart Jacobsen,Maria Wang,Erika Leigh Shoemaker,Mary Roby. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device including integrated capacitor and vertical channel transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240130113A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device having an oxide semiconducting channel layer and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230097033A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device including an amorphous nitrided silicon adhesion layer and method of manufacture therefor

Номер патента: US20080237865A1. Автор: Stuart Jacobsen,Maria Wang,Erika Leigh Shoemaker,Mary Roby. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device including an amorphous nitrided silicon adhesion layer and method of manufacture therefor

Номер патента: US7795070B2. Автор: Stuart Jacobsen,Maria Wang,Erika Leigh Shoemaker,Mary Roby. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor device including an amorphous nitrided silicon adhesion layer and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2008121925A3. Автор: Stuart Jacobsen,Maria Wang,Erika Leigh Shoemaker,Mary Roby. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-12-30.

Semiconductor Device with a Portion Including Silicon and Nitrogen and Method of Manufacturing

Номер патента: US20200083133A1. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Christian Maier,Angelika Koprowski,Oliver Humbel,Philipp Sebastian Koch,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-12.

Vertically stacked semiconductor device including a hybrid bond contact junction circuit and methods of forming the same

Номер патента: US12015010B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Devices and systems having AC LED circuits and methods of driving the same

Номер патента: US11953167B2. Автор: Michael Miskin. Владелец: Lynk Labs Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Storage device with adaptive voltage generation system

Номер патента: US09530438B1. Автор: Jon D. Trantham,Todd M. Lammers. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Ultra high voltage regulator

Номер патента: US09876439B2. Автор: Ching-Yueh Hsu. Владелец: Diwin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Ultra high voltage regulator

Номер патента: US09379637B2. Автор: Ching-Yueh Hsu. Владелец: Diwin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Voltage regulator module with inductor-cooled power stage

Номер патента: US20230371165A1. Автор: Kennith Kin Leong,Gerald Deboy,Angela Kessler,Luca PELUSO,Kok Yau Chua,Chee Yang Ng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Voltage regulator module with inductor-cooled power stage

Номер патента: EP4277103A1. Автор: Kennith Kin Leong,Angela Kessler,Luca PELUSO,Kok Yau Chua,Chee Yang Ng,Gerald Josef DEBOY. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-15.

Transformer voltage regulating device based on power electronic technology

Номер патента: NL2030729B1. Автор: Tang Hong,SONG NANA,Wang Shaoju,Wang Shuchao,Zhang Qishun,Zhang Xinhong,Sun Zhiyin,Zhang Longbiao. Владелец: Tang Hong. Дата публикации: 2023-08-07.

UNIVERSAL VOLTAGE REGULATOR AND METHOD OF BYPASSING A VOLTAGE REGULATION UNIT IN A VOLTAGE REGULATION APPARATUS

Номер патента: US20150180360A1. Автор: JUNG Hee Sok. Владелец: Dongbu Daewoo Electronics Corporation. Дата публикации: 2015-06-25.

High voltage generator and control method of high voltage

Номер патента: KR100574057B1. Автор: 조종화,오철우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, CHARGE PUMP CIRCUIT, SEMICONDUCTOR SYSTEM, VEHICLE, AND CONTROL METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170264280A1. Автор: Zhou Wei,SUZUKI Hiromasa,KOYAMA Shinichi,KUSUNOKI Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Voltage droop control in a voltage-regulated switched mode power supply

Номер патента: US09401640B2. Автор: Magnus Karlsson,Oscar Persson,Andreas Svensson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-07-26.

Device and circuit of calibration or adjustment of regulators built-in into a microchip without use of input-output contacts

Номер патента: RU2696233C1. Автор: Вэй Чэнь,Тунцзэн ЯН,Чуквучебем Чинемелум ОРАКВЮ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-31.

Hybrid voltage regulator using bandwidth suppressed series regulator and associated voltage regulating method

Номер патента: EP3650978A1. Автор: Chun-Wei Chang,Song-Yu Yang,Ang-Sheng Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Semiconductor Device Including a Voltage Regulator and an Integrated Circuit Module

Номер патента: US20240219943A1. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Reference voltage generator and voltage regulator incorporating same

Номер патента: US20080297132A1. Автор: Hideyuki Aota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Circuits, devices and methods for achieving fast changes in voltage regulator outputs

Номер патента: US09705554B2. Автор: Thomas Zoki LI,Lui Lam,Ghader RAZMAFROUZ. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Deeply integrated voltage regulator architectures

Номер патента: US20240195306A1. Автор: David Lidsky. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Voltage generation apparatus

Номер патента: US9564888B2. Автор: Hyun Ju HAM,Kee Teok Park,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Frequency generating device and operation method thereof

Номер патента: US12117865B2. Автор: Wen-Cheng Wang,Wan-Lin Hsieh,Sheng-Hsiang Kao. Владелец: Txc Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Voltage generation apparatus

Номер патента: US09564888B2. Автор: Hyun Ju HAM,Kee Teok Park,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Constant-on-time multi-phase switching voltage regulator and related method of generating a regulated voltage

Номер патента: US20130057242A1. Автор: Osvaldo Enrico Zambetti,Daniele Giorgetti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-03-07.

Adaptive body biasing or voltage regulation using slack sensors

Номер патента: US20220082615A1. Автор: Sebastien Genevey,Lionel Jure,Mathieu Louvat. Владелец: Dolphin Design. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and power source supply method description

Номер патента: US09740219B2. Автор: Shigeru Nagatomo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Successive approximation digital voltage regulation methods, devices and systems

Номер патента: US20180226981A1. Автор: Loai Galal Bahgat Salem,Patrick Mercier. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-08-09.

Current pulse count control in a voltage regulator

Номер патента: US09515556B2. Автор: Xiping Yang,Sisan Shen,Congzhong Huang. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Voltage regulation systems and methods with adjustable boost and step-down regulation

Номер патента: US20200313622A1. Автор: Thomas Eichler,Stephan Henzler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Voltage regulation systems and methods with adjustable boost and step-down regulation

Номер патента: EP3949115A1. Автор: Thomas Eichler,Stephan Henzler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Method and Apparatus for Adjusting a Voltage Regulation Setpoint of a Power Converter

Номер патента: US20210218334A1. Автор: Danny Clavette,Jayadevan Radhakrishnan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-07-15.

Methods for multi-phase voltage regulator control

Номер патента: US09882483B2. Автор: Brett A. Miwa,Serhii M. Zhak. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007037142A9. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Kk. Дата публикации: 2007-05-24.

Loop-powered field device with voltage regulator and current source in series

Номер патента: US09863980B2. Автор: Håkan Nyberg. Владелец: ROSEMOUNT TANK RADAR AB. Дата публикации: 2018-01-09.

Downhole measurement tool having a regulated voltage power supply and method of use thereof

Номер патента: US09602100B1. Автор: Leroy David Cordill. Владелец: Automation Solutions LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Voltage regulators with multiple transistors

Номер патента: US09722483B2. Автор: YANG LU,Marco A. Zuniga,Jun RUAN,Chiteh Chiang,Amit Paul,Badredin Fatemizadeh,Craig Cassella. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Voltage regulator with dynamic voltage and frequency tracking

Номер патента: EP4213359A1. Автор: Chia-Hua Chou,Nien-Hui Kung. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Voltage regulators with multiple transistors

Номер патента: WO2014144733A1. Автор: YANG LU,Marco A. Zuniga,Jun RUAN,Chiteh Chiang,Amit Paul,Badredin Fatemizadeh,Craig Cassella. Владелец: Volterra Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2014-09-18.

Circuits, devices and methods related to internal supply for voltage regulators

Номер патента: US09876428B2. Автор: George A. Hariman,Daniel Chang,Chak S. NGAI,Roger Allen SMULLEN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Voltage droop control in a voltage-regulated switched mode power supply

Номер патента: EP2984745A1. Автор: Magnus Karlsson,Oscar Persson,Andreas Svensson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-02-17.

High efficiency switched capacitor voltage regulator

Номер патента: US09484807B2. Автор: Branislav Petrovic,Joseph Nabicht. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Leakage current supply circuit for reducing low drop-out voltage regulator headroom

Номер патента: EP3353618A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen,Yeshwant Nagaraj Kolla,Samantak Gangopadhyay,Burt Lee Price. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-01.

Test board and semiconductor device test system including the same

Номер патента: US20220082609A1. Автор: Minseok HONG,Minsuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Driving Circuit for Electronic Device and Associated System and Method

Номер патента: US20180166056A1. Автор: Chaoyang YU,Huijiang Xia. Владелец: Hangzhou Boon Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Power converting device and power conditioner using the same

Номер патента: US09806618B2. Автор: Kazunori Kidera,Mariko KIFUJI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Leakage current supply circuit for reducing low drop-out voltage regulator headroom

Номер патента: US09625924B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen,Yeshwant Nagaraj Kolla,Samantak Gangopadhyay,Burt Lee Price. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Voltage regulator circuit with parallel arrangement of discontinuous conduction mode voltage regulators

Номер патента: EP3987644A1. Автор: Edward Burton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

Voltage regulator circuit with parallel arrangement of discontinuous conduction mode voltage regulators

Номер патента: WO2020256802A1. Автор: Edward Burton. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-24.

Power conversion device and control method for power conversion device

Номер патента: US20240120821A1. Автор: Toshiyuki Baba,Yuichiro Nozaki,Tsunehito FUJITA,Hiroomi SUZUKI. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Modular mezzanine power voltage regulator module for memory modules

Номер патента: US20220391007A1. Автор: George Vergis,Min Suet LIM,Stephen P. Christianson,Virendra Vikramsinh ADSURE,Ankita TIWARI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Voltage regulator circuit systems and methods

Номер патента: EP4105763A1. Автор: Scott Weber,Mahesh Iyer,Aravind Dasu,Eriko Nurvitadhi,Ravi Gutala,Archanna Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

System and device for providing power supply of network peripheral device and work method of such system and device

Номер патента: RU2627735C2. Автор: Рони ХЕРЦЕЛЬ. Владелец: Энерджи Ре-Коннект Лтд.. Дата публикации: 2017-08-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US20150311354A1. Автор: Masaru Yano,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Voltage regulation schemes for powering multiple circuit blocks

Номер патента: US20220413534A1. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Heat pipe device for cooling a voltage regulator of a rotating electric machine, such as an alternator or an alternator-starter

Номер патента: US20090160272A1. Автор: Daniel Richard,Michel Fakes,Claudiu Vasilescu. Владелец: Valeo Equipements Electriques Moteur SAS. Дата публикации: 2009-06-25.

Compressed air storage power generation device and compressed air storage power generation method

Номер патента: US20200153275A1. Автор: Masaki Matsukuma,Yuji Matsuo,Hiroki Saruta,Kanami SAKAMOTO. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

VOLTAGE GENERATOR AND A METHOD OF MAKING A VOLTAGE GENERATOR

Номер патента: US20190028013A1. Автор: Crain Stephen G.. Владелец: Polaris Industries Inc.. Дата публикации: 2019-01-24.

Voltage generator and a method of making a voltage generator

Номер патента: US10707741B2. Автор: Stephen G. Crain. Владелец: Polaris Industries Inc. Дата публикации: 2020-07-07.

Thermoelectric conversion device, and cooling method and power generation method using the same

Номер патента: US20070102034A1. Автор: Akihiro Odagawa,Satoshi Okada,Hideaki Adachi,Akihiro Sakai,Tsutomu Kanno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Solar water taking and power generating device and water taking and power generating method

Номер патента: CN110980850B. Автор: 王强,田地,屈治国. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2022-05-03.

COMPRESSED AIR STORAGE POWER GENERATION DEVICE AND COMPRESSED AIR STORAGE POWER GENERATION METHOD

Номер патента: US20200153275A1. Автор: Matsuo Yuji,MATSUKUMA Masaki,SAKAMOTO Kanami,SARUTA Hiroki. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2020-05-14.

Compressed air storage power generating device and compressed air storage power generation method

Номер патента: EP3358167A1. Автор: Takashi Sato,Masaki Matsukuma,Hiroki Saruta,Kanami SAKAMOTO,Masatake Toshima,Yohei Kubo. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2018-08-08.

Compressed air storage power generation device and compressed air storage power generation method

Номер патента: JP7022677B2. Автор: 洋平 久保. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Compressed-air-storing power generation device and compressed-air-storing power generation method

Номер патента: EP3628841A4. Автор: Masatake Toshima,Yohei Kubo,Haruyuki Matsuda. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Compressed-air-storing power generation device and compressed-air-storing power generation method

Номер патента: WO2016104222A1. Автор: 西村　真,洋平 久保,松隈　正樹,正剛 戸島,浩樹 猿田,佳直美 坂本. Владелец: 株式会社神戸製鋼所. Дата публикации: 2016-06-30.

Device and method for restoring primary cells as a source of voltage

Номер патента: EE03245B1. Автор: R�nisch Werner. Владелец: Ulli Rotermund. Дата публикации: 1999-12-15.

Voltage regulator and method of configuring the same

Номер патента: US20240264618A1. Автор: Marco Lammers,Sebastien DARFEUILLE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Voltage regulator and method of configuring the same

Номер патента: EP4414806A1. Автор: Marco Lammers,Sebastien DARFEUILLE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-08-14.

Computing system and method for adjusting voltage regulation

Номер патента: US20230098209A1. Автор: Damien BERTON. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2023-03-30.

Computing system and method for adjusting voltage regulation

Номер патента: US12026035B2. Автор: Damien BERTON. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2024-07-02.

Voltage regulator for regulating its output voltage selectively with respect to more than one voltage

Номер патента: US5920183A. Автор: Michael Null. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-07-06.

Self-adaptive current monitoring circuit having a voltage dividing unit for outputting an increased or decreased divided voltage signal according to a voltage regulation signal

Номер патента: US10459009B2. Автор: Chih-Yang Wang. Владелец: Hangzhou Hongxin Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-10-29.

Pressure relief system, pressure safety device and tool, pressurized container system, processes, and method of use

Номер патента: US20240288128A1. Автор: Kyle Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-29.

Coaxial circulation-type power generation device and coaxial circulation-type power generatation method

Номер патента: CA3241003A1. Автор: Osamu Odawara,Yasuo Miyazawa. Владелец: Scinet Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Voltage Regulator Circuit For Following A Voltage Source With Offset Control Circuit

Номер патента: US20220253084A1. Автор: Amin Shameli,Syed Khursheed Enam,Mansoorali Companywala,Jesse Shih-Chieh Hsin. Владелец: Kyocera AVX Components San Diego Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Variable-pitch seawave power generation device and variable-pitch seawave power generation method

Номер патента: EP4411132A1. Автор: Hong Tan,Rongfu Li,Weidong JI. Владелец: Guangdong Goldwind Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Variable-pitch seawave power generation device and variable-pitch seawave power generation method

Номер патента: AU2022350112A1. Автор: Hong Tan,Rongfu Li,Weidong JI. Владелец: Guangdong Goldwind Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Voltage regulator disable circuit

Номер патента: CA2216274C. Автор: Taha Mughir,Tom Rampone,Dave Landolf,Hal Massie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Methods and apparatus for providing signals to a voltage regulator

Номер патента: WO2024039270A1. Автор: Jacob Rengman,Robin HELLSTRÖM. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-02-22.

Voltage Regulator and Method for Voltage Regulation

Номер патента: US20100289468A1. Автор: Andrea Pierin,Paolo Draghi. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-11-18.

Workload-Aware Voltage Regulator Tuning

Номер патента: US20240118740A1. Автор: Shuai Jiang,Rammohan Padmanabhan,Mohamed Elgebaly,Houle Gan,Sanjay Nilamboor. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Workload-aware voltage regulator tuning

Номер патента: EP4350479A1. Автор: Shuai Jiang,Rammohan Padmanabhan,Mohamed Elgebaly,Houle Gan,Sanjay Nilamboor. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Method of forming a low quiescent current voltage regulator and structure therefor

Номер патента: US20040201369A1. Автор: Patrick Bernard,Stephane Perrier,Pierre Daude. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2004-10-14.

Tachometer driven from a capacitor discharge ignition system and including a transistorized shunt voltage regulator

Номер патента: US4190798A. Автор: Arthur O. Fitzner. Владелец: Brunswick Corp. Дата публикации: 1980-02-26.

Voltage Regulator Module with Power Gating and Bypass

Номер патента: US20120119717A1. Автор: Pradip Bose,Alper Buyuktosunoglu,Seongwon Kim,Hans M. Jocobson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Techniques to enable communication between a processor and voltage regulator

Номер патента: US10168758B2. Автор: Avinash N. Ananthakrishnan,Jeremy J. Shrall,Anupama Suryanarayanan,Chinmay Ashok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

Techniques To Enable Communication Between A Processor And Voltage Regulator

Номер патента: US20240028094A1. Автор: Avinash N. Ananthakrishnan,Jeremy J. Shrall,Anupama Suryanarayanan,Chinmay Ashok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Voltage regulation

Номер патента: US20190236321A1. Автор: Fred G. Benkley, Iii,Tuck Weng POON,Peter Eckehard Kollig. Владелец: IDEX ASA. Дата публикации: 2019-08-01.

Techniques to enable communication between a processor and voltage regulator

Номер патента: US11782492B2. Автор: Avinash N. Ananthakrishnan,Jeremy J. Shrall,Anupama Suryanarayanan,Chinmay Ashok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Capless voltage regulator with adaptative compensation

Номер патента: EP3979477A1. Автор: André Luis VILAS BOAS,Ricardo Pureza Coimbra,Vitor Moreira Gomes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

VOLTAGE REGULATOR CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING A VOLTAGE REGULATOR CIRCUIT

Номер патента: US20220147087A1. Автор: Missoni Albert,Mayerl Christoph,Saas Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Ultrasonic device, semiconductor device, and method of controlling ultrasonic device

Номер патента: US20230270419A1. Автор: Masaya Tamamura,Naoto Yoneda,Naoto Adachi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Digital image processing filter, image generating device for super hybrid image generating, image generating method, method of digital filter generating, method of super hybrid image generating, method of making printed media, method of making electronic data medium and software, and device for vertical panning letter row generating, method of vertical panning letter row generating, method of making printed media, method of making electronic data medium and software

Номер патента: RU2589401C2. Автор: Хитоси АРАЙ,Синобу АРАЙ. Владелец: Нэшнл Инститьют Оф Джапэн Сайнс Энд Текнолоджи Эйдженси. Дата публикации: 2016-07-10.

Voltage regulator with pass transistors carrying different ratios of the total load current and method of operation therefor

Номер патента: EP1910905B1. Автор: Ludovic Oddoart,Gerhard Trauth. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-21.

Model generation method and apparatus, image perspective determining method and apparatus, device, and medium

Номер патента: EP4131145A1. Автор: Yanli Li,Dongdong Liu. Владелец: Beijing Jingdong Qianshi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Method of transmitting extended data set from contactless payment device to terminal

Номер патента: RU2696885C2. Автор: Андрей Львович Кузнецов,Семен Андреевич Кузнецов,Артем Андреевич Кузнецов,Сергей Петрович Капустин. Владелец: Акционерное общество "Национальная система платежных карт". Дата публикации: 2019-08-07.

Method of training text quality assessment model and method of determining text quality

Номер патента: US20240221404A1. Автор: Heng Wang,Tianbao YU,Zhenlei TIAN. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Information processing method and device, and storage medium

Номер патента: EP4174729A1. Автор: Jun Sun,Shu Zhang,Yue Gao. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Method of controlling wearable device, wearable device and computer-readable storage medium

Номер патента: US20240211041A1. Автор: Chao Zhang,Xudong QIU,Hongyan TAO. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of determining fusion parameter, method of recommending information, and method of training model

Номер патента: US20240273394A1. Автор: Zhiming Peng,Xiaoyu Hu,Huijie Liu,Yuhang Zheng,Zhaoxu Wang. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for configuring 3d input device, method for reconfiguring 3d input device, method for recognizing wearing of the 3d input device, and the apparatus thereof

Номер патента: EP1579384A2. Автор: Sang-Goog 134-1504 Gwanak Town Cheonggu Apt. LEE,Tae-Sik 224-803 3-jigu Daerim Hansup Apt. PARK,Sung-Cheol c/o Samsung Advanced Inst of Tech KIM,Byung-Seok 248-904 Hwanggol Maeul Ssangyong SOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-28.

Image processing device and moving-image data generation method

Номер патента: EP4123588A1. Автор: Junichi Tanaka,Hisako Sugano,Yoichi Hirota. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-01-25.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: WO2004017474A3. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Haiyan An. Дата публикации: 2004-06-03.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: EP1540722A2. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2005-06-15.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: WO2004017474A2. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2004-02-26.

Method, apparatus, electronic device, and storage medium for image processing

Номер патента: US20240289919A1. Автор: Huimin ZHAN,Weiying LIU. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-06.

Device and arrangement for controlling an electromagnetic wave, methods of forming and operating the same

Номер патента: WO2017135890A1. Автор: Arseniy KUZNETSOV,Ramon Jose PANIAGUA DOMINGUEZ. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2017-08-10.

Birds-eye-view image generation device, and birds-eye-view image generation method

Номер патента: US09715631B2. Автор: Koji Takahashi,Tadao Ichinose. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Internal supply voltage generating circuit and method of generating internal supply voltage using an internal reference voltage generating circuit and voltage-drop regulator

Номер патента: US6498469B2. Автор: Isamu Kobayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-24.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: AU2003259915A8. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2004-03-03.

Gamma voltage generator, source driver and display apparatus

Номер патента: US20230316975A1. Автор: Chi-Yi Lo. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-10-05.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: AU2003259915A1. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2004-03-03.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: EP1540722A4. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2005-10-26.

INITIAL VOLTAGE GENERATION CIRCUIT AND METHOD OF GENERATING AN INITIAL VOLTAGE

Номер патента: US20130234694A1. Автор: Chang Yen-An,Chang Yi-Hao. Владелец: ETRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

Internal supply voltage generating circuit and method of generating internal supply voltage

Номер патента: KR100625754B1. Автор: 고바야시이사무. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-09-20.

Power trading assistance device and market price prediction information generation method

Номер патента: EP3582173A4. Автор: Tohru Watanabe,Yoshihisa Okamoto,Hiroshi Iimura,Toshiyuki Sawa,Masato Utsumi,Ikuo SHIGEMORI,Youko SAKIKUBO,Yu IKEMOTO,Nobuhiro GOTOUDA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-08-19.

Semiconductor device having plural power source voltage generators, and voltage supplying method

Номер патента: US11209846B2. Автор: Tomonori KUROSAWA,Kazuhiko Satou,Dai Nakamura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-28.

Vehicle display device, vehicle display control apparatus, and system including the vehicle display device and the vehicle display control apparatus

Номер патента: US20200156471A1. Автор: Sung Woo Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

DISPLAY DEVICE, IMAGING DEVICE AND GRAY LEVEL VOLTAGE GENERATION CIRCUIT

Номер патента: US20130321489A1. Автор: Kishikawa Teisuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of managing advertisement-information content intended for placement on an information displaying means with possibility of evaluating efficiency of displayed content

Номер патента: RU2716135C1. Автор: Борис Александрович Кисько. Владелец: Борис Александрович Кисько. Дата публикации: 2020-03-06.

Liquid crystal display device and common electrode voltage generating circuit

Номер патента: EP1845515A3. Автор: Takuya Uehara. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-05.

Block chain wallet address generating method, method of payment, device and electronic equipment based on image

Номер патента: CN107464110A. Автор: 亓兵. Владелец: Beijing Cloud Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Model Generation Method and Apparatus, Image Perspective Determining Method and Apparatus, Device, and Medium

Номер патента: US20230351677A1. Автор: Yanli Li,Dongdong Liu. Владелец: Beijing Jingdong Qianshi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of training image decomposition model, method of decomposing image, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20240037816A1. Автор: LI ZHANG,QIANG LI,ZHENG Hu,Gang Fu,Yunda Sun. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

DISSECTION METHOD FOR LAYOUT PATTERNS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL PROXIMITY CORRECTION METHOD INCLUDING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200081352A1. Автор: Kim Sang-wook. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150227378A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Block chain wallet address generating method, method of payment, device and electronic equipment based on audio

Номер патента: CN107464111A. Автор: 亓兵. Владелец: Beijing Cloud Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: TWI656478B. Автор: 黒川義元. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device including regions for reducing density gradient effect and method of forming the same

Номер патента: US20220050950A1. Автор: Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Electronic device and control method therefor

Номер патента: EP4318161A1. Автор: Aron Baik,Jewoong RYU,Mideum CHOI,Hyomuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Charging roller, charging device and image forming apparatus incorporating same, and method of calculating resistance of charging roller

Номер патента: US20150355566A1. Автор: EISUKE Shimizu,Kazuhiko Watanabe,Hisashi Kikuchi,Takaaki Tawada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Image processing method, program, opthalmic device, and choroidal blood vessel image generation method

Номер патента: US11941788B2. Автор: Mariko HIROKAWA. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Electronic device and method for controlling thereof

Номер патента: US20230333567A1. Автор: Aron Baik,Jewoong RYU,Mideum CHOI,Hyomuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Image processing method, program, ophthalmic device, and choroidal blood vessel image generation method

Номер патента: US20240188814A1. Автор: Mariko HIROKAWA. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

INFORMATION PROCESSING APPARATUS, LADDER-PROGRAM GENERATION APPARATUS, INFORMATION PROCESSING METHOD, LADDER-PROGRAM GENERATION METHOD, METHOD OF MANUFACTURING PRODUCT, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20220035340A1. Автор: Murakami Shinji,SAKUMA Kota. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD SOF PERFORMING EXTREME ULTRAVIOLET RAY EXPOSURE, AND METHODS OF PERFORMING OPTICAL PROXIMITY CORRECTION

Номер патента: US20200064728A1. Автор: MISAKA Akio,CHUNG NO-YOUNG,KIM Ki-soo. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

NEURAL NETWORK MODEL TRAINING METHOD AND DEVICE, AND TIME-LAPSE PHOTOGRAPHY VIDEO GENERATING METHOD AND DEVICE

Номер патента: US20200293833A1. Автор: Liu Wei,Ma Lin,LUO Wenhan. Владелец: TENCENT TECHNOLOGY (SHENZHEN) COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2020-09-17.

NEURAL NETWORK MODEL TRAINING METHOD AND DEVICE, AND TIME-LAPSE PHOTOGRAPHY VIDEO GENERATING METHOD AND DEVICE

Номер патента: US20220366193A1. Автор: Liu Wei,Ma Lin,LUO Wenhan. Владелец: TENCENT TECHNOLOGY (SHENZHEN) COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2022-11-17.

Mobile device, exposure device, component manufacturing method, assembly method and maintenance method of mobile device, and adjustment method, maintenance method and assembling method of exposure device

Номер патента: TWI521311B. Автор: 青木保夫. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2016-02-11.

Screen display method and device and gray scale mapping information generation method and device

Номер патента: CN113450713A. Автор: 杨凯,翟东. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Contour drawing special effects program file package generation method and device, and contour drawing special effects generation method and device

Номер патента: JP7033372B2. Автор: チンチン シュー,ジャンポン リー. Владелец: ベイジン センスタイム テクノロジー デベロップメント カンパニー， リミテッド. Дата публикации: 2022-03-10.

Information processing apparatus, ladder-program generation apparatus, information processing method, ladder-program generation method, method of manufacturing product, and recording medium

Номер патента: US11768482B2. Автор: Shinji Murakami,Kota Sakuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Device and arrangement for controlling an electromagnetic wave, methods of forming and operating the same

Номер патента: US20190049788A1. Автор: Arseniy KUZNETSOV,Ramon Jose PANIAGUA DOMINGUEZ. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-02-14.

Information processing apparatus, ladder-program generation apparatus, information processing method, ladder-program generation method, method of manufacturing product, and recording medium

Номер патента: US20230384766A1. Автор: Shinji Murakami,Kota Sakuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Storage modules, methods of operating a storage module, and methods of operating a host controlling a storage module

Номер патента: US20200133565A1. Автор: Changmin Lee,Sung-Joon Kim,Do-Han Kim,Minsu Kim,Kwanghee Lee,Dae-Jeong Kim,Insu Choi,Wonjae Shin,Tae-Kyeong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

IMAGE PROCESSING METHOD, PROGRAM, OPHTHALMIC DEVICE, AND CHOROIDAL BLOOD VESSEL IMAGE GENERATION METHOD

Номер патента: US20210004939A1. Автор: HIROKAWA Mariko. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2021-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING REGIONS FOR REDUCING DENSITY GRADIENT EFFECT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220050950A1. Автор: Peng Yung-Chow,YANG YU-TAO,CHUANG YUNG-HSU,CHOU WEN-SHEN. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Charging roller, charging device and image forming apparatus incorporating same, and method of calculating resistance of charging roller

Номер патента: US20150355566A1. Автор: EISUKE Shimizu,Kazuhiko Watanabe,Hisashi Kikuchi,Takaaki Tawada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Web-page summarization generation method, methods of exhibiting and related device

Номер патента: CN104636465B. Автор: 张伟萌,张希娟,马艳军,何伯磊,霍华荣. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-16.

Image forming device and host device and pring system having the same and method of the driving

Номер патента: KR100811175B1. Автор: 김근태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-07.

ELECTROCHROME DEVICE AND COUNTER ELECTRODE FOR USE THEREIN, AND METHOD OF MANUFACTURE OF SUCH AN ACRODE.

Номер патента: NL7705811A. Автор: . Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1977-11-29.

Air conditioner management device, and air conditioner management screen generation method

Номер патента: US11859844B2. Автор: Hidemitsu KAWAI,Koichiro Sakurai. Владелец: Toshiba Carrier Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Power Trading Assistance Device and Market Price Prediction Information Generation Method

Номер патента: US20190279239A1. Автор: Tohru Watanabe,Yoshihisa Okamoto,Hiroshi Iimura,Toshiyuki Sawa,Masato Utsumi,Ikuo SHIGEMORI,Youko SAKIKUBO,Yu IKEMOTO,Nobuhiro GOTOUDA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

BIRDS-EYE-VIEW IMAGE GENERATION DEVICE, AND BIRDS-EYE-VIEW IMAGE GENERATION METHOD

Номер патента: US20140002660A1. Автор: Takahashi Koji,Ichinose Tadao. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-01-02.

DETECTING DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT PROVIDED WITH SAME, AND METHOD OF CONTROLLING DETECTING DEVICE

Номер патента: US20170017336A1. Автор: Mayumi Masashi. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

DEVICE AND ARRANGEMENT FOR CONTROLLING AN ELECTROMAGNETIC WAVE, METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190049788A1. Автор: Kuznetsov Arseniy,Paniagua Dominguez Ramon Jose. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Device and Method for Determining Gesture and Operation Method of Gesture Determining Device

Номер патента: US20140161310A1. Автор: Hsieh Meng-Huan,Kao Ming-Tsan,Huang Yu-Hao,Hsu En-Feng,Huang Sen-Huang,CHEN NIEN-TSE,Chen Yi-Yuan. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

INPUT DEVICE AND SYSTEM WITH MACRO RECORDING FUNCTION AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20150113397A1. Автор: Huang Haw Kae,Lin Yin Yu. Владелец: GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

AIR CONDITIONER MANAGEMENT DEVICE, AND AIR CONDITIONER MANAGEMENT SCREEN GENERATION METHOD

Номер патента: US20210172638A1. Автор: SAKURAI Koichiro,KAWAI Hidemitsu. Владелец: TOSHIBA CARRIER CORPORATION. Дата публикации: 2021-06-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SYSTEM CONDUCTING PARITY CHECK AND OPERATING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140250353A1. Автор: CHOI Hun-Dae,Jung Han-gi. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

AUDIO SIGNAL PROCESSING CIRCUIT, IN-VEHICLE AUDIO SYSTEM, AUDIO COMPONENT DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF PROCESSING AUDIO SIGNAL

Номер патента: US20180197563A1. Автор: SAKAI Mitsuteru. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Power Trading Assistance Device and Market Price Prediction Information Generation Method

Номер патента: US20190279239A1. Автор: Watanabe Tohru,UTSUMI Masato,IKEMOTO Yu,OKAMOTO Yoshihisa,SHIGEMORI Ikuo,IIMURA Hiroshi,SAKIKUBO Youko,Sawa Toshiyuki,GOTOUDA Nobuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Device and method for determining gesture and operation method of gesture determining device

Номер патента: US20150310266A1. Автор: Sen-Huang Huang,Yu-Hao Huang,Ming-Tsan Kao,Nien-Tse Chen,En-Feng Hsu,Yi-Yuan Chen. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR101870445B1. Автор: 김지은,김성훈. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2018-06-22.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof, and drive control method of lighting unit

Номер патента: US7088334B2. Автор: Katsumi Adachi,Hiroyuki Handa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

Optical member, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR101326892B1. Автор: 김지은,김성훈. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2013-11-11.

Device and method, sample and the sample production method of metallic composite interface bond strength measurement

Номер патента: CN105758791B. Автор: 张小军,李龙,陈鑫,周德敬. Владелец: Yinbang Clad Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

Ultrasonic diagnostic device and ultrasonic three-dimensional image generation method

Номер патента: US11134921B2. Автор: Takehiro Tsujita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-10-05.

Photoelectric system servo controller generating device and photoelectric system servo controller generating method

Номер патента: CN106597849A. Автор: 杨光,张新勇,刘昇,冉承平,杨渊强. Владелец: Luoyang Institute of Electro Optical Equipment AVIC. Дата публикации: 2017-04-26.

Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR101327090B1. Автор: 강문숙. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2013-11-07.

Driving apparatus for display device and display device including the same and method of driving the same

Номер патента: US20070024554A1. Автор: Hee-Won Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-01.

Electronic cam control device and its electronic cam curve generation method

Номер патента: CN105739430B. Автор: 简文昱,严举楼,王亭谕. Владелец: SUZHOU XINDAI NUMERICAL CONTROL EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2018-07-20.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: US20040033633A1. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR101382974B1. Автор: 김성훈. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2014-04-08.

Device and method for all-weather visibility estimation method of expressway

Номер патента: CN113192066A. Автор: 田野,谢建,冯枫. Владелец: Wuhan Yangtze Communications Zhilian Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-30.

Device and meter device for measuring or integrating any function of voltage, current or both of these quantities

Номер патента: FR29443E. Автор: . Владелец: Compteurs Schlumberger SA. Дата публикации: 1925-07-27.

Apparatus and methods for negative voltage generation with reduced clock feed-through

Номер патента: US09698832B2. Автор: Florinel G. Balteanu,Peter Harris Robert Popplewell,Jakub F. Pingot. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Voltage generator with voltage multiplier

Номер патента: CA2014657A1. Автор: Takaaki Ishii,Masayuki Sakanishi,Katsuhiko Kita. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-10-17.

Voltage regulator and method of regulating voltage

Номер патента: US20050151519A1. Автор: Martin Pierson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-14.

Gate Drivers and Voltage Regulators for Gallium Nitride Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20200007119A1. Автор: Yue Fu,Yan-Fei Liu,Zhanming Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Voltage regulation of high voltage direct current systems

Номер патента: US11770084B2. Автор: Cristian E. Anghel,Davendar Kashireddy,Yonghui Xu,Kumar Sakinala,David C Hodge,David A Knight,Karthik V J,Mohan B M. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Ac voltage regulator for permanent magnet generators

Номер патента: WO2009004466A3. Автор: Paolo Emilio Bagnoli,Emilio Franchi,Fabio Stefani. Владелец: Fabio Stefani. Дата публикации: 2009-07-23.

Ac voltage regulator for permanent magnet generators

Номер патента: WO2009004466A2. Автор: Paolo Emilio Bagnoli,Emilio Franchi,Fabio Stefani. Владелец: Universita' Di Pisa. Дата публикации: 2009-01-08.

System and method of pre-charging the capacitor bank of the power cells of the frequency converter

Номер патента: RU2754945C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2021-09-08.

Voltage regulator with welded lead frame connectors and method of making

Номер патента: WO2007106201A3. Автор: Ray Smith,Mario Cespedes,Terry Haskin,An Huu Nguyen,John Lasek. Владелец: Wetherill Associates Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Voltage regulator with welded lead frame connectors and method of making

Номер патента: WO2007106201A2. Автор: Ray Smith,Mario Cespedes,Terry Haskin,An Huu Nguyen,John Lasek. Владелец: Wetherill Associates, Inc.. Дата публикации: 2007-09-20.

DC/DC converter and control method of DC/DC converter

Номер патента: US09559604B2. Автор: Qiong Zhang,Shengli Lu,Guisong Huang,Zhongwang Yang. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Voltage regulator circuits, radiation devices and radiation systems including the same

Номер патента: EP4391730A2. Автор: Raj Pai,Flavio Poehlmann-Martins,William Thompson MAIN,Alexander Cahill,Reza Alibazi BEHBAHANI,Ogy SABEV. Владелец: Varian Medical Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Voltage regulator circuits, radiation devices and radiation systems including the same

Номер патента: US20240213872A1. Автор: Raj Pai,Flavio Poehlmann-Martins,Alexander Cahill,Reza Alibazi BEHBAHANI,Ogy SABEV,Bill MAIN. Владелец: Varian Medical Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Voltage regulator circuits, radiation devices and radiation systems including the same

Номер патента: EP4391730A3. Автор: Raj Pai,Flavio Poehlmann-Martins,William Thompson MAIN,Alexander Cahill,Reza Alibazi BEHBAHANI,Ogy SABEV. Владелец: Varian Medical Systems Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Direct-current voltage regulator

Номер патента: RU2626462C1. Автор: Александр Георгиевич Кудряков,Любовь Анатольевна Дайбова,Владимир Валентинович Тропин,Игорь Игоревич Кравченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2017-07-28.

Methods and apparatuses for voltage regulation using predictively charged precharge rails

Номер патента: US12107497B2. Автор: Joseph Duncan,Todd Sutton,Zdravko Lukic,Chris Rosolowski,Orlando Santiago,Rashed HOQUE,Marko Koski. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Direct current voltage generating apparatus

Номер патента: US20130314960A1. Автор: Yu-Lin Liu,zhi-yong Gao,Ting-Ting Wu. Владелец: Hongfujin Precision Industry Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Voltage regulation circuit and system for traction battery and control method thereof

Номер патента: US20240250548A1. Автор: Yu Yan,Zhimin Dan,Xiaojian Huang,Zhanliang LI,Xinwei Chen,Yuanmiao Zhao. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Voltage regulation circuit and system for traction battery and control method thereof

Номер патента: US12119697B2. Автор: Yu Yan,Zhimin Dan,Xiaojian Huang,Zhanliang LI,Xinwei Chen,Yuanmiao Zhao. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Voltage regulator module with inductor-cooled power stage

Номер патента: US12150236B2. Автор: Kennith Kin Leong,Gerald Deboy,Angela Kessler,Luca PELUSO,Kok Yau Chua,Chee Yang Ng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-11-19.

Surgical instrument comprising a staged voltage regulation start-up system

Номер патента: US12029421B2. Автор: Shane R. Adams,Nicholas J. Ross. Владелец: Cilag GmbH International. Дата публикации: 2024-07-09.

Heat dissipaters for voltage regulators

Номер патента: US20230064539A1. Автор: Shane Ward,Andrew L. Wiltzius,Robert Lee Crane. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and apparatuses for controlling the output voltage of a voltage regulator

Номер патента: US20230363063A1. Автор: Christian Schmitz,Carsten Leitner,Thomas Geistert,Andre' Krieger. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230301064A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Encapsulated semiconductor device and encapsulation method

Номер патента: US09831467B2. Автор: Herbert Lifka,Peter Van De Weijer,Sören HARTMANN,Jens Meyer,Stefan Peter Grabowski,Rainald Manfred Gierth,Manfred Stephan RUSKE,Volker Lambert Van Elsbergen,Petrus Cornelis-Paulus Bouten. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Low external resistance channels in III-V semiconductor devices

Номер патента: US09812323B2. Автор: Effendi Leobandung,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09524937B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor devices including backside vias and methods of forming the same

Номер патента: US12040407B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor Devices Including Backside Vias and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240339542A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices

Номер патента: WO2008136874A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corporation. Дата публикации: 2008-11-13.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures, buried contact regions and trench gates, and methods of manufacturing the devices

Номер патента: US20150111354A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

GE and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09905651B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device including a gate electrode on a protruding group III-V material layer

Номер патента: US09666706B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee,Ki-ha Hong,Kyoung-Yeon Kim,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Ge and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09570614B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190319109A1. Автор: Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Two-dimensional material structure, semiconductor device including the two-dimensional material structure, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230112883A1. Автор: Minsu Seol,Keunwook SHIN,Changseok Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor Device Structures for Bipolar Junction Transistors and Methods of Fabricating Such Structures

Номер патента: US20080003757A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods of making transistor devices with elevated source/drain regions to accommodate consumption during metal silicide formation process

Номер патента: US09490344B2. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of transmitting signal, network device and end device

Номер патента: RU2724652C1. Автор: Хуа СЮЙ,Хай ТАН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2020-06-25.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: EP4298821A1. Автор: LIN Liang,Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: EP4248681A1. Автор: Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: US20230319890A1. Автор: Gang Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: EP4082296A1. Автор: LIN Liang,Gang Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Methods, devices and computer storage media for communication

Номер патента: US12063181B2. Автор: Gang Wang,Yukai GAO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods, devices and computer storage media for communication

Номер патента: US20240348411A1. Автор: Gang Wang,Yukai GAO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Interference measurement method and apparatus, device, and storage medium

Номер патента: EP4451580A1. Автор: HAO LIU,Jin Liu,Dajie Jiang,Pu YUAN,Bule SUN,Sihao Shi. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: US20240357632A1. Автор: LIN Liang,Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09768031B2. Автор: Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Flip chip semiconductor device in a moulded chip scale package (csp) and method of assembly

Номер патента: EP1229577A3. Автор: Anthony L. Colye. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-02-02.

Composition for forming organic light-emitting device and method of preparing organic light-emitting device

Номер патента: US20200259093A1. Автор: Dongwoo Shin,Junwoo PARK,Donghoon KWAK,Jaekook HA,SeHun KIM,Dukki Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Image generation device and image generation method

Номер патента: US11277571B2. Автор: Satoshi Sato,Mitsuru Harada,Kunio Nobori,Takeo Azuma,Nobuhiko Wakai,Shinichi Machida,Masumi Izuchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Image generation device and image generation method

Номер патента: US20210120165A1. Автор: Satoshi Sato,Mitsuru Harada,Kunio Nobori,Takeo Azuma,Nobuhiko Wakai,Shinichi Machida,Masumi Izuchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Bwp switching method, network device, and storage medium

Номер патента: EP4354996A1. Автор: Ya'nan SI. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: AU2024205265A1. Автор: Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: US20230262566A1. Автор: Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor devices including gaps between conductive patterns

Номер патента: US09842803B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor Device with Insert Structure at a Rear Side and Method of Manufacturing

Номер патента: US20150236142A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-08-20.

Controlling method of wireless communication device and network

Номер патента: US20240155534A1. Автор: Yu-Cheng Huang,zhong-han Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device with power transistor cells and lateral transistors and method of manufacturing

Номер патента: US09590094B2. Автор: Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method of solar energy converter with high efficiency

Номер патента: RU2698491C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Techniques for forming semiconductor device packages and related packages, intermediate products, and methods

Номер патента: US20210091036A1. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Trench power device and source capacitor integration and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246562A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US12062613B2. Автор: Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20220359412A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and wafer structure having a planar buried interconnect by wafer bonding

Номер патента: US5260233A. Автор: Rajiv V. Joshi,Joseph F. Shepard,Taqi N. Buti,Louis L-C. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-11-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010010381A1. Автор: Jong-Wan Jung,Jeong Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069601A1. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183659A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Communication device and system, with communication restriction feature and method of administrating such

Номер патента: AU6221400A. Автор: Angie Brooks. Владелец: BEICOM Inc. Дата публикации: 2001-04-24.

MOS semiconductor device having gate insulating film containing nitrogen and manufacturing method of the same

Номер патента: TW535191B. Автор: Kazuya Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-01.

Protective cover for a 5G wireless telecommunications device and methods for reducing signal attenuation using the same

Номер патента: US12068772B2. Автор: Richard Holman,Piriya Sugumaar. Владелец: Design Blue Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

DISPLAY APPARATUS, POWER VOLTAGE GENERATING APPARATUS, AND METHOD OF GENERATING POWER VOLTAGE

Номер патента: US20150130367A1. Автор: Kim Jin-woo,KANG Byeong-Doo,PARK Kyoung-Jin,Bae Jong-Man. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, MOVING UNIT, MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20200127035A1. Автор: Suzuki Atsushi,Iwata Koichiro,Yamazaki Kazuo,Takada Hideaki,Ohtani Akira,Watanabe Takanori,KATO Tatsunori,Ishii Ryunosuke,Oseto Akira. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

A method of manufacturing a semiconductor device, a semiconductor mounting device, and a memory device manufactured by the method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: KR20170128445A. Автор: 요시노리 미야모토,요시유키 아라이,노보루 아사히,심페이 아오키,마사츠구 니무라. Владелец: 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드. Дата публикации: 2017-11-22.

High voltage semiconductor device with JFET regions containing dielectrically isolated junctions and method of fabricating the same

Номер патента: US20110089492A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor device structure and method making the same

Номер патента: US20230232607A1. Автор: Jinil Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and a method therefor

Номер патента: WO2002097889A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Vidya S. Kaushik,Tat Ngai,James K. Schaeffer, Iii. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and a method therefor

Номер патента: EP1396024A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Vidya S. Kaushik,Tat Ngai,James K. Schaeffer, Iii. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-03-10.

Methods of fabricating electronic devices using direct copper plating

Номер патента: WO2008151104A1. Автор: Hyungsuk Alexander Yoon,Fritz Redecker. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-11.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SAME, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190131228A1. Автор: MOON Kwang-Jin,LEE Ho-Jin,Chun Jin-Ho,Jeon Hyung-Jun,An Jin-Ho,SON Seong-Min,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor devices on diffusion barrier coated substrates and methods of making the same

Номер патента: CA2761748C. Автор: Kevin McCarthy,Michael Kocsis,Arvind Kamath,Gloria Man Ting Wong. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-01-12.

Semiconductor devices on diffusion barrier coated substrates and methods of making the same

Номер патента: SG175709A1. Автор: Kevin McCarthy,Michael Kocsis,Arvind Kamath,Gloria Man Ting Wong. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司 竹中,克義 山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Semiconductor device comprising a contact hole of varying width thru multiple insulating layers

Номер патента: US6127734A. Автор: Hiroshi Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162714A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US20200027995A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-23.

Methods for fabricating electrically-isolated finfet semiconductor devices

Номер патента: US20140213033A1. Автор: David P. Brunco,Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170358506A1. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12027583B2. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US11908702B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230378305A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11810960B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor Device with Cell Trench Structures and Recessed Contacts and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180366541A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl,Maria Cotorogea,Haybat Itani,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-20.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230009077A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Shih-Chuan CHIU,Hsu-Kai Chang,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230040346A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Chia LIANG,Hsiang-Pi Chang,Wen-Chung Liu,Chun-I Wu,Duen-Huei HOU,Chun-Chun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230187526A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230057278A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226058A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-07-22.

Back side illumination (bsi) sensors, manufacturing methods thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US20140235008A1. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chin-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND SYSTEMS INCLUDING MEMORY CELLS AND RELATED METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20160049406A1. Автор: Sandhu Gurtej S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180114909A1. Автор: Hayashi Toshihiko,HONDA Takayoshi,UESUGI YUJI,Hiramatsu Katsunori. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE, RADIO TERMINAL DEVICE, RADIO COMMUNICATION SYSTEM AND COMMUNICATION METHOD OF RADIO TERMINAL DEVICE

Номер патента: US20200204965A1. Автор: Fujita Suguru,CHANO Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Channel monitoring method and device, terminal device and network device

Номер патента: RU2767192C1. Автор: Вэйцзе СЮЙ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнс Корп., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor device, solid-state imaging device, electronic apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10622563B2. Автор: Toshihiko Hayashi,Takayoshi Honda,Yuji Uesugi,Katsunori Hiramatsu. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Manufacturing method of optical semiconductor device, thermoelectric conversion element, semiconductor crystal substrate, and manufacturing method of infrared detection device

Номер патента: JP6794840B2. Автор: 奥村　滋一,滋一 奥村,秀一 苫米地. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-12-02.

Device having thin film overlay for interconnecting bond pads of a semiconductor device to a lead frame or flex circuit and method of making same

Номер патента: EP0607656A1. Автор: Larry J. Mowatt,Kurt P. Wachtler,David N. Walter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-07-27.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: US20240129989A1. Автор: Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device structure having a plurality of threshold voltages and method of forming the same

Номер патента: US11837602B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor Device Structure Having a Plurality of Threshold Voltages and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210119033A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor Device Structure Having a Plurality of Threshold Voltages and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210280711A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Device integrating trench type power device and source capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230282636A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A GATE STRUCTURE BETWEEN ACTIVE REGIONS, AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A GATE STRUCTURE BETWEEN ACTIVE REGIONS

Номер патента: US20140070291A1. Автор: Lee Jin-Woo,Song Tae-yong,Kim Seung-Ho,Lee Ja-Young,Ji Hyun-Mi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20160005750A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE, RAMP SIGNAL CONTROL METHOD, IMAGE DATA GENERATING METHOD, AND CAMERA SYSTEM

Номер патента: US20160021323A1. Автор: AIBARA Yasutoshi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A GRADUALLY INCREASING FIELD DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170033191A1. Автор: Haeberlen Oliver,Meiser Andreas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING AN ISOLATION LAYER ON A FIN AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING AN ISOLATION LAYER ON A FIN

Номер патента: US20160043170A1. Автор: Park Sang-Jine,Yoon Bo-Un,JEON Ha-Young,CHOI Won-Sang,Gil Yeon-Jin,Yun Ji-Won. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150048293A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A GRADUALLY INCREASING FIELD DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200044036A1. Автор: Haeberlen Oliver,Meiser Andreas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor Device Assembly Including a Chip Carrier, Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140138833A1. Автор: Mauder Anton,Hosseini Khalil,Seng Philipp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-05-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A GRADUALLY INCREASING FIELD DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180097074A1. Автор: Haeberlen Oliver,Meiser Andreas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150104919A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Santos Rodriguez Francisco Javier,Brockmeier Andre. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, RAMP SIGNAL CONTROL METHOD, IMAGE DATA GENERATING METHOD, AND CAMERA SYSTEM

Номер патента: US20170264847A1. Автор: AIBARA Yasutoshi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor devices including an isolation layer on a fin and methods of forming semiconductor devices including an isolation layer on a fin

Номер патента: US20170271336A1. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Yeon-Jin Gil,Ha-Young Jeon,Ji-Won YUN,Won-Sang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SEMICONDUCTOR BODIES HAVING INTERLEAVED HORIZONTAL PORTIONS AND METHOD OF FORMING THE DEVICES

Номер патента: US20150364611A1. Автор: Liu Qizhi,Funch Christopher J.,Siegel Dean W.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor Device with Cell Trench Structures and Recessed Contacts and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180366541A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Laven Johannes Georg,Haghofer Andreas,Griebl Erich,Cotorogea Maria,Itani Haybat. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device

Номер патента: US20090115031A1. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Maria Luisa Calvo-Munoz. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US7691756B2. Автор: Janos Farkas,Cindy Goldberg,Srdjan Kordic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-06.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereor, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US20100139526A1. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Cindy Golberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-06-10.

Silicon-on-insulator semiconductor device with silicon layers having different crystal orientations and method of forming the silicon-on-insulator semiconductor device

Номер патента: KR101124657B1. Автор: 앤드류 엠. 웨이트,존 칙. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: CN101287777A. Автор: 亚诺什·法尔卡斯,斯尔詹·科尔迪克,辛迪·戈德堡. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-10-15.

Semiconductor devices including buried gate electrodes and isolation layers and methods of forming semiconductor devices including buried gate electrodes and isolation layers using self aligned double patterning

Номер патента: US8486818B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-16.

Semiconductor devices with extended-periphery layers for improved cooling and method of cooling semiconductor devices

Номер патента: DE102008026550A1. Автор: Terence G. Redondo Beach Ward,Edward P. Corona Yankoski. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2008-12-24.

Semiconductor device for current characteristic measurement and current characteristic measurement method of semiconductor device

Номер патента: KR100934791B1. Автор: 홍지호. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-12-31.

Silicon-on-insulator semiconductor device with silicon layers having different crystal orientations and method of forming the silicon-on-insulator semiconductor device

Номер патента: US20060091427A1. Автор: Jon Cheek,Andrew Waite. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device

Номер патента: US7803719B2. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Maria Luisa Calvo-Munoz. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-28.

Thin semiconductor device, module structure using the same, and board mounting method of the semiconductor device

Номер патента: KR100300266B1. Автор: 마스다마사치카,와다다마키. Владелец: 히타치 쪼오 엘.에스.아이.엔지니아링 가부시키가이샤. Дата публикации: 2001-10-22.

LED lead frame or substrate, semiconductor device and LED lead frame or the manufacture method of substrate

Номер патента: CN102804428B. Автор: 村田佳则,铃木纲一,小田和范,坂本章,川合研三郎,铃木纲,大石惠. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-09-21.

Semiconductor device mounting structure and manufacturing method thereof, and peeling method of semiconductor device

Номер патента: JP2008311459A. Автор: 裕美 神澤,Hiromi Kanzawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device assembly including a chip carrier, semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CN103839910A. Автор: A.毛德,P.森格,K.侯赛因. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-06-04.

Semiconductor device with substrate-side exposed device-side electrode and method of fabrication

Номер патента: TW201143009A. Автор: Tao Feng,Anup Bhalla. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2011-12-01.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: US20240015616A1. Автор: Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: US20230345332A1. Автор: Gang Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: US20230379815A1. Автор: Gang Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Method Of Determining Position Of Paging Message, Communication Device, Network-Side Device And User Equipment

Номер патента: US20210014824A1. Автор: Li Chen. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of adding secondary cell group, terminal device, and master node

Номер патента: US11805457B2. Автор: Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: WO2024031591A1. Автор: LIN Liang,Gang Wang,Xiaohong Zhang. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2024-02-15.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: EP4169293A1. Автор: Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-04-26.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: WO2021258307A9. Автор: Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2023-01-19.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268472A1. Автор: Shu-Han Yu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Communication device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230178534A1. Автор: Wen-Chi Fang,Pei-Chi Chen,Jen-Hai Chi,Zhi-Fu HUANG,Jia-Sin Lin,Wan-Chun Tsai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: EP4128876A1. Автор: Gang Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-02-08.

Method of adding secondary cell group, terminal device, and master node

Номер патента: US20230100752A1. Автор: Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of adding secondary cell group, terminal device, and master node

Номер патента: US20200396662A1. Автор: Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: EP4128972A1. Автор: Gang Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-02-08.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING SPACERS ON SIDEWALLS OF CONDUCTIVE LINES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140027924A1. Автор: LEE Jong Pil. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING SPACERS ON SIDEWALLS OF CONDUCTIVE LINES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150044868A1. Автор: LEE Jong Pil. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor Devices Having Gate Dielectric Layers of Varying Thicknesses and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210225839A1. Автор: PAN Kuo-Hua,LIAW Jhon Jhy,Wu Shien-Yang,Lin Ta-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STRUCTURE CAPABLE OF SUPPRESSING OXYGEN DIFFUSION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150228778A1. Автор: KOO Sangmo,JANG Hyuncheol,KO DaeHong,LEE Hwan,OH HoonJung,LEE InGeun,BYUN DaeSub. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor Device Structure Having a Plurality of Threshold Voltages and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210280711A1. Автор: PAN Kuo-Hua,Liang Chun-Sheng,CHIANG Hsin-Che,Chien Yu-San. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTIPLE CHIPS OF ASSEMBLED INTEGRATED CIRCUITS AND METHOD OF ASSEMBLING AND ELECTRICALLY CONNECTING INTEGRATED CIRCUIT CHIPS

Номер патента: FR2893448A1. Автор: Jean Pierre Schoellkoff. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-05-18.

Semiconductor device having a plurality of mosfets on substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: GB9924488D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-12-15.

Semiconductor device capable of preventing crosstalk between metal lines and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1073281C. Автор: 本间哲哉,宗佐美达矢. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-17.

Semiconductor device with deviation of "ballistic transport" type electrons, and method of making the same

Номер патента: EP0058577A1. Автор: Paul Robert Jay. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1982-08-25.

Semiconductor devices having gate dielectric layers of varying thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US11302692B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor device with t-gate of double deck structure and method of fabricating the same

Номер патента: KR101875513B1. Автор: 이정희,임병옥,조영우,이복형,김륜휘. Владелец: 한화시스템 주식회사. Дата публикации: 2018-07-09.

Methods of forming stacked semiconductors die assemblies

Номер патента: US11948921B2. Автор: Owen R. Fay,Dong Soon Lim,Randon K. Richards,Aparna U. Limaye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20180308801A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20200335449A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

DEVICES AND SYSTEMS FOR OBTAINING CONDUCTANCE DATA AND METHODS OF MANUFACTURING AND USING THE SAME

Номер патента: US20130096455A1. Автор: Kassab Ghassan S.,Svendsen Mark,Combs William,Mauser Kevin,Browder John,Peters Lynette. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES COMPRISING CRYSTALLINE Pr1-xCaxMnO3 (PCMO) MATERIAL AND METHODS OF FORMING CRYSTALLINE PCMO MATERIAL

Номер патента: US20130134375A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Srinivasan Bhaskar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device including polysilicon resistor and metal gate resistor and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20130157452A1. Автор: Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Hsien-Chin Lin,Shyue-Shyh Lin,Tung-Heng Hsieh,Chia-Yu Lu,Chin-Shan Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130224920A1. Автор: JEONG Jin Ha,Lee Changhun,URAZAEV Vladimir,JEONG Yongsang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-29.

SEMICONDUCTOR DEVICES USING AIR SPACES TO SEPARATE CONDUCTIVE STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140077333A1. Автор: SON Nak-jin. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FACE-TO-FACE CHIPS ON INTERPOSER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160005717A1. Автор: LIN Charles W. C.,Wang Chia-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIRST AND SECOND FIN-TYPE PATTERNS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200043922A1. Автор: KIM Sung Min,LEE Jae Myoung,Kang Myoung Ho,Kim Gyeongseop,Kim Jeong Lim,Oh Heung Suk,Lim Yeon Hwa,Jeon Joong Won. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

DEVICES AND SYSTEMS FOR OBTAINING CONDUCTANCE DATA AND METHODS OF MANUFACTURING AND USING THE SAME

Номер патента: US20180061524A1. Автор: Kassab Ghassan S.,Svendsen Mark,Combs William,Mauser Kevin,Browder John,Peters Lynette. Владелец: 3DT Holdings, LLC. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor Device with Contact Structures Extending Through an Interlayer and Method of Manufacturing

Номер патента: US20170062276A1. Автор: Weis Rolf,Bartels Martin,Lemke Marko,Tegen Stefan,Bertrams Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor Device With Junction Termination Extension Structure On Mesa And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: US20140145292A1. Автор: Chii-Wen Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A MONOLITHIC INTER-TIER VIA (MIV), AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20150091098A1. Автор: Huang Tsung-Hsien,CHENG Hong-Chen,LIAO Hung-Jen,LEE Cheng-Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor Device with a Portion Including Silicon and Nitrogen and Method of Manufacturing

Номер патента: US20200083133A1. Автор: Schmidt Gerhard,Kahn Markus,Steinbrenner Juergen,Maier Christian,Humbel Oliver,Koch Philipp Sebastian,Koprowski Angelika. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING GATE INSULATION LAYERS ON CHANNEL MATERIALS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170092657A1. Автор: LEE Jung-Hwan,BYEON DAE-SEOK,Kim Jee-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING THROUGH ELECTRODES, SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SAME, METHODS OF MANUFACTURING THE SAME, ELECTRONIC SYSTEMS INCLUDING THE SAME, AND MEMORY CARDS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160099229A1. Автор: CHOI Hyeong Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FACE-TO-FACE CHIPS ON INTERPOSER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150118794A1. Автор: LIN Charles W. C.,Wang Chia-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A BONDING PAD AND SHIELD STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140199804A1. Автор: Tsai Shuang-Ji,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan,Wang Wen-De,Ho Cheng-Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROFILED WORK-FUNCTION METAL GATE ELECTRODE AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20150155365A1. Автор: Lee Da-Yuan,Lee Hsien-Ming,Jang Syun-Ming,Liu Kuan-Ting,Chang Weng,Lo Wei-Jen,Chung Hung-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-06-04.

GARNET COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING SAME, LIGHT EMITTING DEVICE AND DECORATIVE ARTICLE USING GARNET COMPOUND, AND METHOD OF USING GARNET COMPOUND

Номер патента: US20180163127A1. Автор: Abe Takeshi,OSHIO Shozo. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROFILED WORK-FUNCTION METAL GATE ELECTRODE AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20170178973A1. Автор: Lee Da-Yuan,Lee Hsien-Ming,Jang Syun-Ming,Liu Kuan-Ting,Chang Weng,Lo Wei-Jen,Chung Hung-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor Device with Insert Structure at a Rear Side and Method of Manufacturing

Номер патента: US20150236142A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Laven Johannes Georg,Griebl Erich. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR STACKED MODULE STRUCTURE, STACKED MODULE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150243632A1. Автор: Inoue Hiroshi,Katsumata Akio,SAWACHI Shigenori,Yamagata Osamu. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor Device Having Body Contacts with Dielectric Spacers and Corresponding Methods of Manufacture

Номер патента: US20190229198A1. Автор: Poelzl Martin,HUANG Wei-Chun,Roesch Maximilian,Feil Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUMMY PATTERN IN HIGH-VOLTAGE REGION AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180240798A1. Автор: Cheng Chao-Sheng,Yang Chin. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIRST AND SECOND FIN-TYPE PATTERNS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200235097A1. Автор: KIM Sung Min,LEE Jae Myoung,Kang Myoung Ho,Kim Gyeongseop,Kim Jeong Lim,Oh Heung Suk,Lim Yeon Hwa,Jeon Joong Won. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor Device Circuit Apparatus Bonded with Anisotropic Conductive Film and Method of Direct Transfer for Making the Same

Номер патента: US20180248090A1. Автор: Huska Andrew,Peterson Cody,Adams Clinton,Kupcow Sean,Wendt Justin. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING GATE INSULATION LAYERS ON CHANNEL MATERIALS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160268302A1. Автор: LEE Jung-Hwan,BYEON DAE-SEOK,Kim Jee-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

THROUGH-HOLE ELECTRODE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE THROUGH-HOLE ELECTRODE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF THE THROUGH-HOLE ELECTRODE SUBSTRATE

Номер патента: US20190273038A1. Автор: MAEKAWA Shinji,NAGANO Hiromasa,TAI Takahiro. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-09-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170301683A1. Автор: Ren Chi,Chen Aaron. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN EXTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180308801A1. Автор: SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR STACKED MODULE STRUCTURE, STACKED MODULE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150332937A1. Автор: Inoue Hiroshi,Katsumata Akio,SAWACHI Shigenori,Yamagata Osamu. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING ISOLATION GATE LINES BETWEEN ACTIVE PATTERNS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150333059A1. Автор: Kang Mansug,HWANG Sung-Wook,HWANG Inseak,Ha SoonMok,LIM YOUNGSOO,IM KiVin,LEE Dongbok. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Three-dimensional semiconductor device including integrated circuit, transistors and transistor components and method of fabrication

Номер патента: US20190326301A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROFILED WORK-FUNCTION METAL GATE ELECTRODE AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20200335404A1. Автор: Lee Da-Yuan,Lee Hsien-Ming,Jang Syun-Ming,Liu Kuan-Ting,Chang Weng,Lo Wei-Jen,Chung Hung-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN EXTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200335449A1. Автор: SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor Device with Power Transistor Cells and Lateral Transistors and Method of Manufacturing

Номер патента: US20150380543A1. Автор: Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN EXTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220359412A1. Автор: SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH IMPROVED SOURCE AND DRAIN CONTACT AREA AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20220359682A1. Автор: Wu Zhiqiang,Wu Chung-Wei,Cheng Chun-Fu,Lee Wei Ju. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONDUCTIVE ELEMENT FORMED OVER DIELECTRIC LAYERS AND METHOD OF FABRICATION THEREFOR

Номер патента: US20220376060A1. Автор: Khalil Ibrahim,Grote Bernhard,Green Bruce McRae,Kabir Humayun. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: KR101789865B1. Автор: 웽 창,다위안 리,쿠안팅 리우,헝친 청,시엔밍 리,션밍 장,웨이젠 로. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-10-25.

Semiconductor device having ternary system oxide gate insulating layer and method of fabricating the same

Номер патента: KR100721203B1. Автор: 이종민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor device having recessed gate and asymmetric impurity region and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100636680B1. Автор: 진승우,이민용,노경봉. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-23.

Semiconductor device with source and drain depth extenders and a method of making the same

Номер патента: KR970003916B1. Автор: 도라플러스,케이스 스멜쩌 로날드. Владелец: 하워드 에프 반덴버그. Дата публикации: 1997-03-22.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor field effect transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: KR101862345B1. Автор: 이창훈,정진하,정용상,블라디미르 우라자에브. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device having ternary system oxide gate insulating layer and method of fabricating the same

Номер патента: KR100755072B1. Автор: 이종민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-06.

Power semiconductor device using silicon substrate as field stop layer and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101237345B1. Автор: 김영철,이규현,윤종만,오광훈. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device having contact plug using selective epitaxial growth and method of fabricating the same

Номер патента: KR100517328B1. Автор: 이석규,박성언,노재성,주성재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-28.

Semiconductor device, semiconductor stacked module structure, stacked module structure and method of manufacturing same

Номер патента: US9196507B1. Автор: Hiroshi Inoue,Shigenori Sawachi,Osamu Yamagata,Akio Katsumata. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device, semiconductor stacked module structure, stacked module structure and method of manufacturing same

Номер патента: KR102235811B1. Автор: 히로시 이노우에,아키오 가쓰마타,시게노리 사와치,오사무 야마가타. Владелец: 가부시키가이샤 앰코테크놀로지재팬. Дата публикации: 2021-04-02.

Semiconductor Device Having Filling Pattern Adjacent to Storage Structure And Methods Of Forming The Same

Номер патента: KR101196484B1. Автор: 마종완,권준모. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device having bond pad and interlayer passivation layer and method of fabricating the same

Номер патента: CN114762100A. Автор: 李敬伦. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2022-07-15.

Semiconductor device having thin electrode laye adjacent gate insulator and method of manufacture

Номер патента: US20030022444A1. Автор: Takashi Kobayashi,Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Jiro Yugami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device having Ti- and N-containing layer, and manufacturing method of same

Номер патента: US9343402B2. Автор: Atsuko Sakata,Jun-ichi Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device having a ghost source/drain region and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20020190344A1. Автор: Ian Wylie,John Michejda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

A semiconductor device having a reduced signal processing time and a method of fabricating the same

Номер патента: KR100698495B1. Автор: 호르스트맨맨프레드,위에크조렉카르스텐,버배쉬줘트. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-03-23.

A power semiconductor device with an overlapped field plate structure and a method of fabricating the same

Номер патента: TW306029B. Автор: Kyung-Wook Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-05-21.

Semiconductor device including main substrate and sub substrates and fabrication method of the same

Номер патента: US20090121342A1. Автор: Mamoru Sekiya,Atsushi MINAKAWA,Norio Umezu. Владелец: Onkyo Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Programmable semiconductor device containing a vertically notched fusible link region and methods of making and using same

Номер патента: US20070029576A1. Автор: Edward Nowak,Jed Rankin,William Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device provided with tin diffusion inhibiting layer, and manufacturing method of the same

Номер патента: US8237277B2. Автор: Hiroyasu Jobetto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-07.

Semiconductor device with metal gate and high―k dielectric and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101986144B1. Автор: 이승미,지연혁. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-06-05.

Substrate for semiconductor device, nitride thin film structure using the same and method of forming the same

Номер патента: KR101466037B1. Автор: 오세원,김종학,차국헌,윤의준,우희제. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-11-28.

Semiconductor Device Having Partially Insulated Field Effect Transistor PiFET And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100583725B1. Автор: 김성민,박동건,김민상,오창우,최정동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-25.

Semiconductor device with an electrode as an alignment mark, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8138533B2. Автор: Hidetoshi Koike,Yusuke Kohyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-20.

Semiconductor devices having a buried and enlarged contact hole and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060197162A1. Автор: Seong-Goo Kim,Sang-Moo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor device including bit line formed using damascene technique and method of fabricating the same

Номер патента: US7098135B2. Автор: Sang-Yong Kim,Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Seung-pil Chung,Jeong-sic Jeon,Seung-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-29.

Semiconductor device for producing or amplifying electro-magnetic radiation and method of manufacturing same

Номер патента: EP0122674B1. Автор: Theodorus Gerardus Jacobus Van Oirschot. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-03-11.

Semiconductor device comprising a photodiode and a bipolar element, and method of fabrication

Номер патента: EP0778621A2. Автор: Chihiro Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-06-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AN INSULATED PORT FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURE THIS.

Номер патента: NL7410214A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-02-10.

Semiconductor device, semiconductor stacked module structure, stacked module structure and method of manufacturing same

Номер патента: TWI550792B. Автор: 山方修武,井上廣司,勝又章夫,澤地茂典. Владелец: 吉帝偉士股份有限公司. Дата публикации: 2016-09-21.

Highly integrated semiconductor device with silicide layer that secures contact margin and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050040472A1. Автор: Myoung-Hwan Oh,Young-Gun Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor device with MOS-gate control and trench structure and method of manufacture

Номер патента: DE19949364B4. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-10-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR GENERATING AT LEAST TWO RADIUS BEAMS AND METHOD OF MANUFACTURING THESE

Номер патента: NL8200414A. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1983-09-01.

Semiconductor device incorporating a defect controlled strained channel structure and method of making the same

Номер патента: US20050205936A1. Автор: John Grant,Tab Stephens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor device comprising soi transistors and bulk transistors and a method of forming the same

Номер патента: KR101340634B1. Автор: 토마스 헬러,만프레드 홀스트만,토마스 포이델,카르스텐 뷔크조렉. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor device with source/drain formed on isolation layers and method of fabricating the same

Номер патента: KR100521383B1. Автор: 조원석,임훈,정순문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-12.

Semiconductor device having lead-free tin-based solder film and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3314754B2. Автор: 久裕 田中,剛 常盤,松夫 舛田,隆 久原. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2002-08-12.

Semiconductor device containing an aluminum tantalum carbonitride barrier film and method of forming

Номер патента: US20090045514A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Shigeru Mizuno. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor device with a radiation absorbing conductive protection layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20020056923A1. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Frederick Hause. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same

Номер патента: US8432012B2. Автор: Qingchun Zhang,Jason Henning. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-04-30.

Semiconductor device comprising SOI transistors and bulk transistors and a method of forming the same

Номер патента: TW200746370A. Автор: Manfred Horstmann,Thomas Heller,Karsten Wieczorek,Thomas Feudel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-12-16.

Semiconductor device having a recess-fin field effect transistor and methods of fabrication the same

Номер патента: KR20080000921A. Автор: 이진우,한성희,정태영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device having body contacts with dielectric spacers and corresponding methods of manufacture

Номер патента: US11031478B2. Автор: Thomas Feil,Martin Poelzl,Maximilian Roesch,Wei-Chun Huang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-08.

Semiconductor device having cell transistor with recess channel structure and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1870271A. Автор: 山崎靖. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-11-29.

Semiconductor devices having a buried and enlarged contact hole and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050017295A1. Автор: Seong-Goo Kim,Sang-Moo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-27.

Semiconductor device containing a buried threshold voltage adjustment layer and method of forming

Номер патента: US20090085175A1. Автор: Robert D. Clark,Gerrit J. Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor device having selective epitaxial layer suppressible lateral growth and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100712535B1. Автор: 이준호,김진범,이형익,김영필,백현석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-27.

Power semiconductor device using silicon substrate as field stop layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070120215A1. Автор: Kyu-Hyun Lee,Chong-Man Yun,Kwang-Hoon Oh,Young-chull Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device having a doped lattice matching layer and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20040183140A1. Автор: Wen Lin,Charles Pearce. Владелец: Agare Systems Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device including integrated capacitor and vertical channel transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20220359529A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device stack package, electronic apparatus including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080258288A1. Автор: Jin-woo Park,Chan Park,Eun-Chul Ahn,Tae-Joo Hwang,Hae-jung Yu,Cha-je Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor devices having contact plugs with stress buffer spacers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20100159689A1. Автор: Jong-wook Lee,Yu-Gyun Shin,Yong-Hoon Son,Deok-Hyung Lee,In-Soo Jung,Young-Eun Lee,Sun-Ghil Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device having a ghost source/drain region and a method of manufacture therefor

Номер патента: US6864547B2. Автор: Ian Wylie,John A. Michejda. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2005-03-08.

Vertically stacked semiconductor device including a hybrid bond contact junction circuit and methods of forming the same

Номер патента: US20220320047A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Ghia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Integrated circuit device and formation method thereof

Номер патента: US11769725B2. Автор: Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device with components embedded in backside diamond layer and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI289349B. Автор: Bin Lian,Prateek J Dujari,Damion T Searls. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Photovoltaic Device and Module with Improved Passivation and a Method of Manufacturing

Номер патента: US20130220396A1. Автор: Janssen Lars,Koopmann Jonas,Van Den Donker Menno Nicolaas,Agricola Franciscus Theodorus. Владелец: ENERGY RESEARCH CENTRE OF THE NETHERLANDS. Дата публикации: 2013-08-29.

THERMOELECTRIC DEVICE AND THERMOELECTRIC MODULE HAVING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130319495A1. Автор: Shin Jong Bae,Kim Se Joon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

DEVICES AND SYSTEMS HAVING AC LED CIRCUITS AND METHODS OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20160057827A1. Автор: Miskin Michael. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND AN INSPECTION METHOD OF A DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20160087023A1. Автор: MAEDA Norihisa. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

DEVICES AND SYSTEMS HAVING AC LED CIRCUITS AND METHODS OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20140239809A1. Автор: Miskin Michael. Владелец: LYNK LABS, INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

DISPLAY INPUT DEVICE AND IMAGE FORMING APPARATUS INCLUDING SAME AND METHOD OF CONTROLLING DISPLAY INPUT DEVICE

Номер патента: US20160241741A1. Автор: Ochi Makoto. Владелец: KYOCERA Document Solutions Inc.. Дата публикации: 2016-08-18.

Electronic Device, and Heat Dissipation System and Heat Dissipation Method of Electronic Device

Номер патента: US20140352928A1. Автор: KE Youhe,Huang Shuliang,Luo Zhaoxia. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

DIFFERENTIAL RECEIVER, ELECTRONIC DEVICE AND INDUSTRIAL DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF RECEIVING DIFFERENTIAL SIGNAL

Номер патента: US20140375355A1. Автор: Saito Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

DEVICES AND SYSTEMS HAVING AC LED CIRCUITS AND METHODS OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20170295616A1. Автор: Miskin Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

DEVICES AND SYSTEMS HAVING AC LED CIRCUITS AND METHODS OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20190306943A1. Автор: Miskin Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR101294545B1. Автор: 김지은,김성훈. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2013-08-07.

Photovoltaic device and module with improved passivation and a method of manufacturing.

Номер патента: WO2012026806A1. Автор: Menno Nicolaas Van Den Donker,Lars Janssen,Jonas Koopmann,Franciscus Theodorus Agricola. Владелец: Solland Solar Energy Holding B.V.. Дата публикации: 2012-03-01.

Devices and systems having AC LED circuits and methods of driving the same

Номер патента: US9693405B2. Автор: Michael Miskin. Владелец: Lynk Labs Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Combination monitoring device and patch for a pneumatic tire and method of installing the same with a coupled antenna

Номер патента: EP1048494A1. Автор: Robert J. Trew,Paul B. Wilson,Russel W. Koch. Владелец: Bridgestone Firestone Inc. Дата публикации: 2000-11-02.

Relevant Smith-Purcell irradiation device and relevant THz radiation signal generating method

Номер патента: CN110444996A. Автор: 张巍,冯雪,黄翊东,刘仿,崔开宇,林月钗,李天畅. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-11-12.

Photovoltaic device and module with improved passivation and a method of manufacturing

Номер патента: CN103460393A. Автор: L·扬森,J·科普曼,M·N·范登东克,F·T·阿格里克拉. Владелец: SOLLAND SOLAR ENERGY HOLDING BV. Дата публикации: 2013-12-18.

Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR101327027B1. Автор: 강문숙. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2013-11-13.

Spread spectrum clock generation device and spread spectrum clock signal generation method

Номер патента: CN105634485A. Автор: 刘永旺,徐杰阳,张兵照. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-01.

Quasi-2d perovskite film, photoluminescence device and solar cell including the same, and method of preparing the same

Номер патента: KR101991793B1. Автор: 김동하,에이치. 사전트 에드워드,전리나. Владелец: 이화여자대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-06-25.

Quasi-2d perovskite film, photoluminescence device and solar cell including the same, and method of preparing the same

Номер патента: KR101991369B1. Автор: 김동하,에이치. 사전트 에드워드,전리나. Владелец: 이화여자대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-06-21.

FUEL CELL DEVICE, GAS EJECTION DEVICE, AND FUEL CELL DEVICE POWER GENERATION METHOD

Номер патента: JP4677725B2. Автор: 典一 中山. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-27.

Combination monitoring device and patch for a pneumatic tire and method of installing the same

Номер патента: KR100672614B1. Автор: 죠그 에이. 봄,존디. 렌셀,러셀더블유. 코치,존엘. 터너,로버트제이. 트루. Владелец: 브릿지스톤/화이어스톤인코포레이티드. Дата публикации: 2007-01-22.

Protective cover for a 5g wireless telecommunications device and methods for reducing signal attenuation using the same

Номер патента: US20210083708A1. Автор: Richard Holman,Piriya Sugumaar. Владелец: Design Blue Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Display device and multi-tab-page media asset playing method of browser

Номер патента: CN113507646A. Автор: 李昊天,李佰平. Владелец: Hisense Electronic Technology Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-10-15.

Method of operating a battery-charger device, and corresponding device

Номер патента: US09923400B2. Автор: Agatino Antonino Alessandro,Giuliana De-Milato,Roberto Salvatore Peluso. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-03-20.

Power battery voltage regulation circuit and system, and control method and control apparatus therefor

Номер патента: EP4420923A1. Автор: Yu Yan,Zhimin Dan,Jinfeng Gao,Zhanliang LI,Xinwei Chen,Yuanmiao Zhao. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of controlling independent power supply system of spacecraft

Номер патента: RU2634473C2. Автор: Михаил Владленович Нестеришин,Александр Викторович Журавлев,Антон Сергеевич Тетерин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Госсударственная корпорация по космической деятельности "Роскосмос". Дата публикации: 2017-10-31.

Method of spacecraft power supply

Номер патента: RU2633616C1. Автор: Виктор Владимирович Коротких,Михаил Владленович Нестеришин,Сергей Иванович Опенько. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2017-10-16.

Switching voltage regulator with protective device against thermal breakdown

Номер патента: CA2062845A1. Автор: Yoshinobu Ohshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-09-14.

Power receiver, wireless power system and related method of transmitting information with a power receiver

Номер патента: US09973039B2. Автор: Roberto Larosa,Danilo Antonio Claudio Morreale,Giovanni Benenati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-15.

Power battery voltage regulation system, and control method and control apparatus therefor

Номер патента: EP4415205A1. Автор: Yu Yan,Zhimin Dan,Jinfeng Gao,Zhanliang LI,Xinwei Chen,Yuanmiao Zhao. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Apparatus, system and method of wireless power transfer

Номер патента: US09692251B2. Автор: Songnan Yang,Siva Ramakrishnan,Isaac Sever,Karim H. Tadros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of providing autonomous power supply

Номер патента: RU2689401C1. Автор: Анатолий Алексеевич Максимчук,Виталий Иванович Глухов,Сергей Юрьевич Коваленко,Алексей Анатольевич Тарабанов,Михаил Владимирович Туманов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электромеханики". Дата публикации: 2019-05-28.

Buck/boost method of voltage regulation for a permanent magnet generator (PMG)

Номер патента: US20070018616A1. Автор: Mahesh Shah,George Seffernick. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Power battery voltage regulation system and control method and control apparatus thereof

Номер патента: US20240235243A1. Автор: Yu Yan,Zhimin Dan,Jinfeng Gao,Zhanliang LI,Xinwei Chen,Yuanmiao Zhao. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Modulating supply voltage generated by voltage regulator for transmission of data and power

Номер патента: EP4128461A1. Автор: Brendan David TOWNSEND,Adam Robert PIEKARSKI,Joseph HELEINE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Modulating supply voltage generated by voltage regulator for transmission of data and power

Номер патента: US12027890B2. Автор: Brendan David TOWNSEND,Adam Robert PIEKARSKI,Joseph HELEINE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Dc voltage regulator

Номер патента: EP2137808A1. Автор: Michael Behnke,Miguel Nuñez Polo,Ricardo Royo Garcia,William L. Erdman. Владелец: Acciona Windpower SA. Дата публикации: 2009-12-30.

Devices and methods for selecting voltage sources

Номер патента: US11749987B2. Автор: David Alan Brown. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Multi-phase low dropout voltage regulator

Номер патента: WO2020053879A1. Автор: Saurabh SAXENA,Qadeer Ahmad Khan. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT MADRAS). Дата публикации: 2020-03-19.

Device and method for voltage regulator with low standby current

Номер патента: US20060071706A1. Автор: Wenzhe Luo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Device and method for voltage regulator with low standby current

Номер патента: US7353124B2. Автор: Wenzhe Luo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Device and Method for Voltage Regulator with Low Standby Current

Номер патента: US20080116863A1. Автор: Wenzhe Luo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Device and method for voltage regulator with low standby current

Номер патента: US7162380B2. Автор: Wenzhe Luo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-01-09.

Voltage regulator

Номер патента: US09971369B1. Автор: Chi-Yang Chen,Wen-Chi Huang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Low noise bipolar high voltage regulator

Номер патента: WO2021059169A1. Автор: Manuel Faur,Ernesto Gradin. Владелец: DH Technologies Development Pte. Ltd.. Дата публикации: 2021-04-01.

Low noise bipolar high voltage regulator

Номер патента: US12072725B2. Автор: Manuel Faur,Ernesto Gradin. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Low noise fast stable voltage regulator circuit

Номер патента: US20040232895A1. Автор: Chi-Ming Hsiao,Chi-Kun Chiu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

Low drop-out voltage regulator and a method of providing a regulated voltage

Номер патента: US09529374B2. Автор: Jerome Enjalbert,Marianne Maleyran,Jalal Ouaddah. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US09829901B2. Автор: Kenichi Watanabe,Norimasa Hane. Владелец: Torex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for preventing cross-conductions and interactions between supply lines of a device and a circuit for limiting the voltage difference between two regulated output voltages

Номер патента: US20050174705A1. Автор: Davide Brambilla,Daniela Nebuloni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-08-11.

System component, electronic device and method for providing a control signal

Номер патента: GB2611614A. Автор: Kraus Dominik,Noor Daniyal. Владелец: Fujitsu Client Computing Ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

Display device and method for driving display panel

Номер патента: US20240274052A1. Автор: KANG Yang,WEI Liu,Qijun Yao,Xingyao Zhou,Yana GAO. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Negative voltage regulation circuit and voltage generation circuit including the same

Номер патента: US20140167839A1. Автор: Jae-Kwan Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US11755045B1. Автор: Chang Hyun Lee,Jin Hoon Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Regulated voltage system and method of protection therefor

Номер патента: US20100283444A1. Автор: Philippe Lance,Stephan Ollitrault,Arlette Marty-Blavier,Yean Ling Teo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-11-11.

Method for regulating common voltage, regulating device and display device

Номер патента: US09953610B2. Автор: Ying Zhang,Xin Li,Hong Zhu,Jing Wang,Hongjun Yu,Jinbo DING. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Voltage regulator which outputs a predetermined direct-current voltage with its extreme variation restrained

Номер патента: US20050195020A1. Автор: Yuichi Matsushita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-08.

Method, device and system to protect circuitry during a burn-in process

Номер патента: US20200003829A1. Автор: Michael Hill,William Lambert,Kaladhar Radhakrishnan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Voltage regulator

Номер патента: US20040041546A1. Автор: James Ngiap Ho. Владелец: BlueChips Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

Voltage regulator and controlling method thereof

Номер патента: US20090128115A1. Автор: Chung-Kuang Chen,Yi-Te Shih,Chun-Shiung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of measuring characteristics of a protection circuit for a linear voltage regulator

Номер патента: US9207694B2. Автор: Takashi Imura,Akihito YAHAGI. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Voltage regulators

Номер патента: US20190302824A1. Автор: Samuli HALLIKAINEN. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2019-10-03.

Voltage generating device

Номер патента: US20240201720A1. Автор: Chen-Yu Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Coordinated storage of operating data among multiple voltage regulations in response to a fault condition

Номер патента: NL2017252A. Автор: C Totten Brian,I Evans Douglas. Владелец: Lenovo Entpr Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Coordinated storage of operating data among multiple voltage regulations in response to a fault condition

Номер патента: NL2017252B1. Автор: C Totten Brian,I Evans Douglas. Владелец: Lenovo Entpr Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-12.

Chip, series power supply circuit, data processing device, and computer server

Номер патента: EP4254131A1. Автор: Fei Wu,Lijun Wang. Владелец: Bitmain Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Computer system, power supply device and method thereof

Номер патента: US20140089713A1. Автор: Chun-Lung Hsiao,Yao-Hsien Chang. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Voltage regulation circuit

Номер патента: US20240329674A1. Автор: Salvatore Giuseppe Privitera,Francesco Pulvirenti,Cesare BIMBI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-03.

Voltage regulation circuit

Номер патента: EP4443265A1. Автор: Salvatore Giuseppe Privitera,Francesco Pulvirenti,Cesare BIMBI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-09.

Multiple voltage regulators with input voltage sensing and sleep mode

Номер патента: US09939830B1. Автор: Wen-Sheng Lin,Sheng-Cheng LEE. Владелец: Dyna Image Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Coordinated storage of operating data among multiple voltage regulators in response to a fault condition

Номер патента: US09760451B2. Автор: Brian C. Totten,Douglas I. Evans. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Cascode voltage regulator circuit

Номер патента: US20240353880A1. Автор: Bradford Hunter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Cascode voltage regulator circuit

Номер патента: WO2024226331A1. Автор: Bradford Hunter. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Wideband low dropout voltage regulator with power supply rejection boost

Номер патента: US09921593B2. Автор: James Lawrence GORECKI,Han-Yuan Tan. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods for adaptive compensation of linear voltage regulators

Номер патента: US09915963B1. Автор: Gary Chunshien Wu. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Calibration of voltage regulator

Номер патента: US09612603B2. Автор: John E. Jenne,Abey K. Mathew,George G. Richards, III,Ralph H. Johnson, III. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-04-04.

Electronic device and method to extend battery life

Номер патента: US09411398B2. Автор: Vasudevan Srinivasan,Jorge P. Rodriguez,Gang Ji,Andy Keates,Alexander B. Uan-Zo-Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory cell voltage regulator with temperature correlated voltage generator circuit

Номер патента: US6184670B1. Автор: Andrea Ghilardelli,Jacopo Mulatti,Matteo Zammattio,Marcello Carrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-02-06.

Recovery mechanism during an input or output voltage fault condition for a voltage regulator

Номер патента: US20210191438A1. Автор: Ramakrishna Ankamreddi,Rohit Phogat,Siddhant ROHELA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Systems and methods for bypassing a voltage regulator

Номер патента: WO2014160014A1. Автор: Daniel Joseph Daley,Richard John Kaluzny. Владелец: Cooper Technologies Company. Дата публикации: 2014-10-02.

Systems and methods for bypassing a voltage regulator

Номер патента: CA2903063C. Автор: Daniel Joseph Daley,Richard John Kaluzny. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Electrostatic recording head providing voltage regulation to voltage applied to needle electrodes

Номер патента: US6043831A. Автор: Takashi Horikawa,Dennis Kauffman,Tetsuo Itagaki. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

A voltage regulator and a method for operating a voltage regulator

Номер патента: IES85738Y1. Автор: Michael Mitchell Patrick. Владелец: Michael Mitchell Patrick. Дата публикации: 2011-03-30.

A voltage regulator and a method for operating a voltage regulator

Номер патента: IE20100113U1. Автор: Michael Mitchell Patrick. Владелец: Michael Mitchell Patrick. Дата публикации: 2011-03-30.

Voltage regulator with frequency response correction

Номер патента: US6841978B2. Автор: Bernhard Schaffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-01-11.

Rule-based register checking for digital voltage regulator controllers

Номер патента: US09990584B2. Автор: Benjamim Tang,Tim Ng,Allen Sakai,Ken Ostrom,Richard Rolston,Vrezh Yetanikyan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Voltage regulators with current reduction mode

Номер патента: US09946276B2. Автор: Frank Kronmueller,Ambreesh Bhattad,Hande Kurnaz. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Voltage regulator and semiconductor device

Номер патента: US09798341B2. Автор: Tsutomu Tomioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Low dropout voltage regulator and method

Номер патента: US09665111B2. Автор: Jiri Forejtek. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

System and method for a linear voltage regulator

Номер патента: US09651962B2. Автор: Derek Bernardon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Wideband low dropout voltage regulator with power supply rejection boost

Номер патента: US09552006B1. Автор: James Lawrence GORECKI,Han-Yuan Tan. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Programmable reference voltage generating circuit

Номер патента: US20030001661A1. Автор: Nam-Seog Kim,Jin-ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-02.

Sweep voltage generator and display panel

Номер патента: US11967272B2. Автор: Chih-Lung Lin,Chia-Tien Peng,Chia-En Wu,Yi-Chen Huang,Ming-Hung CHUANG,Po-Cheng LAI,Ming-Yang Deng,Chih-I LIU. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Sweep voltage generator and display panel

Номер патента: US20240029630A1. Автор: Chih-Lung Lin,Chia-Tien Peng,Chia-En Wu,Yi-Chen Huang,Ming-Hung CHUANG,Po-Cheng LAI,Ming-Yang Deng,Chih-I LIU. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Voltage Regulator Circuit

Номер патента: US20130271094A1. Автор: Zhen Yang,Kaihua Zheng,Amanda Sun. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2013-10-17.

Voltage Regulator Pole Shifting Method and Apparatus

Номер патента: US20090015219A1. Автор: Iman Taha,Vincent Acierno. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

Graphics processor sub-domain voltage regulation

Номер патента: US20170322617A1. Автор: SUBRAMANIAM MAIYURAN,Muhammad M. Khellah,James W. Tschanz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Voltage regulator circuit for rfid circuit

Номер патента: EP4268129A1. Автор: Pairote Sirinamaratana,Pattrakorn CHOKCHALERMWAT. Владелец: Silicon Craft Technology Public Co Ltd Sict. Дата публикации: 2023-11-01.

Voltage regulator circuit for rfid circuit

Номер патента: US20240085933A1. Автор: Pairote Sirinamaratana,Pattrakorn CHOKCHALERMWAT. Владелец: Silicon Craft Technology Public Co Ltd Sict. Дата публикации: 2024-03-14.

Voltage regulator with frequency response correction

Номер патента: US20040207374A1. Автор: Bernhard Schaffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030160285A1. Автор: Mika Shiiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Heterogeneous integration structure with voltage regulation

Номер патента: US20240215270A1. Автор: Arvind Kumar,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Structure and Method for Fabricating a Computing System with an Integrated Voltage Regulator Module

Номер патента: US20240243012A1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240234401A9. Автор: Yu-Sheng Chen,Yu-Jen Wang,Wei-Cheng Wu,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Harry-HakLay Chuang,Hsien Jung CHEN,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Automotive lighting device and method

Номер патента: US11743991B2. Автор: Juan Jose SANTAELLA HERNANDEZ,Jose Ramon MARTINEZ PEREZ,Jose Luis LOPEZ LEON. Владелец: VALEO VISION SAS. Дата публикации: 2023-08-29.

Low-noise voltage regulator for voltage-controlled oscillator

Номер патента: US9172384B1. Автор: Wing Liu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of multichannel asynchronous pulse-width modulation and device for implementation thereof

Номер патента: RU2726220C1. Автор: Владимир Александрович Александров,Сергей Александрович Калашников. Владелец: Акционерное Общество "Концерн "Океанприбор". Дата публикации: 2020-07-10.

Programmable low power high-speed current steering logic (LPHCSL) driver and method of use

Номер патента: US09692394B1. Автор: Feng Qiu,Vikas Agrawal. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Pulse voltage generator

Номер патента: RU2682015C1. Автор: Владимир Федорович Стрелков,Валерий Владимирович Ваняев,Максим Владимирович Андрюхин. Владелец: Акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники". Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US20020123185A1. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Semiconductor processing tool and methods of operation

Номер патента: US20230268215A1. Автор: Sheng-Wen Huang,Yan-Cheng Chen,Kai-Lin Chuang,Jun Xiu Liu,Chung-Pin CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor processing tool and methods of operation

Номер патента: US12087611B2. Автор: Sheng-Wen Huang,Yan-Cheng Chen,Kai-Lin Chuang,Jun Xiu Liu,Chung-Pin CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Open-loop voltage regulation and drift compensation for digitally controlled oscillator (DCO)

Номер патента: US09455727B2. Автор: Fulvio Spagna,Shenggao Li,Sujatha B. Gowder,Guluke Tong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Multi-die fine grain integrated voltage regulation

Номер патента: US12068324B2. Автор: Jun Zhai,Jared L. Zerbe,Emerson S. Fang,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Multi-die fine grain integrated voltage regulation

Номер патента: US09595526B2. Автор: Jun Zhai,Jared L. Zerbe,Emerson S. Fang,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193640A1. Автор: Eunseok Song,Kyungsuk Oh,Seho You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Method and apparatus for active voltage regulation in optical modules

Номер патента: US20140185637A1. Автор: Duane Louderback. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11996398B2. Автор: Eunseok Song,Kyungsuk Oh,Seho You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Voltage regulator and method of regulating voltage

Номер патента: US20050184197A1. Автор: Martin Pierson. Владелец: Lionel LLC. Дата публикации: 2005-08-25.

Voltage regulation type energy-saving control device fluctuating along with network voltage and control method of voltage regulation type energy-saving control device

Номер патента: CN103025026B. Автор: 李文志,崔学深. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-12-03.

Method of controlling operation and implementing processes for forming jet streams of hydromassage scanner

Номер патента: RU2708865C1. Автор: Андрей Николаевич Алексеев. Владелец: Андрей Николаевич Алексеев. Дата публикации: 2019-12-11.

Ion-exchange dental device and method

Номер патента: RU2363416C2. Автор: Камал КХАВАЛЕД,Махер ЮБЕХ. Владелец: Флуоринекс Эктив Лтд.. Дата публикации: 2009-08-10.

Method of automatic transformer-voltage regulation

Номер патента: SU1713014A1. Автор: Валерий Георгиевич Васильев. Владелец: Целиноградский сельскохозяйственный институт. Дата публикации: 1992-02-15.

Device to insert a wick into a plant pot, assembly of device and wick, and production method of the device

Номер патента: US20200029518A1. Автор: Anthony Visser. Владелец: WATERWICK BV. Дата публикации: 2020-01-30.

Device to insert a wick into a plant pot, assembly of device and wick, and production method of the device

Номер патента: EP3570663A1. Автор: Anthony Visser. Владелец: WATERWICK BV. Дата публикации: 2019-11-27.

Intratympanic injector devices and needles for delivery of drugs and methods of use

Номер патента: US12138436B2. Автор: Eugene de Juan, Jr.,Signe Erickson,Kevin W. Sacherman,Hugo PERIS,Charles LIMB,Andrew AYOOB. Владелец: Spiral Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

High-temperature oxygen generation device and high-temperature oxygen generation method

Номер патента: US20220341589A1. Автор: Masashi Yamaguchi,Yasuyuki Yamamoto,Yoshiyuki Hagihara. Владелец: Taiyo Nippon Sanso Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

High-temperature oxygen generation device and high-temperature oxygen generation method

Номер патента: EP4036472A1. Автор: Masashi Yamaguchi,Yasuyuki Yamamoto,Yoshiyuki Hagihara. Владелец: Taiyo Nippon Sanso Corp. Дата публикации: 2022-08-03.

Devices and methods and agent-assisted medical procedures

Номер патента: US09956286B2. Автор: Yem Chin,Paul Scopton,Samuel Zhong. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Device and method for manipulating biological cells and method of manufacturing the device

Номер патента: WO2023160777A1. Автор: Heiko Zimmermann,Günter R. FUHR. Владелец: Universität des Saarlandes. Дата публикации: 2023-08-31.

Gate Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240150192A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

System and method of operating canvas table during and after cleaning plug

Номер патента: RU2593890C2. Автор: Джеффри С. ТРАУБРИДЖ,Эндрю Р. УИЛБЕРТ. Владелец: СиЭнЭйч ИНДАСТРИАЛ АМЕРИКА ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-08-10.

Method of mounting a permanent quick-erect lightweight support for emergency recovery works on power transmission lines

Номер патента: RU2768534C1. Автор: Андрей Владимирович Литвинов,Виталий Васильевич Власов,Игорь Игоревич Савин,Андрей Станиславович Дроздев,Александр Геннадьевич Челноков,Антон Викторович Седелков. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алтик". Дата публикации: 2022-03-24.

Devices and methods for agent-assisted medical procedures

Номер патента: US8864738B2. Автор: Yem Chin,Paul Scopton,Samuel Zhong. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Device to insert a wick into a plant pot, assembly of device and wick, and production method of the device

Номер патента: WO2018135947A1. Автор: Anthony Visser. Владелец: Waterwick B.V.. Дата публикации: 2018-07-26.

Device and System Having Water Microelectrolyzer Cells and Method of Using the Same

Номер патента: US20160289848A1. Автор: Demetri Psaltis,Christophe Moser,Miguel Antonio Modestino,Seyyed Mohammad Hosseini Hashemi. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-10-06.

Methods of forming microwires or nanowires

Номер патента: US20230226606A1. Автор: Martin Thuo,Chuanshen Du,Thomas Ward, III,Julia Jinling Chang. Владелец: LOWA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

PUMP DEVICE AND METHOD THEREFOR OF CONVEYING FLUID, AND METHOD OF MANUFACTURING THE PUMP DEVICE

Номер патента: US20160195075A1. Автор: Adams Grant. Владелец: SMITHS MEDICAL ASD, INC.. Дата публикации: 2016-07-07.

Pump device and method therefor of conveying fluid, and method of manufacturing the pump device

Номер патента: EP3047152A4. Автор: Grant Adams. Владелец: Smiths Medical ASD Inc. Дата публикации: 2017-03-01.

Hydrogen generating and hydrogen dissolving device and hydrogen dissolving and hydrogen generating method

Номер патента: CN105152131A. Автор: 林建凌. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-16.

Vitamin d synthesis and sterilization control device and vitamin d synthesis and sterilization control method of vitamin d synthesis and sterilization control device

Номер патента: US20220249862A1. Автор: Bae Dong JHIN,Byeong Seol GO. Владелец: Cebien Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Electric dental cleaning device and its handle section and cleaning tool, method of detecting and recognizing the cleaning tool

Номер патента: HK1065461A1. Автор: Armin Schwarz-Hartmann,Hansjörg REICK,Horst Mannebach,Peter Trawinski,Alexander Hilscher,Martin Stratmann,Wolfgang Vorbeck. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 2005-02-25.

Intratympanic injector devices and needles for delivery of drugs and methods of use

Номер патента: CA3131378A1. Автор: Jr. Eugene De Juan,Signe Erickson,Kevin W. Sacherman,Hugo PERIS,Charles LIMB,Andrew AYOOB. Владелец: Spiral Therapeutics Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Device and method for transferring rotational power and method of using same

Номер патента: US20200003277A1. Автор: Eran Starik,Ahishay Sardes,Tomer Segev,Ran Dekel. Владелец: Softwheel LTD. Дата публикации: 2020-01-02.

ULTRASONIC DIAGNOSTIC DEVICE AND ULTRASONIC THREE-DIMENSIONAL IMAGE GENERATION METHOD

Номер патента: US20160030007A1. Автор: TSUJITA Takehiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

MEDICAL DEVICES AND SYSTEMS FOR MANIPULATING FOREIGN BODIES AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20150080903A1. Автор: "OConnell Desmond",Liljegren Erik,Dillard David H.,Finger Clinton L.,Sirokman William A.,Shea Richard O.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

RESPIRATORY THERAPY DEVICE AND SYSTEM WITH INTEGRATED GAMING CAPABILITIES AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20190134460A1. Автор: CHEU Dwight,DICESARE Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

DEVICE AND METHOD FOR TRANSFERRING ROTATIONAL POWER AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20200248782A1. Автор: SARDES Ahishay,SEGEV Tomer,STARIK Eran,Dekel Ran. Владелец: REE AUTOMOTIVE LTD.. Дата публикации: 2020-08-06.

Device and System Having Water Microelectrolyzer Cells and Method of Using the Same

Номер патента: US20160289848A1. Автор: MOSER Christophe,Psaltis Demetri,MODESTINO Miguel Antonio,Hosseini Hashemi Seyyed Mohammad. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

BLOOD PRESSURE CORRECTION INFORMATION GENERATING DEVICE, BLOOD PRESSURE MEASUREMENT DEVICE AND BLOOD PRESSURE CORRECTION INFORMATION GENERATING METHOD

Номер патента: US20180303428A1. Автор: Mori Kentaro,Yamashita Shingo,OTA Yuki. Владелец: OMRON HEALTHCARE CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-25.

Compressed air storage power generation device and compressed air storage power generation method

Номер патента: JP6826962B2. Автор: 治幸 松田,洋平 久保,正剛 戸島. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2021-02-10.

Packaging device, assembly comprising such a device and a container, its use and a method of filling or drawing off

Номер патента: FR3101125B1. Автор: Antoine Frenal. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-12-31.

Balancing device and equipment for a turbine rotor and method of operating

Номер патента: DE3560203D1. Автор: Robert Gustave Holz,Denis Jean Noel Vercherin. Владелец: Societe Nationale dEtude et de Construction de Moteurs dAviation SNECMA. Дата публикации: 1987-07-02.

Motion posture analysis device and motion posture analysis information generation method

Номер патента: CN106714915B. Автор: 赵兴烈,李美善,林刚润. Владелец: Golfzon Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Complex system of low-temperature plasma device and gas engine, and energy generating method

Номер патента: JP2005240586A. Автор: Hirokazu Akagawa,裕和 赤川,Mamoru Inoue,Tatsuo Takaishi,龍夫 高石,衞 井上,Ryoji Nakano,良治 中野. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Device and alignment systems for drill rods and methods of use

Номер патента: CL2017002755A1. Автор: Christopher Allen WRIGHT,Anthony Charles William Markham,David Robert Ritter. Владелец: Bly IP Inc. Дата публикации: 2018-05-18.

High-concentrated ozone gas generating device and high-concentrated ozone gas generation method

Номер патента: CN101878183A. Автор: 太田幸治,谷村泰宏,田畑要一郎,冲原雄二郎,中村纪幸,西津彻哉,植田良平. Владелец: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp. Дата публикации: 2010-11-03.

DEVICE AND INSTRUMENT FOR TISSUE JOINTING, STAPLER AND METHOD OF STAPLING TISSUE

Номер патента: BR9200118A. Автор: Mark S Zeiner,Ronald J Brinkerhoff,Michael B Miller,James A Transue. Владелец: JOHNSON & JOHNSON. Дата публикации: 1992-10-06.

The adaptive location device and posture adjustment docking system and control method of big component docking

Номер патента: CN108372402A. Автор: 郑春艳,杜兆才,薛贵军,荆道艳. Владелец: AVIC Beijing Aeronautical Manufacturing Technology Research Institute. Дата публикации: 2018-08-07.

Respiratory therapy device and system with integrated gaming capabilities and method of using the same

Номер патента: WO2019094432A1. Автор: Michael Dicesare,Dwight CHEU. Владелец: Michael Dicesare. Дата публикации: 2019-05-16.

Device and method for fracturing brittle-material and method of producing liquid crystal display

Номер патента: JP2001212683A. Автор: Takashi Obara,一男 堀内,Susumu Yahagi,進 矢作,Kazuo Horiuchi,隆 小原,Ryuichi Togawa,隆一 外川. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-08-07.

Device and method for improving sleep breathing and method of making the device

Номер патента: DE102021201915A1. Автор: Jens-Peter Hittel,Marc Hittel. Владелец: HITTEL JENS PETER. Дата публикации: 2022-09-01.

Device and method for transferring rotational power and method of using same

Номер патента: US10801583B2. Автор: Eran Starik,Ahishay Sardes,Tomer Segev,Ran Dekel. Владелец: Softwheel LTD. Дата публикации: 2020-10-13.

Compressed air storage power generation device and compressed air storage power generation method

Номер патента: JP6796577B2. Автор: 隆 佐藤,佐藤　隆,亮 中道. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Implantable pulse generator for providing a neurostimulation therapy by blending current and voltage control for output and methods of operation

Номер патента: US20240033528A1. Автор: Christopher Palmer,Daran DeShazo. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Electronic device and control method thereof

Номер патента: US20230098734A1. Автор: Illia FEDORIN,Kostyantyn SLYUSARENKO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Liquid jet head, information processing apparatus, and voltage correction table generation method

Номер патента: JP6431432B2. Автор: 貴之 清水. Владелец: SII Printek Inc. Дата публикации: 2018-11-28.

Main semiconductor device for controlling air conditioner, and air conditioner of vehicle system having the same

Номер патента: US09994086B2. Автор: Jin Kim,Yongwook Kwon,Sukyoung Rho,Junekyu Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Seismic cardioblock and method of measurement of seismic cardiocycle

Номер патента: RU2679296C1. Автор: Виктор Акиндинович Солдатенков,Юрий Кириллович Грузевич,Владимир Михайлович Ачильдиев,Юлия Николаевна Евсеева,Михаил Алексеевич Басараб,Николай Анатольевич Бедро,Наталья Сергеевна Коннова. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Геофизика-НВ". Дата публикации: 2019-02-06.

Method of separation of particles of ground rock sample and polarization separator for its implementation

Номер патента: RU2626862C2. Автор: Андрей Аскольдович Миллер,Николай Сергеевич Пщелко,Наталия Петровна Сенчина,Екатерина Габриеловна Водкайло. Владелец: Публичное акционерное общество Научно-производственное предприятие Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт геофизических исследований геологоразведочных скважин (ПАО НПП "ВНИИГИС"). Дата публикации: 2017-08-02.

VOLTAGE REGULATOR WITH ADAPTIVE HYSTERETIC CONTROL

Номер патента: US20120001603A1. Автор: Ouyang Qian,Ren Yuancheng. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Dc generator voltage regulator

Номер патента: RU2263390C2. Автор: В.Г. Петухов,Н.П. Чумаков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Специальное конструкторское бюро "Ротор". Дата публикации: 2005-10-27.

Heating element warning device incorporating voltage regulator

Номер патента: RU2036514C1. Автор: Владислав Григорьевич Вохмянин. Владелец: Владислав Григорьевич Вохмянин. Дата публикации: 1995-05-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Alternating voltage regulator

Номер патента: RU2544379C2. Автор: Геннадий Степанович Зиновьев,Алексей Вячеславович Удовиченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-03-20.

Method of tuning semiconductor voltage regulator of self-sustained generators

Номер патента: SU636766A1. Автор: Леонид Григорьевич Пахомов,Ривен Абрамович Бот,Тамара Ильинична Акимова,Владимир Иванович Галыгин,Игорь Максимович Жура,Сергей Петрович Акимов. Владелец: Научно-исследовательский и экспериментальный институт автомобильного электрооборудования и автоприборов. Дата публикации: 1978-12-05.

Device for application of coating by method of chemical deposition from gas phase

Номер патента: RU2338006C2. Автор: Грегор АРНОЛЬД,Штефан БЕЛЕ,Андреас ЛЮТРИНГХАУС-ХЕНКЕЛЬ,Матиас БИКЕР. Владелец: Шотт АГ. Дата публикации: 2008-11-10.

Method of simulating automatic voltage regulator for generator

Номер патента: JPH078109B2. Автор: 達郎 小池,壽郎 西森. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 1995-01-30.

Data format converting module, device and method and micro-projection system and method of signal playing

Номер патента: TW201220051A. Автор: Chung-You Pei. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PLURAL INTERNAL VOLTAGE GENERATING CIRCUITS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120140578A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

Portable electronic device and back cover structure thereof and fabricating method of back cover structure

Номер патента: TW201119129A. Автор: Huang-Chi Chen. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2011-06-01.

HIGH VOLTAGE GENERATING CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120236672A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-20.

Erasing voltage generation circuit and method of nonvolatile memory

Номер патента: CN102623058B. Автор: 刘铭,舒清明,张现聚. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2015-01-07.

Storage device and word line voltage generating circuit thereof

Номер патента: CN102867535A. Автор: 杨光军. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-01-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130105946A1. Автор: CHO Young-Jin,Shin Jai-kwang,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A TRENCH IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Ploss Reinhard. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: EP1924632B1. Автор: Janos Farkas,Cindy Goldberg,Srdjan Kordic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-04-16.

Cleaning solution for semiconductor device containing platinum, cleaning method using same and manufacturing method of memory device using same

Номер патента: KR19980082844A. Автор: 이문희,송재인. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-12-05.

Proximity exposure mask, proximity light generating method, method of forming proximity exposure mask, proximity aligner, proximity exposure method, and method of forming micro element

Номер патента: JP2005093509A. Автор: Akira Kuroda,朋宏 山田,亮 黒田,Tomohiro Yamada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-04-07.

METHOD OF FORMING GROUP III-V MATERIAL LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE GROUP III-V MATERIAL LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20130105869A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of generation of fumigant gas, device and composition for realization of this method, method of fumigation, method of fumigation of object in form of block of product (versions)

Номер патента: RU2145784C1. Автор: Л.А. Тихонова,А.А. Арямкин. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Малахит". Дата публикации: 2000-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED STRUCTURE INCLUDING THROUGH-SILICON-VIAS AND METHOD OF TESTING THE SAME

Номер патента: US20120138927A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE CONDUCTIVE PATTERN STRUCTURES INCLUDING DUMMY CONDUCTIVE PATTERNS, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120193792A1. Автор: Choi Gil-heyun,Lee Jong-Myeong,Park In-Sun,Park Ji-Soon,Hong Jong-Won,Kim Hei-seung. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

Embedded Semiconductor Device Including Phase Changeable Random Access Memory Element and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20120214262A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor Device Having a Bonding Pad and Shield Structure and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120292728A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-22.

MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM SEMICONDUCTOR ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF FORMING CRYSTALLINE SILICON THIN FILM, AND APPARATUS FOR FORMING CRYSTALLINE SILICON THIN FILM

Номер патента: US20120309140A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-12-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE INSULATED FROM A BULK SILICON SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130020640A1. Автор: CHEN John Y.,Liew Boon-Khim. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

Image display device, light intensity correction data generation device, and light intensity correction data generation method

Номер патента: JP5280948B2. Автор: 輝長 金光. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-04.

Voltage regulator circuit

Номер патента: US20120001606A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE REGULATION CIRCUIT

Номер патента: US20120001604A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Sine-wave voltage generator

Номер патента: RU2252480C2. Автор: И.А. Семенов,В.Е. Конопл,В.Е. Конопля. Владелец: Открытое акционерное общество Арзамсское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА"). Дата публикации: 2005-05-20.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of reactive power source control

Номер патента: RU2337424C1. Автор: Александр Михайлович Брянцев,нцев Александр Михайлович Бр. Владелец: Александр Михайлович Брянцев. Дата публикации: 2008-10-27.

Method of supply voltage regulation of multilevel self-commutated voltage inverter

Номер патента: RU2340071C1. Автор: Мария Копельевна Гуревич,Юрий Александрович Шершнев,Мари Копельевна Гуревич,Мари Анатольевна Козлова,Мария Анатольевна Козлова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт по передаче электроэнергии постоянным током высокого напряжения" (ОАО "НИИПТ"). Дата публикации: 2008-11-27.

Control method of technical state of electric power equipment

Номер патента: RU2476895C2. Автор: Николай Витальевич Силин,Валерий Лазаревич Лосев,Дмитрий Геннадьевич Шевердин,Владимир Викторович Клоков,Денис Викторович Цепенников. Владелец: Негосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный институт коммуникаций" (ДВИК). Дата публикации: 2013-02-27.

Induction generator voltage regulation device

Номер патента: RU2262182C1. Автор: О.В. Григораш,А.С. Чесовской,Д.В. Военцов,О.В. Новокрещенов,А.А. Хамула. Владелец: Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2005-10-10.

Voltage regulation method for electric network node and nodes adjoining it

Номер патента: RU2561915C1. Автор: Александр Георгиевич Фишов,Саиджон Туронович Исмоилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-09-10.

Method and device for taking on-load voltage regulator circle diagram in power transformers

Номер патента: RU2304345C1. Автор: Виктор Митрофанович Шевцов,Юрий Алексеевич Федоров,Георгий Михайлович Михеев,Сергей Николаевич Баталыгин. Владелец: ООО "Инженерный центр". Дата публикации: 2007-08-10.

Three-phase transformer unit with voltage regulation

Номер патента: RU2326462C2. Автор: Андрей Владимирович Виноградов. Владелец: Андрей Владимирович Виноградов. Дата публикации: 2008-06-10.

Generator voltage regulator

Номер патента: RU2244998C1. Автор: В.И. Сорокин,С.А. Неретин. Владелец: Открытое акционерное общество "Калужский завод электронных изделий"(ОАО "Автоэлектроника"). Дата публикации: 2005-01-20.

Constant voltage regulator

Номер патента: RU2211477C1. Автор: А.Э. Попов,С.В. Маков. Владелец: Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса. Дата публикации: 2003-08-27.

Balanced three-phase voltage regulator

Номер патента: RU2249895C2. Автор: С.Н. Сидоров,А.Ф. Кузьмин,А.Г. Пыркин. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-04-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.